JPH11293487A - 金メッキ液及びその金メッキ液を用いたメッキ方法 - Google Patents
金メッキ液及びその金メッキ液を用いたメッキ方法Info
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- JPH11293487A JPH11293487A JP11995798A JP11995798A JPH11293487A JP H11293487 A JPH11293487 A JP H11293487A JP 11995798 A JP11995798 A JP 11995798A JP 11995798 A JP11995798 A JP 11995798A JP H11293487 A JPH11293487 A JP H11293487A
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- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 金メッキ浴の溶液安定性に極めて優れ、金
メッキ操業中に析出金の物性の変化や金メッキ液の分解
を起こすことのない組成の非シアン金メッキ液を提供
し、適正なメッキ条件を確立する。 【解決手段】金化合物であるビス（１，２−エタンジア
ミン）金錯体、１，２−エタンジアミン硫酸塩、無機酸
カリウム塩、有機カルボン酸及び１以上のヘテロ原子を
含む複素環式化合物を含有する非シアン金メッキ液を用
いることにより課題を解決する。
メッキ操業中に析出金の物性の変化や金メッキ液の分解
を起こすことのない組成の非シアン金メッキ液を提供
し、適正なメッキ条件を確立する。 【解決手段】金化合物であるビス（１，２−エタンジア
ミン）金錯体、１，２−エタンジアミン硫酸塩、無機酸
カリウム塩、有機カルボン酸及び１以上のヘテロ原子を
含む複素環式化合物を含有する非シアン金メッキ液を用
いることにより課題を解決する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はビス（１、２−エタ
ンジアミン）金錯体を用いた金メッキ液及びそれを用い
た金メッキ方法に関するものである。
ンジアミン）金錯体を用いた金メッキ液及びそれを用い
た金メッキ方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】金メッキは、古くから装飾用や洋食器等
に用いられるだけでなく、その優れた電気的特性から電
子工業分野においても広く利用されている。
に用いられるだけでなく、その優れた電気的特性から電
子工業分野においても広く利用されている。
【０００３】従来、金メッキ液には、ほとんどが有毒な
シアン化金カリウムを含んだシアン浴であったが、最近
では作業安全上或いは排水処理上の問題、また半導体部
品のレジスト等をアタックする等の問題から、非シアン
系の金メッキ液の要求が高まっており、種々の非シアン
系金メッキが提案されている。
シアン化金カリウムを含んだシアン浴であったが、最近
では作業安全上或いは排水処理上の問題、また半導体部
品のレジスト等をアタックする等の問題から、非シアン
系の金メッキ液の要求が高まっており、種々の非シアン
系金メッキが提案されている。
【０００４】例えば、非シアン系金メッキ液としては、
J.Am,Chem,Soc.1951,vol.73,P4722にて報告されている
ように、金化合物としてビス（１、２−エタンジアミ
ン）金クロライドを用いたものがある。このビス（１、
２−エタンジアミン）金クロライドは、塩化金酸と、エ
チレンジアミン（１水和物）とを、溶媒（ジエチルエー
テル）を用いて、常温で反応させる製法により得られる
ものが広く知られていた。
J.Am,Chem,Soc.1951,vol.73,P4722にて報告されている
ように、金化合物としてビス（１、２−エタンジアミ
ン）金クロライドを用いたものがある。このビス（１、
２−エタンジアミン）金クロライドは、塩化金酸と、エ
チレンジアミン（１水和物）とを、溶媒（ジエチルエー
テル）を用いて、常温で反応させる製法により得られる
ものが広く知られていた。
【０００５】本発明者らは、新しいビス（１、２−エタ
ンジアミン）金クロライドの製造方法、及びこのビス
（１、２−エタンジアミン）金クロライドを用いた金メ
ッキ浴を、外観において美しい析出メッキ層を得ること
のできるメッキ液及び方法として本発明者らも提唱して
きたが、メッキによる析出金の硬度、純度、析出結晶状
態等の制御までは不可能であった。
ンジアミン）金クロライドの製造方法、及びこのビス
（１、２−エタンジアミン）金クロライドを用いた金メ
ッキ浴を、外観において美しい析出メッキ層を得ること
のできるメッキ液及び方法として本発明者らも提唱して
きたが、メッキによる析出金の硬度、純度、析出結晶状
態等の制御までは不可能であった。
【０００６】また、広く利用されてきた非シアン金メッ
キ浴には、Ｎａ3Ａｕ（ＳＯ3）2を金塩として使用する
ものが多く見られた。ところがＮａ3Ａｕ（ＳＯ3）2 を
用いた金メッキ浴では、溶液中の亜硫酸イオンがアノー
ドから発生する酸素や大気中の酸素により酸化され安
く、自然に濃度が減少する。その結果、金メッキ液中の
金錯体の安定性が低下し、電析物の物性の変化やメッキ
液の分解が生ずるという不具合が生じていた。
キ浴には、Ｎａ3Ａｕ（ＳＯ3）2を金塩として使用する
ものが多く見られた。ところがＮａ3Ａｕ（ＳＯ3）2 を
用いた金メッキ浴では、溶液中の亜硫酸イオンがアノー
ドから発生する酸素や大気中の酸素により酸化され安
く、自然に濃度が減少する。その結果、金メッキ液中の
金錯体の安定性が低下し、電析物の物性の変化やメッキ
液の分解が生ずるという不具合が生じていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明者ら
は、金メッキ浴の溶液安定性に極めて優れ、金メッキ操
業中に析出金の物性の変化や金メッキ液の分解を起こす
ことのない組成の金メッキ液を提供し、この金メッキ液
にビス（１、２−エタンジアミン）金錯体を用いること
で析出金の硬度、純度、結晶状態等の制御を可能とし、
適正なメッキ条件の確立を目的とするのである。
は、金メッキ浴の溶液安定性に極めて優れ、金メッキ操
業中に析出金の物性の変化や金メッキ液の分解を起こす
ことのない組成の金メッキ液を提供し、この金メッキ液
にビス（１、２−エタンジアミン）金錯体を用いること
で析出金の硬度、純度、結晶状態等の制御を可能とし、
適正なメッキ条件の確立を目的とするのである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】発明者はより実用上優れ
た非シアン系金メッキ液として、ビス（１、２−エタン
ジアミン）金錯体を用いた金メッキ液の研究を鋭意行っ
た結果、請求項１に記載の金メッキ液が極めて優れた性
能を発揮することを見いだした。
た非シアン系金メッキ液として、ビス（１、２−エタン
ジアミン）金錯体を用いた金メッキ液の研究を鋭意行っ
た結果、請求項１に記載の金メッキ液が極めて優れた性
能を発揮することを見いだした。
【０００９】請求項１に記載の発明は、金化合物である
ビス（１，２−エタンジアミン）金錯体、１，２−エタ
ンジアミン硫酸塩、無機酸カリウム塩、有機カルボン酸
及び１以上のヘテロ原子を含む複素環式化合物を含有す
る非シアン金メッキ液である。ここで言う、金化合物で
あるビス（１，２−エタンジアミン）金錯体は、Ａｕ
（ｅｎ）2 3+（ｅｎ：１，２−エタンジアミン）で表せ
るものである。金錯体の含有量は、金として２〜３０ｇ
／ｌの範囲とする。下限値２ｇ／ｌ以下では金の析出速
度が遅く実際の操業に適さず、上限値３０ｇ／ｌを超え
ると析出速度に変化はなく金沈を発生しやすくなる。従
って、この範囲は目的とする操業環境に応じた値の範囲
を採用したのである。
ビス（１，２−エタンジアミン）金錯体、１，２−エタ
ンジアミン硫酸塩、無機酸カリウム塩、有機カルボン酸
及び１以上のヘテロ原子を含む複素環式化合物を含有す
る非シアン金メッキ液である。ここで言う、金化合物で
あるビス（１，２−エタンジアミン）金錯体は、Ａｕ
（ｅｎ）2 3+（ｅｎ：１，２−エタンジアミン）で表せ
るものである。金錯体の含有量は、金として２〜３０ｇ
／ｌの範囲とする。下限値２ｇ／ｌ以下では金の析出速
度が遅く実際の操業に適さず、上限値３０ｇ／ｌを超え
ると析出速度に変化はなく金沈を発生しやすくなる。従
って、この範囲は目的とする操業環境に応じた値の範囲
を採用したのである。
【００１０】その他の構成化合物である１，２−エタン
ジアミン硫酸塩は錯化剤として使用するものである。こ
の１，２−エタンジアミン硫酸塩は、０．１〜２．５Ｍ
の範囲で添加する。下限値０．１Ｍ以下では錯化剤とし
ての効果が発揮されず、上限値２．５Ｍを超えると溶解
しなくなる。
ジアミン硫酸塩は錯化剤として使用するものである。こ
の１，２−エタンジアミン硫酸塩は、０．１〜２．５Ｍ
の範囲で添加する。下限値０．１Ｍ以下では錯化剤とし
ての効果が発揮されず、上限値２．５Ｍを超えると溶解
しなくなる。
【００１１】無機酸カリウム塩には、硫酸カリウム、塩
化カリウム、硝酸カリウム等の使用が可能である。これ
らは、電解液として使用する際の伝導塩としての機能を
果たすために添加する物である。その添加量は、１〜１
００ｇ／ｌの範囲で添加することが好ましい。この下限
値１ｇ／ｌ以下では、十分なメッキ液としての導電性を
確保することが困難であり、上限値１００ｇ／ｌ以上で
は溶液中に溶解しなくなるからである。
化カリウム、硝酸カリウム等の使用が可能である。これ
らは、電解液として使用する際の伝導塩としての機能を
果たすために添加する物である。その添加量は、１〜１
００ｇ／ｌの範囲で添加することが好ましい。この下限
値１ｇ／ｌ以下では、十分なメッキ液としての導電性を
確保することが困難であり、上限値１００ｇ／ｌ以上で
は溶液中に溶解しなくなるからである。
【００１２】有機カルボン酸は緩衝剤としての役割を果
たすものであり、金メッキ液のｐＨの変動を抑制する役
割を果たすものである。ここでいう有機カルボン酸とは
酢酸、蟻酸、安息香酸等カルボキシル基を持つ有機化合
物のことである。界面活性剤と同様の役割を果たし光沢
剤として作用する。有機カルボン酸の添加量は、１〜２
００ｇ／ｌの範囲とするのが好ましい。下限値１ｇ／ｌ
以下では、緩衝剤としての役割を十分に果たさず、上限
値２００ｇ／ｌ以上加えても緩衝剤としての効果は増大
しないためである。
たすものであり、金メッキ液のｐＨの変動を抑制する役
割を果たすものである。ここでいう有機カルボン酸とは
酢酸、蟻酸、安息香酸等カルボキシル基を持つ有機化合
物のことである。界面活性剤と同様の役割を果たし光沢
剤として作用する。有機カルボン酸の添加量は、１〜２
００ｇ／ｌの範囲とするのが好ましい。下限値１ｇ／ｌ
以下では、緩衝剤としての役割を十分に果たさず、上限
値２００ｇ／ｌ以上加えても緩衝剤としての効果は増大
しないためである。
【００１３】更に、１以上のヘテロ原子を含む複素環式
化合物は界面活性剤と同様の役割を果たし光沢剤として
作用する。この複素環式化合物には、チオフェンカルボ
ン酸、Ｏ−フェナントロリン、ピリジン、ピリジンスル
ホン酸、ビ・ピリジル等ヘテロ原子として、窒素を含む
水溶性化合物等を用いることができる。そして、その添
加量は、０．１〜１０ｇ／ｌの範囲とするのが好まし
い。下限値０．１ｇ／ｌ以下では、光沢剤としての役割
を十分に果たさず、上限値１０ｇ／ｌ以上加えても光沢
度に及ぼす効果は増大しないためである。
化合物は界面活性剤と同様の役割を果たし光沢剤として
作用する。この複素環式化合物には、チオフェンカルボ
ン酸、Ｏ−フェナントロリン、ピリジン、ピリジンスル
ホン酸、ビ・ピリジル等ヘテロ原子として、窒素を含む
水溶性化合物等を用いることができる。そして、その添
加量は、０．１〜１０ｇ／ｌの範囲とするのが好まし
い。下限値０．１ｇ／ｌ以下では、光沢剤としての役割
を十分に果たさず、上限値１０ｇ／ｌ以上加えても光沢
度に及ぼす効果は増大しないためである。
【００１４】そして、請求項２には、請求項１に記載の
金メッキ液を用いて電解メッキする方法であって、溶液
のｐＨ２〜７、液温４０〜８０℃の条件下で、電流密度
０．２〜３．５Ａ／ｄｍ2 で電解メッキすることを特徴
とする非シアン金メッキ方法とした。
金メッキ液を用いて電解メッキする方法であって、溶液
のｐＨ２〜７、液温４０〜８０℃の条件下で、電流密度
０．２〜３．５Ａ／ｄｍ2 で電解メッキすることを特徴
とする非シアン金メッキ方法とした。
【００１５】ここで、溶液のｐＨ値は、無機酸カリウム
塩の添加量によって、ｐＨ２〜７の範囲となり、この範
囲であれば、析出金メッキ層の外観に異常は発生しな
い。ｐＨ調整を必要とする場合は、メッキ液の特性に影
響を与えない硫酸カリウム、塩化カリウム、硝酸カリウ
ム等の無機酸カリウム塩、又は酢酸、蟻酸、安息香酸等
の有機カルボン酸を用いて調整することが好ましい。
塩の添加量によって、ｐＨ２〜７の範囲となり、この範
囲であれば、析出金メッキ層の外観に異常は発生しな
い。ｐＨ調整を必要とする場合は、メッキ液の特性に影
響を与えない硫酸カリウム、塩化カリウム、硝酸カリウ
ム等の無機酸カリウム塩、又は酢酸、蟻酸、安息香酸等
の有機カルボン酸を用いて調整することが好ましい。
【００１６】メッキ液を液温４０〜８０℃の条件とした
のは、下限値以下では析出速度が遅く実際の操業に適さ
ず、上限値以上では析出金メッキ層の光沢に影響を与え
ると共に、溶液寿命が急激に低下するためである。
のは、下限値以下では析出速度が遅く実際の操業に適さ
ず、上限値以上では析出金メッキ層の光沢に影響を与え
ると共に、溶液寿命が急激に低下するためである。
【００１７】電解時の電流密度を０．２〜３．５Ａ／ｄ
ｍ2 としたのは、上述のメッキ液のｐＨ値と液温とを考
慮して、析出金メッキ層に目的とする性質を得ることが
可能となる。
ｍ2 としたのは、上述のメッキ液のｐＨ値と液温とを考
慮して、析出金メッキ層に目的とする性質を得ることが
可能となる。
【００１８】以上の金メッキ液及び金メッキ方法を用い
ると、得られる析出金は、従来の金メッキ液を用いて析
出した金に比べ、微細な析出結晶を持ち、しかも硬度が
低いという特性を持つものであった。一般に結晶粒が細
かいほど、その金属の硬度は高く測定される。ところ
が、本発明に係る金メッキ液と金メッキ方法を用いる
と、微細な結晶粒を持ちながらも、硬度の低い析出金と
できる点が、従来のメッキ液及び方法で得られた析出金
と全く異なっている。
ると、得られる析出金は、従来の金メッキ液を用いて析
出した金に比べ、微細な析出結晶を持ち、しかも硬度が
低いという特性を持つものであった。一般に結晶粒が細
かいほど、その金属の硬度は高く測定される。ところ
が、本発明に係る金メッキ液と金メッキ方法を用いる
と、微細な結晶粒を持ちながらも、硬度の低い析出金と
できる点が、従来のメッキ液及び方法で得られた析出金
と全く異なっている。
【００１９】これは、例えば、Ｎａ3Ａｕ（ＳＯ3）2 を
用いた金メッキ浴では、析出金中にメッキ液中に含まれ
た硫黄が析出するため、析出金が粒子分散されたと同様
の効果が得られ、結晶粒が大きくとも硬い結晶組織とな
る。これに対して、本発明に係るメッキ方法で得られる
結晶組織は、析出金の純度が高いため、結晶粒が微細で
もバルク金に近い、結晶粒内転移密度の少ない低硬度の
金メッキ層が得られるのである。
用いた金メッキ浴では、析出金中にメッキ液中に含まれ
た硫黄が析出するため、析出金が粒子分散されたと同様
の効果が得られ、結晶粒が大きくとも硬い結晶組織とな
る。これに対して、本発明に係るメッキ方法で得られる
結晶組織は、析出金の純度が高いため、結晶粒が微細で
もバルク金に近い、結晶粒内転移密度の少ない低硬度の
金メッキ層が得られるのである。
【００２０】従来のメッキ液を用いたメッキ法では非常
に微細な形状のバンプメッキを精度良く行うことができ
ず、メッキ後の金の析出面が粗くなり、バンプ形状をい
びつなものとすることがあった。本発明に係る金メッキ
液及び金メッキ方法を採用することで、上述のような特
色を持つ金メッキ層を得られることから小さなサイズの
ＬＳＩのバンプにも精度の良いメッキ層を形成すること
が可能で、しかも金メッキ層を起因としたマイグレーシ
ョンの発生を抑制することが可能となる。
に微細な形状のバンプメッキを精度良く行うことができ
ず、メッキ後の金の析出面が粗くなり、バンプ形状をい
びつなものとすることがあった。本発明に係る金メッキ
液及び金メッキ方法を採用することで、上述のような特
色を持つ金メッキ層を得られることから小さなサイズの
ＬＳＩのバンプにも精度の良いメッキ層を形成すること
が可能で、しかも金メッキ層を起因としたマイグレーシ
ョンの発生を抑制することが可能となる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る金メッキ液及
び金メッキ方法について、最適と思われる実施形態を通
じて、より詳細に説明する。
び金メッキ方法について、最適と思われる実施形態を通
じて、より詳細に説明する。
【００２２】第１実施形態： 金化合物であるビス
（１，２−エタンジアミン）金錯体は、反応温度３０℃
で次の反応により得た。この時の反応温度は１５〜６０
℃が好ましい。１５℃未満だと反応が十分進行せず収率
が低下し、６０℃を超えると金イオンの還元反応が起こ
り、金の微粒子が生成するからである。
（１，２−エタンジアミン）金錯体は、反応温度３０℃
で次の反応により得た。この時の反応温度は１５〜６０
℃が好ましい。１５℃未満だと反応が十分進行せず収率
が低下し、６０℃を超えると金イオンの還元反応が起こ
り、金の微粒子が生成するからである。
【００２３】ＮａＡｕＣｌ4 ＋２ｅｎ → Ａｕ（ｅ
ｎ）2 Ｃｌ3 ＋ＮａＣｌ
ｎ）2 Ｃｌ3 ＋ＮａＣｌ
【００２４】このようにして得られたビス（１、２−エ
タンジアミン）金クロライドを用いて、非シアン金メッ
キ液を建浴した。この非シアン金メッキ液の配合組成
は、以下の通りである。
タンジアミン）金クロライドを用いて、非シアン金メッ
キ液を建浴した。この非シアン金メッキ液の配合組成
は、以下の通りである。
【００２５】 ビス（１，２−エタンジアミン）金クロライド（金として）１０ｇ／ｌ １，２−エタンジアミン硫酸塩 ６０ｇ／ｌ 塩化カリウム ６０ｇ／ｌ 有機カルボン酸（クエン酸） ５０ｇ／ｌ 複素環式化合物（チオフェンカルボン酸） １ｇ／ｌ
【００２６】この金メッキ液を用いて、次のメッキ条件
にて、テストパターンに金メッキを行った。
にて、テストパターンに金メッキを行った。
【００２７】 ｐＨ値 ５．０ メッキ液温度 ６０ ℃ 電流密度 １．５ Ａ／ｄｍ2 電解時間 ６０ ｍｉｎ
【００２８】以上の条件下で生成した金メッキ層の物性
測定を行い、結果を表１に示した。表１から分かるよう
に金メッキ層のビッカース硬度は、平均で６６．７であ
る。更に、この金メッキ後のテストパターンを走査型電
子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察した結果を図１に示した。
図１から分かるように極めて平滑な金メッキ面が得られ
ている。従って、このようなメッキ面の平滑性を確保で
きることでボンディング性能を著しく向上させることが
可能となった。
測定を行い、結果を表１に示した。表１から分かるよう
に金メッキ層のビッカース硬度は、平均で６６．７であ
る。更に、この金メッキ後のテストパターンを走査型電
子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察した結果を図１に示した。
図１から分かるように極めて平滑な金メッキ面が得られ
ている。従って、このようなメッキ面の平滑性を確保で
きることでボンディング性能を著しく向上させることが
可能となった。
【００２９】本発明に係る非シアン金メッキ液と従来の
非シアン金メッキ液との性能比較を行うため、Ｎａ3Ａ
ｕ（ＳＯ3）2を金塩として使用した金メッキを建浴し、
前記と同様のテストパターンに金メッキを施し、比較し
た。従来の非シアン金メッキ液の組成は、以下の通りで
ある。
非シアン金メッキ液との性能比較を行うため、Ｎａ3Ａ
ｕ（ＳＯ3）2を金塩として使用した金メッキを建浴し、
前記と同様のテストパターンに金メッキを施し、比較し
た。従来の非シアン金メッキ液の組成は、以下の通りで
ある。
【００３０】 Ｎａ3Ａｕ（ＳＯ3）2 （Ａｕとして） １０ ｇ／ｌ Ｎａ２ＳＯ３ ２０ ｇ／ｌ Ｎａ２ＨＰＯ４ ２０ ｇ／ｌ タリウム ０．０１ ｇ／ｌ
【００３１】この溶液を用いて、次に掲げる条件の下で
テストパターンに金メッキを行った。
テストパターンに金メッキを行った。
【００３２】 ｐＨ値 ７．５ メッキ液温度 ６５ ℃ 電流密度 ０．５ Ａ／ｄｍ2 電解時間 ６０ ｍｉｎ
【００３３】以上の条件下で生成した金メッキ層の物性
測定を行い、結果を表１に従来の非シアン金メッキ液と
して示した。表１から分かるように金メッキ層のビッカ
ース硬度は、平均で７５．１である。更に、この金メッ
キ後のテストパターンを走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）に
て観察した結果を図２に示した。図２から分かるよう
に、本発明に係る非シアン金メッキ液を用いた場合に比
べ、明らかに金メッキ面が平滑でないことが分かる。
測定を行い、結果を表１に従来の非シアン金メッキ液と
して示した。表１から分かるように金メッキ層のビッカ
ース硬度は、平均で７５．１である。更に、この金メッ
キ後のテストパターンを走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）に
て観察した結果を図２に示した。図２から分かるよう
に、本発明に係る非シアン金メッキ液を用いた場合に比
べ、明らかに金メッキ面が平滑でないことが分かる。
【００３４】
【表１】
【００３５】
【発明の効果】本発明に係る非シアン金メッキ液を用い
ることで、溶液安定性に極めて優れ、金メッキ操業中に
析出金の物性の変化や金メッキ液の分解を起こすことの
ない金メッキ液の提供を可能とし、この金メッキ液にビ
ス（１、２−エタンジアミン）金錯体を用いたことで析
出金の硬度、純度、析出結晶の状態等の制御を可能と
し、ファインパターンに適し、適正なボンディング性を
確保することが可能となった。
ることで、溶液安定性に極めて優れ、金メッキ操業中に
析出金の物性の変化や金メッキ液の分解を起こすことの
ない金メッキ液の提供を可能とし、この金メッキ液にビ
ス（１、２−エタンジアミン）金錯体を用いたことで析
出金の硬度、純度、析出結晶の状態等の制御を可能と
し、ファインパターンに適し、適正なボンディング性を
確保することが可能となった。
【図１】 金メッキ層の表面の析出粒子構造である。
【図２】 金メッキ層の表面の析出粒子構造である。
Claims (2)
- 【請求項１】 金化合物であるビス（１，２−エタンジ
アミン）金錯体、１，２−エタンジアミン硫酸塩、無機
酸カリウム塩、有機カルボン酸及び１以上のヘテロ原子
を含む複素環式化合物を含有する非シアン金メッキ液。 - 【請求項２】 請求項１に記載の金メッキ液を用いてメ
ッキする方法であって、溶液のｐＨ２〜７、液温４０〜
８０℃の条件下で、電流密度０．２〜３．５Ａ／ｄｍ2
で電解メッキするものである非シアン金メッキ方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11995798A JP3898334B2 (ja) | 1998-04-15 | 1998-04-15 | 金メッキ液及びその金メッキ液を用いたメッキ方法 |
| TW88117558A TW505708B (en) | 1998-04-15 | 1999-10-12 | Gold plating solution and plating method using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11995798A JP3898334B2 (ja) | 1998-04-15 | 1998-04-15 | 金メッキ液及びその金メッキ液を用いたメッキ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11293487A true JPH11293487A (ja) | 1999-10-26 |
| JP3898334B2 JP3898334B2 (ja) | 2007-03-28 |
Family
ID=14774400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11995798A Expired - Fee Related JP3898334B2 (ja) | 1998-04-15 | 1998-04-15 | 金メッキ液及びその金メッキ液を用いたメッキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3898334B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000355792A (ja) * | 2000-01-27 | 2000-12-26 | Electroplating Eng Of Japan Co | 金メッキ液及びそれを用いた金メッキ方法 |
| WO2001027354A1 (fr) * | 1999-10-07 | 2001-04-19 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Liquide de dorure et procede de dorure par ce liquide |
| JP2008174795A (ja) * | 2007-01-18 | 2008-07-31 | Mitsubishi Chemicals Corp | 金メッキ液および金メッキ方法 |
| US7407569B2 (en) | 2002-03-13 | 2008-08-05 | Mitsubishi Chemical Corporation | Gold plating solution and gold plating method |
| JP2014037634A (ja) * | 2001-10-02 | 2014-02-27 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 基体上に金属層を堆積させるためのメッキ浴および方法 |
| WO2015097917A1 (ja) * | 2013-12-28 | 2015-07-02 | 日栄技研株式会社 | ２重金めっき方法及び電子部品 |
-
1998
- 1998-04-15 JP JP11995798A patent/JP3898334B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001027354A1 (fr) * | 1999-10-07 | 2001-04-19 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Liquide de dorure et procede de dorure par ce liquide |
| US6565732B1 (en) | 1999-10-07 | 2003-05-20 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Gold plating solution and plating process |
| JP2000355792A (ja) * | 2000-01-27 | 2000-12-26 | Electroplating Eng Of Japan Co | 金メッキ液及びそれを用いた金メッキ方法 |
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| US7407569B2 (en) | 2002-03-13 | 2008-08-05 | Mitsubishi Chemical Corporation | Gold plating solution and gold plating method |
| JP2008174795A (ja) * | 2007-01-18 | 2008-07-31 | Mitsubishi Chemicals Corp | 金メッキ液および金メッキ方法 |
| WO2015097917A1 (ja) * | 2013-12-28 | 2015-07-02 | 日栄技研株式会社 | ２重金めっき方法及び電子部品 |
| JP5869685B2 (ja) * | 2013-12-28 | 2016-02-24 | 日栄技研株式会社 | ２重金めっき方法及び電子部品 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3898334B2 (ja) | 2007-03-28 |
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