JP4356285B2 - 接着シートおよび半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、接着シート、それを使用した半導体装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材の接合には、銀ペーストが主に使用されていた。しかし、近年の半導体素子の小型化・高性能化に伴い、使用される支持部材にも小型化、細密化が要求されるようになってきている。こうした要求に対して、銀ペーストでは、はみ出しや半導体素子の傾きに起因するワイヤボンディング時における不具合の発生、接着剤層の膜厚の制御困難性、および接着剤層のボイド発生などの種々の問題があった。これらの問題を解決するために、近年、フィルム状の接着剤が使用されるようになってきた。フィルム状接着剤は、個片貼付け方式あるいはウェハ裏面貼付け方式において使用されている。
【０００３】
個片貼付け方式は、リール状の接着フィルムをカッティングあるいはパンチングによって個片に切り出した後、支持部材に接着する。接着フィルム付き支持部材に、ダイシング工程によって個片化された半導体素子を接合して半導体素子付き支持部材を作製し、その後、ワイヤボンド工程、封止工程などを経て、半導体素子を完成する。しかし、個片貼付け方式は、接着フィルムを切り出して支持部材に接着する専用の組立装置が必要であり、組立コストは、銀ペーストを使用する方法に比べて高くなるという問題があった。
【０００４】
一方、ウェハ裏面貼付け方式は、半導体ウェハに接着フィルムを貼付け、ダイシングテープに貼り合わせた後、ダイシング工程によって個片化する。個片化された接着剤付き半導体素子を支持部材に接合し、その後の加熱、硬化、ワイヤボンドなどの工程を経て、半導体装置を完成する。ウェハ裏面貼付け方式は、接着剤付き半導体素子を支持部材に接合するため、接着フィルムを個片化する装置を必要とせず、従来の銀ペースト用の組立装置を、そのまま、あるいは熱盤を付加するなどの装置の一部を改良することにより使用できるため、フィルム状接着剤を用いた組立方法の中で、組立コストが比較的安く抑えられる方法として注目されている。
【０００５】
このウェハ裏面貼付け方式における半導体素子の個片化は、フィルム状接着剤側にダイシングテープを貼り合わせた後、ダイシング工程にて行われる。その際、用いられるダイシングテープには、感圧型とＵＶ型とに大別される。感圧型テープは、通常、ポリ塩化ビニル系やポリオレフィン系のベースフィルムに粘着剤を塗布したものである。このダイシングテープは、切断時には、ダイシングソウによる回転で各素子が飛散しないような十分な粘着力が必要である。一方、ピックアップ時には、各素子に接着剤が付着することなく、また素子を傷つけないようにするために、ピックアップできる程度の低い粘着力という相反する性能を満たす必要がある。そのため、感圧型のダイシングテープの場合は、粘着力の公差を小さくした、素子のサイズや加工条件にあった各種の粘着力を有する多くの品種の接着シートを揃え、工程毎に切替えていた。このため、多くの品種を在庫する必要があり、在庫管理を複雑化していた。また工程毎に、接着シートを切替える作業が必要であった。最近は、ＵＶ型と呼ばれ、ダイシング時には高粘着力を有し、ピックアップする前に紫外線（ＵＶ）を照射し低粘着力にし、相反する要求に応えるダイシングテープも広く採用されている。
【０００６】
近年、半導体素子、特にＣＰＵやメモリは、大容量化が進み、その結果、半導体素子が大型化する傾向にある。さらに、ＩＣカードあるいはメモリーカードなどの製品では、使用されるメモリの薄型化が進んでいる。これらの半導体素子の大型化や薄型化に伴い、感圧型では、ダイシング時の固定力（高粘着力）とピックアップ時の剥離力（低粘着力）という相反する要求を満足できなくなりつつある。
【０００７】
一方、ＵＶ型を使用したウェハ裏面貼付け方式においては、ダイシング工程までのフィルム貼付工程を２回行わなければならず、作業が煩雑になるという問題がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
そのため、半導体装置の製造工程の簡略化が図られる接着シート、即ちダイシング工程ではダイシングテープとして作用し、半導体素子と支持部材との接合工程では接続信頼性に優れる接着シートが求められていた。また、接着シートのさらなる信頼性の向上が求められていた。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、以下の記載事項に関する。
〈１〉 （１）粘接着層と（２）基材フィルム層とを備える熱重合性および放射線重合性接着シートであって、前記（１）粘接着層は（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤、（Ｂ）エポキシ基含有アクリルゴム、および（Ｃ）放射線照射によって塩基を発生する化合物を有し、前記（１）粘接着層は、前記（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤１００質量部に対して、前記（Ｂ）エポキシ基含有アクリルゴムを１０〜４００質量部含み、前記（２）基材フィルム層は異なる２種類以上の基材フィルム層を有し、前記（２）基材フィルム層の少なくとも１種類（基材フィルム（２−１））は２５℃で２０００ＭＰａ以上の引張弾性率を有するものであり、その他の少なくとも１種類（基材フィルム（２−２））は、２５℃で１０００ＭＰａ以下の引張弾性率を有するものである熱重合性および放射線重合性接着シート。
〈２〉 前記（Ｂ）エポキシ基含有アクリルゴムは、エポキシ基含有反復単位を０．５〜６質量％含有する前記〈１〉記載の接着シート。
〈３〉 前記（Ｃ）放射線照射によって塩基を発生する化合物は、水溶液中におけるｐＫaが７以上の塩基を放射線照射によって発生する前記〈１〉もしくは〈２〉に記載の接着シート。
〈４〉 前記（Ｃ）放射線照射によって塩基を発生する化合物は、カルバミン酸誘導体である前記〈１〉〜〈３〉のいずれか１に記載の接着シート。
〈５〉 前記（Ｃ）放射線照射によって塩基を発生する化合物は、アミンイミド化合物である前記〈１〉〜〈３〉のいずれかに記載の接着シート。
〈６〉 前記（１）粘接着層は、２５℃で１０〜２０００ＭＰａおよび２６０℃で３〜５０ＭＰａの加熱硬化後の貯蔵弾性率を有する前記〈１〉〜〈５〉のいずれかに記載の接着シート。
〈７〉 前記（１）粘接着層、前記（２−１）基材フィルムおよび前記（２−２）基材フィルムは、（２−２）基材フィルム／（２−１）基材フィルム／（１）粘接着層の順で積層されている前記〈１〉〜〈６〉のいずれか１に記載の接着シート。
〈８〉 放射線の照射により、前記（１）粘接着剤層と前記（２）基材フィルム層との間の接着力が制御される前記〈１〉〜〈７〉のいずれか１に記載の接着シート。
〈９〉 前記〈１〉〜〈８〉のいずれか１に記載の（１）粘接着層と（２）基材フィルム層とを備える接着シートを前記（１）粘接着層を挟んで半導体ウェハに貼り付ける工程と；前記半導体ウェハをダイシングして前記接着シート付き半導体素子を形成する工程と；前記接着シートに放射線を照射して前記（１）粘接着層の前記（２）基材フィルム層に対する接着力を低減し、前記（２）基材フィルム層を剥離して粘接着層付き半導体素子を得る工程と；前記粘接着層付き半導体素子と半導体素子搭載用の支持部材とを前記粘接着層を介して接着する工程と；を含む半導体装置の製造方法。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明は、（１）粘接着層と（２）基材フィルム層とを備える熱重合性および放射線重合性接着シートであって、前記（１）粘接着層は（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤、（Ｂ）官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分、および（Ｃ）放射線照射によって塩基を発生する化合物を有し、前記（２）基材フィルム層は異なる２種類以上の基材フィルム層を有する熱重合性および放射線重合性接着シートに関する。
【００１１】
この接着シートは、ダイシング時には半導体素子が飛散しない十分な粘着力を有し、その後放射線を照射して、前記粘接着剤層と基材との間の接着力を制御することにより、ピックアップ時には各素子を傷つけることがないような低い粘着力を有する、という相反する要求を満足するものであり、ダイシングおよびダイボンドの各工程を、一枚のフィルムで完了することができる。
【００１２】
本発明に使用する（Ａ）エポキシ樹脂は、硬化して接着作用を有するものであれば特に限定されない。ビスフェノールＡ型エポキシなどの二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂などを使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂または脂環式エポキシ樹脂など、一般に知られているものを適用することができる。
【００１３】
このようなエポキシ樹脂として、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ（株）製 エピコート８０７，８１５，８２５，８２７，８２８，８３４，１００１，１００４，１００７，１００９、ダウケミカル社製 ＤＥＲ−３３０，３０１，３６１、東都化成（株）製 ＹＤ８１２５，ＹＤＦ８１７０などが挙げられる。フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ（株）製 エピコート１５２，１５４、日本化薬（株）製 ＥＰＰＮ−２０１、ダウケミカル社製 ＤＥＮ−４３８などが、また、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、日本化薬（株）製 ＥＯＣＮ−１０２Ｓ，１０３Ｓ，１０４Ｓ，１０１２，１０２５，１０２７、東都化成（株）製 ＹＤＣＮ７０１，７０２，７０３，７０４などが挙げられる。多官能エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ（株）製 Ｅｐｏｎ １０３１Ｓ、チバスペシャリティーケミカルズ社製 アラルダイト０１６３、ナガセ化成（株）製 デナコールＥＸ−６１１，６１４，６１４Ｂ，６２２，５１２，５２１，４２１，４１１，３２１などが挙げられる。アミン型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ（株）製 エピコート６０４、東都化成（株）製 ＹＨ−４３４、三菱ガス化学（株）製 ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ，ＴＥＴＲＡＤ−Ｃ、住友化学（株）製 ＥＬＭ−１２０などが挙げられる。複素環含有エポキシ樹脂としては、チバスペシャリティーケミカルズ社製 アラルダイトＰＴ８１０等の、ＵＣＣ社製 ＥＲＬ４２３４，４２９９，４２２１，４２０６などが挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、単独でまたは２種類以上を組み合わせても、使用することができる。
【００１４】
本発明に使用する（Ａ）エポキシ樹脂硬化剤としては、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができる。たとえば、アミン類、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ，ビスフェノールＳのようなフェノール性水酸基を１分子中に２個以上有するビスフェノール類、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂またはクレゾールノボラック樹脂などのフェノール樹脂などが挙げられる。特に吸湿時の耐電食性に優れる点で、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂またはクレゾールノボラック樹脂などのフェノール樹脂が好ましい。
【００１５】
好ましいフェノール樹脂硬化剤としては、たとえば、大日本インキ化学工業（株）製、商品名：フェノライトＬＦ２８８２、フェノライトＬＦ２８２２、フェノライトＴＤ−２０９０、フェノライトＴＤ−２１４９、フェノライトＶＨ−４１５０、フェノライトＶＨ４１７０などが挙げられる。
【００１６】
本発明に使用する（Ｂ）官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分としては、グリシジルアクリレートまたはグリシジルメタクリレートなどの官能性モノマーを含有し、かつ重量平均分子量が１０万以上であるエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体などが好ましく、さらにエポキシ樹脂と非相溶であることが好ましい。
【００１７】
エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体は、たとえば、（メタ）アクリルエステル共重合体、アクリルゴムなどを使用することができ、アクリルゴムがより好ましい。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリルなどの共重合体や、エチルアクリレートとアクリロニトリルなどの共重合体などからなるゴムである。
【００１８】
官能性モノマーとしては、グリシジルアクリレートまたはグリシジルメタクリレートなどを使用することが好ましい。このような重量平均分子量が１０万以上であるエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体としては、たとえば、帝国化学産業（株）製ＨＴＲ−８６０Ｐ−３などが挙げられる。
【００１９】
グリシジルアクリレートまたはグリシジルメタクリレートなどのエポキシ樹脂含有反復単位の量は、０．５〜６．０質量％が好ましく、０．５〜５．０質量％がより好ましく、０．８〜５．０質量％が特に好ましい。エポキシ基含有反復単位の量がこの範囲にあると、接着力が確保できるとともに、ゲル化を防止することができる。
【００２０】
官能性モノマーとしては、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレートのほかに、たとえば、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレートなどが挙げられ、これらは、単独でまたは２種類以上を組み合わせて使用することもできる。なお、本発明において、エチル（メタ）アクリレートとは、エチルアクリレートとエチルメタクリレートの両方を示す。官能性モノマーを組み合わせて使用する場合の混合比率は、エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体のガラス転移温度（以下「Ｔｇ」という）を考慮して決定し、Ｔｇは−１０℃以上であることが好ましい。Ｔｇが−１０℃以上であると、Ｂステージ状態での粘接着剤層のタック性が適当であり、取り扱い性に問題を生じないからである。
【００２１】
上記モノマーを重合させて、（Ｂ）官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分を製造する場合、その重合方法としては特に制限はなく、たとえば、パール重合、溶液重合などの方法を使用することができる。
【００２２】
本発明において、（Ｂ）官能性モノマーを含む高分子量成分の重量平均分子量は、１０万以上であるが、３０万〜３００万であることが好ましく、５０万〜２００万であることがより好ましい。重量平均分子量がこの範囲にあると、シート状またはフィルム状としたときの強度、可とう性、およびタック性が適当であり、また、フロー性が適当のため配線の回路充填性が確保できる。なお、本発明において、重量平均分子量とは、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーで測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて換算した値を示す。
【００２３】
また、（Ｂ）官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分の使用量は、（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤１００質量部に対して、１０〜４００質量部が好ましい。この範囲にあると、弾性率および成型時のフロー性抑制が確保でき、また高温での取り扱い性も十分に得られる。高分子量成分の使用量は、１５〜３５０質量部がより好ましく、２０〜３００質量部が特に好ましい。
【００２４】
本発明に使用する（Ｃ）放射線照射によって塩基を発生する化合物は、放射線照射時に塩基を発生する化合物であれば特に制限は受けない。発生する塩基としては、反応性、硬化速度の点から強塩基性化合物が好ましい。一般的には、塩基性の指標として酸解離定数の対数であるｐＫａ値が使用され、水溶液中でのｐＫａ値が７以上の塩基が好ましく、さらに９以上の塩基がより好ましい。
【００２５】
このような塩基性を示す例としては、イミダゾール、２，４−ジメチルイミダゾール、１−メチルイミダゾール等のイミダゾール誘導体、ピペラジン、２，５−ジメチルピペラジン等のピペラジン誘導体、ピペリジン、１，２−ジメチルピペリジン等のピペリジン誘導体、プロリン誘導体、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン等のトリアルキルアミン誘導体、４−メチルアミノピリジン、４−ジメチルアミノピリジン等の４位にアミノ基またはアルキルアミノ基が置換したピリジン誘導体、ピロリジン、ｎ−メチルピロリジン等のピロリジン誘導体、トリエチレンジアミン、１，８−ジアザビスシクロ（５，４，０）ウンデセン−１（ＤＢＵ）等の脂環式アミン誘導体、ベンジルメチルアミン、ベンジルジメチルアミン、ベンジルジエチルアミン等のベンジルアミン誘導体等が挙げられる。
【００２６】
前記塩基性化合物を放射線照射によって発生するものとしては、例えば、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ １２巻、３１３〜３１４項（１９９９年）やＣｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ １１巻、１７０〜１７６項（１９９９年）等に記載されている４級アンモニウム塩誘導体を用いることができる。これらは、活性光線の照射により高塩基性のトリアルキルアミンを生成するため、エポキシ樹脂の硬化には最適である。
【００２７】
また、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ １１８巻 １２９２５頁（１９９６年）やＰｏｌｙｍｅｒ Ｊｏｕｒｎａｌ ２８巻 ７９５頁（１９９６年）等に記載されているカルバミン酸誘導体を用いることができる。
【００２８】
また、活性光線の照射により１級のアミノ基を発生するオキシム誘導体、光ラジカル発生剤として市販されている２−メチル−１（４−（メチルチオ）フェニル）−２−モルフォリノプロパン−１−オン（Ｃｉｂａ ＳｐｅｃｉａｌｉｔｙＣｈｅｍｉｃａｌｓ社製イルガキュア９０７）、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１（Ｃｉｂａ Ｓｐｅｃｉａｌｉｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ社製イルガキュア３６９）、ヘキサアリールビスイミダゾール誘導体（ハロゲン、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基等の置換基がフェニル基に置換されていてもよい）、ベンゾイソオキサゾロン誘導体等を用いることができる。
【００２９】
前記活性光線による塩基発生剤の他に、光フリース転位、光クライゼン転位（光Ｃｌｅｉｓｅｎ転位）やクルチウス転位（Ｃｕｒｔｉｕｓ転位）、スチーブンス転位（Ｓｔｅｖｅｎｓ転位）によって塩基性化合物を発生させ、エポキシ樹脂の硬化を行うことができる。
【００３０】
前記塩基発生剤は、分子量５００以下の低分子化合物として用いる他、高分子の主鎖及び側鎖に導入した化合物を用いても良い。この場合の分子量としては、粘接着剤としての粘接着性、流動性の観点から重量平均分子量１，０００〜１００，０００が好ましく、より好ましくは５，０００〜３０，０００である。
【００３１】
これらの化合物は、室温で放射線を照射しない状態ではエポキシ樹脂と反応性を示さないため、室温での貯蔵安定性は非常に優れているという特徴を持つ。
【００３２】
本発明の接着シートを形成する粘接着層および接着層は、加熱硬化した段階で、貯蔵弾性率が２５℃で１０〜２０００ＭＰａであり、２６０℃で３〜５０ＭＰａであることが好ましい。２５℃での弾性率は、２０〜１９００ＭＰａがより好ましく、５０〜１８００ＭＰａが特に好ましい。また、２６０℃での弾性率は、５〜５０ＭＰａがより好ましく、７〜５０ＭＰａが特に好ましい。貯蔵弾性率がこの範囲にあると、半導体素子と支持部材との熱膨張係数の差によって発生する熱応力を緩和させる効果が保たれ、剥離やクラックの発生を抑制できるとともに、粘接着剤及び接着剤の取り扱い性、粘接着層接着層の厚み精度、リフロークラックの発生を抑制できる。
【００３３】
この貯蔵弾性率は、たとえば、動的粘弾性測定装置（レオロジ社製、ＤＶＥ−Ｖ４）を使用し、接着剤硬化物に引張荷重をかけて、周波数１０Ｈｚ、昇温速度５〜１０℃／ｍｉｎの条件で−５０℃から３００℃まで測定する、温度依存性測定モードによって行うことができる。
【００３４】
本発明になる（２）異なる２種類以上からなる基材フィルム層の少なくとも１種類（２−１）の２５℃での引張弾性率は２０００ＭＰａ以上であり、好ましくは２２００ＭＰａ以上であり、さらに好ましくは２４００ＭＰａ以上である。また、その他少なくとも１種類（２−２）の２５℃での引張弾性率は１０００ＭＰａ以下であり、好ましくは８００ＭＰａ以下であり、さらに好ましくは６００ＭＰａ以下である。この引張弾性率は、ＪＩＳ Ｋ７１１３号に準じて測定されたものである。
【００３５】
本発明の接着シートの好ましい形態において、前記（１）粘接着層、前記（２−１）基材フィルムおよび前記（２−２）基材フィルムは、（２−２）基材フィルム／（２−１）基材フィルム／（１）粘接着層の順で積層されるが、（２−２）基材フィルムと（２−１）基材フィルムの間にその他の基材フィルムを挟み込んでもよい。
【００３６】
この際、（２−１）基材フィルムの引張弾性率が２０００ＭＰａ未満、および（２−２）基材フィルムの引張弾性率が１０００ＭＰａを超えると、半導体素子のピックアップが困難になる傾向がある。
【００３７】
（２−１）基材フィルムとしては、引張弾性率が上記の値以上であれば特に制限はなく、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム等を使用することができる。
【００３８】
また、（２−２）基材フィルムとしても、引張弾性率が上記の値未満であれば特に制限はなく、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリ酢酸ビニル等のフィルムあるいは、これら同士または他の重合成分との共重合フィルム等のポリオレフィン系フィルムを使用することができる。
【００３９】
基材フィルム同士の積層方法としては特に制限はないが、例えば基材フィルム同士を粘着剤又は接着剤で張り合わせる方法が挙げられる。また、基材フィルム同士の積層方法として、別々に作製した基材フィルムをラミネートする方法、ある基材フィルム上にもう一方の基材フィルムを押出しラミネートする方法、２種類以上の基材フィルムを押出し塗工しながら貼り合せる方法、ある基材フィルムの原料となるポリマーを溶剤に溶解あるいは分散してワニスとし、別の基材フィルム上に塗布、加熱し溶剤を除去する方法等、公知の方法を使用することができる。
また、本発明の接着シートを形成する粘接着層には、硬化促進剤を添加することもできる。硬化促進剤には、特に制限が無く、イミダゾール類、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、２−エチル−４−メチルイミダゾールテトラフェニルボレート、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７−テトラフェニルボレート等を用いることができる。これらは単独でまたは２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００４０】
硬化促進剤の添加量は、（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤１００質量部に対して、０．１〜５質量部が好ましく、０．２〜３質量部がより好ましい。添加量がこの範囲にあると、硬化性と保存安定性を両立することができる。
【００４１】
本発明の接着シートを形成する粘接着層には、可とう性や耐リフロークラック性を向上させる目的で、エポキシ樹脂と相溶性がある高分子量樹脂を添加することができる。このような高分子量樹脂としては、特に限定されず、たとえばフェノキシ樹脂、高分子量エポキシ樹脂、超高分子量エポキシ樹脂などが挙げられる。これらは、単独でまたは２種類以上を組み合わせて使用することもできる。
【００４２】
エポキシ樹脂と相溶性がある高分子量樹脂の使用量は、エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤１００質量部に対して、４０質量部以下とすることが好ましい。この範囲であると、エポキシ樹脂層のＴｇを確保できる。
【００４３】
また、本発明の接着シートを形成する粘接着層には、その取り扱い性向上、熱伝導性向上、溶融粘度の調整およびチキソトロピック性付与などを目的として、無機フィラーを添加することもできる。無機フィラーとしては、特に制限はなく、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が挙げられ、フィラーの形状は特に制限されるものではない。これらのフィラーは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００４４】
中でも、熱伝導性向上のためには、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が好ましい。また、溶融粘度の調整やチキソトロピック性の付与の目的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、結晶性シリカ、非晶性シリカなどが好ましい。
【００４５】
無機フィラーの使用量は、粘接着層あるいは接着層１００質量部に対して１〜２０質量部が好ましい。１質量部未満だと添加効果が得られない傾向があり、２０質量部を超えると、粘接着層あるいは接着層の貯蔵弾性率の上昇、粘接着性の低下、ボイド残存による電気特性の低下等の問題を起こす傾向がある。
【００４６】
また、本発明の接着シートを形成する粘接着層には、異種材料間の界面結合を良くするために、各種カップリング剤を添加することもできる。カップリング剤としては、例えば、シラン系、チタン系、アルミニウム系等が挙げられ、中でも効果が高い点でシラン系カップリング剤が好ましい。
【００４７】
上記シラン系カップリング剤としては、特に制限はなく、例えば、ビニルトリクロルシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ‐フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピル−トリス（２−メトキシ−エトキシ−エトキシ）シラン、Ｎ−メチル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、トリアミノプロピルトリメトキシシラン、３−４，５−ジヒドロイミダゾール−１−イル−プロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピル−トリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、３−クロロプロピルジメトキシシラン、３−シアノプロピルトリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）アセトアミド、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリクロロシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、アミルトリクロロシラン、オクチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、メチルトリ（メタクリロイルオキエトキシ）シラン、メチルトリ（グリシジルオキシ）シラン、Ｎ−β（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、オクタデシルジメチル〔３−（トリメトキシシリル）プロピル〕アンモニウムクロライド、γ−クロロプロピルメチルジクロロシラン、γ−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、γ−クロロプロピルメチルジエトキシシラン、トリメチルシリルイソシアネート、ジメチルシリルイソシアネート、メチルシリルトリイソシアネート、ビニルシリルトリイソシアネート、フェニルシリルトリイソシアネート、テトライソシアネートシラン、エトキシシランイソシアネートなどを使用することができ、単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００４８】
また、チタン系カップリング剤としては、例えば、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェート）チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チタネート、イソプロピルトリス（ｎ−アミノエチル）チタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート、テトラ（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジトリデシル）ホスファイトチタネート、ジクミルフェニルオキシアセテートチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネート、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアエチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタンチリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート、テトラメチルオルソチタネート、テトラエチルオルソチタネート、テタラプロピルオルソチタネート、テトライソブチルオルソチタネート、ステアリルチタネート、クレシルチタネートモノマー、クレシルチタネートポリマー、ジイソプロポキシ−ビス（２，４−ペンタジオネート）チタニウム（ＩＶ）、ジイソプロピル−ビス−トリエタノールアミノチタネート、オクチレングリコールチタネート、テトラ−ｎ−ブトキシチタンポリマー、トリ−ｎ−ブトキシチタンモノステアレートポリマー、トリ−ｎ−ブトキシチタンモノステアレートなどを使用することができ、単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００４９】
アルミニウム系カップリング剤としては、例えば、エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトイス（エチルアセトアセテート）、アルキルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムモノアセチルアセテートビス（エチルアセトアセテート）、アルミニウムトリス（アセチルアセトネート）、アルミニウム＝モノイソプロポキシモノオレオキシエチルアセトアセテート、アルミニウム−ジ−ｎ−ブトキシドモノエチルアセトアセテート、アルミニウム−ジ−ｉｓｏ−プロポキシド−モノエチルアセトアセテート等のアルミニウムキレート化合物、アルミニウムイソプロピレート、モノ−ｓｅｃ−ブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウム−ｓｅｃ−ブチレート、アルミニウムエチレート等のアルミニウムアルコレートなどを使用することができ、単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００５０】
上記カップリング剤の使用量は、その効果や耐熱性及びコストの面から、（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤１００質量部に対して、０．０１〜１０質量部とするのが好ましい。
【００５１】
本発明の接着シートを形成する粘接着層には、イオン性不純物を吸着して、吸湿時の絶縁信頼性をよくするために、さらにイオン捕捉剤を添加することもできる。このようなイオン捕捉剤としては、特に制限はなく、例えば、トリアジンチオール化合物、ビスフェノール系還元剤等の、銅がイオン化して溶け出すのを防止するため銅害防止剤として知られる化合物、ジルコニウム系、アンチモンビスマス系マグネシウムアルミニウム化合物等の無機イオン吸着剤などが挙げられる。
【００５２】
上記イオン捕捉剤の使用量は、添加による効果や耐熱性、コスト等の点から、（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤１００質量部に対して、０．１〜１０質量部が好ましい。
【００５３】
本発明接着シートは、接着シートを形成する組成物を溶剤に溶解あるいは分散してワニスとし、基材フィルム上に塗布、加熱し溶剤を除去することによって得ることができる。
【００５４】
本発明の接着シートは、ダイシング工程終了後、放射線を接着シートに照射し、放射線重合性を有する接着シートを重合硬化せしめ、接着シートと基材層界面の接着力を低下させて半導体素子のピックアップを可能にするものである。
【００５５】
本発明において照射する放射線は、１５０〜７５０ｎｍの波長域を持つ活性光線であり、紫外線、遠紫外線、近紫外線、可視光線、電子線、赤外線、近赤外線などがある。例えば、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、キセノンランプ、メタルハライドランプを使用して０.０１〜１００００Ｊ／ｃｍ²で照射することができる。
【００５６】
本発明接着シートは、接着シートを形成する組成物を溶剤に溶解あるいは分散してワニスとし、基材フィルム上に塗布、加熱し溶剤を除去することによって得ることができる。
【００５７】
また、上記のワニス化するための溶剤としては、特に限定されないが、フィルム作製時の揮発性などを考慮すると、たとえば、メタノール、エタノール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−ブトキシエタノール、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレンなどの比較的低沸点の溶媒を使用するのが好ましい。また、塗膜性を向上させるなどの目的で、たとえば、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、シクロヘキサノンなどの比較的高沸点の溶媒を使用することもできる。これらの溶媒は、単独でまたは２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００５８】
無機フィラーを添加した際のワニスの製造には、無機フィラーの分散性を考慮して、らいかい機、３本ロール、ボールミル及びビーズミルなどを使用するのが好ましく、また、これらを組み合わせて使用することもできる。また、無機フィラーと低分子量の原料をあらかじめ混合した後、高分子量の原料を配合することによって、混合する時間を短縮することもできる。また、ワニスとした後、真空脱気等によってワニス中の気泡を除去することもできる。
【００５９】
基材フィルムへのワニスの塗布方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等が挙げられる。
【００６０】
接着シートの厚みは、特に制限はないが、粘接着層、基材層ともに５〜２５０μｍが好ましい。５μｍより薄いと応力緩和効果が乏しくなる傾向があり、２５０μｍより厚いと経済的でなくなる上に、半導体装置の小型化の要求に応えられない。
【００６１】
また、本発明の接着シートは、所望のシート厚を得るために、さらに１又は２以上の接着剤層又は粘接着剤層を半導体ウェハと粘接着剤層との間に挟むように設けてもよい。この場合、前記所望により設けられる粘接着剤層として、前記の方法によって調製されたものの他に、従来公知の方法によって調製されたものを用いることができる。前記所望により設けられる粘接着剤層として、商業的に入手可能な接着シート、例えば、ポリイミド系、シリコンオリゴマー系、ゴム−エポキシ系、エポキシ系接着剤を用いることができる。但し、粘接着剤層同士の剥離が発生しないような貼り合わせ条件を従来公知の技術に基づいて考慮する必要がある。
【００６２】
また、本発明の接着シートは、所望のシート厚を得るために、さらに１又は２以上の粘接着層あるいは接着層を半導体ウェハと基材層との間に挟むように設けてもよい。この場合、前記所望により設けられる粘接着層あるいは接着剤層として、前記の方法によって調製されたものの他に、従来公知の方法によって調製されたものを用いることができる。前記所望により設けられる接着層として、商業的に入手可能な接着シート、例えば、ポリイミド系、シリコンオリゴマー系、ゴム−エポキシ系、エポキシ系接着剤を用いることができる。但し、粘接着剤あるいは接着剤同士、または粘接着剤と接着剤の剥離が発生しないような貼り合わせ条件を従来公知の技術に基づいて考慮する必要がある。
【００６３】
以上説明したような構成の接着シートに放射線照射すると、放射線照射後には基材と接着シート界面の粘着力は大きく低下し、容易に半導体素子に粘接着層を保持したまま該接着シートの基材フィルムからピックアップすることができる。
【００６４】
本発明の接着シートの粘接着層は、放射線照射のみで基材の接着力を低下させる方法以外に放射線照射と同時あるいは放射線照射後に硬化反応を促進する目的で加熱を併用しても良い。加熱を併用することにより、より低温短時間での接着力低下が可能となる。加熱温度は、粘接着層の分解点以下であれば特に制限は受けないが、５０〜１７０℃の温度が好ましい。
【００６５】
続いて、本発明に係る接着シートの使用方法について図１〜図８を参照しながら説明するが、本発明の使用方法が以下の方法に限定されないことはいうまでもない。尚、図中同一の機能を有するものについては同一の符号を付してその説明を省略する。
図１には基材フィルム１と、基材フィルム２とを備える基材フィルム層１０が開示されており、図２には前記構成要件に加えてさらに粘着剤３を備える接着シート２０が開示されている。
【００６６】
２種類の基材フィルム１，２を有する基材フィルム層１０（図１）上に粘接着剤３を塗布し、基材フィルム１，２を備えた接着シート２０（図２）を作製した後、この粘接着層の上面にダイシング加工すべき半導体ウェハＡを貼着する（図３）。
この貼着状態で半導体ウェハＡに図４のようにダイシング、洗浄、乾燥の工程が加えられる。この際、粘接着層３により半導体ウェハＡは接着シート２０に充分に粘着保持されているので、上記各工程の間に半導体ウェハＡが脱落することはない。
尚、図４にはダイシングカッター６を用いてウェハＡをダイシングすることで太線で示される切込みが設けられ、そして半導体素子Ａ１、Ａ２、Ａ３が得られることが示されている。
次に、図５に示すように、放射線Ｂを接着シートの粘接着層３に照射し、放射線重合性を有する接着シートの一部又は大部分を重合硬化せしめる。この際、放射線照射と同時あるいは放射線照射後に硬化反応を促進する目的で加熱を併用しても良い。加熱を併用することにより、より低温短時間での接着力低下が可能となる。加熱温度は、粘接着層の熱分解温度以下であれば特に制限は受けないが、５０〜１７０℃の温度が好ましい。
接着シート２０への放射線照射は、図５中矢印Ｂで示されるように接着シート２０の粘接着層３が設けられていない面から行う。この場合前述のように、放射線としてＵＶを用いる場合には基材フィルム１は光透過性であることが必要であるが、放射線としてＥＢを用いる場合には基材フィルム２は必ずしも光透過性である必要はない。
放射線照射後、ピックアップすべき半導体素子Ａ１、Ａ２、Ａ３を例えば吸引コレット４によりピックアップする。この際、ピックアップすべき半導体素子Ａ１、Ａ２、Ａ３を基材フィルム１、２の下面から、例えば針扞等により突き上げることもできる。半導体素子Ａ１と粘接着層３との間の粘着力は、粘接着層３と基材フィルム２との間の粘着力よりも大きいため、半導体素子Ａ１のピックアップを行うと、粘接着層３は半導体素子Ａ１の下面に付着した状態で剥離する（図７参照）。次いで、半導体素子を粘接着層３を介して半導体素子搭載用支持部材５に載置し加熱する。加熱により粘接着層３は接着力が発現し、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材との接着が完了する（図８参照）。
【００６７】
【実施例】
以下、本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（製造例１）
基材フィルムの作製
エバフレックス ＥＥＡ−Ａ７０９（三井デュポンポリケミカル（株）製商品名、エチレン−酢酸ビニル共重合ポリマー）にメチルエチルケトンを加えて攪拌混合し、真空脱気した。このワニスを、厚さ１６μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム（株）、テイジンテトロンフィルムＧ２−１６）上に乾燥後の膜厚が５μｍになるように塗布し、８０℃で５分間加熱乾燥した後、エバフレックス ＥＥＡ−Ａ７０９上にソフタッチ ＳＰＡ−０１（タマポリ（株）製商品名、ポリオレフィン系フィルム、膜厚１００μｍ）を貼り合せて、ＳＰＡ−０１（１００μｍ）／エバフレックス ＥＥＡ−Ａ７０９（５μｍ）／ポリエチレンテレフタレートフィルム（１６μｍ）からなる基材フィルム（Ｆ−１）を得た。なお、基材フィルム（Ｆ−１）を構成する各成分の引張弾性率をＪＩＳ Ｋ７１１３号に準じて引張速度：５ｍｍ／ｍｉｎで測定したところ、ＳＰＡ−０１：１０５ＭＰａ，エバフレックス ＥＥＡ−Ａ７０９：１００ＭＰａ，ポリエチレンテレフタレートフィルム：２６００ＭＰａであった。
（合成例１）
２−ニトロベンジルアルコール３０ｇをテトラヒドロフラン３００ｇ中に室温でマグネチックスターラーを用いてかくはんして溶解させた。この溶液に、予め混合しておいた４，４'−ジフェニルメタンジイソシアネート２４．５ｇ、テトラヒドロフラン１００ｇからなる溶液を３０分かけて滴下し、室温で１時間かくはんした。この後、リービッヒ冷却管をセットし、オイルバスにて６０℃に加熱しながら２時間反応させた。反応後、室温まで冷却し、ロータリーエバポレーターを用いて反応液が半分になるまで濃縮した。
【００６８】
得られた濃縮液を１０００質量部のｎ−へキサン中に添加すると、白色沈殿物を得た。この沈殿物を吸引ろ過し、真空下６０℃で一晩乾燥して目的の２−ニトロベンジルカルバミン酸誘導体を得た。収量４９．５ｇ（収率９１％）であった。
（合成例２）
ｐ−ニトロ安息香酸メチルエステル（２．００ｇ、１１ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドラジン（０．６６ｇ、１１ｍｍｏｌ）、フェニルグリシジルエーテル（１．６６ｇ、１１ｍｍｏｌ）をｔｅｒｔ−ブタノール（１５．０ｇ）に添加し、５０℃で１０時間攪拌した後、さらに室温（２５℃）で４８時間攪拌したところ、白色沈殿が生成した。これを濾別した後、酢酸エチルで２度洗浄し、真空乾燥機で乾燥させてアミンイミド化合物を得た。収量３．６７ｇ、収率８５％、融点１４６−１４７℃であった。
【００６９】
（実施例１）
ＹＤＣＮ−７０３（東都化成（株）製商品名、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量２１０）４２．３質量部、プライオーフェンＬＦ２８８２（大日本インキ化学工業（株）製商品名、ビスフェノールＡノボラック樹脂）２３．９質量部、ＨＴＲ−８６０Ｐ−３（帝国化学産業（株）製商品名、エポキシ基含有アクリルゴム、分子量１００万、Ｔｇ−７℃）４４．１質量部、ＮＵＣ Ａ−１８７（日本ユニカー（株）製商品名、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）０．７質量部、合成例１で得られた２−ニトロベンジルカルバミン酸誘導体０．５質量部からなる組成物に、メチルエチルケトンを加えて攪拌混合し、真空脱気した。このワニスを、製造例１で得られた機材フィルム（Ｆ−１）のポリエチレンテレフタレート上に塗布し、９０℃で１５分間加熱乾燥して、膜厚が５０μｍのＢステージ状態のフィルム状粘接着層を備えた接着シート（接着シート１）を得た。
【００７０】
得られた接着シート１を用いて、半導体チップと厚み２５μｍのポリイミドフィルムを基材に用いた配線基板を接着シートで貼り合せた半導体装置サンプル（片面にはんだボールを形成、半導体チップと接着層、ポリイミドフィルムを基材に用いた配線基板と粘接着層が接するように貼り合せ）を作製し、耐熱性及び耐湿性を調べた。耐熱性の評価方法には、耐リフロークラック性と温度サイクル試験を適用した。耐リフロークラック性の評価は、サンプル表面の最高温度が２４０℃でこの温度を２０秒間保持するように温度設定したＩＲリフロー炉にサンプルを通し、室温で放置することにより冷却する処理を２回繰り返したサンプル中のクラックを目視と超音波顕微鏡で視察した。クラックの発生していないものを○とし、発生していたものを×とした。耐温度サイクル性は、サンプルを−５５℃雰囲気に３０分間放置し、その後１２５℃の雰囲気に３０分間放置する工程を１サイクルとして、１０００サイクル後において超音波顕微鏡を用いて剥離やクラック等の破壊が発生していないものを○、発生したものを×とした。また、耐湿性評価は、温度１２１℃、湿度１００％、２．０３×１０⁵Ｐａの雰囲気（プレッシャークッカ−テスト：ＰＣＴ処理）で７２時間処理後に剥離を観察することにより行った。剥離の認められなかったものを○とし、剥離のあったものを×とした。
【００７１】
一方、接着シート１を厚さ１５０μｍのシリコンウェハ上に接着層側がシリコンウェハと接するように貼付け、接着シート付きシリコンウェハをダイシング装置上に載置した。次いで、半導体ウェハをダイシング装置上に固定して１００ｍｍ／ｓｅｃの速度で５ｍｍ×５ｍｍにダイシングし、ダイシング時のチップ飛びを評価した。さらに、（株）オーク製作所製ＵＶ−３３０ ＨＱＰ−２型露光機を使用して、５００ｍＪ／ｃｍ²の露光量で接着シートの支持体フィルム側から露光し、基材フィルムをエキスパンド後、ピックアップ装置にてダイシングしたチップをピックアップし、ピックアップ性を評価するとともに、ピックアップ時の垂直方向の剥離力をロードセルによって測定し、ピックアップ荷重とした。
【００７２】
さらに、上記接着シート付きシリコンウェハに５００ｍＪ／ｃｍ²の露光量で接着シートの支持体フィルム側から露光し、露光前後の接着シート／基材界面の接着強度を、９０°ピール強度で測定した（引張り速度 ５０ｍ／ｍｉｎ）。これらの評価結果をまとめて表１に示す。
（実施例２）
合成例１で得られた２−ニトロベンジルカルバミン酸誘導体を合成例２で得られたアミンイミド化合物に変えた以外は実施例１と全く同様の操作を行い、接着シート（接着シート２）を得た。
得られた接着シート２を実施例１と同様の条件で評価した結果を表１に示す。
【００７３】
（比較例１）
実施例１において、合成例１で得られた２−ニトロベンジルカルバミン酸誘導体を除いた以外は実施例１と全く同様の操作を行い、接着シート（接着層と粘接着層を併せた厚みが５１μｍ）（接着シート３）を得た。
【００７４】
得られた接着シート３を実施例１と同様の条件で評価した結果を表１に示す。
（比較例２）
実施例１において、基材フィルム（Ｆ−１）を厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム（株）、テイジンテトロンフィルムＧ２−５０）にした以外は実施例１と全く同様の操作を行い、接着シート（接着シート４）を得た。
【００７５】
得られた接着シート４を実施例１と同様の条件で評価した結果を表１に示す。
（比較例３）
実施例２において、基材フィルム（Ｆ−１）を厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム（株）、テイジンテトロンフィルムＧ２−５０）にした以外は実施例２と全く同様の操作を行い、接着シート（接着シート５）を得た。
【００７６】
得られた接着シート５を実施例１と同様の条件で評価した結果を表１に示す。
【表１】

【００７７】
ピックアップ性：ピックアップダイボンダーにより、ダイシング後のチップをピックアップしたときのピックアップできた確率（％／１００チップ）を示した。
【００７８】
表１から、本発明の接着シートは耐熱性および耐湿性に優れ、ダイシング時のチップ飛びも無く、ピックアップ性も良好である。また、露光前後の接着強度差が大きいため、作業条件の許容度が大きいため、作業条件の許容度が大きく、作業性に優れるものである。さらに、ダイシング後、チップピックアップの際に基材フィルムをエキスパンドすることによってピックアップ荷重を低減できるので、薄型および大型チップ用の接着シートとしても有用である。
【００７９】
【発明の効果】
本発明の接着シートは、ダイシング工程ではダイシングテープとして、半導体素子と支持部材の接合工程では接続信頼性に優れる接着剤として使用することができる。そのため、生産工程の簡略化を図ることができる。
また、本発明の接着シートは、半導体搭載用支持部材に熱膨張係数の差が大きい半導体素子を実装する場合に必要な耐熱性、耐湿性を有するものである。そのため、接着シートの信頼性の向上を図ることができる。
さらに、本発明の接着シートを使用した半導体装置の製造方法は、製造工程を簡略化でき、しかも製造した半導体装置は、半導体搭載用支持部材に熱膨張係数の差が大きい半導体素子を実装する場合に必要な耐熱性、耐湿性および作業性を兼ね備えるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る接着シートの基材フィルム層の一例の断面図である。
【図２】本発明に係る接着シートの基材フィルムを備えた粘接着層の一例の断面図である。
【図３】本発明に係る接着シートに半導体ウェハを貼着した状態を示す図である。
【図４】本発明に係る接着シートを半導体ウェハのダイシング工程に用いた場合の説明図である。
【図５】図４に示す工程の後、接着シートに、裏面から放射線を照射した状態を示す図である。
【図６】図５に示す工程の後、半導体素子をピックアップする工程を示す図である。
【図７】ピックアップされた半導体素子と粘接着層を示す図である。
【図８】半導体素子を半導体素子搭載用支持部材に熱圧着した状態を示す図である。
【符号の説明】
１…基材フィルム（２−２）
２…基材フィルム（２−１）
３…粘接着層
４…吸引コレット
５…半導体素子搭載用支持部材
６…ダイシングカッター
１０…基材フィルム層
２０…接着シート
Ａ…半導体ウェハ
Ａ１、Ａ２、Ａ３…半導体素子
Ｂ…放射線

Claims (9)

1. （１）粘接着層と（２）基材フィルム層とを備える熱重合性および放射線重合性接着シートであって、
   前記（１）粘接着層は（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤、（Ｂ）エポキシ基含有アクリルゴム、および（Ｃ）放射線照射によって塩基を発生する化合物を有し、
   前記（１）粘接着層は、前記（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤１００質量部に対して、前記（Ｂ）エポキシ基含有アクリルゴムを１０〜４００質量部含み、
   前記（２）基材フィルム層は異なる２種類以上の基材フィルム層を有し、前記（２）基材フィルム層の少なくとも１種類（基材フィルム（２−１））は２５℃で２０００ＭＰａ以上の引張弾性率を有するものであり、その他の少なくとも１種類（基材フィルム（２−２））は、２５℃で１０００ＭＰａ以下の引張弾性率を有するものである熱重合性および放射線重合性接着シート。
2. 前記（Ｂ）エポキシ基含有アクリルゴムは、エポキシ基含有反復単位を０．５〜６質量％含有する請求項１記載の接着シート。
3. 前記（Ｃ）放射線照射によって塩基を発生する化合物は、水溶液中におけるｐＫaが７以上の塩基を放射線照射によって発生する請求項１もしくは２に記載の接着シート。
4. 前記（Ｃ）放射線照射によって塩基を発生する化合物は、カルバミン酸誘導体である請求項１〜３のいずれか１項に記載の接着シート。
5. 前記（Ｃ）放射線照射によって塩基を発生する化合物は、アミンイミド化合物である請求項１〜３のいずれか１項に記載の接着シート。
6. 前記（１）粘接着層は、２５℃で１０〜２０００ＭＰａおよび２６０℃で３〜５０ＭＰａの加熱硬化後の貯蔵弾性率を有する請求項１〜５のいずれか１項に記載の接着シート。
7. 前記（１）粘接着層、前記（２−１）基材フィルムおよび前記（２−２）基材フィルムは、（２−２）基材フィルム／（２−１）基材フィルム／（１）粘接着層の順で積層されている請求項１〜６のいずれか１項に記載の接着シート。
8. 放射線の照射により、前記（１）粘接着剤層と前記（２）基材フィルム層との間の接着力が制御される請求項１〜７のいずれか１項に記載の接着シート。
9. 請求項１〜８のいずれか１項に記載の（１）粘接着層と（２）基材フィルム層とを備える接着シートを前記（１）粘接着層を挟んで半導体ウェハに貼り付ける工程と；前記半導体ウェハをダイシングして前記接着シート付き半導体素子を形成する工程と；前記接着シートに放射線を照射して前記（１）粘接着層の前記（２）基材フィルム層に対する接着力を低減し、前記（２）基材フィルム層を剥離して粘接着層付き半導体素子を得る工程と；前記粘接着層付き半導体素子と半導体素子搭載用の支持部材とを前記粘接着層を介して接着する工程と；を含む半導体装置の製造方法。

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