JP2003008383A - 積層高周波フィルタ - Google Patents
積層高周波フィルタInfo
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- JP2003008383A JP2003008383A JP2001183682A JP2001183682A JP2003008383A JP 2003008383 A JP2003008383 A JP 2003008383A JP 2001183682 A JP2001183682 A JP 2001183682A JP 2001183682 A JP2001183682 A JP 2001183682A JP 2003008383 A JP2003008383 A JP 2003008383A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型でローパスフィルタの他のフィルタにも
適用可能な積層高周波フィルタを得る。 【解決手段】 ローパスフィルタ特性を有する回路の並
列のコンデンサに対応する導体パターン６ａ，６ｂ，７
ａ，７ｂを、その他の素子に対応する導体パターン８，
９と２つのグランド導体５ａ，５ｂとの間に配置した。
その他の導体パターン間にグランド導体を設ける必要が
なくなり、積層高周波フィルタ全体を小型に構成するこ
とができると共に、その他の素子に対応する導体パター
ンの寄生容量は、グランド導体との間ではなく、並列の
コンデンサに対応する導体パターンとの間に発生するの
で、偶数次のローパスフィルタにも適用することができ
る。
適用可能な積層高周波フィルタを得る。 【解決手段】 ローパスフィルタ特性を有する回路の並
列のコンデンサに対応する導体パターン６ａ，６ｂ，７
ａ，７ｂを、その他の素子に対応する導体パターン８，
９と２つのグランド導体５ａ，５ｂとの間に配置した。
その他の導体パターン間にグランド導体を設ける必要が
なくなり、積層高周波フィルタ全体を小型に構成するこ
とができると共に、その他の素子に対応する導体パター
ンの寄生容量は、グランド導体との間ではなく、並列の
コンデンサに対応する導体パターンとの間に発生するの
で、偶数次のローパスフィルタにも適用することができ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、多層基板内に構
成された小型で高性能な積層高周波フィルタに関するも
のである。
成された小型で高性能な積層高周波フィルタに関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】図１３は例えば特開平７−２６３９０８
号公報に示された従来の多層基板ローパスフィルタを示
す斜視図、図１４はその断面図であり、図において、５
０１はストリップ導体、５０２〜５０４はコンデンサ導
体、５０５〜５０９はグランド導体、５１０はビア、５
１１〜５２０は誘電体層である。ここで、ストリップ導
体５０１はインダクタの役割を果たしている。
号公報に示された従来の多層基板ローパスフィルタを示
す斜視図、図１４はその断面図であり、図において、５
０１はストリップ導体、５０２〜５０４はコンデンサ導
体、５０５〜５０９はグランド導体、５１０はビア、５
１１〜５２０は誘電体層である。ここで、ストリップ導
体５０１はインダクタの役割を果たしている。
【０００３】次に動作について説明する。ストリップ導
体５０１は、グランド導体５０７，５０８との間の寄生
容量を含むπ型の等価回路として表すことができる。図
１５は従来の多層基板ローパスフィルタの等価回路を示
す回路図であり、５２１〜５２３はコンデンサ、５２４
はインダクタ、５２５，５２６は寄生容量である。この
回路において、寄生容量５２５，５２６が計算できれ
ば、３次のローパスフィルタ特性を持つ回路を容易に設
計することができる。
体５０１は、グランド導体５０７，５０８との間の寄生
容量を含むπ型の等価回路として表すことができる。図
１５は従来の多層基板ローパスフィルタの等価回路を示
す回路図であり、５２１〜５２３はコンデンサ、５２４
はインダクタ、５２５，５２６は寄生容量である。この
回路において、寄生容量５２５，５２６が計算できれ
ば、３次のローパスフィルタ特性を持つ回路を容易に設
計することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の積層高周波フィ
ルタは以上のように構成されているので、各素子間によ
る寄生容量の発生を回避するために、各々の素子の間に
グランド導体５０６〜５０８を設けており、高さ方向に
大型化してしまう。また、寄生容量５２５，５２６がグ
ランド導体５０７，５０８との間に発生してしまうた
め、ローパスフィルタのようにコンデンサが信号線とグ
ランドとの間に並列に配置される回路にしか適用するこ
とができない。さらに、発生する寄生容量５２５，５２
６は、設計時のコンデンサ５２１，５２２の容量に比べ
て小さいので、それのみでは設計時の所望の容量を得る
ことはできず、他のコンデンサと組にして設計しなけれ
ばならない。そのため、偶数次のローパスフィルタのよ
うに、初段か最終段がインダクタとなる回路では、不要
の容量がインダクタの前後に発生し、所望の特性が得ら
れないなどの課題があった。
ルタは以上のように構成されているので、各素子間によ
る寄生容量の発生を回避するために、各々の素子の間に
グランド導体５０６〜５０８を設けており、高さ方向に
大型化してしまう。また、寄生容量５２５，５２６がグ
ランド導体５０７，５０８との間に発生してしまうた
め、ローパスフィルタのようにコンデンサが信号線とグ
ランドとの間に並列に配置される回路にしか適用するこ
とができない。さらに、発生する寄生容量５２５，５２
６は、設計時のコンデンサ５２１，５２２の容量に比べ
て小さいので、それのみでは設計時の所望の容量を得る
ことはできず、他のコンデンサと組にして設計しなけれ
ばならない。そのため、偶数次のローパスフィルタのよ
うに、初段か最終段がインダクタとなる回路では、不要
の容量がインダクタの前後に発生し、所望の特性が得ら
れないなどの課題があった。
【０００５】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、小型でローパスフィルタの他のフ
ィルタにも適用可能な積層高周波フィルタを得ることを
目的とする。
めになされたもので、小型でローパスフィルタの他のフ
ィルタにも適用可能な積層高周波フィルタを得ることを
目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る積層高周
波フィルタは、導体パターンのうちのグランド導体との
間に容量を形成する導体パターンを、その他の導体パタ
ーンとそのグランド導体との間に配置するようにしたも
のである。
波フィルタは、導体パターンのうちのグランド導体との
間に容量を形成する導体パターンを、その他の導体パタ
ーンとそのグランド導体との間に配置するようにしたも
のである。
【０００７】この発明に係る積層高周波フィルタは、ロ
ーパスフィルタ特性を有する回路の並列のコンデンサに
対応する導体パターンを、回路のその他の素子に対応す
る導体パターンの全体あるいは一部とグランド導体との
間に配置するようにしたものである。
ーパスフィルタ特性を有する回路の並列のコンデンサに
対応する導体パターンを、回路のその他の素子に対応す
る導体パターンの全体あるいは一部とグランド導体との
間に配置するようにしたものである。
【０００８】この発明に係る積層高周波フィルタは、ロ
ーパスフィルタ特性を有する導体パターンのうちのグラ
ンド導体との間に容量を形成する導体パターンを、その
他の導体パターンの全体あるいは一部と２つのグランド
導体との間に配置するようにしたものである。
ーパスフィルタ特性を有する導体パターンのうちのグラ
ンド導体との間に容量を形成する導体パターンを、その
他の導体パターンの全体あるいは一部と２つのグランド
導体との間に配置するようにしたものである。
【０００９】この発明に係る積層高周波フィルタは、ロ
ーパスフィルタ特性を有する回路の並列のコンデンサに
対応する導体パターンを、回路のその他の素子に対応す
る導体パターンの全体あるいは一部と２つのグランド導
体との間に配置するようにしたものである。
ーパスフィルタ特性を有する回路の並列のコンデンサに
対応する導体パターンを、回路のその他の素子に対応す
る導体パターンの全体あるいは一部と２つのグランド導
体との間に配置するようにしたものである。
【００１０】この発明に係る積層高周波フィルタは、有
極ローパスフィルタ特性を有する回路の信号線路とグラ
ンド間のコンデンサに対応する導体パターンを、回路の
その他の素子に対応する導体パターンの全体あるいは一
部とグランド導体との間に配置するようにしたものであ
る。
極ローパスフィルタ特性を有する回路の信号線路とグラ
ンド間のコンデンサに対応する導体パターンを、回路の
その他の素子に対応する導体パターンの全体あるいは一
部とグランド導体との間に配置するようにしたものであ
る。
【００１１】この発明に係る積層高周波フィルタは、有
極ローパスフィルタ特性を有する回路の信号線路とグラ
ンド間のコンデンサに対応する導体パターンを、回路の
その他の素子に対応する導体パターンの全体あるいは一
部と２つのグランド導体との間に配置するようにしたも
のである。
極ローパスフィルタ特性を有する回路の信号線路とグラ
ンド間のコンデンサに対応する導体パターンを、回路の
その他の素子に対応する導体パターンの全体あるいは一
部と２つのグランド導体との間に配置するようにしたも
のである。
【００１２】この発明に係る積層高周波フィルタは、ハ
イパスフィルタ特性を有する回路の並列のインダクタに
さらに並列にコンデンサを設け、運用周波数ではそれら
インダクタおよびコンデンサにより所望のインダクタン
ス値になるようにし、そのコンデンサに対応する導体パ
ターンを、回路のその他の素子に対応する導体パターン
の全体あるいは一部とグランド導体との間に配置するよ
うにしたものである。
イパスフィルタ特性を有する回路の並列のインダクタに
さらに並列にコンデンサを設け、運用周波数ではそれら
インダクタおよびコンデンサにより所望のインダクタン
ス値になるようにし、そのコンデンサに対応する導体パ
ターンを、回路のその他の素子に対応する導体パターン
の全体あるいは一部とグランド導体との間に配置するよ
うにしたものである。
【００１３】この発明に係る積層高周波フィルタは、ハ
イパスフィルタ特性を有する回路の並列のインダクタに
さらに並列にコンデンサを設け、運用周波数ではそれら
インダクタおよびコンデンサにより所望のインダクタン
ス値になるようにし、そのコンデンサに対応する導体パ
ターンを、回路のその他の素子に対応する導体パターン
の全体あるいは一部と２つのグランド導体との間に配置
するようにしたものである。
イパスフィルタ特性を有する回路の並列のインダクタに
さらに並列にコンデンサを設け、運用周波数ではそれら
インダクタおよびコンデンサにより所望のインダクタン
ス値になるようにし、そのコンデンサに対応する導体パ
ターンを、回路のその他の素子に対応する導体パターン
の全体あるいは一部と２つのグランド導体との間に配置
するようにしたものである。
【００１４】この発明に係る積層高周波フィルタは、請
求項２から請求項６のうちのいずれか１項記載の積層高
周波フィルタと、請求項７または請求項８記載の積層高
周波フィルタとを組み合せるようにしたものである。
求項２から請求項６のうちのいずれか１項記載の積層高
周波フィルタと、請求項７または請求項８記載の積層高
周波フィルタとを組み合せるようにしたものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態を
説明する。 実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１による積
層高周波フィルタを示す斜視図、図２はその断面図、図
３はその平面図、図４はその等価回路を示す回路図であ
り、図において、１は第１層の誘電体、２は第２層の誘
電体、３は第３層の誘電体、４は第４層の誘電体であ
る。５ａは第１層の誘電体１の外側に設けられた第１の
グランド導体、５ｂは第４層の誘電体４の外側に設けら
れた第２のグランド導体である。６ａは第２層の誘電体
２に設けられた第１のコンデンサの一部、６ｂは第４層
の誘電体４に設けられた第１のコンデンサの一部、７ａ
は第２層の誘電体２に設けられた第２のコンデンサの一
部、７ｂは第４層の誘電体４に設けられた第２のコンデ
ンサの一部である。８は第３層の誘電体３に設けられた
第１のインダクタ、９は第３層の誘電体３に設けられた
第２のインダクタである。１０は異なる層の導体を接続
する導体ビア、１１は第１の入出力端子、１２は第２の
入出力端子である。また、図４において、１３は第１の
コンデンサ、１４は第２のコンデンサ、１５は第１のイ
ンダクタ、１６は第２のインダクタ、１７は第１のコン
デンサ６ａ，６ｂと第１のインダクタ８との間に発生さ
れる寄生容量、１８は第２のコンデンサ７ａ，７ｂと第
２のインダクタ９との間に発生される寄生容量である。
説明する。 実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１による積
層高周波フィルタを示す斜視図、図２はその断面図、図
３はその平面図、図４はその等価回路を示す回路図であ
り、図において、１は第１層の誘電体、２は第２層の誘
電体、３は第３層の誘電体、４は第４層の誘電体であ
る。５ａは第１層の誘電体１の外側に設けられた第１の
グランド導体、５ｂは第４層の誘電体４の外側に設けら
れた第２のグランド導体である。６ａは第２層の誘電体
２に設けられた第１のコンデンサの一部、６ｂは第４層
の誘電体４に設けられた第１のコンデンサの一部、７ａ
は第２層の誘電体２に設けられた第２のコンデンサの一
部、７ｂは第４層の誘電体４に設けられた第２のコンデ
ンサの一部である。８は第３層の誘電体３に設けられた
第１のインダクタ、９は第３層の誘電体３に設けられた
第２のインダクタである。１０は異なる層の導体を接続
する導体ビア、１１は第１の入出力端子、１２は第２の
入出力端子である。また、図４において、１３は第１の
コンデンサ、１４は第２のコンデンサ、１５は第１のイ
ンダクタ、１６は第２のインダクタ、１７は第１のコン
デンサ６ａ，６ｂと第１のインダクタ８との間に発生さ
れる寄生容量、１８は第２のコンデンサ７ａ，７ｂと第
２のインダクタ９との間に発生される寄生容量である。
【００１６】第１のコンデンサ６ａ，６ｂは、それぞれ
導体ビア１０により接続されている。第２のコンデンサ
７ａ，７ｂは、それぞれ導体ビア１０により接続されて
いる。また、この第２のコンデンサ７ａ，７ｂは、第２
の入出力端子１２と導体ビア１０により接続されてい
る。第１のインダクタ８の一端は、第１の入出力端子１
１であり、もう一端は、導体ビア１０により第１のコン
デンサ６ａに接続されている。第２のインダクタ９の一
端は、導体ビア１０により第１のコンデンサ６ａに接続
され、もう一端は、導体ビア１０により第２のコンデン
サ７ａに接続されている。また、第１のインダクタ８
は、第１のコンデンサ６ａ，６ｂに挟まれるように配置
され、第２のインダクタ９は、第２のコンデンサ７ａ，
７ｂに挟まれるように配置されている。このように、２
つのコンデンサと、２つのインダクタが構成されている
ので、グランド導体とインダクタとの間には寄生容量が
発生せず、第１のコンデンサ６ａ，６ｂと第１のインダ
クタ８との間と、第２のコンデンサ７ａ，７ｂと第２の
インダクタ９との間にだけ寄生容量が発生する。したが
って、等価回路は、図４に示したようになる。
導体ビア１０により接続されている。第２のコンデンサ
７ａ，７ｂは、それぞれ導体ビア１０により接続されて
いる。また、この第２のコンデンサ７ａ，７ｂは、第２
の入出力端子１２と導体ビア１０により接続されてい
る。第１のインダクタ８の一端は、第１の入出力端子１
１であり、もう一端は、導体ビア１０により第１のコン
デンサ６ａに接続されている。第２のインダクタ９の一
端は、導体ビア１０により第１のコンデンサ６ａに接続
され、もう一端は、導体ビア１０により第２のコンデン
サ７ａに接続されている。また、第１のインダクタ８
は、第１のコンデンサ６ａ，６ｂに挟まれるように配置
され、第２のインダクタ９は、第２のコンデンサ７ａ，
７ｂに挟まれるように配置されている。このように、２
つのコンデンサと、２つのインダクタが構成されている
ので、グランド導体とインダクタとの間には寄生容量が
発生せず、第１のコンデンサ６ａ，６ｂと第１のインダ
クタ８との間と、第２のコンデンサ７ａ，７ｂと第２の
インダクタ９との間にだけ寄生容量が発生する。したが
って、等価回路は、図４に示したようになる。
【００１７】次に動作について説明する。図４に示した
回路は、低い周波数では、インダクタは低抵抗、コンデ
ンサは高抵抗として振る舞うため、ローパスフィルタと
して働く。また、このような回路構成のローパスフィル
タは、例えば、Ｍａｔｔｈａｅｉ他著の“Ｍｉｃｒｏｗ
ａｖｅ ｆｉｌｔｅｒｓ，ｉｍｐｅｄａｎｃｅ−ｍａｔ
ｃｈｉｎｇ ｎｅｔｗｏｒｋｓ，ａｎｄ ｃｏｕｐｌｉ
ｎｇ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ”にあるような方法により
容易に設計できる。寄生容量１７，１８は、構造が決ま
れば計算できるので、予め設計に盛り込むことができ、
得られた回路の特性は、等価回路により計算されたもの
とほぼ等しくなる。このため設計が容易になる。
回路は、低い周波数では、インダクタは低抵抗、コンデ
ンサは高抵抗として振る舞うため、ローパスフィルタと
して働く。また、このような回路構成のローパスフィル
タは、例えば、Ｍａｔｔｈａｅｉ他著の“Ｍｉｃｒｏｗ
ａｖｅ ｆｉｌｔｅｒｓ，ｉｍｐｅｄａｎｃｅ−ｍａｔ
ｃｈｉｎｇ ｎｅｔｗｏｒｋｓ，ａｎｄ ｃｏｕｐｌｉ
ｎｇ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ”にあるような方法により
容易に設計できる。寄生容量１７，１８は、構造が決ま
れば計算できるので、予め設計に盛り込むことができ、
得られた回路の特性は、等価回路により計算されたもの
とほぼ等しくなる。このため設計が容易になる。
【００１８】以上のように、この実施の形態１によれ
ば、第１のインダクタ８は、第１のコンデンサ６ａ，６
ｂに、また、第２のインダクタ９は、第２のコンデンサ
７ａ，７ｂに挟まれるように配置されているので、第１
および第２のグランド導体５ａ，５ｂと第１および第２
のインダクタ８，９との間には寄生容量が発生せず、第
１のインダクタ８と第１のコンデンサ６ａ，６ｂとの間
と、第２のインダクタ９と第２のコンデンサ７ａ，７ｂ
との間にだけ寄生容量１７，１８が発生するので、第１
および第２のインダクタ８，９をグランド導体で挟まな
くても良く、積層高周波フィルタ全体を小型化できる。
その結果、偶数次のローパスフィルタにも適用すること
ができる。また、ローパスフィルタ以外にも、寄生容量
１７，１８を等価回路に置き換えた場合に所望の特性が
得られるような回路にも適用することができる。
ば、第１のインダクタ８は、第１のコンデンサ６ａ，６
ｂに、また、第２のインダクタ９は、第２のコンデンサ
７ａ，７ｂに挟まれるように配置されているので、第１
および第２のグランド導体５ａ，５ｂと第１および第２
のインダクタ８，９との間には寄生容量が発生せず、第
１のインダクタ８と第１のコンデンサ６ａ，６ｂとの間
と、第２のインダクタ９と第２のコンデンサ７ａ，７ｂ
との間にだけ寄生容量１７，１８が発生するので、第１
および第２のインダクタ８，９をグランド導体で挟まな
くても良く、積層高周波フィルタ全体を小型化できる。
その結果、偶数次のローパスフィルタにも適用すること
ができる。また、ローパスフィルタ以外にも、寄生容量
１７，１８を等価回路に置き換えた場合に所望の特性が
得られるような回路にも適用することができる。
【００１９】なお、この実施の形態１によれば、第１お
よび第２のグランド導体５ａ，５ｂに挟まれた構造の積
層高周波フィルタについて説明したが、第２のグランド
導体５ｂだけを削除したり、第２のグランド導体５ｂ、
第１および第２のコンデンサ５ｂ，７ｂ、そよび第１お
よび第２のコンデンサ５ｂ，７ｂを接続する導体ビア１
０を削除しても同様な効果を奏する。
よび第２のグランド導体５ａ，５ｂに挟まれた構造の積
層高周波フィルタについて説明したが、第２のグランド
導体５ｂだけを削除したり、第２のグランド導体５ｂ、
第１および第２のコンデンサ５ｂ，７ｂ、そよび第１お
よび第２のコンデンサ５ｂ，７ｂを接続する導体ビア１
０を削除しても同様な効果を奏する。
【００２０】実施の形態２．図５はこの発明の実施の形
態２による積層高周波フィルタを示す斜視図、図６はそ
の断面図、図７はその平面図、図８はその等価回路を示
す回路図であり、図において、１０１は第１層の誘電
体、１０２は第２層の誘電体、１０３は第３層の誘電
体、１０４は第４層の誘電体である。１０５ａは第１層
の誘電体１０１の外側に設けられた第１のグランド導
体、１０５ｂは第４層の誘電体１０４の外側に設けられ
た第２のグランド導体である。１０６ａは第２層の誘電
体１０２に設けられた第１のコンデンサの一部、１０６
ｂは第４層の誘電体１０４に設けられた第１のコンデン
サの一部、１０７ａは第２層の誘電体１０２に設けられ
た第２のコンデンサの一部、１０７ｂは第４層の誘電体
１０４に設けられた第２のコンデンサの一部である。１
０８は第３層の誘電体１０３に設けられた第１のインダ
クタ、１０９は第３層の誘電体１０３に設けられた第２
のインダクタである。１１０は異なる層の導体を接続す
る導体ビア、１１１は第１の入出力端子、１１２は第２
の入出力端子である。１２１は第１の入出力端子１１１
と第１のインダクタ１０８との間に設けられた第３のコ
ンデンサ、１２２は第２のインダクタ１０９の一端に設
けられた第４のコンデンサである。また、図８におい
て、１１３は第１のコンデンサ、１１４は第２のコンデ
ンサ、１１５は第１のインダクタ、１１６は第２のイン
ダクタ、１１７は第１のコンデンサ１０６ａ，１０６ｂ
と第１のインダクタ１０８との間に発生される寄生容
量、１１８は第２のコンデンサ１０７ａ，１０７ｂと第
２のインダクタ１０９との間に発生される寄生容量、１
１９は第３のコンデンサ、１２０は第４のコンデンサで
ある。
態２による積層高周波フィルタを示す斜視図、図６はそ
の断面図、図７はその平面図、図８はその等価回路を示
す回路図であり、図において、１０１は第１層の誘電
体、１０２は第２層の誘電体、１０３は第３層の誘電
体、１０４は第４層の誘電体である。１０５ａは第１層
の誘電体１０１の外側に設けられた第１のグランド導
体、１０５ｂは第４層の誘電体１０４の外側に設けられ
た第２のグランド導体である。１０６ａは第２層の誘電
体１０２に設けられた第１のコンデンサの一部、１０６
ｂは第４層の誘電体１０４に設けられた第１のコンデン
サの一部、１０７ａは第２層の誘電体１０２に設けられ
た第２のコンデンサの一部、１０７ｂは第４層の誘電体
１０４に設けられた第２のコンデンサの一部である。１
０８は第３層の誘電体１０３に設けられた第１のインダ
クタ、１０９は第３層の誘電体１０３に設けられた第２
のインダクタである。１１０は異なる層の導体を接続す
る導体ビア、１１１は第１の入出力端子、１１２は第２
の入出力端子である。１２１は第１の入出力端子１１１
と第１のインダクタ１０８との間に設けられた第３のコ
ンデンサ、１２２は第２のインダクタ１０９の一端に設
けられた第４のコンデンサである。また、図８におい
て、１１３は第１のコンデンサ、１１４は第２のコンデ
ンサ、１１５は第１のインダクタ、１１６は第２のイン
ダクタ、１１７は第１のコンデンサ１０６ａ，１０６ｂ
と第１のインダクタ１０８との間に発生される寄生容
量、１１８は第２のコンデンサ１０７ａ，１０７ｂと第
２のインダクタ１０９との間に発生される寄生容量、１
１９は第３のコンデンサ、１２０は第４のコンデンサで
ある。
【００２１】第１のコンデンサ１０６ａ，１０６ｂは、
それぞれ導体ビア１１０により接続されている。第２の
コンデンサ１０７ａ，１０７ｂは、それぞれ導体ビア１
１０により接続されている。また、この第２のコンデン
サ１０７ａ，１０７ｂは、第２の入出力端子１１２と導
体ビア１１０により接続されている。第１のインダクタ
１０８の一端は、第３のコンデンサ１２１を介して第１
の入出力端子１１１と接続されており、もう一端は、導
体ビア１１０により第１のコンデンサ１０６ａに接続さ
れている。第２のインダクタ１０９の一端は、第４のコ
ンデンサ１２２を介して導体ビア１１０により第１のコ
ンデンサ１０６ａに接続され、もう一端は、導体ビア１
１０により第２のコンデンサ１０７ａに接続されてい
る。また、第１のインダクタ１０８と第３のコンデンサ
１２１は、第１のコンデンサ１０６ａ，１０６ｂに挟ま
れるように配置され、第２のインダクタ１０９と第４の
コンデンサ１２２は、第２のコンデンサ１０７ａ，１０
７ｂに挟まれるように配置されている。このように、４
つのコンデンサと、２つのインダクタが構成されている
ので、グランド導体とインダクタとの間には寄生容量が
発生せず、また、第３のコンデンサ１２１と第４のコン
デンサ１２２もグランド導体との間には寄生容量が発生
しない。そのため、第１のコンデンサ１０６ａ，１０６
ｂと第１のインダクタ１０８との間と、第２のコンデン
サ１０７ａ，１０７ｂと第２のインダクタ１０９との間
にだけ寄生容量が発生する。したがって、等価回路は、
図８に示したようになる。
それぞれ導体ビア１１０により接続されている。第２の
コンデンサ１０７ａ，１０７ｂは、それぞれ導体ビア１
１０により接続されている。また、この第２のコンデン
サ１０７ａ，１０７ｂは、第２の入出力端子１１２と導
体ビア１１０により接続されている。第１のインダクタ
１０８の一端は、第３のコンデンサ１２１を介して第１
の入出力端子１１１と接続されており、もう一端は、導
体ビア１１０により第１のコンデンサ１０６ａに接続さ
れている。第２のインダクタ１０９の一端は、第４のコ
ンデンサ１２２を介して導体ビア１１０により第１のコ
ンデンサ１０６ａに接続され、もう一端は、導体ビア１
１０により第２のコンデンサ１０７ａに接続されてい
る。また、第１のインダクタ１０８と第３のコンデンサ
１２１は、第１のコンデンサ１０６ａ，１０６ｂに挟ま
れるように配置され、第２のインダクタ１０９と第４の
コンデンサ１２２は、第２のコンデンサ１０７ａ，１０
７ｂに挟まれるように配置されている。このように、４
つのコンデンサと、２つのインダクタが構成されている
ので、グランド導体とインダクタとの間には寄生容量が
発生せず、また、第３のコンデンサ１２１と第４のコン
デンサ１２２もグランド導体との間には寄生容量が発生
しない。そのため、第１のコンデンサ１０６ａ，１０６
ｂと第１のインダクタ１０８との間と、第２のコンデン
サ１０７ａ，１０７ｂと第２のインダクタ１０９との間
にだけ寄生容量が発生する。したがって、等価回路は、
図８に示したようになる。
【００２２】次に動作について説明する。図８に示した
回路は、低い周波数では、インダクタは低抵抗、コンデ
ンサは高抵抗として振る舞うため、ローパスフィルタと
して働く。第３のコンデンサ１１９と第１のインダクタ
１１５の値を上手に選ぶことにより、通過帯域では減衰
せずに通過し、減衰させたい周波数帯域では第３のコン
デンサ１１９と第１のインダクタ１１５が共振し、開放
状態となることで減衰極を持つ（有極）ローパスフィル
タが実現できる。これらの特性は、第４のコンデンサ１
２０と第２のインダクタ１１６によっても実現可能であ
り、場合によっては両方を用いることができる。また、
このような回路構成のローパスフィルタは、例えば、前
掲の引用文献にあるような方法により容易に設計でき
る。寄生容量１１７，１１８は、構造が決まれば計算で
きるので、予め設計に盛り込むことができ、得られた回
路の特性は、等価回路により計算されたものとほぼ等し
くなる。このため設計が容易になる。
回路は、低い周波数では、インダクタは低抵抗、コンデ
ンサは高抵抗として振る舞うため、ローパスフィルタと
して働く。第３のコンデンサ１１９と第１のインダクタ
１１５の値を上手に選ぶことにより、通過帯域では減衰
せずに通過し、減衰させたい周波数帯域では第３のコン
デンサ１１９と第１のインダクタ１１５が共振し、開放
状態となることで減衰極を持つ（有極）ローパスフィル
タが実現できる。これらの特性は、第４のコンデンサ１
２０と第２のインダクタ１１６によっても実現可能であ
り、場合によっては両方を用いることができる。また、
このような回路構成のローパスフィルタは、例えば、前
掲の引用文献にあるような方法により容易に設計でき
る。寄生容量１１７，１１８は、構造が決まれば計算で
きるので、予め設計に盛り込むことができ、得られた回
路の特性は、等価回路により計算されたものとほぼ等し
くなる。このため設計が容易になる。
【００２３】以上のように、この実施の形態２によれ
ば、第１のインダクタ１０８および第３のコンデンサ１
２１は、第１のコンデンサ１０６ａ，１０６ｂに、ま
た、第２のインダクタ１０９および第４のコンデンサ１
２２は、第２のコンデンサ１０７ａ，１０７ｂに挟まれ
るように配置されているので、第１および第２のグラン
ド導体１０５ａ，１０５ｂと第１および第２のインダク
タ１０８，１０９との間、第１および第２のグランド導
体１０５ａ，１０５ｂと第３および第４のコンデンサ１
２１，１２２との間には寄生容量が発生せず、第１のイ
ンダクタ１０８と第１のコンデンサ１０６ａ，１０６ｂ
との間と、第２のインダクタ１０９と第２のコンデンサ
１０７ａ，１０７ｂとの間にだけ寄生容量１１７，１１
８が発生するので、第１および第２のインダクタ１０
８，１０９、および第３および第４のコンデンサ１２
１，１２２をグランド導体で挟まなくても良く、積層高
周波フィルタ全体を小型化できる。その結果、偶数次の
有極ローパスフィルタにも適用することができる。ま
た、有極ローパスフィルタ以外にも、寄生容量１１７，
１１８を等価回路に置き換えた場合に所望の特性が得ら
れるような回路にも適用することができる。
ば、第１のインダクタ１０８および第３のコンデンサ１
２１は、第１のコンデンサ１０６ａ，１０６ｂに、ま
た、第２のインダクタ１０９および第４のコンデンサ１
２２は、第２のコンデンサ１０７ａ，１０７ｂに挟まれ
るように配置されているので、第１および第２のグラン
ド導体１０５ａ，１０５ｂと第１および第２のインダク
タ１０８，１０９との間、第１および第２のグランド導
体１０５ａ，１０５ｂと第３および第４のコンデンサ１
２１，１２２との間には寄生容量が発生せず、第１のイ
ンダクタ１０８と第１のコンデンサ１０６ａ，１０６ｂ
との間と、第２のインダクタ１０９と第２のコンデンサ
１０７ａ，１０７ｂとの間にだけ寄生容量１１７，１１
８が発生するので、第１および第２のインダクタ１０
８，１０９、および第３および第４のコンデンサ１２
１，１２２をグランド導体で挟まなくても良く、積層高
周波フィルタ全体を小型化できる。その結果、偶数次の
有極ローパスフィルタにも適用することができる。ま
た、有極ローパスフィルタ以外にも、寄生容量１１７，
１１８を等価回路に置き換えた場合に所望の特性が得ら
れるような回路にも適用することができる。
【００２４】なお、この実施の形態２によれば、第１お
よび第２のグランド導体１０５ａ，１０５ｂに挟まれた
構造の積層高周波フィルタについて説明したが、第２の
グランド導体１０５ｂだけを削除したり、第２のグラン
ド導体１０５ｂ、第１および第２のコンデンサ１０５
ｂ，１０７ｂ、および第１および第２のコンデンサ１０
５ｂ，１０７ｂを接続する導体ビア１１０を削除しても
同様な効果を奏する。
よび第２のグランド導体１０５ａ，１０５ｂに挟まれた
構造の積層高周波フィルタについて説明したが、第２の
グランド導体１０５ｂだけを削除したり、第２のグラン
ド導体１０５ｂ、第１および第２のコンデンサ１０５
ｂ，１０７ｂ、および第１および第２のコンデンサ１０
５ｂ，１０７ｂを接続する導体ビア１１０を削除しても
同様な効果を奏する。
【００２５】実施の形態３．図９はこの発明の実施の形
態３による積層高周波フィルタを示す斜視図、図１０は
その断面図、図１１はその平面図、図１２はその等価回
路を示す回路図であり、図において、２００は第１層の
誘電体、２０１は第２層の誘電体、２０２は第３層の誘
電体、２０３は第４層の誘電体、２０４は第５層の誘電
体である。２０５ａは第１層の誘電体２００の外側に設
けられた第１のグランド導体、２０５ｂは第５層の誘電
体２０４の外側に設けられた第２のグランド導体であ
る。２０６ａは第２層の誘電体２０１に設けられた第１
のコンデンサの一部、２０６ｂは第５層の誘電体２０４
に設けられた第１のコンデンサの一部、２０７ａは第２
層の誘電体２０１に設けられた第２のコンデンサの一
部、２０７ｂは第５層の誘電体２０４に設けられた第２
のコンデンサの一部である。２０８は第４層の誘電体２
０３に設けられた第１のインダクタ、２０９は第３層の
誘電体２０２に設けられた第２のインダクタである。２
１０は異なる層の導体を接続する導体ビア、２１１は第
１の入出力端子、２１２は第２の入出力端子である。２
２１ａは第３層の誘電体２０２に設けられた第３のコン
デンサの一部、２２１ｂは第４層の誘電体２０３に設け
られた第３のコンデンサの一部、２２２ａは第３層の誘
電体２０２に設けられた第４のコンデンサの一部、２２
２ｂは第４層の誘電体２０３に設けられた第４のコンデ
ンサの一部である。また、図１２において、２３４は第
１のコンデンサ、２３５は第２のコンデンサ、２３２は
第１のインダクタ、２３３は第２のインダクタ、２３０
は第３のコンデンサ、２３１は第４のコンデンサ、２３
６は第１のコンデンサ２０６ａ，２０６ｂと第３のコン
デンサ２２１ａ，２２１ｂとの間に発生される寄生容
量、２３７は第２のコンデンサ２０７ａ，２０７ｂと第
４のコンデンサ２２２ａ，２２２ｂとの間に発生される
寄生容量、２３８は第１のインダクタ２０８と第１およ
び第２のグランド導体２０５ａ，２０５ｂとの間に発生
される寄生容量、２３９は第２のインダクタ２０９と第
１および第２のグランド導体２０５ａ，２０５ｂとの間
に発生される寄生容量である。
態３による積層高周波フィルタを示す斜視図、図１０は
その断面図、図１１はその平面図、図１２はその等価回
路を示す回路図であり、図において、２００は第１層の
誘電体、２０１は第２層の誘電体、２０２は第３層の誘
電体、２０３は第４層の誘電体、２０４は第５層の誘電
体である。２０５ａは第１層の誘電体２００の外側に設
けられた第１のグランド導体、２０５ｂは第５層の誘電
体２０４の外側に設けられた第２のグランド導体であ
る。２０６ａは第２層の誘電体２０１に設けられた第１
のコンデンサの一部、２０６ｂは第５層の誘電体２０４
に設けられた第１のコンデンサの一部、２０７ａは第２
層の誘電体２０１に設けられた第２のコンデンサの一
部、２０７ｂは第５層の誘電体２０４に設けられた第２
のコンデンサの一部である。２０８は第４層の誘電体２
０３に設けられた第１のインダクタ、２０９は第３層の
誘電体２０２に設けられた第２のインダクタである。２
１０は異なる層の導体を接続する導体ビア、２１１は第
１の入出力端子、２１２は第２の入出力端子である。２
２１ａは第３層の誘電体２０２に設けられた第３のコン
デンサの一部、２２１ｂは第４層の誘電体２０３に設け
られた第３のコンデンサの一部、２２２ａは第３層の誘
電体２０２に設けられた第４のコンデンサの一部、２２
２ｂは第４層の誘電体２０３に設けられた第４のコンデ
ンサの一部である。また、図１２において、２３４は第
１のコンデンサ、２３５は第２のコンデンサ、２３２は
第１のインダクタ、２３３は第２のインダクタ、２３０
は第３のコンデンサ、２３１は第４のコンデンサ、２３
６は第１のコンデンサ２０６ａ，２０６ｂと第３のコン
デンサ２２１ａ，２２１ｂとの間に発生される寄生容
量、２３７は第２のコンデンサ２０７ａ，２０７ｂと第
４のコンデンサ２２２ａ，２２２ｂとの間に発生される
寄生容量、２３８は第１のインダクタ２０８と第１およ
び第２のグランド導体２０５ａ，２０５ｂとの間に発生
される寄生容量、２３９は第２のインダクタ２０９と第
１および第２のグランド導体２０５ａ，２０５ｂとの間
に発生される寄生容量である。
【００２６】第１のコンデンサ２０６ａ，２０６ｂは、
それぞれ導体ビア２１０により接続されている。第２の
コンデンサ２０７ａ，２０７ｂは、それぞれ導体ビア２
１０により接続されている。第３のコンデンサ２２１
ａ，２２１ｂは、第１のコンデンサ２０６ａ，２０６ｂ
に挟まれるように配置され、第４のコンデンサ２２２
ａ，２２２ｂは、第２のコンデンサ２０７ａ，２０７ｂ
に挟まれるように配置されている。第３のコンデンサ２
２１ａは、入出力端子２１１に接続されている。第４の
コンデンサ２２２ａは、入出力端子２１２に接続され、
その途中で第２のインダクタ２０９の一端と接続され、
さらに、導体ビア２１０により第２のコンデンサ２０７
ａに接続されている。第３のコンデンサ２２１ｂは、第
４のコンデンサ２２２ｂに接続され、その途中で第１の
インダクタ２０８の一端と接続され、さらに、導体ビア
２１０により第１のコンデンサ２０６ａに接続されてい
る。さらに、第１のインダクタ２０８および第２のイン
ダクタ２０９のもう一端は、導体ビア２１０により第２
のグランド導体２０５ｂに接続されている。このよう
に、４つのコンデンサと、２つのインダクタが構成され
ているので、第３のコンデンサ２２１ａ，２２１ｂと第
４のコンデンサ２２２ａ，２２２ｂは、グランド導体２
０５ａ，２０５ｂとの間に寄生容量が発生しない。その
ため、第１のコンデンサ２０６ａ，２０６ｂと第３のコ
ンデンサ２２１ａ，２２１ｂとの間と、第２のコンデン
サ２０７ａ，２０７ｂと第４のコンデンサ２２２ａ，２
２２ｂとの間と、第１のインダクタ２０８と第１および
第２のグランド導体２０５ａ，２０５ｂとの間と、第２
のインダクタ２０９と第１および第２のグランド導体２
０５ａ，２０５ｂとの間とにだけ寄生容量が発生する。
したがって、等価回路は、図１２に示したようになる。
それぞれ導体ビア２１０により接続されている。第２の
コンデンサ２０７ａ，２０７ｂは、それぞれ導体ビア２
１０により接続されている。第３のコンデンサ２２１
ａ，２２１ｂは、第１のコンデンサ２０６ａ，２０６ｂ
に挟まれるように配置され、第４のコンデンサ２２２
ａ，２２２ｂは、第２のコンデンサ２０７ａ，２０７ｂ
に挟まれるように配置されている。第３のコンデンサ２
２１ａは、入出力端子２１１に接続されている。第４の
コンデンサ２２２ａは、入出力端子２１２に接続され、
その途中で第２のインダクタ２０９の一端と接続され、
さらに、導体ビア２１０により第２のコンデンサ２０７
ａに接続されている。第３のコンデンサ２２１ｂは、第
４のコンデンサ２２２ｂに接続され、その途中で第１の
インダクタ２０８の一端と接続され、さらに、導体ビア
２１０により第１のコンデンサ２０６ａに接続されてい
る。さらに、第１のインダクタ２０８および第２のイン
ダクタ２０９のもう一端は、導体ビア２１０により第２
のグランド導体２０５ｂに接続されている。このよう
に、４つのコンデンサと、２つのインダクタが構成され
ているので、第３のコンデンサ２２１ａ，２２１ｂと第
４のコンデンサ２２２ａ，２２２ｂは、グランド導体２
０５ａ，２０５ｂとの間に寄生容量が発生しない。その
ため、第１のコンデンサ２０６ａ，２０６ｂと第３のコ
ンデンサ２２１ａ，２２１ｂとの間と、第２のコンデン
サ２０７ａ，２０７ｂと第４のコンデンサ２２２ａ，２
２２ｂとの間と、第１のインダクタ２０８と第１および
第２のグランド導体２０５ａ，２０５ｂとの間と、第２
のインダクタ２０９と第１および第２のグランド導体２
０５ａ，２０５ｂとの間とにだけ寄生容量が発生する。
したがって、等価回路は、図１２に示したようになる。
【００２７】次に動作について説明する。図１２に示し
た回路は、低い周波数では、インダクタは低抵抗、コン
デンサは高抵抗として振る舞うため、ハイパスフィルタ
として働く。また、このような回路構成のハイパスフィ
ルタは、例えば、前掲の引用文献にあるような方法によ
り容易に設計できる。ただし、第１のコンデンサ２３４
と第１のインダクタ２３２の値は、運用周波数におい
て、その合成した値が所望のインダクタンス値になるよ
うにする。また、第２のコンデンサ２３５と第２のイン
ダクタ２３３の値は、運用周波数において、その合成し
た値が所望のインダクタンス値になるようにする。寄生
容量２３６〜２３９は、構造が決まれば計算できるの
で、予め設計に盛り込むことができ、得られた回路の特
性は、等価回路により計算されたものとほぼ等しくな
る。このため設計が容易になる。
た回路は、低い周波数では、インダクタは低抵抗、コン
デンサは高抵抗として振る舞うため、ハイパスフィルタ
として働く。また、このような回路構成のハイパスフィ
ルタは、例えば、前掲の引用文献にあるような方法によ
り容易に設計できる。ただし、第１のコンデンサ２３４
と第１のインダクタ２３２の値は、運用周波数におい
て、その合成した値が所望のインダクタンス値になるよ
うにする。また、第２のコンデンサ２３５と第２のイン
ダクタ２３３の値は、運用周波数において、その合成し
た値が所望のインダクタンス値になるようにする。寄生
容量２３６〜２３９は、構造が決まれば計算できるの
で、予め設計に盛り込むことができ、得られた回路の特
性は、等価回路により計算されたものとほぼ等しくな
る。このため設計が容易になる。
【００２８】以上のように、この実施の形態３によれ
ば、第３のコンデンサ２２１ａ，２２１ｂは、第１のコ
ンデンサ２０６ａ，２０６ｂに挟まれるように配置さ
れ、第４のコンデンサ２２２ａ，２２２ｂは、第２のコ
ンデンサ２０７ａ，２０７ｂに挟まれるように配置され
ているので、第１および第２のグランド導体２０５ａ，
２０５ｂと第３のコンデンサ２２１ａ，２２１ｂとの
間、第１および第２のグランド導体２０５ａ，２０５ｂ
と第４のコンデンサ２２２ａ，２２２ｂとの間には寄生
容量が発生せず、第１のコンデンサ２０６ａ，２０６ｂ
と第３のコンデンサ２２１ａ，２２１ｂとの間と、第２
のコンデンサ２０７ａ，２０７ｂと第４のコンデンサ２
２２ａ，２２２ｂとの間と、第１のインダクタ２０８と
第１および第２のグランド導体２０５ａ，２０５ｂとの
間と、第２のインダクタ２０９と第１および第２のグラ
ンド導体２０５ａ，２０５ｂとの間にだけ寄生容量２３
６〜２３９が発生するので、第１および第２のインダク
タ２０８，２０９、第３のコンデンサ２２１ａ，２２１
ｂ、および第４のコンデンサ２２２ａ，２２２ｂをグラ
ンド導体で挟まなくても良く、積層高周波フィルタ全体
を小型化できる。その結果、寄生容量２３６〜２３９
は、フィルタの入力側のグランドとの間に発生すること
はないので、ハイパスフィルタにも適用することができ
る。
ば、第３のコンデンサ２２１ａ，２２１ｂは、第１のコ
ンデンサ２０６ａ，２０６ｂに挟まれるように配置さ
れ、第４のコンデンサ２２２ａ，２２２ｂは、第２のコ
ンデンサ２０７ａ，２０７ｂに挟まれるように配置され
ているので、第１および第２のグランド導体２０５ａ，
２０５ｂと第３のコンデンサ２２１ａ，２２１ｂとの
間、第１および第２のグランド導体２０５ａ，２０５ｂ
と第４のコンデンサ２２２ａ，２２２ｂとの間には寄生
容量が発生せず、第１のコンデンサ２０６ａ，２０６ｂ
と第３のコンデンサ２２１ａ，２２１ｂとの間と、第２
のコンデンサ２０７ａ，２０７ｂと第４のコンデンサ２
２２ａ，２２２ｂとの間と、第１のインダクタ２０８と
第１および第２のグランド導体２０５ａ，２０５ｂとの
間と、第２のインダクタ２０９と第１および第２のグラ
ンド導体２０５ａ，２０５ｂとの間にだけ寄生容量２３
６〜２３９が発生するので、第１および第２のインダク
タ２０８，２０９、第３のコンデンサ２２１ａ，２２１
ｂ、および第４のコンデンサ２２２ａ，２２２ｂをグラ
ンド導体で挟まなくても良く、積層高周波フィルタ全体
を小型化できる。その結果、寄生容量２３６〜２３９
は、フィルタの入力側のグランドとの間に発生すること
はないので、ハイパスフィルタにも適用することができ
る。
【００２９】なお、この実施の形態３によれば、第１お
よび第２のグランド導体２０５ａ，２０５ｂに挟まれた
構造の積層高周波フィルタについて説明したが、第２の
グランド導体２０５ｂだけを削除したり、第２のグラン
ド導体２０５ｂ、第１および第２のコンデンサ２０６
ｂ，２０７ｂ、そよび第１および第２のコンデンサ２０
６ｂ，２０７ｂを接続する導体ビア２１０を削除しても
同様な効果を奏する。また、この実施の形態３によれ
ば、第１および第２のインダクタ２０８，２０９を、第
１のコンデンサ２０６ａ，２０６ｂおよび第２のコンデ
ンサ２０７ａ，２０７ｂに挟まれないように配置した
が、挟まれるように配置しても良く、同様な効果を奏す
る。
よび第２のグランド導体２０５ａ，２０５ｂに挟まれた
構造の積層高周波フィルタについて説明したが、第２の
グランド導体２０５ｂだけを削除したり、第２のグラン
ド導体２０５ｂ、第１および第２のコンデンサ２０６
ｂ，２０７ｂ、そよび第１および第２のコンデンサ２０
６ｂ，２０７ｂを接続する導体ビア２１０を削除しても
同様な効果を奏する。また、この実施の形態３によれ
ば、第１および第２のインダクタ２０８，２０９を、第
１のコンデンサ２０６ａ，２０６ｂおよび第２のコンデ
ンサ２０７ａ，２０７ｂに挟まれないように配置した
が、挟まれるように配置しても良く、同様な効果を奏す
る。
【００３０】さらに、上記実施の形態１または２に示し
た積層高周波フィルタと、この実施の形態３に示した積
層高周波フィルタとを組み合せても良い。
た積層高周波フィルタと、この実施の形態３に示した積
層高周波フィルタとを組み合せても良い。
【００３１】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、導体
パターンのうちのグランド導体との間に容量を形成する
導体パターンを、その他の導体パターンとそのグランド
導体との間に配置するように構成したので、その他の導
体パターン間にグランド導体を設ける必要がなくなり、
積層高周波フィルタ全体を小型に構成することができ
る。また、その他の導体パターンの寄生容量は、グラン
ド導体との間ではなく、容量を形成する導体パターンと
の間に発生するので、ローパスフィルタの他のフィルタ
にも適用することができる効果がある。
パターンのうちのグランド導体との間に容量を形成する
導体パターンを、その他の導体パターンとそのグランド
導体との間に配置するように構成したので、その他の導
体パターン間にグランド導体を設ける必要がなくなり、
積層高周波フィルタ全体を小型に構成することができ
る。また、その他の導体パターンの寄生容量は、グラン
ド導体との間ではなく、容量を形成する導体パターンと
の間に発生するので、ローパスフィルタの他のフィルタ
にも適用することができる効果がある。
【００３２】この発明によれば、ローパスフィルタ特性
を有する回路の並列のコンデンサに対応する導体パター
ンを、回路のその他の素子に対応する導体パターンの全
体あるいは一部とグランド導体との間に配置するように
構成したので、その他の素子に対応する導体パターン間
にグランド導体を設ける必要がなくなり、積層高周波フ
ィルタ全体を小型に構成することができる。また、その
他の素子に対応する導体パターンの寄生容量は、グラン
ド導体との間ではなく、並列のコンデンサに対応する導
体パターンとの間に発生するので、偶数次のローパスフ
ィルタにも適用することができる効果がある。
を有する回路の並列のコンデンサに対応する導体パター
ンを、回路のその他の素子に対応する導体パターンの全
体あるいは一部とグランド導体との間に配置するように
構成したので、その他の素子に対応する導体パターン間
にグランド導体を設ける必要がなくなり、積層高周波フ
ィルタ全体を小型に構成することができる。また、その
他の素子に対応する導体パターンの寄生容量は、グラン
ド導体との間ではなく、並列のコンデンサに対応する導
体パターンとの間に発生するので、偶数次のローパスフ
ィルタにも適用することができる効果がある。
【００３３】この発明によれば、ローパスフィルタ特性
を有する導体パターンのうちのグランド導体との間に容
量を形成する導体パターンを、その他の導体パターンの
全体あるいは一部と２つのグランド導体との間に配置す
るように構成したので、その他の導体パターン間にグラ
ンド導体を設ける必要がなくなり、積層高周波フィルタ
全体を小型に構成することができる。また、その他の導
体パターンの寄生容量は、グランド導体との間ではな
く、容量を形成する導体パターンとの間に発生するの
で、ローパスフィルタの他のフィルタにも適用すること
ができる効果がある。
を有する導体パターンのうちのグランド導体との間に容
量を形成する導体パターンを、その他の導体パターンの
全体あるいは一部と２つのグランド導体との間に配置す
るように構成したので、その他の導体パターン間にグラ
ンド導体を設ける必要がなくなり、積層高周波フィルタ
全体を小型に構成することができる。また、その他の導
体パターンの寄生容量は、グランド導体との間ではな
く、容量を形成する導体パターンとの間に発生するの
で、ローパスフィルタの他のフィルタにも適用すること
ができる効果がある。
【００３４】この発明によれば、ローパスフィルタ特性
を有する回路の並列のコンデンサに対応する導体パター
ンを、回路のその他の素子に対応する導体パターンの全
体あるいは一部と２つのグランド導体との間に配置する
ように構成したので、その他の素子に対応する導体パタ
ーン間にグランド導体を設ける必要がなくなり、積層高
周波フィルタ全体を小型に構成することができる。ま
た、その他の素子に対応する導体パターンの寄生容量
は、グランド導体との間ではなく、並列のコンデンサに
対応する導体パターンとの間に発生するので、偶数次の
ローパスフィルタにも適用することができる効果があ
る。
を有する回路の並列のコンデンサに対応する導体パター
ンを、回路のその他の素子に対応する導体パターンの全
体あるいは一部と２つのグランド導体との間に配置する
ように構成したので、その他の素子に対応する導体パタ
ーン間にグランド導体を設ける必要がなくなり、積層高
周波フィルタ全体を小型に構成することができる。ま
た、その他の素子に対応する導体パターンの寄生容量
は、グランド導体との間ではなく、並列のコンデンサに
対応する導体パターンとの間に発生するので、偶数次の
ローパスフィルタにも適用することができる効果があ
る。
【００３５】この発明によれば、有極ローパスフィルタ
特性を有する回路の信号線路とグランド間のコンデンサ
に対応する導体パターンを、回路のその他の素子に対応
する導体パターンの全体あるいは一部とグランド導体と
の間に配置するように構成したので、その他の素子に対
応する導体パターン間にグランド導体を設ける必要がな
くなり、積層高周波フィルタ全体を小型に構成すること
ができる。また、その他の素子に対応する導体パターン
の寄生容量は、グランド導体との間ではなく、コンデン
サに対応する導体パターンとの間に発生するので、偶数
次の有極ローパスフィルタにも適用することができる効
果がある。
特性を有する回路の信号線路とグランド間のコンデンサ
に対応する導体パターンを、回路のその他の素子に対応
する導体パターンの全体あるいは一部とグランド導体と
の間に配置するように構成したので、その他の素子に対
応する導体パターン間にグランド導体を設ける必要がな
くなり、積層高周波フィルタ全体を小型に構成すること
ができる。また、その他の素子に対応する導体パターン
の寄生容量は、グランド導体との間ではなく、コンデン
サに対応する導体パターンとの間に発生するので、偶数
次の有極ローパスフィルタにも適用することができる効
果がある。
【００３６】この発明によれば、有極ローパスフィルタ
特性を有する回路の信号線路とグランド間のコンデンサ
に対応する導体パターンを、回路のその他の素子に対応
する導体パターンの全体あるいは一部と２つのグランド
導体との間に配置するように構成したので、その他の素
子に対応する導体パターン間にグランド導体を設ける必
要がなくなり、積層高周波フィルタ全体を小型に構成す
ることができる。また、その他の素子に対応する導体パ
ターンの寄生容量は、グランド導体との間ではなく、コ
ンデンサに対応する導体パターンとの間に発生するの
で、偶数次の有極ローパスフィルタにも適用することが
できる効果がある。
特性を有する回路の信号線路とグランド間のコンデンサ
に対応する導体パターンを、回路のその他の素子に対応
する導体パターンの全体あるいは一部と２つのグランド
導体との間に配置するように構成したので、その他の素
子に対応する導体パターン間にグランド導体を設ける必
要がなくなり、積層高周波フィルタ全体を小型に構成す
ることができる。また、その他の素子に対応する導体パ
ターンの寄生容量は、グランド導体との間ではなく、コ
ンデンサに対応する導体パターンとの間に発生するの
で、偶数次の有極ローパスフィルタにも適用することが
できる効果がある。
【００３７】この発明によれば、ハイパスフィルタ特性
を有する回路の並列のインダクタにさらに並列にコンデ
ンサを設け、運用周波数ではそれらインダクタおよびコ
ンデンサにより所望のインダクタンス値になるように
し、そのコンデンサに対応する導体パターンを、回路の
その他の素子に対応する導体パターンの全体あるいは一
部とグランド導体との間に配置するように構成したの
で、その他の素子に対応する導体パターン間にグランド
導体を設ける必要がなくなり、積層高周波フィルタ全体
を小型に構成することができる。また、その他の素子に
対応する導体パターンの寄生容量は、フィルタの入力側
のグランド導体との間に発生することはないので、ハイ
パスフィルタを構成することができる効果がある。
を有する回路の並列のインダクタにさらに並列にコンデ
ンサを設け、運用周波数ではそれらインダクタおよびコ
ンデンサにより所望のインダクタンス値になるように
し、そのコンデンサに対応する導体パターンを、回路の
その他の素子に対応する導体パターンの全体あるいは一
部とグランド導体との間に配置するように構成したの
で、その他の素子に対応する導体パターン間にグランド
導体を設ける必要がなくなり、積層高周波フィルタ全体
を小型に構成することができる。また、その他の素子に
対応する導体パターンの寄生容量は、フィルタの入力側
のグランド導体との間に発生することはないので、ハイ
パスフィルタを構成することができる効果がある。
【００３８】この発明によれば、ハイパスフィルタ特性
を有する回路の並列のインダクタにさらに並列にコンデ
ンサを設け、運用周波数ではそれらインダクタおよびコ
ンデンサにより所望のインダクタンス値になるように
し、そのコンデンサに対応する導体パターンを、回路の
その他の素子に対応する導体パターンの全体あるいは一
部と２つのグランド導体との間に配置するように構成し
たので、その他の素子に対応する導体パターン間にグラ
ンド導体を設ける必要がなくなり、積層高周波フィルタ
全体を小型に構成することができる。また、その他の素
子に対応する導体パターンの寄生容量は、フィルタの入
力側のグランド導体との間に発生することはないので、
ハイパスフィルタを構成することができる効果がある。
を有する回路の並列のインダクタにさらに並列にコンデ
ンサを設け、運用周波数ではそれらインダクタおよびコ
ンデンサにより所望のインダクタンス値になるように
し、そのコンデンサに対応する導体パターンを、回路の
その他の素子に対応する導体パターンの全体あるいは一
部と２つのグランド導体との間に配置するように構成し
たので、その他の素子に対応する導体パターン間にグラ
ンド導体を設ける必要がなくなり、積層高周波フィルタ
全体を小型に構成することができる。また、その他の素
子に対応する導体パターンの寄生容量は、フィルタの入
力側のグランド導体との間に発生することはないので、
ハイパスフィルタを構成することができる効果がある。
【００３９】この発明によれば、請求項２から請求項６
のうちのいずれか１項記載の積層高周波フィルタと、請
求項７または請求項８記載の積層高周波フィルタとを組
み合せるように構成したので、小型で所望の特性を有す
るローパスフィルタおよびハイパスフィルタの直列回路
を得ることができる効果がある。
のうちのいずれか１項記載の積層高周波フィルタと、請
求項７または請求項８記載の積層高周波フィルタとを組
み合せるように構成したので、小型で所望の特性を有す
るローパスフィルタおよびハイパスフィルタの直列回路
を得ることができる効果がある。
【図１】 この発明の実施の形態１による積層高周波フ
ィルタを示す斜視図である。
ィルタを示す斜視図である。
【図２】 この発明の実施の形態１による積層高周波フ
ィルタを示す断面図である。
ィルタを示す断面図である。
【図３】 この発明の実施の形態１による積層高周波フ
ィルタを示す平面図である。
ィルタを示す平面図である。
【図４】 この発明の実施の形態１による積層高周波フ
ィルタの等価回路を示す回路図である。
ィルタの等価回路を示す回路図である。
【図５】 この発明の実施の形態２による積層高周波フ
ィルタを示す斜視図である。
ィルタを示す斜視図である。
【図６】 この発明の実施の形態２による積層高周波フ
ィルタを示す断面図である。
ィルタを示す断面図である。
【図７】 この発明の実施の形態２による積層高周波フ
ィルタを示す平面図である。
ィルタを示す平面図である。
【図８】 この発明の実施の形態２による積層高周波フ
ィルタの等価回路を示す回路図である。
ィルタの等価回路を示す回路図である。
【図９】 この発明の実施の形態３による積層高周波フ
ィルタを示す斜視図である。
ィルタを示す斜視図である。
【図１０】 この発明の実施の形態３による積層高周波
フィルタを示す断面図である。
フィルタを示す断面図である。
【図１１】 この発明の実施の形態３による積層高周波
フィルタを示す平面図である。
フィルタを示す平面図である。
【図１２】 この発明の実施の形態３による積層高周波
フィルタの等価回路を示す回路図である。
フィルタの等価回路を示す回路図である。
【図１３】 従来の多層基板ローパスフィルタを示す斜
視図である。
視図である。
【図１４】 従来の多層基板ローパスフィルタを示す断
面図である。
面図である。
【図１５】 従来の多層基板ローパスフィルタの等価回
路を示す回路図である。
路を示す回路図である。
１，１０１，２００ 第１層の誘電体、２，１０２，２
０１ 第２層の誘電体、３，１０３，２０２ 第３層の
誘電体、４，１０４，２０３ 第４層の誘電体、５ａ，
１０５ａ，２０５ａ 第１のグランド導体、５ｂ，１０
５ｂ，２０５ｂ第２のグランド導体、６ａ，６ｂ，１
３，１０６ａ，１０６ｂ，１１３，２０６ａ，２０６
ｂ，２３４ 第１のコンデンサ、７ａ，７ｂ，１４，１
０７ａ，１０７ｂ，１１４，２０７ａ，２０７ｂ，２３
５ 第２のコンデンサ、８，１５，１０８，１１５，２
０８，２３２ 第１のインダクタ、９，１６，１０９，
１１６，２０９，２３３ 第２のインダクタ、１０，１
１０，２１０ 導体ビア、１１，１１１，２１１ 第１
の入出力端子、１２，１１２，２１２ 第２の入出力端
子、１７，１８，１１７，１１８，２３６〜２３９ 寄
生容量、１１９，１２１，２２１ａ，２２１ｂ，２３０
第３のコンデンサ、１２０，１２２，２２２ａ，２２
２ｂ，２３１ 第４のコンデンサ、２０４ 第５層の誘
電体。
０１ 第２層の誘電体、３，１０３，２０２ 第３層の
誘電体、４，１０４，２０３ 第４層の誘電体、５ａ，
１０５ａ，２０５ａ 第１のグランド導体、５ｂ，１０
５ｂ，２０５ｂ第２のグランド導体、６ａ，６ｂ，１
３，１０６ａ，１０６ｂ，１１３，２０６ａ，２０６
ｂ，２３４ 第１のコンデンサ、７ａ，７ｂ，１４，１
０７ａ，１０７ｂ，１１４，２０７ａ，２０７ｂ，２３
５ 第２のコンデンサ、８，１５，１０８，１１５，２
０８，２３２ 第１のインダクタ、９，１６，１０９，
１１６，２０９，２３３ 第２のインダクタ、１０，１
１０，２１０ 導体ビア、１１，１１１，２１１ 第１
の入出力端子、１２，１１２，２１２ 第２の入出力端
子、１７，１８，１１７，１１８，２３６〜２３９ 寄
生容量、１１９，１２１，２２１ａ，２２１ｂ，２３０
第３のコンデンサ、１２０，１２２，２２２ａ，２２
２ｂ，２３１ 第４のコンデンサ、２０４ 第５層の誘
電体。
フロントページの続き
(72)発明者 大橋 英征
東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三
菱電機株式会社内
Ｆターム(参考） 5E070 AA05 CB01
5E082 AA01 AB03 EE35 FF05 FG26
FG46
5J024 AA01 CA09 DA04 DA29 DA32
DA33 DA35 EA01
Claims (9)
- 【請求項１】 積層基板内のグランド導体と、上記グラ
ンド導体の近傍に配置され、フィルタ特性を有する導体
パターンとを備え、上記導体パターンのうちの上記グラ
ンド導体との間に容量を形成する導体パターンを、その
他の導体パターンとそのグランド導体との間に配置した
ことを特徴とする積層高周波フィルタ。 - 【請求項２】 積層基板内のグランド導体と、上記グラ
ンド導体の近傍に配置され、ローパスフィルタ特性を有
する回路に相当する導体パターンとを備え、上記ローパ
スフィルタ特性を有する回路の並列のコンデンサに対応
する導体パターンを、上記回路のその他の素子に対応す
る導体パターンの全体あるいは一部と上記グランド導体
との間に配置したことを特徴とする積層高周波フィル
タ。 - 【請求項３】 積層基板内の異なる層に形成された２つ
のグランド導体と、上記２つのグランド導体に挟まれた
層に配置され、ローパスフィルタ特性を有する回路に相
当する導体パターンとを備え、上記ローパスフィルタ特
性を有する導体パターンのうちの上記グランド導体との
間に容量を形成する導体パターンを、その他の導体パタ
ーンの全体あるいは一部と上記２つのグランド導体との
間に配置したことを特徴とする積層高周波フィルタ。 - 【請求項４】 積層基板内の異なる層に形成された２つ
のグランド導体と、上記２つのグランド導体に挟まれた
層に配置され、ローパスフィルタ特性を有する回路に相
当する導体パターンとを備え、上記ローパスフィルタ特
性を有する回路の並列のコンデンサに対応する導体パタ
ーンを、上記回路のその他の素子に対応する導体パター
ンの全体あるいは一部と上記２つのグランド導体との間
に配置したことを特徴とする積層高周波フィルタ。 - 【請求項５】 積層基板内のグランド導体と、上記グラ
ンド導体の近傍に配置され、有極ローパスフィルタ特性
を有する回路に相当する導体パターンとを備え、上記有
極ローパスフィルタ特性を有する回路の信号線路とグラ
ンド間のコンデンサに対応する導体パターンを、上記回
路のその他の素子に対応する導体パターンの全体あるい
は一部と上記グランド導体との間に配置したことを特徴
とする積層高周波フィルタ。 - 【請求項６】 積層基板内の異なる層に形成された２つ
のグランド導体と、上記２つのグランド導体に挟まれた
層に配置され、有極ローパスフィルタ特性を有する回路
に相当する導体パターンとを備え、上記有極ローパスフ
ィルタ特性を有する回路の信号線路とグランド間のコン
デンサに対応する導体パターンを、上記回路のその他の
素子に対応する導体パターンの全体あるいは一部と上記
２つのグランド導体との間に配置したことを特徴とする
積層高周波フィルタ。 - 【請求項７】 積層基板内のグランド導体と、上記グラ
ンド導体の近傍に配置され、ハイパスフィルタ特性を有
する回路に相当する導体パターンとを備え、上記ハイパ
スフィルタ特性を有する回路の並列のインダクタにさら
に並列にコンデンサを設け、運用周波数ではそれらイン
ダクタおよびコンデンサにより所望のインダクタンス値
になるようにし、そのコンデンサに対応する導体パター
ンを、上記回路のその他の素子に対応する導体パターン
の全体あるいは一部と上記グランド導体との間に配置し
たことを特徴とする積層高周波フィルタ。 - 【請求項８】 積層基板内の異なる層に形成された２つ
のグランド導体と、上記２つのグランド導体に挟まれた
層に配置され、ハイパスフィルタ特性を有する回路に相
当する導体パターンとを備え、上記ハイパスフィルタ特
性を有する回路の並列のインダクタにさらに並列にコン
デンサを設け、運用周波数ではそれらインダクタおよび
コンデンサにより所望のインダクタンス値になるように
し、そのコンデンサに対応する導体パターンを、上記回
路のその他の素子に対応する導体パターンの全体あるい
は一部と上記２つのグランド導体との間に配置したこと
を特徴とする積層高周波フィルタ。 - 【請求項９】 請求項２から請求項６のうちのいずれか
１項記載の積層高周波フィルタと、請求項７または請求
項８記載の積層高周波フィルタとを組み合せたことを特
徴とする積層高周波フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001183682A JP4846127B2 (ja) | 2001-06-18 | 2001-06-18 | 積層高周波フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001183682A JP4846127B2 (ja) | 2001-06-18 | 2001-06-18 | 積層高周波フィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003008383A true JP2003008383A (ja) | 2003-01-10 |
| JP4846127B2 JP4846127B2 (ja) | 2011-12-28 |
Family
ID=19023593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001183682A Expired - Fee Related JP4846127B2 (ja) | 2001-06-18 | 2001-06-18 | 積層高周波フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4846127B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018062119A1 (ja) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | 株式会社村田製作所 | 高周波フロントエンド回路、高周波信号処理回路、通信装置 |
-
2001
- 2001-06-18 JP JP2001183682A patent/JP4846127B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018062119A1 (ja) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | 株式会社村田製作所 | 高周波フロントエンド回路、高周波信号処理回路、通信装置 |
| US10679114B2 (en) | 2016-09-30 | 2020-06-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Radio-frequency front end circuit, high-frequency signal processing circuit, and communication device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4846127B2 (ja) | 2011-12-28 |
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