JP2003051660A

JP2003051660A - 配線基板およびその製造方法ならびに電子装置

Info

Publication number: JP2003051660A
Application number: JP2001194276A
Authority: JP
Inventors: Chikafumi Yoneda; 親史米田
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2001-05-28
Filing date: 2001-06-27
Publication date: 2003-02-21

Abstract

(57)【要約】【課題】配線導体間の絶縁性に優れ配線導体の断線等
の不具合がない配線基板およびその製造方法ならびに電
子装置を提供すること。【解決手段】絶縁基板１の上面に無電解銅めっき層２
ａと電解銅めっき層２ｂとを順次積層して成る配線導体
２を被着して成る配線基板４であって、配線導体２は、
電解銅めっき層２ｂの幅が無電解銅めっき層２ａの幅の
1.01〜1.25倍であるとともに電解銅めっき層２ｂが無電
解銅めっき層２ａの上面を覆って幅方向の両側に張り出
している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁基板上に、無
電解銅めっき層と電解銅めっき層とを順次積層して成る
配線導体を被着して成る配線基板およびその製造方法な
らびに電子装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、現在の電子機器は、移動体通信
機器に代表されるように小型・薄型・軽量・高性能・高
機能・高品質・高信頼性が要求されてきており、このよ
うな電子機器に搭載される電子装置も小型・高密度化が
要求されるようになってきている。このため、電子装置
を構成する配線基板にも小型・薄型・多端子化が求めら
れてきており、それを実現するために信号導体等の配線
導体の幅を細くするとともにその間隔を狭くし、さらに
配線導体の多層化により高密度配線化が図られている。

【０００３】このような配線導体を形成する方法として
は、サブトラクティブ法、セミアディティブ法およびフ
ルアディティブ法がある。しかしながらサブトラクティ
ブ法は細密な配線導体の形成が難しいという問題点を、
フルアディティブ法は無電解めっきのみで配線導体の形
成を行うためにその形成に長時間を要してしまうという
問題点を有していた。このため、配線導体を形成する方
法としては、一般的には、セミアディティブ法が用いら
れている。

【０００４】セミアディティブ法とは、絶縁基板の上面
に無電解銅めっき用のパラジウム触媒を付着させる工程
と、パラジウム触媒を付着させた絶縁基板の上面に１〜
２μｍ程度の無電解銅めっき層を被着させる工程と、無
電解銅めっき層の上面に耐めっき樹脂層のフィルムをラ
ミネートした後にこのフィルムを露光・現像して、耐め
っき樹脂層に、配線導体のパターン形状に、無電解銅め
っき層の上面に電解銅めっき層を被着させるための開口
部を形成する工程と、その開口部内の無電解銅めっき層
の上面に10〜30μｍ程度の電解銅めっき層を被着させる
工程と、無電解銅めっき層の上面から耐めっき樹脂層を
剥離する工程と、硫酸系や塩素系水溶液のエッチング液
を用いて耐めっき樹脂層を剥離したことにより露出した
無電解銅めっき層およびパラジウム触媒を除去する工程
とを順次行うことにより配線導体を形成する方法であ
る。なお、この方法では、無電解銅めっき層およびパラ
ジウム触媒を除去する際に、電解銅めっき層の上面や側
面も同時にエッチングされる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、パラジ
ウム触媒が硫酸系や塩素系の水溶液により除去されにく
いこと、および、昨今の配線基板は配線導体の幅や配線
導体間の間隔が50μｍ程度と狭くなってきていることか
ら、配線導体間の無電解銅めっき層やパラジウム触媒を
完全に除去するために十分なエッチングを行なうと、配
線導体を構成する電解銅めっき層をエッチングし過ぎて
その幅を狭くしてしまい、その結果、断線してしまうと
いう問題点を有していた。逆に、エッチングが不十分な
場合には、エッチングによって無電解銅めっき層やパラ
ジウム触媒を完全に除去することができず、無電解銅め
っき層が隣接する配線導体の方向かけて裾をひいた形状
に残ってしまい、その結果、隣接する配線導体間で短絡
してしまうという問題点を有していた。

【０００６】また、上記の配線基板の製造方法では、無
電解銅メッキ層やパラジウム触媒のエッチング量をコン
トロールすることが難しく、電解銅めっき層をエッチン
グし過ぎて配線導体を断線させてしまったり、逆に、エ
ッチングが不十分で配線導体間に無電解銅めっき層とパ
ラジウム触媒が残ってしまい配線導体間で短絡してしま
うという問題点を有していた。

【０００７】本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑み
完成されたものであり、その目的は配線導体間の絶縁性
に優れるとともに配線導体が細くなり過ぎて断線してし
まうことのない配線基板およびその製造方法ならびにこ
の配線基板を用いた電子装置を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の配線基板は、絶
縁基板の上面に無電解銅めっき層と電解銅めっき層とを
順次積層して成る配線導体を被着して成る配線基板であ
って、配線導体は、電解銅めっき層の幅が無電解銅めっ
き層の幅の1.01〜1.25倍であるとともに電解銅めっき層
が無電解銅めっき層の上面を覆って幅方向の両側に張り
出していることを特徴とするものである。

【０００９】また、本発明の配線基板の製造方法は、絶
縁基板の上面に無電解銅めっき用のパラジウム触媒を付
着させる工程と、パラジウム触媒を付着させた絶縁基板
の上面に無電解銅めっき層を被着させる工程と、無電解
銅めっき層の上面に耐めっき樹脂層を被着させる工程
と、耐めっき樹脂層に、配線導体のパターン形状に、無
電解銅めっき層の上面に電解銅めっき層を被着させるた
めの開口部を形成する工程と、開口部内の無電解銅めっ
き層の上面に電解銅めっき層を被着させる工程と、無電
解銅めっき層の上面から耐めっき樹脂層を剥離する工程
と、耐めっき樹脂層を剥離したことにより露出する無電
解銅めっき層を硫酸系水溶液により除去する工程と、シ
アン系溶液により、無電解銅めっき層を除去したことに
より露出するパラジウム触媒を除去するとともに、電解
銅めっき層の幅が無電解銅めっき層の幅の1.01〜1.25倍
となり電解銅めっき層が無電解銅めっき層の上面を覆っ
て幅方向の両側に張り出すように無電解銅めっき層の側
面を除去する工程とを順次行うことを特徴とするもので
ある。

【００１０】さらに、本発明の電子装置は、上記の配線
基板の上面に電子部品を搭載し、配線導体と電子部品の
各電極とを電気的に接続して成ることを特徴とするもの
である。

【００１１】本発明の配線基板によれば、配線導体を、
電解銅めっき層の幅が無電解銅めっき層の幅の1.01〜1.
25倍で、電解銅めっき層が無電解銅めっき層の上面を覆
って幅方向の両側に張り出しているものとしたことか
ら、電解銅めっき層の幅がエッチングによって細くなり
過ぎて断線することはなく、また、無電解銅めっき層が
隣接する配線導体にかけて裾をひく形状となって配線導
体間を短絡させることもない。

【００１２】また、本発明の配線基板の製造方法によれ
ば、無電解銅めっき層を硫酸系水溶液により除去した
後、シアン系水溶液により無電解銅めっき層を除去した
ことにより露出するパラジウム触媒を除去することか
ら、無電解銅めっき層をエッチングにより除去する際
に、電解銅めっき層をエッチングし過ぎて配線導体を細
くして断線させてしまうことはなく、また、シアン系水
溶液が配線導体間のパラジウム触媒を良好に除去すると
ともに無電解銅めっき層の側面もエッチングすることか
ら、配線導体を、電解銅めっき層の幅が無電解銅めっき
層の幅の1.01〜1.25倍となり電解銅めっき層が無電解銅
めっき層の上面を覆って幅方向の両側に張り出すように
形成できる。

【００１３】さらに、本発明の電子装置によれば、上記
の配線基板の上面に電子部品を搭載し、配線導体と電子
部品の各電極とを電気的に接続したことから、配線導体
間の絶縁性が良好であるとともに配線導体が断線するこ
とのない信頼性の良好な電子装置とすることができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】次に、本発明の配線基板および電
子装置を添付の図面に基づいて詳細に説明する。図１
は、本発明の配線基板に半導体素子等の電子部品を搭載
して成る電子装置の実施の形態の一例を示す断面図であ
る。この図において、１は絶縁基板、２は配線導体、３
は電子部品であり、主に絶縁基板１と配線導体２とで本
発明の配線基板４が構成され、配線基板４と電子部品３
とで本発明の電子装置５が構成される。なおここで、図
１は本発明の配線基板４における、配線導体２の幅方向
の断面図である。

【００１５】絶縁基板１は、電子部品３を搭載する機能
を有し、縦・横の長さが５〜50ｍｍ程度であり、この図
の例では、板状の芯体１ａと、この表面に被着した絶縁
層１ｂとから形成されている。芯体１ａは、絶縁基体１
に強度を付与するとともにそりを防止する機能を有し、
その厚みが0.3〜1.5ｍｍ程度であり、ガラス繊維を縦横
に織り込んだガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイ
ミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて成
る。また、絶縁層１ｂは、絶縁基板１と配線導体２との
密着性を良好と成す機能を有し、その厚みが10〜80μｍ
であり、エポキシ樹脂や変性ポリフェニレンエーテル樹
脂等の熱硬化性樹脂から成る。

【００１６】このような絶縁基板１は、例えばガラスク
ロスに未硬化の熱硬化性樹脂を含浸させるとともにこれ
を熱硬化することによって芯体１ａの母基板となるシー
トを得、次に、このシート表面に、従来周知のドクター
ブレード法を採用して形成した、エポキシ樹脂や変性ポ
リフェニレンエーテル樹脂等の熱硬化性樹脂から成る絶
縁層１ｂと成るフィルムを積層するとともにこれらを加
圧加熱して硬化し、しかる後、所望の形状に切断するこ
とによって形成される。

【００１７】絶縁基板１の表面には、配線導体２が被着
形成されている。配線導体２は、幅が10〜50μｍであ
り、厚みが１〜２μｍの無電解銅めっき層２ａと厚みが
10〜30μｍの電解銅めっき層２ｂとから成り、絶縁基板
１に搭載される半導体素子等の電子部品３の各電極を外
部電気回路（図示せず）に電気的に接続する導電路とし
ての機能を有する。

【００１８】このような配線導体２は、次に述べる方法
により形成される。まず、絶縁基板１を過マンガン酸塩
類水溶液等の粗化液に浸漬し表面を粗化した後、無電解
めっき用パラジウム触媒の水溶液中に浸漬し表面にパラ
ジウム触媒を付着させ、さらに、硫酸銅・ロッセル塩・
ホルマリン・ＥＤＴＡナトリウム塩・安定剤等から成る
無電解銅めっき液に約30分間浸漬して１〜２μｍ程度の
無電解銅めっき層２ａを表面に析出させる。次に、無電
解銅めっき層２ａ上に耐めっき樹脂層を被着し露光・現
像により配線導体２のパターン形状に、電解銅めっき層
２ｂを被着させるための開口部を形成し、さらに、硫酸
・硫酸銅５水和物・塩素・光沢剤等から成る電解銅めっ
き液に数Ａ／ｄｍ²の電流を印加しながら数時間浸漬す
ることにより開口部に電解銅めっき層２ｂを被着させ
る。その後、耐めっき樹脂層を水酸化ナトリウムで剥離
し、さらに、耐めっき樹脂層を剥離したことにより露出
する無電解銅めっき層２ａを硫酸系や塩素系等の水溶液
によりエッチング除去し、しかる後、無電解銅めっき層
２ａを除去したことにより露出するパラジウム触媒と無
電解めっき層２ａの側面とを25℃程度のシアン化ニッケ
ルカリウム・シアン化カリウム水溶液等のシアン系水溶
液に10〜30分間程度浸漬して除去することにより、電解
銅めっき層２ｂの幅が無電解銅めっき層２ａの幅の1.01
〜1.25倍となり電解銅めっき層２ｂが無電解銅めっき層
２ａの上面を覆って幅方向の両側に張り出すように形成
される。

【００１９】本発明の配線基板４においては、配線導体
２を、電解銅めっき層２ｂの幅が無電解銅めっき層２ａ
の幅の1.01〜1.25倍となり電解銅めっき層２ｂが無電解
銅めっき層２ａの上面を覆って幅方向の両側に張り出す
ように形成することが重要である。

【００２０】本発明の配線基板４によれば、配線導体２
を、上記構成としたことから、電解銅めっき層２ｂの幅
がエッチングによって細くなり過ぎて断線することはな
く、また、無電解銅めっき層２ａが隣接する配線導体２
にかけて裾をひく形状となって配線導体２間を短絡させ
ることもない。なお、電解銅めっき層２ｂの幅が無電解
銅めっき層２ａの幅の1.01〜1.25倍となり電解銅めっき
層２ｂが無電解銅めっき層２ａの上面を覆って幅方向の
両側に張り出すように形成できる理由は、シアン系のエ
ッチング液がパラジウム触媒を良好に除去する際に、同
時に電解銅めっき層２ｂと無電解銅めっき層２ａとをエ
ッチングするが、無電解銅めっき層２ａの密度が電解銅
めっき層２ｂの密度に比べて低いために、配線導体２側
面の無電解銅めっき層２ａのほうが先に除去されてしま
うことによるものである。

【００２１】配線導体２を、このような電解銅めっき層
２ｂの幅が無電解銅めっき層２ａの幅の1.01〜1.25倍
で、電解銅めっき層２ｂが無電解銅めっき層２ａの上面
を覆って幅方向の両側に張り出すものとするには、シア
ン系の溶液でエッチングする際の温度等を制御する等し
てエッチング速度を一定とするとともにエッチング液の
濃度やエッチング時間を適宜調整すればよい。

【００２２】なお、電解銅めっき層２ｂの幅が無電解銅
めっき層２ａの幅の1.01倍未満であると、無電解めっき
層２ａとパラジウム触媒のエッチングが不十分となり、
隣接する配線導体２間で短絡してしまい易くなる傾向が
あり、また、1.25倍を超えると無電解めっき層２ａの幅
が狭いものとなり、配線導体２と絶縁基板１との密着強
度が低下してしまう傾向がある。従って、電解銅めっき
層２ｂの幅は、無電解銅めっき層２ａの幅の1.01〜1.25
倍であることが好ましい。また、電解銅めっき層２ｂが
無電解銅めっき層２ａの上面を覆って幅方向の一方にの
み張り出している場合、張り出していない側の無電解め
っき層２ａとパラジウム触媒のエッチングが不十分とな
り、隣接する配線導体２と短絡してしまい易くなる傾向
がある。従って、電解銅めっき層２ｂは、無電解銅めっ
き層２ａの上面を覆って幅方向の両側に張り出している
ことが好ましい。

【００２３】かくして本発明の配線基板４によれば、配
線導体２を、電解銅めっき層２ｂの幅が無電解銅めっき
層２ａの幅の1.01〜1.25倍で、電解銅めっき層２ｂが無
電解銅めっき層２ａの上面を覆って幅方向の両側に張り
出した構成にしたことから、配線導体２間の絶縁性が良
好で断線のない信頼性の良好な配線基板４とすることが
できる。

【００２４】なお、本発明の配線基板４は上述の実施例
に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない
範囲であれば種々の変更は可能であり、例えば、上述の
例では絶縁層１ｂを芯体１ａの上面に積層し、この絶縁
層１ｂ上に配線導体２を形成したが、絶縁層１ｂを芯体
１ａの上下両面に積層し、この両面に配線導体２を形成
してもよい。また、両面に形成した配線導体２間を絶縁
基板１の内部に形成した貫通導体で電気的に接続しても
よい。さらに、上述の例では、絶縁基板１を芯体１ａに
絶縁層１ｂを積層して成るものとしたが、絶縁基板１を
芯体１ａのみで構成してもよい。

【００２５】また、本発明の電子装置５は、配線基板４
表面の配線導体２と電子部品３の各電極とを導体バンプ
６を介して電気的に接続することにより形成される。導
体バンプ６は、配線導体２と電子部品３の各電極とを電
気的に接続する作用を成し、配線基板4表面の配線導体
２上に鉛−錫・錫−亜鉛・錫−銀−ビスマス合金等の導
電材料より形成されている。

【００２６】このような導体バンプ６は次に述べる方法
により形成される。まず、配線基板４表面に、配線導体
２の電子部品３との接合部を露出する開口を有するソル
ダーレジスト層７を従来周知のスクリーン印刷法を用い
て被着する。ソルダーレジスト層７は、厚みが10〜50μ
ｍであり、例えばアクリル変性エポキシ樹脂等の感光性
樹脂と開始剤とから成る混合物に30〜70重量％のシリカ
やタルク等の無機粉末フィラーを含有させた絶縁材料か
ら成り、隣接する配線導体２同士が導体バンプ６により
電気的に短絡することを防止するとともに、配線導体２
と絶縁層１ｂとの接合強度を向上させる機能を有する。
次に、導体バンプ６が例えば鉛−錫から成る半田の場
合、鉛−錫から成る半田ペーストをソルダーレジスト層
７の開口の露出した配線導体２上にスクリーン印刷で充
填し、リフロー炉を通すことにより配線導体２上に半球
状に固着形成される。なお、配線基板４の表面に露出し
た配線導体２の表面にニッケル・金等の良導電性で耐食
性に優れた金属をめっき法により１〜20μｍの厚みに被
着させておくと、露出した配線導体２の酸化腐食を有効
に防止することができるとともに配線導体２と導体バン
プ６との接続を良好となすことができる。

【００２７】しかる後、配線導体２に電子部品３の各電
極を導体バンプ６を介して接合して電子部品３を搭載す
るとともに配線基板４と電子部品３とをアンダーフィル
材８で接着固定し、さらに、この電子部品３を図示しな
い蓋体やポッティング樹脂により封止することによって
電子装置５と成り、配線導体２の電子部品との接続部と
反対側の一端を外部電気回路基板の配線導体（図示せ
ず）に接続することにより本発明の電子装置５が外部電
気回路基板に実装されることとなる。

【００２８】かくして、本発明の電子装置５によれば、
上述の配線基板４の上面に電子部品３を搭載し、配線導
体２と電子部品３の各電極とを電気的に接続したことか
ら、配線導体２間の絶縁性が良好であるとともに配線導
体２が断線することのない信頼性の良好な電子装置５と
することができる。

【００２９】また、図２は、本発明の配線基板４をビル
ドアップ配線基板に適用した場合の一例であり、１は芯
体１ａと複数の絶縁層１ｂとから成る絶縁基板、２は無
電解銅めっき層２ａと電解銅めっき層２ｂとから成る配
線導体、３は半導体素子等の電子部品、４は絶縁基板１
と配線導体２とから成る配線基板、５は配線基板４と電
子部品３とから成る電子装置５である。

【００３０】この例では、芯体１ａは上述の実施例と同
様に、ガラス繊維を縦横に織り込んだガラスクロスにエ
ポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化
性樹脂を含浸させて成り、その上下面には銅・ニッケル
・金等の薄膜からなる配線導体層11が被着形成されてい
る。また、芯体１ａは、その上面から下面にかけて直径
が0.1〜1.0ｍｍ程度の複数のスルーホール８を有してお
り、そして、そのスルーホール８の内壁には銅膜から成
るスルーホール導体９が被着形成されており、上下面の
配線導体層11がスルーホール導体９を介して電気的に接
続されている。

【００３１】このような芯体１ａは、ガラスクロスに未
硬化の熱硬化性樹脂を含浸させたシートを熱硬化させた
後、これに上面から下面にかけてドリル加工を施すこと
により製作される。また、配線導体層11は、芯体１ａ用
の未硬化シートの上下全面に厚みが３〜50μｍの銅膜を
被着しておくとともにこの銅膜をシートの硬化後にエッ
チング加工することにより所定のパターンに形成され
る。さらに、スルーホール導体９の銅膜は、芯体１ａに
スルーホール８を穿設した後に、このスルーホール８に
めっき法により厚みが３〜50μｍ程度の銅めっき膜を析
出させることにより形成される。

【００３２】さらに、芯体１ａは、そのスルーホール８
の内部にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂
等の熱硬化性樹脂から成る樹脂柱10が充填されている。
樹脂柱10は、スルーホール８を塞ぐことによりスルーホ
ール８の直上および直下に絶縁層１ｂを形成可能とする
ためのものであり、未硬化のペースト状の熱硬化性樹脂
をスルーホール８内にスクリーン印刷法により充填し、
これを熱硬化させた後、その上下面を略平坦に研磨する
ことにより形成される。そして、この樹脂柱10を含む芯
体１ａの上下面に絶縁層１ｂが積層されている。

【００３３】芯体１ａの上下面に積層された絶縁層１ｂ
は、それぞれの厚みが10〜80μｍ程度であり、各層の上
面から下面にかけて直径が20〜100μｍの貫通孔12を有
している。これらの絶縁層１ｂは、配線導体２を高密度
に配線するための絶縁間隔を提供するためのものであ
る。そして、上層の配線導体２と下層の配線導体２とを
貫通孔12の内壁に形成された銅膜から成る貫通導体13を
介して電気的に接続することにより高密度配線を立体的
に形成可能としている。

【００３４】このような絶縁層１ｂは、絶縁層１ｂと成
る未硬化の熱硬化性樹脂フィルムを配線導体層11を被着
した芯体１ａの上下面に貼着し、これを熱硬化させると
ともにレーザ加工により貫通孔12を形成し、さらに、絶
縁層１ｂ上に配線導体２を、貫通孔12内部に貫通導体13
を形成した後、同様にして次の絶縁層１ｂを順次積み重
ねることによって積層される。

【００３５】配線導体２および貫通導体13は、絶縁層１
ｂの表面および貫通孔12内部を過マンガン酸塩類水溶液
等の粗化液に浸漬し粗化した後、無電解めっき用のパラ
ジウム触媒の水溶液中に浸漬し絶縁層１ｂの表面および
貫通孔12内部にパラジウム触媒を付着させ、しかる後、
硫酸銅・ロッセル塩・ホルマリン・ＥＤＴＡナトリウム
塩・安定剤等から成る無電解銅めっき液に約30分間浸漬
して１〜２μｍ程度の無電解銅めっき層２ａを析出さ
せ、つぎに、無電解銅めっき層２ａ上に耐めっき樹脂層
を被着し露光・現像により配線導体２のパターン形状
に、電解銅めっき層２ｂを被着させるための開口部を形
成し、さらに、硫酸・硫酸銅５水和物・塩素・光沢剤等
から成る電解銅めっき液に数Ａ／ｄｍ²の電流を印加し
ながら数時間浸漬することにより開口部に電解銅めっき
層２ｂを被着した後、水酸化ナトリウムで耐めっき樹脂
層を剥離し、そして、耐めっき樹脂層を剥離したことに
より露出する無電解銅めっき層２ａを硫酸・過酸化水素
水等の硫酸系水溶液によりエッチング除去し、しかる
後、無電解銅めっき層２ａを除去したことにより露出す
るパラジウム触媒と無電解銅めっき層２ａの側面とを25
℃程度のシアン化ニッケルカリウム・シアン化カリウム
水溶液等のシアン系水溶液に10〜30分間程度浸漬してエ
ッチング除去することにより形成される。

【００３６】そして、この実施例においても、配線導体
２は、電解銅めっき層２ｂの幅が無電解銅めっき層２ａ
の幅の1.01〜1.25倍であるとともに電解銅めっき層２ｂ
が無電解銅めっき層２ａの上面を覆って幅方向の両側に
張り出していることが重要である。

【００３７】また、絶縁層１ｂの一方の最外層表面に形
成された配線導体２の一部は、電子部品３の各電極に例
えば鉛−錫から成る導体バンプ６を介して接合される電
子部品接続用の接合パッド14を形成し、また、絶縁層１
ｂの他方の最外層表面に形成された配線導体２の一部
は、外部電気回路基板の各電極（図示せず）に例えば鉛
−錫から成る導体バンプ６を介して接続される外部接続
用の接合パッド14を形成している。なお、接合パッド14
の表面には、その酸化腐蝕を防止するとともに導体バン
プ６との接続を良好とするために、半田との濡れ性が良
好で耐腐蝕性に優れたニッケル・金等のめっき層が被着
されている。

【００３８】さらに、最外層の絶縁層２および接合パッ
ド14には、接合パッド14の中央部を露出させる開口を有
するソルダーレジスト層７が被着されている。このよう
なソルダーレジスト層７は、感光性樹脂と光開始剤と無
機粉末フィラーとから成る未硬化樹脂フィルムあるいは
熱硬化性樹脂と無機粉末フィラーとから成る未硬化樹脂
ワニスを塗布するか、未硬化樹脂フィルムをラミネート
した後、露光・現像により開口部を形成し、これをＵＶ
硬化および熱硬化させることにより被着される。

【００３９】また、導体バンプ６は、鉛−錫・錫−亜鉛
・錫−銀−ビスマス等の合金の導電材料から成り、例え
ば、鉛−錫から成る半田の場合、鉛−錫から成る半田ペ
ーストをソルダーレジスト層７の開口の露出した接合パ
ッド14上にスクリーン印刷で充填し、リフロー炉を通す
ことにより接合パッド14上に半球状に固着形成される。
しかる後、接合パッド14に電子部品３の各電極を導体バ
ンプ６を介して接合して電子部品３を搭載するとともに
配線基板４と電子部品３とをアンダーフィル材８で接着
し、さらに、この電子部品３を図示しない蓋体やポッテ
ィング樹脂により封止することによって電子装置５と成
り、接合パッド14を導体バンプ６を介して外部電気回路
基板の配線導体（図示せず）に接続することにより本発
明の電子装置が外部電気回路基板に実装されることとな
る。

【００４０】次に、本発明の配線基板の製造方法を、図
１に示した配線基板を製造する場合を例にとって詳細に
説明する。

【００４１】まず、図３（ａ）に断面図で示すように、
芯体１ａと絶縁層１ｂとから成る絶縁基板１を準備し、
この上面に無電解めっき用のパラジウム触媒Ａを被着さ
せる。絶縁基板１は、ガラス繊維を縦横に織り込んだガ
ラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン
樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させたシートを仮硬化する
ことにより形成した、厚みが0.3〜1.5ｍｍの芯体１ａの
上面に、エポキシ樹脂や変性ポリフェニレンエーテル樹
脂等の熱硬化性樹脂から成る、厚みが20〜60μｍの絶縁
層１ｂを粘着し、これを熱硬化することによって形成さ
れる。そしてまず、絶縁層１ｂの表面を50℃の過マンガ
ン酸塩類水溶液等の粗化液に15分間浸漬し粗化し、その
後、絶縁基板１を30℃の無電解めっき用のパラジウム触
媒Ａの水溶液中に5分間浸漬し絶縁層１ｂの表面にパラ
ジウム触媒Ａを付着させる。

【００４２】次に、図３（ｂ）に断面図で示すように、
絶縁基板１を硫酸銅・ロッセル塩・ホルマリン・ＥＤＴ
Ａナトリウム塩・安定剤等から成る60℃の無電解銅めっ
き液に約30分間浸漬して絶縁層１ｂ表面に１〜２μｍ程
度の無電解銅めっき層２ａを析出させ、その後、図３
（ｃ）に断面図で示すように、無電解銅めっき層２ａ上
に耐めっき樹脂層Ｂを被着する。耐めっき樹脂層Ｂは、
厚みが15〜50μｍであり、例えば材料が感光性樹脂から
成り、ラミネートすることにより被着形成される。

【００４３】その後、図３（ｄ）に断面図で示すよう
に、露光と現像により配線導体２のパターン形状に、電
解銅めっき層２ｂを被着させるための開口部Ｃを形成す
る。

【００４４】しかる後、図３（ｅ）に断面図で示すよう
に、硫酸・硫酸銅５水和物・塩素・光沢剤等から成る電
解銅めっき液に数Ａ／ｄｍ²の電流を印加しながら数時
間浸漬することにより開口部Ｃに厚みが10〜30μｍの電
解銅めっき層２ｂを被着する。

【００４５】その後、図３（ｆ）に断面図で示すよう
に、30℃の水酸化ナトリウム水溶液で耐めっき樹脂層Ｂ
を剥離し、さらに、図３（ｇ）に断面図で示すように、
耐めっき樹脂層Ｂを剥離したことにより露出する無電解
銅めっき層２ａを25℃の硫酸・過酸化水素水あるいは硫
酸銅等の硫酸系水溶液により５分間エッチング除去す
る。

【００４６】そして最後に、図３（ｈ）に断面図で示す
ように無電解銅めっき層２ａを除去したことにより露出
するパラジウム触媒Ａを25℃程度のシアン化ニッケルカ
リウムやシアン化カリウム水溶液等のシアン系水溶液に
10〜30分間程度浸漬でエッチング除去するとともに、電
解銅めっき層２ｂの幅が無電解銅めっき層２ａの幅の1.
01〜1.25倍となり電解銅めっき層２ｂが無電解銅めっき
層２ａの上面を覆って幅方向の両側に張り出すように無
電解銅めっき層２ａの側面を除去する。

【００４７】本発明の配線基板の製造方法においては、
無電解銅めっき層２ａを硫酸系水溶液により除去した
後、シアン系水溶液により無電解銅めっき層２ａを除去
したことにより露出するパラジウム触媒Ａを除去するこ
とから、無電解銅めっき層２ａをエッチングにより除去
する際に、電解銅めっき層２ｂをエッチングし過ぎて配
線導体２を細くして断線させてしまうことはなく、ま
た、シアン系水溶液が配線導体２間のパラジウム触媒Ａ
を良好に除去するとともに無電解銅めっき層２ａの側面
もエッチングすることから、配線導体２を、電解銅めっ
き層２ｂの幅が無電解銅めっき層２ａの幅の1.01〜1.25
倍となり電解銅めっき層２ｂが無電解銅めっき層２ａの
上面を覆って幅方向の両側に張り出すように形成でき
る。その結果、電解銅めっき層２ｂの幅がエッチングに
よって細くなり過ぎて断線することはなく、また、無電
解銅めっき層２ａが隣接する配線導体２にかけて裾をひ
く形状となって配線導体２間を短絡させることもない、
絶縁性と接続信頼性に優れた配線基板４とすることがで
きる。

【００４８】配線導体２を、このような電解銅めっき層
２ｂの幅が無電解銅めっき層２ａの幅の1.01〜1.25倍
で、電解銅めっき層２ｂが無電解銅めっき層２ａの上面
を覆って幅方向の両側に張り出すものとするには、シア
ン系の溶液でエッチングする際の温度等を制御する等し
てエッチング速度を一定とするとともにエッチング液の
濃度やエッチング時間を適宜調整すればよい。

【００４９】なお、電解銅めっき層２ｂの幅が無電解銅
めっき層２ａの幅の1.01倍未満であると、無電解めっき
層２ａとパラジウム触媒Ａのエッチングが不十分とな
り、隣接する配線導体２間で短絡してしまい易くなる傾
向があり、また、1.25倍を超えると無電解めっき層２ａ
の幅が狭いものとなり、配線導体２と絶縁基板１との密
着強度が低下してしまう傾向がある。従って、電解銅め
っき層２ｂの幅は、無電解銅めっき層２ａの幅の1.01〜
1.25倍であることが好ましい。また、電解銅めっき層２
ｂが無電解銅めっき層２ａの上面を覆って幅方向の一方
にのみ張り出している場合、張り出していない側の無電
解めっき層２ａとパラジウム触媒Ａのエッチングが不十
分となり、隣接する配線導体２と短絡してしまい易くな
る傾向がある。従って、電解銅めっき層２ｂは、無電解
銅めっき層２ａの上面を覆って幅方向の両側に張り出し
ていることが好ましい。

【００５０】かくして、本発明の配線基板の製造方法に
よれば、耐めっき樹脂層Ｂを剥離したことにより露出す
る無電解銅めっき層２ａを硫酸系水溶液により除去する
工程と、シアン系水溶液により、無電解銅めっき層２ａ
を除去したことにより露出する前記パラジウム触媒Ａを
除去するとともに、電解銅めっき層２ｂの幅が無電解銅
めっき層２ａの幅の1.01〜1.25倍となり電解銅めっき層
２ｂが無電解銅めっき層２ａの上面を覆って幅方向の両
側に張り出すように無電解銅めっき層２ａの側面を除去
する工程とを順次行うことから、シアン系水溶液のエッ
チング液でパラジウム触媒Ａ金属を完全に除去すること
ができるとともに電解銅めっき層２ｂの幅が無電解銅め
っき層２ａの幅の1.01〜1.25倍となり電解銅めっき層２
ｂが無電解銅めっき層２ａの上面を覆って幅方向の両側
に張り出すように形成できるので、配線導体２間の絶縁
性を確保するでき、その結果、配線導体２同士が電気的
に短絡することがない配線基板の製造方法とすることが
できる。

【００５１】なお、本発明の製造方法は、上述の実施の
形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を
逸脱しない範囲であれば、種々の変更・改良を施すこと
は何ら差し支えない。

【００５２】

【発明の効果】本発明の配線基板によれば、配線導体
を、電解銅めっき層の幅が無電解銅めっき層の幅の1.01
〜1.25倍で、電解銅めっき層が無電解銅めっき層の上面
を覆って幅方向の両側に張り出しているものとしたこと
から、電解銅めっき層の幅がエッチングによって細くな
り過ぎて断線することはなく、また、無電解銅めっき層
が隣接する配線導体にかけて裾をひく形状となって配線
導体間を短絡させることもない。

【００５３】また、本発明の配線基板の製造方法によれ
ば、無電解銅めっき層を硫酸系水溶液により除去した
後、シアン系水溶液により無電解銅めっき層を除去した
ことにより露出するパラジウム触媒を除去することか
ら、無電解銅めっき層をエッチングにより除去する際
に、電解銅めっき層をエッチングし過ぎて配線導体を細
くして断線させてしまうことはなく、また、シアン系水
溶液が配線導体間のパラジウム触媒を良好に除去すると
ともに無電解銅めっき層の側面もエッチングすることか
ら、配線導体を、電解銅めっき層の幅が無電解銅めっき
層の幅の1.01〜1.25倍となり電解銅めっき層が無電解銅
めっき層の上面を覆って幅方向の両側に張り出すように
形成できる。

【００５４】さらに、本発明の電子装置によれば、上記
の配線基板の上面に電子部品を搭載し、配線導体と電子
部品の各電極とを電気的に接続したことから、配線導体
間の絶縁性が良好であるとともに配線導体が断線するこ
とのない信頼性の良好な電子装置とすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は本発明の配線基板に電子部品を搭載して
成る電子装置の実施の形態の一例を示す断面図である。

【図２】図２は、本発明の配線基板を多層配線基板と
し、この多層配線基板に電子部品を搭載して成る電子装
置の実施の形態の一例を示す断面図である。

【図３】（ａ）〜（ｈ）は、それぞれ本発明の配線基板
の製造方法を説明するための各工程毎の要部拡大断面図
である。

【符号の説明】

１・・・・・・絶縁基板１ａ・・・・・芯体１ｂ・・・・・絶縁層２・・・・・・配線導体２ａ・・・・・無電解銅めっき層２ｂ・・・・・電解銅めっき層３・・・・・・電子部品４・・・・・・配線基板５・・・・・・電子装置Ａ・・・・・・パラジウム触媒Ｂ・・・・・・耐めっき樹脂層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０５Ｋ 3/46 ＢＦターム(参考） 4E351 AA01 BB01 BB24 BB33 BB38 CC06 CC07 DD04 GG11 4K024 AA09 AB08 BA09 BB11 FA07 FA08 GA16 5E343 AA02 AA12 BB13 BB16 BB24 BB71 CC32 CC33 CC61 CC73 DD33 DD43 EE16 EE17 ER11 GG06 GG08 5E346 AA05 AA06 AA12 AA15 AA35 BB01 BB15 CC32 CC54 CC58 DD25 DD33 EE33 GG28 HH08 HH26 HH33

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁基板の上面に無電解銅めっき層と電
解銅めっき層とを順次積層して成る配線導体を被着して
成る配線基板であって、前記配線導体は、前記電解銅め
っき層の幅が前記無電解銅めっき層の幅の１．０１〜
１．２５倍であるとともに前記電解銅めっき層が前記無
電解銅めっき層の上面を覆って幅方向の両側に張り出し
ていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】絶縁基板の上面に無電解銅めっき用のパ
ラジウム触媒を付着させる工程と、該パラジウム触媒を
付着させた前記絶縁基板の上面に無電解銅めっき層を被
着させる工程と、該無電解銅めっき層の上面に耐めっき
樹脂層を被着させる工程と、該耐めっき樹脂層に、配線
導体のパターン形状に、前記無電解銅めっき層の上面に
電解銅めっき層を被着させるための開口部を形成する工
程と、該開口部内の前記無電解銅めっき層の上面に前記
電解銅めっき層を被着させる工程と、前記無電解銅めっ
き層の上面から前記耐めっき樹脂層を剥離する工程と、
前記耐めっき樹脂層を剥離したことにより露出する前記
無電解銅めっき層を硫酸系水溶液により除去する工程
と、シアン系水溶液により、前記無電解銅めっき層を除
去したことにより露出する前記パラジウム触媒を除去す
るとともに、前記電解銅めっき層の幅が前記無電解銅め
っき層の幅の１．０１〜１．２５倍となり前記電解銅め
っき層が前記無電解銅めっき層の上面を覆って幅方向の
両側に張り出すように前記無電解銅めっき層の側面を除
去する工程とを順次行うことを特徴とする配線基板の製
造方法。
【請求項３】請求項１記載の配線基板の上面に電子部
品を搭載し、配線導体と電子部品の各電極とを電気的に
接続して成ることを特徴とする電子装置。