JP2003087053A - 発振器、送受信モジュール、及びレーダ装置 - Google Patents
発振器、送受信モジュール、及びレーダ装置Info
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- JP2003087053A JP2003087053A JP2001270433A JP2001270433A JP2003087053A JP 2003087053 A JP2003087053 A JP 2003087053A JP 2001270433 A JP2001270433 A JP 2001270433A JP 2001270433 A JP2001270433 A JP 2001270433A JP 2003087053 A JP2003087053 A JP 2003087053A
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1864—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
- Radar Systems Or Details Thereof (AREA)
- Transceivers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 低位相雑音のミリ波帯発振器、および、これ
を局部信号発生器に用いた送受信モジュールやレーダ装
置を低コストで提供する。 【解決手段】 マイクロストリップ線路とそれに結合す
るように配置された誘電体ブロックで構成される共振器
と、負性抵抗を発生するための能動素子を有して、誘電
体共振器の基本モードの共振周波数が発振させたい周波
数より低く、さらに、高次モードの内の一つの共振周波
数が発振させたい周波数に一致するように、誘電体ブロ
ックを設定することで、共振器の高次のモードで発振さ
せる。
を局部信号発生器に用いた送受信モジュールやレーダ装
置を低コストで提供する。 【解決手段】 マイクロストリップ線路とそれに結合す
るように配置された誘電体ブロックで構成される共振器
と、負性抵抗を発生するための能動素子を有して、誘電
体共振器の基本モードの共振周波数が発振させたい周波
数より低く、さらに、高次モードの内の一つの共振周波
数が発振させたい周波数に一致するように、誘電体ブロ
ックを設定することで、共振器の高次のモードで発振さ
せる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は誘電体共振器を有
する発振器、及び送受信モジュールに関するものであ
る。特に、この発振器を局部信号発生器として用いる送
受信モジュールに用いて有用である。
する発振器、及び送受信モジュールに関するものであ
る。特に、この発振器を局部信号発生器として用いる送
受信モジュールに用いて有用である。
【０００２】
【従来の技術】従来から、マイクロ波やミリ波などの高
周波で動作する発振器では、共振器に高誘電率の誘電体
ブロックを用いた誘電体共振器がよく用いられる。こう
した例は、例えば、アイ・イー・イー・イー、エム・テ
ィー・ティー・エス、１９９５インターナショナル マ
イクロウェーブ シンポジウム ダイジェスト 第７１
頁から第７４頁（ＩＥＥＥ ＭＴＴ−Ｓ １９９５ Ｉ
ｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｓｙ
ｍｐｏｓｉｕｍ Ｄｉｇｅｓｔ、ｐｐ．７１−７４））
などに見られる。
周波で動作する発振器では、共振器に高誘電率の誘電体
ブロックを用いた誘電体共振器がよく用いられる。こう
した例は、例えば、アイ・イー・イー・イー、エム・テ
ィー・ティー・エス、１９９５インターナショナル マ
イクロウェーブ シンポジウム ダイジェスト 第７１
頁から第７４頁（ＩＥＥＥ ＭＴＴ−Ｓ １９９５ Ｉ
ｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｓｙ
ｍｐｏｓｉｕｍ Ｄｉｇｅｓｔ、ｐｐ．７１−７４））
などに見られる。
【０００３】図５に誘電体共振器を用いた発振器の例を
示す。マイクロストリップ線路１６の近傍に誘電体ブロ
ック１３を置き、このマイクロストリップ線路１６と誘
電体ブロック１３を結合させることで共振器を構成する
ものである。誘電体ブロックとしては、図５に記載のよ
うな円柱形の他、直六方体形の誘電体ブロックがよく用
いられる。負性抵抗を発生する能動素子１５は、図に記
載されているようなＦＥＴの他、バイポーラトランジス
タなどが用いられ、発振させたい周波数において負性抵
抗が発生するように帰還回路１７や整合回路１８などの
パラメータを決定する。帰還回路の形式は、図５に記載
の例以外でも様々な形式が用いられる。
示す。マイクロストリップ線路１６の近傍に誘電体ブロ
ック１３を置き、このマイクロストリップ線路１６と誘
電体ブロック１３を結合させることで共振器を構成する
ものである。誘電体ブロックとしては、図５に記載のよ
うな円柱形の他、直六方体形の誘電体ブロックがよく用
いられる。負性抵抗を発生する能動素子１５は、図に記
載されているようなＦＥＴの他、バイポーラトランジス
タなどが用いられ、発振させたい周波数において負性抵
抗が発生するように帰還回路１７や整合回路１８などの
パラメータを決定する。帰還回路の形式は、図５に記載
の例以外でも様々な形式が用いられる。
【０００４】通常、この誘電体ブロック１３の寸法は、
誘電体共振器の基本モードの共振周波数と発振させたい
周波数が一致し、かつ、それ以外の高次のモードの共振
周波数が、発振させたい周波数からなるべく離れるよう
に決められる。例えば、円柱形の誘電体ブロックを使用
した場合、基本モードはＴＥ０１δモードであり、高次
モードの共振周波数が、この周波数から十分離れるよう
に底面の半径Ｒと厚さｔは、０．２＜ｔ／（２Ｒ）＜
０．４となるように決められる。
誘電体共振器の基本モードの共振周波数と発振させたい
周波数が一致し、かつ、それ以外の高次のモードの共振
周波数が、発振させたい周波数からなるべく離れるよう
に決められる。例えば、円柱形の誘電体ブロックを使用
した場合、基本モードはＴＥ０１δモードであり、高次
モードの共振周波数が、この周波数から十分離れるよう
に底面の半径Ｒと厚さｔは、０．２＜ｔ／（２Ｒ）＜
０．４となるように決められる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、低位相雑音
の発振器を実現するためには、その共振器のＱは高いこ
とが望ましい。誘電体共振器のＱは、誘電体損や導体損
などの損失により低下する。また、ミリ波のような超高
周波では、動作周波数に対してデバイス性能が十分でな
い場合が多いため、誘電体ブロックとマイクロストリッ
プ線路との結合を密にして負荷を軽くする必要がある。
この時、誘電体ブロックとマイクロ線路を十分に近づけ
る必要があり、誘電体ブロックの至近距離に導体が存在
するため、導体損が増加し、Ｑが低下することがある。
の発振器を実現するためには、その共振器のＱは高いこ
とが望ましい。誘電体共振器のＱは、誘電体損や導体損
などの損失により低下する。また、ミリ波のような超高
周波では、動作周波数に対してデバイス性能が十分でな
い場合が多いため、誘電体ブロックとマイクロストリッ
プ線路との結合を密にして負荷を軽くする必要がある。
この時、誘電体ブロックとマイクロ線路を十分に近づけ
る必要があり、誘電体ブロックの至近距離に導体が存在
するため、導体損が増加し、Ｑが低下することがある。
【０００６】また、共振周波数が高くなるにしたがっ
て、誘電体ブロックの寸法は小さくなるため、ミリ波の
ような超高周波帯では、その寸法は非常に小さくなる。
したがって、誘電体ブロックの加工が困難になり、誘電
体ブロックの単価の増加を招く。また、その取り扱いが
難しくなり、発振器の組み立てコストの増加を招く。
て、誘電体ブロックの寸法は小さくなるため、ミリ波の
ような超高周波帯では、その寸法は非常に小さくなる。
したがって、誘電体ブロックの加工が困難になり、誘電
体ブロックの単価の増加を招く。また、その取り扱いが
難しくなり、発振器の組み立てコストの増加を招く。
【０００７】このような問題を回避するため、本来必要
な周波数の２分の１や４分の１などｎ分の１の周波数で
発振させ、その信号を逓倍器を用いてｎ逓倍すること
で、所望の周波数の信号を得る方法が用いられる。この
方法を用いれば、発振器はｎ分の１の周波数で発振する
ため上記の問題は回避できる。しかし、発振器の動作周
波数がｎ分の１のため、整合回路などが大きくなること
によるチップ面積の増大や、新たに逓倍器が必要になる
ことによるチップ数の増加などが原因で、コスト増加に
つながるなどの問題があった。
な周波数の２分の１や４分の１などｎ分の１の周波数で
発振させ、その信号を逓倍器を用いてｎ逓倍すること
で、所望の周波数の信号を得る方法が用いられる。この
方法を用いれば、発振器はｎ分の１の周波数で発振する
ため上記の問題は回避できる。しかし、発振器の動作周
波数がｎ分の１のため、整合回路などが大きくなること
によるチップ面積の増大や、新たに逓倍器が必要になる
ことによるチップ数の増加などが原因で、コスト増加に
つながるなどの問題があった。
【０００８】上記のようにこれまでは、ミリ波のような
超高周波帯の発振器を構成する際、誘電体共振器におい
て十分に高いＱが得られず、発振器の位相雑音が十分に
低減されないという問題があった。さらに、誘電体ブロ
ックが小さくなることにより、加工が難しくなり、誘電
体ブロックの単価の増加が生じる。さらに、取り扱いが
難しくなり、発振器の組み立てコストの増加が生じるな
どの問題があった。また、逓倍器を用いる場合において
は、チップ面積の増大やチップ数の増加により、コスト
が増加するという問題があった。
超高周波帯の発振器を構成する際、誘電体共振器におい
て十分に高いＱが得られず、発振器の位相雑音が十分に
低減されないという問題があった。さらに、誘電体ブロ
ックが小さくなることにより、加工が難しくなり、誘電
体ブロックの単価の増加が生じる。さらに、取り扱いが
難しくなり、発振器の組み立てコストの増加が生じるな
どの問題があった。また、逓倍器を用いる場合において
は、チップ面積の増大やチップ数の増加により、コスト
が増加するという問題があった。
【０００９】本願発明の目的は、上記の問題を解決し、
コストの増加を抑え、低位相雑音の発振器を実現するこ
とである。
コストの増加を抑え、低位相雑音の発振器を実現するこ
とである。
【００１０】又、本願発明の別の目的は、上記問題を解
決し、コストの増加を抑えて実現した低位相雑音の発振
器を送受信装置の局部信号発生器として用いることで、
低コストで性能の良い送受信モジュールを構成すること
である。
決し、コストの増加を抑えて実現した低位相雑音の発振
器を送受信装置の局部信号発生器として用いることで、
低コストで性能の良い送受信モジュールを構成すること
である。
【００１１】又、本願発明の別の目的は、上記問題を解
決し、コストの増加を抑えて実現した低位相雑音の発振
器をレーダ装置の局部信号発生器として用ることで、位
相雑音によるレーダ性能の劣化を抑えて、高性能なレー
ダ装置を低コストで実現することである。
決し、コストの増加を抑えて実現した低位相雑音の発振
器をレーダ装置の局部信号発生器として用ることで、位
相雑音によるレーダ性能の劣化を抑えて、高性能なレー
ダ装置を低コストで実現することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本願発明は、上記問題を
考慮し、誘電体共振器の基本モードの共振周波数が発振
させたい周波数より低く、さらに、一つの高次モードの
共振周波数が発振させたい周波数に一致するように、誘
電体ブロックの寸法等を設定する。この時、使用するモ
ードの共振周波数以外にも基本モードや使用しない高次
モードの共振周波数が存在する。従って、これらの周波
数で意図しない不要発振が起きないように、発振させた
い周波数近傍の狭い帯域にのみ能動素子が負性抵抗を発
生するように、使用しないモードの共振周波数での負性
抵抗を十分に小さくする。この小さい負性抵抗の実現
は、帰還回路や整合回路のパラメータを調整するか、フ
ィルタ回路を能動素子と共振器の間に付加するなどの方
策が用いられる。更には、位相を調整して発振が起こら
ない位相条件にするなどして、基本モードや使用しない
高次モードの共振周波数での不要発振を防止する必要が
ある。
考慮し、誘電体共振器の基本モードの共振周波数が発振
させたい周波数より低く、さらに、一つの高次モードの
共振周波数が発振させたい周波数に一致するように、誘
電体ブロックの寸法等を設定する。この時、使用するモ
ードの共振周波数以外にも基本モードや使用しない高次
モードの共振周波数が存在する。従って、これらの周波
数で意図しない不要発振が起きないように、発振させた
い周波数近傍の狭い帯域にのみ能動素子が負性抵抗を発
生するように、使用しないモードの共振周波数での負性
抵抗を十分に小さくする。この小さい負性抵抗の実現
は、帰還回路や整合回路のパラメータを調整するか、フ
ィルタ回路を能動素子と共振器の間に付加するなどの方
策が用いられる。更には、位相を調整して発振が起こら
ない位相条件にするなどして、基本モードや使用しない
高次モードの共振周波数での不要発振を防止する必要が
ある。
【００１３】以上のように、装置の発振周波数に、共振
器の高次のモードの共振周波数を用いることで、従来の
基本モードの共振周波数を利用する場合と比べて、誘電
体ブロックの寸法を大きくすることができる。この為、
誘電体ブロックをマイクロストリップ線路に対し非常に
近い位置に置いた場合、誘電体ブロックの近傍に存在す
る線路導体の面積に対する誘電体ブロックの体積の比を
大きくすることができ、基本モードを利用するものと比
較して導体損を低減することができる。その為、共振器
のＱを高くすることができ、低位相雑音の発振器を構成
することが可能となる。
器の高次のモードの共振周波数を用いることで、従来の
基本モードの共振周波数を利用する場合と比べて、誘電
体ブロックの寸法を大きくすることができる。この為、
誘電体ブロックをマイクロストリップ線路に対し非常に
近い位置に置いた場合、誘電体ブロックの近傍に存在す
る線路導体の面積に対する誘電体ブロックの体積の比を
大きくすることができ、基本モードを利用するものと比
較して導体損を低減することができる。その為、共振器
のＱを高くすることができ、低位相雑音の発振器を構成
することが可能となる。
【００１４】又、上記の高次モードを利用した発振器を
局部信号発生器として利用することで、高性能な送受信
モジュールを低コストで実現することが可能である。
局部信号発生器として利用することで、高性能な送受信
モジュールを低コストで実現することが可能である。
【００１５】また、レーダ装置の局部信号発生器とし
て、上記の高次モードを利用した低位相雑音の発振器を
用いることで、位相雑音によるレーダ性能の低下を抑
え、高性能なレーダを低コストで実現することが可能で
ある。
て、上記の高次モードを利用した低位相雑音の発振器を
用いることで、位相雑音によるレーダ性能の低下を抑
え、高性能なレーダを低コストで実現することが可能で
ある。
【００１６】
【発明の実施の形態】本願発明の代表的な実施の形態
は、能動素子と、誘電体基板上に形成されたマイクロス
トリップ線路と、このマイクロストリップ線路に結合す
るように配置した誘電体ブロックとを少なくとも有し、
前記マイクロストリップ線路と前記誘電体ブロックで共
振器を形成し、前記能動素子と前記共振器は接続され、
前記能動素子は発振させたい周波数帯で負性抵抗を発生
し、前記誘電体ブロックの寸法等は、その基本モードの
共振周波数が発振させたい周波数より低く、かつ、高次
モードの内の一つの共振周波数が発振させたい周波数に
一致するようになっていることにより、共振器の高次の
モードで発振することを特徴とする発振器である。尚、
前記高次モードの内の一つの共振周波数が発振させたい
周波数への一致の程度は、共振器のＱ値にも依存し、Ｑ
値が高い程、そのずれの度合いは小さくなる。勿論、こ
のずれが小さい程好ましいことは云うまでもないが、数
ＭＨｚから数十ＭＨｚ程度のずれがあることもある。し
かし、その設定は当該装置の諸特性の要求などに応じて
設定して十分である。しかし、いずれにしても、本願発
明においては、高次モードの内の一つの共振周波数帯が
当該装置の発振させたい周波数に一致するよう設定する
ことにある。
は、能動素子と、誘電体基板上に形成されたマイクロス
トリップ線路と、このマイクロストリップ線路に結合す
るように配置した誘電体ブロックとを少なくとも有し、
前記マイクロストリップ線路と前記誘電体ブロックで共
振器を形成し、前記能動素子と前記共振器は接続され、
前記能動素子は発振させたい周波数帯で負性抵抗を発生
し、前記誘電体ブロックの寸法等は、その基本モードの
共振周波数が発振させたい周波数より低く、かつ、高次
モードの内の一つの共振周波数が発振させたい周波数に
一致するようになっていることにより、共振器の高次の
モードで発振することを特徴とする発振器である。尚、
前記高次モードの内の一つの共振周波数が発振させたい
周波数への一致の程度は、共振器のＱ値にも依存し、Ｑ
値が高い程、そのずれの度合いは小さくなる。勿論、こ
のずれが小さい程好ましいことは云うまでもないが、数
ＭＨｚから数十ＭＨｚ程度のずれがあることもある。し
かし、その設定は当該装置の諸特性の要求などに応じて
設定して十分である。しかし、いずれにしても、本願発
明においては、高次モードの内の一つの共振周波数帯が
当該装置の発振させたい周波数に一致するよう設定する
ことにある。
【００１７】本願発明の具体的な形態として、能動素子
と共振器とは、相互に別異の基板を用いる形態、あるい
は同一の基板に搭載する形態などを取り得る。一般にミ
リ波帯の発振器としてはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料
による半導体素子が用いられる。わけても、ＧａＡｓ系
素子が代表例である。従って、これに対する基板はＧａ
Ａｓ基板が代表的な例である。誘電体ブロック自体は通
例の材料によって十分である。その代表例は、例えば、
強誘電体材料のＢａ（Ｍｇ、Ｔａ）Ｏ3等である。当該
誘電体ブロックやマイクロストリップ線路を搭載する基
板は、例えば、ＧａＡｓ、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、あ
るいは有機樹脂、例えばテフロン（登録商標）などを挙
げることが出来る。勿論、前述したように、同一基板で
両者の各部材を搭載することも可能である。
と共振器とは、相互に別異の基板を用いる形態、あるい
は同一の基板に搭載する形態などを取り得る。一般にミ
リ波帯の発振器としてはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料
による半導体素子が用いられる。わけても、ＧａＡｓ系
素子が代表例である。従って、これに対する基板はＧａ
Ａｓ基板が代表的な例である。誘電体ブロック自体は通
例の材料によって十分である。その代表例は、例えば、
強誘電体材料のＢａ（Ｍｇ、Ｔａ）Ｏ3等である。当該
誘電体ブロックやマイクロストリップ線路を搭載する基
板は、例えば、ＧａＡｓ、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、あ
るいは有機樹脂、例えばテフロン（登録商標）などを挙
げることが出来る。勿論、前述したように、同一基板で
両者の各部材を搭載することも可能である。
【００１８】尚、能動素子と共振器との間に、可変リア
クタンス素子と、この可変リアクタンス素子に制御電圧
を供給するための制御端子を備え、前記制御端子に制御
電圧を印可することにより、発振周波数の制御を可能と
することは極めて有用である。
クタンス素子と、この可変リアクタンス素子に制御電圧
を供給するための制御端子を備え、前記制御端子に制御
電圧を印可することにより、発振周波数の制御を可能と
することは極めて有用である。
【００１９】本願発明の発振器はマイクロ波発振器、ミ
リ波発振器に用いて有用であり、例えば、レーダモジュ
ール、例えば移動体用のフロントエンド・モジュールな
どに有用である。
リ波発振器に用いて有用であり、例えば、レーダモジュ
ール、例えば移動体用のフロントエンド・モジュールな
どに有用である。
【００２０】以下、本願発明の諸実施例を説明する。
【００２１】図１は７７ＧＨｚ帯発振器を構成した実施
例の斜視図である。図２にこの発振器の等価回路図を示
す。
例の斜視図である。図２にこの発振器の等価回路図を示
す。
【００２２】本例は共振器と能動素子とが別異の基板に
搭載された例である。負性抵抗を発生するための能動素
子６は、バッファアンプを構成する能動素子５と共に、
ＧａＡｓ基板４上にＭＭＩＣ（Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ
Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃ
ｕｉｔ）として集積されている。又、共振器はアルミナ
基板２上に形成されたマイクロストリップ線路３とこの
マイクロストリップ線路３に結合するように配置した円
柱形の誘電体ブロック１で構成されている。発振器は、
ＭＭＩＣとアルミナ基板２上の例えばマイクロストリッ
プ線路３をボンディングワイヤ９で接続することで構成
されている。
搭載された例である。負性抵抗を発生するための能動素
子６は、バッファアンプを構成する能動素子５と共に、
ＧａＡｓ基板４上にＭＭＩＣ（Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ
Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃ
ｕｉｔ）として集積されている。又、共振器はアルミナ
基板２上に形成されたマイクロストリップ線路３とこの
マイクロストリップ線路３に結合するように配置した円
柱形の誘電体ブロック１で構成されている。発振器は、
ＭＭＩＣとアルミナ基板２上の例えばマイクロストリッ
プ線路３をボンディングワイヤ９で接続することで構成
されている。
【００２３】誘電体ブロック１は、基本モードであるＴ
Ｅ０１δモードの共振周波数が３８ＧＨｚ程度にあり、
７７ＧＨｚ近傍に発生する高次モードを利用する。この
時、基本モードの共振周波数や使用しない高次モードの
共振周波数において、意図しない不要発振が起こらない
ように、能動素子６は７７ＧＨｚ帯近傍の狭い帯域での
み負性抵抗が発生するように帰還回路７や整合回路８の
パラメータを調整する。
Ｅ０１δモードの共振周波数が３８ＧＨｚ程度にあり、
７７ＧＨｚ近傍に発生する高次モードを利用する。この
時、基本モードの共振周波数や使用しない高次モードの
共振周波数において、意図しない不要発振が起こらない
ように、能動素子６は７７ＧＨｚ帯近傍の狭い帯域での
み負性抵抗が発生するように帰還回路７や整合回路８の
パラメータを調整する。
【００２４】図６は、誘電体ブロックに対して、ＧａＡ
ｓ基板上に形成されたマイクロストリップ線路との場合
の、反射特性を示す。いずれも、横軸は周波数で７０Ｇ
Ｈｚより８５ＧＨｚまでが示されている。縦軸は反射で
ｄＢで示される。図６の（ａ）は、共振器が基本モード
（ＴＥ01 δ）の共振周波数で共振するようになされてい
る。一方、図６の（ｂ）は基本モード以外の高次モード
を利用した共振器の例の特性である。この例では、基本
モードの共振周波数は、３８ＧＨｚ程度であり、７６Ｇ
Ｈｚに現れる高次モードの共振周波数を用いるようにな
されている。これらの反射特性からは、特性曲線のピー
クが急峻な程、共振に関するＱ値が高いことを示してい
る。そして、Ｑ値が高い程、より低い位相雑音の共振器
を実現することが出来る。又、同特性のピークが０ｄＢ
に近い程、結合が強いことを示している。図６（ａ）及
び（ｂ）を参酌すれば、本願発明の高次モードで７６Ｇ
Ｈｚの共振周波数を実現するほうが、この周波数の近傍
での特性曲線のピークは急峻で、より大きなＱ値を得る
ことが出来ることが理解されよう。
ｓ基板上に形成されたマイクロストリップ線路との場合
の、反射特性を示す。いずれも、横軸は周波数で７０Ｇ
Ｈｚより８５ＧＨｚまでが示されている。縦軸は反射で
ｄＢで示される。図６の（ａ）は、共振器が基本モード
（ＴＥ01 δ）の共振周波数で共振するようになされてい
る。一方、図６の（ｂ）は基本モード以外の高次モード
を利用した共振器の例の特性である。この例では、基本
モードの共振周波数は、３８ＧＨｚ程度であり、７６Ｇ
Ｈｚに現れる高次モードの共振周波数を用いるようにな
されている。これらの反射特性からは、特性曲線のピー
クが急峻な程、共振に関するＱ値が高いことを示してい
る。そして、Ｑ値が高い程、より低い位相雑音の共振器
を実現することが出来る。又、同特性のピークが０ｄＢ
に近い程、結合が強いことを示している。図６（ａ）及
び（ｂ）を参酌すれば、本願発明の高次モードで７６Ｇ
Ｈｚの共振周波数を実現するほうが、この周波数の近傍
での特性曲線のピークは急峻で、より大きなＱ値を得る
ことが出来ることが理解されよう。
【００２５】本実施例のように、ミリ波帯発振器の共振
器に、高次モードを利用した誘電体共振器を用いること
で、導体損失を低減し、共振器のＱを高めることができ
る。したがって、低位相雑音の発振器を構成することが
可能となる。
器に、高次モードを利用した誘電体共振器を用いること
で、導体損失を低減し、共振器のＱを高めることができ
る。したがって、低位相雑音の発振器を構成することが
可能となる。
【００２６】尚、本実施例では、帰還回路７や整合回路
８のパラメータを調整することにより、負性抵抗が必要
な帯域だけに発生するように設定したが、別な形態も勿
論取り得る。図３はこうした例を示す等価回路図であ
る。図３に示す実施例のように、能動素子が比較的広い
帯域で負性抵抗を発生しても、共振器と能動素子の間に
フィルタ回路１０を設けることで、負性抵抗が発生する
帯域を制限しても、同等な効果を得ることができる。本
例の他の要素は図２の例と同等である。
８のパラメータを調整することにより、負性抵抗が必要
な帯域だけに発生するように設定したが、別な形態も勿
論取り得る。図３はこうした例を示す等価回路図であ
る。図３に示す実施例のように、能動素子が比較的広い
帯域で負性抵抗を発生しても、共振器と能動素子の間に
フィルタ回路１０を設けることで、負性抵抗が発生する
帯域を制限しても、同等な効果を得ることができる。本
例の他の要素は図２の例と同等である。
【００２７】図４の実施例は、共振器と能動素子の間に
バラクタダイオード１１を接続することで、７７ＧＨｚ
帯電圧制御発振器を構成した実施例である。バラクタダ
イオード１１は、ＧａＡｓ基板４上にＭＭＩＣとして他
の素子と共に集積されおり、制御端子１２から制御電圧
を加えることで、バラクタダイオード１１の接合容量を
制御する。これにより、能動素子から共振器側を見込ん
だインピーダンス（共振器とバラクタダイオードによる
インピーダンス）が変化する。このことで、発振周波数
を制御することが可能になる。以上のように、共振器に
バラクタダイオードを付加することで、制御電圧により
発振周波数を制御することが可能な、電圧制御発振器を
構成することができる。
バラクタダイオード１１を接続することで、７７ＧＨｚ
帯電圧制御発振器を構成した実施例である。バラクタダ
イオード１１は、ＧａＡｓ基板４上にＭＭＩＣとして他
の素子と共に集積されおり、制御端子１２から制御電圧
を加えることで、バラクタダイオード１１の接合容量を
制御する。これにより、能動素子から共振器側を見込ん
だインピーダンス（共振器とバラクタダイオードによる
インピーダンス）が変化する。このことで、発振周波数
を制御することが可能になる。以上のように、共振器に
バラクタダイオードを付加することで、制御電圧により
発振周波数を制御することが可能な、電圧制御発振器を
構成することができる。
【００２８】図７は、本願発明の別基板を用いなで、Ｍ
ＭＩＣを一つの基板に集積化した例である。負性抵抗を
発生するための能動素子６とバッファアンプを構成する
能動素子５は、ＧａＡｓ基板４上にＭＭＩＣとして集積
されている。誘電体ブロック１は、ＭＭＩＣ上のマイク
ロストリップ線路２１と結合するように配置される。誘
電体ブロック１は、基本モードであるＴＥ０１δモード
の共振周波数が３８ＧＨｚ程度にあり、７７ＧＨｚ近傍
に発生する高次モードを利用する。但し、アルミナ基板
とＧａＡｓ基板の厚さがほぼ等しく、アルミナ基板の誘
電率９．６に対し、ＧａＡｓ基板の誘電率は１２と大き
いため、共振器の共振周波数はわずかに高くなる。この
ため、誘電体ブロック１はアルミナ基板上に置いた場合
に比べ、大きい寸法のものを用いる。又、基本モードの
共振周波数や使用しない高次のモードの共振周波数にお
いて、意図しない不要発振が起こらないように、能動素
子６は７７ＧＨｚ帯近傍の狭い帯域でのみ負性抵抗が発
生するように帰還回路や整合回路を調整する。以上のよ
うに、別基板を用いず、共振器を構成するマイクロスト
リップ線路と能動素子を一つのＭＭＩＣ上に形成するこ
とで、共振器と能動素子をボンディングワイヤなどで接
続する作業を省略でき、組立の工程を簡略化できる。さ
らに、組み立てによるバラツキを低減することができ
る。
ＭＩＣを一つの基板に集積化した例である。負性抵抗を
発生するための能動素子６とバッファアンプを構成する
能動素子５は、ＧａＡｓ基板４上にＭＭＩＣとして集積
されている。誘電体ブロック１は、ＭＭＩＣ上のマイク
ロストリップ線路２１と結合するように配置される。誘
電体ブロック１は、基本モードであるＴＥ０１δモード
の共振周波数が３８ＧＨｚ程度にあり、７７ＧＨｚ近傍
に発生する高次モードを利用する。但し、アルミナ基板
とＧａＡｓ基板の厚さがほぼ等しく、アルミナ基板の誘
電率９．６に対し、ＧａＡｓ基板の誘電率は１２と大き
いため、共振器の共振周波数はわずかに高くなる。この
ため、誘電体ブロック１はアルミナ基板上に置いた場合
に比べ、大きい寸法のものを用いる。又、基本モードの
共振周波数や使用しない高次のモードの共振周波数にお
いて、意図しない不要発振が起こらないように、能動素
子６は７７ＧＨｚ帯近傍の狭い帯域でのみ負性抵抗が発
生するように帰還回路や整合回路を調整する。以上のよ
うに、別基板を用いず、共振器を構成するマイクロスト
リップ線路と能動素子を一つのＭＭＩＣ上に形成するこ
とで、共振器と能動素子をボンディングワイヤなどで接
続する作業を省略でき、組立の工程を簡略化できる。さ
らに、組み立てによるバラツキを低減することができ
る。
【００２９】図８は、本願発明による高次モードを利用
した誘電体共振器を用いた発振器を、局部信号発生器に
利用したレーダ装置の実施例である。図はその平面図を
示す。
した誘電体共振器を用いた発振器を、局部信号発生器に
利用したレーダ装置の実施例である。図はその平面図を
示す。
【００３０】本レーダ装置は、局部信号発生器２８と混
合器２２と電力増幅器２３が、実装基板２５上に実装さ
れている。局部信号発生器２８はこれまで各種実施例を
もって説明してきた発振器を用いて実現することが出来
る。基本的にはアルミナ基板２に誘電体ブロック１とマ
イクロストリップ線路が搭載される。他方、ＧａＡｓ基
板４には所望の能動素子が搭載されている。そして、両
者はボンディングワイヤで接続されている。更に、この
能動素子部は導体４３によって、混合器２２と電力増幅
器２３とに接続される。そして、これらは導体４４、及
び４５よりアンテナに接続される。
合器２２と電力増幅器２３が、実装基板２５上に実装さ
れている。局部信号発生器２８はこれまで各種実施例を
もって説明してきた発振器を用いて実現することが出来
る。基本的にはアルミナ基板２に誘電体ブロック１とマ
イクロストリップ線路が搭載される。他方、ＧａＡｓ基
板４には所望の能動素子が搭載されている。そして、両
者はボンディングワイヤで接続されている。更に、この
能動素子部は導体４３によって、混合器２２と電力増幅
器２３とに接続される。そして、これらは導体４４、及
び４５よりアンテナに接続される。
【００３１】こうした、レーダ装置のブロック図を図９
に示す。局部信号発生器２８で生成された信号は送信側
と受信側に分配される。送信側に分配された信号は、電
力増幅器２３で増幅されたのち、送信アンテナ２６から
放射される。この送信信号は、目標物に反射されるが、
このとき、目標物とレーダ装置の間に相対速度が存在す
ると、ドップラー効果により反射信号の周波数はわずか
に変化する。この反射信号を受信アンテナ２７で受信
し、混合器２２で元の信号と混合することで、ドップラ
ー周波数の低周波信号が得られる。更に、この低周波信
号を信号処理することで相対速度などの情報を得る。こ
うした、ドップラー効果を用いた送受信モジュール、あ
るいはミリ波送受信モジュール自体はこれまで知られた
方法によって構成することが出来る。又、本例以外の構
成も当然可能であり、こうした構成に、本願発明を適用
出来ることは云うまでもない。
に示す。局部信号発生器２８で生成された信号は送信側
と受信側に分配される。送信側に分配された信号は、電
力増幅器２３で増幅されたのち、送信アンテナ２６から
放射される。この送信信号は、目標物に反射されるが、
このとき、目標物とレーダ装置の間に相対速度が存在す
ると、ドップラー効果により反射信号の周波数はわずか
に変化する。この反射信号を受信アンテナ２７で受信
し、混合器２２で元の信号と混合することで、ドップラ
ー周波数の低周波信号が得られる。更に、この低周波信
号を信号処理することで相対速度などの情報を得る。こ
うした、ドップラー効果を用いた送受信モジュール、あ
るいはミリ波送受信モジュール自体はこれまで知られた
方法によって構成することが出来る。又、本例以外の構
成も当然可能であり、こうした構成に、本願発明を適用
出来ることは云うまでもない。
【００３２】図１０より図１２に、信号発生器部分とア
ンテナの実装形態の例を示す。図１０は裏面アンテナを
有するモジュールの断面図、図１１はこれに用いられた
アンテナの例を示す平面図である。図１２は信号発生器
部とアンテナとを平面に配置した例を示す平面図であ
る。
ンテナの実装形態の例を示す。図１０は裏面アンテナを
有するモジュールの断面図、図１１はこれに用いられた
アンテナの例を示す平面図である。図１２は信号発生器
部とアンテナとを平面に配置した例を示す平面図であ
る。
【００３３】裏面アンテナを有するモジュールでは、ベ
ースプレート２９の一方の主面に信号発生器部の実装基
板２５が、他方の主面（この面を裏面と称する）に、実
装基板を介して送信アンテナ２６及び受信アンテナ２７
が搭載される。信号発生器部の実装基板２５には誘電体
ブロック１のみ図示され、他の部材は省略されるが、全
体的な基本構成は例えば図８に例示したものと同様であ
る。そして、信号発生器部と両アンテナ２６、２７と
は、ベースプレート２９、実装基板２５とを貫通する開
口を通して、同軸線路３１によって接続される。更に、
信号発生器部には蓋３０が設けられる。これによって、
外部雑音を除去される。図１１はこの裏面に配されるア
ンテナの例を示す。ベースプレート２９に搭載された実
装基板に、送信アンテナ２６及び受信アンテナ２７が搭
載されている。符号４０がアンテナ部、符号４１がこれ
らのアンテナ部を接続し一体のアンテナを構成するため
の導体部である。実際には、これら両者は一体にパター
ニングして形成されるのが、一般的である。
ースプレート２９の一方の主面に信号発生器部の実装基
板２５が、他方の主面（この面を裏面と称する）に、実
装基板を介して送信アンテナ２６及び受信アンテナ２７
が搭載される。信号発生器部の実装基板２５には誘電体
ブロック１のみ図示され、他の部材は省略されるが、全
体的な基本構成は例えば図８に例示したものと同様であ
る。そして、信号発生器部と両アンテナ２６、２７と
は、ベースプレート２９、実装基板２５とを貫通する開
口を通して、同軸線路３１によって接続される。更に、
信号発生器部には蓋３０が設けられる。これによって、
外部雑音を除去される。図１１はこの裏面に配されるア
ンテナの例を示す。ベースプレート２９に搭載された実
装基板に、送信アンテナ２６及び受信アンテナ２７が搭
載されている。符号４０がアンテナ部、符号４１がこれ
らのアンテナ部を接続し一体のアンテナを構成するため
の導体部である。実際には、これら両者は一体にパター
ニングして形成されるのが、一般的である。
【００３４】図１２は信号発生器部とアンテナとを平面
に配置した例である。各部分の詳細構成は前述の図１
０、図１１に示した例と同様である。ベースプレート２
９、実装基板２５とが平面的に配置され、両者は所望の
電気的接続がなされる。
に配置した例である。各部分の詳細構成は前述の図１
０、図１１に示した例と同様である。ベースプレート２
９、実装基板２５とが平面的に配置され、両者は所望の
電気的接続がなされる。
【００３５】本実施例のように、レーダ装置の局部信号
発生器として、高次モードを利用した誘電体共振器を用
いた発振器を用いることで、位相雑音によるレーダ性能
の低下を抑え、高性能なレーダ装置を低コストで実現す
ることが可能である。
発生器として、高次モードを利用した誘電体共振器を用
いた発振器を用いることで、位相雑音によるレーダ性能
の低下を抑え、高性能なレーダ装置を低コストで実現す
ることが可能である。
【００３６】以上、諸実施例に基づき本願発明を説明し
てきたが、本願発明によれば、誘電体共振器の共振周波
数に高次モードを利用するため、誘電体ブロックの寸法
を大きくすることができ、導体損失を低減することが可
能となる。そのため、共振器のＱを高くすることが可能
となり、これを用いて低位相雑音の発振器を低コストで
実現することが可能である。
てきたが、本願発明によれば、誘電体共振器の共振周波
数に高次モードを利用するため、誘電体ブロックの寸法
を大きくすることができ、導体損失を低減することが可
能となる。そのため、共振器のＱを高くすることが可能
となり、これを用いて低位相雑音の発振器を低コストで
実現することが可能である。
【００３７】また、誘電体ブロックの寸法が大きくなる
ことから、誘電体ブロックの製造コストや発振器の組み
立てコストの低減につながる。
ことから、誘電体ブロックの製造コストや発振器の組み
立てコストの低減につながる。
【００３８】また、この発振器をレーダ装置の局部信号
発生器に用いることで、高性能なレーダ装置を低コスト
で実現することが可能となる。
発生器に用いることで、高性能なレーダ装置を低コスト
で実現することが可能となる。
【００３９】
【発明の効果】本願発明によれば、共振器のＱ値の高
い、低位相雑音の発振器を提供することが出来る。
い、低位相雑音の発振器を提供することが出来る。
【００４０】本願発明によれば、共振器のＱ値の高い、
低位相雑音の発振器を、低コストで提供することが出来
る。
低位相雑音の発振器を、低コストで提供することが出来
る。
【００４１】又、本願発明によれば、レーダ装置を低コ
ストで提供することが出来る。
ストで提供することが出来る。
【図１】図１は本願発明の別基板を用いる実施例の斜視
図である。
図である。
【図２】図２は本願発明の別基板を用いる実施例の等価
回路図である。
回路図である。
【図３】図３は本願発明のフィルタ回路を用いた実施例
の等価回路図である。
の等価回路図である。
【図４】図４は本願発明のバラクタダイオードを用いた
電圧制御発振器の実施例の等価回路図である。
電圧制御発振器の実施例の等価回路図である。
【図５】図５は従来の誘電体共振器を用いた発振器の例
を示す図である。
を示す図である。
【図６】図６は誘電体共振器をマイクロストリップ線路
に結合させた時の反射特性を示す図である。
に結合させた時の反射特性を示す図である。
【図７】図７は本願発明の一つの基板を用いた実施例の
斜視図である。
斜視図である。
【図８】図８は本願発明の発振器を局部信号発生器に持
つレーダ装置の平面図である。
つレーダ装置の平面図である。
【図９】図９はレーダ装置のブロック図である。
【図１０】図１０は裏面アンテナ構成の送受信モジュー
ルの例を示す断面図である。
ルの例を示す断面図である。
【図１１】図１１は送受信アンテナの例を示す平面図で
ある。
ある。
【図１２】図１２は信号発生器及びアンテナを平面配置
した例を示す平面図である。
した例を示す平面図である。
１．誘電体ブロック、２．アルミナ基板、３．マイクロ
ストリップ線路、４．ＧａＡｓ基板、５．増幅器を構成
する能動素子、６．負性抵抗を発生するための能動素
子、７．帰還回路、８．整合回路及びバイアス回路、
９．ボンディングワイヤ、１０．フィルタ回路、１１．
バラクタダイオード、１２．制御端子、１３．誘電体ブ
ロック、１５．負性抵抗を発生するための能動素子、１
６．マイクロストリップ線路、１７．帰還回路、１８．
整合回路及びバイアス回路、２１．マイクロストリップ
線路、２２．混合器、２３．電力増幅器、２５．実装基
板、２６．送信アンテナ、２７．受信アンテナ、２８．
局部信号発生器、２９．ベースプレート、３０．蓋、３
１．同軸線路、４０．アンテナ部、４１．一体アンテナ
を構成するための導体、４３．マイクロストリップ線
路、４４．送信アンテナへの給電用導体、４５．受信ア
ンテナへの供給用導体。
ストリップ線路、４．ＧａＡｓ基板、５．増幅器を構成
する能動素子、６．負性抵抗を発生するための能動素
子、７．帰還回路、８．整合回路及びバイアス回路、
９．ボンディングワイヤ、１０．フィルタ回路、１１．
バラクタダイオード、１２．制御端子、１３．誘電体ブ
ロック、１５．負性抵抗を発生するための能動素子、１
６．マイクロストリップ線路、１７．帰還回路、１８．
整合回路及びバイアス回路、２１．マイクロストリップ
線路、２２．混合器、２３．電力増幅器、２５．実装基
板、２６．送信アンテナ、２７．受信アンテナ、２８．
局部信号発生器、２９．ベースプレート、３０．蓋、３
１．同軸線路、４０．アンテナ部、４１．一体アンテナ
を構成するための導体、４３．マイクロストリップ線
路、４４．送信アンテナへの給電用導体、４５．受信ア
ンテナへの供給用導体。
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フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０４Ｂ 1/40 Ｈ０４Ｂ 1/40
(72)発明者 近藤 博司
東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地
株式会社日立製作所中央研究所内
Ｆターム(参考） 5J006 HC03 LA02
5J021 AA09 AB06 CA03 FA24 HA04
5J070 AB24 AC06 AD02 AK28 BA01
5J081 AA11 BB01 CC03 CC22 CC30
DD04 EE09 EE10 GG05 KK02
KK13 MM01 MM03
5K011 DA06 KA04
Claims (9)
- 【請求項１】 能動素子と、誘電体基板上に形成された
マイクロストリップ線路と、このマイクロストリップ線
路に結合するように配置した誘電体ブロックとを少なく
とも有し、前記マイクロストリップ線路と前記誘電体ブ
ロックで共振器を形成し、前記能動素子と前記共振器と
は電気的に接続され、前記能動素子部は発振させたい周
波数帯で負性抵抗を発生し、前記誘電体ブロックは、そ
の基本モードの共振周波数が前記発振させたい周波数よ
り低く且つ高次モードの内の一つの共振周波数帯が前記
発振させたい周波数になっていることを特徴とする発振
器。 - 【請求項２】 少なくとも、能動素子と、マイクロスト
リップ線路と、誘電体ブロックとが同一基板に搭載さ
れ、前記マイクロストリップ線路と前記誘電体ブロック
とが共振器を形成し、前記能動素子と前記共振器とは電
気的に接続され、前記能動素子部は発振させたい周波数
帯で負性抵抗を発生し、前記誘電体ブロックは、その基
本モードの共振周波数が前記発振させたい周波数より低
く且つ高次モードの内の一つの共振周波数帯が前記発振
させたい周波数になっていることを特徴とする発振器。 - 【請求項３】 誘電体基板上に実装された能動素子と、
前記能動素子が実装されている誘電体基板にマイクロス
トリップ線路と、誘電体ブロックとを少なくとも有し、
前記マイクロストリップ線路と前記誘電体ブロックで共
振器を形成し、前記能動素子と前記共振器とは電気的に
接続され、前記能動素子部は発振させたい周波数帯で負
性抵抗を発生し、前記誘電体ブロックは、その基本モー
ドの共振周波数が前記発振させたい周波数より低く且つ
高次モードの内の一つの共振周波数帯が前記発振させた
い周波数になっていることを特徴とする発振器。 - 【請求項４】 第一の誘電体基板上に搭載された能動素
子と、第二の誘電体基板上に形成されたマイクロストリ
ップ線路と、このマイクロストリップ線路に電界的、磁
界的、あるいは電磁気的に結合するように配置した誘電
体ブロックとを有し、前記マイクロストリップ線路と前
記誘電体ブロックで共振器を形成し、前記第一の誘電体
基板上の能動素子と前記共振器は電気的に接続され、前
記能動素子部は発振させたい周波数帯で負性抵抗を発生
し、前記誘電体ブロックは、その基本モードの共振周波
数が前記発振させたい周波数より低く且つ高次モードの
内の一つの共振周波数帯が前記発振させたい周波数にな
っていることを特徴とする発振器。 - 【請求項５】 前記能動素子と前記共振器との間に、可
変リアクタンス素子を有し、前記リアクタンス素子の特
性制御により、発振周波数の制御を可能としたことを特
徴とする請求項１より請求項４のいずれかに記載の発振
器。 - 【請求項６】 局部信号発生器とアンテナ部とを少なく
とも有し、前記局部信号発生器が請求項１より請求項４
のいずれかに記載の発振器を有することを特徴とする送
受信モジュール。 - 【請求項７】 局部信号発生器とアンテナ部とを少なく
とも有し、前記局部信号発生器が請求項５のいずれかに
記載の発振器を有することを特徴とする送受信モジュー
ル。 - 【請求項８】 局部信号発生器と送信アンテナと受信ア
ンテナと混合器とを少なくとも有し、前記局部信号発生
器が請求項１より請求項４のいずれかに記載の発振器で
あり、且つ前記局部信号発生器によりの信号は前記送信
アンテナから送信信号として放射され、この送信信号が
目標物に反射された反射信号を前記受信アンテナにより
受信し、且つ前記反射信号と局部信号発生器よりの局部
信号を混合する混合器を有することを特徴とするレーダ
装置。 - 【請求項９】 局部信号発生器と送信アンテナと受信ア
ンテナと混合器とを少なくとも有し、前記局部信号発生
器が請求項５に記載の発振器であり、且つ前記局部信号
発生器によりの信号は前記送信アンテナから送信信号と
して放射され、この送信信号が目標物に反射された反射
信号を前記受信アンテナにより受信し、且つ前記反射信
号と局部信号発生器よりの局部信号を混合する混合器を
有することを特徴とするレーダ装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001270433A JP3914401B2 (ja) | 2001-09-06 | 2001-09-06 | 発振器、送受信モジュール、及びレーダ装置 |
| EP02002996A EP1292013A3 (en) | 2001-09-06 | 2002-02-11 | Oscillator, transmitter/receiver module and radar system |
| US10/073,292 US6897735B2 (en) | 2001-09-06 | 2002-02-13 | Oscillator, transmitter/receiver module and radar system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001270433A JP3914401B2 (ja) | 2001-09-06 | 2001-09-06 | 発振器、送受信モジュール、及びレーダ装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| JP2003087053A5 JP2003087053A5 (ja) | 2005-06-09 |
| JP3914401B2 JP3914401B2 (ja) | 2007-05-16 |
Family
ID=19096090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001270433A Expired - Fee Related JP3914401B2 (ja) | 2001-09-06 | 2001-09-06 | 発振器、送受信モジュール、及びレーダ装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP1292013A3 (ja) |
| JP (1) | JP3914401B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JP4376231B2 (ja) * | 2005-03-08 | 2009-12-02 | Ｔｄｋ株式会社 | 誘電体共振器装荷型発振回路及びこれを用いたレーダー装置 |
| US7920090B2 (en) * | 2006-04-28 | 2011-04-05 | Infineon Technologies Ag | Radar system |
| GB0701812D0 (en) * | 2007-01-31 | 2007-03-14 | Qinetiq Ltd | Antenna system and radar system incorporating the same |
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| US9733379B2 (en) * | 2014-06-19 | 2017-08-15 | Metrotech Corporation | Line locator with a metal detector |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2803846C2 (de) * | 1977-01-31 | 1986-01-30 | Hitachi, Ltd., Tokio/Tokyo | Zentimeterwellen-Oszillatorschaltung mit einem Feldeffekttransistor |
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