JP2003045903A - ダイボンド装置 - Google Patents

ダイボンド装置

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JP2003045903A
JP2003045903A JP2001233423A JP2001233423A JP2003045903A JP 2003045903 A JP2003045903 A JP 2003045903A JP 2001233423 A JP2001233423 A JP 2001233423A JP 2001233423 A JP2001233423 A JP 2001233423A JP 2003045903 A JP2003045903 A JP 2003045903A
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solder
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Toshihiko Fujii
俊彦 冨士井
Takashi Ota
隆 太田
Shinichi Sugiura
慎一 杉浦
Toshimasa Akamatsu
敏正 赤松
Katsufumi Morimune
克文 森宗
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Denso Ten Ltd
Original Assignee
Denso Ten Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 簡単な構成でハンダ中における気泡の発生を
抑制することができる。 【解決手段】 ダイボンドされるべき表面にハンダ１２
が配置された第１部材１３と、第１部材１３を予め定め
られた位置に載置する基台部１４と、第１部材１３のダ
イボンドされるべき表面に配置されたハンダ１２を臨み
第１部材１３に対して傾斜して配置される第２部材１５
と、第１部材１３に対して第２部材１５を傾斜させて保
持する傾斜減衰手段１６であって、ハンダ１２が溶融し
た状態で第１部材１３に対する第２部材１５の傾斜角度
θ１を減衰させる傾斜減衰手段１６とを設ける。第１お
よび第２部材１３，１５とハンダ１２とが加熱されてハ
ンダ１２が溶融した状態で、傾斜減衰手段１６が、第１
部材１３に対する第２部材１５の傾斜角度θ１を除除に
減衰しながらダイボンドするので、ハンダ１２中の気泡
の発生を抑制できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、たとえば半導体チ
ップを基板にダイボンドするダイボンド装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】種々の電子機器には、部品として半導体
素子であるチップが搭載されている。チップの動作時、
チップは通電によって発熱し昇温するけれども、チップ
が過度に昇温すると、その動作が不安定になるという問
題がある。この問題を解決するために、チップは放熱板
を兼ねる基板にハンダ付けいわゆるダイボンドされてい
る。チップが基板にダイボンドされることによって、チ
ップの動作時に発生する熱が基板を通して放熱されるの
で、チップの過度の昇温が抑制され、チップの安定動作
が維持される。
【０００３】図１１は、チップ１が基板２にダイボンド
されている状態を簡略化して示す断面図である。チップ
１と基板２とのダイボンドは、一般的に以下のように行
われる。基板２のダイボンドするべき表面に箔状のハン
ダ３を供給し、ハンダ３に関して基板２と反対側にダイ
ボンドするべき表面がハンダ３に接してチップ１が配置
される。すなわちチップ１と基板２との間にハンダ３が
介在するように、チップ１、ハンダ３および基板２が、
この順序で配置される。ハンダ３を介在したチップ１と
基板２とをたとえば熱処理炉内に装入し、ハンダ３の融
点以上の温度に加熱する。ハンダ３が溶融し、チップ１
と基板２との間がハンダ３によって充填された後、チッ
プ１、基板２およびハンダ３を常温まで冷却してダイボ
ンドが完了する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】チップ１と基板２とを
接合しているハンダ３には、熱処理炉内に存在する空気
または雰囲気ガスの巻き込み、またダイボンドされるチ
ップおよび基板から揮発する有機物のガスなどによって
気泡４の発生することがある。ハンダ３中に形成されて
いる気泡４部分は空所であるので、ハンダ４に比べて熱
伝導率が著しく低い。図１１中の複数のジグザグライン
５は、動作時のチップ１において発生する熱が、ハンダ
３および基板２を通り放熱される状態を模式的に示す。
チップ１で発生した熱は、ジグザグライン５で示すよう
に基板２に向って伝導するけれども、熱伝導率の低い気
泡４部分ではほとんど伝導されない。したがって、チッ
プ１において発生した熱は、ハンダ３中に気泡４が存在
すると気泡４部分において熱伝導が著しく低下するの
で、基板２への円滑な熱伝導が妨げられチップ１が不所
望に昇温する。
【０００５】またハンダ３中に気泡４が存在すると、チ
ップ１と基板２との接合面積が減少するので、チップ１
の動作時および非動作時における昇温と冷却との繰返し
によって生じる熱応力を受けて、接合面の劣化が促進さ
れる。このようなことから、チップ１と基板２とをダイ
ボンドする際におけるハンダ３中の気泡４の発生は抑制
されなければならない。
【０００６】ダイボンドする際におけるハンダ中の気泡
発生を抑制する先行技術として、たとえばハンダを溶融
および凝固させる熱処理炉の温度プロファイルを制御す
る方法がある。熱処理炉の温度プロファイルを制御する
ことによって、ハンダの溶融および凝固時にハンダ中か
ら気泡形成の原因となるガスを充分に除去し、気泡の形
成を抑制するものである。しかしながら、温度プロファ
イルを制御する方法では、気泡の発生を抑制する顕著な
効果が得られず、温度プロファイルがチップおよび基板
の種類によって変化し、またダイボンドを完了するまで
に長時間を要して能率が低下するなどの問題がある。
【０００７】また気泡の生成を抑制する他の先行技術と
して、たとえば特開平５−２８３４４９公報には、ハン
ダを再溶融し再溶融時にハンダに超音波振動を付加して
ハンダ中の気泡を除去する技術が開示されている。しか
しながら、この先行技術では、一度ダイボンドしたもの
を再溶融するので、工程が増加し生産能率が低下する問
題があり、また超音波振動を付加する装置が必要とされ
るので、装置が大型化かつ複雑になるという問題もあ
る。
【０００８】さらに気泡の生成を抑制する他の先行技術
として、たとえば特開昭６３−７６４６１公報および特
開平２−１６１７３６公報には、基板に溝または孔を形
成し、基板に形成された溝または孔を通じて気泡生成の
原因となるガスを逃がし、気泡の生成を抑制する技術が
開示されている。しかしながら、これらの先行技術で
は、基板に溝または孔が形成されるので、基板の強度が
低下するという問題があり、また基板を予め加工しなけ
ればならないので、作業工程が増加し生産能率が低下す
るという問題がある。
【０００９】本発明の目的は、簡単な構成でハンダ中に
おける気泡の発生を抑制することができるダイボンド装
置を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、熱処理炉中で
加熱される少なくとも２つの部材をダイボンドするダイ
ボンド装置において、ダイボンドされるべき表面にハン
ダが配置された第１部材と、第１部材を予め定められた
位置に載置する基台部と、第１部材のダイボンドされる
べき表面に配置されたハンダを臨み第１部材に対して傾
斜して配置される第２部材と、第１部材に対して第２部
材を傾斜させて保持する傾斜減衰手段であって、ハンダ
が溶融した状態で第１部材に対する第２部材の傾斜角度
を減衰させる傾斜減衰手段とを含むことを特徴とするダ
イボンド装置である。
【００１１】本発明に従えば、第１部材と第２部材とを
ダイボンドするダイボンド装置は、ハンダが未溶融の状
態では第１部材に対して第２部材を傾斜させて保持し、
ハンダが溶融した状態で第１部材に対する第２部材の傾
斜角度を減衰させて第２部材と第１部材とをダイボンド
する傾斜減衰手段とを含むように構成される。このこと
によって、溶融したハンダは、一方の端部から他方の端
部へ向い第２部材によって順次圧せられながら第１部材
と第２部材との間に充填される。したがって、溶融して
いるハンダ中から気泡生成の原因となるガスが除去され
るので、気泡の少ない健全なハンダ付け部を形成するこ
とができる。
【００１２】また本発明は、前記傾斜減衰手段は、ハン
ダの融点を超える融点を有する熱溶融部材によって構成
されることを特徴とする。
【００１３】また本発明は、前記熱溶融部材は、もう１
つのハンダであることを特徴とする。
【００１４】本発明に従えば、傾斜減衰手段は、ハンダ
の融点を超える温度に加熱されたとき溶融する熱溶融部
材、たとえばもう１つのハンダによって構成される。熱
溶融部材は、ハンダの融点以下の温度では固体であるの
で、第２部材を第１部材に対して傾斜して保持すること
ができる。ハンダの融点を超える温度に加熱されること
によって、熱溶融部材は除除に溶融しその形状を変化す
るので、第１部材に対する第２部材の傾斜角度を減衰さ
せることができる。このように、熱溶融部材を設けると
いう簡易な構成で傾斜減衰手段の実現が可能であり、気
泡の少ない健全なハンダ付け部を形成することができ
る。
【００１５】またハンダは、その化学組成を調整するこ
とによって容易に所望の融点を得ることができるので、
ハンダと傾斜減衰手段としてのもう１つのハンダとの融
点を所望の温度にそれぞれ設定することが可能である。
このことによって、ハンダの融点を超える温度に加熱さ
れたとき、もう１つのハンダを溶融させて第１部材に対
する第２部材の傾斜角度を減衰させる機能を確実に発揮
させることができる。
【００１６】また本発明は、前記傾斜減衰手段は、ハン
ダの融点を超える温度に加熱された状態で収縮する特性
を有する熱収縮性部材によって構成されることを特徴と
する。
【００１７】また本発明は、前記傾斜減衰手段は、ハン
ダの融点を超える温度に加熱された状態で昇華する特性
を有する熱昇華性部材によって構成されることを特徴と
する。
【００１８】本発明に従えば、傾斜減衰手段は、熱収縮
性部材または熱昇華性部材によって構成される。熱収縮
性部材および熱昇華性部材は、ハンダの融点以下の温度
では固体でありかつ初期の形状が維持されるので、第２
部材を第１部材に対して傾斜して保持することができ
る。ハンダの融点を超える温度に加熱されることによっ
て、熱収縮性部材は収縮してその体積を減少させ、また
熱昇華性部材は気化してその体積を減少させるので、第
１部材に対する第２部材の傾斜角度を減衰させることが
できる。このように、熱収縮性部材または熱昇華性部材
を設けるという簡易な構成で、第１部材に対する第２部
材の傾斜角度の減衰を実現することが可能であり、気泡
の少ない健全なハンダ付け部を形成することができる。
【００１９】また本発明は、前記傾斜減衰手段は、一端
部が前記第２部材に当接して第２部材を支持する支持部
材と、ハンダが溶融した状態で第２部材に当接する支持
部材の一端部が基台部に対して近接する方向に支持部材
を駆動する駆動手段とを含むことを特徴とする。
【００２０】本発明に従えば、傾斜減衰手段は、第２部
材を支持する支持部材と支持部材を基台部に対して近接
する方向に駆動する駆動手段とを含んで構成される。こ
のように第１部材に対する第２部材の傾斜角度を機械的
な構成によって減衰させるので、同一の傾斜減衰手段を
繰返し使用することが可能であり、また動作の再現を確
実にすることができる。
【００２１】また本発明は、前記傾斜減衰手段は、前記
基台部に設けられ前記第２部材を支持するばね部材と、
ハンダが溶融した状態で第２部材を支持するばね部材の
一端部が基台部に対して近接する方向にばね部材を圧縮
する圧縮手段とを含むことを特徴とする。
【００２２】本発明に従えば、傾斜減衰手段は、第２部
材を支持するばね部材とばね部材を圧縮する圧縮手段と
を含んで構成される。このように第１部材に対する第２
部材の傾斜角度をばね部材と圧縮手段とによって減衰さ
せるので、同一の傾斜減衰手段を繰返し使用することが
可能であり、また動作の再現を確実にすることができ
る。
【００２３】また本発明は、熱処理炉中で加熱される少
なくとも２つの部材をダイボンドするダイボンド装置に
おいて、ダイボンドされるべき表面にハンダが配置され
た第１部材と、第１部材を予め定められた位置に載置す
る基台部と、第１部材のダイボンドされるべき表面に配
置されたハンダを臨み第１部材に対して傾斜して配置さ
れる第２部材と、第２部材を磁力によって吸引する磁気
吸引手段とを含むことを特徴とするダイボンド装置であ
る。
【００２４】本発明に従えば、第２部材を磁力によって
吸引する磁気吸引手段が設けられる。ハンダが溶融した
状態で磁気吸引手段の磁力によって第１部材に対する第
２部材の傾斜角度が減衰される。このように磁気吸引手
段を第２部材の傾斜角度の減衰に繰返し使用することが
可能であり、また動作の再現を確実にすることができ
る。
【００２５】また本発明は、熱処理炉中で加熱される少
なくとも２つの部材をダイボンドするダイボンド装置に
おいて、ダイボンドされるべき表面にハンダが配置され
た第１部材と、第１部材を予め定められた位置に載置す
る基台部と、第１部材のダイボンドされるべき表面に配
置されたハンダを臨み第１部材に対して傾斜して配置さ
れる第２部材と、一端部が第１部材のハンダが配置され
た側の反対側に当接する押上部材と、ハンダが溶融した
状態で第１部材に当接する一端部が基台部から離反する
方向に押上部材を駆動する押上駆動手段とを含むことを
特徴とするダイボンド装置である。
【００２６】本発明に従えば、ダイボンド装置は、一端
部が第１部材に当接する押上部材と、基台部から離反す
る方向に押上部材を駆動する押上駆動手段とを含み、押
上駆動手段によって駆動された押上部材は、第１部材を
第２部材に向って移動させて第１部材と第２部材とをダ
イボンドする。このように機械的な構成によって第１部
材を第２部材に向けて移動させるので、押上部材と押上
駆動手段とを繰返し使用することが可能であり、また動
作の再現を確実にすることができる。
【００２７】また本発明は、熱処理炉中で加熱される少
なくとも２つの部材をダイボンドするダイボンド装置に
おいて、ダイボンドされるべき表面を有する第１部材
と、第１部材のダイボンドされるべき表面に臨み、第１
部材を臨む表面にはハンダを備え第１部材に対して傾斜
して配置される第２部材と、第１部材を予め定められた
位置に載置する基台部であって、第２部材に当接し第１
部材に対する第２部材の傾斜状態を保持するように傾斜
保持部が形成された基台部とを含むことを特徴とするダ
イボンド装置である。
【００２８】本発明に従えば、第１部材を予め定められ
た位置に載置する基台部には、第２部材に当接し第１部
材に対する第２部材の傾斜状態を保持するように傾斜保
持部が形成される。このように、基台部に傾斜保持部を
形成するという簡易な構成で第１部材に対する第２部材
の傾斜保持を実現することが可能である。第２部材のダ
イボンドするべき表面に備わり加熱されて溶融した状態
にあるハンダの濡れ性と表面張力とを利用し、第１部材
を第２部材の側に除除に吸引することによって、ハンダ
中から気泡の原因となるガスを除去することができるの
で、気泡の少ない健全なハンダ付け部を形成することが
できる。
【００２９】また本発明は、熱処理炉中で加熱される少
なくとも２つの部材をダイボンドするダイボンド装置に
おいて、ダイボンドされるべき表面にハンダが配置され
た第１部材と、第１部材のダイボンドされるべき表面に
配置されたハンダを介して第１部材に対向して配置され
る第２部材と、第１部材を予め定められた位置に載置す
る基台部であって、熱処理炉内で加熱された状態で予め
定められた一方向における中央部付近の温度が端部付近
の温度よりも高くなるように温度分布が形成される基台
部とを含むことを特徴とするダイボンド装置である。
【００３０】本発明に従えば、第１部材を予め定められ
た位置に載置する基台部には、熱処理炉内で加熱された
状態で予め定められた一方向における中央部付近の温度
が端部付近の温度よりも高くなるように温度分布が形成
される。このことによって、第１部材のダイボンドされ
るべき表面に配置されたハンダは、温度が高い基台部の
中央部に相当する部位から温度が低い基台部の端部に相
当する部位に向って順次溶融するので、気泡の原因とな
るガスが順次溶融する過程において除去され、気泡の少
ない健全なハンダ付け部が形成される。
【００３１】また本発明は、前記基台部は、前記予め定
められた一方向における中央部付近の厚みが端部付近の
厚み未満に形成されることを特徴とする。
【００３２】本発明に従えば、基台部の予め定める一方
向における中央部付近の厚みが端部付近の厚み未満に形
成される。したがって、基台部の中央部の熱容量が端部
の熱容量よりも小さくなるので、中央部の方が端部より
も早く昇温する。このように、基台部の中央部の厚みを
端部の厚みよりも小さくするという簡易な構成によっ
て、中央部の温度を端部の温度よりも高くする温度分布
を実現することができる。
【００３３】また本発明は、前記基台部の外方には、基
台部の熱伝導率を超える熱伝導率を有する熱伝導部材が
基台部に接して設けられることを特徴とする。
【００３４】本発明に従えば、基台部よりも高い熱伝導
率を有する熱伝導部材が基台部に接して設けられる。熱
伝導部材を通して基台部に伝えられた熱の放散は、基台
部の中央部において少なく端部において大きいので、熱
収支に従って中央部の方が端部よりも早く昇温する。こ
のように、基台部に接して基台部よりも高い熱伝導率を
有する熱伝導部材を設けるという簡単な構成によって、
基台部の中央部の温度を端部の温度よりも高くする温度
分布を実現することができる。
【００３５】
【発明の実施の形態】図１は本発明の実施の一形態であ
るダイボンド装置１０の構成を簡略化して示す概略断面
図であり、図２は図１に示すダイボンド装置１０を装入
して加熱する熱処理炉１１の外観図である。
【００３６】ダイボンド装置１０は、ダイボンドされる
べき表面にハンダ１２が配置された第１部材１３と、第
１部材１３を予め定められた位置に載置する基台部１４
と、第１部材１３のダイボンドされるべき表面に配置さ
れたハンダ１２を臨み第１部材１３に対して傾斜して配
置される第２部材１５と、第１部材１３に対して第２部
材１５を傾斜させて保持する傾斜減衰手段１６であっ
て、ハンダ１２が溶融した状態で第１部材１３に対する
第２部材１５の傾斜角度θ１を減衰させる傾斜減衰手段
１６とを含む。
【００３７】第１部材１３は、半導体素子からなるチッ
プ（以後、第１部材１３をチップと呼ぶ）であり、略直
方体形状を有する。第２部材１５は、基板（以後、第２
部材１５を基板と呼ぶ）であり、鉄合金製の平板に部分
的に銅めっきが施されている。なお基板１５の素材は、
鉄合金製に限定されることなく、銅またはモリブデンな
どが用いられてもよい。ハンダ１２は、錫５０％，残部
鉛、すなわち略鉛：５０％，錫：５０％の組成からな
り、その融点は２１５℃であり、厚みが１００μｍの箔
状のものを使用した。
【００３８】基台部１４は、いわゆるトレーであり、カ
ーボンを素材として形成され、略直方体の形状を有する
基台本体１７および基台本体１７の周縁部において基台
本体１７から垂直に立上がる側面板１８とによって構成
される。基台本体１７の側面板１８が立上がる側の表面
１９（以後、基台本体上面１９と呼ぶ）には、ダイボン
ドされるチップ１３と基板１５との相対的な関係におい
て予め定まる位置に、チップ１３を収容することができ
る第１凹所２０が形成される。
【００３９】基台部１４の第１凹所２０に収容されるよ
うにチップ１３が載置され、チップ１３のダイボンドさ
れるべき表面に箔状の前記ハンダ１２が配置される。ハ
ンダ１２に関してチップ１３と反対側に基板１５が配置
される。基板１５は、チップ１３の上に配置されたハン
ダ１２と、基台本体上面１９に配置される傾斜減衰手段
１６とによって支持される。このとき基板１５は、チッ
プ１３およびチップ１３の上に配置されたハンダ１２に
対して、角度θ１を有するように傾斜した状態で配置さ
れる。
【００４０】本実施の形態では、傾斜減衰部材１６はも
う１つのハンダである。もう１つのハンダ１６は、錫１
０％，残部鉛、すなわち略鉛：９０％，錫：１０％の組
成からなり、その融点は２９９℃であり、前記ハンダ１
２よりも融点が８４℃高い特徴を有する。さらにもう１
つのハンダ１６は、寸法特に高さｈ１に特徴を有する。
もう１つのハンダ１６の高さｈ１は、チップ１３上に配
置されたハンダ１２に臨んで配置される基板１５のハン
ダ１２ひいてはチップ１３に対する傾斜角度がθ１にな
るように選択され、このことによって基板１５をチップ
１２に対して傾斜させて保持する状態が実現される。
【００４１】前述のように基台部１４上に配置されたチ
ップ１３、ハンダ１２、基板１５およびもう１つのハン
ダ１６が、熱処理炉１１に装入され、熱処理炉１１によ
って加熱されてハンダ１２が溶融しチップ１３と基板１
５とがダイボンドされる。
【００４２】図２に戻って熱処理炉１１の概要について
説明する。図２（ａ）には熱処理炉１１の平面図を示
し、図２（ｂ）には熱処理炉１１の正面図を示す。熱処
理炉１１はリフロー炉であり、炉体２１と、搬送手段２
２と、制御部２３とを備える。炉体２１は、大略直方体
の中空容器であり、その内部にはエレマなどの発熱体に
よって構成される加熱帯が備わる。炉体２１の一端部２
４には、前述のチップ１３および基板１５などの配置さ
れた基台部１４を炉体２１内に装入する装入口２５が形
成され、炉体２１の他端部２６には、前記基台部１４を
排出する排出口２７が形成される。前記加熱帯は、大略
第１〜第３ゾーン３２，３３，３４に区分され、装入口
２５から排出口２７に向ってこの順序で炉体２１内に設
けられている。
【００４３】炉体２１内は、窒素と水素との混合ガス雰
囲気に保たれ、ダイボンドされるチップ１３、基板１５
およびハンダ１２が酸化されることを防止する。前記基
台部１４を装入および排出する際に、大気が炉体２１内
に侵入することを防止するために、装入口２５および排
出口２７の炉体２１内側には、窒素ガスカーテンが設け
られる。炉体２１内の雰囲気ガスに水素ガスを使用する
ので、炉体２１には安全弁である第１および第２バーン
オフ２８，２９が設けられる。また炉体２１には、第１
および第２排気孔３０，３１が形成されており、炉体２
１内の雰囲気ガスをファンによって強制排気することが
できる構成である。
【００４４】搬送手段２２はコンベアからなり、炉体２
１を長手方向に挿通するように設けられる。搬送手段２
２は、装入口２５から装入されるチップ１３および基板
１５などの配置された基台部１４を搭載し、炉体２１に
備わる加熱帯を通って排出口２７まで搬送する。
【００４５】制御部２３は、炉体２１の他端部２６付近
に炉体２１に併設される。制御部２３には、炉温、加熱
帯の昇温および降温プロファイルおよび搬送手段２２の
搬送速度などを制御する回路と制御パネルとが設けら
れ、作業者は制御パネルを通じてダイボンドの条件を制
御する。
【００４６】前述のようにチップ１３、基板１５、ハン
ダ１２およびもう１つのハンダ１６が配置された基台部
１４を、熱処理炉１１によって加熱し、チップ１３と基
板１５とをダイボンドする動作について説明する。
【００４７】炉体２１に備わる加熱帯の温度は、次のよ
うに設定される。装入口２５に近い第１ゾーン３２はハ
ンダ１２の融点直上の温度たとえば２３５℃に設定さ
れ、排出口２７に近い第３ゾーン３４はハンダ１２の融
点未満の温度たとえば２５℃に設定され、中央部である
第２ゾーン３３は、もう１つのハンダ１６の融点以上の
温度たとえば３２０℃に設定される。
【００４８】チップ１３、ハンダ１２、基板１５および
もう１つのハンダ１６が配置された基台部１４を装入口
２５から炉体２１内に装入し、搬送手段２２によって炉
体２１に備わる加熱帯の中を搬送する。まず第１ゾーン
３２においてハンダ１２の融点以上の温度まで加熱され
ると、チップ１３上に配置されたハンダ１２が溶融す
る。さらに設定温度の高い第２ゾーン３３まで搬送され
ると、もう１つのハンダ１６の融点以上の温度に加熱さ
れるので、もう１つのハンダ１６が溶融し始める。
【００４９】もう１つのハンダ１６は、固体状態で基板
１５をチップ１３に対して傾斜させて保持しているけれ
ども、溶融が進行するにともなってその高さｈ１を除除
に減ずるので、基板１５のチップ１３に対する傾斜角度
θ１は除除に減衰する。このとき溶融したハンダ１２
は、一端部３５から他端部３６へ向い基板１５によって
順次圧せられながらチップ１３と基板１５との間に充填
されるので、溶融しているハンダ１２中から気泡生成の
原因となるガスが除去され、気泡の少ない健全なハンダ
付け部が形成される。なお基板１５のチップ１３に対す
る傾斜角度θ１の減衰は、もう１つのハンダ１６が溶融
を終えて、基板１５とチップ１３とが平行すなわち傾斜
角度θ１が零度になった状態で停止する。
【００５０】チップ１３、ハンダ１２および基板１５等
を配置した基台部１４が第３ゾーン３４まで搬送される
と、第３ゾーン３４の設定温度がハンダ１２の融点未満
であるので、チップ１３と基板１５との間で溶融してい
たハンダ１２が凝固する。さらに排出口２７から炉体２
１の外まで搬送されて、チップ１３と基板１５とのダイ
ボンドが完了する。
【００５１】本実施の形態では傾斜減衰手段１６はもう
１つのハンダであるけれども、もう１つのハンダ１６に
代えて、熱収縮性部材であってもよく、また熱昇華性部
材であってもよい。熱収縮性部材は、たとえばフッ素樹
脂であるテトラフルオロエチレンとペルフルオロアルキ
ルビニルエーテルとの共重合体（ＰＦＡ）またはポリテ
トラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）などによって実現さ
れる。ハンダ１２の融点以上の温度に加熱されることに
よって、熱収縮性部材は熱収縮してその体積を減じ、熱
昇華性部材は気化することによって体積を減ずるので、
基板１５のチップ１３に対する傾斜角度θ１を除除に減
衰させることができる。
【００５２】図３は、本発明の第２の実施形態であるダ
イボンド装置４０の構成を簡略化して示す概略断面図で
ある。本実施の形態のダイボンド装置４０は、実施の第
１形態のダイボンド装置１０に類似し、対応する部分に
は同一の参照符号を付して説明を省略する。本実施の形
態の傾斜減衰手段４１は、一端部４２が基板１５に当接
して基板１５を支持する支持部材４３と、ハンダ１２が
溶融した状態で基板１５に当接する支持部材４３の一端
部４２が基台部１４に対して近接する方向に支持部材４
３を駆動する駆動手段４４とを含む。
【００５３】支持部材４３は、一端部４２が半球状に形
成された金属製の棒状部材であり、前記一端部４２の反
対側の他端部が駆動手段４４に固着される。駆動手段４
４は、熱膨張率の大きい高膨張合金４５と高膨張合金４
５よりも熱膨張率の小さい低膨張合金４６とを貼合わせ
たバイメタルである。バイメタル４４は、低膨張合金４
６の側に曲率を有するように湾曲して形成される。バイ
メタル４４の一端部４７付近の高膨張合金４５側に前記
支持部材４３が固着される。バイメタル４４は、基台本
体１７に形成される第２凹所３９内に曲率を有する側が
基台本体１７を臨むように配置されて、他端部４８がね
じ部材４９によって基台本体１７に装着される。
【００５４】熱処理炉１１によって加熱されるとき、高
膨張合金４５の熱膨張率が低膨張合金４６の熱膨張率よ
りも大きいので、バイメタル４４は曲率が小さくなるよ
うに変形し、支持部材４３は基台本体１７に近接する方
向に駆動される。ハンダ１２の融点を超える温度に加熱
されハンダ１２が溶融した状態で、支持部材４３の一端
部４２が、ハンダ１２の基板１５を臨む表面よりも下方
の位置まで移動できるように、高膨張合金４５および低
膨張合金４６の熱膨張率をそれぞれ設定することによっ
て、ハンダ１２が溶融した状態で基板１５のチップ１３
に対する傾斜角度θ１を減衰させることができる。この
ようにチップ１３に対する基板１５の傾斜角度θ１を機
械的な構成によって減衰させるので、同一の傾斜減衰手
段４１を繰返し使用することが可能であり、また動作の
再現を確実にすることができる。
【００５５】図４は、本発明の第３の実施形態であるダ
イボンド装置５０の構成を簡略化して示す概略断面図で
ある。本実施の形態のダイボンド装置５０は、実施の第
１形態のダイボンド装置１０に類似し、対応する部分に
は同一の参照符号を付して説明を省略する。本実施の形
態の傾斜減衰手段５１は、基台部１４に設けられ基板１
５を支持するばね部材５２と、ハンダ１２が溶融した状
態で基板１５を支持するばね部材５２の一端部６３が基
台部１４に対して近接する方向にばね部材５２を圧縮す
る圧縮手段５３とを含む。
【００５６】ばね部材５２は、金属製のコイルばねであ
り、基台本体上表面１９に設けられる保持板５５の上に
基台本体上面１９に垂直な方向に軸線を有するように設
けられ、基板１５を保持する。圧縮手段５３は、ラック
部材５６と、マイクロモータ５７と、マイクロモータの
出力軸に装着される平歯車５８と、マイクロモータ５７
に電力を供給する電源５９と、温度センサ６０と、制御
回路６１とを含んで構成される。
【００５７】ラック部材５６は、金属製であり、一端部
に半球状の支持片６２が形成され、他端部にはラックの
形成された大略棒状の部材である。ラック部材５６は、
コイル状のばね部材５２の内方を挿通し、一端部はばね
部材５６に支持片６２で保持され、ラックの形成された
他端部は、基台本体１７に形成される第３凹所５４内に
位置する。なお支持片６２は基板１５に当接し、ばね部
材５６とともに基板１５をチップ１３に対して傾斜させ
て支持する。
【００５８】ラック部材５６の他端部が位置する第３凹
所５４内には、前記マイクロモータ５７が設けられる。
マイクロモータ５７の出力軸に装着される平歯車５８と
ラック部材５６の他端部付近に形成されるラックとが噛
合するように設けられ、このことによってマイクロモー
タ５７の回転駆動力がラック部材５６の直線運動に変換
される。
【００５９】温度センサ６０は、たとえば熱電対によっ
て実現される温度計であり、基台部１４に装着されて熱
処理時の温度を検出する。温度センサ６０の検出出力
は、制御回路６１に入力される。基台部１４の温度がハ
ンダ１２の融点に達したとき、温度センサ６０の検出出
力に応答し、制御回路６１は電源５９に対してマイクロ
モータ５７への電力供給の指示を出力する。制御回路６
１の出力に応答し、電源５９はマイクロモータ５７への
電力供給を開始するので、平歯車５８が回転駆動し、ラ
ック部材５６は図４の紙面下方に移動する。ラック部材
５６の移動によって、ばね部材５２は、基板１５を支持
するばね部材５２の一端部６３が支持片６２に押圧され
基台本体１７に対して近接する方向に圧縮される。この
ようにしてハンダ１２が溶融した状態で、チップ１３に
対する基板１５の傾斜角度θ１を減衰させることができ
る。ここで制御回路６１および電源５９は、熱処理炉１
１の制御部２３に設けられてもよく、また熱処理炉１１
とは別の装置として設けられてもよい。
【００６０】本実施の形態では、温度センサ６０を設け
ることによってマイクロモータ５７の駆動を制御する構
成であるけれども、温度センサ６０に代えてタイマを設
け、チップ１３、ハンダ１２および基板１５等が、装入
口２５から炉体２１内に装入されてからの経過時間に基
づいてマイクロモータ５７を駆動制御する構成であって
もよい。
【００６１】図５は、本発明の第４の実施形態であるダ
イボンド装置６５の構成を簡略化して示す概略断面図で
ある。本実施の形態のダイボンド装置６５は、実施の第
３形態のダイボンド装置５０に類似し、対応する部分に
は同一の参照符号を付して説明を省略する。注目すべき
は本実施の形態のダイボンド装置６５は、基板１５を磁
力によって吸引する磁気吸引手段６６を備えることであ
る。磁気吸引手段６６は、コア部材６７と、コア部材６
７の外方に配置される励磁コイル６８と、励磁コイル６
８に電力を供給する電源５９と、温度センサ６０と、制
御回路６１とを含んで構成される。
【００６２】コア部材６７は、円柱状の形状を有し、た
とえばフェライトなどの強磁性材料からなる。コア部材
６７の半径方向外方には、コア部材６７の軸線まわりに
導線が巻きまわされて励磁コイル６８が形成される。コ
ア部材６７および励磁コイル６８は、基台本体上面１９
に対して垂直な方向に軸線を有するように基台本体１７
に設けられる。
【００６３】前述の実施の第３形態と同様に、温度セン
サ６０は、たとえば熱電対によって実現される温度計で
あり、基台部１４に装着されて熱処理時の温度を検出す
る。温度センサ６０の検出出力は、制御回路６１に入力
される。基台部１４の温度がハンダ１２の融点に達した
とき、温度センサ６０の検出出力に応答し、制御回路６
１は電源５９に対して励磁コイル６８への通電の指示を
出力する。制御回路６１の出力に応答し、電源５９は励
磁コイル６８への通電を開始するので、励磁コイル６８
によって励磁されたコア部材６７は電磁石となり、その
磁力によって基板１５を吸引する。このようにしてハン
ダ１２が溶融した状態で、チップ１３に対する基板１５
の傾斜角度θ１を減衰させることができる。
【００６４】本実施の形態では、基板１５のチップ１３
に対する傾斜の保持は、基板１５と基板１５の一端部が
接する基台部１４の側面板１８との摩擦力に依っている
けれども、電磁石の磁気吸引力によって容易に圧縮され
るようなばね部材等を、基板１５と基台本体上面１９と
の間に配置することによって前記傾斜を保持してもよ
い。
【００６５】図６は、本発明の第５の実施形態であるダ
イボンド装置７０の構成を簡略化して示す概略断面図で
ある。本実施の形態のダイボンド装置７０は、実施の第
２形態のダイボンド装置４０に類似し、対応する部分に
は同一の参照符号を付して説明を省略する。注目すべき
は本実施の形態のダイボンド装置７０は、一端部７３が
チップ１３のハンダ１２が配置された側の反対側に当接
する押上部材７１と、ハンダ１２が溶融した状態でチッ
プ１３に当接する一端部７３が基台部１４から離反する
方向に押上部材７１を駆動する押上駆動手段７２とを含
むことである。
【００６６】押上部材７１は、一端部７３が半球状に形
成された金属製の棒状部材であり、前記一端部７３の反
対側の他端部が押上駆動手段７２に固着される。押上駆
動手段７２は、熱膨張率の大きい高膨張合金７４と高膨
張合金７４よりも熱膨張率の小さい低膨張合金７５とを
貼合わせたバイメタルである。バイメタル７２は、高膨
張合金７４の側に曲率を有するように湾曲して形成され
る。バイメタル７２の一端部７６の低膨張合金７５側に
押上部材７１が固着される。バイメタル７２およびバイ
メタル７２に固着された押上部材７１は、基台本体１７
の第１凹所２０に連なり基板１５の配される側とは反対
側に形成される第４凹所７８内に設けられる。バイメタ
ル７２は、曲率を有する側が第４凹所７８の底面７９を
臨むように配置され、他端部７７がねじ部材４９によっ
て前記底面７９に装着される。
【００６７】熱処理炉１１によって加熱されるとき、高
膨張合金７４の熱膨張率が低膨張合金７５の熱膨張率よ
りも大きいので、バイメタル７２は曲率が大きくなるよ
うに変形し、押上部材７１は基台部１４から離反する方
向(図６の紙面では上方)に駆動される。ハンダ１２の融
点を超える温度に加熱されハンダ１２が溶融した状態
で、チップ１３上に配置されるハンダ１２の基板１５を
臨む表面の全面が基板１５に接することができる位置ま
でチップ１３を移動できるように、高膨張合金７４およ
び低膨張合金７５の熱膨張率をそれぞれ設定することに
よって、ハンダ１２が溶融した状態で基板１５のチップ
１３に対する傾斜角度θ１を減衰させることができる。
【００６８】図７は、本発明の第６の実施形態であるダ
イボンド装置８０の構成を簡略化して示す概略断面図で
ある。本実施の形態のダイボンド装置８０は、実施の第
１形態のダイボンド装置１０に類似し、対応する部分に
は同一の参照符号を付して説明を省略する。本実施の形
態のダイボンド装置８０は、チップ１３のダイボンドさ
れるべき表面に臨みチップ１３を臨む表面にはハンダ１
２を備えチップ１３に対して傾斜して配置される基板１
５と、チップ１３を予め定められた位置に載置する基台
部８１であって、基板１５に当接しチップ１３に対する
基板１５の傾斜状態を保持するように傾斜保持部８２が
形成された基台部８１とを備える。
【００６９】本実施の形態では、ハンダ１２は基板１５
のダイボンドされるべき表面すなわちチップ１３を臨む
側の表面に配置される。これは基板１５のダイボンドさ
れるべき表面に粘度の高いハンダ付け用フラックスを塗
布し、そのフラックスの高い粘度を利用して箔状のハン
ダ１２を基板１５に貼着することによって実現される。
基台部８１に含まれる基台本体８３には、基台本体８３
の一端部８４付近において、基台本体上面１９から断面
が階段状に隆起した傾斜保持部８２が形成される。傾斜
保持部８２は、基板１５の一端部８５付近に当接し、基
板１５がチップ１３に対して角度θ１で傾斜する状態を
保持する。
【００７０】チップ１３、ハンダ１２、基板１５および
基台部８１が、熱処理炉１１内に装入されて加熱される
とき、基板１５のダイボンドされるべき表面に備わるハ
ンダ１２が溶融し、溶融したハンダ１２はその濡れ性お
よび表面張力によってチップ１３を基板１５の側に吸引
する。チップ１３が基板１５の側に吸引される過程にお
いて、溶融したハンダ１２中から気泡の原因となるガス
が除去される。このように基台部８１に傾斜保持部８２
を形成するという簡易な構成でチップ１３に対する基板
１５の傾斜保持を実現し、気泡の少ない健全なハンダ付
け部を形成することができる。
【００７１】図８は、本発明の第７の実施形態であるダ
イボンド装置９０の構成を簡略化して示す概略断面図で
ある。本実施の形態のダイボンド装置９０は、実施の第
１形態のダイボンド装置１０に類似し、対応する部分に
は同一の参照符号を付して説明を省略する。実施の第１
形態のダイボンド装置１０と比較して注目すべきは、ダ
イボンド装置９０では、チップ１３を予め定められた位
置である第１凹所２０に載置する基台部９１は、熱処理
炉１１内で加熱された状態で予め定められた一方向であ
る断面長手方向における中央部付近の温度が端部付近の
温度よりも高くなるように形成されることである。なお
本実施の形態では、基板１５はチップ１３に対して傾斜
することなく、ハンダ１２を介してチップ１３と基板１
５とはほぼ平行に対向して配置される。
【００７２】基台部９１を構成する略直方体状の基台本
体９２には、第１凹所２０が形成される位置に対応して
基台本体上面１９の反対側に溝部９３が形成される。第
１凹所２０と溝部９３とが形成されることによって、基
台部１４の断面長手方向における中央部付近すなわち第
１凹所２０と溝部９３とが形成される部分の厚みｔ１
は、第１凹所２０および溝部９３が共に形成されていな
い端部付近の厚みｔ２未満すなわちｔ１＜ｔ２となる。
【００７３】チップ１３、ハンダ１２および基板１５を
基台部９１上に配置して熱処理炉１１内に装入して加熱
するとき、基台部９１の中央部付近の厚みｔ１は端部付
近の厚みｔ２よりも薄いので、中央部付近の熱容量が端
部付近の熱容量よりも小さくなり中央部付近の方が端部
付近よりも早く昇温する。第１凹所２０に載置されるチ
ップ１３は、溝部９３が形成される基台本体９２の厚み
がｔ１である薄い部分からの熱伝導によって加熱される
けれども、チップ１３の断面長手方向両端部は、基台本
体９２の厚みがｔ２である厚い部分に接しているので、
厚みが厚い部分からの熱伝導の影響を受けて加熱され
る。
【００７４】したがって、チップ１３の断面長手方向中
央部の方が両端部よりも早く昇温して温度が高くなり温
度差が形成される。チップ１３上に配置されたハンダ１
２もチップ１３と同様の温度分布となり、ハンダ１２は
中央部の方が両端部３５，３６よりも温度が高くなる。
このことによって、ハンダ１２は中央部付近から両端部
３５，３６に向って順次溶融が進行し、ハンダ１２中の
気泡の原因となるガスは、ハンダ１２の溶融の進行にと
もなって中央部から両端部３５，３６に向って移動除去
され、気泡の少ない健全なハンダ付け部が形成される。
【００７５】図９は、本発明の第８の実施形態であるダ
イボンド装置９５の構成を簡略化して示す概略断面図で
ある。本実施の形態のダイボンド装置９５は、実施の第
７形態のダイボンド装置９０に類似し、対応する部分に
は同一の参照符号を付して説明を省略する。ダイボンド
装置９５において注目すべきは、実施の第７形態におけ
る溝部９３に代えて断面形状がアーチ状のアーチ凹部９
７が基台本体９６に形成されることである。実施の第８
形態のダイボンド装置９５の作用は、実施の第７形態の
ダイボンド装置９０と同一であるので説明を省略する。
【００７６】図１０は、本発明の第９の実施形態である
ダイボンド装置１００の構成を簡略化して示す概略断面
図である。本実施の形態のダイボンド装置１００は、実
施の第７形態のダイボンド装置９０に類似し、対応する
部分には同一の参照符号を付して説明を省略する。ダイ
ボンド装置１００において注目すべきは、基台部１４の
外方には、基台部１４の熱伝導率を超える熱伝導率を有
する熱伝導部材１０１が基台部１４に接して設けられる
ことである。
【００７７】熱伝導部材１０１は、たとえば銅合金製の
平板である。熱伝導部材１０１は、カーボンを素材とす
る基台部１４よりも熱伝導率が高く、熱処理炉１１によ
る熱を効率的に基台部１４に伝導することができる。熱
伝導部材１０１を通して基台部１４に伝えられた熱の一
部は、基台部１４から熱処理炉１１の雰囲気中に放散さ
れるけれども、放散される熱量は基台部１４の断面長手
方向中央部において少なく両端部において大きいので、
熱収支に従って中央部の方が端部よりも早く昇温する。
このように、基台部１４に接して基台部１４よりも高い
熱伝導率を有する熱伝導部材１０１を設けるという簡単
な構成によって、基台部１４の中央部の温度を端部の温
度よりも高くする温度分布を実現することができる。
【００７８】基台部１４に形成される温度分布に従っ
て、基台本体１７に載置されるチップ１３およびチップ
１３上に配置されるハンダ１２には、断面長手方向中央
部の温度が両端部の温度よりも高くなる温度分布が形成
される。このことによって、ハンダ１２は中央部付近か
ら両端部３５，３６に向って順次溶融が進行し、ハンダ
１２中の気泡の原因となるガスは、ハンダ１２の溶融の
進行にともなって中央部から両端部３５，３６に向って
移動除去され、気泡の少ない健全なハンダ付け部が形成
される。
【００７９】以上に述べたように、本発明の実施の第１
〜第９形態では、第１および第２部材１３，１５の２つ
の部材をダイボンドする構成であるけれども、これに限
定されることなく、２つを超える数の部材を同時にダイ
ボンドする構成であってもよい。
【００８０】
【発明の効果】本発明によれば、第１部材と第２部材と
をダイボンドするダイボンド装置は、ハンダが未溶融の
状態では第１部材に対して第２部材を傾斜させて保持
し、ハンダが溶融した状態で第１部材に対する第２部材
の傾斜角度を減衰させて第２部材と第１部材とをダイボ
ンドする傾斜減衰手段とを含むように構成される。この
ことによって、溶融したハンダは、一方の端部から他方
の端部へ向い第２部材によって順次圧せられながら第１
部材と第２部材との間に充填される。したがって、溶融
しているハンダ中から気泡生成の原因となるガスが除去
されるので、気泡の少ない健全なハンダ付け部を形成す
ることができる。
【００８１】また本発明によれば、傾斜減衰手段は、ハ
ンダの融点を超える温度に加熱されたとき溶融する熱溶
融部材、好ましくはもう１つのハンダによって構成され
る。熱溶融部材は、ハンダの融点以下の温度では固体で
あるので、第２部材を第１部材に対して傾斜して保持す
ることができる。ハンダの融点を超える温度に加熱され
ることによって、熱溶融部材は除除に溶融しその形状を
変化するので、第１部材に対する第２部材の傾斜角度を
減衰させることができる。このように、熱溶融部材を設
けるという簡易な構成で傾斜減衰手段の実現が可能であ
り、気泡の少ない健全なハンダ付け部を形成することが
できる。
【００８２】またハンダは、その化学組成を調整するこ
とによって容易に所望の融点を得ることができるので、
ハンダと傾斜減衰手段としてのもう１つのハンダとの融
点を所望の温度にそれぞれ設定することが可能である。
このことによって、ハンダの融点を超える温度に加熱さ
れたとき、もう１つのハンダを溶融させて第１部材に対
する第２部材の傾斜角度を減衰させる機能を確実に発揮
させることができる。
【００８３】また本発明によれば、傾斜減衰手段は、熱
収縮性部材または熱昇華性部材によって構成される。熱
収縮性部材および熱昇華性部材は、ハンダの融点以下の
温度では固体でありかつ初期の形状が維持されるので、
第２部材を第１部材に対して傾斜して保持することがで
きる。ハンダの融点を超える温度に加熱されることによ
って、熱収縮性部材は収縮してその体積を減少させ、ま
た熱昇華性部材は気化してその体積を減少させるので、
第１部材に対する第２部材の傾斜角度を減衰させること
ができる。このように、熱収縮性部材または熱昇華性部
材を設けるという簡易な構成で第１部材に対する第２部
材の傾斜角度の減衰を実現することが可能であり、気泡
の少ない健全なハンダ付け部を形成することができる。
【００８４】また本発明によれば、傾斜減衰手段は、第
２部材を支持する支持部材と支持部材を基台部に対して
近接する方向に駆動する駆動手段とを含んで構成され
る。このように第１部材に対する第２部材の傾斜角度を
機械的な構成によって減衰させるので、同一の傾斜減衰
手段を繰返し使用することが可能であり、また動作の再
現を確実にすることができる。
【００８５】また本発明によれば、傾斜減衰手段は、第
２部材を支持するばね部材とばね部材を圧縮する圧縮手
段とを含んで構成される。このように第１部材に対する
第２部材の傾斜角度をばね部材と圧縮手段とによって減
衰させるので、同一の傾斜減衰手段を繰返し使用するこ
とが可能であり、また動作の再現を確実にすることがで
きる。
【００８６】また本発明によれば、第２部材を磁力によ
って吸引する磁気吸引手段が設けられる。ハンダが溶融
した状態で磁気吸引手段の磁力によって第１部材に対す
る第２部材の傾斜角度が減衰される。このように磁気吸
引手段を第２部材の傾斜角度の減衰に繰返し使用するこ
とが可能であり、また動作の再現を確実にすることがで
きる。
【００８７】また本発明によれば、ダイボンド装置は、
一端部が第１部材に当接する押上部材と、基台部から離
反する方向に押上部材を駆動する押上駆動手段とを含
み、押上駆動手段によって駆動された押上部材は、第１
部材を第２部材に向って移動させて第１部材と第２部材
とをダイボンドする。このように機械的な構成によって
第１部材を第２部材に向けて移動させるので、押上部材
と押上駆動手段とを繰返し使用することが可能であり、
また動作の再現を確実にすることができる。
【００８８】また本発明によれば、第１部材を予め定め
られた位置に載置する基台部には、第２部材に当接し第
１部材に対する第２部材の傾斜状態を保持するように傾
斜保持部が形成される。このように、基台部に傾斜保持
部を形成するという簡易な構成で第１部材に対する第２
部材の傾斜保持を実現することが可能である。第２部材
のダイボンドするべき表面に備わり加熱されて溶融した
状態にあるハンダの濡れ性と表面張力とを利用し、第１
部材を第２部材の側に除除に吸引することによって、ハ
ンダ中から気泡の原因となるガスを除去することができ
るので、気泡の少ない健全なハンダ付け部を形成するこ
とができる。
【００８９】また本発明によれば、第１部材を予め定め
られた位置に載置する基台部には、熱処理炉内で加熱さ
れた状態で予め定められた一方向における中央部付近の
温度が端部付近の温度よりも高くなるように温度分布が
形成される。このことによって、第１部材のダイボンド
されるべき表面に配置されたハンダは、温度が高い基台
部の中央部に相当する部位から温度が低い基台部の端部
に相当する部位に向って順次溶融するので、気泡の原因
となるガスが順次溶融する過程において除去され、気泡
の少ない健全なハンダ付け部が形成される。
【００９０】また本発明によれば、基台部の予め定める
一方向における中央部付近の厚みが端部付近の厚み未満
に形成される。したがって、基台部の中央部の熱容量が
端部の熱容量よりも小さくなるので、中央部の方が端部
よりも早く昇温する。このように、基台部の中央部の厚
みを端部の厚みよりも小さくするという簡易な構成によ
って、中央部の温度を端部の温度よりも高くする温度分
布を実現できる。
【００９１】また本発明によれば、基台部よりも高い熱
伝導率を有する熱伝導部材が基台部に接して設けられ
る。熱伝導部材を通して基台部に伝えられた熱の放散
は、基台部の中央部において少なく端部において大きい
ので、熱収支に従って中央部の方が端部よりも早く昇温
する。このように、基台部に接して基台部よりも高い熱
伝導率を有する熱伝導部材を設けるという簡単な構成に
よって、基台部の中央部の温度を端部の温度よりも高く
する温度分布を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の一形態であるダイボンド装置１
０の構成を簡略化して示す概略断面図である。
【図２】図１に示すダイボンド装置１０を装入して加熱
する熱処理炉１１の外観図である。
【図３】本発明の第２の実施形態であるダイボンド装置
４０の構成を簡略化して示す概略断面図である。
【図４】本発明の第３の実施形態であるダイボンド装置
５０の構成を簡略化して示す概略断面図である。
【図５】本発明の第４の実施形態であるダイボンド装置
６５の構成を簡略化して示す概略断面図である。
【図６】本発明の第５の実施形態であるダイボンド装置
７０の構成を簡略化して示す概略断面図である。
【図７】本発明の第６の実施形態であるダイボンド装置
８０の構成を簡略化して示す概略断面図である。
【図８】本発明の第７の実施形態であるダイボンド装置
９０の構成を簡略化して示す概略断面図である。
【図９】本発明の第８の実施形態であるダイボンド装置
９５の構成を簡略化して示す概略断面図である。
【図１０】本発明の第９の実施形態であるダイボンド装
置１００の構成を簡略化して示す概略断面図である。
【図１１】チップ１が基板２にダイボンドされている状
態を簡略化して示す断面図である。
【符号の説明】
１０ ダイボンド装置 １１ 熱処理炉 １２ ハンダ １３ 第１部材 １４ 基台部 １５ 第２部材 １６ 傾斜減衰手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 杉浦 慎一 兵庫県神戸市兵庫区御所通１丁目２番28号 富士通テン株式会社内 (72)発明者 赤松 敏正 兵庫県神戸市兵庫区御所通１丁目２番28号 富士通テン株式会社内 (72)発明者 森宗 克文 兵庫県神戸市兵庫区御所通１丁目２番28号 富士通テン株式会社内 Ｆターム(参考） 5F047 BA05 BA06 BB16 FA00 FA14

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 熱処理炉中で加熱される少なくとも２つ
    の部材をダイボンドするダイボンド装置において、 ダイボンドされるべき表面にハンダが配置された第１部
    材と、 第１部材を予め定められた位置に載置する基台部と、 第１部材のダイボンドされるべき表面に配置されたハン
    ダを臨み第１部材に対して傾斜して配置される第２部材
    と、 第１部材に対して第２部材を傾斜させて保持する傾斜減
    衰手段であって、ハンダが溶融した状態で第１部材に対
    する第２部材の傾斜角度を減衰させる傾斜減衰手段とを
    含むことを特徴とするダイボンド装置。
  2. 【請求項２】 前記傾斜減衰手段は、 ハンダの融点を超える融点を有する熱溶融部材によって
    構成されることを特徴とする請求項１記載のダイボンド
    装置。
  3. 【請求項３】 前記熱溶融部材は、 もう１つのハンダであることを特徴とする請求項２記載
    のダイボンド装置。
  4. 【請求項４】 前記傾斜減衰手段は、 ハンダの融点を超える温度に加熱された状態で収縮する
    特性を有する熱収縮性部材によって構成されることを特
    徴とする請求項１記載のダイボンド装置。
  5. 【請求項５】 前記傾斜減衰手段は、 ハンダの融点を超える温度に加熱された状態で昇華する
    特性を有する熱昇華性部材によって構成されることを特
    徴とする請求項１記載のダイボンド装置。
  6. 【請求項６】 前記傾斜減衰手段は、 一端部が前記第２部材に当接して第２部材を支持する支
    持部材と、 ハンダが溶融した状態で第２部材に当接する支持部材の
    一端部が基台部に対して近接する方向に支持部材を駆動
    する駆動手段とを含むことを特徴とする請求項１記載の
    ダイボンド装置。
  7. 【請求項７】 前記傾斜減衰手段は、 前記基台部に設けられ前記第２部材を支持するばね部材
    と、 ハンダが溶融した状態で第２部材を支持するばね部材の
    一端部が基台部に対して近接する方向にばね部材を圧縮
    する圧縮手段とを含むことを特徴とする請求項１記載の
    ダイボンド装置。
  8. 【請求項８】 熱処理炉中で加熱される少なくとも２つ
    の部材をダイボンドするダイボンド装置において、 ダイボンドされるべき表面にハンダが配置された第１部
    材と、 第１部材を予め定められた位置に載置する基台部と、 第１部材のダイボンドされるべき表面に配置されたハン
    ダを臨み第１部材に対して傾斜して配置される第２部材
    と、 第２部材を磁力によって吸引する磁気吸引手段とを含む
    ことを特徴とするダイボンド装置。
  9. 【請求項９】 熱処理炉中で加熱される少なくとも２つ
    の部材をダイボンドするダイボンド装置において、 ダイボンドされるべき表面にハンダが配置された第１部
    材と、 第１部材を予め定められた位置に載置する基台部と、 第１部材のダイボンドされるべき表面に配置されたハン
    ダを臨み第１部材に対して傾斜して配置される第２部材
    と、 一端部が第１部材のハンダが配置された側の反対側に当
    接する押上部材と、 ハンダが溶融した状態で第１部材に当接する一端部が基
    台部から離反する方向に押上部材を駆動する押上駆動手
    段とを含むことを特徴とするダイボンド装置。
  10. 【請求項１０】 熱処理炉中で加熱される少なくとも２
    つの部材をダイボンドするダイボンド装置において、 ダイボンドされるべき表面を有する第１部材と、 第１部材のダイボンドされるべき表面に臨み、第１部材
    を臨む表面にはハンダを備え第１部材に対して傾斜して
    配置される第２部材と、 第１部材を予め定められた位置に載置する基台部であっ
    て、第２部材に当接し第１部材に対する第２部材の傾斜
    状態を保持するように傾斜保持部が形成された基台部と
    を含むことを特徴とするダイボンド装置。
  11. 【請求項１１】 熱処理炉中で加熱される少なくとも２
    つの部材をダイボンドするダイボンド装置において、 ダイボンドされるべき表面にハンダが配置された第１部
    材と、 第１部材のダイボンドされるべき表面に配置されたハン
    ダを介して第１部材に対向して配置される第２部材と、 第１部材を予め定められた位置に載置する基台部であっ
    て、熱処理炉内で加熱された状態で予め定められた一方
    向における中央部付近の温度が端部付近の温度よりも高
    くなるように温度分布が形成される基台部とを含むこと
    を特徴とするダイボンド装置。
  12. 【請求項１２】 前記基台部は、 前記予め定められた一方向における中央部付近の厚みが
    端部付近の厚み未満に形成されることを特徴とする請求
    項１１記載のダイボンド装置。
  13. 【請求項１３】 前記基台部の外方には、 基台部の熱伝導率を超える熱伝導率を有する熱伝導部材
    が基台部に接して設けられることを特徴とする請求項１
    １記載のダイボンド装置。
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