JP2003070153A

JP2003070153A - 二次電池パックの過昇温防止方法

Info

Publication number: JP2003070153A
Application number: JP2001259331A
Authority: JP
Inventors: Masanori Mitsube; 昌紀三邉
Original assignee: Uchihashi Estec Co Ltd
Current assignee: Uchihashi Estec Co Ltd
Priority date: 2001-08-29
Filing date: 2001-08-29
Publication date: 2003-03-07

Abstract

(57)【要約】【課題】二次電池パックにおいて、二次電池に熱的に接
触して取付けた温度検知素子による二次電池の過昇温防
止を、当該温度検知素子の内部抵抗による二次電池のエ
ネルギー浪費を排除して良好に行い得る二次電池パック
の過昇温防止方法を提供する。【解決手段】二次電池１の放電及び充電用半導体スイッ
チ２を同電池の充・放電制御用回路４からの半導体スイ
ッチ駆動信号ｓにより作動させる二次電池パックにおい
て、温度検知素子３を二次電池１に熱的に接触させて取
付け、該温度検知素子３を前記半導体スイッチ２の前記
充・放電制御用回路４側に挿入し、二次電池過昇温時の
温度検知素子３の作動に基づく半導体スイッチ駆動信号
ｓの前記半導体スイッチ２への送入遮断乃至は送入回避
で前記半導体スイッチ２を開作動させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は二次電池の過昇温防
止方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近来、ノートブックパソコン、情報端
末、ビデオテープレコーダ・デジタルカメラ、携帯電話
等の携帯電子機器、電気自動車等の電源として、体積エ
ネルギー密度の大なる二次電池、例えば、リチウムイオ
ン二次電池が多用されている。この二次電池において
は、過充電に対する保護、過放電に対する保護、過電流
に対する保護が不可欠であり、充・放電中の異常時に
は、二次電池を充電機または負荷から遮断することが必
要である。例えば、二次電池に直列に放電及び充電用半
導体スイッチを挿入し、すなわち、二次電池と負荷（放
電時）または充電機（充電時）との間に半導体スイッチ
を挿入し、平常時には、充・放電制御用回路からの半導
体スイッチ駆動信号により半導体スイッチを閉作動状態
に保持させ、電池過充電時の過大電圧、過放電時の過小
電圧または回路過電流を検出したときには、充・放電制
御用回路からの半導体スイッチ駆動信号の送出を停止さ
せて半導体スイッチを開作動させている。上記高エネル
ギー密度の二次電池では、外部短絡や過充電等の異常が
発生すると電池自体が激しく発熱し、極端な場合は、電
池の電解液圧力が急上昇して容器が破裂することがあ
り、二次電池の過昇温防止も重要である。そこで、温度
検知素子、例えば温度ヒューズを二次電池に熱的に接触
させて取付け、この温度ヒューズを二次電池に直列に接
続することにより、二次電池の過昇温で温度ヒューズを
溶断作動させて二次電池を外部負荷等から電気的に遮断
することが知られている。

【０００３】図８は、上記した二次電池の保護構造を備
えた二次電池パックの一例を示し、二次電池１’に温度
ヒューズ３１’を熱的に接触させて取付け、この温度ヒ
ューズ３１’と二次電池１’とを半導体スイッチ２’を
介して直列に接続し、充・放電制御用回路４’の半導体
スイッチ駆動信号出力端４１’を半導体スイッチ２’の
ゲートに連結し、電池セル電圧Ｅ及び電池回路電流Ｉを
充・放電制御用回路４’に入力し、平常時は、充・放電
制御用回路４’から半導体スイッチ駆動信号ｓを出力さ
せて半導体スイッチ２’の閉作動作動状態を保持させ、
電池セル電圧Ｖまたは電池回路電流Ｉの異常を充・放電
制御用回路が検出すると、充・放電制御用回路４’から
の半導体スイッチ駆動信号ｓの発送を停止して半導体ス
イッチ２’を開作動させ、また二次電池１’の過昇温で
温度ヒューズ３’を溶断作動させるようにしてある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記二
次電池の保護構造では、二次電池１’に温度検知素子
３’が直列に接続されており、二次電池１’のエネルギ
ーが温度検知素子３’の内部抵抗を経て負荷ｚ’に供給
され、その供給電流が相当に大きいために、二次電池エ
ネルギーが温度検知素子３’でオーミックロスとして浪
費され、二次電池エネルギーの効果的利用にそわない。

【０００５】本発明の目的は、二次電池パックにおい
て、二次電池に熱的に接触して取付けた温度検知素子に
よる二次電池の過昇温防止を、当該温度検知素子の内部
抵抗による二次電池のエネルギー浪費を排除して良好に
行い得る二次電池パックの過昇温防止方法を提供するこ
とにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明に係る二次電池パ
ックの過昇温防止方法は、二次電池の放電及び充電用半
導体スイッチを同電池の充・放電制御用回路からの半導
体スイッチ駆動信号により作動させる二次電池パックに
おいて、温度検知素子を二次電池に熱的に接触させて取
付け、該温度検知素子を前記半導体スイッチの前記充・
放電制御用回路側に挿入し、二次電池過昇温時の温度検
知素子の作動に基づく半導体スイッチ駆動信号の前記半
導体スイッチへの送入遮断乃至は送入回避で前記半導体
スイッチを開作動させることを特徴とし、半導体スイッ
チにも温度検知素子を熱的に接触させて取付け、この温
度検知素子も前記半導体スイッチの前記充・放電制御用
回路側に挿入し、二次電池または半導体スイッチ過昇温
時の上記少なくとも一方の温度検知素子の作動に基づく
半導体スイッチ駆動信号の前記半導体スイッチへの送入
遮断乃至は送入回避で前記半導体スイッチを開作動させ
ること、両温度検知素子を異なる形式とすること、温度
検知素子としてバイメタルスイッチ、形状記憶合金スイ
ッチ、温度ヒューズの何れかを使用すること、半導体ス
イッチとしてＦＥＴを用いること、半導体スイッチとし
てフォトダイオードまたはフォトトランジスターを有す
るフォトカップラーを使用すること等が可能である。

【０００７】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について説明する。図１は本発明の一実施例
を示すための図面である。図１において、１は二次電
池、例えばリチウムイオン二次電池である。２は二次電
池に対する放電及び充電用半導体スイッチであり、図示
の実施例では、ＦＥＴを用いてある。３は温度検知素子
であり、図示の実施例では、常時はオン状態のバイメタ
ルスイッチまたは形状記憶合金スイッチを用いており、
二次電池１の容器に熱的に接触させて取付けてある。４
は充・放電制御用ＩＣ回路であり、半導体スイッチ駆動
信号出力端４１を前記温度検知素子３を経て前記ＦＥＴ
半導体スイッチ２のゲートに連結してある。この充・放
電制御用ＩＣ回路４には、電池セル電圧（充電時セル電
圧または放電時セル電圧）Ｖや電池回路電流（充電時電
流または放電時電流）Ｉ等が入力され、正常時（充電電
圧、放電電圧、回路電流が所定の正常値である時）に
は、半導体スイッチ駆動信号ｓが出力されＦＥＴ半導体
スイッチ２のゲートに送入されてＦＥＴ半導体スイッチ
２が閉作動状態に保持され、電池セル電圧Ｖや電池回路
電流Ｉの異常が検出されると、前記半導体スイッチ駆動
信号ｓの送出が停止されＦＥＴ半導体スイッチ２のゲー
トへの送入が停止されて同半導体スイッチ２が開作動さ
れる。５１，５２は負荷（放電時）または充電機（充電
時）が接続される二次電池パックの端子を示している。

【０００８】図２は上記二次電池パックの斜視図を示
し、二次電池１の容器に温度検知素子３を熱的に接触さ
せて取付け、半導体スイッチや充・放電制御用ＩＣ回路
を搭載した回路基板Ｐを二次電池１の一端側に配設し、
温度検知素子３のリード導体を回路基板Ｐの導体に結線
してある。

【０００９】前記温度検知素子３としてのバイメタルス
イッチ、形状記憶合金スイッチには、平常時でオン状態
であり、二次電池の上限許容温度（通常、電解液の膨張
爆発を防止し得る安全温度）でオフ状態になるものを使
用する。従って、二次電池１が上限許容温度に達する
と、温度検知素子３をオフ作動させ、充・放電制御用Ｉ
Ｃ回路４から出力中の半導体スイッチ駆動信号ｓのＦＥ
Ｔ半導体スイッチ２のゲートへの送入を遮断させて同半
導体スイッチ２を開作動させることができる。従って、
二次電池１を過昇温から保護できる。前記二次電池パッ
クの出力端子には、放電時、負荷が接続される。その放
電電流は相当に大きく、通常、数アンペアにも達する
が、この放電電流が温度検知素子に流れることがないか
ら、二次電池エネルギーが温度検知素子の内部抵抗で浪
費されるのを排除できる。従って、温度検知素子を使用
しての二次電池の過昇温防止を、当該温度検知素子の内
部抵抗による二次電池のエネルギー浪費を排除して良好
に行うことができる。

【００１０】図１に示す実施例では、温度検知素子３
に、平常時でオン状態のバイメタルスイッチ、形状記憶
合金スイッチを使用しているが、図３に示すように、平
常時でオフ状態のバイメタルスイッチ、形状記憶合金ス
イッチ等を使用することもできる。図３において、１は
二次電池である。２は二次電池に対する放電及び充電用
半導体スイッチであり、前記と同様、ＦＥＴを用いるこ
とができる。３は温度検知素子であり、常時はオフ状態
のバイメタルスイッチまたは形状記憶合金スイッチを用
いており、二次電池１の容器に熱的に接触させて取付
け、ＦＥＴ半導体スイッチ２のゲートと接地グランドと
の間に挿入してある。Ｒは後述する二次電池過昇温時の
温度検知素子３のオン作動による接地にもかかわらず、
充・放電制御用ＩＣ回路４の半導体スイッチ駆動信号出
力端４１の出力電流を充分に小さく抑えるために挿入し
た電流制限抵抗である。４は充・放電制御用ＩＣ回路で
あり、半導体スイッチ駆動信号出力端４１を前記ＦＥＴ
半導体スイッチ２のゲートに前記電流制限抵抗Ｒを経て
連結してある。

【００１１】図３に示す実施例においても、正常時（充
電電圧、放電電圧、回路電流が所定の正常値である時）
には、半導体スイッチ駆動信号ｓが出力されＦＥＴ半導
体スイッチ２のゲートに送入されてＦＥＴ半導体スイッ
チ２が閉作動状態に保持され、電池セル電圧Ｖや電池回
路電流Ｉの異常が検出されると、前記半導体スイッチ駆
動信号ｓの送出が停止されＦＥＴ半導体スイッチ２のゲ
ートへの送入が停止されて同半導体スイッチ２が開作動
される。この実施例では、二次電池１の過昇温により温
度検知素子３がオン状態になり、充・放電制御用ＩＣ回
路４から出力中の半導体スイッチ駆動信号ｓがオン状態
の温度検知素子３を経て接地グランドにドレインされて
同半導体スイッチ駆動信号ｓのＦＥＴ半導体スイッチ２
のゲートへの送入が回避されるから、同半導体スイッチ
２が開作動される。従って、この実施例によっても、前
記実施例と同様、温度検知素子を使用しての二次電池の
過昇温防止を、当該温度検知素子の内部抵抗による二次
電池のエネルギー浪費を排除して良好に行うことができ
る。

【００１２】図１に示す実施例では、温度検知素子３
に、平常時でオン状態のバイメタルスイッチ、形状記憶
合金スイッチを使用しているが、図４に示すように、温
度検知素子３に、平常時で導通−二次電池の過昇温時に
溶断の温度ヒューズを使用することもできる。図４にお
いて、１は二次電池である。２は二次電池１に対する放
電及び充電用半導体スイッチであり、前記と同様、ＦＥ
Ｔを用いることができる。３は温度検知素子としての温
度ヒューズであり、前記と同様に、二次電池１の容器に
熱的に接触させて取付け、二次電池１の過昇温で溶断作
動させるようにヒューズエレメントの融点を設定してあ
る。４は前記した充・放電制御用ＩＣ回路であり、半導
体スイッチ駆動信号出力端４１を温度検知素子３を経て
前記ＦＥＴ半導体スイッチ２のゲートに連結してある。

【００１３】前記温度ヒューズには、通常、合金型温度
ヒューズ、すなわち、リード導体間に低融点可溶合金片
（ヒューズエレメント）を接続し、該ヒューズエレメン
トにフラックスを塗布し、このフラックス塗布ヒューズ
エレメントを樹脂フィルムで封止した温度ヒューズが用
いられ、二次電池の容器外面への取付け上、可及的に薄
くすることが望ましい。

【００１４】図４に示す実施例においても、正常時（充
電電圧、放電電圧、回路電流が所定の正常値である時）
には、半導体スイッチ駆動信号ｓが出力されＦＥＴ半導
体スイッチ２のゲートに送入されてＦＥＴ半導体スイッ
チ２が閉作動状態に保持され、電池セル電圧Ｖや電池回
路電流Ｉの異常が検出されると、前記半導体スイッチ駆
動信号ｓの送出が停止されＦＥＴ半導体スイッチ２のゲ
ートへの送入が停止されて同半導体スイッチ２が開作動
される。この実施例では、温度検知素子３としての温度
ヒューズが二次電池１の過昇温により溶断され、充・放
電制御用ＩＣ回路４から出力中の半導体スイッチ駆動信
号ｓのＦＥＴ半導体スイッチ２のゲートへの送入が遮断
されるから、同半導体スイッチ２が開作動される。従っ
て、この実施例によっても、前記実施例と同様、温度検
知素子を使用しての二次電池の過昇温防止を、当該温度
検知素子の内部抵抗による二次電池のエネルギー浪費を
排除して良好に行うことができる。

【００１５】上記半導体スイッチ２としては、ＭＯＳ
ＦＥＴの外、前記半導体スイッチ駆動信号を入力して発
光する発光素子（例えば、発光ダイオード）と、この発
光を受光して導通する受光素子（例えば、フォトトラン
ジスタ、フォトダイオード等）とをカップリングしたフ
ォトカップラーを使用することもできる。

【００１６】これらの半導体スイッチ中、ＭＯＳＦＥ
Ｔにおいては、オーミックロスによる発熱がかなり激し
いので、ＦＥＴ半導体スイッチにも温度検知素子を熱的
に接触させて取付け、ＦＥＴ半導体スイッチの過昇温で
もＦＥＴ半導体スイッチを開作動させることが安全であ
り、図５はその一実施例を示している。図５において、
１は二次電池である。２は二次電池１に対する放電及び
充電用半導体スイッチとしてのＦＥＴである。３１は二
次電池１に熱的に接触させて取り付けた温度検知素子、
３２はＦＥＴ半導体スイッチ２に熱的に接触させて取り
付けた温度検知素子であり、これら温度検知素子３１，
３２には、常時はオフ状態のバイメタルスイッチまたは
形状記憶合金スイッチを用い、両温度検知素子３１，３
２とも、ＦＥＴ半導体スイッチ２のゲートと接地グラン
ドとの間に挿入してある。Ｒは何れかの温度検知素子３
１，３２のオン作動による接地にもかかわらず、充・放
電制御用ＩＣ回路４の半導体スイッチ駆動信号出力端４
１の出力電流を充分に小さく抑えるために挿入した共通
の電流制限抵抗である。４は前記した充・放電制御用Ｉ
Ｃ回路であり、半導体スイッチ駆動信号出力端４１を前
記ＦＥＴ半導体スイッチ２のゲートに連結してある。

【００１７】図５に示す実施例においても、正常時（充
電電圧、放電電圧、回路電流が所定の正常値である時）
には、半導体スイッチ駆動信号ｓが出力されＦＥＴ半導
体スイッチ２のゲートに送入されてＦＥＴ半導体スイッ
チ２が閉作動状態に保持され、電池セル電圧Ｖや電池回
路電流Ｉの異常が検出されると、前記半導体スイッチ駆
動信号ｓの送出が停止されＦＥＴ半導体スイッチ２のゲ
ートへの送入が停止されて同半導体スイッチ２が開作動
される。この実施例では、二次電池１またはＦＥＴ半導
体スイッチ２の過昇温により何れかの温度検知素子３
１，３２がオン状態になり、充・放電制御用ＩＣ回路４
から出力中の半導体スイッチ駆動信号ｓがオン状態の温
度検知素子を経て接地グランドにドレインされ同半導体
スイッチ駆動信号ｓのＦＥＴ半導体スイッチ２のゲート
への送入が回避されるから、同半導体スイッチ２が開作
動される。従って、この実施例によれば、温度検知素子
を使用しての二次電池の過昇温防止を、その温度検知素
子の内部抵抗による二次電池のエネルギー浪費を排除し
て良好に行うことができると共にＦＥＴ半導体スイッチ
の過昇温を防止でき、二次電池パックの熱的保護をより
安全に行うことができる。

【００１８】図５に示す実施例では、二次電池１に取付
ける温度検知素子３１とＦＥＴ半導体スイッチ２に取付
ける温度検知素子３２に同形式の温度検知素子を使用し
ているが、図６や図７に示す実施例のように、両温度検
知素子に異なる形式のものを使用することもできる。

【００１９】図６に示す別実施例において、１は二次電
池である。２は二次電池１に対する放電及び充電用半導
体スイッチとしてのＦＥＴである。３１は二次電池１に
熱的に接触させて取り付けた温度検知素子としての温度
ヒューズ、３２はＦＥＴ半導体スイッチ２に熱的に接触
させて取り付けた温度検知素子３２としての、常時はオ
ン状態のバイメタルスイッチまたは形状記憶合金スイッ
チである。４は前記した充・放電制御用ＩＣ回路であ
り、半導体スイッチ駆動信号出力端４１を前記ＦＥＴ半
導体スイッチ２のゲートに両温度検知素子３１，３２を
経て連結してある。

【００２０】図６に示す実施例においても、正常時（充
電電圧、放電電圧、回路電流が所定の正常値である時）
には、半導体スイッチ駆動信号ｓが出力されＦＥＴ半導
体スイッチ２のゲートに送入されてＦＥＴ半導体スイッ
チ２が閉作動状態に保持され、電池セル電圧Ｖや電池回
路電流Ｉの異常が検出されると、前記半導体スイッチ駆
動信号ｓの送出が停止されＦＥＴ半導体スイッチ２のゲ
ートへの送入が停止されて同半導体スイッチ２が開作動
される。この実施例では、二次電池１に取付けた温度ヒ
ューズ３１またはＦＥＴ半導体スイッチ２に取付けた常
時でオン状態のバイメタルスイッチ３２の何れかが、二
次電池１またはＦＥＴ半導体スイッチ２何れかの過昇温
によりオフ態になり、充・放電制御用ＩＣ回路４から出
力中の半導体スイッチ駆動信号ｓのＦＥＴ半導体スイッ
チ２のゲートへの送入が遮断されるから、同半導体スイ
ッチ２が開作動される。従って、この実施例によって
も、図５に示す実施例と同様に、温度検知素子を使用し
ての二次電池の過昇温防止を、その温度検知素子の内部
抵抗による二次電池のエネルギー浪費を排除して良好に
行うことができると共にＦＥＴ半導体スイッチの過昇温
を防止でき、二次電池パックの熱的保護をより安全に行
うことができる。図６に示す実施例においては、温度ヒ
ューズ３１とバイメタルスイッチ等３２とを交互に入れ
替えることも可能である。

【００２１】図７に示す他の実施例において、１は二次
電池である。２は二次電池１に対する放電及び充電用半
導体スイッチとしてのＦＥＴである。３１は二次電池１
に熱的に接触させて取り付けた温度検知素子としての常
時はオフ状態のバイメタルスイッチまたは形状記憶合金
スイッチであり、ＦＥＴ半導体スイッチ２のゲートと接
地グランドとの間に電流制限抵抗Ｒを介して挿入してあ
る。３２はＦＥＴ半導体スイッチ２に熱的に接触させて
取り付けた温度検知素子としての温度ヒューズであり、
充・放電制御用ＩＣ回路４の半導体スイッチ駆動信号出
力端４１と前記ＦＥＴ半導体スイッチ２のゲートとの間
に直列に挿入してある。

【００２２】図７に示す実施例においても、正常時（充
電電圧、放電電圧、回路電流が所定の正常値である時）
には、半導体スイッチ駆動信号ｓが出力されＦＥＴ半導
体スイッチ２のゲートに送入されてＦＥＴ半導体スイッ
チ２が閉作動状態に保持され、電池セル電圧Ｖや電池回
路電流Ｉの異常が検出されると、前記半導体スイッチ駆
動信号ｓの送出が停止されＦＥＴ半導体スイッチ２のゲ
ートへの送入が停止されて同半導体スイッチ２が開作動
される。この実施例では、二次電池１に取付けた常時は
オフ状態のバイメタルスイッチ等３１が、二次電池１の
過昇温によりオン態になり、充・放電制御用ＩＣ回路４
から出力中の半導体スイッチ駆動信号ｓがオン状態の温
度検知素子３１を経て接地グランドにドレインされ同半
導体スイッチ駆動信号ｓのＦＥＴ半導体スイッチ２のゲ
ートへの送入が回避されるから、同半導体スイッチ２が
開作動される。また、ＦＥＴ半導体スイッチ２に取付け
た温度ヒューズ３２が、そのＦＥＴ半導体スイッチ２の
過昇温により溶断されても、充・放電制御用ＩＣ回路４
から出力中の半導体スイッチ駆動信号ｓのＦＥＴ半導体
スイッチ２のゲートへの送入が遮断されるから、同半導
体スイッチ２が開作動される。従って、この実施例によ
っても、図５に示す実施例と同様に、温度検知素子を使
用しての二次電池の過昇温防止を、その温度検知素子の
内部抵抗による二次電池のエネルギー浪費を排除して良
好に行うことができると共にＦＥＴ半導体スイッチの過
昇温を防止でき、二次電池パックの熱的保護をより安全
に行うことができる。

【００２３】上記の何れの実施例においても、充・放電
制御用ＩＣ回路４に入力する信号を電池セル電圧Ｖ及び
電池回路電流Ｉのみとし、電池セル電圧または電池回路
電流の何れかに過充電、過放電、短絡等の異常が生じる
と、充・放電制御用ＩＣ回路４からの半導体スイッチ駆
動信号出力ｓを停止させ充・放電用半導体スイッチ２を
開作動させて、二次電池１を負荷または充電機から切り
離しているが、電池容器温度をサーモカップル等により
電気量に変換して電池容器温度も充・放電制御用ＩＣ回
路に入力し、電池容器が過昇温しても、充・放電制御用
ＩＣ回路からの半導体スイッチ駆動信号出力を停止させ
充・放電用半導体スイッチを開作動させるようにするこ
ともできる。

【００２４】この場合、充・放電制御用ＩＣ回路に入力
する電池容器温度と温度検知素子との二重の系により二
次電池の過昇温防止を行うことができるが、万一、充・
放電制御用ＩＣ回路が誤動作して電池容器温度信号の異
常を判定できなくなっても、本発明に係る過昇温防止方
法により、前記したように、温度検知素子を使用しての
二次電池の過昇温防止を、その温度検知素子の内部抵抗
による二次電池のエネルギー浪費を排除して良好に行う
ことができる。

【００２５】

【発明の効果】本発明に係る二次電池パックの過昇温防
止方法によれば、二次電池の過昇温を検知するための温
度検知素子を放電及び充電用半導体スイッチの制御用Ｉ
Ｃ回路側に挿入することにより、その二次電池の過昇温
で放電及び充電用半導体スイッチを作動させることがで
きるようにしたから、温度検知素子を二次電池の充・放
電回路側に挿入している従来例では避けられない、二次
電池の放電電流の温度検知素子の内部抵抗によるオーミ
ックロスを排除でき、温度検知素子を使用しての二次電
池の過昇温防止を、その温度検知素子の内部抵抗による
二次電池のエネルギー浪費を排除して良好に行うことが
できる。また、電気自動車等の高圧・大電流の二次電池
回路の場合でも、温度ヒューズ等の温度検出素子を半導
体スイッチの制御側に挿入すればよいから、高圧・大電
流用の温度検出素子が不要であり、汎用の温度検出素子
でことたりる。

【００２６】特に、請求項２によれば、温度検知素子の
過昇温でも温度検知素子を開作動させて放電または充電
を停止できるから、温度検知素子を使用しての二次電池
の過昇温防止を、その温度検知素子の内部抵抗による二
次電池のエネルギー浪費を排除して良好に行うことがで
きると共にＦＥＴ半導体スイッチの過昇温を防止でき、
半導体スイッチにＦＥＴを使用しても、二次電池パック
の熱的保護を安全に行うことができる。

【００２７】特に、請求項３によれば、二次電池の上限
許容温度に適合した温度検知素子と半導体スイッチの上
限許容温度に適合した温度検知素子とを、選択できる温
度検知素子の方式の広範囲化により容易に選択できる。

【００２８】特に、請求項４によれば、復帰式、非復帰
式の選択のもとで実施でき、広範囲の態様で実施でき
る。

【００２９】特に、請求項５によれば、ＦＥＴチップを
半導体スイッチとして使用することにより、回路基板の
小型化を図ることができ、二次電池のコンパクトパック
化に有利である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示す図面である。

【図２】本発明において使用する二次電池パツクを示す
図面である。

【図３】本発明の上記とは別の実施例を示す図面であ
る。

【図４】本発明の上記とは別の実施例を示す図面であ
る。

【図５】本発明の上記とは別の実施例を示す図面であ
る。

【図６】本発明の上記とは別の実施例を示す図面であ
る。

【図７】本発明の上記とは別の実施例を示す図面であ
る。

【図８】従来例を示す図面である。

【符号の説明】

１二次電池２半導体スイッチ３温度検知素子４充・放電制御用ＩＣ回路

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5G003 AA01 BA01 CB01 DA07 FA04 GA01 GA07 GA09 GA10 5G053 AA01 AA16 BA07 BA08 CA01 EC03 EC06 5H030 AA06 AS06 BB01 BB21 DD01 FF24 5H031 AA09 KK04

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】二次電池の放電及び充電用半導体スイッチ
を同電池の充・放電制御用回路からの半導体スイッチ駆
動信号により作動させる二次電池パックにおいて、温度
検知素子を二次電池に熱的に接触させて取付け、該温度
検知素子を前記半導体スイッチの前記充・放電制御用回
路側に挿入し、二次電池過昇温時の温度検知素子の作動
に基づく半導体スイッチ駆動信号の前記半導体スイッチ
への送入遮断乃至は送入回避で前記半導体スイッチを開
作動させることを特徴とする二次電池パックの過昇温防
止方法。
【請求項２】二次電池の放電及び充電用半導体スイッチ
を同電池の充・放電制御用回路からの半導体スイッチ駆
動信号により作動させる二次電池パックにおいて、二次
電池及び半導体スイッチのそれぞれに温度検知素子を熱
的に接触させて取付け、これらの温度検知素子を前記半
導体スイッチの前記充・放電制御用回路側に挿入し、二
次電池または半導体スイッチ過昇温時の上記少なくとも
一方の温度検知素子の作動に基づく半導体スイッチ駆動
信号の前記半導体スイッチへの送入遮断乃至は送入回避
で前記半導体スイッチを開作動させることを特徴とする
二次電池パックの過昇温防止方法。
【請求項３】両温度検知素子を異なる形式とする請求項
２記載の二次電池パックの過昇温防止方法。
【請求項４】温度検知素子として、バイメタルスイッ
チ、形状記憶合金スイッチ、温度ヒューズの何れかを使
用する請求項１〜３何れか記載の二次電池パックの過昇
温防止方法。
【請求項５】半導体スイッチとして、ＦＥＴを用いる請
求項１〜４何れか記載の二次電池パックの過昇温防止方
法。
【請求項６】フォトダイオードまたはフォトトランジス
ターを有するフォトカップラーを半導体スイッチとして
使用する請求項１〜４何れか記載の二次電池パックの過
昇温防止方法。