JP2003041376A - Ｔａｂテープおよびめっき方法 - Google Patents
Ｔａｂテープおよびめっき方法Info
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- JP2003041376A JP2003041376A JP2002140001A JP2002140001A JP2003041376A JP 2003041376 A JP2003041376 A JP 2003041376A JP 2002140001 A JP2002140001 A JP 2002140001A JP 2002140001 A JP2002140001 A JP 2002140001A JP 2003041376 A JP2003041376 A JP 2003041376A
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Abstract
(57)【要約】
【解決手段】本発明のＴＡＢテープは、銅パターンが、
アルカンスルホン酸、ホウフッ化錫、チオ尿素、およ
び、ポリエチレングリコール又はその誘導体を必須成分
とする無電解めっき液で錫めっきがなされていることを
特徴としている。 【効果】本発明のＴＡＢテープは、疑似ウィスカーの発
生が防止されるから、回路のショートが起こりにくい。
アルカンスルホン酸、ホウフッ化錫、チオ尿素、およ
び、ポリエチレングリコール又はその誘導体を必須成分
とする無電解めっき液で錫めっきがなされていることを
特徴としている。 【効果】本発明のＴＡＢテープは、疑似ウィスカーの発
生が防止されるから、回路のショートが起こりにくい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＩＣの実装に際し、疑似
ウィスカーの発生しない無電解めっき液を用いためっき
方法およびＴＡＢテープに関する。
ウィスカーの発生しない無電解めっき液を用いためっき
方法およびＴＡＢテープに関する。
【０００２】
【従来の技術およびその問題点】ＩＣの集積密度の向
上、小型化、高性能化に伴って、これを実装するキャリ
アー、例えばＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープ
やプリント回路配線板の配線密度も極めて高いものが必
要になり、従ってその配線ライン幅やピッチ間隔も極め
て狭いものが必要になっている。一般に、ＩＣを実装す
るには、ワイヤーボンディング法、フリップチップ法、
ＴＡＢテープ法があるが、特にＴＡＢテープにおいて
は、ＩＣのバンプとＴＡＢのインナーリードの接続やア
ウターリードの接続に錫めっきによる方法が採用されて
いる。錫めっきの場合、狭ピッチで最大の問題となるの
がウィスカーの発生であり、数ミクロンメートルの長さ
のウィスカーでさえ、回路ショートの危険性をはらんで
いる。
上、小型化、高性能化に伴って、これを実装するキャリ
アー、例えばＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープ
やプリント回路配線板の配線密度も極めて高いものが必
要になり、従ってその配線ライン幅やピッチ間隔も極め
て狭いものが必要になっている。一般に、ＩＣを実装す
るには、ワイヤーボンディング法、フリップチップ法、
ＴＡＢテープ法があるが、特にＴＡＢテープにおいて
は、ＩＣのバンプとＴＡＢのインナーリードの接続やア
ウターリードの接続に錫めっきによる方法が採用されて
いる。錫めっきの場合、狭ピッチで最大の問題となるの
がウィスカーの発生であり、数ミクロンメートルの長さ
のウィスカーでさえ、回路ショートの危険性をはらんで
いる。
【０００３】錫めっきの代表的方法としては無電解錫め
っき法があり、置換型、還元型等多数の無電解錫めっき
法が提案されているが、ウィスカー防止の観点からは、
特にウィスカーの発生機構が解明されていなかったため
いずれも満足できるものがない状況である。本発明者ら
は、上記したような錫めっき時に問題となるウィスカー
の発生を防止するための研究を鋭意実施し、ウィスカー
の発生過程を追及する中で、ウィスカーには、めっき中
に生成成長しめっき終了後は成長しないものと、めっき
後数日経過した後生成成長するものの２種類が存在する
ことを突きとめた。このうち、めっき中に生成し、成長
するものを疑似ウィスカーと命名し、数日後生成し、成
長する従来から知られているものを真正ウィスカーと命
名した。図１には真正ウィスカー（７０００倍）を、図
２には疑似ウィスカー（２００００倍）の顕微鏡写真を
それぞれ示す。なお、真正ウィスカーはその結晶中に銅
も含まれるが、疑似ウィスカーは純粋な錫からなる。本
発明者らは、それぞれのウィスカーについてその防止策
を研究したが、真正ウィスカーに関しては、めっき直後
高温でアニール処理を施すことによってその生成、成長
を防止することが出来るため、疑似ウィスカーが防止で
きれば、ウィスカー防止対策としては完成するものと考
え、疑似ウィスカーの発生しない錫めっき液を提供する
ことを目的として種々検討を重ねた結果、本発明をなす
に至ったものである。
っき法があり、置換型、還元型等多数の無電解錫めっき
法が提案されているが、ウィスカー防止の観点からは、
特にウィスカーの発生機構が解明されていなかったため
いずれも満足できるものがない状況である。本発明者ら
は、上記したような錫めっき時に問題となるウィスカー
の発生を防止するための研究を鋭意実施し、ウィスカー
の発生過程を追及する中で、ウィスカーには、めっき中
に生成成長しめっき終了後は成長しないものと、めっき
後数日経過した後生成成長するものの２種類が存在する
ことを突きとめた。このうち、めっき中に生成し、成長
するものを疑似ウィスカーと命名し、数日後生成し、成
長する従来から知られているものを真正ウィスカーと命
名した。図１には真正ウィスカー（７０００倍）を、図
２には疑似ウィスカー（２００００倍）の顕微鏡写真を
それぞれ示す。なお、真正ウィスカーはその結晶中に銅
も含まれるが、疑似ウィスカーは純粋な錫からなる。本
発明者らは、それぞれのウィスカーについてその防止策
を研究したが、真正ウィスカーに関しては、めっき直後
高温でアニール処理を施すことによってその生成、成長
を防止することが出来るため、疑似ウィスカーが防止で
きれば、ウィスカー防止対策としては完成するものと考
え、疑似ウィスカーの発生しない錫めっき液を提供する
ことを目的として種々検討を重ねた結果、本発明をなす
に至ったものである。
【０００４】
【問題点を解決するための手段】本発明のＴＡＢテープ
は、銅パターンが、アルカンスルホン酸、ホウフッ化
錫、次亜燐酸塩、チオ尿素、および、ポリエチレングリ
コール又はその誘導体を必須成分とする無電解めっき液
で錫めっきされていることを特徴としている。また、本
発明のめっき方法は、アルカンスルホン酸、ホウフッ化
錫、次亜燐酸塩、チオ尿素、および、ポリエチレングリ
コール又はその誘導体を必須成分とする無電解めっき液
を用いて銅パターンに錫めっきをすることを特徴として
いる。
は、銅パターンが、アルカンスルホン酸、ホウフッ化
錫、次亜燐酸塩、チオ尿素、および、ポリエチレングリ
コール又はその誘導体を必須成分とする無電解めっき液
で錫めっきされていることを特徴としている。また、本
発明のめっき方法は、アルカンスルホン酸、ホウフッ化
錫、次亜燐酸塩、チオ尿素、および、ポリエチレングリ
コール又はその誘導体を必須成分とする無電解めっき液
を用いて銅パターンに錫めっきをすることを特徴として
いる。
【０００５】さらに、本発明では、使用する無電解めっ
き液が、アルカンスルホン酸、ホウフッ化錫、次亜燐酸
塩、チオ尿素、フェノールスルホン酸、および、ポリエ
チレングリコール又はその誘導体を含有するものである
ことが好ましい。疑似ウィスカーの観察から、めっき液
を構成する成分の中で疑似ウィスカーの発生に最も大き
く関与する組成成分は、有機化合物であることを見出し
た。これらの有機化合物の代表的なものはフェノールス
ルホン酸や界面活性剤であり、これに代わって疑似ウィ
スカーの発生に最も影響が少なく、めっき液の特性を向
上させる有機化合物の選定を行なった。その結果、アル
カンスルホン酸及びポリエチレングリコール又はその誘
導体の組合せ、もしくはアルカンスルホン酸、フェノー
ルスルホン酸及びポリエチレングリコール又はその誘導
体の組合せが最も疑似ウィスカーの発生が少なく、めっ
き被膜特性も優れていることを見出した。
き液が、アルカンスルホン酸、ホウフッ化錫、次亜燐酸
塩、チオ尿素、フェノールスルホン酸、および、ポリエ
チレングリコール又はその誘導体を含有するものである
ことが好ましい。疑似ウィスカーの観察から、めっき液
を構成する成分の中で疑似ウィスカーの発生に最も大き
く関与する組成成分は、有機化合物であることを見出し
た。これらの有機化合物の代表的なものはフェノールス
ルホン酸や界面活性剤であり、これに代わって疑似ウィ
スカーの発生に最も影響が少なく、めっき液の特性を向
上させる有機化合物の選定を行なった。その結果、アル
カンスルホン酸及びポリエチレングリコール又はその誘
導体の組合せ、もしくはアルカンスルホン酸、フェノー
ルスルホン酸及びポリエチレングリコール又はその誘導
体の組合せが最も疑似ウィスカーの発生が少なく、めっ
き被膜特性も優れていることを見出した。
【０００６】２価の錫源としては、ホウフッ化錫、硫酸
錫、塩化錫、有機酸錫等多数の錫塩が存在するが、その
中でめっき液が安定（２価の錫が酸化されて４価の錫と
なり、溶解度が小さいため白色沈殿を生じ、液中に懸濁
するが、これが最も少ない）しているのはホウフッ化錫
であった。銅は錫よりも貴であり、一般には置換反応は
起らない。これを可能にするのが錯化剤であり、チオ尿
素がよく知られている。またチオ尿素の再生剤としてフ
ェノールスルホン酸、２価の錫の酸化防止あるいは液の
安定剤として次亜燐酸塩、めっきむらの解消剤として界
面活性剤等が知られている。なお、錫源としてホウフッ
化錫の代わりにアルカンスルホン酸錫を用い、ホウフッ
化錫の代わりにホウフッ酸を用いても良い。
錫、塩化錫、有機酸錫等多数の錫塩が存在するが、その
中でめっき液が安定（２価の錫が酸化されて４価の錫と
なり、溶解度が小さいため白色沈殿を生じ、液中に懸濁
するが、これが最も少ない）しているのはホウフッ化錫
であった。銅は錫よりも貴であり、一般には置換反応は
起らない。これを可能にするのが錯化剤であり、チオ尿
素がよく知られている。またチオ尿素の再生剤としてフ
ェノールスルホン酸、２価の錫の酸化防止あるいは液の
安定剤として次亜燐酸塩、めっきむらの解消剤として界
面活性剤等が知られている。なお、錫源としてホウフッ
化錫の代わりにアルカンスルホン酸錫を用い、ホウフッ
化錫の代わりにホウフッ酸を用いても良い。
【０００７】めっき液中の錫量は、メタル換算でめっき
液１リットル中１０グラムから６０グラムが適当であ
る。１０グラム／リットル以下ではピンホールの多いめ
っき被膜となり、６０グラム／リットル以上では、めっ
き被膜上に粒子状の錫結晶が多数生成し、外観的にもめ
っきむらを生じる。チオ尿素は銅と反応してイオン化傾
向を逆転させる。この量が多すぎる（２４０グラム／リ
ットル以上）と疑似ウィスカーの発生が多くなり、少な
すぎる（８０グラム／リットル以下）とめっき速度が遅
くなり、錫めっき表面に多数の結晶粒を生じ、めっき表
面の平滑性、均一性が無くなる。次亜燐酸塩は錫イオン
の酸化防止に必要であり、多いほど良いが、溶解度に限
界があり、６０℃から７０℃でのめっき液中での溶解度
は５０グラム／リットルから６０グラム／リットルであ
る。疑似ウィスカー発生防止の観点からは、有機化合物
が存在しないほうが良いが、めっき被膜の特性向上には
必須であるので、前述のように有機化合物の中で最も疑
似ウィスカーの発生が少ないのはアルカンスルホン酸と
ポリエチレングリコール又はその誘導体の組合せ、もし
くはアルカンスルホン酸、フェノールスルホン酸及びポ
リエチレングリコール又はその誘導体の組合せである
が、アルカンスルホン酸の量としては、多すぎる（２４
０グラム／リットル以上）場合はめっき液の浸透性が強
くなりすぎて、レジストや糊剤の層間にめっき液が侵入
して製品の品質上の問題を発生しやすくなり、少なすぎ
る（８０グラム／リットル以下）とめっき被膜の特性の
劣化が認められる。アルカンスルホン酸の例としては、
メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホ
ン酸、２−プロパンスルホン酸、ブタンスルホン酸、２
−ブタンスルホン酸、ペンタンスルホン酸、クロルプロ
パンスルホン酸等が挙げられるが、中でもメタンスルホ
ン酸が最も好ましい。
液１リットル中１０グラムから６０グラムが適当であ
る。１０グラム／リットル以下ではピンホールの多いめ
っき被膜となり、６０グラム／リットル以上では、めっ
き被膜上に粒子状の錫結晶が多数生成し、外観的にもめ
っきむらを生じる。チオ尿素は銅と反応してイオン化傾
向を逆転させる。この量が多すぎる（２４０グラム／リ
ットル以上）と疑似ウィスカーの発生が多くなり、少な
すぎる（８０グラム／リットル以下）とめっき速度が遅
くなり、錫めっき表面に多数の結晶粒を生じ、めっき表
面の平滑性、均一性が無くなる。次亜燐酸塩は錫イオン
の酸化防止に必要であり、多いほど良いが、溶解度に限
界があり、６０℃から７０℃でのめっき液中での溶解度
は５０グラム／リットルから６０グラム／リットルであ
る。疑似ウィスカー発生防止の観点からは、有機化合物
が存在しないほうが良いが、めっき被膜の特性向上には
必須であるので、前述のように有機化合物の中で最も疑
似ウィスカーの発生が少ないのはアルカンスルホン酸と
ポリエチレングリコール又はその誘導体の組合せ、もし
くはアルカンスルホン酸、フェノールスルホン酸及びポ
リエチレングリコール又はその誘導体の組合せである
が、アルカンスルホン酸の量としては、多すぎる（２４
０グラム／リットル以上）場合はめっき液の浸透性が強
くなりすぎて、レジストや糊剤の層間にめっき液が侵入
して製品の品質上の問題を発生しやすくなり、少なすぎ
る（８０グラム／リットル以下）とめっき被膜の特性の
劣化が認められる。アルカンスルホン酸の例としては、
メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホ
ン酸、２−プロパンスルホン酸、ブタンスルホン酸、２
−ブタンスルホン酸、ペンタンスルホン酸、クロルプロ
パンスルホン酸等が挙げられるが、中でもメタンスルホ
ン酸が最も好ましい。
【０００８】ポリエチレングリコール又はその誘導体の
量は、少なすぎる（０．１グラム／リットル以下）とめ
っきむらやめっき面の部所による結晶の大きさの差を生
じ、光沢むらやめっき厚の差を生じる。多すぎる（３０
グラム／リットル以上）と疑似ウィスカーの発生が認め
られる。ポリエチレングリコールの分子量は４０００以
下のものに疑似ウィスカーの発生を誘起しない効果が認
められ、分子量が低いほど溶解性が良好であるが、逆に
めっき液の増粘効果が低く、分子量４００程度が最適で
ある。ポリエチレングリコールの誘導体の例としては一
般に界面活性剤として使用されているポリオキシエチレ
ンノニルフェニルエーテルやポリオキシエチレンオクチ
ルフェニルエーテル等を挙げることができる。
量は、少なすぎる（０．１グラム／リットル以下）とめ
っきむらやめっき面の部所による結晶の大きさの差を生
じ、光沢むらやめっき厚の差を生じる。多すぎる（３０
グラム／リットル以上）と疑似ウィスカーの発生が認め
られる。ポリエチレングリコールの分子量は４０００以
下のものに疑似ウィスカーの発生を誘起しない効果が認
められ、分子量が低いほど溶解性が良好であるが、逆に
めっき液の増粘効果が低く、分子量４００程度が最適で
ある。ポリエチレングリコールの誘導体の例としては一
般に界面活性剤として使用されているポリオキシエチレ
ンノニルフェニルエーテルやポリオキシエチレンオクチ
ルフェニルエーテル等を挙げることができる。
【０００９】上述した本発明の錫めっき液の組成成分の
好適な組合せを示せば、以下のようである。 めっき液 ホウフッ化錫（金属錫に換算して）； １０〜６０グラム／リットル 次亜燐酸ナトリウム； ２０〜５０グラム／リットル チオ尿素； ８０〜２４０グラム／リットル アルカンスルホン酸； ８０〜２４０グラム／リットル ポリエチレングリコール又はその誘導体；０．１〜３０グラム／リットルであ る。
好適な組合せを示せば、以下のようである。 めっき液 ホウフッ化錫（金属錫に換算して）； １０〜６０グラム／リットル 次亜燐酸ナトリウム； ２０〜５０グラム／リットル チオ尿素； ８０〜２４０グラム／リットル アルカンスルホン酸； ８０〜２４０グラム／リットル ポリエチレングリコール又はその誘導体；０．１〜３０グラム／リットルであ る。
【００１０】
【実施例１〜８および参考例１〜３】
めっき液Ａとして、
ホウフッ化錫（メタル換算して）； ３５グラム／リットル、
チオ尿素 ； ２１０グラム／リットル、
次亜燐酸ナトリウム； ４０グラム／リットル、
メタンスルホン酸 ； １６０グラム／リットル
ポリエチレングリコール又はその誘導体からなる液のポ
リエチレングリコール又はその誘導体の種類及び濃度を
変化させてＴＡＢの銅パターン上の錫めっきパターン上
における疑似ウィスカーの発生状況、めっき面の性状、
レジストや糊面への浸透性、液寿命等につきテストし
た。得られた結果を表１に示す。表１において、Ｎｏ．
１〜４はポリエチレングリコールとしてＰＥＧ＃４００
を用い、その濃度を変化させたもの、Ｎｏ．５〜８はポ
リエチレングリコールの誘導体としてポリオキシエチレ
ンノニルフェニルエーテルを用いメタンスルホン酸の濃
度を変化させたもの、Ｎｏ．９〜１１はポリエチレング
リコールの誘導体としてポリオキシエチレンオクチルフ
ェニルエーテルを用いてその濃度を変化させると共にメ
タンスルホン酸の濃度を変化させたものをそれぞれ示
す。
リエチレングリコール又はその誘導体の種類及び濃度を
変化させてＴＡＢの銅パターン上の錫めっきパターン上
における疑似ウィスカーの発生状況、めっき面の性状、
レジストや糊面への浸透性、液寿命等につきテストし
た。得られた結果を表１に示す。表１において、Ｎｏ．
１〜４はポリエチレングリコールとしてＰＥＧ＃４００
を用い、その濃度を変化させたもの、Ｎｏ．５〜８はポ
リエチレングリコールの誘導体としてポリオキシエチレ
ンノニルフェニルエーテルを用いメタンスルホン酸の濃
度を変化させたもの、Ｎｏ．９〜１１はポリエチレング
リコールの誘導体としてポリオキシエチレンオクチルフ
ェニルエーテルを用いてその濃度を変化させると共にメ
タンスルホン酸の濃度を変化させたものをそれぞれ示
す。
【００１１】
【表１】
【００１２】表１よりメタンスルホン酸を８０グラム／
リットル以上の量で含有するめっき液では、疑似ウィス
カーは全く発生しないことがわかる。また界面活性剤
（ポリエチレングリコールを含む）が極めて少ないとめ
っき面にむらができて、部所によって光沢が異なること
が分かる。しかし、界面活性剤が多すぎると疑似ウィス
カーが発生するが、界面活性剤の種類によってその適量
範囲が異なることを示している。またウィスカーの発生
はバラツキが大きく、温度、液の老朽化度、組成成分の
バラツキで異なり、統計処理をしないとその傾向は明確
に把握できない。界面活性剤は単独ではなく、混合して
使用される場合も存在する。従って、本発明では最大公
約数を取って０．１グラム／リットル以上３０グラム／
リットル以下とした。なお、この液の最大の欠点は液が
極めて浸透しやすいことにあり、レジストや糊剤の選定
に際して特別の注意が必要になる。
リットル以上の量で含有するめっき液では、疑似ウィス
カーは全く発生しないことがわかる。また界面活性剤
（ポリエチレングリコールを含む）が極めて少ないとめ
っき面にむらができて、部所によって光沢が異なること
が分かる。しかし、界面活性剤が多すぎると疑似ウィス
カーが発生するが、界面活性剤の種類によってその適量
範囲が異なることを示している。またウィスカーの発生
はバラツキが大きく、温度、液の老朽化度、組成成分の
バラツキで異なり、統計処理をしないとその傾向は明確
に把握できない。界面活性剤は単独ではなく、混合して
使用される場合も存在する。従って、本発明では最大公
約数を取って０．１グラム／リットル以上３０グラム／
リットル以下とした。なお、この液の最大の欠点は液が
極めて浸透しやすいことにあり、レジストや糊剤の選定
に際して特別の注意が必要になる。
【００１３】
【実施例９〜１１、参考例４】次に、メタンスルホン酸
とフェノールスルホン酸を併用しためっき液を使用した
例を示す。 めっき液Ｂ ホウフッ化錫（メタル換算） ４０グラム／リットル チオ尿素 ２１０グラム／リットル 次亜燐酸ナトリウム ４０グラム／リットル ＰＥＧ＃４００ ２５グラム／リットル メタンスルホン酸 ８０グラム／リットル フェノールスルホン酸 ８０〜２４０グラム／リットル この液でめっきした結果を表２に示す。
とフェノールスルホン酸を併用しためっき液を使用した
例を示す。 めっき液Ｂ ホウフッ化錫（メタル換算） ４０グラム／リットル チオ尿素 ２１０グラム／リットル 次亜燐酸ナトリウム ４０グラム／リットル ＰＥＧ＃４００ ２５グラム／リットル メタンスルホン酸 ８０グラム／リットル フェノールスルホン酸 ８０〜２４０グラム／リットル この液でめっきした結果を表２に示す。
【００１４】
【表２】
【００１５】表２より、メタンスルホン酸とフェノール
スルホン酸の併用においては、メタンスルホン酸の浸透
性が抑えられ、調和のとれためっき液となることが示さ
れた。フェノールスルホン酸が多すぎると（２４０グラ
ム／リットル以上）疑似ウィスカーの発生が認められ
る。
スルホン酸の併用においては、メタンスルホン酸の浸透
性が抑えられ、調和のとれためっき液となることが示さ
れた。フェノールスルホン酸が多すぎると（２４０グラ
ム／リットル以上）疑似ウィスカーの発生が認められ
る。
【００１６】
【比較例１〜１２】次に、アルカンスルホン酸を使用し
ないめっき液を使用した比較例を示す。 めっき液Ｃ ホウフッ化錫（メタル換算して） ３５グラム／リットル チオ尿素 ２１０グラム／リットル 次亜燐酸ナトリウム ４０グラム／リットル フェノールスルホン酸 ２１０グラム／リットル ポリエチレングリコール＃４００ １５ミリリットル／リットル 得られた結果を表３に示す。この液では最大長１０ミク
ロンメートル以上の疑似ウィスカーが時々発生し、５ミ
クロンメートル以上のウィスカーの発生は防止出来ない
ものであった。
ないめっき液を使用した比較例を示す。 めっき液Ｃ ホウフッ化錫（メタル換算して） ３５グラム／リットル チオ尿素 ２１０グラム／リットル 次亜燐酸ナトリウム ４０グラム／リットル フェノールスルホン酸 ２１０グラム／リットル ポリエチレングリコール＃４００ １５ミリリットル／リットル 得られた結果を表３に示す。この液では最大長１０ミク
ロンメートル以上の疑似ウィスカーが時々発生し、５ミ
クロンメートル以上のウィスカーの発生は防止出来ない
ものであった。
【００１７】
【表３】
【００１８】
【発明の効果】以上のように本発明のＴＡＢテープは、
極めて狭い配線ライン幅やピッチ間隔を有する場合も疑
似ウィスカーの発生が防止されているから、本発明のＴ
ＡＢテープは、回路のショートを起さず、本発明のめっ
き方法によれば、疑似ウィスカーの発生が防止され、さ
らに無電解めっき液の液寿命の長い。
極めて狭い配線ライン幅やピッチ間隔を有する場合も疑
似ウィスカーの発生が防止されているから、本発明のＴ
ＡＢテープは、回路のショートを起さず、本発明のめっ
き方法によれば、疑似ウィスカーの発生が防止され、さ
らに無電解めっき液の液寿命の長い。
【図１】真正ウィスカーを７０００倍にして示す顕微鏡
写真。
写真。
【図２】疑似ウィスカーを２００００倍にして示す顕微
鏡写真。
鏡写真。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 明 石 芳 一
埼玉県久喜市青葉２−９−７−505
(72)発明者 牧 田 秀 明
埼玉県上尾市本町２−８−19
Ｆターム(参考） 4K022 AA02 AA13 AA42 BA21 BA35
CA28 DA03 DA04 DB01 DB03
5F044 MM23 MM48
Claims (4)
- 【請求項１】 銅パターンが、アルカンスルホン酸、ホ
ウフッ化錫、次亜燐酸塩、チオ尿素、および、ポリエチ
レングリコール又はその誘導体を必須成分とする無電解
めっき液で錫めっきされていることを特徴とするＴＡＢ
テープ。 - 【請求項２】 前記無電解めっき液が、アルカンスルホ
ン酸、ホウフッ化錫、次亜燐酸塩、チオ尿素、フェノー
ルスルホン酸、および、ポリエチレングリコール又はそ
の誘導体を含有するものであることを特徴とする請求項
第１項記載のＴＡＢテープ。 - 【請求項３】 アルカンスルホン酸、ホウフッ化錫、次
亜燐酸塩、チオ尿素、および、ポリエチレングリコール
又はその誘導体を必須成分とする無電解めっき液を用い
て銅パターンに錫めっきをすることを特徴とするめっき
方法。 - 【請求項４】 前記無電解めっき液が、アルカンスルホ
ン酸、ホウフッ化錫、次亜燐酸塩、チオ尿素、フェノー
ルスルホン酸、および、ポリエチレングリコール又はそ
の誘導体を含有するものであることを特徴とする請求項
第３項記載のめっき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002140001A JP2003041376A (ja) | 2002-05-15 | 2002-05-15 | Ｔａｂテープおよびめっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002140001A JP2003041376A (ja) | 2002-05-15 | 2002-05-15 | Ｔａｂテープおよびめっき方法 |
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