JP2003057636A - 反射型液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
反射型液晶表示装置およびその製造方法Info
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
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- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
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- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/02—Function characteristic reflective
Abstract
(57)【要約】
【課題】 パターニングを必要としないブラックマトリ
クスを有し、金属反射板の腐食や劣化を防ぐことのでき
る反射型液晶表示装置を提供することである。 【解決手段】 絶縁性基板からなる第１の基板１１と第
２の基板１３とが液晶層２１を介して対向し、前記第１
の基板１１の液晶層２１側に設ける第１の電極１５と、
前記第２の基板１３の液晶層２１側に設ける金属反射板
１９および第２の電極１７とを備える反射型液晶表示装
置であって、前記金属反射板１９は少なくとも１つの隣
接する画素間に間隙を設けるように配置し、前記金属反
射板１９の液晶層２１と反対側に光吸収層２３を設け、
前記金属反射板１９の液晶層２１側に絶縁膜２５を設け
ることを特徴とする。
クスを有し、金属反射板の腐食や劣化を防ぐことのでき
る反射型液晶表示装置を提供することである。 【解決手段】 絶縁性基板からなる第１の基板１１と第
２の基板１３とが液晶層２１を介して対向し、前記第１
の基板１１の液晶層２１側に設ける第１の電極１５と、
前記第２の基板１３の液晶層２１側に設ける金属反射板
１９および第２の電極１７とを備える反射型液晶表示装
置であって、前記金属反射板１９は少なくとも１つの隣
接する画素間に間隙を設けるように配置し、前記金属反
射板１９の液晶層２１と反対側に光吸収層２３を設け、
前記金属反射板１９の液晶層２１側に絶縁膜２５を設け
ることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、自然光を光源と
し、反射板にて入射した自然光を反射して表示する反射
型液晶表示装置の構造とその製造方法とに関する。
し、反射板にて入射した自然光を反射して表示する反射
型液晶表示装置の構造とその製造方法とに関する。
【０００２】
【従来の技術】反射型液晶表示装置は、自然光を光源と
し、バックライトなどの光源を必要としない液晶表示装
置であり、液晶層と、液晶層を挟む一対の絶縁性基板
と、金属反射板とから構成される。従来のツイステッド
ネマティック（ＴＮ）方式、またはスーパーツイステッ
ドネマティック（ＳＴＮ）方式では、２枚の偏光板を必
要とするため、自然光の３／４を損失してしまうことに
なり、表示が暗くなる。さらに、金属反射板の位置は、
偏光板の外側、つまり、絶縁性基板の外側に配置しなけ
ればならないため、反射型液晶表示装置に対して斜めか
ら光が入射した場合、画像として認識する反射光が、一
方の絶縁性基板の液晶層側表面と金属反射板表面とで、
二重に映るという問題が生じたり、入射光が通過する画
素と反射光が通過する画素が異なってしまうために、コ
ントラストを低下させたり、カラーフィルタを用いてカ
ラー表示を行う場合には、混色を招いて色再現性が悪く
なったりする。
し、バックライトなどの光源を必要としない液晶表示装
置であり、液晶層と、液晶層を挟む一対の絶縁性基板
と、金属反射板とから構成される。従来のツイステッド
ネマティック（ＴＮ）方式、またはスーパーツイステッ
ドネマティック（ＳＴＮ）方式では、２枚の偏光板を必
要とするため、自然光の３／４を損失してしまうことに
なり、表示が暗くなる。さらに、金属反射板の位置は、
偏光板の外側、つまり、絶縁性基板の外側に配置しなけ
ればならないため、反射型液晶表示装置に対して斜めか
ら光が入射した場合、画像として認識する反射光が、一
方の絶縁性基板の液晶層側表面と金属反射板表面とで、
二重に映るという問題が生じたり、入射光が通過する画
素と反射光が通過する画素が異なってしまうために、コ
ントラストを低下させたり、カラーフィルタを用いてカ
ラー表示を行う場合には、混色を招いて色再現性が悪く
なったりする。
【０００３】これら前述の問題を解消するために、偏光
板１枚で表示可能なＴＮ方式またはＳＴＮ方式、偏光板
をまったく使わないで表示可能な相転移型のゲスト−ホ
スト方式などが提案されている。いずれの場合も、偏光
板の枚数を減らすことができるため、表示を明るくする
ことができる。また、金属反射板を一方の絶縁性基板の
液晶層側に設けることができるため、さきに述べた二重
映りの問題や、コントラストの低下、カラーフィルタの
混色を解消することが可能である。
板１枚で表示可能なＴＮ方式またはＳＴＮ方式、偏光板
をまったく使わないで表示可能な相転移型のゲスト−ホ
スト方式などが提案されている。いずれの場合も、偏光
板の枚数を減らすことができるため、表示を明るくする
ことができる。また、金属反射板を一方の絶縁性基板の
液晶層側に設けることができるため、さきに述べた二重
映りの問題や、コントラストの低下、カラーフィルタの
混色を解消することが可能である。
【０００４】さらに、隣接する画素間にブラックマトリ
クスを設けている。ブラックマトリクスによって、液晶
層にて変調することがない画素間に入射した光を吸収す
ることができるため、良好な黒表示を得ることが可能に
なり、コントラストを向上させることができる。
クスを設けている。ブラックマトリクスによって、液晶
層にて変調することがない画素間に入射した光を吸収す
ることができるため、良好な黒表示を得ることが可能に
なり、コントラストを向上させることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来技術によるブラッ
クマトリクスは、金属クロムや酸化クロム、または黒色
樹脂を、隣接する画素間に精度良くパターニングしなけ
ればならなかった。
クマトリクスは、金属クロムや酸化クロム、または黒色
樹脂を、隣接する画素間に精度良くパターニングしなけ
ればならなかった。
【０００６】また一般的に金属反射板の材料として用い
られるのは、高反射率が得られる、アルミニウムや銀ま
たはそれらの合金などの金属膜である。しかしながら、
これら金属膜は、そのまま大気中に触れると酸化して、
白濁や着色を引き起こしたり、大気中の水分によって腐
食してしまうなどの問題があった。
られるのは、高反射率が得られる、アルミニウムや銀ま
たはそれらの合金などの金属膜である。しかしながら、
これら金属膜は、そのまま大気中に触れると酸化して、
白濁や着色を引き起こしたり、大気中の水分によって腐
食してしまうなどの問題があった。
【０００７】［発明の目的］本発明の目的は、上記課題
を解決して、パターニングを必要としないブラックマト
リクスを有し、金属反射板の腐食や劣化を防ぐことので
きる反射型液晶表示装置およびその製造方法を提供する
ことである。
を解決して、パターニングを必要としないブラックマト
リクスを有し、金属反射板の腐食や劣化を防ぐことので
きる反射型液晶表示装置およびその製造方法を提供する
ことである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の反射型液晶表示装置は、下記記載の構成を
採用する。
に、本発明の反射型液晶表示装置は、下記記載の構成を
採用する。
【０００９】本発明の反射型液晶表示装置は、絶縁性基
板からなる第１の基板と第２の基板とが液晶層を介して
対向し、前記第１の基板の液晶層側に設ける第１の電極
と、前記第２の基板の液晶層側に設ける金属反射板およ
び第２の電極とを備える反射型液晶表示装置であって、
前記金属反射板は少なくとも１つの隣接する画素間に間
隙を設けるように配置し、金属反射板の液晶層と反対側
に光吸収層を設け、前記金属反射板の液晶層側に絶縁膜
を設けることを特徴とする。
板からなる第１の基板と第２の基板とが液晶層を介して
対向し、前記第１の基板の液晶層側に設ける第１の電極
と、前記第２の基板の液晶層側に設ける金属反射板およ
び第２の電極とを備える反射型液晶表示装置であって、
前記金属反射板は少なくとも１つの隣接する画素間に間
隙を設けるように配置し、金属反射板の液晶層と反対側
に光吸収層を設け、前記金属反射板の液晶層側に絶縁膜
を設けることを特徴とする。
【００１０】本発明の反射型液晶表示装置は、前記絶縁
膜が金属酸化膜であることを特徴とする。
膜が金属酸化膜であることを特徴とする。
【００１１】本発明の反射型液晶表示装置の製造方法
は、前記絶縁膜は、前記金属反射板を形成している金属
膜を陽極酸化処理によって形成することを特徴とする。
は、前記絶縁膜は、前記金属反射板を形成している金属
膜を陽極酸化処理によって形成することを特徴とする。
【００１２】本発明の反射型液晶表示装置は、前記金属
反射板と前記第２の基板との間に光吸収層を設けること
を特徴とする。
反射板と前記第２の基板との間に光吸収層を設けること
を特徴とする。
【００１３】本発明の反射型液晶表示装置は、前記第２
の基板の液晶層と反対側に光吸収層を設けることを特徴
とする。
の基板の液晶層と反対側に光吸収層を設けることを特徴
とする。
【００１４】本発明の反射型液晶表示装置は、前記第２
の基板が光吸収性の絶縁性基板からなることを特徴とす
る。
の基板が光吸収性の絶縁性基板からなることを特徴とす
る。
【００１５】本発明の反射型液晶表示装置は、前記第２
の電極が透明導電膜からなることを特徴とする。
の電極が透明導電膜からなることを特徴とする。
【００１６】本発明の反射型液晶表示装置は、前記金属
反射板を、画素部にのみ形成することを特徴とする。
反射板を、画素部にのみ形成することを特徴とする。
【００１７】本発明の反射型液晶表示装置は、前記金属
反射板は、アルミニウムまたはアルミニウム合金からな
ることを特徴とする。
反射板は、アルミニウムまたはアルミニウム合金からな
ることを特徴とする。
【００１８】本発明の反射型液晶表示装置は、前記金属
反射板は銀または銀合金からなることを特徴とする。
反射板は銀または銀合金からなることを特徴とする。
【００１９】本発明の反射型液晶表示装置は、前記第１
の基板かまたは第２の基板の液晶層側にカラーフィルタ
層を設けることを特徴とする。
の基板かまたは第２の基板の液晶層側にカラーフィルタ
層を設けることを特徴とする。
【００２０】［作用］本発明の反射型液晶表示装置にお
いては、金属反射板の液晶層と反対側、すなわち、金属
反射板の下方に光吸収層を備えている。金属反射板は、
隣接する画素間に間隙を設けるように配置している。画
素部においては、反射型液晶表示装置に入射した光は、
金属反射板に到達して反射するため、光吸収層には達し
ない。一方、隣接する画素間の間隙においては、反射型
液晶表示装置に入射した光は光吸収層に到達して吸収さ
れる。このように、光吸収層を画素間に精度良くパター
ニングせずとも、画素間の間隙においてのみ、ブラック
マトリクスとして機能し、良好な黒表示が得られる。ま
た、金属反射板を画素部にのみ形成した場合には、画素
部の周辺全部が光吸収層によって吸収されるため、より
良好な黒表示が得られる。
いては、金属反射板の液晶層と反対側、すなわち、金属
反射板の下方に光吸収層を備えている。金属反射板は、
隣接する画素間に間隙を設けるように配置している。画
素部においては、反射型液晶表示装置に入射した光は、
金属反射板に到達して反射するため、光吸収層には達し
ない。一方、隣接する画素間の間隙においては、反射型
液晶表示装置に入射した光は光吸収層に到達して吸収さ
れる。このように、光吸収層を画素間に精度良くパター
ニングせずとも、画素間の間隙においてのみ、ブラック
マトリクスとして機能し、良好な黒表示が得られる。ま
た、金属反射板を画素部にのみ形成した場合には、画素
部の周辺全部が光吸収層によって吸収されるため、より
良好な黒表示が得られる。
【００２１】さらに、本発明の反射型液晶表示装置にお
いては、金属反射板の液晶層側、すなわち金属反射板の
表面に絶縁膜を備えている。絶縁膜によって金属反射板
を保護することにより、金属反射板を構成する金属膜の
異常な酸化や腐食を防ぐことができる。
いては、金属反射板の液晶層側、すなわち金属反射板の
表面に絶縁膜を備えている。絶縁膜によって金属反射板
を保護することにより、金属反射板を構成する金属膜の
異常な酸化や腐食を防ぐことができる。
【００２２】以上のように、本発明においては、コント
ラストを向上させた高品質な反射型液晶表示装置を、信
頼性高く得ることができる。
ラストを向上させた高品質な反射型液晶表示装置を、信
頼性高く得ることができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明による反射型液晶表
示装置を実施するための最適な実施形態を図面に基づい
て説明する。
示装置を実施するための最適な実施形態を図面に基づい
て説明する。
【００２４】〔第１の実施形態：図１、図２〕図１は本
発明の第１の実施形態における反射型液晶表示装置を示
す断面図であり、図２は同じく本発明の第１の実施形態
における反射型液晶表示装置を示す平面図である。以
下、図１と図２とを交互に参照して第１の実施形態を説
明する。
発明の第１の実施形態における反射型液晶表示装置を示
す断面図であり、図２は同じく本発明の第１の実施形態
における反射型液晶表示装置を示す平面図である。以
下、図１と図２とを交互に参照して第１の実施形態を説
明する。
【００２５】図１に示すように、第１の実施形態の反射
型液晶表示装置は、透明絶縁性のガラス基板からなる第
１の基板１１上に設けた第１の電極１５と、絶縁性の第
２の基板１３上に設けた第２の電極１７とで液晶層２１
を挟持するように構成している。第２の基板１３は必ず
しも透明でなくてもよい。
型液晶表示装置は、透明絶縁性のガラス基板からなる第
１の基板１１上に設けた第１の電極１５と、絶縁性の第
２の基板１３上に設けた第２の電極１７とで液晶層２１
を挟持するように構成している。第２の基板１３は必ず
しも透明でなくてもよい。
【００２６】第１の基板１１上には、酸化インジウムス
ズ膜からなる透明導電膜を、スパッタリング法により、
１１０ｎｍの膜厚で膜形成する。つぎに、酸化インジウ
ムスズ膜の全面にポジ型のフォトレジストを回転塗布法
により塗布し、フォトマスクを用いた露光処理と現像処
理とでフォトリソグラフィ処理を行い、フォトレジスト
を第１の電極１５のパターン形状に形成する。
ズ膜からなる透明導電膜を、スパッタリング法により、
１１０ｎｍの膜厚で膜形成する。つぎに、酸化インジウ
ムスズ膜の全面にポジ型のフォトレジストを回転塗布法
により塗布し、フォトマスクを用いた露光処理と現像処
理とでフォトリソグラフィ処理を行い、フォトレジスト
を第１の電極１５のパターン形状に形成する。
【００２７】その後、フォトレジストをエッチングマス
クに使用して、パターニングを行ない、第１の電極１５
を形成する。この酸化インジウムスズ膜のエッチング処
理は、塩化第二鉄と塩酸との混合液を使用する湿式エッ
チング処理により行う。その後、エッチングマスクとし
て用いたフォトレジストを、レジスト剥離液、たとえば
長瀬産業製のＮ−３２０（商品名）を用いる湿式剥離法
により除去する。
クに使用して、パターニングを行ない、第１の電極１５
を形成する。この酸化インジウムスズ膜のエッチング処
理は、塩化第二鉄と塩酸との混合液を使用する湿式エッ
チング処理により行う。その後、エッチングマスクとし
て用いたフォトレジストを、レジスト剥離液、たとえば
長瀬産業製のＮ−３２０（商品名）を用いる湿式剥離法
により除去する。
【００２８】この第１の電極１５のパターン形状は、幅
が２９０μｍで、１０μｍの間隔を有する複数のストラ
イプパターンを形成している。
が２９０μｍで、１０μｍの間隔を有する複数のストラ
イプパターンを形成している。
【００２９】さらに、第１の電極１５上を覆うようにし
て配向膜（図示せず）を形成し、上部基板２９を作成す
る。
て配向膜（図示せず）を形成し、上部基板２９を作成す
る。
【００３０】第２の基板１３上には、絶縁性の黒色カラ
ーレジストからなる光吸収層２３を形成する。この光吸
収層２３を構成する黒色カラーレジスとしてトは、東京
応化工業製のＣＦＰＲ−ＢＫ７４５Ｓ（商品名）を、回
転塗布法により１．２μｍの膜厚になるように塗布す
る。つぎに、２２０度から２４０度の温度範囲で２時間
焼成し、光吸収層２３を構成する黒色カラーレジストを
熱硬化するとともに、黒色カラーレジストに含まれる物
質で、光硬化および熱硬化に関与していない未反応物質
をガス化して、除去する。
ーレジストからなる光吸収層２３を形成する。この光吸
収層２３を構成する黒色カラーレジスとしてトは、東京
応化工業製のＣＦＰＲ−ＢＫ７４５Ｓ（商品名）を、回
転塗布法により１．２μｍの膜厚になるように塗布す
る。つぎに、２２０度から２４０度の温度範囲で２時間
焼成し、光吸収層２３を構成する黒色カラーレジストを
熱硬化するとともに、黒色カラーレジストに含まれる物
質で、光硬化および熱硬化に関与していない未反応物質
をガス化して、除去する。
【００３１】さらに、光吸収層２３上に、アルミニウム
膜からなる反射膜を、スパッタリング法により、２００
ｎｍの膜厚で膜形成する。つぎに、アルミニウム膜の全
面にポジ型のフォトレジストを回転塗布法により塗布
し、フォトマスクを用いた露光処理と現像処理とでフォ
トリソグラフィ処理を行い、フォトレジストを第２の電
極１７のパターン形状に形成する。
膜からなる反射膜を、スパッタリング法により、２００
ｎｍの膜厚で膜形成する。つぎに、アルミニウム膜の全
面にポジ型のフォトレジストを回転塗布法により塗布
し、フォトマスクを用いた露光処理と現像処理とでフォ
トリソグラフィ処理を行い、フォトレジストを第２の電
極１７のパターン形状に形成する。
【００３２】この第２の電極１７のパターン形状は、幅
が２９０μｍで、１０μｍの間隔を有する複数のストラ
イプパターンに形成する。
が２９０μｍで、１０μｍの間隔を有する複数のストラ
イプパターンに形成する。
【００３３】その後、フォトレジストをエッチングマス
クに使用したアルミニウム膜のエッチング処理によっ
て、パターニングを行い、第２の電極１７を形成する。
また、第２の電極１７は反射膜により形成しているの
で、金属反射板１９としても機能する。このアルミニウ
ム膜のエッチング処理は、リン酸と硝酸と酢酸との混合
液を使用する湿式エッチング処理により行う。このエッ
チング処理工程において、アルミニウム膜からなる反射
膜がエッチングされた領域では、光吸収層２３を構成す
る黒色カラーレジストが暴露する。したがって、複数の
ストライプパターンに形成した金属反射板１９の間隙に
は、光吸収層２３が露出する。その後、エッチングマス
クとして用いたフォトレジストを、レジスト剥離液、た
とえば長瀬産業製のＮ−３２０（商品名）を用いる湿式
剥離法によって除去する。
クに使用したアルミニウム膜のエッチング処理によっ
て、パターニングを行い、第２の電極１７を形成する。
また、第２の電極１７は反射膜により形成しているの
で、金属反射板１９としても機能する。このアルミニウ
ム膜のエッチング処理は、リン酸と硝酸と酢酸との混合
液を使用する湿式エッチング処理により行う。このエッ
チング処理工程において、アルミニウム膜からなる反射
膜がエッチングされた領域では、光吸収層２３を構成す
る黒色カラーレジストが暴露する。したがって、複数の
ストライプパターンに形成した金属反射板１９の間隙に
は、光吸収層２３が露出する。その後、エッチングマス
クとして用いたフォトレジストを、レジスト剥離液、た
とえば長瀬産業製のＮ−３２０（商品名）を用いる湿式
剥離法によって除去する。
【００３４】つぎに、第２の電極１７上の表面に、酸化
アルミニウム膜からなる絶縁膜２５を、陽極酸化液とし
てリン酸アンモニウム溶液を用いた陽極酸化処理により
形成する。このとき、陽極酸化電圧を４０Ｖに設定し、
１．５Ｖ／分の速度で昇圧し、１時間の定電圧で陽極酸
化処理を行い、膜厚が５０ｎｍとなるように酸化アルミ
ウム膜を形成する。
アルミニウム膜からなる絶縁膜２５を、陽極酸化液とし
てリン酸アンモニウム溶液を用いた陽極酸化処理により
形成する。このとき、陽極酸化電圧を４０Ｖに設定し、
１．５Ｖ／分の速度で昇圧し、１時間の定電圧で陽極酸
化処理を行い、膜厚が５０ｎｍとなるように酸化アルミ
ウム膜を形成する。
【００３５】さらに、第２の電極１７上を覆うようにし
て配向膜（図示せず）を形成し、下部基板３１を作成す
る。
て配向膜（図示せず）を形成し、下部基板３１を作成す
る。
【００３６】つぎに上部基板２９と下部基板３１とを、
図１に示すように、第１の基板１１上の第１の電極１５
と第２の基板１３上の第２の電極１７とが相対向し、さ
らに図２に示すように、第１の電極１５のストライプパ
ターンと第２の電極１７のストライプパターンとが直交
するように、配置する。このように配置することで、第
１の電極１５と第２の電極１７が交差する部分で、画素
部が形成される。そして、上部基板２９と下部基板３１
との間には、シール剤（図示せず）によって液晶層２１
を封じ込める。
図１に示すように、第１の基板１１上の第１の電極１５
と第２の基板１３上の第２の電極１７とが相対向し、さ
らに図２に示すように、第１の電極１５のストライプパ
ターンと第２の電極１７のストライプパターンとが直交
するように、配置する。このように配置することで、第
１の電極１５と第２の電極１７が交差する部分で、画素
部が形成される。そして、上部基板２９と下部基板３１
との間には、シール剤（図示せず）によって液晶層２１
を封じ込める。
【００３７】液晶層２１は、２４０゜のツイスト配向を
しているスーパーツイステッドネマティック液晶からな
る。第１の基板１１の液晶層２１と反対側（外側）に偏
光板２７を設ける。さらに、液晶層２１の複屈折効果に
よる着色を防ぐために、第１の基板１１と偏光板２７と
の間に、位相差板を設けてもよい。
しているスーパーツイステッドネマティック液晶からな
る。第１の基板１１の液晶層２１と反対側（外側）に偏
光板２７を設ける。さらに、液晶層２１の複屈折効果に
よる着色を防ぐために、第１の基板１１と偏光板２７と
の間に、位相差板を設けてもよい。
【００３８】第１の電極１５と第２の電極１７が交差す
る画素部では、第１の電極１５と第２の電極１７との間
に印加する電圧を変動させることによって液晶層２１を
駆動し、位相変調している。液晶層２１での位相変調量
と偏光板２７での偏光作用との組み合わせにより、金属
反射板１９で反射した光の出射をスイッチングし、白黒
を表示している。
る画素部では、第１の電極１５と第２の電極１７との間
に印加する電圧を変動させることによって液晶層２１を
駆動し、位相変調している。液晶層２１での位相変調量
と偏光板２７での偏光作用との組み合わせにより、金属
反射板１９で反射した光の出射をスイッチングし、白黒
を表示している。
【００３９】一方、隣接する第２の電極１７の間隙に到
達した光は、光吸収層２３によって吸収されるため、液
晶層２１の位相変調の如何に関わらず、隣接する第２の
電極１７の間隙ではつねに黒の状態にすることができ
る。したがって、画素部において黒表示をした場合に
は、画素の周辺部までもが黒いため、良好な黒表示を得
ることができる。
達した光は、光吸収層２３によって吸収されるため、液
晶層２１の位相変調の如何に関わらず、隣接する第２の
電極１７の間隙ではつねに黒の状態にすることができ
る。したがって、画素部において黒表示をした場合に
は、画素の周辺部までもが黒いため、良好な黒表示を得
ることができる。
【００４０】本実施形態の光吸収層２３は金属反射板１
９の下にも形成しているが、画素部に到達する光は金属
反射板１９にて反射するため、光吸収層２３に到達する
ことはなく、吸収されることはない。
９の下にも形成しているが、画素部に到達する光は金属
反射板１９にて反射するため、光吸収層２３に到達する
ことはなく、吸収されることはない。
【００４１】このように、本実施形態の反射型液晶表示
装置においては、光吸収層２３を画素と画素との間に精
度良くパターニングせずとも、ブラックマトリクスとし
て機能することができ、良好な黒表示を有する、高品質
な反射型液晶表示装置を得ることができる。
装置においては、光吸収層２３を画素と画素との間に精
度良くパターニングせずとも、ブラックマトリクスとし
て機能することができ、良好な黒表示を有する、高品質
な反射型液晶表示装置を得ることができる。
【００４２】また、金属反射板１９の表面には、金属反
射板１９を形成しているアルミニウムの陽極酸化膜から
なる絶縁膜２５を設けているため、液晶層２１と金属反
射板１９を形成しているアルミニウムとが直接接するこ
とがなく、液晶層２１とアルミニウムとの相互作用によ
る反射型液晶表示装置の劣化を防ぐことができる。ま
た、第２の電極１７が外部回路と接続する引き出し電極
としても機能するために、反射型液晶表示装置の外面に
配置する場合には、本実施形態では、第２の電極１７の
表面を絶縁膜２５が覆っているため、アルミニウムから
なる第２の電極１７が直接大気に触れることがない。し
たがって、アルミニウムからなる第２の電極が、大気中
の水分などによって腐食することがなく、断線等の不良
が発生する心配がない。
射板１９を形成しているアルミニウムの陽極酸化膜から
なる絶縁膜２５を設けているため、液晶層２１と金属反
射板１９を形成しているアルミニウムとが直接接するこ
とがなく、液晶層２１とアルミニウムとの相互作用によ
る反射型液晶表示装置の劣化を防ぐことができる。ま
た、第２の電極１７が外部回路と接続する引き出し電極
としても機能するために、反射型液晶表示装置の外面に
配置する場合には、本実施形態では、第２の電極１７の
表面を絶縁膜２５が覆っているため、アルミニウムから
なる第２の電極１７が直接大気に触れることがない。し
たがって、アルミニウムからなる第２の電極が、大気中
の水分などによって腐食することがなく、断線等の不良
が発生する心配がない。
【００４３】このように、本実施形態の反射型液晶表示
装置においては、絶縁膜２５が金属反射板１９を形成し
ている金属膜の劣化や腐食を防ぐため、信頼性に優れた
反射型液晶表示装置を得ることができる。
装置においては、絶縁膜２５が金属反射板１９を形成し
ている金属膜の劣化や腐食を防ぐため、信頼性に優れた
反射型液晶表示装置を得ることができる。
【００４４】〔第２の実施形態：図３、図４〕図３は本
発明の第２の実施形態における反射型液晶表示装置を示
す断面図であり、図４は同じく本発明の第２の実施形態
における反射型液晶表示装置を示す平面図である。以
下、図３と図４とを交互に参照して説明する。
発明の第２の実施形態における反射型液晶表示装置を示
す断面図であり、図４は同じく本発明の第２の実施形態
における反射型液晶表示装置を示す平面図である。以
下、図３と図４とを交互に参照して説明する。
【００４５】図３に示すように、第２の実施形態の反射
型液晶表示装置は、透明絶縁性のガラス基板からなる第
１の基板１１上に設けた第１の電極１５と、絶縁性の第
２の基板１３上に設けた第２の電極１７とで液晶層２１
を挟持するように構成している。第２の基板１３は必ず
しも透明でなくてもよい。
型液晶表示装置は、透明絶縁性のガラス基板からなる第
１の基板１１上に設けた第１の電極１５と、絶縁性の第
２の基板１３上に設けた第２の電極１７とで液晶層２１
を挟持するように構成している。第２の基板１３は必ず
しも透明でなくてもよい。
【００４６】第１の基板１１上には、酸化インジウムス
ズ膜からなる透明導電膜を、スパッタリング法により、
１１０ｎｍの膜厚で膜形成する。つぎに、酸化インジウ
ムスズ膜の全面にポジ型のフォトレジストを回転塗布法
により塗布し、フォトマスクを用いた露光処理と現像処
理とでフォトリソグラフィ処理を行い、フォトレジスト
を第１の電極１５のパターン形状に形成する。
ズ膜からなる透明導電膜を、スパッタリング法により、
１１０ｎｍの膜厚で膜形成する。つぎに、酸化インジウ
ムスズ膜の全面にポジ型のフォトレジストを回転塗布法
により塗布し、フォトマスクを用いた露光処理と現像処
理とでフォトリソグラフィ処理を行い、フォトレジスト
を第１の電極１５のパターン形状に形成する。
【００４７】その後、フォトレジストをエッチングマス
クに使用して、パターニングを行ない、第１の電極１５
を形成する。この酸化インジウムスズ膜のエッチング処
理は、塩化第二鉄と塩酸との混合液を使用する湿式エッ
チング処理により行う。その後、エッチングマスクとし
て用いたフォトレジストを、レジスト剥離液、たとえば
長瀬産業製のＮ−３２０（商品名）を用いる湿式剥離法
により除去する。
クに使用して、パターニングを行ない、第１の電極１５
を形成する。この酸化インジウムスズ膜のエッチング処
理は、塩化第二鉄と塩酸との混合液を使用する湿式エッ
チング処理により行う。その後、エッチングマスクとし
て用いたフォトレジストを、レジスト剥離液、たとえば
長瀬産業製のＮ−３２０（商品名）を用いる湿式剥離法
により除去する。
【００４８】この第１の電極１５のパターン形状は、幅
が２９０μｍで、１０μｍの間隔を有する複数のストラ
イプパターンに形成している。
が２９０μｍで、１０μｍの間隔を有する複数のストラ
イプパターンに形成している。
【００４９】さらに、第１の電極１５上を覆うようにし
て配向膜（図示せず）を形成し、上部基板２９を作成す
る。
て配向膜（図示せず）を形成し、上部基板２９を作成す
る。
【００５０】第２の基板１３上には、絶縁性の黒色カラ
ーレジストからなる光吸収層２３を形成する。この光吸
収層２３を構成する黒色カラーレジストは、東京応化工
業製のＣＦＰＲ−ＢＫ７４５Ｓ（商品名）を、回転塗布
法により１．２μｍの膜厚になるように塗布する。つぎ
に、２２０度から２４０度の温度範囲で２時間焼成し、
光吸収層２３を構成する黒色カラーレジストを熱硬化す
るとともに、黒色カラーレジストに含まれる物質で光硬
化および熱硬化に関与していない未反応物質をガス化し
て、除去する。
ーレジストからなる光吸収層２３を形成する。この光吸
収層２３を構成する黒色カラーレジストは、東京応化工
業製のＣＦＰＲ−ＢＫ７４５Ｓ（商品名）を、回転塗布
法により１．２μｍの膜厚になるように塗布する。つぎ
に、２２０度から２４０度の温度範囲で２時間焼成し、
光吸収層２３を構成する黒色カラーレジストを熱硬化す
るとともに、黒色カラーレジストに含まれる物質で光硬
化および熱硬化に関与していない未反応物質をガス化し
て、除去する。
【００５１】さらに、光吸収層２３上に、アルミニウム
膜からなる反射膜を、スパッタリング法により、２００
ｎｍの膜厚で膜形成する。つぎに、アルミニウム膜の全
面にポジ型のフォトレジストを回転塗布法により塗布
し、フォトマスクを用いた露光処理と現像処理とでフォ
トリソグラフィ処理を行い、フォトレジストを金属反射
板１９のパターン形状に形成する。
膜からなる反射膜を、スパッタリング法により、２００
ｎｍの膜厚で膜形成する。つぎに、アルミニウム膜の全
面にポジ型のフォトレジストを回転塗布法により塗布
し、フォトマスクを用いた露光処理と現像処理とでフォ
トリソグラフィ処理を行い、フォトレジストを金属反射
板１９のパターン形状に形成する。
【００５２】この金属反射板１９のパターン形状は、一
辺の長さが２９０μｍで、間隔が１０μｍの孤立した複
数の矩形パターンに形成する。これら複数の矩形パター
ンはそれぞれ画素部に相当する。
辺の長さが２９０μｍで、間隔が１０μｍの孤立した複
数の矩形パターンに形成する。これら複数の矩形パター
ンはそれぞれ画素部に相当する。
【００５３】その後、フォトレジストをエッチングマス
クに使用したアルミニウム膜のエッチング処理によっ
て、パターニングを行い、金属反射板１９を形成する。
このアルミニウム膜のエッチング処理は、リン酸と硝酸
と酢酸との混合液を使用する湿式エッチング処理により
行う。このエッチング処理工程において、アルミニウム
膜からなる反射膜がエッチングされた領域では、光吸収
層２３を構成する黒色カラーレジストが暴露する。した
がって、孤立した複数の矩形パターンに形成した金属反
射板１９の間隙には、光吸収層２３が露出する。その
後、エッチングマスクとして用いたフォトレジストを、
レジスト剥離液、たとえば長瀬産業製のＮ−３２０（商
品名）を用いる湿式剥離法により除去する。
クに使用したアルミニウム膜のエッチング処理によっ
て、パターニングを行い、金属反射板１９を形成する。
このアルミニウム膜のエッチング処理は、リン酸と硝酸
と酢酸との混合液を使用する湿式エッチング処理により
行う。このエッチング処理工程において、アルミニウム
膜からなる反射膜がエッチングされた領域では、光吸収
層２３を構成する黒色カラーレジストが暴露する。した
がって、孤立した複数の矩形パターンに形成した金属反
射板１９の間隙には、光吸収層２３が露出する。その
後、エッチングマスクとして用いたフォトレジストを、
レジスト剥離液、たとえば長瀬産業製のＮ−３２０（商
品名）を用いる湿式剥離法により除去する。
【００５４】その後、金属反射板１９の上面に透明な絶
縁膜２５として、ＪＳＲ製オプトマーＳＳ６７７７（商
品名）を回転塗布法により形成する。この絶縁膜２５は
膜厚３μｍで形成する。つぎに、２２０度から２４０度
の温度範囲で２時間焼成し、絶縁層２５を熱硬化すると
ともに、熱硬化に関与していない未反応物質をガス化
し、除去する。
縁膜２５として、ＪＳＲ製オプトマーＳＳ６７７７（商
品名）を回転塗布法により形成する。この絶縁膜２５は
膜厚３μｍで形成する。つぎに、２２０度から２４０度
の温度範囲で２時間焼成し、絶縁層２５を熱硬化すると
ともに、熱硬化に関与していない未反応物質をガス化
し、除去する。
【００５５】つぎに、酸化インジウムスズ膜からなる透
明導電膜を、スパッタリング法により、１１０ｎｍの膜
厚で膜形成する。つぎに、酸化インジウムスズ膜の全面
にポジ型のフォトレジストを回転塗布法により塗布し、
フォトマスクを用いた露光処理と現像処理とでフォトリ
ソグラフィ処理を行い、フォトレジストを第２の電極１
７のパターン形状に形成する。
明導電膜を、スパッタリング法により、１１０ｎｍの膜
厚で膜形成する。つぎに、酸化インジウムスズ膜の全面
にポジ型のフォトレジストを回転塗布法により塗布し、
フォトマスクを用いた露光処理と現像処理とでフォトリ
ソグラフィ処理を行い、フォトレジストを第２の電極１
７のパターン形状に形成する。
【００５６】その後、フォトレジストをエッチングマス
クに使用して、パターニングを行ない、第２の電極１７
を形成する。この酸化インジウムスズ膜のエッチング処
理としては、塩化第二鉄と塩酸との混合液を使用する湿
式エッチング処理により行なう。その後、エッチングマ
スクとして用いたフォトレジストを、レジスト剥離液、
たとえば長瀬産業製のＮ−３２０（商品名）を用いる湿
式剥離法によって除去する。
クに使用して、パターニングを行ない、第２の電極１７
を形成する。この酸化インジウムスズ膜のエッチング処
理としては、塩化第二鉄と塩酸との混合液を使用する湿
式エッチング処理により行なう。その後、エッチングマ
スクとして用いたフォトレジストを、レジスト剥離液、
たとえば長瀬産業製のＮ−３２０（商品名）を用いる湿
式剥離法によって除去する。
【００５７】この第２の電極１７のパターン形状は、幅
が２９０μｍで、１０μｍの間隔を有する複数のストラ
イプパターンが、金属反射板１９の矩形パターンと平行
に重なるように形成する。
が２９０μｍで、１０μｍの間隔を有する複数のストラ
イプパターンが、金属反射板１９の矩形パターンと平行
に重なるように形成する。
【００５８】さらに、第２の電極１７上を覆うようにし
て配向膜（図示せず）を形成し、下部基板３１を作成す
る。
て配向膜（図示せず）を形成し、下部基板３１を作成す
る。
【００５９】つぎに、上部基板２９と下部基板３１と
を、図３に示すように、第１の基板１１上の第１の電極
１５と第２の基板１３上の第２の電極１７とが相対向
し、さらに図４に示すように、第１の電極１５のストラ
イプパターンと第２の電極１７のストライプパターンと
が直交し、かつ第１の電極１５のストライプパターンと
金属反射板１９の矩形パターンとが平行に重なるよう
に、配置する。このように配置することによって、第１
の電極１５と第２の電極１７が交差する部分で、画素部
が形成される。さらにこの実施形態では、孤立した矩形
パターンに形成された金属反射板１９が画素部にのみ形
成している。そして、上部基板２９と下部基板３１との
間には、シール剤（図示せず）によって液晶層２１を封
じ込める。
を、図３に示すように、第１の基板１１上の第１の電極
１５と第２の基板１３上の第２の電極１７とが相対向
し、さらに図４に示すように、第１の電極１５のストラ
イプパターンと第２の電極１７のストライプパターンと
が直交し、かつ第１の電極１５のストライプパターンと
金属反射板１９の矩形パターンとが平行に重なるよう
に、配置する。このように配置することによって、第１
の電極１５と第２の電極１７が交差する部分で、画素部
が形成される。さらにこの実施形態では、孤立した矩形
パターンに形成された金属反射板１９が画素部にのみ形
成している。そして、上部基板２９と下部基板３１との
間には、シール剤（図示せず）によって液晶層２１を封
じ込める。
【００６０】液晶層２１は、２４０゜のツイスト配向を
しているスーパーツイステッドネマティック液晶からな
る。第１の基板１１の液晶層２１と反対側（外側）に偏
光板２７を設ける。さらに、液晶層２１の複屈折効果に
よる着色を防ぐために、第１の基板１１と偏光板２７と
の間に、位相差板を設けてもよい。
しているスーパーツイステッドネマティック液晶からな
る。第１の基板１１の液晶層２１と反対側（外側）に偏
光板２７を設ける。さらに、液晶層２１の複屈折効果に
よる着色を防ぐために、第１の基板１１と偏光板２７と
の間に、位相差板を設けてもよい。
【００６１】第１の電極１５と第２の電極１７が交差す
る画素部では、第１の電極１５と第２の電極１７との間
に印加する電圧を変動させることによって液晶層２１を
駆動し、位相変調している。液晶層２１での位相変調量
と偏光板２７での偏光作用との組み合わせにより、金属
反射板１９で反射した光の出射をスイッチングし、白黒
を表示している。
る画素部では、第１の電極１５と第２の電極１７との間
に印加する電圧を変動させることによって液晶層２１を
駆動し、位相変調している。液晶層２１での位相変調量
と偏光板２７での偏光作用との組み合わせにより、金属
反射板１９で反射した光の出射をスイッチングし、白黒
を表示している。
【００６２】一方、隣接する画素間の間隙に到達した光
は、光吸収層２３によって吸収されるため、液晶層２１
の位相変調の如何に関わらず、隣接する画素の間隙では
つねに黒の状態にすることができる。したがって、画素
部において黒表示をした場合には、画素の周辺部全てま
でもが黒いため、良好な黒表示を得ることができる。
は、光吸収層２３によって吸収されるため、液晶層２１
の位相変調の如何に関わらず、隣接する画素の間隙では
つねに黒の状態にすることができる。したがって、画素
部において黒表示をした場合には、画素の周辺部全てま
でもが黒いため、良好な黒表示を得ることができる。
【００６３】本実施形態の光吸収層２３は金属反射板１
９の下にも形成しているが、画素部に到達する光は金属
反射板１９にて反射するため、光吸収層２３に到達する
ことはなく、吸収されることはない。
９の下にも形成しているが、画素部に到達する光は金属
反射板１９にて反射するため、光吸収層２３に到達する
ことはなく、吸収されることはない。
【００６４】このように、本実施形態の反射型液晶表示
装置においては、光吸収層２３を画素と画素との間に精
度良くパターニングせずとも、画素の周辺部全てをブラ
ックマトリクスとして機能することができ、良好な黒表
示を有する、高品質な反射型液晶表示装置を得ることが
できる。
装置においては、光吸収層２３を画素と画素との間に精
度良くパターニングせずとも、画素の周辺部全てをブラ
ックマトリクスとして機能することができ、良好な黒表
示を有する、高品質な反射型液晶表示装置を得ることが
できる。
【００６５】また、金属反射板１９の表面には、絶縁膜
２５を設けているため、金属反射板１９を形成している
アルミニウムと第２の電極１７を形成している酸化イン
ジウムスズとが直接接触することがなく、アルミニウム
と酸化インジウムスズとの相互作用による電池腐食が発
生することはなく、反射型液晶表示装置の劣化を防ぐこ
とができる。また、第２の電極１７が外部回路と接続す
る引き出し電極としても機能するために、反射型液晶表
示装置の外面に配置する場合には、本実施形態では、第
２の電極１７が酸化インジウムスズから構成されている
ため、第２の電極が大気中の水分などによって腐食する
ことがなく、断線等の不良が発生する心配がない。
２５を設けているため、金属反射板１９を形成している
アルミニウムと第２の電極１７を形成している酸化イン
ジウムスズとが直接接触することがなく、アルミニウム
と酸化インジウムスズとの相互作用による電池腐食が発
生することはなく、反射型液晶表示装置の劣化を防ぐこ
とができる。また、第２の電極１７が外部回路と接続す
る引き出し電極としても機能するために、反射型液晶表
示装置の外面に配置する場合には、本実施形態では、第
２の電極１７が酸化インジウムスズから構成されている
ため、第２の電極が大気中の水分などによって腐食する
ことがなく、断線等の不良が発生する心配がない。
【００６６】このように、本実施形態の反射型液晶表示
装置においては、絶縁膜２５が金属反射板１９を形成し
ている金属膜の劣化や腐食を防ぐため、信頼性に優れた
反射型液晶表示装置を得ることができる。
装置においては、絶縁膜２５が金属反射板１９を形成し
ている金属膜の劣化や腐食を防ぐため、信頼性に優れた
反射型液晶表示装置を得ることができる。
【００６７】〔第３の実施形態：図５、図６〕図５は本
発明の第３の実施形態における反射型液晶表示装置を示
す断面図であり、図６は同じく本発明の第１の実施形態
における反射型液晶表示装置を示す平面図である。以
下、図５と図６とを交互に参照して説明する。
発明の第３の実施形態における反射型液晶表示装置を示
す断面図であり、図６は同じく本発明の第１の実施形態
における反射型液晶表示装置を示す平面図である。以
下、図５と図６とを交互に参照して説明する。
【００６８】図５に示すように、第３の実施形態の反射
型液晶表示装置は、透明絶縁性のガラス基板からなる第
１の基板１１上に設けた第１の電極１５と、絶縁性の第
２の基板１３上に設けた第２の電極１７とで液晶層２１
を挟持するように構成している。第２の基板１３は必ず
しも透明でなくてもよい。
型液晶表示装置は、透明絶縁性のガラス基板からなる第
１の基板１１上に設けた第１の電極１５と、絶縁性の第
２の基板１３上に設けた第２の電極１７とで液晶層２１
を挟持するように構成している。第２の基板１３は必ず
しも透明でなくてもよい。
【００６９】第１の基板１１上には、酸化インジウムス
ズ膜からなる透明導電膜を、スパッタリング法により、
１１０ｎｍの膜厚で膜形成する。つぎに、酸化インジウ
ムスズ膜の全面にポジ型のフォトレジストを回転塗布法
により塗布し、フォトマスクを用いた露光処理と現像処
理とでフォトリソグラフィ処理を行い、フォトレジスト
を第１の電極１５のパターン形状に形成する。
ズ膜からなる透明導電膜を、スパッタリング法により、
１１０ｎｍの膜厚で膜形成する。つぎに、酸化インジウ
ムスズ膜の全面にポジ型のフォトレジストを回転塗布法
により塗布し、フォトマスクを用いた露光処理と現像処
理とでフォトリソグラフィ処理を行い、フォトレジスト
を第１の電極１５のパターン形状に形成する。
【００７０】その後、フォトレジストをエッチングマス
クに使用して、パターニングを行ない、第１の電極１５
を形成する。この酸化インジウムスズ膜のエッチング処
理は、塩化第二鉄と塩酸との混合液を使用する湿式エッ
チング処理により行う。その後、エッチングマスクとし
て用いたフォトレジストを、レジスト剥離液、たとえば
長瀬産業製のＮ−３２０（商品名）を用いる湿式剥離法
により除去する。
クに使用して、パターニングを行ない、第１の電極１５
を形成する。この酸化インジウムスズ膜のエッチング処
理は、塩化第二鉄と塩酸との混合液を使用する湿式エッ
チング処理により行う。その後、エッチングマスクとし
て用いたフォトレジストを、レジスト剥離液、たとえば
長瀬産業製のＮ−３２０（商品名）を用いる湿式剥離法
により除去する。
【００７１】この第１の電極１５のパターン形状は、幅
が９０μｍで、１０μｍの間隔を有する複数のストライ
プパターンを形成している。
が９０μｍで、１０μｍの間隔を有する複数のストライ
プパターンを形成している。
【００７２】さらに、第１の電極１５上を覆うようにし
て配向膜（図示せず）を形成し、上部基板２９を作成す
る。
て配向膜（図示せず）を形成し、上部基板２９を作成す
る。
【００７３】第２の基板１３上には、絶縁性の黒色カラ
ーレジストからなる光吸収層２３を形成する。この光吸
収層２３を構成する黒色カラーレジストは、東京応化工
業製のＣＦＰＲ−ＢＫ７４５Ｓ（商品名）を、回転塗布
法により１．２μｍの膜厚になるように塗布する。つぎ
に、２２０度から２４０度の温度範囲で２時間焼成し、
光吸収層２３を構成する黒色カラーレジストを熱硬化す
るとともに、黒色カラーレジストに含まれる物質で光硬
化および熱硬化に関与していない未反応物質をガス化し
て、除去する。
ーレジストからなる光吸収層２３を形成する。この光吸
収層２３を構成する黒色カラーレジストは、東京応化工
業製のＣＦＰＲ−ＢＫ７４５Ｓ（商品名）を、回転塗布
法により１．２μｍの膜厚になるように塗布する。つぎ
に、２２０度から２４０度の温度範囲で２時間焼成し、
光吸収層２３を構成する黒色カラーレジストを熱硬化す
るとともに、黒色カラーレジストに含まれる物質で光硬
化および熱硬化に関与していない未反応物質をガス化し
て、除去する。
【００７４】さらに、光吸収層２３上に、アルミニウム
膜からなる反射膜を、スパッタリング法により、２００
ｎｍの膜厚で膜形成する。
膜からなる反射膜を、スパッタリング法により、２００
ｎｍの膜厚で膜形成する。
【００７５】つぎに、アルミニウム膜からなる反射膜上
の表面に、酸化アルミニウム膜からなる絶縁膜２５を、
陽極酸化液としてリン酸アンモニウム溶液を用いた陽極
酸化処理により形成する。このとき、陽極酸化電圧を４
０Ｖに設定し、１．５Ｖ／分の速度で昇圧し、１時間の
定電圧で陽極酸化処理を行い、膜厚が５０ｎｍとなるよ
うに酸化アルミウム膜を形成する。
の表面に、酸化アルミニウム膜からなる絶縁膜２５を、
陽極酸化液としてリン酸アンモニウム溶液を用いた陽極
酸化処理により形成する。このとき、陽極酸化電圧を４
０Ｖに設定し、１．５Ｖ／分の速度で昇圧し、１時間の
定電圧で陽極酸化処理を行い、膜厚が５０ｎｍとなるよ
うに酸化アルミウム膜を形成する。
【００７６】つぎに、酸化アルミニウム膜の全面にポジ
型のフォトレジストを回転塗布法により塗布し、フォト
マスクを用いた露光処理と現像処理とでフォトリソグラ
フィ処理を行い、フォトレジストを金属反射板１９のパ
ターン形状に形成する。
型のフォトレジストを回転塗布法により塗布し、フォト
マスクを用いた露光処理と現像処理とでフォトリソグラ
フィ処理を行い、フォトレジストを金属反射板１９のパ
ターン形状に形成する。
【００７７】この金属反射板１９のパターン形状は、長
辺の長さが２９０μｍで、短辺の長さが９０μｍで、間
隔が１０μｍの孤立した複数の矩形パターンに形成す
る。これら複数の矩形パターンはそれぞれ画素部に相当
する。
辺の長さが２９０μｍで、短辺の長さが９０μｍで、間
隔が１０μｍの孤立した複数の矩形パターンに形成す
る。これら複数の矩形パターンはそれぞれ画素部に相当
する。
【００７８】その後、フォトレジストをエッチングマス
クに使用したエッチング処理によって、パターニングを
行い、金属反射板１９を形成する。このエッチング処理
は、リン酸と硝酸と酢酸との混合液を使用する湿式エッ
チング処理により行い、酸化アルミニウム膜とアルミニ
ウム膜を連続的にエッチングする。このエッチング処理
工程において、アルミニウム膜からなる反射膜がエッチ
ングされた領域では、光吸収層２３を構成する黒色カラ
ーレジストが暴露する。したがって、孤立した複数の矩
形パターンに形成した金属反射板１９の間隙には、光吸
収層２３が露出する。その後、エッチングマスクとして
用いたフォトレジストを、レジスト剥離液、たとえば長
瀬産業製のＮ−３２０（商品名）を用いる湿式剥離法に
よって除去する。
クに使用したエッチング処理によって、パターニングを
行い、金属反射板１９を形成する。このエッチング処理
は、リン酸と硝酸と酢酸との混合液を使用する湿式エッ
チング処理により行い、酸化アルミニウム膜とアルミニ
ウム膜を連続的にエッチングする。このエッチング処理
工程において、アルミニウム膜からなる反射膜がエッチ
ングされた領域では、光吸収層２３を構成する黒色カラ
ーレジストが暴露する。したがって、孤立した複数の矩
形パターンに形成した金属反射板１９の間隙には、光吸
収層２３が露出する。その後、エッチングマスクとして
用いたフォトレジストを、レジスト剥離液、たとえば長
瀬産業製のＮ−３２０（商品名）を用いる湿式剥離法に
よって除去する。
【００７９】その後、全表面を金属酸化膜２５で被覆し
た金属反射板１９上に、新日鐵化学製の感光性を有する
顔料分散型の赤色カラーレジストＶ−２５９Ｒ（商品
名）を回転塗布法により１．２μｍの膜厚になるように
塗布し、フォトマスクを用いて露光処理を行う。
た金属反射板１９上に、新日鐵化学製の感光性を有する
顔料分散型の赤色カラーレジストＶ−２５９Ｒ（商品
名）を回転塗布法により１．２μｍの膜厚になるように
塗布し、フォトマスクを用いて露光処理を行う。
【００８０】つぎに、アルカリ現像液で現像処理し、露
光した部分が現像液に不溶化し、赤色のカラーフィルタ
ー層３３のパターン形状に形成する。さらに、温度２２
０度から２４０度の温度範囲で２時間焼成し、赤色のカ
ラーフィルター層３３を構成する赤色カラーレジストを
熱硬化するとともに、赤色カラーレジストに含まれる光
硬化および熱硬化に関与していない未反応物質をガス化
して、除去する。
光した部分が現像液に不溶化し、赤色のカラーフィルタ
ー層３３のパターン形状に形成する。さらに、温度２２
０度から２４０度の温度範囲で２時間焼成し、赤色のカ
ラーフィルター層３３を構成する赤色カラーレジストを
熱硬化するとともに、赤色カラーレジストに含まれる光
硬化および熱硬化に関与していない未反応物質をガス化
して、除去する。
【００８１】その後、同様に緑色、青色の順で各色のカ
ラーフィルター層３３のパターン形状に形成する。
ラーフィルター層３３のパターン形状に形成する。
【００８２】カラーフィルター層３３のパターン形状
は、長辺の長さが３００μｍで、短辺の長さが４０μｍ
の孤立した複数の矩形パターンを、その中心が各画素部
の中央に対応するように配置し、各画素部に形成した金
属反射板１９の矩形パターンの長辺と短辺にそれぞれ平
行になるように形成する。
は、長辺の長さが３００μｍで、短辺の長さが４０μｍ
の孤立した複数の矩形パターンを、その中心が各画素部
の中央に対応するように配置し、各画素部に形成した金
属反射板１９の矩形パターンの長辺と短辺にそれぞれ平
行になるように形成する。
【００８３】ここで、従来技術による反射型液晶表示装
置においては、金属反射板１９上にカラーフィルター層
３３を直接形成していた。したがって、カラーフィルタ
ー層３３の現像工程において、カラーフィルター層３３
が現像された領域では、金属反射板１９を構成するアル
ミニウム膜が暴露し、アルカリ現像液によって腐食除去
されてしまっていた。
置においては、金属反射板１９上にカラーフィルター層
３３を直接形成していた。したがって、カラーフィルタ
ー層３３の現像工程において、カラーフィルター層３３
が現像された領域では、金属反射板１９を構成するアル
ミニウム膜が暴露し、アルカリ現像液によって腐食除去
されてしまっていた。
【００８４】しかしながら、上述のように、本発明の反
射型液晶表示装置においては、金属反射板１９上の側面
を含む全表面を被覆するように、酸化アルミニウム膜か
らなる絶縁膜２５を形成している。したがって、アルカ
リ現像液に対する耐薬品性に優れている、酸化アルミニ
ウム膜からなる金属酸化膜２５で被覆された金属反射板
１９が除去されることはなくなった。
射型液晶表示装置においては、金属反射板１９上の側面
を含む全表面を被覆するように、酸化アルミニウム膜か
らなる絶縁膜２５を形成している。したがって、アルカ
リ現像液に対する耐薬品性に優れている、酸化アルミニ
ウム膜からなる金属酸化膜２５で被覆された金属反射板
１９が除去されることはなくなった。
【００８５】つぎに、これらカラーフィルター層３３上
に透明なオーバーコート膜３５として、ＪＳＲ製オプト
マーＳＳ６７７７（商品名）を回転塗布法により形成す
るこのオーバーコート膜２５は膜厚３μｍで形成する。
さらに、２２０度から２４０度の温度範囲で２時間焼成
し、オーバーコート膜２５を熱硬化するとともに、熱硬
化に関与していない未反応物質をガス化し、除去する。
このオーバーコート膜３５は、カラーフィルター層３３
の耐薬品性や耐スパッタリング性や、さらに平坦性を向
上させる役割を果たす。
に透明なオーバーコート膜３５として、ＪＳＲ製オプト
マーＳＳ６７７７（商品名）を回転塗布法により形成す
るこのオーバーコート膜２５は膜厚３μｍで形成する。
さらに、２２０度から２４０度の温度範囲で２時間焼成
し、オーバーコート膜２５を熱硬化するとともに、熱硬
化に関与していない未反応物質をガス化し、除去する。
このオーバーコート膜３５は、カラーフィルター層３３
の耐薬品性や耐スパッタリング性や、さらに平坦性を向
上させる役割を果たす。
【００８６】つぎに、酸化インジウムスズ膜からなる透
明導電膜を、スパッタリング法により、１１０ｎｍの膜
厚で膜形成する。つぎに、酸化インジウムスズ膜の全面
にポジ型のフォトレジストを回転塗布法により塗布し、
フォトマスクを用いた露光処理と現像処理とでフォトリ
ソグラフィ処理を行い、フォトレジストを第２の電極１
７のパターン形状に形成する。
明導電膜を、スパッタリング法により、１１０ｎｍの膜
厚で膜形成する。つぎに、酸化インジウムスズ膜の全面
にポジ型のフォトレジストを回転塗布法により塗布し、
フォトマスクを用いた露光処理と現像処理とでフォトリ
ソグラフィ処理を行い、フォトレジストを第２の電極１
７のパターン形状に形成する。
【００８７】その後、フォトレジストをエッチングマス
クに使用して、パターニングを行ない、第２の電極１７
を形成する。この酸化インジウムスズ膜のエッチング処
理は、塩化第二鉄と塩酸との混合液を使用する湿式エッ
チング処理により行う。その後、エッチングマスクとし
て用いたフォトレジストを、レジスト剥離液、たとえば
長瀬産業製のＮ−３２０（商品名）を用いる湿式剥離法
により除去する。
クに使用して、パターニングを行ない、第２の電極１７
を形成する。この酸化インジウムスズ膜のエッチング処
理は、塩化第二鉄と塩酸との混合液を使用する湿式エッ
チング処理により行う。その後、エッチングマスクとし
て用いたフォトレジストを、レジスト剥離液、たとえば
長瀬産業製のＮ−３２０（商品名）を用いる湿式剥離法
により除去する。
【００８８】この第２の電極１７のパターン形状は、幅
が２９０μｍで、１０μｍの間隔を有する複数のストラ
イプパターンが、その長辺と金属反射板１９の矩形パタ
ーンの短辺とが平行に重なるように形成する。
が２９０μｍで、１０μｍの間隔を有する複数のストラ
イプパターンが、その長辺と金属反射板１９の矩形パタ
ーンの短辺とが平行に重なるように形成する。
【００８９】さらに、第２の電極１７上を覆うようにし
て配向膜（図示せず）を形成し、下部基板３１を作成す
る。
て配向膜（図示せず）を形成し、下部基板３１を作成す
る。
【００９０】つぎに上部基板２９と下部基板３１とを、
図５に示すように、第１の基板１１上の第１の電極１５
と第２の基板１３上の第２の電極１７とが相対向し、さ
らに図６に示すように、第１の電極１５のストライプパ
ターンと第２の電極１７のストライプパターンとが直交
し、かつ第１の電極１５のストライプパターンと金属反
射板１９の矩形パターンとが平行に重なるように、配置
する。このように配置することで、第１の電極１５と第
２の電極１７が交差する部分で、画素部が形成される。
さらに本実施形態では、孤立した矩形パターンに形成さ
れた金属反射板１９が画素部にのみ形成している。そし
て、上部基板２９と下部基板３１との間には、シール剤
（図示せず）によって液晶層２１を封じ込める。
図５に示すように、第１の基板１１上の第１の電極１５
と第２の基板１３上の第２の電極１７とが相対向し、さ
らに図６に示すように、第１の電極１５のストライプパ
ターンと第２の電極１７のストライプパターンとが直交
し、かつ第１の電極１５のストライプパターンと金属反
射板１９の矩形パターンとが平行に重なるように、配置
する。このように配置することで、第１の電極１５と第
２の電極１７が交差する部分で、画素部が形成される。
さらに本実施形態では、孤立した矩形パターンに形成さ
れた金属反射板１９が画素部にのみ形成している。そし
て、上部基板２９と下部基板３１との間には、シール剤
（図示せず）によって液晶層２１を封じ込める。
【００９１】液晶層２１は、２４０゜のツイスト配向を
しているスーパーツイステッドネマティック液晶からな
る。第１の基板１１の液晶層２１と反対側（外側）に偏
光板２７を設ける。さらに、液晶層２１の複屈折効果に
よる着色を防ぐために、第１の基板１１と偏光板２７と
の間に、位相差板を設けてもよい。
しているスーパーツイステッドネマティック液晶からな
る。第１の基板１１の液晶層２１と反対側（外側）に偏
光板２７を設ける。さらに、液晶層２１の複屈折効果に
よる着色を防ぐために、第１の基板１１と偏光板２７と
の間に、位相差板を設けてもよい。
【００９２】第１の電極１５と第２の電極１７が交差す
る画素部では、第１の電極１５と第２の電極１７との間
に印加する電圧を変動させることによって液晶層２１を
駆動し、位相変調している。液晶層２１での位相変調量
と偏光板２７での偏光作用との組み合わせにより、金属
反射板１９で反射した光の出射をスイッチングし、白黒
を表示している。
る画素部では、第１の電極１５と第２の電極１７との間
に印加する電圧を変動させることによって液晶層２１を
駆動し、位相変調している。液晶層２１での位相変調量
と偏光板２７での偏光作用との組み合わせにより、金属
反射板１９で反射した光の出射をスイッチングし、白黒
を表示している。
【００９３】一方、隣接する画素間の間隙に到達した光
は、光吸収層２３によって吸収されるため、液晶層２１
の位相変調の如何に関わらず、隣接する画素の間隙では
つねに黒の状態にすることができる。したがって、画素
部において黒表示をした場合には、画素の周辺部全てま
でもが黒いため、良好な黒表示を得ることができる。
は、光吸収層２３によって吸収されるため、液晶層２１
の位相変調の如何に関わらず、隣接する画素の間隙では
つねに黒の状態にすることができる。したがって、画素
部において黒表示をした場合には、画素の周辺部全てま
でもが黒いため、良好な黒表示を得ることができる。
【００９４】本実施形態の光吸収層２３は金属反射板１
９の下にも形成しているが、画素部に到達する光は金属
反射板１９にて反射するため、光吸収層２３に到達する
ことはなく、吸収されることはない。
９の下にも形成しているが、画素部に到達する光は金属
反射板１９にて反射するため、光吸収層２３に到達する
ことはなく、吸収されることはない。
【００９５】このように、本実施形態の反射型液晶表示
装置においては、光吸収層２３を画素と画素との間に精
度良くパターニングせずとも、ブラックマトリクスとし
て機能することができ、良好な黒表示を有する、高品質
なカラー反射型液晶表示装置を得ることができる。
装置においては、光吸収層２３を画素と画素との間に精
度良くパターニングせずとも、ブラックマトリクスとし
て機能することができ、良好な黒表示を有する、高品質
なカラー反射型液晶表示装置を得ることができる。
【００９６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の反射型液
晶表示装置は、少なくとも２つの隣接する画素間に間隙
を設けるように配置した金属反射板の液晶層と反対側に
光吸収層を設けている。このため、隣接する画素の間隙
に到達した光は、光吸収層によって吸収されるため、液
晶層の位相変調の如何に関わらず、隣接する画素の間隙
ではつねに黒の状態にすることができる。したがって、
光吸収層を画素と画素との間に精度良くパターニングせ
ずとも、ブラックマトリクスとして機能することがで
き、良好な黒表示を有する、高品質な反射型液晶表示装
置を得ることができる。
晶表示装置は、少なくとも２つの隣接する画素間に間隙
を設けるように配置した金属反射板の液晶層と反対側に
光吸収層を設けている。このため、隣接する画素の間隙
に到達した光は、光吸収層によって吸収されるため、液
晶層の位相変調の如何に関わらず、隣接する画素の間隙
ではつねに黒の状態にすることができる。したがって、
光吸収層を画素と画素との間に精度良くパターニングせ
ずとも、ブラックマトリクスとして機能することがで
き、良好な黒表示を有する、高品質な反射型液晶表示装
置を得ることができる。
【００９７】さらに、本発明の反射型液晶表示装置は、
金属反射板の液晶層側に絶縁膜を設けている。このよう
に、絶縁膜が金属反射板を形成している金属膜の劣化や
腐食を防ぐため、信頼性に優れた反射型液晶表示装置を
得ることができる。
金属反射板の液晶層側に絶縁膜を設けている。このよう
に、絶縁膜が金属反射板を形成している金属膜の劣化や
腐食を防ぐため、信頼性に優れた反射型液晶表示装置を
得ることができる。
【図１】本発明の第１の実施形態における反射型液晶表
示装置の構造とその製造方法を示す断面図である。
示装置の構造とその製造方法を示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態における反射型液晶表
示装置の構造とその製造方法を示す平面図である。
示装置の構造とその製造方法を示す平面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態における反射型液晶表
示装置の構造とその製造方法を示す断面図である。
示装置の構造とその製造方法を示す断面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態における反射型液晶表
示装置の構造とその製造方法を示す平面図である。
示装置の構造とその製造方法を示す平面図である。
【図５】本発明の第３の実施形態における反射型液晶表
示装置の構造とその製造方法を示す断面図である。
示装置の構造とその製造方法を示す断面図である。
【図６】本発明の第３の実施形態における反射型液晶表
示装置の構造とその製造方法を示す平面図である。
示装置の構造とその製造方法を示す平面図である。
１１：第１の基板 １３：第２の基板
１５：第１の電極 １７：第２の電極 １９：金属反射板
２１：液晶層 ２３：光吸収層 ２５：絶縁膜 ３３：カラーフィルター層
１５：第１の電極 １７：第２の電極 １９：金属反射板
２１：液晶層 ２３：光吸収層 ２５：絶縁膜 ３３：カラーフィルター層
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 2H090 HA03 HB02X HC09 HC17
HD05 KA08 LA05 LA06 LA09
LA15
2H091 FA02Y FA08X FA08Z FA11Z
FA14Y FA16Y FA34Y FB03
FB04 FB08 FC02 FC12 FC22
FC26 FC28 GA03 GA07 GA16
HA10 LA03 LA15 LA17
Claims (11)
- 【請求項１】 絶縁性基板からなる第１の基板と第２の
基板とが液晶層を介して対向し、前記第１の基板の液晶
層側に設ける第１の電極と、前記第２の基板の液晶層側
に設ける金属反射板および第２の電極とを備える反射型
液晶表示装置であって、 前記金属反射板は少なくとも１つの隣接する画素間に間
隙を設けるように配置し、 前記金属反射板の液晶層と反対側に光吸収層を設け、 前記金属反射板の液晶層側に絶縁膜を設けることを特徴
とする反射型液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記絶縁膜は、 金属酸化膜であることを特徴とする請求項１記載の反射
型液晶表示装置。 - 【請求項３】 絶縁性基板からなる第１の基板と第２の
基板とが液晶層を介して対向し、前記第１の基板の液晶
層側に設ける第１の電極と、前記第２の基板の液晶層側
に設ける金属反射板および第２の電極とを備え、 前記金属反射板は少なくとも１つの隣接する画素間に間
隙を設けるように配置し、 前記金属反射板の液晶層と反対側に光吸収層を設け、 前記金属反射板の液晶層側に絶縁膜を設け前記絶縁膜
は、金属酸化膜である反射型液晶表示装置の製造方法で
あって、 前記絶縁膜は、前記金属反射板を形成している金属膜を
陽極酸化処理によって形成することを特徴とする反射型
液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記金属反射板と前記第２の基板との間
に光吸収層を設けることを特徴とする請求項１記載の反
射型液晶表示装置。 - 【請求項５】 前記第２の基板の液晶層と反対側に光吸
収層を設けることを特徴とする請求項１記載の反射型液
晶表示装置。 - 【請求項６】 前記第２の基板が光吸収性の絶縁性基板
からなることを特徴とする請求項１記載の反射型液晶表
示装置。 - 【請求項７】 前記第２の電極は透明導電膜からなるこ
とを特徴とする請求項１に記載の反射型液晶表示装置。 - 【請求項８】 前記金属反射板は、画素部にのみ形成す
ることを特徴とする請求項１記載の反射型液晶表示装
置。 - 【請求項９】 前記金属反射板は、 アルミニウムまたはアルミニウム合金からなることを特
徴とする請求項１記載の反射型液晶表示装置。 - 【請求項１０】 前記金属反射板は、 銀またはは銀合金からなることを特徴とする請求項１記
載の反射型液晶表示装置。 - 【請求項１１】 前記第１の基板かまたは第２の基板の
液晶層側にカラーフィルタ層を設けることを特徴とする
請求項１記載の反射型液晶表示装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02153899A JP2003057636A (ja) | 1999-01-29 | 1999-01-29 | 反射型液晶表示装置およびその製造方法 |
| PCT/JP2000/000520 WO2000045216A1 (fr) | 1999-01-29 | 2000-01-31 | Dispositif reflechissant a cristaux liquides et procede de fabrication correspondant |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02153899A JP2003057636A (ja) | 1999-01-29 | 1999-01-29 | 反射型液晶表示装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003057636A true JP2003057636A (ja) | 2003-02-26 |
Family
ID=12057758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02153899A Pending JP2003057636A (ja) | 1999-01-29 | 1999-01-29 | 反射型液晶表示装置およびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003057636A (ja) |
| WO (1) | WO2000045216A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7102709B2 (en) | 2001-08-07 | 2006-09-05 | Seiko Epson Corporation | Color-filter substrate assembly, method for manufacturing the color-filter substrate assembly, electro-optical device, method for manufacturing the electro-optical device, and electronic apparatus |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1516223B1 (en) * | 2002-06-13 | 2015-02-11 | Adrea LLC | Improved electro-optically active device |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4939443U (ja) * | 1972-07-06 | 1974-04-06 | ||
| JPH046026U (ja) * | 1990-04-26 | 1992-01-21 | ||
| JPH06313890A (ja) * | 1993-04-28 | 1994-11-08 | Toppan Printing Co Ltd | 液晶表示装置用背面電極板とその製造方法 |
| JPH07287115A (ja) * | 1994-04-20 | 1995-10-31 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型カラーフィルタおよび液晶表示装置 |
| JP3758768B2 (ja) * | 1996-11-20 | 2006-03-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示パネル |
-
1999
- 1999-01-29 JP JP02153899A patent/JP2003057636A/ja active Pending
-
2000
- 2000-01-31 WO PCT/JP2000/000520 patent/WO2000045216A1/ja active Application Filing
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7102709B2 (en) | 2001-08-07 | 2006-09-05 | Seiko Epson Corporation | Color-filter substrate assembly, method for manufacturing the color-filter substrate assembly, electro-optical device, method for manufacturing the electro-optical device, and electronic apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2000045216A1 (fr) | 2000-08-03 |
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