JP2003027223A - 高抵抗膜形成用ｉｔｏ焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法 - Google Patents
高抵抗膜形成用ｉｔｏ焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高抵抗透明導電膜、特に抵抗膜式タッチパネ
ル装置等の画面位置確定のために使用される３００〜１
０００Ω／□程度の高い表面抵抗率を有する透明導電膜
形成に有用であるＩＴＯ焼結体スパッタリングターゲッ
ト及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 ２０〜５０ｗｔ％の酸化錫を含有するこ
とを特徴とするＩＴＯ焼結体スパッタリングターゲッ
ト。
ル装置等の画面位置確定のために使用される３００〜１
０００Ω／□程度の高い表面抵抗率を有する透明導電膜
形成に有用であるＩＴＯ焼結体スパッタリングターゲッ
ト及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 ２０〜５０ｗｔ％の酸化錫を含有するこ
とを特徴とするＩＴＯ焼結体スパッタリングターゲッ
ト。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高抵抗透明導電
膜、特に抵抗膜式タッチパネル装置等の画面位置確定の
ために使用される３００〜１０００Ω／□程度の高い表
面抵抗率を有する透明導電膜形成に有用であるＩＴＯ焼
結体スパッタリングターゲット及びその製造方法に関す
る。
膜、特に抵抗膜式タッチパネル装置等の画面位置確定の
ために使用される３００〜１０００Ω／□程度の高い表
面抵抗率を有する透明導電膜形成に有用であるＩＴＯ焼
結体スパッタリングターゲット及びその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、抵抗膜式タッチパネルの需要が急
速に伸びている。この抵抗膜式タッチパネルは２枚の透
明導電膜を利用して、双方にある電位差を持たせてバイ
アスをかけ、スイッチが押された位置を電圧降下によっ
て特定するという構成からなっている。位置の特定を正
確に行うためには、電圧降下を精度よく測定できなけれ
ばならない。そのためには、３００〜１０００Ω／□程
度の高い表面抵抗率を有する透明導電膜が必要となる。
速に伸びている。この抵抗膜式タッチパネルは２枚の透
明導電膜を利用して、双方にある電位差を持たせてバイ
アスをかけ、スイッチが押された位置を電圧降下によっ
て特定するという構成からなっている。位置の特定を正
確に行うためには、電圧降下を精度よく測定できなけれ
ばならない。そのためには、３００〜１０００Ω／□程
度の高い表面抵抗率を有する透明導電膜が必要となる。
【０００３】従来から良く知られている、５〜１０ｗｔ
％程度の酸化錫を含有するＩＴＯ膜の体積抵抗率は、お
よそ０．２〜０．４ｍΩ・ｃｍであるが、このような低
い体積抵抗率の膜で３００〜１０００Ω／□という高い
表面抵抗率を実現するためには、膜厚が２〜１３ｎｍと
いう極めて薄い膜を基板面内に均一に成膜しなければな
らず、技術的難易度が非常に高い。また、タッチパネル
はその機能上、耐屈曲性、耐カール性、耐擦化（ペンス
ライド）性等の特性も厳しいものが求められる。さら
に、基板面内で均一な特性を有するため、１０ｎｍ以上
に厚い膜厚で、かつ３００〜１０００Ω／□という高い
表面抵抗率とするためには、膜の体積抵抗率は０．３ｍ
Ω・ｃｍ以上が必要であり、このような膜を形成するた
めのスパッタリングターゲットが要求されている。
％程度の酸化錫を含有するＩＴＯ膜の体積抵抗率は、お
よそ０．２〜０．４ｍΩ・ｃｍであるが、このような低
い体積抵抗率の膜で３００〜１０００Ω／□という高い
表面抵抗率を実現するためには、膜厚が２〜１３ｎｍと
いう極めて薄い膜を基板面内に均一に成膜しなければな
らず、技術的難易度が非常に高い。また、タッチパネル
はその機能上、耐屈曲性、耐カール性、耐擦化（ペンス
ライド）性等の特性も厳しいものが求められる。さら
に、基板面内で均一な特性を有するため、１０ｎｍ以上
に厚い膜厚で、かつ３００〜１０００Ω／□という高い
表面抵抗率とするためには、膜の体積抵抗率は０．３ｍ
Ω・ｃｍ以上が必要であり、このような膜を形成するた
めのスパッタリングターゲットが要求されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題を
解決したもので、高抵抗透明導電膜、特に抵抗膜式タッ
チパネル装置等の画面位置確定のために使用される３０
０〜１０００Ω／□程度の高い表面抵抗率を有する透明
導電膜の形成に有用であるＩＴＯ焼結体スパッタリング
ターゲット及びその製造方法を提供することにある。携
帯用端末機などの使用されるタッチパネルを例にあげる
と、例えばＰＥＴ基板のような材料に成膜されるが、
熱、湿度、アルカリ腐蝕、屈曲やカールなどの機械的変
形、ペン衝突摩耗などの種々の環境に耐える必要がある
が、本発明のＩＴＯ焼結体スパッタリングターゲットで
成膜した透明導電膜はこのような問題も解決することが
できる。
解決したもので、高抵抗透明導電膜、特に抵抗膜式タッ
チパネル装置等の画面位置確定のために使用される３０
０〜１０００Ω／□程度の高い表面抵抗率を有する透明
導電膜の形成に有用であるＩＴＯ焼結体スパッタリング
ターゲット及びその製造方法を提供することにある。携
帯用端末機などの使用されるタッチパネルを例にあげる
と、例えばＰＥＴ基板のような材料に成膜されるが、
熱、湿度、アルカリ腐蝕、屈曲やカールなどの機械的変
形、ペン衝突摩耗などの種々の環境に耐える必要がある
が、本発明のＩＴＯ焼結体スパッタリングターゲットで
成膜した透明導電膜はこのような問題も解決することが
できる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、従来から広く
用いられている５〜１０ｗｔ％程度の酸化錫を含有する
ＩＴＯ焼結体スパッタリングターゲットよりも多くの酸
化錫を含有するターゲットを使用することにより、上記
の問題を解決できるとの知見を得た。この知見に基づ
き、本発明は、 １．２０〜５０ｗｔ％の酸化錫を含有することを特徴と
するＩＴＯ焼結体スパッタリングターゲット。 ２．３０〜４０ｗｔ％の酸化錫を含有することを特徴と
するＩＴＯ焼結体スパッタリングターゲット。 ３．焼結体密度が６．３〜７．２ｇ／ｃｍ３であること
を特徴とする上記１又は２記載のＩＴＯ焼結体スパッタ
リングターゲット。 を提供する。
用いられている５〜１０ｗｔ％程度の酸化錫を含有する
ＩＴＯ焼結体スパッタリングターゲットよりも多くの酸
化錫を含有するターゲットを使用することにより、上記
の問題を解決できるとの知見を得た。この知見に基づ
き、本発明は、 １．２０〜５０ｗｔ％の酸化錫を含有することを特徴と
するＩＴＯ焼結体スパッタリングターゲット。 ２．３０〜４０ｗｔ％の酸化錫を含有することを特徴と
するＩＴＯ焼結体スパッタリングターゲット。 ３．焼結体密度が６．３〜７．２ｇ／ｃｍ３であること
を特徴とする上記１又は２記載のＩＴＯ焼結体スパッタ
リングターゲット。 を提供する。
【０００６】本発明はさらに
４．２０〜５０ｗｔ％酸化錫を含有する酸化インジウム
との混合粉末をプレス成形し、この成形体を純酸素雰囲
気中、温度１５００〜１６５０°Ｃ、圧力０．１５〜１
ＭＰａで加圧焼結することを特徴とするＩＴＯ焼結体ス
パッタリングターゲットの製造方法。 ５．３０〜４０ｗｔ％酸化錫を含有する酸化インジウム
との混合粉末をプレス成形し、この成形体を純酸素雰囲
気中、温度１５００〜１６５０°Ｃ、圧力０．１５〜１
ＭＰａで加圧焼結することを特徴とするＩＴＯ焼結体ス
パッタリングターゲットの製造方法。 ６．焼結体密度が６．３〜７．２ｇ／ｃｍ３であること
を特徴とする上記４又は５記載のＩＴＯ焼結体スパッタ
リングターゲットの製造方法。 を提供するものである。
との混合粉末をプレス成形し、この成形体を純酸素雰囲
気中、温度１５００〜１６５０°Ｃ、圧力０．１５〜１
ＭＰａで加圧焼結することを特徴とするＩＴＯ焼結体ス
パッタリングターゲットの製造方法。 ５．３０〜４０ｗｔ％酸化錫を含有する酸化インジウム
との混合粉末をプレス成形し、この成形体を純酸素雰囲
気中、温度１５００〜１６５０°Ｃ、圧力０．１５〜１
ＭＰａで加圧焼結することを特徴とするＩＴＯ焼結体ス
パッタリングターゲットの製造方法。 ６．焼結体密度が６．３〜７．２ｇ／ｃｍ３であること
を特徴とする上記４又は５記載のＩＴＯ焼結体スパッタ
リングターゲットの製造方法。 を提供するものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】通常、ＩＴＯ膜形成用のＩＴＯ焼
結体スパッタリングターゲットは、酸化錫含有量が５〜
１０ｗｔ％のものが広く使用されている。この組成のも
のが選択される理由は、主に低抵抗膜を形成するためで
ある。一方、本発明においては、ＩＴＯ焼結体スパッタ
リングターゲット中の酸化錫含有量を２０〜５０ｗｔ％
と高くすることが大きな特徴である。そして、このよう
なターゲットを使用することにより、体積抵抗率が０．
３ｍΩ・ｃｍ以上の高抵抗膜が容易に形成することが可
能となり、抵抗膜式タッチパネル等に好適な、高い表面
抵抗率を有する透明導電膜を得ることができる。
結体スパッタリングターゲットは、酸化錫含有量が５〜
１０ｗｔ％のものが広く使用されている。この組成のも
のが選択される理由は、主に低抵抗膜を形成するためで
ある。一方、本発明においては、ＩＴＯ焼結体スパッタ
リングターゲット中の酸化錫含有量を２０〜５０ｗｔ％
と高くすることが大きな特徴である。そして、このよう
なターゲットを使用することにより、体積抵抗率が０．
３ｍΩ・ｃｍ以上の高抵抗膜が容易に形成することが可
能となり、抵抗膜式タッチパネル等に好適な、高い表面
抵抗率を有する透明導電膜を得ることができる。
【０００８】スパッタリング法は、陰極に設置したター
ゲットにＡｒイオンなどの正イオンを物理的に衝突さ
せ、その衝突エネルギーでターゲットを構成する材料を
放出させて、対面している陽極側の基板にターゲット材
料とほぼ同組成の膜を積層することによって行われる薄
膜形成方法であり、処理時間や供給電力等を調節するこ
とによって、安定した成膜速度で数ｎｍの薄い膜から数
十μｍの厚い膜まで形成できる。ＩＴＯのスパッタリン
グは、成膜時のプロセスコントロールが比較的容易で、
生産性が高いという理由から、工業的にはＤＣマグネト
ロンスパッタリング法が広く用いられている。本発明
は、このような成膜方法に好適なスパッタリングターゲ
ットを提供する。
ゲットにＡｒイオンなどの正イオンを物理的に衝突さ
せ、その衝突エネルギーでターゲットを構成する材料を
放出させて、対面している陽極側の基板にターゲット材
料とほぼ同組成の膜を積層することによって行われる薄
膜形成方法であり、処理時間や供給電力等を調節するこ
とによって、安定した成膜速度で数ｎｍの薄い膜から数
十μｍの厚い膜まで形成できる。ＩＴＯのスパッタリン
グは、成膜時のプロセスコントロールが比較的容易で、
生産性が高いという理由から、工業的にはＤＣマグネト
ロンスパッタリング法が広く用いられている。本発明
は、このような成膜方法に好適なスパッタリングターゲ
ットを提供する。
【０００９】一般に、ＩＴＯのスパッタリングにおいて
は、長時間スパッタリングを継続することでターゲット
エロージョン面にノジュールと呼ばれる黒色の突起物が
発生する。ノジュールは、スパッタリング積算電力量の
増加とともに急速に増加し、このため成膜速度が低下し
たり、膜の抵抗率が変化したりする。これらのことを補
正するために、頻繁に投入スパッタパワーやスパッタガ
ス組成を調整することが必要とされる。さらに、ノジュ
ール部はそれが発生していない部分と比べると電気伝導
度が劣るため、ＤＣスパッタリングではアーキングとい
う異常放電を引き起こす原因となる。アーキングが発生
すると、それに付随してパーティクルダストが発生し、
膜不良の一因となる場合が生じる。
は、長時間スパッタリングを継続することでターゲット
エロージョン面にノジュールと呼ばれる黒色の突起物が
発生する。ノジュールは、スパッタリング積算電力量の
増加とともに急速に増加し、このため成膜速度が低下し
たり、膜の抵抗率が変化したりする。これらのことを補
正するために、頻繁に投入スパッタパワーやスパッタガ
ス組成を調整することが必要とされる。さらに、ノジュ
ール部はそれが発生していない部分と比べると電気伝導
度が劣るため、ＤＣスパッタリングではアーキングとい
う異常放電を引き起こす原因となる。アーキングが発生
すると、それに付随してパーティクルダストが発生し、
膜不良の一因となる場合が生じる。
【００１０】このようなことから、ノジュールが過度に
増大してきた状態においては、一旦スパッタリング操作
を停止して装置の真空を破り、ターゲット表面に発生し
たノジュールを除去する作業が必要となり、大幅に生産
性を低下させる原因となっている。ＩＴＯターゲットに
発生するノジュールを抑制するためには、ターゲットを
高密度化することが有効であることは、以前からよく知
られた事実である。これにより、ノジュールの発生核と
なるターゲット中の空孔が減少し、ターゲット自身の電
気伝導も向上するため、安定的にＤＣスパッタリングを
継続することが可能となる。
増大してきた状態においては、一旦スパッタリング操作
を停止して装置の真空を破り、ターゲット表面に発生し
たノジュールを除去する作業が必要となり、大幅に生産
性を低下させる原因となっている。ＩＴＯターゲットに
発生するノジュールを抑制するためには、ターゲットを
高密度化することが有効であることは、以前からよく知
られた事実である。これにより、ノジュールの発生核と
なるターゲット中の空孔が減少し、ターゲット自身の電
気伝導も向上するため、安定的にＤＣスパッタリングを
継続することが可能となる。
【００１１】しかし、従来の技術では酸化錫含有量２０
〜５０ｗｔ％といった高濃度酸化錫ＩＴＯ焼結体スパッ
タリングターゲットを密度６．３〜７．２ｇ／ｃｍ３程
度に高密度化することは不可能であった。これは酸化錫
の蒸気圧が高いために、ＩＴＯを焼結する際、酸化錫中
の酸素が熱によって解離したり、酸化錫自体が蒸発する
ためである。当然のことながら、酸化錫の含有量が高く
なると、この現象は顕著になる。本発明では、純酸素雰
囲気中、温度１５００〜１６５０°Ｃ、圧力０．１５〜
１ＭＰａ（なお、この場合の温度及び圧力は、本発明に
適用できる焼結の最高温度及び最高圧力の範囲を示
す。）で加圧焼結することで、密度６．３〜７．２ｇ／
ｃｍ３の高密度ＩＴＯ焼結体スパッタリングターゲット
を製造することができる。これは、従来の常圧酸素雰囲
気焼結で得られていた密度５．５〜６．０ｇ／ｃｍ３程
度のＩＴＯ焼結体スパッタリングターゲットよりも、は
るかに高い密度を有するものであり、これによって従来
よりもスパッタリング中に発生するノジュールやアーキ
ングを低減し、長期に亘って安定的に一定条件で、スパ
ッタリング操業を行うことが可能になった。
〜５０ｗｔ％といった高濃度酸化錫ＩＴＯ焼結体スパッ
タリングターゲットを密度６．３〜７．２ｇ／ｃｍ３程
度に高密度化することは不可能であった。これは酸化錫
の蒸気圧が高いために、ＩＴＯを焼結する際、酸化錫中
の酸素が熱によって解離したり、酸化錫自体が蒸発する
ためである。当然のことながら、酸化錫の含有量が高く
なると、この現象は顕著になる。本発明では、純酸素雰
囲気中、温度１５００〜１６５０°Ｃ、圧力０．１５〜
１ＭＰａ（なお、この場合の温度及び圧力は、本発明に
適用できる焼結の最高温度及び最高圧力の範囲を示
す。）で加圧焼結することで、密度６．３〜７．２ｇ／
ｃｍ３の高密度ＩＴＯ焼結体スパッタリングターゲット
を製造することができる。これは、従来の常圧酸素雰囲
気焼結で得られていた密度５．５〜６．０ｇ／ｃｍ３程
度のＩＴＯ焼結体スパッタリングターゲットよりも、は
るかに高い密度を有するものであり、これによって従来
よりもスパッタリング中に発生するノジュールやアーキ
ングを低減し、長期に亘って安定的に一定条件で、スパ
ッタリング操業を行うことが可能になった。
【００１２】
【実施例及び比較例】次に、本発明の実施例について説
明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例
に制限されるものではない。すなわち、本発明の技術思
想の範囲内で、実施例以外の態様あるいは変形を全て包
含するものである。
明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例
に制限されるものではない。すなわち、本発明の技術思
想の範囲内で、実施例以外の態様あるいは変形を全て包
含するものである。
【００１３】（実施例）ＩＴＯスパッタリングターゲッ
トの原材料として、平均粒子径３μｍ以下の酸化インジ
ウム粉末と同程度の酸化錫粉末を使用し、これらの粉末
を表１に記載する酸化錫含有量の条件で均一に湿式粉砕
混合した。このスラリーにＰＶＡ等のバインダーを添加
した後、乾燥造粒した。この酸化インジウム−酸化錫混
合粉末を金型に均一充填し、冷間油圧プレスで８０ＭＰ
ａの圧力を加えて成形し、さらに１６０ＭＰａの圧力で
冷間静水圧プレスした。上記成形体を純酸素雰囲気中、
最高温度１６２０°Ｃで焼結した。このとき、実施例と
比較例で焼結最高圧力を変化させた。このようにして得
られた焼結体の表面を、平面研削盤でダイヤモンド砥石
を用いて研削し、さらに側片を、ダイヤモンドカッター
を用いて切断した。このターゲット切断ピースを銅製の
バッキングプレートにメタルボンディングし、ターゲッ
ト表面を研磨仕上げしてＩＴＯスパッタリングターゲッ
トとした。表１に、ターゲットの酸化錫含有量、焼結最
高圧力及び密度を示す。
トの原材料として、平均粒子径３μｍ以下の酸化インジ
ウム粉末と同程度の酸化錫粉末を使用し、これらの粉末
を表１に記載する酸化錫含有量の条件で均一に湿式粉砕
混合した。このスラリーにＰＶＡ等のバインダーを添加
した後、乾燥造粒した。この酸化インジウム−酸化錫混
合粉末を金型に均一充填し、冷間油圧プレスで８０ＭＰ
ａの圧力を加えて成形し、さらに１６０ＭＰａの圧力で
冷間静水圧プレスした。上記成形体を純酸素雰囲気中、
最高温度１６２０°Ｃで焼結した。このとき、実施例と
比較例で焼結最高圧力を変化させた。このようにして得
られた焼結体の表面を、平面研削盤でダイヤモンド砥石
を用いて研削し、さらに側片を、ダイヤモンドカッター
を用いて切断した。このターゲット切断ピースを銅製の
バッキングプレートにメタルボンディングし、ターゲッ
ト表面を研磨仕上げしてＩＴＯスパッタリングターゲッ
トとした。表１に、ターゲットの酸化錫含有量、焼結最
高圧力及び密度を示す。
【００１４】
【表１】
【００１５】上記表１に示す通り、実施例１〜４では、
酸化錫含有量２０〜５０ｗｔ％といった高濃度酸化錫Ｉ
ＴＯ焼結体スパッタリングターゲットにおいても、最高
圧力０．５ＭＰａで加圧焼結することにより、密度６．
３〜７．２ｇ／ｃｍ３に高密度化することができた。一
方、比較例３、４の０．１ＭＰａ（大気圧）では加圧力
が十分でなく、密度６．０ｇ／ｃｍ３以上のターゲット
を得ることはできなかった。なお、比較例１、２は酸化
錫含有量が本発明の条件に満たないものである。
酸化錫含有量２０〜５０ｗｔ％といった高濃度酸化錫Ｉ
ＴＯ焼結体スパッタリングターゲットにおいても、最高
圧力０．５ＭＰａで加圧焼結することにより、密度６．
３〜７．２ｇ／ｃｍ３に高密度化することができた。一
方、比較例３、４の０．１ＭＰａ（大気圧）では加圧力
が十分でなく、密度６．０ｇ／ｃｍ３以上のターゲット
を得ることはできなかった。なお、比較例１、２は酸化
錫含有量が本発明の条件に満たないものである。
【００１６】実施例１〜４及び比較例１〜４で作製した
ターゲットを、次に示す条件でスパッタリングし、得ら
れた膜の特性を測定した。また、約５０時間の連続スパ
ッタ後の積算電力量８０ｋＷＨｒにおけるターゲット表
面に発生したノジュール量を定性評価した。表２に、膜
厚、面積抵抗率、体積抵抗率、ノジュール発生量を示
す。 ターゲットサイズ：１２７×５０８×６．３５ｍｍ スパッタガス：Ａｒ＋Ｏ２ スパッタガス圧：０．５Ｐａ スパッタガス流量：３００ＳＣＣＭ スパッタガス中の酸素濃度：１ｖｏｌ％ 漏洩磁束密度：０．１Ｔ 投入スパッタパワー：１５００Ｗ
ターゲットを、次に示す条件でスパッタリングし、得ら
れた膜の特性を測定した。また、約５０時間の連続スパ
ッタ後の積算電力量８０ｋＷＨｒにおけるターゲット表
面に発生したノジュール量を定性評価した。表２に、膜
厚、面積抵抗率、体積抵抗率、ノジュール発生量を示
す。 ターゲットサイズ：１２７×５０８×６．３５ｍｍ スパッタガス：Ａｒ＋Ｏ２ スパッタガス圧：０．５Ｐａ スパッタガス流量：３００ＳＣＣＭ スパッタガス中の酸素濃度：１ｖｏｌ％ 漏洩磁束密度：０．１Ｔ 投入スパッタパワー：１５００Ｗ
【００１７】
【表２】
【００１８】上記表２に示す通り、実施例１〜４では、
膜厚約２０ｎｍで、表面抵抗率４００〜１０００Ω／
□、体積抵抗率０．７〜１．８ｍΩ・ｃｍの膜が得られ
た。また、これらの膜を形成するために使用したターゲ
ットの連続スパッタ後のノジュール発生量は、いずれも
少ないという結果が得られた。一方、比較例１、２で
は、表面抵抗率３００Ω／□以上の高抵抗膜は得ること
ができず、比較例３、４は主としてターゲットの密度が
低いため、ノジュールの発生量が多いという結果になっ
た。
膜厚約２０ｎｍで、表面抵抗率４００〜１０００Ω／
□、体積抵抗率０．７〜１．８ｍΩ・ｃｍの膜が得られ
た。また、これらの膜を形成するために使用したターゲ
ットの連続スパッタ後のノジュール発生量は、いずれも
少ないという結果が得られた。一方、比較例１、２で
は、表面抵抗率３００Ω／□以上の高抵抗膜は得ること
ができず、比較例３、４は主としてターゲットの密度が
低いため、ノジュールの発生量が多いという結果になっ
た。
【００１９】
【発明の効果】以上に示すように、本発明はＩＴＯ焼結
体スパッタリングターゲットに含有される酸化錫量を、
従来から広く使用されているものよりも増加させたター
ゲットを使用することにより、高抵抗透明導電膜、特に
抵抗膜式タッチパネル装置等の画面位置確定のために使
用される３００〜１０００Ω／□程度の高い表面抵抗率
を有する透明導電膜形成に有用であるＩＴＯ焼結体スパ
ッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること
ができる。さらにまた、本発明は純酸素雰囲気中、温度
１５００〜１６５０°Ｃ、圧力０．１５〜１ＭＰａで加
圧焼結するものであるが、これによって酸化錫含有量が
２０〜５０ｗｔ％といった高濃度酸化錫ＩＴＯ焼結体ス
パッタリングターゲットを密度６．３〜７．２ｇ／ｃｍ
３程度に高密度化することが可能となった。これは、高
濃度酸化錫ＩＴＯ焼結体スパッタリングターゲットにお
いて、従来考えられていた密度よりもはるかに高い密度
を有するものであり、これによってスパッタリング中に
ターゲット表面に発生するノジュールを低減するととも
に、アーキングやパーティクルダストを抑制し、安定的
にスパッタリング操業を行うことができるという優れた
効果を有する。
体スパッタリングターゲットに含有される酸化錫量を、
従来から広く使用されているものよりも増加させたター
ゲットを使用することにより、高抵抗透明導電膜、特に
抵抗膜式タッチパネル装置等の画面位置確定のために使
用される３００〜１０００Ω／□程度の高い表面抵抗率
を有する透明導電膜形成に有用であるＩＴＯ焼結体スパ
ッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること
ができる。さらにまた、本発明は純酸素雰囲気中、温度
１５００〜１６５０°Ｃ、圧力０．１５〜１ＭＰａで加
圧焼結するものであるが、これによって酸化錫含有量が
２０〜５０ｗｔ％といった高濃度酸化錫ＩＴＯ焼結体ス
パッタリングターゲットを密度６．３〜７．２ｇ／ｃｍ
３程度に高密度化することが可能となった。これは、高
濃度酸化錫ＩＴＯ焼結体スパッタリングターゲットにお
いて、従来考えられていた密度よりもはるかに高い密度
を有するものであり、これによってスパッタリング中に
ターゲット表面に発生するノジュールを低減するととも
に、アーキングやパーティクルダストを抑制し、安定的
にスパッタリング操業を行うことができるという優れた
効果を有する。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１３年８月１３日（２００１．８．１
３）
３）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００３】従来から良く知られている、５〜１０ｗｔ
％程度の酸化錫を含有するＩＴＯ膜の体積抵抗率は、お
よそ０．２〜０．４ｍΩ・ｃｍであるが、このような低
い体積抵抗率の膜で３００〜１０００Ω／□という高い
表面抵抗率を実現するためには、膜厚が２〜１３ｎｍと
いう極めて薄い膜を基板面内に均一に成膜しなければな
らず、技術的難易度が非常に高い。また、タッチパネル
はその機能上、耐屈曲性、耐カール性、耐擦化（ペンス
ライド）性等の特性も厳しいものが求められる。さら
に、基板面内で均一な特性を有するため、２０ｎｍ以上
に厚い膜厚で、かつ３００〜１０００Ω／□という高い
表面抵抗率とするためには、膜の体積抵抗率は０．６ｍ
Ω・ｃｍ以上が必要であり、このような膜を形成するた
めのスパッタリングターゲットが要求されている。
％程度の酸化錫を含有するＩＴＯ膜の体積抵抗率は、お
よそ０．２〜０．４ｍΩ・ｃｍであるが、このような低
い体積抵抗率の膜で３００〜１０００Ω／□という高い
表面抵抗率を実現するためには、膜厚が２〜１３ｎｍと
いう極めて薄い膜を基板面内に均一に成膜しなければな
らず、技術的難易度が非常に高い。また、タッチパネル
はその機能上、耐屈曲性、耐カール性、耐擦化（ペンス
ライド）性等の特性も厳しいものが求められる。さら
に、基板面内で均一な特性を有するため、２０ｎｍ以上
に厚い膜厚で、かつ３００〜１０００Ω／□という高い
表面抵抗率とするためには、膜の体積抵抗率は０．６ｍ
Ω・ｃｍ以上が必要であり、このような膜を形成するた
めのスパッタリングターゲットが要求されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】
【発明の実施の形態】通常、ＩＴＯ膜形成用のＩＴＯ焼
結体スパッタリングターゲットは、酸化錫含有量が５〜
１０ｗｔ％のものが広く使用されている。この組成のも
のが選択される理由は、主に低抵抗膜を形成するためで
ある。一方、本発明においては、ＩＴＯ焼結体スパッタ
リングターゲット中の酸化錫含有量を２０〜５０ｗｔ％
と高くすることが大きな特徴である。そして、このよう
なターゲットを使用することにより、体積抵抗率が０．
６ｍΩ・ｃｍ以上の高抵抗膜が容易に形成することが可
能となり、抵抗膜式タッチパネル等に好適な、高い表面
抵抗率を有する透明導電膜を得ることができる。
結体スパッタリングターゲットは、酸化錫含有量が５〜
１０ｗｔ％のものが広く使用されている。この組成のも
のが選択される理由は、主に低抵抗膜を形成するためで
ある。一方、本発明においては、ＩＴＯ焼結体スパッタ
リングターゲット中の酸化錫含有量を２０〜５０ｗｔ％
と高くすることが大きな特徴である。そして、このよう
なターゲットを使用することにより、体積抵抗率が０．
６ｍΩ・ｃｍ以上の高抵抗膜が容易に形成することが可
能となり、抵抗膜式タッチパネル等に好適な、高い表面
抵抗率を有する透明導電膜を得ることができる。
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フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4G030 AA34 AA39 BA02 BA15 GA23
GA25 GA26
4K029 BA45 BC09 DC05 DC09
Claims (6)
- 【請求項１】 ２０〜５０ｗｔ％の酸化錫を含有するこ
とを特徴とするＩＴＯ焼結体スパッタリングターゲッ
ト。 - 【請求項２】 ３０〜４０ｗｔ％の酸化錫を含有するこ
とを特徴とするＩＴＯ焼結体スパッタリングターゲッ
ト。 - 【請求項３】 焼結体密度が６．３〜７．２ｇ／ｃｍ３
であることを特徴とする請求項１又は２記載のＩＴＯ焼
結体スパッタリングターゲット。 - 【請求項４】 ２０〜５０ｗｔ％酸化錫を含有する酸化
インジウムとの混合粉末をプレス成形し、この成形体を
純酸素雰囲気中、温度１５００〜１６５０°Ｃ、圧力
０．１５〜１ＭＰａで加圧焼結することを特徴とするＩ
ＴＯ焼結体スパッタリングターゲットの製造方法。 - 【請求項５】 ３０〜４０ｗｔ％酸化錫を含有する酸化
インジウムとの混合粉末をプレス成形し、この成形体を
純酸素雰囲気中、温度１５００〜１６５０°Ｃ、圧力
０．１５〜１ＭＰａで加圧焼結することを特徴とするＩ
ＴＯ焼結体スパッタリングターゲットの製造方法。 - 【請求項６】 焼結体密度が６．３〜７．２ｇ／ｃｍ３
であることを特徴とする請求項４又は５記載のＩＴＯ焼
結体スパッタリングターゲットの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001217498A JP2003027223A (ja) | 2001-07-18 | 2001-07-18 | 高抵抗膜形成用ｉｔｏ焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| PCT/JP2002/003250 WO2003008658A1 (en) | 2001-07-18 | 2002-04-01 | Ito sintered body sputtering target for forming high-resistance film and its manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001217498A JP2003027223A (ja) | 2001-07-18 | 2001-07-18 | 高抵抗膜形成用ｉｔｏ焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003027223A true JP2003027223A (ja) | 2003-01-29 |
Family
ID=19051802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001217498A Withdrawn JP2003027223A (ja) | 2001-07-18 | 2001-07-18 | 高抵抗膜形成用ｉｔｏ焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003027223A (ja) |
| WO (1) | WO2003008658A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004359982A (ja) * | 2003-06-03 | 2004-12-24 | Nikko Materials Co Ltd | Ｉｔｏスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105169939A (zh) * | 2015-10-15 | 2015-12-23 | 苏州韵蓝环保科技有限公司 | 一种带有液体分布器的洗涤塔 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2756598B2 (ja) * | 1989-09-28 | 1998-05-25 | 東ソー株式会社 | 酸化物焼結体及びその製法並びに用途 |
| JP4079457B2 (ja) * | 1993-12-14 | 2008-04-23 | 日本曹達株式会社 | インジウム−スズ酸化物膜の高抵抗化方法 |
| JPH07224374A (ja) * | 1993-12-14 | 1995-08-22 | Nippon Soda Co Ltd | スズドープ酸化インジウム膜の高抵抗化方法 |
| JP3943617B2 (ja) * | 1995-12-07 | 2007-07-11 | 出光興産株式会社 | 透明導電積層体およびこれを用いたタッチパネル |
| JPH1135370A (ja) * | 1997-07-18 | 1999-02-09 | Kobe Steel Ltd | Ｉｔｏ焼結体の製造方法 |
-
2001
- 2001-07-18 JP JP2001217498A patent/JP2003027223A/ja not_active Withdrawn
-
2002
- 2002-04-01 WO PCT/JP2002/003250 patent/WO2003008658A1/ja active Search and Examination
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004359982A (ja) * | 2003-06-03 | 2004-12-24 | Nikko Materials Co Ltd | Ｉｔｏスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP4642327B2 (ja) * | 2003-06-03 | 2011-03-02 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | Ｉｔｏスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2003008658A1 (en) | 2003-01-30 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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