JP2003085737A

JP2003085737A - 磁気記録媒体

Info

Publication number: JP2003085737A
Application number: JP2002121273A
Authority: JP
Inventors: Tomoaki Okuyama; 智明奥山; Atsushi Endo; 敦遠藤; Akira Kikuchi; 暁菊池; Takashi Satoie; 隆志郷家; Reiko Murao; 玲子村尾
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2001-06-29
Filing date: 2002-04-23
Publication date: 2003-03-20
Anticipated expiration: 2022-04-23
Also published as: JP3993786B2; KR20030003115A; KR100801564B1; US6830807B2; US7368187B2; KR20070106482A; US20050069734A1; DE60208503T2; KR100796334B1; EP1271482A2; EP1271482B1; DE60208503D1; EP1271482A3; US20030039071A1; DE60208503T9

Abstract

(57)【要約】【課題】低ノイズ性と耐熱揺らぎ性を向上とを両立さ
せた磁気記録媒体を提供する。【解決手段】基板と該基板上に下地層を介して、少な
くとも１層のコバルト系合金材料からなる磁性層を有す
る磁気記録媒体において、前記下地層と前記磁性層との
間に、コバルト系合金より成る少なくとも２層以上に形
成した中間層を備え、前記中間層の内で、最下層に形成
された第１中間層はコバルト及びクロムを含み、該第１
中間層の組成は、Ｃｏ−Ｃｒ_Ｘ（７≦Ｘ≦２８ａｔ％）
であり、前記第１中間層より上層に形成される第２中間
層以後の中間層の組成は、Ｃｏ−Ｃｒ_Ｙ（２９≦Ｙ≦４
５ａｔ％）である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は磁気記憶装置に用い
られる磁気記録媒体に関する。特に、ノイズ低減を図る
と共に、耐熱揺らぎ性（耐擾乱性）も備えている高密度
記録が可能な磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】情報処理技術の発達に伴い、コンピュー
タの外部記憶装置として採用される磁気記憶装置に対し
ては、高密度化の要求が年々高まっている。この要求を
満たすため磁気記録媒体に求められる重要な特性の１つ
として磁気記録媒体の高Ｓ／Ｎｍ（出力対媒体ノイズ
比）化がある。

【０００３】一般的な面内記録型の磁気記録媒体での再
生波形のパルス幅Ｐｗ５０は、その静磁気特性である保
磁力Ｈｃ、残留磁化Ｂｒ、磁性層膜厚ｔとの間に、ａ∝（t×Ｂｒ／Ｈｃ）^１／２Ｐｗ５０＝（２（ａ＋ｄ）^２＋（ａ／２）^２）^１／２の関係があることが知られている。ここで、ｄは磁気ス
ペーシングを表している。

【０００４】上記パルス幅Ｐｗ５０は、狭いほど記録再
生信号の分解能が向上する。よって、より高密度な記録
媒体とするには、磁性層膜厚ｔがより薄く、より高い保
磁力Ｈｃを有するような磁気記録媒体を設計することが
望ましい。

【０００５】また、媒体ノイズの低減のためには、磁性
層を形成する磁性粒子の微細化、及び磁性粒子間での磁
気的相互作用を弱めることが必要であることが知られて
いる。磁性粒子を微細化する方法としては、例えばＣｏ
Ｃｒ合金の磁性層にＴａ、Ｎｂ、Ｂ、Ｐ等を添加する方
法が提案されている。

【０００６】また、高い保磁力Ｈｃを有する磁性層を得
るために、例えばＣｏＣｒ合金の磁性層にＰｔを添加す
ることが有効であることが知られている。

【０００７】またさらに、磁性層内の磁性粒子の磁気的
相互作用を弱めるには、ＣｏＣｒ合金の磁性層に多量の
Ｃｒ量を添加することが有効であるとの報告もある。そ
の一方で、Ｃｏ系合金に上記のように非磁性材料を多量
に添加すると、Ｃｏ系合金の磁化容易軸であるｈｃｐ−
Ｃ軸の面内配向性が劣化するという問題が生じることも
知られている。

【０００８】そして、上記面内配向性の劣化を抑制する
には、磁性層より高い面内配向性を有するＣｏ系合金で
形成した中間層を、上記磁性層と下地層との間に配設す
ることが有効であるとの報告（例えば、S．Ohkijima et
al， Digests of IEEE-Inter-Mag., AB-03, 1997)があ
る。

【０００９】また、中間層として形成するＣｏＣｒ合金
にＰｔ等の金属を添加し、保磁力を改善することについ
て、例えば特開２０００−２５１２３７号公報等に関連
の技術が開示されている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
磁気記録媒体は以下のように、第１及び第２の問題を有
している。

【００１１】まず、第１の問題は上記中間層に関する。
上記中間層に含有される非磁性材料の成分が少ないほど
磁性層の面内配向性が良好で、非磁性材料の添加量が多
くなるほど面内配向性が劣化する傾向がある。よって、
磁性層の良好な面内配向性を得る為には、Ｃｒ、Ｔａ、
Ｎｂ、Ｂ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｐｔ等の添加量を抑制したＣｏ
系合金材料を用いて中間層を形成することが好ましいと
言える。

【００１２】しかしながら、このように非磁性材料の添
加を抑制した場合には、中間層の飽和磁束密度Ｂｓが大
きくなってしまい、中間層と磁性層との膜界面での交換
結合が強くなる。さらに、前述したように磁性層の膜厚
ｔを相対的に薄く形成しなければならない。これらを理
由として、磁気記録媒体の異方性磁界Ｈｋが低下する。
この異方性磁界Ｈｋの低下は、磁気記録媒体の耐熱揺ら
ぎ性を劣化させるので好ましくない。また、中間層の高
飽和磁束密度Ｂｓ化は、磁性粒子間の磁気的相互作用の
増大をもたらし遷移領域での媒体ノイズを増大させると
いう問題も招来してしまう。

【００１３】次に、第２の問題は上記磁性層に関する。
前述したように磁気記録媒体のノイズを低減させるに
は、磁性層の結晶粒を微細化させることが有効な手法で
ある。しかしながら、結晶粒の微細化に伴い１ビット当
たりの記録磁化の体積が減少するので、熱揺らぎ（熱擾
乱）による記録破壊の問題が生じる。この熱揺らぎを抑
制するには、前述したように磁性層のＰｔ含有量を増加
させ、異方性磁界Ｈｋを向上させることが熱揺らぎの抑
制に有効である。しかし、Ｐｔ組成量の増加は、結晶粒
間相互作用の増加により、媒体ノイズを増幅するという
結果を招来する。

【００１４】磁気記録媒体における孤立波信号と媒体ノ
イズ比（Ｓｉｓｏ／Ｎｍ）は、Ｃｒ濃度を増加させるこ
とにより、所望レベルにまで向上させることができる。
よって、仮にＣｒ含有量を減らし、Ｐｔの含有量を増し
て異方性磁界Ｈｋを向上させようとした場合には、十分
な低ノイズ特性が得られないことになる。

【００１５】ところで、図１はＣｏ_βＣｒ_αＰｔ_８Ｂ_３
（α＝２０〜２５ａｔ％、β＝１００−（８＋３＋
α）)の組成を有する磁性層の保磁力ＨｃとＣｒ含有量
との関係の一例を示した図である。図１から磁性層の保
磁力Ｈｃが磁性層のＣｒ含有量に依存性を有することが
確認できる。

【００１６】上記のようにＣｒの含有量を増加させると
媒体ノイズを低減させることができるが、図１から保磁
力Ｈｃが低下してしまうことが分かる。保磁力Ｈｃの低
下は異方性磁界Ｈｋの低下に起因し、磁気記録媒体の耐
熱揺らぎ性も劣化してしまうことを意味する。この様な
ことから、従来の技術では磁気記録媒体の低ノイズ性と
耐熱揺らぎ性の向上との両立は実現困難であるとされて
いた。

【００１７】したがって、本発明の目的は、第１に下地
層と磁性層との間に設けられる中間層に特徴を有して低
ノイズ性と共に耐熱揺らぎ性の向上も実現した磁気記録
媒体を提供することであり、また第２に磁性層に特徴を
有して低ノイズ性と共に耐熱揺らぎ性の向上も実現した
磁気記録媒体を提供することである。

【００１８】

【課題を解決するための手段】上記第１の目的は請求項
１に記載の如く、基板と該基板上に下地層を介して、少
なくとも１層のコバルト系合金材料からなる磁性層を有
する磁気記録媒体において、前記下地層と前記磁性層と
の間に、コバルト系合金より成る少なくとも２層以上に
形成した中間層を備え、前記中間層の内で、最下層に形
成された第１中間層はコバルト及びクロムを含み、該第
１中間層の組成は、Ｃｏ−Ｃｒ_Ｘ（７≦Ｘ≦２８ａｔ
％）であり、前記第１中間層より上層に形成される第２
中間層以後の中間層の組成は、Ｃｏ−Ｃｒ_Ｙ（２９≦Ｙ
≦４５ａｔ％）である、磁気記録媒体により達成され
る。

【００１９】また、請求項２に記載した如く、基板と該
基板上に下地層を介して、少なくとも１層のコバルト系
合金材料からなる磁性層を有する磁気記録媒体におい
て、前記下地層と前記磁性層との間に、コバルト系合金
より成る少なくとも２層以上に形成した中間層を備え、
前記中間層の内で、最下層に形成された第１中間層はコ
バルト及びクロムを含み、該第１中間層の組成は、Ｃｏ
−Ｃｒ_Ｘ（７≦Ｘ≦２８ａｔ％）であり、前記第１中間
層より上層に形成される第２中間層以後の中間層の組成
は、Ｃｏ−Ｃｒ_Ｙ−Ｍ_Ｚであり（但し、ＭはＭｎ、Ｒｅ
及びＭｏからなる群から選択された少なくとも１つであ
る。）、かつ（２９≦Ｙ＋Ｚ≦４５ａｔ％）である、磁
気記録媒体によっても同様に達成できる。

【００２０】また、請求項３に記載した如く、請求項１
又は２に記載の磁気記録媒体において、前記中間層は、
クロム、白金、タンタル及びホウ素から成る群から選択
された少なくとも１つが含まれており、かつ前記第１中
間層の材料の飽和磁束密度Ｂｓは、０．４〜０．９Ｔで
あり、前記第１中間層より上層に形成される第２中間層
以後の中間層の飽和磁束密度Ｂｓは０〜０．４Ｔである
ことが好ましい。

【００２１】また、請求項４に記載した如く、請求項１
から３のいずれかに記載の磁気記録媒体において、前記
第１中間層の膜厚は１〜５ｎｍであることが好ましい。

【００２２】また、前記磁性層は、クロム、白金及びホ
ウ素より成る群から選択される少なくとも１つが含まれ
ており、該磁性層は次の組成を満たし、２０≦Ｃｒ≦２
６、６≦Ｐｔ≦２０、１≦Ｂ≦７、残部Ｃｏ（ａｔ
％）、かつ、前記磁性層の膜厚ｔと残留磁束密度Ｂｒの
積ｔＢｒが７．０ｎＴｍ以下に設定されていることが好
ましい。

【００２３】請求項１から４に記載の発明によれば、ノ
イズ低減が図られると共に、低いｔＢｒでも耐熱揺らぎ
性が向上した、高密度記録が可能な磁気記録媒体を提供
できる。

【００２４】なお、前記下地層は、クロムを主成分とし
て、モリブデン、タンタル、チタン、タングステン及び
バナジウムから成る群から選択された少なくとも１つの
元素を含み、該元素が少なくとも１ａｔ％含有されてい
ることが望ましい。

【００２５】また、前記下地層は、クロムと、クロムを
主成分としモリブデン、タンタル、チタン、タングステ
ン、及びバナジウムから成る群から選択された少なくと
も１つの元素を含み、該元素が少なくとも１ａｔ％含有
されているクロム系合金とを２層以上積層した構成とし
てもよい。

【００２６】また、前記下地層は、下層にクロム膜が形
成され、その上層に前記クロム系合金膜が形成されてい
る構成を採用してもよい。そして、下地層のそれぞれの
層に含まれるクロム以外の元素の構成比（ａｔ％）の総
和が基板に近い層ほど少ないように形成することが望ま
しい。

【００２７】また、上記目的は、請求項５に記載した如
く、基板と該基板上に下地層を介して、少なくとも１層
のコバルト系合金材料からなる磁性層を有する磁気記録
媒体において、前記磁性層は、ＣｏＣｒＰｔＢ合金にＡ
ｇを含有し、該磁性層の組成比が、Ｃｏ_{（１００−ａ−ｂ−ｃ−ｄ）}Ｃｒ_ａＰｔ_ｂＢ_ｃＡｇ_ｄ（２１≦ａ＋ｃ≦３０ａｔ％、６≦ｂ≦２０ａｔ％、１≦ｄ≦９ａｔ％) の範囲にある構成とすることにより、同様に達成するこ
とができる。

【００２８】請求項５に記載の発明によっても、ノイズ
低減が図られると共に、低いｔＢｒでも耐熱揺らぎ性が
向上した、高密度記録が可能な磁気記録媒体を提供でき
る。

【００２９】なお、前記磁性層は、ＣｏＣｒＰｔＢ及び
ＣｏＣｒＰｔＢＡｇの磁性材料を組合せ、２層以上の複
合磁性層として形成してもよい。

【００３０】また、前記磁性層の膜厚ｔと残留磁束密度
Ｂｒの積ｔＢｒが、２．０〜１０．０ｎＴｍに設定さて
いることが好ましい。

【００３１】前記下地層と前記磁性層との間に、コバル
ト系合金よりなる中間層を備えた構成を採用することが
より好ましい。

【００３２】

【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の第
１実施例から第３実施例を説明する。第１及び第２実施
例は下地層と磁性層との間に積層型の中間層を有する磁
気記録媒体に関するものである。また、第３実施例はＡ
ｇを含有する磁性層を含む磁気記録媒体に関するもので
ある。

【００３３】図２は本発明の第１実施例に係る磁気記録
媒体１０の積層構成を示した図である。図２に示した磁
気記録媒体１０の基板１１としては、非磁性のＡｌ基板
の表面に無電解メッキによりＮｉＰ膜をコートし、テク
スチャ処理を施したものを用いることができる。この基
板１１上に、下からＣｒ及びＣｒＭｏによる２層の下地
層１２，１３、Ｃｏ（Ｃｒ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｂ)による第
１中間層１４、ＣｏＣｒによる第２中間層１５、ＣｏＣ
ｒＰｔＢによる磁性層１６、及びＣ（炭素）系保護膜１
７を順次積層して磁気記録媒体１０とする。

【００３４】なお、上記で第１中間層１４についてＣｏ
（Ｃｒ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｂ)の表示は、第１中間層１４が
Ｃｒ、Ｐｔ、Ｔａ及びＢの群から選択される少なくとも
１つを含んだＣｏ系合金で形成されることを示してい
る。

【００３５】また、図３は、本発明によらない比較例の
磁気記録媒体１００の積層構成を示した図である。この
磁気記録媒体１００は、上記磁気記録媒体１０の基板１
１と同様に形成される基板１０１上に、下からＣｒ及び
ＣｒＭｏによる２層の下地層１０２，１０３、ＣｏＣｒ
Ｔａによる中間層１０４、ＣｏＣｒＰｔＢによる磁性層
１０５、及びＣ系保護膜１０７が順次積層された構造を
有する。

【００３６】上記２つの磁気記録媒体では、本実施例の
磁気記録媒体１０が第１中間層１４及び第２中間層１５
による２層（複数）に積層した中間層を有するのに対し
て、比較例の磁気記録媒体１００の場合には中間層１０
４のみの単層である点が異なる。

【００３７】ここで、図２に示した磁気記録媒体１０の
製造例を説明する。磁気記録媒体１０はスパッタリング
法を用いて各層を順次成膜することにより製造できる。
例えば下地層１２、１３の成膜前にスパッタ室内を１．
０×１０^−５Ｐａ以下に排気し、基板温度を約２１０℃
に加熱する。その後、Ａｒガスを導入してスパッタ室内
を０．６７Ｐａ程度に保持し、第１下地層１２としてＣ
ｒを５ｎｍ、第２下地層１３としてＣｒＭｏを２ｎｍ、
第１中間層１４としてＣｏＣｒＴａを２ｎｍ、第２中間
層１５としてＣｏＣｒを３ｎｍ、磁性層１６としてＣｏ
ＣｒＰｔＢを１５ｎｍ、Ｃ系保護膜１７を５ｎｍの順
で、上記ＮｉＰ−Ａｌ基板１１上に成膜することにより
磁気記録媒体１０を得る。

【００３８】なお、上記比較例の磁気記録媒体１００に
ついても、単層の中間層１０４を形成する以外は同様に
製造できる。

【００３９】以下さらに、比較例の磁気記録媒体１００
を参照しながら、本実施例の磁気記録媒体１０の好まし
い構成について説明する。ただし、ここでの本磁気記録
媒体１０は、特に説明を加えた場合を除いて、第１中間
層１４はＣｏ_８０Ｃｒ_１８Ｔａ_２（数値はａｔ％、以下
同様）の組成を有し、第２中間層１５はＣｏ_５８Ｃｒ
_４２の組成を有している例である。また、磁気記録媒体
１００の単層中間層１０４はＣｏ_８０Ｃｒ_１８Ｔａ_２の
組成を有している。

【００４０】図４は、磁気記録媒体１０の磁性層１６の
保磁力Ｈｃと中間層の膜厚との関係を示した図である。
この図４には、磁性層１６の保磁力Ｈｃが中間層膜厚へ
の依存性を有することが示されている。

【００４１】なお、ここでは磁気記録媒体１０について
は、第２中間層（Ｃｏ_５８Ｃｒ_４２）の膜厚を３ｎｍと
し、第１中間層（Ｃｏ_８０Ｃｒ_１８Ｔａ_２）の膜厚を変
更した場合の磁性層１６の保磁力Ｈｃを測定している。
比較例の磁気記録媒体１００では、単層中間層１０４
（Ｃｏ_８０Ｃｒ_１８Ｔａ_２）の膜厚を変更した場合の磁
性層１０５の保磁力Ｈｃを測定している。

【００４２】また、いずれの磁気記録媒体においても、
磁性層の膜厚ｔと残留磁束密度の積ｔＢｒ（以下、単に
ｔＢｒとする）を５．０ｎＴｍに調整している。

【００４３】図４で、単層中間層１０４を有する比較例
の磁気記録媒体１００は、単層中間層１０４の膜厚が１
ｎｍ以上になると急激に保磁力Ｈｃが低下する。

【００４４】一方、本実施例による２層の中間層１４，
１５を備えた磁気記録媒体１０では、第１中間層（Ｃｏ
_８０Ｃｒ_１８Ｔａ_２）を１ｎｍ以上で形成することによ
り、保磁力Ｈｃが顕著に改善されることが確認できる。

【００４５】なお、磁気記録媒体１０の第１中間層（Ｃ
ｏ_８０Ｃｒ_１８Ｔａ_２）、第２中間層（Ｃｏ_５８Ｃｒ
_４２）の各々について、膜厚を１５ｎｍとし、室温でＶ
ＳＭ測定した場合の飽和磁束密度Ｂｓはそれぞれ、０．
６Ｔ、ほぼ０Ｔであった。

【００４６】図５は、磁気記録媒体１０の磁性層１６の
異方性磁界Ｈｋと第１中間層の膜厚との関係を示した図
である。この図５により、磁性層１６の異方性磁界Ｈｋ
が、第１中間層の膜厚に対して依存性を有することが示
されている。

【００４７】ここでは、ＤＣ−ｅｒａｓｅ法により測定
したＤｙｎａｍｉｃ−Ｈｃ値から求めた異方性磁界Ｈｋ
に関し、第１中間層（Ｃｏ_８０Ｃｒ_１８Ｔａ_２）１４膜
厚への依存性を示している。磁気記録媒体１０の第１中
間層１４を１ｎｍ以上に形成すると異方性磁界Ｈｋが顕
著に改善されることが確認できる。

【００４８】図６は、本実施例による磁気記録媒体１０
及び比較例の磁気記録媒体１００の各磁性層に関し、３
５０ｋＦＣＩの記録信号出力への経時変化について示し
た図である。磁気記録媒体１０は出力の経時変化が小さ
く、耐熱揺らぎ性の高いことが確認できる。

【００４９】本実施例による磁気記録媒体１０の場合に
は、磁性層１６を７．０ｎＴｍ以下の低ｔＢｒ状態に形
成しても実用上障害の発生しない耐熱揺らぎ性を確保で
きる。これは、中間層を複数形成したことにより異方性
磁界Ｈｋが改善された為と解することができる。

【００５０】図７は、磁気記録媒体１０の孤立波Ｓｉｓ
ｏ／Ｎｍと第１中間層１４の膜厚との関係を示した図で
ある。この図７により、磁気記録媒体１０による孤立波
Ｓｉｓｏ／Ｎｍが、第１中間層１４の膜厚への依存性を
有することが確認できる。図７から第１中間層１４の膜
厚を１〜５ｎｍの範囲とすることで、例えば所望のＳｉ
ｓｏ／Ｎｍ＝２５ｄＢ以上を確保できる。

【００５１】図８は、磁気記録媒体１０の孤立波Ｓｉｓ
ｏ／Ｎｍと第２中間層１５の膜厚との関係を示した図で
ある。第１中間層１４の膜厚は１ｎｍとしている。ま
た、比較のため、図３に示した本発明によらない磁気記
録媒体１００の孤立波Ｓｉｓｏ／Ｎｍと中間層１０４と
の関係も図８に示している。

【００５２】この図８によると、孤立波Ｓｉｓｏ／Ｎｍ
が第２中間層１５の膜厚に依存性を有し、第２中間層１
５の膜厚を１〜５ｎｍとすることにより、所望のＳｉｓ
ｏ／Ｎｍ＝２５ｄＢ以上を確保できるようになる。

【００５３】図９は、磁気記録媒体１０を２００ｋＦＣ
Ｉの信号で記録再生を行った場合のＳ／Ｎｍと、第１中
間層１４の飽和磁束密度Ｂｓとの関係を示した図であ
る。第１中間層１４の飽和磁束密度Ｂｓは、第１中間層
１４の材料組成を変更することで変化させることができ
る。

【００５４】この図９により、磁気記録媒体１０を２０
０ｋＦＣＩの信号で記録再生を行った場合のＳ／Ｎｍ
が、第１中間層１４の飽和磁束密度Ｂｓへ依存性を有す
ることが確認できる。ここで、各第１中間層材の飽和磁
束密度Ｂｓ値は、Ｃｒ下地層上に各中間層材を単層で１
５ｎｍ形成したサンプルについて室温でのＶＳＭ測定に
より求めた。

【００５５】図９より、磁気記録媒体１０の第１中間層
１４に用いる材料の飽和磁束密度Ｂｓは０．６Ｔ程度で
最良のＳ／Ｎｍが得られることが確認できる。例えば、
所望の２１ｄＢを確保するには、第１中間層材の飽和磁
束密度Ｂｓを０．４〜０．９Ｔとすることが好ましい。

【００５６】また、例えばＣｏ−Ｃｒの２元合金を第１
中間層１４に用いる場合には、Ｃｒ含有量と飽和磁束密
度Ｂｓとの関係を示した図１０から、飽和磁束密度Ｂｓ
を０．４〜０．９ＴとするにはＣｒ組成比（含有量）が
７〜２８ａｔ％の範囲となるように調整すれば良いこと
が分かる。

【００５７】そして、本実施例の磁気記録媒体１０で
は、第１中間層１４より上の第２中間層１５は、第１中
間層１４と磁性層１６との強磁性相互作用（交換相互作
用）を弱める役割を果たしている。よって、第２中間層
を構成する材料は、第１中間層の材料の飽和磁束密度Ｂ
ｓよりも低く設定することが望ましい。第２中間層の飽
和磁束密度Ｂｓを０〜０．４Ｔとすることにより、良好
な面内配向性と高い異方性磁界Ｈｋを備え、耐熱揺らぎ
性の高い、高Ｓ／Ｎｍの磁気記録媒媒体１０を作製する
ことができる。

【００５８】例えば、Ｃｏ−Ｃｒの２元合金を第２中間
層に用いる場合には、飽和磁束密度Ｂｓを０〜０．４Ｔ
とするにはＣｒ組成比を２９〜４５ａｔ％とすれば良い
ことが、前記図１０より確認できる。

【００５９】本第１実施例の磁気記録媒体１０は、２つ
の中間層１４、１５を設けた例であるが、中間層を３層
以上設けた場合も同様であり、第１中間層より上層に形
成する中間層の材料は第１中間層の材料の飽和磁束密度
Ｂｓよりも低く設定することが望ましい。第２中間層を
含みこれより上層に形成する中間層材の飽和磁束密度Ｂ
ｓを０〜０．４Ｔとすることにより、中間層を３層以上
設けた場合でも同様に良好な面内配向性と高い異方性磁
界Ｈｋを備え、耐熱揺らぎ性の高い、高Ｓ／Ｎｍの磁気
記録媒媒体を作製することができる。

【００６０】図１１は、磁気記録媒体１０の孤立波Ｓｉ
ｓｏ／Ｎｍと磁性層１６中のＣｒ含有量との関係を示し
た図である。この図１１により、磁気記録媒体１０のＳ
ｉｓｏ／Ｎｍが、磁性層１６中のＣｒ含有量に対して依
存性を有することが確認できる。

【００６１】図１１から、磁性層１６中のＣｒ含有量を
増加させると磁気記録媒体１０のノイズが低減されるこ
とが確認できる。例えば所望の２５ｄＢを確保するため
に、磁性層１６中のＣｒ含有量を１７ａｔ％以上とする
ことが好ましいことが確認できる。

【００６２】また、図１２は磁性層１６の飽和磁束密度
Ｂｓと磁性層１６中のＣｒ含有量との関係を示した図で
ある。図１２により、飽和磁束密度ＢｓのＣｒ含有量に
対する依存性が認められ、磁性層１６中のＣｒを過剰に
添加すると飽和磁束密度Ｂｓが低下することが確認でき
る。図１２から、磁性層１６として実用上必要な飽和磁
束密度Ｂｓ値として０．２５Ｔ以上を確保するにはＣｒ
含有量を２７ａｔ％以下にする必要がある。

【００６３】よって、図１１及び図１２から、磁性層１
６中の好ましいＣｒ組成比は、１７≦Ｃｒ≦２７ａｔ％
であり、より好ましくは２０≦Ｃｒ≦２６ａｔ％であ
る。

【００６４】図１３は、磁性層１６の保磁力Ｈｃと磁性
層１６中のＰｔ含有量との関係を示した図である。な
お、ここでの磁性層１６の構成は、Ｃｏ_αＣｒ_２４Ｐｔ
_βＢ_６であり、α＝（１００−（２４＋６＋β））（ａ
ｔ％）である。図１３より、磁性層１６の保磁力Ｈｃが
Ｐｔ含有量に対して依存性を有することが確認できる。
この保磁力ＨｃはＰｔ（１２ａｔ％）まで単調に増加す
る。

【００６５】この図１３から、磁性層１６として例えば
所望の保磁力Ｈｃ＝２０００（×４／πｋＡ／ｍ）以上
を確保するには、Ｐｔ含有量を６ａｔ％以上とするのが
望ましいことが分かる。また、ＣｏＰｔによる２元合金
（バルク）の相図より、εＣｏ（ｈｃｐ）相の得られる
のはＰｔ≦２０ａｔ％の範囲であるため、磁性層１６に
関して強磁性で高い保磁力Ｈｃが得られるＰｔ含有範囲
は６≦Ｐｔ≦２０ａｔ％となる。

【００６６】さらに、図１４は、磁性層１６の保磁力Ｈ
ｃと磁性層１６中のＢ含有量との関係を示した図であ
る。この図１４により、Ｂ含有量を概ね１≦Ｂ≦７ａｔ
％とすることで、磁性層１６が所望の保磁力Ｈｃ２００
０（×４／πｋＡ／ｍ）を維持できることが分かる。

【００６７】ところで、比較的高いＰｔ濃度（６≦Ｐｔ
≦２０ａｔ％）となる磁性層の格子と下地層Ｃｒ格子と
のミスフィットを抑制することが好ましい。そのため
に、本実施例の磁気記録媒体１０の下地層では、クロム
を主成分とし、これにモリブデン、タンタル、チタン、
タングステン及びバナジウムからなる群から選択された
少なくとも１つを、１ａｔ％以上で添加して形成するこ
とが望ましい。これにより、面内配向性がより良好な磁
気記録媒体１０を作成できる。

【００６８】さらに、本実施例の磁気記録媒体１０のよ
うに、ＴＥＸ基板１１上に下地層を２層形成して第１下
地層Ｃｒ、第２下地層ＣｒＭｏとした場合には、面内配
向性のみならず、Ｏ．Ｒ．（周方向での保磁力Ｈｃ／半
径方向での保磁力Ｈｃ）も改善した磁気記録媒体とする
ことができる。この点について、図１５を示す。

【００６９】図１５は、Ｃｒ単層の下地層を有する磁気
記録媒体及びＣｒ_８０Ｍｏ_２０単層の下地層を有する磁
気記録媒体に対して、本実施例の磁気記録媒体１０のよ
うにＣｒ_８０Ｍｏ_２０（４ｎｍ）／Ｃｒによる２層で下
地層を形成した場合のＯ．Ｒ．のトータル下地層の膜厚
に対する依存性を示した図である。Ｃｒ_８０Ｍｏ_２０単
層時の場合と比較して、Ｃｒ_８０Ｍｏ_２０／Ｃｒによる
２層の下地層ではＯ．Ｒ．が改善されることがわかる。
Ｂｏｔ：Ｃｒ／Ｔｏｐ：ＣｒＭｏによる２層の下地層を
有する磁気記録媒体は、面内配向性も良好であることを
膜垂直方向と面内方向での保磁力Ｈｃ測定により確認で
きる。

【００７０】上記Ｏ．Ｒ．は周／径方向での下地格子の
歪方が異なることに起因し発現すると考えられる。実
際、ＣｒＭｏ等に比較して、Ｃｒの方が周／径での格子
歪が大きく、それに起因して図１５に示す様にＣｒ下地
で高いＯ．Ｒ．が得られると考えられる。本実施例に係
る磁気記録媒体１０では、純Ｃｒを形成した場合に得ら
れる高Ｏ．Ｒ．性と、ＣｒＭｏを形成した場合の高面内
配向性を両立させるため、Ｂｏｔ：Ｃｒ／Ｔｏｐ：Ｃｒ
Ｍｏの２層下地を形成した。また、成膜開始時温度を１
７０〜３００℃にすることにより高いＳ／Ｎｍの得られ
ることが確認されている。

【００７１】つぎに、本発明の第２実施例を説明する。
本第２実施例は第１実施例に関連した複数の中間層を有
する磁気記録媒体である。前記第１実施例の第２中間層
はＣｏＣｒであったが、本実施例の第２中間層はＣｏＣ
ｒ−Ｍである。このＭはＭｎ、Ｒｅ及びＭｏから選択さ
れた少なくとも１つので元素である。本実施例の磁気記
録媒体は、図２に示した第１実施例の磁気記録媒体と類
似の構成を有している。よって、本実施例の磁気記録媒
体３０に関しては、図２の磁気記録媒体と同様の部分に
は同一の符号を付して重複する説明を省略し、は異なる
部分を中心に説明する。

【００７２】図１６は第２実施例に係る磁気記録媒体３
０の積層構成を示した図である。磁気記録媒体３０は、
無電解メッキＮｉＰ膜がコートされたＡｌ基板１１の表
面にテクスチャ処理を施した後、Ｃｒ下地層１２、Ｃｒ
Ｍｏ下地層１３、ＣｏＣｒＴａの第１中間層１４、Ｃｏ
ＣｒＭｎの第２中間層３５、ＣｏＣｒＰｔＢの磁性層１
６、Ｃ系保護膜１７を順次積層した構造である。

【００７３】本実施例の磁気記録媒体３０もスパッタリ
ング法を用いて各層を順次成膜することにより製造でき
る。例えばＣｒの下地層１２の成膜前にスパッタ室内を
１．０×１０^−５Ｐａ以下に排気し、基板温度を２１０
℃に加熱し、Ａｒガスを導入してスパッタ室内を０．６
７Ｐａに保持し、Ｃｒ(５ｎｍ)、ＣｒＭｏ(２ｎｍ)、Ｃ
ｏＣｒＴａ(２ｎｍ)、ＣｏＣｒＭｎ(２ｎｍ)、ＣｏＣｒ
ＰｔＢ系磁性層（１５ｎｍ）、Ｃ系保護膜(５ｎｍ)の順
に非磁性ＮｉＰ−Ａｌ基板上に形成して得ることができ
る。

【００７４】図１７は、磁気記録媒体３０の第２中間層
３５としてＣｏＣｒ_２５Ｍｎ_５を２ｎｍの厚さで形成し
た場合で、第１中間層１４をＣｏＣｒ_１８Ｔａ_２とし、
この第１中間層１４の膜厚に対する孤立波Ｓ／Ｎ(Ｓｉ
ｓｏ／Ｎｍ)の依存性を示した図である。図１７からＣ
ｏＣｒＴａの第１中間層１４を１〜５ｎｍの範囲で形成
することによりＳｉ／Ｎｍが改善され所望の２５ｄＢ以
上の値を得られことが確認できる。

【００７５】なお、図１７で横軸をゼロ、すなわちＣｏ
ＣｒＴａの第１中間層１４が存在しない状態では、Ｓｉ
ｓｏ／Ｎｍが著しく低下してしまうことも確認できる。
この場合、前記第２中間層３５が単層で形成された従来
の構造となる。

【００７６】図１８は、図１７の場合とは逆に、ＣｏＣ
ｒ_１８Ｔａ_２の第１中間層１４の膜厚を１ｎｍに固定
し、ＣｏＣｒ_２５Ｍｎ_５の第２中間層３５の膜厚を変更
した場合でのトータルＳ／Ｎｔの膜厚依存性を示した図
である。図１８からＣｏＣｒ_２ _５Ｍｎ_５の第２中間層３
５を１〜５ｎｍの範囲で形成することにより、Ｓ／Ｎｔ
が改善され所望の１７．０ｄＢ以上の値が得られること
が確認できる。

【００７７】なお、図１８で横軸をゼロ、すなわちＣｏ
ＣｒＭｎの第２中間層３５が存在しない状態では、Ｓ／
Ｎｔが著しく低下してしまうことも確認できる。この場
合、前記第１中間層１４が単層で形成された従来の構造
となる。

【００７８】図１９は、本実施例の第１中間層１４の材
料を変化させた場合の２００ｋＦＣＩの信号で記録再生
を行った場合のＳ／Ｎｍと、第１中間層１４の飽和磁束
密度Ｂｓとの関係を示した図である。この図１９で確認
できる関係は、第１実施例のの場合について示した図９
とほぼ同様となった。なお、本実施例の場合も各中間層
材のＢｓ値は、Ｃｒ下地層上に各中間層材を単層で１５
ｎｍ形成したサンプルについて室温でのＶＳＭ測定によ
り求めた。第１中間層１４の材料のＢｓが０．６Ｔ程度
で最良のＳ／Ｎｍが得られることが確認できる。所望の
２１ｄＢを確保するには、第１中間層１４の磁性材料の
Ｂｓを０．４〜０．９Ｔとすることが好ましいことが確
認できる。

【００７９】例えば、Ｃｏ−Ｃｒの２元合金を第１中間
層１４に用いる場合にＢｓを０．４〜０．９Ｔとするに
はＣｒ組成比を７〜２８ａｔ％にすれば良いことが図２
０から確認できる。なお、この図２０は第１実施例で示
した図１０とほぼ同様である。

【００８０】前述したように第２中間層３５より上層に
位置する第２層目以後の中間層は、第１中間層１４と磁
気記録層の強磁性相互作用（交換相互作用）を弱める役
割を果たす。よって、第２層目以後の中間層の材料は第
１中間層の材料のＢｓよりも低く設定する必要がある。
第２層目以後の中間層材のＢｓは０〜０．４Ｔとするこ
とにより、良好な面内配向性と高い異方性磁界Ｈｋを備
え、耐熱揺らぎ性の高い、高Ｓ／Ｎｍ媒体を作製するこ
とができる。

【００８１】ところで、本実施例の第２中間層３５はＣ
ｏＣｒにさらに元素Ｍ（Ｍｎ、Ｒｅ、Ｍｏ）を含んでい
る。本願発明者等は、このＭの含有率をＺ（ａｔ％）と
し、Ｃｒの含有率をＹ（ａｔ％）としたとき第２中間層
３５のＢｓは（Ｙ+Ｚ）に依存することを確認してい
る。

【００８２】よって、前記図２０を用いると、Ｂｓを０
〜０．４Ｔとするには（Ｃｒ＋Ｍｎ）組成比を概ね２９
〜４５ａｔ％とすればよいことが確認できる。また、Ｍ
ｎの代わりにＭｏ、Ｒｅを添加した場合にも同様の効
果が得られることを確認している。

【００８３】また、比較的Ｐｔ濃度の高い磁性層（６≦
Ｐｔ≦２０ａｔ％）の格子と下地Ｃｒ格子のミスフィ
ットを低減するため、本本実施例でも、クロムを主成分
とし、モリブデン、タンタル、チタン、タングステン、
バナジウムから選ばれる元素を少なくとも１種以上、１
ａｔ％以上添加されている下地層を形成することが望ま
しい。これにより、さらに面内配向性の良好な磁気記録
媒体を作成できる。

【００８４】さらに、ＴＥＸ基板上に下地層をＢｏｔ：
Ｃｒ／Ｔｏｐ：ＣｒＭｏの２層で形成した場合には、面
内配向性のみならず、Ｏ.Ｒ.（Ｈｃ周／Ｈｃ径）も改善
された媒体を作成することができる。

【００８５】第１実施例の磁気記録媒体１０について示
した図１５の２層の下地層を形成した場合のＯ．Ｒ．の
トータル下地層の膜厚に対する依存性は、本実施例の磁
気記録媒体３０についても同様である。

【００８６】次に、本発明の第３実施例に係る磁気記録
媒体について説明する。

【００８７】本第３実施例に係る磁気記録媒体は、ガラ
スまたはアルミなどの非磁性基板上に、ＣｒまたはＣｒ
系合金からなる下地層を少なくとも１層を有する。好ま
しくは、この下地層上にＣｏ系合金からなる中間層を少
なくとも１層を有する。そして、この中間層上にＡｇを
含有した磁性層を有している。

【００８８】上記磁性層は、例えばＣｏＣｒＰｔＢＡｇ
合金であり、組成比Ｃｏ_{（１００−} _{ａ−ｂ−ｃ−ｄ）}Ｃ
ｒ_ａＰｔ_ｂＢ_ｃＡｇ_ｄ（２１≦ａ＋ｃ≦３０ａｔ％、６
≦ｂ≦２０ａｔ％、１≦ｄ≦９ａｔ％)で形成すること
が好ましい。

【００８９】さらに本実施例の磁性層は、異なる組成の
磁性材料を積層したものでもよく、例えばＣｏＣｒＰｔ
ＢとＣｏＣｒＰｔＡｇとを組み合わせ、少なくとも２層
に形成した複合型の磁性層として形成してもよい。

【００９０】また、上記下地層はＣｒ系合金であり、
Ｗ、Ｖ及びＭｏからなる群から少なくとも１つを選択し
た元素を含んでおり、その結晶構造がｂｃｃ構造（体心
立方構造）であるものにより形成されていることが好ま
しい。

【００９１】また、上記中間層はＣｏ系合金であり、Ｃ
ｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｒｅ及びＲｕからなる群から少
なくとも１つを選択した元素を含んでおり、その結晶構
造がｈｃｐ構造（最密六方構造）であるものにより形成
されていることが好ましい。。この中間層は０．５〜
３．０ｎｍの膜厚を有することが好ましい。

【００９２】本第３実施例に係る磁気記録媒体は低ノイ
ズ性の実現と、異方性磁界の向上を両立させた磁気記録
媒体となる。

【００９３】図２１は本第３実施例に係る磁気記録媒体
２０の積層構成を示した図である。

【００９４】ＮｉＰ膜を無電解メッキコートしたアルミ
基板に、同心円状にメカニカルまたはレーザーテクスチ
ャによりに表面処理を行うことにより基板２１を得るこ
とができる。

【００９５】本実施例の磁気記録媒体２０はスパッタリ
ング装置を用いた薄膜形成技術を用いて製造できる。よ
り具体的には、本実施例ではＤＣマグネトロンスパッタ
リング法を用いて成膜を行った。スパッタ室内の真空度
は４×１０^−５Ｐａ以下に排気して、Ａｒガスを導入し
てスパッタ室内を０．６７Ｐａに保持する。

【００９６】薄膜を形成する前に、基板１１表面に付着
している不純物のクリーニング化と結晶配向性の制御、
および磁性層２５の結晶粒間相互作用を抑制させるため
に、基板１１の温度を２００℃以上に加熱する。また、
基板温度が２７０℃を超えるとＮｉＰが結晶化するの
で、これを抑制するため成膜温度は２００〜２７０℃の
範囲とすることが好ましい。なお、本実施例では下地層
２２、２３の成膜前の基板温度は２２０℃とした。

【００９７】下地層の形成には、Ｃｒの上にＣｒより大
きな格子定数をもつＣｒ系合金を形成する。これによ
り、磁性層２５との結晶格子の面間隔の整合性が得られ
良好な面内配向を得ることができる。本実施例では、第
１下地層２２としてＣｒを５ｎｍの厚さで形成し、その
上に第２下地層２３としてＣｒＭｏ合金を２ｎｍの厚さ
で形成した。

【００９８】中間層２４にはｈｃｐ構造を持つＣｏ系合
金を用いることが望ましい。これにより、磁性層２５の
面内への結晶配向性をさらに向上させることができる。
ここで、中間層２４の膜厚の増加は分解能の低下を招く
ので、その膜厚は０．５〜３．０ｎｍの範囲から選択す
ることが望ましい。本磁気記録媒体２０の中間層２４
は、ＣｏＣｒＴａ合金を１ｎｍで形成した。

【００９９】そして、上記磁性層２５はＣｏＣｒＰｔＢ
Ａｇ合金膜を少なくとも１層含んでで形成されている。
本実施例の磁性層２５として組成比Ｃｏ_{（１００−Ｘ）}
Ｃｒ _２２Ｐｔ_１０Ｂ_４Ａｇ_Ｘ（Ｘ＝１〜１１）の範囲で
形成した。

【０１００】また、上記磁性層２５の膜厚ｔと残留磁束
密度の積ｔＢｒが増加すれば保磁力Ｈｃが大きくなる
が、過度のｔＢｒ増加は記録再生分解能の低下と保磁力
Ｈｃの低下を招くことにもなる。よって、磁性層２５の
ｔＢｒは２．０〜１０．０ｎＴｍの範囲に設定すること
が望ましい。本実施例では磁性層２５のｔＢｒを６．０
ｎＴｍとした。

【０１０１】上記磁性層２５上に形成する保護膜２６
は、Ｃ（炭素）を主成分とした膜を形成する方法が一般
的な方法であり、本実施例でも保護膜２６としてＣを６
ｎｍ形成した。

【０１０２】図２２は、室温でトルクロス法にて測定し
た異方性磁界ＨｋとＣｏ_{（１００−} _Ｘ）Ｃｒ_２２Ｐｔ
_１０Ｂ_４Ａｇ_Ｘ（Ｘ＝１〜１１）の組成を有する上記磁
性層２５のＡｇ含有量との関係について示した図であ
る。図２２では、異方性磁界Ｈｋが、上記磁性層２５の
Ａｇ含有量に対して依存性を有することが確認できる。

【０１０３】本実施例の磁気記録媒体２０での磁性層２
５によると、ＣｒとＢの組成比の合計が２８ａｔ%と媒
体ノイズが十分に小さい範囲でも、異方性磁界Ｈｋが向
上していることが確認できる。

【０１０４】図２３は、記録密度３５１ｋＦＣＩにおけ
るＣｏ_{（１００−Ｘ）}Ｃｒ_２２Ｐｔ _１０Ｂ_４Ａｇ_Ｘ（Ｘ
＝１〜１１）の組成を有する上記磁性層２５での、出力
信号に対する媒体ノイズ比（Ｓ／Ｎｍ）とＡｇ含有量と
の関係について示した図である。図２３では、Ｓ／Ｎｍ
が磁性層２５のＡｇ含有量に対して依存性を有すること
が確認できる。本実施例の磁気記録媒体２０の磁性層２
５は従来のＣｏＣｒＰｔＢ組成を有する磁性層よりも、
低ノイズ性に優れ、Ｓ／Ｎｍが向上している。

【０１０５】次に、本発明になる磁気記憶装置の一実施
例を、図２４及び図２５と共に説明する。図２４は磁気
記憶装置１２０の一実施例の要部を示す断面図であり、
図２５は同装置の要部を示す平面図である。

【０１０６】図２４及び図２５に示すように、磁気記憶
装置は大略ハウジング１２３からなる。ハウジング１２
３内には、モータ１２４、ハブ１２５、複数の磁気記録
媒体１２６、複数の記録再生ヘッド１２７、複数のサス
ペンション１２８、複数のアーム１２９及びアクチュエ
ータユニット１２１が設けられている。磁気記録媒体１
２５はモータ１２４により回転されるハブ１２５に取付
けられている。記録再生ヘッド１２７は、ＭＲヘッドや
ＧＭＲヘッド等の再生ヘッドと、インダクティブヘッド
等の記録ヘッドとからな複合型の記録再生ヘッドであ
る。各記録再生ヘッド１２７は、対応するアーム１２９
の先端にサスペンション１２８を介して取付けられてい
る。アーム１２９はアクチュエータユニット１２１によ
り駆動される。この磁気記憶装置の基本構成自体は周知
であり、その詳細な説明は本明細書では省略する。

【０１０７】上記磁気記憶装置１２０の実施例は磁気記
録媒体１２６に特徴がある。各磁気記録媒体１２６は、
図２、図１６或いは図２１で説明した構成を有する。勿
論、磁気記録媒体１２６の数は３枚には限定されず、１
枚でも、２枚又は４枚以上であってもよい。本磁気記憶
装置の基本構成は、図２４及び図２５に示すものに限定
されるものではない。また、本発明で用いる磁気記憶媒
体は磁気ディスクに限定されるものではない。

【０１０８】以上本発明の好ましい実施例について詳述
したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるもの
ではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の
範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

【０１０９】なお、以上の説明に関して更に以下の付記
を開示する。

【０１１０】（付記１）基板と該基板上に下地層を介
して、少なくとも１層のコバルト系合金材料からなる磁
性層を有する磁気記録媒体において、前記下地層と前記
磁性層との間に、コバルト系合金より成る少なくとも２
層以上に形成した中間層を備え、前記中間層の内で、最
下層に形成された第１中間層はコバルト及びクロムを含
み、該第１中間層の組成は、Ｃｏ−Ｃｒ_Ｘ（７≦Ｘ≦２
８ａｔ％）であり、前記第１中間層より上層に形成され
る第２中間層以後の中間層の組成は、Ｃｏ−Ｃｒ_Ｙ（２
９≦Ｙ≦４５ａｔ％）である、ことを特徴とする磁気記
録媒体。

【０１１１】（付記２）基板と該基板上に下地層を介
して、少なくとも１層のコバルト系合金材料からなる磁
性層を有する磁気記録媒体において、前記下地層と前記
磁性層との間に、コバルト系合金より成る少なくとも２
層以上に形成した中間層を備え、前記中間層の内で、最
下層に形成された第１中間層はコバルト及びクロムを含
み、該第１中間層の組成は、Ｃｏ−Ｃｒ_Ｘ（７≦Ｘ≦２
８ａｔ％）であり、前記第１中間層より上層に形成され
る第２中間層以後の中間層の組成は、Ｃｏ−Ｃｒ_Ｙ−Ｍ
_Ｚであり（但し、ＭはＭｎ、Ｒｅ及びＭｏからなる群か
ら選択された少なくとも１つである。）、かつ（２９≦
Ｙ＋Ｚ≦４５ａｔ％）である、ことを特徴とする磁気記
録媒体。

【０１１２】（付記３）付記１又は２に記載の磁気記
録媒体において、前記中間層は、クロム、白金、タンタ
ル及びホウ素から成る群から選択された少なくとも１つ
が含まれており、かつ前記第１中間層の材料の飽和磁束
密度Ｂｓは、０．４〜０．９Ｔであり、前記第１中間層
より上層に形成される第２中間層以後の中間層の飽和磁
束密度Ｂｓは０〜０．４Ｔであることを特徴とする磁気
記録媒体。

【０１１３】（付記４）付記１から３のいずれかに記
載の磁気記録媒体において、前記第１中間層の膜厚は１
〜５ｎｍであることを特徴とする磁気記録媒体。

【０１１４】（付記５）付記１から３のいずれかに記
載の磁気記録媒体において、前記第２中間層の膜厚は１
〜５ｎｍであることを特徴とする磁気記録媒体。

【０１１５】（付記６）付記１から５のいずれかに記
載の磁気記録媒体において、前記磁性層は、クロム、白
金及びホウ素より成る群から選択される少なくとも１つ
が含まれており、該磁性層は次の組成を満たし、２０≦
Ｃｒ≦２６、６≦Ｐｔ≦２０、１≦Ｂ≦７、残部Ｃｏ
（ａｔ％）かつ、前記磁性層の膜厚ｔと残留磁束密度Ｂ
ｒの積ｔＢｒが７．０ｎＴｍ以下に設定されていること
を特徴とする磁気記録媒体。

【０１１６】（付記７）付記１から６のいずれかに記
載の磁気記録媒体において、前記下地層は、クロムを主
成分として、モリブデン、タンタル、チタン、タングス
テン及びバナジウムから成る群から選択された少なくと
も１つの元素を含み、該元素が少なくとも１ａｔ％含有
されていることを特徴とする磁気記録媒体。

【０１１７】（付記８）付記１から６のいずれかに記
載の磁気記録媒体において、前記下地層は、クロムと、
クロムを主成分としモリブデン、タンタル、チタン、タ
ングステン、及びバナジウムから成る群から選択された
少なくとも１つの元素を含み、該元素が少なくとも１ａ
ｔ％含有されているクロム系合金とを２層以上積層した
ことを特徴とする磁気記録媒体。

【０１１８】（付記９）付記８に記載の磁気記録媒体
において、前記下地層は、下層にクロム膜が形成され、
その上層に前記クロム系合金膜が形成されていることを
特徴とする磁気記録媒体。

【０１１９】（付記１０）基板と該基板上に下地層を
介して、少なくとも１層のコバルト系合金材料からなる
磁性層を有する磁気記録媒体において、前記磁性層は、
ＣｏＣｒＰｔＢ合金にＡｇを含有し、該磁性層の組成比
が、Ｃｏ_{（１００−ａ−ｂ−ｃ−ｄ）}Ｃｒ_ａＰｔ_ｂＢ_ｃＡｇ_ｄ（２１≦ａ＋ｃ≦３０ａｔ％、６≦ｂ≦２０ａｔ％、１≦ｄ≦９ａｔ％) の範囲にあることを特徴とする磁気記録媒体。

【０１２０】（付記１１）付記１０に記載の磁気記録
媒体において、前記磁性層は、ＣｏＣｒＰｔＢ及びＣｏ
ＣｒＰｔＢＡｇの磁性材料を組合せ、２層以上の複合磁
性層として形成されていることを特徴とする磁気記録媒
体。

【０１２１】（付記１２）付記１０又１１に記載の磁
気記録媒体において、前記磁性層の膜厚ｔと残留磁束密
度Ｂｒの積ｔＢｒが、２．０〜１０．０ｎＴｍであるこ
とを特徴とする磁気記録媒体。

【０１２２】（付記１３）付記１０から１２のいずれ
かに記載の磁気記録媒体において、前記下地層と前記磁
性層との間に、コバルト系合金よりなる中間層を備え
る、ことを特徴とする磁気記録媒体。

【０１２３】

【発明の効果】以上詳述したところから明らかなよう
に、請求項１から５に記載の発明によれば、ノイズ低減
を図ると共に低いｔＢｒで耐熱揺らぎ性の向上も実現し
た高密度記録が可能な磁気記録媒体を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】磁性層の保磁力ＨｃとＣｒ含有量との関係の一
例を示した図である。

【図２】本発明の第１実施例に係る磁気記録媒体の積層
構成を示した図である。

【図３】本発明によらない比較例の磁気記録媒体の積層
構成を示した図である。

【図４】第１実施例の磁気記録媒体の磁性層の保磁力Ｈ
ｃと、中間層の膜厚との関係を示した図である。

【図５】第１実施例の磁気記録媒体の磁性層の異方性磁
界Ｈｋと、第１中間層の膜厚との関係を示した図であ
る。

【図６】第１実施例の磁気記録媒体及び比較例の磁気記
録媒体の各磁性層に関し、記録信号出力への経時変化に
ついて示した図である。

【図７】第１実施例の磁気記録媒体の孤立波Ｓｉｓｏ／
Ｎｍと、第１中間層の膜厚との関係を示した図である。

【図８】第１実施例の磁気記録媒体の孤立波Ｓｉｓｏ／
Ｎｍと、第２中間層の膜厚との関係を示した図である。

【図９】第１実施例の磁気記録媒体に記録再生を行った
場合のＳ／Ｎｍと、第１中間層の飽和磁束密度Ｂｓとの
関係を示した図である。

【図１０】Ｃｒ含有量と飽和磁束密度Ｂｓとの関係を示
した図である。

【図１１】第１実施例の磁気記録媒体の孤立波Ｓｉｓｏ
／Ｎｍと磁性層中のＣｒ含有量との関係を示した図であ
る。

【図１２】第１実施例の磁性層の飽和磁束密度Ｂｓと、
磁性層中のＣｒ含有量との関係を示した図である。

【図１３】第１実施例の磁性層の保磁力Ｈｃと、磁性層
中のＰｔ含有量との関係を示した図である。

【図１４】第１実施例の磁性層の保磁力Ｈｃと、磁性層
中のＢ含有量との関係を示した図である。

【図１５】Ｏ．Ｒ．のトータル下地層の膜厚に対する依
存性を示した図である。

【図１６】第２実施例に係る磁気記録媒体の積層構成を
示した図である。

【図１７】第２実施例の磁気記録媒体の孤立波Ｓｉｓｏ
／Ｎｍと、第１中間層の膜厚との関係を示した図であ
る。

【図１８】第２中間層の膜厚を変更した場合でのトータ
ルＳ／Ｎの膜厚依存性を示した図である。

【図１９】第２実施例の磁気記録媒体に記録再生を行っ
た場合のＳ／Ｎｍと、第１中間層の飽和磁束密度Ｂｓと
の関係を示した図である。

【図２０】Ｃｒ或いは（Ｃｒ＋Ｍ）含有量と飽和磁束密
度Ｂｓとの関係を示した図である。

【図２１】第３実施例に係る磁気記録媒体の積層構成を
示した図である。

【図２２】室温でトルクロス法にて測定した異方性磁界
Ｈｋと磁性層のＡｇ含有量との関係について示した図で
ある。

【図２３】記録密度３５１ｋＦＣＩにおける、出力信号
に対する媒体ノイズ比（Ｓ／Ｎｍ）と磁性層のＡｇ含有
量との関係について示した図である。

【図２４】磁気記憶装置の一実施例の要部を示す断面図
である。

【図２５】図２４に示す磁気記憶装置の要部を示す平面
図である。

【符号の説明】

１０磁気記録媒体１１基板１２第１下地層１３第２下地層１４第１中間層１５第２中間層１６磁性層１７保護膜２０磁気記録媒体２１基板２２第１下地層２３第２下地層２４中間層２５磁性層２６保護膜３０磁気記録媒体３５第２中間層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者菊池暁山形県東根市大字東根元東根字大森5400番２（番地なし）株式会社山形富士通内 (72)発明者郷家隆志山形県東根市大字東根元東根字大森5400番２（番地なし）株式会社山形富士通内 (72)発明者村尾玲子山形県東根市大字東根元東根字大森5400番２（番地なし）株式会社山形富士通内Ｆターム(参考） 5D006 BB01 CA01 CA05 CA06 DA03 EA03 FA09

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板と該基板上に下地層を介して、少な
くとも１層のコバルト系合金材料からなる磁性層を有す
る磁気記録媒体において、前記下地層と前記磁性層との間に、コバルト系合金より
成る少なくとも２層以上に形成した中間層を備え、前記中間層の内で、最下層に形成された第１中間層はコ
バルト及びクロムを含み、該第１中間層の組成は、Ｃｏ−Ｃｒ_Ｘ（７≦Ｘ≦２８ａｔ％）であり、前記第１中間層より上層に形成される第２中間層以後の
中間層の組成は、Ｃｏ−Ｃｒ_Ｙ（２９≦Ｙ≦４５ａｔ％）である、ことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】基板と該基板上に下地層を介して、少な
くとも１層のコバルト系合金材料からなる磁性層を有す
る磁気記録媒体において、前記下地層と前記磁性層との間に、コバルト系合金より
成る少なくとも２層以上に形成した中間層を備え、前記中間層の内で、最下層に形成された第１中間層はコ
バルト及びクロムを含み、該第１中間層の組成は、Ｃｏ−Ｃｒ_Ｘ（７≦Ｘ≦２８ａｔ％）であり、前記第１中間層より上層に形成される第２中間層以後の
中間層の組成は、Ｃｏ−Ｃｒ_Ｙ−Ｍ_Ｚであり（但し、ＭはＭｎ、Ｒｅ及び
Ｍｏからなる群から選択された少なくとも１つであ
る。）、かつ（２９≦Ｙ＋Ｚ≦４５ａｔ％）である、ことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項３】請求項１又は２に記載の磁気記録媒体に
おいて、前記中間層は、クロム、白金、タンタル及びホウ素から
成る群から選択された少なくとも１つが含まれており、
かつ前記第１中間層の材料の飽和磁束密度Ｂｓは、０．
４〜０．９Ｔであり、前記第１中間層より上層に形成される第２中間層以後の
中間層の飽和磁束密度Ｂｓは０〜０．４Ｔであることを
特徴とする磁気記録媒体。
【請求項４】請求項１から３のいずれかに記載の磁気
記録媒体において、前記第１中間層の膜厚は１〜５ｎｍであることを特徴と
する磁気記録媒体。
【請求項５】基板と該基板上に下地層を介して、少な
くとも１層のコバルト系合金材料からなる磁性層を有す
る磁気記録媒体において、前記磁性層は、ＣｏＣｒＰｔＢ合金にＡｇを含有し、該
磁性層の組成比が、Ｃｏ_{（１００−ａ−ｂ−ｃ−ｄ）}Ｃｒ_ａＰｔ_ｂＢ_ｃＡｇ_ｄ（２１≦ａ＋ｃ≦３０ａｔ％、６≦ｂ≦２０ａｔ％、１≦ｄ≦９ａｔ％) の範囲にあることを特徴とする磁気記録媒体。