JP2003022215A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2003022215A5
JP2003022215A5 JP2002141409A JP2002141409A JP2003022215A5 JP 2003022215 A5 JP2003022215 A5 JP 2003022215A5 JP 2002141409 A JP2002141409 A JP 2002141409A JP 2002141409 A JP2002141409 A JP 2002141409A JP 2003022215 A5 JP2003022215 A5 JP 2003022215A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
column
access
write
memory
read
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2002141409A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2003022215A (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from US09/870,361 external-priority patent/US6587917B2/en
Application filed filed Critical
Publication of JP2003022215A publication Critical patent/JP2003022215A/ja
Publication of JP2003022215A5 publication Critical patent/JP2003022215A5/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Claims (10)

  1. 混合モードのメモリ・アクセスを実施するための方法であって、a)行アドレスを供給するステップと、b)第1の列にアクセスするため、第1の列アドレスを供給するステップと、c)第2の列にアクセスするため、第2の列アドレスを供給するステップと、d)前記第1の列に関して書き込みアクセスと読み取りアクセスの一方を指定するため、第1の書き込み制御信号を供給するステップと、e)前記第2の列に関して書き込みアクセスと読み取りアクセスの一方を指定するため、第2の書き込み制御信号を供給するステップと、f)前記第1の列に対する並行混合モード・メモリ・アクセス及び前記第2の列に対する書き込みアクセスを実施するステップが含まれている方法。
  2. 前記第1の列に対する並行混合モード・メモリ・アクセス及び前記第2の列に対する書き込みアクセスを実施するステップに、f_1)前記第1の列に対する並行読み取りアクセス及び前記第2の列に対する書き込みアクセスを実施するステップが含まれる請求項1に記載の方法。
  3. 前記第1の列に対する並行混合モード・メモリ・アクセス及び前記第2の列に対する書き込みアクセスを実施するステップに、f_1)前記第1の列に対する並行書き込みアクセス及び前記第2の列に対する読み取りアクセスを実施するステップが含まれる請求項1に記載の方法。
  4. 前記第1の列に対する並行混合モード・メモリ・アクセス及び前記第2の列に対する書き込みアクセスを実施するステップに、f_1)データ・バスの第1の部分を利用して、第1のブロックからデータを伝達するステップと、f_2)データ・バスの第2の部分を利用して、第2のブロックからデータを伝達するステップが含まれる請求項1に記載の方法。
  5. 第1の列が、書き込みアクセスを受け、第2の列が読み取りアクセスを受ける請求項1に記載の方法。
  6. 前記第1の部分に、前記メモリに書き込まれるデータが含まれることと、前記第2の部分に、前記メモリから読み取られるデータが含まれる請求項4に記載の方法。
  7. 前記メモリが特定用途向け集積回路に組み込まれている請求項1に記載の方法。
  8. メモリであって、a)第1の機能ブロックに割り当てられた第1の列空間と、b)第2の機能ブロックに割り当てられた第2の列空間と、c)前記第1の列空間にアクセスするための第1の列アドレス信号と、d)前記第2の列空間にアクセスするための第2の列アドレス信号と、e)前記第1の列に関して書き込みアクセス及び読み取りアクセスの一方を指定するための第1の書き込み信号と、f)前記第2の列に関して書き込みアクセス及び読み取りアクセスの一方を指定するための第2の書き込み信号が含まれており、並行混合モード・アクセスを支援するメモリ。
  9. 前記メモリに共通行アドレスが供給され、前記行内の第1のアドレス指定領域が読み取りアクセスを受け、前記行内の第2のアドレス指定領域が書き込みアクセスを受ける請求項8に記載のメモリ。
  10. a)第3の機能ブロックに割り当てられた第3の列空間と、b)前記第3の列空間にアクセスするための第3の列アドレス信号と、c)前記第3の列に関して書き込みアクセスと読み取りアクセスの一方を指定するための第3の書き込み信号をさらに含み、前記メモリに共通行アドレスが供給され、前記行内の第1のアドレス指定領域が読み取りアクセスを受け、前記行内の第2のアドレス指定領域が書き込みアクセスを受け、前記行内の第3のアドレス指定領域が書き込みアクセスを受ける 請求項8に記載のメモリ。
JP2002141409A 2001-05-29 2002-05-16 異なるタイプの並行メモリ・アクセスを支援するための方法 Withdrawn JP2003022215A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/870,361 2001-05-29
US09/870,361 US6587917B2 (en) 2001-05-29 2001-05-29 Memory architecture for supporting concurrent access of different types

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003022215A JP2003022215A (ja) 2003-01-24
JP2003022215A5 true JP2003022215A5 (ja) 2005-09-22

Family

ID=25355216

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002141409A Withdrawn JP2003022215A (ja) 2001-05-29 2002-05-16 異なるタイプの並行メモリ・アクセスを支援するための方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6587917B2 (ja)
EP (1) EP1262990A1 (ja)
JP (1) JP2003022215A (ja)
KR (1) KR100902473B1 (ja)
TW (1) TW550591B (ja)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2003027673A1 (ja) * 2001-07-31 2005-01-13 オリンパス株式会社 遺伝子検査装置およびそれを用いた標的核酸検出方法
JP3793062B2 (ja) * 2001-09-27 2006-07-05 株式会社東芝 メモリ内蔵データ処理装置
US7397848B2 (en) 2003-04-09 2008-07-08 Rambus Inc. Partial response receiver
US7126378B2 (en) 2003-12-17 2006-10-24 Rambus, Inc. High speed signaling system with adaptive transmit pre-emphasis
US8233322B2 (en) * 2003-10-10 2012-07-31 Micron Technology, Inc. Multi-partition memory with separated read and algorithm datalines
US7280428B2 (en) * 2004-09-30 2007-10-09 Rambus Inc. Multi-column addressing mode memory system including an integrated circuit memory device
US8595459B2 (en) 2004-11-29 2013-11-26 Rambus Inc. Micro-threaded memory
US20070260841A1 (en) 2006-05-02 2007-11-08 Hampel Craig E Memory module with reduced access granularity
US9477597B2 (en) 2011-03-25 2016-10-25 Nvidia Corporation Techniques for different memory depths on different partitions
US8701057B2 (en) 2011-04-11 2014-04-15 Nvidia Corporation Design, layout, and manufacturing techniques for multivariant integrated circuits
US9529712B2 (en) 2011-07-26 2016-12-27 Nvidia Corporation Techniques for balancing accesses to memory having different memory types
US9268719B2 (en) 2011-08-05 2016-02-23 Rambus Inc. Memory signal buffers and modules supporting variable access granularity
US9135982B2 (en) * 2013-12-18 2015-09-15 Intel Corporation Techniques for accessing a dynamic random access memory array
US10055236B2 (en) * 2015-07-02 2018-08-21 Sandisk Technologies Llc Runtime data storage and/or retrieval

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3643236A (en) * 1969-12-19 1972-02-15 Ibm Storage having a plurality of simultaneously accessible locations
US4875196A (en) * 1987-09-08 1989-10-17 Sharp Microelectronic Technology, Inc. Method of operating data buffer apparatus
KR940008295B1 (ko) * 1989-08-28 1994-09-10 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 반도체메모리
JP3532932B2 (ja) * 1991-05-20 2004-05-31 モトローラ・インコーポレイテッド 時間重複メモリ・アクセスを有するランダムにアクセス可能なメモリ
US5276642A (en) * 1991-07-15 1994-01-04 Micron Technology, Inc. Method for performing a split read/write operation in a dynamic random access memory
US5502683A (en) * 1993-04-20 1996-03-26 International Business Machines Corporation Dual ported memory with word line access control
JPH08235852A (ja) * 1995-02-28 1996-09-13 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
JP3567043B2 (ja) * 1996-03-07 2004-09-15 株式会社ルネサステクノロジ 半導体記憶装置
JPH1031886A (ja) * 1996-07-17 1998-02-03 Nec Corp ランダムアクセスメモリ
US6157560A (en) * 1999-01-25 2000-12-05 Winbond Electronics Corporation Memory array datapath architecture
US6377492B1 (en) * 2001-03-19 2002-04-23 Etron Technologies, Inc. Memory architecture for read and write at the same time using a conventional cell
JP2009122495A (ja) * 2007-11-16 2009-06-04 Sun Tec Kk 波長選択性光減衰器

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100725100B1 (ko) 포트간 데이터 전송기능을 갖는 멀티패쓰 억세스블 반도체메모리 장치
JP2003022215A5 (ja)
JPH0420492B2 (ja)
US8045416B2 (en) Method and memory device providing reduced quantity of interconnections
JPH1031886A (ja) ランダムアクセスメモリ
JP2004536417A (ja) 読出及び書込動作でバースト順序が異なるアドレッシングを行うメモリデバイス
JPH10312681A (ja) 付随するsramキャッシュと内部リフレッシュ制御とを備えたdramメモリ・アレイを用いるエンハンス型信号処理ramデバイス
WO2003050690A3 (en) Sequential nibble burst ordering for data
JPWO2007116486A1 (ja) メモリ装置、その制御方法、その制御プログラム、メモリ・カード、回路基板及び電子機器
US20050174857A1 (en) Nonvolatile memory controlling method and nonvolatile memory controlling apparatus
JP2003022215A (ja) 異なるタイプの並行メモリ・アクセスを支援するための方法
JPWO2007116483A1 (ja) メモリ装置、その制御方法、その制御プログラム、メモリ・カード、回路基板及び電子機器
JPH09115283A (ja) 半導体記憶装置
JP4160790B2 (ja) 半導体装置
JP2004030839A (ja) バースト転送メモリ
JP5363060B2 (ja) メモリモジュール、および、メモリ用補助モジュール
JP4241665B2 (ja) キャッシュメモリ装置及びその制御方法
JP4549001B2 (ja) 情報処理装置及び半導体集積回路
JPH06162762A (ja) 半導体記憶装置
JPS5918792B2 (ja) リフレツシユ読取り書込み制御方式
JP2003006042A (ja) 半導体記憶装置
JPS63155495A (ja) 擬似スタテイツクメモリ装置
KR100773065B1 (ko) 듀얼 포트 메모리 장치, 메모리 장치 및 듀얼 포트 메모리장치 동작 방법
JP2000322894A (ja) 半導体記憶装置
KR20020010993A (ko) 논-버스트 모드 지원장치