JP7260117B2 - 可視光応答型複合薄膜光触媒材料及び可視光応答型複合薄膜光触媒材料の製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本実施形態において用いられるスパッタリング装置の概略を示す図である。
図2は、本実施形態に係る可視光応答型複合薄膜光触媒材料の製造方法の一例を示すフローチャートである。図3は、本実施形態に係る可視光応答型複合薄膜光触媒材料の一例を示す図である。
まず、基板10の温度と光触媒活性との関係について説明する。
ここでいう反応速度とは、光触媒活性を示す指標値であり、この反応速度の値が大きいほど光触媒活性が高いことを示す。以下説明する。
次に、真空チャンバ2内のスパッタガス構成と酸化タングステン単層薄膜の光触媒活性との関係について説明する。
続いて、RF電源5から供給されるスパッタ電力値と酸化チタン単層薄膜の光触媒活性との関係について説明する。
続いて、酸化チタンの薄膜及び酸化タングステンの薄膜からなる二層薄膜の膜厚と、紫外光照射時の光触媒活性との関係について説明する。
続いて、酸化チタンの薄膜及び酸化タングステンの薄膜からなる二層薄膜の膜厚と可視光照射時の光触媒活性との関係について説明する。
続いて、酸化チタンの薄膜、酸化タングステンの薄膜及び酸化ケイ素の薄膜からなる三層薄膜の膜厚と紫外光照射時の光触媒活性との関係について説明する。
ここでいう濡れ性とは親水性を示す指標値であり、この濡れ性の値が小さいほど親水性が高いことを示す。以下説明する。
20 可視光応答型複合薄膜光触媒材料
21 酸化チタン薄膜
22 酸化タングステン薄膜
23 酸化ケイ素薄膜
Claims (5)
- 酸化チタンからなる200nm~400nmの薄膜と、
前記酸化チタンからなる薄膜上に形成された酸化タングステンからなる100nm~200nmの薄膜と、
前記酸化タングステンからなる薄膜上に形成された酸化ケイ素からなる薄膜若しくは酸化ケイ素及び酸化タングステンからなる混合薄膜と、
を有する可視光応答型複合薄膜光触媒材料。 - 前記酸化タングステンからなる薄膜上に酸化ケイ素からなる薄膜が形成される場合、当該酸化ケイ素からなる薄膜の厚みは4nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の可視光応答型複合薄膜光触媒材料。
- 前記酸化タングステンからなる薄膜上に酸化ケイ素及び酸化タングステンからなる混合薄膜が形成される場合、当該混合薄膜の厚みは30nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の可視光応答型薄膜光触媒材料。
- 基板上に、スパッタリング法により酸化チタンからなる200nm~400nmの薄膜を形成する工程と、
前記酸化チタンからなる薄膜上に、スパッタリング法により酸化タングステンからなる100nm~200nmの薄膜を形成する工程と、
前記酸化タングステンからなる薄膜上に、スパッタリング法により酸化ケイ素からなる 薄膜若しくは酸化ケイ素及び酸化タングステンからなる混合薄膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする可視光応答型複合薄膜光触媒材料の製造方法。 - 前記スパッタリング法は、高周波スパッタリング法であり、
前記酸化チタンからなる薄膜を形成する工程では、チャンバ内の圧力が0.1~1.0 Paであり、前記基板を200~300℃に加熱した条件下で前記酸化チタンからなる薄 膜を形成し、
前記酸化タングステンからなる薄膜を形成する工程では、チャンバ内の圧力が0.1~ 1.0Paであり、前記基板を10~100℃に加熱した条件下で前記酸化タングステン からなる薄膜を形成し、
前記酸化ケイ素からなる薄膜若しくは酸化ケイ素及び酸化タングステンの混合薄膜を形 成する工程では、チャンバ内の圧力が0.1Pa~1.0Paであり、前記基板を10~ 100℃に加熱した条件下で前記酸化ケイ素若しくは酸化ケイ素及び酸化タングステンの 混合薄膜を形成することを特徴とする請求項4に記載の可視光応答型複合薄膜光触媒材料 の製造方法。
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