JP2003093896A

JP2003093896A - 光触媒性酸化チタン膜の成膜方法

Info

Publication number: JP2003093896A
Application number: JP2002209278A
Authority: JP
Inventors: Junji Hiraoka; 純治平岡; Takahiro Doke; 隆博道家; Hisato Haraga; 久人原賀
Original assignee: Toto Ltd; Shibaura Mechatronics Corp
Current assignee: Toto Ltd; Shibaura Mechatronics Corp
Priority date: 2001-07-19
Filing date: 2002-07-18
Publication date: 2003-04-02

Abstract

(57)【要約】【課題】少ない光量で効率よく光触媒活性を有する光
触媒性複合材を提供する。【解決手段】基材と、この基材表面に酸化チタン薄膜
を施した光触媒性複合材であって、酸化チタン薄膜の表
面を酸化チタンアナターゼ多結晶構造とした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する分野】本発明は、基材上に光触媒性酸化
チタンの結晶性薄膜を設けた光触媒性複合材に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】特開２００１−４６８８２号公報では、
基材上にチタンを含有するターゲットをＤＭＳ法によ
り、アナターゼ型結晶の第１の酸化チタン膜を被覆し、
前記第１の酸化チタン膜の上に第２の酸化チタン膜を被
覆する成膜方法が２層の酸化チタンを被覆する成膜方法
が記載され、かつ第１の酸化チタン膜の厚みと第２の酸
化チタン膜の厚みの和を３００ｎｍ〜１００００ｎｍと
することが記載されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】特開２００１−４６８
８２号公報では高速のＤＭＳ装置を用いて２層の光触媒
性酸化チタン膜の成膜を行っているが、膜厚が３００ｎ
ｍ〜１００００ｎｍと厚く、また２層にするためその都
度成膜条件を変更する必要があるため工程が複雑にな
り、成膜時間がかかってしまい、その結果生産効率が悪
いという問題がある。また、投入電力、ターゲットと基
材の距離、成膜温度、ターゲットの使用状況等により酸
素分圧をその都度設定しなければ高活性な光触媒性酸化
チタン膜を得られず、品質が安定しなかった。

【０００４】本発明は、高速成膜で高活性な光触媒性酸
化チタン膜を、膜厚の薄く、かつ安定的に成膜可能とし
た光触媒性酸化チタン膜の成膜方法を提供する。これに
より生産性を高め、より低コストで基材に光触媒性酸化
チタン膜の成膜方法を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
すべく、第１の発明では、基材表面に金属チタンをター
ゲットとしＤＭＳ法にて光触媒性酸化チタン膜を成膜す
る方法にて、前記ＤＭＳ法の制御にＯＥＭ制御を用い、
そのセットポイントを２０とし、かつ、成膜時の基材温
度を３００℃以上、４５０℃以下に加熱して、膜厚２５
ｎｍ〜２００ｎｍの光触媒性酸化チタン膜を成膜する方
法を提供する。本発明において、ＤＭＳ（デュアルマグ
ネトロンスパッタ）と、ＯＥＭ（オプチカルエミッショ
ンモニタ）制御をあわせて用いることにより光触媒性酸
化チタン膜をより高速で、安定して、薄く成膜すること
が可能となる。またＯＥＭ制御のセットポイントを２０
とすることにより生成される膜の酸素とチタンの原子割
合が２：１となり効率的な成膜が可能となる。セットポ
イントを２０未満すると酸素が過剰となり成膜速度が低
下する。逆に２０を越えると酸素不足となって光触媒性
チタンが成膜しにくく高活性な光触媒性酸化チタン膜と
ならない。また、ターゲットは酸化チタンではなく金属
チタン（チタン純度９９．９％以上）を用いることによ
りスパッタ率を高め、さらにはＤＭＳとＯＥＭ合わせて
用いることによりターゲット表面の酸化を防ぎ、高速成
膜を可能としている。さらに、前記光触媒性酸化チタン
膜成膜時の基材温度を３００℃以上、４５０℃以下に加
熱することにより、基材に関係なく高活性な光触媒性酸
化チタン膜を得ることが可能となる。尚、加熱温度が３
００℃未満では高活性な光触媒性酸化チタン膜が得られ
ない、４５０℃を越えると使用できる基材は耐熱性のあ
るものに限定されたものとなってしまい実用的ではな
い。さらに、膜厚を２５〜２００ｎｍにすることによ
り、高活性な光触媒性酸化チタン膜を効率よく生産する
ことが可能となる。尚、膜厚が２５ｎｍ未満だと高活性
な光触媒性酸化チタン膜が得られなくなり、２００ｎｍ
を越えると成膜に時間がかかり生産性が悪くなる。

【０００６】また、第２の発明では、第１の発明の光触
媒性酸化チタン膜を大気中３００〜４５０℃で加熱する
光触媒性酸化チタン膜を成膜する方法を提供する。光触
媒性酸化チタン膜をさらに大気中３００〜４５０℃で加
熱することにより、高活性な光触媒性酸化チタン膜を得
ることができる。尚、３００℃未満の温度で加熱しても
光触媒活性に影響はなく、また、４５０℃を越える温度
で加熱すると使用できる基材は耐熱性のあるものに限定
されたものとなってしまい実用的ではない。

【０００７】また、第３の発明では、第１の発明または
第２の発明の前記光触媒性酸化チタン膜を、ＤＭＳ法に
て数回の成膜により形成する光触媒性酸化チタン膜を成
膜する方法を提供する。前記光触媒性酸化チタン膜を数
回の成膜により形成することにより、結晶の成長させる
時間を長くとることが可能となり、より欠陥の少ない緻
密な膜が成膜され光触媒活性が向上する。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下に本発明の構成要素について
説明する。本発明での基材には、防曇、視界確保、失透
防止の目的で使用する場合は、鏡、ガラス、レンズ、等
の透明性の基材を使用できる。また、汚れ防止や降雨等
による自己浄化性、易清掃性の目的で使用する場合に
は、上記の他に金属、タイル、セラミックス等が使用で
きる。

【０００９】本発明で言う光触媒性酸化チタン膜とは光
触媒活性をＷＡＸ分解性試験で評価し、十分な分解活性
が認められたものを言う。

【００１０】ＷＡＸ分解性試験とは、次の通りである。
得られた酸化チタン膜表面に紫外線強度０．５ｍＷ／ｃ
ｍ^２ＢＬＢの光を２４時間照射する。その後、酸化チタ
ン膜表面に、市販ワックス（ワックスはシュワラスター
社製の商標「ヒーロー」でありその主成分はカルナバロ
ウである）を１００ｍｍ×１００ｍｍあたり１〜３ｇ程
度塗り広げ、１時間放置する。中性洗剤を含ませたスポ
ンジで表面の固形分がなくなるまで洗浄し、乾燥した上
で、紫外線強度０．５ｍＷ／ｃｍ^２ＢＬＢの光を照射
し、複合材表面と水滴のなす接触角を測定した。そして
照射４時間後に接触角が２０度以下に到達したものを十
分な分解活性があったと判断し、２０度を越えるものは
分解活性が弱い、もしくは無いと判断した。尚、複合材
表面と水滴のなす接触角は、接触角計（協和界面化学製
画像処理式接触角形ＣＡ−Ｘ１５０）により測定し
た。

【００１１】本発明でのスパッタリング装置は、ＤＭＳ
（デュアルマグネトロンスパッタ）装置のインライン
式、バッチ式、装置が挙げられる。

【００１２】デュアルマグネトロンスパッタ（ＤＭＳ）
については建築及び自動車などへの応用を考慮した比較
的大きな面積のガラスやプラスチック基材へ均一かつ高
速でＴｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、ＳｎＯ_２、ＷＯ
_３などの絶縁性酸化膜、或いはＩＴＯなどの導電性膜を
形成する目的でドイツで最初に開発されたスパッタ装置
である。

【００１３】図１にデュアルマグネトロンスパッタ装置
（ＤＭＳ）の簡単な内部構成を示す。ＤＭＳとは二つの
ターゲットを用い、反応性ガスと不活性ガス（通常はア
ルゴン）をチャンバー内に供給し、スパッタリングを行
うが、この時、電源より１０〜１００ｋＨｚのサイン
波、もしくは矩形波を２対のターゲットに正負交互に電
圧を印加する。２対のターゲットが交互にアノードの役
割を果たし、スパッタリング時、ターゲットとその周辺
に形成される絶縁性の生成上のチャージアップを除去
し、アーキングを防ぎ、スパッタリングの成膜効率を向
上させる。

【００１４】スパッタリングのプロセスで、発光プラズ
マの強度をモニターすることによりターゲット表面での
状態を知ることができる。本発明で使用したＯＥＭ（Op
tical Emission Monitoring）制御とは成膜中のプラ
ズマ発光強度をコリメータにて光ファイバーを通じてチ
タンフィルターに通し、チタンの５００ｎｍの発光線の
みをＯＥＤ（Optical Emission Detector）に取り込
み、発光強度を電圧に変換し、その値をＯＥＭ強度とす
る。そして予め知得たセットポイント値の電圧とＯＥＭ
強度が等しくなるように酸素流量をピエゾバルブを使用
したガスフローコントローラー（Gas Flow Controlle
r）で制御する。ＯＥＭ制御を使用することにより高速
性膜が可能になる理由は、スパッタリングは反応性ガス
流量が増加するとターゲット表面に化合物が成形されス
パッタ率が極端に低下するためである。反応性ガスの流
量に対する膜の成長速度を、同一のスパッタリング出力
のもとでもとめると、ヒステリシス特性が得られる。具
体的には、反応性ガスをＯ _２、ターゲットを金属チタン
とした場合、Ｏ_２の流量が増えていくとターゲット表面
に達するＯ_２が増し、表面で化学反応を起こしターゲッ
ト表面にＴｉＯｘが生成される。反応性ガスの増加とと
もにその専有面積は増し、場合によってはターゲット全
面を覆ってしまう。ＴｉＯｘの二次電子エネルギーは非
常に高いのでスパッタ率は急激に低下する。逆に十分高
い値からＯ_２流量を減少させていくと次第に表面のＴｉ
Ｏｘがスパッタされ、金属チタンが現れ、スパッタ率は
元に戻る。Ｏ_２がわずかの場合はＴｉＯｘが生成されて
もすぐスパッタされるのでスパッタ率はあまり変わら
ず、全面を覆う点で急変する。急変する点のＯ_２の割合
は増加するときと、減少するときとでは一致せず、ヒス
テリシス特性を示すのである。通常の反応性スパッタは
ＭＦＣ（マスフローコントローラ）で反応性ガスを一定
量導入する。この方法ではこのようなヒステリシス領域
でスパッタをおこなうのは困難である。しかしながらＯ
ＥＭを用いることで微量な反応性ガスの制御が可能とな
りヒステリシス内部の遷移領域内での反応性スパッタが
可能になり、極端にスパッタ率が低下しない領域で成膜
をおこなうことができる。

【００１５】本発明の成膜はＯＥＭのセットポイントを
２０としメタル領域と酸化領域の遷移領域内での成膜を
行った。ＯＥＭのセットポイント２０は経験的に得られ
た設定値であり、成膜した酸化チタン膜が化学量子論比
（ストイキオメトリー）で構成されていることを示す値
である。今回の場合はＯ：Ｔｉ＝２：１である。このよ
うに膜の組成的にも安定した成膜を行うことが可能とな
る。ＯＥＭのセットポイントが２０未満では必要以上に
酸素が供給され、レートが遅く生産性が悪い。また２０
を越えると酸素が十分供給されず、膜がメタルよりにな
り高活性な光触媒性酸化チタン膜は得られ難い。

【００１６】本発明で成膜する光触媒性酸化チタン膜の
厚みは２５ｎｍ〜２００ｎｍが好ましく、さらには２５
ｎｍ〜１００ｎｍが好ましい。これは成膜の厚みは薄い
方が成膜時間は短くなり生産性が向上するためである。
さらには、より薄い膜で同等の光触媒分解活性が得られ
ることが望ましい。今回成膜した光触媒性酸化チタン膜
は生産性の問題だけでなく、より薄い膜の方が光触媒性
能は向上しており生産性と性能の面で良い結果となって
いる。この理由として、薄い膜の方が厚い膜よりも表面
が平滑で汚れの付着量が少なく、分解が速く終わる。結
果として親水状態に速く到達する。言い替えれば洗浄性
がよくゴミが付着しにくい。また、２５ｎｍより薄いと
十分な光触媒性能が得られず、２００ｎｍより厚いと成
膜に時間がかかり、生産性が悪く実用的ではない。ま
た、膜厚を５０ｎｍ以下にすることで、可視光の干渉が
起こらず、外観上有害とされる干渉縞や発色がおきなく
なる。これにより仮にスパッタ装置の膜厚均一性が悪く
ても外観上問題のない光触媒膜を成膜することが可能と
なる。

【００１７】本発明においては成膜前に真空中で基材を
３００℃以上の高温に加熱する。好ましくは３６０℃以
上に加熱してから成膜する。３００℃未満では光触媒活
性を有する膜は得られない。４５０℃を超える高温で加
熱すると基材に耐熱性が求められる。このため使用でき
る基材は限られ、かつ加熱時間も長くなるためコストも
上がり実用的ではない。また、光触媒性酸化チタン膜を
さらに大気中で３００℃〜４５０℃で加熱し光触媒性能
を高めることができることも確認している。大気中加熱
温度が３００℃未満と光触媒性能の活性は変わらず効果
がない。また４５０℃を超える高温では上記同様基材が
限られるため実用的でない。これは成膜した基材を後焼
成することによって、光触媒性酸化チタン膜中に存在し
た酸素空孔に起因した点欠陥が減少し、電子・正孔が再
結合して不活性になる要因を少なくした為と考えられ
る。さらに表面が熱により溶融後平滑化され汚れが付着
し難くなった為と考えられる。

【００１８】さらに上記光触媒性酸化チタン膜をＤＭＳ
法により数回に分けて成膜する方法を提供する。光触媒
性酸化チタン膜を数回に分けて間欠的に成膜する。これ
により結晶の成長させる時間を長くとることが可能とな
り、より欠陥の少ない緻密な膜が成膜され光触媒活性が
向上する。間欠の時間は２秒以上６０秒以内が望まし
い。間欠時間がこれ以上長いとプラズマにさらされない
時間が長くなり基材の温度が低下し次の成膜で結晶化し
難くなる。２秒未満では結晶成長に十分な時間がとれず
ほとんど効果がない。通過型のインライン工程で数回往
復させるスパッタ法は他の箇所をスパッタ成膜している
間に間欠時間をとれる。このため一回で成膜するのと同
じスパッタ効率で成膜可能であり、生産性を低下するこ
となく大面積へのコーティングが可能となる。

【００１９】以下に、本発明の実施例を具体的に説明す
る。本発明の実施に係わる光触媒性酸化チタン膜の作製
に用いるスパッタ成膜装置のＤＭＳについて仕様を記
す。対象基板サイズ：６００ｍｍ×４００ｍｍ厚さ：ｍａｘ６０ｍｍ投入電力：ｍａｘ３０ｋＷ基板加熱温度：ｍａｘ４５０℃ 垂直成膜、片側／両サイドコートクリーンルームレベル１００００（部分的には１０００）膜厚均整度：６００ｍｍ±３％５００ｍｍ±１．５％

【００２０】以下に本発明の実施例と比較例を記載す
る。（実施例１）大きさ１２５ｍｍ×１２５ｍｍ、厚さ１ｍ
ｍの石英ガラス基材を中性洗剤、水、エタノールで順次
洗浄、乾燥し被覆基材とした。本実験で使用した装置は
ＦＥＰ製のＩＬＡＳ７５０を使用。ＤＭＳ（デュアル
マグネトロンスパッタ）によりインラインスパッタリン
グを行った。装置に基材を取り付け後、プラズマエッチ
ングで基材のクリーニングを行い、次に下地層としてＳ
ｉＯ_２を１００ｎｍ成膜、その上に送り速度を調整し１
回のスパッタリングで２５ｎｍの膜厚の光触媒性酸化チ
タン膜を成膜した。光触媒性酸化チタン膜の成膜条件と
してチャンバー内圧力を１．２Ｐａ、酸素分圧はオプチ
カルエミッションモニター（ＯＥＭ）により成膜中のＴ
ｉ発光強度がある一定の値になるように酸素とアルゴン
の流量を制御した。この時のＯＥＭセットポイントは２
０とし、酸素分圧は１８〜２１％の範囲で推移した。タ
ーゲットは純度９９．９％の金属Ｔｉ、ターゲットサイ
ズは７５０ｍｍ×１２０ｍｍ。また、予め基材を３６０
℃に加熱し成膜を行う。投入電力は２５ｋＷとした。

【００２１】（実施例２）送り速度を調整し２回のスパ
ッタリング（２５ｎｍ／回）で５０ｎｍの膜厚の光触媒
性酸化チタン膜を成膜した以外は実施例１と同様であ
る。

【００２２】（実施例３）送り速度を調整し４回のスパ
ッタリング（１７．５ｎｍ／回）で７０ｎｍの膜厚の光
触媒性酸化チタン膜を成膜した以外は実施例１と同様で
ある。

【００２３】（実施例４）送り速度を調整し４回のスパ
ッタリング（２５ｎｍ／回）で１００ｎｍの膜厚の光触
媒性酸化チタン膜を成膜した以外は実施例１と同様であ
る。

【００２４】（実施例５）膜厚２００ｎｍの膜厚の光触
媒性酸化チタン膜を成膜した以外は実施例１と同様であ
る。

【００２５】（実施例６）送り速度を調整し８回のスパ
ッタリング（２５ｎｍ／回）で２００ｎｍの膜厚の光触
媒性酸化チタン膜を成膜した以外は実施例１と同様であ
る。

【００２６】（実施例７）実施例３で得られた光触媒性
酸化チタン膜を大気中３００℃で焼成した以外は実施例
３と同様である。

【００２７】（実施例８）実施例４で得られた光触媒性
酸化チタン膜を大気中３００℃で焼成した以外は実施例
４と同様である。

【００２８】（実施例９）実施例３で得られた光触媒性
酸化チタン膜を大気中４００℃で焼成した以外は実施例
３と同様である。

【００２９】（実施例１０）実施例４で得られた光触媒
性酸化チタン膜を大気中４００℃で焼成した以外は実施
例４と同様である。

【００３０】（実施例１１）実施例４で得られた光触媒
性酸化チタン膜を大気中４５０℃で焼成した以外は実施
例４と同様である。

【００３１】（実施例１２）送り速度を調整し１回のス
パッタリングで１００ｎｍの膜厚の光触媒性酸化チタン
膜を成膜した以外は実施例４と同様である。

【００３２】（実施例１３）成膜時の基材温度を４５０
℃とした以外は実施例１と同様に光触媒性酸化チタン膜
を形成した。

【００３３】（実施例１４）成膜時の基材温度を４５０
℃とした以外は実施例５と同様に光触媒性酸化チタン膜
を形成した。

【００３４】（比較例１）基材として、大きさ１００ｍ
ｍ×１００ｍｍ、厚さ２ｍｍのソーダライムガラス基材
としたこと、成膜時基材温度を２００℃に加熱し、送り
速度を調整し４回のスパッタリング（２５ｎｍ／回）で
膜厚１００ｎｍの光触媒性酸化チタン膜を成膜したこと
以外は実施例１と同様である。

【００３５】（比較例２）成膜時基材温度を２００℃と
し、送り速度を調整し４回のスパッタリング（５０ｎｍ
／回）で膜厚２００ｎｍの光触媒性酸化チタン膜を成膜
した以外は比較例１と同様である。

【００３６】ＷＡＸ分解性試験評価実施例１〜１１、および比較例１、２の光触媒性酸化チ
タン膜を以下に記載の方法によりＷＡＸ分解性試験を行
なった。ＷＡＸ分解性試験とは、次の通りである。得ら
れた酸化チタン膜表面に紫外線強度０．５ｍＷ／ｃｍ^２
ＢＬＢの光を２４時間照射する。その後、酸化チタン膜
表面に、市販ワックス（ワックスはシュワラスター社製
の商標「ヒーロー」でありその主成分はカルナバロウで
ある）を１００ｍｍ×１００ｍｍあたり１〜３ｇ程度塗
り広げ、１時間放置する。中性洗剤を含ませたスポンジ
で表面の固形分がなくなるまで洗浄し、乾燥したうえ
で、紫外線強度０．５ｍＷ／ｃｍ^２ＢＬＢの光を照射
し、複合材表面と水滴のなす接触角を測定した。そして
照射４時間後に接触角が２０度以下に到達したものを十
分な分解活性があったと判断し、２０度を越えるものは
分解活性が弱い、もしくは無いと判断した。尚、複合材
表面と水滴のなす接触角は、接触角計（協和界面化学製
画像処理式接触角形ＣＡ−Ｘ１５０）により測定し
た。

【００３７】表１に、上記の実施例および比較例の光触
媒性酸化チタン膜のＷＡＸ分解性試験結果を示す。

【００３８】

【表１】

【００３９】表１から、基材表面に金属チタンをターゲ
ットとしＤＭＳ法にて、ＯＥＭ制御を用い、そのセット
ポイントを２０とし、かつ、成膜時の基材温度を３００
℃以上、４５０℃以下に加熱して作成される光触媒性酸
化チタン膜の膜厚が２５ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で高い
光触媒活性を示すことが確認できた。また、実施例６〜
１０及び４と１１の結果から、光触媒性酸化チタン膜を
さらに大気中３００〜４５０℃で加熱することにより高
い光触媒活性を示すことが確認できた。さらに実施例
５，６及び４と１２からＤＭＳ法にて１回の成膜より数
回（４〜８回）にわけ成膜する方が高い光触媒活性を示
すことが確認できた。

【００４０】以下に成膜時の加熱温度が低く、光触媒性
酸化チタン膜が得られなくても、大気中で後加熱を行う
ことにより高活性な光触媒性酸化チタン膜を得られるこ
とも発明者らは確認している。比較例１で得られた酸化
チタン膜を、大気中３５０℃後加熱処理を行った。ＷＡ
Ｘ分解試験の結果、接触角は１１．１度となり分解活性
が確認でき、高活性な光触媒性酸化チタン膜が得られ
た。比較例２で得られた酸化チタン膜を、大気中３００
℃で後加熱処理を行った。ＷＡＸ分解試験の結果、接触
角は１０．１度となり分解活性が確認でき、高活性な光
触媒性酸化チタン膜が得られた。

【００４１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の成膜方法
によると膜厚２５ｎｍ〜２００ｎｍで活性のある光触媒
性酸化チタン膜を得ることができた。これにより膜を成
膜する時間が大幅に短縮され、生産性を向上することが
可能となる。また、ＤＭＳとＯＥＭ制御を併用すること
で、より高速の成膜装置で高活性な光触媒性酸化チタン
膜が安定して効率よく成膜することが可能となりさらな
る生産性の向上につながる。また、成膜を数回に分けて
行うことにより、より高い活性を持った光触媒性酸化チ
タン膜が成膜できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】スパッタ装置の概略図

【符号の説明】

１…ターゲット、２…基材、３…真空チャンバー、
４…ＤＭ電源、５…Ｏ_２ガス供給ノズル、６…Ａ
ｒガス供給ノズル、７…ＯＥＭコリメータ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者道家隆博福岡県北九州市小倉北区中島２丁目１番１号東陶機器株式会社内 (72)発明者原賀久人福岡県北九州市小倉北区中島２丁目１番１号東陶機器株式会社内Ｆターム(参考） 4G047 CA02 CB04 CC03 CD02 4G069 AA03 AA08 BA04A BA04B BA48A EA08 FB02 FB29 4K029 AA09 BA46 BA48 BB02 CA06 DC39 EA08 FA04 GA01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基材表面に金属チタンをターゲットとし
デュアルマグネトロンスパッタ（以下ＤＭＳ）法にて光
触媒性酸化チタン膜を成膜する方法であって、前記ＤＭ
Ｓ法の制御にオプチカルエミッションモニタ（以下ＯＥ
Ｍ）制御を用い、そのセットポイントを２０とし、か
つ、成膜時の基材温度を３００℃〜４５０℃に加熱し
て、膜厚２５ｎｍ〜２００ｎｍの光触媒性酸化チタン膜
を成膜することを特徴とする光触媒性酸化チタン膜の成
膜方法。
【請求項２】前記光触媒性酸化チタン膜を大気中で３
００℃〜４５０℃で加熱することを特徴とする請求項１
に記載の光触媒性酸化チタン膜の成膜方法。
【請求項３】前記光触媒性酸化チタン膜は、ＤＭＳ法
にて数回の成膜により形成することを特徴とする請求項
１又は請求項２に記載の光触媒性酸化チタン膜の成膜方
法。