JP2003020392A - 熱可塑性樹脂組成物、光ディスク基板および光ディスク - Google Patents

熱可塑性樹脂組成物、光ディスク基板および光ディスク

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 環境変化によるディスクの反りが少ない光デ
ィスク基板用の熱可塑性樹脂組成物、それからの基板お
よび高記録密度光ディスクを提供する。 【解決手段】 熱可塑性樹脂からなる基板上に、順に
少なくとも反射膜および透明保護層とが形成され、透明
保護層側から光が照射されて情報信号の記録および/ま
た再生が行われるタイプの基板の成形に使用する樹脂組
成物であって、芳香族ポリカーボネート樹脂(A成分)
99.5〜65重量%および飽和吸水率が0.05重量%
以下の熱可塑性飽和ノルボルネン系ポリマー(B成分)
0.5〜35重量%とからなる熱可塑性樹脂組成物、そ
れからの光ディスク基板および高記録密度光ディスク。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク基板に
用いるのに適した熱可塑性樹脂組成物、それから得られ
た光ディスク基板および光ディスクに関する。さらに詳
しくは環境変化によるディスクの反りが少ない光ディス
ク基板用樹脂組成物、それから得られた基板および高記
録密度光ディスクに関する。
【0002】
【従来の技術】光ディスクとは、音声情報、画像情報、
或いは文字情報等の各種情報の記録媒体であり、ピット
と称される物理的な凹凸形状によって記録信号が予め書
き込まれてなる光ディスクや、信号記録層の相変化を利
用して記録信号が書き込まれる相変化型光ディスクや、
信号記録層の磁気光学効果を利用して記録信号の記録お
よび/または再生が行われる光磁気ディスクなどの種類
がある。いずれの光ディスクも透明な樹脂基板を通して
記録層または反射層に光を入射し、反射光の強度変化や
偏光角の変化など読み取ることで情報の記録および/ま
たは再生を行うものである。光ディスクとしては、コン
パクトディスク(CD)、ミニディスク(MD)、光磁
気ディスク(MO)およびデジタルバーサタイルディス
ク(DVD)などが商品化されている。これらの光ディ
スクの基板には、一般に芳香族ポリカーボネート樹脂組
成物が用いられ、射出成形することにより製造されてい
る。芳香族ポリカーボネート樹脂は、透明性、耐熱性、
機械的特性および寸法安定性等が優れていることから、
光学材料として好適に用いられている。
【0003】しかしながら、近年、さらなる光ディスク
の高記録密度化を実現するため、新しい光ディスクが提
案されている。例えば、DVDより記録密度を高めた光
ディスクの方式として、特開平11−7658号公報に
は「熱可塑性樹脂からなり、0.3〜1.2mmの厚さの
支持体と、上記支持体上に案内溝と、該案内溝上に、順
に、少なくとも反射膜と、相変化型記録膜とからなる記
録領域を有し、少なくとも上記記録領域において、3〜
177μmの厚さの透明保護層が形成されて成り、上記
透明保護層の、厚さムラをΔtとしたときに、再生、も
しくは記録再生する光学系のN.A.および波長λとの間
に、 Δt≦5.26(λ/N.A.4)(μm)(N.A.は開口数) の関係を満たすことを特徴とする光学記録媒体」が提案
され、レーザー波長およびピックアップレンズの開口数
(NA)と透明保護層の厚さおよび上記式より算出さえ
る透明保護層の厚さむらを規定することにより、大容量
化が可能な光記録媒体が提供されるとしている。この方
式を具現化した光ディスクとして、デジタル・ビデオ・
レコーディング(DVR)が開発されつつある。これ
は、DVDの4〜5倍の20〜25GBの記録容量を有
する光ディスクである。上記の方式の高記録密度光ディ
スク基板材料には、透明保護層側より光を照射するた
め、その基板(支持体)にはCD、DVD基板などのよ
うな透明性は必要なくなるが、従来の光ディスクに比べ
基板の反りや環境変化に対する反り変化の小さいことが
以下の理由により要求される。高密度化に伴い、レーザ
ーの短波長化およびピックアップレンズが高NA化され
るため、微小な基板の反りでもコマ収差が大きくなり、
フォーカスエラーやトラッキングエラーを引き起こすか
らである。また、高NA化によってピックアップレンズ
と基板との距離が接近するため、レンズと基板の接触を
回避するためにも、基板の反りおよび反り変化は小さい
ことが望まれる。
【0004】上記高密度光ディスク基板の反りは、基板
が射出成形または射出圧縮成形で作成される過程におい
て、成形条件を詳細に調整することによって基板の反り
を小さく抑え込むことができるが、環境変化による反り
変化については、温度湿度の環境変化における吸湿によ
り基板の反り変化が生じてしまう。特に上記方式の高密
度光ディスクは片面信号の光記録媒体であるため、主に
反射膜のない側の表面から吸水が生じ、基板中の含水バ
ランスが異なり、大きな吸水変形を起こす問題が生じて
いる。特にドライブ運転中は機内温度が高く湿度も低い
ことから急激な変化がおこり易くディスクの変形により
フォーカスエラーが大きくなり信号が読み出せない等の
問題が生じる。
【0005】上記光ディスクの基板に一般に用いられて
いる芳香族ポリカーボネート樹脂を基板材料に用いた場
合、吸水率が高い為、基板の吸湿膨張または脱湿収縮に
よるディスクの反り変形が大きく、読取り時にフォーカ
スエラーやトラッキングエラーを生じ易いという欠点を
有している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、熱可
塑性樹脂からなる基板上に、順に少なくとも反射膜と透
明保護層とが形成され、透明保護層側から光が照射され
て情報信号の記録および/または再生が行われるタイプ
の光ディスク(以下「表読み光ディスク」と称する場合
がある。)の基板を成形するのに適した、従って基板の
成形性を損なうことなく、基板の吸湿または脱湿過程に
おける反り変形の小さな基板材料としての樹脂組成物を
提供することにある。
【0007】本発明者らは、この目的を達成する為に鋭
意研究を重ねた結果、ポリカーボネート樹脂と飽和吸水
率が0.05重量%以下の熱可塑性飽和ノルボルネン系
ポリマーを特定の割合で混合して得られた樹脂組成物
が、基板の成形性を損なうことなく、吸湿または脱湿過
程のディスクの反り変形が低減された、表読み光ディス
クの基板材料として好適な組成物であるということを見
出し、本発明に到達した。
【0008】
【課題を解決する為の手段】本発明者らの研究によれ
ば、前記本発明の目的は、ポリカーボネート樹脂(A成
分)99.5〜65重量%と飽和吸水率が0.05重量%
以下の熱可塑性飽和ノルボルネン系ポリマー(B成分)
0.5〜35重量%とからなる熱可塑性樹脂組成物によ
り達成される。
【0009】本発明におけるポリカーボネート樹脂(A
成分)は、通常芳香族ジヒドロキシ化合物とカーボネー
ト前駆体とを溶液重合法または溶融重合法等で反応させ
て得られるものである。ここで使用される芳香族ジヒド
ロキシ化合物としては、例えば、4,4’−ジヒドロキ
シビフェニル、ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタ
ン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、
1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−フェニ
ルエタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プ
ロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフ
ェニル)プロパン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェ
ニル)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、2,2
−ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)プロ
パン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−イソプロピ
ルフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−t−ブチル−
4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(4
−ヒドロキシフェニル)ブタン、2,2−ビス(4−ヒ
ドロキシフェニル)オクタン、2,2−ビス(3−ブロ
モ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス
(3,5−ジブロモ−4−ヒドロキシフェニル)プロパ
ン、2,2−ビス(3,5−ジクロロ−4−ヒドロキシフ
ェニル)プロパン、2,2−ビス(3,5−ジメチル−4
−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−
シクロヘキシル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、
1,1−ビス(3−シクロヘキシル−4−ヒドロキシフ
ェニル)シクロヘキサン、ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)ジフェニルメタン、9,9−ビス(4−ヒドロキシ
フェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシ
−3−メチルフェニル)フルオレン、1,1−ビス(4
−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、1,1−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)シクロペンタン、4,4’
−ジヒドロキシジフェニルエ−テル、4,4’−ジヒド
ロキシ−3,3’−ジメチルジフェニルエ−テル、4,
4’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、4,4’−ジ
ヒドロキシジフェニルスルホキシド、4,4’−ジヒド
ロキシジフェニルスルフィド、4,4’−ジヒドロキシ
−3,3’−ジメチルジフェニルスルホン、4,4’−ジ
ヒドロキシ−3,3’−ジメチルジフェニルスルフィ
ド、4,4’−ジヒドロキシ−3,3’−ジメチルジフェ
ニルスルホキシド、4,4’−ジヒドロキシ−3,3’−
ジフェニルジフェニルスルホン、4,4’−ジヒドロキ
シ−3,3’−ジフェニルジフェニルスルフィド、4,
4’−ジヒドロキシ−3,3’−ジフェニルジフェニル
スルホキシド、1,3−ビス{2−(4−ヒドロキシフ
ェニル)プロピル}ベンゼン、1,4−ビス{2−(4
−ヒドロキシフェニル)プロピル}ベンゼン等が挙げら
れる。中でも、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−メ
チルフェニル)プロパン、1,1−ビス(4−ヒドロキ
シフェニル)シクロヘキサン、1,1−ビス(4−ヒド
ロキシフェニル)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサ
ン、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニ
ル)フルオレン、が好ましく、殊に2,2−ビス(4−
ヒドロキシフェニル)プロパン(以下、“ビスフェノ−
ルA”と略記する場合がある)が好ましい。また、これ
らの化合物は1種類または2種類以上混合して用いるこ
とができる。
【0010】本発明におけるポリカーボネート樹脂は、
そのポリマー0.7gを100mlの塩化メチレンに溶
解し、20℃で測定した比粘度が0.2〜0.5のものが
好ましく、0.25〜0.4の範囲のものがより好まし
い。比粘度が0.2未満では成形品が脆くなり、0.5よ
り高くなると溶融流動性が悪く、成形不良を生じ、光学
的に良好な成形品が得難くなる。
【0011】本発明の光ディスク基板に用いるのに適し
た樹脂組成物を形成する芳香族ポリカーボネート樹脂
(A成分)は、二次転移温度(Tg)が120℃〜18
0℃であることが好ましい。特に130℃〜170℃が
好適である。さらに好ましくは135℃〜160℃の範
囲である。Tgが120℃未満では、成形したディスク
基板の熱変形温度が低くなり、高温高湿環境下でディス
クが変形してしまう可能性がある。また、Tgが180
℃を越えると、溶融粘度が非常に高くなる為、射出成形
が困難となる。
【0012】一方、本発明に用いる熱可塑性飽和ノルボ
ルネン系ポリマー(B成分)は、特開平3−14882
号や特開平3−122137号、特開平4−63807
号などで公知の熱可塑性飽和ノルボルネン系ポリマーで
ある。熱可塑性飽和ノルボルネン系ポリマーとしては、
ノルボルネン系モノマーの開環重合体(共重合を含む)
の水素添加物、およびノルボルネン系モノマーと、エチ
レンおよび/またはα―オレフィンなどのオレフィン系
モノマーの共重合体を挙げることができ、実質的に不飽
和結合を有さないものである。
【0013】B成分の重合に使用されるノルボルネン系
モノマーもそれ自体公知のものであり、例えば、ノルボ
ルネン、そのアルキル、アルキリデン、芳香族置換誘導
体およびこれら置換または非置換のオレフィンのハロゲ
ン、水酸基、エステル基、アルコキシ基、シアノ基、ア
ミド基、イミド基、シリル基等の極性基置換体、例え
ば、2−ノルボルネン、5−メチル−2−ノルボルネ
ン、5,5−ジメチル−2−ノルボルネン、5−エチル
−2−ノルボルネン、5−ブチル−2−ノルボルネン、
5−エチリデン−2−ノルボルネン、5−メトキシカル
ボニル−2−ノルボルネン、5−シアノ−2−ノルボル
ネン、5−メチル−5−メトキシカルボニル−2−ノル
ボルネン、5−フェニル−2−ノルボルネン、5−フェ
ニル−5−メチル−2−ノルボルネン、5−ヘキシル−
2−ノルボルネン、5−オクチル−2−ノルボルネン、
5−オクタデシル−2−ノルボルネン等;ノルボルネン
に一つ以上のシクロペンタジエンが付加した単量体、そ
の上記と同様の誘導体や置換体、例えば、1,4:5,8
−ジメタノ−1,2,3,4,4a,5,8,8a−2,3−シ
クロペンタジエノナフタレン、6−メチル−1,4:5,
8−ジメタノ−1,4,4a,5,6,7,8,8a−オクタ
ヒドロナフタレン、1,4:5,10:6,9−トリメタ
ノ−1,2,3,4,4a,5,5a,6,9,9a,10,10
a−ドデカヒドロ−2,3−シクロペンタジエノアント
ラセン等;シクロペンタジエンの多量体である多環構造
の単量体、その上記と同様の誘導体や置換体、例えば、
ジシクロペンタジエン、2,3−ジヒドロジシクロペン
タジエン等;シクロペンタジエンとテトラヒドロインデ
ン等との付加物、その上記と同様の誘導体や置換体、例
えば、1,4−メタノ−1,4,4a,4b,5,8,8a,9
a−オクタヒドロフルオレン、5,8−メタノ−1,2,
3,4,4a,5,8,8a−オクタヒドロ−2,3−シクロ
ペンタジエノナフタレン等;等が挙げられる。ノルボル
ネン系モノマーは、それぞれ単独で、あるいは2種以上
を組み合わせて用いることができる。
【0014】ノルボルネン系モノマーの開環重合体(共
重合を含む)の水素添加物は公知の開環重合および水素
化によって得ることができる。また、ノルボルネン系モ
ノマーと、エチレンおよび/またはα―オレフィンなど
のオレフィン系モノマーの共重合体についても公知の重
合法で製造できる。かかる熱可塑性飽和ノルボルネン系
ポリマーとして好ましいものとしては、日本ゼオン製の
ZEONEXシリーズ、ZEONORシリーズ 三井化
学製のAPELシリーズ、Hoechst社製のTOP
ASシリーズなどの市販品が具体例として挙げられる。
【0015】本発明に使用する熱可塑性飽和ノルボルネ
ン系ポリマーは、23℃の純水に浸漬した場合の飽和吸
水率が0.05重量%以下が好ましく、0.01重量%以
下がさらに好ましい。飽和吸水率が高いと得られる樹脂
組成物の飽和吸水率を低減ができず、基板の吸湿または
脱湿過程における反り変形が大きくなってしまう。
【0016】本発明における光ディスク基板用樹脂組成
物は、ポリカーボネート樹脂99.5〜65重量%と、
熱可塑性飽和ノルボルネン系ポリマー0.5〜35重量
%よりなる。混合する熱可塑性飽和ノルボルネン系ポリ
マー量が0.5重量%よりも少ない場合、ディスクの吸
湿および脱湿過程における反り変形の低減効果が得られ
難い。一方、混合する熱可塑性飽和ノルボルネン系ポリ
マーの量が35重量%より多いと、樹脂組成物の成形基
板に筋状の転写異常箇所が発生してしまうため、光ディ
スク基板としての使用は困難となる。好ましい組成は、
ポリカーボネート樹脂99〜70重量%と熱可塑性飽和
ノルボルネン系ポリマー1〜30重量%よりなる。
【0017】本発明の光ディスク基板用樹脂組成物に
は、前記ポリカーボネート樹脂および熱可塑性飽和ノル
ボルネン系ポリマーの他に、熱安定剤としてリン酸、亜
リン酸、ホスホン酸、亜ホスホン酸およびこれらのエス
テル並びに縮合燐酸よりなる群から選択された少なくと
も1種のリン化合物を、樹脂組成物に対して適当な割合
で配合することができる。このリン化合物を配合するこ
とにより、かかる光ディスク用樹脂組成物の熱安定性が
向上し、成形時における分子量の低下や色相の悪化が防
止される。
【0018】かかる熱安定剤の配合量は、樹脂組成物に
対して通常0.0001〜0.05重量%であり、0.0
005〜0.02重量%が好ましく、0.001〜0.0
1重量%が特に好ましい。配合量が0.0001重量%
未満では上記効果が得られ難く、0.05重量%を超え
ると、逆に該樹脂組成物の熱安定性に悪影響を与えるこ
とがあり、また樹脂によっては耐加水分解性も低下する
ので好ましくない。本発明の光ディスク基板用樹脂組成
物には、酸化防止の目的のため通常知られた酸化防止剤
を添加することができる。その例としてはフェノール系
酸化防止剤を示すことができる。これら酸化防止剤の好
ましい添加量の範囲は樹脂組成物に対して、0.000
1〜0.05重量%である。
【0019】さらに本発明の光ディスク基板用樹脂組成
物には、必要に応じて一価または多価アルコールの高級
脂肪酸エステルを加えることもできる。この一価または
多価アルコールの高級脂肪酸エステルを配合することに
より、前記樹脂組成物の成形時の金型からの離型性が改
良され、ディスク基板の成形においては、離型荷重が少
なく離型不良によるディスク基板の変形、ピットおよび
/またはグルーブずれを防止できる。また、該樹脂組成
物の溶融流動性が改善される利点もある。
【0020】かかるアルコールと高級脂肪酸とのエステ
ルの配合量は、樹脂組成物に対して0.01〜2重量%
であり、0.015〜0.5重量%が好ましく、0.02
〜0.2重量%がより好ましい。配合量が0.01重量%
未満では上記効果が得られず、2重量%を越えると成形
の際に金型表面の汚れの原因ともなる。本発明の光ディ
スク基板用樹脂組成物には、さらに他の熱可塑性樹脂、
光安定剤、着色剤、帯電防止剤、滑剤などの添加剤を、
成形性、ならびに成形したディスクの吸湿および脱湿過
程における反りの低減効果を損なわない範囲で加えるこ
とができる。
【0021】本発明の組成物の調製において、ポリカー
ボネート樹脂と熱可塑性飽和ノルボルネン系ポリマーと
の混合は、ポリマー溶液、粉粒体またはペレット等の成
形品の段階が考えられるが、特に規制されるわけではな
い。また混合の方法については、ポリマー溶液の段階で
は、例えば、攪拌機付き容器が主として考えられ、ま
た、粉粒体およびペレット等の成形品の段階では、例え
ばタンブラー、V型ブレンダー、ナウターミキサー、バ
ンバリーミキサー、混練ロール、押出機などで混合する
方法が用いられる。
【0022】樹脂組成物の調製において、ポリカーボネ
ート樹脂および熱可塑性飽和ノルボルネン系ポリマーを
溶液にて混合する場合は、ポリカーボネート樹脂ならび
に熱可塑性飽和ノルボルネン系ポリマーが共に可溶な溶
媒を用いることが好ましい。この場合、溶液状態におい
て濾過処理を行い未反応成分等の不純物や異物を除去す
ることが好ましい。さらに射出成形に供する為のペレッ
ト状樹脂組成物を得る押出工程(ペレット化工程)では
溶融状態のときに濾過精度50μm以下の焼結金属フィ
ルター等を通すなどして異物を除去することが好まし
い。必要により、例えばリン系等の酸化防止剤などの添
加剤を加えることも好ましい。いずれにしても射出成形
前の原料樹脂は異物、不純物、溶媒などの含有量を極力
低くしておくことが必要である。
【0023】本発明における樹脂組成物は、23℃の純
水に浸漬した場合の飽和吸水率0.33重量%以下であ
ることが好ましい。飽和吸水率が0.33重量%を超え
ると、成形される光ディスク基板の表面上に金属膜を形
成させた光ディスクが吸湿および脱湿過程における反り
変形を生じ易くなり、フォーカスエラーやトラッキング
エラーを起こし易くなるので好ましくない。さらに本発
明の樹脂組成物は、好ましくはASTM D−648に
より1.82MPa荷重下で測定された荷重たわみ温度
が105℃以上であることが好ましい。さらに好ましく
は110℃以上である。上記の荷重たわみ温度を満足す
る場合には、光ディスク基板材料として良好な樹脂組成
物の達成が可能となる。
【0024】上記光ディスク用樹脂組成物より光ディス
ク基板を製造する場合には射出成形機(射出圧縮成形機
を含む)を用いる。この射出成形機としては一般的に使
用されているもので良いが、炭化物の発生を抑制しディ
スク基板の信頼性を高める観点からシリンダーやスクリ
ューと樹脂との付着性が低く、かつ耐食性、耐摩耗性を
示す材料を使用してなるものを用いるのが好ましい。成
形工程での環境は、本発明の目的から考えて、可能な限
りクリーンであることが好ましい。また、成形に供する
材料を十分乾燥して水分を除去することや、溶融樹脂の
分解を招くような滞留を起こさないように配慮すること
も重要となる。
【0025】本発明における光ディスク基板用樹脂組成
物は、射出成形または射出圧縮成形の際に、転写性の良
好となる十分な流動性を有していることが好ましい。ス
タンパーとしては記録形式および記録密度に対応して適
宜選択される。本発明の樹脂組成物は通常の記録密度か
ら高い記録密度まで幅広く対応することが出来る。
【0026】本発明の光ディスク基板は、その片面に少
なくとも反射膜を形成させることにより光ディスクとな
る。この材料としては、金属元素を単独で、あるいは複
合させて用いることができる。そのうちAlおよびAu
を単独で使用するか、もしくは0.5重量%以上10重
量%以下、特に好ましくは3.0重量%以上10重量%
以下のTiを含有するAl合金、0.5重量%以上10
重量%以下のCrを含有するAl合金を使用するのが好
ましい。また該反射膜は、イオンビームスパッタ法、D
Cスパッタ法またはRFスパッタ法などの手段で形成さ
せることができる。
【0027】通常この金属薄膜の他に、記録方式に応じ
て相変化膜、染料または光磁気膜などの記録形成層を設
けた上に、保護層としての機能を有する透明層が形成さ
れて本発明の光ディスクとなる。
【0028】かかる相変化膜の記録材料層としては、例
えば単体のカルコゲンやカルコゲン化合物が用いられ
る。具体的には、Te、Seの各単体、Ge−Sb−T
e,Ge−Te,In−Sb−Te,In−Se−Te
−Ag,In−Se,In−Se−Tl−Co,In−
Sb−Se,Bi2Te3,BiSe,Sb2Se3,Sb
2Te3等のカルコゲナイト系材料が使用される。また、
光磁気膜の記録層には、Tb−Fe−Co等の非晶質合
金薄膜等の、カー効果やファラデー効果等の磁気光学特
性を有する垂直磁化膜等が用いられる。
【0029】また、透明保護層としては、ポリカーボネ
ートやノルボルネン系樹脂などの熱可塑性樹脂や、各種
熱硬化性樹脂や紫外線効果樹脂等からなる薄層が挙げら
れる。透明保護層を形成する手段は、例えば、記録層上
にポリカーボネートやノルボルネン系樹脂などの熱可塑
性樹脂からなるシートを貼り合わせる方法、また紫外線
硬化樹脂をスピンコート等の手法によって塗布し、紫外
線照射することによって形成する方法が挙げられる。
【0030】上記金属薄膜その他をディスク基板の片面
に形成した光ディスクは、外部環境の湿度が変化した場
合、基板の金属薄膜側と金属薄膜を形成していない側と
の吸湿および脱湿速度が異なることから、基板の厚み方
向に含水率の勾配が生じ、樹脂の膨張量および収縮量の
勾配が起こる為、ディスクの反り変形が生じる。この反
り変形量は外部環境の湿度が変化した後、数時間〜数日
でピークに達し、ディスク内の含水率の勾配が均一にな
ると元の状態に戻る。
【0031】本発明の光ディスクとしては、基板上に、
順に、少なくとも反射膜、記録層および透明保護層とが
形成され、透明保護層側から光が照射されて情報信号の
記録および/または再生が行われるDVRなどの光ディ
スクを指す。これらの光ディスクにおいては、直径12
cmのディスクの片面で20GBを越える記録容量を持
つものも開発されているが、本発明の光ディスク基板は
これらのものにも十分に適応できる特性を有する。
【0032】本発明の光ディスクに用いるのに適した樹
脂組成物は、それを用いて形成した基板厚み1.2mm
t、直径120mm、片側に金属膜(例えば厚み約10
0nmのアルミニウムからなる金属膜)を形成させたデ
ィスク基板を基準として用いた反り変形試験により、そ
の好適性を判別することが出来る。すなわち、上記基板
を、30℃、湿度90%RHの恒温恒湿機に72hr放
置して湿気を十分浸透させた後、このディスク基板を2
3℃、湿度50%RHの環境下に移して湿気を放散さ
せ、その放散過程のディスク基板の反り変形量の最大値
(ΔR−tiltmax)が、0.85度以下であるこ
とが好ましい。特に0.83度以下であればなお良い。
ΔR−tiltmaxが0.85度を越えると、光ディ
スクにおけるフォーカスエラーやトラッキングエラーを
起こし易くなるので好ましくない。
【0033】上記光ディスク基板は、DVRのように、
基板上に形成された透明保護層側から信号の記録および
/または再生が行われるタイプの光ディスク基板材料と
して用いられる為、不透明であっても何ら差し支えな
い。本発明の「高記録密度光ディスク」とは、0.7μ
m以下のトラックピッチを有する光ディスクのことを指
す。
【0034】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をさらに説明す
る。なお実施例中の部は重量部である。なお、評価は下
記の方法によった。 (1)ガラス転移温度(Tg) ティー・エイ・インスツルメント・ジャパン(株)社製
2910型DSCを使用し、昇温速度20℃/minに
て測定した。 (2)飽和吸水率 23℃の純水に浸漬し、20日後における変化量を測定
した。 (3)荷重たわみ温度 ASTM D−648に従って、荷重1.82MPaに
て測定した。
【0035】(4)初期機械特性(初期R−tilt) 射出成形機(名機製作所 M35B−D−DM)とキャ
ビティ厚1.2mmt、直径120mmの金型およびグ
ルーブ深さ43nm、グルーブピッチ0.6μmの溝が
刻まれた22.5GBの容量を有するスタンパーを用い
て、シリンダー設定温度320℃、金型温度125℃、
型締め力15トン、冷却時間15秒でディスク基板を成
形した。その後、射出成形により得られたディスク基板
の信号面側に厚み約100nmのアルミニウム膜をスパ
ッタ蒸着させた後、さらにその上にUV硬化樹脂をスピ
ンコートし、UVを照射することでディスクを作成し
た。続いて、ディスクが互いに接触しないようスペーサ
ーを挟み、温度23℃、湿度50%RH環境に2日間以
上放置した。熱収縮および環境変化に対するTiltの
変化が安定した時点でジャパン・イー・エム(株)製3
次元形状測定器DLD−3000UによりTiltの評
価を行い、初期機械特性とした。
【0036】(5)反り変形量の最大値(ΔR−til
tmax) 初期機械特性を評価した基板を30℃、湿度90%RH
の恒温恒湿機に72hr放置した後、このディスクを2
3℃、湿度50%RHの環境下に移し、その後のディス
クの反り変形量の最大値(ΔR−tiltmax)をジ
ャパン・イー・エム(株)製3次元形状測定器DLD−
3000Uにより評価した。 (6)転写性 機械特性を評価した基板と同様の方法で基板を成形し、
アルミニウム膜やUV硬化樹脂を成膜しない状態で、こ
のディスク基板の半径55mm部分における溝部の深さ
を原子間力顕微鏡(セイコーインスツルメンツ SPI
3700)にて測定し、溝形状の再現率(=100×デ
ィスクの溝深さ/スタンパーの溝深さ(%))を求め
た。
【0037】実施例1 ポリマー成分Aとして帝人化成(株)製のポリカーボネ
ート(パンライトAD−5503)のペレット100部
と、ポリマー成分Bとして熱可塑性飽和ノルボルネン系
ポリマーである日本ゼオン(株)ZEONEX E48
R のペレット11.1部を混合させた。続いて、ベン
ト付きφ30mm二軸押出機を用いて押出すことによ
り、樹脂組成物のペレットを作成した。この樹脂組成物
ペレットを名機製作所(株)製M35B−D−DMを用
いて120mmφ、1.2mm厚みのディスク基板に射
出成形した。このディスク基板を用いて、上記初期R−
tilt、ΔR−tiltmaxおよび転写性を評価し
た。結果を表1に示す。
【0038】比較例1 帝人化成(株)製のポリカーボネート(パンライトAD
−5503)を名機製作所(株)製M35B−D−DM
を用いて120mmφ、1.2mm厚みのディスク基板
に射出成形した。このディスク基板を用いて上記初期R
−tilt、ΔR−tiltmaxおよび転写性を評価
した。結果を表1に示す。
【0039】比較例2 ポリマー成分Aとして帝人化成(株)製のポリカーボネ
ート(パンライトAD−5503)のペレット100部
と、ポリマー成分Bとして熱可塑性飽和ノルボルネン系
ポリマーである日本ゼオン(株)ZEONEX E48
R のペレット66.7部を混合させた。続いて、ベン
ト付きφ30mm二軸押出機を用いて押出すことによ
り、樹脂組成物のペレットを作成した。この樹脂組成物
ペレットを名機製作所(株)製M35B−D−DMを用
いて120mmφ、1.2mm厚みのディスク基板に射
出成形した。このディスク基板を用いて、上記初期R−
tilt、ΔR−tiltmaxおよび転写性評価し
た。結果を表1に示す。
【0040】
【表1】
【0041】
【発明の効果】本発明の樹脂組成物は、基板の成形性を
損なうことなく、該樹脂組成物を用いて成形した光ディ
スクは、吸湿および脱湿過程の反り変形が小さい。この
為、光ディスク基板、特に高記録密度光ディスク基板用
の材料として好適に用いられ、その奏する工業的効果は
格別なものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) //(C08L 69/00 C08L 65:00 65:00) (72)発明者 池田 幸紀 東京都千代田区内幸町1丁目2番2号 帝 人化成株式会社内 Fターム(参考) 4F071 AA50 AA69 AH12 BB05 BC01 BC12 4F100 AK01A AK02A AK08A AK45A AK45K AL05A AR00B AR00C BA03 BA07 BA10A BA10C EH36 EJ91C GB41 JB16A JL04 JN01C JN06B YY00A 4J002 CE002 CG001 GF00 GS02 5D029 KA16 KC09

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 熱可塑性樹脂からなる基板上に、順に少
    なくとも反射膜および透明保護層とが形成され、透明保
    護層側から光が照射されて情報信号の記録および/また
    再生が行われるタイプの基板に用いるのに適した樹脂組
    成物であって、芳香族ポリカーボネート樹脂(A成分)
    99.5〜65重量%および飽和吸水率が0.05重量%
    以下の熱可塑性飽和ノルボルネン系ポリマー(B成分)
    0.5〜35重量%とからなる熱可塑性樹脂組成物。
  2. 【請求項2】 上記芳香族ポリカーボネート樹脂(A成
    分)が主として2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニ
    ル)プロパンをジヒドロキシ成分とする芳香族ポリカー
    ボネートである請求項1に記載の樹脂組成物。
  3. 【請求項3】 請求項1または2のいずれかに記載の樹
    脂組成物よりなる高記録密度光ディスク基板用樹脂組成
    物。
  4. 【請求項4】 請求項1〜3のいずれかに記載の樹脂組
    成物を用いて成形した、エンボスピットまたは案内溝が
    設けられた0.3〜1.2mm厚さの高密度光ディスク基
    板。
  5. 【請求項5】 請求項4に記載の基板上に、順に少な
    くとも反射膜および透明保護層とが形成され、透明保護
    層側から光が照射されて情報信号の記録および/または
    再生がおこなわれるタイプの光ディスク。
  6. 【請求項6】 反射層と透明保護層との間に記録膜を有
    する請求項5記載の光ディスク。
  7. 【請求項7】 記録膜および/または反射層と、透明保
    護層が複数積層される、多層構造であることを特徴とす
    る請求項5または6記載の光ディスク。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63501428A (ja) * 1985-11-14 1988-06-02 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ ポリカ−ボネ−ト組成物
JPH03207747A (ja) * 1990-01-10 1991-09-11 Mitsui Petrochem Ind Ltd ポリカーボネート樹脂組成物
JPH08234458A (ja) * 1995-02-24 1996-09-13 Konica Corp 電子写真感光体及び電子写真装置

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