JP2003068854A - 配線間接続方法、配線間接続部材及びその製造方法 - Google Patents
配線間接続方法、配線間接続部材及びその製造方法Info
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- JP2003068854A JP2003068854A JP2001253471A JP2001253471A JP2003068854A JP 2003068854 A JP2003068854 A JP 2003068854A JP 2001253471 A JP2001253471 A JP 2001253471A JP 2001253471 A JP2001253471 A JP 2001253471A JP 2003068854 A JP2003068854 A JP 2003068854A
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- wiring layer
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 配線間を容易に接続できる配線間接続方法、
配線間接続部材及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明に係る配線間接続部材は、第１配
線２と第２配線６との間に絶縁膜３が配置された配線間
接続部材であって、この絶縁膜には第１配線と第２配線
との間に挟まれ薄膜化された領域が形成されている。こ
のように薄膜化された領域を形成しているため、配線の
素材や特性にかかわらず両配線に高電圧を印加する電気
力のみで該薄膜化された領域を短絡させることができ
る。従って、第１配線と第２配線との間を容易に接続す
ることができる。
配線間接続部材及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明に係る配線間接続部材は、第１配
線２と第２配線６との間に絶縁膜３が配置された配線間
接続部材であって、この絶縁膜には第１配線と第２配線
との間に挟まれ薄膜化された領域が形成されている。こ
のように薄膜化された領域を形成しているため、配線の
素材や特性にかかわらず両配線に高電圧を印加する電気
力のみで該薄膜化された領域を短絡させることができ
る。従って、第１配線と第２配線との間を容易に接続す
ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、配線間を容易に接
続できる配線間接続方法、配線間接続部材及びその製造
方法に関するものである。
続できる配線間接続方法、配線間接続部材及びその製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＩＣやＬＳＩなどの半導体装置の
高度化、複雑化、高機能化は大変顕著である。これに伴
って、半導体装置の完成後のウエハ検査工程での検査結
果に基づく回路の変更や半導体装置の特性調整などの必
要性が増しつつある。
高度化、複雑化、高機能化は大変顕著である。これに伴
って、半導体装置の完成後のウエハ検査工程での検査結
果に基づく回路の変更や半導体装置の特性調整などの必
要性が増しつつある。
【０００３】このような事情から、従来は、半導体回路
中にヒューズを配置し、このヒューズを切断することで
回路の配線経路を変化させて回路の変更などを行ってい
る。一般に、ヒューズは、ポリシリコン製の配線からな
り、ヒューズに高電圧、高電流を印加することで切断す
るものである。また、このような電気力でヒューズを切
断できない場合は別工程でレーザーカットにより切断す
る手法も行われている。
中にヒューズを配置し、このヒューズを切断することで
回路の配線経路を変化させて回路の変更などを行ってい
る。一般に、ヒューズは、ポリシリコン製の配線からな
り、ヒューズに高電圧、高電流を印加することで切断す
るものである。また、このような電気力でヒューズを切
断できない場合は別工程でレーザーカットにより切断す
る手法も行われている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述したように配線間
に配置したヒューズを切断して配線間を短絡させる方法
は比較的多く提案されている。しかしながら、これとは
逆に、互いに短絡している配線間を容易に接続する方法
については十分に提案されていないのが現状である。ま
た、半導体装置の完成後に回路の変更などを行う際に
は、配線間の短絡だけでなく配線間を接続する方法があ
れば便利である。
に配置したヒューズを切断して配線間を短絡させる方法
は比較的多く提案されている。しかしながら、これとは
逆に、互いに短絡している配線間を容易に接続する方法
については十分に提案されていないのが現状である。ま
た、半導体装置の完成後に回路の変更などを行う際に
は、配線間の短絡だけでなく配線間を接続する方法があ
れば便利である。
【０００５】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、配線間を容易に接続でき
る配線間接続方法、配線間接続部材及びその製造方法を
提供することにある。
れたものであり、その目的は、配線間を容易に接続でき
る配線間接続方法、配線間接続部材及びその製造方法を
提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る配線間接続部材は、第１配線と第２配
線との間に絶縁膜が配置された配線間接続部材であっ
て、この絶縁膜には第１配線と第２配線との間に挟まれ
薄膜化された領域が形成されていることを特徴とする。
め、本発明に係る配線間接続部材は、第１配線と第２配
線との間に絶縁膜が配置された配線間接続部材であっ
て、この絶縁膜には第１配線と第２配線との間に挟まれ
薄膜化された領域が形成されていることを特徴とする。
【０００７】上記配線間接続部材によれば、第１配線と
第２配線との間に配置した絶縁膜に、第１配線と第２配
線との間に挟まれ薄膜化された領域を形成しているた
め、配線の素材や特性にかかわらず両配線に高電圧を印
加する電気力のみで該薄膜化された領域を短絡させるこ
とができる。従って、第１配線と第２配線との間を容易
に接続することができる。
第２配線との間に配置した絶縁膜に、第１配線と第２配
線との間に挟まれ薄膜化された領域を形成しているた
め、配線の素材や特性にかかわらず両配線に高電圧を印
加する電気力のみで該薄膜化された領域を短絡させるこ
とができる。従って、第１配線と第２配線との間を容易
に接続することができる。
【０００８】本発明に係る配線間接続方法は、第１配線
と第２配線との間に絶縁膜が配置された配線間接続部材
であって、この絶縁膜には第１配線と第２配線との間に
挟まれ薄膜化された領域が形成されている配線間接続部
材を準備し、第１配線と第２配線との間に高電圧を印加
することにより、上記薄膜化された領域を短絡させるこ
とを特徴とする。
と第２配線との間に絶縁膜が配置された配線間接続部材
であって、この絶縁膜には第１配線と第２配線との間に
挟まれ薄膜化された領域が形成されている配線間接続部
材を準備し、第１配線と第２配線との間に高電圧を印加
することにより、上記薄膜化された領域を短絡させるこ
とを特徴とする。
【０００９】本発明に係る配線間接続部材は、第１配線
層と、この第１配線層上に形成された凸部と、第１配線
層上に形成された絶縁膜と、この絶縁膜に形成された、
上記凸部上に位置するホールと、このホール内及び絶縁
膜上に形成された第２配線層と、を具備し、上記凸部上
に位置する絶縁膜の膜厚が他の部分の絶縁膜より薄く形
成されていることを特徴とする。
層と、この第１配線層上に形成された凸部と、第１配線
層上に形成された絶縁膜と、この絶縁膜に形成された、
上記凸部上に位置するホールと、このホール内及び絶縁
膜上に形成された第２配線層と、を具備し、上記凸部上
に位置する絶縁膜の膜厚が他の部分の絶縁膜より薄く形
成されていることを特徴とする。
【００１０】本発明に係る配線間接続部材は、第１配線
層と、この第１配線層上に形成された絶縁膜と、この絶
縁膜に形成されたホールと、このホール内及び絶縁膜上
に形成された第２配線層と、を具備し、上記ホール下に
位置する絶縁膜の膜厚が他の部分の絶縁膜より薄く形成
されていることを特徴とする。
層と、この第１配線層上に形成された絶縁膜と、この絶
縁膜に形成されたホールと、このホール内及び絶縁膜上
に形成された第２配線層と、を具備し、上記ホール下に
位置する絶縁膜の膜厚が他の部分の絶縁膜より薄く形成
されていることを特徴とする。
【００１１】また、本発明に係る配線間接続部材におい
て、上記ホールの内側面にはテーパーが形成されている
ことも可能である。
て、上記ホールの内側面にはテーパーが形成されている
ことも可能である。
【００１２】本発明に係る配線間接続部材は、第１配線
層と、この第１配線層上に形成された凸部と、第１配線
層上に形成され、平坦化された絶縁膜と、この絶縁膜上
に形成された第２配線層と、を具備し、上記凸部上に位
置する絶縁膜の膜厚が他の部分の絶縁膜より薄く形成さ
れていることを特徴とする。
層と、この第１配線層上に形成された凸部と、第１配線
層上に形成され、平坦化された絶縁膜と、この絶縁膜上
に形成された第２配線層と、を具備し、上記凸部上に位
置する絶縁膜の膜厚が他の部分の絶縁膜より薄く形成さ
れていることを特徴とする。
【００１３】また、本発明に係る配線間接続部材におい
て、上記凸部の側面にはテーパーが形成されていること
も可能である。
て、上記凸部の側面にはテーパーが形成されていること
も可能である。
【００１４】本発明に係る配線間接続部材の製造方法
は、第１配線層の上側を部分的にエッチングすることに
より、第１配線層に凸部を形成する工程と、第１配線層
上に絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜に、上記凸部
上に位置するホールを形成する工程と、このホール内及
び絶縁膜上に第２配線層を形成する工程と、を具備し、
上記凸部上に位置する絶縁膜の膜厚が他の部分の絶縁膜
より薄く形成されていることを特徴とする。
は、第１配線層の上側を部分的にエッチングすることに
より、第１配線層に凸部を形成する工程と、第１配線層
上に絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜に、上記凸部
上に位置するホールを形成する工程と、このホール内及
び絶縁膜上に第２配線層を形成する工程と、を具備し、
上記凸部上に位置する絶縁膜の膜厚が他の部分の絶縁膜
より薄く形成されていることを特徴とする。
【００１５】本発明に係る配線間接続部材の製造方法
は、第１配線層上に絶縁膜を形成する工程と、この絶縁
膜にホールを形成する工程と、このホール内及び絶縁膜
上に第２配線層を形成する工程と、を具備し、上記ホー
ル下に位置する絶縁膜の膜厚が他の部分の絶縁膜より薄
く形成されていることを特徴とする。
は、第１配線層上に絶縁膜を形成する工程と、この絶縁
膜にホールを形成する工程と、このホール内及び絶縁膜
上に第２配線層を形成する工程と、を具備し、上記ホー
ル下に位置する絶縁膜の膜厚が他の部分の絶縁膜より薄
く形成されていることを特徴とする。
【００１６】本発明に係る配線間接続部材の製造方法
は、第１配線層の上側を部分的にエッチングすることに
より、第１配線層に凸部を形成する工程と、第１配線層
上に、平坦化された絶縁膜を形成する工程と、この絶縁
膜上に第２配線層を形成する工程と、を具備し、上記凸
部上に位置する絶縁膜の膜厚が他の部分の絶縁膜より薄
く形成されていることを特徴とする。
は、第１配線層の上側を部分的にエッチングすることに
より、第１配線層に凸部を形成する工程と、第１配線層
上に、平坦化された絶縁膜を形成する工程と、この絶縁
膜上に第２配線層を形成する工程と、を具備し、上記凸
部上に位置する絶縁膜の膜厚が他の部分の絶縁膜より薄
く形成されていることを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図１は、本発明に係る第１
の実施の形態による配線間接続部材を示す断面図であ
る。
施の形態について説明する。図１は、本発明に係る第１
の実施の形態による配線間接続部材を示す断面図であ
る。
【００１８】シリコン基板（図示せず）の上方には第１
層間絶縁膜１が形成されており、第１層間絶縁膜１上に
は第１配線層２が形成されている。第１配線層２の接続
部２ａには凸部が形成されており、この凸部の側面には
テーパーが付けられている。第２配線層２の上には第２
層間絶縁膜３が形成されており、第２層間絶縁膜３には
接続部２ａ上に位置するホールが形成されている。この
ホールの内側面にはテーパーが付けられている。このホ
ールと凸部によって接続部２ａ上に位置する第２層間絶
縁膜３の膜厚は他の部分より薄く形成されている。その
薄い部分の膜厚はゲート酸化膜の膜厚と同程度又はそれ
より薄いことが好ましい。第２層間絶縁膜３の上には第
２配線層６が形成されており、第２配線層６の上には第
３層間絶縁膜７が形成されている。
層間絶縁膜１が形成されており、第１層間絶縁膜１上に
は第１配線層２が形成されている。第１配線層２の接続
部２ａには凸部が形成されており、この凸部の側面には
テーパーが付けられている。第２配線層２の上には第２
層間絶縁膜３が形成されており、第２層間絶縁膜３には
接続部２ａ上に位置するホールが形成されている。この
ホールの内側面にはテーパーが付けられている。このホ
ールと凸部によって接続部２ａ上に位置する第２層間絶
縁膜３の膜厚は他の部分より薄く形成されている。その
薄い部分の膜厚はゲート酸化膜の膜厚と同程度又はそれ
より薄いことが好ましい。第２層間絶縁膜３の上には第
２配線層６が形成されており、第２配線層６の上には第
３層間絶縁膜７が形成されている。
【００１９】接続部２ａにおいては、薄膜化している第
２層間絶縁膜３を第１配線層２と第２配線層６によって
挟み込む構造となっている。このため、第１配線層２と
第２配線層６との間に高電圧を印加すると、第２層間絶
縁膜３の薄膜化した部分が破壊されて第１配線層２と第
２配線層６を接続（短絡）することができる。
２層間絶縁膜３を第１配線層２と第２配線層６によって
挟み込む構造となっている。このため、第１配線層２と
第２配線層６との間に高電圧を印加すると、第２層間絶
縁膜３の薄膜化した部分が破壊されて第１配線層２と第
２配線層６を接続（短絡）することができる。
【００２０】図２〜図５は、図１に示す配線間接続部材
の製造方法を示す断面図である。まず、図２に示すよう
に、シリコン基板（図示せず）の上方に第１層間絶縁膜
１を形成し、この第１層間絶縁膜１上にＡｌ合金膜をス
パッタリングにより堆積する。次いで、このＡｌ合金膜
をパターニングすることにより、第１層間絶縁膜１上に
はＡｌ合金膜からなる第１配線層２が形成される。
の製造方法を示す断面図である。まず、図２に示すよう
に、シリコン基板（図示せず）の上方に第１層間絶縁膜
１を形成し、この第１層間絶縁膜１上にＡｌ合金膜をス
パッタリングにより堆積する。次いで、このＡｌ合金膜
をパターニングすることにより、第１層間絶縁膜１上に
はＡｌ合金膜からなる第１配線層２が形成される。
【００２１】次いで、第１配線層２及び第１層間絶縁膜
１の上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジス
ト膜を露光、現像することにより、後記接続部２ａ上が
覆われたレジストパターン４が形成される。
１の上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジス
ト膜を露光、現像することにより、後記接続部２ａ上が
覆われたレジストパターン４が形成される。
【００２２】次に、図３に示すように、このレジストパ
ターン４をマスクとして第１配線層２の上側を部分的に
エッチングすることにより、接続部以外の第１配線層２
の厚さが薄くされ、その結果、第１配線層２には凸形状
の接続部２ａが形成される。次いで、レジストパターン
４を剥離した後、第１配線層２及び第１層間絶縁膜１の
上にシリコン酸化膜などからなる第２層間絶縁膜３をＣ
ＶＤ(Chemical VaporDeposition)法により堆積する。次
いで、第２層間絶縁膜３の上にフォトレジスト膜を塗布
し、このフォトレジスト膜を露光、現像することによ
り、接続部２ａ上が開口されたレジストパターン５が形
成される。
ターン４をマスクとして第１配線層２の上側を部分的に
エッチングすることにより、接続部以外の第１配線層２
の厚さが薄くされ、その結果、第１配線層２には凸形状
の接続部２ａが形成される。次いで、レジストパターン
４を剥離した後、第１配線層２及び第１層間絶縁膜１の
上にシリコン酸化膜などからなる第２層間絶縁膜３をＣ
ＶＤ(Chemical VaporDeposition)法により堆積する。次
いで、第２層間絶縁膜３の上にフォトレジスト膜を塗布
し、このフォトレジスト膜を露光、現像することによ
り、接続部２ａ上が開口されたレジストパターン５が形
成される。
【００２３】この後、図４に示すように、このレジスト
パターン５をマスクとして第２層間絶縁膜３をエッチン
グすることにより、該第２層間絶縁膜３には接続部２ａ
上に位置するホールが形成され、このホールの内側面に
はテーパーが付けられる。次いで、レジストパターン５
を剥離する。
パターン５をマスクとして第２層間絶縁膜３をエッチン
グすることにより、該第２層間絶縁膜３には接続部２ａ
上に位置するホールが形成され、このホールの内側面に
はテーパーが付けられる。次いで、レジストパターン５
を剥離する。
【００２４】次に、図５に示すように、第２層間絶縁膜
３上にＡｌ合金膜をスパッタリングにより堆積する。次
いで、このＡｌ合金膜をパターニングすることにより、
第２層間絶縁膜３上にはＡｌ合金膜からなる第２配線層
６が形成される。
３上にＡｌ合金膜をスパッタリングにより堆積する。次
いで、このＡｌ合金膜をパターニングすることにより、
第２層間絶縁膜３上にはＡｌ合金膜からなる第２配線層
６が形成される。
【００２５】次いで、第２配線層６上にはシリコン酸化
膜などからなる第３の層間絶縁膜７をＣＶＤ法により堆
積する。このようにして図２に示す配線間接続部材が形
成され、第２層間絶縁膜３における接続部２ａ上の膜厚
は他の部分の膜厚より薄く形成される。
膜などからなる第３の層間絶縁膜７をＣＶＤ法により堆
積する。このようにして図２に示す配線間接続部材が形
成され、第２層間絶縁膜３における接続部２ａ上の膜厚
は他の部分の膜厚より薄く形成される。
【００２６】図６は、図１に示す接続部を複数配置した
配線間接続部材を示す平面図である。この接続部の配置
は一例であり、これ以外の配置を適用することも可能で
ある。
配線間接続部材を示す平面図である。この接続部の配置
は一例であり、これ以外の配置を適用することも可能で
ある。
【００２７】図６に示す配線間接続部材の断面構造は図
１に示す配線間接続部材と同様である。第１配線層には
複数の接続部２ａが形成されており、第１配線層上には
第２配線層６が形成されている。
１に示す配線間接続部材と同様である。第１配線層には
複数の接続部２ａが形成されており、第１配線層上には
第２配線層６が形成されている。
【００２８】上述したような配線間接続部材は、種々の
回路に適用することが可能であるが、例えば発振回路、
定電圧回路に適用することも可能である。半導体装置の
完成後のウエハ検査工程での検査結果において、発振周
波数が適正な周波数になっていないことが発見された場
合、第１配線層２と第２配線層６との間に高電圧を印加
することにより、第１配線層２と第２配線層６とを短絡
させて配線経路を変更する。これによって、発振周波数
を適正な周波数に調整することが可能となる。
回路に適用することが可能であるが、例えば発振回路、
定電圧回路に適用することも可能である。半導体装置の
完成後のウエハ検査工程での検査結果において、発振周
波数が適正な周波数になっていないことが発見された場
合、第１配線層２と第２配線層６との間に高電圧を印加
することにより、第１配線層２と第２配線層６とを短絡
させて配線経路を変更する。これによって、発振周波数
を適正な周波数に調整することが可能となる。
【００２９】上記第１の実施の形態によれば、接続部２
ａで第２層間絶縁膜３の膜厚を薄く形成しているため、
配線の素材や特性にかかわらず電気力のみで接続部２ａ
を短絡させることができる。従って、半導体装置を完成
した後でも半導体装置の特性調整などが可能となる。す
なわち、発振機能あるいは定電圧機能などを有する半導
体装置において、プロセス技術では調整しきれない特性
をプローブ検査時の電気的な影響力で半導体装置の配線
間接続を行い、特性を調整することができる。
ａで第２層間絶縁膜３の膜厚を薄く形成しているため、
配線の素材や特性にかかわらず電気力のみで接続部２ａ
を短絡させることができる。従って、半導体装置を完成
した後でも半導体装置の特性調整などが可能となる。す
なわち、発振機能あるいは定電圧機能などを有する半導
体装置において、プロセス技術では調整しきれない特性
をプローブ検査時の電気的な影響力で半導体装置の配線
間接続を行い、特性を調整することができる。
【００３０】また、上記第１の実施の形態では、図６に
示すように第１配線層に複数の接続部２ａを配置するこ
とにより、接続部を単数配置した場合に比べて第１配線
層２と第２配線層６をより確実に短絡させることができ
る。
示すように第１配線層に複数の接続部２ａを配置するこ
とにより、接続部を単数配置した場合に比べて第１配線
層２と第２配線層６をより確実に短絡させることができ
る。
【００３１】尚、上記第１の実施の形態では、第２層間
絶縁膜３をシリコン酸化膜により形成しているが、接続
部を短絡させることができるものであれば、他の材質に
より第２層間絶縁膜を形成することも可能であり、例え
ば有機ＳＯＧ(spin on glass)又はシリコン窒化膜によ
り第２層間絶縁膜を形成することも可能である。
絶縁膜３をシリコン酸化膜により形成しているが、接続
部を短絡させることができるものであれば、他の材質に
より第２層間絶縁膜を形成することも可能であり、例え
ば有機ＳＯＧ(spin on glass)又はシリコン窒化膜によ
り第２層間絶縁膜を形成することも可能である。
【００３２】図７（ａ）は、本発明に係る第２の実施の
形態による配線間接続部材を示す断面図であり、図１と
同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ
説明する。
形態による配線間接続部材を示す断面図であり、図１と
同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ
説明する。
【００３３】第１層間絶縁膜１上には第１配線層１２が
形成されており、第１配線層１２の厚さはほぼ一定であ
る。つまり、第１配線層１２において接続部１２ａの厚
さと他の部分の厚さがほぼ同じである。
形成されており、第１配線層１２の厚さはほぼ一定であ
る。つまり、第１配線層１２において接続部１２ａの厚
さと他の部分の厚さがほぼ同じである。
【００３４】第１配線層１２上には第２層間絶縁膜１３
が形成されており、第２層間絶縁膜１３には接続部１２
ａ上に位置するホールが形成されている。このホールは
その内側面にテーパーが形成されている。第２層間絶縁
膜１３の上には第２配線層１６が形成されている。第１
配線層１２と第２配線層１６との間に高電圧を印加した
場合、上記ホールの底部に電圧、電流が集中し、その部
分で短絡することになる。
が形成されており、第２層間絶縁膜１３には接続部１２
ａ上に位置するホールが形成されている。このホールは
その内側面にテーパーが形成されている。第２層間絶縁
膜１３の上には第２配線層１６が形成されている。第１
配線層１２と第２配線層１６との間に高電圧を印加した
場合、上記ホールの底部に電圧、電流が集中し、その部
分で短絡することになる。
【００３５】次に、上記配線間接続部材の製造方法につ
いて説明するが、第１の実施の形態と同一部分の説明は
省略する。
いて説明するが、第１の実施の形態と同一部分の説明は
省略する。
【００３６】第１層間絶縁膜１上にＡｌ合金膜からなる
第１配線層１２を形成した後、第１配線層１２及び第１
層間絶縁膜１の上にシリコン酸化膜などからなる第２層
間絶縁膜１３をＣＶＤ法により堆積する。次いで、第２
層間絶縁膜１３の上に接続部１２ａ上が開口されたレジ
ストパターンを形成し、このレジストパターンをマスク
として第２層間絶縁膜１３をエッチングすることによ
り、該第２層間絶縁膜１３には接続部１２ａ上に位置す
るホールが形成され、このホールの内側面にはテーパー
が付けられる。次いで、レジストパターンを剥離する。
第１配線層１２を形成した後、第１配線層１２及び第１
層間絶縁膜１の上にシリコン酸化膜などからなる第２層
間絶縁膜１３をＣＶＤ法により堆積する。次いで、第２
層間絶縁膜１３の上に接続部１２ａ上が開口されたレジ
ストパターンを形成し、このレジストパターンをマスク
として第２層間絶縁膜１３をエッチングすることによ
り、該第２層間絶縁膜１３には接続部１２ａ上に位置す
るホールが形成され、このホールの内側面にはテーパー
が付けられる。次いで、レジストパターンを剥離する。
【００３７】上記第２の実施の形態においても第１の実
施の形態と同様の効果を得ることができる。
施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００３８】図７（ｂ）は、本発明に係る第３の実施の
形態による配線間接続部材を示す断面図であり、図１と
同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ
説明する。
形態による配線間接続部材を示す断面図であり、図１と
同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ
説明する。
【００３９】第１層間絶縁膜１上には第１配線層２２が
形成されており、第１配線層２２の接続部２２ａには凸
部が形成されている。この凸部の側壁にはテーパーが形
成されている。第１配線層２２上には第２層間絶縁膜２
３が形成されており、第２層間絶縁膜２３の表面は平坦
化されており、接続部２２ａ上に位置する第２層間絶縁
膜２３の膜厚は他の部分の膜厚より薄く形成されてい
る。第２層間絶縁膜２３の上には第２配線層２６が形成
されている。第２配線層２６の膜厚はほぼ一定である。
つまり、接続部２２ａ上に位置する第２配線層２６の膜
厚と他の部分の膜厚がほぼ同じである。第１配線層２２
と第２配線層２６との間に高電圧を印加した場合、上記
凸部の上部に電圧、電流が集中し、その部分で短絡する
ことになる。
形成されており、第１配線層２２の接続部２２ａには凸
部が形成されている。この凸部の側壁にはテーパーが形
成されている。第１配線層２２上には第２層間絶縁膜２
３が形成されており、第２層間絶縁膜２３の表面は平坦
化されており、接続部２２ａ上に位置する第２層間絶縁
膜２３の膜厚は他の部分の膜厚より薄く形成されてい
る。第２層間絶縁膜２３の上には第２配線層２６が形成
されている。第２配線層２６の膜厚はほぼ一定である。
つまり、接続部２２ａ上に位置する第２配線層２６の膜
厚と他の部分の膜厚がほぼ同じである。第１配線層２２
と第２配線層２６との間に高電圧を印加した場合、上記
凸部の上部に電圧、電流が集中し、その部分で短絡する
ことになる。
【００４０】次に、上記配線間接続部材の製造方法につ
いて説明するが、第１の実施の形態と同一部分の説明は
省略する。
いて説明するが、第１の実施の形態と同一部分の説明は
省略する。
【００４１】第１配線層２２及び第１層間絶縁膜１の上
にシリコン酸化膜などからなる第２層間絶縁膜２３をＣ
ＶＤ法により堆積し、第２層間絶縁膜２３を平坦化す
る。次いで、第２層間絶縁膜２３上にＡｌ合金膜をスパ
ッタリングにより堆積する。次いで、このＡｌ合金膜を
パターニングすることにより、第２層間絶縁膜２３上に
はＡｌ合金膜からなる第２配線層２６が形成される。
にシリコン酸化膜などからなる第２層間絶縁膜２３をＣ
ＶＤ法により堆積し、第２層間絶縁膜２３を平坦化す
る。次いで、第２層間絶縁膜２３上にＡｌ合金膜をスパ
ッタリングにより堆積する。次いで、このＡｌ合金膜を
パターニングすることにより、第２層間絶縁膜２３上に
はＡｌ合金膜からなる第２配線層２６が形成される。
【００４２】上記第３の実施の形態においても第１の実
施の形態と同様の効果を得ることができる。
施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００４３】図８（ａ）は、本発明に係る第４の実施の
形態による配線間接続部材を示す断面図であり、図１と
同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ
説明する。
形態による配線間接続部材を示す断面図であり、図１と
同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ
説明する。
【００４４】第１層間絶縁膜１上には第１配線層３２が
形成されており、第１配線層３２の厚さはほぼ一定であ
る。つまり、第１配線層３２において接続部３２ａの厚
さと他の部分の厚さがほぼ同じである。
形成されており、第１配線層３２の厚さはほぼ一定であ
る。つまり、第１配線層３２において接続部３２ａの厚
さと他の部分の厚さがほぼ同じである。
【００４５】第１配線層３２上には第２層間絶縁膜３３
が形成されており、第２層間絶縁膜３３には接続部３２
ａ上に位置するホールが形成されている。このホールは
その内側面が略円錐形状となっている。第２層間絶縁膜
３３の上には第２配線層３６が形成されている。第１配
線層３２と第２配線層３６との間に高電圧を印加した場
合、上記円錐形状の頂点に相当するホールの底部に電
圧、電流が集中し、その部分で短絡することになる。
が形成されており、第２層間絶縁膜３３には接続部３２
ａ上に位置するホールが形成されている。このホールは
その内側面が略円錐形状となっている。第２層間絶縁膜
３３の上には第２配線層３６が形成されている。第１配
線層３２と第２配線層３６との間に高電圧を印加した場
合、上記円錐形状の頂点に相当するホールの底部に電
圧、電流が集中し、その部分で短絡することになる。
【００４６】次に、上記配線間接続部材の製造方法につ
いて説明するが、第１の実施の形態と同一部分の説明は
省略する。
いて説明するが、第１の実施の形態と同一部分の説明は
省略する。
【００４７】第１層間絶縁膜１上にＡｌ合金膜からなる
第１配線層３２を形成した後、第１配線層３２及び第１
層間絶縁膜１の上にシリコン酸化膜などからなる第２層
間絶縁膜３３をＣＶＤ法により堆積する。次いで、第２
層間絶縁膜３３の上に接続部３２ａ上が開口されたレジ
ストパターンを形成し、このレジストパターンをマスク
として第２層間絶縁膜３３をエッチングすることによ
り、該第２層間絶縁膜３３には接続部３２ａ上に位置す
るホールが形成され、このホールの内側面は略円錐形状
とされる。次いで、レジストパターンを剥離する。
第１配線層３２を形成した後、第１配線層３２及び第１
層間絶縁膜１の上にシリコン酸化膜などからなる第２層
間絶縁膜３３をＣＶＤ法により堆積する。次いで、第２
層間絶縁膜３３の上に接続部３２ａ上が開口されたレジ
ストパターンを形成し、このレジストパターンをマスク
として第２層間絶縁膜３３をエッチングすることによ
り、該第２層間絶縁膜３３には接続部３２ａ上に位置す
るホールが形成され、このホールの内側面は略円錐形状
とされる。次いで、レジストパターンを剥離する。
【００４８】上記第４の実施の形態においても第１の実
施の形態と同様の効果を得ることができる。
施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００４９】図８（ｂ）は、本発明に係る第５の実施の
形態による配線間接続部材を示す断面図であり、図１と
同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ
説明する。
形態による配線間接続部材を示す断面図であり、図１と
同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ
説明する。
【００５０】第１層間絶縁膜１上には第１配線層４２が
形成されており、第１配線層４２の接続部４２ａには凸
部が形成されている。この凸部は略円錐形状を有してい
る。第１配線層４２上には第２層間絶縁膜４３が形成さ
れており、第２層間絶縁膜４３の表面は平坦化されてお
り、接続部４２ａ上に位置する第２層間絶縁膜４３の膜
厚は他の部分の膜厚より薄く形成されている。第２層間
絶縁膜４３の上には第２配線層４６が形成されている。
第２配線層４６の膜厚はほぼ一定である。つまり、接続
部４２ａ上に位置する第２配線層４６の膜厚と他の部分
の膜厚がほぼ同じである。第１配線層４２と第２配線層
４６との間に高電圧を印加した場合、上記円錐形状の頂
点に電圧、電流が集中し、その部分で短絡することにな
る。
形成されており、第１配線層４２の接続部４２ａには凸
部が形成されている。この凸部は略円錐形状を有してい
る。第１配線層４２上には第２層間絶縁膜４３が形成さ
れており、第２層間絶縁膜４３の表面は平坦化されてお
り、接続部４２ａ上に位置する第２層間絶縁膜４３の膜
厚は他の部分の膜厚より薄く形成されている。第２層間
絶縁膜４３の上には第２配線層４６が形成されている。
第２配線層４６の膜厚はほぼ一定である。つまり、接続
部４２ａ上に位置する第２配線層４６の膜厚と他の部分
の膜厚がほぼ同じである。第１配線層４２と第２配線層
４６との間に高電圧を印加した場合、上記円錐形状の頂
点に電圧、電流が集中し、その部分で短絡することにな
る。
【００５１】次に、上記配線間接続部材の製造方法につ
いて説明するが、第１の実施の形態と同一部分の説明は
省略する。
いて説明するが、第１の実施の形態と同一部分の説明は
省略する。
【００５２】第１配線層４２上に接続部４２ａ上が覆わ
れたレジストパターンを形成し、このレジストパターン
をマスクとして第１配線層４２の上側を部分的にエッチ
ングすることにより、接続部以外の第１配線層４２の厚
さが薄くされ、その結果、第１配線層４２には円錐形状
の接続部４２ａが形成される。次いで、レジストパター
ンを剥離した後、第１配線層４２及び第１層間絶縁膜１
の上にシリコン酸化膜などからなる第２層間絶縁膜４３
をＣＶＤ法により堆積し、第２層間絶縁膜４３を平坦化
する。次いで、第２層間絶縁膜４３上にＡｌ合金膜をス
パッタリングにより堆積する。次いで、このＡｌ合金膜
をパターニングすることにより、第２層間絶縁膜４３上
にはＡｌ合金膜からなる第２配線層４６が形成される。
れたレジストパターンを形成し、このレジストパターン
をマスクとして第１配線層４２の上側を部分的にエッチ
ングすることにより、接続部以外の第１配線層４２の厚
さが薄くされ、その結果、第１配線層４２には円錐形状
の接続部４２ａが形成される。次いで、レジストパター
ンを剥離した後、第１配線層４２及び第１層間絶縁膜１
の上にシリコン酸化膜などからなる第２層間絶縁膜４３
をＣＶＤ法により堆積し、第２層間絶縁膜４３を平坦化
する。次いで、第２層間絶縁膜４３上にＡｌ合金膜をス
パッタリングにより堆積する。次いで、このＡｌ合金膜
をパターニングすることにより、第２層間絶縁膜４３上
にはＡｌ合金膜からなる第２配線層４６が形成される。
【００５３】上記第５の実施の形態においても第１の実
施の形態と同様の効果を得ることができる。
施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００５４】図９（ａ）は、本発明に係る第６の実施の
形態による配線間接続部材を示す断面図であり、図１と
同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ
説明する。
形態による配線間接続部材を示す断面図であり、図１と
同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ
説明する。
【００５５】第１層間絶縁膜１上には第１配線層５２が
形成されており、第１配線層５２の厚さはほぼ一定であ
る。つまり、第１配線層５２において接続部５２ａの厚
さと他の部分の厚さがほぼ同じである。
形成されており、第１配線層５２の厚さはほぼ一定であ
る。つまり、第１配線層５２において接続部５２ａの厚
さと他の部分の厚さがほぼ同じである。
【００５６】第１配線層５２上には第２層間絶縁膜５３
が形成されており、第２層間絶縁膜５３には接続部５２
ａ上に位置するホールが形成されている。ホールの内側
面は略垂直に加工されている。第２層間絶縁膜５３の上
には第２配線層５６が形成されている。第１配線層５２
と第２配線層５６との間に高電圧を印加した場合、上記
ホールの底部に電圧、電流が集中し、その部分で短絡す
ることになる。
が形成されており、第２層間絶縁膜５３には接続部５２
ａ上に位置するホールが形成されている。ホールの内側
面は略垂直に加工されている。第２層間絶縁膜５３の上
には第２配線層５６が形成されている。第１配線層５２
と第２配線層５６との間に高電圧を印加した場合、上記
ホールの底部に電圧、電流が集中し、その部分で短絡す
ることになる。
【００５７】次に、上記配線間接続部材の製造方法につ
いて説明するが、第１の実施の形態と同一部分の説明は
省略する。
いて説明するが、第１の実施の形態と同一部分の説明は
省略する。
【００５８】第１層間絶縁膜１上にＡｌ合金膜からなる
第１配線層５２を形成した後、第１配線層５２及び第１
層間絶縁膜１の上にシリコン酸化膜などからなる第２層
間絶縁膜５３をＣＶＤ法により堆積する。次いで、第２
層間絶縁膜５３の上に接続部５２ａ上が開口されたレジ
ストパターンを形成し、このレジストパターンをマスク
として第２層間絶縁膜５３をエッチングすることによ
り、該第２層間絶縁膜５３には接続部５２ａ上に位置す
るホールが形成され、このホールの内側面は略垂直に形
成される。次いで、レジストパターンを剥離する。
第１配線層５２を形成した後、第１配線層５２及び第１
層間絶縁膜１の上にシリコン酸化膜などからなる第２層
間絶縁膜５３をＣＶＤ法により堆積する。次いで、第２
層間絶縁膜５３の上に接続部５２ａ上が開口されたレジ
ストパターンを形成し、このレジストパターンをマスク
として第２層間絶縁膜５３をエッチングすることによ
り、該第２層間絶縁膜５３には接続部５２ａ上に位置す
るホールが形成され、このホールの内側面は略垂直に形
成される。次いで、レジストパターンを剥離する。
【００５９】上記第６の実施の形態においても第１の実
施の形態と同様の効果を得ることができる。
施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００６０】図９（ｂ）は、本発明に係る第７の実施の
形態による配線間接続部材を示す断面図であり、図１と
同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ
説明する。
形態による配線間接続部材を示す断面図であり、図１と
同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ
説明する。
【００６１】第１層間絶縁膜１上には第１配線層６２が
形成されており、第１配線層６２の接続部６２ａには凸
部が形成されている。この凸部の側壁はほぼ垂直に加工
されている。第１配線層６２上には第２層間絶縁膜６３
が形成されており、第２層間絶縁膜６３の表面は平坦化
されており、接続部６２ａ上に位置する第２層間絶縁膜
６３の膜厚は他の部分の膜厚より薄く形成されている。
第２層間絶縁膜６３の上には第２配線層６６が形成され
ている。第２配線層６６の膜厚はほぼ一定である。つま
り、接続部６２ａ上に位置する第２配線層６６の膜厚と
他の部分の膜厚がほぼ同じである。第１配線層６２と第
２配線層６６との間に高電圧を印加した場合、上記凸部
の上部に電圧、電流が集中し、その部分で短絡すること
になる。
形成されており、第１配線層６２の接続部６２ａには凸
部が形成されている。この凸部の側壁はほぼ垂直に加工
されている。第１配線層６２上には第２層間絶縁膜６３
が形成されており、第２層間絶縁膜６３の表面は平坦化
されており、接続部６２ａ上に位置する第２層間絶縁膜
６３の膜厚は他の部分の膜厚より薄く形成されている。
第２層間絶縁膜６３の上には第２配線層６６が形成され
ている。第２配線層６６の膜厚はほぼ一定である。つま
り、接続部６２ａ上に位置する第２配線層６６の膜厚と
他の部分の膜厚がほぼ同じである。第１配線層６２と第
２配線層６６との間に高電圧を印加した場合、上記凸部
の上部に電圧、電流が集中し、その部分で短絡すること
になる。
【００６２】次に、上記配線間接続部材の製造方法につ
いて説明するが、第１の実施の形態と同一部分の説明は
省略する。
いて説明するが、第１の実施の形態と同一部分の説明は
省略する。
【００６３】第１配線層６２上に接続部６２ａ上が覆わ
れたレジストパターンを形成し、このレジストパターン
をマスクとして第１配線層６２の上側を部分的にエッチ
ングすることにより、接続部以外の第１配線層６２の厚
さが薄くされ、その結果、第１配線層６２には円柱形状
の接続部６２ａが形成される。次いで、レジストパター
ンを剥離した後、第１配線層６２及び第１層間絶縁膜１
の上にシリコン酸化膜などからなる第２層間絶縁膜６３
をＣＶＤ法により堆積し、第２層間絶縁膜６３を平坦化
する。次いで、第２層間絶縁膜６３上にＡｌ合金膜をス
パッタリングにより堆積する。次いで、このＡｌ合金膜
をパターニングすることにより、第２層間絶縁膜６３上
にはＡｌ合金膜からなる第２配線層６６が形成される。
れたレジストパターンを形成し、このレジストパターン
をマスクとして第１配線層６２の上側を部分的にエッチ
ングすることにより、接続部以外の第１配線層６２の厚
さが薄くされ、その結果、第１配線層６２には円柱形状
の接続部６２ａが形成される。次いで、レジストパター
ンを剥離した後、第１配線層６２及び第１層間絶縁膜１
の上にシリコン酸化膜などからなる第２層間絶縁膜６３
をＣＶＤ法により堆積し、第２層間絶縁膜６３を平坦化
する。次いで、第２層間絶縁膜６３上にＡｌ合金膜をス
パッタリングにより堆積する。次いで、このＡｌ合金膜
をパターニングすることにより、第２層間絶縁膜６３上
にはＡｌ合金膜からなる第２配線層６６が形成される。
【００６４】上記第７の実施の形態においても第１の実
施の形態と同様の効果を得ることができる。
施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００６５】尚、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々変更して実施することが可能である。例えば、
上記第１乃至第７の実施の形態では、接続部について種
々の形状を記載しているが、これらに限定されるもので
はなく、接続部での層間絶縁膜の膜厚を薄くできる形状
であれば他の形状を用いることも可能である。
ず、種々変更して実施することが可能である。例えば、
上記第１乃至第７の実施の形態では、接続部について種
々の形状を記載しているが、これらに限定されるもので
はなく、接続部での層間絶縁膜の膜厚を薄くできる形状
であれば他の形状を用いることも可能である。
【００６６】また、上記実施の形態では、第１配線層を
第２配線層より下に配置しているが、第１配線と第２配
線を同一層に並べて配置することも可能である。つま
り、第１配線と第２配線との間に絶縁膜が配置され、こ
の絶縁膜に第１配線と第２配線との間に挟まれた薄膜化
された領域が形成されていれば、両配線を同一層に配置
することも可能である。
第２配線層より下に配置しているが、第１配線と第２配
線を同一層に並べて配置することも可能である。つま
り、第１配線と第２配線との間に絶縁膜が配置され、こ
の絶縁膜に第１配線と第２配線との間に挟まれた薄膜化
された領域が形成されていれば、両配線を同一層に配置
することも可能である。
【００６７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、第
１配線と第２配線との間に配置した絶縁膜に、第１配線
と第２配線との間に挟まれ薄膜化された領域を形成して
いる。したがって、配線間を容易に接続できる配線間接
続方法、配線間接続部材及びその製造方法を提供するこ
とができる。
１配線と第２配線との間に配置した絶縁膜に、第１配線
と第２配線との間に挟まれ薄膜化された領域を形成して
いる。したがって、配線間を容易に接続できる配線間接
続方法、配線間接続部材及びその製造方法を提供するこ
とができる。
【図１】本発明に係る第１の実施の形態による配線間接
続部材を示す断面図である。
続部材を示す断面図である。
【図２】図１に示す配線間接続部材の製造方法を示す断
面図である。
面図である。
【図３】図１に示す配線間接続部材の製造方法を示すも
のであり、図２の次の工程を示す断面図である。
のであり、図２の次の工程を示す断面図である。
【図４】図１に示す配線間接続部材の製造方法を示すも
のであり、図３の次の工程を示す断面図である。
のであり、図３の次の工程を示す断面図である。
【図５】図１に示す配線間接続部材の製造方法を示すも
のであり、図４の次の工程を示す断面図である。
のであり、図４の次の工程を示す断面図である。
【図６】図１に示す接続部を複数配置した配線間接続部
材を示す平面図である。
材を示す平面図である。
【図７】（ａ）は、本発明に係る第２の実施の形態によ
る配線間接続部材を示す断面図であり、（ｂ）は、本発
明に係る第３の実施の形態による配線間接続部材を示す
断面図である。
る配線間接続部材を示す断面図であり、（ｂ）は、本発
明に係る第３の実施の形態による配線間接続部材を示す
断面図である。
【図８】（ａ）は、本発明に係る第４の実施の形態によ
る配線間接続部材を示す断面図であり、（ｂ）は、本発
明に係る第５の実施の形態による配線間接続部材を示す
断面図である。
る配線間接続部材を示す断面図であり、（ｂ）は、本発
明に係る第５の実施の形態による配線間接続部材を示す
断面図である。
【図９】（ａ）は、本発明に係る第６の実施の形態によ
る配線間接続部材を示す断面図であり、（ｂ）は、本発
明に係る第７の実施の形態による配線間接続部材を示す
断面図である。
る配線間接続部材を示す断面図であり、（ｂ）は、本発
明に係る第７の実施の形態による配線間接続部材を示す
断面図である。
１…第１層間絶縁膜
２，１２，２２，３２，４２，５２，６２…第１配線層
２ａ，１２ａ，２２ａ，３２ａ，４２ａ，５２ａ，６２
ａ…接続部 ３，１３，２３，３３，４３，５３，６３…第２層間絶
縁膜 ４，５…レジストパターン ６，１６，２６，３６，４６，５６，６６…第２配線層 ７…第３層間絶縁膜
ａ…接続部 ３，１３，２３，３３，４３，５３，６３…第２層間絶
縁膜 ４，５…レジストパターン ６，１６，２６，３６，４６，５６，６６…第２配線層 ７…第３層間絶縁膜
Claims (10)
- 【請求項１】 第１配線と第２配線との間に絶縁膜が配
置された配線間接続部材であって、 この絶縁膜には第１配線と第２配線との間に挟まれ薄膜
化された領域が形成されていることを特徴とする配線間
接続部材。 - 【請求項２】 第１配線と第２配線との間に絶縁膜が配
置された配線間接続部材であって、この絶縁膜には第１
配線と第２配線との間に挟まれ薄膜化された領域が形成
されている配線間接続部材を準備し、 第１配線と第２配線との間に高電圧を印加することによ
り、上記薄膜化された領域を短絡させることを特徴とす
る配線間接続方法。 - 【請求項３】 第１配線層と、 この第１配線層上に形成された凸部と、 第１配線層上に形成された絶縁膜と、 この絶縁膜に形成された、上記凸部上に位置するホール
と、 このホール内及び絶縁膜上に形成された第２配線層と、 を具備し、 上記凸部上に位置する絶縁膜の膜厚が他の部分の絶縁膜
より薄く形成されていることを特徴とする配線間接続部
材。 - 【請求項４】 第１配線層と、 この第１配線層上に形成された絶縁膜と、 この絶縁膜に形成されたホールと、 このホール内及び絶縁膜上に形成された第２配線層と、 を具備し、 上記ホール下に位置する絶縁膜の膜厚が他の部分の絶縁
膜より薄く形成されていることを特徴とする配線間接続
部材。 - 【請求項５】 上記ホールの内側面にはテーパーが形成
されていることを特徴とする請求項３又は４に記載の配
線間接続部材。 - 【請求項６】 第１配線層と、 この第１配線層上に形成された凸部と、 第１配線層上に形成され、平坦化された絶縁膜と、 この絶縁膜上に形成された第２配線層と、 を具備し、 上記凸部上に位置する絶縁膜の膜厚が他の部分の絶縁膜
より薄く形成されていることを特徴とする配線間接続部
材。 - 【請求項７】 上記凸部の側面にはテーパーが形成され
ていることを特徴とする請求項３又は６に記載の配線間
接続部材。 - 【請求項８】 第１配線層の上側を部分的にエッチング
することにより、第１配線層に凸部を形成する工程と、 第１配線層上に絶縁膜を形成する工程と、 この絶縁膜に、上記凸部上に位置するホールを形成する
工程と、 このホール内及び絶縁膜上に第２配線層を形成する工程
と、 を具備し、 上記凸部上に位置する絶縁膜の膜厚が他の部分の絶縁膜
より薄く形成されていることを特徴とする配線間接続部
材の製造方法。 - 【請求項９】 第１配線層上に絶縁膜を形成する工程
と、 この絶縁膜にホールを形成する工程と、 このホール内及び絶縁膜上に第２配線層を形成する工程
と、 を具備し、 上記ホール下に位置する絶縁膜の膜厚が他の部分の絶縁
膜より薄く形成されていることを特徴とする配線間接続
部材の製造方法。 - 【請求項１０】 第１配線層の上側を部分的にエッチン
グすることにより、第１配線層に凸部を形成する工程
と、 第１配線層上に、平坦化された絶縁膜を形成する工程
と、 この絶縁膜上に第２配線層を形成する工程と、 を具備し、 上記凸部上に位置する絶縁膜の膜厚が他の部分の絶縁膜
より薄く形成されていることを特徴とする配線間接続部
材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
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-
2001
- 2001-08-23 JP JP2001253471A patent/JP2003068854A/ja not_active Withdrawn
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