JP2003021316A

JP2003021316A - フォト工程を有する基板の製造装置で発生する排ガスの浄化装置

Info

Publication number: JP2003021316A
Application number: JP2001202756A
Authority: JP
Inventors: Masahiko Aiko; 雅彦愛甲; Kazuyuki Hayashi; 和幸林; Akio Nakagawa; 秋夫中川
Original assignee: Panasonic Environmental Systems and Engineering Co Ltd; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Environmental Systems and Engineering Co Ltd; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2001-07-03
Filing date: 2001-07-03
Publication date: 2003-01-24
Anticipated expiration: 2021-07-03
Also published as: JP4828047B2

Abstract

(57)【要約】【課題】ランニングコストが低く、メンテナンス性が
よいフォト工程を有する基板の製造装置で発生する排ガ
スの浄化装置を提供する。【解決手段】フォト工程を有する基板の製造装置で発
生する排ガスの浄化装置として、排ガスの流入口と、燃
焼手段と、排ガスの流出口とを備え、燃焼手段として、
蓄熱式燃焼手段を用いる。また、排ガスの流入口の圧力
を検出する圧力検出手段と、排ガスの流出口から浄化ガ
スを吸い出す排気手段と、制御手段とを備え、制御手段
は圧力検出手段で検出した圧力に基づいて排気手段を制
御することで、製品品質への影響をより小さくする。ま
た、燃焼手段の前段に排ガス中の特定の成分の濃度を高
める濃縮手段を備える。また、濃縮手段中あるいは濃縮
手段に流入される排ガスの温度を所定値に調節する温度
調節手段を備えることで、蓄熱式燃焼手段の浄化率を更
に安定化させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、フォト工程を有す
る基板の製造装置で発生する排ガスの浄化装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来から、排ガスを燃焼させることによ
り、無害なＣＯ₂とＨ₂Ｏに分解する、燃焼式の排ガス浄
化装置が知られている。また、燃焼式の排ガス浄化装置
に蓄熱層を設けたものが知られている。例えば、第１の
蓄熱層を通過させた排ガスを燃焼し、燃焼後の浄化ガス
を第２の蓄熱層を通過させる。この時、浄化ガスからの
熱が第２の蓄熱層へ蓄熱され、冷却された浄化ガスを排
出し、高い熱交換効率を実現して燃焼用の燃料消費量を
著しく低減可能な、蓄熱燃焼酸化式の排ガス浄化装置が
知られている。この方式は、燃焼後の浄化ガスが持つ熱
エネルギーを蓄熱層で吸収し、新たな排ガスを燃焼させ
るための熱エネルギーとして利用している。従来のフォ
ト工程を有する基板の製造装置（例えば、半導体あるい
は液晶あるいはプラズマディスプレイあるいは有機ＥＬ
樹脂の製造装置のフォト工程）で発生する排ガスの浄化
装置の燃焼手段には、触媒式燃焼手段を用いている。ま
た、当該製造装置の排ガスは、当該製造装置の排ガスの
流出口の近傍で排気ブロア等を用いて吸い出されてい
る。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】従来のフォト工程を有
する基板の製造装置（例えば、半導体あるいは液晶ある
いはプラズマディスプレイあるいは有機ＥＬ樹脂の製造
装置のフォト工程）で発生する排ガスの浄化装置の燃焼
手段に用いている触媒式燃焼手段は、排ガス中の特定成
分（例えば、有機シリコン等）が触媒に膜状に堆積し易
く、触媒の性能が短期間に低減する。性能が低減した触
媒から特定成分を除去することは、非常に困難である。
このため、触媒の再利用が困難であり、定期的に交換を
要するため、ランニングコストが高く、メンテナンス性
が悪い。本発明は、このような点に鑑みて創案されたも
のであり、ランニングコストが低く、メンテナンス性が
よいフォト工程を有する基板の製造装置で発生する排ガ
スの浄化装置を提供することを目的とする。

【０００４】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の第１発明は、請求項１に記載されたとおりの
フォト工程を有する基板の製造装置で発生する排ガスの
浄化装置である。請求項１に記載のフォト工程を有する
基板の製造装置で発生する排ガスの浄化装置では、排ガ
スの流入口と、燃焼手段と、排ガスの流出口とを備え、
燃焼手段として、蓄熱式燃焼手段を用いる。請求項１に
記載のフォト工程を有する基板の製造装置で発生する排
ガスの浄化装置を用いれば、燃焼手段に反応流路が均一
な所定内寸である直線状の多数の穴を有する蓄熱部材を
備えた蓄熱式燃焼手段を用いることで、蓄熱部材に排ガ
スの特定成分が詰まりにくく、分解性能を損ねることが
ない。このため、ランニンコストが低く、メンテナンス
性がよい。また、再利用が可能であるので、廃棄物とし
て処理する必要も低減する。

【０００５】また、本発明の第２発明は、請求項２に記
載されたとおりのフォト工程を有する基板の製造装置で
発生する排ガスの浄化装置である。請求項２に記載のフ
ォト工程を有する基板の製造装置で発生する排ガスの浄
化装置では、排ガスの流入口の圧力を検出する圧力検出
手段と、排ガスの流出口から浄化ガスを吸い出す排気手
段と、制御手段とを備え、制御手段は、圧力検出手段で
検出した圧力に基づいて、排気手段を制御する。請求項
２に記載のフォト工程を有する基板の製造装置で発生す
る排ガスの浄化装置を用いれば、当該製造装置の排ガス
流出口に対する圧力変動を小さくしつつ、当該製造装置
の排ガス流出口の圧力を安定化することができる。この
ため、フォト工程を有する基板の製造装置（例えば、半
導体あるいは液晶あるいはプラズマディスプレイあるい
は有機ＥＬ樹脂の製造装置のフォト工程）の製品品質を
より安定化することができる（製品品質への影響をより
小さくできる）。

【０００６】また、本発明の第３発明は、請求項３に記
載されたとおりのフォト工程を有する基板の製造装置で
発生する排ガスの浄化装置である。請求項３に記載のフ
ォト工程を有する基板の製造装置で発生する排ガスの浄
化装置では、燃焼手段の前段に、排ガス中の特定の成分
の濃度を高める濃縮手段を備える。請求項３に記載のフ
ォト工程を有する基板の製造装置で発生する排ガスの浄
化装置を用いれば、当該製造装置が発生する排ガスの量
（体積）が増加した場合であっても、濃縮することで、
排ガスの量（体積）を燃焼手段の処理能力（単位時間あ
たりの処理量（体積）等）内に収めることができる。こ
のため、燃焼手段をより小型化することができる。ま
た、濃縮して体積を小さくすることにより、燃焼用の燃
料を低減させることができるので、燃焼の効率を向上さ
せることができる。

【０００７】また、本発明の第４発明は、請求項４に記
載されたとおりのフォト工程を有する基板の製造装置で
発生する排ガスの浄化装置である。請求項４に記載のフ
ォト工程を有する基板の製造装置で発生する排ガスの浄
化装置では、濃縮手段中あるいは濃縮手段に流入される
排ガスの温度を所定値に調節する温度調節手段を備え
る。請求項４に記載のフォト工程を有する基板の製造装
置で発生する排ガスの浄化装置を用いれば、濃縮手段中
あるいは濃縮手段に流入される排ガスの温度を所定値
（例えば、約２００℃）に維持することで、排ガスの温
度の低下に伴う液化を防止でき、濃縮手段での目詰ま
り、劣化等を抑制できる。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図面
を用いて説明する。図１は、本発明のフォト工程を有す
る基板の製造装置（例えば、半導体あるいは液晶あるい
はプラズマディスプレイあるいは有機ＥＬ樹脂の製造装
置のフォト工程）で発生する排ガスの浄化装置の一実施
の形態の概略構成図を示している。製造装置１０ａ、１
０ｂ、１０ｃ（フォト工程を有する基板の製造装置）か
ら発生した排ガスは、配管内を通過して圧力検出手段２
０（圧力センサ等）に到達する。圧力検出手段２０は、
検出した圧力に基づいた検出信号を制御手段４０に出力
し、検出信号は制御手段４０により圧力に変換される。
制御手段４０は、変換された圧力が所定の圧力を維持す
るように、排気手段８０（排気用ブロアー等）を制御す
る。この場合、排気手段８０と製造装置１０ａ、１０
ｂ、１０ｃとの間には、各種の工程（濃縮、燃焼等）が
あるため、排気手段８０の動作／停止等に伴う急激な圧
力変動は、各種の工程で緩衝される。このため、製造装
置１０ａ、１０ｂ、１０ｃへの急激な圧力変動が抑制さ
れ、製造装置１０ａ、１０ｂ、１０ｃからの排ガスの圧
力を比較的緩やかに所定の圧力に近づけて安定化させる
ことで、フォト工程を有する基板の製造装置（例えば、
半導体あるいは液晶あるいはプラズマディスプレイある
いは有機ＥＬ樹脂の製造装置のフォト工程）の製品品質
を安定化させることができ、製品品質への影響をより小
さくできる。

【０００９】温度調節手段３０（例えば、温度センサ及
びヒータ等）は、検出した温度に基づいた検出信号を制
御手段４０に出力し、検出信号は制御手段４０により温
度に変換される。制御手段４０は、変換された温度が所
定の温度（例えば、２００℃）を維持するように、温度
調節手段３０を制御する。これにより、排ガスを気相状
態に維持することが可能になり、次工程の濃縮手段５０
の配管内部等で排ガスが液化することを抑制し、濃縮手
段５０が目詰まり、劣化する（べとつき等により、ダス
ト等が付着したり、濃縮手段を劣化させる成分が付着・
堆積する）ことを抑制できる。

【００１０】濃縮手段５０（例えば、ゼオライト、活性
炭等を用いた濃縮装置）は、その内部を排ガスが通過す
る際、例えば、活性炭等でダスト等を除去し、ゼオライ
ト等で排ガス中の特定の成分（例えば、ＭＭＰ、ＰＧＭ
ＥＡ、ＥＣＡ、ＥＤＭ等の有機溶剤）を吸着し、特定の
成分以外を外部に排出（除去）する。また、ゼオライト
等に吸着した特定の成分は、再生用空気等で排ガスに再
生され、この時、再生された排ガス内の特定の成分の比
率を高めることかできる。このように、排ガスを濃縮し
て排ガスの量（体積）を小さくできる。このため、蓄熱
式燃焼手段７０の処理能力を超える排ガスの量（体積）
が発生した場合であっても、処理能力内の排ガスの量
（体積）に収めることができる。また、定常的に濃縮手
段を使用すれば、処理能力が比較的低い蓄熱式燃焼手段
７０を用いることができるので、蓄熱式燃焼手段７０を
小型化することができる。また、濃縮して体積を小さく
することにより、燃焼用の燃料を低減させる（加熱不要
な成分を予め除去しておく）ことができるので、燃焼の
効率を向上させることができる。

【００１１】蓄熱式燃焼手段７０には、既存のものを用
いている。蓄熱式燃焼手段７０は、例えば、排ガスの流
入口と、燃焼室と、排ガスの流出口と、第１の蓄熱層
と、第２の蓄熱層と、排ガスの経路を切替える経路切替
え手段１０１、１０２とを備えている。燃焼室には、燃
焼装置７６（ガスバーナー等）と温度検出手段７４（温
度センサ等）が設けられ、温度検出手段７４は検出した
燃焼温度に基づいた検出信号を制御手段４０に出力し、
制御手段４０は検出信号を温度に変換する。そして、制
御手段４０は、所定の燃焼温度を維持するように、燃焼
用燃料供給手段６０（例えば、燃料タンクに接続された
燃料ポンプ等）、燃焼装置７６を制御する。また、制御
手段４０は、経路切替え手段１０１、１０２を制御し
て、排気ガスの経路を切替え、複数設けられた蓄熱層
を、各々、排ガス流入用／排ガス流出用／エアパージ用
のいずれかに切替える。

【００１２】図２は、従来のフォト工程を有する基板の
製造装置で発生する排ガスの浄化装置の概略構成図の例
を示している。図１に示した本発明のフォト工程を有す
る基板の製造装置で発生する排ガスの浄化装置との相違
点を以下に説明する。各製造装置１０ａ、１０ｂ、１０
ｃの直後に圧力検出手段２０ａ、２０ｂ、２０ｃ及び排
気手段８５ａ、８５ｂ、８５ｃが設けられ、圧力検出手
段２０の検出信号に基いて排気手段８５を動作させてい
る。製造装置１０への圧力変動（単位時間当りの圧力の
変化量）は、製品品質のバラツキに影響するので好まし
くない。そのため、各製造装置１０ａ、１０ｂ、１０ｃ
に個別に排気手段８５ａ、８５ｂ、８５ｃを有してい
る。このため、後段の排気手段８０と合わせると、イニ
シャルコスト、ランニングコスト共に大きくなるという
問題があった。また、濃縮手段５０が設けられてなく、
濃縮手段５０の目詰まり、劣化を抑制するための温度調
節手段３０も設けられていない。このため、触媒式燃焼
手段９０の処理能力の上限に対応する排ガスの量（体
積）以下になるように、製造装置１０から排出される排
ガスの量を抑える必要がある。また、排気手段８０が、
触媒式燃焼手段９０の前段にあり、制御手段から制御さ
れず、常時所定の風量で排気している。このため、排気
手段８０の上流及び下流の各圧力のバラツキが大きくな
り、単位時間当りの排ガスの量のバラツキが大きくな
る。このため、触媒式燃焼手段９０内の燃焼室の燃焼温
度のバラツキが大きくなり、分解効率（浄化効率）にも
影響する可能性がある。また、燃焼手段が触媒式燃焼手
段９０であり、網状あるいは複数の複雑なガス通路を備
えた触媒を有している。触媒式燃焼手段９０で使用する
触媒は、製造工程で使用された有機シリコンが触媒上に
膜状に付着し、除去不可能となり、いわゆる永久被毒と
なってしまい、触媒性能を失ってしまい、メンテナンス
ができない。また、使用済みとなった触媒は、廃棄物と
して処理する必要がある。従来の触媒式燃焼手段では、
約１．５ヵ月毎に触媒の交換を行っている。図１に示し
た本発明のフォト工程を有する基板の製造装置で発生す
る排ガスの浄化装置は、上記の例に示した従来のフォト
工程を有する基板の製造装置で発生する排ガスの浄化装
置の問題点を全て解決する。

【００１３】次に、蓄熱式燃焼手段の排ガス浄化方式に
ついて、２種類の方式すなわち「２−ＢＥＤ方式」と
「３−ＢＥＤ方式」について説明する。 ◆［「２−ＢＥＤ方式」］図３に示す模式図を用いて、
「２−ＢＥＤ方式」について説明する。「２−ＢＥＤ方
式」では、蓄熱式燃焼手段７０に第１及び第２の蓄熱層
７１、７２を設け、第１の蓄熱層７１、第２の蓄熱層７
２を、経路切替え手段にて第１の蓄熱層７１を排ガス流
入用、第２の蓄熱層７２を浄化ガス流出用として用いる
形態と、第１の蓄熱層７１を浄化ガス流出用、第２の蓄
熱層７２を排ガス流入用として用いる形態の交互に切替
える方式である。図３Ａ（上図）は、切替えダンパ（経
路切替え手段に相当する）７１ａ、７２ｂを開き、切替
えダンパ７１ｂ、７２ａを閉じた状態である。この状態
では、排ガス流入口１００から流入した排ガスは、切替
えダンパ７１ａを通過し、更に、第１の蓄熱層７１を通
過し、第１の蓄熱層７１から熱を吸収して燃焼室７５内
に流入する。燃焼室７５に流入した排ガスは、燃焼装置
７６（ガスバーナー等）により燃焼されて浄化ガスに変
換される。浄化ガスは、第２の蓄熱層７２を通過し、第
２の蓄熱層７２に熱を供給して、更に、切替えダンパ７
２ｂを通過して、ガス流出口１１０に流入する。また、
ガス流出口１１０に流入した浄化ガスは、排気手段８０
（排気用ブロアー等）により、強制的に吸い出されるの
で、ガスは滞ることなく上記の経路を辿る。

【００１４】図３Ｂ（下図）は、切替えダンパ（経路切
替え手段に相当する）７１ｂ、７２ａを開き、切替えダ
ンパ７１ａ、７２ｂを閉じた状態である。この状態で
は、排ガス流入口１００から流入した排ガスは、切替え
ダンパ７２ａを通過し、更に、第２の蓄熱層７２を通過
し、第２の蓄熱層７２から熱を吸収して燃焼室７５内に
流入する。燃焼室７５に流入した排ガスは、燃焼装置７
６（ガスバーナー等）により燃焼されて浄化ガスに変換
される。浄化ガスは、第１の蓄熱層７１を通過し、第１
の蓄熱層７１に熱を供給して、更に、切替えダンパ７１
ｂを通過して、ガス流出口１１０に流入する。例えば、
図３Ａと図３Ｂに示した経路の切替え操作を数分毎に行
うことで、排ガス及び浄化ガスと、各蓄熱層との間で熱
交換を行わせることで、浄化ガスの熱を有効に利用す
る。

【００１５】次に、図４及び図５を用いて、蓄熱層を構
成する蓄熱部材（本実施の形態で用いた蓄熱部材）の例
について説明する。図４は、蓄熱部材７７の外観を示し
ており、図５は、本実施の形態で用いた蓄熱部材７７の
模式図を示している。蓄熱部材７７は、略直方体の形状
であり、図４は、説明のために一部をカットした図であ
る。本実施の形態で用いた蓄熱部材７７は、Ｄ（縦）約
１５０ｍｍ、Ｗ（横）約１５０ｍｍ、Ｈ（高さ）約３０
０ｍｍの寸法であり、Ｈ（高さ）方向に対して平行に、
略直線の複数のガス通路７７ａが設けられている。ガス
通路７７ａを略直線にすることで、圧力損失が低減され
る。流入口１００から切替えダンパ７１ａを通過した排
ガスは、蓄熱部材７７に設けられたガス通路７７ａ内
を、ほぼ均一な速度分布で通過し、燃焼室７５に流入す
る。このため、燃焼室７５に流入する排ガスの量のバラ
ツキが小さいので、燃焼室内の温度を所定温度以上に保
つために燃焼装置７６の燃焼エネルギーを制御すること
が容易であり、安定した高い分解効率（浄化率）を得る
ことができる。蓄熱式燃焼手段７０の燃焼室内の温度を
８００℃以上に保つことにより、安定して約９７％の分
解効率を得られる。また、ガス通路７７ａの内寸は、圧
力損失、排ガス内のダストのサイズ、堆積物の除去の容
易さ等に基づいて、３〜４ｍｍに設定されている。な
お、この寸法は、使用条件等に合わせて任意の寸法に変
更してもよい。また、このサイズのガス通路７７ａで
は、ダスト、燃焼で生成されたＳｉＯ₂等の付着（堆
積）による閉塞も発生しにくい。しかも、仮にダスト等
による閉塞が発生しても、除去が容易（３〜４ｍｍ幅の
略直線の孔であるため、針金、細いブラシ等により清掃
が可能）であり、メンテナンス性に優れている。また、
蓄熱部材７７は、高温（８００℃以上）であっても組成
の変化がほとんど発生せず、高い蓄熱効果を有するセラ
ミックを素材に用いている。この蓄熱部材により、流出
口での浄化ガスの温度は、流入口の排ガス温度に対し
て、＋３０℃〜＋４０℃にまで冷却される。

【００１６】次に、「３−ＢＥＤ方式」の蓄熱式燃焼手
段の排ガス浄化方式について説明する。 ◆［「３−ＢＥＤ方式」］次に、図６に示す模式図を用
いて、「３−ＢＥＤ方式」について説明する。上記で説
明した「２−ＢＥＤ方式」では、２つの蓄熱層を、排ガ
ス流入用と浄化ガス流出用に交互に切替える。これに対
し、「３−ＢＥＤ方式」では、３つの蓄熱層を用いて、
蓄熱層を浄化ガス流出用に使用する前に、一旦、空気で
清掃し、分解効率（浄化効率）を更に向上させる方式で
ある。「３−ＢＥＤ方式」では、蓄熱式燃焼手段７０に
第１、第２、第３の蓄熱層７１、７２、７３を設け、第
１の蓄熱層７１、第２の蓄熱層７２、第３の蓄熱層７３
を、経路切替え手段にて第１の蓄熱層７１を排ガス流入
用、第２の蓄熱層７２を浄化ガス流出用、第３の蓄熱層
７３をエアパージ用として用いる形態と、第１の蓄熱層
７１をエアパージ用、第２の蓄熱層７２を排ガス流入
用、第３の蓄熱層７３を浄化ガス流出用として用いる形
態と、第１の蓄熱層７１を浄化ガス流出用、第２の蓄熱
層７２をエアパージ用、第３の蓄熱層７３を排ガス流入
用として用いる形態とを順番に切替える方式である。

【００１７】図６Ａ（上図）は、切替えダンパ（経路切
替え手段に相当する）７１ａ、７２ｂを開き、切替えダ
ンパ７１ｂ、７２ａ、７３ａ、７３ｂを閉じた状態であ
る。また、空気流入ダンパ７３ｃを開き、空気流入ダン
パ７１ｃ、７２ｃを閉じた状態である。この状態では、
排ガス流入口１００から流入した排ガスは、切替えダン
パ７１ａを通過し、更に、第１の蓄熱層７１を通過し、
第１の蓄熱層７１から熱を吸収して燃焼室７５内に流入
する。燃焼室７５に流入した排ガスは、燃焼装置７６
（ガスバーナー等）により燃焼されて浄化ガスに変換さ
れる。浄化ガスは、第２の蓄熱層７２を通過し、第２の
蓄熱層７２に熱を供給して、更に、切替えダンパ７２ｂ
を通過して、ガス流出口１１０に流入する。また、ガス
流出口１１０に流入した浄化ガスは、排気手段８０（排
気用ブロアー等）により、強制的に吸い出されるので、
ガスは滞ることなく上記の経路を辿る。また、空気流入
ダンパ７３ｃから空気が流入し、流入した空気が第３の
蓄熱層７３を通過して、第３の蓄熱層７３に残留してい
る未処理の排ガスを燃焼室７５に流入させる。この場
合、第３の蓄熱層７３がエアパージ（空気で清掃する）
用に相当する。

【００１８】図６Ｂ（中図）は、切替えダンパ（経路切
替え手段に相当する）７２ａ、７３ｂを開き、切替えダ
ンパ７１ａ、７１ｂ、７２ｂ、７３ａを閉じた状態であ
る。また、空気流入ダンパ７１ｃを開き、空気流入ダン
パ７２ｃ、７３ｃを閉じた状態である。この状態では、
排ガス流入口１００から流入した排ガスは、切替えダン
パ７２ａを通過し、更に、第２の蓄熱層７２を通過し、
第２の蓄熱層７２から熱を吸収して燃焼室７５内に流入
する。燃焼室７５に流入した排ガスは、燃焼装置７６
（ガスバーナー等）により燃焼されて浄化ガスに変換さ
れる。浄化ガスは、第３の蓄熱層７３を通過し、第３の
蓄熱層７３に熱を供給して、更に、切替えダンパ７３ｂ
を通過して、ガス流出口１１０に流入する。また、空気
流入ダンパ７１ｃから空気が流入し、流入した空気が第
１の蓄熱層７１を通過して、第１の蓄熱層７１に残留し
ている未処理の排ガスを燃焼室７５に流入させる。この
場合、第１の蓄熱層７１がエアパージ（空気で清掃す
る）用に相当する。

【００１９】図６Ｃ（下図）は、切替えダンパ（経路切
替え手段に相当する）７１ｂ、７３ａを開き、切替えダ
ンパ７１ａ、７２ａ、７２ｂ、７３ｂを閉じた状態であ
る。また、空気流入ダンパ７２ｃを開き、空気流入ダン
パ７１ｃ、７３ｃを閉じた状態である。この状態では、
排ガス流入口１００から流入した排ガスは、切替えダン
パ７３ａを通過し、更に、第３の蓄熱層７３を通過し、
第３の蓄熱層７３から熱を吸収して燃焼室７５内に流入
する。燃焼室７５に流入した排ガスは、燃焼装置７６
（ガスバーナー等）により燃焼されて浄化ガスに変換さ
れる。浄化ガスは、第１の蓄熱層７１を通過し、第１の
蓄熱層７１に熱を供給して、更に、切替えダンパ７１ｂ
を通過して、ガス流出口１１０に流入する。また、空気
流入ダンパ７２ｃから空気が流入し、流入した空気が第
２の蓄熱層７２を通過して、第２の蓄熱層７２に残留し
ている未処理の排ガスを燃焼室７５に流入させる。この
場合、第２の蓄熱層７２がエアパージ（空気で清掃す
る）用に相当する。

【００２０】例えば、図６Ａ、図６Ｂ、図６Ｃに示した
経路の切替え操作を数分毎に順番に行うことで、排ガス
及び浄化ガスと、各蓄熱層との間で熱交換を行わせるこ
とで、浄化ガスの熱を有効に利用する。また、浄化ガス
を通過させる蓄熱層は、浄化ガス流出用として使用する
前に、エアパージ用として使用することで、内部に残存
する排ガスを燃焼室に放出させるため、浄化ガスに未処
理の排ガスをほとんど含まない。また、蓄熱部材、蓄熱
部材を用いて構成した蓄熱層等、その他は「２−ＢＥＤ
方式」と同様である。

【００２１】「２−ＢＥＤ方式」及び「３−ＢＥＤ方
式」で説明した蓄熱式燃焼手段は、高い熱交換率（約９
０％以上）と、高い分解浄化率（約９７〜９９％）を有
している。この性能を引き出すためには、蓄熱式燃焼手
段の燃焼室内の温度を約８５０℃に安定して維持させる
ことが必要である。本発明のフォト工程を有する基板の
製造装置で発生する排ガスの浄化装置では、排ガスの量
（単位時間あたりに処理する体積）及び当該排ガスの濃
度（ＭＭＰ、ＰＧＭＥＡ、ＥＣＡ、ＥＤＭ等の有機溶剤
の比率）を濃縮手段で所定の範囲にする。このため、単
位時間あたりの排ガスの総体積を小さくできるので、蓄
熱式燃焼手段の処理効率を向上させることができる。ま
た、蓄熱式燃焼手段は、燃焼された浄化ガスの熱を、次
の燃焼に用いる排気ガスの昇温に有効に利用するので、
燃焼用の燃料をより低減できる。このため、燃料の燃焼
によるＣＯ₂の発生量をも低減できる。本実施の形態に
示したフォト工程を有する基板の製造装置で発生する排
ガスの浄化装置を用いた場合、排ガス中の特定の成分
（ＭＭＰ、ＰＧＭＥＡ、ＥＣＡ、ＥＤＭ等の有機溶剤）
の脱臭効果（臭気浄化率）は約９５．６％の浄化率を達
成することができ、特定成分（ＭＭＰ、ＰＧＭＥＡ、Ｅ
ＣＡ、ＥＤＭ等の有機溶剤）の分解浄化率は、約９９％
以上の浄化率を安定して達成できることを確認できた。

【００２２】本発明のフォト工程を有する基板の製造装
置で発生する排ガスの浄化装置は、実施の形態で説明し
た構成等に限定されず、本発明の要旨を変更しない範囲
で種々の変更、追加、削除が可能である。また、圧力検
出手段、温度調節手段、濃縮手段、燃焼用燃料供給手
段、蓄熱式燃焼手段、排気手段等は、本実施の形態で説
明した、センサ、機器、構造等に限定されず、種々のも
のを用いることが可能である。また、実施の形態の説明
に用いた数値は一例であり、この数値に限定されるもの
ではない。また、以上（≧）、以下（≦）、より大きい
（＞）、未満（＜）等は、等号を含んでも含まなくても
よい。

【００２３】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１〜４に記
載の排ガス浄化装置を用いれば、ランニングコストが低
く、メンテナンス性がよいフォト工程を有する基板の製
造装置で発生する排ガスの浄化装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のフォト工程を有する基板の製造装置で
発生する排ガスの浄化装置の一実施の形態の概略構成図
である。

【図２】従来のフォト工程を有する基板の製造装置で発
生する排ガスの浄化装置の例を示す概略構成図である。

【図３】蓄熱式燃焼手段「２−ＢＥＤ方式」を示す模式
図である。

【図４】蓄熱部材７７の外観図である。

【図５】蓄熱部材の模式図である。

【図６】蓄熱式燃焼手段「３−ＢＥＤ方式」を示す模式
図である。

【符号の説明】

１０ａ、１０ｂ、１０ｃ製造装置２０圧力検出手段３０温度調節手段４０制御手段５０濃縮手段６０燃焼用燃料供給手段７０蓄熱式燃焼手段７４温度検出手段７６燃焼装置８０排気手段１０１、１０２経路切替え手段

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者林和幸石川県能美郡川北町字山田先出25 松下環境空調エンジニアリング株式会社石川セクション内 (72)発明者中川秋夫石川県能美郡川北町字山田先出26番２号松下電器産業株式会社ＬＣＤ事業グループ内Ｆターム(参考） 3K078 BA17 BA21 CA01 CA08 CA09 4D002 AB03 AC10 BA04 BA05 BA12 CA07 CA11 CA13 DA45 EA02 EA04 GA02 GA03 GB04 GB20 HA08

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】排ガスの流入口と、燃焼手段と、排ガス
の流出口とを備え、燃焼手段として、蓄熱式燃焼手段を用いる、ことを特徴
とするフォト工程を有する基板の製造装置で発生する排
ガスの浄化装置。
【請求項２】請求項１に記載のフォト工程を有する基
板の製造装置で発生する排ガスの浄化装置であって、更
に、排ガスの流入口の圧力を検出する圧力検出手段と、
排ガスの流出口から浄化ガスを吸い出す排気手段と、制
御手段とを備え、制御手段は、圧力検出手段で検出した圧力に基づいて、
排気手段を制御する、ことを特徴とするフォト工程を有
する基板の製造装置で発生する排ガスの浄化装置。
【請求項３】請求項１または２に記載のフォト工程を
有する基板の製造装置で発生する排ガスの浄化装置であ
って、更に、燃焼手段の前段に、排ガス中の特定の成分
の濃度を高める濃縮手段を備える、ことを特徴とするフ
ォト工程を有する基板の製造装置で発生する排ガスの浄
化装置。
【請求項４】請求項３に記載のフォト工程を有する基
板の製造装置で発生する排ガスの浄化装置であって、更
に、濃縮手段中あるいは濃縮手段に流入される排ガスの
温度を所定値に調節する温度調節手段を備える、ことを
特徴とするフォト工程を有する基板の製造装置で発生す
る排ガスの浄化装置。