JP2003017979A - 弾性表面波デバイスおよびその製法 - Google Patents
弾性表面波デバイスおよびその製法Info
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- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡単な方法で製造することができ、中空部の
気密性にすぐれ、信頼性にすぐれる弾性表面波デバイス
を得る。 【解決手段】 配線パターンが形成された基板上に弾性
表面波チップが実装され、かつ、保護層を有する弾性表
面波デバイスであって、前記弾性表面波チップの弾性表
面波電極が形成された電極面と、前記基板の配線パター
ンが形成された面とが対面して配置され、前記弾性表面
波電極と前記配線パターンとがバンプで接続されてお
り、かつ、弾性表面波電極面と配線パターンが形成され
た面とがバンプの高さのぶん隔てられており、前記弾性
表面波チップの電極面と反対側の面から前記基板表面に
かけてゲル状硬化性シートから形成された保護層で、弾
性表面波電極面と配線パターンが形成された面とがバン
プの高さのぶん隔てられた部分が中空構造を保つように
覆われている弾性表面波デバイスおよびそれをヒートプ
レス法で製造する。
気密性にすぐれ、信頼性にすぐれる弾性表面波デバイス
を得る。 【解決手段】 配線パターンが形成された基板上に弾性
表面波チップが実装され、かつ、保護層を有する弾性表
面波デバイスであって、前記弾性表面波チップの弾性表
面波電極が形成された電極面と、前記基板の配線パター
ンが形成された面とが対面して配置され、前記弾性表面
波電極と前記配線パターンとがバンプで接続されてお
り、かつ、弾性表面波電極面と配線パターンが形成され
た面とがバンプの高さのぶん隔てられており、前記弾性
表面波チップの電極面と反対側の面から前記基板表面に
かけてゲル状硬化性シートから形成された保護層で、弾
性表面波電極面と配線パターンが形成された面とがバン
プの高さのぶん隔てられた部分が中空構造を保つように
覆われている弾性表面波デバイスおよびそれをヒートプ
レス法で製造する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波デバイ
スおよびその製法に関する。さらに詳しくは、ゲル状硬
化性シートのみから形成された保護層を有し、簡単な方
法で製造することができる弾性表面波デバイスおよびそ
の製法に関する。
スおよびその製法に関する。さらに詳しくは、ゲル状硬
化性シートのみから形成された保護層を有し、簡単な方
法で製造することができる弾性表面波デバイスおよびそ
の製法に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】たと
えば小型化した弾性表面波（以下、ＳＡＷともいう）チ
ップを基板に実装する際に、ＳＡＷチップのＳＡＷ電極
が形成された面が、基板の配線パターンが形成された面
に対面して配置され、ＳＡＷ電極と基板の配線パターン
とがバンプで接続せしめられ、ＳＡＷチップがバンプの
高さぶん基板から離れて配置された状態のもののうえ
に、ＳＡＷチップを覆い、基板表面に達するようにエポ
キシ樹脂フィルムなどのフィルムをかけ、さらに、該フ
ィルム上に基板表面に達するように紫外線硬化型樹脂な
どの樹脂を覆い、硬化させた保護層を形成する方法が提
案されている（特開平１１−１７４９０号公報）。
えば小型化した弾性表面波（以下、ＳＡＷともいう）チ
ップを基板に実装する際に、ＳＡＷチップのＳＡＷ電極
が形成された面が、基板の配線パターンが形成された面
に対面して配置され、ＳＡＷ電極と基板の配線パターン
とがバンプで接続せしめられ、ＳＡＷチップがバンプの
高さぶん基板から離れて配置された状態のもののうえ
に、ＳＡＷチップを覆い、基板表面に達するようにエポ
キシ樹脂フィルムなどのフィルムをかけ、さらに、該フ
ィルム上に基板表面に達するように紫外線硬化型樹脂な
どの樹脂を覆い、硬化させた保護層を形成する方法が提
案されている（特開平１１−１７４９０号公報）。
【０００３】この方法では、材料コスト、組み立てコス
トを低減することができるとともに、ＳＡＷチップと基
板表面とのあいだに設けられたバンプの高さぶんの空間
が中空に維持されるため、弾性表面波を発生するための
ＳＡＷ電極面が樹脂などの他の部材に接触することによ
る弾性表面波の発生阻害および水晶などの弾性表面波を
伝播する基板に他の部材が接触することによる弾性表面
波の伝播阻害などを起さないようにすることができる。
また、中空部を気密に保つことができるため、特性を安
定にすることができる。
トを低減することができるとともに、ＳＡＷチップと基
板表面とのあいだに設けられたバンプの高さぶんの空間
が中空に維持されるため、弾性表面波を発生するための
ＳＡＷ電極面が樹脂などの他の部材に接触することによ
る弾性表面波の発生阻害および水晶などの弾性表面波を
伝播する基板に他の部材が接触することによる弾性表面
波の伝播阻害などを起さないようにすることができる。
また、中空部を気密に保つことができるため、特性を安
定にすることができる。
【０００４】しかしながら、基板の配線パターンにバン
プで接続せしめられたＳＡＷチップをフィルムで覆い、
該フィルムが基板表面に達するようにしたもののうえ
に、さらに、基板表面に達するように樹脂で覆って硬化
させる方法は、煩雑で長い工程が必要である。また、硬
化した樹脂の表面は、液状の樹脂で覆ったときのまま硬
化したものであるため、フラットとはいえず、好ましく
ない。
プで接続せしめられたＳＡＷチップをフィルムで覆い、
該フィルムが基板表面に達するようにしたもののうえ
に、さらに、基板表面に達するように樹脂で覆って硬化
させる方法は、煩雑で長い工程が必要である。また、硬
化した樹脂の表面は、液状の樹脂で覆ったときのまま硬
化したものであるため、フラットとはいえず、好ましく
ない。
【０００５】なお、特開平１１−１７４９０号公報に
は、前記フィルムおよび樹脂から形成された保護層のか
わりに、フィルムのみから形成された保護層および樹脂
のみから形成された保護層についても記載されている
が、前者の場合、中空部の気密性に劣り、信頼性に問題
がある、後者の場合、中空部に樹脂が入り込み、特性を
劣化させると記載されている。
は、前記フィルムおよび樹脂から形成された保護層のか
わりに、フィルムのみから形成された保護層および樹脂
のみから形成された保護層についても記載されている
が、前者の場合、中空部の気密性に劣り、信頼性に問題
がある、後者の場合、中空部に樹脂が入り込み、特性を
劣化させると記載されている。
【０００６】一方、実質的に未硬化状態にありながらゲ
ル状を呈する硬化性エポキシ樹脂組成物からなる硬化性
シートを予備封止材料として用いた非接触ＩＣカード用
モジュールの予備封止体（アンテナとＩＣチップを硬化
性シートにより封止したもの）を、カードの中に埋め込
んだものが知られている（特開平１１−１２５４３号公
報）。
ル状を呈する硬化性エポキシ樹脂組成物からなる硬化性
シートを予備封止材料として用いた非接触ＩＣカード用
モジュールの予備封止体（アンテナとＩＣチップを硬化
性シートにより封止したもの）を、カードの中に埋め込
んだものが知られている（特開平１１−１２５４３号公
報）。
【０００７】しかし、前記非接触ＩＣカード用モジュー
ルの予備封止体は、さらに高分子シートにより封止さ
れ、本封止体とされるものであり、前記硬化性シート
は、本封止のための高分子シートを接着させる接着剤と
して使用されているものであり、硬化性シートのみで本
封止体を製造するものではない。
ルの予備封止体は、さらに高分子シートにより封止さ
れ、本封止体とされるものであり、前記硬化性シート
は、本封止のための高分子シートを接着させる接着剤と
して使用されているものであり、硬化性シートのみで本
封止体を製造するものではない。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、特開平１
１−１７４９０号公報に記載のフィルムのみから保護層
を形成した場合の、中空部の気密性に劣り、信頼性に問
題がある、という問題を解決するために鋭意検討を重ね
た結果、本発明を完成するにいたった。
１−１７４９０号公報に記載のフィルムのみから保護層
を形成した場合の、中空部の気密性に劣り、信頼性に問
題がある、という問題を解決するために鋭意検討を重ね
た結果、本発明を完成するにいたった。
【０００９】すなわち、本発明は、（１）配線パターン
が形成された基板上に弾性表面波チップが実装され、か
つ、保護層を有する弾性表面波デバイスであって、前記
弾性表面波チップの弾性表面波電極が形成された電極面
と、前記基板の配線パターンが形成された面とが対面し
て配置され、前記弾性表面波電極と前記配線パターンと
がバンプで接続されており、かつ、弾性表面波電極面と
配線パターンが形成された面とがバンプの高さのぶん隔
てられており、前記弾性表面波チップの電極面と反対側
の面から前記基板表面にかけてゲル状硬化性シートから
形成された保護層で、弾性表面波電極面と配線パターン
が形成された面とがバンプの高さのぶん隔てられた部分
が中空構造を保つように覆われていることを特徴とする
弾性表面波デバイス（請求項１）、（２）前記保護層の
表面が実質的にフラットである請求項１記載の弾性表面
波デバイス（請求項２）、（３）前記ゲル状硬化性シー
トがゲル状硬化性エポキシ樹脂シートである請求項１ま
たは２記載の弾性表面波デバイス（請求項３）、（４）
配線パターンが形成された基板上に弾性表面波チップが
実装され、かつ、保護層を有する弾性表面波デバイスの
製法であって、前記弾性表面波チップの弾性表面波電極
が形成された電極面と、前記基板の配線パターンが形成
された面とが対面して配置され、前記弾性表面波電極と
前記配線パターンとがバンプで接続されており、かつ、
弾性表面波電極面と配線パターンが形成された面とがバ
ンプの高さのぶん隔てられているものの、前記弾性表面
波チップの電極面と反対側の面から前記基板表面にかけ
てゲル状硬化性シートで覆ったのち、ヒートプレスする
ことにより、弾性表面波電極面と配線パターンが形成さ
れた面とがバンプの高さのぶん隔てられた部分が中空構
造を保つように保護層を形成することを特徴とする弾性
表面波デバイスの製法（請求項４）、（５）前記保護層
の形成が、保護層の表面が実質的にフラットになる形成
である請求項４記載の弾性表面波デバイスの製法（請求
項５）、（６）前記ゲル状硬化性シートがゲル状硬化性
エポキシ樹脂シートである請求項４または５記載の弾性
表面波デバイスの製法（請求項６）、（７）前記ゲル状
硬化性シートとして、（弾性表面波チップの厚さ＋バン
プの高さ）以上（弾性表面波チップの厚さ＋バンプの高
さ）×２倍以下の厚さのゲル状硬化性シートを１枚使用
する請求項４、５または６記載の製法（請求項７）、
（８）前記ゲル状硬化性シートとして、（弾性表面波チ
ップの厚さ＋バンプの高さ）×１／２０以上（弾性表面
波チップの厚さ＋バンプの高さ）×１／１以下の厚さの
ゲル状硬化性シートを、（弾性表面波チップの厚さ＋バ
ンプの高さ）以上（弾性表面波チップの厚さ＋バンプの
高さ）×２倍以下の厚さになる枚数を積層して使用する
請求項４、５または６記載の製法（請求項８）、および
（９）前記ヒートプレスが、ゲル状硬化性シートの軟化
点以上２５０℃以下、１００Ｐａ〜１０ＭＰａで行なわ
れる請求項４、５、６、７または８記載の製法（請求項
９）に関する。
が形成された基板上に弾性表面波チップが実装され、か
つ、保護層を有する弾性表面波デバイスであって、前記
弾性表面波チップの弾性表面波電極が形成された電極面
と、前記基板の配線パターンが形成された面とが対面し
て配置され、前記弾性表面波電極と前記配線パターンと
がバンプで接続されており、かつ、弾性表面波電極面と
配線パターンが形成された面とがバンプの高さのぶん隔
てられており、前記弾性表面波チップの電極面と反対側
の面から前記基板表面にかけてゲル状硬化性シートから
形成された保護層で、弾性表面波電極面と配線パターン
が形成された面とがバンプの高さのぶん隔てられた部分
が中空構造を保つように覆われていることを特徴とする
弾性表面波デバイス（請求項１）、（２）前記保護層の
表面が実質的にフラットである請求項１記載の弾性表面
波デバイス（請求項２）、（３）前記ゲル状硬化性シー
トがゲル状硬化性エポキシ樹脂シートである請求項１ま
たは２記載の弾性表面波デバイス（請求項３）、（４）
配線パターンが形成された基板上に弾性表面波チップが
実装され、かつ、保護層を有する弾性表面波デバイスの
製法であって、前記弾性表面波チップの弾性表面波電極
が形成された電極面と、前記基板の配線パターンが形成
された面とが対面して配置され、前記弾性表面波電極と
前記配線パターンとがバンプで接続されており、かつ、
弾性表面波電極面と配線パターンが形成された面とがバ
ンプの高さのぶん隔てられているものの、前記弾性表面
波チップの電極面と反対側の面から前記基板表面にかけ
てゲル状硬化性シートで覆ったのち、ヒートプレスする
ことにより、弾性表面波電極面と配線パターンが形成さ
れた面とがバンプの高さのぶん隔てられた部分が中空構
造を保つように保護層を形成することを特徴とする弾性
表面波デバイスの製法（請求項４）、（５）前記保護層
の形成が、保護層の表面が実質的にフラットになる形成
である請求項４記載の弾性表面波デバイスの製法（請求
項５）、（６）前記ゲル状硬化性シートがゲル状硬化性
エポキシ樹脂シートである請求項４または５記載の弾性
表面波デバイスの製法（請求項６）、（７）前記ゲル状
硬化性シートとして、（弾性表面波チップの厚さ＋バン
プの高さ）以上（弾性表面波チップの厚さ＋バンプの高
さ）×２倍以下の厚さのゲル状硬化性シートを１枚使用
する請求項４、５または６記載の製法（請求項７）、
（８）前記ゲル状硬化性シートとして、（弾性表面波チ
ップの厚さ＋バンプの高さ）×１／２０以上（弾性表面
波チップの厚さ＋バンプの高さ）×１／１以下の厚さの
ゲル状硬化性シートを、（弾性表面波チップの厚さ＋バ
ンプの高さ）以上（弾性表面波チップの厚さ＋バンプの
高さ）×２倍以下の厚さになる枚数を積層して使用する
請求項４、５または６記載の製法（請求項８）、および
（９）前記ヒートプレスが、ゲル状硬化性シートの軟化
点以上２５０℃以下、１００Ｐａ〜１０ＭＰａで行なわ
れる請求項４、５、６、７または８記載の製法（請求項
９）に関する。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の弾性表面波（ＳＡＷ）デ
バイスは、配線パターンが形成された基板上にＳＡＷチ
ップが実装され、かつ、保護層を有するＳＡＷデバイス
であり、前記ＳＡＷチップのＳＡＷ電極が形成された電
極面と、前記基板の配線パターンが形成された面とが対
面して配置され、前記ＳＡＷ電極と前記配線パターンと
がバンプで接続されており、かつ、ＳＡＷ電極面と配線
パターンが形成された面とがバンプの高さのぶん隔てら
れており、前記ＳＡＷチップの電極面と反対側の面から
前記基板表面にかけて形成された保護層で、ＳＡＷ電極
面と配線パターンが形成された面とがバンプの高さのぶ
ん隔てられた部分が中空構造を保つように覆われている
ＳＡＷデバイスである。
バイスは、配線パターンが形成された基板上にＳＡＷチ
ップが実装され、かつ、保護層を有するＳＡＷデバイス
であり、前記ＳＡＷチップのＳＡＷ電極が形成された電
極面と、前記基板の配線パターンが形成された面とが対
面して配置され、前記ＳＡＷ電極と前記配線パターンと
がバンプで接続されており、かつ、ＳＡＷ電極面と配線
パターンが形成された面とがバンプの高さのぶん隔てら
れており、前記ＳＡＷチップの電極面と反対側の面から
前記基板表面にかけて形成された保護層で、ＳＡＷ電極
面と配線パターンが形成された面とがバンプの高さのぶ
ん隔てられた部分が中空構造を保つように覆われている
ＳＡＷデバイスである。
【００１１】本発明のＳＡＷデバイスの前述の点は、特
開平１１−１７４９０号公報に記載されているＳＡＷデ
バイスと同等のものである。
開平１１−１７４９０号公報に記載されているＳＡＷデ
バイスと同等のものである。
【００１２】すなわち、ＳＡＷデバイスを構成する前記
配線パターンが形成された基板は、セラミック基板、ガ
ラエポ基板、フィルム基板などの基板のうえに、ＳＡＷ
デバイスとして必要な配線パターンが形成された基板で
あり、前記ＳＡＷチップも、バンプを有するＳＡＷチッ
プであり、いずれも従来から使用されているものと同じ
ものである。また、配線パターンが形成された基板への
ＳＡＷチップの実装も、従来と同じである。
配線パターンが形成された基板は、セラミック基板、ガ
ラエポ基板、フィルム基板などの基板のうえに、ＳＡＷ
デバイスとして必要な配線パターンが形成された基板で
あり、前記ＳＡＷチップも、バンプを有するＳＡＷチッ
プであり、いずれも従来から使用されているものと同じ
ものである。また、配線パターンが形成された基板への
ＳＡＷチップの実装も、従来と同じである。
【００１３】さらに、本発明のＳＡＷデバイスにおける
前記保護層は、ゲル状硬化性シートのみから形成されて
おり、一般に、該保護層がゲル状硬化性シートのヒート
プレス法により形成されるため、表面が実質的にフラッ
トである。
前記保護層は、ゲル状硬化性シートのみから形成されて
おり、一般に、該保護層がゲル状硬化性シートのヒート
プレス法により形成されるため、表面が実質的にフラッ
トである。
【００１４】前記保護層の表面が実質的にフラットであ
るというのは、保護層の表面に多少の凹凸はあるが平滑
な状態になっており、たとえば表面粗さ計で測定したと
きの表面が±３０μｍ以下であることをいう。保護層の
表面が実質的にフラットである場合には、パッケージを
積層する場合に容易となるなどの点から好ましい。
るというのは、保護層の表面に多少の凹凸はあるが平滑
な状態になっており、たとえば表面粗さ計で測定したと
きの表面が±３０μｍ以下であることをいう。保護層の
表面が実質的にフラットである場合には、パッケージを
積層する場合に容易となるなどの点から好ましい。
【００１５】また、本発明のＳＡＷデバイスにおける保
護層が、ゲル状硬化性シートのみから形成されているた
め、たとえば保護層を設ける領域をゲル状硬化性シート
で覆ったのち、ヒートプレスするだけの簡単な方法で形
成することができ、形成された保護層は、中空部の気密
性が良好で信頼性が高いものとなる。たとえば特開平１
１−１７４９０号公報に記載されているＳＡＷデバイス
における保護層の場合、フィルムで覆い、そのうえを樹
脂で覆ったときに基体表面まで樹脂で覆われるように覆
ったのち硬化させているのと比較して、保護層を形成す
るための工程が少なく、また、煩雑な工程もない。ま
た、特開平１１−１７４９０号公報に記載されているフ
ィルムのみからなる保護層の場合、中空部の気密性に劣
り、信頼性に問題があると記載されているのとも異な
る。
護層が、ゲル状硬化性シートのみから形成されているた
め、たとえば保護層を設ける領域をゲル状硬化性シート
で覆ったのち、ヒートプレスするだけの簡単な方法で形
成することができ、形成された保護層は、中空部の気密
性が良好で信頼性が高いものとなる。たとえば特開平１
１−１７４９０号公報に記載されているＳＡＷデバイス
における保護層の場合、フィルムで覆い、そのうえを樹
脂で覆ったときに基体表面まで樹脂で覆われるように覆
ったのち硬化させているのと比較して、保護層を形成す
るための工程が少なく、また、煩雑な工程もない。ま
た、特開平１１−１７４９０号公報に記載されているフ
ィルムのみからなる保護層の場合、中空部の気密性に劣
り、信頼性に問題があると記載されているのとも異な
る。
【００１６】本発明のＳＡＷデバイスを製造する方法
は、前述の配線パターンが形成された基板上にＳＡＷチ
ップが実装され、かつ、保護層を有するＳＡＷデバイス
を製造する方法である。
は、前述の配線パターンが形成された基板上にＳＡＷチ
ップが実装され、かつ、保護層を有するＳＡＷデバイス
を製造する方法である。
【００１７】また、本発明の方法において、ゲル状硬化
性シートで覆うものは、前述のＳＡＷチップのＳＡＷ電
極が形成された電極面と、前記基板の配線パターンが形
成された面とが対面して配置され、前記ＳＡＷ電極と前
記配線パターンとがバンプで接続されており、かつ、Ｓ
ＡＷ電極面と配線パターンが形成された面とがバンプの
高さのぶん隔てられているもの（以下、保護層形成前の
デバイスともいう）である。
性シートで覆うものは、前述のＳＡＷチップのＳＡＷ電
極が形成された電極面と、前記基板の配線パターンが形
成された面とが対面して配置され、前記ＳＡＷ電極と前
記配線パターンとがバンプで接続されており、かつ、Ｓ
ＡＷ電極面と配線パターンが形成された面とがバンプの
高さのぶん隔てられているもの（以下、保護層形成前の
デバイスともいう）である。
【００１８】本発明のＳＡＷデバイスについて述べたよ
うに、保護層形成前のデバイスは、特開平１１−１７４
９０号公報に記載されているＳＡＷデバイスと同等のも
のである。
うに、保護層形成前のデバイスは、特開平１１−１７４
９０号公報に記載されているＳＡＷデバイスと同等のも
のである。
【００１９】さらに、本発明のＳＡＷデバイスの製法に
おいては、前記ＳＡＷチップの電極面と反対側の面から
前記基板表面にかけてゲル状硬化性シートで覆ったの
ち、ヒートプレスすることにより、ＳＡＷ電極面と配線
パターンが形成された面とがバンプの高さのぶん隔てら
れた部分が中空構造を保つように、また、好ましくは該
保護層の表面が実質的にフラットになるように保護層が
形成される。
おいては、前記ＳＡＷチップの電極面と反対側の面から
前記基板表面にかけてゲル状硬化性シートで覆ったの
ち、ヒートプレスすることにより、ＳＡＷ電極面と配線
パターンが形成された面とがバンプの高さのぶん隔てら
れた部分が中空構造を保つように、また、好ましくは該
保護層の表面が実質的にフラットになるように保護層が
形成される。
【００２０】前述のごとく、ＳＡＷチップの電極面と反
対側の面から前記基板表面にかけてゲル状硬化性シート
で覆ったのち、ヒートプレスすることにより、ＳＡＷ電
極面と配線パターンが形成された面とがバンプの高さの
ぶん隔てられた部分が中空構造を保つように保護層が形
成されるため、ゲル状硬化性シートで覆われるＳＡＷチ
ップの数は１個である必要はなく、一度にヒートプレス
することができる数である、たとえば３０〜２０００個
でもよい（個数の範囲は、試作などに適する数から、量
産に適する数に該当する）。また、ゲル状硬化性シート
で覆われるチップは、ＳＡＷチップのみである必要もな
い。
対側の面から前記基板表面にかけてゲル状硬化性シート
で覆ったのち、ヒートプレスすることにより、ＳＡＷ電
極面と配線パターンが形成された面とがバンプの高さの
ぶん隔てられた部分が中空構造を保つように保護層が形
成されるため、ゲル状硬化性シートで覆われるＳＡＷチ
ップの数は１個である必要はなく、一度にヒートプレス
することができる数である、たとえば３０〜２０００個
でもよい（個数の範囲は、試作などに適する数から、量
産に適する数に該当する）。また、ゲル状硬化性シート
で覆われるチップは、ＳＡＷチップのみである必要もな
い。
【００２１】図１に基づいて本発明の方法を説明する。
【００２２】図１（ａ）、（ｂ）に示すように、ゲル状
硬化性シート１により、ＳＡＷチップ２（バンプ４によ
り基板３に接続されている）が覆われ、ヒートプレスさ
れ、中空部６を有する保護層５が形成される。
硬化性シート１により、ＳＡＷチップ２（バンプ４によ
り基板３に接続されている）が覆われ、ヒートプレスさ
れ、中空部６を有する保護層５が形成される。
【００２３】ゲル状硬化性シート１をヒートプレス法に
より加圧して、中空部６の気密性を良好にするために
は、ゲル状硬化性シート１と基板３とが均一に加圧さ
れ、欠陥のない接着を形成することが必要である。その
ためには、ゲル状硬化性シート１の厚さが（ＳＡＷチッ
プ２の厚さ＋バンプ４の高さ）以上あればよい（ＳＡＷ
チップ２のうえのゲル状硬化性シートは、ヒートプレス
された部分全体に広げられる）が、ゲル状硬化性シート
１の厚さとしては、通常、（ＳＡＷチップの厚さ＋バン
プの高さ）以上（ＳＡＷチップの厚さ＋バンプの高さ）
×２倍以下の厚さであり、（ＳＡＷチップの厚さ＋バン
プの高さ）以上（ＳＡＷチップの厚さ＋バンプの高さ）
×１．５倍以下の厚さであるのが、薄型パッケージを作
成する点から好ましい。
より加圧して、中空部６の気密性を良好にするために
は、ゲル状硬化性シート１と基板３とが均一に加圧さ
れ、欠陥のない接着を形成することが必要である。その
ためには、ゲル状硬化性シート１の厚さが（ＳＡＷチッ
プ２の厚さ＋バンプ４の高さ）以上あればよい（ＳＡＷ
チップ２のうえのゲル状硬化性シートは、ヒートプレス
された部分全体に広げられる）が、ゲル状硬化性シート
１の厚さとしては、通常、（ＳＡＷチップの厚さ＋バン
プの高さ）以上（ＳＡＷチップの厚さ＋バンプの高さ）
×２倍以下の厚さであり、（ＳＡＷチップの厚さ＋バン
プの高さ）以上（ＳＡＷチップの厚さ＋バンプの高さ）
×１．５倍以下の厚さであるのが、薄型パッケージを作
成する点から好ましい。
【００２４】ゲル状硬化性シート１は、１枚で前記厚さ
を有することが、作業性、封止性、ボイド除去などの点
から好ましいが、２枚以上、たとえば３〜２０枚積層し
たものの厚さが前記厚さを有していてもよい。ゲル状硬
化性シート１として２枚以上積層したものを使用する場
合、異なる厚さのＳＡＷチップ２に対しても、少ない種
類のゲル状硬化性シートで対応することができる。
を有することが、作業性、封止性、ボイド除去などの点
から好ましいが、２枚以上、たとえば３〜２０枚積層し
たものの厚さが前記厚さを有していてもよい。ゲル状硬
化性シート１として２枚以上積層したものを使用する場
合、異なる厚さのＳＡＷチップ２に対しても、少ない種
類のゲル状硬化性シートで対応することができる。
【００２５】前記ゲル状硬化性シートを複数枚積層して
使用する場合のゲル状硬化性シート１枚の厚さとして
は、（ＳＡＷチップの厚さ＋バンプの高さ）×１／２０
以上（ＳＡＷチップの厚さ＋バンプの高さ）×１／１以
下の厚さのゲル状硬化性シートであるのが、シート化の
容易さ、作業性の点から好ましい。前記厚さのシート
が、（ＳＡＷチップの厚さ＋バンプの高さ）以上（ＳＡ
Ｗチップの厚さ＋バンプの高さ）×２倍以下の厚さにな
る枚数積層して使用される。
使用する場合のゲル状硬化性シート１枚の厚さとして
は、（ＳＡＷチップの厚さ＋バンプの高さ）×１／２０
以上（ＳＡＷチップの厚さ＋バンプの高さ）×１／１以
下の厚さのゲル状硬化性シートであるのが、シート化の
容易さ、作業性の点から好ましい。前記厚さのシート
が、（ＳＡＷチップの厚さ＋バンプの高さ）以上（ＳＡ
Ｗチップの厚さ＋バンプの高さ）×２倍以下の厚さにな
る枚数積層して使用される。
【００２６】なお、ヒートプレス時に加圧板としてフラ
ットなものを使用すれば、保護層５の表面７はフラット
になり、好ましい。
ットなものを使用すれば、保護層５の表面７はフラット
になり、好ましい。
【００２７】また、ゲル状硬化性シート１で覆ったの
ち、ＳＡＷ電極面と配線パターンが形成された面とがバ
ンプの高さのぶん隔てられた部分が中空構造を保つよう
に、また、好ましくは該保護層の表面が実質的にフラッ
トになるようにヒートプレスにより保護層を形成するた
め、ヒートプレスは、ゲル状硬化性シートの軟化点以上
２５０℃以下、さらには６０〜１８０℃の温度、１００
Ｐａ〜１０ＭＰａ、さらには０．０１〜２ＭＰａの圧力
で行なわれるのが好ましい。ヒートプレス温度がゲル状
硬化性シートの軟化点未満の場合、流動性が不足し、封
止樹脂の未充填をおこしたり、チップが破損したりしや
すくなり、２５０℃をこえる場合、封止樹脂が硬化の際
に発泡をおこしやすくなる。また、ヒートプレス圧力が
１００Ｐａ未満の場合、封止樹脂の未充填をおこしやす
くなり、１０ＭＰａをこえる場合、チップ下部への封止
樹脂の侵入により中空構造が保てなくなったり、チップ
が破損しやすくなる。
ち、ＳＡＷ電極面と配線パターンが形成された面とがバ
ンプの高さのぶん隔てられた部分が中空構造を保つよう
に、また、好ましくは該保護層の表面が実質的にフラッ
トになるようにヒートプレスにより保護層を形成するた
め、ヒートプレスは、ゲル状硬化性シートの軟化点以上
２５０℃以下、さらには６０〜１８０℃の温度、１００
Ｐａ〜１０ＭＰａ、さらには０．０１〜２ＭＰａの圧力
で行なわれるのが好ましい。ヒートプレス温度がゲル状
硬化性シートの軟化点未満の場合、流動性が不足し、封
止樹脂の未充填をおこしたり、チップが破損したりしや
すくなり、２５０℃をこえる場合、封止樹脂が硬化の際
に発泡をおこしやすくなる。また、ヒートプレス圧力が
１００Ｐａ未満の場合、封止樹脂の未充填をおこしやす
くなり、１０ＭＰａをこえる場合、チップ下部への封止
樹脂の侵入により中空構造が保てなくなったり、チップ
が破損しやすくなる。
【００２８】前記ゲル状硬化性シートは、ヒートプレス
により、ＳＡＷ電極面と配線パターンが形成された面と
がバンプの高さのぶん隔てられた部分が中空構造を保つ
ように保護層を形成できることが必要なため、軟化温度
が５０℃以上で、硬化時の溶融粘度が１０〜１０5Ｐａ
・ｓ、さらには１０3〜１０4Ｐａ・ｓであり、６０℃以
上、さらには８０℃以上で硬化性を有し、ゲル状硬化性
シートの弾性率（２５℃）が１０3〜１０9Ｐａ、さらに
は１０4〜１０8Ｐａであるものが好ましい。
により、ＳＡＷ電極面と配線パターンが形成された面と
がバンプの高さのぶん隔てられた部分が中空構造を保つ
ように保護層を形成できることが必要なため、軟化温度
が５０℃以上で、硬化時の溶融粘度が１０〜１０5Ｐａ
・ｓ、さらには１０3〜１０4Ｐａ・ｓであり、６０℃以
上、さらには８０℃以上で硬化性を有し、ゲル状硬化性
シートの弾性率（２５℃）が１０3〜１０9Ｐａ、さらに
は１０4〜１０8Ｐａであるものが好ましい。
【００２９】前記ＳＡＷ電極面と配線パターンが形成さ
れた面とがバンプの高さのぶん隔てられた部分が中空構
造を保つとは、チップの下部への樹脂の侵入が実質的に
なく（チップ端部からの樹脂侵入が２０μｍ以下）、弾
性表面波の伝播作用に影響しないようにチップの周辺を
樹脂で封止することを意味する。
れた面とがバンプの高さのぶん隔てられた部分が中空構
造を保つとは、チップの下部への樹脂の侵入が実質的に
なく（チップ端部からの樹脂侵入が２０μｍ以下）、弾
性表面波の伝播作用に影響しないようにチップの周辺を
樹脂で封止することを意味する。
【００３０】前記のごとき特性を有するゲル状硬化性シ
ートは、たとえば液状または固状の硬化性組成物とゲル
化剤として作用する熱可塑性樹脂パウダーとの混合物を
シート化することにより製造することができる。なお、
固状の硬化性組成物に対するゲル化剤というのは、加熱
し、溶融する条件にした場合にもゲル状にすることがで
きるようにするためのものである。
ートは、たとえば液状または固状の硬化性組成物とゲル
化剤として作用する熱可塑性樹脂パウダーとの混合物を
シート化することにより製造することができる。なお、
固状の硬化性組成物に対するゲル化剤というのは、加熱
し、溶融する条件にした場合にもゲル状にすることがで
きるようにするためのものである。
【００３１】前記液状または固状の硬化性組成物の具体
例としては、たとえばエポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、
フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹
脂、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミ
ン樹脂、ポリイミド樹脂、ビニルエステル樹脂、ジアリ
ルフタレート樹脂、キシレン樹脂、ケイ素樹脂などの熱
硬化性樹脂を樹脂成分として含有する硬化性組成物など
があげられる。これらは１種で使用してもよく、２種以
上を組み合わせて使用してもよい。これらのうちでは、
エポキシ樹脂組成物が、低粘度で、フィラー充填など他
の機能を付与するのに適する点から好ましい。
例としては、たとえばエポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、
フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹
脂、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミ
ン樹脂、ポリイミド樹脂、ビニルエステル樹脂、ジアリ
ルフタレート樹脂、キシレン樹脂、ケイ素樹脂などの熱
硬化性樹脂を樹脂成分として含有する硬化性組成物など
があげられる。これらは１種で使用してもよく、２種以
上を組み合わせて使用してもよい。これらのうちでは、
エポキシ樹脂組成物が、低粘度で、フィラー充填など他
の機能を付与するのに適する点から好ましい。
【００３２】前記エポキシ樹脂組成物は、一般に、エポ
キシ樹脂、硬化剤および（または）潜在性硬化促進剤、
必要により使用されるシリカ、アルミナなどのフィラ
ー、その他の添加剤（ゲル化剤を除く）などを含有する
組成物である。
キシ樹脂、硬化剤および（または）潜在性硬化促進剤、
必要により使用されるシリカ、アルミナなどのフィラ
ー、その他の添加剤（ゲル化剤を除く）などを含有する
組成物である。
【００３３】前記エポキシ樹脂にはとくに制限はなく、
一般にエポキシ樹脂として各種用途に使用されているも
のであれば使用することができる。
一般にエポキシ樹脂として各種用途に使用されているも
のであれば使用することができる。
【００３４】前記エポキシ樹脂の具体例としては、たと
えばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノール
Ｆ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹
脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、脂環式脂肪族エポキシ樹
脂、有機カルボン酸類のグリシジルエーテル、前記エポ
キシ樹脂のプレポリマーや、ポリエーテル変性エポキシ
樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂のような前記エポキ
シ樹脂と他のポリマーとの共重合体などがあげられる。
これらは単独で使用してもよく２種以上を組み合わせて
用いてもよい。これらのうちではビスフェノールＡ型エ
ポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂が、耐熱
性や耐水性がよく、安価で経済的であるなどの点から好
ましい。
えばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノール
Ｆ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹
脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、脂環式脂肪族エポキシ樹
脂、有機カルボン酸類のグリシジルエーテル、前記エポ
キシ樹脂のプレポリマーや、ポリエーテル変性エポキシ
樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂のような前記エポキ
シ樹脂と他のポリマーとの共重合体などがあげられる。
これらは単独で使用してもよく２種以上を組み合わせて
用いてもよい。これらのうちではビスフェノールＡ型エ
ポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂が、耐熱
性や耐水性がよく、安価で経済的であるなどの点から好
ましい。
【００３５】前記硬化剤としては、従来から使用されて
いるものが使用可能であり、その具体例としては、たと
えばフェノール系硬化剤、ジシアンジアミド系硬化剤、
尿素系硬化剤、有機酸ヒドラジド系硬化剤、ポリアミン
塩系硬化剤、アミンアダクト系硬化剤などがあげられ
る。これらは単独で使用してもよく２種以上を組み合わ
せて用いてもよい。これらのうちではフェノール系硬化
剤が、硬化時の低アウトガス性、耐湿性、耐ヒートサイ
クル性などの点から好ましい。また、ジシアンジアミド
系硬化剤、尿素系硬化剤、有機酸ヒドラジド系硬化剤、
ポリアミン塩系硬化剤、アミンアダクト系硬化剤が、潜
在性硬化剤であり、保存安定性の点から好ましい。
いるものが使用可能であり、その具体例としては、たと
えばフェノール系硬化剤、ジシアンジアミド系硬化剤、
尿素系硬化剤、有機酸ヒドラジド系硬化剤、ポリアミン
塩系硬化剤、アミンアダクト系硬化剤などがあげられ
る。これらは単独で使用してもよく２種以上を組み合わ
せて用いてもよい。これらのうちではフェノール系硬化
剤が、硬化時の低アウトガス性、耐湿性、耐ヒートサイ
クル性などの点から好ましい。また、ジシアンジアミド
系硬化剤、尿素系硬化剤、有機酸ヒドラジド系硬化剤、
ポリアミン塩系硬化剤、アミンアダクト系硬化剤が、潜
在性硬化剤であり、保存安定性の点から好ましい。
【００３６】前記潜在性硬化剤としては、活性温度が６
０℃以上、さらには８０℃以上であるのが好ましい。活
性温度の上限としては、２５０℃以下、さらには１８０
℃以下であるのが、活性温度以上で速硬化性で、生産性
を向上させることができるなどの点から好ましい。
０℃以上、さらには８０℃以上であるのが好ましい。活
性温度の上限としては、２５０℃以下、さらには１８０
℃以下であるのが、活性温度以上で速硬化性で、生産性
を向上させることができるなどの点から好ましい。
【００３７】前記硬化剤を使用する場合の使用量は、硬
化剤の種類によって異なるため一概に規定することはで
きないが、通常、エポキシ基１当量あたり、硬化剤の官
能基の当量数が０．５〜１．５当量、さらには０．７〜
１当量、ことには０．８〜１当量であるのが好ましい。
化剤の種類によって異なるため一概に規定することはで
きないが、通常、エポキシ基１当量あたり、硬化剤の官
能基の当量数が０．５〜１．５当量、さらには０．７〜
１当量、ことには０．８〜１当量であるのが好ましい。
【００３８】前記潜在性硬化促進剤としては、従来から
使用されているものが使用可能であるが、保存安定性の
点から、活性温度が６０℃以上、さらには８０℃以上の
ものが好ましい。活性温度の上限としては、２５０℃以
下、さらには１８０℃以下であるのが、活性温度以上で
の硬化促進性が高く、生産性を向上させることができる
などの点から好ましい。
使用されているものが使用可能であるが、保存安定性の
点から、活性温度が６０℃以上、さらには８０℃以上の
ものが好ましい。活性温度の上限としては、２５０℃以
下、さらには１８０℃以下であるのが、活性温度以上で
の硬化促進性が高く、生産性を向上させることができる
などの点から好ましい。
【００３９】前記潜在性硬化促進剤の具体例としては、
たとえば変性イミダゾール系硬化促進剤、変性脂肪族ポ
リアミン系促進剤、変性ポリアミン系促進剤などがあげ
られる。これらは単独で使用してもよく２種以上を組み
合わせて用いてもよい。これらのうちでは変性イミダゾ
ール系硬化促進剤が、活性温度が高く、反応性がよく、
純度の高いものが得られやすいなどの点から好ましい。
たとえば変性イミダゾール系硬化促進剤、変性脂肪族ポ
リアミン系促進剤、変性ポリアミン系促進剤などがあげ
られる。これらは単独で使用してもよく２種以上を組み
合わせて用いてもよい。これらのうちでは変性イミダゾ
ール系硬化促進剤が、活性温度が高く、反応性がよく、
純度の高いものが得られやすいなどの点から好ましい。
【００４０】前記潜在性硬化促進剤を使用する場合の使
用量は、潜在性硬化促進剤の種類によって異なるため一
概に規定することはできないが、通常、エポキシ樹脂１
００部あたり、１〜８０部、さらには５〜５０部である
のが好ましい。
用量は、潜在性硬化促進剤の種類によって異なるため一
概に規定することはできないが、通常、エポキシ樹脂１
００部あたり、１〜８０部、さらには５〜５０部である
のが好ましい。
【００４１】前記ゲル化剤として作用する熱可塑性樹脂
パウダーとしては、前記液状の硬化性組成物を吸収・膨
潤してゲル状になる、または前記液状の硬化性組成物と
相溶してゲル状になるなどするものであればよい。
パウダーとしては、前記液状の硬化性組成物を吸収・膨
潤してゲル状になる、または前記液状の硬化性組成物と
相溶してゲル状になるなどするものであればよい。
【００４２】前記熱可塑性樹脂の具体例としては、たと
えばポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレン、
ポリスチレン、合成ゴム（ポリブタジエン、ブタジエン
−スチレン共重合体、ポリイソプレン、ポリクロロプレ
ン、エチレン−プロピレン共重合体）、ポリ酢酸ビニ
ル、ポリ（メタ）アクリル酸エステル、ポリアクリル酸
アミド、ポリオキシメチレン、ポリフェニレンオキシ
ド、ポリエステル、ポリアミド、ポリカーボネート、セ
ルロース系樹脂、ポリアクリロニトリル、熱可塑性ポリ
イミド、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン
などがあげられる。これらは単独で使用してもよく、２
種以上組み合わせて使用してもよい。これらのうちでは
ポリメタクリル酸メチルなどのポリメタクリル酸エステ
ルが、シート化性の点から好ましい。
えばポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレン、
ポリスチレン、合成ゴム（ポリブタジエン、ブタジエン
−スチレン共重合体、ポリイソプレン、ポリクロロプレ
ン、エチレン−プロピレン共重合体）、ポリ酢酸ビニ
ル、ポリ（メタ）アクリル酸エステル、ポリアクリル酸
アミド、ポリオキシメチレン、ポリフェニレンオキシ
ド、ポリエステル、ポリアミド、ポリカーボネート、セ
ルロース系樹脂、ポリアクリロニトリル、熱可塑性ポリ
イミド、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン
などがあげられる。これらは単独で使用してもよく、２
種以上組み合わせて使用してもよい。これらのうちでは
ポリメタクリル酸メチルなどのポリメタクリル酸エステ
ルが、シート化性の点から好ましい。
【００４３】前記熱可塑性樹脂の軟化温度、分子量など
については、一概に規定することはできないが、一般的
に、シート化温度とエポキシ樹脂の反応性の点から、軟
化温度は、５０〜１５０℃であるのが好ましく、また、
分子量は、３００万以下、さらには１００万以下である
のが好ましい。
については、一概に規定することはできないが、一般的
に、シート化温度とエポキシ樹脂の反応性の点から、軟
化温度は、５０〜１５０℃であるのが好ましく、また、
分子量は、３００万以下、さらには１００万以下である
のが好ましい。
【００４４】前記熱可塑性樹脂パウダーの平均粒子径と
しては、０．０１〜２００μｍ、さらには０．０１〜１
００μｍであるのが、シートの厚さ制御の点から好まし
い。
しては、０．０１〜２００μｍ、さらには０．０１〜１
００μｍであるのが、シートの厚さ制御の点から好まし
い。
【００４５】前記ゲル状硬化性シートを製造する際の液
状または固状の硬化性組成物と熱可塑性樹脂パウダーと
の使用割合は、使用する硬化性組成物の種類と熱可塑性
樹脂パウダーの種類とによりかわるため一義的に規定す
ることはできないが、一般にエポキシ樹脂１００部に対
して、熱可塑性樹脂パウダー１０〜１００部、さらには
２０〜７０部であるのが好ましい。前記熱可塑性樹脂パ
ウダーの量が少なすぎる場合には、シート作成時にシー
ト強度が低下しやすくなり、多すぎる場合には、流動性
が低くなり、ヒートプレス時に高圧力が必要となり、チ
ップ破損がおこりやすくなる。
状または固状の硬化性組成物と熱可塑性樹脂パウダーと
の使用割合は、使用する硬化性組成物の種類と熱可塑性
樹脂パウダーの種類とによりかわるため一義的に規定す
ることはできないが、一般にエポキシ樹脂１００部に対
して、熱可塑性樹脂パウダー１０〜１００部、さらには
２０〜７０部であるのが好ましい。前記熱可塑性樹脂パ
ウダーの量が少なすぎる場合には、シート作成時にシー
ト強度が低下しやすくなり、多すぎる場合には、流動性
が低くなり、ヒートプレス時に高圧力が必要となり、チ
ップ破損がおこりやすくなる。
【００４６】前記のごとき液状または固状の硬化性組成
物および熱可塑性樹脂パウダーを配合・保持し、硬化性
組成物を熱可塑性樹脂パウダーに吸収させるまたは硬化
性組成物と熱可塑性樹脂パウダーとを相溶させることに
より、ゲル状硬化性組成物を得ることができる。
物および熱可塑性樹脂パウダーを配合・保持し、硬化性
組成物を熱可塑性樹脂パウダーに吸収させるまたは硬化
性組成物と熱可塑性樹脂パウダーとを相溶させることに
より、ゲル状硬化性組成物を得ることができる。
【００４７】前記配合・保持は、常温または加熱下で均
一に混合したのち、撹拌下または非撹拌下で行なえばよ
い。たとえば、２５℃程度でニーダーなどで混合するこ
とにより行なわれる。
一に混合したのち、撹拌下または非撹拌下で行なえばよ
い。たとえば、２５℃程度でニーダーなどで混合するこ
とにより行なわれる。
【００４８】硬化性組成物の熱可塑性樹脂パウダーへの
吸収または硬化性組成物と熱可塑性樹脂パウダーとの相
溶を促進させるために、加熱するのが好ましい。このと
き、硬化性組成物を、たとえばロールコーターにより塗
工し、そののちゲル化させるために加熱するのが好まし
い。この場合の加熱温度は、熱可塑性樹脂パウダーのガ
ラス転移温度以上、好ましくは軟化温度以上で、熱可塑
性樹脂パウダーの溶融開始温度未満、使用する硬化剤お
よび（または）潜在性硬化促進剤の活性温度以下の温度
であるのが好ましい。通常は、熱可塑性樹脂パウダーの
軟化温度よりも５〜５０℃、さらには１０〜３０℃高い
温度が好ましく、使用する硬化剤および（または）潜在
性硬化促進剤の活性温度以下の温度であるのが好まし
い。加熱時間は、硬化性組成物が熱可塑性樹脂パウダー
に吸収または硬化性組成物と熱可塑性樹脂パウダーとが
相溶し、ゲル化した硬化性組成物が得られるのに充分な
時間であればよい。前記加熱温度は、通常、６０〜１５
０℃、さらには８０〜１２０℃であり、加熱時間は、
０．５〜３０分、さらには１〜１０分であるのが、硬化
性組成物が実質的に硬化しない（そののち行なわれるヒ
ートプレスによりゲル状硬化性シートから形成された保
護層でＳＡＷチップを保護することができる）点から好
ましい。
吸収または硬化性組成物と熱可塑性樹脂パウダーとの相
溶を促進させるために、加熱するのが好ましい。このと
き、硬化性組成物を、たとえばロールコーターにより塗
工し、そののちゲル化させるために加熱するのが好まし
い。この場合の加熱温度は、熱可塑性樹脂パウダーのガ
ラス転移温度以上、好ましくは軟化温度以上で、熱可塑
性樹脂パウダーの溶融開始温度未満、使用する硬化剤お
よび（または）潜在性硬化促進剤の活性温度以下の温度
であるのが好ましい。通常は、熱可塑性樹脂パウダーの
軟化温度よりも５〜５０℃、さらには１０〜３０℃高い
温度が好ましく、使用する硬化剤および（または）潜在
性硬化促進剤の活性温度以下の温度であるのが好まし
い。加熱時間は、硬化性組成物が熱可塑性樹脂パウダー
に吸収または硬化性組成物と熱可塑性樹脂パウダーとが
相溶し、ゲル化した硬化性組成物が得られるのに充分な
時間であればよい。前記加熱温度は、通常、６０〜１５
０℃、さらには８０〜１２０℃であり、加熱時間は、
０．５〜３０分、さらには１〜１０分であるのが、硬化
性組成物が実質的に硬化しない（そののち行なわれるヒ
ートプレスによりゲル状硬化性シートから形成された保
護層でＳＡＷチップを保護することができる）点から好
ましい。
【００４９】このようにして得られたゲル状硬化性組成
物は、たとえば加熱成形のような通常の方法により、シ
ート状にすることができる。また、ゲル状硬化性組成物
になる前の液状または固状の硬化性組成物および熱可塑
性樹脂パウダーを配合し、必要により加熱して液状にし
たものを、ロールコーターなどにより膜厚を制御した塗
工物とし、６０〜１５０℃で０．５〜３０分、さらには
８０〜１２０℃で１〜１０分乾燥させることによりシー
ト状にすることができる。これらの方法でシートを形成
すると、無溶剤系のためたとえば５０μｍ程度の厚さか
ら１０００μｍという厚いシートまで製造することがで
きる。溶剤系のものを使用すると、１００μｍ程度の厚
さのものまでしか製造することができない。
物は、たとえば加熱成形のような通常の方法により、シ
ート状にすることができる。また、ゲル状硬化性組成物
になる前の液状または固状の硬化性組成物および熱可塑
性樹脂パウダーを配合し、必要により加熱して液状にし
たものを、ロールコーターなどにより膜厚を制御した塗
工物とし、６０〜１５０℃で０．５〜３０分、さらには
８０〜１２０℃で１〜１０分乾燥させることによりシー
ト状にすることができる。これらの方法でシートを形成
すると、無溶剤系のためたとえば５０μｍ程度の厚さか
ら１０００μｍという厚いシートまで製造することがで
きる。溶剤系のものを使用すると、１００μｍ程度の厚
さのものまでしか製造することができない。
【００５０】形成された本発明に使用する前記ゲル状硬
化性シートの厚さは、配線パターンが形成された基板上
にバンプで接続されたＳＡＷチップを覆い、ヒートプレ
スすることにより保護層を形成することができ、好まし
くは該保護層の表面が実質的にフラットになるようにで
きる点から、（ＳＡＷチップの厚さ＋バンプの高さ）以
上であるのが好ましく、また、（ＳＡＷチップの厚さ＋
バンプの高さ）×２倍以下の厚さ、さらには（ＳＡＷチ
ップの厚さ＋バンプの高さ）×１．５倍以下であるの
が、好ましい。実際の前記ゲル状硬化性シートの厚さと
しては、ＳＡＷチップの厚さが一般に２００〜４００μ
ｍ、バンプの高さが一般に２０〜８０μｍであるから、
２２０〜９６０μｍ、さらには２２０〜７２０μｍであ
るのが好ましい。
化性シートの厚さは、配線パターンが形成された基板上
にバンプで接続されたＳＡＷチップを覆い、ヒートプレ
スすることにより保護層を形成することができ、好まし
くは該保護層の表面が実質的にフラットになるようにで
きる点から、（ＳＡＷチップの厚さ＋バンプの高さ）以
上であるのが好ましく、また、（ＳＡＷチップの厚さ＋
バンプの高さ）×２倍以下の厚さ、さらには（ＳＡＷチ
ップの厚さ＋バンプの高さ）×１．５倍以下であるの
が、好ましい。実際の前記ゲル状硬化性シートの厚さと
しては、ＳＡＷチップの厚さが一般に２００〜４００μ
ｍ、バンプの高さが一般に２０〜８０μｍであるから、
２２０〜９６０μｍ、さらには２２０〜７２０μｍであ
るのが好ましい。
【００５１】前記説明においては、ゲル状硬化性シート
として、液状または固状の硬化性組成物とゲル化剤とし
て作用する熱可塑性樹脂パウダーとの混合物をシート化
したものを使用したが、液状または固状の硬化性組成物
とゲル化剤として作用する光重合性化合物およびラジカ
ル発生剤との混合物を用いてシート化したものを使用し
てもよい。この場合には、まず、液状または固状の硬化
性組成物と光重合性化合物およびラジカル発生剤との混
合物を調製し、得られた混合物をシート状にしたのち光
を照射し、光重合性化合物を重合させたものが、ゲル状
硬化性シートとして使用される。
として、液状または固状の硬化性組成物とゲル化剤とし
て作用する熱可塑性樹脂パウダーとの混合物をシート化
したものを使用したが、液状または固状の硬化性組成物
とゲル化剤として作用する光重合性化合物およびラジカ
ル発生剤との混合物を用いてシート化したものを使用し
てもよい。この場合には、まず、液状または固状の硬化
性組成物と光重合性化合物およびラジカル発生剤との混
合物を調製し、得られた混合物をシート状にしたのち光
を照射し、光重合性化合物を重合させたものが、ゲル状
硬化性シートとして使用される。
【００５２】前記光重合性化合物としては、たとえば分
子内に１個以上の（メタ）アクリロイル基含有化合物、
たとえば（メタ）アクリル酸とアルキルアルコール、ア
ルキレンジオール、多価アルコールなどとのエステルな
ど、特開平１１−１２５４３号公報の[０００９]〜[０
０１２]に記載の化合物があげられる。
子内に１個以上の（メタ）アクリロイル基含有化合物、
たとえば（メタ）アクリル酸とアルキルアルコール、ア
ルキレンジオール、多価アルコールなどとのエステルな
ど、特開平１１−１２５４３号公報の[０００９]〜[０
０１２]に記載の化合物があげられる。
【００５３】また、前記ラジカル発生剤としては、たと
えば紫外線、電子線などの活性光線の照射を受けてラジ
カルを発生する化合物であり、従来から使用されている
各種のもの、たとえば２−ヒドロキシ−２−メチル−１
−フェニルプロパン−１−オン、ベンゾイン、アセトフ
ェノンなどを使用することができる。
えば紫外線、電子線などの活性光線の照射を受けてラジ
カルを発生する化合物であり、従来から使用されている
各種のもの、たとえば２−ヒドロキシ−２−メチル−１
−フェニルプロパン−１−オン、ベンゾイン、アセトフ
ェノンなどを使用することができる。
【００５４】前記ラジカル発生剤の使用量としては、前
記光重合性化合物１００部あたり０．０１〜１０部、さ
らには０．０５〜５部であるのが好ましい。
記光重合性化合物１００部あたり０．０１〜１０部、さ
らには０．０５〜５部であるのが好ましい。
【００５５】前記液状または固状の硬化性組成物とゲル
化剤として作用する光重合性化合物およびラジカル発生
剤との使用割合としては、前記硬化性組成物１００部あ
たり前記光重合性化合物およびラジカル発生剤の合計５
〜１００部、さらには１０〜３０部であるのが好まし
い。
化剤として作用する光重合性化合物およびラジカル発生
剤との使用割合としては、前記硬化性組成物１００部あ
たり前記光重合性化合物およびラジカル発生剤の合計５
〜１００部、さらには１０〜３０部であるのが好まし
い。
【００５６】前記光重合性化合物およびラジカル発生剤
を使用して形成された本発明に使用するゲル状硬化性シ
ートの厚さは、前記熱可塑性樹脂パウダーを使用して形
成された前記ゲル状硬化性シートの厚さと同じでよい。
を使用して形成された本発明に使用するゲル状硬化性シ
ートの厚さは、前記熱可塑性樹脂パウダーを使用して形
成された前記ゲル状硬化性シートの厚さと同じでよい。
【００５７】このようにして得られるゲル状硬化性シー
トは、通常、厚さが５０〜１０００μｍで、厚さが３５
０μｍ程度あるＳＡＷチップの保護層をヒートシール法
で形成するのに適するものであり、また、低ガラス転移
温度、低線膨張率であるため、硬化物を低応力化（低ソ
リ化）することができるものであり、さらに、原料を高
純度化したものである場合には、さらに不純物イオンが
少なく、ＳＡＷチップ表面の汚染を防ぐことができるも
のであり、さらに、ゲル状硬化性シートの弾性率（２５
℃）が１０3〜１０9Ｐａ、さらには１０4〜１０8Ｐａ
で、硬化時の溶融粘度が１０〜１０5Ｐａ・ｓ、さらに
は１０3〜１０4Ｐａ・ｓであるため、ヒートプレスする
ことにより、保護層形成前のデバイスにＳＡＷ電極面と
配線パターンが形成された面とがバンプの高さのぶん隔
てられた部分が中空構造を保つように保護層を形成する
ことができる。
トは、通常、厚さが５０〜１０００μｍで、厚さが３５
０μｍ程度あるＳＡＷチップの保護層をヒートシール法
で形成するのに適するものであり、また、低ガラス転移
温度、低線膨張率であるため、硬化物を低応力化（低ソ
リ化）することができるものであり、さらに、原料を高
純度化したものである場合には、さらに不純物イオンが
少なく、ＳＡＷチップ表面の汚染を防ぐことができるも
のであり、さらに、ゲル状硬化性シートの弾性率（２５
℃）が１０3〜１０9Ｐａ、さらには１０4〜１０8Ｐａ
で、硬化時の溶融粘度が１０〜１０5Ｐａ・ｓ、さらに
は１０3〜１０4Ｐａ・ｓであるため、ヒートプレスする
ことにより、保護層形成前のデバイスにＳＡＷ電極面と
配線パターンが形成された面とがバンプの高さのぶん隔
てられた部分が中空構造を保つように保護層を形成する
ことができる。
【００５８】前記ゲル状硬化性シートを使用して、前述
の図１のごとき手順で本発明のＳＡＷデバイスが製造さ
れる。このとき、保護層形成前のデバイスにゲル状硬化
性シートを、真空下で仮貼り付けを行なう場合には、気
泡の除去に有効である。ヒートプレスを真空下で行なう
ことによっても、気泡の除去を行なうことができる。
の図１のごとき手順で本発明のＳＡＷデバイスが製造さ
れる。このとき、保護層形成前のデバイスにゲル状硬化
性シートを、真空下で仮貼り付けを行なう場合には、気
泡の除去に有効である。ヒートプレスを真空下で行なう
ことによっても、気泡の除去を行なうことができる。
【００５９】ヒートプレスは、一般には、圧力１００Ｐ
ａ〜１０ＭＰａ、さらには０．０１〜２ＭＰａ、温度２
５０℃以下、さらには６０〜１８０℃、とくには１５０
℃で、５秒〜３時間、さらには１〜１５分、とくには５
分行なわれる。
ａ〜１０ＭＰａ、さらには０．０１〜２ＭＰａ、温度２
５０℃以下、さらには６０〜１８０℃、とくには１５０
℃で、５秒〜３時間、さらには１〜１５分、とくには５
分行なわれる。
【００６０】製造されるＳＡＷデバイスは、図１に示す
ようなものであり、保護層の厚さは、ＳＡＷチップが存
在する部分で５０〜２００μｍである。それゆえ、中空
部の気密性にすぐれ、工法が簡単で安価なデバイスが得
られる。
ようなものであり、保護層の厚さは、ＳＡＷチップが存
在する部分で５０〜２００μｍである。それゆえ、中空
部の気密性にすぐれ、工法が簡単で安価なデバイスが得
られる。
【００６１】
【実施例】つぎに、本発明を実施例に基づいて説明する
が、本発明はこれらに限定されるものではない。
が、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００６２】はじめに、実施例および比較例で使用する
成分および評価方法について説明する。
成分および評価方法について説明する。
【００６３】［実施例で使用する成分］
エポキシ樹脂
ＬＳＡＣ６００６：旭化成エポキシ（株）製、変性（プ
ロピレンオキサイド付加）エポキシ樹脂、エポキシ当量
２５０ｇ／ｅｑ ＲＥ３０４Ｓ：日本化薬（株）製、ビスフェノールＦ硬
化剤 ＤＡＬ−ＢＰＦＤ：本州化学工業（株）製、ジアリルビ
スフェノールＦ潜在性硬化促進剤 ＨＸ３０８８：旭化成エポキシ（株）製、変性イミダゾ
ール、活性温度約８０℃ ゲル化剤 Ｆ３０１：日本ゼオン（株）製、アクリルパウダー、粒
径２μｍ、軟化温度８０〜１００℃のポリメチルメタク
リレート 充填剤 ＦＢ２０１Ｓ：電気化学工業（株）製、充填用シリカ その他添加剤 Ａ１８７：日本ユニカー（株）製、エポキシシラン ＩＸＥ６００：東亞合成（株）製、ビスマスアンチモ
ン、イオンキャッチャー ＲＹ２００：日本アエロジル（株）製、微粉シリカ、揺
変性発現剤
ロピレンオキサイド付加）エポキシ樹脂、エポキシ当量
２５０ｇ／ｅｑ ＲＥ３０４Ｓ：日本化薬（株）製、ビスフェノールＦ硬
化剤 ＤＡＬ−ＢＰＦＤ：本州化学工業（株）製、ジアリルビ
スフェノールＦ潜在性硬化促進剤 ＨＸ３０８８：旭化成エポキシ（株）製、変性イミダゾ
ール、活性温度約８０℃ ゲル化剤 Ｆ３０１：日本ゼオン（株）製、アクリルパウダー、粒
径２μｍ、軟化温度８０〜１００℃のポリメチルメタク
リレート 充填剤 ＦＢ２０１Ｓ：電気化学工業（株）製、充填用シリカ その他添加剤 Ａ１８７：日本ユニカー（株）製、エポキシシラン ＩＸＥ６００：東亞合成（株）製、ビスマスアンチモ
ン、イオンキャッチャー ＲＹ２００：日本アエロジル（株）製、微粉シリカ、揺
変性発現剤
【００６４】［評価方法］
（気密性）製造した保護層ありＳＡＷデバイス（ダミー
デバイス）を、ダイシング装置を用いて、チップの周囲
に１ｍｍ幅の縁が残るように１つずつ切り離した。得ら
れたデバイス１２個を水につけ、水泡の発生により気密
性を調べ、下記基準で評価した。 ○：デバイスから水泡の発生なし ×：デバイスから水泡の発生あり（気密封止ができてい
ないと、チップ下の空気が出てくる）
デバイス）を、ダイシング装置を用いて、チップの周囲
に１ｍｍ幅の縁が残るように１つずつ切り離した。得ら
れたデバイス１２個を水につけ、水泡の発生により気密
性を調べ、下記基準で評価した。 ○：デバイスから水泡の発生なし ×：デバイスから水泡の発生あり（気密封止ができてい
ないと、チップ下の空気が出てくる）
【００６５】（チップ下部への樹脂侵入）製造した保護
層ありＳＡＷデバイス（ダミーデバイス）の基板とチッ
プとを強制的に剥離させ、チップ下部への樹脂侵入の有
無を顕微鏡で観察し、下記基準で評価した。 ○：チップ端部からの樹脂侵入が２０μｍ以下 ×：チップ端部からの樹脂侵入が２０μｍをこえる
層ありＳＡＷデバイス（ダミーデバイス）の基板とチッ
プとを強制的に剥離させ、チップ下部への樹脂侵入の有
無を顕微鏡で観察し、下記基準で評価した。 ○：チップ端部からの樹脂侵入が２０μｍ以下 ×：チップ端部からの樹脂侵入が２０μｍをこえる
【００６６】（チップ下部の汚染）製造した保護層あり
ＳＡＷデバイスの基板とチップとを強制的に剥離させ、
チップ下部の汚染の有無を顕微鏡で観察し、下記基準で
評価した。 ○：チップ表面に付着物なし ×：チップ表面に付着物あり（液状部のブリードなどに
よる）
ＳＡＷデバイスの基板とチップとを強制的に剥離させ、
チップ下部の汚染の有無を顕微鏡で観察し、下記基準で
評価した。 ○：チップ表面に付着物なし ×：チップ表面に付着物あり（液状部のブリードなどに
よる）
【００６７】（弾性率）レオメーターにより動的粘弾性
分析を行ない求めた。
分析を行ない求めた。
【００６８】実施例１〜２
表１記載の成分を表１記載の割合で配合し、２５℃でニ
ーダーを用いて撹拌して、組成物を製造した。
ーダーを用いて撹拌して、組成物を製造した。
【００６９】得られた組成物を用いて、ロールコーター
により、厚さ４６０μｍのゲル状硬化性シート（軟化点
６０℃、表１に記載のシートの弾性率を有する）を製造
した。
により、厚さ４６０μｍのゲル状硬化性シート（軟化点
６０℃、表１に記載のシートの弾性率を有する）を製造
した。
【００７０】得られたシートを３０×５０ｍｍに切断し
た。そののち、ＳＵＳ板上にのせた保護層形成前のデバ
イス（厚さ２００μｍ×３０ｍｍ×５０ｍｍのガラエポ
基板上に、高さ５０μｍのバンプで接続された高さ３０
０μｍ×２ｍｍ×２ｍｍのＳＡＷチップ（ダミーチッ
プ）を４行８列に２ｍｍ間隔で３２個形成した保護層形
成前のデバイス）の上にのせ、周囲を高さ１ｍｍのスぺ
−サーで囲い、仮止めしたのちＳＵＳ板をのせて、１５
０℃で５分間、１ＭＰａでヒートプレスした。
た。そののち、ＳＵＳ板上にのせた保護層形成前のデバ
イス（厚さ２００μｍ×３０ｍｍ×５０ｍｍのガラエポ
基板上に、高さ５０μｍのバンプで接続された高さ３０
０μｍ×２ｍｍ×２ｍｍのＳＡＷチップ（ダミーチッ
プ）を４行８列に２ｍｍ間隔で３２個形成した保護層形
成前のデバイス）の上にのせ、周囲を高さ１ｍｍのスぺ
−サーで囲い、仮止めしたのちＳＵＳ板をのせて、１５
０℃で５分間、１ＭＰａでヒートプレスした。
【００７１】得られた保護層ありデバイス表面の凹凸
は、いずれも±２０μｍ以下であった。
は、いずれも±２０μｍ以下であった。
【００７２】得られた保護層ありデバイスの評価を行な
った。結果を表１に示す。
った。結果を表１に示す。
【００７３】比較例１
実施例１で使用したゲル状硬化性シートのかわりに、表
１に記載の揺変性をあげ、流動性を低下させた組成物を
製造した。
１に記載の揺変性をあげ、流動性を低下させた組成物を
製造した。
【００７４】実施例１で使用したスペーサーのかわり
に、保護層形成前のデバイスの周りにダム（高さ０．６
ｍｍ）を形成して、得られた組成物（２５℃でニーダー
を用いて撹拌した組成物）を流し込んだのち、１５０℃
で５分間硬化させた。
に、保護層形成前のデバイスの周りにダム（高さ０．６
ｍｍ）を形成して、得られた組成物（２５℃でニーダー
を用いて撹拌した組成物）を流し込んだのち、１５０℃
で５分間硬化させた。
【００７５】得られたデバイス表面の凹凸は、±４０μ
ｍであった。
ｍであった。
【００７６】得られたデバイスを評価した。結果を表１
に示す。
に示す。
【００７７】
【表１】
【００７８】
【発明の効果】本発明のＳＡＷデバイスは、ゲル状硬化
性シートのみから形成された保護層を有するため簡単な
方法で製造することができ、中空部の気密性にすぐれ、
信頼性にすぐれる。
性シートのみから形成された保護層を有するため簡単な
方法で製造することができ、中空部の気密性にすぐれ、
信頼性にすぐれる。
【図１】本発明のＳＡＷデバイスを製造する際の断面説
明図である。
明図である。
１ ゲル状硬化性シート
２ ＳＡＷチップ
３ 基板
４ バンプ
５ 保護層
６ 中空部
７ 保護層５の表面
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 5F061 AA01 CA22 CA26 FA06
5J097 AA24 AA33 EE05 FF05 HB08
JJ03 JJ09 KK10
Claims (9)
- 【請求項１】 配線パターンが形成された基板上に弾性
表面波チップが実装され、かつ、保護層を有する弾性表
面波デバイスであって、前記弾性表面波チップの弾性表
面波電極が形成された電極面と、前記基板の配線パター
ンが形成された面とが対面して配置され、前記弾性表面
波電極と前記配線パターンとがバンプで接続されてお
り、かつ、弾性表面波電極面と配線パターンが形成され
た面とがバンプの高さのぶん隔てられており、前記弾性
表面波チップの電極面と反対側の面から前記基板表面に
かけてゲル状硬化性シートから形成された保護層で、弾
性表面波電極面と配線パターンが形成された面とがバン
プの高さのぶん隔てられた部分が中空構造を保つように
覆われていることを特徴とする弾性表面波デバイス。 - 【請求項２】 前記保護層の表面が実質的にフラットで
ある請求項１記載の弾性表面波デバイス。 - 【請求項３】 前記ゲル状硬化性シートがゲル状硬化性
エポキシ樹脂シートである請求項１または２記載の弾性
表面波デバイス。 - 【請求項４】 配線パターンが形成された基板上に弾性
表面波チップが実装され、かつ、保護層を有する弾性表
面波デバイスの製法であって、前記弾性表面波チップの
弾性表面波電極が形成された電極面と、前記基板の配線
パターンが形成された面とが対面して配置され、前記弾
性表面波電極と前記配線パターンとがバンプで接続され
ており、かつ、弾性表面波電極面と配線パターンが形成
された面とがバンプの高さのぶん隔てられているもの
の、前記弾性表面波チップの電極面と反対側の面から前
記基板表面にかけてゲル状硬化性シートで覆ったのち、
ヒートプレスすることにより、弾性表面波電極面と配線
パターンが形成された面とがバンプの高さのぶん隔てら
れた部分が中空構造を保つように保護層を形成すること
を特徴とする弾性表面波デバイスの製法。 - 【請求項５】 前記保護層の形成が、保護層の表面が実
質的にフラットになる形成である請求項４記載の弾性表
面波デバイスの製法。 - 【請求項６】 前記ゲル状硬化性シートがゲル状硬化性
エポキシ樹脂シートである請求項４または５記載の弾性
表面波デバイスの製法。 - 【請求項７】 前記ゲル状硬化性シートとして、（弾性
表面波チップの厚さ＋バンプの高さ）以上（弾性表面波
チップの厚さ＋バンプの高さ）×２倍以下の厚さのゲル
状硬化性シートを１枚使用する請求項４、５または６記
載の製法。 - 【請求項８】 前記ゲル状硬化性シートとして、（弾性
表面波チップの厚さ＋バンプの高さ）×１／２０以上
（弾性表面波チップの厚さ＋バンプの高さ）×１／１以
下の厚さのゲル状硬化性シートを、（弾性表面波チップ
の厚さ＋バンプの高さ）以上（弾性表面波チップの厚さ
＋バンプの高さ）×２倍以下の厚さになる枚数を積層し
て使用する請求項４、５または６記載の製法。 - 【請求項９】 前記ヒートプレスが、ゲル状硬化性シー
トの軟化点以上２５０℃以下、１００Ｐａ〜１０ＭＰａ
で行なわれる請求項４、５、６、７または８記載の製
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001196858A JP5035580B2 (ja) | 2001-06-28 | 2001-06-28 | 弾性表面波デバイスおよびその製法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001196858A JP5035580B2 (ja) | 2001-06-28 | 2001-06-28 | 弾性表面波デバイスおよびその製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003017979A true JP2003017979A (ja) | 2003-01-17 |
| JP5035580B2 JP5035580B2 (ja) | 2012-09-26 |
Family
ID=19034584
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001196858A Expired - Lifetime JP5035580B2 (ja) | 2001-06-28 | 2001-06-28 | 弾性表面波デバイスおよびその製法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP5035580B2 (ja) |
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