JP2003068686A - ポリッシング装置及び研磨パッド並びにその製造方法 - Google Patents
ポリッシング装置及び研磨パッド並びにその製造方法Info
- Publication number
- JP2003068686A JP2003068686A JP2002062270A JP2002062270A JP2003068686A JP 2003068686 A JP2003068686 A JP 2003068686A JP 2002062270 A JP2002062270 A JP 2002062270A JP 2002062270 A JP2002062270 A JP 2002062270A JP 2003068686 A JP2003068686 A JP 2003068686A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pad
- polishing
- window member
- light
- polishing pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 230
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 60
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 24
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 21
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 15
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 9
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 abstract description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 106
- 239000010408 film Substances 0.000 description 71
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 56
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 44
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 33
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 9
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 9
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 5
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 3
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000800 acrylic rubber Polymers 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate) core Polymers 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/205—Lapping pads for working plane surfaces provided with a window for inspecting the surface of the work being lapped
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光学式センサによる膜厚の測定を正確に且つ
安定して行なうことができ、被研磨物のスクラッチを防
止することができる研磨パッドを提供する。 【解決手段】 光を透過させる透光窓部材４１を配置す
るための窓孔１１ａが形成された上層パッド１１と、上
層パッド１１の窓孔１１ａに連通する通光孔１２ａが形
成された下層パッド１２とを有する研磨パッド１０であ
って、上層パッド１１と下層パッド１２との間に、上下
面に接着剤が塗布された透明接着フィルム１３を配置し
た。また、上層パッド１１の窓孔１１ａと下層パッド１
２の通光孔１２ａとの大きさを略同一とした。
安定して行なうことができ、被研磨物のスクラッチを防
止することができる研磨パッドを提供する。 【解決手段】 光を透過させる透光窓部材４１を配置す
るための窓孔１１ａが形成された上層パッド１１と、上
層パッド１１の窓孔１１ａに連通する通光孔１２ａが形
成された下層パッド１２とを有する研磨パッド１０であ
って、上層パッド１１と下層パッド１２との間に、上下
面に接着剤が塗布された透明接着フィルム１３を配置し
た。また、上層パッド１１の窓孔１１ａと下層パッド１
２の通光孔１２ａとの大きさを略同一とした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、研磨パッド及びそ
の製造方法、特に半導体基板等の被研磨物を平坦且つ鏡
面状に研磨するための研磨パッド及びその製造方法に関
するものである。また、本発明は、かかる研磨パッドを
備えたポリッシング装置に関するものである。
の製造方法、特に半導体基板等の被研磨物を平坦且つ鏡
面状に研磨するための研磨パッド及びその製造方法に関
するものである。また、本発明は、かかる研磨パッドを
備えたポリッシング装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の半導体デバイスの高集積化に伴う
配線の微細化、及び多層化の要求によって、半導体基板
の表面の平坦度が要求されている。即ち、配線の微細化
によって、光リソグラフィに用いる光の波長としてより
短いものを使用するようになり、このような短波長の光
は基板上の焦点位置での許容される高低差がより小さく
なる。従って、焦点位置での高低差が小さいこと、即ち
基板表面の高い平坦度が必要となってくる。このため、
化学機械研磨（ＣＭＰ）により半導体基板の表面の凹凸
を除去してその表面を平坦化することが行われている。
配線の微細化、及び多層化の要求によって、半導体基板
の表面の平坦度が要求されている。即ち、配線の微細化
によって、光リソグラフィに用いる光の波長としてより
短いものを使用するようになり、このような短波長の光
は基板上の焦点位置での許容される高低差がより小さく
なる。従って、焦点位置での高低差が小さいこと、即ち
基板表面の高い平坦度が必要となってくる。このため、
化学機械研磨（ＣＭＰ）により半導体基板の表面の凹凸
を除去してその表面を平坦化することが行われている。
【０００３】上記化学機械研磨においては、所定時間の
研磨を行なった後に所望の位置で研磨を終了する必要が
ある。例えば、ＣｕやＡｌなどの金属配線の上部にＳｉ
Ｏ２等の絶縁層（この後の工程で絶縁層の上に更に金属
などの層を形成するため、このような絶縁層は層間膜と
呼ばれる。）を残したい場合がある。このような場合、
研磨を必要以上に行なうと下層の金属膜が表面に露出し
てしまうので、層間膜を所定の膜厚だけ残すように研磨
を終了する必要がある。
研磨を行なった後に所望の位置で研磨を終了する必要が
ある。例えば、ＣｕやＡｌなどの金属配線の上部にＳｉ
Ｏ２等の絶縁層（この後の工程で絶縁層の上に更に金属
などの層を形成するため、このような絶縁層は層間膜と
呼ばれる。）を残したい場合がある。このような場合、
研磨を必要以上に行なうと下層の金属膜が表面に露出し
てしまうので、層間膜を所定の膜厚だけ残すように研磨
を終了する必要がある。
【０００４】また、半導体基板上に予め所定パターンの
配線用の溝を形成しておき、その中にＣｕ（銅）又はそ
の合金を充填した後に、表面の不要部分を化学機械研磨
（ＣＭＰ）により除去する場合がある。Ｃｕ層をＣＭＰ
プロセスにより研磨する場合、配線用溝の内部に形成さ
れたＣｕ層のみを残して半導体基板からＣｕ層を選択的
に除去することが必要とされる。即ち、配線用の溝部以
外の箇所では、（ＳｉＯ２などからなる）絶縁膜が露出
するまでＣｕ層を除去することが求められる。
配線用の溝を形成しておき、その中にＣｕ（銅）又はそ
の合金を充填した後に、表面の不要部分を化学機械研磨
（ＣＭＰ）により除去する場合がある。Ｃｕ層をＣＭＰ
プロセスにより研磨する場合、配線用溝の内部に形成さ
れたＣｕ層のみを残して半導体基板からＣｕ層を選択的
に除去することが必要とされる。即ち、配線用の溝部以
外の箇所では、（ＳｉＯ２などからなる）絶縁膜が露出
するまでＣｕ層を除去することが求められる。
【０００５】この場合において、過剰研磨となって、配
線用の溝内のＣｕ層を絶縁膜と共に研磨してしまうと、
回路抵抗が上昇し、半導体基板全体を廃棄しなければな
らず、多大な損害となる。逆に、研磨が不十分で、Ｃｕ
層が絶縁膜上に残ると、回路の分離がうまくいかず、短
絡が起こり、その結果、再研磨が必要となり、製造コス
トが増大する。このような事情は、Ｃｕ層に限らず、Ａ
ｌ層等の他の金属膜を形成し、この金属膜をＣＭＰプロ
セスで研磨する場合も同様である。
線用の溝内のＣｕ層を絶縁膜と共に研磨してしまうと、
回路抵抗が上昇し、半導体基板全体を廃棄しなければな
らず、多大な損害となる。逆に、研磨が不十分で、Ｃｕ
層が絶縁膜上に残ると、回路の分離がうまくいかず、短
絡が起こり、その結果、再研磨が必要となり、製造コス
トが増大する。このような事情は、Ｃｕ層に限らず、Ａ
ｌ層等の他の金属膜を形成し、この金属膜をＣＭＰプロ
セスで研磨する場合も同様である。
【０００６】このため、光学式センサを用いてＣＭＰプ
ロセスの加工終点を検出することがなされている。即
ち、投光素子と受光素子とを備えた光学式センサを設置
し、この光学式センサから半導体基板の被研磨面に光を
照射する。そして、被研磨面における光の反射率の変化
を検知して被研磨面上の絶縁膜や金属膜の膜厚を測定
し、ＣＭＰプロセスの加工終点を検出している。
ロセスの加工終点を検出することがなされている。即
ち、投光素子と受光素子とを備えた光学式センサを設置
し、この光学式センサから半導体基板の被研磨面に光を
照射する。そして、被研磨面における光の反射率の変化
を検知して被研磨面上の絶縁膜や金属膜の膜厚を測定
し、ＣＭＰプロセスの加工終点を検出している。
【０００７】研磨テーブルの上面に貼設される研磨パッ
ドは、通常、光の透過率が低い。従って、研磨パッドの
下方から半導体基板の被研磨面に光を照射する場合に
は、光を透過させるために透過率の高い透光窓部材を研
磨パッドに設置し、この透光窓部材を介して光学式セン
サからの光が半導体基板の被研磨面に照射される。
ドは、通常、光の透過率が低い。従って、研磨パッドの
下方から半導体基板の被研磨面に光を照射する場合に
は、光を透過させるために透過率の高い透光窓部材を研
磨パッドに設置し、この透光窓部材を介して光学式セン
サからの光が半導体基板の被研磨面に照射される。
【０００８】図１４は、上述した透光窓部材を含む従来
の２層研磨パッドの部分拡大断面図である。研磨パッド
３１０は上層パッド３１１と下層パッド３１２とから構
成されており、上層パッド３１１には、透光窓部材３４
１を配置するための窓孔３１１ａが形成されている。ま
た、下層パッド３１２には、この窓孔３１１ａよりも小
さな径の通光孔３１２ａが形成されている。これら径の
異なる孔３１１ａ，３１２ａによって段部３１３が形成
されている。
の２層研磨パッドの部分拡大断面図である。研磨パッド
３１０は上層パッド３１１と下層パッド３１２とから構
成されており、上層パッド３１１には、透光窓部材３４
１を配置するための窓孔３１１ａが形成されている。ま
た、下層パッド３１２には、この窓孔３１１ａよりも小
さな径の通光孔３１２ａが形成されている。これら径の
異なる孔３１１ａ，３１２ａによって段部３１３が形成
されている。
【０００９】このような研磨パッド３１０を製作する場
合には、上層パッド３１１の下面と下層パッド３１２の
上面にそれぞれ接着剤を塗布し、上層パッド３１１と下
層パッド３１２とを上下方向に押圧してこれらを接着す
る。そして、窓孔３１１ａに透光窓部材３４１を嵌め込
む。この透光窓部材３４１は段部３１３の上面に塗布さ
れた接着剤によって下層パッド３１２に接着される。
合には、上層パッド３１１の下面と下層パッド３１２の
上面にそれぞれ接着剤を塗布し、上層パッド３１１と下
層パッド３１２とを上下方向に押圧してこれらを接着す
る。そして、窓孔３１１ａに透光窓部材３４１を嵌め込
む。この透光窓部材３４１は段部３１３の上面に塗布さ
れた接着剤によって下層パッド３１２に接着される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記透
光窓部材３４１は、下層パッド３１２と段部３１３の上
面においてのみ接着され、接着面積が小さいため、接着
力が弱く、透光窓部材３４１が研磨パッド３１０から剥
がれてしまうことがある。また、透光窓部材３４１が全
体的に剥がれなくても、その一部が剥がれただけで透光
窓部材３４１と下層パッド３１２（段部３１３）との間
に隙間が生じ、この隙間から、研磨パッド３１０の上面
で使用される研磨液が透光窓部材３４１の下面に漏れ出
してしまうことがある。透光窓部材３４１の下面に研磨
液が付着すると、透光窓部材３４１の反射率が大幅に低
下し、半導体基板の被研磨面における反射率の変化を光
学式センサによって検出することが難しくなり、正確な
膜厚の測定ができないこととなる。
光窓部材３４１は、下層パッド３１２と段部３１３の上
面においてのみ接着され、接着面積が小さいため、接着
力が弱く、透光窓部材３４１が研磨パッド３１０から剥
がれてしまうことがある。また、透光窓部材３４１が全
体的に剥がれなくても、その一部が剥がれただけで透光
窓部材３４１と下層パッド３１２（段部３１３）との間
に隙間が生じ、この隙間から、研磨パッド３１０の上面
で使用される研磨液が透光窓部材３４１の下面に漏れ出
してしまうことがある。透光窓部材３４１の下面に研磨
液が付着すると、透光窓部材３４１の反射率が大幅に低
下し、半導体基板の被研磨面における反射率の変化を光
学式センサによって検出することが難しくなり、正確な
膜厚の測定ができないこととなる。
【００１１】また、透光窓部材３４１と段部３１３との
間の隙間に研磨液が入り込むと、研磨パッド３１０の膨
潤によって弾性が不均一な部分が生じ、半導体基板の研
磨に悪影響を与える可能性がある。更に、透光窓部材３
４１と光学式センサとの間に透過率の低い研磨液が不規
則に入り込むと、測定信号の安定性の低下及び測定結果
の信頼性の低下を招くこととなる。
間の隙間に研磨液が入り込むと、研磨パッド３１０の膨
潤によって弾性が不均一な部分が生じ、半導体基板の研
磨に悪影響を与える可能性がある。更に、透光窓部材３
４１と光学式センサとの間に透過率の低い研磨液が不規
則に入り込むと、測定信号の安定性の低下及び測定結果
の信頼性の低下を招くこととなる。
【００１２】また、上述したように、透光窓部材３４１
は上層パッド３１１に形成された窓孔３１１ａに嵌め込
まれるが、この窓孔３１１ａは、嵌め込みのために透光
窓部材３４１に対して多少の余裕を持った寸法で形成さ
れている。従って、透光窓部材３４１を窓孔３１１ａに
嵌め込んだ後も透光窓部材３４１と窓孔３１１ａとの間
に微小な隙間３１４が生じ、この隙間３１４に研磨液が
入り込み、ここで固着してしまう場合がある。この固着
した研磨液は、研磨パッド３１０の上面で研磨される半
導体基板のスクラッチの原因となる。
は上層パッド３１１に形成された窓孔３１１ａに嵌め込
まれるが、この窓孔３１１ａは、嵌め込みのために透光
窓部材３４１に対して多少の余裕を持った寸法で形成さ
れている。従って、透光窓部材３４１を窓孔３１１ａに
嵌め込んだ後も透光窓部材３４１と窓孔３１１ａとの間
に微小な隙間３１４が生じ、この隙間３１４に研磨液が
入り込み、ここで固着してしまう場合がある。この固着
した研磨液は、研磨パッド３１０の上面で研磨される半
導体基板のスクラッチの原因となる。
【００１３】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑みてなされたもので、光学式センサによる膜厚の測定
を正確に且つ安定して行なうことができ、被研磨物のス
クラッチを防止することができる研磨パッド及びその製
造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、
かかる研磨パッドを備えたポリッシング装置を提供する
ことを目的とする。
鑑みてなされたもので、光学式センサによる膜厚の測定
を正確に且つ安定して行なうことができ、被研磨物のス
クラッチを防止することができる研磨パッド及びその製
造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、
かかる研磨パッドを備えたポリッシング装置を提供する
ことを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】このような従来技術にお
ける問題点を解決するために、本発明の第１の態様は、
光を透過させる透光窓部材を配置するための窓孔が形成
された上層パッドと、上記上層パッドの窓孔に連通する
通光孔が形成された下層パッドとを有する研磨パッドで
あって、上記上層パッドと上記下層パッドとの間に、透
明フィルムを配置したことを特徴としている。この場合
において、上記透明フィルムと上記上層パッド及び上記
下層パッドとの界面に接着剤を塗布することが好まし
い。
ける問題点を解決するために、本発明の第１の態様は、
光を透過させる透光窓部材を配置するための窓孔が形成
された上層パッドと、上記上層パッドの窓孔に連通する
通光孔が形成された下層パッドとを有する研磨パッドで
あって、上記上層パッドと上記下層パッドとの間に、透
明フィルムを配置したことを特徴としている。この場合
において、上記透明フィルムと上記上層パッド及び上記
下層パッドとの界面に接着剤を塗布することが好まし
い。
【００１５】これにより、透光窓部材の下面が全面に亘
って透明フィルムに接触するので、透光窓部材の下面全
面が透明フィルムに接着される。このため、透光窓部材
の接着面積が従来のものに比べて大きくなるので、接着
強度を高めることができ、透光窓部材が研磨パッドから
剥がれることを防止することができる。従って、研磨液
の透光窓部材の下面へのリークがなくなるので、高品質
の研磨を実現すると共に、光学式センサによる膜厚の測
定を正確に且つ安定して行なうことが可能となる。
って透明フィルムに接触するので、透光窓部材の下面全
面が透明フィルムに接着される。このため、透光窓部材
の接着面積が従来のものに比べて大きくなるので、接着
強度を高めることができ、透光窓部材が研磨パッドから
剥がれることを防止することができる。従って、研磨液
の透光窓部材の下面へのリークがなくなるので、高品質
の研磨を実現すると共に、光学式センサによる膜厚の測
定を正確に且つ安定して行なうことが可能となる。
【００１６】また、透光窓部材と下層パッドとは透明フ
ィルムによって完全に分離された構造となり、透光窓部
材と光学式センサとの間に透過率の低い研磨液が入り込
むことを防止することができるので、光学式センサによ
る膜厚の測定を正確に且つ安定して行なうことが可能と
なる。
ィルムによって完全に分離された構造となり、透光窓部
材と光学式センサとの間に透過率の低い研磨液が入り込
むことを防止することができるので、光学式センサによ
る膜厚の測定を正確に且つ安定して行なうことが可能と
なる。
【００１７】また、本発明の好ましい一態様は、上記上
層パッドの窓孔と上記下層パッドの通光孔との大きさを
略同一としたことを特徴とする。
層パッドの窓孔と上記下層パッドの通光孔との大きさを
略同一としたことを特徴とする。
【００１８】本発明の第２の態様は、光を透過させる透
光窓部材を配置するための窓孔が形成された研磨パッド
であって、上記研磨パッドの表面よりも軟質の材料から
形成される透光窓部材を上記窓孔に配置したことを特徴
とする研磨パッドである。
光窓部材を配置するための窓孔が形成された研磨パッド
であって、上記研磨パッドの表面よりも軟質の材料から
形成される透光窓部材を上記窓孔に配置したことを特徴
とする研磨パッドである。
【００１９】このように、研磨パッドの表面よりも軟質
な透光窓部材を用いることにより、研磨パッドのドレッ
シング時に透光窓部材の表面にスクラッチが入りにくく
なる。従って、透光窓部材の表面のスクラッチに起因し
て研磨時に被研磨物にスクラッチが入ることを防止する
ことができる。また、透光窓部材を軟質の材料により形
成するので、ドレッシング終了後に透光窓部材が研磨パ
ッドの表面から突出することとなっても、研磨時に被研
磨物が傷つきにくくなる。
な透光窓部材を用いることにより、研磨パッドのドレッ
シング時に透光窓部材の表面にスクラッチが入りにくく
なる。従って、透光窓部材の表面のスクラッチに起因し
て研磨時に被研磨物にスクラッチが入ることを防止する
ことができる。また、透光窓部材を軟質の材料により形
成するので、ドレッシング終了後に透光窓部材が研磨パ
ッドの表面から突出することとなっても、研磨時に被研
磨物が傷つきにくくなる。
【００２０】本発明の第３の態様は、光を透過させる透
光窓部材を配置するための窓孔が形成された研磨パッド
であって、上記透光窓部材の下方には、シール性及び弾
力性に優れた支持シール材を設けたことを特徴とする研
磨パッドである。
光窓部材を配置するための窓孔が形成された研磨パッド
であって、上記透光窓部材の下方には、シール性及び弾
力性に優れた支持シール材を設けたことを特徴とする研
磨パッドである。
【００２１】このように、透光窓部材は、シール性に優
れた支持シール材によって支持されるので、透光窓部材
の下面への研磨液のリークが少なくなり、高品質の研磨
を実現すると共に、光学式センサによる膜厚の測定を正
確に且つ安定して行なうことが可能となる。また、支持
シール材により透光窓部材と光学式センサとの間に透過
率の低い研磨液が入り込むことが防止されるため、光学
式センサによる膜厚の測定を正確に且つ安定して行なう
ことが可能となる。更に、透光窓部材は、弾力性に優れ
た支持シール材によって強固に支持されるので、研磨パ
ッドのドレッシング時に透光窓部材が下方に押し下げら
れにくくなり、ドレッシング終了後における透光窓部材
の突出を防止することができる。従って、上述した透光
窓部材を軟質の材料で形成することと相俟って、被研磨
物のスクラッチをより効果的に防止することが可能とな
る。
れた支持シール材によって支持されるので、透光窓部材
の下面への研磨液のリークが少なくなり、高品質の研磨
を実現すると共に、光学式センサによる膜厚の測定を正
確に且つ安定して行なうことが可能となる。また、支持
シール材により透光窓部材と光学式センサとの間に透過
率の低い研磨液が入り込むことが防止されるため、光学
式センサによる膜厚の測定を正確に且つ安定して行なう
ことが可能となる。更に、透光窓部材は、弾力性に優れ
た支持シール材によって強固に支持されるので、研磨パ
ッドのドレッシング時に透光窓部材が下方に押し下げら
れにくくなり、ドレッシング終了後における透光窓部材
の突出を防止することができる。従って、上述した透光
窓部材を軟質の材料で形成することと相俟って、被研磨
物のスクラッチをより効果的に防止することが可能とな
る。
【００２２】また、本発明の好ましい一態様は、上記支
持シール材は接着剤からなることを特徴とする。
持シール材は接着剤からなることを特徴とする。
【００２３】本発明の第４の態様は、光を透過させる透
光窓部材を配置するための窓孔が形成された研磨パッド
であって、上記透光窓部材と該透光窓部材を支持する透
光支持部材との間に、上記透光窓部材及び上記透光支持
部材と共に所定の光学系を形成する柔軟性及び密着性に
優れた補強部材を介在させたことを特徴とする研磨パッ
ドである。
光窓部材を配置するための窓孔が形成された研磨パッド
であって、上記透光窓部材と該透光窓部材を支持する透
光支持部材との間に、上記透光窓部材及び上記透光支持
部材と共に所定の光学系を形成する柔軟性及び密着性に
優れた補強部材を介在させたことを特徴とする研磨パッ
ドである。
【００２４】研磨時の研磨圧力により透光窓部材が撓ん
でしまうと、光が十分に透光窓部材を透過しなかった
り、透光窓部材内で散乱してしまったりして、正確且つ
安定的な膜厚測定ができない場合がある。上述のよう
に、透光窓部材と透光支持部材との間に柔軟性に優れた
補強部材を介在させることで、透光窓部材の支持が補強
され、これにより研磨時の研磨圧力により透光窓部材が
撓んでしまうことが防止される。従って、光学式センサ
による膜厚の測定を正確に且つ安定して行なうことが可
能となる。また、上記補強部材は密着性に優れているた
め、光学式センサのための光学系を維持して正確且つ安
定的な膜厚測定を行なうことができる。
でしまうと、光が十分に透光窓部材を透過しなかった
り、透光窓部材内で散乱してしまったりして、正確且つ
安定的な膜厚測定ができない場合がある。上述のよう
に、透光窓部材と透光支持部材との間に柔軟性に優れた
補強部材を介在させることで、透光窓部材の支持が補強
され、これにより研磨時の研磨圧力により透光窓部材が
撓んでしまうことが防止される。従って、光学式センサ
による膜厚の測定を正確に且つ安定して行なうことが可
能となる。また、上記補強部材は密着性に優れているた
め、光学式センサのための光学系を維持して正確且つ安
定的な膜厚測定を行なうことができる。
【００２５】また、本発明の好ましい一態様は、上記補
強部材は形状記憶性を有することを特徴とする。
強部材は形状記憶性を有することを特徴とする。
【００２６】また、本発明の第５の態様は、上記研磨パ
ッドを貼設した研磨テーブルと、被研磨物を保持して上
記研磨テーブルの研磨パッドに押圧するトップリングと
を備えたことを特徴とするポリッシング装置である。
ッドを貼設した研磨テーブルと、被研磨物を保持して上
記研磨テーブルの研磨パッドに押圧するトップリングと
を備えたことを特徴とするポリッシング装置である。
【００２７】また、本発明の第６の態様は、光を透過さ
せる透光窓部材を配置するための窓孔を上層パッドに形
成し、上記上層パッドの窓孔に上記透光窓部材を形成
し、上記上層パッドと該上層パッドの窓孔に連通する通
光孔が形成された下層パッドとの間に、上下面に接着剤
が塗布された透明フィルムを配置し、上記上層パッドと
上記下層パッドとを上下方向に押圧して研磨パッドを形
成することを特徴とする研磨パッドの製造方法である。
せる透光窓部材を配置するための窓孔を上層パッドに形
成し、上記上層パッドの窓孔に上記透光窓部材を形成
し、上記上層パッドと該上層パッドの窓孔に連通する通
光孔が形成された下層パッドとの間に、上下面に接着剤
が塗布された透明フィルムを配置し、上記上層パッドと
上記下層パッドとを上下方向に押圧して研磨パッドを形
成することを特徴とする研磨パッドの製造方法である。
【００２８】これにより、透光窓部材と上層パッドとの
間に隙間が生じないように研磨パッドを形成することが
可能となるので、透光窓部材と上層パッドとの間の隙間
に研磨液が固着することがなく、研磨液の固着に起因す
る被研磨物のスクラッチを防止することが可能となる。
間に隙間が生じないように研磨パッドを形成することが
可能となるので、透光窓部材と上層パッドとの間の隙間
に研磨液が固着することがなく、研磨液の固着に起因す
る被研磨物のスクラッチを防止することが可能となる。
【００２９】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る研磨パッドを
備えたポリッシング装置の第１の実施形態について図１
乃至図７を参照して詳細に説明する。図１は、本発明の
ポリッシング装置の全体構成を示す概略図である。図１
に示すように、ポリッシング装置は、上面に研磨パッド
１０が貼設された研磨テーブル２０と、被研磨物である
半導体基板Ｗを保持して研磨パッド１０の上面に押圧す
るトップリング３０とを備えている。研磨パッド１０の
上面は、被研磨物である半導体基板Ｗと摺接する研磨面
を構成している。なお、微細な砥粒（ＣｅＯ２等からな
る）を樹脂等のバインダで固めた固定砥粒板の上面を研
磨面として構成することもできる。
備えたポリッシング装置の第１の実施形態について図１
乃至図７を参照して詳細に説明する。図１は、本発明の
ポリッシング装置の全体構成を示す概略図である。図１
に示すように、ポリッシング装置は、上面に研磨パッド
１０が貼設された研磨テーブル２０と、被研磨物である
半導体基板Ｗを保持して研磨パッド１０の上面に押圧す
るトップリング３０とを備えている。研磨パッド１０の
上面は、被研磨物である半導体基板Ｗと摺接する研磨面
を構成している。なお、微細な砥粒（ＣｅＯ２等からな
る）を樹脂等のバインダで固めた固定砥粒板の上面を研
磨面として構成することもできる。
【００３０】研磨テーブル２０は、その下方に配置され
るモータ２１に連結されており、矢印で示すようにその
軸心回りに回転可能になっている。また、研磨テーブル
２０の上方には研磨液供給ノズル２２が設置されてお
り、この研磨液供給ノズル２２から研磨パッド１０上に
研磨液Ｑが供給されるようになっている。
るモータ２１に連結されており、矢印で示すようにその
軸心回りに回転可能になっている。また、研磨テーブル
２０の上方には研磨液供給ノズル２２が設置されてお
り、この研磨液供給ノズル２２から研磨パッド１０上に
研磨液Ｑが供給されるようになっている。
【００３１】トップリング３０は、トップリングシャフ
ト３１に連結されており、このトップリングシャフト３
１を介してモータ及び昇降シリンダ（図示せず）に連結
されている。これによりトップリング３０は、矢印で示
すように昇降可能且つトップリングシャフト３１回りに
回転可能となっている。また、トップリング３０はその
下面にポリウレタン等の弾性マット３２を備えており、
この弾性マット３２の下面に、被研磨物である半導体基
板Ｗが真空等によって吸着、保持される。このような構
成により、トップリング３０は自転しながら、その下面
に保持した半導体基板Ｗを研磨パッド１０に対して任意
の圧力で押圧することができるようになっている。な
お、トップリング３０の下部外周部には、半導体基板Ｗ
の外れ止めを行なうガイドリング３３が設けられてい
る。
ト３１に連結されており、このトップリングシャフト３
１を介してモータ及び昇降シリンダ（図示せず）に連結
されている。これによりトップリング３０は、矢印で示
すように昇降可能且つトップリングシャフト３１回りに
回転可能となっている。また、トップリング３０はその
下面にポリウレタン等の弾性マット３２を備えており、
この弾性マット３２の下面に、被研磨物である半導体基
板Ｗが真空等によって吸着、保持される。このような構
成により、トップリング３０は自転しながら、その下面
に保持した半導体基板Ｗを研磨パッド１０に対して任意
の圧力で押圧することができるようになっている。な
お、トップリング３０の下部外周部には、半導体基板Ｗ
の外れ止めを行なうガイドリング３３が設けられてい
る。
【００３２】図１に示すように、研磨テーブル２０の内
部には、半導体基板Ｗの被研磨面に形成された絶縁膜や
金属膜の膜厚を測定する光学式センサ４０が設置されて
いる。この光学式センサ４０は、投光素子と受光素子を
備えており、投光素子から半導体基板Ｗの被研磨面に光
を照射し、被研磨面からの反射光を受光素子で受光する
ように構成されている。この場合、投光素子から発せら
れる光は、レーザー光又はＬＥＤによる光であり、場合
によっては白色光も考えられる。
部には、半導体基板Ｗの被研磨面に形成された絶縁膜や
金属膜の膜厚を測定する光学式センサ４０が設置されて
いる。この光学式センサ４０は、投光素子と受光素子を
備えており、投光素子から半導体基板Ｗの被研磨面に光
を照射し、被研磨面からの反射光を受光素子で受光する
ように構成されている。この場合、投光素子から発せら
れる光は、レーザー光又はＬＥＤによる光であり、場合
によっては白色光も考えられる。
【００３３】ここで、研磨パッド１０には、光学式セン
サ４０の光を透過させるための円柱状の透光窓部材４１
（例えば外径１８ｍｍ）が取付けられている。図２は、
透光窓部材４１を含む研磨パッド１０の部分拡大断面図
である。本実施形態の研磨パッド１０は、上層パッド１
１と下層パッド１２とを有しており、２層構造の研磨パ
ッドとなっている。例えば、上層パッド１１としてロデ
ール社製のＩＣ−１０００などの発泡ポリウレタン、下
層パッド１２としてロデール社製のＳＵＢＡ４００など
の不織布などを用いることができる。また、透光窓部材
４１は、透過率の高い材質で形成されており、例えば、
無発泡ポリウレタンなどにより形成される。通常、上層
パッドとしては硬質なものが使用され、下層パッドとし
ては上層パッドに比べて軟質なものが使用される。
サ４０の光を透過させるための円柱状の透光窓部材４１
（例えば外径１８ｍｍ）が取付けられている。図２は、
透光窓部材４１を含む研磨パッド１０の部分拡大断面図
である。本実施形態の研磨パッド１０は、上層パッド１
１と下層パッド１２とを有しており、２層構造の研磨パ
ッドとなっている。例えば、上層パッド１１としてロデ
ール社製のＩＣ−１０００などの発泡ポリウレタン、下
層パッド１２としてロデール社製のＳＵＢＡ４００など
の不織布などを用いることができる。また、透光窓部材
４１は、透過率の高い材質で形成されており、例えば、
無発泡ポリウレタンなどにより形成される。通常、上層
パッドとしては硬質なものが使用され、下層パッドとし
ては上層パッドに比べて軟質なものが使用される。
【００３４】図２に示すように、透光窓部材４１は、上
層パッド１１に形成された窓孔１１ａ内に配置されてい
る。下層パッド１２には、上記窓孔１１ａと略同径の通
光孔１２ａが形成されている。そして、上層パッド１１
と下層パッド１２との間には、上下面に接着剤を塗布し
た透明接着フィルム１３が配置されており、この透明接
着フィルム１３によって上層パッド１１と下層パッド１
２とが互いに接着されている。この透明接着フィルム１
３としては、例えば、厚さ５０μｍのＰＥＴ（ポリエチ
レンテレフタレート）芯体の上下面にアクリルゴム系粘
着剤を塗布したものを用いることができる。
層パッド１１に形成された窓孔１１ａ内に配置されてい
る。下層パッド１２には、上記窓孔１１ａと略同径の通
光孔１２ａが形成されている。そして、上層パッド１１
と下層パッド１２との間には、上下面に接着剤を塗布し
た透明接着フィルム１３が配置されており、この透明接
着フィルム１３によって上層パッド１１と下層パッド１
２とが互いに接着されている。この透明接着フィルム１
３としては、例えば、厚さ５０μｍのＰＥＴ（ポリエチ
レンテレフタレート）芯体の上下面にアクリルゴム系粘
着剤を塗布したものを用いることができる。
【００３５】このとき、透光窓部材４１の下面は全面に
亘って透明接着フィルム１３に接触しており、透光窓部
材４１の下面全面が透明接着フィルム１３に接着され
る。このため、透光窓部材４１の接着面積が従来のもの
に比べて大きくなるので、接着強度を高めることがで
き、透光窓部材４１が研磨パッド１０から剥がれること
を防止することができる。従って、研磨液Ｑの透光窓部
材４１の下面へのリークがなくなるので、高品質の研磨
を実現すると共に、光学式センサ４０による膜厚の測定
を正確に且つ安定して行なうことが可能となる。
亘って透明接着フィルム１３に接触しており、透光窓部
材４１の下面全面が透明接着フィルム１３に接着され
る。このため、透光窓部材４１の接着面積が従来のもの
に比べて大きくなるので、接着強度を高めることがで
き、透光窓部材４１が研磨パッド１０から剥がれること
を防止することができる。従って、研磨液Ｑの透光窓部
材４１の下面へのリークがなくなるので、高品質の研磨
を実現すると共に、光学式センサ４０による膜厚の測定
を正確に且つ安定して行なうことが可能となる。
【００３６】また、透光窓部材４１と下層パッド１２と
は透明接着フィルム１３によって完全に分離された構造
となり、透光窓部材４１と光学式センサ４０との間に透
過率の低い研磨液が入り込むことを防止することができ
るので、光学式センサ４０による膜厚の測定を正確に且
つ安定して行なうことが可能となる。
は透明接着フィルム１３によって完全に分離された構造
となり、透光窓部材４１と光学式センサ４０との間に透
過率の低い研磨液が入り込むことを防止することができ
るので、光学式センサ４０による膜厚の測定を正確に且
つ安定して行なうことが可能となる。
【００３７】ところで、光学式センサ４０の配線４２
は、研磨テーブル２０及び研磨テーブル支持軸２０ａ内
を通り、研磨テーブル支持軸２０ａの軸端に設けられた
ロータリコネクタ４３を経由してコントローラ４４に接
続されている。このコントローラ４４は表示装置（ディ
スプレイ）４５に接続されている。あるいは、図示しな
い無線信号伝達手段によりセンサ４０からコントローラ
４４に膜厚測定信号を伝えることとしてもよい。
は、研磨テーブル２０及び研磨テーブル支持軸２０ａ内
を通り、研磨テーブル支持軸２０ａの軸端に設けられた
ロータリコネクタ４３を経由してコントローラ４４に接
続されている。このコントローラ４４は表示装置（ディ
スプレイ）４５に接続されている。あるいは、図示しな
い無線信号伝達手段によりセンサ４０からコントローラ
４４に膜厚測定信号を伝えることとしてもよい。
【００３８】図３は、図１に示すポリッシング装置の研
磨テーブル２０の平面図である。図３において、符号Ｃ
Ｔは研磨テーブル２０の回転中心であり、符号ＣＷはト
ップリング３０に保持された半導体基板Ｗの中心であ
る。図３に示すように、研磨テーブル２０内の光学式セ
ンサ４０は、トップリング３０に保持された研磨中の半
導体基板Ｗの中心ＣＷを通過する位置に配置されてい
る。光学式センサ４０は、半導体基板Ｗの下方を通過し
ている間、通過軌跡上で連続的に半導体基板Ｗの被研磨
面の膜厚を検出できるようになっている。なお、検出時
間の間隔を短くするため、図３の仮想線で示すように光
学式センサ４０を追加してテーブル上に２ヶ以上の光学
式センサを設けてもよい。
磨テーブル２０の平面図である。図３において、符号Ｃ
Ｔは研磨テーブル２０の回転中心であり、符号ＣＷはト
ップリング３０に保持された半導体基板Ｗの中心であ
る。図３に示すように、研磨テーブル２０内の光学式セ
ンサ４０は、トップリング３０に保持された研磨中の半
導体基板Ｗの中心ＣＷを通過する位置に配置されてい
る。光学式センサ４０は、半導体基板Ｗの下方を通過し
ている間、通過軌跡上で連続的に半導体基板Ｗの被研磨
面の膜厚を検出できるようになっている。なお、検出時
間の間隔を短くするため、図３の仮想線で示すように光
学式センサ４０を追加してテーブル上に２ヶ以上の光学
式センサを設けてもよい。
【００３９】研磨テーブル２０が一回転する毎に、光学
式センサ４０の投光素子からの光が透光窓部材４１を通
過して半導体基板Ｗの被研磨面に投光され、被研磨面か
らの反射光が光学式センサ４０の受光素子で受光され
る。そして、受光素子で受光された光は、コントローラ
４４により処理され、被研磨面上の膜厚が測定される。
式センサ４０の投光素子からの光が透光窓部材４１を通
過して半導体基板Ｗの被研磨面に投光され、被研磨面か
らの反射光が光学式センサ４０の受光素子で受光され
る。そして、受光素子で受光された光は、コントローラ
４４により処理され、被研磨面上の膜厚が測定される。
【００４０】ここで、光学式センサを用いてＳｉＯ２等
の絶縁膜やＣｕ，Ａｌ等の金属膜の膜厚を検出する原理
を簡単に説明する。光学式センサにおける膜厚測定の原
理は、膜とその隣接媒体によって引き起こされる光の干
渉を利用している。基板上の薄膜に光を入射すると、ま
ず一部の光は膜の表面で反射され、残りは透過してい
く。この透過した光の一部は更に基板面で反射され、残
りは透過していくが、基板が金属の場合には吸収されて
しまう。干渉はこの膜の表面反射光と基板面反射光の位
相差によって発生し、位相が一致した場合は互いに強め
合い、逆になった場合は弱め合う。つまり入射光の波
長、膜厚、膜の屈折率に応じて反射強度が変化する。基
板で反射した光を回折格子等で分光し、各波長における
反射光の強度をプロットしたプロファイルを解析して基
板上に形成された膜の厚みを測定することができる。
の絶縁膜やＣｕ，Ａｌ等の金属膜の膜厚を検出する原理
を簡単に説明する。光学式センサにおける膜厚測定の原
理は、膜とその隣接媒体によって引き起こされる光の干
渉を利用している。基板上の薄膜に光を入射すると、ま
ず一部の光は膜の表面で反射され、残りは透過してい
く。この透過した光の一部は更に基板面で反射され、残
りは透過していくが、基板が金属の場合には吸収されて
しまう。干渉はこの膜の表面反射光と基板面反射光の位
相差によって発生し、位相が一致した場合は互いに強め
合い、逆になった場合は弱め合う。つまり入射光の波
長、膜厚、膜の屈折率に応じて反射強度が変化する。基
板で反射した光を回折格子等で分光し、各波長における
反射光の強度をプロットしたプロファイルを解析して基
板上に形成された膜の厚みを測定することができる。
【００４１】また、別の光学式センサの方式として、基
板上の薄膜に単色光（単一波長光）もしくは白色光を入
射し、その際、薄膜表面の反射率と基板表面の反射率と
を重ね合わせた反射率を反射光によって測定することと
してもよい。反射率は研磨される膜の膜厚や膜種により
変化するので、その反射率の変化点を監視することで加
工終点を検出することができる。
板上の薄膜に単色光（単一波長光）もしくは白色光を入
射し、その際、薄膜表面の反射率と基板表面の反射率と
を重ね合わせた反射率を反射光によって測定することと
してもよい。反射率は研磨される膜の膜厚や膜種により
変化するので、その反射率の変化点を監視することで加
工終点を検出することができる。
【００４２】次に、上述の研磨パッド１０の製造工程に
ついて説明する。 発泡ポリウレタンからなる上層パッド１１を用意し、
所定の位置に窓孔１１ａを形成する（図４）。 上層パッド１１の窓孔１１ａに無発泡ポリウレタン１
４を流し込み、この無発泡ポリウレタン１４と上層パッ
ド１１とを溶着（接着）させる（図５）。これによっ
て、窓孔１１ａ内に無発泡ポリウレタンからなる透光窓
部材４１が形成される。なお、窓孔１１ａに対応した形
状の透光窓部材４１を別途製作しておいて、これを上記
窓孔１１ａに嵌め込むこととしてもよい。 このようにしてできた上層パッド１１及び透光窓部材
４１を所定の厚さ（例えば１．９ｍｍ）にスライスする
（図６）。 下層パッド１２に上層パッド１１の窓孔１１ａと同径
の通光孔１２ａを形成し、この下層パッド１２と上記ス
ライスされた上層パッド１１との間に、上下面に接着剤
を塗布した透明接着フィルム１３を配置する（図７）。 上層パッド１１と下層パッド１２とを上下方向に押圧
することによって、上層パッド１１と下層パッド１２と
が接着され、図２に示すような研磨パッド１０が完成す
る。
ついて説明する。 発泡ポリウレタンからなる上層パッド１１を用意し、
所定の位置に窓孔１１ａを形成する（図４）。 上層パッド１１の窓孔１１ａに無発泡ポリウレタン１
４を流し込み、この無発泡ポリウレタン１４と上層パッ
ド１１とを溶着（接着）させる（図５）。これによっ
て、窓孔１１ａ内に無発泡ポリウレタンからなる透光窓
部材４１が形成される。なお、窓孔１１ａに対応した形
状の透光窓部材４１を別途製作しておいて、これを上記
窓孔１１ａに嵌め込むこととしてもよい。 このようにしてできた上層パッド１１及び透光窓部材
４１を所定の厚さ（例えば１．９ｍｍ）にスライスする
（図６）。 下層パッド１２に上層パッド１１の窓孔１１ａと同径
の通光孔１２ａを形成し、この下層パッド１２と上記ス
ライスされた上層パッド１１との間に、上下面に接着剤
を塗布した透明接着フィルム１３を配置する（図７）。 上層パッド１１と下層パッド１２とを上下方向に押圧
することによって、上層パッド１１と下層パッド１２と
が接着され、図２に示すような研磨パッド１０が完成す
る。
【００４３】ここで、上層パッド１１の窓孔１１ａに無
発泡ポリウレタン１４を流し込んで透光窓部材４１を形
成した場合には、透光窓部材４１と上層パッド１１との
間に隙間が生じないように研磨パッド１０を形成するこ
とが可能となる。従って、透光窓部材４１と上層パッド
１１との間の隙間に研磨液が固着することがなく、研磨
液の固着に起因する半導体基板Ｗのスクラッチを防止す
ることが可能となる。
発泡ポリウレタン１４を流し込んで透光窓部材４１を形
成した場合には、透光窓部材４１と上層パッド１１との
間に隙間が生じないように研磨パッド１０を形成するこ
とが可能となる。従って、透光窓部材４１と上層パッド
１１との間の隙間に研磨液が固着することがなく、研磨
液の固着に起因する半導体基板Ｗのスクラッチを防止す
ることが可能となる。
【００４４】次に、上記構成のポリッシング装置の研磨
動作について説明する。トップリング３０の下面に保持
された半導体基板Ｗは、回転している研磨テーブル２０
の上面の研磨パッド１０に押圧される。このとき、研磨
液供給ノズル２２から研磨パッド１０上に研磨液Ｑを供
給する。これによって、半導体基板Ｗの被研磨面（下
面）と研磨パッド１０の間に研磨液Ｑが存在した状態で
ポリッシングが行われる。
動作について説明する。トップリング３０の下面に保持
された半導体基板Ｗは、回転している研磨テーブル２０
の上面の研磨パッド１０に押圧される。このとき、研磨
液供給ノズル２２から研磨パッド１０上に研磨液Ｑを供
給する。これによって、半導体基板Ｗの被研磨面（下
面）と研磨パッド１０の間に研磨液Ｑが存在した状態で
ポリッシングが行われる。
【００４５】この研磨中に、研磨テーブル２０が一回転
する毎に、光学式センサ４０が半導体基板Ｗの被研磨面
の直下を通過する。光学式センサ４０は、半導体基板Ｗ
の中心ＣＷを通る軌道上に設置されているため、光学式
センサ４０の移動に伴って半導体基板Ｗの被研磨面の円
弧状の軌道上で連続的に膜厚検出が可能である。即ち、
光学式センサ４０の投光素子からの光が研磨パッド１０
の下層パッド１２の通光孔１２ａ及び透光窓部材４１を
通って半導体基板Ｗの被研磨面に到達する。被研磨面に
おける反射光は光学式センサ４０の受光素子で受光さ
れ、被研磨面の膜厚が測定される。光学式センサ４０の
信号を処理し、モニタすることにより所定厚の薄膜に研
磨されたことが検出され、ＣＭＰプロセスの加工終点を
決定することができる。
する毎に、光学式センサ４０が半導体基板Ｗの被研磨面
の直下を通過する。光学式センサ４０は、半導体基板Ｗ
の中心ＣＷを通る軌道上に設置されているため、光学式
センサ４０の移動に伴って半導体基板Ｗの被研磨面の円
弧状の軌道上で連続的に膜厚検出が可能である。即ち、
光学式センサ４０の投光素子からの光が研磨パッド１０
の下層パッド１２の通光孔１２ａ及び透光窓部材４１を
通って半導体基板Ｗの被研磨面に到達する。被研磨面に
おける反射光は光学式センサ４０の受光素子で受光さ
れ、被研磨面の膜厚が測定される。光学式センサ４０の
信号を処理し、モニタすることにより所定厚の薄膜に研
磨されたことが検出され、ＣＭＰプロセスの加工終点を
決定することができる。
【００４６】上述の実施形態では、２層研磨パッドを例
として説明したが、研磨パッドはこれに限られず、３層
以上の多層研磨パッドを用いることができる。この場合
には、透光窓部材の下面に接触する位置に透明接着フィ
ルムを配置すればよく、透明接着フィルムよりも上方に
ある層を上層パッド、下方にある層を下層パッドとして
考えることで、かかる場合にも本発明を適用することが
可能である。
として説明したが、研磨パッドはこれに限られず、３層
以上の多層研磨パッドを用いることができる。この場合
には、透光窓部材の下面に接触する位置に透明接着フィ
ルムを配置すればよく、透明接着フィルムよりも上方に
ある層を上層パッド、下方にある層を下層パッドとして
考えることで、かかる場合にも本発明を適用することが
可能である。
【００４７】また、上述の実施形態では、研磨テーブル
上に貼設された研磨パッドを使用する例について説明し
たが、これに限られるものではない。例えば、図８に示
すように、研磨面としてベルト状の研磨パッド５１を備
えたポリッシング装置に本発明を適用することもでき
る。図８に示すポリッシング装置においては、表面に砥
粒を有するベルト（研磨パッド）５１が２つの回転ドラ
ム５２，５３間に張設されており、この回転ドラム５
２，５３が回転することにより、ベルト５１が矢印５４
方向に循環回転運動又は往復直線運動を行なう。上下の
ベルト間には支持台５５が配置されており、トップリン
グ５６に保持された半導体基板Ｗがベルト５１及び支持
台５５に対して押圧され、その表面が研磨される。支持
台５５には図示しない光学式センサが埋設され、この光
学式センサによってトップリング５６に保持された半導
体基板Ｗに光を入射してその反射光を測定して半導体基
板Ｗの被研磨面に形成された絶縁膜や金属膜の膜厚が測
定される。このようなポリッシング装置においても、研
磨パッド５１の上記光学式センサに対応する位置に本発
明に係る透光窓部材４１を取付けることができる。
上に貼設された研磨パッドを使用する例について説明し
たが、これに限られるものではない。例えば、図８に示
すように、研磨面としてベルト状の研磨パッド５１を備
えたポリッシング装置に本発明を適用することもでき
る。図８に示すポリッシング装置においては、表面に砥
粒を有するベルト（研磨パッド）５１が２つの回転ドラ
ム５２，５３間に張設されており、この回転ドラム５
２，５３が回転することにより、ベルト５１が矢印５４
方向に循環回転運動又は往復直線運動を行なう。上下の
ベルト間には支持台５５が配置されており、トップリン
グ５６に保持された半導体基板Ｗがベルト５１及び支持
台５５に対して押圧され、その表面が研磨される。支持
台５５には図示しない光学式センサが埋設され、この光
学式センサによってトップリング５６に保持された半導
体基板Ｗに光を入射してその反射光を測定して半導体基
板Ｗの被研磨面に形成された絶縁膜や金属膜の膜厚が測
定される。このようなポリッシング装置においても、研
磨パッド５１の上記光学式センサに対応する位置に本発
明に係る透光窓部材４１を取付けることができる。
【００４８】次に、本発明に係る研磨パッドの第２の実
施形態について図９及び図１０を参照して詳細に説明す
る。図９は本発明の第２の実施形態における研磨パッド
を示す部分拡大断面図、図１０は図９に示す研磨パッド
の底面図である。なお、上述の第１の実施形態における
部材又は要素と同一の作用又は機能を有する部材又は要
素には同一の符号を付し、特に説明しない部分について
は第１の実施形態と同様である。
施形態について図９及び図１０を参照して詳細に説明す
る。図９は本発明の第２の実施形態における研磨パッド
を示す部分拡大断面図、図１０は図９に示す研磨パッド
の底面図である。なお、上述の第１の実施形態における
部材又は要素と同一の作用又は機能を有する部材又は要
素には同一の符号を付し、特に説明しない部分について
は第１の実施形態と同様である。
【００４９】上述した第１の実施形態における透光窓部
材４１は、上層パッド１１（ＩＣ−１０００）と同質の
硬質なポリウレタンなどにより形成されているので、ド
レッサにより研磨パッド１０の表面を再生（ドレッシン
グ）した場合には、透光窓部材４１の表面にスクラッチ
が入ることがある。このようなスクラッチは、研磨時に
半導体基板にスクラッチが入る原因となり得る。
材４１は、上層パッド１１（ＩＣ−１０００）と同質の
硬質なポリウレタンなどにより形成されているので、ド
レッサにより研磨パッド１０の表面を再生（ドレッシン
グ）した場合には、透光窓部材４１の表面にスクラッチ
が入ることがある。このようなスクラッチは、研磨時に
半導体基板にスクラッチが入る原因となり得る。
【００５０】また、上述した第１の実施形態において
は、透光窓部材４１の下部は薄膜の透明接着フィルム１
３によって支持されるだけである（図２参照）。従っ
て、研磨パッド１０のドレッシング時においては、透明
接着フィルム１３の弾性により透光窓部材４１が下方に
押し下げられた状態で、研磨パッド１０の表面がドレッ
サにより削られる。ドレッシング終了後は、透明接着フ
ィルム１３の弾性により透光窓部材４１が元の位置に押
し上げられるため、ドレッシングにより削られた分だけ
透光窓部材４１が研磨パッド１０の表面から突出してし
まう。上述したように、透光窓部材４１は硬質の材料か
ら形成されているため、透光窓部材４１が研磨パッド１
０の表面から突出した状態で半導体基板の研磨を行なう
と、半導体基板を傷つけてしまうおそれがある。
は、透光窓部材４１の下部は薄膜の透明接着フィルム１
３によって支持されるだけである（図２参照）。従っ
て、研磨パッド１０のドレッシング時においては、透明
接着フィルム１３の弾性により透光窓部材４１が下方に
押し下げられた状態で、研磨パッド１０の表面がドレッ
サにより削られる。ドレッシング終了後は、透明接着フ
ィルム１３の弾性により透光窓部材４１が元の位置に押
し上げられるため、ドレッシングにより削られた分だけ
透光窓部材４１が研磨パッド１０の表面から突出してし
まう。上述したように、透光窓部材４１は硬質の材料か
ら形成されているため、透光窓部材４１が研磨パッド１
０の表面から突出した状態で半導体基板の研磨を行なう
と、半導体基板を傷つけてしまうおそれがある。
【００５１】これらの観点から、本実施形態において
は、透光窓部材１４１を上層パッド１１（ＩＣ−１００
０）よりも軟質な材料、より好ましくは、上層パッド１
１よりも軟質であり且つ下層パッド１２よりも硬質な材
料から形成し、このような軟質の透光窓部材１４１を上
層パッド１１の窓孔１１ａに配置している。上層パッド
１１よりも軟質な透光窓部材１４１を用いることによ
り、研磨パッド１１０のドレッシング時に透光窓部材１
４１の表面にスクラッチが入りにくくなるので、研磨時
に半導体基板にスクラッチが入ることを防止することが
できる。また、透光窓部材１４１が軟質であるので、ド
レッシング終了後に透光窓部材１４１が研磨パッド１１
０の表面から突出することとなっても、研磨時に半導体
基板が傷つきにくくなる。
は、透光窓部材１４１を上層パッド１１（ＩＣ−１００
０）よりも軟質な材料、より好ましくは、上層パッド１
１よりも軟質であり且つ下層パッド１２よりも硬質な材
料から形成し、このような軟質の透光窓部材１４１を上
層パッド１１の窓孔１１ａに配置している。上層パッド
１１よりも軟質な透光窓部材１４１を用いることによ
り、研磨パッド１１０のドレッシング時に透光窓部材１
４１の表面にスクラッチが入りにくくなるので、研磨時
に半導体基板にスクラッチが入ることを防止することが
できる。また、透光窓部材１４１が軟質であるので、ド
レッシング終了後に透光窓部材１４１が研磨パッド１１
０の表面から突出することとなっても、研磨時に半導体
基板が傷つきにくくなる。
【００５２】また、本実施形態では、図９に示すよう
に、透光窓部材１４１の下方に、シール性及び弾力性に
優れた支持シール材１２０が配置されている。この支持
シール材１２０は、図１０に示すように環状をなしてお
り、下層パッド１２の通光孔１２ａの内周面に設けられ
ている。本実施形態における支持シール材１２０は、シ
ール性及び弾力性に優れた接着剤から構成されている。
に、透光窓部材１４１の下方に、シール性及び弾力性に
優れた支持シール材１２０が配置されている。この支持
シール材１２０は、図１０に示すように環状をなしてお
り、下層パッド１２の通光孔１２ａの内周面に設けられ
ている。本実施形態における支持シール材１２０は、シ
ール性及び弾力性に優れた接着剤から構成されている。
【００５３】このように、透光窓部材１４１は、シール
性に優れた支持シール材１２０によって支持されるの
で、透光窓部材１４１の下面への研磨液のリークが少な
くなり、高品質の研磨を実現すると共に、光学式センサ
による膜厚の測定を正確に且つ安定して行なうことが可
能となる。また、支持シール材１２０により透光窓部材
１４１と光学式センサとの間に透過率の低い研磨液が入
り込むことが防止されるため、光学式センサによる膜厚
の測定を正確に且つ安定して行なうことが可能となる。
更に、透光窓部材１４１は、弾力性に優れた支持シール
材１２０によって強固に支持されるので、研磨パッド１
１０のドレッシング時に透光窓部材１４１が下方に押し
下げられにくくなり、ドレッシング終了後における透光
窓部材１４１の突出を防止することができる。従って、
上述した透光窓部材１４１を軟質の材料で形成すること
と相俟って、半導体基板のスクラッチをより効果的に防
止することが可能となる。
性に優れた支持シール材１２０によって支持されるの
で、透光窓部材１４１の下面への研磨液のリークが少な
くなり、高品質の研磨を実現すると共に、光学式センサ
による膜厚の測定を正確に且つ安定して行なうことが可
能となる。また、支持シール材１２０により透光窓部材
１４１と光学式センサとの間に透過率の低い研磨液が入
り込むことが防止されるため、光学式センサによる膜厚
の測定を正確に且つ安定して行なうことが可能となる。
更に、透光窓部材１４１は、弾力性に優れた支持シール
材１２０によって強固に支持されるので、研磨パッド１
１０のドレッシング時に透光窓部材１４１が下方に押し
下げられにくくなり、ドレッシング終了後における透光
窓部材１４１の突出を防止することができる。従って、
上述した透光窓部材１４１を軟質の材料で形成すること
と相俟って、半導体基板のスクラッチをより効果的に防
止することが可能となる。
【００５４】なお、本実施形態においては、透光窓部材
１４１と上層パッド１１及び下層パッド１２とは、シー
ル性に優れた接着剤１３０により接着されており、透光
窓部材１４１と上層パッド１１及び下層パッド１２との
間に隙間が生じないようにしている。従って、透光窓部
材１４１と上層パッド１１及び下層パッド１２との間の
隙間に研磨液が固着することがなく、研磨液の固着に起
因する半導体基板のスクラッチが防止される。
１４１と上層パッド１１及び下層パッド１２とは、シー
ル性に優れた接着剤１３０により接着されており、透光
窓部材１４１と上層パッド１１及び下層パッド１２との
間に隙間が生じないようにしている。従って、透光窓部
材１４１と上層パッド１１及び下層パッド１２との間の
隙間に研磨液が固着することがなく、研磨液の固着に起
因する半導体基板のスクラッチが防止される。
【００５５】次に、本発明に係る研磨パッドの第３の実
施形態について図１１を参照して詳細に説明する。図１
１は、本発明の第３の実施形態における研磨パッドを示
す部分拡大断面図である。なお、上述の第１の実施形態
における部材又は要素と同一の作用又は機能を有する部
材又は要素には同一の符号を付し、特に説明しない部分
については第１の実施形態と同様である。
施形態について図１１を参照して詳細に説明する。図１
１は、本発明の第３の実施形態における研磨パッドを示
す部分拡大断面図である。なお、上述の第１の実施形態
における部材又は要素と同一の作用又は機能を有する部
材又は要素には同一の符号を付し、特に説明しない部分
については第１の実施形態と同様である。
【００５６】図１１に示すように、本実施形態における
透光窓部材２４１は、アクリル樹脂などからなる透光支
持部材２２０によって支持されている。ここで、透光窓
部材２４１と透光支持部材２２０との間には、柔軟性及
び密着性に優れた補強部材２３０（例えば、屈折率１〜
２程度）が配置されている。この補強部材２３０として
は、例えば厚さ１．２７ｍｍ（５０ｍｉｌ）のジェル状
のエラストマーを用いることができる。これらの透光窓
部材２４１、補強部材２３０、及び透光支持部材２２０
により、図１１に示すような光学系（例えば、屈折率
１．４）が形成されており、例えば、波長８００ｎｍの
レーザー光源から鉛直方向に対して６°〜４８°の角度
でレーザー光を半導体基板に入射することにより基板の
膜厚が測定される。
透光窓部材２４１は、アクリル樹脂などからなる透光支
持部材２２０によって支持されている。ここで、透光窓
部材２４１と透光支持部材２２０との間には、柔軟性及
び密着性に優れた補強部材２３０（例えば、屈折率１〜
２程度）が配置されている。この補強部材２３０として
は、例えば厚さ１．２７ｍｍ（５０ｍｉｌ）のジェル状
のエラストマーを用いることができる。これらの透光窓
部材２４１、補強部材２３０、及び透光支持部材２２０
により、図１１に示すような光学系（例えば、屈折率
１．４）が形成されており、例えば、波長８００ｎｍの
レーザー光源から鉛直方向に対して６°〜４８°の角度
でレーザー光を半導体基板に入射することにより基板の
膜厚が測定される。
【００５７】ここで、研磨時の研磨圧力により透光窓部
材が撓んでしまうと、光が十分に透光窓部材を透過しな
かったり、透光窓部材内で散乱してしまったりして、正
確且つ安定的な膜厚測定ができない場合がある。例えば
平均粒子径が約０．２μｍと大きいセリアスラリー（Ｃ
ｅＯ２）を砥粒として用いた場合には、通常でも半導体
基板に光が届きにくいので、なおさらである。本実施形
態では、上述したように、透光窓部材２４１と透光支持
部材２２０との間に柔軟性に優れた補強部材２３０を介
在させることで、透光窓部材２４１の支持が補強され、
これにより研磨時の研磨圧力により透光窓部材２４１が
撓んでしまうことが防止される。なお、補強部材２３０
は、下層パッド１２（ＳＵＢＡ４００）と同程度の柔軟
性を有することが好ましい。
材が撓んでしまうと、光が十分に透光窓部材を透過しな
かったり、透光窓部材内で散乱してしまったりして、正
確且つ安定的な膜厚測定ができない場合がある。例えば
平均粒子径が約０．２μｍと大きいセリアスラリー（Ｃ
ｅＯ２）を砥粒として用いた場合には、通常でも半導体
基板に光が届きにくいので、なおさらである。本実施形
態では、上述したように、透光窓部材２４１と透光支持
部材２２０との間に柔軟性に優れた補強部材２３０を介
在させることで、透光窓部材２４１の支持が補強され、
これにより研磨時の研磨圧力により透光窓部材２４１が
撓んでしまうことが防止される。なお、補強部材２３０
は、下層パッド１２（ＳＵＢＡ４００）と同程度の柔軟
性を有することが好ましい。
【００５８】また、上記補強部材２３０は密着性に優れ
ているため、上述した光学系を維持して正確且つ安定的
な膜厚測定を行なうことができる。補強部材２３０の内
部に気泡が発生すると光の散乱を招くので、補強部材２
３０は気泡を発生しないものが好ましい。また、補強部
材２３０は、変形後に元の形状に回復する性質（形状記
憶性）を有することが好ましく、例えばポリエステル系
エラストマーなどの形状記憶性を有するエラストマーを
補強部材２３０として用いることが好ましい。
ているため、上述した光学系を維持して正確且つ安定的
な膜厚測定を行なうことができる。補強部材２３０の内
部に気泡が発生すると光の散乱を招くので、補強部材２
３０は気泡を発生しないものが好ましい。また、補強部
材２３０は、変形後に元の形状に回復する性質（形状記
憶性）を有することが好ましく、例えばポリエステル系
エラストマーなどの形状記憶性を有するエラストマーを
補強部材２３０として用いることが好ましい。
【００５９】図１１においては、透光支持部材２２０の
上部に設けられた凸部２２０ａにより補強部材２３０を
支持した例を説明したが、透光支持部材２２０に凸部２
２０ａを設けずに例えば図１２のような構成としてもよ
い。また、補強部材２３０の外径も図１１及び図１２に
示したものに限られるものではなく、例えば図１３に示
すように、透光支持部材２２０、透光窓部材２４１、及
び補強部材２３０の外径を同一に構成してもよい。な
お、光の散乱を少なくして、より正確な膜厚測定を行な
うためには、図１１及び図１２に示すように、Ｘｅ（キ
セノン）やハロゲンなどの光源からほぼ鉛直に光を半導
体基板に入射して基板の膜厚を測定することが好まし
い。
上部に設けられた凸部２２０ａにより補強部材２３０を
支持した例を説明したが、透光支持部材２２０に凸部２
２０ａを設けずに例えば図１２のような構成としてもよ
い。また、補強部材２３０の外径も図１１及び図１２に
示したものに限られるものではなく、例えば図１３に示
すように、透光支持部材２２０、透光窓部材２４１、及
び補強部材２３０の外径を同一に構成してもよい。な
お、光の散乱を少なくして、より正確な膜厚測定を行な
うためには、図１１及び図１２に示すように、Ｘｅ（キ
セノン）やハロゲンなどの光源からほぼ鉛直に光を半導
体基板に入射して基板の膜厚を測定することが好まし
い。
【００６０】上述した第２及び第３の実施形態では、２
層研磨パッドを例として説明したが、研磨パッドはこれ
に限られず、３層以上の多層研磨パッド、あるいは単層
研磨パッドであってもよい。
層研磨パッドを例として説明したが、研磨パッドはこれ
に限られず、３層以上の多層研磨パッド、あるいは単層
研磨パッドであってもよい。
【００６１】これまで本発明の一実施形態について説明
したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技
術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施され
てよいことは言うまでもない。
したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技
術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施され
てよいことは言うまでもない。
【００６２】
【発明の効果】上述したように、上層パッドと下層パッ
ドとの間に、上下面に接着剤が塗布された透明フィルム
を配置したことにより、透光窓部材の下面が全面に亘っ
て透明フィルムに接触するので、透光窓部材の下面全面
が透明フィルムに接着される。このため、透光窓部材の
接着面積が従来のものに比べて大きくなるので、接着強
度を高めることができ、透光窓部材が研磨パッドから剥
がれることを防止することができる。従って、研磨液の
透光窓部材の下面へのリークがなくなるので、高品質の
研磨を実現すると共に、光学式センサによる膜厚の測定
を正確に且つ安定して行なうことが可能となる。
ドとの間に、上下面に接着剤が塗布された透明フィルム
を配置したことにより、透光窓部材の下面が全面に亘っ
て透明フィルムに接触するので、透光窓部材の下面全面
が透明フィルムに接着される。このため、透光窓部材の
接着面積が従来のものに比べて大きくなるので、接着強
度を高めることができ、透光窓部材が研磨パッドから剥
がれることを防止することができる。従って、研磨液の
透光窓部材の下面へのリークがなくなるので、高品質の
研磨を実現すると共に、光学式センサによる膜厚の測定
を正確に且つ安定して行なうことが可能となる。
【００６３】また、透光窓部材と下層パッドとは透明フ
ィルムによって完全に分離された構造となり、透光窓部
材と光学式センサとの間に透過率の低い研磨液が入り込
むことを防止することができるので、光学式センサによ
る膜厚の測定を正確に且つ安定して行なうことが可能と
なる。
ィルムによって完全に分離された構造となり、透光窓部
材と光学式センサとの間に透過率の低い研磨液が入り込
むことを防止することができるので、光学式センサによ
る膜厚の測定を正確に且つ安定して行なうことが可能と
なる。
【００６４】また、研磨パッドの表面よりも軟質な透光
窓部材を用いることにより、研磨パッドのドレッシング
時に透光窓部材の表面にスクラッチが入りにくくなる。
従って、透光窓部材の表面のスクラッチに起因して研磨
時に被研磨物にスクラッチが入ることを防止することが
できる。また、透光窓部材を軟質の材料により形成する
ので、ドレッシング終了後に透光窓部材が研磨パッドの
表面から突出することとなっても、研磨時に被研磨物が
傷つきにくくなる。
窓部材を用いることにより、研磨パッドのドレッシング
時に透光窓部材の表面にスクラッチが入りにくくなる。
従って、透光窓部材の表面のスクラッチに起因して研磨
時に被研磨物にスクラッチが入ることを防止することが
できる。また、透光窓部材を軟質の材料により形成する
ので、ドレッシング終了後に透光窓部材が研磨パッドの
表面から突出することとなっても、研磨時に被研磨物が
傷つきにくくなる。
【００６５】また、透光窓部材は、シール性に優れた支
持シール材によって支持されるので、透光窓部材の下面
への研磨液のリークが少なくなり、高品質の研磨を実現
すると共に、光学式センサによる膜厚の測定を正確に且
つ安定して行なうことが可能となる。また、支持シール
材により透光窓部材と光学式センサとの間に透過率の低
い研磨液が入り込むことが防止されるため、光学式セン
サによる膜厚の測定を正確に且つ安定して行なうことが
可能となる。更に、透光窓部材は、弾力性に優れた支持
シール材によって強固に支持されるので、研磨パッドの
ドレッシング時に透光窓部材が下方に押し下げられにく
くなり、ドレッシング終了後における透光窓部材の突出
を防止することができる。従って、上述した透光窓部材
を軟質の材料で形成することと相俟って、被研磨物のス
クラッチをより効果的に防止することが可能となる。
持シール材によって支持されるので、透光窓部材の下面
への研磨液のリークが少なくなり、高品質の研磨を実現
すると共に、光学式センサによる膜厚の測定を正確に且
つ安定して行なうことが可能となる。また、支持シール
材により透光窓部材と光学式センサとの間に透過率の低
い研磨液が入り込むことが防止されるため、光学式セン
サによる膜厚の測定を正確に且つ安定して行なうことが
可能となる。更に、透光窓部材は、弾力性に優れた支持
シール材によって強固に支持されるので、研磨パッドの
ドレッシング時に透光窓部材が下方に押し下げられにく
くなり、ドレッシング終了後における透光窓部材の突出
を防止することができる。従って、上述した透光窓部材
を軟質の材料で形成することと相俟って、被研磨物のス
クラッチをより効果的に防止することが可能となる。
【００６６】研磨時の研磨圧力により透光窓部材が撓ん
でしまうと、光が十分に透光窓部材を透過しなかった
り、透光窓部材内で散乱してしまったりして、正確且つ
安定的な膜厚測定ができない場合がある。上述のよう
に、透光窓部材と透光支持部材との間に柔軟性に優れた
補強部材を介在させることで、透光窓部材の支持が補強
され、これにより研磨時の研磨圧力により透光窓部材が
撓んでしまうことが防止される。従って、光学式センサ
による膜厚の測定を正確に且つ安定して行なうことが可
能となる。また、上記補強部材は密着性に優れているた
め、光学式センサのための光学系を維持して正確且つ安
定的な膜厚測定を行なうことができる。
でしまうと、光が十分に透光窓部材を透過しなかった
り、透光窓部材内で散乱してしまったりして、正確且つ
安定的な膜厚測定ができない場合がある。上述のよう
に、透光窓部材と透光支持部材との間に柔軟性に優れた
補強部材を介在させることで、透光窓部材の支持が補強
され、これにより研磨時の研磨圧力により透光窓部材が
撓んでしまうことが防止される。従って、光学式センサ
による膜厚の測定を正確に且つ安定して行なうことが可
能となる。また、上記補強部材は密着性に優れているた
め、光学式センサのための光学系を維持して正確且つ安
定的な膜厚測定を行なうことができる。
【００６７】また、上層パッドの窓孔に透光窓部材を形
成し、上層パッドと下層パッドとの間に、上下面に接着
剤が塗布された透明フィルムを配置し、上層パッドと下
層パッドとを上下方向に押圧して研磨パッドを形成する
ことにより、透光窓部材と上層パッドとの間に隙間が生
じないように研磨パッドを形成することが可能となる。
従って、透光窓部材と上層パッドとの間の隙間に研磨液
が固着することがなく、研磨液の固着に起因する被研磨
物のスクラッチを防止することが可能となる。
成し、上層パッドと下層パッドとの間に、上下面に接着
剤が塗布された透明フィルムを配置し、上層パッドと下
層パッドとを上下方向に押圧して研磨パッドを形成する
ことにより、透光窓部材と上層パッドとの間に隙間が生
じないように研磨パッドを形成することが可能となる。
従って、透光窓部材と上層パッドとの間の隙間に研磨液
が固着することがなく、研磨液の固着に起因する被研磨
物のスクラッチを防止することが可能となる。
【図１】本発明の一実施形態におけるポリッシング装置
の全体構成を示す概略図である。
の全体構成を示す概略図である。
【図２】本発明の一実施形態における研磨パッドを示す
部分拡大断面図である。
部分拡大断面図である。
【図３】図１に示すポリッシング装置の研磨テーブルの
平面図である。
平面図である。
【図４】図２に示す研磨パッドの製造過程を示す縦断面
図である。
図である。
【図５】図２に示す研磨パッドの製造過程を示す縦断面
図である。
図である。
【図６】図２に示す研磨パッドの製造過程を示す縦断面
図である。
図である。
【図７】図２に示す研磨パッドの製造過程を示す縦断面
図である。
図である。
【図８】本発明の他の実施形態におけるポリッシング装
置を示す斜視図である。
置を示す斜視図である。
【図９】本発明の第２の実施形態における研磨パッドを
示す部分拡大断面図である。
示す部分拡大断面図である。
【図１０】図９に示す研磨パッドの底面図である。
【図１１】本発明の第３の実施形態における研磨パッド
を示す部分拡大断面図である。
を示す部分拡大断面図である。
【図１２】本発明の第３の実施形態における研磨パッド
の変形例を示す部分拡大断面図である。
の変形例を示す部分拡大断面図である。
【図１３】本発明の第３の実施形態における研磨パッド
の変形例を示す部分拡大断面図である。
の変形例を示す部分拡大断面図である。
【図１４】従来の研磨パッドを示す部分拡大断面図であ
る。
る。
１０ 研磨パッド
１１ 上層パッド
１１ａ 窓孔
１２ 下層パッド
１２ａ 通光孔
１３ 透明接着フィルム
２０ 研磨テーブル
２０ａ 研磨テーブル支持軸
２１ モータ
２２ 研磨液供給ノズル
３０ トップリング
３１ トップリングシャフト
３２ 弾性マット
３３ ガイドリング
４０ 光学式センサ
４１，１４１，２４１ 透光窓部材
４２ 配線
４３ ロータリコネクタ
４４ コントローラ
４５ 表示装置
１２０ 支持シール材
１３０ 接着剤
２２０ 透光支持部材
２３０ 補強部材
Claims (10)
- 【請求項１】 光を透過させる透光窓部材を配置するた
めの窓孔が形成された上層パッドと、前記上層パッドの
窓孔に連通する通光孔が形成された下層パッドとを有す
る研磨パッドであって、 前記上層パッドと前記下層パッドとの間に、透明フィル
ムを配置したことを特徴とする研磨パッド。 - 【請求項２】 前記透明フィルムと前記上層パッド及び
前記下層パッドとの界面に接着剤が塗布されたことを特
徴とする請求項１に記載の研磨パッド。 - 【請求項３】 前記上層パッドの窓孔と前記下層パッド
の通光孔との大きさを略同一としたことを特徴とする請
求項１又は２に記載の研磨パッド。 - 【請求項４】 光を透過させる透光窓部材を配置するた
めの窓孔が形成された研磨パッドであって、 前記研磨パッドの表面よりも軟質の材料から形成される
透光窓部材を前記窓孔に配置したことを特徴とする研磨
パッド。 - 【請求項５】 光を透過させる透光窓部材を配置するた
めの窓孔が形成された研磨パッドであって、 前記透光窓部材の下方には、シール性及び弾力性に優れ
た支持シール材を設けたことを特徴とする研磨パッド。 - 【請求項６】 前記支持シール材は接着剤からなること
を特徴とする請求項５に記載の研磨パッド。 - 【請求項７】 光を透過させる透光窓部材を配置するた
めの窓孔が形成された研磨パッドであって、 前記透光窓部材と該透光窓部材を支持する透光支持部材
との間に、前記透光窓部材及び前記透光支持部材と共に
所定の光学系を形成する柔軟性及び密着性に優れた補強
部材を介在させたことを特徴とする研磨パッド。 - 【請求項８】 前記補強部材は形状記憶性を有すること
を特徴とする請求項７に記載の研磨パッド。 - 【請求項９】 前記請求項１乃至８のいずれか一項に記
載の研磨パッドを貼設した研磨テーブルと、 被研磨物を保持して前記研磨テーブルの研磨パッドに押
圧するトップリングとを備えたことを特徴とするポリッ
シング装置。 - 【請求項１０】 光を透過させる透光窓部材を配置する
ための窓孔を上層パッドに形成し、 前記上層パッドの窓孔に前記透光窓部材を形成し、 前記上層パッドと該上層パッドの窓孔に連通する通光孔
が形成された下層パッドとの間に、上下面に接着剤が塗
布された透明フィルムを配置し、 前記上層パッドと前記下層パッドとを上下方向に押圧し
て研磨パッドを形成することを特徴とする研磨パッドの
製造方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002062270A JP4131632B2 (ja) | 2001-06-15 | 2002-03-07 | ポリッシング装置及び研磨パッド |
| PCT/JP2002/005824 WO2002102546A1 (en) | 2001-06-15 | 2002-06-12 | Polishing apparatus and polishing pad |
| DE60210275T DE60210275T2 (de) | 2001-06-15 | 2002-06-12 | Poliervorrichtung und polierkissen |
| EP02736056A EP1395394B1 (en) | 2001-06-15 | 2002-06-12 | Polishing apparatus and polishing pad |
| US10/450,647 US7081044B2 (en) | 2001-06-15 | 2002-06-12 | Polishing apparatus and polishing pad |
| TW091112995A TW550693B (en) | 2001-06-15 | 2002-06-14 | Polishing apparatus and polishing pad and method of manufacturing same |
| KR1020030013751A KR100939554B1 (ko) | 2002-03-07 | 2003-03-05 | 폴리싱장치 |
| CN 03119891 CN1445060A (zh) | 2002-03-07 | 2003-03-07 | 抛光装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001-182303 | 2001-06-15 | ||
| JP2001182303 | 2001-06-15 | ||
| JP2002062270A JP4131632B2 (ja) | 2001-06-15 | 2002-03-07 | ポリッシング装置及び研磨パッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003068686A true JP2003068686A (ja) | 2003-03-07 |
| JP4131632B2 JP4131632B2 (ja) | 2008-08-13 |
Family
ID=26617037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002062270A Expired - Fee Related JP4131632B2 (ja) | 2001-06-15 | 2002-03-07 | ポリッシング装置及び研磨パッド |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7081044B2 (ja) |
| EP (1) | EP1395394B1 (ja) |
| JP (1) | JP4131632B2 (ja) |
| DE (1) | DE60210275T2 (ja) |
| TW (1) | TW550693B (ja) |
| WO (1) | WO2002102546A1 (ja) |
Cited By (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004260156A (ja) * | 2003-02-06 | 2004-09-16 | Toyobo Co Ltd | 研磨パッド及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP2005322789A (ja) * | 2004-05-10 | 2005-11-17 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | 研磨パッド及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP2005340795A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-12-08 | Jsr Corp | 化学機械研磨パッド、その製造方法及び半導体ウエハの化学機械研磨方法 |
| JP2006110686A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | 研磨パッド |
| JP2006116614A (ja) * | 2004-10-19 | 2006-05-11 | Toray Ind Inc | 研磨パッドおよび研磨装置 |
| WO2006062158A1 (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-15 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | 研磨パッド及び研磨パッドの製造方法 |
| JP2006159386A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-22 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | 研磨パッド |
| JP2006187837A (ja) * | 2005-01-06 | 2006-07-20 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | 研磨パッド |
| JP2006187838A (ja) * | 2005-01-06 | 2006-07-20 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | 研磨パッド及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP2006190826A (ja) * | 2005-01-06 | 2006-07-20 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | 研磨パッド及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP2006527664A (ja) * | 2003-06-17 | 2006-12-07 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | 光透過領域を有する研磨パッドを製造するための超音波溶接法 |
| JP2007044814A (ja) * | 2005-08-10 | 2007-02-22 | Nitta Haas Inc | 研磨パッド |
| JP2007506280A (ja) * | 2003-09-19 | 2007-03-15 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | 引っ込んだ窓を有する研磨パッド |
| JP2007227915A (ja) * | 2006-02-15 | 2007-09-06 | Applied Materials Inc | 表面の研磨 |
| JP2007307638A (ja) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | 研磨パッド |
| JP2007319981A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Nitta Haas Inc | 研磨パッド |
| JP2007319982A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Nitta Haas Inc | 研磨パッド |
| JP2007319979A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Nitta Haas Inc | 研磨パッド |
| JP2009045736A (ja) * | 2007-08-15 | 2009-03-05 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | 化学機械研磨方法 |
| JP2009172727A (ja) * | 2008-01-25 | 2009-08-06 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | 研磨パッド |
| JP2013082035A (ja) * | 2011-10-11 | 2013-05-09 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | 積層研磨パッド及びその製造方法 |
| JP2013110390A (ja) * | 2011-10-26 | 2013-06-06 | Ebara Corp | 研磨方法および研磨装置 |
| KR20140051441A (ko) | 2011-09-01 | 2014-04-30 | 도요 고무 고교 가부시키가이샤 | 연마 패드 |
| US8845852B2 (en) | 2002-11-27 | 2014-09-30 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad and method of producing semiconductor device |
| KR101442258B1 (ko) | 2007-08-15 | 2014-10-01 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 | 개선된 화학적 기계적 연마 패드, 및 그의 제조 방법 및 사용 방법 |
| US9126304B2 (en) | 2010-04-15 | 2015-09-08 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1475827A4 (en) * | 2002-08-30 | 2006-05-24 | Toray Industries | POLISHING PIECE, POLISHING PLATE HOLE COVER, POLISHING DEVICE, POLISHING METHOD AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR CONSTRUCTION ELEMENT |
| US20070010169A1 (en) * | 2002-09-25 | 2007-01-11 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Polishing pad with window for planarization |
| KR20050052513A (ko) * | 2002-09-25 | 2005-06-02 | 피피지 인더스트리즈 오하이오 인코포레이티드 | 평탄화를 위한 윈도를 가진 연마 패드 |
| KR100541545B1 (ko) * | 2003-06-16 | 2006-01-11 | 삼성전자주식회사 | 화학기계적 연마 장비의 연마 테이블 |
| US7299151B2 (en) * | 2004-02-04 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Microdevice processing systems and methods |
| US20070111644A1 (en) * | 2005-09-27 | 2007-05-17 | Spencer Preston | Thick perforated polishing pad and method for making same |
| JP2007180191A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Fujitsu Ltd | 膜厚測定方法および半導体装置の製造方法 |
| US20070235133A1 (en) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Strasbaugh | Devices and methods for measuring wafer characteristics during semiconductor wafer polishing |
| US8221196B2 (en) * | 2007-08-15 | 2012-07-17 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad and methods of making and using same |
| US8257142B2 (en) * | 2008-04-15 | 2012-09-04 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing method |
| JP2009129970A (ja) * | 2007-11-20 | 2009-06-11 | Ebara Corp | 研磨装置及び研磨方法 |
| US20090305610A1 (en) * | 2008-06-06 | 2009-12-10 | Applied Materials, Inc. | Multiple window pad assembly |
| US8182312B2 (en) * | 2008-09-06 | 2012-05-22 | Strasbaugh | CMP system with wireless endpoint detection system |
| KR20110120893A (ko) * | 2009-01-16 | 2011-11-04 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 윈도우 지지부를 가지는 폴리싱 패드 및 시스템 |
| US9017140B2 (en) | 2010-01-13 | 2015-04-28 | Nexplanar Corporation | CMP pad with local area transparency |
| US9156124B2 (en) | 2010-07-08 | 2015-10-13 | Nexplanar Corporation | Soft polishing pad for polishing a semiconductor substrate |
| US8657653B2 (en) | 2010-09-30 | 2014-02-25 | Nexplanar Corporation | Homogeneous polishing pad for eddy current end-point detection |
| US8628384B2 (en) * | 2010-09-30 | 2014-01-14 | Nexplanar Corporation | Polishing pad for eddy current end-point detection |
| MY166716A (en) * | 2010-11-18 | 2018-07-18 | Cabot Microelectronics Corp | Polishing pad comprising transmissive region |
| CN102229093B (zh) * | 2011-07-01 | 2013-09-18 | 中国电子科技集团公司第四十五研究所 | 一种应用在晶片抛光设备上的升降加压机构 |
| US20130017762A1 (en) * | 2011-07-15 | 2013-01-17 | Infineon Technologies Ag | Method and Apparatus for Determining a Measure of a Thickness of a Polishing Pad of a Polishing Machine |
| US8920219B2 (en) * | 2011-07-15 | 2014-12-30 | Nexplanar Corporation | Polishing pad with alignment aperture |
| US9056383B2 (en) * | 2013-02-26 | 2015-06-16 | Applied Materials, Inc. | Path for probe of spectrographic metrology system |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5893796A (en) * | 1995-03-28 | 1999-04-13 | Applied Materials, Inc. | Forming a transparent window in a polishing pad for a chemical mechanical polishing apparatus |
| US5605760A (en) | 1995-08-21 | 1997-02-25 | Rodel, Inc. | Polishing pads |
| DE19720623C1 (de) * | 1997-05-16 | 1998-11-05 | Siemens Ag | Poliervorrichtung und Poliertuch |
| US6068539A (en) * | 1998-03-10 | 2000-05-30 | Lam Research Corporation | Wafer polishing device with movable window |
| US6159073A (en) | 1998-11-02 | 2000-12-12 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for measuring substrate layer thickness during chemical mechanical polishing |
| US6453502B1 (en) * | 1998-12-22 | 2002-09-24 | Bishop Deforest | Universal cleaning and polishing pad |
| US6244935B1 (en) * | 1999-02-04 | 2001-06-12 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for chemical mechanical polishing with an advanceable polishing sheet |
| CN1150601C (zh) * | 1999-03-31 | 2004-05-19 | 株式会社尼康 | 抛光设备及半导体器件的制造方法 |
| US6213845B1 (en) * | 1999-04-26 | 2001-04-10 | Micron Technology, Inc. | Apparatus for in-situ optical endpointing on web-format planarizing machines in mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies and methods for making and using same |
| US6524164B1 (en) | 1999-09-14 | 2003-02-25 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad with transparent window having reduced window leakage for a chemical mechanical polishing apparatus |
| JP2003510826A (ja) * | 1999-09-29 | 2003-03-18 | ロデール ホールディングス インコーポレイテッド | 研磨パッド |
| KR100718737B1 (ko) | 2000-01-17 | 2007-05-15 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 폴리싱 장치 |
| JP2002001647A (ja) | 2000-06-19 | 2002-01-08 | Rodel Nitta Co | 研磨パッド |
| JP2002124496A (ja) * | 2000-10-18 | 2002-04-26 | Hitachi Ltd | 研磨加工の終点検出計測方法及びその装置、並びにそれを用いた半導体デバイスの製造方法及びその製造装置 |
| US20020137431A1 (en) * | 2001-03-23 | 2002-09-26 | Labunsky Michael A. | Methods and apparatus for polishing and planarization |
-
2002
- 2002-03-07 JP JP2002062270A patent/JP4131632B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-06-12 WO PCT/JP2002/005824 patent/WO2002102546A1/en active IP Right Grant
- 2002-06-12 US US10/450,647 patent/US7081044B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-06-12 DE DE60210275T patent/DE60210275T2/de not_active Expired - Fee Related
- 2002-06-12 EP EP02736056A patent/EP1395394B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-06-14 TW TW091112995A patent/TW550693B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8845852B2 (en) | 2002-11-27 | 2014-09-30 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad and method of producing semiconductor device |
| JP2004260156A (ja) * | 2003-02-06 | 2004-09-16 | Toyobo Co Ltd | 研磨パッド及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP2006527664A (ja) * | 2003-06-17 | 2006-12-07 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | 光透過領域を有する研磨パッドを製造するための超音波溶接法 |
| JP2007506280A (ja) * | 2003-09-19 | 2007-03-15 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | 引っ込んだ窓を有する研磨パッド |
| JP2005340795A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-12-08 | Jsr Corp | 化学機械研磨パッド、その製造方法及び半導体ウエハの化学機械研磨方法 |
| JP2005322789A (ja) * | 2004-05-10 | 2005-11-17 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | 研磨パッド及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP4514200B2 (ja) * | 2004-05-10 | 2010-07-28 | 東洋ゴム工業株式会社 | 研磨パッド及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP2006110686A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | 研磨パッド |
| JP2006116614A (ja) * | 2004-10-19 | 2006-05-11 | Toray Ind Inc | 研磨パッドおよび研磨装置 |
| WO2006062158A1 (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-15 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | 研磨パッド及び研磨パッドの製造方法 |
| JP2006159386A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-22 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | 研磨パッド |
| US7871309B2 (en) | 2004-12-10 | 2011-01-18 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad |
| JP2006187837A (ja) * | 2005-01-06 | 2006-07-20 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | 研磨パッド |
| JP2006190826A (ja) * | 2005-01-06 | 2006-07-20 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | 研磨パッド及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP4726108B2 (ja) * | 2005-01-06 | 2011-07-20 | 東洋ゴム工業株式会社 | 研磨パッド及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP2006187838A (ja) * | 2005-01-06 | 2006-07-20 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | 研磨パッド及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP2007044814A (ja) * | 2005-08-10 | 2007-02-22 | Nitta Haas Inc | 研磨パッド |
| JP2007227915A (ja) * | 2006-02-15 | 2007-09-06 | Applied Materials Inc | 表面の研磨 |
| JP2007307638A (ja) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | 研磨パッド |
| US7874894B2 (en) | 2006-05-17 | 2011-01-25 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad |
| JP2007319982A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Nitta Haas Inc | 研磨パッド |
| JP2007319979A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Nitta Haas Inc | 研磨パッド |
| JP2007319981A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Nitta Haas Inc | 研磨パッド |
| JP2009045736A (ja) * | 2007-08-15 | 2009-03-05 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | 化学機械研磨方法 |
| KR101442258B1 (ko) | 2007-08-15 | 2014-10-01 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 | 개선된 화학적 기계적 연마 패드, 및 그의 제조 방법 및 사용 방법 |
| KR101453565B1 (ko) | 2007-08-15 | 2014-10-21 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 | 화학적 기계적 연마 방법 |
| JP2009172727A (ja) * | 2008-01-25 | 2009-08-06 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | 研磨パッド |
| US9126304B2 (en) | 2010-04-15 | 2015-09-08 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad |
| KR20140051441A (ko) | 2011-09-01 | 2014-04-30 | 도요 고무 고교 가부시키가이샤 | 연마 패드 |
| US9156126B2 (en) | 2011-09-01 | 2015-10-13 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad |
| JP2013082035A (ja) * | 2011-10-11 | 2013-05-09 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | 積層研磨パッド及びその製造方法 |
| JP2013110390A (ja) * | 2011-10-26 | 2013-06-06 | Ebara Corp | 研磨方法および研磨装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4131632B2 (ja) | 2008-08-13 |
| DE60210275T2 (de) | 2006-11-30 |
| EP1395394B1 (en) | 2006-03-29 |
| US20040235392A1 (en) | 2004-11-25 |
| DE60210275D1 (de) | 2006-05-18 |
| TW550693B (en) | 2003-09-01 |
| WO2002102546A1 (en) | 2002-12-27 |
| US7081044B2 (en) | 2006-07-25 |
| EP1395394A1 (en) | 2004-03-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4131632B2 (ja) | ポリッシング装置及び研磨パッド | |
| KR101761389B1 (ko) | 얇은 패드들 내의 몰딩 윈도우들 | |
| US7547243B2 (en) | Method of making and apparatus having polishing pad with window | |
| JP5277163B2 (ja) | 複数の部分を有する窓をもつ研磨パッド | |
| JP5363470B2 (ja) | 窓付きの薄い研磨パッド及び成形プロセス | |
| KR101956848B1 (ko) | 폴리싱 패드 조립체 | |
| TWI847904B (zh) | 拋光墊及其製造方法 | |
| KR20120026506A (ko) | 연마 패드 윈도우의 처리 방법 | |
| KR100939554B1 (ko) | 폴리싱장치 | |
| JPH1034522A (ja) | Ｃｍｐ用研磨装置及びｃｍｐ用装置システム | |
| TWI587977B (zh) | 帶有次窗密封件的拋光墊及形成此拋光墊的方法 | |
| CN108701600B (zh) | 在薄型抛光垫中的窗 | |
| JP2003347259A (ja) | ポリッシングの終点検知方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041110 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071002 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071115 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080226 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080425 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080527 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080527 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110606 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |