JPH0254683B2 - - Google Patents
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- JPH0254683B2 JPH0254683B2 JP58150408A JP15040883A JPH0254683B2 JP H0254683 B2 JPH0254683 B2 JP H0254683B2 JP 58150408 A JP58150408 A JP 58150408A JP 15040883 A JP15040883 A JP 15040883A JP H0254683 B2 JPH0254683 B2 JP H0254683B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B9/00—Generation of oscillations using transit-time effects
- H03B9/12—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices
- H03B9/14—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices and elements comprising distributed inductance and capacitance
- H03B9/141—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices and elements comprising distributed inductance and capacitance and comprising a voltage sensitive element, e.g. varactor
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03C—MODULATION
- H03C7/00—Modulating electromagnetic waves
- H03C7/02—Modulating electromagnetic waves in transmission lines, waveguides, cavity resonators or radiation fields of antennas
- H03C7/025—Modulating electromagnetic waves in transmission lines, waveguides, cavity resonators or radiation fields of antennas using semiconductor devices
- H03C7/027—Modulating electromagnetic waves in transmission lines, waveguides, cavity resonators or radiation fields of antennas using semiconductor devices using diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D9/00—Demodulation or transference of modulation of modulated electromagnetic waves
- H03D9/06—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance
- H03D9/0608—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance by means of diodes
- H03D9/0633—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance by means of diodes mounted on a stripline circuit
- H03D9/0641—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance by means of diodes mounted on a stripline circuit located in a hollow waveguide
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
- H04B1/40—Circuits
- H04B1/403—Circuits using the same oscillator for generating both the transmitter frequency and the receiver local oscillator frequency
- H04B1/408—Circuits using the same oscillator for generating both the transmitter frequency and the receiver local oscillator frequency the transmitter oscillator frequency being identical to the receiver local oscillator frequency
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B7/00—Generation of oscillations using active element having a negative resistance between two of its electrodes
- H03B7/12—Generation of oscillations using active element having a negative resistance between two of its electrodes with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B7/14—Generation of oscillations using active element having a negative resistance between two of its electrodes with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance active element being semiconductor device
- H03B7/143—Generation of oscillations using active element having a negative resistance between two of its electrodes with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance active element being semiconductor device and which comprises an element depending on a voltage or a magnetic field, e.g. varactor- YIG
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- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
- H03D7/14—Balanced arrangements
- H03D7/1408—Balanced arrangements with diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D9/00—Demodulation or transference of modulation of modulated electromagnetic waves
- H03D9/06—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance
- H03D9/0608—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance by means of diodes
- H03D9/0633—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance by means of diodes mounted on a stripline circuit
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- Electromagnetism (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Amplitude Modulation (AREA)
- Transceivers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、受信時にはIF信号を出力し、送
信時には送信信号を出力する送受信モジユールに
関するものである。
信時には送信信号を出力する送受信モジユールに
関するものである。
この種の送受信モジユールはIEEE Transacti
−ons on Microwave Theory and Technique,
MTT−24巻第11号(1976年11月)第794乃至797
頁にマツオ氏等によつて発表されている。
−ons on Microwave Theory and Technique,
MTT−24巻第11号(1976年11月)第794乃至797
頁にマツオ氏等によつて発表されている。
ギガヘルツ(GHz)の範囲の周波数におけるそ
のような送受信機を実現するためには種々の問題
を解決しなければならず、特に良好な再現性を得
ることが重要である。何故ならば量産時の製造公
差を非常に小さく保つことが必要になるからであ
る。
のような送受信機を実現するためには種々の問題
を解決しなければならず、特に良好な再現性を得
ることが重要である。何故ならば量産時の製造公
差を非常に小さく保つことが必要になるからであ
る。
この発明は、このような問題を解決するもので
あり、送信中信号源として使用され、受信中局部
発振器として使用されるフイン・ライン形式で構
成された発振器と、4端子を有しその1端子が前
記発振器に接続され、他の1端子がアンテナに接
続され、残りの2端子がそれぞれダイオードと接
続されているフイン・ライン形式で構成されたカ
プラまたはマジツクTと、送信中変調器として使
用され、受信中ミキサとして使用される前記ダイ
オードを備えたフイン・ライン形式の混合・変調
器とを備えた送受信モジユールの構成を特徴とす
る。この発明の送受信モジユールは量産に非常に
適合したものであり、製造上の変動に比較的不感
であり、廉価に製作することができ、占有空間も
非常に小さくできる。
あり、送信中信号源として使用され、受信中局部
発振器として使用されるフイン・ライン形式で構
成された発振器と、4端子を有しその1端子が前
記発振器に接続され、他の1端子がアンテナに接
続され、残りの2端子がそれぞれダイオードと接
続されているフイン・ライン形式で構成されたカ
プラまたはマジツクTと、送信中変調器として使
用され、受信中ミキサとして使用される前記ダイ
オードを備えたフイン・ライン形式の混合・変調
器とを備えた送受信モジユールの構成を特徴とす
る。この発明の送受信モジユールは量産に非常に
適合したものであり、製造上の変動に比較的不感
であり、廉価に製作することができ、占有空間も
非常に小さくできる。
以下添付図面を参照に実施例により詳細に説明
する。
する。
まず従来の送受信モジユールを第1図のブロツ
ク図で説明する。
ク図で説明する。
これは3dBハイブリツドとして構成されたカプ
ラ2を備えている。同じ結果はカプラをマジツク
Tに置換しても得られる。カプラは4端子を有す
る。その第1の端子は発振器1に接続され、第2
の端子はアンテナ3に接続され、残りの2端子は
それぞれダイオード4および4′に接続されてい
る。ダイオードは1端でIF増幅段5および駆動
段6に接続されている。送信中は発振器1は送信
発振器として動作し、ダイオード4および4′は
変調器として使用される。駆動段6は所望の変調
に応じてダイオードのバイアスを制御する。変調
された信号はカプラに加えられてアンテナ3に供
給される。アンテナと発振器は相互に分離されな
ければならない。これはカプラを分離しカプラと
発振器との間にアイソレータ或は減衰器(第1図
には図示せず)を挿入することにより達成され
る。
ラ2を備えている。同じ結果はカプラをマジツク
Tに置換しても得られる。カプラは4端子を有す
る。その第1の端子は発振器1に接続され、第2
の端子はアンテナ3に接続され、残りの2端子は
それぞれダイオード4および4′に接続されてい
る。ダイオードは1端でIF増幅段5および駆動
段6に接続されている。送信中は発振器1は送信
発振器として動作し、ダイオード4および4′は
変調器として使用される。駆動段6は所望の変調
に応じてダイオードのバイアスを制御する。変調
された信号はカプラに加えられてアンテナ3に供
給される。アンテナと発振器は相互に分離されな
ければならない。これはカプラを分離しカプラと
発振器との間にアイソレータ或は減衰器(第1図
には図示せず)を挿入することにより達成され
る。
受信時には発振器1は局部発振器として作用
し、ダイオード4,4′は混合器として使用され
る。IF増幅段5においてIF信号が前段増幅され
る。アンテナ3により受信された信号はカプラ2
によりダイオード4,4′間に分割される。
し、ダイオード4,4′は混合器として使用され
る。IF増幅段5においてIF信号が前段増幅され
る。アンテナ3により受信された信号はカプラ2
によりダイオード4,4′間に分割される。
変調器とミキサはしたがつて1ユニツトを形成
する。適当なダイオードはシヨツツキダイオード
である。
する。適当なダイオードはシヨツツキダイオード
である。
この回路はフイン・ライン(fin−line)技術を
使用して構成すると特に有利である。その場合に
は送受信モジユールは非常にコンパクトで、頑強
で、電気的に安定なものとなる。
使用して構成すると特に有利である。その場合に
は送受信モジユールは非常にコンパクトで、頑強
で、電気的に安定なものとなる。
それ自体としては知られているフイン・ライン
術においては電磁波の伝播が金属フインが付着さ
れた誘電体基体を含む導波管中で行われる。伝播
のパターンは本質的にフインによつて決定され
る。
術においては電磁波の伝播が金属フインが付着さ
れた誘電体基体を含む導波管中で行われる。伝播
のパターンは本質的にフインによつて決定され
る。
明瞭にするために発振器、カプラ、混合・変調
器、およびアンテナは別々に分離されたものとし
て記載しているが、これらのユニツトは全てフイ
ン・ライン形式で入力および出力部が構成され、
それ故容易に相互結合が可能である。
器、およびアンテナは別々に分離されたものとし
て記載しているが、これらのユニツトは全てフイ
ン・ライン形式で入力および出力部が構成され、
それ故容易に相互結合が可能である。
まず、第2図によつて混合・変調器を説明す
る。図はダイオードの一方の配置のみを示してお
り、他方のダイオードの配置はそれと同一であ
る。
る。図はダイオードの一方の配置のみを示してお
り、他方のダイオードの配置はそれと同一であ
る。
基体上に付着された2個のフイン802,80
3はスロツト801を形成し、それは左方で若干
広くなつている。この地点で混合・変調器はカプ
ラと結合される。広くなつた部分はこの装置のイ
ンピーダンスをカプラと整合させる作用をする。
もしもインピーダンスが同じであるならば広げる
必要はない。
3はスロツト801を形成し、それは左方で若干
広くなつている。この地点で混合・変調器はカプ
ラと結合される。広くなつた部分はこの装置のイ
ンピーダンスをカプラと整合させる作用をする。
もしもインピーダンスが同じであるならば広げる
必要はない。
完全な整合(実数部および虚数部)を得るため
にフイン・ラインのスロツトは凹部806を有
し、それは当業者には周知の方法で寸法が定めら
れる。この凹部806の後方にシヨツツキダイオ
ード804が位置している。それはフイン・ライ
ンの2個のフイン802,803に接続されてい
る。スロツトはシヨツツキダイオード806の先
へ与えられた距離805延在し、その端部で電波
伝播に対する短絡回路が与えられている。
にフイン・ラインのスロツトは凹部806を有
し、それは当業者には周知の方法で寸法が定めら
れる。この凹部806の後方にシヨツツキダイオ
ード804が位置している。それはフイン・ライ
ンの2個のフイン802,803に接続されてい
る。スロツトはシヨツツキダイオード806の先
へ与えられた距離805延在し、その端部で電波
伝播に対する短絡回路が与えられている。
IF信号はローパスフイルタとして設計された
ストリツプ線路807を経て取り出される。スト
リツプ線路807はフイン803に電気的に接続
されている。接続点の両側においてフイン803
はスロツト810および811を有し、それで2
個のダイオード端子間の電気的分離が与えられ
る。このスロツトは非常に狭いのでフイン・ライ
ン平面の電波の伝播には顕著な影響はない。IF
信号の抽出について述べたことは同様に変調信号
の供給についても適用される。
ストリツプ線路807を経て取り出される。スト
リツプ線路807はフイン803に電気的に接続
されている。接続点の両側においてフイン803
はスロツト810および811を有し、それで2
個のダイオード端子間の電気的分離が与えられ
る。このスロツトは非常に狭いのでフイン・ライ
ン平面の電波の伝播には顕著な影響はない。IF
信号の抽出について述べたことは同様に変調信号
の供給についても適用される。
混合・変調器の動作は次のとおりである。
シヨツツキダイオードは第1近似では純抵抗部
である。パツケージおよび空乏層キヤパシタンス
によつて生じるそのインピーダンスのリアクタン
ス分はダイオード804の後方の短絡されたスタ
ブ805によつて消去される。ゼロ或は多少負の
バイアスでダイオードは比較的高抵抗である。変
調器として使用される時、それは入来する電力を
吸収し、それ故実際上反射波は生じない。もしも
ダイオードが正にバイアスされるとその実効抵抗
は減少する。したがつて、ダイオードが変調器と
して使用される時、全高周波電力は反射される。
である。パツケージおよび空乏層キヤパシタンス
によつて生じるそのインピーダンスのリアクタン
ス分はダイオード804の後方の短絡されたスタ
ブ805によつて消去される。ゼロ或は多少負の
バイアスでダイオードは比較的高抵抗である。変
調器として使用される時、それは入来する電力を
吸収し、それ故実際上反射波は生じない。もしも
ダイオードが正にバイアスされるとその実効抵抗
は減少する。したがつて、ダイオードが変調器と
して使用される時、全高周波電力は反射される。
混合器モードでは受信された信号の半分および
局部発振器信号の半分がダイオード4および4′
のそれぞれに与えられる。ダイオードにより与え
られるIF信号はIF増幅段5に供給される。
局部発振器信号の半分がダイオード4および4′
のそれぞれに与えられる。ダイオードにより与え
られるIF信号はIF増幅段5に供給される。
混合・変調器に対してフイン・ライン形式で構
成されない電源回路網(図示せず)が必要であ
る。それは発生したIF信号をIF増幅段に通過さ
せ、変調信号をダイオードに通過させる。
成されない電源回路網(図示せず)が必要であ
る。それは発生したIF信号をIF増幅段に通過さ
せ、変調信号をダイオードに通過させる。
3dBカプラを以下第3図を参照に説明する。そ
れは分岐ラインカプラの原理で設計されている。
カプラのフイン・ラインは基体の片面だけに設け
られたものである。すなわち、金属フイン302
は基体の一方の側だけに付着されている。フイン
は図では左下から右上に向う斜線で示されてい
る。それらはスロツト312,332,352お
よび,362を形成している。
れは分岐ラインカプラの原理で設計されている。
カプラのフイン・ラインは基体の片面だけに設け
られたものである。すなわち、金属フイン302
は基体の一方の側だけに付着されている。フイン
は図では左下から右上に向う斜線で示されてい
る。それらはスロツト312,332,352お
よび,362を形成している。
2個の片側のフイン・ラインが会合する点32
2と342との間のスロツトは電気的性質に関し
てはフイン・ラインスロツトではなく、実際にス
ロツトを有するラインを形成している。
2と342との間のスロツトは電気的性質に関し
てはフイン・ラインスロツトではなく、実際にス
ロツトを有するラインを形成している。
記載したフイン・ラインは適当に配置した疑似
集中素子を追加する場合のみカプラとして動作す
る。この種の適当な素子は例えば次のようなもの
である。
集中素子を追加する場合のみカプラとして動作す
る。この種の適当な素子は例えば次のようなもの
である。
或る長さのワイヤー(第3図には示していな
い)であり、それは点322および342にお
いてフインに接着され、したがつてこれら2点
を互に接続する。それは脚部がフインの表面に
垂直であり、これらの点に接続されたU字形の
ものである。フインの表面に平行なワイヤの部
分はできるだけフインの表面から離れて、フイ
ン・ラインの電界への影響ができるだけ小さく
なるようにされている。その最適の長さは結合
腕間の必要な90゜の位相差によつて決定される。
い)であり、それは点322および342にお
いてフインに接着され、したがつてこれら2点
を互に接続する。それは脚部がフインの表面に
垂直であり、これらの点に接続されたU字形の
ものである。フインの表面に平行なワイヤの部
分はできるだけフインの表面から離れて、フイ
ン・ラインの電界への影響ができるだけ小さく
なるようにされている。その最適の長さは結合
腕間の必要な90゜の位相差によつて決定される。
基体のフインと反対側に付着されたストリツ
プ線路382である。それは点322と342
間のスロツトの上に延在している。これらの点
のそれぞれの側までストリツプ線路は金属表面
372中に延びている。これらの金属表面およ
び基体の反対側のフインは容量結合を与えてい
る。ストリツプ線路の長さは減結合を決定す
る。ストリツプ線路は前述の場合と同様に90゜
の位相差を与えるために直線よりはむしろ蛇行
して走つている。この理由および容量性結合が
ストリツプ線路の電気長に影響するために、後
者は所望の電気長を与えられることができる。
フイン・ラインの電界ができきるだけ影響され
ないようにそして両側フイン・ラインを形成し
ないようにストリツプ線路を位置させるように
注意しなければならない。
プ線路382である。それは点322と342
間のスロツトの上に延在している。これらの点
のそれぞれの側までストリツプ線路は金属表面
372中に延びている。これらの金属表面およ
び基体の反対側のフインは容量結合を与えてい
る。ストリツプ線路の長さは減結合を決定す
る。ストリツプ線路は前述の場合と同様に90゜
の位相差を与えるために直線よりはむしろ蛇行
して走つている。この理由および容量性結合が
ストリツプ線路の電気長に影響するために、後
者は所望の電気長を与えられることができる。
フイン・ラインの電界ができきるだけ影響され
ないようにそして両側フイン・ラインを形成し
ないようにストリツプ線路を位置させるように
注意しなければならない。
結合比すなわちフイン・ライン上に供給された
エネルギがこのエネルギが通過する2個のフイ
ン・ライン間に分割される割合は中でもフイン・
ラインが縦方向で相対的にどの位変位しているか
による。
エネルギがこのエネルギが通過する2個のフイ
ン・ライン間に分割される割合は中でもフイン・
ラインが縦方向で相対的にどの位変位しているか
による。
カプラは4個のフイン・ライン端子を有し、2
個の右手の端子はライン802,803、スロツ
ト801および導波管(図示せず)により形成さ
れた混合・変調器のフイン・ラインに接続され
る。2個の左手の端子はそれぞれアンテナ3およ
び発振器1に接続される。
個の右手の端子はライン802,803、スロツ
ト801および導波管(図示せず)により形成さ
れた混合・変調器のフイン・ラインに接続され
る。2個の左手の端子はそれぞれアンテナ3およ
び発振器1に接続される。
次に発振器の実施例を第4図乃至第7図を参照
に説明する。
に説明する。
第4a図の断面図において導波管100はフイ
ン・ラインおよび基体上に付着されたフイン20
0を内蔵し、図の左手の部分に示されている。フ
インは基体上にスロツト300を残している。導
波管100にカツトオフ導波管400が連結され
ている。カツトオフ導波管400はそのカツトオ
フ領域で動作される導波管である。すなわち導波
管の断面は導波管のカツトオフ周波数が発振器の
所望の周波数の上にあるように選ばれている。フ
イン200はカツトオフ導波管中へ多少突き出て
いる。
ン・ラインおよび基体上に付着されたフイン20
0を内蔵し、図の左手の部分に示されている。フ
インは基体上にスロツト300を残している。導
波管100にカツトオフ導波管400が連結され
ている。カツトオフ導波管400はそのカツトオ
フ領域で動作される導波管である。すなわち導波
管の断面は導波管のカツトオフ周波数が発振器の
所望の周波数の上にあるように選ばれている。フ
イン200はカツトオフ導波管中へ多少突き出て
いる。
パツケージに収容されダイオード500はそれ
自体としては従来より周知の方法でカツトオフ導
波管に取り付けられている。所定のキヤパシタン
スを実現するためにカツトオフ導波管400は同
調ねじ600を備え、それはダイオードのパツケ
ージと共に定められたキヤパシタンスを与えてい
る。
自体としては従来より周知の方法でカツトオフ導
波管に取り付けられている。所定のキヤパシタン
スを実現するためにカツトオフ導波管400は同
調ねじ600を備え、それはダイオードのパツケ
ージと共に定められたキヤパシタンスを与えてい
る。
図示実施例においてはフイン・ラインは片側フ
イン・ラインである。フインはスロツトに関して
対称である。他のフイン・ライン、例えばスロツ
トがただ1個のフインと導波管の壁との間で形成
されたフイン・ラインを使用することも可能であ
る。
イン・ラインである。フインはスロツトに関して
対称である。他のフイン・ライン、例えばスロツ
トがただ1個のフインと導波管の壁との間で形成
されたフイン・ラインを使用することも可能であ
る。
第4b図はこの装置の上面図であり、第4a図
と同一の参照記号が付されているので説明は省略
する。
と同一の参照記号が付されているので説明は省略
する。
フイン・ライン発振器の動作は次のとおりであ
る。
る。
等価回路ではカツトオフ導波管は純粋なインダ
クダンスにより表わされる。それ故能動素子を設
けても何等不所望の共振効果が生じることはな
い。カツトオフ導波管領域では電波の伝播は行わ
れない。それ故等価インダクタンスは集中回路素
子として考えることができる。カツトオフ導波管
の幅は発振器の所望の周波数が支配的
(dominant)周波数の略々2/3以下になるように
選択される。その場合にはカツトオフ導波管の等
価インピーダンスは殆ど周波数に無関係になる。
クダンスにより表わされる。それ故能動素子を設
けても何等不所望の共振効果が生じることはな
い。カツトオフ導波管領域では電波の伝播は行わ
れない。それ故等価インダクタンスは集中回路素
子として考えることができる。カツトオフ導波管
の幅は発振器の所望の周波数が支配的
(dominant)周波数の略々2/3以下になるように
選択される。その場合にはカツトオフ導波管の等
価インピーダンスは殆ど周波数に無関係になる。
所望の周波数を発生するために補足的なエネル
ギ蓄積手段すなわちキヤパシタが付加されねばな
らない。等価回路において抽出点すなわちフイ
ン・ラインスロツトからカツトオフ導波管への急
激な転移部はシヤントキヤパシタンスを表わす。
しかしながら、金属フインは非常に薄い(約
17.5μm乃至約35μm)からこのキヤパシタンスは
非常に小ささいものである。これはカツトオフ導
波管の誘導リアクタンスを補償するには不充分で
ある。追加の、もつと大きなキヤパシタンスはカ
ツトオフ導波管中の同調ねじによつて実現され
る。これもまた発振器の周波数が機械的に変化さ
れることを許容するものである。カツトオフ導波
管はその右手部分で機械的に閉じられる必要はな
い。それはそこに非周期的な制動されたモードし
か存在できないからである。
ギ蓄積手段すなわちキヤパシタが付加されねばな
らない。等価回路において抽出点すなわちフイ
ン・ラインスロツトからカツトオフ導波管への急
激な転移部はシヤントキヤパシタンスを表わす。
しかしながら、金属フインは非常に薄い(約
17.5μm乃至約35μm)からこのキヤパシタンスは
非常に小ささいものである。これはカツトオフ導
波管の誘導リアクタンスを補償するには不充分で
ある。追加の、もつと大きなキヤパシタンスはカ
ツトオフ導波管中の同調ねじによつて実現され
る。これもまた発振器の周波数が機械的に変化さ
れることを許容するものである。カツトオフ導波
管はその右手部分で機械的に閉じられる必要はな
い。それはそこに非周期的な制動されたモードし
か存在できないからである。
この周波数調整の説明に続いて負荷への同調が
どのように行われるかについて以下説明する。こ
れを行うために能動素子の負の等価抵抗が負荷に
整合されなければならない。残りの自由度は1つ
はフイン・ラインのスロツトの幅であり、他のも
のとしてはフイン・ライン端部と能動素子のパツ
ケージとの間の距離lである。これはどんな場合
にも完全な整合を可能にする。
どのように行われるかについて以下説明する。こ
れを行うために能動素子の負の等価抵抗が負荷に
整合されなければならない。残りの自由度は1つ
はフイン・ラインのスロツトの幅であり、他のも
のとしてはフイン・ライン端部と能動素子のパツ
ケージとの間の距離lである。これはどんな場合
にも完全な整合を可能にする。
ダイオードの電源電圧はそれ自体としては周知
の方法で同軸ローパスフイルタを通つて、或はカ
ツトオフ導波管の開放端からダイオードへ向つて
延在する細い線を通つて(この方法は構造とよく
適合している)供給することができる。この開放
端は制動材料で栓をされ、高周波電力がそこから
逃げないようにしなければならない。これによる
出力電力の低下は無視できる程度(代表的には
0.2dB)に過ぎない。一方2つの付加的な効果が
得られる。すなわち、それは1つには発振器のス
タートの確実性を増加させ、他方では出力スペク
トラムの高調波含有量を代表的には10dB減少さ
せる。もしも発振器を機械的に同調できるように
することが所望されていないのであれば、回路を
変形して同調ねじをフオトエツチング技術を使用
して誘電体基体上に生成した金属条帯で置換する
こともできる。終りに第4a図においてフインが
左手の部分に付着されている誘電体基体が能動素
子の右まで与えられることも考えられる。不所望
の銅クラツド層をエツチングして除去することに
よつて長い金属条帯が形成され、それはもしも適
当な長さおよび高さであればキヤパシタンスを生
じる。したがつて、純粋に平らな構造が実現さ
れ、ダイオードは廉価で再現性よく組込まれ良好
なヒートシンクが与えられる。
の方法で同軸ローパスフイルタを通つて、或はカ
ツトオフ導波管の開放端からダイオードへ向つて
延在する細い線を通つて(この方法は構造とよく
適合している)供給することができる。この開放
端は制動材料で栓をされ、高周波電力がそこから
逃げないようにしなければならない。これによる
出力電力の低下は無視できる程度(代表的には
0.2dB)に過ぎない。一方2つの付加的な効果が
得られる。すなわち、それは1つには発振器のス
タートの確実性を増加させ、他方では出力スペク
トラムの高調波含有量を代表的には10dB減少さ
せる。もしも発振器を機械的に同調できるように
することが所望されていないのであれば、回路を
変形して同調ねじをフオトエツチング技術を使用
して誘電体基体上に生成した金属条帯で置換する
こともできる。終りに第4a図においてフインが
左手の部分に付着されている誘電体基体が能動素
子の右まで与えられることも考えられる。不所望
の銅クラツド層をエツチングして除去することに
よつて長い金属条帯が形成され、それはもしも適
当な長さおよび高さであればキヤパシタンスを生
じる。したがつて、純粋に平らな構造が実現さ
れ、ダイオードは廉価で再現性よく組込まれ良好
なヒートシンクが与えられる。
発振器はバラクタダイオードを追加することに
よつて電気的に同調できるようにすることができ
る。これは2つの方法で行うことができる。通常
のパツケージ(例えばS−4パツケージ)のバラ
クタダイオードが同調ねじの代り或はそれに追加
してカツトオフ導波管中に設けられる。したがつ
てそのマウントは能動素子のそれと同様である。
第2の方法はビームリードパツケージのバラクタ
ダイオードを直接適当な点でフイン・ラインのス
ロツト上に取付けるものである。電子同調範囲が
パーセントのオーダーであるようにバラクタダイ
オードが密接に結合される地点がスロツトに沿つ
て発見できる。しかしながら、その時出力電力は
1乃至3dB減少する。他の地点では結合はほんの
弱いものであり、それ故定格周波数の3%程度の
同調範囲が出力電力の実質上の損失なしに実現さ
れることができる。
よつて電気的に同調できるようにすることができ
る。これは2つの方法で行うことができる。通常
のパツケージ(例えばS−4パツケージ)のバラ
クタダイオードが同調ねじの代り或はそれに追加
してカツトオフ導波管中に設けられる。したがつ
てそのマウントは能動素子のそれと同様である。
第2の方法はビームリードパツケージのバラクタ
ダイオードを直接適当な点でフイン・ラインのス
ロツト上に取付けるものである。電子同調範囲が
パーセントのオーダーであるようにバラクタダイ
オードが密接に結合される地点がスロツトに沿つ
て発見できる。しかしながら、その時出力電力は
1乃至3dB減少する。他の地点では結合はほんの
弱いものであり、それ故定格周波数の3%程度の
同調範囲が出力電力の実質上の損失なしに実現さ
れることができる。
第5a図により別の実施例を以下説明する。こ
の実施例ではダイオードは導波管中ではなく、フ
イン・ラインのフインが付着されている基体中に
取付けられている。
の実施例ではダイオードは導波管中ではなく、フ
イン・ラインのフインが付着されている基体中に
取付けられている。
第5a図に示す概略図で、金属膜は誘電体基体
(図示せず)の上面および下面に付着されている。
基体の下側の金属膜は左下から右上に向う斜線で
示され、上側のそれは左上から右下に向う斜線で
示されている。基体の下面ではフイン・ラインの
フイン211,221はスロツト231を形成し
ている。基体およびフインは導波管201内に閉
じ込められている。基体の反対側にはスロツトの
方向に垂直にストリツプライン241が基体上に
付着されている。それは距離aだけスロツトを越
えて伸び、またスロツトの端部から距離bだけ離
れている。
(図示せず)の上面および下面に付着されている。
基体の下側の金属膜は左下から右上に向う斜線で
示され、上側のそれは左上から右下に向う斜線で
示されている。基体の下面ではフイン・ラインの
フイン211,221はスロツト231を形成し
ている。基体およびフインは導波管201内に閉
じ込められている。基体の反対側にはスロツトの
方向に垂直にストリツプライン241が基体上に
付着されている。それは距離aだけスロツトを越
えて伸び、またスロツトの端部から距離bだけ離
れている。
パツケージを有するダイオード271は基体に
設けた孔の中に設置され、ストリツプライン24
1と電気的に接続されている。ダイオードの電源
電圧はストリツプライン・ローパスフイルタ28
1を通つて供給される。
設けた孔の中に設置され、ストリツプライン24
1と電気的に接続されている。ダイオードの電源
電圧はストリツプライン・ローパスフイルタ28
1を通つて供給される。
この装置においてはストリツプラインはストリ
ツプ・スロツト転移部を介してフイン・ラインに
結合される。もしも適切な長さaおよびbが選択
されるならば、この転移部は周波数を決定する共
振回路となる。ダイオードのインピーダンスの実
数部の整合はフイン・ラインのインピーダンスに
対して適当な幅を選択すること、すなわち適当な
スロツト幅を選択することにより、およびダイオ
ードの直前のストリツプラインの4分の1波長変
換器291により行われる。このようにして能動
素子の定格電力はaおよびbによつて決定された
周波数で結合して取り出されることができる。
ツプ・スロツト転移部を介してフイン・ラインに
結合される。もしも適切な長さaおよびbが選択
されるならば、この転移部は周波数を決定する共
振回路となる。ダイオードのインピーダンスの実
数部の整合はフイン・ラインのインピーダンスに
対して適当な幅を選択すること、すなわち適当な
スロツト幅を選択することにより、およびダイオ
ードの直前のストリツプラインの4分の1波長変
換器291により行われる。このようにして能動
素子の定格電力はaおよびbによつて決定された
周波数で結合して取り出されることができる。
この構成をさらに発展させたものが第5b図に
示されている。第5b図の装置においては長さa
は非常に小さく選定され、ストリツプラインは鍍
金されたスルーホール261により基体の反対側
の金属フイン211と接続されている。この場合
には周波数決定共振回路は長さb(スロツトの端
からストリツプラインまでの距離)およびフイ
ン・ラインのスロツト231から4分の1波長変
換器291までの距離dにより決定される。ダイ
オードのインピーダンスの実数部は第5a図と同
じようにして負荷に整合される。
示されている。第5b図の装置においては長さa
は非常に小さく選定され、ストリツプラインは鍍
金されたスルーホール261により基体の反対側
の金属フイン211と接続されている。この場合
には周波数決定共振回路は長さb(スロツトの端
からストリツプラインまでの距離)およびフイ
ン・ラインのスロツト231から4分の1波長変
換器291までの距離dにより決定される。ダイ
オードのインピーダンスの実数部は第5a図と同
じようにして負荷に整合される。
最後に発振器の特性について2,3説明する。
全ての構造によつてダイオードの定格出力を結合
して取り出すことが可能である。外部的なQ、お
よび、したがつてバンド幅は通常の導波管技術を
使用して得られる値に匹敵する。したがつて雑音
は同様に低い。第1実施例の構造の電子同調範囲
は代表的なものでは5乃至10%である。
全ての構造によつてダイオードの定格出力を結合
して取り出すことが可能である。外部的なQ、お
よび、したがつてバンド幅は通常の導波管技術を
使用して得られる値に匹敵する。したがつて雑音
は同様に低い。第1実施例の構造の電子同調範囲
は代表的なものでは5乃至10%である。
どのパラメータが共振回路を構成し、周波数を
決定するか、およびどのパラメータがダイオード
を負荷に整合させるために選択しなければならな
いかについて説明した。この説明によつて当業者
は具体的な場合に実際の長さを決定することがで
きよう。それ故それについてはここでは記載を省
略する。
決定するか、およびどのパラメータがダイオード
を負荷に整合させるために選択しなければならな
いかについて説明した。この説明によつて当業者
は具体的な場合に実際の長さを決定することがで
きよう。それ故それについてはここでは記載を省
略する。
フイン・ライン形式で構成するのに特に適して
いる発振器の後の2つの実施例のものの動作を第
6図を参照に以下説明する。
いる発振器の後の2つの実施例のものの動作を第
6図を参照に以下説明する。
4個の端子203,303,703,803を
有するカプラ403は両実施例に共通である。適
当なカプラは第3図を参願に説明したようなもの
である。第6図の実施例においてカプラ2(第1
図)の発振器端子に接続された端子は端子303
であり、第7図の実施例ではこの端子は端子20
3である。
有するカプラ403は両実施例に共通である。適
当なカプラは第3図を参願に説明したようなもの
である。第6図の実施例においてカプラ2(第1
図)の発振器端子に接続された端子は端子303
であり、第7図の実施例ではこの端子は端子20
3である。
カプラ403(第6図、第7図)の他の2個の
端子703および803はそれぞれバラクタダイ
オード503および603に接続される。バラク
タダイオードの1つ503は発振器の周波数の調
整に使用され、他のダイオード603は出力電力
の調整に使用される。もしも同調整や変調が所望
されないならば所望の値を得るためバイアスが2
個のバラクタダイオードに供給される。もしも発
振器が連続的に同調可能或は変調されることがで
きるものであれば、バラクタダイオードに供給さ
れるバイアスは周波数または出力電力を制御する
ために適当に変化される。
端子703および803はそれぞれバラクタダイ
オード503および603に接続される。バラク
タダイオードの1つ503は発振器の周波数の調
整に使用され、他のダイオード603は出力電力
の調整に使用される。もしも同調整や変調が所望
されないならば所望の値を得るためバイアスが2
個のバラクタダイオードに供給される。もしも発
振器が連続的に同調可能或は変調されることがで
きるものであれば、バラクタダイオードに供給さ
れるバイアスは周波数または出力電力を制御する
ために適当に変化される。
カツプリング比の選択によつて制御パラメータ
の感度、すなわち周波数および振幅調整の感度が
調整できる。
の感度、すなわち周波数および振幅調整の感度が
調整できる。
2個のダイオードに対する2個のバイアスは互
に独立に制御できるので周波数調整と電力調整の
間に相互作用は生じない。
に独立に制御できるので周波数調整と電力調整の
間に相互作用は生じない。
能動2端子装置はカプラの他の端子203に接
続される。適当な能動装置はガンダイオードであ
る。
続される。適当な能動装置はガンダイオードであ
る。
第6図に示した第1の実施例ではカプラの第4
の端子303が発振器の出力端子Aである。すな
わちそれがカプラ2(第1図)に接続される。
の端子303が発振器の出力端子Aである。すな
わちそれがカプラ2(第1図)に接続される。
第7図に示した第2の実施例ではカプラ403
の第4の端子303はインピーダンス103で終
端されている。そのインピーダンスZ0はカプラの
特性インピーダンスに等しく選ばれる。この場合
にはカプラ403の端子203は能動2端子装置
に接続されるだけでなく、また発振器の出力端子
Aとなつている。すなわちそれはカプラ2(第1
図)に接続される。
の第4の端子303はインピーダンス103で終
端されている。そのインピーダンスZ0はカプラの
特性インピーダンスに等しく選ばれる。この場合
にはカプラ403の端子203は能動2端子装置
に接続されるだけでなく、また発振器の出力端子
Aとなつている。すなわちそれはカプラ2(第1
図)に接続される。
ダイオードは第4図および第5図で説明したよ
うにカプラのフイン・ラインに接続することがで
き、或はダイオードにパツケージが設けられてい
なければ直接フインに接着してもよい。
うにカプラのフイン・ラインに接続することがで
き、或はダイオードにパツケージが設けられてい
なければ直接フインに接着してもよい。
この回路は種々の用途に使用できる。それは容
易に特別の要求に合致するように構成することが
できる。例えば特別のレーダ装置においてスイツ
チがカプラとダイオードまたは発振器の間に挿入
される。これはスイツチ可能なダイオードを含む
別のフイン・ラインにより実現される。アンテナ
を設けるためにカプラのフイン・ラインのスロツ
トはホーン状(Vivaldi構造)に拡げられる。そ
の他の設計フアクタは通常の導波管アンテナに対
するものと同じである。
易に特別の要求に合致するように構成することが
できる。例えば特別のレーダ装置においてスイツ
チがカプラとダイオードまたは発振器の間に挿入
される。これはスイツチ可能なダイオードを含む
別のフイン・ラインにより実現される。アンテナ
を設けるためにカプラのフイン・ラインのスロツ
トはホーン状(Vivaldi構造)に拡げられる。そ
の他の設計フアクタは通常の導波管アンテナに対
するものと同じである。
以上、この発明を特定の装置に関連して説明し
たが、これらの説明は単なる例示に過ぎないもの
であり、これらの説明は単なる例示に過ぎないも
のであり、特許請求の範囲に記載された発明の技
術的範囲を制限するものではないことを理解すべ
きである。
たが、これらの説明は単なる例示に過ぎないもの
であり、これらの説明は単なる例示に過ぎないも
のであり、特許請求の範囲に記載された発明の技
術的範囲を制限するものではないことを理解すべ
きである。
第1図は従来の送受信モジユールのブロツク図
であり、第2図は送受信モジユール用のミキサ・
変調器の1実施例を示し、第3図は送受信モジユ
ール用カプラの1実施例を示し、第4a図、第4
b図、第5a図および第5b図は送受信モジユー
ル用発振器の実施例を示す。第6図および第7図
はストリツプ線路で構成するのに特に適した発振
器のブロツク図である。 1……発振器、2……カプラ、3……アンテ
ナ、4,4′……ダイオード、5……IF増幅段、
6……駆動段、100,201……導波管、20
0,211,221,802,803……フイ
ン、231,300,801……スロツト、40
0……カツトオフ導波管、271,500……ダ
イオード、291……4分の1波長変換器、10
3……2端子能動装置、403……カプラ、50
3,603……バラクタダイオード。
であり、第2図は送受信モジユール用のミキサ・
変調器の1実施例を示し、第3図は送受信モジユ
ール用カプラの1実施例を示し、第4a図、第4
b図、第5a図および第5b図は送受信モジユー
ル用発振器の実施例を示す。第6図および第7図
はストリツプ線路で構成するのに特に適した発振
器のブロツク図である。 1……発振器、2……カプラ、3……アンテ
ナ、4,4′……ダイオード、5……IF増幅段、
6……駆動段、100,201……導波管、20
0,211,221,802,803……フイ
ン、231,300,801……スロツト、40
0……カツトオフ導波管、271,500……ダ
イオード、291……4分の1波長変換器、10
3……2端子能動装置、403……カプラ、50
3,603……バラクタダイオード。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 送信中信号源として使用され、受信中局部発
振器として使用されるフイン・ライン形式で構成
された発振器と、4端子を有しその1端子が前記
発振器に接続され、他の1端子がアンテナに接続
され得る如く構成され、残りの2端子がそれぞれ
ダイオードと接続されているフイン・ライン形式
で構成されたカプラまたはマジツクTと、送信中
変調器として使用され、受信中ミキサとして使用
される前記2個のダイオードを備えたフイン・ラ
イン形式の混合・変調器と、アンテナとを具備し
ていることを特徴とする受信時にはIF信号を、
送信時には送信信号を出力する送受信モジユー
ル。 2 アンテナもフイン・ライン形式で構成されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の送受信モジユール。 3 フイン・ライン形式の発振器は能動素子とし
て使用されるダイオードと、負荷に対するダイオ
ードの整合および周波数決定のためのインピーダ
ンス整合回路網とを具備し、フイン・ラインを含
む導波管100はカツトオフ導波管400と連結
され、フイン・ラインのフイン200はカツトオ
フ導波管400中まで突出しており、前記ダイオ
ード500はカツトオフ導波管400中に配置さ
れてカツトオフ導波管の頂面または底面と電気的
に接続され、フイン・ラインのフインの端部とダ
イオードパツケージ間の距離l、フイン間のスロ
ツト300の幅およびカツトオフ導波管中のキヤ
パシタンスの値の少なくとも1つが周波数を決定
し、ダイオードを負荷に整合させるように選択さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第1項
または第2項記載の送受信モジユール。 4 フイン・ライン形式の発振器は能動素子とし
て使用されるダイオードと、負荷に対するダイオ
ードの整合および周波数決定のためのインピーダ
ンス整合回路網を具備し、ダイオード271はフ
イン・ラインのフイン211,221が付着され
ている基体に取り付けられ、ストリツプ線路24
1が基体上のフインと反対側にフインにより形成
されたスロツトに略々直交して付着され、ダイオ
ード271がストリツプ線路241に電気的に接
続されていることを特徴とする特許請求の範囲第
1項または第2項記載の送受信モジユール。 5 ストリツプ線路241がフイン・ラインのス
ロツト231を越えて基体の反対側でフイン21
1にストリツプ線路241,261が電気的に接
続できる地点まで延在1、この接続261が行わ
れており、スロツト231から所定の距離dにお
いてストリツプ線路は4分の1波長変換器291
を形成され、この所定の距離dおよびスロツト端
部からストリツプ線路241までの距離bならび
にフイン・ラインのスロツト231の幅は所望の
周波数および負荷のインピーダンスに応じて選択
されていることを特徴とする特許請求の範囲第4
項記載の送受信モジユール。 6 ストリツプ線路241はスロツト231を越
えて所定の距離a延在し、この所定の距離a、ス
ロツト231の端部からストリツプ線路までの距
離bおよびフイン・ラインのスロツト231の幅
は所望の周波数および負荷のインピーダンスに応
じて選択されていることを特徴とする特許請求の
範囲第4項記載の送受信モジユール。 7 フイン・ライン形式の発振器は能動素子とし
ての2端子装置103と負荷Aに2端子装置を整
合させるためのインピーダンス整合回路網403
を具備し、このインピーダンス整合回路網403
は4端子203,303,703,803を有す
るカプラで構成され、その2端子703,803
は出力電力および周波数を調整または連続的に変
化させるためにインピーダンス503,603で
終端され、別の1端子203は能動2端子装置1
03に接続され、第4の端子303は発振器出力
端子であることを特徴とする特許請求の範囲第1
項または第2項記載の送受信モジユール。 8 フイン・ライン形式の発振器は能動素子とし
ての2端子装置103と負荷Aにこの2端子装置
を整合するためのインピーダンス整合回路網40
3とを具備し、そのインピーダンス整合回路網は
4端子203,303,703,803を有する
カプラ403で構成され、その2端子703,8
03は出力電力および周波数を調整または連続的
に変化させるためにインピーダンスで終端され、
別の1端子303はカプラの特性インピーダンス
に等しい別のインピーダンス103で終端され、
第4の端子は2端子装置103に接続されると共
に発振器出力端子に接続されていることを特徴と
する特許請求の範囲第1項または第2項記載の送
受信モジユール。 9 カプラは分岐ラインカプラであり、片側のフ
イン・ライン302,312,332,352,
362により形成され、カプラ端子に接続された
4個のフイン・ラインは構造においてはスロツト
を有するラインであるがそのスロツトを有するラ
インに沿つた電磁波の伝播に必要なパラメータに
合致しないような短い長さの線により互に連結さ
れ、ストリツプ線路382はフイン・ラインの基
体のスロツトを有するラインと反対側に設けら
れ、フイン・ラインが基体の反対側で分れる地点
372においてストリツプ線路は容量的にフイン
と結合されるように幅が拡大していることを特徴
とする特許請求の範囲第1項または第2項記載の
送受信モジユール。 10 アンテナはフイン・ライン形式で構成さ
れ、それにおいてスロツトが信号を放射するため
に拡げられていることを特徴とする特許請求の範
囲第2項記載の送受信モジユール。
Applications Claiming Priority (2)
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DE3230832 | 1982-08-19 |
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EP0185446A3 (en) * | 1984-10-12 | 1988-03-30 | British Aerospace Public Limited Company | Transmitter/receiver |
US4789840A (en) * | 1986-04-16 | 1988-12-06 | Hewlett-Packard Company | Integrated capacitance structures in microwave finline devices |
US4855749A (en) * | 1988-02-26 | 1989-08-08 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Opto-electronic vivaldi transceiver |
US5140696A (en) * | 1989-02-28 | 1992-08-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Communication system for transmitting data between a transmitting antenna utilizing strip-line transmission line and a receive antenna in relative movement to one another |
US4931799A (en) * | 1989-04-24 | 1990-06-05 | Hughes Aircraft Company | Short-range radar transceiver employing a FET oscillator |
GB2246678A (en) * | 1990-07-30 | 1992-02-05 | Philips Electronic Associated | Cw radar system. |
DE69419944T2 (de) * | 1993-01-13 | 1999-12-02 | Honda Motor Co Ltd | Mischer mit dielektrischem Wellenleiter und Radar-Modul mit dielektrischem Wellenleiter |
DE19610850C1 (de) * | 1996-03-19 | 1997-04-24 | Siemens Ag | Monostatisches homodynes Radarsystem |
US7324039B2 (en) * | 2004-12-16 | 2008-01-29 | Automotive Technologies International, Inc. | Short-range automotive radar transceiver |
GB2356526B (en) | 1999-11-18 | 2002-08-21 | Marconi Electronic Syst Ltd | Transceiver circuit |
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US7835600B1 (en) * | 2008-07-18 | 2010-11-16 | Hrl Laboratories, Llc | Microwave receiver front-end assembly and array |
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- 1983-08-17 EP EP83108148A patent/EP0101611B1/de not_active Expired
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