JP2003045002A - ロータリートランスを用いた信号伝送装置及び信号再生装置 - Google Patents
ロータリートランスを用いた信号伝送装置及び信号再生装置Info
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- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ロータリートランスを用いた信号伝送装置に
おいて、広帯域化や高転送レート化を図るとともに、そ
のために著しいコストの上昇を伴わないようにする。 【解決手段】 信号伝送装置１において、送信側回路２
と受信側回路３との間にはロータリートランス４が介在
される。当該ロータリートランスの出力段において、イ
ンダクタンス素子Ｌ１、Ｌ２を含む受動素子回路８を当
該トランスに対して並列に接続する。そして、当該回路
のインダクタンス値については、受信側回路３からロー
タリートランス側の回路をみた場合の等価インダクタン
ス値（Ｌ）と同程度かそれ以下に設定して、インピーダ
ンス整合を図る。
おいて、広帯域化や高転送レート化を図るとともに、そ
のために著しいコストの上昇を伴わないようにする。 【解決手段】 信号伝送装置１において、送信側回路２
と受信側回路３との間にはロータリートランス４が介在
される。当該ロータリートランスの出力段において、イ
ンダクタンス素子Ｌ１、Ｌ２を含む受動素子回路８を当
該トランスに対して並列に接続する。そして、当該回路
のインダクタンス値については、受信側回路３からロー
タリートランス側の回路をみた場合の等価インダクタン
ス値（Ｌ）と同程度かそれ以下に設定して、インピーダ
ンス整合を図る。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ロータリートラン
スを用いた信号伝送装置及び信号再生装置において、広
帯域化、高転送レート化を図るための技術に関する。
スを用いた信号伝送装置及び信号再生装置において、広
帯域化、高転送レート化を図るための技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】回転系からの信号を伝送するためにロー
タリートランスを信号伝送手段として用いた装置が知ら
れており、例えば、回転ヘッドを使った磁気記録再生装
置等では、ローター側からの再生信号をステータ側に伝
送する回路に用いられている。当該回路において、磁気
ヘッドのインダクタンスとロータリートランスにより帯
域が制限されるという点に関して、再生アンプをステー
タ側に配置することにより、帯域の改善が図られてい
る。
タリートランスを信号伝送手段として用いた装置が知ら
れており、例えば、回転ヘッドを使った磁気記録再生装
置等では、ローター側からの再生信号をステータ側に伝
送する回路に用いられている。当該回路において、磁気
ヘッドのインダクタンスとロータリートランスにより帯
域が制限されるという点に関して、再生アンプをステー
タ側に配置することにより、帯域の改善が図られてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
回路にあっては、広帯域化や高転送レート化に関して下
記に示す問題がある。
回路にあっては、広帯域化や高転送レート化に関して下
記に示す問題がある。
【０００４】例えば、ＭＲ（磁気抵抗）素子をヘッドに
使用した場合等において、主にロータリートランスのイ
ンダクタンス、結合係数、浮遊容量等、ロータリートラ
ンスに起因して再生の帯域が制限されてしまうという不
都合がある。
使用した場合等において、主にロータリートランスのイ
ンダクタンス、結合係数、浮遊容量等、ロータリートラ
ンスに起因して再生の帯域が制限されてしまうという不
都合がある。
【０００５】ロータリートランスの改善方法としては、
その結合係数を上げること、インダクタンスを小さくす
ること等が挙げられるが、例えば、結合係数を上げるに
は量産時のコストが上昇してしまうといった弊害が問題
となるため、一定の限界がある。
その結合係数を上げること、インダクタンスを小さくす
ること等が挙げられるが、例えば、結合係数を上げるに
は量産時のコストが上昇してしまうといった弊害が問題
となるため、一定の限界がある。
【０００６】そこで、本発明は、ロータリートランスを
用いた信号伝送装置において、広帯域化や高転送レート
化を図るとともに、そのために著しいコストの上昇を伴
わないようにすることを課題とする。
用いた信号伝送装置において、広帯域化や高転送レート
化を図るとともに、そのために著しいコストの上昇を伴
わないようにすることを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記した課題
を解決するために、送信側回路と受信側回路との間に介
在されるロータリートランスの出力段において、インダ
クタンス素子を含む受動素子回路を当該トランスに対し
て並列に接続するとともに、当該回路のインダクタンス
値を、受信側回路からロータリートランス側の回路をみ
た場合の等価インダクタンス値と同程度かそれ以下に設
定したものである。
を解決するために、送信側回路と受信側回路との間に介
在されるロータリートランスの出力段において、インダ
クタンス素子を含む受動素子回路を当該トランスに対し
て並列に接続するとともに、当該回路のインダクタンス
値を、受信側回路からロータリートランス側の回路をみ
た場合の等価インダクタンス値と同程度かそれ以下に設
定したものである。
【０００８】従って、本発明によれば、ロータリートラ
ンスの出力段に、インダクタンス素子を含む受動素子回
路を付設するだけで帯域を改善することができ、そのた
めに著しいコスト上昇を伴うことがない。
ンスの出力段に、インダクタンス素子を含む受動素子回
路を付設するだけで帯域を改善することができ、そのた
めに著しいコスト上昇を伴うことがない。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１は、本発明に係る構成例につ
いて説明するための図であり、信号伝送装置１は、送信
側回路２と受信側回路３とがロータリートランス４を用
いて接続（電磁結合）された構成を有する。
いて説明するための図であり、信号伝送装置１は、送信
側回路２と受信側回路３とがロータリートランス４を用
いて接続（電磁結合）された構成を有する。
【００１０】尚、ロータリートランスを用いた装置とし
ては、例えば、回転ヘッドを使った磁気記録再生装置が
挙げられ、本例では、その信号再生系の回路について要
部を示している。
ては、例えば、回転ヘッドを使った磁気記録再生装置が
挙げられ、本例では、その信号再生系の回路について要
部を示している。
【００１１】送信側回路２を構成する再生ヘッド５及び
再生アンプ６はローター側に設けられており、再生アン
プ６の出力信号がロータリートランス４を介してステー
ター側に設けられた受信側回路３に伝送される構成とな
っている。尚、再生ヘッド５には、例えば、ＭＲ素子、
ＧＭＲ（巨大磁気抵抗）素子等の他、インダクティブヘ
ッド等を用いることができる。また、再生アンプ６は１
次アンプであって、その出力信号がロータリートランス
４への１次入力（巻線４ｐ参照）として送出される。
再生アンプ６はローター側に設けられており、再生アン
プ６の出力信号がロータリートランス４を介してステー
ター側に設けられた受信側回路３に伝送される構成とな
っている。尚、再生ヘッド５には、例えば、ＭＲ素子、
ＧＭＲ（巨大磁気抵抗）素子等の他、インダクティブヘ
ッド等を用いることができる。また、再生アンプ６は１
次アンプであって、その出力信号がロータリートランス
４への１次入力（巻線４ｐ参照）として送出される。
【００１２】ステータ側に設けられた再生アンプ（２次
アンプ）７は受信側回路３の一部を構成するものであ
り、例えば、帯域が数十Ｍ（メガ）乃至百ＭＨｚ程度と
され、その出力信号は「ＯＵＴ」端子から図示しない信
号処理回路に送出される。尚、当該アンプ７の入力段に
示す抵抗「Ｒin」は入力インピーダンスを表している。
アンプ）７は受信側回路３の一部を構成するものであ
り、例えば、帯域が数十Ｍ（メガ）乃至百ＭＨｚ程度と
され、その出力信号は「ＯＵＴ」端子から図示しない信
号処理回路に送出される。尚、当該アンプ７の入力段に
示す抵抗「Ｒin」は入力インピーダンスを表している。
【００１３】ロータリートランス４の出力段と再生アン
プ７との間には、インダクタンス素子（インダクタ）を
含む受動素子回路８が設けられている。そして、当該回
路８はロータリートランス４の２次巻線４ｓ（再生信号
の流れを基準とする。よって、ローター側が１次巻線４
ｐである。）に対して並列に接続されており、そのイン
ダクタンス値については、受信側回路３から、つまり、
ステーター側からロータリートランス側に位置する回路
をみた場合の等価インダクタンス（図に「Ｌ」で示
す。）と同程度か、又はこれ以下の値に設定されてい
る。尚、ロータリートランス４については、Ｔ型等価回
路で近似を行うことができ、再生ヘッド５についてはほ
ぼ等価抵抗に置換できるので、浮遊容量、アンプの出力
インピーダンス等を考慮して回路シミュレーションを行
うことができる。
プ７との間には、インダクタンス素子（インダクタ）を
含む受動素子回路８が設けられている。そして、当該回
路８はロータリートランス４の２次巻線４ｓ（再生信号
の流れを基準とする。よって、ローター側が１次巻線４
ｐである。）に対して並列に接続されており、そのイン
ダクタンス値については、受信側回路３から、つまり、
ステーター側からロータリートランス側に位置する回路
をみた場合の等価インダクタンス（図に「Ｌ」で示
す。）と同程度か、又はこれ以下の値に設定されてい
る。尚、ロータリートランス４については、Ｔ型等価回
路で近似を行うことができ、再生ヘッド５についてはほ
ぼ等価抵抗に置換できるので、浮遊容量、アンプの出力
インピーダンス等を考慮して回路シミュレーションを行
うことができる。
【００１４】受動素子回路８の構成形態については、イ
ンダクタンス素子及び抵抗素子の組み合わせを基本形と
する形態や、インダクタンス素子のみをロータリートラ
ンスに対して並列に接続する形態、あるいは両者を組み
合わせた形態が挙げられ、例えば、下記に示す通りであ
る。
ンダクタンス素子及び抵抗素子の組み合わせを基本形と
する形態や、インダクタンス素子のみをロータリートラ
ンスに対して並列に接続する形態、あるいは両者を組み
合わせた形態が挙げられ、例えば、下記に示す通りであ
る。
【００１５】（Ｉ）インダクタンス素子Ｌ１及び抵抗Ｒ
１を直列接続した回路を用いる形態 （ＩＩ）インダクタンス素子Ｌ２を用いる形態 （ＩＩＩ）インダクタンス素子Ｌ１及び抵抗素子Ｒ１を
直列接続した回路と、当該回路に対して並列に接続され
るインダクタンス素子Ｌ２とを用いる形態。
１を直列接続した回路を用いる形態 （ＩＩ）インダクタンス素子Ｌ２を用いる形態 （ＩＩＩ）インダクタンス素子Ｌ１及び抵抗素子Ｒ１を
直列接続した回路と、当該回路に対して並列に接続され
るインダクタンス素子Ｌ２とを用いる形態。
【００１６】尚、図には、便宜上（Ｉ）乃至（ＩＩＩ）
の形態をまとめて図示しており、従って、（Ｉ）と（Ｉ
Ｉ）を組み合わせた（ＩＩＩ）の形態を示している。
の形態をまとめて図示しており、従って、（Ｉ）と（Ｉ
Ｉ）を組み合わせた（ＩＩＩ）の形態を示している。
【００１７】先ず、形態（Ｉ）については、素子Ｌ１と
Ｒ１とを直列に接続したものを、ロータリートランス４
の出力段に設けた構成であり、図１でＬ２がない場合に
相当する。この場合、素子Ｌ１のインダクタンス値につ
いては、上記等価インダクタンスＬ（再生ヘッドを含
む。）の値と同程度か、又はそれ以下に設定する。イン
ピーダンスマッチングの改善効果により帯域が高域側に
広がるので、従来よりも高い周波数成分まで伝送するこ
とが可能になる。
Ｒ１とを直列に接続したものを、ロータリートランス４
の出力段に設けた構成であり、図１でＬ２がない場合に
相当する。この場合、素子Ｌ１のインダクタンス値につ
いては、上記等価インダクタンスＬ（再生ヘッドを含
む。）の値と同程度か、又はそれ以下に設定する。イン
ピーダンスマッチングの改善効果により帯域が高域側に
広がるので、従来よりも高い周波数成分まで伝送するこ
とが可能になる。
【００１８】尚、図１ではＬ１及びＲ１の直列回路を１
つだけ設けているが、このような直列回路を複数設けて
互いに並列に接続する等、必要に応じて各種の実施態様
が可能である。
つだけ設けているが、このような直列回路を複数設けて
互いに並列に接続する等、必要に応じて各種の実施態様
が可能である。
【００１９】形態（ＩＩ）については、図１において素
子Ｌ２だけを設けた構成であり、形態（Ｉ）に比べて帯
域を広くとることができる反面、伝送効率の悪化がする
ため、Ｌ２のインダクタンスについては、受信側回路３
からみた上記等価インダクタンスＬの損失許容値を考慮
する必要がある。尚、本形態については、例えば、特定
の基本周波数をもった信号（クロック信号等）の伝送を
行う場合に用いることができ、高い特定周波数の信号の
伝送に適している。
子Ｌ２だけを設けた構成であり、形態（Ｉ）に比べて帯
域を広くとることができる反面、伝送効率の悪化がする
ため、Ｌ２のインダクタンスについては、受信側回路３
からみた上記等価インダクタンスＬの損失許容値を考慮
する必要がある。尚、本形態については、例えば、特定
の基本周波数をもった信号（クロック信号等）の伝送を
行う場合に用いることができ、高い特定周波数の信号の
伝送に適している。
【００２０】形態（ＩＩＩ）については、図１に示す通
り、形態（Ｉ）の素子Ｌ１及びＲ１と、形態（ＩＩ）の
Ｌ２とを並列に接続した構成を有しており、各形態の効
果を併せ持っている。
り、形態（Ｉ）の素子Ｌ１及びＲ１と、形態（ＩＩ）の
Ｌ２とを並列に接続した構成を有しており、各形態の効
果を併せ持っている。
【００２１】尚、上記の構成例はあくまで実施上の一例
を示したものに過ぎず、よって、周波数特性の適正化を
図るために、受動素子回路８に対してさらに抵抗等の必
要な素子を接続するといった適宜の変更を加えても良い
ことは勿論である。また、本例では再生アンプ６をロー
ター側に設けた構成とされたが、当該アンプをステータ
ー側に設けた構成等、各種の実施形態に本発明を適用す
ることができる。
を示したものに過ぎず、よって、周波数特性の適正化を
図るために、受動素子回路８に対してさらに抵抗等の必
要な素子を接続するといった適宜の変更を加えても良い
ことは勿論である。また、本例では再生アンプ６をロー
ター側に設けた構成とされたが、当該アンプをステータ
ー側に設けた構成等、各種の実施形態に本発明を適用す
ることができる。
【００２２】図２乃至図４は振幅及び位相特性について
一例を示すものであり、横軸に周波数（単位：ＭＨｚ）
をとり、縦軸には振幅レベル（ｄＢ）及び位相（゜）を
とっている。
一例を示すものであり、横軸に周波数（単位：ＭＨｚ）
をとり、縦軸には振幅レベル（ｄＢ）及び位相（゜）を
とっている。
【００２３】図２は上記形態（Ｉ）に関する特性例を示
したものであり、各グラフ曲線については、ｇａ１乃至
ｇａ３が振幅特性を示し、ｇｐ１乃至ｇｐ３が位相特性
を示しており、下記の通りである。
したものであり、各グラフ曲線については、ｇａ１乃至
ｇａ３が振幅特性を示し、ｇｐ１乃至ｇｐ３が位相特性
を示しており、下記の通りである。
【００２４】・グラフ曲線「ｇａ１」＝Ｌ１のインダク
タンスがロータリートランスに係る上記等価インダクタ
ンスＬよりも小さい場合の振幅特性を示す ・グラフ曲線「ｇａ２」＝Ｌ１のインダクタンスがロー
タリートランスに係る上記等価インダクタンスＬにほぼ
等しい場合の振幅特性を示す ・グラフ曲線「ｇａ３」＝Ｌ１のインダクタンスがロー
タリートランスに係る上記等価インダクタンスＬよりも
大きい場合の振幅特性を示す ・グラフ曲線「ｇｐ１」＝Ｌ１のインダクタンスがロー
タリートランスに係る上記等価インダクタンスＬよりも
小さい場合の位相特性を示しており、グラフ曲線「ｇａ
１」の場合に対応する ・グラフ曲線「ｇｐ２」＝Ｌ１のインダクタンスがロー
タリートランスに係る上記等価インダクタンスＬにほぼ
等しい場合の位相特性を示しており、グラフ曲線「ｇａ
２」の場合に対応する ・グラフ曲線「ｇｐ３」＝Ｌ１のインダクタンスがロー
タリートランスに係る上記等価インダクタンスＬよりも
大きい場合の位相特性を示しており、グラフ曲線「ｇａ
３」の場合に対応する。
タンスがロータリートランスに係る上記等価インダクタ
ンスＬよりも小さい場合の振幅特性を示す ・グラフ曲線「ｇａ２」＝Ｌ１のインダクタンスがロー
タリートランスに係る上記等価インダクタンスＬにほぼ
等しい場合の振幅特性を示す ・グラフ曲線「ｇａ３」＝Ｌ１のインダクタンスがロー
タリートランスに係る上記等価インダクタンスＬよりも
大きい場合の振幅特性を示す ・グラフ曲線「ｇｐ１」＝Ｌ１のインダクタンスがロー
タリートランスに係る上記等価インダクタンスＬよりも
小さい場合の位相特性を示しており、グラフ曲線「ｇａ
１」の場合に対応する ・グラフ曲線「ｇｐ２」＝Ｌ１のインダクタンスがロー
タリートランスに係る上記等価インダクタンスＬにほぼ
等しい場合の位相特性を示しており、グラフ曲線「ｇａ
２」の場合に対応する ・グラフ曲線「ｇｐ３」＝Ｌ１のインダクタンスがロー
タリートランスに係る上記等価インダクタンスＬよりも
大きい場合の位相特性を示しており、グラフ曲線「ｇａ
３」の場合に対応する。
【００２５】図示のようにＬ１のインダクタンスが小さ
くなるに従って振幅のピークが下がり、高域側に帯域が
広がっていくことが分かる。
くなるに従って振幅のピークが下がり、高域側に帯域が
広がっていくことが分かる。
【００２６】図３は上記形態（ＩＩ）に関する特性例を
示したものであり、各グラフ曲線については、ｇａ４乃
至ｇａ６が振幅特性を示し、ｇｐ４乃至ｇｐ６が位相特
性を示しており、下記の通りである。
示したものであり、各グラフ曲線については、ｇａ４乃
至ｇａ６が振幅特性を示し、ｇｐ４乃至ｇｐ６が位相特
性を示しており、下記の通りである。
【００２７】・グラフ曲線「ｇａ４」＝Ｌ２のインダク
タンスがロータリートランスに係る上記等価インダクタ
ンスＬよりも小さい場合の振幅特性を示す ・グラフ曲線「ｇａ５」＝Ｌ２のインダクタンスがロー
タリートランスに係る上記等価インダクタンスＬにほぼ
等しい場合の振幅特性を示す ・グラフ曲線「ｇａ６」＝Ｌ２のインダクタンスがロー
タリートランスに係る上記等価インダクタンスＬよりも
大きい場合の振幅特性を示す ・グラフ曲線「ｇｐ４」＝Ｌ２のインダクタンスがロー
タリートランスに係る上記等価インダクタンスＬよりも
小さい場合の位相特性を示しており、グラフ曲線「ｇａ
４」の場合に対応する ・グラフ曲線「ｇｐ５」＝Ｌ２のインダクタンスがロー
タリートランスに係る上記等価インダクタンスＬにほぼ
等しい場合の位相特性を示しており、グラフ曲線「ｇａ
５」の場合に対応する ・グラフ曲線「ｇｐ６」＝Ｌ２のインダクタンスがロー
タリートランスに係る上記等価インダクタンスＬよりも
大きい場合の位相特性を示しており、グラフ曲線「ｇａ
６」の場合に対応する。
タンスがロータリートランスに係る上記等価インダクタ
ンスＬよりも小さい場合の振幅特性を示す ・グラフ曲線「ｇａ５」＝Ｌ２のインダクタンスがロー
タリートランスに係る上記等価インダクタンスＬにほぼ
等しい場合の振幅特性を示す ・グラフ曲線「ｇａ６」＝Ｌ２のインダクタンスがロー
タリートランスに係る上記等価インダクタンスＬよりも
大きい場合の振幅特性を示す ・グラフ曲線「ｇｐ４」＝Ｌ２のインダクタンスがロー
タリートランスに係る上記等価インダクタンスＬよりも
小さい場合の位相特性を示しており、グラフ曲線「ｇａ
４」の場合に対応する ・グラフ曲線「ｇｐ５」＝Ｌ２のインダクタンスがロー
タリートランスに係る上記等価インダクタンスＬにほぼ
等しい場合の位相特性を示しており、グラフ曲線「ｇａ
５」の場合に対応する ・グラフ曲線「ｇｐ６」＝Ｌ２のインダクタンスがロー
タリートランスに係る上記等価インダクタンスＬよりも
大きい場合の位相特性を示しており、グラフ曲線「ｇａ
６」の場合に対応する。
【００２８】図示のように、振幅についてはＬ２のイン
ダクタンスが小さくなるにつれて、ピークの高さがあま
り変わらないままで高域側にずれていくこと及び位相に
ついてはＬ２のインダクタンスの減少につれて高域側に
移動していくことが分かる。
ダクタンスが小さくなるにつれて、ピークの高さがあま
り変わらないままで高域側にずれていくこと及び位相に
ついてはＬ２のインダクタンスの減少につれて高域側に
移動していくことが分かる。
【００２９】図４は上記形態（ＩＩＩ）に関する特性例
を示したものであり、グラフ曲線ｇａ７が振幅特性を示
し、ｇｐ７が位相特性を示している。尚、本例では、Ｌ
２のインダクタンスが、ロータリートランスに係る等価
インダクタンスＬにほぼ等しくされるとともに、Ｌ１に
ついてはこれよりも小さなインダクタンスとされてい
る。また、振幅のピークが３００ＭＨｚのやや手前に認
められる。
を示したものであり、グラフ曲線ｇａ７が振幅特性を示
し、ｇｐ７が位相特性を示している。尚、本例では、Ｌ
２のインダクタンスが、ロータリートランスに係る等価
インダクタンスＬにほぼ等しくされるとともに、Ｌ１に
ついてはこれよりも小さなインダクタンスとされてい
る。また、振幅のピークが３００ＭＨｚのやや手前に認
められる。
【００３０】図５は上記形態（Ｉ）について出力特性の
一例を、従来例と比較して示したものであり、横軸に周
波数（単位：ＭＨｚ）をとり、縦軸に振幅レベル（単
位：ｄＢ）をとっている。
一例を、従来例と比較して示したものであり、横軸に周
波数（単位：ＭＨｚ）をとり、縦軸に振幅レベル（単
位：ｄＢ）をとっている。
【００３１】図中に実線で示すグラフ曲線Ｇ１乃至Ｇ３
が、Ｌ１のインダクタンスをそれぞれ変化させた場合の
特性を示し、二点鎖線で示すグラフ曲線ｇ１が従来回路
の特性を示している。これらの比較からＧ１乃至Ｇ３に
示される特性が高域側に延びていることが分かる。
が、Ｌ１のインダクタンスをそれぞれ変化させた場合の
特性を示し、二点鎖線で示すグラフ曲線ｇ１が従来回路
の特性を示している。これらの比較からＧ１乃至Ｇ３に
示される特性が高域側に延びていることが分かる。
【００３２】図６は、上記形態（ＩＩＩ）について出力
特性の一例を、従来例と比較して示したものであり、横
軸に周波数（単位：ＭＨｚ）をとり、縦軸に振幅レベル
（単位：ｄＢ）をとっている。
特性の一例を、従来例と比較して示したものであり、横
軸に周波数（単位：ＭＨｚ）をとり、縦軸に振幅レベル
（単位：ｄＢ）をとっている。
【００３３】図中に実線で示すグラフ曲線Ｇ４が本発明
に係る回路の特性を示し、二点鎖線で示すグラフ曲線ｇ
２が従来回路の特性を示しており、両者の比較からＧ４
に示される特性が高域側に延びていることが分かる。
に係る回路の特性を示し、二点鎖線で示すグラフ曲線ｇ
２が従来回路の特性を示しており、両者の比較からＧ４
に示される特性が高域側に延びていることが分かる。
【００３４】
【発明の効果】以上に記載したところから明らかなよう
に、請求項１に係る発明によれば、ロータリートランス
の出力段に、インダクタンス素子を含む受動素子回路を
付設することにより帯域を高域側に広げることで、高い
周波数信号（又は信号成分）の伝送が可能になり、シス
テムの高転送レート化を図ることができる。しかも、そ
のために、ロータリートランスについて、結合係数を大
きくしたり、インダクタンスを小さくするといった必要
がなく、上記した受動素子回路を付加するだけで済むの
で、著しいコスト上昇を伴うことがない。勿論、結合係
数やインダクタンスについての改善を施されたロータリ
ートランスを用いる場合であっても本発明の構成を用い
ることによって、さらに広帯域化等を図ることができる
という利点が得られる。
に、請求項１に係る発明によれば、ロータリートランス
の出力段に、インダクタンス素子を含む受動素子回路を
付設することにより帯域を高域側に広げることで、高い
周波数信号（又は信号成分）の伝送が可能になり、シス
テムの高転送レート化を図ることができる。しかも、そ
のために、ロータリートランスについて、結合係数を大
きくしたり、インダクタンスを小さくするといった必要
がなく、上記した受動素子回路を付加するだけで済むの
で、著しいコスト上昇を伴うことがない。勿論、結合係
数やインダクタンスについての改善を施されたロータリ
ートランスを用いる場合であっても本発明の構成を用い
ることによって、さらに広帯域化等を図ることができる
という利点が得られる。
【００３５】請求項２に係る発明によれば、信号再生装
置に適用することにより、従来よりも高い周波数信号の
伝送が可能になるので、高密度記録等への対応が可能と
なり、また、ロータリートランスによる帯域制限が緩和
されるので、再生系の帯域を高域側に伸ばし、高転送レ
ートでの再生帯域を充分に確保することができ、エラー
レートを改善（誤り率の低減）することができる。
置に適用することにより、従来よりも高い周波数信号の
伝送が可能になるので、高密度記録等への対応が可能と
なり、また、ロータリートランスによる帯域制限が緩和
されるので、再生系の帯域を高域側に伸ばし、高転送レ
ートでの再生帯域を充分に確保することができ、エラー
レートを改善（誤り率の低減）することができる。
【００３６】請求項３や請求項４に係る発明によれば、
ロータリートランスの出力段に設けられる受動素子回路
について、簡単な構成で済む。
ロータリートランスの出力段に設けられる受動素子回路
について、簡単な構成で済む。
【００３７】請求項５や請求項６に係る発明によれば、
帯域の確保と伝送効率の向上について両立化を図ること
ができる。
帯域の確保と伝送効率の向上について両立化を図ること
ができる。
【図１】本発明に係る構成例を示す図である。
【図２】インダクタ及び抵抗を直列接続した回路をロー
タリートランスの出力段に設けた構成について、特性の
一例を示したグラフ図である。
タリートランスの出力段に設けた構成について、特性の
一例を示したグラフ図である。
【図３】インダクタのみをロータリートランスの出力段
に設けた構成について、特性の一例を示したグラフ図で
ある。
に設けた構成について、特性の一例を示したグラフ図で
ある。
【図４】インダクタ及び抵抗を直列接続した回路に対し
て別のインダクタを並列接続した回路をロータリートラ
ンスの出力段に設けた構成について、特性の一例を示し
たグラフ図である。
て別のインダクタを並列接続した回路をロータリートラ
ンスの出力段に設けた構成について、特性の一例を示し
たグラフ図である。
【図５】本発明に係る形態（Ｉ）の回路特性について従
来回路の特性と比較して示すグラフ図である。
来回路の特性と比較して示すグラフ図である。
【図６】本発明に係る形態（ＩＩＩ）の回路特性につい
て従来回路の特性と比較して示すグラフ図である。
て従来回路の特性と比較して示すグラフ図である。
１…信号伝送装置、２…送信側回路、３…受信側回路、
４…ロータリートランス、５…再生ヘッド、６…再生ア
ンプ、８…受動素子回路、Ｌ１、Ｌ２…インダクタンス
素子、Ｌ１…第１のインダクタンス素子、Ｌ２…第２の
インダクタンス素子、Ｒ１…抵抗素子
４…ロータリートランス、５…再生ヘッド、６…再生ア
ンプ、８…受動素子回路、Ｌ１、Ｌ２…インダクタンス
素子、Ｌ１…第１のインダクタンス素子、Ｌ２…第２の
インダクタンス素子、Ｒ１…抵抗素子
Claims (6)
- 【請求項１】 送信側回路と受信側回路とがロータリー
トランスを用いて接続された構成を有する、ロータリー
トランスを用いた信号伝送装置において、 上記ロータリートランスの出力段に、インダクタンス素
子を含む受動素子回路を当該トランスに対して並列に接
続するとともに、当該回路のインダクタンス値を、受信
側回路からロータリートランス側の回路をみた場合の等
価インダクタンス値以下に設定したことを特徴とするロ
ータリートランスを用いた信号伝送装置。 - 【請求項２】 送信側回路と受信側回路とがロータリー
トランスを用いて接続された構成を有するとともに、送
信側回路がローター側に設けられた再生ヘッド又は再生
ヘッド及び再生アンプを備えており、当該送信側回路の
出力信号がロータリートランスを介してステーター側に
設けられた受信側回路に伝送される、ロータリートラン
スを用いた信号再生装置において、 上記ロータリートランスの出力段に、インダクタンス素
子を含む受動素子回路を当該トランスに対して並列に接
続するとともに、当該回路のインダクタンス値を、ステ
ーター側からロータリートランス側の回路をみた場合の
等価インダクタンス値以下に設定したことを特徴とする
ロータリートランスを用いた信号再生装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載したロータリートランス
を用いた信号伝送装置において、 インダクタンス素子又はインダクタンス素子及び抵抗素
子を直列接続した回路を、ロータリートランスの出力側
に並列接続したことを特徴とするロータリートランスを
用いた信号伝送装置。 - 【請求項４】 請求項１に記載したロータリートランス
を用いた信号伝送装置において、 第１のインダクタンス素子及び抵抗素子を直列接続した
回路と当該回路に対して並列に接続された第２のインダ
クタンス素子とからなる受動素子回路を、ロータリート
ランスの出力側に並列接続したことを特徴とするロータ
リートランスを用いた信号伝送装置。 - 【請求項５】 請求項２に記載したロータリートランス
を用いた信号再生装置において、 インダクタンス素子又はインダクタンス素子及び抵抗素
子を直列接続した回路を、ロータリートランスの出力側
に並列接続したことを特徴とするロータリートランスを
用いた信号再生装置。 - 【請求項６】 請求項２に記載したロータリートランス
を用いた信号再生装置において、 第１のインダクタンス素子及び抵抗素子を直列接続した
回路と当該回路に対して並列に接続された第２のインダ
クタンス素子とからなる受動素子回路を、ロータリート
ランスの出力側に並列接続したことを特徴とするロータ
リートランスを用いた信号再生装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001236236A JP2003045002A (ja) | 2001-08-03 | 2001-08-03 | ロータリートランスを用いた信号伝送装置及び信号再生装置 |
| US10/212,361 US6867937B2 (en) | 2001-08-03 | 2002-08-05 | Signal transmission apparatus and signal reproduction apparatus using a rotary transformer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001236236A JP2003045002A (ja) | 2001-08-03 | 2001-08-03 | ロータリートランスを用いた信号伝送装置及び信号再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003045002A true JP2003045002A (ja) | 2003-02-14 |
Family
ID=19067545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001236236A Pending JP2003045002A (ja) | 2001-08-03 | 2001-08-03 | ロータリートランスを用いた信号伝送装置及び信号再生装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6867937B2 (ja) |
| JP (1) | JP2003045002A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59140607A (ja) * | 1983-01-29 | 1984-08-13 | Sony Corp | 記録増幅回路 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61107523A (ja) * | 1984-10-31 | 1986-05-26 | Hitachi Ltd | 回転ドラム装置 |
| DE3642316A1 (de) * | 1986-12-11 | 1988-06-23 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum aufsprechen breitbandiger signale auf magnetische aufzeichnungstraeger, insbesondere auf magnetband, und schaltungsanordnung hierfuer |
| JPH04341901A (ja) * | 1991-05-17 | 1992-11-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ヘッド電流調整装置および磁気記録再生装置 |
| US5455729A (en) * | 1993-08-30 | 1995-10-03 | Conner Peripherals, Inc. | Multi-channel rotating transformer |
| EP0944039B1 (en) * | 1997-10-07 | 2008-10-29 | Sony Corporation | Magnetic recording/reproducing device |
| JP3006565B2 (ja) * | 1997-11-10 | 2000-02-07 | 日本ビクター株式会社 | ディジタル信号記録装置 |
| JP2000322702A (ja) * | 1999-05-13 | 2000-11-24 | Sony Corp | ロータリトランスのギャップ形成方法 |
-
2001
- 2001-08-03 JP JP2001236236A patent/JP2003045002A/ja active Pending
-
2002
- 2002-08-05 US US10/212,361 patent/US6867937B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59140607A (ja) * | 1983-01-29 | 1984-08-13 | Sony Corp | 記録増幅回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030026027A1 (en) | 2003-02-06 |
| US6867937B2 (en) | 2005-03-15 |
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