JP2003095687A - 光ファイバ母材の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光ファイバに線引きする際に断線の少ない光
ファイバ母材が得られる光ファイバ母材の製造方法を提
供すること。 【解決手段】 ガラス微粒子を堆積させるガラスロッド
や線引き前の光ファイバプリフォームなどのコアのみ又
はコア及びクラッドからなるガラス体をフッ酸中に保持
して化学研削する研削工程と、その後水洗、乾燥した
後、塩素を含む雰囲気中で加熱することにより前記ガラ
ス体の表面を清浄化する清浄化工程を含むことを特徴と
する光ファイバ母材の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光ファイバ母材の製
造方法、特に線引きの際の断線回数が少ない光ファイバ
母材の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】光ファイバ母材の製造方法としては、例
えば、酸水素火炎中に原材料となるＳｉＣｌ₄ を流し、
火炎加水分解反応によりＳｉＯ₂ ガラス微粒子を生成さ
せ、コアのみ又はコア及びクラッドからなるガラスロッ
ドの周囲に、該ロッドに対して径方向にガラス微粒子を
堆積させるＯＶＤ法やＶＡＤ法によりガラス微粒子堆積
体を製造し、得られたガラス微粒子堆積体を透明ガラス
化又は脱水、透明ガラス化して光ファイバプリフォーム
とし、この光ファイバプリフォームを線引きに適当な形
状に延伸し、研磨などの表面加工を行って線引き用の光
ファイバ母材とするのが一般的である。

【０００３】このような光ファイバ母材の製造方法にお
いては、ガラス微粒子を堆積させるガラスロッドやガラ
ス微粒子堆積体を透明ガラス化又は脱水、透明ガラス化
した光ファイバプリフォームなどのガラス体を取り扱う
工程がある。これらのガラス体に異物が付着していたり
微細な傷が存在すると、光ファイバに線引きする際の断
線や光ファイバの性能低下の原因となるため、何らかの
方法による清浄化処理が必要である。従来、このための
清浄化処理としては酸水素火炎を用いてガラス体の表面
を研削する火炎研磨法が用いられており、その改良技術
が多数提案されている。

【０００４】例えば、ガラス微粒子堆積の前工程である
ガラスロッドの火炎研磨方法としては、火炎研磨用のバ
ーナに加えてガラス微粒子合成用バーナを併用して研磨
効率を高める方法が提案されている（特開平６−５６４
４８号公報）。また、光ファイバプリフォームの段階で
の外径修正、火炎研磨方法としては、自重による破断防
止などを目的としてガラス体を鉛直方向に保持して火炎
研磨を行う方法（特開平５−８５７６３号公報）、付着
異物の検出手段を設けて処理工程中に異物を検出、除去
する方法（特開２０００−８６２６３号公報）、火炎研
磨を温度を変えた２段階処理により行い不均一性、曇り
及び歪みのないプリフォームを得る方法（特開２０００
−３１９０３１号公報）、延伸又は火炎研磨などの火炎
処理工程において、温度降下勾配を調整することにより
ガラス微粒子の再付着を抑制する方法（特開２００１−
３９７２７号公報）などが提案されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら本発明者
らの検討によれば、前記のような酸水素火炎を用いた火
炎研磨方法の場合、外気中（雰囲気中）の不純物が火炎
中に巻き込まれるため、若しくは火炎研磨により削られ
たガラスがガラス表面に焼きつくため、火炎研磨後にお
いてもガラスロッドやプリフォームの表面に異物が存在
し、光ファイバに線引きする際に断線の原因となること
がわかった。本発明はこのような従来技術における問題
点を解決し、ガラスロッドや光ファイバプリフォームに
付着する異物の数を低減し、微細な傷などのない状態と
することによって、光ファイバに線引きする際に断線の
少ない光ファイバ母材が得られる光ファイバ母材の製造
方法を提供しようとするものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は前記課題を解決
する手段として次の構成を採るものである。 （１）コアのみ又はコア及びクラッドからなるガラス体
をフッ酸中に保持して化学研削する化学研削工程と、そ
の後水洗、乾燥した後、塩素を含む雰囲気中で加熱する
ことにより前記ガラス体を清浄化する清浄化工程を含む
ことを特徴とする光ファイバ母材の製造方法。 （２）前記化学研削工程の前処理として前記ガラス体を
酸水素火炎で火炎研削する火炎研削工程を設けることを
特徴とする前記（１）の光ファイバ母材の製造方法。 （３）前記ガラス体の周囲にガラス微粒子堆積層を形成
させる工程を含むことを特徴とする前記（１）又は
（２）の光ファイバ母材の製造方法。 （４）前記ガラス体が、ガラス微粒子堆積体を透明ガラ
ス化又は脱水、透明ガラス化して得られるガラス体であ
ることを特徴とする前記（１）又は（２）の光ファイバ
母材の製造方法。

【０００７】（５）前記化学研削を、前記ガラス体の外
径が０．０１〜４ｍｍ減少するまで行うことを特徴とす
る前記（１）〜（４）のいずれか１つの光ファイバ母材
の製造方法。 （６）前記フッ酸の濃度を１〜５０ｗｔ％とすることを
特徴とする前記（１）〜（５）のいずれか１つの光ファ
イバ母材の製造方法。 （７）前記フッ酸中に保持する時間を１〜１００時間と
することを特徴とする前記（１）〜（６）のいずれか１
つの光ファイバ母材の製造方法。

【０００８】（８）前記塩素を含む雰囲気が、塩素ガス
のみ、塩素ガスと不活性ガスとの混合ガス又は塩素ガス
と不活性ガスと酸素ガスとの混合ガス雰囲気であること
を特徴とする前記（１）〜（７）のいずれか１つの光フ
ァイバ母材の製造方法。 （９）前記塩素を含む雰囲気中で加熱する際の炉心管の
表面の温度を８００〜２０００℃とすることを特徴とす
る前記（１）〜（８）のいずれか１つの光ファイバ母材
の製造方法。 （１０）前記塩素を含む雰囲気中で加熱する際の加熱時
間を１０分以上とすることを特徴とする前記（１）〜
（９）のいずれか１つの光ファイバ母材の製造方法。

【０００９】

【発明の実施の形態】光ファイバ母材の製造方法として
は、ロッドインチューブ法、内付けＣＶＤ法（ＭＣＶ
Ｄ：Modified Chemical Vapor Deposition）、外付けＣ
ＶＤ法（ＯＶＤ：Outside Chemical Vapor Deposition
）、軸付け法（ＶＡＤ：Vapor-phase Axial Depositio
n）などが知られている。本発明はＯＶＤ法やＶＡＤ法
においてガラス微粒子堆積体（多孔質母材）の製造に用
いられるガラスロッドや、前記各種方法で製造される線
引き直前の光ファイバプリフォームのようなコアのみ又
はコア及びクラッドからなるガラス体を扱う工程に関す
るものである。

【００１０】すなわち本発明は、ガラスロッドの周囲に
ガラス微粒子堆積層を形成させてガラス微粒子堆積体を
製造する工程、線引き前の光ファイバプリフォームの延
伸工程、あるいは延伸後の光ファイバプリフォームの線
引き工程の前処理として、ガラスロッドや光ファイバプ
リフォームなどのコアのみ又はコア及びクラッドからな
るガラス体をフッ酸（ＨＦ）中に保持して化学研削して
表面に付着している異物を除去する化学研削工程と、そ
の後水洗、乾燥した後、塩素を含む雰囲気中で加熱して
ＨＦで取り除くことのできなかった異物、水洗浄中や乾
燥中に付着した異物などを取り除く清浄化工程を含むこ
とを特徴とする光ファイバ母材の製造方法である。ま
た、前記化学研削工程の前処理としてガラス体を酸水素
火炎で研磨する火炎研磨工程を設けることで前記化学研
削工程だけでは取り除くことのできないガラス体表面に
付着する異物や汚れを取り除くことができさらに効果的
である。

【００１１】前記化学研削による研削量は、ガラス体外
径が０．０１〜４ｍｍ減少する量とするのが好ましい。
研削量をこれより多くするのは研削時間を多く要するた
め生産性が悪く、また、これより少ないと異物を効果的
に除去することができない。化学研削に使用するＨＦの
濃度は１〜５０ｗｔ％とするのが好ましい。ＨＦの濃度
が５０ｗｔ％を超えると取り扱いが危険であり、１ｗｔ
％未満では研削所要時間が長くなり生産性が悪い。ＨＦ
による化学研削の所要時間はＨＦ濃度によっても変わる
が、ガラス体の外径が０．０１〜４ｍｍ減少する程度の
研削量とするための所要時間は１〜１００時間程度であ
る。

【００１２】付着したＨＦを除去する水洗に使用する水
はできるだけ純度の高い純水が望ましく、好ましくは９
９ｗｔ％以上の純度を有する純水とする。純度が９９ｗ
ｔ％未満の場合は、水洗浄後にガラス体表面に付着する
異物数が多く、次の塩素含有雰囲気中での加熱処理によ
っても、付着した異物を完全に取り除くことができなく
なる。

【００１３】次に塩素を含む雰囲気中で加熱する工程で
は、塩素ガスのみ、塩素ガスとＮ₂、Ａｒ、Ｈｅなどの
不活性ガスとの混合ガス又は塩素ガスと不活性ガスと酸
素ガスとの混合ガスの気流中で加熱するのが好ましい。
このときの雰囲気中の塩素ガスと不活性ガスと酸素ガス
との体積比は１：０〜１００：０〜５０とする。塩素濃
度がこれより低くなるとガラス体表面に付着している異
物を取り除くことができない。また、塩素ガスの濃度は
高い方が好ましく、体積比が１：０：０（塩素濃度１０
０％）となる雰囲気中で加熱を行った場合、最も異物の
除去効果が高くなる。

【００１４】塩素を含む雰囲気中での加熱温度は、ガラ
ス体を収納する炉心管の表面の温度が８００〜２０００
℃となるようにする。加熱温度が１３００℃を超えると
ガラス体が加熱中に引き延び、また、８００℃未満の温
度ではガラス体表面に付着した異物を取り除く効果が少
なくなる。加熱時間は１０分以上とするのがよい。１０
分未満の場合はガラス体表面に付着した異物を取り除く
効果が少ない。加熱時間は長ければそれなりの効果はあ
るが、生産性等の観点から１０時間程度を上限とするの
が望ましい。なお、塩素雰囲気中での加熱処理で取り除
くことのできる異物は、主にＦｅ、Ｃｒ、Ｎｉなどの遷
移金属である。

【００１５】

【実施例】以下、実施例により本発明の方法をさらに具
体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定され
るものではない。 （実施例１）図１に示す製造フローに従い光ファイバ母
材の作製及び線引きを行った。コア及びクラッドからな
る外径：２６．３ｍｍ、長さ：５００ｍｍのガラスロッ
ドを作製し、その両端にそれぞれ石英ダミーロッド（長
さ：６００ｍｍ）を溶着して出発ロッドを作製した。作
製した出発ロッドを濃度２０ｗｔ％のＨＦ液中に浸漬
し、２４時間後に取り出した。純度が９９．９９９ｗｔ
％の純水を用いてＨＦを洗い流し、乾燥室内で２時間乾
燥させた。乾燥後、出発ロッドのコアロッド部の外径を
計測したところ、２６ｍｍとなっていた。

【００１６】図７に上記の出発ロッドを塩素雰囲気中で
加熱処理する清浄化処理を行う装置構成を示した。ＨＦ
による化学洗浄を行い乾燥させた出発ロッド（ガラスロ
ッド１＋ダミーロッド２）を加熱炉３の中に挿入し、炉
内に塩素：２リットル／分、Ｈｅ：２０リットル／分の
混合ガスを流し、ヒーター４により炉内温度（炉心管７
の表面の温度）を１３００℃まで昇温した。炉内で２０
分加熱した後、炉温を８００℃まで降温し、出発ロッド
を加熱炉３から取り出した。図７において符号５は出発
ロッドを支持する支え棒、６は支え棒５と出発ロッドと
を接続する勘合部、８は放射温度計、９は昇降装置、１
０は上蓋、１１は下蓋である。

【００１７】このようにして清浄化処理を行った出発ロ
ッドをＶＡＤ装置に装着し、出発ロッドの外周にガラス
微粒子を堆積させ、外径：２００ｍｍ、長さ：５００ｍ
ｍのガラス微粒子堆積体を作製した。作製したガラス微
粒子堆積体を高温加熱炉で透明ガラス化させ、外径：１
００ｍｍ、長さ：３００ｍｍの焼結体（光ファイバプリ
フォーム）を得た。この焼結体を外径：３６ｍｍに延伸
し、得られた延伸体を酸水素火炎（酸素５０ＳＬＭ：ス
タンダードリットル／分、水素：１００ＳＬＭ、バーナ
ートラバース速度４０ｍｍ／分）を用いてエッチング
（火炎研磨）し、エッチングの際に付着したガラス粒子
を酸水素火炎（酸素５０ＳＬＭ、水素：１００ＳＬＭ、
バーナートラバース速度：１２０ｍｍ／分）で除去し
た。この火炎研磨処理後の延伸体の外径を計測した結
果、３５．６ｍｍであった。この火炎研磨処理後の延伸
体（光ファイバ母材）を線引きファイバ化した。得られ
たファイバについてスクリーニング試験（１．９ｋｇの
荷重を１秒間負荷し、約２％の引き伸び量として断線の
有無を調べる強度試験）を行った結果、ファイバの断線
頻度は１０回／Ｍｍとなった。

【００１８】（実施例２）塩素を含む雰囲気中での加熱
を、炉内に塩素：２リットル／分、Ｈｅ：２０リットル
／分、酸素：５リットル／分の混合ガスを流し、炉内温
度（炉心管７の表面の温度）を１６００℃としたほかは
実施例１と同様に操作し、外径３５．６ｍｍの延伸体を
得た。この火炎研磨処理後の延伸体（光ファイバ母材）
を線引きし、ファイバ化して得られたファイバについて
スクリーニング試験を行った結果、ファイバの断線頻度
は１０回／Ｍｍとなった。

【００１９】（実施例３）図２に示す製造フローに従い
光ファイバ母材の作製及び線引きを行った。コア及びク
ラッドからなる外径：２６．６ｍｍ、長さ：５００ｍｍ
のガラスロッドを作製し、その両端にそれぞれ石英ダミ
ーロッド（長さ：６００ｍｍ）を溶着して出発ロッドを
作製した。作製した出発ロッドを酸水素火炎（酸素：５
０ＳＬＭ、水素：１００ＳＬＭ、バーナートラバース速
度：４０ｍｍ／分）を用いてエッチング（火炎研磨）
し、エッチングの際に付着したガラス微粒子を酸水素火
炎（酸素：５０ＳＬＭ、水素：１００ＳＬＭ、バーナー
トラバース速度：１２０ｍｍ／分）で除去した後、濃度
２０ｗｔ％のＨＦ液中に浸漬し、２４時間後に取り出し
た。純度が９９．９９９ｗｔ％の純水を用いてＨＦを洗
い流し、乾燥室内で２時間乾燥させた。乾燥後、出発ロ
ッドのコアロッド部の外径を計測したところ、２６ｍｍ
となっていた。以後は実施例２と同様に操作し、外径３
５．６ｍｍの延伸体を得た。この火炎研磨処理後の延伸
体（光ファイバ母材）を線引きし、ファイバ化して得ら
れたファイバについてスクリーニング試験を行った結
果、ファイバの断線頻度は１０回／Ｍｍとなった。

【００２０】（比較例１）図５に示すような従来技術の
製造フローに従って光ファイバ母材を作製し、線引きを
行った。実施例１と同寸法の出発ロッドを酸水素火炎
（酸素５０ＳＬＭ、水素：１００ＳＬＭ、バーナートラ
バース速度４０ｍｍ／分）を用いてエッチング（火炎研
磨）し、エッチングの際に付着したガラス粒子を酸水素
火炎（酸素５０ＳＬＭ、水素：１００ＳＬＭ、バーナー
トラバース速度：１２０ｍｍ／分）で除去した。得られ
た出発ロッドのコアロッド部の外径を計測した結果、２
６ｍｍであった。この出発ロッドを使用し、実施例１と
同様にガラス微粒子堆積体の作製、透明ガラス化、延
伸、火炎研磨処理を行い、得られた外径：３５．６ｍｍ
の延伸体（光ファイバ母材）を線引きファイバ化した。
得られたファイバについて実施例１と同じスクリーニン
グ試験を行った結果、ファイバの断線頻度は２００回／
Ｍｍとなった。

【００２１】（比較例２）出発ロッドのＨＦによる化学
研削を、濃度０．５ｗｔ％のＨＦ液中に浸漬し、３０分
後に取り出し、純度が９０ｗｔ％の水（繰り返して洗浄
に使用し純度の低下した水）を用いてＨＦを洗い流し、
乾燥室内で２時間乾燥させることによって行い、外径２
６．３ｍｍの清浄化出発ロッドを得た以外は実施例１と
同様に操作し、得られた外径：３５．６ｍｍの延伸体
（光ファイバ母材）を線引きファイバ化した。得られた
ファイバについて実施例１と同じスクリーニング試験を
行った結果、ファイバの断線頻度は１００回／Ｍｍとな
った。

【００２２】（比較例３）ＨＦによる化学研削後の出発
ロッドの、塩素を含む雰囲気中での加熱処理を、出発ロ
ッドを装着した炉内に塩素：２リットル／分、Ｈｅ：２
０リットル／分の混合ガスを流し、炉内温度（炉心管表
面の温度）を７００℃まで昇温して１分間加熱する処理
とした外は実施例１と同様に操作し、得られた外径：３
５．６ｍｍの延伸体（光ファイバ母材）を線引きファイ
バ化した。得られたファイバについて実施例１と同じス
クリーニング試験を行った結果、ファイバの断線頻度は
１００回／Ｍｍとなった。

【００２３】（実施例４）比較例１と同様にして延伸ま
で行い外径：７０．３ｍｍ、長さ：５００ｍｍの光ファ
イバプリフォームを作製し、このプリフォームを図３に
示す製造フローに従いファイバ化した。先ず、この光フ
ァイバプリフォームの１端に石英ダミーロッド（長さ：
６００ｍｍ）を溶着し、濃度２０ｗｔ％のＨＦ液中に浸
漬し、２４時間後に取り出した。純度が９９．９９９ｗ
ｔ％の純水を用いてＨＦを洗い流し、乾燥室内で２時間
乾燥させた。乾燥後、外径を計測したところ、７０ｍｍ
となっていた。

【００２４】図８に上記の光ファイバプリフォームを塩
素雰囲気中で加熱処理する清浄化処理を行う装置構成を
示した。ＨＦによる化学研削を行い乾燥させたプリフォ
ーム２１（ダミーロッド２２を溶着したもの）を加熱炉
２３の中に挿入し、炉内に塩素：２リットル／分、Ｈ
ｅ：２０リットル／分の混合ガスを流し、ヒーター１４
により炉内温度（炉心管２７の表面の温度）を１３００
℃まで昇温した。炉内で２０分加熱した後、炉温を８０
０℃まで降温し、プリフォーム２１を加熱炉２３から取
り出した。図８において符号２５はプリフォーム２１を
支持する支え棒、２６は支え棒２５とダミーロッド２２
とを接続する勘合部、２７は炉心管、２８は放射温度
計、２９は昇降装置、３０は上蓋、３１は下蓋である。
このようにして光ファイバプリフォームを清浄化処理し
て得られた光ファイバ母材を線引きファイバ化した。実
施例１と同様のスクリーニング試験を行った結果、ファ
イバの断線頻度は１０回／Ｍｍとなった。

【００２５】（実施例５）実施例４と同様にして延伸ま
でを行い、コア及びクラッドからなる外径：７０．６ｍ
ｍ、長さ：５００ｍｍの光ファイバプリフォームを作成
し、図４に示す製造フローに従いファイバ化した。この
プリフォームの１端に石英ダミーロッド（長さ：６００
ｍｍ）を溶着し、酸水素火炎（酸素：５０ＳＬＭ、水
素：１００ＳＬＭ、バーナートラバース速度：４０ｍｍ
／分）を用いてエッチング（火炎研磨）し、エッチング
の際に付着したガラス微粒子を酸水素火炎（酸素：５０
ＳＬＭ、水素：１００ＳＬＭ、バーナートラバース速
度：１２０ｍｍ／分）で除去した後に、濃度２０ｗｔ％
のＨＦ液中に浸漬し、２４時間後に取り出した。純度が
９９．９９９ｗｔ％の純水を用いてＨＦを洗い流し、乾
燥室内で２時間乾燥させた。乾燥後、外径を計測したと
ころ、７０ｍｍとなっていた。以後は実施例４と同様に
操作し、光ファイバプリフォームを清浄化処理して得た
光ファイバ母材を線引きファイバ化した。実施例１と同
様のスクリーニング試験を行った結果、ファイバの断線
頻度は０回／Ｍｍとなった。

【００２６】（比較例４）実施例４と同様に延伸まで行
った光ファイバプリフォームを図６に示す従来技術の製
造フローに従ってファイバ化した。このプリフォームを
酸水素火炎（酸素５０ＳＬＭ、水素：１００ＳＬＭ、バ
ーナートラバース速度４０ｍｍ／分）を用いてエッチン
グ（火炎研磨）し、エッチングの際に付着したガラス粒
子を酸水素火炎（酸素５０ＳＬＭ、水素：１００ＳＬ
Ｍ、バーナートラバース速度：１２０ｍｍ／分）で除去
した。得られた光ファイバ母材の外径を計測した結果、
７０ｍｍであった。この光ファイバ母材を線引きファイ
バ化した。実施例１と同様のスクリーニング試験を行っ
た結果、ファイバの断線頻度は２００回／Ｍｍとなっ
た。

【００２７】（比較例５）光ファイバプリフォームのＨ
Ｆによる化学研削を、濃度０．５ｗｔ％のＨＦ液中に浸
漬し、３０分後に取り出し、純度が９０ｗｔ％の水を用
いてＨＦを洗い流し、乾燥室内で２時間乾燥させること
によって行った以外は実施例４と同様に操作し、得られ
た外径：７０．３ｍｍの光ファイバ母材を線引きファイ
バ化した。得られたファイバについて実施例１と同じス
クリーニング試験を行った結果、ファイバの断線回数は
１００回／Ｍｍとなった。

【００２８】（比較例６）ＨＦによる化学研削後のプリ
フォームの、塩素を含む雰囲気中での加熱処理を、プリ
フォームを装着した炉内に塩素：２リットル／分、Ｈ
ｅ：２０リットル／分の混合ガスを流し、炉内温度（炉
心管表面の温度）を７００℃まで昇温して１分間加熱す
る処理とした外は実施例４と同様に操作し、得られた外
径：７０ｍｍの光ファイバ母材を線引きファイバ化し
た。得られたファイバについて実施例１と同じスクリー
ニング試験を行った結果、ファイバの断線頻度は１００
回／Ｍｍとなった。

【００２９】

【発明の効果】本発明の方法に従い、光ファイバ母材の
製造工程中に、ガラスロッドの周囲にガラス微粒子堆積
層を形成させてガラス微粒子堆積体を製造する工程、線
引き前の光ファイバプリフォームの延伸工程、あるいは
延伸後の光ファイバプリフォームの線引き工程の前処理
として、ガラスロッドや光ファイバプリフォームなどの
コアのみ又はコア及びクラッドからなるガラス体を必要
により火炎研削工程を設けて火炎研削した後、フッ酸
（ＨＦ）中に保持して化学研削する化学研削工程により
表面に付着している異物を除去し、次いで水洗、乾燥し
た後、塩素を含む雰囲気中で加熱してＨＦで取り除くこ
とのできなかった異物、水洗浄中や乾燥中に付着した異
物などを取り除く清浄化工程を設けることにより、線引
きの際に断線回数の少ない良好な品質の光ファイバ母材
を容易に製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の方法による光ファイバ母材の製造フロ
ーの１例を示す図。

【図２】本発明の方法による光ファイバ母材の製造フロ
ーの第２の例を示す図。

【図３】本発明の方法による光ファイバ母材の製造フロ
ーの第３の例を示す図。

【図４】本発明の方法による光ファイバ母材の製造フロ
ーの第４の例を示す図。

【図５】従来の方法による光ファイバ母材の製造フロー
の１例を示す図。

【図６】従来の方法による光ファイバ母材の製造フロー
の他の１例を示す図。

【図７】本発明の方法によりガラスロッドの清浄化処理
を行う装置構成の１例を示す図。

【図８】本発明の方法により光ファイバプリフォームの
清浄化処理を行う装置構成の１例を示す図。

【符号の説明】

１ ガラスロッド ２ ダミーロッド ３ 加熱炉
４ ヒーター ５ 支え棒 ６ 勘合部 ７ 炉心管 ８ 放射
温度計 ９ 昇降装置 １０ 上蓋 １１ 下蓋 ２１
プリフォーム ２２ ダミーロッド ２３ 加熱炉 ２４ ヒータ
ー ２５ 支え棒 ２６ 勘合部 ２７ 炉心管 ２８ 放射温度計
２９ 昇降装置 ３０ 上蓋 ３１ 下蓋

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 コアのみ又はコア及びクラッドからなる
   ガラス体をフッ酸中に保持して化学研削する化学研削工
   程と、その後水洗、乾燥した後、塩素を含む雰囲気中で
   加熱することにより前記ガラス体の表面を清浄化する清
   浄化工程を含むことを特徴とする光ファイバ母材の製造
   方法。
2. 【請求項２】 前記化学研削工程の前処理として前記ガ
   ラス体を酸水素火炎で火炎研削する火炎研削工程を設け
   ることを特徴とする請求項１に記載の光ファイバ母材の
   製造方法。
3. 【請求項３】 前記ガラス体の周囲にガラス微粒子堆積
   層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１又は
   ２に記載の光ファイバ母材の製造方法。
4. 【請求項４】 前記ガラス体が、ガラス微粒子堆積体を
   透明ガラス化又は脱水、透明ガラス化して得られるガラ
   ス体であることを特徴とする請求項１又は２に記載の光
   ファイバ母材の製造方法。
5. 【請求項５】 前記化学研削を、前記ガラス体の外径が
   ０．０１〜４ｍｍ減少するまで行うことを特徴とする請
   求項１〜４のいずれか１項に記載の光ファイバ母材の製
   造方法。
6. 【請求項６】 前記フッ酸の濃度を１〜５０ｗｔ％とす
   ることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載
   の光ファイバ母材の製造方法。
7. 【請求項７】 前記フッ酸中に保持する時間を１〜１０
   ０時間とすることを特徴とする請求項１〜６のいずれか
   １項に記載の光ファイバ母材の製造方法。
8. 【請求項８】 前記塩素を含む雰囲気が、塩素ガスの
   み、塩素ガスと不活性ガスとの混合ガス、又は塩素ガス
   と不活性ガスと酸素ガスとの混合ガス雰囲気であること
   を特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の光フ
   ァイバ母材の製造方法。
9. 【請求項９】 前記塩素を含む雰囲気中で加熱する際の
   炉心管の表面の温度を８００〜２０００℃とすることを
   特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の光ファ
   イバ母材の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記塩素を含む雰囲気中で加熱する際
    の加熱時間を１０分以上とすることを特徴とする請求項
    １〜９のいずれか１項に記載の光ファイバ母材の製造方
    法。