JP2003021316A - フォト工程を有する基板の製造装置で発生する排ガスの浄化装置 - Google Patents

フォト工程を有する基板の製造装置で発生する排ガスの浄化装置

Info

Publication number
JP2003021316A
JP2003021316A JP2001202756A JP2001202756A JP2003021316A JP 2003021316 A JP2003021316 A JP 2003021316A JP 2001202756 A JP2001202756 A JP 2001202756A JP 2001202756 A JP2001202756 A JP 2001202756A JP 2003021316 A JP2003021316 A JP 2003021316A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
exhaust gas
heat storage
combustion
photo process
manufacturing apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001202756A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4828047B2 (ja
Inventor
Masahiko Aiko
雅彦 愛甲
Kazuyuki Hayashi
和幸 林
Akio Nakagawa
秋夫 中川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Environmental Systems and Engineering Co Ltd
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Panasonic Environmental Systems and Engineering Co Ltd
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Environmental Systems and Engineering Co Ltd, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Panasonic Environmental Systems and Engineering Co Ltd
Priority to JP2001202756A priority Critical patent/JP4828047B2/ja
Publication of JP2003021316A publication Critical patent/JP2003021316A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4828047B2 publication Critical patent/JP4828047B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ランニングコストが低く、メンテナンス性が
よいフォト工程を有する基板の製造装置で発生する排ガ
スの浄化装置を提供する。 【解決手段】 フォト工程を有する基板の製造装置で発
生する排ガスの浄化装置として、排ガスの流入口と、燃
焼手段と、排ガスの流出口とを備え、燃焼手段として、
蓄熱式燃焼手段を用いる。また、排ガスの流入口の圧力
を検出する圧力検出手段と、排ガスの流出口から浄化ガ
スを吸い出す排気手段と、制御手段とを備え、制御手段
は圧力検出手段で検出した圧力に基づいて排気手段を制
御することで、製品品質への影響をより小さくする。ま
た、燃焼手段の前段に排ガス中の特定の成分の濃度を高
める濃縮手段を備える。また、濃縮手段中あるいは濃縮
手段に流入される排ガスの温度を所定値に調節する温度
調節手段を備えることで、蓄熱式燃焼手段の浄化率を更
に安定化させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォト工程を有す
る基板の製造装置で発生する排ガスの浄化装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来から、排ガスを燃焼させることによ
り、無害なCO2とH2Oに分解する、燃焼式の排ガス浄
化装置が知られている。また、燃焼式の排ガス浄化装置
に蓄熱層を設けたものが知られている。例えば、第1の
蓄熱層を通過させた排ガスを燃焼し、燃焼後の浄化ガス
を第2の蓄熱層を通過させる。この時、浄化ガスからの
熱が第2の蓄熱層へ蓄熱され、冷却された浄化ガスを排
出し、高い熱交換効率を実現して燃焼用の燃料消費量を
著しく低減可能な、蓄熱燃焼酸化式の排ガス浄化装置が
知られている。この方式は、燃焼後の浄化ガスが持つ熱
エネルギーを蓄熱層で吸収し、新たな排ガスを燃焼させ
るための熱エネルギーとして利用している。従来のフォ
ト工程を有する基板の製造装置(例えば、半導体あるい
は液晶あるいはプラズマディスプレイあるいは有機EL
樹脂の製造装置のフォト工程)で発生する排ガスの浄化
装置の燃焼手段には、触媒式燃焼手段を用いている。ま
た、当該製造装置の排ガスは、当該製造装置の排ガスの
流出口の近傍で排気ブロア等を用いて吸い出されてい
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来のフォト工程を有
する基板の製造装置(例えば、半導体あるいは液晶ある
いはプラズマディスプレイあるいは有機EL樹脂の製造
装置のフォト工程)で発生する排ガスの浄化装置の燃焼
手段に用いている触媒式燃焼手段は、排ガス中の特定成
分(例えば、有機シリコン等)が触媒に膜状に堆積し易
く、触媒の性能が短期間に低減する。性能が低減した触
媒から特定成分を除去することは、非常に困難である。
このため、触媒の再利用が困難であり、定期的に交換を
要するため、ランニングコストが高く、メンテナンス性
が悪い。本発明は、このような点に鑑みて創案されたも
のであり、ランニングコストが低く、メンテナンス性が
よいフォト工程を有する基板の製造装置で発生する排ガ
スの浄化装置を提供することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の第1発明は、請求項1に記載されたとおりの
フォト工程を有する基板の製造装置で発生する排ガスの
浄化装置である。請求項1に記載のフォト工程を有する
基板の製造装置で発生する排ガスの浄化装置では、排ガ
スの流入口と、燃焼手段と、排ガスの流出口とを備え、
燃焼手段として、蓄熱式燃焼手段を用いる。請求項1に
記載のフォト工程を有する基板の製造装置で発生する排
ガスの浄化装置を用いれば、燃焼手段に反応流路が均一
な所定内寸である直線状の多数の穴を有する蓄熱部材を
備えた蓄熱式燃焼手段を用いることで、蓄熱部材に排ガ
スの特定成分が詰まりにくく、分解性能を損ねることが
ない。このため、ランニンコストが低く、メンテナンス
性がよい。また、再利用が可能であるので、廃棄物とし
て処理する必要も低減する。
【0005】また、本発明の第2発明は、請求項2に記
載されたとおりのフォト工程を有する基板の製造装置で
発生する排ガスの浄化装置である。請求項2に記載のフ
ォト工程を有する基板の製造装置で発生する排ガスの浄
化装置では、排ガスの流入口の圧力を検出する圧力検出
手段と、排ガスの流出口から浄化ガスを吸い出す排気手
段と、制御手段とを備え、制御手段は、圧力検出手段で
検出した圧力に基づいて、排気手段を制御する。請求項
2に記載のフォト工程を有する基板の製造装置で発生す
る排ガスの浄化装置を用いれば、当該製造装置の排ガス
流出口に対する圧力変動を小さくしつつ、当該製造装置
の排ガス流出口の圧力を安定化することができる。この
ため、フォト工程を有する基板の製造装置(例えば、半
導体あるいは液晶あるいはプラズマディスプレイあるい
は有機EL樹脂の製造装置のフォト工程)の製品品質を
より安定化することができる(製品品質への影響をより
小さくできる)。
【0006】また、本発明の第3発明は、請求項3に記
載されたとおりのフォト工程を有する基板の製造装置で
発生する排ガスの浄化装置である。請求項3に記載のフ
ォト工程を有する基板の製造装置で発生する排ガスの浄
化装置では、燃焼手段の前段に、排ガス中の特定の成分
の濃度を高める濃縮手段を備える。請求項3に記載のフ
ォト工程を有する基板の製造装置で発生する排ガスの浄
化装置を用いれば、当該製造装置が発生する排ガスの量
(体積)が増加した場合であっても、濃縮することで、
排ガスの量(体積)を燃焼手段の処理能力(単位時間あ
たりの処理量(体積)等)内に収めることができる。こ
のため、燃焼手段をより小型化することができる。ま
た、濃縮して体積を小さくすることにより、燃焼用の燃
料を低減させることができるので、燃焼の効率を向上さ
せることができる。
【0007】また、本発明の第4発明は、請求項4に記
載されたとおりのフォト工程を有する基板の製造装置で
発生する排ガスの浄化装置である。請求項4に記載のフ
ォト工程を有する基板の製造装置で発生する排ガスの浄
化装置では、濃縮手段中あるいは濃縮手段に流入される
排ガスの温度を所定値に調節する温度調節手段を備え
る。請求項4に記載のフォト工程を有する基板の製造装
置で発生する排ガスの浄化装置を用いれば、濃縮手段中
あるいは濃縮手段に流入される排ガスの温度を所定値
(例えば、約200℃)に維持することで、排ガスの温
度の低下に伴う液化を防止でき、濃縮手段での目詰ま
り、劣化等を抑制できる。
【0008】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図面
を用いて説明する。図1は、本発明のフォト工程を有す
る基板の製造装置(例えば、半導体あるいは液晶あるい
はプラズマディスプレイあるいは有機EL樹脂の製造装
置のフォト工程)で発生する排ガスの浄化装置の一実施
の形態の概略構成図を示している。製造装置10a、1
0b、10c(フォト工程を有する基板の製造装置)か
ら発生した排ガスは、配管内を通過して圧力検出手段2
0(圧力センサ等)に到達する。圧力検出手段20は、
検出した圧力に基づいた検出信号を制御手段40に出力
し、検出信号は制御手段40により圧力に変換される。
制御手段40は、変換された圧力が所定の圧力を維持す
るように、排気手段80(排気用ブロアー等)を制御す
る。この場合、排気手段80と製造装置10a、10
b、10cとの間には、各種の工程(濃縮、燃焼等)が
あるため、排気手段80の動作/停止等に伴う急激な圧
力変動は、各種の工程で緩衝される。このため、製造装
置10a、10b、10cへの急激な圧力変動が抑制さ
れ、製造装置10a、10b、10cからの排ガスの圧
力を比較的緩やかに所定の圧力に近づけて安定化させる
ことで、フォト工程を有する基板の製造装置(例えば、
半導体あるいは液晶あるいはプラズマディスプレイある
いは有機EL樹脂の製造装置のフォト工程)の製品品質
を安定化させることができ、製品品質への影響をより小
さくできる。
【0009】温度調節手段30(例えば、温度センサ及
びヒータ等)は、検出した温度に基づいた検出信号を制
御手段40に出力し、検出信号は制御手段40により温
度に変換される。制御手段40は、変換された温度が所
定の温度(例えば、200℃)を維持するように、温度
調節手段30を制御する。これにより、排ガスを気相状
態に維持することが可能になり、次工程の濃縮手段50
の配管内部等で排ガスが液化することを抑制し、濃縮手
段50が目詰まり、劣化する(べとつき等により、ダス
ト等が付着したり、濃縮手段を劣化させる成分が付着・
堆積する)ことを抑制できる。
【0010】濃縮手段50(例えば、ゼオライト、活性
炭等を用いた濃縮装置)は、その内部を排ガスが通過す
る際、例えば、活性炭等でダスト等を除去し、ゼオライ
ト等で排ガス中の特定の成分(例えば、MMP、PGM
EA、ECA、EDM等の有機溶剤)を吸着し、特定の
成分以外を外部に排出(除去)する。また、ゼオライト
等に吸着した特定の成分は、再生用空気等で排ガスに再
生され、この時、再生された排ガス内の特定の成分の比
率を高めることかできる。このように、排ガスを濃縮し
て排ガスの量(体積)を小さくできる。このため、蓄熱
式燃焼手段70の処理能力を超える排ガスの量(体積)
が発生した場合であっても、処理能力内の排ガスの量
(体積)に収めることができる。また、定常的に濃縮手
段を使用すれば、処理能力が比較的低い蓄熱式燃焼手段
70を用いることができるので、蓄熱式燃焼手段70を
小型化することができる。また、濃縮して体積を小さく
することにより、燃焼用の燃料を低減させる(加熱不要
な成分を予め除去しておく)ことができるので、燃焼の
効率を向上させることができる。
【0011】蓄熱式燃焼手段70には、既存のものを用
いている。蓄熱式燃焼手段70は、例えば、排ガスの流
入口と、燃焼室と、排ガスの流出口と、第1の蓄熱層
と、第2の蓄熱層と、排ガスの経路を切替える経路切替
え手段101、102とを備えている。燃焼室には、燃
焼装置76(ガスバーナー等)と温度検出手段74(温
度センサ等)が設けられ、温度検出手段74は検出した
燃焼温度に基づいた検出信号を制御手段40に出力し、
制御手段40は検出信号を温度に変換する。そして、制
御手段40は、所定の燃焼温度を維持するように、燃焼
用燃料供給手段60(例えば、燃料タンクに接続された
燃料ポンプ等)、燃焼装置76を制御する。また、制御
手段40は、経路切替え手段101、102を制御し
て、排気ガスの経路を切替え、複数設けられた蓄熱層
を、各々、排ガス流入用/排ガス流出用/エアパージ用
のいずれかに切替える。
【0012】図2は、従来のフォト工程を有する基板の
製造装置で発生する排ガスの浄化装置の概略構成図の例
を示している。図1に示した本発明のフォト工程を有す
る基板の製造装置で発生する排ガスの浄化装置との相違
点を以下に説明する。各製造装置10a、10b、10
cの直後に圧力検出手段20a、20b、20c及び排
気手段85a、85b、85cが設けられ、圧力検出手
段20の検出信号に基いて排気手段85を動作させてい
る。製造装置10への圧力変動(単位時間当りの圧力の
変化量)は、製品品質のバラツキに影響するので好まし
くない。そのため、各製造装置10a、10b、10c
に個別に排気手段85a、85b、85cを有してい
る。このため、後段の排気手段80と合わせると、イニ
シャルコスト、ランニングコスト共に大きくなるという
問題があった。また、濃縮手段50が設けられてなく、
濃縮手段50の目詰まり、劣化を抑制するための温度調
節手段30も設けられていない。このため、触媒式燃焼
手段90の処理能力の上限に対応する排ガスの量(体
積)以下になるように、製造装置10から排出される排
ガスの量を抑える必要がある。また、排気手段80が、
触媒式燃焼手段90の前段にあり、制御手段から制御さ
れず、常時所定の風量で排気している。このため、排気
手段80の上流及び下流の各圧力のバラツキが大きくな
り、単位時間当りの排ガスの量のバラツキが大きくな
る。このため、触媒式燃焼手段90内の燃焼室の燃焼温
度のバラツキが大きくなり、分解効率(浄化効率)にも
影響する可能性がある。また、燃焼手段が触媒式燃焼手
段90であり、網状あるいは複数の複雑なガス通路を備
えた触媒を有している。触媒式燃焼手段90で使用する
触媒は、製造工程で使用された有機シリコンが触媒上に
膜状に付着し、除去不可能となり、いわゆる永久被毒と
なってしまい、触媒性能を失ってしまい、メンテナンス
ができない。また、使用済みとなった触媒は、廃棄物と
して処理する必要がある。従来の触媒式燃焼手段では、
約1.5ヵ月毎に触媒の交換を行っている。図1に示し
た本発明のフォト工程を有する基板の製造装置で発生す
る排ガスの浄化装置は、上記の例に示した従来のフォト
工程を有する基板の製造装置で発生する排ガスの浄化装
置の問題点を全て解決する。
【0013】次に、蓄熱式燃焼手段の排ガス浄化方式に
ついて、2種類の方式すなわち「2−BED方式」と
「3−BED方式」について説明する。 ◆[「2−BED方式」]図3に示す模式図を用いて、
「2−BED方式」について説明する。「2−BED方
式」では、蓄熱式燃焼手段70に第1及び第2の蓄熱層
71、72を設け、第1の蓄熱層71、第2の蓄熱層7
2を、経路切替え手段にて第1の蓄熱層71を排ガス流
入用、第2の蓄熱層72を浄化ガス流出用として用いる
形態と、第1の蓄熱層71を浄化ガス流出用、第2の蓄
熱層72を排ガス流入用として用いる形態の交互に切替
える方式である。図3A(上図)は、切替えダンパ(経
路切替え手段に相当する)71a、72bを開き、切替
えダンパ71b、72aを閉じた状態である。この状態
では、排ガス流入口100から流入した排ガスは、切替
えダンパ71aを通過し、更に、第1の蓄熱層71を通
過し、第1の蓄熱層71から熱を吸収して燃焼室75内
に流入する。燃焼室75に流入した排ガスは、燃焼装置
76(ガスバーナー等)により燃焼されて浄化ガスに変
換される。浄化ガスは、第2の蓄熱層72を通過し、第
2の蓄熱層72に熱を供給して、更に、切替えダンパ7
2bを通過して、ガス流出口110に流入する。また、
ガス流出口110に流入した浄化ガスは、排気手段80
(排気用ブロアー等)により、強制的に吸い出されるの
で、ガスは滞ることなく上記の経路を辿る。
【0014】図3B(下図)は、切替えダンパ(経路切
替え手段に相当する)71b、72aを開き、切替えダ
ンパ71a、72bを閉じた状態である。この状態で
は、排ガス流入口100から流入した排ガスは、切替え
ダンパ72aを通過し、更に、第2の蓄熱層72を通過
し、第2の蓄熱層72から熱を吸収して燃焼室75内に
流入する。燃焼室75に流入した排ガスは、燃焼装置7
6(ガスバーナー等)により燃焼されて浄化ガスに変換
される。浄化ガスは、第1の蓄熱層71を通過し、第1
の蓄熱層71に熱を供給して、更に、切替えダンパ71
bを通過して、ガス流出口110に流入する。例えば、
図3Aと図3Bに示した経路の切替え操作を数分毎に行
うことで、排ガス及び浄化ガスと、各蓄熱層との間で熱
交換を行わせることで、浄化ガスの熱を有効に利用す
る。
【0015】次に、図4及び図5を用いて、蓄熱層を構
成する蓄熱部材(本実施の形態で用いた蓄熱部材)の例
について説明する。図4は、蓄熱部材77の外観を示し
ており、図5は、本実施の形態で用いた蓄熱部材77の
模式図を示している。蓄熱部材77は、略直方体の形状
であり、図4は、説明のために一部をカットした図であ
る。本実施の形態で用いた蓄熱部材77は、D(縦)約
150mm、W(横)約150mm、H(高さ)約30
0mmの寸法であり、H(高さ)方向に対して平行に、
略直線の複数のガス通路77aが設けられている。ガス
通路77aを略直線にすることで、圧力損失が低減され
る。流入口100から切替えダンパ71aを通過した排
ガスは、蓄熱部材77に設けられたガス通路77a内
を、ほぼ均一な速度分布で通過し、燃焼室75に流入す
る。このため、燃焼室75に流入する排ガスの量のバラ
ツキが小さいので、燃焼室内の温度を所定温度以上に保
つために燃焼装置76の燃焼エネルギーを制御すること
が容易であり、安定した高い分解効率(浄化率)を得る
ことができる。蓄熱式燃焼手段70の燃焼室内の温度を
800℃以上に保つことにより、安定して約97%の分
解効率を得られる。また、ガス通路77aの内寸は、圧
力損失、排ガス内のダストのサイズ、堆積物の除去の容
易さ等に基づいて、3〜4mmに設定されている。な
お、この寸法は、使用条件等に合わせて任意の寸法に変
更してもよい。また、このサイズのガス通路77aで
は、ダスト、燃焼で生成されたSiO2等の付着(堆
積)による閉塞も発生しにくい。しかも、仮にダスト等
による閉塞が発生しても、除去が容易(3〜4mm幅の
略直線の孔であるため、針金、細いブラシ等により清掃
が可能)であり、メンテナンス性に優れている。また、
蓄熱部材77は、高温(800℃以上)であっても組成
の変化がほとんど発生せず、高い蓄熱効果を有するセラ
ミックを素材に用いている。この蓄熱部材により、流出
口での浄化ガスの温度は、流入口の排ガス温度に対し
て、+30℃〜+40℃にまで冷却される。
【0016】次に、「3−BED方式」の蓄熱式燃焼手
段の排ガス浄化方式について説明する。 ◆[「3−BED方式」]次に、図6に示す模式図を用
いて、「3−BED方式」について説明する。上記で説
明した「2−BED方式」では、2つの蓄熱層を、排ガ
ス流入用と浄化ガス流出用に交互に切替える。これに対
し、「3−BED方式」では、3つの蓄熱層を用いて、
蓄熱層を浄化ガス流出用に使用する前に、一旦、空気で
清掃し、分解効率(浄化効率)を更に向上させる方式で
ある。「3−BED方式」では、蓄熱式燃焼手段70に
第1、第2、第3の蓄熱層71、72、73を設け、第
1の蓄熱層71、第2の蓄熱層72、第3の蓄熱層73
を、経路切替え手段にて第1の蓄熱層71を排ガス流入
用、第2の蓄熱層72を浄化ガス流出用、第3の蓄熱層
73をエアパージ用として用いる形態と、第1の蓄熱層
71をエアパージ用、第2の蓄熱層72を排ガス流入
用、第3の蓄熱層73を浄化ガス流出用として用いる形
態と、第1の蓄熱層71を浄化ガス流出用、第2の蓄熱
層72をエアパージ用、第3の蓄熱層73を排ガス流入
用として用いる形態とを順番に切替える方式である。
【0017】図6A(上図)は、切替えダンパ(経路切
替え手段に相当する)71a、72bを開き、切替えダ
ンパ71b、72a、73a、73bを閉じた状態であ
る。また、空気流入ダンパ73cを開き、空気流入ダン
パ71c、72cを閉じた状態である。この状態では、
排ガス流入口100から流入した排ガスは、切替えダン
パ71aを通過し、更に、第1の蓄熱層71を通過し、
第1の蓄熱層71から熱を吸収して燃焼室75内に流入
する。燃焼室75に流入した排ガスは、燃焼装置76
(ガスバーナー等)により燃焼されて浄化ガスに変換さ
れる。浄化ガスは、第2の蓄熱層72を通過し、第2の
蓄熱層72に熱を供給して、更に、切替えダンパ72b
を通過して、ガス流出口110に流入する。また、ガス
流出口110に流入した浄化ガスは、排気手段80(排
気用ブロアー等)により、強制的に吸い出されるので、
ガスは滞ることなく上記の経路を辿る。また、空気流入
ダンパ73cから空気が流入し、流入した空気が第3の
蓄熱層73を通過して、第3の蓄熱層73に残留してい
る未処理の排ガスを燃焼室75に流入させる。この場
合、第3の蓄熱層73がエアパージ(空気で清掃する)
用に相当する。
【0018】図6B(中図)は、切替えダンパ(経路切
替え手段に相当する)72a、73bを開き、切替えダ
ンパ71a、71b、72b、73aを閉じた状態であ
る。また、空気流入ダンパ71cを開き、空気流入ダン
パ72c、73cを閉じた状態である。この状態では、
排ガス流入口100から流入した排ガスは、切替えダン
パ72aを通過し、更に、第2の蓄熱層72を通過し、
第2の蓄熱層72から熱を吸収して燃焼室75内に流入
する。燃焼室75に流入した排ガスは、燃焼装置76
(ガスバーナー等)により燃焼されて浄化ガスに変換さ
れる。浄化ガスは、第3の蓄熱層73を通過し、第3の
蓄熱層73に熱を供給して、更に、切替えダンパ73b
を通過して、ガス流出口110に流入する。また、空気
流入ダンパ71cから空気が流入し、流入した空気が第
1の蓄熱層71を通過して、第1の蓄熱層71に残留し
ている未処理の排ガスを燃焼室75に流入させる。この
場合、第1の蓄熱層71がエアパージ(空気で清掃す
る)用に相当する。
【0019】図6C(下図)は、切替えダンパ(経路切
替え手段に相当する)71b、73aを開き、切替えダ
ンパ71a、72a、72b、73bを閉じた状態であ
る。また、空気流入ダンパ72cを開き、空気流入ダン
パ71c、73cを閉じた状態である。この状態では、
排ガス流入口100から流入した排ガスは、切替えダン
パ73aを通過し、更に、第3の蓄熱層73を通過し、
第3の蓄熱層73から熱を吸収して燃焼室75内に流入
する。燃焼室75に流入した排ガスは、燃焼装置76
(ガスバーナー等)により燃焼されて浄化ガスに変換さ
れる。浄化ガスは、第1の蓄熱層71を通過し、第1の
蓄熱層71に熱を供給して、更に、切替えダンパ71b
を通過して、ガス流出口110に流入する。また、空気
流入ダンパ72cから空気が流入し、流入した空気が第
2の蓄熱層72を通過して、第2の蓄熱層72に残留し
ている未処理の排ガスを燃焼室75に流入させる。この
場合、第2の蓄熱層72がエアパージ(空気で清掃す
る)用に相当する。
【0020】例えば、図6A、図6B、図6Cに示した
経路の切替え操作を数分毎に順番に行うことで、排ガス
及び浄化ガスと、各蓄熱層との間で熱交換を行わせるこ
とで、浄化ガスの熱を有効に利用する。また、浄化ガス
を通過させる蓄熱層は、浄化ガス流出用として使用する
前に、エアパージ用として使用することで、内部に残存
する排ガスを燃焼室に放出させるため、浄化ガスに未処
理の排ガスをほとんど含まない。また、蓄熱部材、蓄熱
部材を用いて構成した蓄熱層等、その他は「2−BED
方式」と同様である。
【0021】「2−BED方式」及び「3−BED方
式」で説明した蓄熱式燃焼手段は、高い熱交換率(約9
0%以上)と、高い分解浄化率(約97〜99%)を有
している。この性能を引き出すためには、蓄熱式燃焼手
段の燃焼室内の温度を約850℃に安定して維持させる
ことが必要である。本発明のフォト工程を有する基板の
製造装置で発生する排ガスの浄化装置では、排ガスの量
(単位時間あたりに処理する体積)及び当該排ガスの濃
度(MMP、PGMEA、ECA、EDM等の有機溶剤
の比率)を濃縮手段で所定の範囲にする。このため、単
位時間あたりの排ガスの総体積を小さくできるので、蓄
熱式燃焼手段の処理効率を向上させることができる。ま
た、蓄熱式燃焼手段は、燃焼された浄化ガスの熱を、次
の燃焼に用いる排気ガスの昇温に有効に利用するので、
燃焼用の燃料をより低減できる。このため、燃料の燃焼
によるCO2の発生量をも低減できる。本実施の形態に
示したフォト工程を有する基板の製造装置で発生する排
ガスの浄化装置を用いた場合、排ガス中の特定の成分
(MMP、PGMEA、ECA、EDM等の有機溶剤)
の脱臭効果(臭気浄化率)は約95.6%の浄化率を達
成することができ、特定成分(MMP、PGMEA、E
CA、EDM等の有機溶剤)の分解浄化率は、約99%
以上の浄化率を安定して達成できることを確認できた。
【0022】本発明のフォト工程を有する基板の製造装
置で発生する排ガスの浄化装置は、実施の形態で説明し
た構成等に限定されず、本発明の要旨を変更しない範囲
で種々の変更、追加、削除が可能である。また、圧力検
出手段、温度調節手段、濃縮手段、燃焼用燃料供給手
段、蓄熱式燃焼手段、排気手段等は、本実施の形態で説
明した、センサ、機器、構造等に限定されず、種々のも
のを用いることが可能である。また、実施の形態の説明
に用いた数値は一例であり、この数値に限定されるもの
ではない。また、以上(≧)、以下(≦)、より大きい
(>)、未満(<)等は、等号を含んでも含まなくても
よい。
【0023】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1〜4に記
載の排ガス浄化装置を用いれば、ランニングコストが低
く、メンテナンス性がよいフォト工程を有する基板の製
造装置で発生する排ガスの浄化装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のフォト工程を有する基板の製造装置で
発生する排ガスの浄化装置の一実施の形態の概略構成図
である。
【図2】従来のフォト工程を有する基板の製造装置で発
生する排ガスの浄化装置の例を示す概略構成図である。
【図3】蓄熱式燃焼手段「2−BED方式」を示す模式
図である。
【図4】蓄熱部材77の外観図である。
【図5】蓄熱部材の模式図である。
【図6】蓄熱式燃焼手段「3−BED方式」を示す模式
図である。
【符号の説明】
10a、10b、10c 製造装置 20 圧力検出手段 30 温度調節手段 40 制御手段 50 濃縮手段 60 燃焼用燃料供給手段 70 蓄熱式燃焼手段 74 温度検出手段 76 燃焼装置 80 排気手段 101、102 経路切替え手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 林 和幸 石川県能美郡川北町字山田先出25 松下環 境空調エンジニアリング株式会社石川セク ション内 (72)発明者 中川 秋夫 石川県能美郡川北町字山田先出26番2号 松下電器産業株式会社LCD事業グループ 内 Fターム(参考) 3K078 BA17 BA21 CA01 CA08 CA09 4D002 AB03 AC10 BA04 BA05 BA12 CA07 CA11 CA13 DA45 EA02 EA04 GA02 GA03 GB04 GB20 HA08

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 排ガスの流入口と、燃焼手段と、排ガス
    の流出口とを備え、 燃焼手段として、蓄熱式燃焼手段を用いる、ことを特徴
    とするフォト工程を有する基板の製造装置で発生する排
    ガスの浄化装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載のフォト工程を有する基
    板の製造装置で発生する排ガスの浄化装置であって、更
    に、排ガスの流入口の圧力を検出する圧力検出手段と、
    排ガスの流出口から浄化ガスを吸い出す排気手段と、制
    御手段とを備え、 制御手段は、圧力検出手段で検出した圧力に基づいて、
    排気手段を制御する、ことを特徴とするフォト工程を有
    する基板の製造装置で発生する排ガスの浄化装置。
  3. 【請求項3】 請求項1または2に記載のフォト工程を
    有する基板の製造装置で発生する排ガスの浄化装置であ
    って、更に、燃焼手段の前段に、排ガス中の特定の成分
    の濃度を高める濃縮手段を備える、ことを特徴とするフ
    ォト工程を有する基板の製造装置で発生する排ガスの浄
    化装置。
  4. 【請求項4】 請求項3に記載のフォト工程を有する基
    板の製造装置で発生する排ガスの浄化装置であって、更
    に、濃縮手段中あるいは濃縮手段に流入される排ガスの
    温度を所定値に調節する温度調節手段を備える、ことを
    特徴とするフォト工程を有する基板の製造装置で発生す
    る排ガスの浄化装置。
JP2001202756A 2001-07-03 2001-07-03 フォト工程を有する基板の製造装置で発生する排ガスの浄化装置 Expired - Fee Related JP4828047B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001202756A JP4828047B2 (ja) 2001-07-03 2001-07-03 フォト工程を有する基板の製造装置で発生する排ガスの浄化装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001202756A JP4828047B2 (ja) 2001-07-03 2001-07-03 フォト工程を有する基板の製造装置で発生する排ガスの浄化装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003021316A true JP2003021316A (ja) 2003-01-24
JP4828047B2 JP4828047B2 (ja) 2011-11-30

Family

ID=19039504

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001202756A Expired - Fee Related JP4828047B2 (ja) 2001-07-03 2001-07-03 フォト工程を有する基板の製造装置で発生する排ガスの浄化装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4828047B2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100663203B1 (ko) 2004-11-30 2007-01-02 한국타이어 주식회사 소각로를 활용한 건물 내 배기 시스템
JP2010104940A (ja) * 2008-10-31 2010-05-13 Chubu Electric Power Co Inc ガス処理システム
JP2013000642A (ja) * 2011-06-15 2013-01-07 Kanken Techno Co Ltd Voc除害装置
WO2017068609A1 (ja) * 2015-10-19 2017-04-27 カンケンテクノ株式会社 排ガス処理装置
CN106871139A (zh) * 2017-03-14 2017-06-20 宜兴市智博环境设备有限公司 一种废气焚烧输送防爆防回火安全系统

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103868080B (zh) * 2012-12-11 2017-11-28 北京航天石化技术装备工程有限公司 大流量低热值有害废气焚烧处理工艺

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5515657A (en) * 1978-07-21 1980-02-02 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Method of removing mal-odorous component in exhaust gas
JPH08139085A (ja) * 1994-11-04 1996-05-31 Nippon Steel Corp 半導体製造装置
JPH1144416A (ja) * 1997-07-28 1999-02-16 Trinity Ind Corp 蓄熱型排ガス処理装置及びその運転方法
JP2001012717A (ja) * 1999-06-30 2001-01-19 Ngk Insulators Ltd 燃焼脱臭炉

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5515657A (en) * 1978-07-21 1980-02-02 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Method of removing mal-odorous component in exhaust gas
JPH08139085A (ja) * 1994-11-04 1996-05-31 Nippon Steel Corp 半導体製造装置
JPH1144416A (ja) * 1997-07-28 1999-02-16 Trinity Ind Corp 蓄熱型排ガス処理装置及びその運転方法
JP2001012717A (ja) * 1999-06-30 2001-01-19 Ngk Insulators Ltd 燃焼脱臭炉

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100663203B1 (ko) 2004-11-30 2007-01-02 한국타이어 주식회사 소각로를 활용한 건물 내 배기 시스템
JP2010104940A (ja) * 2008-10-31 2010-05-13 Chubu Electric Power Co Inc ガス処理システム
JP2013000642A (ja) * 2011-06-15 2013-01-07 Kanken Techno Co Ltd Voc除害装置
WO2017068609A1 (ja) * 2015-10-19 2017-04-27 カンケンテクノ株式会社 排ガス処理装置
CN106871139A (zh) * 2017-03-14 2017-06-20 宜兴市智博环境设备有限公司 一种废气焚烧输送防爆防回火安全系统

Also Published As

Publication number Publication date
JP4828047B2 (ja) 2011-11-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101283264B1 (ko) 배기 가스 연소 장치 및 방법
US8051643B2 (en) Exhaust gas purification system utilizing ozone
WO2005094971A1 (ja) 気体浄化装置
US6689699B2 (en) Method for manufacturing a semiconductor device using recirculation of a process gas
JP5973249B2 (ja) 有機溶剤含有ガス処理システム
JP2011189229A (ja) 排ガス処理システム
JP2003021316A (ja) フォト工程を有する基板の製造装置で発生する排ガスの浄化装置
JP4772223B2 (ja) 排ガス除害装置及び方法
WO2019154302A1 (zh) 等离子体处理气体中污染物的方法
JP2006307802A (ja) 排ガス浄化装置
JPH10280151A (ja) Cvd装置のクリーニング方法
JPH11168067A (ja) 半導体製造排ガスの除害装置及び除害方法
JP3415730B2 (ja) ガス状不純物処理システム及び粒子除去フィルタ
JPH09909A (ja) 排気装置
KR20190142098A (ko) 이중 트랙 진공 집진 시스템
JP2009082797A (ja) 有機溶剤含有ガス処理システム
JP5151067B2 (ja) 燃料電池システム、燃料電池車
JP4694650B1 (ja) 脱臭処理装置及び脱臭処理方法
JP4735979B2 (ja) 排ガス浄化装置及び排ガス浄化方法
JP2005142377A (ja) クリーニングガスのリサイクルシステム
JP2004049939A (ja) シリコン含有排ガスの触媒燃焼式浄化装置
US20230032454A1 (en) Makeup air handling unit in semiconductor fabrication building and method for cleaning air using the same
JP3564194B2 (ja) 触媒化セラミックフィルタの再生方法
JP2009297709A (ja) 流体又は流体混合物のためのプラズマ処理システム
JP2010174858A (ja) 内燃機関の排気浄化装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080422

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20101208

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101221

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110128

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110621

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110805

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110830

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110914

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140922

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4828047

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees