JP2003049627A - 排気浄化装置 - Google Patents
排気浄化装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 パティキュレートフィルタの圧損を低く維持
する。 【解決手段】 排気ガス中の微粒子を捕集するためのパ
ティキュレートフィルタ２２を具備する。パティキュレ
ートフィルタが通路５０，５１を画成する隔壁５４を有
する。隔壁が予め定められた平均細孔径の細孔を内包す
る多孔質の材料から形成されている。通路の端部開口が
隔壁の細孔の細孔径よりも大きいが元の通路の流路断面
積よりも狭い流路断面積を有する小孔５５，５６となる
ように隔壁の端部分が寄せ集められてこの端部分同志が
部分的に接続される。
する。 【解決手段】 排気ガス中の微粒子を捕集するためのパ
ティキュレートフィルタ２２を具備する。パティキュレ
ートフィルタが通路５０，５１を画成する隔壁５４を有
する。隔壁が予め定められた平均細孔径の細孔を内包す
る多孔質の材料から形成されている。通路の端部開口が
隔壁の細孔の細孔径よりも大きいが元の通路の流路断面
積よりも狭い流路断面積を有する小孔５５，５６となる
ように隔壁の端部分が寄せ集められてこの端部分同志が
部分的に接続される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は排気浄化装置に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】内燃機関から排出される排気ガス中の微
粒子を捕集するためのパティキュレートフィルタが公知
である。こうしたパティキュレートフィルタとしては多
孔質の材料からハニカム構造体を形成し、このハニカム
構造体の複数の通路（以下、フィルタ通路と称す）のう
ち幾つかのフィルタ通路をその上流端にて栓で塞ぐと共
に残りのフィルタ通路をその下流端にて栓で塞ぎ、パテ
ィキュレートフィルタに流入した排気ガスがフィルタ通
路を形成している壁（以下、フィルタ隔壁と称す）を必
ず通ってパティキュレートフィルタから流出するように
したものが知られている。このタイプのパティキュレー
トフィルタが特開平９−９４４３４号公報に開示されて
いる。
粒子を捕集するためのパティキュレートフィルタが公知
である。こうしたパティキュレートフィルタとしては多
孔質の材料からハニカム構造体を形成し、このハニカム
構造体の複数の通路（以下、フィルタ通路と称す）のう
ち幾つかのフィルタ通路をその上流端にて栓で塞ぐと共
に残りのフィルタ通路をその下流端にて栓で塞ぎ、パテ
ィキュレートフィルタに流入した排気ガスがフィルタ通
路を形成している壁（以下、フィルタ隔壁と称す）を必
ず通ってパティキュレートフィルタから流出するように
したものが知られている。このタイプのパティキュレー
トフィルタが特開平９−９４４３４号公報に開示されて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このタイプのパティキ
ュレートフィルタによれば排気ガスは必ずフィルタ隔壁
を通り、その後にパティキュレートフィルタから流出す
るのでパティキュレートフィルタの微粒子捕集率は比較
的高い。しかしながらパティキュレートフィルタ本体と
は別体の栓を用いてフィルタ通路を閉塞する必要があ
り、したがって生産性が悪く、コストが高い。また図３
（Ａ）に示すように排気ガスの一部が栓に衝突するので
排気ガスはフィルタ通路内に流入しづらい。さらに栓近
傍からフィルタ通路に流入する排気ガスは該フィルタ通
路の入口近傍で乱流となるのでこれによっても排気ガス
はフィルタ通路内に流入しづらい。さらに図３（Ｂ）に
示すようにフィルタ通路の出口近傍においても乱流が形
成され、排気ガスが流出しづらい。こうしたことからパ
ティキュレートフィルタの圧損が高い。そこで本発明の
目的はパティキュレートフィルタの圧損を低く維持する
ことにある。
ュレートフィルタによれば排気ガスは必ずフィルタ隔壁
を通り、その後にパティキュレートフィルタから流出す
るのでパティキュレートフィルタの微粒子捕集率は比較
的高い。しかしながらパティキュレートフィルタ本体と
は別体の栓を用いてフィルタ通路を閉塞する必要があ
り、したがって生産性が悪く、コストが高い。また図３
（Ａ）に示すように排気ガスの一部が栓に衝突するので
排気ガスはフィルタ通路内に流入しづらい。さらに栓近
傍からフィルタ通路に流入する排気ガスは該フィルタ通
路の入口近傍で乱流となるのでこれによっても排気ガス
はフィルタ通路内に流入しづらい。さらに図３（Ｂ）に
示すようにフィルタ通路の出口近傍においても乱流が形
成され、排気ガスが流出しづらい。こうしたことからパ
ティキュレートフィルタの圧損が高い。そこで本発明の
目的はパティキュレートフィルタの圧損を低く維持する
ことにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の１番目の発明では、排気ガス中の微粒子を捕集するた
めのパティキュレートフィルタを具備し、該パティキュ
レートフィルタが通路を画成する隔壁を有し、該隔壁が
予め定められた平均細孔径の細孔を内包する多孔質の材
料から形成されている排気浄化装置において、上記通路
の端部開口が隔壁の細孔の細孔径よりも大きいが通路の
流路断面積よりも狭い流路断面積を有する小孔となるよ
うに隔壁の端部分が寄せ集められて該端部分同志が部分
的に接続されている。
の１番目の発明では、排気ガス中の微粒子を捕集するた
めのパティキュレートフィルタを具備し、該パティキュ
レートフィルタが通路を画成する隔壁を有し、該隔壁が
予め定められた平均細孔径の細孔を内包する多孔質の材
料から形成されている排気浄化装置において、上記通路
の端部開口が隔壁の細孔の細孔径よりも大きいが通路の
流路断面積よりも狭い流路断面積を有する小孔となるよ
うに隔壁の端部分が寄せ集められて該端部分同志が部分
的に接続されている。
【０００５】２番目の発明では１番目の発明において、
複数の通路を具備し、これら通路のうち一部の通路にお
いては該通路を画成する隔壁の下流端部分が寄せ集めら
れて該下流端部分同志が部分的に接続されて該通路の下
流端開口が小孔とされ、残りの通路においては該通路を
画成する隔壁の上流端部分が寄せ集められて該上流端部
分同志が部分的に接続されて上流端開口が小孔とされて
いる。
複数の通路を具備し、これら通路のうち一部の通路にお
いては該通路を画成する隔壁の下流端部分が寄せ集めら
れて該下流端部分同志が部分的に接続されて該通路の下
流端開口が小孔とされ、残りの通路においては該通路を
画成する隔壁の上流端部分が寄せ集められて該上流端部
分同志が部分的に接続されて上流端開口が小孔とされて
いる。
【０００６】３番目の発明では１番目の発明において、
複数の通路を具備し、これら通路のうち一部の通路にお
いては該通路を画成する隔壁の下流端部分が寄せ集めら
れて該下流端部分同志が部分的に接続されて該通路の下
流端開口が小孔とされ、残りの通路においては該通路を
画成する隔壁の上流端部分が寄せ集められて該上流端部
分同志が接続されて該上流端開口が閉塞されている。
複数の通路を具備し、これら通路のうち一部の通路にお
いては該通路を画成する隔壁の下流端部分が寄せ集めら
れて該下流端部分同志が部分的に接続されて該通路の下
流端開口が小孔とされ、残りの通路においては該通路を
画成する隔壁の上流端部分が寄せ集められて該上流端部
分同志が接続されて該上流端開口が閉塞されている。
【０００７】４番目の発明では１番目の発明において、
複数の通路を具備し、これら通路のうち一部の通路にお
いては該通路を画成する隔壁の上流端部分が寄せ集めら
れて該上流端部分同志が部分的に接続されて該通路の上
流端開口が小孔とされ、残りの通路においては該通路を
画成する隔壁の下流端部分が寄せ集められて該下流端部
分同志が接続されて該下流端開口が閉塞されている。
複数の通路を具備し、これら通路のうち一部の通路にお
いては該通路を画成する隔壁の上流端部分が寄せ集めら
れて該上流端部分同志が部分的に接続されて該通路の上
流端開口が小孔とされ、残りの通路においては該通路を
画成する隔壁の下流端部分が寄せ集められて該下流端部
分同志が接続されて該下流端開口が閉塞されている。
【０００８】５番目の発明では２〜４番目の発明におい
て、上記隔壁の寄せ集められた上流端部分に微粒子を酸
化することができる酸化物質が担持されている。
て、上記隔壁の寄せ集められた上流端部分に微粒子を酸
化することができる酸化物質が担持されている。
【０００９】６番目の発明では２〜４番目の発明におい
て、微粒子を酸化することができる酸化物質が隔壁に担
持されており、上記隔壁の寄せ集められた上流端部分に
担持されている酸化物質の量が上記隔壁の寄せ集められ
た下流端部分に担持されている酸化物質の量よりも多
い。
て、微粒子を酸化することができる酸化物質が隔壁に担
持されており、上記隔壁の寄せ集められた上流端部分に
担持されている酸化物質の量が上記隔壁の寄せ集められ
た下流端部分に担持されている酸化物質の量よりも多
い。
【００１０】７番目の発明では５または６番目の発明に
おいて、上記隔壁の寄せ集められた端部分の壁面のうち
上流側の壁面に担持された酸化物質の量が下流側の壁面
に担持された酸化物質の量よりも多い。
おいて、上記隔壁の寄せ集められた端部分の壁面のうち
上流側の壁面に担持された酸化物質の量が下流側の壁面
に担持された酸化物質の量よりも多い。
【００１１】８番目の発明では５〜７番目の発明におい
て、パティキュレートフィルタの温度を上昇するための
処理を実行するように構成されている。
て、パティキュレートフィルタの温度を上昇するための
処理を実行するように構成されている。
【００１２】９番目の発明では５または６番目の発明に
おいて、周囲に過剰酸素が存在するとＮＯXを取り込ん
で該ＮＯXを保持し且つ周囲の酸素濃度が低下すると保
持しているＮＯXを放出するＮＯX吸放出剤をパティキュ
レートフィルタ上に担持する。
おいて、周囲に過剰酸素が存在するとＮＯXを取り込ん
で該ＮＯXを保持し且つ周囲の酸素濃度が低下すると保
持しているＮＯXを放出するＮＯX吸放出剤をパティキュ
レートフィルタ上に担持する。
【００１３】１０番目の発明では５または６番目の発明
において、パティキュレートフィルタ上に貴金属触媒を
担持した。
において、パティキュレートフィルタ上に貴金属触媒を
担持した。
【００１４】１１番目の発明では１０番目の発明におい
て、上記酸化物質が周囲に過剰酸素が存在すると酸素を
取り込んで酸素を保持し且つ周囲の酸素濃度が低下する
と保持している酸素を活性酸素の形で放出する活性酸素
放出剤であり、該活性酸素放出剤がパティキュレートフ
ィルタ上に微粒子が付着したときに活性酸素を放出さ
せ、放出された活性酸素によりパティキュレートフィル
タ上に付着した微粒子を酸化するようにした。
て、上記酸化物質が周囲に過剰酸素が存在すると酸素を
取り込んで酸素を保持し且つ周囲の酸素濃度が低下する
と保持している酸素を活性酸素の形で放出する活性酸素
放出剤であり、該活性酸素放出剤がパティキュレートフ
ィルタ上に微粒子が付着したときに活性酸素を放出さ
せ、放出された活性酸素によりパティキュレートフィル
タ上に付着した微粒子を酸化するようにした。
【００１５】１２番目の発明では１１番目の発明におい
て、上記活性酸素放出剤がアルカリ金属またはアルカリ
土類金属または希土類または遷移金属からなる。
て、上記活性酸素放出剤がアルカリ金属またはアルカリ
土類金属または希土類または遷移金属からなる。
【００１６】１３番目の発明では１２番目の発明におい
て、上記アルカリ金属およびアルカリ土類金属がカルシ
ウムよりもイオン化傾向の高い金属からなる。
て、上記アルカリ金属およびアルカリ土類金属がカルシ
ウムよりもイオン化傾向の高い金属からなる。
【００１７】１４番目の発明では１３番目の発明におい
て、排気ガスの一部または全体の空燃比を一時的にリッ
チにすることによりパティキュレートフィルタ上に付着
した微粒子を酸化させる。
て、排気ガスの一部または全体の空燃比を一時的にリッ
チにすることによりパティキュレートフィルタ上に付着
した微粒子を酸化させる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の第
１実施例を説明する。図１（Ａ）はパティキュレートフ
ィルタの端面図であり、図１（Ｂ）はパティキュレート
フィルタの縦断面図である。図１（Ａ）および図１
（Ｂ）に示したようにパティキュレートフィルタ２２は
ハニカム構造をなしており、互いに平行をなして延びる
複数個の排気流通路５０，５１を具備する。
１実施例を説明する。図１（Ａ）はパティキュレートフ
ィルタの端面図であり、図１（Ｂ）はパティキュレート
フィルタの縦断面図である。図１（Ａ）および図１
（Ｂ）に示したようにパティキュレートフィルタ２２は
ハニカム構造をなしており、互いに平行をなして延びる
複数個の排気流通路５０，５１を具備する。
【００１９】これら排気流通路はその下流端においてテ
ーパ壁（以下、下流側テーパ壁と称す）５２によりその
流路断面積がその他の領域の排気流通路の流路断面積よ
りも小さくされた排気ガス流入通路５０と、その上流端
においてテーパ壁（以下、上流側テーパ壁と称す）５３
によりその流路断面積がその他の領域の排気流通路の流
路断面積よりも小さくされた排気ガス流出通路５１とに
より構成される。
ーパ壁（以下、下流側テーパ壁と称す）５２によりその
流路断面積がその他の領域の排気流通路の流路断面積よ
りも小さくされた排気ガス流入通路５０と、その上流端
においてテーパ壁（以下、上流側テーパ壁と称す）５３
によりその流路断面積がその他の領域の排気流通路の流
路断面積よりも小さくされた排気ガス流出通路５１とに
より構成される。
【００２０】詳しくは後に説明するが下流側テーパ壁５
２はパティキュレートフィルタ２２の排気ガス流入通路
５０を画成する隔壁の下流端隔壁部分を寄せ集めてその
一部分同志が接続されることにより形成されている。一
方、上流側テーパ壁５３はパティキュレートフィルタ２
２の排気ガス流出通路５１を画成する隔壁の上流端隔壁
部分を寄せ集めてその一部同志が接続されることにより
形成されている。
２はパティキュレートフィルタ２２の排気ガス流入通路
５０を画成する隔壁の下流端隔壁部分を寄せ集めてその
一部分同志が接続されることにより形成されている。一
方、上流側テーパ壁５３はパティキュレートフィルタ２
２の排気ガス流出通路５１を画成する隔壁の上流端隔壁
部分を寄せ集めてその一部同志が接続されることにより
形成されている。
【００２１】したがって排気流通路のうち一部の排気流
通路５０はその下流端にて下流側テーパ壁５２によりそ
の流路断面積よりも小さい開口面積を有する小孔５５を
有し、残りの排気通路５１はその上流端にて上流側テー
パ壁５３によりその流路断面積よりも小さい開口面積を
有する小孔５６を有する。
通路５０はその下流端にて下流側テーパ壁５２によりそ
の流路断面積よりも小さい開口面積を有する小孔５５を
有し、残りの排気通路５１はその上流端にて上流側テー
パ壁５３によりその流路断面積よりも小さい開口面積を
有する小孔５６を有する。
【００２２】第１実施例ではこれら排気ガス流入通路５
０および排気ガス流出通路５１は薄肉の隔壁５４を介し
て交互に配置される。云い換えると排気ガス流入通路５
０および排気ガス流出通路５１は各排気ガス流入通路５
０が４つの排気ガス流出通路５１により包囲され、各排
気ガス流出通路５１が４つの排気ガス流入通路５０によ
り包囲されるように配置される。すなわち隣接する２つ
の排気流通路のうち一方の排気流通路５０はその下流端
にて下流側テーパ壁５２によりその流路断面積が小さく
され、他方の排気流通路５１はその上流端にて上流側テ
ーパ壁５３によりその流路断面積が小さくされている。
０および排気ガス流出通路５１は薄肉の隔壁５４を介し
て交互に配置される。云い換えると排気ガス流入通路５
０および排気ガス流出通路５１は各排気ガス流入通路５
０が４つの排気ガス流出通路５１により包囲され、各排
気ガス流出通路５１が４つの排気ガス流入通路５０によ
り包囲されるように配置される。すなわち隣接する２つ
の排気流通路のうち一方の排気流通路５０はその下流端
にて下流側テーパ壁５２によりその流路断面積が小さく
され、他方の排気流通路５１はその上流端にて上流側テ
ーパ壁５３によりその流路断面積が小さくされている。
【００２３】パティキュレートフィルタ２２は予め定め
られた平均径の細孔を内包する例えばコージライトのよ
うな多孔質材料から形成されており、したがって排気ガ
ス流入通路５０内に流入した排気ガスは図１（Ｂ）にお
いて矢印で示したように周囲の隔壁５４の細孔を通って
隣接する排気ガス流出通路５１内に流入する。もちろん
テーパ壁５２，５３も隔壁５４と同じ材料から形成され
ているので排気ガスは図２（Ａ）に示したように上流側
テーパ壁５３の細孔を通って排気ガス流出通路５１内に
流入することができ、また図２（Ｂ）に示したように下
流側テーパ壁５２の細孔を通って流出することができ
る。
られた平均径の細孔を内包する例えばコージライトのよ
うな多孔質材料から形成されており、したがって排気ガ
ス流入通路５０内に流入した排気ガスは図１（Ｂ）にお
いて矢印で示したように周囲の隔壁５４の細孔を通って
隣接する排気ガス流出通路５１内に流入する。もちろん
テーパ壁５２，５３も隔壁５４と同じ材料から形成され
ているので排気ガスは図２（Ａ）に示したように上流側
テーパ壁５３の細孔を通って排気ガス流出通路５１内に
流入することができ、また図２（Ｂ）に示したように下
流側テーパ壁５２の細孔を通って流出することができ
る。
【００２４】また排気ガスは上流側テーパ壁５３の先端
に形成された小孔５６を介しても排気ガス流出通路５１
内に流入することができ、下流側テーパ壁５２の先端の
小孔５５を介しても流出することができる。
に形成された小孔５６を介しても排気ガス流出通路５１
内に流入することができ、下流側テーパ壁５２の先端の
小孔５５を介しても流出することができる。
【００２５】なお本発明においてテーパ壁５２，５３の
先端に形成された小孔５５，５６の大きさはテーパ壁５
２，５３の細孔径よりも大きい。また小孔５６，５５の
大きさはパティキュレートフィルタ２２に単位時間当た
りに流入する微粒子の量とパティキュレートフィルタ２
２の微粒子捕集率とから算出されるパティキュレートフ
ィルタ２２から流出する微粒子の量が許容量以下となる
ように決定される。云い換えれば本発明によれば目標と
する微粒子捕集率に応じて小孔５５，５６の大きさを変
えることによりパティキュレートフィルタ２２の微粒子
捕集率と圧損の値とを容易に変更することができる。
先端に形成された小孔５５，５６の大きさはテーパ壁５
２，５３の細孔径よりも大きい。また小孔５６，５５の
大きさはパティキュレートフィルタ２２に単位時間当た
りに流入する微粒子の量とパティキュレートフィルタ２
２の微粒子捕集率とから算出されるパティキュレートフ
ィルタ２２から流出する微粒子の量が許容量以下となる
ように決定される。云い換えれば本発明によれば目標と
する微粒子捕集率に応じて小孔５５，５６の大きさを変
えることによりパティキュレートフィルタ２２の微粒子
捕集率と圧損の値とを容易に変更することができる。
【００２６】ところで上流側テーパ壁５３は排気ガス流
出通路５１の流路断面積が徐々に小さくなるように上流
へ向かって円錐状に狭まる形状をしている。したがって
４つの上流側テーパ壁５３により囲まれて形成される排
気ガス流入通路５０の上流端は排気ガス流入通路５０の
流路断面積が徐々に大きくなるように上流へ向かって円
錐状に広がる形状をしている。これによれば図３（Ａ）
に示したように排気ガス流入通路の入口開口が構成され
ている場合に比べて排気ガスはパティキュレートフィル
タに流入しやすい。
出通路５１の流路断面積が徐々に小さくなるように上流
へ向かって円錐状に狭まる形状をしている。したがって
４つの上流側テーパ壁５３により囲まれて形成される排
気ガス流入通路５０の上流端は排気ガス流入通路５０の
流路断面積が徐々に大きくなるように上流へ向かって円
錐状に広がる形状をしている。これによれば図３（Ａ）
に示したように排気ガス流入通路の入口開口が構成され
ている場合に比べて排気ガスはパティキュレートフィル
タに流入しやすい。
【００２７】すなわち図３（Ａ）に示したパティキュレ
ートフィルタでは排気ガス流出通路の上流端が栓７２に
より閉塞される。この場合、７３で示したように排気ガ
スの一部が栓７２に衝突するのでパティキュレートフィ
ルタの圧損が大きくなる。また栓７２近傍から排気ガス
流入通路に流入する排気ガスは７４で示したように入口
近傍にて乱流となるのでこれによっても排気ガスは排気
ガス流入通路内に流入しづらくなる。このためパティキ
ュレートフィルタの圧損がさらに大きくなる。
ートフィルタでは排気ガス流出通路の上流端が栓７２に
より閉塞される。この場合、７３で示したように排気ガ
スの一部が栓７２に衝突するのでパティキュレートフィ
ルタの圧損が大きくなる。また栓７２近傍から排気ガス
流入通路に流入する排気ガスは７４で示したように入口
近傍にて乱流となるのでこれによっても排気ガスは排気
ガス流入通路内に流入しづらくなる。このためパティキ
ュレートフィルタの圧損がさらに大きくなる。
【００２８】一方、本発明のパティキュレートフィルタ
２２では図２（Ａ）に示したように排気ガスは乱流とな
ることなく排気ガス流入通路５０に流入することができ
る。このため本発明によれば排気ガスはパティキュレー
トフィルタ２２に流入しやすい。したがってパティキュ
レートフィルタ２２の圧損は低い。
２２では図２（Ａ）に示したように排気ガスは乱流とな
ることなく排気ガス流入通路５０に流入することができ
る。このため本発明によれば排気ガスはパティキュレー
トフィルタ２２に流入しやすい。したがってパティキュ
レートフィルタ２２の圧損は低い。
【００２９】さらに図３に示したパティキュレートフィ
ルタでは排気ガス中の微粒子は栓７２の上流端面および
その近傍の隔壁の表面に多く堆積しやすい。これは排気
ガスが栓７２に衝突し、しかも栓７２近傍にて排気ガス
が乱流となることに起因する。ところが本発明のパティ
キュレートフィルタ２２では上流側テーパ壁５３が円錐
状であるので排気ガスが強く衝突する上流端面が存在せ
ず、しかも上流端面近傍にて排気ガスは乱流とはならな
い。したがって本発明によれば微粒子がパティキュレー
トフィルタ２２の上流端の領域に多く堆積することはな
く、パティキュレートフィルタ２２の圧損が高くなるこ
とはない。
ルタでは排気ガス中の微粒子は栓７２の上流端面および
その近傍の隔壁の表面に多く堆積しやすい。これは排気
ガスが栓７２に衝突し、しかも栓７２近傍にて排気ガス
が乱流となることに起因する。ところが本発明のパティ
キュレートフィルタ２２では上流側テーパ壁５３が円錐
状であるので排気ガスが強く衝突する上流端面が存在せ
ず、しかも上流端面近傍にて排気ガスは乱流とはならな
い。したがって本発明によれば微粒子がパティキュレー
トフィルタ２２の上流端の領域に多く堆積することはな
く、パティキュレートフィルタ２２の圧損が高くなるこ
とはない。
【００３０】一方、下流側テーパ壁５２は排気ガス流入
通路５０の流路断面積が徐々に小さくなるように下流へ
向かって円錐状に狭まる形状をしている。したがって４
つの下流側テーパ壁５２により囲まれて形成される排気
ガス流出通路５１の下流端は排気ガス流出通路５１の流
路断面積が徐々に大きくなるように下流へ向かって円錐
状に広がる形状をしている。これによれば図３（Ｂ）に
示したように排気ガス流出通路の出口開口が構成されて
いる場合に比べて排気ガスはパティキュレートフィルタ
から流出しやすい。
通路５０の流路断面積が徐々に小さくなるように下流へ
向かって円錐状に狭まる形状をしている。したがって４
つの下流側テーパ壁５２により囲まれて形成される排気
ガス流出通路５１の下流端は排気ガス流出通路５１の流
路断面積が徐々に大きくなるように下流へ向かって円錐
状に広がる形状をしている。これによれば図３（Ｂ）に
示したように排気ガス流出通路の出口開口が構成されて
いる場合に比べて排気ガスはパティキュレートフィルタ
から流出しやすい。
【００３１】すなわち図３（Ｂ）に示したパティキュレ
ートフィルタでは排気ガス流入通路の下流端が栓７０に
より閉塞され、排気ガス流出通路はその出口開口まで直
線的に延びる。この場合、排気ガス流出通路の出口開口
から流出した排気ガスの一部が栓７０の下流端面に沿っ
て流れ、したがって排気ガス流出通路の出口開口近傍に
乱流７１が形成される。このように乱流が形成されると
排気ガスは排気ガス流出通路から流出しづらくなる。
ートフィルタでは排気ガス流入通路の下流端が栓７０に
より閉塞され、排気ガス流出通路はその出口開口まで直
線的に延びる。この場合、排気ガス流出通路の出口開口
から流出した排気ガスの一部が栓７０の下流端面に沿っ
て流れ、したがって排気ガス流出通路の出口開口近傍に
乱流７１が形成される。このように乱流が形成されると
排気ガスは排気ガス流出通路から流出しづらくなる。
【００３２】一方、本発明のパティキュレートフィルタ
２２では図２（Ｂ）に示したように排気ガスは乱流とな
ることなく排気ガス流出通路５１の端部の出口開口から
流出することができる。このため本発明によれば排気ガ
スはパティキュレートフィルタ２２から比較的流出しや
すい。したがってこれによってもパティキュレートフィ
ルタ２２の圧損が低い値とされる。
２２では図２（Ｂ）に示したように排気ガスは乱流とな
ることなく排気ガス流出通路５１の端部の出口開口から
流出することができる。このため本発明によれば排気ガ
スはパティキュレートフィルタ２２から比較的流出しや
すい。したがってこれによってもパティキュレートフィ
ルタ２２の圧損が低い値とされる。
【００３３】なおテーパ壁はパティキュレートフィルタ
２２の外側に向かって徐々に狭くなる形状であれば円錐
状以外の形状、例えば四角錐状であってもよい。
２２の外側に向かって徐々に狭くなる形状であれば円錐
状以外の形状、例えば四角錐状であってもよい。
【００３４】ところでパティキュレートフィルタの圧損
は潜在的に低いほど好ましい。また例えばパティキュレ
ートフィルタが内燃機関に搭載されている場合、内燃機
関の運転制御はパティキュレートフィルタの潜在的な圧
損を考慮して設計されるので内燃機関の運転中において
パティキュレートフィルタの圧損が高くなって潜在的に
達成可能な値からずれると内燃機関全体としてはその性
能が低下してしまう。
は潜在的に低いほど好ましい。また例えばパティキュレ
ートフィルタが内燃機関に搭載されている場合、内燃機
関の運転制御はパティキュレートフィルタの潜在的な圧
損を考慮して設計されるので内燃機関の運転中において
パティキュレートフィルタの圧損が高くなって潜在的に
達成可能な値からずれると内燃機関全体としてはその性
能が低下してしまう。
【００３５】このようにパティキュレートフィルタにお
いてはその圧損が潜在的に低く、さらにその使用中にお
いてその圧損が高くなったとしても潜在的に達成可能な
値から大きくずれないようにすることがその性能上は重
要である。
いてはその圧損が潜在的に低く、さらにその使用中にお
いてその圧損が高くなったとしても潜在的に達成可能な
値から大きくずれないようにすることがその性能上は重
要である。
【００３６】そこで本発明によれば上述したようにパテ
ィキュレートフィルタの排気流通路の上流端領域を画成
する隔壁をテーパ状の壁とすることにより排気ガスが排
気流通路に流入するときに乱流となることを防止し、こ
れによりパティキュレートフィルタ２２の圧損が潜在的
に低くなるようにしている。
ィキュレートフィルタの排気流通路の上流端領域を画成
する隔壁をテーパ状の壁とすることにより排気ガスが排
気流通路に流入するときに乱流となることを防止し、こ
れによりパティキュレートフィルタ２２の圧損が潜在的
に低くなるようにしている。
【００３７】また上述したようにパティキュレートフィ
ルタ２２の排気流通路の上流端領域を画成する隔壁がテ
ーパ状の壁とされていることにより当該テーパ状の壁の
壁面には微粒子は堆積しづらくなる。すなわちパティキ
ュレートフィルタ２２の使用中においてテーパ状の壁の
壁面上に微粒子が堆積して排気流通路に流入する排気ガ
ス流が乱流となってしまうことが抑制されている。これ
により本発明によればパティキュレートフィルタ２２の
使用中において圧損が高くなったとしても潜在的に達成
可能な値から大きくずれることが抑制される。
ルタ２２の排気流通路の上流端領域を画成する隔壁がテ
ーパ状の壁とされていることにより当該テーパ状の壁の
壁面には微粒子は堆積しづらくなる。すなわちパティキ
ュレートフィルタ２２の使用中においてテーパ状の壁の
壁面上に微粒子が堆積して排気流通路に流入する排気ガ
ス流が乱流となってしまうことが抑制されている。これ
により本発明によればパティキュレートフィルタ２２の
使用中において圧損が高くなったとしても潜在的に達成
可能な値から大きくずれることが抑制される。
【００３８】ところで排気ガス中には微粒子以外にも燃
料が燃焼した後に残る無機質や不燃性残留物（以下、ア
ッシュと称す）が含まれている。したがってパティキュ
レートフィルタ２２にはこうしたアッシュも流入し、排
気ガス流入通路５０内にアッシュが堆積する。
料が燃焼した後に残る無機質や不燃性残留物（以下、ア
ッシュと称す）が含まれている。したがってパティキュ
レートフィルタ２２にはこうしたアッシュも流入し、排
気ガス流入通路５０内にアッシュが堆積する。
【００３９】排気ガス流入通路５０内に堆積するアッシ
ュの量（以下、堆積アッシュ量と称す）が多くなるとパ
ティキュレートフィルタ２２の圧損が上昇する。上述し
たようにパティキュレートフィルタ２２においてはその
使用中において圧損が高くなったとしても潜在的に達成
可能な値から大きくずれないようにすることがその性能
上は重要である。そしてこうするためには堆積アッシュ
量を少なくすることが必要であり、これに加えて排気ガ
ス流入通路５０内に堆積したアッシュを排除することが
できれば好ましい。
ュの量（以下、堆積アッシュ量と称す）が多くなるとパ
ティキュレートフィルタ２２の圧損が上昇する。上述し
たようにパティキュレートフィルタ２２においてはその
使用中において圧損が高くなったとしても潜在的に達成
可能な値から大きくずれないようにすることがその性能
上は重要である。そしてこうするためには堆積アッシュ
量を少なくすることが必要であり、これに加えて排気ガ
ス流入通路５０内に堆積したアッシュを排除することが
できれば好ましい。
【００４０】本発明のパティキュレートフィルタ２２で
は下流側テーパ壁５２に小孔５５が形成されているので
排気ガス流入通路５０に流入したアッシュは小孔５５を
介して流出することができる。このため排気ガス流入通
路５０内にアッシュが堆積することが抑制されるのでパ
ティキュレートフィルタ２２の圧損が高くなったとして
も潜在的に達成可能な値から大きくずれることが抑制さ
れる。
は下流側テーパ壁５２に小孔５５が形成されているので
排気ガス流入通路５０に流入したアッシュは小孔５５を
介して流出することができる。このため排気ガス流入通
路５０内にアッシュが堆積することが抑制されるのでパ
ティキュレートフィルタ２２の圧損が高くなったとして
も潜在的に達成可能な値から大きくずれることが抑制さ
れる。
【００４１】また排気ガス流入通路５０内に堆積してい
るアッシュの量が多くなると下流側テーパ壁５２の小孔
５５および上流側テーパ壁５３の小孔５６を介して流出
する排気ガスの量が多くなる。したがって排気ガス流入
通路５０内に新たに堆積するアッシュの量が少なくなる
のでパティキュレートフィルタ２２の圧損が高くなった
としても潜在的に達成可能な値から大きくずれることが
抑制される。
るアッシュの量が多くなると下流側テーパ壁５２の小孔
５５および上流側テーパ壁５３の小孔５６を介して流出
する排気ガスの量が多くなる。したがって排気ガス流入
通路５０内に新たに堆積するアッシュの量が少なくなる
のでパティキュレートフィルタ２２の圧損が高くなった
としても潜在的に達成可能な値から大きくずれることが
抑制される。
【００４２】さらに排気ガス流入通路５０内に堆積して
いるアッシュや微粒子の量が多くなって排気ガス流入通
路５０内の圧力が増大するとその圧力により排気ガス流
入通路５０内に堆積しているアッシュが下流領域へと移
動せしめられ、最終的には小孔５５から排出される。し
たがってパティキュレートフィルタ２２の圧損が高くな
ったとしても潜在的に達成可能な値から大きくずれるこ
とが抑制される。また排気ガス流入通路５０内に堆積し
ているアッシュが排気ガス流入通路５０内の圧力により
パティキュレートフィルタ２２から排出されるので本実
施例によればアッシュをパティキュレートフィルタ２２
から排出するための特別な処理を実行する必要が少なく
なる。
いるアッシュや微粒子の量が多くなって排気ガス流入通
路５０内の圧力が増大するとその圧力により排気ガス流
入通路５０内に堆積しているアッシュが下流領域へと移
動せしめられ、最終的には小孔５５から排出される。し
たがってパティキュレートフィルタ２２の圧損が高くな
ったとしても潜在的に達成可能な値から大きくずれるこ
とが抑制される。また排気ガス流入通路５０内に堆積し
ているアッシュが排気ガス流入通路５０内の圧力により
パティキュレートフィルタ２２から排出されるので本実
施例によればアッシュをパティキュレートフィルタ２２
から排出するための特別な処理を実行する必要が少なく
なる。
【００４３】さらに排気ガス流入通路５０内に堆積して
いるアッシュや微粒子の量が多くなると排気ガスは隔壁
５４を通過しづらくなり、したがって排気ガス流入通路
５０内の圧力は高くなる。このとき下流側テーパ壁５２
の小孔５５および上流側テーパ壁５３の小孔５６から流
入する排気ガスの量が多くなる。したがって排気ガス流
入通路５０内の圧力が高くなったとしてもパティキュレ
ートフィルタ２２の圧損が潜在的に達成可能な値から大
きくずれることが抑制される。
いるアッシュや微粒子の量が多くなると排気ガスは隔壁
５４を通過しづらくなり、したがって排気ガス流入通路
５０内の圧力は高くなる。このとき下流側テーパ壁５２
の小孔５５および上流側テーパ壁５３の小孔５６から流
入する排気ガスの量が多くなる。したがって排気ガス流
入通路５０内の圧力が高くなったとしてもパティキュレ
ートフィルタ２２の圧損が潜在的に達成可能な値から大
きくずれることが抑制される。
【００４４】またパティキュレートフィルタ２２内に多
量の微粒子が堆積されるとこれら微粒子が一気に燃焼し
たときにその燃焼熱によりパティキュレートフィルタ２
２が溶損する可能性がある。しかしながら本発明によれ
ばパティキュレートフィルタ２２内に多量の微粒子が堆
積されることはないのでパティキュレートフィルタ２２
が微粒子の燃焼熱により溶損せしめられることが抑制さ
れる。
量の微粒子が堆積されるとこれら微粒子が一気に燃焼し
たときにその燃焼熱によりパティキュレートフィルタ２
２が溶損する可能性がある。しかしながら本発明によれ
ばパティキュレートフィルタ２２内に多量の微粒子が堆
積されることはないのでパティキュレートフィルタ２２
が微粒子の燃焼熱により溶損せしめられることが抑制さ
れる。
【００４５】次にパティキュレートフィルタの製造方法
について簡単に説明する。始めにコージライトなどの多
孔質材料から図４に示したような円筒形のハニカム構造
体８０が押出成形される。次に図５に示した型９０がハ
ニカム構造体８０の端面に押し付けられる。
について簡単に説明する。始めにコージライトなどの多
孔質材料から図４に示したような円筒形のハニカム構造
体８０が押出成形される。次に図５に示した型９０がハ
ニカム構造体８０の端面に押し付けられる。
【００４６】図５（Ａ）に示したように型９０は円錐状
の複数の突起９１を有する。図５（Ｂ）には１つの突起
９１を示した。型９０は所定の排気流通路それぞれに突
起９１が挿入されるようにしてハニカム構造体８０の端
面に押し付けられる。このとき所定の排気流通路を形成
する隔壁の端部分が寄せ集められて当該端部分同志が部
分的に接続され、テーパ壁と小孔とが形成される。
の複数の突起９１を有する。図５（Ｂ）には１つの突起
９１を示した。型９０は所定の排気流通路それぞれに突
起９１が挿入されるようにしてハニカム構造体８０の端
面に押し付けられる。このとき所定の排気流通路を形成
する隔壁の端部分が寄せ集められて当該端部分同志が部
分的に接続され、テーパ壁と小孔とが形成される。
【００４７】次いでハニカム構造体が乾燥せしめられ
る。次いでハニカム構造体が焼成せしめられる。こうし
てパティキュレートフィルタ２２が形成される。
る。次いでハニカム構造体が焼成せしめられる。こうし
てパティキュレートフィルタ２２が形成される。
【００４８】上述したようにパティキュレートフィルタ
２２の排気流通路の端部は隔壁５４と同じ多孔質材料に
て構成されたテーパ壁５２，５３によって狭くされてい
る。したがってパティキュレートフィルタ２２の排気流
通路５０，５１の端部を狭くすることは上述したように
ハニカム構造体８０の端面に型９０を押し付けるという
極めて簡単な方法により達成される。
２２の排気流通路の端部は隔壁５４と同じ多孔質材料に
て構成されたテーパ壁５２，５３によって狭くされてい
る。したがってパティキュレートフィルタ２２の排気流
通路５０，５１の端部を狭くすることは上述したように
ハニカム構造体８０の端面に型９０を押し付けるという
極めて簡単な方法により達成される。
【００４９】なお型９０をハニカム構造体８０の端面に
押し付ける工程はハニカム構造体が乾燥せしめられた後
に実行されてもよい。あるいはハニカム構造体８０が焼
成された後にハニカム構造体８０の端部分を軟化し、そ
の後、この軟化せしめられた端部分に型９０を押し付け
るようにしてもよい。なおこの場合にはその後にハニカ
ム構造体８０の端部分が再び焼成される。
押し付ける工程はハニカム構造体が乾燥せしめられた後
に実行されてもよい。あるいはハニカム構造体８０が焼
成された後にハニカム構造体８０の端部分を軟化し、そ
の後、この軟化せしめられた端部分に型９０を押し付け
るようにしてもよい。なおこの場合にはその後にハニカ
ム構造体８０の端部分が再び焼成される。
【００５０】ところで上述したように本発明のパティキ
ュレートフィルタ２２においてはその使用中において上
流側テーパ壁５３に微粒子は堆積しづらい。とはいえ上
流側テーパ壁５３に微粒子が堆積することもありうる。
この場合、パティキュレートフィルタ２２の使用中にお
いてその圧損が高くなってしまう。上述したようにパテ
ィキュレートフィルタ２２においてはその使用中におい
て圧損が潜在的に達成可能な値から大きくずれないよう
にすることがその性能上は重要である。そしてパティキ
ュレートフィルタ２２の圧損がその使用中において微粒
子の堆積により潜在的に達成可能な値から大きくずれな
いようにするためにはパティキュレートフィルタ２２か
ら微粒子を排除する必要がある。
ュレートフィルタ２２においてはその使用中において上
流側テーパ壁５３に微粒子は堆積しづらい。とはいえ上
流側テーパ壁５３に微粒子が堆積することもありうる。
この場合、パティキュレートフィルタ２２の使用中にお
いてその圧損が高くなってしまう。上述したようにパテ
ィキュレートフィルタ２２においてはその使用中におい
て圧損が潜在的に達成可能な値から大きくずれないよう
にすることがその性能上は重要である。そしてパティキ
ュレートフィルタ２２の圧損がその使用中において微粒
子の堆積により潜在的に達成可能な値から大きくずれな
いようにするためにはパティキュレートフィルタ２２か
ら微粒子を排除する必要がある。
【００５１】そこで本発明では上流側テーパ壁５３に微
粒子を酸化除去することができる酸化物質を担持させ、
上流側テーパ壁５３に堆積した微粒子を酸化除去するよ
うにする。これによれば上流側テーパ壁５３に捕集され
た微粒子は継続的に酸化除去されるので上流側テーパ壁
５３上に多量の微粒子が堆積することはない。したがっ
てパティキュレートフィルタ２２の使用中において圧損
が高くなったとしても潜在的に達成可能な値から大きく
ずれることが抑制される。
粒子を酸化除去することができる酸化物質を担持させ、
上流側テーパ壁５３に堆積した微粒子を酸化除去するよ
うにする。これによれば上流側テーパ壁５３に捕集され
た微粒子は継続的に酸化除去されるので上流側テーパ壁
５３上に多量の微粒子が堆積することはない。したがっ
てパティキュレートフィルタ２２の使用中において圧損
が高くなったとしても潜在的に達成可能な値から大きく
ずれることが抑制される。
【００５２】このように本発明によればパティキュレー
トフィルタ２２の圧損を潜在的に低くするために排気ガ
ス流出通路５１の上流端をテーパ状の多孔質の壁とする
という構成から特有に生じる問題、すなわちパティキュ
レートフィルタ使用中において圧損が達成可能な値から
大きくずれるという問題が回避される。
トフィルタ２２の圧損を潜在的に低くするために排気ガ
ス流出通路５１の上流端をテーパ状の多孔質の壁とする
という構成から特有に生じる問題、すなわちパティキュ
レートフィルタ使用中において圧損が達成可能な値から
大きくずれるという問題が回避される。
【００５３】なお本実施例では酸化物質はパティキュレ
ートフィルタ２２全体、すなわち上流側テーパ壁５３の
みならず隔壁５４および下流側テーパ壁５２にも担持さ
れる。また酸化物質は上流側テーパ壁５３、下流側テー
パ壁５２、および隔壁５４の壁面のみならずその内部の
細孔壁にも担持される。また本実施例では単位体積当た
りに上流側テーパ壁５３に担持させる酸化物質の量は単
位体積当たりに隔壁５４および下流側テーパ壁５２に担
持させる酸化物質の量よりも多くされる。
ートフィルタ２２全体、すなわち上流側テーパ壁５３の
みならず隔壁５４および下流側テーパ壁５２にも担持さ
れる。また酸化物質は上流側テーパ壁５３、下流側テー
パ壁５２、および隔壁５４の壁面のみならずその内部の
細孔壁にも担持される。また本実施例では単位体積当た
りに上流側テーパ壁５３に担持させる酸化物質の量は単
位体積当たりに隔壁５４および下流側テーパ壁５２に担
持させる酸化物質の量よりも多くされる。
【００５４】ところでパティキュレートフィルタ２２の
テーパ壁５２，５３は排気ガスの流れに対する向きの理
由から隔壁５４に比べて排気ガスを通しやすい。すなわ
ち単位面積当たりのテーパ壁５２，５３を通過する排気
ガス量は単位面積当たりの隔壁５４を通過する排気ガス
量よりも多い。したがって堆積する可能性のある微粒子
の量は隔壁５４よりもテーパ壁５２，５３のほうが多
く、テーパ壁５２，５３は隔壁５４よりも微粒子により
閉塞されやすい。
テーパ壁５２，５３は排気ガスの流れに対する向きの理
由から隔壁５４に比べて排気ガスを通しやすい。すなわ
ち単位面積当たりのテーパ壁５２，５３を通過する排気
ガス量は単位面積当たりの隔壁５４を通過する排気ガス
量よりも多い。したがって堆積する可能性のある微粒子
の量は隔壁５４よりもテーパ壁５２，５３のほうが多
く、テーパ壁５２，５３は隔壁５４よりも微粒子により
閉塞されやすい。
【００５５】そこで単位体積当たりにテーパ壁５２，５
３に担持させる酸化物質の量は単位体積当たりに隔壁５
４に担持させる酸化物質の量よりも多くされる。これに
よればテーパ壁５２，５３において単位時間当たりに酸
化除去可能な微粒子量が隔壁５４において単位時間当た
りに酸化除去可能な微粒子量よりも多くなる。したがっ
てテーパ壁５２，５３に微粒子が多量に堆積することが
防止される。
３に担持させる酸化物質の量は単位体積当たりに隔壁５
４に担持させる酸化物質の量よりも多くされる。これに
よればテーパ壁５２，５３において単位時間当たりに酸
化除去可能な微粒子量が隔壁５４において単位時間当た
りに酸化除去可能な微粒子量よりも多くなる。したがっ
てテーパ壁５２，５３に微粒子が多量に堆積することが
防止される。
【００５６】またテーパ壁５２，５３に酸化物質を多く
担持させることにより若干ではあるがテーパ壁５２，５
３を排気ガスが通過しづらくなる。このため排気ガスは
テーパ壁５２，５３と隔壁５４とを比較的均等に通過す
るようになる。斯くしてテーパ壁５２，５３に微粒子が
多量に堆積することが防止される。しかもこれによれば
パティキュレートフィルタ２２のテーパ壁５２，５３と
隔壁５４とが微粒子の捕集のために効率良く利用され
る。
担持させることにより若干ではあるがテーパ壁５２，５
３を排気ガスが通過しづらくなる。このため排気ガスは
テーパ壁５２，５３と隔壁５４とを比較的均等に通過す
るようになる。斯くしてテーパ壁５２，５３に微粒子が
多量に堆積することが防止される。しかもこれによれば
パティキュレートフィルタ２２のテーパ壁５２，５３と
隔壁５４とが微粒子の捕集のために効率良く利用され
る。
【００５７】ところで微粒子はテーパ壁５２，５３の壁
面のうち上流側の壁面に多く堆積する。すなわちテーパ
壁５２，５３はその下流側の壁面よりも上流側の壁面の
ほうが閉塞されやすい。そこで単位体積当たりにテーパ
壁５２，５３に担持させる酸化物質の量が下流側の壁面
よりも上流側の壁面のほうが多くされる。これによれば
テーパ壁５２，５３の細孔が微粒子により閉塞されるこ
とが防止される。
面のうち上流側の壁面に多く堆積する。すなわちテーパ
壁５２，５３はその下流側の壁面よりも上流側の壁面の
ほうが閉塞されやすい。そこで単位体積当たりにテーパ
壁５２，５３に担持させる酸化物質の量が下流側の壁面
よりも上流側の壁面のほうが多くされる。これによれば
テーパ壁５２，５３の細孔が微粒子により閉塞されるこ
とが防止される。
【００５８】次にパティキュレートフィルタ２２に担持
される酸化物質について詳細に説明する。第１実施例で
は各排気ガス流入通路５０および各排気ガス流出通路５
１の周壁面、すなわち各隔壁５４の両側表面上、テーパ
壁５２，５３の両側表面上、に全面に亘って例えばアル
ミナからなる担体の層が形成されており、この担体上に
貴金属触媒と、周囲に過剰酸素が存在すると酸素を取り
込んで酸素を保持し且つ周囲の酸素濃度が低下すると保
持している酸素を活性酸素の形で放出する活性酸素放出
剤とが担持されている。第１実施例の酸化物質はこの活
性酸素放出剤である。
される酸化物質について詳細に説明する。第１実施例で
は各排気ガス流入通路５０および各排気ガス流出通路５
１の周壁面、すなわち各隔壁５４の両側表面上、テーパ
壁５２，５３の両側表面上、に全面に亘って例えばアル
ミナからなる担体の層が形成されており、この担体上に
貴金属触媒と、周囲に過剰酸素が存在すると酸素を取り
込んで酸素を保持し且つ周囲の酸素濃度が低下すると保
持している酸素を活性酸素の形で放出する活性酸素放出
剤とが担持されている。第１実施例の酸化物質はこの活
性酸素放出剤である。
【００５９】第１実施例では貴金属触媒として白金Ｐｔ
が用いられており、活性酸素放出剤としてカリウムＫ、
ナトリウムＮａ、リチウムＬｉ、セシウムＣｓ、ルビジ
ウムＲｂのようなアルカリ金属、バリウムＢａ、カルシ
ウムＣａ、ストロンチウムＳｒのようなアルカリ土類金
属、ランタンＬａ、イットリウムＹ、セリウムＣｅのよ
うな希土類、鉄Ｆｅのような遷移金属、およびスズＳｎ
のような炭素族元素から選ばれた少なくとも一つが用い
られている。
が用いられており、活性酸素放出剤としてカリウムＫ、
ナトリウムＮａ、リチウムＬｉ、セシウムＣｓ、ルビジ
ウムＲｂのようなアルカリ金属、バリウムＢａ、カルシ
ウムＣａ、ストロンチウムＳｒのようなアルカリ土類金
属、ランタンＬａ、イットリウムＹ、セリウムＣｅのよ
うな希土類、鉄Ｆｅのような遷移金属、およびスズＳｎ
のような炭素族元素から選ばれた少なくとも一つが用い
られている。
【００６０】なお活性酸素放出剤としてはカルシウムＣ
ａよりもイオン化傾向の高いアルカリ金属またはアルカ
リ土類金属、すなわちカリウムＫ、リチウムＬｉ、セシ
ウムＣｓ、ルビジウムＲｂ、バリウムＢａ、ストロンチ
ウムＳｒを用いることが好ましい。
ａよりもイオン化傾向の高いアルカリ金属またはアルカ
リ土類金属、すなわちカリウムＫ、リチウムＬｉ、セシ
ウムＣｓ、ルビジウムＲｂ、バリウムＢａ、ストロンチ
ウムＳｒを用いることが好ましい。
【００６１】次にパティキュレートフィルタ２２による
排気ガス中の微粒子除去作用について担体上に白金Ｐｔ
およびカリウムＫを担持させた場合を例にとって説明す
るが他の貴金属、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希
土類、遷移金属を用いても同様な微粒子除去作用が行わ
れる。
排気ガス中の微粒子除去作用について担体上に白金Ｐｔ
およびカリウムＫを担持させた場合を例にとって説明す
るが他の貴金属、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希
土類、遷移金属を用いても同様な微粒子除去作用が行わ
れる。
【００６２】例えばパティキュレートフィルタ２２に流
入する排気ガスが空気過剰のもとで燃焼が行われる圧縮
着火式内燃機関から排出されるガスであるとして説明す
るとパティキュレートフィルタ２２に流入する排気ガス
は多量の過剰空気を含んでいる。すなわち吸気通路およ
び燃焼室５内に供給された空気と燃料との比を排気ガス
の空燃比と称すると圧縮着火式内燃機関では排気ガスの
空燃比はリーンとなっている。また圧縮着火式内燃機関
の燃焼室内ではＮＯが発生するので排気ガス中にはＮＯ
が含まれている。また燃料中には硫黄成分Ｓが含まれて
おり、この硫黄成分Ｓは燃焼室内で酸素と反応してＳＯ
2となる。したがって排気ガス中にはＳＯ2が含まれてい
る。このため過剰酸素、ＮＯおよびＳＯ2を含んだ排気
ガスがパティキュレートフィルタ２２の排気ガス流入通
路５０内に流入することになる。
入する排気ガスが空気過剰のもとで燃焼が行われる圧縮
着火式内燃機関から排出されるガスであるとして説明す
るとパティキュレートフィルタ２２に流入する排気ガス
は多量の過剰空気を含んでいる。すなわち吸気通路およ
び燃焼室５内に供給された空気と燃料との比を排気ガス
の空燃比と称すると圧縮着火式内燃機関では排気ガスの
空燃比はリーンとなっている。また圧縮着火式内燃機関
の燃焼室内ではＮＯが発生するので排気ガス中にはＮＯ
が含まれている。また燃料中には硫黄成分Ｓが含まれて
おり、この硫黄成分Ｓは燃焼室内で酸素と反応してＳＯ
2となる。したがって排気ガス中にはＳＯ2が含まれてい
る。このため過剰酸素、ＮＯおよびＳＯ2を含んだ排気
ガスがパティキュレートフィルタ２２の排気ガス流入通
路５０内に流入することになる。
【００６３】図６（Ａ）および（Ｂ）は排気ガス流入通
路５０の内周面上に形成された担体層の表面の拡大図を
模式的に表わしている。なお図６（Ａ）および（Ｂ）に
おいて６０は白金Ｐｔの粒子を示しており、６１はカリ
ウムＫを含んでいる活性酸素放出剤を示している。
路５０の内周面上に形成された担体層の表面の拡大図を
模式的に表わしている。なお図６（Ａ）および（Ｂ）に
おいて６０は白金Ｐｔの粒子を示しており、６１はカリ
ウムＫを含んでいる活性酸素放出剤を示している。
【００６４】上述したように排気ガス中には多量の過剰
酸素が含まれているので排気ガスがパティキュレートフ
ィルタ２２の排気ガス流入通路５０内に流入すると図６
（Ａ）に示したようにこれら酸素Ｏ2がＯ2 -またはＯ2-
の形で白金Ｐｔの表面に付着する。一方、排気ガス中の
ＮＯは白金Ｐｔの表面上でＯ2 -またはＯ2-と反応し、Ｎ
Ｏ2となる（２ＮＯ＋Ｏ2→２ＮＯ2）。次いで生成され
たＮＯ2の一部は白金Ｐｔ上で酸化されつつ活性酸素放
出剤６１内に吸収され、カリウムＫと結合しながら図６
（Ａ）に示したように硝酸イオンＮＯ3 -の形で活性酸素
放出剤６１内に拡散し、硝酸カリウムＫＮＯ3を生成す
る。
酸素が含まれているので排気ガスがパティキュレートフ
ィルタ２２の排気ガス流入通路５０内に流入すると図６
（Ａ）に示したようにこれら酸素Ｏ2がＯ2 -またはＯ2-
の形で白金Ｐｔの表面に付着する。一方、排気ガス中の
ＮＯは白金Ｐｔの表面上でＯ2 -またはＯ2-と反応し、Ｎ
Ｏ2となる（２ＮＯ＋Ｏ2→２ＮＯ2）。次いで生成され
たＮＯ2の一部は白金Ｐｔ上で酸化されつつ活性酸素放
出剤６１内に吸収され、カリウムＫと結合しながら図６
（Ａ）に示したように硝酸イオンＮＯ3 -の形で活性酸素
放出剤６１内に拡散し、硝酸カリウムＫＮＯ3を生成す
る。
【００６５】一方、上述したように排気ガス中にはＳＯ
2も含まれており、このＳＯ2もＮＯと同様なメカニズム
により活性酸素放出剤６１内に吸収される。すなわち上
述したように酸素Ｏ2がＯ2 -またはＯ2-の形で白金Ｐｔ
の表面に付着しており、排気ガス中のＳＯ2は白金Ｐｔ
の表面でＯ2 -またはＯ2-と反応してＳＯ3となる。次い
で生成されたＳＯ3の一部は白金Ｐｔ上でさらに酸化さ
れつつ活性酸素放出剤６１内に吸収され、カリウムＫと
結合しながら硫酸イオンＳＯ4 2-の形で活性酸素放出剤
６１内に拡散し、硫酸カリウムＫ2ＳＯ4を生成する。こ
のようにして活性酸素放出剤６１内には硝酸カリウムＫ
ＮＯ3および硫酸カリウムＫ2ＳＯ4が生成される。
2も含まれており、このＳＯ2もＮＯと同様なメカニズム
により活性酸素放出剤６１内に吸収される。すなわち上
述したように酸素Ｏ2がＯ2 -またはＯ2-の形で白金Ｐｔ
の表面に付着しており、排気ガス中のＳＯ2は白金Ｐｔ
の表面でＯ2 -またはＯ2-と反応してＳＯ3となる。次い
で生成されたＳＯ3の一部は白金Ｐｔ上でさらに酸化さ
れつつ活性酸素放出剤６１内に吸収され、カリウムＫと
結合しながら硫酸イオンＳＯ4 2-の形で活性酸素放出剤
６１内に拡散し、硫酸カリウムＫ2ＳＯ4を生成する。こ
のようにして活性酸素放出剤６１内には硝酸カリウムＫ
ＮＯ3および硫酸カリウムＫ2ＳＯ4が生成される。
【００６６】一方、燃焼室５内においては主にカーボン
Ｃからなる微粒子が生成され、したがって排気ガス中に
はこれら微粒子が含まれている。排気ガス中に含まれて
いるこれら微粒子は排気ガスがパティキュレートフィル
タ２２の排気ガス流入通路５０内を流れているとき、或
いは排気ガス流入通路５０から排気ガス流出通路５１に
向かうときに図６（Ｂ）において６２で示したように担
体層の表面、例えば活性酸素放出剤６１の表面上に接触
し、付着する。
Ｃからなる微粒子が生成され、したがって排気ガス中に
はこれら微粒子が含まれている。排気ガス中に含まれて
いるこれら微粒子は排気ガスがパティキュレートフィル
タ２２の排気ガス流入通路５０内を流れているとき、或
いは排気ガス流入通路５０から排気ガス流出通路５１に
向かうときに図６（Ｂ）において６２で示したように担
体層の表面、例えば活性酸素放出剤６１の表面上に接触
し、付着する。
【００６７】このように微粒子６２が活性酸素放出剤６
１の表面上に付着すると微粒子６２と活性酸素放出剤６
１との接触面では酸素濃度が低下する。酸素濃度が低下
すると酸素濃度の高い活性酸素放出剤６１内との間で濃
度差が生じ、斯くして活性酸素放出剤６１内の酸素が微
粒子６２と活性酸素放出剤６１との接触面に向けて移動
しようとする。その結果、活性酸素放出剤６１内に形成
されている硝酸カリウムＫＮＯ3がカリウムＫと酸素Ｏ
とＮＯとに分解され、酸素Ｏが微粒子６２と活性酸素放
出剤６１との接触面に向かい、その一方でＮＯが活性酸
素放出剤６１から外部に放出される。外部に放出された
ＮＯは下流側の白金Ｐｔ上において酸化され、再び活性
酸素放出剤６１内に吸収される。
１の表面上に付着すると微粒子６２と活性酸素放出剤６
１との接触面では酸素濃度が低下する。酸素濃度が低下
すると酸素濃度の高い活性酸素放出剤６１内との間で濃
度差が生じ、斯くして活性酸素放出剤６１内の酸素が微
粒子６２と活性酸素放出剤６１との接触面に向けて移動
しようとする。その結果、活性酸素放出剤６１内に形成
されている硝酸カリウムＫＮＯ3がカリウムＫと酸素Ｏ
とＮＯとに分解され、酸素Ｏが微粒子６２と活性酸素放
出剤６１との接触面に向かい、その一方でＮＯが活性酸
素放出剤６１から外部に放出される。外部に放出された
ＮＯは下流側の白金Ｐｔ上において酸化され、再び活性
酸素放出剤６１内に吸収される。
【００６８】またこのとき活性酸素放出剤６１内に形成
されている硫酸カリウムＫ2ＳＯ4もカリウムＫと酸素Ｏ
とＳＯ2とに分解され、酸素Ｏが微粒子６２と活性酸素
放出剤６１との接触面に向かい、その一方でＳＯ2が活
性酸素放出剤６１から外部に放出される。外部に放出さ
れたＳＯ2は下流側の白金Ｐｔ上において酸化され、再
び活性酸素放出剤６１内に吸収される。ただし硫酸カリ
ウムＫ2ＳＯ4は安定で分解しづらいので硫酸カリウムＫ
2ＳＯ4は硝酸カリウムＫＮＯ3よりも活性酸素を放出し
づらい。
されている硫酸カリウムＫ2ＳＯ4もカリウムＫと酸素Ｏ
とＳＯ2とに分解され、酸素Ｏが微粒子６２と活性酸素
放出剤６１との接触面に向かい、その一方でＳＯ2が活
性酸素放出剤６１から外部に放出される。外部に放出さ
れたＳＯ2は下流側の白金Ｐｔ上において酸化され、再
び活性酸素放出剤６１内に吸収される。ただし硫酸カリ
ウムＫ2ＳＯ4は安定で分解しづらいので硫酸カリウムＫ
2ＳＯ4は硝酸カリウムＫＮＯ3よりも活性酸素を放出し
づらい。
【００６９】また活性酸素放出剤６１は上述したように
ＮＯXを硝酸イオンＮＯ3 -の形で吸収するときにも酸素
との反応過程において活性な酸素を生成し放出する。同
様に活性酸素放出剤６１は上述したようにＳＯ2を硫酸
イオンＳＯ4 2-の形で吸収するときにも酸素との反応過
程において活性な酸素を生成し放出する。
ＮＯXを硝酸イオンＮＯ3 -の形で吸収するときにも酸素
との反応過程において活性な酸素を生成し放出する。同
様に活性酸素放出剤６１は上述したようにＳＯ2を硫酸
イオンＳＯ4 2-の形で吸収するときにも酸素との反応過
程において活性な酸素を生成し放出する。
【００７０】ところで微粒子６２と活性酸素放出剤６１
との接触面に向かう酸素Ｏは硝酸カリウムＫＮＯ3や硫
酸カリウムＫ2ＳＯ4のような化合物から分解された酸素
である。化合物から分解された酸素Ｏは高いエネルギを
有しており、極めて高い活性を有する。したがって微粒
子６２と活性酸素放出剤６１との接触面に向かう酸素は
活性酸素Ｏとなっている。同様に活性酸素放出剤６１に
おけるＮＯXと酸素との反応過程、或いはＳＯ2と酸素と
の反応過程にて生成される酸素も活性酸素となってい
る。これら活性酸素Ｏが微粒子６２に接触すると微粒子
６２は短時間（数秒〜数十分）のうちに輝炎を発するこ
となく酸化せしめられ、微粒子６２は完全に消滅する。
したがって微粒子６２がパティキュレートフィルタ２２
上に堆積することはほとんどない。
との接触面に向かう酸素Ｏは硝酸カリウムＫＮＯ3や硫
酸カリウムＫ2ＳＯ4のような化合物から分解された酸素
である。化合物から分解された酸素Ｏは高いエネルギを
有しており、極めて高い活性を有する。したがって微粒
子６２と活性酸素放出剤６１との接触面に向かう酸素は
活性酸素Ｏとなっている。同様に活性酸素放出剤６１に
おけるＮＯXと酸素との反応過程、或いはＳＯ2と酸素と
の反応過程にて生成される酸素も活性酸素となってい
る。これら活性酸素Ｏが微粒子６２に接触すると微粒子
６２は短時間（数秒〜数十分）のうちに輝炎を発するこ
となく酸化せしめられ、微粒子６２は完全に消滅する。
したがって微粒子６２がパティキュレートフィルタ２２
上に堆積することはほとんどない。
【００７１】従来のようにパティキュレートフィルタ２
２上に積層状に堆積した微粒子が燃焼せしめられるとき
にはパティキュレートフィルタ２２が赤熱し、火炎を伴
って燃焼する。このような火炎を伴う燃焼は高温でない
と持続せず、したがってこのような火炎を伴なう燃焼を
持続させるためにはパティキュレートフィルタ２２の温
度を高温に維持しなければならない。
２上に積層状に堆積した微粒子が燃焼せしめられるとき
にはパティキュレートフィルタ２２が赤熱し、火炎を伴
って燃焼する。このような火炎を伴う燃焼は高温でない
と持続せず、したがってこのような火炎を伴なう燃焼を
持続させるためにはパティキュレートフィルタ２２の温
度を高温に維持しなければならない。
【００７２】これに対して本発明では微粒子６２は上述
したように輝炎を発することなく酸化せしめられ、この
ときパティキュレートフィルタ２２の表面が赤熱するこ
ともない。すなわち云い換えると本発明では従来に比べ
てかなり低い温度でもって微粒子６２が酸化除去せしめ
られている。したがって本発明による輝炎を発しない微
粒子６２の酸化による微粒子除去作用は火炎を伴う従来
の燃焼による微粒子除去作用と全く異なっている。
したように輝炎を発することなく酸化せしめられ、この
ときパティキュレートフィルタ２２の表面が赤熱するこ
ともない。すなわち云い換えると本発明では従来に比べ
てかなり低い温度でもって微粒子６２が酸化除去せしめ
られている。したがって本発明による輝炎を発しない微
粒子６２の酸化による微粒子除去作用は火炎を伴う従来
の燃焼による微粒子除去作用と全く異なっている。
【００７３】ところで白金Ｐｔおよび活性酸素放出剤６
１はパティキュレートフィルタ２２の温度が高くなるほ
ど活性化するのでパティキュレートフィルタ２２上にお
いて単位時間当りに輝炎を発することなく酸化除去可能
な酸化除去可能微粒子量はパティキュレートフィルタ２
２の温度が高くなるほど増大する。
１はパティキュレートフィルタ２２の温度が高くなるほ
ど活性化するのでパティキュレートフィルタ２２上にお
いて単位時間当りに輝炎を発することなく酸化除去可能
な酸化除去可能微粒子量はパティキュレートフィルタ２
２の温度が高くなるほど増大する。
【００７４】図８の実線は単位時間当りに輝炎を発する
ことなく酸化除去可能な酸化除去可能微粒子量Ｇを示し
ている。なお図８において横軸はパティキュレートフィ
ルタ２２の温度ＴＦを示している。単位時間当りにパテ
ィキュレートフィルタ２２に流入する微粒子の量を流入
微粒子量Ｍと称するとこの流入微粒子量Ｍが酸化除去可
能微粒子Ｇよりも少ないとき、すなわち図８の領域Ｉに
あるときにはパティキュレートフィルタ２２に流入した
全ての微粒子がパティキュレートフィルタ２２に接触す
ると短時間（数秒から数十分）のうちにパティキュレー
トフィルタ２２上において輝炎を発することなく酸化除
去せしめられる。
ことなく酸化除去可能な酸化除去可能微粒子量Ｇを示し
ている。なお図８において横軸はパティキュレートフィ
ルタ２２の温度ＴＦを示している。単位時間当りにパテ
ィキュレートフィルタ２２に流入する微粒子の量を流入
微粒子量Ｍと称するとこの流入微粒子量Ｍが酸化除去可
能微粒子Ｇよりも少ないとき、すなわち図８の領域Ｉに
あるときにはパティキュレートフィルタ２２に流入した
全ての微粒子がパティキュレートフィルタ２２に接触す
ると短時間（数秒から数十分）のうちにパティキュレー
トフィルタ２２上において輝炎を発することなく酸化除
去せしめられる。
【００７５】これに対して流入微粒子量Ｍが酸化除去可
能微粒子量Ｇよりも多いとき、すなわち図８の領域IIに
あるときには全ての微粒子を酸化するには活性酸素量が
不足している。図７（Ａ）〜（Ｃ）はこのような場合の
微粒子の酸化の様子を示している。すなわち全ての微粒
子を酸化するには活性酸素量が不足している場合には図
７（Ａ）に示したように微粒子６２が活性酸素放出剤６
１上に付着すると微粒子６２の一部のみが酸化され、十
分に酸化されなかった微粒子部分が担体層上に残留す
る。次いで活性酸素量が不足している状態が継続すると
次から次へと酸化されなかった微粒子部分が担体層上に
残留し、その結果、図７（Ｂ）に示したように担体層の
表面が残留微粒子部分６３により覆われるようになる。
能微粒子量Ｇよりも多いとき、すなわち図８の領域IIに
あるときには全ての微粒子を酸化するには活性酸素量が
不足している。図７（Ａ）〜（Ｃ）はこのような場合の
微粒子の酸化の様子を示している。すなわち全ての微粒
子を酸化するには活性酸素量が不足している場合には図
７（Ａ）に示したように微粒子６２が活性酸素放出剤６
１上に付着すると微粒子６２の一部のみが酸化され、十
分に酸化されなかった微粒子部分が担体層上に残留す
る。次いで活性酸素量が不足している状態が継続すると
次から次へと酸化されなかった微粒子部分が担体層上に
残留し、その結果、図７（Ｂ）に示したように担体層の
表面が残留微粒子部分６３により覆われるようになる。
【００７６】担体層の表面が残留微粒子部分６３により
覆われると白金ＰｔによるＮＯ，ＳＯ2の酸化作用およ
び活性酸素放出剤６１による活性酸素の放出作用が行わ
れなくなるために残留微粒子部分６３は酸化されること
なくそのまま残り、斯くして図７（Ｃ）に示したように
残留微粒子部分６３の上に別の微粒子６４が次から次へ
と堆積する。すなわち微粒子が積層状に堆積することに
なる。
覆われると白金ＰｔによるＮＯ，ＳＯ2の酸化作用およ
び活性酸素放出剤６１による活性酸素の放出作用が行わ
れなくなるために残留微粒子部分６３は酸化されること
なくそのまま残り、斯くして図７（Ｃ）に示したように
残留微粒子部分６３の上に別の微粒子６４が次から次へ
と堆積する。すなわち微粒子が積層状に堆積することに
なる。
【００７７】このように微粒子が積層状に堆積すると微
粒子６４はもはや活性酸素Ｏにより酸化されることがな
く、したがってこの微粒子６４上にさらに別の微粒子が
次から次へと堆積する。すなわち流入微粒子量Ｍが酸化
除去可能微粒子量Ｇよりも多い状態が継続するとパティ
キュレートフィルタ２２上には微粒子が積層状に堆積
し、斯くして排気ガス温を高温にするか、或いはパティ
キュレートフィルタ２２の温度を高温にしない限り、堆
積した微粒子を着火燃焼させることができなくなる。
粒子６４はもはや活性酸素Ｏにより酸化されることがな
く、したがってこの微粒子６４上にさらに別の微粒子が
次から次へと堆積する。すなわち流入微粒子量Ｍが酸化
除去可能微粒子量Ｇよりも多い状態が継続するとパティ
キュレートフィルタ２２上には微粒子が積層状に堆積
し、斯くして排気ガス温を高温にするか、或いはパティ
キュレートフィルタ２２の温度を高温にしない限り、堆
積した微粒子を着火燃焼させることができなくなる。
【００７８】このように図８の領域Ｉでは微粒子はパテ
ィキュレートフィルタ２２上において輝炎を発すること
なく短時間のうちに酸化せしめられ、図８の領域IIでは
微粒子がパティキュレートフィルタ２２上に積層状に堆
積する。したがって微粒子がパティキュレートフィルタ
２２上に積層状に堆積しないようにするためには流入微
粒子量Ｍが常時、酸化除去可能微粒子量Ｇよりも少ない
必要がある。
ィキュレートフィルタ２２上において輝炎を発すること
なく短時間のうちに酸化せしめられ、図８の領域IIでは
微粒子がパティキュレートフィルタ２２上に積層状に堆
積する。したがって微粒子がパティキュレートフィルタ
２２上に積層状に堆積しないようにするためには流入微
粒子量Ｍが常時、酸化除去可能微粒子量Ｇよりも少ない
必要がある。
【００７９】図８から判るように本発明の実施例で用い
られているパティキュレートフィルタ２２ではパティキ
ュレートフィルタ２２の温度ＴＦがかなり低くても微粒
子を酸化させることが可能であり、したがって流入微粒
子量Ｍおよびパティキュレートフィルタ２２の温度ＴＦ
は流入微粒子量Ｍが酸化除去可能微粒子量Ｇよりも常
時、少なくなるように維持されている。
られているパティキュレートフィルタ２２ではパティキ
ュレートフィルタ２２の温度ＴＦがかなり低くても微粒
子を酸化させることが可能であり、したがって流入微粒
子量Ｍおよびパティキュレートフィルタ２２の温度ＴＦ
は流入微粒子量Ｍが酸化除去可能微粒子量Ｇよりも常
時、少なくなるように維持されている。
【００８０】このように流入微粒子量Ｍが酸化除去可能
微粒子量Ｇよりも常時、少ないとパティキュレートフィ
ルタ２２上に微粒子がほとんど堆積せず、斯くして背圧
がほとんど上昇しない。
微粒子量Ｇよりも常時、少ないとパティキュレートフィ
ルタ２２上に微粒子がほとんど堆積せず、斯くして背圧
がほとんど上昇しない。
【００８１】一方、前述したようにいったん微粒子がパ
ティキュレートフィルタ２２上において積層状に堆積す
るとたとえ流入微粒子量Ｍが酸化除去可能微粒子量Ｇよ
りも少なくなったとしても活性酸素Ｏにより微粒子を酸
化させることは困難である。しかしながら酸化されなか
った微粒子部分が残留し始めているとき、すなわち微粒
子が一定限度以下しか堆積していないときに流入微粒子
量Ｍが酸化除去可能微粒子量Ｇよりも少なくなるとこの
残留微粒子部分は活性酸素Ｏにより輝炎を発することな
く酸化除去される。
ティキュレートフィルタ２２上において積層状に堆積す
るとたとえ流入微粒子量Ｍが酸化除去可能微粒子量Ｇよ
りも少なくなったとしても活性酸素Ｏにより微粒子を酸
化させることは困難である。しかしながら酸化されなか
った微粒子部分が残留し始めているとき、すなわち微粒
子が一定限度以下しか堆積していないときに流入微粒子
量Ｍが酸化除去可能微粒子量Ｇよりも少なくなるとこの
残留微粒子部分は活性酸素Ｏにより輝炎を発することな
く酸化除去される。
【００８２】次に本発明の第２実施例のパティキュレー
トフィルタについて説明する。図９に第２実施例のパテ
ィキュレートフィルタを示した。図９（Ａ）はパティキ
ュレートフィルタの端面図であり、図９（Ｂ）はパティ
キュレートフィルタの縦断面図である。第２実施例のパ
ティキュレートフィルタ２２の構成は第１実施例のパテ
ィキュレートフィルタの構成と基本的に同一である。し
たがって以下において説明していない第２実施例の構成
および作用は第１実施例のそれと同様である。
トフィルタについて説明する。図９に第２実施例のパテ
ィキュレートフィルタを示した。図９（Ａ）はパティキ
ュレートフィルタの端面図であり、図９（Ｂ）はパティ
キュレートフィルタの縦断面図である。第２実施例のパ
ティキュレートフィルタ２２の構成は第１実施例のパテ
ィキュレートフィルタの構成と基本的に同一である。し
たがって以下において説明していない第２実施例の構成
および作用は第１実施例のそれと同様である。
【００８３】第２実施例のパティキュレートフィルタ２
２では下流側テーパ壁５２の先端には第１実施例の下流
側テーパ壁５２と同様に小孔５５が形成されている。し
かしながら上流側テーパ壁５３の先端には小孔は形成さ
れていない。すなわち排気ガス流出通路５１は上流側テ
ーパ壁５３により完全に閉塞されている。したがって第
２実施例のパティキュレートフィルタ２２の微粒子捕集
率は第１実施例のそれよりも高い。
２では下流側テーパ壁５２の先端には第１実施例の下流
側テーパ壁５２と同様に小孔５５が形成されている。し
かしながら上流側テーパ壁５３の先端には小孔は形成さ
れていない。すなわち排気ガス流出通路５１は上流側テ
ーパ壁５３により完全に閉塞されている。したがって第
２実施例のパティキュレートフィルタ２２の微粒子捕集
率は第１実施例のそれよりも高い。
【００８４】第２実施例においては排気ガス流入通路５
０内にアッシュや微粒子が堆積して排気ガスが隔壁５４
を通過しづらくなったとしても、排気ガス流入通路５０
内に新たに流入した排気ガスは小孔５５を介してパティ
キュレートフィルタ２２から流出することができる。し
たがって本実施例によればパティキュレートフィルタ２
２の圧損が高くなったとしても潜在的に達成可能な値か
ら大きくずれることが抑制される。
０内にアッシュや微粒子が堆積して排気ガスが隔壁５４
を通過しづらくなったとしても、排気ガス流入通路５０
内に新たに流入した排気ガスは小孔５５を介してパティ
キュレートフィルタ２２から流出することができる。し
たがって本実施例によればパティキュレートフィルタ２
２の圧損が高くなったとしても潜在的に達成可能な値か
ら大きくずれることが抑制される。
【００８５】また第２実施例においては排気ガス流入通
路５０内に堆積しているアッシュや微粒子の量が多くな
って排気ガス流入通路５０内の圧力が上昇するとその圧
力によりアッシュは小孔５５を介してパティキュレート
フィルタ２２から排出される。したがって本実施例によ
ればパティキュレートフィルタ２２内に堆積しているア
ッシュの量が常に少なく維持されるのでアッシュをパテ
ィキュレートフィルタ１２から排除するための特別な処
理をする必要が少ない。
路５０内に堆積しているアッシュや微粒子の量が多くな
って排気ガス流入通路５０内の圧力が上昇するとその圧
力によりアッシュは小孔５５を介してパティキュレート
フィルタ２２から排出される。したがって本実施例によ
ればパティキュレートフィルタ２２内に堆積しているア
ッシュの量が常に少なく維持されるのでアッシュをパテ
ィキュレートフィルタ１２から排除するための特別な処
理をする必要が少ない。
【００８６】さらに第２実施例においては排気ガス流入
通路５０内に堆積している微粒子の量が多くなって排気
ガスが隔壁５４を通過しづらくなると排気ガス流入通路
５０内に新たに流入する微粒子は小孔５５を介してパテ
ィキュレートフィルタ２２から流出する。すなわちパテ
ィキュレートフィルタ２２内に堆積している微粒子の量
は或る一定量以下に維持されている。これによれば多量
の微粒子がパティキュレートフィルタ２２内にて一気に
燃焼することがなく、したがって微粒子の燃焼熱により
パティキュレートフィルタ２２が溶損することが抑制さ
れる。
通路５０内に堆積している微粒子の量が多くなって排気
ガスが隔壁５４を通過しづらくなると排気ガス流入通路
５０内に新たに流入する微粒子は小孔５５を介してパテ
ィキュレートフィルタ２２から流出する。すなわちパテ
ィキュレートフィルタ２２内に堆積している微粒子の量
は或る一定量以下に維持されている。これによれば多量
の微粒子がパティキュレートフィルタ２２内にて一気に
燃焼することがなく、したがって微粒子の燃焼熱により
パティキュレートフィルタ２２が溶損することが抑制さ
れる。
【００８７】さらに第２実施例のパティキュレートフィ
ルタ２２には酸化物質が担持されているので堆積微粒子
は徐々に酸化除去される。したがって堆積微粒子量が多
くなって微粒子がパティキュレートフィルタ２２に捕集
されることなく流出し始め、結果的にパティキュレート
フィルタ２２に新たに捕集される微粒子の量（以下、捕
集微粒子量と称す）が少なくなったときにも堆積微粒子
は酸化物質により酸化除去され続けている。このように
堆積微粒子が酸化除去されれば捕集微粒子量が増大し、
微粒子はパティキュレートフィルタ２２に捕集されるの
で結果的にはパティキュレートフィルタ２２に捕集され
ずにそこから流出する微粒子の量は少ない。
ルタ２２には酸化物質が担持されているので堆積微粒子
は徐々に酸化除去される。したがって堆積微粒子量が多
くなって微粒子がパティキュレートフィルタ２２に捕集
されることなく流出し始め、結果的にパティキュレート
フィルタ２２に新たに捕集される微粒子の量（以下、捕
集微粒子量と称す）が少なくなったときにも堆積微粒子
は酸化物質により酸化除去され続けている。このように
堆積微粒子が酸化除去されれば捕集微粒子量が増大し、
微粒子はパティキュレートフィルタ２２に捕集されるの
で結果的にはパティキュレートフィルタ２２に捕集され
ずにそこから流出する微粒子の量は少ない。
【００８８】なお排気ガス流入通路５０内に堆積したア
ッシュが排気ガス流入通路５０内に圧力によりパティキ
ュレートフィルタ２２から排出される直前においては排
気ガス流入通路５０内に圧力が一時的に高くなることが
ある。第１実施例によればこのときパティキュレートフ
ィルタ２２に新たに到来する排気ガスは上流側テーパ壁
５３の小孔５６を介して排気ガス流出通路５１を通り、
パティキュレートフィルタ２２から流出するので排気ガ
ス流入通路５０内の圧力がこれ以上高くなることはな
い。
ッシュが排気ガス流入通路５０内に圧力によりパティキ
ュレートフィルタ２２から排出される直前においては排
気ガス流入通路５０内に圧力が一時的に高くなることが
ある。第１実施例によればこのときパティキュレートフ
ィルタ２２に新たに到来する排気ガスは上流側テーパ壁
５３の小孔５６を介して排気ガス流出通路５１を通り、
パティキュレートフィルタ２２から流出するので排気ガ
ス流入通路５０内の圧力がこれ以上高くなることはな
い。
【００８９】しかしながら第２実施例ではアッシュがパ
ティキュレートフィルタ２２から排出されるまでは排気
ガス流入通路５０内の圧力、すなわちパティキュレート
フィルタ２２の圧損が一時的にではあるが高くなり続け
る可能性がある。したがって第２実施例のパティキュレ
ートフィルタはその圧損が一時的に高くなったとしても
パティキュレートフィルタ２２の性能上問題ない場合、
或いはより高い微粒子捕集率が要求されている場合に有
効である。
ティキュレートフィルタ２２から排出されるまでは排気
ガス流入通路５０内の圧力、すなわちパティキュレート
フィルタ２２の圧損が一時的にではあるが高くなり続け
る可能性がある。したがって第２実施例のパティキュレ
ートフィルタはその圧損が一時的に高くなったとしても
パティキュレートフィルタ２２の性能上問題ない場合、
或いはより高い微粒子捕集率が要求されている場合に有
効である。
【００９０】また第１実施例に関連して説明した製造方
法を利用して排気ガス流出通路５１を上流側テーパ壁５
３により完全に閉塞するためには型９０をハニカム構造
体８０の上流側の端面に押し付ける程度を大きくすれば
よい次に本発明の第３実施例のパティキュレートフィル
タについて説明する。図１０に第３実施例のパティキュ
レートフィルタを示した。図１０（Ａ）はパティキュレ
ートフィルタの端面図であり、図１０（Ｂ）はパティキ
ュレートフィルタの縦断面図である。第３実施例のパテ
ィキュレートフィルタ２２の構成は第１実施例のパティ
キュレートフィルタの構成と基本的に同一である。した
がって以下では第１実施例のパティキュレートフィルタ
の構成とは異なる構成のみについて説明する。
法を利用して排気ガス流出通路５１を上流側テーパ壁５
３により完全に閉塞するためには型９０をハニカム構造
体８０の上流側の端面に押し付ける程度を大きくすれば
よい次に本発明の第３実施例のパティキュレートフィル
タについて説明する。図１０に第３実施例のパティキュ
レートフィルタを示した。図１０（Ａ）はパティキュレ
ートフィルタの端面図であり、図１０（Ｂ）はパティキ
ュレートフィルタの縦断面図である。第３実施例のパテ
ィキュレートフィルタ２２の構成は第１実施例のパティ
キュレートフィルタの構成と基本的に同一である。した
がって以下では第１実施例のパティキュレートフィルタ
の構成とは異なる構成のみについて説明する。
【００９１】第３実施例のパティキュレートフィルタ２
２では上流側テーパ壁５３の先端には第１実施例の上流
側テーパ壁５２を同様に小孔５６が形成されている。し
かしながら下流側テーパ壁５２の先端には小孔は形成さ
れていない。すなわち排気ガス流入通路５０は下流側テ
ーパ壁５２により完全に閉塞されている。したがって第
３実施例のパティキュレートフィルタ２２の微粒子捕集
率は第１実施例のそれよりも高い。
２では上流側テーパ壁５３の先端には第１実施例の上流
側テーパ壁５２を同様に小孔５６が形成されている。し
かしながら下流側テーパ壁５２の先端には小孔は形成さ
れていない。すなわち排気ガス流入通路５０は下流側テ
ーパ壁５２により完全に閉塞されている。したがって第
３実施例のパティキュレートフィルタ２２の微粒子捕集
率は第１実施例のそれよりも高い。
【００９２】第３実施例においては排気ガス流入通路５
０内にアッシュや微粒子が堆積して排気ガスが隔壁５４
を通過しづらくなったとしても、パティキュレートフィ
ルタ２２に新たに到来する排気ガスは上流側テーパ壁５
３の小孔５６を介してパティキュレートフィルタ２２か
ら流出することができる。したがって本実施例によれば
パティキュレートフィルタの圧損が高くなったとしても
潜在的に達成可能な値から大きくずれることが抑制され
る。
０内にアッシュや微粒子が堆積して排気ガスが隔壁５４
を通過しづらくなったとしても、パティキュレートフィ
ルタ２２に新たに到来する排気ガスは上流側テーパ壁５
３の小孔５６を介してパティキュレートフィルタ２２か
ら流出することができる。したがって本実施例によれば
パティキュレートフィルタの圧損が高くなったとしても
潜在的に達成可能な値から大きくずれることが抑制され
る。
【００９３】また第３実施例においては上述したように
排気ガス流入通路５０内にアッシュや微粒子が堆積して
排気ガスが隔壁５４を通過しづらくなると上流側テーパ
壁５３の小孔５６を介してパティキュレートフィルタ２
２から流出する排気ガスの量が多くなる。すなわちパテ
ィキュレートフィルタ２２に新たに到来するアッシュの
一部が上流側テーパ壁５３の小孔５６を介してパティキ
ュレートフィルタ２２から排出される。したがって排気
ガス流入通路５０内に堆積するアッシュの量が許容量以
上になるまでにかかる時間が長くなるのでパティキュレ
ートフィルタ２２内に堆積したアッシュを排除するため
の特別な処理をする必要が少なくなる。
排気ガス流入通路５０内にアッシュや微粒子が堆積して
排気ガスが隔壁５４を通過しづらくなると上流側テーパ
壁５３の小孔５６を介してパティキュレートフィルタ２
２から流出する排気ガスの量が多くなる。すなわちパテ
ィキュレートフィルタ２２に新たに到来するアッシュの
一部が上流側テーパ壁５３の小孔５６を介してパティキ
ュレートフィルタ２２から排出される。したがって排気
ガス流入通路５０内に堆積するアッシュの量が許容量以
上になるまでにかかる時間が長くなるのでパティキュレ
ートフィルタ２２内に堆積したアッシュを排除するため
の特別な処理をする必要が少なくなる。
【００９４】さらに第３実施例においては上述したよう
に排気ガス流入通路５０内にアッシュや微粒子が堆積し
て排気ガスが隔壁５４を通過しづらくなると上流側テー
パ壁５３の小孔５６を介してパティキュレートフィルタ
２２から流出する排気ガスの量が多くなる。すなわちパ
ティキュレートフィルタ２２に新たに到来する微粒子の
一部が上流側テーパ壁５３の小孔５６を介してパティキ
ュレートフィルタ２２から排出される。したがって排気
ガス流入通路５０内に堆積する微粒子の量が許容量以上
になるまでにかかる時間が長くなるのでパティキュレー
トフィルタ２２が微粒子の燃焼熱により溶損せしめられ
る可能性が低減される。
に排気ガス流入通路５０内にアッシュや微粒子が堆積し
て排気ガスが隔壁５４を通過しづらくなると上流側テー
パ壁５３の小孔５６を介してパティキュレートフィルタ
２２から流出する排気ガスの量が多くなる。すなわちパ
ティキュレートフィルタ２２に新たに到来する微粒子の
一部が上流側テーパ壁５３の小孔５６を介してパティキ
ュレートフィルタ２２から排出される。したがって排気
ガス流入通路５０内に堆積する微粒子の量が許容量以上
になるまでにかかる時間が長くなるのでパティキュレー
トフィルタ２２が微粒子の燃焼熱により溶損せしめられ
る可能性が低減される。
【００９５】もちろん第３実施例のパティキュレートフ
ィルタ２２には酸化物質が担持されているので排気ガス
流入通路５０内に堆積する微粒子の量が許容量以上とな
るまでにかかる時間が長ければそれまでに微粒子は酸化
物質により酸化除去されるので結局のところ堆積微粒子
量が許容量以上となることが抑制される。
ィルタ２２には酸化物質が担持されているので排気ガス
流入通路５０内に堆積する微粒子の量が許容量以上とな
るまでにかかる時間が長ければそれまでに微粒子は酸化
物質により酸化除去されるので結局のところ堆積微粒子
量が許容量以上となることが抑制される。
【００９６】なお第３実施例のパティキュレートフィル
タ２２は排気ガス中のアッシュの量が極めて少なく且つ
潜在的な圧損が第１実施例における潜在的な圧損よりも
高くてもパティキュレートフィルタ２２の性能上問題な
い場合、或いはより高い微粒子捕集率が要求されている
場合に有効である。
タ２２は排気ガス中のアッシュの量が極めて少なく且つ
潜在的な圧損が第１実施例における潜在的な圧損よりも
高くてもパティキュレートフィルタ２２の性能上問題な
い場合、或いはより高い微粒子捕集率が要求されている
場合に有効である。
【００９７】また第１実施例に関連して説明した製造方
法を利用して排気ガス流入通路５０を下流側テーパ壁５
２により完全に閉塞するためには型９０をハニカム構造
体８０の下流側の端面に押し付ける程度を大きくすれば
よい。
法を利用して排気ガス流入通路５０を下流側テーパ壁５
２により完全に閉塞するためには型９０をハニカム構造
体８０の下流側の端面に押し付ける程度を大きくすれば
よい。
【００９８】最後に上述したパティキュレートフィルタ
２２を内燃機関に搭載したときの内燃機関の制御につい
て説明する。図１１は本発明のパティキュレートフィル
タ２２を搭載した圧縮着火式内燃機関を示している。な
お本発明のパティキュレートフィルタは火花点火式内燃
機関にも搭載可能である。
２２を内燃機関に搭載したときの内燃機関の制御につい
て説明する。図１１は本発明のパティキュレートフィル
タ２２を搭載した圧縮着火式内燃機関を示している。な
お本発明のパティキュレートフィルタは火花点火式内燃
機関にも搭載可能である。
【００９９】図１１を参照すると、１は機関本体、２は
シリンダブロック、３はシリンダヘッド、４はピスト
ン、５は燃焼室、６は電気制御式燃料噴射弁、７は吸気
弁、８は吸気ポート、９は排気弁、１０は排気ポートを
夫々示す。吸気ポート８は対応する吸気枝管１１を介し
てサージタンク１２に連結され、サージタンク１２は吸
気ダクト１３を介して排気ターボチャージャ１４のコン
プレッサ１５に連結される。
シリンダブロック、３はシリンダヘッド、４はピスト
ン、５は燃焼室、６は電気制御式燃料噴射弁、７は吸気
弁、８は吸気ポート、９は排気弁、１０は排気ポートを
夫々示す。吸気ポート８は対応する吸気枝管１１を介し
てサージタンク１２に連結され、サージタンク１２は吸
気ダクト１３を介して排気ターボチャージャ１４のコン
プレッサ１５に連結される。
【０１００】吸気ダクト１３内にはステップモータ１６
により駆動されるスロットル弁１７が配置され、さらに
吸気ダクト１３周りには吸気ダクト１３内を流れる吸入
空気を冷却するための冷却装置１８が配置される。図１
１に示した内燃機関では冷却装置１８内に機関冷却水が
導かれ、この機関冷却水により吸入空気が冷却される。
一方、排気ポート１０は排気マニホルド１９および排気
管２０を介して排気ターボチャージャ１４の排気タービ
ン２１に連結され、排気タービン２１の出口は排気管２
０ａを介してパティキュレートフィルタ２２を内蔵した
ケーシング２３に連結される。
により駆動されるスロットル弁１７が配置され、さらに
吸気ダクト１３周りには吸気ダクト１３内を流れる吸入
空気を冷却するための冷却装置１８が配置される。図１
１に示した内燃機関では冷却装置１８内に機関冷却水が
導かれ、この機関冷却水により吸入空気が冷却される。
一方、排気ポート１０は排気マニホルド１９および排気
管２０を介して排気ターボチャージャ１４の排気タービ
ン２１に連結され、排気タービン２１の出口は排気管２
０ａを介してパティキュレートフィルタ２２を内蔵した
ケーシング２３に連結される。
【０１０１】排気マニホルド１９とサージタンク１２と
は排気ガス再循環（以下、ＥＧＲ）通路２４を介して互
いに連結され、ＥＧＲ通路２４内には電気制御式ＥＧＲ
制御弁２５が配置される。またＥＧＲ通路２４周りには
ＥＧＲ通路２４内を流れるＥＧＲガスを冷却するための
冷却装置２６が配置される。図１１に示した内燃機関で
は冷却装置２６内に機関冷却水が導かれ、この機関冷却
水によりＥＧＲガスが冷却される。
は排気ガス再循環（以下、ＥＧＲ）通路２４を介して互
いに連結され、ＥＧＲ通路２４内には電気制御式ＥＧＲ
制御弁２５が配置される。またＥＧＲ通路２４周りには
ＥＧＲ通路２４内を流れるＥＧＲガスを冷却するための
冷却装置２６が配置される。図１１に示した内燃機関で
は冷却装置２６内に機関冷却水が導かれ、この機関冷却
水によりＥＧＲガスが冷却される。
【０１０２】一方、各燃料噴射弁６は燃料供給管６ａを
介して燃料リザーバ、いわゆるコモンレール２７に連結
される。このコモンレール２７内へは電気制御式の吐出
量可変な燃料ポンプ２８から燃料が供給され、コモンレ
ール２７内に供給された燃料は各燃料供給管６ａを介し
て燃料噴射弁６に供給される。コモンレール２７にはコ
モンレール２７内の燃料圧を検出するための燃料圧セン
サ２９が取り付けられ、燃料圧センサ２９の出力信号に
基づいてコモンレール２７内の燃料圧が目標燃料圧とな
るように燃料ポンプ２８の吐出量が制御される。
介して燃料リザーバ、いわゆるコモンレール２７に連結
される。このコモンレール２７内へは電気制御式の吐出
量可変な燃料ポンプ２８から燃料が供給され、コモンレ
ール２７内に供給された燃料は各燃料供給管６ａを介し
て燃料噴射弁６に供給される。コモンレール２７にはコ
モンレール２７内の燃料圧を検出するための燃料圧セン
サ２９が取り付けられ、燃料圧センサ２９の出力信号に
基づいてコモンレール２７内の燃料圧が目標燃料圧とな
るように燃料ポンプ２８の吐出量が制御される。
【０１０３】電子制御ユニット３０はデジタルコンピュ
ータからなり、双方向性バス３１により互いに接続され
たＲＯＭ（リードオンリメモリ）３２、ＲＡＭ（ランダ
ムアクセスメモリ）３３、ＣＰＵ（マイクロプロセッ
サ）３４、入力ポート３５および出力ポート３６を具備
する。燃料圧センサ２９の出力信号は対応するＡＤ変換
器３７を介して入力ポート３５に入力される。またパテ
ィキュレートフィルタ２２にはパティキュレートフィル
タ２２の温度を検出するための温度センサ３９が取り付
けられ、この温度センサ３９の出力信号は対応するＡＤ
変換器３７を介して入力ポート３５に入力される。
ータからなり、双方向性バス３１により互いに接続され
たＲＯＭ（リードオンリメモリ）３２、ＲＡＭ（ランダ
ムアクセスメモリ）３３、ＣＰＵ（マイクロプロセッ
サ）３４、入力ポート３５および出力ポート３６を具備
する。燃料圧センサ２９の出力信号は対応するＡＤ変換
器３７を介して入力ポート３５に入力される。またパテ
ィキュレートフィルタ２２にはパティキュレートフィル
タ２２の温度を検出するための温度センサ３９が取り付
けられ、この温度センサ３９の出力信号は対応するＡＤ
変換器３７を介して入力ポート３５に入力される。
【０１０４】アクセルペダル４０にはアクセルペダル４
０の踏込量Ｌに比例した出力電圧を発生する負荷センサ
４１が接続され、負荷センサ４１の出力電圧は対応する
ＡＤ変換器３７を介して入力ポート３５に入力される。
さらに入力ポート３５にはクランクシャフトが例えば３
０°回転する毎に出力パルスを発生するクランク角セン
サ４２が接続される。一方、出力ポート３６は対応する
駆動回路３８を介して燃料噴射弁６、スロットル弁駆動
用ステップモータ１６、ＥＧＲ制御弁２５、および燃料
ポンプ２８に接続される。
０の踏込量Ｌに比例した出力電圧を発生する負荷センサ
４１が接続され、負荷センサ４１の出力電圧は対応する
ＡＤ変換器３７を介して入力ポート３５に入力される。
さらに入力ポート３５にはクランクシャフトが例えば３
０°回転する毎に出力パルスを発生するクランク角セン
サ４２が接続される。一方、出力ポート３６は対応する
駆動回路３８を介して燃料噴射弁６、スロットル弁駆動
用ステップモータ１６、ＥＧＲ制御弁２５、および燃料
ポンプ２８に接続される。
【０１０５】ところで上述したようにいったん微粒子が
パティキュレートフィルタ２２上において積層状に堆積
するとたとえ流入微粒子量Ｍが酸化除去可能微粒子量Ｇ
よりも少なくなったとしても活性酸素Ｏにより微粒子を
酸化させることは困難である。特に機関始動直後はパテ
ィキュレートフィルタ２２の温度ＴＦは低く、したがっ
てこのときには流入微粒子量Ｍのほうが酸化除去可能微
粒子量Ｇよりも多くなる。
パティキュレートフィルタ２２上において積層状に堆積
するとたとえ流入微粒子量Ｍが酸化除去可能微粒子量Ｇ
よりも少なくなったとしても活性酸素Ｏにより微粒子を
酸化させることは困難である。特に機関始動直後はパテ
ィキュレートフィルタ２２の温度ＴＦは低く、したがっ
てこのときには流入微粒子量Ｍのほうが酸化除去可能微
粒子量Ｇよりも多くなる。
【０１０６】しかしながら酸化されなかった微粒子部分
が残留し始めているとき、すなわち微粒子が一定限度以
下しか堆積していないときに流入微粒子量Ｍが酸化除去
可能微粒子量Ｇよりも少なくなるとこの残留微粒子部分
は活性酸素Ｏにより輝炎を発することなく酸化除去され
る。
が残留し始めているとき、すなわち微粒子が一定限度以
下しか堆積していないときに流入微粒子量Ｍが酸化除去
可能微粒子量Ｇよりも少なくなるとこの残留微粒子部分
は活性酸素Ｏにより輝炎を発することなく酸化除去され
る。
【０１０７】したがって流入微粒子量Ｍが酸化除去可能
微粒子量Ｇよりも通常少なくなり、かつ流入微粒子量Ｍ
が一時的に酸化除去可能微粒子量Ｇより多くなったとし
ても図７（Ｂ）に示したように担体層の表面が残留微粒
子部分６３により覆われないように、すなわち流入微粒
子量Ｍが酸化除去可能微粒子量Ｇより少なくなったとき
に酸化除去しうる一定限度以下の量の微粒子しかパティ
キュレートフィルタ２２上に積層しないように流入微粒
子量Ｍおよびパティキュレートフィルタ２２の温度ＴＦ
を維持する。
微粒子量Ｇよりも通常少なくなり、かつ流入微粒子量Ｍ
が一時的に酸化除去可能微粒子量Ｇより多くなったとし
ても図７（Ｂ）に示したように担体層の表面が残留微粒
子部分６３により覆われないように、すなわち流入微粒
子量Ｍが酸化除去可能微粒子量Ｇより少なくなったとき
に酸化除去しうる一定限度以下の量の微粒子しかパティ
キュレートフィルタ２２上に積層しないように流入微粒
子量Ｍおよびパティキュレートフィルタ２２の温度ＴＦ
を維持する。
【０１０８】ところがこのように流入微粒子量Ｍおよび
パティキュレートフィルタ２２の温度ＴＦを制御してい
たとしてもパティキュレートフィルタ２２上に微粒子が
積層状に堆積する場合がある。このような場合には排気
ガスの一部または全体の空燃比を一時的にリッチにする
ことによりパティキュレートフィルタ２２上に堆積した
微粒子を輝炎を発することなく酸化させることができ
る。
パティキュレートフィルタ２２の温度ＴＦを制御してい
たとしてもパティキュレートフィルタ２２上に微粒子が
積層状に堆積する場合がある。このような場合には排気
ガスの一部または全体の空燃比を一時的にリッチにする
ことによりパティキュレートフィルタ２２上に堆積した
微粒子を輝炎を発することなく酸化させることができ
る。
【０１０９】すなわち排気ガスの空燃比がリーンである
状態が一定期間に亘って継続すると白金Ｐｔ上に酸素が
多量に付着し、このために白金Ｐｔの触媒作用が低下し
てしまう。ところが排気ガスの空燃比をリッチにして排
気ガス中の酸素濃度を低下させると白金Ｐｔから酸素が
除去され、斯くして白金Ｐｔの触媒作用が回復する。こ
れにより排気ガスの空燃比をリッチにすると活性酸素放
出剤６１から外部に活性酸素Ｏが一気に放出されやすく
なる。斯くして一気に放出された活性酸素Ｏにより堆積
している微粒子が酸化されやすい状態に変質せしめられ
ると共に微粒子が活性酸素により輝炎を発することなく
燃焼除去される。斯くして排気ガスの空燃比をリッチと
すると全体として酸化除去可能微粒子量Ｇが増大する。
状態が一定期間に亘って継続すると白金Ｐｔ上に酸素が
多量に付着し、このために白金Ｐｔの触媒作用が低下し
てしまう。ところが排気ガスの空燃比をリッチにして排
気ガス中の酸素濃度を低下させると白金Ｐｔから酸素が
除去され、斯くして白金Ｐｔの触媒作用が回復する。こ
れにより排気ガスの空燃比をリッチにすると活性酸素放
出剤６１から外部に活性酸素Ｏが一気に放出されやすく
なる。斯くして一気に放出された活性酸素Ｏにより堆積
している微粒子が酸化されやすい状態に変質せしめられ
ると共に微粒子が活性酸素により輝炎を発することなく
燃焼除去される。斯くして排気ガスの空燃比をリッチと
すると全体として酸化除去可能微粒子量Ｇが増大する。
【０１１０】なおこの場合、パティキュレートフィルタ
２２上において微粒子が積層状に堆積したときに排気ガ
スの空燃比をリッチにしてもよいし、微粒子が積層状に
堆積しているか否かに係わらず周期的に排気ガスの空燃
比をリッチにしてもよい。
２２上において微粒子が積層状に堆積したときに排気ガ
スの空燃比をリッチにしてもよいし、微粒子が積層状に
堆積しているか否かに係わらず周期的に排気ガスの空燃
比をリッチにしてもよい。
【０１１１】排気ガスの空燃比をリッチにする方法とし
ては例えば機関負荷が比較的低いときにＥＧＲ率（ＥＧ
Ｒガス量／（吸入空気量＋ＥＧＲガス量））が６５パー
セント以上となるようにスロットル弁１７の開度および
ＥＧＲ制御弁２５の開度を制御し、このとき燃焼室５内
における平均空燃比がリッチになるように噴射量を制御
する方法を用いることができる。
ては例えば機関負荷が比較的低いときにＥＧＲ率（ＥＧ
Ｒガス量／（吸入空気量＋ＥＧＲガス量））が６５パー
セント以上となるようにスロットル弁１７の開度および
ＥＧＲ制御弁２５の開度を制御し、このとき燃焼室５内
における平均空燃比がリッチになるように噴射量を制御
する方法を用いることができる。
【０１１２】ところで上述したようにパティキュレート
フィルタ２２に酸化除去することができないほど微粒子
が堆積したときに排気ガスの空燃比をリッチにすること
により微粒子を酸化除去するようにしている場合、第１
実施例のパティキュレートフィルタ２２はその上流領域
への炭化水素の付着が防止されるという点で優れてい
る。すなわち排気ガスの空燃比をリッチとすると炭化水
素がパティキュレートフィルタ２２に流入する。このと
きパティキュレートフィルタ２２には上流側ほど炭化水
素が付着しやすい。
フィルタ２２に酸化除去することができないほど微粒子
が堆積したときに排気ガスの空燃比をリッチにすること
により微粒子を酸化除去するようにしている場合、第１
実施例のパティキュレートフィルタ２２はその上流領域
への炭化水素の付着が防止されるという点で優れてい
る。すなわち排気ガスの空燃比をリッチとすると炭化水
素がパティキュレートフィルタ２２に流入する。このと
きパティキュレートフィルタ２２には上流側ほど炭化水
素が付着しやすい。
【０１１３】ここでパティキュレートフィルタ２２は上
流領域ほどその温度が低いので付着した炭化水素は消費
されずらく、徐々に堆積してしまう傾向にある。ところ
が本発明ではパティキュレートフィルタ２２の上流領域
の部分に多くの酸化物質が担持されているので炭化水素
は堆積することなく良好に消費される。斯くしてパティ
キュレートフィルタ２２の上流領域が炭化水素により閉
塞されることが防止される。
流領域ほどその温度が低いので付着した炭化水素は消費
されずらく、徐々に堆積してしまう傾向にある。ところ
が本発明ではパティキュレートフィルタ２２の上流領域
の部分に多くの酸化物質が担持されているので炭化水素
は堆積することなく良好に消費される。斯くしてパティ
キュレートフィルタ２２の上流領域が炭化水素により閉
塞されることが防止される。
【０１１４】以上説明した内燃機関の運転制御ルーチン
の一例を図１２に示した。図１２を参照するとまず初め
にステップ１００において燃焼室５内の平均空燃比をリ
ッチにすべきか否かが判別される。燃焼室５内の平均空
燃比をリッチにする必要がないときには流入微粒子量Ｍ
が酸化除去可能微粒子量Ｇよりも少なくなるようにステ
ップ１０１においてスロットル弁１７の開度が制御さ
れ、ステップ１０２においてＥＧＲ制御弁２５の開度が
制御され、ステップ１０３において燃料噴射量が制御さ
れる。
の一例を図１２に示した。図１２を参照するとまず初め
にステップ１００において燃焼室５内の平均空燃比をリ
ッチにすべきか否かが判別される。燃焼室５内の平均空
燃比をリッチにする必要がないときには流入微粒子量Ｍ
が酸化除去可能微粒子量Ｇよりも少なくなるようにステ
ップ１０１においてスロットル弁１７の開度が制御さ
れ、ステップ１０２においてＥＧＲ制御弁２５の開度が
制御され、ステップ１０３において燃料噴射量が制御さ
れる。
【０１１５】一方、ステップ１００において燃焼室５内
の平均空燃比をリッチにすべきであると判別されたとき
にはＥＧＲ率が６５パーセント以上になるようにステッ
プ１０４においてスロットル弁１７の開度が制御され、
ステップ１０５においてＥＧＲ制御弁２５の開度が制御
され、燃焼室５内の平均空燃比がリッチとなるようにス
テップ１０６において燃料噴射量が制御される。
の平均空燃比をリッチにすべきであると判別されたとき
にはＥＧＲ率が６５パーセント以上になるようにステッ
プ１０４においてスロットル弁１７の開度が制御され、
ステップ１０５においてＥＧＲ制御弁２５の開度が制御
され、燃焼室５内の平均空燃比がリッチとなるようにス
テップ１０６において燃料噴射量が制御される。
【０１１６】ところで燃料や潤滑油はカルシウムＣａを
含んでおり、したがって排気ガス中にカルシウムＣａが
含まれている。このカルシウムＣａはＳＯ3が存在する
と硫酸カルシウムＣａＳＯ4を生成する。この硫酸カル
シウムＣａＳＯ4は固体であって高温になっても熱分解
しない。したがって硫酸カルシウムＣａＳＯ4が生成さ
れるとこの硫酸カルシウムＣａＳＯ4によってパティキ
ュレートフィルタ２２の細孔が閉塞されてしまい、その
結果、排気ガスがパティキュレートフィルタ２２内を流
れづらくなる。
含んでおり、したがって排気ガス中にカルシウムＣａが
含まれている。このカルシウムＣａはＳＯ3が存在する
と硫酸カルシウムＣａＳＯ4を生成する。この硫酸カル
シウムＣａＳＯ4は固体であって高温になっても熱分解
しない。したがって硫酸カルシウムＣａＳＯ4が生成さ
れるとこの硫酸カルシウムＣａＳＯ4によってパティキ
ュレートフィルタ２２の細孔が閉塞されてしまい、その
結果、排気ガスがパティキュレートフィルタ２２内を流
れづらくなる。
【０１１７】この場合、活性酸素放出剤６１としてカル
シウムＣａよりもイオン化傾向の高いアルカリ金属また
はアルカリ土類金属、例えばカリウムＫを用いると活性
酸素放出剤６１内に拡散するＳＯ3はカリウムＫと結合
して硫酸カリウムＫ2ＳＯ4を形成し、カルシウムＣａは
ＳＯ3と結合することなくパティキュレートフィルタ２
２の隔壁５４を通過して排気ガス流出通路５１内に流出
する。したがってパティキュレートフィルタ２２の細孔
が目詰まりすることがなくなる。したがって前述したよ
うに活性酸素放出剤６１としてはカルシウムＣａよりも
イオン化傾向の高いアルカリ金属またはアルカリ土類金
属、すなわちカリウムＫ、リチウムＬｉ、セシウムＣ
ｓ、ルビジウムＲｂ、バリウムＢａ、ストロンチウムＳ
ｒを用いることが好ましいことになる。
シウムＣａよりもイオン化傾向の高いアルカリ金属また
はアルカリ土類金属、例えばカリウムＫを用いると活性
酸素放出剤６１内に拡散するＳＯ3はカリウムＫと結合
して硫酸カリウムＫ2ＳＯ4を形成し、カルシウムＣａは
ＳＯ3と結合することなくパティキュレートフィルタ２
２の隔壁５４を通過して排気ガス流出通路５１内に流出
する。したがってパティキュレートフィルタ２２の細孔
が目詰まりすることがなくなる。したがって前述したよ
うに活性酸素放出剤６１としてはカルシウムＣａよりも
イオン化傾向の高いアルカリ金属またはアルカリ土類金
属、すなわちカリウムＫ、リチウムＬｉ、セシウムＣ
ｓ、ルビジウムＲｂ、バリウムＢａ、ストロンチウムＳ
ｒを用いることが好ましいことになる。
【０１１８】また本発明はパティキュレートフィルタ２
２の両側面上に形成された担体の層上に白金Ｐｔのよう
な貴金属のみを担持した場合にも適用することができ
る。ただしこの場合には酸化除去可能微粒子量Ｇを示す
実線は図８に示す実線に比べて若干、右側に移動する。
この場合には白金Ｐｔの表面上に保持されるＮＯ2また
はＳＯ3から活性酸素が放出される。
２の両側面上に形成された担体の層上に白金Ｐｔのよう
な貴金属のみを担持した場合にも適用することができ
る。ただしこの場合には酸化除去可能微粒子量Ｇを示す
実線は図８に示す実線に比べて若干、右側に移動する。
この場合には白金Ｐｔの表面上に保持されるＮＯ2また
はＳＯ3から活性酸素が放出される。
【０１１９】また活性酸素放出剤としてＮＯ2またはＳ
Ｏ3を吸着保持し、これら吸着されたＮＯ2またはＳＯ3
から活性酸素を放出しうる触媒を用いることもできる。
Ｏ3を吸着保持し、これら吸着されたＮＯ2またはＳＯ3
から活性酸素を放出しうる触媒を用いることもできる。
【０１２０】
【発明の効果】本発明によればパティキュレートフィル
タの通路は隔壁の端部分が寄せ集められてこの端部分同
志が部分的に接続されることによりその流路断面積が小
さくされている。このように通路の端部が寄せ集められ
た隔壁の端部分により画成されていることにより排気ガ
スは乱流を生じることなく通路内に流入し、或いは通路
から流出するのでパティキュレートフィルタの圧損は低
い。
タの通路は隔壁の端部分が寄せ集められてこの端部分同
志が部分的に接続されることによりその流路断面積が小
さくされている。このように通路の端部が寄せ集められ
た隔壁の端部分により画成されていることにより排気ガ
スは乱流を生じることなく通路内に流入し、或いは通路
から流出するのでパティキュレートフィルタの圧損は低
い。
【０１２１】さらに本発明によれば通路の端部には小孔
が存在するのでパティキュレートフィルタ内に堆積して
いる微粒子やアッシュの量が多くなるとパティキュレー
トフィルタに新たに到来する微粒子やアッシュはこの小
孔を介してパティキュレートフィルタから排出される。
したがってこのことからもパティキュレートフィルタの
圧損は低い値に維持される。
が存在するのでパティキュレートフィルタ内に堆積して
いる微粒子やアッシュの量が多くなるとパティキュレー
トフィルタに新たに到来する微粒子やアッシュはこの小
孔を介してパティキュレートフィルタから排出される。
したがってこのことからもパティキュレートフィルタの
圧損は低い値に維持される。
【図１】本発明のパティキュレートフィルタを示す図で
ある。
ある。
【図２】本発明のパティキュレートフィルタの一部を示
す図である。
す図である。
【図３】従来のパティキュレートフィルタを示す図であ
る。
る。
【図４】ハニカム構造体を示す図である。
【図５】型を示す図である。
【図６】微粒子の酸化作用を説明するための図である。
【図７】微粒子の堆積作用を説明するための図である。
【図８】酸化除去可能微粒子量とパティキュレートフィ
ルタの温度との関係を示す図である。
ルタの温度との関係を示す図である。
【図９】第２実施例のパティキュレートフィルタを示す
図である。
図である。
【図１０】第３実施例のパティキュレートフィルタを示
す図である。
す図である。
【図１１】本発明のパティキュレートフィルタを搭載し
た内燃機関を示す図である。
た内燃機関を示す図である。
【図１２】機関の運転を制御するためのフローチャート
である。
である。
２２…パティキュレートフィルタ
５０，５１…排気流通路
５２，５３…テーパ壁
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｆ０２Ｄ 41/04 ３５５ Ｆ０２Ｄ 43/00 ３０１Ｅ ４Ｄ０５８
43/00 ３０１ ３０１Ｔ
45/00 ３１４Ｚ
45/00 ３１４ Ｂ０１Ｄ 46/42 Ｂ
// Ｂ０１Ｄ 46/42 53/36 １０３Ｃ
１０３Ｂ
Ｆターム(参考） 3G084 AA01 AA03 BA05 BA08 BA19
BA20 BA24 DA10 DA27 EA11
EB01 EB04 EB22 FA10 FA33
FA38
3G090 AA02 AA03 BA01 CA01 DA01
DA09 DA13 DA18 DA20 EA05
EA06 EA07
3G301 HA02 HA06 HA11 HA13 JA15
JA24 JB09 LA03 LB11 MA01
MA11 MA18 NA06 NA07 NA08
NB12 NE01 NE06 NE13 NE14
NE15 PA01B PA01Z PA17B
PA17Z PB08B PB08Z PD11B
PD11Z PE01B PE01Z PE03B
PE03Z PE08B PE08Z PF03B
PF03Z
4D019 AA01 BC07 CA01 CB04 CB09
4D048 AA06 AA14 AB01 BA02Y
BA14X BA15Y BA30X BA31Y
BA32Y BA33Y BB02 BB12
BB14 BB16 BB17 BC01 CC27
CC53 CD05 DA01 DA02 DA03
DA06 DA20 EA04
4D058 JA32 JA37 MA44 MA51 SA08
TA06
Claims (14)
- 【請求項１】 排気ガス中の微粒子を捕集するためのパ
ティキュレートフィルタを具備し、該パティキュレート
フィルタが通路を画成する隔壁を有し、該隔壁が予め定
められた平均細孔径の細孔を内包する多孔質の材料から
形成されている排気浄化装置において、上記通路の端部
開口が隔壁の細孔の細孔径よりも大きいが通路の流路断
面積よりも狭い流路断面積を有する小孔となるように隔
壁の端部分が寄せ集められて該端部分同志が部分的に接
続されていることを特徴とする排気浄化装置。 - 【請求項２】 複数の通路を具備し、これら通路のうち
一部の通路においては該通路を画成する隔壁の下流端部
分が寄せ集められて該下流端部分同志が部分的に接続さ
れて該通路の下流端開口が小孔とされ、残りの通路にお
いては該通路を画成する隔壁の上流端部分が寄せ集めら
れて該上流端部分同志が部分的に接続されて上流端開口
が小孔とされていることを特徴とする請求項１に記載の
排気浄化装置。 - 【請求項３】 複数の通路を具備し、これら通路のうち
一部の通路においては該通路を画成する隔壁の下流端部
分が寄せ集められて該下流端部分同志が部分的に接続さ
れて該通路の下流端開口が小孔とされ、残りの通路にお
いては該通路を画成する隔壁の上流端部分が寄せ集めら
れて該上流端部分同志が接続されて該上流端開口が閉塞
されていることを特徴とする請求項１に記載の排気浄化
装置。 - 【請求項４】 複数の通路を具備し、これら通路のうち
一部の通路においては該通路を画成する隔壁の上流端部
分が寄せ集められて該上流端部分同志が部分的に接続さ
れて該通路の上流端開口が小孔とされ、残りの通路にお
いては該通路を画成する隔壁の下流端部分が寄せ集めら
れて該下流端部分同志が接続されて該下流端開口が閉塞
されていることを特徴とする請求項１に記載の排気浄化
装置。 - 【請求項５】 上記隔壁の寄せ集められた上流端部分に
微粒子を酸化することができる酸化物質が担持されてい
ることを特徴とする請求項２〜４のいずれか１つに記載
の排気浄化装置。 - 【請求項６】 微粒子を酸化することができる酸化物質
が隔壁に担持されており、上記隔壁の寄せ集められた上
流端部分に担持されている酸化物質の量が上記隔壁の寄
せ集められた下流端部分に担持されている酸化物質の量
よりも多いことを特徴とする請求項２〜４のいずれか１
つに記載の排気浄化装置。 - 【請求項７】 上記隔壁の寄せ集められた端部分の壁面
のうち上流側の壁面に担持された酸化物質の量が下流側
の壁面に担持された酸化物質の量よりも多いことを特徴
とする請求項５または６に記載の排気浄化装置。 - 【請求項８】 パティキュレートフィルタの温度を上昇
するための処理を実行するように構成されていることを
特徴とする請求項５〜７のいずれか１つに記載の排気浄
化装置。 - 【請求項９】 周囲に過剰酸素が存在するとＮＯXを取
り込んで該ＮＯXを保持し且つ周囲の酸素濃度が低下す
ると保持しているＮＯXを放出するＮＯX吸放出剤をパテ
ィキュレートフィルタ上に担持することを特徴とする請
求項５または６に記載の排気浄化装置。 - 【請求項１０】 パティキュレートフィルタ上に貴金属
触媒を担持したことを特徴とする請求項５または６に記
載の排気浄化装置。 - 【請求項１１】 上記酸化物質が周囲に過剰酸素が存在
すると酸素を取り込んで酸素を保持し且つ周囲の酸素濃
度が低下すると保持している酸素を活性酸素の形で放出
する活性酸素放出剤であり、該活性酸素放出剤がパティ
キュレートフィルタ上に微粒子が付着したときに活性酸
素を放出させ、放出された活性酸素によりパティキュレ
ートフィルタ上に付着した微粒子を酸化するようにした
ことを特徴とする請求項１０に記載の排気浄化装置。 - 【請求項１２】 上記活性酸素放出剤がアルカリ金属ま
たはアルカリ土類金属または希土類または遷移金属から
なることを特徴とする請求項１１に記載の排気浄化装
置。 - 【請求項１３】 上記アルカリ金属およびアルカリ土類
金属がカルシウムよりもイオン化傾向の高い金属からな
ることを特徴とする請求項１２に記載の排気浄化装置。 - 【請求項１４】 排気ガスの一部または全体の空燃比を
一時的にリッチにすることによりパティキュレートフィ
ルタ上に付着した微粒子を酸化させるようにしたことを
特徴とする請求項１１に記載の排気浄化装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001241116A JP3826265B2 (ja) | 2001-08-08 | 2001-08-08 | 排気浄化装置 |
| PCT/JP2002/008142 WO2003014539A1 (en) | 2001-08-08 | 2002-08-08 | An exhaust gas purification device |
| US10/333,414 US6898930B2 (en) | 2001-08-08 | 2002-08-08 | Exhaust gas purification device |
| EP02755884A EP1415072B1 (en) | 2001-08-08 | 2002-08-08 | An exhaust gas purification device |
| CNB028023676A CN1285829C (zh) | 2001-08-08 | 2002-08-08 | 一种废气净化装置 |
| KR10-2003-7004635A KR100518112B1 (ko) | 2001-08-08 | 2002-08-08 | 배기가스 정화장치 |
| DE60216774T DE60216774T2 (de) | 2001-08-08 | 2002-08-08 | Abgasreinigungsvorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001241116A JP3826265B2 (ja) | 2001-08-08 | 2001-08-08 | 排気浄化装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003049627A true JP2003049627A (ja) | 2003-02-21 |
| JP3826265B2 JP3826265B2 (ja) | 2006-09-27 |
Family
ID=19071620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004111398A1 (ja) * | 2003-06-05 | 2004-12-23 | Ibiden Co., Ltd. | ハニカム構造体 |
| US7285214B2 (en) | 2003-04-21 | 2007-10-23 | Ngk Insulators, Ltd. | Honeycomb structure and method of manufacturing the same |
| US7316722B2 (en) | 2002-09-13 | 2008-01-08 | Ibiden Co., Ltd. | Honeycomb structure |
| US7326270B2 (en) | 2002-09-13 | 2008-02-05 | Ibiden Co., Ltd. | Filter |
| JP2009154148A (ja) * | 2007-12-03 | 2009-07-16 | Ngk Insulators Ltd | ハニカム構造体、ハニカム触媒体、及びその製造方法 |
| JP2010209744A (ja) * | 2009-03-09 | 2010-09-24 | Toyota Motor Corp | 排ガス浄化装置 |
| US8361592B2 (en) | 2007-12-03 | 2013-01-29 | Ngk Insulators, Ltd. | Honeycomb structure, honeycomb catalytic body and manufacturing method of the same |
-
2001
- 2001-08-08 JP JP2001241116A patent/JP3826265B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7316722B2 (en) | 2002-09-13 | 2008-01-08 | Ibiden Co., Ltd. | Honeycomb structure |
| US7326270B2 (en) | 2002-09-13 | 2008-02-05 | Ibiden Co., Ltd. | Filter |
| US7766991B2 (en) | 2002-09-13 | 2010-08-03 | Ibiden Co., Ltd. | Honeycomb structural body |
| US8012234B2 (en) | 2002-09-13 | 2011-09-06 | Ibiden Co., Ltd. | Honeycomb structural body |
| US7285214B2 (en) | 2003-04-21 | 2007-10-23 | Ngk Insulators, Ltd. | Honeycomb structure and method of manufacturing the same |
| WO2004111398A1 (ja) * | 2003-06-05 | 2004-12-23 | Ibiden Co., Ltd. | ハニカム構造体 |
| CN100360768C (zh) * | 2003-06-05 | 2008-01-09 | 揖斐电株式会社 | 蜂窝结构体 |
| US8246710B2 (en) | 2003-06-05 | 2012-08-21 | Ibiden Co., Ltd. | Honeycomb structural body |
| JP2009154148A (ja) * | 2007-12-03 | 2009-07-16 | Ngk Insulators Ltd | ハニカム構造体、ハニカム触媒体、及びその製造方法 |
| US8361592B2 (en) | 2007-12-03 | 2013-01-29 | Ngk Insulators, Ltd. | Honeycomb structure, honeycomb catalytic body and manufacturing method of the same |
| JP2010209744A (ja) * | 2009-03-09 | 2010-09-24 | Toyota Motor Corp | 排ガス浄化装置 |
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| JP3826265B2 (ja) | 2006-09-27 |
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