JP2003026470A - 低熱伝導高剛性セラミックス - Google Patents
低熱伝導高剛性セラミックスInfo
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Abstract
おける熱伝導率が3W/m・K未満であり、かつヤング
率が140GPa以上という優れた特性を有する低熱伝
導高剛性セラミックス提供する。 【解決手段】 ユークリプタイト粉末に対して、TiO
2またはZrO2粉末をTiO2であれば20〜40体積
%、また、ZrO2であれば30〜60体積%の割合で
配合して得られた出発原料を混合、成型後に、空気中で
1100〜1550℃の温度で焼成して複合セラミック
スを得る。
Description
つ高剛性なセラミックスに関わるものである。
定性などの特長を利用して、半導体製造装置用、精密機
器用、計測機器用などの部品として、各種のセラミック
スが使用されるようになってきた。例えば、半導体製造
工程の露光装置におけるサセプタ、真空チャック、XY
テーブル、ミラー等にはアルミナ、窒化珪素、炭化珪素
などのセラミックスが用いられるようになってきてい
る。
安定性などの特長を利用しているものであるが、一方、
半導体検査装置の中には検査部と他の部分との断熱性を
確保するために低熱伝導性の素材であって、かつ、高精
度を確保するためにたわまず高剛性を有する素材が要求
されている。
は高いが、熱伝導率はセラミックスの中でも比較的大き
い方であり、こういった断熱性を要求する用途には向か
ないのが現状である。一方、ジルコニアは優れた断熱性
を有するが、焼成の際に約30%も収縮するため、焼成
変形を起こしやすいという課題がある。さらに、ジルコ
ニアは難削材であり、精密な形状付与に仕上げる焼結体
加工には時間がかかり、コストも高くなるという問題も
あった。次に、断熱性に富み、加工性の高いマシナブル
セラミックスやガラス材料は剛性が低く、たわみが生じ
るため、この用途には向かないという課題があった。本
発明は、以上の点に鑑み成されたものであり、従来の技
術では不可能であった、低熱伝導性を有するとともに、
高いヤング率を示すセラミックスを提供することを目的
としたものである。
は、ユークリプタイト60〜80体積%とTiO220
〜40体積%とからなることを特徴とする低熱伝導高剛
性セラミックスによって達成される。
とZrO230〜60体積%とからなることを特徴とす
る低熱伝導高剛性セラミックスによっても達成される。
ミックスは、ユークリプタイトとTiO2またはZrO2
との複合セラミックスである。ここで、ユークリプタイ
トをTiO2との複合化の場合には60〜80体積%、
ZrO2との複合化の場合には40〜70体積%含有さ
せる理由は、ユークリプタイトが複合セラミックスの熱
伝導を低下させるための重要な成分であるが、ユークリ
プタイトの量が前記限定した体積%を越えて多いと今度
はヤング率が低くなるため好ましくなくなり、逆に、ユ
ークリプタイトの量が前記限定した体積%を越えて少な
いと熱伝導性が高くなり好ましくないからである。
2であれば20〜40体積%、また、ZrO2であれば3
0〜60体積%の割合で含有するものである。ここで、
前記含有割合未満ではヤング率が低くなるため好ましく
なく、前記含有割合を超えると、熱伝導率が大きくなる
ため好ましくない。また、TiO2の結晶系はルチル
型、アナターゼ型いずれでも良い。また、ZrO2はY2
O3、CaO、MgO等で安定化したものが望ましい。
一方で、ヤング率の低いユークリプタイトと熱伝導率が
比較的低いものの、ヤング率の高いTiO2またはZr
O2を複合化して得られるものである。従って、セラミ
ックスの断熱性を重視するには、ユークリプタイトの含
有量を多くし、ヤング率のほうを重視するのであれば、
TiO2またはZrO2の含有量を増やせば良い。
は、ユークリプタイト粉末と、TiO 2またはZrO2を
原料粉末として用意する。用いるユークリプタイト、及
び、TiO2、ZrO2粉末は平均粒径0.1〜5μm程度
であるのが均一混合されやすく、焼結しやすいので好ま
しい。また、これら原料中には緻密化を進めるために助
剤の役割を果たす不純物、例えばアルカリ並びにアルカ
リ土類金属酸化物、あるいはそれらの化合物などが含有
されていても構わないが、その含有量は焼結して得られ
た複合セラミックスの5重量%以下、特に2重量%以下
が好ましい。なぜなら、これより多いとガラス相が形成
されて、ヤング率が低下するため好ましくないからであ
る。
ン等の溶媒を加え、別々にボールミルなどにより十分に
混合し、乾燥して、出発原料粉を得る。得られた出発原
料粉を所定形状に所望の成形手段、例えば、金型プレ
ス、ラバープレス、冷間静水圧プレス等により任意の形
状に成形後、焼成する。なお、これら乾式成形法の他
に、押し出し成形法、鋳込み成形法、射出成形法などを
適宜選択することが出来る。
好ましくは1200〜1400℃の温度範囲で1〜10
時間程度焼結することにより緻密化することができる。
ここで、焼成温度が1100℃よりも低いと緻密化が困
難であり、1550℃を越えると成形体が溶融するため
好ましくない。
95%以上と緻密体であり、室温における室温における
熱伝導率が3W/m・K未満であり、かつヤング率が1
40GPa以上という優れた特性を有する複合セラミッ
クスが得られる。
に挙げ、本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれ
らにより何ら制限されるのものではない。
示したTiO2またはZrO2粉末または比較例としての
Al2O3粉末とを、種々の配合割合となるよう精秤して
配合原料とした。この配合原料粉末100重量部にエタ
ノールを100重量部加えて、24時間混合粉砕した
後、エバポレーターで乾燥した。得られた混合粉末を金
型プレスにて50×50×10mmの大きさになるよ
う、10MPaで予備成形した上、冷間静水圧プレスに
て100MPaの圧力で成形した。次に、成形体を空気
中、1350℃で3時間焼成して、複合セラミックスを
得た。
度、熱伝導率、ヤング率を測定した。密度はアルキメデ
ス法、熱伝導率はレーザーフラッシュ法(JISR16
11「ファインセラミックスのレーザーフラッシュ法に
よる熱拡散率・比熱容量・熱伝導率試験方法」)、ヤン
グ率は共振法(JIS R1602「ファインセラミッ
クスの弾性率試験方法」)を用いて測定した。それらの
結果を表2にまとめて示した。(ここで、表中の配合量
とは配合物の配合量を体積%で示したものであって、残
部はユークリプタイトである。)
ックス(実施例1〜5)はいずれも理論密度が95%以
上であり、室温における室温における熱伝導率が3W/
m・K未満であり、かつヤング率が140GPa以上で
あった。これは、比較例1〜3では得ることができない
優れた特性を有するものである。すなわち、熱伝導率は
ジルコニアの3.1W/m・Kより低く断熱性が高く、ヤ
ング率はマシナブルセラミックスより高剛性であった。
したがって、本発明の複合セラミックスであれば、既存
のセラミックス材料より加重に対して変形の小さい断熱
部材としての適用が可能であることが分かった。
に低熱伝導性を維持しつつ、剛性の高いものである。従
って、これにより検査部を断熱しながら効率的に測定を
行うことができ、優れた検査精度が得られる。したがっ
て、半導体素子製造の品質と量産性を格段に高めること
ができた。
Claims (3)
- 【請求項1】 ユークリプタイト60〜80体積%とT
iO220〜40体積%とからなることを特徴とする低
熱伝導高剛性セラミックス。 - 【請求項2】 ユークリプタイト40〜70体積%とZ
rO230〜60体積%とからなることを特徴とする低
熱伝導高剛性セラミックス。 - 【請求項3】 理論密度の95%以上の緻密体であり、
室温における熱伝導率が3W/m・K未満であり、かつ
ヤング率が140GPa以上であることを特徴とする請
求項1または請求項2記載の低熱伝導高剛性セラミック
ス。
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- 2001-07-11 JP JP2001210292A patent/JP4912544B2/ja not_active Expired - Fee Related
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