JP2003008189A - 配線基板 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】半田接合の際に、配線層への半田のヌレ性およ
びシェアー試験により評価される接合強度の劣化や、め
っき層のハガレ・フクレ等が発生する。 【解決手段】配線層２のうち少なくとも電子部品３の電
極が半田ボール５を介して接続される領域の表面に、無
電解法により、ニッケルの含有率が９９．９重量％以上
でありかつニッケル粒子の平均粒径が２０ｎｍ以上であ
るニッケルめっき層６、白金、ロジウム、ルテニウムの
少なくとも一種またはその合金めっき層７、および金め
っき層８が順次被着されている配線基板４である。
びシェアー試験により評価される接合強度の劣化や、め
っき層のハガレ・フクレ等が発生する。 【解決手段】配線層２のうち少なくとも電子部品３の電
極が半田ボール５を介して接続される領域の表面に、無
電解法により、ニッケルの含有率が９９．９重量％以上
でありかつニッケル粒子の平均粒径が２０ｎｍ以上であ
るニッケルめっき層６、白金、ロジウム、ルテニウムの
少なくとも一種またはその合金めっき層７、および金め
っき層８が順次被着されている配線基板４である。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子や容量
素子、抵抗器等の電子部品が半田を介して搭載される配
線基板であって、その表面の配線層に無電解法によって
めっき層を被着させて成る配線基板に関するものであ
る。 【０００２】 【従来の技術】従来、半導体素子や容量素子、抵抗器等
の電子部品が搭載される配線基板は、一般に、酸化アル
ミニウム質焼結体から成る絶縁基体と、絶縁基体の上面
から下面にかけて形成されたタングステン・モリブデン
等の高融点金属材料から成る複数個の配線層とから構成
されており、絶縁基体の上面に半導体素子や容量素子、
抵抗器等の電子部品を搭載するとともに電子部品の各電
極を配線層に半田を介して電気的に接続するようになっ
ている。 【０００３】このような配線基板は、配線層の絶縁基体
下面に導出されている部位を外部電気回路基板の配線導
体に半田等を介し接続することによって外部電気回路基
板上に実装され、同時に配線基板に搭載されている電子
部品の各電極が所定の外部電気回路に電気的に接続され
ることとなる。 【０００４】また、このような配線基板は、配線層の少
なくとも電子部品が半田を介して接続される領域にニッ
ケルめっき層と金めっき層が順次被着形成されており、
これらニッケルめっき層はタングステン等の高融点金属
材料から成る配線層に対する半田の接合を良好とし、金
めっき層はニッケルめっき層表面にニッケルの酸化物が
形成されて半田接合性等が劣化するのを防止している。 【０００５】一方、これらニッケルめっき層および金め
っき層を被着形成する方法としては、配線基板の小型化
に伴なう配線層の高密度化によってめっき電力供給用の
引き出し線の形成が困難なことから、引き出し線が不要
である無電解法が多用されつつある。 【０００６】このような無電解法により配線層上にニッ
ケルめっき層を被着形成させる無電解ニッケルめっき浴
としては、一般に硫酸ニッケル等のニッケル化合物と次
亜リン酸ナトリウム等のリン系還元剤とを主成分とする
水溶液に錯化剤、ｐＨ緩衝剤、安定剤等を添加して成る
無電解ニッケル−リンめっき浴が用いられ、これを用い
て被着形成されたニッケルめっき層は、還元剤の分解生
成物であるリンを５〜１５重量％含有するニッケル−リ
ン合金となっている。 【０００７】しかしながら、配線層上の電子部品が半田
を介して接続される領域にニッケル−リン合金から成る
ニッケルめっき層を被着形成した場合には、半田とニッ
ケルめっき層の接合は、半田中の錫とニッケルめっき層
のニッケルとが反応することによって行なわれるが、ニ
ッケル−リン合金めっき層中のリンは半田中の錫や鉛と
は反応しないため、半田とニッケル−リン合金めっき層
との界面にリンが濃縮して脆化層を形成する。その結
果、配線基板と半導体素子等の電子部品との間に両者の
熱膨張係数の相違に起因して発生する応力によって、半
田とニッケル−リン合金めっき層との界面に形成された
脆化層から亀裂を生じ、電気的接続が出来なくなるとい
う問題点を有していた。 【０００８】そこで、このような問題点を解決する手段
として、ニッケル−リン合金めっき層の代わりに脆化層
の形成を阻止すべくニッケル−ホウ素合金めっき層が用
いられるようになってきた。この場合、ニッケルめっき
層は還元剤の分解生成物であるホウ素を０．３〜３重量
％含有させたことから脆化層が形成されないため、半田
接続部の長期信頼性への要求が高い配線基板等に用いら
れるようになってきた。 【０００９】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、配線層
上にニッケル−ホウ素合金から成るニッケルめっき層を
被着形成した場合には、ニッケル−ホウ素合金から成る
めっき層が無電解金めっき浴中に溶出し易く、ニッケル
めっき層と金めっき層との間にボイドおよびそのボイド
が連結することによって形成された空隙部が発生し易く
なるという問題点があった。 【００１０】一方、ニッケル−ホウ素合金の熱膨張係数
が金の熱膨張係数に対し相違すること等から、ニッケル
−ホウ素合金から成るニッケルめっき層と金めっき層の
両方に電子部品を配線層に半田を介して接続させる際等
の熱が作用するとニッケル−ホウ素合金から成るニッケ
ルめっき層と金めっき層との間に両者の熱膨張係数の相
違に起因して発生する応力によって、ニッケルめっき層
表面のボイドおよびそのボイドが連結することによって
形成された空隙部を起点としてハガレやフクレが生じ、
これによって配線層上に電子部品を半田を介して強固に
取着することができなくなるという問題点があった。 【００１１】一方、最近では配線上に電子部品を接合す
る際に用いられる半田の種類として、一般的な錫と鉛の
合金の他に、錫を主成分とする合金、例えば一般に鉛フ
リー半田と称される錫−銀系等の合金が使用されるよう
になってきている。これらの鉛フリー半田は、一般的な
錫−鉛系の半田に比べて融点が高いことから、電子部品
を配線層に半田を介して接続させる際に必要な熱も、錫
−鉛系の半田に比べて高い温度を必要とする。 【００１２】このような場合においては、配線層上にニ
ッケル−ホウ素めっき層とその表面に金めっき層を被着
形成させた配線基板では、多量のニッケル原子が容易に
金めっき層表面に移動拡散し酸化ニッケル層を形成する
ため、配線層への半田のヌレ性やボンディング性を劣化
させてしまうという問題があった。 【００１３】また、ニッケル−ホウ素合金から成るニッ
ケルめっき層と金めっき層との間に両者の熱膨張係数の
相違に起因して発生する応力によってニッケルめっき層
表面のボイドやそれが連結して形成された空隙部を起点
として生じるハガレやフクレが、一般的な錫−鉛系の半
田を使用する場合に比べさらに多くなるという問題点も
あった。 【００１４】本発明は上記問題点を解決するために案出
されたものであり、その目的は、半田接合の際に、下地
のニッケルが金めっき層表面に移動拡散し酸化ニッケル
層を形成することによる配線層への半田のヌレ性やボン
ディング性が劣化することや、金めっき層とニッケルめ
っき層との間にボイドあるいはそれが連結することによ
って形成された空隙部を起点としてハガレやフクレが発
生することを有効に防止し、配線層に電子部品を半田を
介して強固に取着することができる配線基板を提供する
ことにある。 【００１５】 【課題を解決するための手段】本発明の配線基板は、電
子部品の電極が半田を介して接続される配線層を有する
配線基板であって、前記配線層のうち少なくとも前記電
子部品の電極が半田を介して接続される領域の表面に、
無電解法により、ニッケルの含有率が９９．９重量％以
上でありかつニッケル粒子の平均粒径が２０ｎｍ以上で
あるニッケルめっき層、白金、ロジウム、ルテニウムの
少なくとも一種またはその合金めっき層、および金めっ
き層を、順次被着させたことを特徴とするものである。 【００１６】本発明の配線基板によれば、配線層のうち
少なくとも電子部品の電極が半田を介して接続される領
域の表面に、無電解法により、ニッケルの含有量が９
９．９重量％以上でありかつニッケル粒子の平均粒径が
２０ｎｍ以上であるニッケルめっき層、白金、ロジウ
ム、ルテニウムの少なくとも一種またはその合金めっき
層、および金めっき層を順次被着形成させたことから、
特に、配線基板に電子部品を配線層に半田を介して接続
させる際等の熱が作用しても、ニッケルの含有量が９
９．９重量％以上でありかつニッケル粒子の平均粒径が
２０ｎｍ以上であるニッケルめっき層と、白金、ロジウ
ム、ルテニウムの少なくとも一種またはその合金めっき
層とがニッケルの移動拡散を抑制するので、半田ヌレ性
やシェアー試験により評価される接合強度を高く維持す
ることができ、かつ白金、ロジウム、ルテニウムの少な
くとも一種またはその合金めっき層が、金めっき浴中で
ニッケルめっき層表面に形成されるボイドあるいはそれ
が連結した空隙部の発生を抑制するので、これらボイド
や空隙部を起点としてハガレやフクレが発生するのを有
効に防止することができる。その結果、配線層に電子部
品の電極を半田を介して極めて強固に接続することがで
きる。 【００１７】 【発明の実施の形態】次に、本発明を添付図面に基づき
詳細に説明する。 【００１８】図１は、本発明の配線基板を半導体素子を
収容する半導体素子収納用パッケージに適用した場合の
実施の形態の一例を示す断面図であり、１は絶縁基体、
２は配線層である。この絶縁基体１と配線層２とで半導
体素子３を搭載するための配線基板４が形成される。 【００１９】絶縁基体１は、酸化アルミニウム質焼結体
・窒化アルミニウム質焼結体・ムライト質焼結体・炭化
珪素質焼結体・ガラスセラミック焼結体等の電気絶縁材
料から成り、その上面に半導体素子３を搭載する搭載部
を有し、搭載部表面に露出した配線層２に半導体素子３
の電極が半田ボール５を介して接続される。 【００２０】絶縁基体１は、例えば酸化アルミニウム質
焼結体から成る場合には、酸化アルミニウム・酸化珪素
・酸化カルシウム・酸化マグネシウム等の原料粉末に適
当な有機バインダ・溶剤を添加混合して泥漿状のセラミ
ックスラリーと成すとともにこのセラミックスラリーを
従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等
のシート成形技術を採用しシート状と成すことによって
セラミックグリーンシート（セラミック生シート）を得
て、しかる後、このセラミックグリーンシートを切断加
工や打ち抜き加工により適当な形状とするとともにこれ
を複数枚積層し、最後にこの積層されたセラミックグリ
ーンシートを還元雰囲気中、約１６００℃の温度で焼成
することによって製作される。 【００２１】また絶縁基体１は、その上面の搭載部から
下面にかけて多数の配線層２が被着形成されており、配
線層２の搭載部に露出した部位には半導体素子３の各電
極が半田ボール５を介して電気的に接続され、また絶縁
基体１の下面に導出された部位には外部電気回路基板の
配線導体が半田等を介して電気的に接続される。 【００２２】配線層２は、搭載される半導体素子３の各
電極を外部電気回路に接続する作用を成し、例えば、タ
ングステン・モリブデン・マンガン等の高融点金属粉末
から成り、タングステン等の高融点金属粉末に適当な有
機バインダや溶剤を添加混合して得た金属ペーストを絶
縁基体１と成るセラミックグリーンシートに予め従来周
知のスクリーン印刷法により所定パターンに印刷塗布し
ておくことによって絶縁基体１の搭載部から下面にかけ
て被着形成される。 【００２３】また配線層２は、図２に要部拡大断面図で
示すように、少なくとも半導体素子３の電極が半田ボー
ル５を介して接続される領域に、無電解法により、ニッ
ケルの含有量が９９．９重量％以上でありかつニッケル
粒子の平均粒径が２０ｎｍ以上であるニッケルめっき層
６、白金、ロジウム、ルテニウムの少なくとも一種また
はその合金めっき層７、および金めっき層８が順次被着
形成されている。 【００２４】めっき浴中の金属イオンを還元析出させる
ための電子の供給源として還元剤を利用する無電解法
は、外部電源から電子を供給する必要がある電解法に比
べ、被めっき物の形状に制約が少なくめっき層を均一な
厚みに被着形成することができる。また、被めっき部に
めっき電力を供給するための引き出し線が不要であるこ
とから配線層２を高密度で形成することが可能で、配線
基板４の小型化を容易とすることができる。 【００２５】このような無電解法により、配線層２上に
は、ニッケルの含有率が９９．９重量％以上でありかつ
ニッケル粒子の平均粒径が２０ｎｍ以上であるニッケル
めっき層６が所定厚みに被着形成されている。このニッ
ケルめっき層６は、共析成分をほとんど含有しないこと
から、従来のようなニッケル−リンめっき層やニッケル
−ホウ素めっき層等の共析成分を含有しそのニッケル粒
子の平均粒径が１０ｎｍ以下と非常に小さなものと比べ
て、熱によりニッケルが移動拡散する際の経路となる結
晶粒界が少ないという特徴を持つ。その結果、このニッ
ケルめっき層６は、配線層２に白金、ロジウム、ルテニ
ウムの少なくとも一種またはその合金めっき層７、およ
び金めっき層８を強固に被着接合させ、かつ電子部品を
配線層２に半田ボール５を介して接続させる際等の熱に
よってニッケルが移動拡散し難くする作用をなす。 【００２６】ニッケルめっき層６は、例えば、酢酸ニッ
ケル・塩化ニッケル等のニッケル化合物と、ヒドラジン
・ホルマリン等のニッケルめっき層中に共析する成分を
含有しない還元剤とを主成分とし、クエン酸・エチレン
ジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）またはこれらのナトリウム
・カリウム塩等の錯化剤、ホウ酸等のｐＨ緩衝剤、サッ
カリン等の安定剤を添加して成る無電解ニッケルめっき
浴を用いた無電解法により配線層２上に被着形成され
る。 【００２７】なお、ニッケルめっき層６は、ニッケルの
含有率が９９．９重量％未満となると、共析成分の作用
によってニッケルめっき層６を形成しているニッケル粒
子の粒径が２０ｎｍ未満と非常に小さくなるとともに結
晶粒界が急激に増加するため、結晶粒界に沿ってニッケ
ル原子が移動拡散しやすくなり、半導体素子３の電極を
半田ボール５を介して配線層２に接続する際等において
熱が印加されると金めっき層８表面に酸化ニッケル層を
形成してしまい、電子部品を配線層２に半田ボール５を
介して強固に接続することが困難となる。従って、ニッ
ケルめっき層６は、ニッケルの含有率を９９．９重量％
以上としかつニッケル粒子の平均粒径を２０ｎｍ以上と
することが必要である。 【００２８】また、ニッケルめっき層６の厚みは、配線
層２を完全に被覆するという観点からは、０．５μｍ以
上が望ましく、また５μｍを超えると内部応力が大きく
なるため、配線層２への密着強度という観点からは、そ
の厚みを５μｍ以下とすることが望ましい。従って、ニ
ッケルめっき層６は、その厚みを０．５μｍ〜５μｍの
範囲としておくことがより好ましい。 【００２９】次に、ニッケルめっき層６上には、白金、
ロジウム、ルテニウムの少なくとも一種またはその合金
めっき層７が所定厚みに被着形成されている。白金、ロ
ジウム、ルテニウムの少なくとも一種またはその合金め
っき層７は、ニッケルめっき層６と金めっき層８を強固
に被着接合させるために形成され、ニッケルめっき層６
の表面上にボイドやそれが連結して形成される空隙部が
発生することを抑制する作用をなす。また、半導体素子
３の電極を半田ボール５を介して配線層２に接続する際
等の熱によって、ニッケルめっき層６のニッケルが金め
っき層８の表面へ移動拡散することを防止するためのバ
リア層として作用する。 【００３０】白金、ロジウム、ルテニウムの少なくとも
一種またはその合金めっき層７は、例えば、白金の場合
であれば、ジニトロジアンミン白金等の白金のアンミン
錯塩と、ヒドラジン、水素化ホウ素ナトリウム等の還元
剤とを主成分とし、エチレンジアミン、アンモニア等の
錯化剤、ヒドロキシルアミン塩類等の安定剤、アンモニ
ア（錯化剤、安定剤、ｐH調整剤等として作用）等を添
加してなる無電解白金めっき浴を用いた無電解法により
ニッケルめっき層６上に被着形成される。なお、ルテニ
ウム、ロジウムの場合も、上記同様のアンミン錯塩とヒ
ドラジン等の還元剤を主成分とする無電解めっき浴によ
り形成することができる。 【００３１】この場合、白金、ロジウムおよびルテニウ
ムの無電解めっき浴は下地ニッケルの触媒能によって自
己触媒的に白金、ロジウム、ルテニウムが析出すること
から、下地ニッケルをめっき浴中に溶解することがない
ため、ニッケルめっき層６表面にピンホールやボイド等
を形成することなく均一厚みに、かつ強固に被着形成す
ることができる。 【００３２】また、白金、ロジウム、ルテニウムの少な
くとも一種またはその合金めっき層７は極めて耐食性に
優れることから、次の工程となる金めっき層８を被着形
成する際に無電解金めっき浴中でニッケルめっき層６が
酸化腐食され、ボイドやそれが連結して形成される空隙
部が発生することを防止する作用を有する。 【００３３】なお、白金、ロジウム、ルテニウムの少な
くとも一種またはその合金めっき層７の厚みは、次の工
程となる無電解金めっき浴中でニッケルめっき層６が酸
化腐食されることを有効に防止するという観点からは、
その厚みは０．００５μｍ以上が望ましく、また配線層
２に対する半田ボール５の接合強度という観点からはそ
の厚みは２μｍ以下が望ましい。従って、白金、ロジウ
ム、ルテニウムの少なくとも一種またはその合金めっき
層７はその厚みを０．００５μｍ〜２μｍの範囲として
おくことが好ましい。 【００３４】また、白金、ロジウム、ルテニウムの少な
くとも一種またはその合金めっき層７は無電解法であれ
ばどのような白金、ロジウム、ルテニウムの少なくとも
一種またはその合金めっき層を使用しても良く、これを
被着形成する際に用いた無電解めっき浴中の還元剤の種
類によって、例えば、ヒドラジン等の共析成分を含まな
いような還元剤を用いた場合は純度９９．９重量％以上
の白金、ロジウム、ルテニウムのめっき層が得られる。 【００３５】さらに、白金、ロジウム、ルテニウムの少
なくとも一種またはその合金めっき層７の表面には金め
っき層８が所定厚みに被着形成されており、金めっき層
８はニッケルめっき層６、および白金、ロジウム、ルテ
ニウムの少なくとも一種またはその合金めっき層７が酸
化腐蝕するのを有効に防止することができるとともに、
金めっき層８は半田ヌレ性が極めて良いことから半田を
配線層２に強固に接合させる作用をなす。 【００３６】金めっき層８は、例えば、従来周知のシア
ン化金カリウム等の金化合物とエチレンジアミン四酢酸
（ナトリウム塩）等の錯化剤とを含有する置換型の無電
解金めっき浴を用いる無電解法により白金、ロジウム、
ルテニウムの少なくとも一種またはその合金めっき層７
表面に形成される。 【００３７】金めっき層８の厚みは、ニッケルめっき層
６、および白金、ロジウム、ルテニウムの少なくとも一
種またはその合金めっき層７の酸化を有効に防ぐために
は、その厚みは０．０５μｍ以上が望ましく、また０．
８μｍを超えて厚くすると、半導体素子３の電極を配線
層２に接続する半田ボール５との間で金−錫等の脆い金
属間化合物が形成され、接続部の長期信頼性を低くする
傾向がある。従って、金めっき層８は、その厚みを０．
０５μｍ〜０．８μｍの範囲としておくことが好まし
い。 【００３８】一方、半導体素子３が搭載された絶縁基体
１は、その上面に蓋体９が樹脂・ガラス・ロウ材等から
成る封止材を介して接合され、この蓋体９と絶縁基体１
とによって半導体素子３を気密に封止するようになって
いる。 【００３９】蓋体９は酸化アルミニウム質焼結体・ムラ
イト質焼結体・窒化アルミニウム質焼結体等のセラミッ
クス材料、あるいは鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−
ニッケル合金等の金属材料から成り、例えば、酸化アル
ミニウム質焼結体から成る場合には、酸化アルミニウム
・酸化珪素・酸化マグネシウム・酸化カルシウム等の原
料粉末を従来周知のプレス成形法を採用することによっ
て椀状に成形するとともにこれを約１５００℃の温度で
焼成することによって形成される。 【００４０】かくして本発明の配線基板４によれば、絶
縁基体１上面の搭載部表面に露出した配線層２に半導体
素子３の電極を半田ボール５を介して電気的・機械的に
接続し、しかる後、絶縁基体１の上面に金属やセラミッ
クスから成る蓋体９をガラスや樹脂・ロウ材等の封止材
を介して接合させ、絶縁基体１と蓋体９とから成る容器
内部に半導体素子３を気密に収容することによって製品
としての半導体装置が完成する。 【００４１】なお、本発明の配線基板は上述の実施の形
態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱
しない範囲であれば種々の変更は可能である。例えば、
上述の実施の形態の例では本発明の配線基板を半導体素
子を収容する半導体素子収納用パッケージに適用した
が、混成集積回路基板等の他の用途に適用しても良い。 【００４２】 【発明の効果】本発明の配線基板によれば、配線層のう
ち少なくとも電子部品の電極が半田を介して接続される
領域の表面に、無電解法により、ニッケルの含有量が９
９．９重量％以上でありかつニッケル粒子の平均粒径が
２０ｎｍ以上であるニッケルめっき層、白金、ロジウ
ム、ルテニウムの少なくとも一種またはその合金めっき
層、および金めっき層を順次被着形成させたことから、
特に、配線基板に電子部品を配線層に半田を介して接続
させる際等の熱が作用しても、半田ヌレ性やシェアー試
験により評価される接合強度を高く維持することがで
き、かつハガレやフクレが発生するのを有効に防止する
ことができるので、配線層に電子部品の電極を半田を介
して極めて強固に接続することができる。 【００４３】また、ニッケルの含有量が９９．９重量％
以上でありかつニッケル粒子の平均粒径が２０ｎｍ以上
であるニッケルめっき層を被着形成したことから、ニッ
ケル原子が移動拡散する際の経路であるニッケル結晶粒
界が少なくなるので、電子部品を配線層に半田ボールを
介して接続させる際等の熱によって金めっき層表面にニ
ッケルが移動拡散することを有効に抑制することができ
る。 【００４４】また、ニッケルの含有量が９９．９重量％
以上でありかつニッケル粒子の平均粒径が２０ｎｍ以上
であるニッケルめっき層上に、耐蝕性に優れ無電解金め
っき浴中にニッケルが溶出することを抑制する白金、ロ
ジウム、ルテニウムの少なくとも一種またはその合金め
っき層を被着形成したことから、金めっき層とニッケル
めっき層との間にハガレやフクレが発生することを有効
に防止することができる。さらに、電子部品を配線層に
半田ボールを介して接続させる際等の熱によって移動拡
散するニッケル原子のバリア層となるので、金めっき層
表面に酸化ニッケル層が形成されることを有効に防止す
ることができる。 【００４５】また、白金、ロジウム、ルテニウムの少な
くとも一種またはその合金めっき層上に耐食性に優れか
つ半田とのヌレ性に優れる金めっき層を被着形成したこ
とから、ニッケルの含有量が９９．９重量％以上であり
かつニッケル粒子の平均粒径が２０ｎｍ以上であるニッ
ケルめっき層、および白金、ロジウム、ルテニウムの少
なくとも一種またはその合金めっき層が酸化腐蝕するの
を有効に防止することができるとともに半田を強固に接
合させることができる。 【００４６】また、本発明の配線基板によれば、ニッケ
ルめっき層のニッケル含有率を９９．９重量％以上とし
てニッケル粒子の平均粒径を２０ｎｍ以上とし、さらに
このニッケルめっき層と金めっき層との間に白金、ロジ
ウム、ルテニウムの少なくとも一種またはその合金めっ
き層を形成したことから、金めっき層表面へ移動拡散す
るニッケルの量を極めて少なくすることができるので、
例えば、金と半田（錫等）とから成る脆い金属間化合物
が大量に形成されることを防ぐために、金めっき層の厚
さを０．０５μｍ〜０．８μｍと薄くしたとしても、ニ
ッケルが金めっき層の表面にまで移動拡散して酸化物層
を形成し半田ヌレ性を劣化させる、という問題を生じる
ことはない。 【００４７】また、一般に鉛フリー半田と称される錫−
銀系の半田を使用することによって、電子部品を配線層
に半田を介して接続する際の熱負荷量が大きくなって
も、電子部品を配線層に半田を介して極めて容易かつ確
実に接続することが可能で、この半田接続部の長期信頼
性を優れたものとなすこともできる。
素子、抵抗器等の電子部品が半田を介して搭載される配
線基板であって、その表面の配線層に無電解法によって
めっき層を被着させて成る配線基板に関するものであ
る。 【０００２】 【従来の技術】従来、半導体素子や容量素子、抵抗器等
の電子部品が搭載される配線基板は、一般に、酸化アル
ミニウム質焼結体から成る絶縁基体と、絶縁基体の上面
から下面にかけて形成されたタングステン・モリブデン
等の高融点金属材料から成る複数個の配線層とから構成
されており、絶縁基体の上面に半導体素子や容量素子、
抵抗器等の電子部品を搭載するとともに電子部品の各電
極を配線層に半田を介して電気的に接続するようになっ
ている。 【０００３】このような配線基板は、配線層の絶縁基体
下面に導出されている部位を外部電気回路基板の配線導
体に半田等を介し接続することによって外部電気回路基
板上に実装され、同時に配線基板に搭載されている電子
部品の各電極が所定の外部電気回路に電気的に接続され
ることとなる。 【０００４】また、このような配線基板は、配線層の少
なくとも電子部品が半田を介して接続される領域にニッ
ケルめっき層と金めっき層が順次被着形成されており、
これらニッケルめっき層はタングステン等の高融点金属
材料から成る配線層に対する半田の接合を良好とし、金
めっき層はニッケルめっき層表面にニッケルの酸化物が
形成されて半田接合性等が劣化するのを防止している。 【０００５】一方、これらニッケルめっき層および金め
っき層を被着形成する方法としては、配線基板の小型化
に伴なう配線層の高密度化によってめっき電力供給用の
引き出し線の形成が困難なことから、引き出し線が不要
である無電解法が多用されつつある。 【０００６】このような無電解法により配線層上にニッ
ケルめっき層を被着形成させる無電解ニッケルめっき浴
としては、一般に硫酸ニッケル等のニッケル化合物と次
亜リン酸ナトリウム等のリン系還元剤とを主成分とする
水溶液に錯化剤、ｐＨ緩衝剤、安定剤等を添加して成る
無電解ニッケル−リンめっき浴が用いられ、これを用い
て被着形成されたニッケルめっき層は、還元剤の分解生
成物であるリンを５〜１５重量％含有するニッケル−リ
ン合金となっている。 【０００７】しかしながら、配線層上の電子部品が半田
を介して接続される領域にニッケル−リン合金から成る
ニッケルめっき層を被着形成した場合には、半田とニッ
ケルめっき層の接合は、半田中の錫とニッケルめっき層
のニッケルとが反応することによって行なわれるが、ニ
ッケル−リン合金めっき層中のリンは半田中の錫や鉛と
は反応しないため、半田とニッケル−リン合金めっき層
との界面にリンが濃縮して脆化層を形成する。その結
果、配線基板と半導体素子等の電子部品との間に両者の
熱膨張係数の相違に起因して発生する応力によって、半
田とニッケル−リン合金めっき層との界面に形成された
脆化層から亀裂を生じ、電気的接続が出来なくなるとい
う問題点を有していた。 【０００８】そこで、このような問題点を解決する手段
として、ニッケル−リン合金めっき層の代わりに脆化層
の形成を阻止すべくニッケル−ホウ素合金めっき層が用
いられるようになってきた。この場合、ニッケルめっき
層は還元剤の分解生成物であるホウ素を０．３〜３重量
％含有させたことから脆化層が形成されないため、半田
接続部の長期信頼性への要求が高い配線基板等に用いら
れるようになってきた。 【０００９】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、配線層
上にニッケル−ホウ素合金から成るニッケルめっき層を
被着形成した場合には、ニッケル−ホウ素合金から成る
めっき層が無電解金めっき浴中に溶出し易く、ニッケル
めっき層と金めっき層との間にボイドおよびそのボイド
が連結することによって形成された空隙部が発生し易く
なるという問題点があった。 【００１０】一方、ニッケル−ホウ素合金の熱膨張係数
が金の熱膨張係数に対し相違すること等から、ニッケル
−ホウ素合金から成るニッケルめっき層と金めっき層の
両方に電子部品を配線層に半田を介して接続させる際等
の熱が作用するとニッケル−ホウ素合金から成るニッケ
ルめっき層と金めっき層との間に両者の熱膨張係数の相
違に起因して発生する応力によって、ニッケルめっき層
表面のボイドおよびそのボイドが連結することによって
形成された空隙部を起点としてハガレやフクレが生じ、
これによって配線層上に電子部品を半田を介して強固に
取着することができなくなるという問題点があった。 【００１１】一方、最近では配線上に電子部品を接合す
る際に用いられる半田の種類として、一般的な錫と鉛の
合金の他に、錫を主成分とする合金、例えば一般に鉛フ
リー半田と称される錫−銀系等の合金が使用されるよう
になってきている。これらの鉛フリー半田は、一般的な
錫−鉛系の半田に比べて融点が高いことから、電子部品
を配線層に半田を介して接続させる際に必要な熱も、錫
−鉛系の半田に比べて高い温度を必要とする。 【００１２】このような場合においては、配線層上にニ
ッケル−ホウ素めっき層とその表面に金めっき層を被着
形成させた配線基板では、多量のニッケル原子が容易に
金めっき層表面に移動拡散し酸化ニッケル層を形成する
ため、配線層への半田のヌレ性やボンディング性を劣化
させてしまうという問題があった。 【００１３】また、ニッケル−ホウ素合金から成るニッ
ケルめっき層と金めっき層との間に両者の熱膨張係数の
相違に起因して発生する応力によってニッケルめっき層
表面のボイドやそれが連結して形成された空隙部を起点
として生じるハガレやフクレが、一般的な錫−鉛系の半
田を使用する場合に比べさらに多くなるという問題点も
あった。 【００１４】本発明は上記問題点を解決するために案出
されたものであり、その目的は、半田接合の際に、下地
のニッケルが金めっき層表面に移動拡散し酸化ニッケル
層を形成することによる配線層への半田のヌレ性やボン
ディング性が劣化することや、金めっき層とニッケルめ
っき層との間にボイドあるいはそれが連結することによ
って形成された空隙部を起点としてハガレやフクレが発
生することを有効に防止し、配線層に電子部品を半田を
介して強固に取着することができる配線基板を提供する
ことにある。 【００１５】 【課題を解決するための手段】本発明の配線基板は、電
子部品の電極が半田を介して接続される配線層を有する
配線基板であって、前記配線層のうち少なくとも前記電
子部品の電極が半田を介して接続される領域の表面に、
無電解法により、ニッケルの含有率が９９．９重量％以
上でありかつニッケル粒子の平均粒径が２０ｎｍ以上で
あるニッケルめっき層、白金、ロジウム、ルテニウムの
少なくとも一種またはその合金めっき層、および金めっ
き層を、順次被着させたことを特徴とするものである。 【００１６】本発明の配線基板によれば、配線層のうち
少なくとも電子部品の電極が半田を介して接続される領
域の表面に、無電解法により、ニッケルの含有量が９
９．９重量％以上でありかつニッケル粒子の平均粒径が
２０ｎｍ以上であるニッケルめっき層、白金、ロジウ
ム、ルテニウムの少なくとも一種またはその合金めっき
層、および金めっき層を順次被着形成させたことから、
特に、配線基板に電子部品を配線層に半田を介して接続
させる際等の熱が作用しても、ニッケルの含有量が９
９．９重量％以上でありかつニッケル粒子の平均粒径が
２０ｎｍ以上であるニッケルめっき層と、白金、ロジウ
ム、ルテニウムの少なくとも一種またはその合金めっき
層とがニッケルの移動拡散を抑制するので、半田ヌレ性
やシェアー試験により評価される接合強度を高く維持す
ることができ、かつ白金、ロジウム、ルテニウムの少な
くとも一種またはその合金めっき層が、金めっき浴中で
ニッケルめっき層表面に形成されるボイドあるいはそれ
が連結した空隙部の発生を抑制するので、これらボイド
や空隙部を起点としてハガレやフクレが発生するのを有
効に防止することができる。その結果、配線層に電子部
品の電極を半田を介して極めて強固に接続することがで
きる。 【００１７】 【発明の実施の形態】次に、本発明を添付図面に基づき
詳細に説明する。 【００１８】図１は、本発明の配線基板を半導体素子を
収容する半導体素子収納用パッケージに適用した場合の
実施の形態の一例を示す断面図であり、１は絶縁基体、
２は配線層である。この絶縁基体１と配線層２とで半導
体素子３を搭載するための配線基板４が形成される。 【００１９】絶縁基体１は、酸化アルミニウム質焼結体
・窒化アルミニウム質焼結体・ムライト質焼結体・炭化
珪素質焼結体・ガラスセラミック焼結体等の電気絶縁材
料から成り、その上面に半導体素子３を搭載する搭載部
を有し、搭載部表面に露出した配線層２に半導体素子３
の電極が半田ボール５を介して接続される。 【００２０】絶縁基体１は、例えば酸化アルミニウム質
焼結体から成る場合には、酸化アルミニウム・酸化珪素
・酸化カルシウム・酸化マグネシウム等の原料粉末に適
当な有機バインダ・溶剤を添加混合して泥漿状のセラミ
ックスラリーと成すとともにこのセラミックスラリーを
従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等
のシート成形技術を採用しシート状と成すことによって
セラミックグリーンシート（セラミック生シート）を得
て、しかる後、このセラミックグリーンシートを切断加
工や打ち抜き加工により適当な形状とするとともにこれ
を複数枚積層し、最後にこの積層されたセラミックグリ
ーンシートを還元雰囲気中、約１６００℃の温度で焼成
することによって製作される。 【００２１】また絶縁基体１は、その上面の搭載部から
下面にかけて多数の配線層２が被着形成されており、配
線層２の搭載部に露出した部位には半導体素子３の各電
極が半田ボール５を介して電気的に接続され、また絶縁
基体１の下面に導出された部位には外部電気回路基板の
配線導体が半田等を介して電気的に接続される。 【００２２】配線層２は、搭載される半導体素子３の各
電極を外部電気回路に接続する作用を成し、例えば、タ
ングステン・モリブデン・マンガン等の高融点金属粉末
から成り、タングステン等の高融点金属粉末に適当な有
機バインダや溶剤を添加混合して得た金属ペーストを絶
縁基体１と成るセラミックグリーンシートに予め従来周
知のスクリーン印刷法により所定パターンに印刷塗布し
ておくことによって絶縁基体１の搭載部から下面にかけ
て被着形成される。 【００２３】また配線層２は、図２に要部拡大断面図で
示すように、少なくとも半導体素子３の電極が半田ボー
ル５を介して接続される領域に、無電解法により、ニッ
ケルの含有量が９９．９重量％以上でありかつニッケル
粒子の平均粒径が２０ｎｍ以上であるニッケルめっき層
６、白金、ロジウム、ルテニウムの少なくとも一種また
はその合金めっき層７、および金めっき層８が順次被着
形成されている。 【００２４】めっき浴中の金属イオンを還元析出させる
ための電子の供給源として還元剤を利用する無電解法
は、外部電源から電子を供給する必要がある電解法に比
べ、被めっき物の形状に制約が少なくめっき層を均一な
厚みに被着形成することができる。また、被めっき部に
めっき電力を供給するための引き出し線が不要であるこ
とから配線層２を高密度で形成することが可能で、配線
基板４の小型化を容易とすることができる。 【００２５】このような無電解法により、配線層２上に
は、ニッケルの含有率が９９．９重量％以上でありかつ
ニッケル粒子の平均粒径が２０ｎｍ以上であるニッケル
めっき層６が所定厚みに被着形成されている。このニッ
ケルめっき層６は、共析成分をほとんど含有しないこと
から、従来のようなニッケル−リンめっき層やニッケル
−ホウ素めっき層等の共析成分を含有しそのニッケル粒
子の平均粒径が１０ｎｍ以下と非常に小さなものと比べ
て、熱によりニッケルが移動拡散する際の経路となる結
晶粒界が少ないという特徴を持つ。その結果、このニッ
ケルめっき層６は、配線層２に白金、ロジウム、ルテニ
ウムの少なくとも一種またはその合金めっき層７、およ
び金めっき層８を強固に被着接合させ、かつ電子部品を
配線層２に半田ボール５を介して接続させる際等の熱に
よってニッケルが移動拡散し難くする作用をなす。 【００２６】ニッケルめっき層６は、例えば、酢酸ニッ
ケル・塩化ニッケル等のニッケル化合物と、ヒドラジン
・ホルマリン等のニッケルめっき層中に共析する成分を
含有しない還元剤とを主成分とし、クエン酸・エチレン
ジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）またはこれらのナトリウム
・カリウム塩等の錯化剤、ホウ酸等のｐＨ緩衝剤、サッ
カリン等の安定剤を添加して成る無電解ニッケルめっき
浴を用いた無電解法により配線層２上に被着形成され
る。 【００２７】なお、ニッケルめっき層６は、ニッケルの
含有率が９９．９重量％未満となると、共析成分の作用
によってニッケルめっき層６を形成しているニッケル粒
子の粒径が２０ｎｍ未満と非常に小さくなるとともに結
晶粒界が急激に増加するため、結晶粒界に沿ってニッケ
ル原子が移動拡散しやすくなり、半導体素子３の電極を
半田ボール５を介して配線層２に接続する際等において
熱が印加されると金めっき層８表面に酸化ニッケル層を
形成してしまい、電子部品を配線層２に半田ボール５を
介して強固に接続することが困難となる。従って、ニッ
ケルめっき層６は、ニッケルの含有率を９９．９重量％
以上としかつニッケル粒子の平均粒径を２０ｎｍ以上と
することが必要である。 【００２８】また、ニッケルめっき層６の厚みは、配線
層２を完全に被覆するという観点からは、０．５μｍ以
上が望ましく、また５μｍを超えると内部応力が大きく
なるため、配線層２への密着強度という観点からは、そ
の厚みを５μｍ以下とすることが望ましい。従って、ニ
ッケルめっき層６は、その厚みを０．５μｍ〜５μｍの
範囲としておくことがより好ましい。 【００２９】次に、ニッケルめっき層６上には、白金、
ロジウム、ルテニウムの少なくとも一種またはその合金
めっき層７が所定厚みに被着形成されている。白金、ロ
ジウム、ルテニウムの少なくとも一種またはその合金め
っき層７は、ニッケルめっき層６と金めっき層８を強固
に被着接合させるために形成され、ニッケルめっき層６
の表面上にボイドやそれが連結して形成される空隙部が
発生することを抑制する作用をなす。また、半導体素子
３の電極を半田ボール５を介して配線層２に接続する際
等の熱によって、ニッケルめっき層６のニッケルが金め
っき層８の表面へ移動拡散することを防止するためのバ
リア層として作用する。 【００３０】白金、ロジウム、ルテニウムの少なくとも
一種またはその合金めっき層７は、例えば、白金の場合
であれば、ジニトロジアンミン白金等の白金のアンミン
錯塩と、ヒドラジン、水素化ホウ素ナトリウム等の還元
剤とを主成分とし、エチレンジアミン、アンモニア等の
錯化剤、ヒドロキシルアミン塩類等の安定剤、アンモニ
ア（錯化剤、安定剤、ｐH調整剤等として作用）等を添
加してなる無電解白金めっき浴を用いた無電解法により
ニッケルめっき層６上に被着形成される。なお、ルテニ
ウム、ロジウムの場合も、上記同様のアンミン錯塩とヒ
ドラジン等の還元剤を主成分とする無電解めっき浴によ
り形成することができる。 【００３１】この場合、白金、ロジウムおよびルテニウ
ムの無電解めっき浴は下地ニッケルの触媒能によって自
己触媒的に白金、ロジウム、ルテニウムが析出すること
から、下地ニッケルをめっき浴中に溶解することがない
ため、ニッケルめっき層６表面にピンホールやボイド等
を形成することなく均一厚みに、かつ強固に被着形成す
ることができる。 【００３２】また、白金、ロジウム、ルテニウムの少な
くとも一種またはその合金めっき層７は極めて耐食性に
優れることから、次の工程となる金めっき層８を被着形
成する際に無電解金めっき浴中でニッケルめっき層６が
酸化腐食され、ボイドやそれが連結して形成される空隙
部が発生することを防止する作用を有する。 【００３３】なお、白金、ロジウム、ルテニウムの少な
くとも一種またはその合金めっき層７の厚みは、次の工
程となる無電解金めっき浴中でニッケルめっき層６が酸
化腐食されることを有効に防止するという観点からは、
その厚みは０．００５μｍ以上が望ましく、また配線層
２に対する半田ボール５の接合強度という観点からはそ
の厚みは２μｍ以下が望ましい。従って、白金、ロジウ
ム、ルテニウムの少なくとも一種またはその合金めっき
層７はその厚みを０．００５μｍ〜２μｍの範囲として
おくことが好ましい。 【００３４】また、白金、ロジウム、ルテニウムの少な
くとも一種またはその合金めっき層７は無電解法であれ
ばどのような白金、ロジウム、ルテニウムの少なくとも
一種またはその合金めっき層を使用しても良く、これを
被着形成する際に用いた無電解めっき浴中の還元剤の種
類によって、例えば、ヒドラジン等の共析成分を含まな
いような還元剤を用いた場合は純度９９．９重量％以上
の白金、ロジウム、ルテニウムのめっき層が得られる。 【００３５】さらに、白金、ロジウム、ルテニウムの少
なくとも一種またはその合金めっき層７の表面には金め
っき層８が所定厚みに被着形成されており、金めっき層
８はニッケルめっき層６、および白金、ロジウム、ルテ
ニウムの少なくとも一種またはその合金めっき層７が酸
化腐蝕するのを有効に防止することができるとともに、
金めっき層８は半田ヌレ性が極めて良いことから半田を
配線層２に強固に接合させる作用をなす。 【００３６】金めっき層８は、例えば、従来周知のシア
ン化金カリウム等の金化合物とエチレンジアミン四酢酸
（ナトリウム塩）等の錯化剤とを含有する置換型の無電
解金めっき浴を用いる無電解法により白金、ロジウム、
ルテニウムの少なくとも一種またはその合金めっき層７
表面に形成される。 【００３７】金めっき層８の厚みは、ニッケルめっき層
６、および白金、ロジウム、ルテニウムの少なくとも一
種またはその合金めっき層７の酸化を有効に防ぐために
は、その厚みは０．０５μｍ以上が望ましく、また０．
８μｍを超えて厚くすると、半導体素子３の電極を配線
層２に接続する半田ボール５との間で金−錫等の脆い金
属間化合物が形成され、接続部の長期信頼性を低くする
傾向がある。従って、金めっき層８は、その厚みを０．
０５μｍ〜０．８μｍの範囲としておくことが好まし
い。 【００３８】一方、半導体素子３が搭載された絶縁基体
１は、その上面に蓋体９が樹脂・ガラス・ロウ材等から
成る封止材を介して接合され、この蓋体９と絶縁基体１
とによって半導体素子３を気密に封止するようになって
いる。 【００３９】蓋体９は酸化アルミニウム質焼結体・ムラ
イト質焼結体・窒化アルミニウム質焼結体等のセラミッ
クス材料、あるいは鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−
ニッケル合金等の金属材料から成り、例えば、酸化アル
ミニウム質焼結体から成る場合には、酸化アルミニウム
・酸化珪素・酸化マグネシウム・酸化カルシウム等の原
料粉末を従来周知のプレス成形法を採用することによっ
て椀状に成形するとともにこれを約１５００℃の温度で
焼成することによって形成される。 【００４０】かくして本発明の配線基板４によれば、絶
縁基体１上面の搭載部表面に露出した配線層２に半導体
素子３の電極を半田ボール５を介して電気的・機械的に
接続し、しかる後、絶縁基体１の上面に金属やセラミッ
クスから成る蓋体９をガラスや樹脂・ロウ材等の封止材
を介して接合させ、絶縁基体１と蓋体９とから成る容器
内部に半導体素子３を気密に収容することによって製品
としての半導体装置が完成する。 【００４１】なお、本発明の配線基板は上述の実施の形
態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱
しない範囲であれば種々の変更は可能である。例えば、
上述の実施の形態の例では本発明の配線基板を半導体素
子を収容する半導体素子収納用パッケージに適用した
が、混成集積回路基板等の他の用途に適用しても良い。 【００４２】 【発明の効果】本発明の配線基板によれば、配線層のう
ち少なくとも電子部品の電極が半田を介して接続される
領域の表面に、無電解法により、ニッケルの含有量が９
９．９重量％以上でありかつニッケル粒子の平均粒径が
２０ｎｍ以上であるニッケルめっき層、白金、ロジウ
ム、ルテニウムの少なくとも一種またはその合金めっき
層、および金めっき層を順次被着形成させたことから、
特に、配線基板に電子部品を配線層に半田を介して接続
させる際等の熱が作用しても、半田ヌレ性やシェアー試
験により評価される接合強度を高く維持することがで
き、かつハガレやフクレが発生するのを有効に防止する
ことができるので、配線層に電子部品の電極を半田を介
して極めて強固に接続することができる。 【００４３】また、ニッケルの含有量が９９．９重量％
以上でありかつニッケル粒子の平均粒径が２０ｎｍ以上
であるニッケルめっき層を被着形成したことから、ニッ
ケル原子が移動拡散する際の経路であるニッケル結晶粒
界が少なくなるので、電子部品を配線層に半田ボールを
介して接続させる際等の熱によって金めっき層表面にニ
ッケルが移動拡散することを有効に抑制することができ
る。 【００４４】また、ニッケルの含有量が９９．９重量％
以上でありかつニッケル粒子の平均粒径が２０ｎｍ以上
であるニッケルめっき層上に、耐蝕性に優れ無電解金め
っき浴中にニッケルが溶出することを抑制する白金、ロ
ジウム、ルテニウムの少なくとも一種またはその合金め
っき層を被着形成したことから、金めっき層とニッケル
めっき層との間にハガレやフクレが発生することを有効
に防止することができる。さらに、電子部品を配線層に
半田ボールを介して接続させる際等の熱によって移動拡
散するニッケル原子のバリア層となるので、金めっき層
表面に酸化ニッケル層が形成されることを有効に防止す
ることができる。 【００４５】また、白金、ロジウム、ルテニウムの少な
くとも一種またはその合金めっき層上に耐食性に優れか
つ半田とのヌレ性に優れる金めっき層を被着形成したこ
とから、ニッケルの含有量が９９．９重量％以上であり
かつニッケル粒子の平均粒径が２０ｎｍ以上であるニッ
ケルめっき層、および白金、ロジウム、ルテニウムの少
なくとも一種またはその合金めっき層が酸化腐蝕するの
を有効に防止することができるとともに半田を強固に接
合させることができる。 【００４６】また、本発明の配線基板によれば、ニッケ
ルめっき層のニッケル含有率を９９．９重量％以上とし
てニッケル粒子の平均粒径を２０ｎｍ以上とし、さらに
このニッケルめっき層と金めっき層との間に白金、ロジ
ウム、ルテニウムの少なくとも一種またはその合金めっ
き層を形成したことから、金めっき層表面へ移動拡散す
るニッケルの量を極めて少なくすることができるので、
例えば、金と半田（錫等）とから成る脆い金属間化合物
が大量に形成されることを防ぐために、金めっき層の厚
さを０．０５μｍ〜０．８μｍと薄くしたとしても、ニ
ッケルが金めっき層の表面にまで移動拡散して酸化物層
を形成し半田ヌレ性を劣化させる、という問題を生じる
ことはない。 【００４７】また、一般に鉛フリー半田と称される錫−
銀系の半田を使用することによって、電子部品を配線層
に半田を介して接続する際の熱負荷量が大きくなって
も、電子部品を配線層に半田を介して極めて容易かつ確
実に接続することが可能で、この半田接続部の長期信頼
性を優れたものとなすこともできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す断
面図である。 【図２】図１に示す配線基板の要部拡大図である。 【符号の説明】 １・・・・絶縁基体 ２・・・・配線層 ３・・・・半導体素子 ４・・・・配線基板 ５・・・・半田ボール ６・・・・ニッケルめっき層 ７・・・・白金、ロジウム、ルテニウムの少なくとも一
種またはその合金めっき層 ８・・・・金めっき層 ９・・・・蓋体
面図である。 【図２】図１に示す配線基板の要部拡大図である。 【符号の説明】 １・・・・絶縁基体 ２・・・・配線層 ３・・・・半導体素子 ４・・・・配線基板 ５・・・・半田ボール ６・・・・ニッケルめっき層 ７・・・・白金、ロジウム、ルテニウムの少なくとも一
種またはその合金めっき層 ８・・・・金めっき層 ９・・・・蓋体
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4K022 AA02 AA42 BA03 BA04 BA14
BA18 BA31 BA32 BA35 BA36
DA01
5E319 AA03 AA07 AB05 AC04 AC18
BB04 CC22 GG03 GG13
5E343 AA02 AA23 BB15 BB23 BB39
BB40 BB44 BB47 DD02 DD33
ER35 GG18
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】電子部品の電極が半田を介して接続される
配線層を有する配線基板であって、前記配線層のうち少
なくとも前記電子部品の電極が半田を介して接続される
領域の表面に、無電解法により、ニッケルの含有率が９
９．９重量％以上でありかつニッケル粒子の平均粒径が
２０ｎｍ以上であるニッケルめっき層、白金、ロジウ
ム、ルテニウムの少なくとも一種またはその合金めっき
層、および金めっき層を、順次被着させたことを特徴と
する配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001193768A JP2003008189A (ja) | 2001-06-26 | 2001-06-26 | 配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001193768A JP2003008189A (ja) | 2001-06-26 | 2001-06-26 | 配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003008189A true JP2003008189A (ja) | 2003-01-10 |
Family
ID=19031991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001193768A Pending JP2003008189A (ja) | 2001-06-26 | 2001-06-26 | 配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003008189A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013094544A1 (ja) * | 2011-12-20 | 2013-06-27 | メタローテクノロジーズジャパン株式会社 | 無電解白金めっき液、その製造方法、及び白金皮膜の形成方法 |
-
2001
- 2001-06-26 JP JP2001193768A patent/JP2003008189A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013094544A1 (ja) * | 2011-12-20 | 2013-06-27 | メタローテクノロジーズジャパン株式会社 | 無電解白金めっき液、その製造方法、及び白金皮膜の形成方法 |
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