JP2003037195A - 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 枠体上面のメタライズ層の幅を大きくしたり
メタライズ層の断面形状を変えたりすることなく、シー
ルリングの形状を改良することによってシールリングが
強固かつ信頼性良く取着された半導体パッケージとする
こと。 【解決手段】 上側主面に半導体素子５が載置される載
置部１ａを有する基体１と、基体１の上側主面に載置部
１ａを囲繞するように取着され、上面にメタライズ層２
ａが形成されているとともに側部を貫通するように入出
力用電極１ｂが形成されている枠体２と、メタライズ層
２ａの上面に取着されたシールリング３とを具備し、シ
ールリング３は、その内周面３ａの上面視形状が波形３
ｂになっている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子収納用パ
ッケージに関し、特に半導体素子収納用パッケージ内に
半導体素子を気密に封止するための蓋体を枠体上面に熔
接するに際し、この枠体上面に予め接合されるシールリ
ングの改良に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、例えばＩＣ，ＬＳＩ，半導体レー
ザ（ＬＤ），フォトダイオード（ＰＤ）等の半導体素子
を収納する半導体素子収納用パッケージ（以下、半導体
パッケージという）としては、例えば図５に示すように
載置部１１ａを上側主面に有する金属からなる基体１１
と、その上側主面に接合されたセラミックスから成る枠
体１２とを有し、枠体１２の上面に形成されたタングス
テン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ）等からなるメタライズ
層１２ａ上に、ニッケル（Ｎｉ）メッキ層などの金属層
を介してシールリング１３を銀（Ａｇ）ロウなどのロウ
材で接合した半導体パッケージＡが知られている。この
半導体パッケージＡに半導体素子５を収容し、図７に示
すようにシールリング１３の上面に蓋体１４を周知のシ
ームウェルド熔接法で熔接して半導体装置Ｂとなる。

【０００３】このような構成の半導体装置Ｂでは、半導
体素子５の気密封止を完全なものとし、また蓋体１４の
接合の信頼性を確保するために、シールリング１３とメ
タライズ層１２ａとの間のロウ材溜まりＣを大きくして
ロウ材溜まりＣのメニスカスの面積を十分なものとする
必要があった。このロウ材溜まりＣを大きくする構成と
して、メタライズ層１２ａの幅を大きくする構成が考え
られるが、このような構成では、メタライズ層１２ａの
幅を大きくした分だけ枠体１２の厚さを大きくしなけれ
ばならず、よって半導体パッケージＡのサイズが大きく
なり、近時の小型化という市場要求に反することになる
という問題があった。

【０００４】そこで、メタライズ層１２ａの幅を大きく
することなくロウ材溜まりＣを大きくする構成として、
図６の要部拡大断面図に示すように、メタライズ層１２
ａの周方向にシールリング１３よりも幅狭の凹溝１２ｂ
を形成し、この凹溝１２ｂによってシールリング１３と
メタライズ層１２ａとの間に多量のロウ材が保持される
ことになり、その結果十分なロウ付け強度を確保するこ
とができるものが提案されている（特開２００１−１４
８４３６号公報参照）。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図６に
示す従来の半導体パッケージＡの構成では、シールリン
グ１３の接合強度が小さい場合があり、シールリング１
３に蓋体１４を介して外力が作用した場合に外れてしま
い、その結果半導体パッケージＡの気密封止性が損なわ
れる場合があった。また、ロウ材がシールリング１３の
端部からメタライズ層１２ａの側部にかけて被着されて
しまうために、シールリング１３の接合時にこのロウ材
が冷えて固化する際、メタライズ層１２ａの内側端部に
ロウ材と枠体１２の熱膨張係数の差に起因する引張り応
力が作用し、この応力によってメタライズ層１２ａの内
側端部を起点として枠体１２の内部方向にマイクロクラ
ックＤが発生し、このマイクロクラックＤにより半導体
パッケージＡの気密封止が損なわれるといった不具合を
招来していた。

【０００６】従って、本発明は上記問題点に鑑み完成さ
れたもので、その目的は、メタライズ層の幅を大きくし
たり、またメタライズ層に凹溝を形成するなどの形状変
更を加えることなくシールリングが強固かつ信頼性良く
取着された半導体パッケージ、および半導体パッケージ
の内部に収容する半導体素子を気密に封止するととも
に、長期にわたり正常かつ安定に作動させ得る半導体装
置を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体素子収納
用パッケージは、上側主面に半導体素子が載置される載
置部を有する基体と、該基体の上側主面に前記載置部を
囲繞するように取着され、上面にメタライズ層が形成さ
れているとともに側部を貫通するように入出力用電極が
形成されている枠体と、前記メタライズ層の上面に取着
されたシールリングとを具備した半導体素子収納用パッ
ケージにおいて、前記シールリングは、その内周面の上
面視形状が波形になっていることを特徴とする。

【０００８】本発明は、シールリングの内周面の上面視
形状が波形であることにより、メタライズ層の幅を大き
くすることなく、また従来例に示したような凹溝の形成
も必要なく、シールリングの十分な接合強度と信頼性を
得るのに必要な量のロウ材溜まりを確保できる。これ
は、シールリングの内周面を上面視で波形の形状とした
ことから、シールリングのロウ付け時において、加熱さ
れて溶融したロウ材によってシールリングの内周面とメ
タライズ層の表面とが被覆され接合される部位の面積を
大きくすることができ、よってシールリングからメタラ
イズ層にかけて形成されるロウ材溜まりのメニスカスの
面積および体積を増大させることができる。その結果、
シールリングのメタライズ層への接合が強固にかつ信頼
性の高いものとなり、従って、半導体パッケージの気密
封止を完全かつ信頼性の高いものとし、半導体素子を長
期にわたり正常かつ安定に作動させ得るものとなる。

【０００９】また、従来の半導体パッケージではメタラ
イズ層の端部を起点として枠体の内部方向にマイクロク
ラックが発生する場合があるが、本発明ではシールリン
グの内周面の上面視形状を波形としたことにより、枠体
のマイクロクラックの発生を有効に防止することができ
る。即ち、本発明においては、シールリングの内周面が
直線状である場合と比べてロウ材がメタライズ層の側部
まで全面的に流れることを有効に防止し、特に波形の凹
んだ領域ではロウ材がメタライズ層の端部まで流れ出る
ことを有効に防ぎ、たとえロウ材がメタライズ層の端部
に全面的に被着されるとしても被着されるロウ材の量を
大きく減らす作用をなし、その結果マイクロクラックの
発生を有効に防止することができる。

【００１０】本発明において、好ましくは、前記シール
リングの内周面の波形の振れ幅が０．２〜０．７ｍｍで
あり、かつ繰り返し長さが０．５〜１ｍｍであることを
特徴とする。

【００１１】本発明は、上記の構成により、十分な大き
さのロウ材溜まりを確保できて大きな接合強度が得られ
るとともに枠体に発生するマイクロクラックを有効に防
止し、半導体パッケージの気密封止をより確実、良好な
ものとすることができる。

【００１２】本発明の半導体装置は、本発明の半導体素
子収納用パッケージと、前記載置部に載置固定されると
ともに前記入出力用電極に電気的に接続された半導体素
子と、前記シールリングの上面に接合された蓋体とを具
備したことを特徴とする。

【００１３】本発明の半導体装置は、上記の構成によ
り、内部に収容する半導体素子を長期にわたり正常かつ
安定して作動させ得る信頼性の高い半導体装置となる。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明の半導体パッケージおよび
半導体装置を以下に詳細に説明する。図１は本発明の半
導体パッケージについて実施の形態の一例を示す断面図
であり、図２は図１の平面図である。また図３はシール
リングの部分拡大平面図、図４は本発明の半導体装置の
断面図である。これらの図において、Ａは半導体パッケ
ージ、１は上側主面に半導体素子が載置される載置部１
ａを有する基体、１ｂは入出力用電極、２は基体１の上
面に載置部１ａを囲繞するように取着され、側部を貫通
するように入出力用電極１ｂが形成された枠体、２ａは
メタライズ層である。また、Ｃはロウ材溜まり、３は枠
体２の上面に取着された枠状のシールリング、３ａはシ
ールリングの内周面、３ｂは波形、３ｃは波形の振れ
幅、３ｄは波形の繰り返し長さ、４は蓋体、５は半導体
素子である。これら基体１、枠体２、シールリング３、
および蓋体４とで、半導体素子５を収容するための容器
が基本的に構成される。なお、図１〜図４において、従
来例の図５〜図７と同じ部位には同じ符号を付してい
る。

【００１５】本発明の基体１は、銅（Ｃｕ）−Ｗ合金，
鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合
金，Ｆｅ−Ｎｉ合金等の金属材料やアルミナ（Ａｌ
₂Ｏ₃）セラミックス等のセラミックスから成る。基体１
が金属材料から成る場合、そのインゴットに圧延加工等
の従来周知の金属加工を施すことによって、その上面に
半導体素子５の載置部１ａを有する板材に加工される。
また、その表面に耐食性に優れかつロウ材との濡れ性に
優れる金属、具体的には厚さ０．５〜９μｍのＮｉ層お
よび厚さ０．５〜９μｍのＡｕ層をメッキ法により順次
被着させておくのがよく、枠体２とのＡｇロウ等のロウ
材による接合をより強固なものとできる。

【００１６】一方、基体１がセラミックスから成る場
合、基体１は金属材料に比し非常に軽量であることか
ら、半導体パッケージＡ内部に半導体素子５を収容して
半導体装置Ｂとなした場合、半導体装置Ｂの重量を極め
て軽量なものとできる。セラミックスから成る基体１
は、例えばアルミナセラミックスからなる場合以下のよ
うにして作製される。まず、酸化アルミニウム（Ａｌ₂
Ｏ₃），酸化珪素（ＳｉＯ₂），酸化マグネシウム（Ｍｇ
Ｏ），酸化カルシウム（ＣａＯ）等の原料粉末に適当な
有機バインダ、溶剤等を添加混合してスラリーとなす。
このスラリーを周知のドクターブレード法やカレンダー
ロール法よってセラミックグリーンシートと成し、適当
な大きさに切断する。次いで、このセラミックグリーン
シートに適当な打抜き加工を施し、さらにＷ等の高融点
金属粉末を主成分とする導体ペーストを印刷塗布する。
これを複数枚積層し約１６００℃の温度で焼成すること
によって作製される。

【００１７】また、このようにして作製された基体１の
表面に耐食性に優れかつロウ材との濡れ性に優れる金
属、具体的には厚さ０．５〜９μｍのＮｉ層および厚さ
０．５〜９μｍのＡｕ層をメッキ法により順次被着させ
ておくのがよく、基体１と枠体２との銀ロウ等のロウ材
による接合をより強固なものとできる。

【００１８】また、枠体２はセラミックスや金属材料か
らなり、例えばアルミナセラミックスからなる場合以下
のようにして作製される。まず、Ａｌ₂Ｏ₃，ＳｉＯ₂，
ＭｇＯ，ＣａＯ等の原料粉末に適当な有機バインダ、溶
剤等を添加混合してスラリーとなす。このスラリーをド
クターブレード法やカレンダーロール法によってセラミ
ックグリーンシートと成し、適当な大きさに切断する。
このセラミックグリーンシートに適当な打抜き加工を施
し、次いでＷ，Ｍｏ等の金属粉末を主成分とする導体ペ
ーストをシールリング３の接合部位、基体１に接合する
ための部位、および入出力用電極１ｂとなる部位にそれ
ぞれ印刷して印刷塗膜を形成する。このセラミックグリ
ーンシートを所定の順序で複数枚積層し、約１６００℃
の温度で焼成することによって作製される。

【００１９】得られたセラミックスから成る枠体２上面
のメタライズ層２ａの表面に、耐食性に優れかつロウ材
との濡れ性に優れる金属、具体的には厚さ０．５〜９μ
ｍのＮｉ層および厚さ０．５〜９μｍのＡｕ層をメッキ
法により順次被着させておくのがよく、シールリング３
とのＡｇロウ等のロウ材による接合をより強固なものと
できる。

【００２０】また枠体２が金属材料から成る場合、Ｆｅ
−Ｎｉ−Ｃｏ合金，Ｆｅ−Ｎｉ合金等からなる金属筒
を、高温高圧をかけながら絞り加工により所望の形状に
成形し、これを切断することによって作製される。この
枠体２の表面に耐食性に優れかつロウ材との濡れ性に優
れる金属、具体的には厚さ０．５〜９μｍのＮｉ層およ
び厚さ０．５〜９μｍのＡｕ層をメッキ法により順次被
着させておくのがよく、基体１とのＡｇロウ等のロウ材
による接合をより強固なものとできる。

【００２１】以下、本実施の形態では、金属からなる基
体１とセラミックスからなる枠体２とを備えた半導体パ
ッケージＡについて説明する。

【００２２】枠体２は基体１の上側主面に載置部１ａを
囲繞するようにしてＡｇロウなどのロウ材を介して取着
される。このとき、シールリング３がＡｇロウを介して
同時に接合されてもよいが、枠体２が基体１に取着され
た後に接合されても良い。

【００２３】本発明のシールリング３は、内周面３ａが
上面視において波形３ｂの形状を呈するように作製され
る。図３は、シールリング３の上面視形状を示し、例え
ばＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金，Ｆｅ−Ｎｉ合金等の金属材料
から成る板状部材から金型により打抜かれて作製され
る。シールリング３は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等から成
る板状体の内側が最初に打抜かれて枠状とされる。この
とき、打抜かれて残る内周面３ａが波形３ｂとなるよう
に打抜き用の上金型が作製されている。次いで、シール
リング３形状となるように、外周面が別の金型で打抜か
れてシールリング３が作製される。

【００２４】本発明では、シールリング３の内周面３ａ
に形成される波形３ｂの振れ幅３ｃは０．２〜０．７ｍ
ｍが良く、０．２ｍｍ未満では、シールリング３のロウ
材溜まりＣの大きさを増大させる効果が少なく、シール
リング３の接合強度が向上しにくくなる。また、振れ幅
３ｃが０．７ｍｍを超える、とシールリング３の残幅に
余裕がなくなり、接合強度が低下して気密封止の信頼性
が損なわれたり、また波形の谷の部分で局所的に電気抵
抗が大きくなって、蓋体がシーム熔接される場合に流れ
る電流の大きさが小さくなり、シーム熔接に必要な温度
が得られなくなる場合がある。より好ましくは０．３〜
０．６ｍｍが良い。

【００２５】また、波形３ｂの繰り返し長さは０．５〜
１．５ｍｍがよく、０．５ｍｍ未満では、ロウ材が波形
３ｂの谷の部分に流れ出すことが困難となってシールリ
ング３の接合強度を向上させることが困難になる。ま
た、繰り返し長さが１．５ｍｍを超えると、シールリン
グ３の内周面が平面に近くなるため、メタライズ層２ａ
の側面に流れ出るロウ材の量が多くなり、枠体２に図６
に示すようなマイクロクラックＤが発生し易くなる。

【００２６】本発明のシールリング３は、上記のように
内周面３ａの形状が波形３ｂとなっているため、内周面
３ａが直線状の従来のシールリング１３（図５）と比べ
て、シールリング３の内周面３ａにおけるロウ材溜まり
Ｃの大きさが波形３ｂの形状によってきわめて大きくな
る。その結果、従来の形状のシールリング１３に比べて
接合強度がきわめて大きくなり、シールリング３の剥れ
などの不具合が発生することが解消される。また、従来
の半導体パッケージＡの枠体２に発生していたマイクロ
クラックＤを解消することができる。従って、長期に亘
って半導体パッケージＡの内部に収容する半導体素子５
を気密に封止するとともに、正常かつ安定して作動させ
ることができる半導体パッケージＡおよび半導体装置Ｂ
を提供することができる。

【００２７】本発明において、シールリング３は、内周
面３ａがメタライズ層２ａから枠体２内側に突出しない
ように構成されていることが好ましい。内周面３ａがメ
タライズ層２ａから枠体２内側に突出している場合、内
周面３ａの波形３ｂとメタライズ層２ａの内側面上端と
が交差する箇所が生じ、図６のように、その交差部でロ
ウ材がメタライズ層２ａの内側面に流れ出て枠体２にマ
イクロクラックＤが発生し易くなる。

【００２８】ここで、表１に本発明の半導体パッケージ
Ａにおけるシールリング３の引き剥がし強度を測定した
結果を示す。表１の引き剥がし強度およびクラック発生
の有無を調査するに際して、枠体２の上面にＷからなる
メタライズ層２ａを幅１ｍｍ、厚さ約１５μｍとなるよ
うに形成し、その上に幅１ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ、外形
寸法が１０ｍｍ×１０ｍｍの矩形のシールリング３であ
って、波形３ｂの振れ幅３ｃ、繰り返し長さ３ｄを種々
変化させたものを銀ロウを用いて接合した。このとき、
それぞれの場合において各３０個のサンプルを用意し、
それぞれについてシールリング３の引き剥がし強度を測
定した平均値とマイクロクラックＤの発生の有無を記載
した。また、比較用として内周面３ａの形状が直線状の
ものを準備し同様に測定した。

【００２９】テスト用サンプルについては、波形３ｂの
振れ幅３ｃを０．１ｍｍ，０．２ｍｍ，０．３ｍｍ，
０．６ｍｍ，０．７ｍｍ，０．８ｍｍとし、またそれぞ
れの場合において波形３ｂの繰り返し長さを０．３ｍ
ｍ，０．５ｍｍ，０．７ｍｍ，１．０ｍｍ，１．２ｍ
ｍ，１．５ｍｍ，１．８ｍｍとし、比較用のサンプルと
合わせて計４３種のサンプルを作製した。

【００３０】また、ロウ材としては、銀の含有量が７２
重量％、銅の含有量が２８重量％である銀ロウ（ＢＡｇ
８：ＪＩＳＺ３２６１）を使用し、ロウ付けはベルト送
り式のブレージング炉を使用して８６０℃程度の温度で
実施した。このようにして銀ロウでメタライズ層２ａに
シールリング３をロウ付けすることによりテスト用サン
プルを作成した。この場合、シールリング３からメタラ
イズ層２ａにかけて形成されるロウ材溜まりＣの大きさ
がシールリング３の内周面３ａのどの部位においても略
同じとなるようにロウ材の量を調整した。

【００３１】このとき、カーボン治具が組立用治具とし
て用いられ、シールリング３はメタライズ層２ａに対し
て、カーボン治具に予め見込まれたクリアランスと、枠
体２上に形成されているメタライズ層２ａの若干の位置
バラツキとによって、シールリング３の長手方向の中心
軸の幅方向でのずれが発生する場合がある。しかし、こ
のずれはシールリング３の幅の２０％程度以内であれ
ば、シールリング３の内周に生成するロウ材溜まりＣの
体積に大きな差が発生せず、よってこの差に起因するマ
イクロクラックＤなどの不具合が枠体２に発生すること
はない。

【００３２】なお、表１では、引き剥がし強度の測定結
果（単位はＮ：ニュートン）を記載するとともに、各サ
ンプルの３０個について１つでもマイクロクラックが発
生した場合は×印を併記した。

【００３３】

【表１】

【００３４】表1において、引き剥がし強度はシールリ
ング３の内周面３ａに波形３ｂが形成されている場合に
は、その振れ幅３ｃ、及び繰り返し長さ３ｄが上述のよ
うな好適な範囲内であればシールリング３の内周面３ａ
が直線状である場合に比べて１０７〜１７８％と大きく
なり、同時にマイクロクラックの発生を有効に防止して
いることが明らかとなった。

【００３５】上記実施の形態では、波形３ｂが滑らかな
曲線で形成されたものについて説明したが、シールリン
グ３の内周面３ａの形状が鋸歯状や矩形の波形であって
も良い。また、内周面３ａの波形の繰り返し長さが途中
で変化していてもその作用効果は失われるものではな
い。また内周面３ａの形状は、シールリング３の各辺に
よってそれぞれ波形３ｂの振れ幅や繰り返し長さが異な
っていても良く、その場合各辺の内周面３ａの単位長さ
におけるロウ材溜りＣのメニスカス面積が略同じであれ
ば良い。

【００３６】そして、本発明のシールリング３を枠体２
上面のメタライズ層２ａの上面に上述のようにしてロウ
材を介して接合し、シールリング３が強固に接合された
半導体パッケージＡを得ることができる。次いで、図４
に示すように、基体１の載置部１ａの上面に半導体素子
５をガラス，樹脂，ロウ材などの接着剤を介して接着固
定するとともに、半導体素子５上の電極をボンディング
ワイヤ（図示せず）を介して入出力用電極１ｂ上のメタ
ライズ層等から成る線路導体の一端に電気的に接続す
る。しかる後、シールリング３の上面に蓋体４を金（Ａ
ｕ）−錫（Ｓｎ）等の低融点ロウ材により接合すること
により、基体１、枠体２、蓋体４から成る半導体パッケ
ージＡの内部に半導体素子５を収容した製品としての半
導体装置Ｂを得る。

【００３７】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変
更を行うことは何等支障ない。例えば本発明の半導体パ
ッケージＡが光半導体素子用として用いられても同様な
効果が得られることは勿論であり、その際は枠体２の側
部に光ファイバ取付用の貫通孔が設けられた構成とな
る。

【００３８】

【発明の効果】本発明は、上側主面に半導体素子が載置
される載置部を有する基体と、基体の上側主面に載置部
を囲繞するように取着され、上面にメタライズ層が形成
されているとともに側部を貫通するように入出力用電極
が形成されている枠体と、メタライズ層の上面に取着さ
れたシールリングとを具備し、シールリングは、その内
周面の上面視形状が波形になっていることにより、シー
ルリングを枠体上面のメタライズ層上に接合させる際
に、シールリングの内周面におけるロウ材溜まりの全体
の大きさが従来のものに比べて大きなものとなり、シー
ルリングの強固な接合、および信頼性の高い気密封止を
可能にするという作用効果を有する。その結果、半導体
素子を長期にわたり正常かつ安定に作動させ得る。

【００３９】また本発明は、好ましくはシールリングの
内周面の波形の振れ幅が０．２〜０．７ｍｍであり、か
つ繰り返し長さが０．５〜１．５ｍｍであることによ
り、ロウ材溜まりの必要な大きさを確保して十分な接合
強度が得られるとともに気密封止を良好なものとするこ
とができる。

【００４０】本発明の半導体装置は、本発明の半導体素
子収納用パッケージと、載置部に載置固定されるととも
に入出力用電極に電気的に接続された半導体素子と、シ
ールリングの上面に接合された蓋体とを具備したことに
より、内部に収容する半導体素子を長期にわたり正常か
つ安定して作動させ得る信頼性の高いものとなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体パッケージについて実施の形態
の一例を示す断面図である。

【図２】図１の半導体パッケージの平面図である。

【図３】本発明の半導体パッケージに用いられシールリ
ングの部分拡大平面図である。

【図４】本発明の半導体装置の断面図である。

【図５】従来の半導体パッケージの断面図である。

【図６】従来の半導体パッケージであって枠体上面のメ
タライズ層に凹溝を設けたものの要部拡大断面図であ
る。

【図７】従来の半導体装置の断面図である。

【符号の説明】

１：基体 １ａ：載置部 １ｂ：入出力用電極 ２：枠体 ２ａ：メタライズ層 ３：シールリング ３ａ：内周面 ３ｂ：波形 ３ｃ：波形の振れ幅 ３ｄ：波形の繰り返し長さ ４：蓋体 ５：半導体素子 Ａ：半導体パッケージ Ｂ：半導体装置

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 上側主面に半導体素子が載置される載置
   部を有する基体と、該基体の上側主面に前記載置部を囲
   繞するように取着され、上面にメタライズ層が形成され
   ているとともに側部を貫通するように入出力用電極が形
   成されている枠体と、前記メタライズ層の上面に取着さ
   れたシールリングとを具備した半導体素子収納用パッケ
   ージにおいて、前記シールリングは、その内周面の上面
   視形状が波形になっていることを特徴とする半導体素子
   収納用パッケージ。
2. 【請求項２】 前記シールリングの内周面の波形の振れ
   幅が０．２〜０．７ｍｍであり、かつ繰り返し長さが
   ０．５〜１．５ｍｍであることを特徴とする請求項１記
   載の半導体素子収納用パッケージ。
3. 【請求項３】 請求項１または請求項２記載の半導体素
   子収納用パッケージと、前記載置部に載置固定されると
   ともに前記入出力用電極に電気的に接続された半導体素
   子と、前記シールリングの上面に接合された蓋体とを具
   備したことを特徴とする半導体装置。