JP2003063884A - セラミックス表面への銅メタライズ方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 表面に凹凸を形成したり、表面にガラスフリ
ットや活性金属を形成したりする必要なく、窒化物系セ
ラミックスや炭化物系セラミックスの表面に直接、ＰＶ
Ｄ法で銅を密着性高くメタライズすることができるセラ
ミックス表面へのメタライズ方法を提供する。 【解決手段】 窒化物系セラミックスあるいは炭化物系
セラミックスの少なくとも一方からなるセラミックスの
表面に銅をメタライズする。この際に、セラミックスの
表層にセラミックス焼結助剤からなる酸化物を露呈させ
た後、セラミックスの表面にＰＶＤ法で銅をメタライズ
する。セラミックスの表層に露呈させた焼結助剤からな
る酸化物に対する銅の高い密着強度を確保することがで
きる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、窒化アルミニウム
や炭化珪素などの窒化物系セラミックスや炭化物系セラ
ミックスの表面に銅をメタライズする方法に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】窒化アルミニウムなどの窒化物系セラミ
ックスや炭化珪素などの炭化物系セラミックスは、回路
形成用、ヒートシンク用、絶縁用などの基板として利用
する場合、その表面に金属膜をメタライズする必要があ
る。そしてメタライズする金属としては、電気伝導特性
や経済性等の理由により、銅を主導体として用いるのが
一般的である。

【０００３】このようにセラミックスの表面に金属をメ
タライズする方法としては、無電解めっき法、厚膜法、
薄膜法などが従来から用いられているが、セラミックス
と金属とは異種材料であるので、セラミックスの表面に
対する金属膜の密着性を高めることが従来から大きな課
題になっている。

【０００４】例えば、特開昭６２−８８３９４号公報に
開示されている無電解めっき法では、セラミックスの表
面に凹凸を形成することによって、アンカー効果により
セラミックスと金属膜との接着強度を確保するようにし
ている。この方法によれば、セラミックスの上に直接無
電解めっきすることによって、所望の金属をメタライズ
することが可能なことが利点として挙げられる。しかし
この方法では、セラミックスの表面に凹凸を形成するこ
とが必須であり、金属膜で回路を形成するアプリケーシ
ョンの場合、微細回路を形成するときにはセラミックス
の表面の凹凸の影響で、回路のエッジ部が鋸状となって
アナログ信号配線における電気伝送特性が低下するなど
の問題が生じるおそれがある。

【０００５】また、別の例として、特開昭６２−１７６
９６０号公報に開示されている厚膜法では、ガラスフリ
ットを含有する厚膜ペーストをセラミックスの上に塗布
し焼成することによって、ガラスフリットをセラミック
スとメタライズした金属膜との接着材として作用させ、
セラミックスと金属膜との接着強度を確保するようにし
ている。この方法では、セラミックスとメタライズした
金属膜との接着強度が比較的大きいことが利点として挙
げられるが、一方で、ガラスフリットの上に形成した金
属膜にガラス成分が分散し、電気伝導特性が低下するな
どの問題が生じるおそれがある。

【０００６】さらに、別の例として、薄膜法では、セラ
ミックスの表面にチタンやクロム等の活性金属の膜とし
て形成し、この活性金属の膜の上にメタライズすること
によって、活性金属を介してセラミックスとメタライズ
した金属膜との接着強度を確保するようにしている。こ
の方法では、セラミックスとメタライズした金属膜との
接着強度が比較的大きいことが利点として挙げられる
が、一方で、セラミックスとメタライズした金属膜との
間にチタンやクロム等の電気伝導特性に劣る材料からな
る金属膜を形成しなければならないため、電気伝導特性
が低下するなどの問題が生じるおそれがある。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の点に鑑
みてなされたものであり、表面に凹凸を形成したり、表
面にガラスフリットや活性金属を形成したりする必要な
く、窒化物系セラミックスや炭化物系セラミックスの表
面に直接、ＰＶＤ法で銅を密着性高くメタライズするこ
とができるセラミックス表面へのメタライズ方法を提供
することを目的とするものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
セラミックス表面へのメタライズ方法は、窒化物系セラ
ミックスあるいは炭化物系セラミックスの少なくとも一
方からなるセラミックスの表面に銅をメタライズするに
あたって、セラミックスの表層にセラミックス焼結助剤
からなる酸化物を露呈させた後、セラミックスの表面に
ＰＶＤ法で銅をメタライズすることを特徴とするもので
ある。

【０００９】また請求項２の発明は、請求項１におい
て、焼結工程を経て得られたセラミックスを、熱処理す
ることによって、セラミックスの表層にセラミックス焼
結助剤からなる酸化物を露呈させることを特徴とするも
のである。

【００１０】また請求項３の発明は、請求項１におい
て、セラミックスの表層の結晶粒子を除去する処理をす
ることによって、セラミックスの表層にセラミックス焼
結助剤からなる酸化物を露呈させることを特徴とするも
のである。

【００１１】また請求項４の発明は、請求項３におい
て、セラミックスを腐食させる処理液にセラミックスを
浸漬することによって、セラミックスの表層の結晶粒子
を除去する処理をすることを特徴とするものである。

【００１２】また請求項５の発明は、請求項１乃至４の
いずれかにおいて、セラミックスの表面にＰＶＤ法で銅
をメタライズし、次いでこの表面に電解銅めっきをする
ことを特徴とするものである。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。

【００１４】本発明においてメタライズの対象とするセ
ラミックスは、窒化物系セラミックスあるいは炭化物系
セラミックスである。窒化物系セラミックスとしては、
例えば窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化ホウ素などが
あり、炭化物系セラミックスとしては、例えば炭化珪
素、炭化ホウ素などがある。

【００１５】これらのセラミックスは概ね次の作業によ
って得ることができる。まず所望のセラミックス粉末
に、酸化物からなる焼結助剤、溶剤、バインダー等を添
加して混練し、グリーンシートを作製する。そしてこの
グリーンシートを高温で焼結する焼結工程を経て、セラ
ミックスを得ることができる。ここで、焼結助剤として
は、例えば、Ｙ₂Ｏ₃、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＢｅＯ、Ａｌ₂
Ｏ₃等が用いられるものであり、セラミックス粉末に対
して０．１〜１０質量％の範囲で添加されている。ま
た、焼結工程におけるグリーンシートの焼結は、例えば
１２００〜２１００℃の範囲の高温で行われる。

【００１６】上記のように焼結して得られるセラミック
スは、セラミックス結晶粒子の界面間に１０質量％以下
の焼結助剤からなる酸化物が形成されている。そしてこ
の焼結助剤からなる酸化物とＰＶＤ法でメタライズした
銅の間にCｕ−Ｏ共晶液相が形成され、このCｕ−Ｏ共晶
液相を介して焼結助剤からなる酸化物に対してＰＶＤ法
でメタライズした銅膜は高い密着強度で密着し、セラミ
ックス表面に対する銅膜の密着強度を高く得ることがで
きるという知見を得て、本発明をなしたものである。

【００１７】すなわち、セラミックスの表面にメタライ
ズした銅膜の密着強度を高く得るためには、セラミック
スの表層に焼結助剤からなる酸化物を大きく露呈させる
必要がある。そこで請求項１の発明は、セラミックスの
表層にセラミックス焼結助剤からなる酸化物を露呈させ
る処理をおこなった後、セラミックスの表面にＰＶＤ法
で銅をメタライズすることによって、セラミックスの表
層に露呈する焼結助剤からなる酸化物に対する銅膜の高
い密着強度を確保することができ、セラミックス表面に
対する銅の密着性を高めることができるようにしたもの
である。

【００１８】そして請求項２の発明は、セラミックス焼
結助剤からなる酸化物をセラミックスの表層に露呈させ
る方法として、焼結工程を経て得られたセラミックス
を、焼結工程以外の工程として熱処理するようにしたも
のである。

【００１９】図１（ａ）は焼結して得られたセラミック
ス焼結体の組織を示すものであり、セラミックス結晶粒
子１の界面間に１０質量％以下のセラミックス焼結助剤
からなる酸化物２が形成されている。焼結助剤からなる
酸化物２はセラミックスの表層に大きく露出していない
ので、焼結助剤からなる酸化物２に対する銅膜の密着強
度は十分ではなく、セラミックス表面に対する銅膜の密
着性を高く得ることはできない。そして請求項２の発明
のように、このセラミックスを熱処理すると、焼結助剤
からなる酸化物は、セラミックスの表層に移動し、図１
（ｂ）に示すようにセラミックスの表層に焼結助剤から
なる酸化物２が大きく露出する。従って、このようにセ
ラミックスを熱処理した後にＰＶＤ法で表面に銅膜３を
メタライズすると、セラミックスの表層に大きく露出し
ている焼結助剤からなる酸化物２に対する銅膜３の高い
密着強度を確保することができ、セラミックス表面に対
する銅膜３の密着性を高めることができるものである。

【００２０】ここで、セラミックス焼結体を熱処理する
条件は、焼結助剤からなる酸化物２をセラミックスの表
層に移動させることができればよく、特に制限されるも
のではないが、熱処理の温度は５００℃以上、熱処理の
保持時間は３０分以上が好ましく、熱処理の際の昇温速
度や降温速度等は適宜設定することができる。熱処理温
度が５００℃未満の場合や、熱処理の保持時間が３０分
未満の場合は、熱処理が不十分であって焼結助剤からな
る酸化物２をセラミックスの表層に十分に移動させるこ
とができず、銅膜３の密着強度を高める効果を十分に得
ることができない。熱処理温度の上限は特に設定されな
いが、セラミックスを焼結して作製する際の焼結温度を
超える温度で熱処理すると、焼結品の品質が変化するお
それがあるので、熱処理温度は焼結温度以下に設定する
のが望ましい。また熱処理の保持時間の上限も特に設定
されないが、エネルギー消費のうえから保持時間は５時
間以下に設定するのが望ましい。

【００２１】また請求項３の発明は、セラミックス焼結
助剤からなる酸化物２をセラミックスの表層に露呈させ
る別の方法として、セラミックスの表層のセラミックス
結晶粒子２を除去するようにしたものである。すなわ
ち、図２（ａ）のようなセラミックスにおいて、その表
層の結晶粒子２を除去すると、図２（ｂ）に示すように
結晶粒子２の裏側に隠れていた焼結助剤からなる酸化物
２が露出し、セラミックスの表層に焼結助剤からなる酸
化物２が大きく露出する。従って、このセラミックスの
表面にＰＶＤ法で銅膜３をメタライズすると、図１
（ｃ）のようにセラミックスの表層に大きく露出してい
る焼結助剤からなる酸化物２に対する銅膜３の高い密着
強度を確保することができ、セラミックス表面に対する
銅膜３の密着性を高めることができるものである。

【００２２】具体的には、請求項４の発明では、セラミ
ックスを腐食させる処理液にセラミクスを浸漬すること
によって、セラミックスの表層の結晶粒子１を除去する
処理をするようにしている。セラミックスを腐食させる
処理液としては、セラミックス焼結助剤からなる酸化物
２は溶解しないがセラミックス結晶粒子１は溶解する酸
性或いは、中性或いは、アルカリ性の薬液を用いること
ができるものであり、例えば水酸化ナトリウムなどのア
ルカリ溶液を用いることができる。そして処理液にセラ
ミックスを浸漬することによって、処理液が接触するセ
ラミックスの表層の結晶粒子１のみを除去することがで
き、図２（ａ）の処理前の状態から図２（ｂ）の処理後
の状態へと、焼結助剤からなる酸化物２をセラミックス
の表層に露呈させることができるものである。

【００２３】ここで、結晶粒子１の除去を過剰に行う
と、セラミックスの表層に過剰の凹凸が形成され、メタ
ライズした銅膜３で微細回路を形成するにあたって電気
伝送特性が低下するなどの問題が生じるおそれがある
が、本発明において、ＰＶＤ法による銅メタライズで形
成される銅膜３とセラミックスとの接着の根幹は、銅膜
３と焼結助剤からなる酸化物２との間にＣｕ−Ｏ共晶液
相を形成させることであり、アンカー効果によって密着
強度を得る場合のような過剰の凹凸を形成する必要はな
い。従って、本発明においてセラミックスの表層の結晶
粒子１を除去するにあたっては、セラミックスの表層
に、セラミックス焼結助剤からなる酸化物２を露呈させ
る程度に結晶粒子１を除去できれば良く、過剰に結晶粒
子１を除去して過剰の凹凸をセラミックスの表層に形成
しないようにするのが好ましいものであり、処理液によ
る処理条件はこのように結晶粒子１を除去できるように
設定するのが好ましい。例えば、処理液として水酸化ナ
トリウム水溶液などのアルカリ溶液を用いる場合、濃度
を４〜２０質量％、浸漬処理の温度を室温〜４０℃、浸
漬処理の時間を５〜６０分に設定するのが望ましい。ち
なみに、上記の条件の上限を超えると、セラミックスの
表層に過剰の凹凸が形成されるおそれがあり、好ましく
ない。また上記の条件の下限を下回ると、目的とする結
晶粒子１の除去が不十分になるおそれがある。

【００２４】そして、この処理を行なった後にセラミッ
クスの表面にＰＶＤ法で銅膜３をメタライズすると、図
２（ｃ）のようにセラミックスの表層に大きく露出して
いる焼結助剤からなる酸化物２に対する銅膜３の高い密
着強度を確保することができるものであり、セラミック
ス表面に対する銅膜３の密着性を高めることができるも
のである。

【００２５】上記のように、表層にセラミックス焼結助
剤からなる酸化物を露呈させる前記工程を経た窒化物系
又は炭化物系セラミックスの表面にＰＶＤ法により銅を
メタライズするが、この際のＰＶＤ法によるメタライズ
方法としては、スパッタリング法、イオンプレーティン
グ法、熱蒸着法等を採用することができる。ＰＶＤ法に
よる銅メタライズにおいては、成膜時の付着原子のエネ
ルギーは１０ｅＶ程度となり、このエネルギーを温度で
いいかえると１０万℃程度となり、銅メタライズで形成
される銅膜とセラミックスとの接着に必要なＣｕ−Ｏ共
晶液相を焼結助剤からなる酸化物の界面に形成させるこ
とができるものである。また、ＰＶＤ法によって銅メタ
ライズを行なうにあたって、セラミックスの表面をアル
コール洗浄したり、水分蒸散除去効果を狙った予熱を行
なったり、酸素プラズマやイオンボンバード等の前処理
を行なったりすることが好ましい。

【００２６】さらに、セラミックスの表面にスパッタリ
ング等のＰＶＤ法による銅メタライズを行なった後、こ
の銅メタライズで形成した銅膜に通電しながらこの上に
電解銅めっきを施すことによって、厚付けめっきを行う
ようにしてもよく、アプリケーションに必要な所望の膜
厚に銅膜を調整することが可能になるものである。例え
ばＰＶＤ法によりセラミックスの表面に成膜する銅膜の
膜厚を１μｍ程度とし、所望の膜厚までの残りの成膜を
電解銅めっきで行うことによって、生産効率良く厚い膜
厚の銅膜を形成することができ、またＰＶＤ法により成
膜した銅膜の残留応力による密着性への悪影響を回避す
ることもできるものである。また、必要に応じて、銅メ
タライズの後、ニッケル、金等の多層メタライズを行な
うようにしてもよい。

【００２７】

【実施例】次に、本発明の実施例及び比較例を示す。

【００２８】（実施例１）窒化アルミニウム粉末に焼結
助剤としてＹ₂Ｏ₃を３質量％、ＣａＯを１質量％配合し
て調製したセラミックス組成物を成形し、グリーンシー
トを調製した。そしてこのグリーンシートを１８００℃
で２時間、焼結処理することによって窒化物系のセラミ
ック焼結体を調製した。

【００２９】このセラミックス焼結体を、常圧且つ不活
性雰囲気下において、温度１７００℃、保持時間３時間
の条件で熱処理を行なうことによって、セラミックスの
表層にセラミックス焼結助剤からなる酸化物を露呈させ
た（図１（ｂ）参照）。

【００３０】次いで、このセラミックスをアルコール洗
浄して表面の汚れを除去した後、予熱ゾーン、プラズマ
処理ゾーン、スパッタリングゾーンとからなる連続スパ
ッタリング装置に導入し、装置内の各ゾーンを１．２×
１０^-4Ｐａに保ち、まず加熱ゾーンにて、セラミックス
を２００℃に加熱し、続いてプラズマ処理ゾーンにて、
酸素プラズマ処理を行った。続いてスパッタリングゾー
ンにて、アルゴンガスを導入して０．５Ｐａの圧力に調
整し、無酸素銅をターゲットとして直流電力を1ｋｗで
与え、成膜速度を毎分０．１μｍとしてスパッタリング
を行い、膜厚が０．３μｍのメタライズ銅膜をセラミッ
クスの表面に形成した。

【００３１】次に、セラミックスとメタライズ銅膜との
接着強度を測定する為、メタライズ銅膜の表面に電解銅
めっきを施し、銅膜厚を１０μｍに調整した。そして、
このメタライズしたセラミックスの表面に、フォトエッ
チング法により２×２ｍｍの正方形の銅膜パターンを形
成し、この銅膜パターンの上に０．８ｍｍφの錫めっき
軟銅線を半田付けし、この軟銅線を引っ張ることによっ
て、銅膜パターンをセラミックスの表面から引き剥がす
時の強度を測定した。測定結果、引き剥がし強度は８
３．３Ｎであり極めて強固な密着強度を有することが確
認できた。

【００３２】（実施例２）炭化珪素粉末に焼結助剤とし
てＭｇＯを０．５質量％、ＢｅＯを２質量％配合して調
製したセラミックス組成粉末を加圧し、粉末成形のシー
トを作製した。そしてこの粉末成形のシートを２０５０
℃で２時間、焼結処理することによって炭化物系のセラ
ミック焼結体を調製した。

【００３３】このセラミックス焼結体を、常圧且つ不活
性雰囲気下において、温度１９００℃、保持時間４時間
の条件で熱処理を行なうことによって、セラミックスの
表層にセラミックス焼結助剤からなる酸化物を露呈させ
た（図１（ｂ）参照）。

【００３４】後は、実施例１と同様にして銅のメタライ
ズを行ない、さらに実施例１と同様の方法で銅膜の引き
剥がし強度を測定した。測定結果、引き剥がし強度は７
５．６Ｎであり極めて強固な密着強度を有することが確
認できた。

【００３５】（実施例３）窒化物系セラミックスとし
て、実施例１と同様にして作製した窒化アルミニウムを
用いた。

【００３６】そしてこのセラミックスを、１０質量％水
酸化ナトリウム水溶液中に室温（２５℃）で１０分間浸
漬して、セラミックスの表層の結晶粒子を除去すること
によって、セラミックスの表層にセラミックス焼結助剤
からなる酸化物を露呈させた（図２（ｂ）参照）。この
際、セラミックス表面には顕著な凹凸の発生はなかっ
た。

【００３７】次いで、このセラミックスをアルコール洗
浄して表面の汚れを除去した後、予熱ゾーン、ＲＦ処理
ゾーン、スパッタリングゾーンとからなる連続スパッタ
リング装置に導入し、装置内の各ゾーンを１．２×１０
^-4Ｐａに保ち、まず加熱ゾーンにて、このセラミックス
を２００℃に加熱し、続いてＲＦ処理ゾーンにて、アル
ゴンガスを導入して１０Ｐａの圧力に調整し、このセラ
ミックに１３．５６ＭＨｚの高周波を２００Ｗの出力で
８分間与え、イオンボンバードを行った。続いてスパッ
タリングゾーンにて、アルゴンガスを導入して０．５Ｐ
ａの圧力に調整し、無酸素銅をターゲットとして直流電
力を1ｋｗで与え、成膜速度を毎分０．１μｍとしてス
パッタリングを行い、膜厚が０．３μｍのメタライズ銅
膜をセラミックスの表面に形成した。

【００３８】そして実施例１と同様の方法で銅膜の引き
剥がし強度を測定した。測定結果、引き剥がし強度は８
１．５Ｎであり極めて強固な密着強度を有することが確
認できた。

【００３９】（比較例１）窒化物系セラミックスとし
て、実施例１と同様にして作製した窒化アルミニウムを
用いた。そしてこのセラミックスに、実施例１のような
熱処理を実施しないこと以外は、実施例１と同様の条件
により銅をメタライズした。

【００４０】そして実施例１と同様の方法で銅膜の引き
剥がし強度を測定した。測定結果、引き剥がし強度は
９．６Ｎであり実使用上満足できる密着強度は得られな
かった。

【００４１】（比較例２）窒化物系セラミックスとし
て、実施例１と同様にして作製した窒化アルミニウムを
用いた。そして実施例３と同様にして１０質量％水酸化
ナトリウム水溶液での処理を行い、セラミックスの表層
にセラミックス焼結助剤からなる酸化物を露呈させた。

【００４２】次いで、セラミックスの表面に無電解銅め
っきにて膜厚が３μｍの銅膜を形成した。

【００４３】そして実施例１と同様の方法で銅膜の引き
剥がし強度を測定した。測定結果、引き剥がし強度は
４．９Ｎであり実使用上満足できる密着強度は得られな
かった。水酸化ナトリウム水溶液による処理は、セラミ
ックスの表層に焼結助剤からなる酸化物を露呈させるた
めのものであり、セラミックスの表層にアンカー効果を
得られるだけの大きな凹凸は形成されていない。そして
ＣＶＤ法である無電解銅めっきでは焼結助剤からなる酸
化物との間にＣｕ−Ｏ共晶液相は形成されないので、密
着強度を得ることができないことが確認できた。

【００４４】

【発明の効果】上記のように本発明の請求項１に係るセ
ラミックス表面への銅メタライズ方法は、窒化物系セラ
ミックスあるいは炭化物系セラミックスの少なくとも一
方からなるセラミックスの表面に銅をメタライズするに
あたって、セラミックスの表層にセラミックス焼結助剤
からなる酸化物を露呈させた後、セラミックスの表面に
ＰＶＤ法で銅をメタライズするようにしたので、焼結助
剤からなる酸化物とＰＶＤ法でメタライズした銅との界
面に形成されるCｕ−Ｏ共晶液相を介して銅を密着させ
るにあたって、セラミックスの表層に露呈させた焼結助
剤からなる酸化物に対する銅膜の高い密着強度を確保す
ることができ、セラミックスの表面に凹凸を形成した
り、ガラスフリットや活性金属を形成したりする必要な
く、セラミックスの表面に直接形成されるメタライズ銅
の密着性を高めることができるものである。

【００４５】また請求項２の発明は、請求項１におい
て、焼結工程を経て得られたセラミックスを、熱処理す
ることによって、セラミックスの表層にセラミックス焼
結助剤からなる酸化物を露呈させるようにしたので、セ
ラミックスを熱処理するという簡便な方法でセラミック
スの表層に焼結助剤からなる酸化物を露呈させることが
できるものである。

【００４６】また請求項３の発明は、請求項１におい
て、セラミックスの表層の結晶粒子を除去する処理をす
ることによって、セラミックスの表層にセラミックス焼
結助剤からなる酸化物を露呈させるようにしたので、セ
ラミックスの表層の結晶粒子を除去するという簡便な方
法でセラミックスの表層に焼結助剤からなる酸化物を露
呈させることができるものである。

【００４７】また請求項４の発明は、請求項３におい
て、セラミックスを腐食させる処理液にセラミックスを
浸漬することによって、セラミックスの表層の結晶粒子
を除去する処理をするようにしたので、処理液にセラミ
ックスを浸漬するという簡便な方法でセラミックスの表
層に焼結助剤からなる酸化物を露呈させることができる
ものである。

【００４８】また請求項５の発明は、請求項１乃至４に
おいて、セラミックスの表面にＰＶＤ法で銅をメタライ
ズし、次いでこの表面に電解銅めっきをするようにした
ので、ＰＶＤ法で形成した銅膜に通電することによって
電解銅めっきをすることができ、銅膜を所望の任意の膜
厚に形成することができるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態の一例を示すものであり、
（ａ），（ｂ），（ｃ）はそれぞれ概略断面図である。

【図２】本発明の実施の形態の他の一例を示すものであ
り、（ａ），（ｂ），（ｃ）はそれぞれ概略断面図であ
る。

【符号の説明】

１ セラミックス結晶粒子 ２ セラミックス焼結助剤からなる酸化物 ３ 銅膜

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ２３Ｃ 14/14 Ｃ２３Ｃ 14/14 Ｄ Ｃ２５Ｄ 5/34 Ｃ２５Ｄ 5/34 5/54 5/54 (72)発明者 木村 均 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 正木 康史 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 Ｆターム(参考） 4K024 AA09 AB02 BA15 BB09 BB11 DA10 GA01 4K029 AA04 BA08 BC03 BD02 CA05 FA01 FA06 GA03

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 窒化物系セラミックスあるいは炭化物系
   セラミックスの少なくとも一方からなるセラミックスの
   表面に銅をメタライズするにあたって、セラミックスの
   表層にセラミックス焼結助剤からなる酸化物を露呈させ
   た後、セラミックスの表面にＰＶＤ法で銅をメタライズ
   することを特徴とするセラミックス表面への銅メタライ
   ズ方法。
2. 【請求項２】 焼結工程を経て得られたセラミックス
   を、熱処理することによって、セラミックスの表層にセ
   ラミックス焼結助剤からなる酸化物を露呈させることを
   特徴とする請求項１に記載のセラミックス表面への銅メ
   タライズ方法。
3. 【請求項３】 セラミックスの表層の結晶粒子を除去す
   る処理をすることによって、セラミックスの表層にセラ
   ミックス焼結助剤からなる酸化物を露呈させることを特
   徴とする請求項１に記載のセラミックス表面への銅メタ
   ライズ方法。
4. 【請求項４】 セラミックスを腐食させる処理液にセラ
   ミックスを浸漬することによって、セラミックスの表層
   の結晶粒子を除去する処理をすることを特徴とする請求
   項３に記載のセラミックス表面への銅メタライズ方法。
5. 【請求項５】 セラミックスの表面にＰＶＤ法で銅をメ
   タライズし、次いでこの表面に電解銅めっきをすること
   を特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のセラミ
   ックス表面への銅メタライズ方法。