JP2003021903A - 感光性樹脂組成物およびこれを用いたマイクロデバイスの製造方法 - Google Patents
感光性樹脂組成物およびこれを用いたマイクロデバイスの製造方法Info
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- JP2003021903A JP2003021903A JP2001204631A JP2001204631A JP2003021903A JP 2003021903 A JP2003021903 A JP 2003021903A JP 2001204631 A JP2001204631 A JP 2001204631A JP 2001204631 A JP2001204631 A JP 2001204631A JP 2003021903 A JP2003021903 A JP 2003021903A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ５０ｎｍ以下の解像度のパターンを得ること
ができる感光性樹脂組成物を得る。 【解決手段】 感光性樹脂組成物は、α―メチルスチレ
ン誘導体である第１のモノマーと、α―クロロアクリル
酸エステル誘導体である第２のモノマーとの共重合体か
らなり、上記共重合体の塩素原子の含有量が２０〜５０
ｗｔ％で、例えばα―メチルスチレン（第１のモノマ
ー）と、α−クロロアクリル酸２，２，２−トリクロロ
エチルエステル（第２のモノマー）とからなり、第１の
モノマー：第２のモノマー＝４９：５１で塩素原子の含
有率は３９．８ｗｔ％である。
ができる感光性樹脂組成物を得る。 【解決手段】 感光性樹脂組成物は、α―メチルスチレ
ン誘導体である第１のモノマーと、α―クロロアクリル
酸エステル誘導体である第２のモノマーとの共重合体か
らなり、上記共重合体の塩素原子の含有量が２０〜５０
ｗｔ％で、例えばα―メチルスチレン（第１のモノマ
ー）と、α−クロロアクリル酸２，２，２−トリクロロ
エチルエステル（第２のモノマー）とからなり、第１の
モノマー：第２のモノマー＝４９：５１で塩素原子の含
有率は３９．８ｗｔ％である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体デバ
イス等のマイクロデバイスの製造に用いられるパターン
を形成する感光性樹脂組成物に関するものである。
イス等のマイクロデバイスの製造に用いられるパターン
を形成する感光性樹脂組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの高集積化が求められ、
微細加工技術の開発が進められている。微細パターン形
成の実現のためには、Ｘ線による露光方法が提案されて
おり、特開昭６４―２４９０４９号公報には、α―メチ
ルスチレンとα―クロロアクリル酸エステルとの共重合
体を用いることで、０．１μｍレベル以下の解像度パタ
ーン形成を実現しようとしている。
微細加工技術の開発が進められている。微細パターン形
成の実現のためには、Ｘ線による露光方法が提案されて
おり、特開昭６４―２４９０４９号公報には、α―メチ
ルスチレンとα―クロロアクリル酸エステルとの共重合
体を用いることで、０．１μｍレベル以下の解像度パタ
ーン形成を実現しようとしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、６４Ｇ
ビットのメモリー実現のためには５０ｎｍ以下の解像度
のパターン形成が必要であるが、従来用いられているレ
ジスト材料では上記解像度を実現できず、スループット
が低くなるという課題があった。
ビットのメモリー実現のためには５０ｎｍ以下の解像度
のパターン形成が必要であるが、従来用いられているレ
ジスト材料では上記解像度を実現できず、スループット
が低くなるという課題があった。
【０００４】本発明はかかる課題を解消するためになさ
れたもので、５０ｎｍ以下の、解像度の高いパターンを
感度良く形成できる感光性樹脂組成物を得ることを目的
とする。また、大容量のマイクロデバイスを得ることを
目的とする。
れたもので、５０ｎｍ以下の、解像度の高いパターンを
感度良く形成できる感光性樹脂組成物を得ることを目的
とする。また、大容量のマイクロデバイスを得ることを
目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る第１の感光
性樹脂組成物は、α―メチルスチレン誘導体である第１
のモノマーと、α―クロロアクリル酸エステル誘導体で
ある第２のモノマーとの共重合体からなる感光性樹脂組
成物において、上記共重合体が塩素原子を含有し、塩素
原子の含有量が２０〜５０ｗｔ％のものである。
性樹脂組成物は、α―メチルスチレン誘導体である第１
のモノマーと、α―クロロアクリル酸エステル誘導体で
ある第２のモノマーとの共重合体からなる感光性樹脂組
成物において、上記共重合体が塩素原子を含有し、塩素
原子の含有量が２０〜５０ｗｔ％のものである。
【０００６】本発明に係る第２の感光性樹脂組成物は、
α―メチルスチレン誘導体である第１のモノマーと、α
―クロロアクリル酸エステル誘導体である第２のモノマ
ーとの共重合体からなる感光性樹脂組成物において、上
記共重合体が臭素原子を含有し、臭素原子の含有量が２
０〜６５ｗｔ％のものである。
α―メチルスチレン誘導体である第１のモノマーと、α
―クロロアクリル酸エステル誘導体である第２のモノマ
ーとの共重合体からなる感光性樹脂組成物において、上
記共重合体が臭素原子を含有し、臭素原子の含有量が２
０〜６５ｗｔ％のものである。
【０００７】本発明に係る第３の感光性樹脂組成物は、
上記第１または第２の感光性樹脂組成物において、共重
合体の共重合比が第１のモノマー：第２のモノマー＝６
０：４０〜４０：６０のものである。
上記第１または第２の感光性樹脂組成物において、共重
合体の共重合比が第１のモノマー：第２のモノマー＝６
０：４０〜４０：６０のものである。
【０００８】本発明に係る第１のマイクロデバイスの製
造方法は、基板上に、上記第１ないし第３のいずれかの
感光性樹脂組成物を用いてパターンを形成し、このパタ
ーンを用いて上記基板を加工する方法である。
造方法は、基板上に、上記第１ないし第３のいずれかの
感光性樹脂組成物を用いてパターンを形成し、このパタ
ーンを用いて上記基板を加工する方法である。
【０００９】
【発明の実施の形態】実施の形態１．本発明の第１の実
施の形態の感光性樹脂組成物は、α―メチルスチレン誘
導体である第１のモノマーとα―クロロアクリル酸エス
テル誘導体である第２のモノマーとの共重合体からな
り、上記共重合体が塩素原子を含有し、塩素原子の含有
量が２０〜５０ｗｔ％のものである。塩素原子は上記第
１のモノマーおよび第２のモノマーの少なくとも一方に
含有させるが、どちらか一方に十分な塩素含有量があれ
ば、他方にはα―メチルスチレンまたはα―クロロアク
リル酸メチルエステルそのものを用いることができる。
本実施の形態の感光性樹脂組成物を溶剤に溶解してレジ
スト材料として用いるが、塩素原子の含有量が２０ｗｔ
％未満の場合には、レジストのＸ線吸収量が少ないた
め、相対的に基板へ到達するＸ線量が大きくなり、これ
により発生する２次電子の影響で解像度が悪化する。ま
た、塩素原子の含有量が増加するとレジストのＸ線吸収
量が増えるため光反応数が増加することにより感度が増
加するが、５０ｗｔ％を越えると露光部分の現像液への
溶解性が低くなるため、現像時に溶解速度が遅くなり、
十分な解像度が得られなくなる。
施の形態の感光性樹脂組成物は、α―メチルスチレン誘
導体である第１のモノマーとα―クロロアクリル酸エス
テル誘導体である第２のモノマーとの共重合体からな
り、上記共重合体が塩素原子を含有し、塩素原子の含有
量が２０〜５０ｗｔ％のものである。塩素原子は上記第
１のモノマーおよび第２のモノマーの少なくとも一方に
含有させるが、どちらか一方に十分な塩素含有量があれ
ば、他方にはα―メチルスチレンまたはα―クロロアク
リル酸メチルエステルそのものを用いることができる。
本実施の形態の感光性樹脂組成物を溶剤に溶解してレジ
スト材料として用いるが、塩素原子の含有量が２０ｗｔ
％未満の場合には、レジストのＸ線吸収量が少ないた
め、相対的に基板へ到達するＸ線量が大きくなり、これ
により発生する２次電子の影響で解像度が悪化する。ま
た、塩素原子の含有量が増加するとレジストのＸ線吸収
量が増えるため光反応数が増加することにより感度が増
加するが、５０ｗｔ％を越えると露光部分の現像液への
溶解性が低くなるため、現像時に溶解速度が遅くなり、
十分な解像度が得られなくなる。
【００１０】具体的には第１のモノマーであるα―メチ
ルスチレン誘導体としては、４―クロロ―α−メチルス
チレンまたは３，４−ジクロロ―α―メチルスチレンが
用いられる。また、第２のモノマーであるα―クロロア
クリル酸エステル誘導体としては、α―クロロアクリル
酸２，２，２―トリクロロエチルエステル、α―クロロ
アクリル酸１，１，１，２，２，―ペンタクロロプロピ
ルエステルまたはα―クロロアクリル酸ペンタクロロフ
ェニルエステルが用いられる。
ルスチレン誘導体としては、４―クロロ―α−メチルス
チレンまたは３，４−ジクロロ―α―メチルスチレンが
用いられる。また、第２のモノマーであるα―クロロア
クリル酸エステル誘導体としては、α―クロロアクリル
酸２，２，２―トリクロロエチルエステル、α―クロロ
アクリル酸１，１，１，２，２，―ペンタクロロプロピ
ルエステルまたはα―クロロアクリル酸ペンタクロロフ
ェニルエステルが用いられる。
【００１１】実施の形態２．本発明の第２の実施の形態
の感光性樹脂組成物は、α―メチルスチレン誘導体であ
る第１のモノマーとα―クロロアクリル酸エステル誘導
体である第２のモノマーとの共重合体からなり、上記共
重合体が臭素原子を含有し、臭素原子の含有量が２０〜
６５ｗｔ％のものである。臭素原子は上記第１のモノマ
ーおよび第２のモノマーの少なくとも一方に含有させる
が、どちらか一方に十分臭素含有量があれば、他方には
α―メチルスチレンまたはα―クロロアクリル酸メチル
エステルを用いることができる。臭素原子の含有量が２
０ｗｔ％未満の場合には、レジストのＸ線吸収量が少な
いため、相対的に基板へ到達するＸ線量が大きくなり、
これにより発生する２次電子の影響で解像度が悪化す
る。また、臭素原子の含有量が増加するとレジストのＸ
線吸収量が増えるため光反応数が増加することにより感
度が増加するが、６５ｗｔ％を越えると露光部分の現像
液への溶解性が低くなるため、現像時に溶解速度が遅く
なり、十分な解像度が得られなくなる。
の感光性樹脂組成物は、α―メチルスチレン誘導体であ
る第１のモノマーとα―クロロアクリル酸エステル誘導
体である第２のモノマーとの共重合体からなり、上記共
重合体が臭素原子を含有し、臭素原子の含有量が２０〜
６５ｗｔ％のものである。臭素原子は上記第１のモノマ
ーおよび第２のモノマーの少なくとも一方に含有させる
が、どちらか一方に十分臭素含有量があれば、他方には
α―メチルスチレンまたはα―クロロアクリル酸メチル
エステルを用いることができる。臭素原子の含有量が２
０ｗｔ％未満の場合には、レジストのＸ線吸収量が少な
いため、相対的に基板へ到達するＸ線量が大きくなり、
これにより発生する２次電子の影響で解像度が悪化す
る。また、臭素原子の含有量が増加するとレジストのＸ
線吸収量が増えるため光反応数が増加することにより感
度が増加するが、６５ｗｔ％を越えると露光部分の現像
液への溶解性が低くなるため、現像時に溶解速度が遅く
なり、十分な解像度が得られなくなる。
【００１２】具体的には第１のモノマーであるα―メチ
ルスチレン誘導体としては、４―クロロ―α−メチルス
チレンが用いられる。また、第２のモノマーであるα―
クロロアクリル酸エステル誘導体としては、α―クロロ
アクリル酸２，２，２―トリブロモエチルエステル、α
―クロロアクリル酸１，１，１，２，２，―ペンタブロ
モプロピルエステルまたはα―クロロアクリル酸ペンタ
ブロモフェニルエステルが用いられる。
ルスチレン誘導体としては、４―クロロ―α−メチルス
チレンが用いられる。また、第２のモノマーであるα―
クロロアクリル酸エステル誘導体としては、α―クロロ
アクリル酸２，２，２―トリブロモエチルエステル、α
―クロロアクリル酸１，１，１，２，２，―ペンタブロ
モプロピルエステルまたはα―クロロアクリル酸ペンタ
ブロモフェニルエステルが用いられる。
【００１３】なお、上記第１、２の実施の形態の感光性
樹脂組成物において、第１のモノマーと第２のモノマー
の共重合比が６０：４０〜４０：６０、さらに５５：４
５〜４５：５５であることが望ましい。第１のモノマー
の比率が６０を超えると、重量平均分子量（ゲルパーミ
エーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリス
チレン換算の分子量）が３０００未満となり均一な塗膜
を得るのが困難となり、第２のモノマーの比率が６０を
超えると、化合物のＸ線に対する反応性が低くなること
で解像度が低下する傾向がある。
樹脂組成物において、第１のモノマーと第２のモノマー
の共重合比が６０：４０〜４０：６０、さらに５５：４
５〜４５：５５であることが望ましい。第１のモノマー
の比率が６０を超えると、重量平均分子量（ゲルパーミ
エーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリス
チレン換算の分子量）が３０００未満となり均一な塗膜
を得るのが困難となり、第２のモノマーの比率が６０を
超えると、化合物のＸ線に対する反応性が低くなること
で解像度が低下する傾向がある。
【００１４】さらに、上記第１、２の実施の形態の感光
性樹脂組成物の分子量は重量平均分子量で、３０００〜
１５００００、特に５０００〜４００００が好ましい。
３０００未満では均一な塗膜が得られにくく、１５００
００を超えると現像時に露光部の溶解性が低下する。
性樹脂組成物の分子量は重量平均分子量で、３０００〜
１５００００、特に５０００〜４００００が好ましい。
３０００未満では均一な塗膜が得られにくく、１５００
００を超えると現像時に露光部の溶解性が低下する。
【００１５】実施の形態３．本発明の第３の実施の形態
のマイクロデバイスの製造方法を説明する。まず、上記
第１、第２の実施の形態の感光性樹脂組成物をレジスト
材料として用いるために、上記第１、第２の実施の形態
の感光性樹脂組成物を５〜３０ｗｔ％になるように、溶
剤に溶解する。上記溶剤としては特に限定はないが、上
記樹脂を均一に溶解されるものを用いる。具体的にはメ
チルセロソルブ、エチルセロソルブ、メチルセロソルブ
アセテート、エチルセロソルブアセテート、メチルメト
キシプロピオネート、エチルエトキシプロピオネート、
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、
プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、
ピルビン酸エチル、２―ヘプタノン、ジエチレングリコ
ールジメチルエーテル、シクロヘキサノン、シクロヘプ
タノン、Ｙ―ブチロラクトン、酢酸イソアミル、アニソ
ール、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、
Ｎ―メチルピロリドン、クロロベンゼン、ジクロロベン
ゼン等が挙げられるが、好ましくは沸点が１００から２
２０℃の範囲である溶媒が適当である。沸点がこれより
低いものでは塗布したときにムラができやすく、沸点が
これより高いものでは溶媒の乾燥が容易ではない。
のマイクロデバイスの製造方法を説明する。まず、上記
第１、第２の実施の形態の感光性樹脂組成物をレジスト
材料として用いるために、上記第１、第２の実施の形態
の感光性樹脂組成物を５〜３０ｗｔ％になるように、溶
剤に溶解する。上記溶剤としては特に限定はないが、上
記樹脂を均一に溶解されるものを用いる。具体的にはメ
チルセロソルブ、エチルセロソルブ、メチルセロソルブ
アセテート、エチルセロソルブアセテート、メチルメト
キシプロピオネート、エチルエトキシプロピオネート、
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、
プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、
ピルビン酸エチル、２―ヘプタノン、ジエチレングリコ
ールジメチルエーテル、シクロヘキサノン、シクロヘプ
タノン、Ｙ―ブチロラクトン、酢酸イソアミル、アニソ
ール、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、
Ｎ―メチルピロリドン、クロロベンゼン、ジクロロベン
ゼン等が挙げられるが、好ましくは沸点が１００から２
２０℃の範囲である溶媒が適当である。沸点がこれより
低いものでは塗布したときにムラができやすく、沸点が
これより高いものでは溶媒の乾燥が容易ではない。
【００１６】次に、基板上に上記レジスト材料を塗布
し、プリベイクを行い、感光性樹脂組成物の膜を形成
し、これにＸ線を照射した後、現像を行って解像度５０
ｎｍ以下の微細なパターン形成を行う。レジストの現像
液としては一般的な有機溶媒を使用することができる。
具体的にはトルエン、キシレン、クロロベンゼン、ジク
ロロベンゼン、ブロモベンゼン、ジブロモベンゼン、メ
チルメトキシプロピオネート、エチルエトキシプロピオ
ネート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセ
テート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセ
テート、ピルビン酸エチル、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、
Ｙ―ブチロラクトン、酢酸ブチル、酢酸ｎ―アミル、酢
酸イソアミル、酢酸ｎ―ヘキシル、２―ペンタノン、３
―ペンタノン、２―ヘキサノン、３―ヘキサノン、２―
ヘプタノン、アニソール、ジメチルホルムアミド、ジメ
チルアセトアミド、Ｎ―メチルピロリドンなどが挙げら
れる。
し、プリベイクを行い、感光性樹脂組成物の膜を形成
し、これにＸ線を照射した後、現像を行って解像度５０
ｎｍ以下の微細なパターン形成を行う。レジストの現像
液としては一般的な有機溶媒を使用することができる。
具体的にはトルエン、キシレン、クロロベンゼン、ジク
ロロベンゼン、ブロモベンゼン、ジブロモベンゼン、メ
チルメトキシプロピオネート、エチルエトキシプロピオ
ネート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセ
テート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセ
テート、ピルビン酸エチル、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、
Ｙ―ブチロラクトン、酢酸ブチル、酢酸ｎ―アミル、酢
酸イソアミル、酢酸ｎ―ヘキシル、２―ペンタノン、３
―ペンタノン、２―ヘキサノン、３―ヘキサノン、２―
ヘプタノン、アニソール、ジメチルホルムアミド、ジメ
チルアセトアミド、Ｎ―メチルピロリドンなどが挙げら
れる。
【００１７】次に、上記パターンを用いて上記基板を加
工して、マイクロデバイスを製造するが、上記基板が、
シリコンウェハの場合は、本実施の形態によりマイクロ
デバイスとして半導体デバイスを製造することができ
る。また、上記基板が、ポリカーボネート製の基板本体
上にＳｉＮ等の下地誘電体層およびＴｂＦｅＣｏ等の磁
性材料を成膜したものであると、光磁気ディスクを製造
することができる。また、上記基板が、アルミニウム基
板本体上にＮｉ―Ｐ等を成膜したものであると、ハード
ディスクを製造することができる。また、上記基板が、
アルチック（アルミナ−チタンカーバイト）等の硬質の
非磁性材料基板本体上に、Ａｌ２Ｏ３やＳｉＯ２等の非
磁性絶縁材料、センダスト（Ｆｅ―Ａｌ―Ｓｉ合金）、
Ｆｅ―Ｓｉ―Ｒｕ―Ｇａ合金もしくはＦｅ―Ｔａ―Ｎ合
金等の金属材料、ＡＭＲ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｍ
ａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）膜またはＧＭＲ（Ｇ
ｉａｎｔ Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）膜を形
成したものであると、薄膜磁気ヘッドを製造することが
できる。
工して、マイクロデバイスを製造するが、上記基板が、
シリコンウェハの場合は、本実施の形態によりマイクロ
デバイスとして半導体デバイスを製造することができ
る。また、上記基板が、ポリカーボネート製の基板本体
上にＳｉＮ等の下地誘電体層およびＴｂＦｅＣｏ等の磁
性材料を成膜したものであると、光磁気ディスクを製造
することができる。また、上記基板が、アルミニウム基
板本体上にＮｉ―Ｐ等を成膜したものであると、ハード
ディスクを製造することができる。また、上記基板が、
アルチック（アルミナ−チタンカーバイト）等の硬質の
非磁性材料基板本体上に、Ａｌ２Ｏ３やＳｉＯ２等の非
磁性絶縁材料、センダスト（Ｆｅ―Ａｌ―Ｓｉ合金）、
Ｆｅ―Ｓｉ―Ｒｕ―Ｇａ合金もしくはＦｅ―Ｔａ―Ｎ合
金等の金属材料、ＡＭＲ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｍ
ａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）膜またはＧＭＲ（Ｇ
ｉａｎｔ Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）膜を形
成したものであると、薄膜磁気ヘッドを製造することが
できる。
【００１８】なお、本実施の形態において、解像度５０
ｎｍ以下の微細パターンを用いることにより、大容量の
デバイスの製造が可能である。
ｎｍ以下の微細パターンを用いることにより、大容量の
デバイスの製造が可能である。
【００１９】
【実施例】実施例１．α―メチルスチレン（第１のモノ
マー）と、α−クロロアクリル酸２，２，２−トリクロ
ロエチルエステル（第２のモノマー）とからなり、第１
のモノマー：第２のモノマー＝４９：５１である共重合
体からなる本発明の実施例の感光性樹脂組成物（塩素原
子の含有率は３９．８ｗｔ％）を、ジクロロベンゼンに
溶解し、シリコンウェハ上へスピンコート法により塗布
して膜厚１５０ｎｍのレジスト膜を得た。この膜に平均
波長０．４ｎｍのＸ線をメンブレン材料がダイヤモンド
で吸収体がタングステンからなるマスクを介して７００
ｍＪ／ｃｍ２照射した。このときウェハとマスク間の距
離は１０ｎｍとなるように設定した。Ｘ線照射後、酢酸
ｎ−ブチルで９０秒間現像を行ったところ５０ｎｍライ
ンアンドスペースパターンが形成できた。
マー）と、α−クロロアクリル酸２，２，２−トリクロ
ロエチルエステル（第２のモノマー）とからなり、第１
のモノマー：第２のモノマー＝４９：５１である共重合
体からなる本発明の実施例の感光性樹脂組成物（塩素原
子の含有率は３９．８ｗｔ％）を、ジクロロベンゼンに
溶解し、シリコンウェハ上へスピンコート法により塗布
して膜厚１５０ｎｍのレジスト膜を得た。この膜に平均
波長０．４ｎｍのＸ線をメンブレン材料がダイヤモンド
で吸収体がタングステンからなるマスクを介して７００
ｍＪ／ｃｍ２照射した。このときウェハとマスク間の距
離は１０ｎｍとなるように設定した。Ｘ線照射後、酢酸
ｎ−ブチルで９０秒間現像を行ったところ５０ｎｍライ
ンアンドスペースパターンが形成できた。
【００２０】比較例１．表１に示す構成の共重合体を用
いる他は、実施例１と同様にしてパターンを形成した。
いる他は、実施例１と同様にしてパターンを形成した。
【００２１】
【表１】
【００２２】その結果、表１に示すように。Ｘ線照射量
を２８００ｍＪ／ｃｍ２としても、６５ｎｍの解像度未
満の解像度は得られなかった。即ち限界解像度は６５ｎ
ｍであった。
を２８００ｍＪ／ｃｍ２としても、６５ｎｍの解像度未
満の解像度は得られなかった。即ち限界解像度は６５ｎ
ｍであった。
【００２３】比較例２．表１に示す構成の共重合体を用
いる他は、実施例１と同様にしてパターンを形成した。
その結果、露光部分の現像液への溶解性が低くなるた
め、現像時に溶解速度が遅くなり７０ｎｍより高い解像
度が得られなかった。
いる他は、実施例１と同様にしてパターンを形成した。
その結果、露光部分の現像液への溶解性が低くなるた
め、現像時に溶解速度が遅くなり７０ｎｍより高い解像
度が得られなかった。
【００２４】実施例２〜１０．第１、第２のモノマーと
して、表１に示す構成の共重合体からなる本発明の実施
例感光性樹脂組成物を用い、実施例１と同様にしてパタ
ーンを形成し解像度を測定した結果を表１に示す。
して、表１に示す構成の共重合体からなる本発明の実施
例感光性樹脂組成物を用い、実施例１と同様にしてパタ
ーンを形成し解像度を測定した結果を表１に示す。
【００２５】図１は、上記実施例１〜１０の感光性樹脂
組成物を用いてパターンを形成した場合において、表１
に示されたパターンの解像度と、それを得るに必要なＸ
照射量の関係を示す特性図であり、縦軸はＸ照射量（ｍ
Ｊ／ｃｍ２）、横軸は塩素原子または臭素原子の含有量
（ｗｔ％）である。図１から、上記実施の形態で述べた
ように、塩素原子または臭素原子の含有量が増加する
と、Ｘ照射量が少なくても５０ｎｍ程度の解像度が得ら
れる、即ちＸ照射の感度が高くなることが明らかであ
る。しかしながら、塩素原子または臭素原子の含有量が
多すぎると、現像時の溶解速度が遅くなり解像度が低下
するので、本発明の感光性樹脂組成物は高い解像度と高
い感度の双方を備えるに適した組成を開示するものであ
る。
組成物を用いてパターンを形成した場合において、表１
に示されたパターンの解像度と、それを得るに必要なＸ
照射量の関係を示す特性図であり、縦軸はＸ照射量（ｍ
Ｊ／ｃｍ２）、横軸は塩素原子または臭素原子の含有量
（ｗｔ％）である。図１から、上記実施の形態で述べた
ように、塩素原子または臭素原子の含有量が増加する
と、Ｘ照射量が少なくても５０ｎｍ程度の解像度が得ら
れる、即ちＸ照射の感度が高くなることが明らかであ
る。しかしながら、塩素原子または臭素原子の含有量が
多すぎると、現像時の溶解速度が遅くなり解像度が低下
するので、本発明の感光性樹脂組成物は高い解像度と高
い感度の双方を備えるに適した組成を開示するものであ
る。
【００２６】
【発明の効果】本発明の第１の感光性樹脂組成物は、α
―メチルスチレン誘導体である第１のモノマーと、α―
クロロアクリル酸エステル誘導体である第２のモノマー
との共重合体からなる感光性樹脂組成物において、上記
共重合体が塩素原子を含有し、塩素原子の含有量が２０
〜５０ｗｔ％のもので、５０ｎｍ以下の解像度のパター
ンを得ることができるという効果がある。
―メチルスチレン誘導体である第１のモノマーと、α―
クロロアクリル酸エステル誘導体である第２のモノマー
との共重合体からなる感光性樹脂組成物において、上記
共重合体が塩素原子を含有し、塩素原子の含有量が２０
〜５０ｗｔ％のもので、５０ｎｍ以下の解像度のパター
ンを得ることができるという効果がある。
【００２７】本発明の第２の感光性樹脂組成物は、α―
メチルスチレン誘導体である第１のモノマーと、α―ク
ロロアクリル酸エステル誘導体である第２のモノマーと
の共重合体からなる感光性樹脂組成物において、上記共
重合体が臭素原子を含有し、臭素原子の含有量が２０〜
６５ｗｔ％のもので、５０ｎｍ以下の解像度のパターン
を得ることができるという効果がある。
メチルスチレン誘導体である第１のモノマーと、α―ク
ロロアクリル酸エステル誘導体である第２のモノマーと
の共重合体からなる感光性樹脂組成物において、上記共
重合体が臭素原子を含有し、臭素原子の含有量が２０〜
６５ｗｔ％のもので、５０ｎｍ以下の解像度のパターン
を得ることができるという効果がある。
【００２８】本発明の第３の感光性樹脂組成物は、上記
第１または第２の感光性樹脂組成物において、共重合体
の共重合比が第１のモノマー：第２のモノマー＝６０：
４０〜４０：６０のもので、５０ｎｍ以下の解像度のパ
ターンを得ることができるとともに、塗膜性に優れると
いう効果がある。
第１または第２の感光性樹脂組成物において、共重合体
の共重合比が第１のモノマー：第２のモノマー＝６０：
４０〜４０：６０のもので、５０ｎｍ以下の解像度のパ
ターンを得ることができるとともに、塗膜性に優れると
いう効果がある。
【００２９】本発明の第１のマイクロデバイスの製造方
法は、上記第１ないし第３のいずれかの感光性樹脂組成
物を用いてパターンを形成し、このパターンを用いて上
記基板を加工する方法で、大容量化が可能であるという
効果がある。
法は、上記第１ないし第３のいずれかの感光性樹脂組成
物を用いてパターンを形成し、このパターンを用いて上
記基板を加工する方法で、大容量化が可能であるという
効果がある。
【図１】 本発明の実施例の感光性樹脂組成物を用いた
パターン解像度と必要なＸ照射量の関係を示す特性図で
である。
パターン解像度と必要なＸ照射量の関係を示す特性図で
である。
Claims (4)
- 【請求項１】 α―メチルスチレン誘導体である第１の
モノマーと、α―クロロアクリル酸エステル誘導体であ
る第２のモノマーとの共重合体からなる感光性樹脂組成
物において、上記共重合体が塩素原子を含有し、塩素原
子の含有量が２０〜５０ｗｔ％であることを特徴とする
感光性樹脂組成物。 - 【請求項２】 α―メチルスチレン誘導体である第１の
モノマーと、α―クロロアクリル酸エステル誘導体であ
る第２のモノマーとの共重合体からなる感光性樹脂組成
物において、上記共重合体が臭素原子を含有し、臭素原
子の含有量が２０〜６５ｗｔ％であることを特徴とする
感光性樹脂組成物。 - 【請求項３】 共重合体の共重合比が第１のモノマー：
第２のモノマー＝６０：４０〜４０：６０であることを
特徴とする請求項１または請求項２に記載の感光性樹脂
組成物。 - 【請求項４】 基板上に、請求項１ないし請求項３のい
ずれかに記載の感光性樹脂組成物を用いてパターンを形
成し、このパターンを用いて上記基板を加工するマイク
ロデバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001204631A JP2003021903A (ja) | 2001-07-05 | 2001-07-05 | 感光性樹脂組成物およびこれを用いたマイクロデバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001204631A JP2003021903A (ja) | 2001-07-05 | 2001-07-05 | 感光性樹脂組成物およびこれを用いたマイクロデバイスの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003021903A true JP2003021903A (ja) | 2003-01-24 |
Family
ID=19041067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001204631A Pending JP2003021903A (ja) | 2001-07-05 | 2001-07-05 | 感光性樹脂組成物およびこれを用いたマイクロデバイスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003021903A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020066806A1 (ja) * | 2018-09-25 | 2020-04-02 | 日本ゼオン株式会社 | 共重合体およびポジ型レジスト組成物 |
| JP2020052144A (ja) * | 2018-09-25 | 2020-04-02 | 日本ゼオン株式会社 | レジストパターン形成方法 |
| WO2023189586A1 (ja) * | 2022-03-29 | 2023-10-05 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法 |
-
2001
- 2001-07-05 JP JP2001204631A patent/JP2003021903A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020066806A1 (ja) * | 2018-09-25 | 2020-04-02 | 日本ゼオン株式会社 | 共重合体およびポジ型レジスト組成物 |
| JP2020052144A (ja) * | 2018-09-25 | 2020-04-02 | 日本ゼオン株式会社 | レジストパターン形成方法 |
| JPWO2020066806A1 (ja) * | 2018-09-25 | 2021-09-02 | 日本ゼオン株式会社 | 共重合体およびポジ型レジスト組成物 |
| EP3868802A4 (en) * | 2018-09-25 | 2022-08-17 | Zeon Corporation | COPOLYMER AND POSITIVE RESIST COMPOSITION |
| JP7196496B2 (ja) | 2018-09-25 | 2022-12-27 | 日本ゼオン株式会社 | レジストパターン形成方法 |
| JP7347436B2 (ja) | 2018-09-25 | 2023-09-20 | 日本ゼオン株式会社 | 共重合体およびポジ型レジスト組成物 |
| US11919985B2 (en) | 2018-09-25 | 2024-03-05 | Zeon Corporation | Copolymer and positive resist composition |
| WO2023189586A1 (ja) * | 2022-03-29 | 2023-10-05 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法 |
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