JP2003086828A - 分割型受光素子およびそれを用いた光ディスク装置 - Google Patents
分割型受光素子およびそれを用いた光ディスク装置Info
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- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ｎ型反転を防止し、ｎ型拡散層間の漏れ電流
を抑制する。 【解決手段】 ｐ型半導体層２３表面に複数のｎ型拡散
層２４を形成する。ｎ型拡散層２４上には、シリコン酸
化膜２７およびシリコン窒化膜２８で成る反射防止膜を
形成し、入射光の波長に対して反射率が最小になるよう
に各膜厚を設定する。その場合、分割部２５上には上記
反射防止膜は形成しない。こうして、ｐ型半導体層２３
における分割部２５の表面がｎ型に反転することを防止
する。したがって、ｎ型反転領域を介した複数ｎ型拡散
層２４間での漏れ電流の発生を抑制できる。
を抑制する。 【解決手段】 ｐ型半導体層２３表面に複数のｎ型拡散
層２４を形成する。ｎ型拡散層２４上には、シリコン酸
化膜２７およびシリコン窒化膜２８で成る反射防止膜を
形成し、入射光の波長に対して反射率が最小になるよう
に各膜厚を設定する。その場合、分割部２５上には上記
反射防止膜は形成しない。こうして、ｐ型半導体層２３
における分割部２５の表面がｎ型に反転することを防止
する。したがって、ｎ型反転領域を介した複数ｎ型拡散
層２４間での漏れ電流の発生を抑制できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば光ピック
アップ等に用いられる分割型受光素子およびそれを用い
た光ディスク装置の高性能化に関する。
アップ等に用いられる分割型受光素子およびそれを用い
た光ディスク装置の高性能化に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ピックアップ装置は、ＣＤ(コンパク
トディスク)やＤＶＤ(ディジタル多用途ディスク)等の
光ディスク装置に用いられている。そして、近年は、殊
に高密度ＤＶＤの研究・開発が盛んに進められている。
上記ＤＶＤは、動画像等の多量のデータを取り扱うよう
になっており、加えて現在では４倍速から１２倍速へと
開発が進んでいる。そのため、上記ＤＶＤに用いられる
光ピックアップ装置に対する高密度化・高速化の要求が
強くなっている。
トディスク)やＤＶＤ(ディジタル多用途ディスク)等の
光ディスク装置に用いられている。そして、近年は、殊
に高密度ＤＶＤの研究・開発が盛んに進められている。
上記ＤＶＤは、動画像等の多量のデータを取り扱うよう
になっており、加えて現在では４倍速から１２倍速へと
開発が進んでいる。そのため、上記ＤＶＤに用いられる
光ピックアップ装置に対する高密度化・高速化の要求が
強くなっている。
【０００３】記憶容量は波長の逆数の２乗に反比例する
ため、記憶容量の増大に伴って光ピックアップ装置に用
いられるレーザの短波長化が進められている。また、光
ピックアップ装置に用いられる受光素子は、ディスク面
からのレーザ光の反射によるＲＦ(高周波)信号の他に、
ビーム位置や形状を認識するためのフォーカス信号やサ
ーボ信号を取り出す必要がある。これらの信号は、受光
素子において互いに近接して複数配置された受光部によ
って、受光量の変化として読み取られるようになってい
る。
ため、記憶容量の増大に伴って光ピックアップ装置に用
いられるレーザの短波長化が進められている。また、光
ピックアップ装置に用いられる受光素子は、ディスク面
からのレーザ光の反射によるＲＦ(高周波)信号の他に、
ビーム位置や形状を認識するためのフォーカス信号やサ
ーボ信号を取り出す必要がある。これらの信号は、受光
素子において互いに近接して複数配置された受光部によ
って、受光量の変化として読み取られるようになってい
る。
【０００４】従来の分割型受光素子として、特開平９‐
２１３９２０号公報に開示されている分割型受光素子の
平面図を図９に示す。また、図１０に、図９のＡ‐Ａ'
矢視断面図を示す。図１０に示すように、半導体基板１
上の表面に、ｐ型の導電型を有する半導体層２が形成さ
れている。さらに、半導体層２の表面にはｎ型不純物層
３が形成されて、ＮＰ接合を形成している。このＮＰ接
合は、入射された光を受光する受光面となり、分割部４
によって分割されて複数形成されている。
２１３９２０号公報に開示されている分割型受光素子の
平面図を図９に示す。また、図１０に、図９のＡ‐Ａ'
矢視断面図を示す。図１０に示すように、半導体基板１
上の表面に、ｐ型の導電型を有する半導体層２が形成さ
れている。さらに、半導体層２の表面にはｎ型不純物層
３が形成されて、ＮＰ接合を形成している。このＮＰ接
合は、入射された光を受光する受光面となり、分割部４
によって分割されて複数形成されている。
【０００５】また、図９に示すように、この受光素子を
取り囲むようにｐ型不純物領域５が形成されている。こ
のｐ型不純物領域５は、図１０では省略されているが、
半導体基板１に達するように形成されている。さらに、
光透過性の膜として、シリコン酸化膜６とシリコン窒化
膜７との２層の膜がｎ型不純物層３および分割部４を覆
って形成されている。これらの膜は、受光素子表面での
反射率を抑制するために形成されており、特に、短波長
に対して低反射率になるように膜厚が選択される。尚、
図９においては、シリコン酸化膜６とシリコン窒化膜７
とは省略されている。
取り囲むようにｐ型不純物領域５が形成されている。こ
のｐ型不純物領域５は、図１０では省略されているが、
半導体基板１に達するように形成されている。さらに、
光透過性の膜として、シリコン酸化膜６とシリコン窒化
膜７との２層の膜がｎ型不純物層３および分割部４を覆
って形成されている。これらの膜は、受光素子表面での
反射率を抑制するために形成されており、特に、短波長
に対して低反射率になるように膜厚が選択される。尚、
図９においては、シリコン酸化膜６とシリコン窒化膜７
とは省略されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の分割型受光素子には以下のような問題がある。すな
わち、上述したように、上記従来の分割型受光素子にお
いては、反射防止膜としてシリコン酸化膜６とシリコン
窒化膜７との２層の膜が用いられている。しかしなが
ら、シリコン酸化膜６とシリコン窒化膜７との積層構造
物を用いた場合は、正電荷がシリコン酸化膜６とシリコ
ン窒化膜７との界面付近に蓄積することが知られてい
る。そのために、分割部４の領域においては、ｐ型の半
導体層２の表面がｎ型に反転することになる。これを図
１１および図１２に示している。
来の分割型受光素子には以下のような問題がある。すな
わち、上述したように、上記従来の分割型受光素子にお
いては、反射防止膜としてシリコン酸化膜６とシリコン
窒化膜７との２層の膜が用いられている。しかしなが
ら、シリコン酸化膜６とシリコン窒化膜７との積層構造
物を用いた場合は、正電荷がシリコン酸化膜６とシリコ
ン窒化膜７との界面付近に蓄積することが知られてい
る。そのために、分割部４の領域においては、ｐ型の半
導体層２の表面がｎ型に反転することになる。これを図
１１および図１２に示している。
【０００７】図１１は、上記分割型受光素子における分
割部４付近の拡大断面図である。また、図１２は、図１
１の分割部４におけるＢ‐Ｂ'断面のエネルギーバンド
図である。尚、図１２において、１１は、シリコン酸化
膜６およびシリコン窒化膜７のエネルギー準位を示す。
また、１２は、ｐ型半導体層２の表面でｎ型に反転して
いる領域を示す。また、１３はシリコンのエネルギーバ
ンドにおける伝導帯であり、１４はシリコンのエネルギ
ーバンドにおける真性フェルミ準位であり、１５はシリ
コンのエネルギーバンドにおけるフェルミ準位であり、
１６はシリコンのエネルギーバンドにおける価電子帯で
ある。
割部４付近の拡大断面図である。また、図１２は、図１
１の分割部４におけるＢ‐Ｂ'断面のエネルギーバンド
図である。尚、図１２において、１１は、シリコン酸化
膜６およびシリコン窒化膜７のエネルギー準位を示す。
また、１２は、ｐ型半導体層２の表面でｎ型に反転して
いる領域を示す。また、１３はシリコンのエネルギーバ
ンドにおける伝導帯であり、１４はシリコンのエネルギ
ーバンドにおける真性フェルミ準位であり、１５はシリ
コンのエネルギーバンドにおけるフェルミ準位であり、
１６はシリコンのエネルギーバンドにおける価電子帯で
ある。
【０００８】図１２に示すように、上記シリコン窒化膜
７とシリコン酸化膜６との界面に正電荷が蓄積されてい
るために、ｐ型半導体層２の表面におけるポテンシャル
が低くなり、ｐ型半導体層２の表面に負電荷が発生す
る。特に、ｐ型半導体層２の濃度が低くなれば、よりエ
ネルギーバンドが大きく曲がることによって、ｎ型への
反転が容易に起こる。
７とシリコン酸化膜６との界面に正電荷が蓄積されてい
るために、ｐ型半導体層２の表面におけるポテンシャル
が低くなり、ｐ型半導体層２の表面に負電荷が発生す
る。特に、ｐ型半導体層２の濃度が低くなれば、よりエ
ネルギーバンドが大きく曲がることによって、ｎ型への
反転が容易に起こる。
【０００９】また、記憶容量の増大に伴って使用される
レーザ光の波長が短くなると、反射率を抑制するために
はよりシリコン酸化膜６の膜厚を薄くしなければならな
い。図１３に、波長４１０nmと波長６５０nmとの場合に
おけるシリコン酸化膜６およびシリコン窒化膜７の膜厚
と反射率との関係を示す。図１３に示すように、波長が
短くなるに伴って、反射率を抑制するためにはシリコン
酸化膜６の膜厚を薄くする必要がある。ところが、シリ
コン酸化膜６の膜厚を薄くすると、よりシリコン基板表
面における反転が起こり易くなるのである。
レーザ光の波長が短くなると、反射率を抑制するために
はよりシリコン酸化膜６の膜厚を薄くしなければならな
い。図１３に、波長４１０nmと波長６５０nmとの場合に
おけるシリコン酸化膜６およびシリコン窒化膜７の膜厚
と反射率との関係を示す。図１３に示すように、波長が
短くなるに伴って、反射率を抑制するためにはシリコン
酸化膜６の膜厚を薄くする必要がある。ところが、シリ
コン酸化膜６の膜厚を薄くすると、よりシリコン基板表
面における反転が起こり易くなるのである。
【００１０】ここで、上記反転が生じた場合には、複数
のｎ型不純物層３の間が電気的に導通されてしまい、漏
れ電流が発生する。そのため、個々の受光素子から信号
を取り出すことが不可能となり、分割型受光素子として
機能しないことになる。
のｎ型不純物層３の間が電気的に導通されてしまい、漏
れ電流が発生する。そのため、個々の受光素子から信号
を取り出すことが不可能となり、分割型受光素子として
機能しないことになる。
【００１１】尚、特に、光ピックアップ装置の高速化に
対応するため、ＣＲ時定数で決まる応答特性の向上のた
めにｐ型半導体層２の濃度が低下されるようになってき
ている。したがって、上記反転は、より発生し易くなっ
ているのである。
対応するため、ＣＲ時定数で決まる応答特性の向上のた
めにｐ型半導体層２の濃度が低下されるようになってき
ている。したがって、上記反転は、より発生し易くなっ
ているのである。
【００１２】そこで、この発明の目的は、受光素子の分
割部におけるｎ型反転を防止し、ｎ型拡散層間の漏れ電
流を抑制することができる分割型受光素子、および、そ
れを用いた光ディスク装置を提供することにある。
割部におけるｎ型反転を防止し、ｎ型拡散層間の漏れ電
流を抑制することができる分割型受光素子、および、そ
れを用いた光ディスク装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、第１の発明は、第１導電型の半導体基板あるいは第
１導電型の半導体層の表面に複数の第２導電型の拡散層
が形成されている分割型受光素子において、上記拡散層
上には単層あるいは多層の光透過性膜が形成されてお
り、上記光透過性膜は,上記半導体基板あるいは半導体
層の表面における上記複数の拡散層の間の領域の少なく
とも一部には形成されていないことを特徴としている。
め、第１の発明は、第１導電型の半導体基板あるいは第
１導電型の半導体層の表面に複数の第２導電型の拡散層
が形成されている分割型受光素子において、上記拡散層
上には単層あるいは多層の光透過性膜が形成されてお
り、上記光透過性膜は,上記半導体基板あるいは半導体
層の表面における上記複数の拡散層の間の領域の少なく
とも一部には形成されていないことを特徴としている。
【００１４】上記構成によれば、第１導電型の半導体基
板あるいは半導体層の表面における上記各拡散層の間で
あって上記拡散層が存在しない領域の少なくとも一部に
は、多層に構成された際に各層の界面近傍に電荷が発生
する光透過性膜は形成されていない。したがって、上記
半導体基板あるいは半導体層における各拡散層を分割す
る分割部の表面の導電型が、上記光透過性膜に発生する
電荷に起因して反転することが防止される。さらに、上
記各拡散層上には反射防止膜として機能する光透過性膜
が形成されているため、上記各拡散層における受光感度
の低下が防止される。こうして、受光感度を落とすこと
なく、導電型反転領域を介した複数の拡散層間の漏れ電
流が低減される。
板あるいは半導体層の表面における上記各拡散層の間で
あって上記拡散層が存在しない領域の少なくとも一部に
は、多層に構成された際に各層の界面近傍に電荷が発生
する光透過性膜は形成されていない。したがって、上記
半導体基板あるいは半導体層における各拡散層を分割す
る分割部の表面の導電型が、上記光透過性膜に発生する
電荷に起因して反転することが防止される。さらに、上
記各拡散層上には反射防止膜として機能する光透過性膜
が形成されているため、上記各拡散層における受光感度
の低下が防止される。こうして、受光感度を落とすこと
なく、導電型反転領域を介した複数の拡散層間の漏れ電
流が低減される。
【００１５】また、１実施例では、上記第１の発明の分
割型受光素子において、上記各光透過性膜は、入射光に
対する反射率が最小になるように各膜厚が設定されてい
る。
割型受光素子において、上記各光透過性膜は、入射光に
対する反射率が最小になるように各膜厚が設定されてい
る。
【００１６】この実施例によれば、上記各拡散層の領域
における受光量が最大となり、受光感度がより高められ
る。
における受光量が最大となり、受光感度がより高められ
る。
【００１７】また、１実施例では、上記第１の発明の分
割型受光素子において、上記光透過性膜は、下層がシリ
コン酸化膜であり上層がシリコン窒化膜である２層構造
を有する。
割型受光素子において、上記光透過性膜は、下層がシリ
コン酸化膜であり上層がシリコン窒化膜である２層構造
を有する。
【００１８】この実施例によれば、上記光透過性膜とし
てシリコン化合物を用いるので、上記半導体基板として
シリコン基板を用いるかあるいは上記半導体層としてシ
リコンエピタキシャル層を用いる場合には、シリコンプ
ロセスによって上記光透過性膜を容易に形成することが
可能となる。
てシリコン化合物を用いるので、上記半導体基板として
シリコン基板を用いるかあるいは上記半導体層としてシ
リコンエピタキシャル層を用いる場合には、シリコンプ
ロセスによって上記光透過性膜を容易に形成することが
可能となる。
【００１９】また、第２の発明は、第１導電型の半導体
基板あるいは第１導電型の半導体層の表面に複数の第２
導電型の拡散層が形成されている分割型受光素子におい
て、上記拡散層上には多層の光透過性膜が形成されてお
り、上記半導体基板あるいは半導体層の表面における上
記複数の拡散層の間の領域の少なくとも一部には,単層
の光透過性膜が形成されていることを特徴としている。
基板あるいは第１導電型の半導体層の表面に複数の第２
導電型の拡散層が形成されている分割型受光素子におい
て、上記拡散層上には多層の光透過性膜が形成されてお
り、上記半導体基板あるいは半導体層の表面における上
記複数の拡散層の間の領域の少なくとも一部には,単層
の光透過性膜が形成されていることを特徴としている。
【００２０】上記構成によれば、第１導電型の半導体基
板あるいは半導体層の表面における上記各拡散層の間で
あって上記拡散層が存在しない領域の少なくとも一部に
は、多層に構成された際に各層の界面近傍に電荷が発生
する光透過性膜が１層だけ形成されている。したがっ
て、上記半導体基板あるいは半導体層における各拡散層
を分割する分割部の表面の導電型が、上記光透過性膜に
発生する電荷に起因して反転することが防止される。さ
らに、上記各拡散層上には反射防止膜として機能する光
透過性膜が形成されているため、上記各拡散層における
受光感度の低下が防止される。こうして、受光感度を落
とすことなく、導電型反転領域を介した複数の拡散層間
の漏れ電流が低減される。
板あるいは半導体層の表面における上記各拡散層の間で
あって上記拡散層が存在しない領域の少なくとも一部に
は、多層に構成された際に各層の界面近傍に電荷が発生
する光透過性膜が１層だけ形成されている。したがっ
て、上記半導体基板あるいは半導体層における各拡散層
を分割する分割部の表面の導電型が、上記光透過性膜に
発生する電荷に起因して反転することが防止される。さ
らに、上記各拡散層上には反射防止膜として機能する光
透過性膜が形成されているため、上記各拡散層における
受光感度の低下が防止される。こうして、受光感度を落
とすことなく、導電型反転領域を介した複数の拡散層間
の漏れ電流が低減される。
【００２１】その際に、上記半導体基板あるいは半導体
層における上記分割部の表面には、上記光透過性膜が１
層だけ形成されている。したがって、上記分割部におけ
る反射率が低下されて受光感度が更に高められる。
層における上記分割部の表面には、上記光透過性膜が１
層だけ形成されている。したがって、上記分割部におけ
る反射率が低下されて受光感度が更に高められる。
【００２２】また、１実施例では、上記第２の発明の分
割型受光素子において、上記拡散層上に形成されている
各光透過性膜は,入射する光に対する反射率が最小にな
るように各膜厚が設定されており、上記半導体基板また
は半導体層の表面における上記複数の拡散層の間の領域
の少なくとも一部に形成されている単層の光透過性膜
は,上記入射する光に対して反射率が最小になるように
膜厚が設定されている。
割型受光素子において、上記拡散層上に形成されている
各光透過性膜は,入射する光に対する反射率が最小にな
るように各膜厚が設定されており、上記半導体基板また
は半導体層の表面における上記複数の拡散層の間の領域
の少なくとも一部に形成されている単層の光透過性膜
は,上記入射する光に対して反射率が最小になるように
膜厚が設定されている。
【００２３】この実施例によれば、上記拡散層の領域と
上記分割部の領域との夫々において最小の反射率が得ら
れる。したがって、上記各拡散層の領域と上記各分割部
の領域とにおける受光量が最大となり、受光感度がより
高められる。
上記分割部の領域との夫々において最小の反射率が得ら
れる。したがって、上記各拡散層の領域と上記各分割部
の領域とにおける受光量が最大となり、受光感度がより
高められる。
【００２４】また、１実施例では、上記第２の発明の分
割型受光素子において、上記拡散層上に形成されている
光透過性膜は、下層がシリコン酸化膜であり上層がシリ
コン窒化膜である２層構造を有する。
割型受光素子において、上記拡散層上に形成されている
光透過性膜は、下層がシリコン酸化膜であり上層がシリ
コン窒化膜である２層構造を有する。
【００２５】この実施例によれば、上記半導体基板ある
いは半導体層の表面における上記分割部の領域に形成さ
れる単層の光透過性膜として、上記拡散層上に形成され
ているシリコン酸化膜とシリコン窒化膜との何れか一方
を用いれば、シリコンプロセスによって上記光透過性膜
を容易に形成することが可能となる。
いは半導体層の表面における上記分割部の領域に形成さ
れる単層の光透過性膜として、上記拡散層上に形成され
ているシリコン酸化膜とシリコン窒化膜との何れか一方
を用いれば、シリコンプロセスによって上記光透過性膜
を容易に形成することが可能となる。
【００２６】また、１実施例では、上記第１の発明ある
いは第２の発明の分割型受光素子において、上記半導体
基板あるいは半導体層には、上記分割型受光素子によっ
て発生された信号の処理を行う回路が搭載されている。
いは第２の発明の分割型受光素子において、上記半導体
基板あるいは半導体層には、上記分割型受光素子によっ
て発生された信号の処理を行う回路が搭載されている。
【００２７】この実施例によれば、高性能の分割型受光
素子とその分割型受光素子によって発生された信号の処
理を行う回路とが、同一の半導体基板あるいは半導体層
に搭載されている回路内蔵分割型受光素子が得られる。
素子とその分割型受光素子によって発生された信号の処
理を行う回路とが、同一の半導体基板あるいは半導体層
に搭載されている回路内蔵分割型受光素子が得られる。
【００２８】また、第３の発明の光ディスク装置は、上
記第１の発明あるいは第２の発明の分割型受光素子が用
いられていることを特徴としている。
記第１の発明あるいは第２の発明の分割型受光素子が用
いられていることを特徴としている。
【００２９】上記構成によれば、受光感度が高く応答特
性が良く青色等の短波長にも対応可能な高性能の分割型
受光素子を用いた高性能の光ディスク装置が提供され
る。
性が良く青色等の短波長にも対応可能な高性能の分割型
受光素子を用いた高性能の光ディスク装置が提供され
る。
【００３０】
【発明の実施の形態】以下、この発明を図示の実施の形
態により詳細に説明する。
態により詳細に説明する。
【００３１】＜第１実施の形態＞図１は、本実施の形態
の分割型受光素子における平面図である。さらに、図２
は、図１におけるＣ‐Ｃ'矢視断面図である。尚、図２
においては、後に述べるコンタクト工程以降に形成され
るコンタクトや、メタル配線および層間絶縁膜等は省略
している。
の分割型受光素子における平面図である。さらに、図２
は、図１におけるＣ‐Ｃ'矢視断面図である。尚、図２
においては、後に述べるコンタクト工程以降に形成され
るコンタクトや、メタル配線および層間絶縁膜等は省略
している。
【００３２】図１および図２おいて、ｐ型シリコン基板
２１上に、濃度が１Ｅ１８cm-3程度で、厚さが１μm程
度のｐ型拡散層２２が形成されている。さらに、その上
に濃度が１Ｅ１３cm-3〜１Ｅ１５cm-3程度で、厚さが１
０μm〜２０μm程度のｐ型半導体層２３が形成されてい
る。そして、ｐ型半導体層２３の表面には、分割部２５
によって分割された複数のｎ型拡散層２４が形成されて
いる。
２１上に、濃度が１Ｅ１８cm-3程度で、厚さが１μm程
度のｐ型拡散層２２が形成されている。さらに、その上
に濃度が１Ｅ１３cm-3〜１Ｅ１５cm-3程度で、厚さが１
０μm〜２０μm程度のｐ型半導体層２３が形成されてい
る。そして、ｐ型半導体層２３の表面には、分割部２５
によって分割された複数のｎ型拡散層２４が形成されて
いる。
【００３３】このｎ型拡散層２４は受光部となる領域で
あり、表面濃度は、例えば１Ｅ１７cm-3〜１Ｅ２０cm-3
程度である。尚、表面濃度の上限は、光を照射した際に
発生したキャリアが再結合して受光感度が低下しない程
度とする。また、ＰＮ接合の深さは、入射した光が充分
光電変換に寄与するように、発生したキャリアが接合近
辺に達することができる深さになっていることが望まし
い。例えば、４１０nm程度の波長のレーザ光を用いるの
であれば、０.１μm〜１μm程度とする。ｎ型拡散層２
４を構成する不純物は５価の元素であればよく、ヒ素,
リン,アンチモン等であればよい。
あり、表面濃度は、例えば１Ｅ１７cm-3〜１Ｅ２０cm-3
程度である。尚、表面濃度の上限は、光を照射した際に
発生したキャリアが再結合して受光感度が低下しない程
度とする。また、ＰＮ接合の深さは、入射した光が充分
光電変換に寄与するように、発生したキャリアが接合近
辺に達することができる深さになっていることが望まし
い。例えば、４１０nm程度の波長のレーザ光を用いるの
であれば、０.１μm〜１μm程度とする。ｎ型拡散層２
４を構成する不純物は５価の元素であればよく、ヒ素,
リン,アンチモン等であればよい。
【００３４】ｐ型拡散領域２６は、上記ｐ型拡散層２２
とのコンタクトを取るための領域であり、表面濃度は５
Ｅ１９cm-3〜１Ｅ２０cm-3程度である。このｐ型拡散領
域２６は、複数のｎ型拡散層２４を取り囲んで、ｐ型拡
散層２２に達するように形成されている。ｐ型拡散層２
２およびｐ型拡散領域２６を構成する不純物は３価の元
素であればよく、ボロン,インジウム等であればよい。
さらに、ｎ型拡散層２４上には、光透過性膜としてシリ
コン酸化膜２７とシリコン窒化膜２８とが順次積層され
ている。これらの膜２７,２８の膜厚は入射する光の波
長に対して反射率が最小になるように設定すべきであ
り、例えば４１０nmの波長のレーザ光に対しては、シリ
コン酸化膜２７の膜厚を２０nm程度にし、シリコン窒化
膜２８の膜厚を３０nm程度とする。
とのコンタクトを取るための領域であり、表面濃度は５
Ｅ１９cm-3〜１Ｅ２０cm-3程度である。このｐ型拡散領
域２６は、複数のｎ型拡散層２４を取り囲んで、ｐ型拡
散層２２に達するように形成されている。ｐ型拡散層２
２およびｐ型拡散領域２６を構成する不純物は３価の元
素であればよく、ボロン,インジウム等であればよい。
さらに、ｎ型拡散層２４上には、光透過性膜としてシリ
コン酸化膜２７とシリコン窒化膜２８とが順次積層され
ている。これらの膜２７,２８の膜厚は入射する光の波
長に対して反射率が最小になるように設定すべきであ
り、例えば４１０nmの波長のレーザ光に対しては、シリ
コン酸化膜２７の膜厚を２０nm程度にし、シリコン窒化
膜２８の膜厚を３０nm程度とする。
【００３５】この場合、上記光透過性膜の反射率は、略
数％程度に抑えることができる。その際に、各ｎ型拡散
層２４間の分割部２５の領域には、シリコン酸化膜２７
とシリコン窒化膜２８とで成る光透過性膜は存在しない
ようになっている。
数％程度に抑えることができる。その際に、各ｎ型拡散
層２４間の分割部２５の領域には、シリコン酸化膜２７
とシリコン窒化膜２８とで成る光透過性膜は存在しない
ようになっている。
【００３６】上述のように、本実施の形態における分割
型受光素子は、ｐ型半導体層２３の表面に分割部２５で
分割されて複数形成されたｎ型拡散層２４上には、シリ
コン酸化膜２７およびシリコン窒化膜２８で成る光透過
性膜が形成されている。そして、入射する光の波長に対
して反射率が最小になるように各膜厚が設定されてい
る。したがって、ｎ型拡散層２４における充分な受光感
度が得られる。
型受光素子は、ｐ型半導体層２３の表面に分割部２５で
分割されて複数形成されたｎ型拡散層２４上には、シリ
コン酸化膜２７およびシリコン窒化膜２８で成る光透過
性膜が形成されている。そして、入射する光の波長に対
して反射率が最小になるように各膜厚が設定されてい
る。したがって、ｎ型拡散層２４における充分な受光感
度が得られる。
【００３７】これに対して、上記ｐ型半導体層２３の表
面における分割部２５上には、上記光透過性膜は形成さ
れていない。したがって、分割部２５の領域においてシ
リコン酸化膜６とシリコン窒化膜７との界面付近に正電
荷が蓄積することはなく、ｐ型半導体層２３の表面がｎ
型に反転することもない。そのために、ｎ型反転領域を
介した複数ｎ型拡散層２４間での漏れ電流の発生を抑制
することができる。こうして、高性能な分割型受光素子
を構成することができるのである。
面における分割部２５上には、上記光透過性膜は形成さ
れていない。したがって、分割部２５の領域においてシ
リコン酸化膜６とシリコン窒化膜７との界面付近に正電
荷が蓄積することはなく、ｐ型半導体層２３の表面がｎ
型に反転することもない。そのために、ｎ型反転領域を
介した複数ｎ型拡散層２４間での漏れ電流の発生を抑制
することができる。こうして、高性能な分割型受光素子
を構成することができるのである。
【００３８】尚、上記シリコン酸化膜２７とシリコン窒
化膜２８とが存在しない領域は、表面全体の反射率を低
下させるためには狭い方が望ましい。本実施の形態にお
いては、少なくともｎ型拡散層２４の領域上にシリコン
酸化膜２７およびシリコン窒化膜２８が存在していれば
よく、分割部２５上の一部に上記光透過性膜が存在して
いても何ら問題はない。例えば、図３に示すように、シ
リコン酸化膜２９とシリコン窒化膜３０とで成る光透過
性膜がｎ型拡散層２４の領域を越えて、分割部２５上に
まで延在していても何ら差し支えない。
化膜２８とが存在しない領域は、表面全体の反射率を低
下させるためには狭い方が望ましい。本実施の形態にお
いては、少なくともｎ型拡散層２４の領域上にシリコン
酸化膜２７およびシリコン窒化膜２８が存在していれば
よく、分割部２５上の一部に上記光透過性膜が存在して
いても何ら問題はない。例えば、図３に示すように、シ
リコン酸化膜２９とシリコン窒化膜３０とで成る光透過
性膜がｎ型拡散層２４の領域を越えて、分割部２５上に
まで延在していても何ら差し支えない。
【００３９】また、上記ｎ型拡散層２４の配置や形状お
よび分割数は、本実施の形態に限定されるものではな
い。さらに、光透過性膜の材質や構造もシリコン酸化膜
およびシリコン窒化膜の２層構造に限定されるものでは
なく、他の材質や３層以上の多層構造であっても構わな
い。さらに、ｐ型半導体層２３の濃度や厚さも本実施の
形態によって限定を受けるものではない。
よび分割数は、本実施の形態に限定されるものではな
い。さらに、光透過性膜の材質や構造もシリコン酸化膜
およびシリコン窒化膜の２層構造に限定されるものでは
なく、他の材質や３層以上の多層構造であっても構わな
い。さらに、ｐ型半導体層２３の濃度や厚さも本実施の
形態によって限定を受けるものではない。
【００４０】＜第２実施の形態＞図４は、本実施の形態
の分割型受光素子における断面図であり、上記第１実施
の形態における図２に相当する。尚、上記第１実施の形
態の場合と同様に、コンタクト工程以降で形成されるコ
ンタクト、メタル配線および層間絶縁膜等は省略してい
る。
の分割型受光素子における断面図であり、上記第１実施
の形態における図２に相当する。尚、上記第１実施の形
態の場合と同様に、コンタクト工程以降で形成されるコ
ンタクト、メタル配線および層間絶縁膜等は省略してい
る。
【００４１】ｐ型シリコン基板３１,ｐ型拡散層３２,ｐ
型半導体層３３,ｎ型拡散層３４,分割部３５およびｐ型
拡散領域３６は、上記第１実施の形態におけるｐ型シリ
コン基板２１,ｐ型拡散層２２,ｐ型半導体層２３,ｎ型
拡散層２４,分割部２５およびｐ型拡散領域２６と同じ
である。
型半導体層３３,ｎ型拡散層３４,分割部３５およびｐ型
拡散領域３６は、上記第１実施の形態におけるｐ型シリ
コン基板２１,ｐ型拡散層２２,ｐ型半導体層２３,ｎ型
拡散層２４,分割部２５およびｐ型拡散領域２６と同じ
である。
【００４２】本実施の形態における光透過性膜は、上記
ｎ型拡散層３４およびｐ型半導体層３３の表面における
分割部３５の上に形成されたシリコン酸化膜３７と、シ
リコン酸化膜３７におけるｎ型拡散層３４の領域上に形
成されたシリコン窒化膜３８とで構成される。この場合
における各膜３７,３８の膜厚は、上記第１実施の形態
の場合と同様に、用いるレーザ光の波長に対して反射率
が最小になるよう設定する。例えば、用いるレーザ光の
波長が４１０nm前後である場合には、シリコン酸化膜３
７の膜厚は２０nm程度とし、シリコン窒化膜３８の膜厚
は３０nm程度とする。上述のごとく、分割部３５の領域
には、シリコン窒化膜３８は存在せず、シリコン酸化膜
３７のみが存在する。この場合、シリコン酸化膜３７の
存在によって、分割部３５の反射率を２０％〜３０％程
度にまで低減することができるのである。
ｎ型拡散層３４およびｐ型半導体層３３の表面における
分割部３５の上に形成されたシリコン酸化膜３７と、シ
リコン酸化膜３７におけるｎ型拡散層３４の領域上に形
成されたシリコン窒化膜３８とで構成される。この場合
における各膜３７,３８の膜厚は、上記第１実施の形態
の場合と同様に、用いるレーザ光の波長に対して反射率
が最小になるよう設定する。例えば、用いるレーザ光の
波長が４１０nm前後である場合には、シリコン酸化膜３
７の膜厚は２０nm程度とし、シリコン窒化膜３８の膜厚
は３０nm程度とする。上述のごとく、分割部３５の領域
には、シリコン窒化膜３８は存在せず、シリコン酸化膜
３７のみが存在する。この場合、シリコン酸化膜３７の
存在によって、分割部３５の反射率を２０％〜３０％程
度にまで低減することができるのである。
【００４３】上述のように、本実施の形態における分割
型受光素子では、ｐ型半導体層３３の表面における分割
部３５に領域には、シリコン酸化膜３７のみを形成して
シリコン窒化膜３８を設けないようにしている。したが
って、分割部３５におけるシリコン酸化膜３７のみで成
る光透過性膜に正電荷が蓄積することはなく、ｐ型半導
体層３３の表面がｎ型に反転することもない。そのた
め、ｎ型反転領域を介した複数ｎ型拡散層３４間での漏
れ電流の発生を抑制することができるのである。
型受光素子では、ｐ型半導体層３３の表面における分割
部３５に領域には、シリコン酸化膜３７のみを形成して
シリコン窒化膜３８を設けないようにしている。したが
って、分割部３５におけるシリコン酸化膜３７のみで成
る光透過性膜に正電荷が蓄積することはなく、ｐ型半導
体層３３の表面がｎ型に反転することもない。そのた
め、ｎ型反転領域を介した複数ｎ型拡散層３４間での漏
れ電流の発生を抑制することができるのである。
【００４４】さらに、上述のごとく、上記分割部３５の
領域には、シリコン酸化膜３７を形成している。したが
って、分割部３５の反射率を２０％〜３０％程度にまで
低減することができる。そのために、分割部３５におけ
る感度低下を抑制することができ、更に高性能な分割型
受光素子を提供することができるのである。
領域には、シリコン酸化膜３７を形成している。したが
って、分割部３５の反射率を２０％〜３０％程度にまで
低減することができる。そのために、分割部３５におけ
る感度低下を抑制することができ、更に高性能な分割型
受光素子を提供することができるのである。
【００４５】尚、上記シリコン窒化膜３８が存在しない
領域は狭い方が望ましい。本実施の形態においては、少
なくともｎ型拡散層３４の領域上にシリコン窒化膜３８
が存在していればよく、分割部３５上の一部にシリコン
窒化膜３８が存在していても何ら問題はない。例えば、
図５に示すように、シリコン窒化膜３９がｎ型拡散層３
４の領域を越えて、分割部３５上にまで延在していても
何ら差し支えない。
領域は狭い方が望ましい。本実施の形態においては、少
なくともｎ型拡散層３４の領域上にシリコン窒化膜３８
が存在していればよく、分割部３５上の一部にシリコン
窒化膜３８が存在していても何ら問題はない。例えば、
図５に示すように、シリコン窒化膜３９がｎ型拡散層３
４の領域を越えて、分割部３５上にまで延在していても
何ら差し支えない。
【００４６】また、上記第１実施の形態の場合と同様
に、ｎ型拡散層３４の配置や形状および分割数は、本実
施の形態に限定されるものではない。さらに、光透過性
膜も他の材質や３層以上であっても構わない。さらに、
ｐ型半導体層３３の濃度や厚さも本実施の形態によって
限定を受けるものではない。
に、ｎ型拡散層３４の配置や形状および分割数は、本実
施の形態に限定されるものではない。さらに、光透過性
膜も他の材質や３層以上であっても構わない。さらに、
ｐ型半導体層３３の濃度や厚さも本実施の形態によって
限定を受けるものではない。
【００４７】＜第３実施の形態＞図６は、本実施の形態
の分割型受光素子における断面図であり、上記第１実施
の形態における図２に相当する。尚、上記第１実施の形
態の場合と同様に、コンタクト工程以降で形成されるコ
ンタクトや、メタル配線および層間絶縁膜等は省略して
いる。
の分割型受光素子における断面図であり、上記第１実施
の形態における図２に相当する。尚、上記第１実施の形
態の場合と同様に、コンタクト工程以降で形成されるコ
ンタクトや、メタル配線および層間絶縁膜等は省略して
いる。
【００４８】ｐ型シリコン基板４１,ｐ型拡散層４２,ｐ
型半導体層４３,ｎ型拡散層４４,分割部４５およびｐ型
拡散領域４６は、上記第１実施の形態におけるｐ型シリ
コン基板２１,ｐ型拡散層２２,ｐ型半導体層２３,ｎ型
拡散層２４,分割部２５およびｐ型拡散領域２６と同じ
である。
型半導体層４３,ｎ型拡散層４４,分割部４５およびｐ型
拡散領域４６は、上記第１実施の形態におけるｐ型シリ
コン基板２１,ｐ型拡散層２２,ｐ型半導体層２３,ｎ型
拡散層２４,分割部２５およびｐ型拡散領域２６と同じ
である。
【００４９】本実施の形態における光透過性膜は、上記
ｎ型拡散層４４およびｐ型半導体層４３の表面における
分割部４５の上に形成されたシリコン酸化膜４７と、シ
リコン酸化膜４７におけるｎ型拡散層４４の領域上に形
成されたシリコン窒化膜４８とで構成される。この場合
におけるシリコン酸化膜４７の膜厚は、分割部４５の領
域とｎ型拡散層４４の領域とで異なっている。そして、
ｎ型拡散層４４の領域上における各膜４７,４８の膜厚
は、上記第１実施の形態の場合と同様に、用いるレーザ
光の波長に対して反射率が最小になるよう設定する。例
えば、用いるレーザ光の波長が４１０nm前後である場合
には、シリコン酸化膜４７の膜厚は２０nm程度とし、シ
リコン窒化膜４８の膜厚は３０nm程度とする。
ｎ型拡散層４４およびｐ型半導体層４３の表面における
分割部４５の上に形成されたシリコン酸化膜４７と、シ
リコン酸化膜４７におけるｎ型拡散層４４の領域上に形
成されたシリコン窒化膜４８とで構成される。この場合
におけるシリコン酸化膜４７の膜厚は、分割部４５の領
域とｎ型拡散層４４の領域とで異なっている。そして、
ｎ型拡散層４４の領域上における各膜４７,４８の膜厚
は、上記第１実施の形態の場合と同様に、用いるレーザ
光の波長に対して反射率が最小になるよう設定する。例
えば、用いるレーザ光の波長が４１０nm前後である場合
には、シリコン酸化膜４７の膜厚は２０nm程度とし、シ
リコン窒化膜４８の膜厚は３０nm程度とする。
【００５０】上述のごとく、上記分割部４５の領域に
は、シリコン窒化膜４８は存在せず、シリコン酸化膜４
７のみが存在する。その場合に、分割部４５の領域にお
けるシリコン酸化膜４７の膜厚も、分割部４５にレーザ
光が照射された場合に最小の反射率になるように設定す
るのが望ましい。そこで、本実施の形態においては、上
述と同じ波長４１０nm前後のレーザ光を用いる場合に
は、分割部４５の領域におけるシリコン酸化膜４７の膜
厚を、ｎ型拡散層４４の領域上における膜厚２０nmより
も厚い７０nm前後に設定するのである。こうすることに
よって、分割部４５の反射率を、上記第２実施の形態の
場合の２０％〜３０％より低い１０％前後に抑えること
ができるのである。
は、シリコン窒化膜４８は存在せず、シリコン酸化膜４
７のみが存在する。その場合に、分割部４５の領域にお
けるシリコン酸化膜４７の膜厚も、分割部４５にレーザ
光が照射された場合に最小の反射率になるように設定す
るのが望ましい。そこで、本実施の形態においては、上
述と同じ波長４１０nm前後のレーザ光を用いる場合に
は、分割部４５の領域におけるシリコン酸化膜４７の膜
厚を、ｎ型拡散層４４の領域上における膜厚２０nmより
も厚い７０nm前後に設定するのである。こうすることに
よって、分割部４５の反射率を、上記第２実施の形態の
場合の２０％〜３０％より低い１０％前後に抑えること
ができるのである。
【００５１】上述のように、本実施の形態における分割
型受光素子では、ｐ型半導体層４３の表面における分割
部４５の領域には、シリコン酸化膜４７のみを形成して
シリコン窒化膜４８を設けないようにしている。したが
って、ｐ型半導体層４３の表面がｎ型に反転することは
ない。そのため、ｎ型反転領域を介した複数ｎ型拡散層
４４間での漏れ電流の発生を抑制することができる。
型受光素子では、ｐ型半導体層４３の表面における分割
部４５の領域には、シリコン酸化膜４７のみを形成して
シリコン窒化膜４８を設けないようにしている。したが
って、ｐ型半導体層４３の表面がｎ型に反転することは
ない。そのため、ｎ型反転領域を介した複数ｎ型拡散層
４４間での漏れ電流の発生を抑制することができる。
【００５２】さらに、上述のごとく、上記分割部４５の
領域には、シリコン酸化膜４７を形成している。したが
って、分割部４５における反射率を低下させて感度低下
を抑制することができる。さらに、シリコン酸化膜４７
の膜厚を、分割部４５の領域とｎ型拡散層４４の領域と
において、夫々独立して設定するようにしている。した
がって、分割部４５の領域およびｎ型拡散層４４の領域
の何れも最小の反射率にすることが可能になり、更に高
性能な分割型受光素子を提供することができるのであ
る。
領域には、シリコン酸化膜４７を形成している。したが
って、分割部４５における反射率を低下させて感度低下
を抑制することができる。さらに、シリコン酸化膜４７
の膜厚を、分割部４５の領域とｎ型拡散層４４の領域と
において、夫々独立して設定するようにしている。した
がって、分割部４５の領域およびｎ型拡散層４４の領域
の何れも最小の反射率にすることが可能になり、更に高
性能な分割型受光素子を提供することができるのであ
る。
【００５３】尚、本実施の形態においても、上記シリコ
ン窒化膜４８が存在しない領域は狭い方が望ましく、分
割部４５上の一部にシリコン窒化膜４８が存在していて
も何ら問題はない。また、ｎ型拡散領域４４の配置や形
状および分割数は、本実施の形態に限定されるものでは
ない。さらに、光透過性膜も他の材質や３層以上であっ
ても構わない。さらに、ｐ型半導体層４３の濃度や厚さ
も本実施の形態によって限定を受けるものではない。
ン窒化膜４８が存在しない領域は狭い方が望ましく、分
割部４５上の一部にシリコン窒化膜４８が存在していて
も何ら問題はない。また、ｎ型拡散領域４４の配置や形
状および分割数は、本実施の形態に限定されるものでは
ない。さらに、光透過性膜も他の材質や３層以上であっ
ても構わない。さらに、ｐ型半導体層４３の濃度や厚さ
も本実施の形態によって限定を受けるものではない。
【００５４】＜第４実施の形態＞本実施の形態は、上記
各実施の形態における分割型受光素子のｐ型シリコン基
板あるいはｐ型半導体層に、当該分割型受光素子におい
て発生した信号の処理を行う回路を形成した回路内蔵型
の分割型受光素子に関する。
各実施の形態における分割型受光素子のｐ型シリコン基
板あるいはｐ型半導体層に、当該分割型受光素子におい
て発生した信号の処理を行う回路を形成した回路内蔵型
の分割型受光素子に関する。
【００５５】図７は、本実施の形態における回路内蔵型
の分割型受光素子の断面図を示す。本実施の形態におい
ても、コンタクト工程以降で形成されるコンタクトや、
メタル配線および層間絶縁膜等は省略している。図７に
おいて、領域６７は受光素子領域であり、上記第１実施
の形態における分割型受光素子が形成されている。ま
た、領域６８は信号処理回路領域であり、例えばＰＮＰ
型バイポーラトランジスタが形成されている。
の分割型受光素子の断面図を示す。本実施の形態におい
ても、コンタクト工程以降で形成されるコンタクトや、
メタル配線および層間絶縁膜等は省略している。図７に
おいて、領域６７は受光素子領域であり、上記第１実施
の形態における分割型受光素子が形成されている。ま
た、領域６８は信号処理回路領域であり、例えばＰＮＰ
型バイポーラトランジスタが形成されている。
【００５６】上記回路内蔵分割型受光素子は、以下に述
べるような構成を有している。すなわち、ｐ型シリコン
基板５１上にはｐ型拡散層５２が形成されており、ｐ型
拡散層５２上には、第１ｐ型半導体層５３および第２ｐ
型半導体層５４が順次積層されている。第２ｐ型半導体
層５４の表面には選択的に素子分離酸化膜５５が形成さ
れて、受光素子領域６７と信号処理回路領域６８とを分
離している。
べるような構成を有している。すなわち、ｐ型シリコン
基板５１上にはｐ型拡散層５２が形成されており、ｐ型
拡散層５２上には、第１ｐ型半導体層５３および第２ｐ
型半導体層５４が順次積層されている。第２ｐ型半導体
層５４の表面には選択的に素子分離酸化膜５５が形成さ
れて、受光素子領域６７と信号処理回路領域６８とを分
離している。
【００５７】上記受光素子領域６７において、上記第２
ｐ型半導体層５４の表面には分割部５７によって分割さ
れた複数のｎ型拡散層５６が形成されて、受光部を構成
している。ｎ型拡散層５６の濃度および接合深さは上記
第１実施の形態の場合と同様である。そして、各ｎ型拡
散層５６上にはシリコン酸化膜５８およびシリコン窒化
膜５９の２層構造で成る光透過性膜が形成されている。
分割部５７上には、第２ｐ型半導体層５４の表面がｎ型
へ反転するのを防止するために、光透過性膜としてのシ
リコン酸化膜５８とシリコン窒化膜５９とは形成されて
いない。尚、６０は、ｐ型拡散層５２とのコンタクトを
取るためのｐ型拡散領域である。
ｐ型半導体層５４の表面には分割部５７によって分割さ
れた複数のｎ型拡散層５６が形成されて、受光部を構成
している。ｎ型拡散層５６の濃度および接合深さは上記
第１実施の形態の場合と同様である。そして、各ｎ型拡
散層５６上にはシリコン酸化膜５８およびシリコン窒化
膜５９の２層構造で成る光透過性膜が形成されている。
分割部５７上には、第２ｐ型半導体層５４の表面がｎ型
へ反転するのを防止するために、光透過性膜としてのシ
リコン酸化膜５８とシリコン窒化膜５９とは形成されて
いない。尚、６０は、ｐ型拡散層５２とのコンタクトを
取るためのｐ型拡散領域である。
【００５８】一方、上記信号処理回路領域６８におい
て、上記第１ｐ型半導体層５３と第２ｐ型半導体層５４
との境界領域に、濃度が１Ｅ１７cm-3〜１Ｅ１９cm-3程
度のｎ型拡散領域６１が形成されて、ｐ型半導体層５
３,５４から分離されている。そして、第２ｐ型半導体
層５４の表面に、ｎ型拡散領域６１に接触して、コレク
タ領域となるｐ型拡散領域６２が、１Ｅ１８cm-3〜１Ｅ
１９cm-3程度の濃度で形成されている。さらに、ｐ型拡
散領域(コレクタ領域)６２の表面には、コレクタ電極と
してのｐ型拡散領域６３が、５Ｅ１９cm-3〜５Ｅ２０cm
-3程度の濃度で形成されている。
て、上記第１ｐ型半導体層５３と第２ｐ型半導体層５４
との境界領域に、濃度が１Ｅ１７cm-3〜１Ｅ１９cm-3程
度のｎ型拡散領域６１が形成されて、ｐ型半導体層５
３,５４から分離されている。そして、第２ｐ型半導体
層５４の表面に、ｎ型拡散領域６１に接触して、コレク
タ領域となるｐ型拡散領域６２が、１Ｅ１８cm-3〜１Ｅ
１９cm-3程度の濃度で形成されている。さらに、ｐ型拡
散領域(コレクタ領域)６２の表面には、コレクタ電極と
してのｐ型拡散領域６３が、５Ｅ１９cm-3〜５Ｅ２０cm
-3程度の濃度で形成されている。
【００５９】また、上記ｐ型拡散領域(コレクタ領域)６
２の表面に、素子分離酸化膜５５によってｐ型拡散領域
(コレクタ電極)６３と分離されたベース領域となるｎ型
拡散領域６４が、５Ｅ１７cm-3〜１Ｅ１９cm-3程度の濃
度で形成されている。また、ｎ型拡散領域(ベース領域)
６４の表面には、エミッタ領域となるｐ型拡散領域６５
が、１Ｅ１９cm-3〜５Ｅ２０cm-3程度の濃度で形成され
ている。
２の表面に、素子分離酸化膜５５によってｐ型拡散領域
(コレクタ電極)６３と分離されたベース領域となるｎ型
拡散領域６４が、５Ｅ１７cm-3〜１Ｅ１９cm-3程度の濃
度で形成されている。また、ｎ型拡散領域(ベース領域)
６４の表面には、エミッタ領域となるｐ型拡散領域６５
が、１Ｅ１９cm-3〜５Ｅ２０cm-3程度の濃度で形成され
ている。
【００６０】上記構成を有するバイポーラトランジスタ
は、上記素子分離酸化膜５５に続いて第１ｐ型半導体層
５３に達する深さで形成された１Ｅ１７cm-3〜１Ｅ１９
cm-3程度の濃度を有するｐ型拡散領域６６によって、他
の素子(図示せず)と分離されている。尚、受光素子領域
６７において、分割部５７の領域にも受光感度が必要な
場合には、上記第２実施の形態あるいは第３実施の形態
の場合のように、分割部５７における第２ｐ型半導体層
５４の表面にシリコン酸化膜のみを形成しても構わな
い。
は、上記素子分離酸化膜５５に続いて第１ｐ型半導体層
５３に達する深さで形成された１Ｅ１７cm-3〜１Ｅ１９
cm-3程度の濃度を有するｐ型拡散領域６６によって、他
の素子(図示せず)と分離されている。尚、受光素子領域
６７において、分割部５７の領域にも受光感度が必要な
場合には、上記第２実施の形態あるいは第３実施の形態
の場合のように、分割部５７における第２ｐ型半導体層
５４の表面にシリコン酸化膜のみを形成しても構わな
い。
【００６１】上述のように、本実施の形態においては、
上記ｐ型シリコン基板５１に積層されたｐ型拡散層５２
上に、第１ｐ型半導体層５３および第２ｐ型半導体層５
４を順次積層し、第２ｐ型半導体層５４の表面に形成さ
れた素子分離酸化膜５５によって受光素子領域６７と信
号処理回路領域６８とに分離している。そして、受光素
子領域６７における第２ｐ型半導体層５４上には、上記
第１実施の形態の分割型受光素子を形成する一方、信号
処理回路領域６８における第１ｐ型半導体層５３上に
は、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタを形成している。
したがって、受光素子領域６７の分割型受光素子におい
ては、ｎ型拡散層間が分割部５７のｎ型反転によって導
通することが防止されて、高性能な特性を示す。したが
って、本実施の形態によれば、良好な回路内蔵型の分割
型受光素子を提供することができるのである。
上記ｐ型シリコン基板５１に積層されたｐ型拡散層５２
上に、第１ｐ型半導体層５３および第２ｐ型半導体層５
４を順次積層し、第２ｐ型半導体層５４の表面に形成さ
れた素子分離酸化膜５５によって受光素子領域６７と信
号処理回路領域６８とに分離している。そして、受光素
子領域６７における第２ｐ型半導体層５４上には、上記
第１実施の形態の分割型受光素子を形成する一方、信号
処理回路領域６８における第１ｐ型半導体層５３上に
は、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタを形成している。
したがって、受光素子領域６７の分割型受光素子におい
ては、ｎ型拡散層間が分割部５７のｎ型反転によって導
通することが防止されて、高性能な特性を示す。したが
って、本実施の形態によれば、良好な回路内蔵型の分割
型受光素子を提供することができるのである。
【００６２】尚、本実施の形態においても、上記光透過
性膜としてのシリコン酸化膜５８およびシリコン窒化膜
５９が存在しない領域は狭い方が望ましく、分割部５７
上の一部にシリコン酸化膜５８およびシリコン窒化膜５
９が存在していても何ら問題はない。また、ｎ型拡散領
域５６の配置や形状および分割数は、本実施の形態に限
定されるものではない。さらに、光透過性膜も他の材質
や３層以上であっても構わない。
性膜としてのシリコン酸化膜５８およびシリコン窒化膜
５９が存在しない領域は狭い方が望ましく、分割部５７
上の一部にシリコン酸化膜５８およびシリコン窒化膜５
９が存在していても何ら問題はない。また、ｎ型拡散領
域５６の配置や形状および分割数は、本実施の形態に限
定されるものではない。さらに、光透過性膜も他の材質
や３層以上であっても構わない。
【００６３】また、本実施の形態においては、上記信号
処理回路領域６８にＰＮＰトランジスタが形成されてい
る場合を例に説明したが、ＮＰＮトランジスタであって
もＰＮＰとＮＰＮとの両方であっても構わない。さら
に、バイポーラトランジスタの代わりにＭＯＳ(金属酸
化膜半導体)トランジスタであっても、受光素子領域６
７の分割型受光素子において発生した信号の処理機能を
有するのであれば問題はなく、バイポーラとＭＯＳとの
両方のトランジスタを備えていても差し支えない。ま
た、容量や抵抗等の他の信号処理回路を具備していても
何ら問題はない。
処理回路領域６８にＰＮＰトランジスタが形成されてい
る場合を例に説明したが、ＮＰＮトランジスタであって
もＰＮＰとＮＰＮとの両方であっても構わない。さら
に、バイポーラトランジスタの代わりにＭＯＳ(金属酸
化膜半導体)トランジスタであっても、受光素子領域６
７の分割型受光素子において発生した信号の処理機能を
有するのであれば問題はなく、バイポーラとＭＯＳとの
両方のトランジスタを備えていても差し支えない。ま
た、容量や抵抗等の他の信号処理回路を具備していても
何ら問題はない。
【００６４】＜第５実施の形態＞本実施の形態は、上記
第４実施の形態における回路内蔵型の分割型受光素子を
用いた光ディスク装置に関する。
第４実施の形態における回路内蔵型の分割型受光素子を
用いた光ディスク装置に関する。
【００６５】図８は、本光ディスク装置における光ピッ
クアップ部分の概略図を示す。図８において、半導体レ
ーザ７１から出射された光は、ホログラム素子７２の半
導体レーザ７１側に配置されたトラッキングビーム生成
用の回折格子７３によって、信号読み出し用主ビームと
２つのトラッキング用副ビームとの３つのビームに分け
られる。そして、これら３つの光は、半導体レーザ７１
および回折格子７３等を収納するパッケージの上面に設
けられたホログラム素子７２を透過して０次光となり、
コリメートレンズ７４で平行光に変換され、対物レンズ
７５によってディスク７６上に集光される。
クアップ部分の概略図を示す。図８において、半導体レ
ーザ７１から出射された光は、ホログラム素子７２の半
導体レーザ７１側に配置されたトラッキングビーム生成
用の回折格子７３によって、信号読み出し用主ビームと
２つのトラッキング用副ビームとの３つのビームに分け
られる。そして、これら３つの光は、半導体レーザ７１
および回折格子７３等を収納するパッケージの上面に設
けられたホログラム素子７２を透過して０次光となり、
コリメートレンズ７４で平行光に変換され、対物レンズ
７５によってディスク７６上に集光される。
【００６６】そして、上記ディスク７６からの反射光
は、ディスク７６上に形成されているピットによる変調
を受けており、対物レンズ７５及びコリメートレンズ７
４を透過した後、ホログラム素子７２によって回折さ
れ、１次光として回路内蔵型の分割型受光素子７７に入
射される。回路内蔵分割型受光素子７７は５分割フォト
ダイオード７７a〜７７eを有しており、５分割フォトダ
イオード７７a〜７７eに入射した光(図８では、フォト
ダイオード７７c,７７dへの入射光で代表している)によ
る出力信号が、内蔵された処理回路(図示せず)によって
処理される。こうして、ディスク７６に書き込まれてい
る情報とトラッキング情報とが得られるのである。
は、ディスク７６上に形成されているピットによる変調
を受けており、対物レンズ７５及びコリメートレンズ７
４を透過した後、ホログラム素子７２によって回折さ
れ、１次光として回路内蔵型の分割型受光素子７７に入
射される。回路内蔵分割型受光素子７７は５分割フォト
ダイオード７７a〜７７eを有しており、５分割フォトダ
イオード７７a〜７７eに入射した光(図８では、フォト
ダイオード７７c,７７dへの入射光で代表している)によ
る出力信号が、内蔵された処理回路(図示せず)によって
処理される。こうして、ディスク７６に書き込まれてい
る情報とトラッキング情報とが得られるのである。
【００６７】本実施の形態においては、上記回路内蔵分
割型受光素子７７として、上記第４実施の形態における
回路内蔵分割型受光素子を用いている。したがって、ｎ
型拡散層間が分割部のｎ型反転によって導通することが
防止されて、高性能な特性が得られるのである。さら
に、上記分割部をシリコン酸化膜のみで覆うことによっ
て分割部での反射率を低めて高い感度を維持し、且つ、
上記ｎ型反転が無いため上記半導体層の不純物濃度を低
下して応答特性の向上を図って高速性を維持することが
可能になり、青色等の短波長に対応した光ピックアップ
およびこの光ピックアップを組み込んだ光ディスク装置
を得ることができるのである。
割型受光素子７７として、上記第４実施の形態における
回路内蔵分割型受光素子を用いている。したがって、ｎ
型拡散層間が分割部のｎ型反転によって導通することが
防止されて、高性能な特性が得られるのである。さら
に、上記分割部をシリコン酸化膜のみで覆うことによっ
て分割部での反射率を低めて高い感度を維持し、且つ、
上記ｎ型反転が無いため上記半導体層の不純物濃度を低
下して応答特性の向上を図って高速性を維持することが
可能になり、青色等の短波長に対応した光ピックアップ
およびこの光ピックアップを組み込んだ光ディスク装置
を得ることができるのである。
【００６８】尚、上記各実施の形態においては、ｐ型半
導体層２３,３３,４３,５４の表面にｎ型拡散層２４,３
４,４４,５６を形成してＰＮ接合を形成しているが、ｎ
型半導体層の表面にｐ型拡散層を形成しても差し支えな
い。
導体層２３,３３,４３,５４の表面にｎ型拡散層２４,３
４,４４,５６を形成してＰＮ接合を形成しているが、ｎ
型半導体層の表面にｐ型拡散層を形成しても差し支えな
い。
【００６９】また、上記第２,第３実施の形態において
は、ｐ型半導体層３３,４３の表面における分割部３５,
４５に領域には、シリコン酸化膜３７,４７のみを設け
ているが、シリコン窒化膜や他の光透過性膜のみを設け
てもよい。さらに、ｐ型半導体層３３,４３の表面にお
ける分割部３５,４５の領域の一部にのみ単層の光透過
性膜を設けても差し支えない。
は、ｐ型半導体層３３,４３の表面における分割部３５,
４５に領域には、シリコン酸化膜３７,４７のみを設け
ているが、シリコン窒化膜や他の光透過性膜のみを設け
てもよい。さらに、ｐ型半導体層３３,４３の表面にお
ける分割部３５,４５の領域の一部にのみ単層の光透過
性膜を設けても差し支えない。
【００７０】
【発明の効果】以上より明らかなように、第１の発明の
分割型受光素子は、第１導電型の半導体基板あるいは半
導体層の表面に複数形成されてＰＮ接合を形成する第２
導電型の拡散層上には単層あるいは多層の光透過性膜が
形成されており、上記半導体基板あるいは半導体層の表
面における上記各拡散層間の分割部の少なくとも一部に
は上記光透過性膜は形成されていないので、上記光透過
性膜の反射防止膜としての機能によって上記各拡散層に
おける受光感度の低下を防止できる。一方、上記光透過
性膜に発生する電荷に起因する上記分割部表面の導電型
の反転を防止できる。
分割型受光素子は、第１導電型の半導体基板あるいは半
導体層の表面に複数形成されてＰＮ接合を形成する第２
導電型の拡散層上には単層あるいは多層の光透過性膜が
形成されており、上記半導体基板あるいは半導体層の表
面における上記各拡散層間の分割部の少なくとも一部に
は上記光透過性膜は形成されていないので、上記光透過
性膜の反射防止膜としての機能によって上記各拡散層に
おける受光感度の低下を防止できる。一方、上記光透過
性膜に発生する電荷に起因する上記分割部表面の導電型
の反転を防止できる。
【００７１】したがって、受光感度を落とすことなく、
導電型反転領域を介した複数の上記拡散層間の漏れ電流
を低減することができる。
導電型反転領域を介した複数の上記拡散層間の漏れ電流
を低減することができる。
【００７２】また、１実施例の分割型受光素子は、入射
された光に対する反射率が最小になるように上記各光透
過性膜の膜厚を設定するので、上記各拡散層の領域にお
ける受光量を最大にして受光感度をより高めることがで
きる。
された光に対する反射率が最小になるように上記各光透
過性膜の膜厚を設定するので、上記各拡散層の領域にお
ける受光量を最大にして受光感度をより高めることがで
きる。
【００７３】また、１実施例の分割型受光素子は、上記
光透過性膜を、下層がシリコン酸化膜であり上層がシリ
コン窒化膜である２層構造にしたので、上記半導体基板
または半導体層としてシリコン基板またはシリコンエピ
タキシャル層を用いることによって、シリコンプロセス
によって容易に形成することができる。
光透過性膜を、下層がシリコン酸化膜であり上層がシリ
コン窒化膜である２層構造にしたので、上記半導体基板
または半導体層としてシリコン基板またはシリコンエピ
タキシャル層を用いることによって、シリコンプロセス
によって容易に形成することができる。
【００７４】また、第２の発明の分割型受光素子は、第
１導電型の半導体基板あるいは半導体層の表面に複数形
成されてＰＮ接合を形成する第２導電型の拡散層上には
多層の光透過性膜が形成されており、上記半導体基板あ
るいは半導体層の表面における上記各拡散層間の分割部
の少なくとも一部には単層の光透過性膜が形成されてい
るので、上記各拡散層における受光感度の低下を防止で
きる一方、上記光透過性膜に発生する電荷に起因する上
記分割部表面の導電型の反転を防止できる。したがっ
て、受光感度を落とすことなく、導電型反転領域を介し
た複数の上記拡散層間の漏れ電流を低減することができ
る。
１導電型の半導体基板あるいは半導体層の表面に複数形
成されてＰＮ接合を形成する第２導電型の拡散層上には
多層の光透過性膜が形成されており、上記半導体基板あ
るいは半導体層の表面における上記各拡散層間の分割部
の少なくとも一部には単層の光透過性膜が形成されてい
るので、上記各拡散層における受光感度の低下を防止で
きる一方、上記光透過性膜に発生する電荷に起因する上
記分割部表面の導電型の反転を防止できる。したがっ
て、受光感度を落とすことなく、導電型反転領域を介し
た複数の上記拡散層間の漏れ電流を低減することができ
る。
【００７５】その際に、上記半導体基板あるいは半導体
層における上記分割部の表面には、上記光透過性膜が１
層だけ形成されている。したがって、上記分割部におけ
る反射率を低下させて、受光感度を更に高めることがで
きる。
層における上記分割部の表面には、上記光透過性膜が１
層だけ形成されている。したがって、上記分割部におけ
る反射率を低下させて、受光感度を更に高めることがで
きる。
【００７６】また、１実施例の分割型受光素子は、上記
拡散層上に形成された各光透過性膜の膜厚を入射光に対
する反射率が最小になるように設定し、上記半導体基板
あるいは半導体層における上記分割部の表面に形成され
た光透過性膜の膜厚を上記入射光に対して反射率が最小
になるように設定したので、上記各拡散層の領域と上記
各分割部の領域とにおける受光量を最大にして、受光感
度をより高めることができる。
拡散層上に形成された各光透過性膜の膜厚を入射光に対
する反射率が最小になるように設定し、上記半導体基板
あるいは半導体層における上記分割部の表面に形成され
た光透過性膜の膜厚を上記入射光に対して反射率が最小
になるように設定したので、上記各拡散層の領域と上記
各分割部の領域とにおける受光量を最大にして、受光感
度をより高めることができる。
【００７７】また、１実施例の分割型受光素子は、上記
拡散層上に形成された光透過性膜を下層がシリコン酸化
膜であり上層がシリコン窒化膜である２層構造にしたの
で、上記分割部の領域に形成される単層の光透過性膜と
して、上記シリコン酸化膜とシリコン窒化膜との何れか
一方を用いることによって、シリコンプロセスによって
容易に形成することができる。
拡散層上に形成された光透過性膜を下層がシリコン酸化
膜であり上層がシリコン窒化膜である２層構造にしたの
で、上記分割部の領域に形成される単層の光透過性膜と
して、上記シリコン酸化膜とシリコン窒化膜との何れか
一方を用いることによって、シリコンプロセスによって
容易に形成することができる。
【００７８】また、１実施例の分割型受光素子は、上記
半導体基板あるいは半導体層には、上記分割型受光素子
によって発生された信号の処理を行う回路を搭載したの
で、高性能の分割型受光素子とその出力信号の処理を行
う回路とが、同一の半導体基板あるいは半導体層に搭載
された回路内蔵分割型受光素子を得ることができる。
半導体基板あるいは半導体層には、上記分割型受光素子
によって発生された信号の処理を行う回路を搭載したの
で、高性能の分割型受光素子とその出力信号の処理を行
う回路とが、同一の半導体基板あるいは半導体層に搭載
された回路内蔵分割型受光素子を得ることができる。
【００７９】また、第３の発明の光ディスク装置は、上
記第１の発明あるいは第２の発明の分割型受光素子が用
いられているので、受光感度が高く応答特性が良く青色
等の短波長にも対応可能な高性能の分割型受光素子を用
いた高性能の光ディスク装置を提供できる。
記第１の発明あるいは第２の発明の分割型受光素子が用
いられているので、受光感度が高く応答特性が良く青色
等の短波長にも対応可能な高性能の分割型受光素子を用
いた高性能の光ディスク装置を提供できる。
【図１】 この発明の分割型受光素子における平面図で
ある。
ある。
【図２】 図１におけるＣ‐Ｃ'矢視断面図である。
【図３】 図２とは異なる分割型受光素子の断面図であ
る。
る。
【図４】 図２および図３とは異なる分割型受光素子の
断面図である。
断面図である。
【図５】 図２〜図４とは異なる分割型受光素子の断面
図である。
図である。
【図６】 図２〜図５とは異なる分割型受光素子の断面
図である。
図である。
【図７】 回路内蔵型の分割型受光素子における断面図
である。
である。
【図８】 図７に示す回路内蔵分割型受光素子を用いた
光ピックアップ部分の概略図である。
光ピックアップ部分の概略図である。
【図９】 従来の分割型受光素子における平面図であ
る。
る。
【図１０】 図９におけるＡ‐Ａ'矢視断面図である。
【図１１】 図１０における分割部付近の拡大断面図で
ある。
ある。
【図１２】 図１１におけるＢ‐Ｂ'断面のエネルギー
バンド図である。
バンド図である。
【図１３】 レーザ光の波長と反射防止膜の膜厚と反射
率との関係を示す図である。
率との関係を示す図である。
２１,３１,４１,５１…ｐ型シリコン基板、
２２,３２,４２,５２…ｐ型拡散層、
２３,３３,４３…ｐ型半導体層、
２４,３４,４４,５６…ｎ型拡散層、
２５,３５,４５,５７…分割部、
２６,３６,４６,６０,６６…ｐ型拡散領域、
２７,２９,３７,４７,５８…シリコン酸化膜、
２８,３０,３８,３９,４８,５９…シリコン窒化膜、
５３…第１ｐ型半導体層、
５４…第２ｐ型半導体層、
５５…素子分離酸化膜、
６７…受光素子領域、
６８…信号処理回路領域、
７１…半導体レーザ、
７３…回折格子、
７６…ディスク、
７７…回路内蔵分割型受光素子、
７７a〜７７e…フォトダイオード。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 谷 善彦
大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ
ャープ株式会社内
(72)発明者 種谷 元隆
大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ
ャープ株式会社内
(72)発明者 大久保 勇
大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ
ャープ株式会社内
Ｆターム(参考） 5D119 AA10 BA01 DA05 KA02 KA13
5D789 AA10 BA01 DA05 KA02 KA13
5F049 MA02 MB03 NA01 NA17 NB08
QA03 RA03 RA06 RA07 SZ02
SZ04
Claims (8)
- 【請求項１】 第１導電型の半導体基板または第１導電
型の半導体層の表面に複数の第２導電型の拡散層が形成
されている分割型受光素子において、 上記拡散層上には単層または多層の光透過性膜が形成さ
れており、 上記光透過性膜は、上記半導体基板または半導体層の表
面における上記複数の拡散層の間の領域の少なくとも一
部には形成されていないことを特徴とする分割型受光素
子。 - 【請求項２】 請求項１に記載の分割型受光素子におい
て、 上記各光透過性膜は、入射する光に対する反射率が最小
になるように各膜厚が設定されていることを特徴とする
分割型受光素子。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の分割型
受光素子において、 上記光透過性膜は、下層がシリコン酸化膜であり上層が
シリコン窒化膜である２層構造を有することを特徴とす
る分割型受光素子。 - 【請求項４】 第１導電型の半導体基板または第１導電
型の半導体層の表面に複数の第２導電型の拡散層が形成
されている分割型受光素子において、 上記拡散層上には多層の光透過性膜が形成されており、 上記半導体基板または半導体層の表面における上記複数
の拡散層の間の領域の少なくとも一部には、単層の光透
過性膜が形成されていることを特徴とする分割型受光素
子。 - 【請求項５】 請求項４に記載の分割型受光素子におい
て、 上記拡散層上に形成されている各光透過性膜は、入射す
る光に対する反射率が最小になるように各膜厚が設定さ
れており、 上記半導体基板あるいは半導体層の表面における上記複
数の拡散層の間の領域の少なくとも一部に形成されてい
る単層の光透過性膜は、上記入射する光に対して反射率
が最小になるように膜厚が設定されていることを特徴と
する分割型受光素子。 - 【請求項６】 請求項４または請求項５に記載の分割型
受光素子において、 上記拡散層上に形成されている光透過性膜は、下層がシ
リコン酸化膜であり上層がシリコン窒化膜である２層構
造を有することを特徴とする分割型受光素子。 - 【請求項７】 請求項１乃至請求項６の何れか一つに記
載の分割型受光素子において、 上記半導体基板または半導体層には、上記分割型受光素
子によって発生された信号の処理を行う回路が搭載され
ていることを特徴とする分割型受光素子。 - 【請求項８】 請求項１乃至請求項７の何れか一つに記
載の分割型受光素子が用いられていることを特徴とする
光ディスク装置。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP2001278118A JP2003086828A (ja) | 2001-09-13 | 2001-09-13 | 分割型受光素子およびそれを用いた光ディスク装置 |
| PCT/JP2002/008338 WO2003030270A1 (fr) | 2001-09-13 | 2002-08-19 | Dispositif recepteur de lumiere a fentes et lecteur de disque optique dans lequel il est integre |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001278118A JP2003086828A (ja) | 2001-09-13 | 2001-09-13 | 分割型受光素子およびそれを用いた光ディスク装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003086828A true JP2003086828A (ja) | 2003-03-20 |
Family
ID=19102531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001278118A Pending JP2003086828A (ja) | 2001-09-13 | 2001-09-13 | 分割型受光素子およびそれを用いた光ディスク装置 |
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|---|---|
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| WO (1) | WO2003030270A1 (ja) |
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| CN108231918A (zh) * | 2017-12-30 | 2018-06-29 | 河北英沃泰电子科技有限公司 | 倒装砷化镓太阳能电池及其制备方法 |
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| JPH08222755A (ja) * | 1995-02-10 | 1996-08-30 | Matsushita Electron Corp | 光半導体装置およびその製造方法 |
| JPH1084102A (ja) * | 1996-09-05 | 1998-03-31 | Sharp Corp | 分割フォトダイオード及び回路内蔵受光素子 |
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|---|---|---|---|---|
| JPS57155785A (en) * | 1981-03-23 | 1982-09-25 | Toshiba Corp | Semiconductor photo-receiving element photodetector |
| JPS63151085A (ja) * | 1986-12-16 | 1988-06-23 | Sony Corp | 受光装置 |
| JPH02284478A (ja) * | 1989-04-26 | 1990-11-21 | Hamamatsu Photonics Kk | 光電変換装置 |
| JP2002141490A (ja) * | 2000-11-02 | 2002-05-17 | Nec Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
-
2001
- 2001-09-13 JP JP2001278118A patent/JP2003086828A/ja active Pending
-
2002
- 2002-08-19 WO PCT/JP2002/008338 patent/WO2003030270A1/ja active Search and Examination
Patent Citations (2)
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