JP2003075384A

JP2003075384A - ガスクロマトグラフ用半導体ガスセンサ

Info

Publication number: JP2003075384A
Application number: JP2001263721A
Authority: JP
Inventors: Mariko Sugimura; 真理子杉村; Hiroshi Koda; 弘史香田; Noriko Yoriyoshi; 典子寄吉
Original assignee: FIS Inc
Current assignee: FIS Inc
Priority date: 2001-08-31
Filing date: 2001-08-31
Publication date: 2003-03-12
Also published as: WO2003019169A1

Abstract

(57)【要約】【課題】微量のガスを高感度に検出することができ、
特に呼気中成分の検出のためのガスクロマトグラフに好
適に用いられるガスクロマトグラフ用半導体ガスセンサ
を提供する。【解決手段】試料ガスがキャリアガスと混合されて分
離カラムに導入された後に分離カラムから導出されたガ
ス中成分を検出するガスクロマトグラフ用半導体ガスセ
ンサに関する。酸化インジウムを含有する金属酸化物半
導体からなる感応素子１を具備する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ガスクロマトグラ
フに適用される半導体ガスセンサに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ガスクロマトグラフィーは、ガス中の成
分の定性・定量分析に広く用いられており、これは試料
ガスをキャリアガスと共に、充填材が充填されている分
離カラムに導入し、試料ガス中に含まれる成分が分離カ
ラム中の充填材との相互作用によるリテンションタイム
（保持時間）の差により分離され、この分離されたガス
中成分を分離カラム１から導出し、熱伝導度検出器（Ｔ
ＣＤ）や水素炎イオン化検出器（ＦＩＤ）等の検出器に
て検出することにより、クロマトグラムが得られるもの
である。

【０００３】近年、ガスクロマトグラフにおける検出器
として、上記のようなＴＣＤやＦＩＤに代わり、更に高
感度の半導体ガスセンサを用いることが提案されている
（特開平６−２１３７８０）。

【０００４】一方、医療分野における呼気中の成分の分
析による疾病の発見や治療効果の確認のために、ガスク
ロマトグラフィーの導入が検討されており、このためガ
スクロマトグラフ用の検出器として、呼気中の成分を高
感度で検出できるものが要望されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来半導体ガ
スセンサとして広く用いられている酸化スズガスセンサ
では、ガスクロマトグラフの検出器として用いた場合、
１ｐｐｍ以下の低濃度のガス、例えば人間の呼気中に含
まれる微量ガスなどを検出するためには感度が不充分で
あった。

【０００６】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、微量のガスを高感度に検出することができ、特に
呼気中成分の検出のためのガスクロマトグラフに好適に
用いられるガスクロマトグラフ用半導体ガスセンサを提
供することを目的とするものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
ガスクロマトグラフ用半導体ガスセンサは、試料ガスが
キャリアガスと混合されて分離カラム３０に導入された
後に分離カラム３０から導出されたガス中成分を検出す
るガスクロマトグラフ用半導体ガスセンサにおいて、酸
化インジウムを主成分とする金属酸化物半導体からなる
感応素子１を具備して成ることを特徴とするものであ
る。

【０００８】また請求項２の発明は、請求項１におい
て、感応素子１中に金を添加して成ることを特徴とする
ものである。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。

【００１０】半導体ガスセンサを構成する感応素子１は
酸化インジウムを主成分とする金属酸化物半導体から構
成されるものであり、これにより、ガス中の硫化水素や
メチルメルカプタン等の成分を高感度で検出できる。感
応素子１全量に対する酸化インジウムの含有量は、好ま
しくは５０〜１００重量％の範囲とする。

【００１１】また感応素子１中には更に金を含有させる
ことにより、更に高感度かつ応答性が良好な感応素子１
が得られる。金の添加量は特に制限されないが、感度と
応答性とを十分に向上させるには、酸化インジウム１０
０重量部に対して０．１〜１０重量部の範囲とすること
が好ましい。

【００１２】また、この感応素子１には、バインダーと
して、有機シリカやコロイダルシリカ等のシリカ系バイ
ンダーや、アルミナゾル等のアルミナバインダーを添加
すると、素子強度を向上することができる。バインダー
の添加量は特に限定されるものではなく、感応素子１に
充分な強度を付与するために必要とされる適宜の量が用
いられる。

【００１３】以下に、感応素子１の製造方法を例示す
る。

【００１４】塩化インジウム水溶液にアンモニアを添加
して得られる酸化インジウムを例えば５００℃で１時間
焼成した後に粉砕して、粉体状の酸化インジウムを得
る。

【００１５】次いで、金を添加する場合には、例えば粉
体状の酸化インジウムに塩化金酸水溶液を、この酸化イ
ンジウムに対する金の含有量が所望の値（例えば０．３
％）となるように添加する。そしてこれを例えば７００
℃で１時間焼成することにより、金が添加された酸化イ
ンジウムを得る。

【００１６】この粉体状の酸化インジウム又は金が添加
された酸化インジウムに、水を加えてペースト状とし
て、センサ基体に塗布又は印刷した後、例えば空気中で
７００℃で１０分間焼成して、感応素子１が得られる。

【００１７】また感応素子１中に金を含有させる場合に
は、まず金が添加されていない酸化インジウム粉体に、
水を加えてペースト状として、センサ基体に塗布又は印
刷した後、例えば空気中で７００℃で１０分間焼成した
後に、例えば０．００３ｇの焼結体に対して塩化金酸水
溶液（金含有量３ｍｇ／ｃｍ³）を０．０５μｌ塗布
し、更に７００℃で１０分間焼成することにより、酸化
インジウムに対する金含有量が０．５重量％の感応素子
１を形成することもできる。

【００１８】このようにして得られる感応素子１を用
い、この感応素子１に電気抵抗測定用の一対の電極を設
けることにより、半導体ガスセンサを構成することがで
きる。

【００１９】図１，２に示す半導体ガスセンサでは、ヒ
ータ４及び芯線３をセンサ基体として、このヒータ４及
び芯線３を覆うように楕円球体状に感応素子１が形成さ
れている。この半導体ガスセンサは、支持蓋５に支持さ
れた状態で有底筒状のセンサ筐体８内外に突出する３本
の端子６ａ，６ｂ，６ｃと、端子６ａ，６ｂ，６ｃにリ
ード線２ａ，２ｂ，２ｃを接続固定し、またセンサ筐体
８の天上面にはガス導入用のステンレス製の金網９が設
けられている。ここに、ヒータ４は上述のリード線２
ａ，２ｃ間にコイル状に設けられ、芯線３は上述のリー
ド線２ｂにてコイル状のヒータを貫通するようにして形
成されている。また、リード線２ｂとリード線２ａ，２
ｃのいずれか一方とで電気抵抗測定用の電極を構成し、
リード線２ａとリード線２ｃとがヒータ加熱用の電極を
構成している。

【００２０】この半導体ガスセンサは、ガスクロマトグ
ラフの検出器１４を構成するものであり、このとき検出
器には必要に応じて、半導体ガスセンサの検知出力を増
幅するアンプが設けられる。

【００２１】図４，５はガスクロマトグラフの装置構成
の概略を示すものであり、図３はガスクロマトグラフの
外観を示す。

【００２２】図４に示すガスクロマトグラフは装置本体
３４に、測定対象である試料ガスや検出器１４の構成等
に応じた水素ガス、ヘリウムガス等の適宜のキャリアガ
スが充填されたガスボンベ３７が装置本体３４に接続さ
れている。装置本体３４内にはガスボンベ３７から供給
されたキャリアガスが流通するガス流路３５の上流側か
ら下流側に沿って、流量切替器３６、流量計１０、試料
ガス供給口１１、分離カラム３０、検出器１４が順次設
けられている。また装置本体３４には、装置本体３４の
動作設定や装置本体３４における検出結果の解析等を行
う制御部１５と、制御部１５における動作設定や検出結
果、その解析結果等を表示する表示部１６とが接続され
ている。制御部１５及び表示部１６は図３に示すように
パーソナルコンピュータ２４にて構成することができ、
装置本体３４とパーソナルコンピュータ２４とはケーブ
ル２９にて接続されている。

【００２３】また図３に示すように、装置本体３４のハ
ウジングには、電源スイッチ２６、分離カラム３０の加
熱保持温度を設定するカラム加熱温度調整盤２７、流量
切替器３６におけるキャリアガスの流量を設定するキャ
リアガス流量切替スイッチ２８、測定動作の開始を設定
する動作開始スイッチ２５等が設けられており、また試
料ガス供給口１１もハウジングの外面に開口して設けら
れている。

【００２４】上記の分離カラム３０には、図６に示すよ
うに、その外面にラバーヒータ３１を密接して配設して
いる。分離カラム３０はステンレス、銅等の金属や、ポ
リフッ化エチレン樹脂（テフロン（Ｒ）等）等の樹脂成
形体等にて中空筒状に形成されており、内部には固定相
となる充填材が充填される。分離カラム３０を樹脂成形
体にて形成する場合にはその外面に金属箔等で金属被覆
を施して熱伝導性を向上することが好ましい。充填材は
検出対象の試料ガスやキャリアガスの種類に応じた適宜
のものが用いられ、例えばジーエルサイエンス株式会社
製の「β，β′−ＯＤＰＮ２５％ＵｎｉｐｏｒｔＨ
Ｐ」が充填されているものを用いることができる。ラバ
ーヒータ３１はシリコーンラバーシート等の絶縁性ラバ
ーにて抵抗体３２を絶縁したフレキシブルなヒータであ
り、抵抗体３２が分離カラム３０の外周面に一端側から
他端側に亘って螺旋状に周回するようにして、分離カラ
ム３０の外面に密着して配設される。また、この分離カ
ラム３０には熱電対からなる温度センサ３３が設けられ
ており、この熱電対はポリフッ化エチレン樹脂（テフロ
ン（Ｒ）等）やガラスウール等の絶縁材にて絶縁被覆さ
れた状態で分離カラム３０の外面に配設され、この温度
センサ３３にて分離カラム３０の温度を検知するように
している。

【００２５】このような分離カラム３０の近傍には冷却
用のファン１２が配設される。このファン１２は分離カ
ラム３０に向けて送風を行うように配設されている。

【００２６】また装置本体３４内にはカラム加熱温度調
整盤２７における設定動作に従って動作する温度制御器
１３が設けられており、上記の温度センサ３３による検
知結果は温度制御器１３に入力され、またラバーヒータ
３１における通電量や、冷却用ファン１２の駆動は、温
度センサ３３による検知結果に基づいて温度制御器１３
にて制御される。

【００２７】この図４に示されるガスクロマトグラフを
用い、電源スイッチ２６を操作してガスクロマトグラフ
を起動し、動作開始スイッチ２５を操作して測定動作の
開始を設定し、ガスボンベ３７からガス流路３５内にキ
ャリアガスを供給すると共に試料ガス供給口１１から試
料ガスを導入すると、ガス流路３５に供給されたキャリ
アガスの流量が流量切替器３６にて調整され、流量計１
０による検知によりキャリアガスの流通とその流量が確
認された後に、試料ガス供給口１１から供給された試料
ガスがキャリアガスと混合される。この混合ガスは分離
カラム３０に導入されて、分離カラム３０内部の固定相
を通過することにより固定相との相互作用によってガス
中成分が分離されて、分離カラム３０から導出される。
次いで、分離カラム３０から導出されたガス中成分が検
出器１４にて検出され、この検出情報が制御部１５に入
力されて解析され、クロマトグラムが得られるものであ
り、またこの検出結果が表示部１６にて表示されるもの
である。

【００２８】この測定動作中においては、分離カラム３
０は温度制御器１３による制御により、カラム加熱温度
調整盤２７にて設定された所定の温度となるようにラバ
ーヒータ３１への通電がなされて、加熱される。このと
き温度制御器１３は温度センサ３３による検知結果を基
にして、ラバーヒータ３１への通電量を制御し、また必
要に応じてファン１２を駆動することにより、分離カラ
ム３０を所定の温度に加熱保持する。このため、分離カ
ラム３０におけるガス中成分のリテンションタイムを一
定に保って、正確な測定が行われる。

【００２９】また、図５には、キャリアガスとして空気
を用いるようにしたガスクロマトグラフの装置構成の一
例を示す。このガスクロマトグラフの装置本体３４内に
はキャリアガスが流通するガス流路３５の上流側から下
流側に沿ってエアーポンプ１７、リーク流路１８、流量
切替器３６、浄化フィルタ２０、流量計１０、試料ガス
供給口１１、分離カラム３０、検出器１４が順次設けら
れている。

【００３０】エアーポンプ１７は外気をガスクロマトグ
ラフ内のガス流路３５に送出するものである。またリー
ク流路１８はガス流路３５から外気に向けて分岐される
と共にリーク弁１９が設けられ、ガス流路３５に流入し
た過剰な空気をリーク流路１８から外気に放出すること
によりガス流路３５の内圧が過度に大きくなることを抑
制し、エアーポンプ１７にかかる負荷を調節するように
している。また浄化フィルタ２０は内部に活性炭及びシ
リカゲルを充填するなどして構成され、ガス流路３５を
流通するキャリアガス（空気）を清浄化するものであ
る。また流量切替器３６、流量計１０、試料ガス供給口
１１、分離カラム３０の構成は、図４に示されるものと
同様である。

【００３１】この図５に示されるガスクロマトグラフで
は、エアーポンプ１７によってガス流路３５に供給され
る空気の流量が流量切替器３６にて調整された後、この
空気が浄化フィルタ２０を通過することにより清浄化さ
れ、更に流量計１０による検知により空気の流通とその
流量が確認された後に、試料ガス供給口１１から試料ガ
スが供給されて空気と混合される。この混合ガスは分離
カラム３０に導入されて、分離カラム３０内部の固定相
を通過することにより固定相との相互作用によってガス
中成分が分離されて、分離カラム３０から導出される。
次いで、分離カラム３０から導出されたガス中成分が検
出器１４にて検出され、この検出情報が制御部１５に入
力されて処理され、クロマトグラムが得られるものであ
り、またこの検出結果が表示部１６にて表示されるもの
である。

【００３２】このようなガスクロマトグラフでは、キャ
リアガスを供給するためにガスボンベ３７を接続する必
要がなくなり、更に装置の小型化が可能となる。

【００３３】以上のようにして構成されるガスクロマト
グラフにおいて、検出器として上記のような半導体ガス
センサを適用すると、分離カラム３０を通過したガスを
検知することにより、感応素子１が感応する試料中のガ
ス中成分が分離され、この分離された各ガス中成分が半
導体ガスセンサにて高感度で検知される。ここで、本発
明では上記のような感応素子１を用いているために、硫
化水素、メチルメルカプタン、硫化ジメチル、アセト
ン、イソプレン、エタノール、アセトアルデヒド等を分
離してそれぞれの検出を行うことができるものであり、
またその他にも、後述する実施例に示すような種々のガ
スを検出することができるものである。またカラム条件
を変更することにより、更に他のガス成分を検出した
り、特定のガスを高感度で検出したりすることができる
ものであり、例えば分離カラム３０中の充填材としてジ
ーエルサイエンス株式会社製の「ＰｏｒａｐａｑＱ」を
用い、カラム温度を１７０℃として測定を行うと、アセ
トンを更に高感度で測定することができて、５０ｐｐｂ
程度の低濃度のアセトンの検出も可能となる。

【００３４】このように上記の半導体ガスセンサにてガ
スクロマトグラフにおける検出器１４を構成すると、ガ
スクロマトグラフを医療分野等における呼気中の成分検
出用として構成することができる。例えば歯科医療にお
ける呼気中のメチルメルカプタン、硫化水素、硫化ジメ
チル等の分析による口臭の有無の判定に利用することが
できるものである。

【００３５】

【実施例】以下、本発明を実施例によって詳述する。

【００３６】（実施例１）半導体ガスセンサとしては、
図１，２に示すものを作製した。ここで感応素子１とし
ては、次に示すようにして形成されたものを用いた。

【００３７】まず塩化インジウム水溶液にアンモニアを
添加して得られる酸化インジウムを５００℃で１時間焼
成した後に粉砕して、粉体状の酸化インジウムを得た。
次に、この粉体状の酸化インジウムに、水を加えてペー
スト状として、センサ基体に塗布した後、空気中で７０
０℃で１０分間焼成して、感応素子１を形成した。

【００３８】（実施例２）塩化インジウム水溶液にアン
モニアを添加して得られる酸化インジウムを５００℃で
１時間焼成した後に粉砕して、粉体状の酸化インジウム
を得た。次いで、この粉体状の酸化インジウムに塩化白
金酸水溶液を、酸化インジウムに対する金の含有量が
０．３重量％となるように添加した後、７００℃で１０
分間焼成した。この金が添加された酸化インジウムに、
水を加えてペースト状として、センサ基体に塗布した
後、空気中で７００℃で１０分間焼成して、感応素子１
を形成した。

【００３９】それ以外は実施例１と同様にして半導体ガ
スセンサを形成した。

【００４０】（実施例３）塩化インジウム水溶液にアン
モニアを添加して得られる酸化インジウムを５００℃で
１時間焼成した後に粉砕して、粉体状の酸化インジウム
を得た。次いで、この酸化インジウム粉体に、水を加え
てペースト状として、センサ基体に塗布した後、空気中
で７００℃で１０分間焼成して０．００３ｇの焼結体を
形成し、これに対して塩化金酸水溶液（金含有量３ｍｇ
／ｃｍ³）を０．０５μｌ塗布し、更に７００℃で１０
分間焼成することにより、酸化インジウムに対する金含
有量が０．５重量％の感応素子１を形成した。

【００４１】それ以外は実施例１と同様にして半導体ガ
スセンサを形成した。

【００４２】（比較例１）無水タングステン酸を５００
℃で１時間焼成して得られる三酸化タングステンを粉砕
して粉体状の三酸化タングステンを得た。この粉体状の
三酸化タングステンに水を加えてペースト状とし、セン
サ基体に塗布した後、空気中で７００℃で１０分間焼成
して、感応素子１を形成した。

【００４３】それ以外は実施例１と同様にして、半導体
ガスセンサを形成した。

【００４４】（比較例２）四塩化スズ水溶液にアンモニ
アを添加して得られる水酸化スズを５００℃で１時間焼
成した後に粉砕して粉体状の酸化スズを得た。この粉体
状の酸化スズに水を加えてペースト状とし、センサ基体
に塗布した後、空気中で７００℃で１０分間焼成して、
感応素子１を形成した。

【００４５】それ以外は実施例１と同様にして半導体ガ
スセンサを形成した。

【００４６】（比較例３）塩化亜鉛水溶液にアンモニア
を添加して得られる水酸化亜鉛を５００℃で１時間焼成
した後、粉砕して、粉体状の酸化亜鉛を得た。この粉体
状の酸化亜鉛に水を加えてペースト状とし、センサ基体
に塗布した後、空気中で７００℃で１０分間焼成して、
感応素子１を形成した。

【００４７】それ以外は実施例１と同様にして、半導体
ガスセンサを形成した。

【００４８】（評価試験）実施例１〜３及び比較例１〜
３の半導体ガスセンサを、図５に示すようなキャリアガ
スとして空気を用いるガスクロマトグラフの検出器１４
に適用して、試料ガスの測定を行った。

【００４９】ここで、分離カラム３０としては、内径５
ｍｍ、長さ２５ｃｍのテフロン（Ｒ）製チューブ中に充
填材としてジーエルサイエンス株式会社製の「β，β′
−ＯＤＰＮ２５％ＵｎｉｐｏｒｔＨＰ」を充填し、
その外面にラバーヒータ３１を密接して配設したものを
用い、カラム温度を４０℃に保持した。

【００５０】また試料ガスとしては硫化水素を０．０５
ｐｐｍ、メチルメルカプタンを１ｐｐｍ含有するものを
試料ガス供給口１１からシリンジを用いて０．５ｃｍ³
注入することにより供給するものとし、またキャリアガ
ス（清浄空気）の流量は、２０ｃｍ³／ｍｉｎとした。

【００５１】実施例１及び比較例１〜３にて得られたク
ロマトグラムを図７に、このクロマトグラムにおける硫
化水素及びメチルメルカプタンの検出ピークのピーク面
積を図８にそれぞれ示す。尚、図７における縦軸の出力
値は絶対値ではなく、適当な値を０とした場合の相対値
を示している。

【００５２】これらの結果から明らかなように、実施例
１では比較例１〜３よりも高感度で硫化水素及びメチル
メルカプタンが検出され、１ｐｐｍ未満の領域において
これらのガスが検出可能であることが判明した。

【００５３】また実施例１〜３にて得られたクロマトグ
ラムを図９に、このクロマトグラムにおける硫化水素及
びメチルメルカプタンの検出ピークのピーク面積を図１
０にそれぞれ示す。

【００５４】これらの結果から明らかなように、金を添
加した実施例３では実施例１，２よりも高感度で硫化水
素及びメチルメルカプタンが検出され、またガス検出後
の検出出力の戻りが速くテーリングが小さいものであ
り、応答性が非常に良好なものであった。

【００５５】また、実施例３において、硫化ジメチルを
含有する試料ガスについての測定を行った結果、得られ
たクロマトグラムを図１１に示す。ここで、試料ガスと
しては、硫化ジメチル濃度が１．０ｐｐｍのものと、
０．３ｐｐｍのものについて、それぞれ測定を行い、そ
の他の測定条件は上記のものと同様とした。

【００５６】この結果から明らかなように、本発明の半
導体ガスセンサでは、硫化ジメチルについても高感度に
測定できるものである。

【００５７】また、実施例１，３において、試料ガス中
の硫化水素及びメチルメルカプタンの含有量を変動させ
た場合の、検出ピークのピーク面積の変動を調査した結
果を図１２に示す。図１２（ａ）は実施例３における結
果を示し、図１２（ｂ）は実施例１における結果を示す
ものである。また実施例３においては、硫化ジメチルに
ついても同様の調査を行い、その結果を図１２（ａ）に
併せて示している。

【００５８】この結果から明らかなように、実施例１，
３での検出ピークのピーク面積は検知対象のガス濃度の
増減に応じて増減し、これにより検出ピークのピーク面
積から検出対象のガスを精度良く定量することができる
ことが確認される。

【００５９】また、メチルメルカプタン、硫化水素及び
硫化ジメチルの濃度が３０ｐｐｂ程度の濃度においても
検出可能であることが確認された。

【００６０】ここで、呼気中のメチルメルカプタン、硫
化水素、硫化ジメチル等の揮発性硫黄化合物の濃度につ
いて、口臭を感じるか感じないかの境界は１００〜３０
０ｐｐｂ程度であるといわれており、これに対して実施
例１，３ではこれらのガスを３０ｐｐｂ程度の濃度まで
定量的に検出することができるため、これまで官能的な
判定に頼ることの多かった口臭の有無を、正確な数値で
判定することが可能なものである。

【００６１】また、実施例３において、種々のガス成分
についてそれぞれ単独でガス成分の検出を行った。この
とき得られた各ガス成分ごとのクロマトグラムを図１３
に示す。尚、このときキャリアガスの流量は１０ｃｍ³
／ｍｉｎとして測定を行っている。また硫化ジメチル、
メチルメルカプタン、硫化水素については、それぞれ濃
度１ｐｐｍの試料ガスに対して測定を行い、それ以外の
ガスについては、濃度１０ｐｐｍの試料ガスについて測
定を行っている。その他の条件は上記のものと同様であ
る。

【００６２】この結果から明らかなように、本発明のガ
スクロマトグラフ用半導体ガスセンサでは、硫化ジメチ
ル、メチルメルカプタン、硫化水素以外に、一酸化炭
素、水素、メタン、アンモニア、イソプレン、アセトア
ルデヒド、アセトン、エタノール等の種々の成分の測定
をも行うことができるものである。

【００６３】

【発明の効果】上記のように本発明の請求項１に係るガ
スクロマトグラフ用半導体ガスセンサは、試料ガスがキ
ャリアガスと混合されて分離カラムに導入された後に分
離カラムから導出されたガス中成分を検出するガスクロ
マトグラフ用半導体ガスセンサにおいて、酸化インジウ
ムを主成分とする金属酸化物半導体からなる感応素子を
具備するため、分離カラムを通過することにより分離さ
れた試料ガス中の成分を高感度で検出することができる
ものである。

【００６４】また請求項２の発明は、請求項１におい
て、感応素子中に金を添加するため、試料ガス中の成分
を更に高感度かつ良好な応答性で検出することができる
ものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態の一例を示す、ガスセンサ
の要部概略構成図である。

【図２】同上の一部破断した正面図である。

【図３】ガスクロマトグラフの外観を示す斜視図であ
る。

【図４】ガスクロマトグラフの構成の一例を示す概略図
である。

【図５】ガスクロマトグラフの構成の他例を示す概略図
である。

【図６】分離カラムの構成の一例を示す斜視図である。

【図７】実施例１及び比較例１〜３における、試料ガス
の検出結果を示すクロマトグラムである。

【図８】図７に示すクロマトグラムに基づく、実施例１
及び比較例１〜３における、硫化水素及びメチルメルカ
プタンの検出時の検出ピークのピーク面積を示すグラフ
である。

【図９】実施例１〜３における、試料ガスの検出結果を
示すクロマトグラムである。

【図１０】図９に示すクロマトグラムに基づく、実施例
１〜３における、硫化水素及びメチルメルカプタンの検
出時の検出ピークのピーク面積を示すグラフである。

【図１１】実施例３において、硫化ジメチルを含有する
試料ガスの検出結果を示すクロマトグラムである。

【図１２】（ａ）は実施例３における、試料ガス中の硫
化水素、メチルメルカプタン及び硫化ジメチルの含有量
を変動させた場合の、検出ピークのピーク面積の変動を
示すグラフであり、（ｂ）は実施例１における、試料ガ
ス中の硫化水素及びメチルメルカプタンの含有量を変動
させた場合の、検出ピークのピーク面積の変動を示すグ
ラフである。

【図１３】実施例３における、種々のガス成分を単独で
含む試料ガスの検出結果を示すクロマトグラムである。

【符号の説明】

１感応素子３０分離カラム

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者寄吉典子兵庫県伊丹市北園三丁目36番３号エフアイエス株式会社内Ｆターム(参考） 2G046 AA01 AA05 AA10 AA11 AA19 AA24 AA25 AA26 BA09 BB02 BC02 BE02 BE07 EA04 FB02 FE00 FE15

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】試料ガスがキャリアガスと混合されて分
離カラムに導入された後に分離カラムから導出されたガ
ス中成分を検出するガスクロマトグラフ用半導体ガスセ
ンサにおいて、酸化インジウムを主成分とする金属酸化
物半導体からなる感応素子を具備して成ることを特徴と
するガスクロマトグラフ用半導体ガスセンサ。
【請求項２】感応素子中に金を添加して成ることを特
徴とする請求項１に記載のガスクロマトグラフ用半導体
ガスセンサ。