JP2003007804A - 位置計測装置および露光装置 - Google Patents

位置計測装置および露光装置

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JP2003007804A
JP2003007804A JP2001187028A JP2001187028A JP2003007804A JP 2003007804 A JP2003007804 A JP 2003007804A JP 2001187028 A JP2001187028 A JP 2001187028A JP 2001187028 A JP2001187028 A JP 2001187028A JP 2003007804 A JP2003007804 A JP 2003007804A
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JP2001187028A
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Motomasa Imai
基勝 今井
Tomoki Miyagawa
智樹 宮川
Hisataka Tatsuzono
寿隆 龍薗
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 メンテナンスや出荷に関する扱いや調整作業
を容易にする。 【解決手段】 移動自在なステージ14上に保持された
基板の位置情報を計測する計測部31を有する。ステー
ジ14を移動自在に支持する定盤12が計測部31を支
持する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、マスクやレチクル
等の基板の位置情報を計測する位置計測装置、および計
測された位置情報に基づいて露光処理を行う露光装置に
関し、特に移動可能なステージ上に載置された基板の位
置情報を計測する際に用いて好適な位置計測装置および
露光装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイスまたは液晶表示デバイス
等をフォトリソグラフィ工程で製造する際に、フォトマ
スク又はレチクル(以下「レチクル」と総称する)のパ
ターン像を投影光学系を介して感光基板上の各ショット
領域に投影する投影露光装置が使用されている。近年、
この種の投影露光装置としては、感光基板を2次元的に
移動自在なステージ上に載置し、このステージにより感
光基板をステップ移動させて、レチクルのパターン像を
ウエハ等の感光基板上の各ショット領域に順次露光する
動作を繰り返す、いわゆるステップ・アンド・リピート
方式の露光装置、例えば縮小投影型の露光装置(ステッ
パー)が多用されている。また、近年では、ウエハの露
光中に、レチクルとウエハとを同期移動させることによ
り、ウエハ上の各ショット領域を順次露光していく、い
わゆるステップ・アンド・スキャン方式の露光装置も使
用されている。
【0003】例えば半導体デバイスなどのマイクロデバ
イスは、感光基板として、感光材が塗布されたウエハ上
に多数層の回路パターンを重ねて形成されるので、2層
目以降の回路パターンをウエハ上に投影露光する際に
は、ウエハ上の既に回路パターンが形成された各ショッ
ト領域とこれから露光するレチクルのパターン像との位
置合わせ、即ちウエハとレチクルとの位置合わせ(アラ
イメント)を精確に行う必要がある。
【0004】レチクル上のアライメントマークを計測す
るアライメントセンサ(位置計測装置)としては、レチ
クルに形成されたレチクルアライメントマークと、投影
光学系を介してウエハステージ上に設けられた基準部材
に形成された指標マーク、またはウエハ上に形成された
アライメントマークとを検出する、いわゆるTTR(ス
ルー・ザ・レチクル)方式センサの採用が検討されてい
る。TTRセンサは、例えばレチクルアライメントマー
クと投影光学系を介して結像されたウエハアライメント
マーク(または指標マーク)とを同一視野で重ねた状態
で撮像し、マーク間の位置ずれ量を計測するものであ
る。この方式では、直接投影光学系を介してマークを計
測するため、オフアクシス方式のアライメントセンサを
用いた場合のようなベースラインが存在せず、熱変動等
の影響が及ぶことなく高精度の位置計測(位置合わせ)
を実施することができる。
【0005】図14に、従来技術によるTTRセンサの
配置例を示す。この図に示すアライメントセンサは、定
盤2に主としてY方向に移動自在に支持されたレチクル
ステージ1の上方にアライメントユニット3が、レチク
ルRのX方向両側に対称に配置された構成になってお
り、レチクルステージ1上には、レチクル(マスク)R
が真空吸引等の吸着手段により保持されている。なお、
図14では、一基のステージのみ図示しているが、実際
にはレチクルRを比較的大きなストロークで移動させる
粗動ステージと、レチクルRを比較的小さなストローク
で精密移動させる微動ステージとから構成されており、
各ステージは一対のリニアモータ等の駆動装置によりそ
れぞれ駆動される。
【0006】アライメントユニット3は、アライメント
光源、CCD等の撮像素子、ビームスプリッタ、コンデ
ンサレンズや対物レンズ等の光学素子を備えており、ス
テージ1や定盤2と振動的に独立して、ステージ1の上
方に懸架された架台4上に設けられている。
【0007】そして、各アライメントユニット3から射
出されたアライメント光Bは、反射ミラー等を有する光
学部材5から架台4に形成された開口部6を介して、レ
チクルRのパターン領域外に形成された不図示のレチク
ルマークに照射されるとともに、レチクルRおよび不図
示の投影光学系を透過して指標マークやウエハアライメ
ントマークに照射される。そして、反射したアライメン
トマークや指標マークの像を撮像素子で撮像してマーク
間の相対位置関係を計測することで、レチクルRとウエ
ハとの相対位置関係を求めて位置合わせすることができ
る。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来の位置計測装置および露光装置には、以下
のような問題が存在する。粗動ステージと微動ステージ
の双方を利用する既存のレチクルステージは、比較的大
きな総重量を有するため、これらのステージを駆動し位
置決めを行うために大型の駆動装置を必要とする。これ
らの駆動装置は、ステージの近傍に大きなスペースを占
有することになり、照明光学系等の他ユニットのレイア
ウトが困難になるとともに、大量の電力を消費してかな
りの熱を生じるため、発熱に起因して空気の屈折率変化
や装置の構成要素の膨張を招き、測定システム等の精度
が低下するという問題が生じる。
【0009】そこで、例えば微動ステージの一方側にの
み、当該微動ステージの駆動装置としての粗動ステージ
(および粗動ステージの駆動装置)を配置し、他方側に
レチクルRを保持するホルダを配置するとともに、微動
ステージの重心位置近傍の中央部に粗動ステージとの結
合部を配置することで、駆動装置の総重量および発熱量
を低減させる構成が考えられているが、この構成に対応
してスペース効率に優れたアライメントセンサが提供さ
れておらず、その開発が強く望まれていた。また、露光
装置においては、アライメントセンサの配置に関してス
ペース効率の向上が図られていないと、装置の大型化を
招くという不都合が生じてしまう。
【0010】一方、上記のレチクルステージは、定盤と
ともに1つのユニットとしてメンテナンスや出荷が行わ
れることが多いが、メンテナンス後や出荷後に露光装置
への組立・調整を実施する際には、アライメントセンサ
の取り付けおよびステージとの相対位置調整作業がその
都度、別途必要になり作業効率が低下するという問題が
あった。
【0011】本発明は、以上のような点を考慮してなさ
れたもので、メンテナンスや出荷に関する扱いや調整作
業が容易な位置計測装置、およびこの位置計測装置を備
えた露光装置を提供することを目的とする。また、本発
明の別の目的は、ステージの一方側に駆動装置が配置さ
れた構成に応じて、スペース効率の向上が図られた位置
計測装置、および大型化を防止できる露光装置を提供す
ることである。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は、実施の形態を示す図1ないし図13に対
応付けした以下の構成を採用している。本発明の位置計
測装置は、移動自在なステージ(14)上に保持された
基板(R)の位置情報を計測する計測部(31)を有す
る位置計測装置(25)において、ステージ(14)を
移動自在に支持する定盤(12)が計測部(31)を支
持することを特徴とするものである。
【0013】従って、本発明の位置計測装置では、計測
部(31)をステージ(14)および定盤(12)とと
もに一つのユニットとして扱うことができるため、ユニ
ットとして調整した後は露光装置(28)等に設置する
際にも、計測部(31)とステージ(14)との相対位
置調整を厳密に行う必要がなくなり調整作業を容易に行
うことができる。また、本発明では、支持部材(29)
を介して計測部(31)を片持ちで支持する構成も採用
できる。この構成では、駆動装置(32、36)をステ
ージ(14)の一方(+X)側に配置し、基板(R)を
他方(−X)側に配置した場合、計測部(31)を他方
(−X)側の上方に配置することができ、スペース効率
を図ることができる。
【0014】また、本発明の露光装置は、マスクステー
ジ(14)に保持されたマスク(R)の位置情報と基板
ステージ(9)に保持された感光基板(W)の位置情報
とを用いてマスク(R)と感光基板(W)とを位置合わ
せし、マスク(R)のパターンを投影光学系(PL)を
介して感光基板(W)に露光する露光装置(28)にお
いて、マスク(R)と感光基板(W)との少なくとも一
方の位置情報を計測する装置として、請求項1から請求
項5のいずれか一項に記載された位置計測装置(25)
が用いられることを特徴とするものである。
【0015】従って、本発明の露光装置では、位置計測
装置(25)の調整作業を容易に行うことができるとと
もに、位置計測装置(25)においてスペース効率を図
ることができるため、装置の大型化を防ぐことができ
る。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、本発明の位置計測装置およ
び露光装置の実施の形態を、図1ないし図13を参照し
て説明する。ここでは、例えば本発明の位置計測装置を
露光装置に設け、TTR(ThroughThe Reticle)方式で
レチクルとウエハとの位置合わせに用いる場合の例を用
いて説明する。これらの図において、従来例として示し
た図14と同一の構成要素には同一符号を付し、その説
明を省略する。
【0017】図1は、本発明に係る露光装置28の概略
構成図である。この露光装置28は、レチクル(マス
ク、基板)Rに形成された集積回路のパターン(不図
示)をウエハ(感光基板)W上に転写するものであっ
て、装置フレーム(架台)7、照明光学系8、レチクル
ステージ装置10、投影光学系PL、およびウエハステ
ージ(基板ステージ)9を主体として構成されている。
装置フレーム7は、剛直な素材で形成されており、照明
光学系8、レチクルステージ装置10の一部、投影光学
系PL、およびウエハステージ9を大地11の上方に支
持する。
【0018】照明光学系8は、不図示の光源から射出さ
れた照明光によりレチクルRの所定領域を選択的に照明
するものであって、露光に必要な波長の光のみを透過さ
せる波長選択フィルタ、照明光を均一な強度分布の光束
に調整するオプティカルインテグレータ、レチクルR上
の照明領域を制限する可動ブラインド、リレーレンズや
コンデンサレンズ等の各種光学素子等(いずれも不図
示)を含んでいる。なお、図1では、照明光学系8がレ
チクルステージ装置10の上方に支持されているものと
して例示されているが、一般に、照明光学系8は装置フ
レーム7の側部の一方に固定され、照明光学系8からの
照明光(エネルギ・ビーム)はレチクルステージ装置1
0の上方に向けられる。
【0019】投影光学系PLは、鏡筒内に光軸方向に沿
って所定間隔をあけて配置され、群構成とされた複数の
レンズエレメントによって、例えば1/4縮小倍率でレ
チクルRのパターンの像及び/又はアライメントマーク
の像をウエハW上に投影するものである。そして、この
レンズエレメントが、周方向に複数配置された伸縮可能
な駆動素子の駆動によって光軸方向に移動することで、
投影光学系PLの種々の結像特性が調整可能である。例
えば、レンズエレメントを光軸方向に移動させた場合に
は、光軸を中心として倍率を変化させることができる。
また、光軸に垂直に交わる軸を中心にレンズエレメント
を傾斜させた場合には、ディストーションを変化させる
ことができる。また、レンズエレメントを動かすのでは
なく、レンズエレメント間に設けられた密閉された空間
の気圧を制御することによっても、投影光学系の結像特
性を調整することができる。
【0020】ウエハステージ9は、ウエハWを真空吸着
するウエハホルダ(不図示)を有するとともに、リニア
モータ等の駆動装置13によって、投影光学系PLの光
軸方向(Z方向)と垂直で互いに直交するX方向(第2
方向)及びY方向(第1方向)に移動される。これによ
り、投影光学系PLに対してその像面側でウエハWが2
次元移動され、例えばステップ・アンド・スキャン方式
で、ウエハW上の各ショット領域にレチクルRのパター
ン像が転写されることになる。また、ウエハステージ9
上には、不図示の基準部材が固定されている。この基準
部材には、ウエハWの表面と同じ高さに公知の指標マー
ク(不図示)が形成されている。この指標マークとして
は、例えば後述するレチクルマークRMを挟み込む中抜
きマークが採用される。
【0021】なお、ウエハホルダがZ方向に移動するこ
とで、ウエハWの光軸方向の位置が調整される構成にな
っている。スキャン露光時には、ウエハステージ9は駆
動装置13により、Y方向(図1中の紙面と直交する方
向)に、レチクルステージ装置10と同期して(レチク
ルステージ装置10とは反対方向に)駆動されることに
なる。
【0022】また、ステージ移動座標系(直交座標系)
XY上でのウエハステージ9(ひいてはウエハW)の
X、Y方向の位置、及び回転量(ヨーイング量、ピッチ
ング量、ローリング量)は、干渉計システム23によっ
てモニターされる。干渉計システム23は、ウエハステ
ージ9の頂面に配置された移動鏡17と、装置フレーム
7と接続されたウエハ干渉計19とを有している。ウエ
ハ干渉計19は、移動鏡17に向かう測定ビーム21を
発生し、移動鏡17から反射されたビームを検出する。
駆動装置13は、干渉計システム23のモニター結果に
基づいてウエハステージ9を駆動する。
【0023】レチクルステージ装置10は、半導体デバ
イスの製造(露光処理)及び/又は検査処理中に少なく
とも1つのレチクルRの正確な位置決めを行う際に用い
られるものであって、図2に示すように、定盤12、ホ
ルダ15を含む微動ステージ(ステージ、マスクステー
ジ)14、測定システム16、粗動ステージ18、リア
クションフレーム20及び取付用フレーム22、アライ
メントセンサ(位置計測装置)25を備えた構成になっ
ている。
【0024】また、レチクルステージ装置10には、微
動Yムーバ(駆動装置)32、微動Xムーバ34、粗動
Yムーバ(駆動装置)36、粗動Xムーバ38及び反重
力機構40が含まれている(図3及び図4参照)。微動
Yムーバ32と微動Xムーバ34とは、粗動ステージ1
8と相関して微動ステージ14を正確に移動させる。粗
動Yムーバ36と粗動Xムーバ38とは、リアクション
フレーム20に対して粗動ステージ18を移動させる。
微動ステージ14が定盤12の上方に移動するにつれて
反重力機構40によって定盤12の歪みが最小化され
る。すなわち、定盤12とリアクションフレーム20と
の間には機械的な接触はなく(非接触)、リアクション
フレーム20からの振動が定盤12に伝達されることは
ない。
【0025】微動ステージムーバ32、34と粗動ステ
ージムーバ36、38とは、ホルダ15の一方(+X
側)の側部にのみ配置されている。これにより、微動ス
テージ14は、比較的軽量と比較的高いサーボ帯域幅と
を有することになり、この軽量により微動ステージムー
バ32、34が小型化されるとともに、エネルギ消費が
低減化される。
【0026】微動ステージ14はガイドレスであり、限
定された移動範囲を有する微動ムーバ32、34によっ
て、粗動ステージ18に対してX軸、Y軸に沿って、ま
たZ軸回り(θZ)で移動される。図5に示すように、
微動ステージ14には、微動フレーム52、微動Yムー
バ32の可動子54、微動Xムーバ34の可動子56、
反重力機構40の可動子58、及び測定システム16の
移動鏡60が含まれている。
【0027】レチクルRを保持した際の微動ステージ1
4は合成重心61(図3に黒点で示す)を有し、微動Y
ムーバ32は合成重心61の近傍において微動ステージ
14と係合することで、微動ステージ14のX軸に沿っ
て、且つZ軸回りの動きと、微動Yムーバ32の加速度
との結合が最小化される。換言すると、この係合によ
り、微動Yムーバ32によって発生したX軸に沿って、
且つZ軸回りの微動ステージ14にかかる力が最小化さ
れる。そして、この設計により、微動ステージ14をX
軸に沿って、且つZ軸回りに移動させるために必要な力
が最小化され、微動Xムーバ34をより小型で軽量にす
ることができる。
【0028】微動フレーム52は、熱膨張率の小さなセ
ラミックス材料で形成された平面視矩形状を呈してお
り、その底部には複数の隔置された流体放出口(不図
示)と複数の隔置された流体導入口(不図示)とが設け
られている。そして、加圧流体が流体放出口から定盤1
2へ向けて放出され、真空状態が流体導入口に形成され
ることで、微動フレーム52と定盤12との間に真空予
圧型の流体ベアリングが構成される。この真空予圧型流
体ベアリングにより微動ステージ14が定盤12に対し
てZ軸に沿って離間して保持され、微動ステージ14を
X軸、Y軸に沿って、またZ軸回りに定盤12に対して
移動させることが可能になる。
【0029】また、真空予圧型流体ベアリングにより、
反重力機構40による微動ステージ14のほぼゼロの正
味重量にもかかわらず、Z軸に沿って、X軸の回りで、
またY軸の回りで微動ステージ14と定盤12との間に
高い剛性結合が保持される。なお、真空予圧型流体ベア
リングではなく、磁気タイプベアリングのような代替方
法により定盤12の上方に微動ステージ14を支持する
ことも可能である。
【0030】微動フレーム52には、少なくとも一つ
(図ではY方向に沿って二つ)のホルダ15、中間壁7
4、補剛材76が含まれる。各ホルダ15は、真空チャ
ック等の吸着手段によりレチクルRの中の一つを保持し
て微動ステージ14に固定する。中間壁74は、微動フ
レーム52のX方向略中心にY方向に沿って延在し、且
つ上方へ突出する平面状の壁をなし、微動Yムーバ32
の可動子54及び反重力機構40の可動子58を微動フ
レーム52に固定している。好適には、中間壁74は、
微動Yムーバ32を合成重心61の近傍に保持するよう
に、当該合成重心61の近傍に延在することが望まし
く、これにより、微動Yムーバ32からの力は合成重心
61を通るように方向づけられる。
【0031】補剛材76は、微動ステージ14に剛性を
与えて微動ステージ14の湾曲と撓みを防止するもので
あって、断面U字状をなし(図5参照)、微動フレーム
52の+X側端縁に沿って延設されている。また、補剛
材76には、微動Xムーバ34の可動子56がY方向端
部において固定されている。
【0032】定盤12は、矩形の板形状を呈しており、
微動ステージ14を非接触で移動自在に支持する。定盤
12には、ベースアパーチャ46とレンズ装着用カット
アウト(不図示)が含まれる。ベースアパーチャ46
は、定盤12の中を通って延在し、定盤12中を通る光
の通過を可能にする。カットアウトは概ね円筒形の形状
を有し、下面側から定盤12の中へ一部が延在する。カ
ットアウトによって微動ステージ14の近傍に投影光学
系PLを位置決めすることが可能になる。
【0033】また、図1に示すように、定盤12は装置
フレーム7に形成されたボス7a上にワッシャ(調節部
材)37を介して載置されている。ワッシャ37は、レ
チクルRと投影光学系PLとの光軸方向の相対位置関係
(相対距離、姿勢等)を調節するものであって、図6に
示すように、SUS(ステンレス)等からなる、リング
の一部に開口部が形成された馬蹄形状を有し、図1中紙
面手前側(−Y側)に2カ所、図1中紙面奥側(+Y
側)に1カ所の合計3カ所配置されている。なお、装置
フレーム7のボス7aは、ワッシャ37の位置に対応し
て3カ所形成されている。
【0034】そして、取付ボルト等の締結部材(不図
示)を装置フレーム7の下方からボス7a、ワッシャ3
7を介して定盤12に螺着・締結することで、ワッシャ
37が定盤12と装置フレーム7との間で挟持され、締
結部材が定盤12へ螺着し、且つ締結を解除した状態で
開口部から挿入・離脱させることで着脱自在となってい
る。すなわち、3つのワッシャ37の厚さを1部または
全部変更して定盤12と装置フレーム7との間に装着す
ることで、装置フレーム7と定盤12との距離、換言す
ると、レチクルRと投影光学系PLとの相対位置関係を
調節できる。
【0035】また、図7に示すように、定盤12の−X
側側面にはユニット支持金具27が設けられ、このユニ
ット支持金具27の上部にはXY平面に沿って平面視矩
形状の支持板(支持部材)29が片持ちで支持されて+
X側に延出している。支持板29上には、アライメント
センサ25のアライメントユニット(計測部)31が対
で支持されている。各アライメントユニット31は、T
TR(スルー・ザ・レチクル)方式でレチクルRとウエ
ハWとの位置合わせを行うものであって、アライメント
光を射出し、その反射光を受光するセンサ部33と、セ
ンサ部33から射出されたアライメント光をレチクルR
に形成されたレチクルマークRM(図8参照)に向けて
反射する反射光学系35とから概略構成されている。
【0036】センサ部31aは、例えば図8に示すよう
に、アライメント光源33a、CCD等の撮像素子33
b、ビームスプリッタ33c、コンデンサレンズや対物
レンズ等の光学素子33d、33eからそれぞれ構成さ
れている。アライメント光源33aとしては、ウエハW
上のレジストを感光させない波長を有するハロゲン光を
射出するものや、ライトガイドで露光用照明光を導くな
ど、露光用照明光とほぼ同一の波長のアライメント光を
射出するもの等が採用可能である。
【0037】反射光学系35は、レチクルマークRMが
形成された位置に対応して、投影光学系PLの光軸を挟
んだレチクルR上のX方向両側にほぼ対称位置でアライ
メント光を導く位置に配置されている。特に、微動ステ
ージムーバ32、34と粗動ステージムーバ36、38
とがホルダ15(すなわちレチクルR)の+X側(一方
側)の側部にのみ配置され、アライメントユニット31
がホルダ15の−X側(他方側)で片持ち支持されるこ
とで、微動ステージ14がY方向に移動した場合でも干
渉する部材が存在しないことになり、レチクルRに直近
の反射光学系35は、レチクルRの上方に数ミリ程度の
隙間をあけて設置されている。
【0038】また、このアライメントユニット31に
は、固定式の固定ブラインド(不図示)が支持されてい
る。この固定ブラインドは、レチクルRのパターン面に
対する共役面から僅かにデフォーカスした面に配置さ
れ、レチクルR上の照明領域を設定するための所定形状
の開口部が形成されている。この固定ブラインドの開口
部は、投影光学系PLの円形視野内の中央で走査露光時
のレチクルRの移動方向(Y方向)と直交したX方向に
直線的に伸びたスリット状又は矩形状に形成されてい
る。
【0039】なお、上述した照明光学系8の可動ブライ
ンドは、不要な部分の露光を防止するため、走査露光の
開始時及び終了時に固定ブラインドによって設定される
レチクルR上の照明領域を更に制限するために用いられ
る。また、固定ブラインドの配置面をレチクルRのパタ
ーン面に対する共役面から僅かにデフォーカスするの
は、主として走査型露光装置、特にパルス光を露光用照
明光とする装置では、走査方向に関するパルス光のレチ
クル(ウエハ)上での照明領域内の照度分布を台形状
(すなわち両端でそれぞれスロープを持つ形状)とし、
走査露光時のウエハ上の各ショット領域内の積算露光量
の分布がほぼ均一になるようにするためである。
【0040】各微動Yムーバ32は、微動ステージ14
に固定される可動子54と、粗動ステージ18に固定さ
れる固定子94とを含む。微動Yムーバ32の可動子5
4と固定子94とは電磁気的相互作用により、微動ステ
ージ14をY軸に沿って選択的に移動させる。同様に、
各微動Xムーバ34は、微動ステージ14に固定される
可動子56と、粗動ステージ18に固定される固定子9
6とを含む。微動Xムーバ34の可動子56と固定子9
6とは電磁気的相互作用により、微動ステージ14をX
軸に沿って、及びZ軸回りに選択的に移動させる。
【0041】これら微動ムーバ32、34のそれぞれ
は、隔置された複数対の対向する、吸引のみのアクチュ
エータ98を含む。詳細には、微動Yムーバ32には、
隔置された5対の対向するアクチュエータ98が含ま
れ、微動Xムーバ34には、隔置された2対の対向する
アクチュエータ98が含まれる。吸引のみのアクチュエ
ータ98は消費電力が少なく、ボイスコイルモータまた
はリニアモータより発熱が少ない。これにより、微動ム
ーバ32、34に対する冷却が最小化され、さらに、微
動ムーバ32、34のそれぞれがホルダ15の一方の側
部にしか配置されないので、微動ムーバ32、34から
生じる熱を測定システム16、及びアライメントセンサ
25から離れるように配置できる。
【0042】図9及び図10に、アクチュエータ98を
例示する。詳細には、図9には一般にE/Iコア・アク
チュエータと称される吸引のみのタイプのアクチュエー
タ98の外観斜視図が示され、図10にはE/Iコア・
アクチュエータ98の分解組立斜視図が示されている。
各E/Iコア・アクチュエータ98は電磁吸引装置であ
り、各E/Iコア・アクチュエータ98には、E字型の
形状を有するコア100、管状のコイル102、及びI
字型の形状を有するコア104が含まれる。E字型コア
100とI字型コア104のそれぞれは、鉄等の磁性材
料から構成される。コイル102は、E字型コア100
の中心バーの回りに配置される。コイル102を通って
送られる電流は、E字型コア100へ向けてI字型コア
104を引きつける電磁場を生じ、この電流の量によっ
て吸引量が決定される。
【0043】本実施の形態では、アクチュエータ98の
I字型コア104は、各微動ムーバ32、34の可動子
54、56とみなされて微動ステージ14に固定され、
E字型コア100とコイル102とはそれぞれ微動ムー
バ32、34の固定子94、96とみなされて粗動ステ
ージ18に固定される。特に、微動Yムーバ32には、
中間壁74に固定された5対のI字型コア104(合計
10個のI字型コア)と、粗動ステージ18に固定され
た5対のE字型コア100とコイル102(合計10個
のE字型コアと10個のコイル)とが含まれる。微動Y
ムーバ32は、合成重心61に心合わせを行うことが望
ましい。
【0044】同様に、微動Xムーバ34には、2組の隔
置されたI字型コア104(合計4つのI字型コア)と
2組の隔置されたE字型コア100とコイル102(合
計4つのE字型コアとコイル102)とが含まれる。こ
れらの組のI字型コア104の中の一つは、補剛材76
の各端部に固定され、2組のE字型コア100とコイル
102とは粗動ステージ18に固定される。
【0045】なお、上記の構成は、電線等の配線が微動
ステージ14に直接接続されず、微動ステージ14に対
する干渉が低減されるため好適であるが、I字型コア1
04を粗動ステージ18に取り付け、E字型コア100
及びコイル102を微動ステージ14に取り付ける構成
も採用可能である。
【0046】反重力機構40によって、微動ステージ1
4の重量が相殺され、微動ステージ14が定盤12に対
して移動する際の定盤12の歪みが最小化される。詳細
には、微動ステージ14が定盤12に対して移動する際
に反重力機構40が微動ステージ14を上方へ引き上げ
ることで、微動ステージ14の位置が定盤12に影響を
及ぼすことが防止される。この反重力機構40には、一
対の隔置された吸引力のみのアクチュエータ106が含
まれる。アクチュエータ106には、中間壁74の頂部
に固定される可動子58と、粗動ステージ18に固定さ
れる固定子108とが含まれる。各アクチュエータ10
6は、上述のE/I字型コア・アクチュエータであるこ
とが望ましい。この場合、2つの隔置されたI字型コア
104は中間壁74の頂部に固定され、2つの隔置され
たE字型コア100とコイル102とは、粗動ステージ
18に固定される。なお、I字型コア104とE字型コ
ア100の取り付けを逆にしてもよい。
【0047】測定システム16は、定盤12に対する微
動ステージ14の位置をモニターするものであって、微
動ステージ14の一部として取り付けられるX移動鏡6
0、一対の隔置されたY移動鏡114、X干渉計ブロッ
ク116、Y干渉計ブロック118とが含まれる(図2
参照)。X移動鏡60は矩形の形状を呈し、微動フレー
ム52の−X側端縁に沿って延在する。X干渉計ブロッ
ク116は、X移動鏡60から反射される測定信号を発
生し、この情報に基づいてX軸に沿った微動ステージ1
4の位置をモニターするものであって、微動ステージ1
4から離間して配置される。なお、X干渉計ブロック1
16は、図1に示すように、装置フレーム7や、または
振動的に独立した他の場所に設置することが可能であ
る。
【0048】各Y移動鏡114は、略V字型の形状を有
し、微動フレーム52の+Y側端縁に沿って配置され
る。Y干渉計ブロック118は、Y移動鏡114から反
射された一対の隔置された測定信号を発生し、この情報
に基づいてY軸に沿ったZ軸回りの微動ステージ14の
位置をモニターするものであって、微動ステージ14か
ら離間して配置される。なお、Y干渉計ブロック118
は、装置フレーム7や、または振動的に独立した他の場
所に設置することが可能である。そして、微動ムーバ3
2、34及び粗動ムーバ36、38がホルダ15(すな
わちレチクルR)の+X側にしか位置しないので、測定
システム16を微動ステージ14近傍の−X側に容易に
位置決めすることができる。
【0049】粗動ステージ18は、微動ステージ14の
上方に配置されており、平面的自由度においてはガイド
レスで、粗動ムーバ36、38によってY軸に沿って比
較的長いストロークで移動し、またX軸に沿ってZ軸
(θZ)の回りで比較的短いストロークで移動する。詳
細には、粗動ステージ18はリアクションフレーム20
に対して、粗動Yムーバ36によりY軸に沿って比較的
長いストロークで移動し、粗動Xムーバ38によりX軸
に沿ってZ軸回りに比較的短いストロークで移動する。
【0050】図4、図5及び図11を参照すると、粗動
ステージ18は、粗動フレーム122、微動Yムーバ3
2の固定子94、微動Xムーバ34の固定子96、反重
力機構40の固定子108、粗動Yムーバ36の可動子
124、及び粗動Xムーバ38の可動子126が含まれ
る。
【0051】レチクルRを保持した際の微動ステージ1
4及び粗動ステージ18は合成重心128(図4に黒点
で示す)を有し、粗動Yムーバ36は合成重心128の
近傍において粗動ステージ18と係合することで、粗動
ステージ18のX軸に沿って、且つZ軸回りの動きに粗
動Yムーバ36の加速度が結合されることが最小化され
る。換言すると、この係合により、粗動Yムーバ36に
よって発生したX軸に沿って、且つZ軸回りの粗動ステ
ージ18にかかる力が最小化される。そして、この設計
により、粗動ステージ18をX軸に沿って、且つZ軸回
りに移動させるために必要な力が最小化され、粗動Xム
ーバ38をより小型で軽量にすることができる。
【0052】粗動フレーム122は、セラミックス材ま
たはアルミニウム等の材料により形成されており、一般
に矩形の管形状を有している。粗動フレーム122の底
部のY方向両端には、一対の取付用プレート138が下
方へ向けて突設されている。この取付用プレート138
には、微動Xムーバ34の固定子96(例えば一対のE
字型コア100と一対のコイル102)が取り付けられ
る。
【0053】粗動Yムーバ36の可動子124は、Y方
向に沿って延在しており、粗動フレーム122の底部か
ら上方へ立設された取付バー140に取付ボルト等によ
り取り付けられている。なお、上記合成重心128は、
粗動Yムーバ36の可動子124の中心付近、且つ粗動
ステージ18のY方向の中心付近に存在するように設定
されている。
【0054】粗動フレーム122の頂部は、リアクショ
ンフレーム20の一対の隔置されたベアリングプレート
142、142の間に支持される。粗動フレーム122
の頂部の上面及び下面には、複数の隔置された流体放出
口(不図示)が設けられている。そして、流体放出口か
らは、加圧流体がベアリングプレート142へ向けて放
出され、粗動フレーム122の頂部とベアリングプレー
ト142との間に流体ベアリングが構成される。流体ベ
アリングは、ベアリングプレート142の間に隔置され
た粗動フレーム122の頂部を保持し、Y軸に沿うリア
クションフレーム20に対する粗動ステージ18の比較
的大きな移動と、リアクションフレーム20に対するX
軸に沿ったZ軸回りのより小さな移動を可能にする。な
お、磁気型ベアリングによりリアクションフレーム20
に粗動ステージ18を支持させたり、真空予圧型流体ベ
アリングを備えた単一のベアリングプレートを有するリ
アクションフレーム20により粗動ステージ18を支持
する構成も採用可能である。
【0055】粗動フレーム122の+X側側部には、Z
方向略中間に位置して粗動Xムーバ34の可動子126
が固定されており、−X側側部には微動Yムーバ32の
固定子94と反重力機構40の固定子108とが固定さ
れている。
【0056】各粗動Yムーバ36は、粗動ステージ18
に固定された可動子124と、リアクションフレーム2
0に固定された固定子152とを含む(図4参照)リニ
アモータであり、粗動Yムーバ36の可動子124と固
定子152とは相互に作用して、粗動ステージ18をY
軸に沿って移動させる。同様に、粗動Xムーバ38は、
粗動ステージ18に固定される可動子126と、リアク
ションフレーム20に固定される固定子154とを含む
(図3参照)ボイスコイルアクチュエータであり、粗動
Xムーバ38の可動子126と固定子154とは相互に
作用して、粗動ステージ18をX軸に沿ってZ軸回りに
移動させる。粗動Yムーバ36は、合成重心128の近
傍で粗動ステージ18に係合し、これにより、X軸に沿
ってZ軸回りに粗動ステージ18を移動させるために必
要な力が最小化され、より軽量の粗動Xムーバ38の使
用が可能になる。
【0057】リアクションフレーム20は、流体ベアリ
ングによって取付用フレーム22の上方に支持されてお
り、粗動Yムーバ36による粗動ステージ18のY方向
への移動が、運動量保存の法則によってリアクションフ
レーム20をY軸に沿った反対方向へ移動させる。これ
により、粗動ムーバ36、38からの反力の量は減少
し、最小化され、取付用フレーム22を介して大地11
へ伝えられる。
【0058】また、リアクションフレーム20には、図
11に示すように、取付用プレート174及びトリムム
ーバ176が含まれる。取付用プレート174は、略平
面形状を有し、その頂部に粗動Xムーバ38の固定子1
54が固定される。また、取付用プレート174には、
3つ(図11では1つのみ図示)の隔置された上部Zベ
アリング構成要素184、2つの隔置された上部Xベア
リング構成要素(図11では不図示、図2参照)、及び
2つの隔置された予圧型磁石188が含まれる。
【0059】上部Zベアリング構成要素184は、取付
用フレーム22に固定される3つの隔置された下部Zベ
アリング構成要素190と相互に作用する。詳細には、
加圧流体がZベアリング構成要素184、190間に放
出され、取付用フレーム22から隔置されたリアクショ
ンフレーム20をZ軸に沿って保持する流体ベアリング
が構成される。また、この流体ベアリングによりリアク
ションフレーム20と取付用フレーム22との間の相対
移動が可能になり、粗動ムーバ36、38からの反力が
取付用フレーム22と大地11とに伝播されないように
なる。なお、磁気タイプベアリング等の方法でリアクシ
ョンフレーム20を取付用フレーム22の上方に支持す
る構成としてもよい。
【0060】上部Xベアリング構成要素は、取付用フレ
ーム22に固定され隔置された下部Xベアリング構成要
素192と相互に作用する。詳細には、加圧流体が下部
Xベアリング構成要素192から上部Xベアリング構成
要素186に対して放出され、取付用フレーム22に対
してリアクションフレーム20をX軸に沿って保持する
流体ベアリングが構成される。この流体ベアリングによ
りリアクションフレーム20と取付用フレーム22との
間で相対移動が可能になり、粗動ムーバ36、38から
の反力が取付用フレーム22と大地11とに伝播されな
いようになる。なお、磁気タイプベアリング等の方法で
リアクションフレーム20をX軸に沿って取付用フレー
ム22の上方に支持する構成としてもよい。
【0061】予圧型磁石188は取付用フレーム22へ
引き付けられることで、リアクションフレーム20を取
付用フレーム22へ向けて押しつける。これにより、Z
ベアリング構成要素184、190の間で構成された流
体ベアリングに圧力がかけられる。なお、リアクション
フレーム20と取付用フレーム22との間に真空状態を
形成し流体ベアリングに圧力をかけることも可能であ
る。
【0062】トリムムーバ176は、リアクションフレ
ーム20と取付用フレーム22の双方を接続したロータ
リ・モータで構成され、モータの回転により取付用フレ
ーム22と相関するリアクションフレーム20の位置に
対するY軸に沿った小さな補正を行うことが可能となっ
ている。
【0063】上記の構成の位置計測装置および露光装置
により露光処理を行う動作について以下に説明する。ま
ず、露光処理前にレチクルRと投影光学系PLとの光軸
方向の相対位置関係を調節するためにテスト露光を行
い、露光されたパターンを計測することにより、レチク
ルRのパターン面のZ方向の位置及び姿勢(傾き)を求
め、求めた結果に基づいてワッシャ37の厚さを調節す
る。具体的には、締結部材による締結を解除し、馬蹄形
の開口部を通してワッシャ37を抜き取り、レチクルR
が所定の位置および姿勢に位置決めされるようにワッシ
ャ37の厚さを変更する。
【0064】なお、ワッシャ37の厚さを小さくするに
は、研磨加工等の面粗度に優れた加工を施し、逆にワッ
シャ37の厚さを大きくするには当該厚さを有するワッ
シャに交換する。このように、加工(または交換)によ
り厚さ調節されたワッシャ37が再度定盤12と装置フ
レーム7との間に装着されることで、投影光学系PLに
対するレチクルR(定盤12及び微動ステージ14)の
位置、姿勢が調節される。
【0065】そして、支持板29と干渉しない位置で微
動ステージ14のホルダ15にレチクルRがロードされ
ると、粗動ムーバ36、38、微動ムーバ32、34の
駆動により、レチクルマークRMの1つ(又は複数)が
アライメントユニット31の検出領域(計測位置)に位
置するように微動ステージ14(および粗動ステージ1
8)を移動させるとともに、駆動装置13を駆動するこ
とで、ウエハステージ9上の基準部材の指標マークがこ
の検出領域に位置するようにウエハステージ9を移動さ
せる。
【0066】そして、アライメント光源33aから出射
されたアライメント光は、ビームスプリッタ33c、光
学素子33dを介して反射光学系35で反射した後に、
レチクルR上のレチクルマークRM(またはアライメン
トマーク)を照明し、レチクルマークRMで反射した反
射光は反射光学系35、光学素子33d、ビームスプリ
ッタ33c、光学素子33eを介して撮像素子33bに
入射する。一方、レチクルRを透過したアライメント光
は、投影光学系PLを介してウエハステージ9上に固定
された基準部材の指標マークを照明する。指標マークで
反射した反射光は、投影光学系PL、レチクルRを透過
した後、反射光学系35、光学素子33d、ビームスプ
リッタ33c、光学素子33eを介して撮像素子33b
に入射する。
【0067】そして、撮像素子33bで撮像された指標
マークの像信号とレチクルマークRMの像信号に基づい
て、1次元圧縮等の処理を行って両マークの位置ずれ量
を検出するとともに、微動ステージ14及びウエハステ
ージ9の位置をそれぞれ検出する測定システム16、干
渉計干渉計23などの測定値も入力して、各マークの設
計座標値を用いて所定のアルゴリズム処理を行う。これ
により、XYシフト、回転等の補正パラメータが算出さ
れ、このパラメータに基づいて微動ステージ14がX方
向、Y方向、θZ方向に所定量駆動され、レチクルRは
ウエハステージ移動座標系XY上で位置決めされる。
【0068】一方、ウエハWがウエハステージ9へロー
ドされると、不図示のフォーカス機構によりフォーカス
調整を行い、ウエハWの光軸方向の位置決めを実施した
後にウエハWの位置決め(ウエハアライメント)を行
う。具体的には、上記レチクルアライメントと同様に、
レチクルマークRMがアライメントユニット31の検出
領域に位置するように微動ステージ14(および粗動ス
テージ18)を移動させるとともに、駆動装置13を介
してウエハステージ9を駆動することでアライメントユ
ニット31の検出領域に、ウエハW上のウエハマーク
(アライメントマーク)を移動させ、両マークの位置ず
れ量を計測する。
【0069】そして、ウエハW上に設定されているEG
A計測を実行するショット領域(EGAショット)毎に
上記マーク間の位置ずれ量を計測した後に、得られた計
測値と設計値とに基づいて最小二乗法等の統計演算処理
により、ウエハW上のショット領域の配列特性に関する
位置情報として、例えばXシフト、Yシフト、Xスケー
ル、Yスケール、回転、直交度の6個のショット配列誤
差パラメータ(EGAパラメータ)を算出する。そし
て、これらのEGAパラメータに基づいて、ウエハW上
の全てのショット領域に対して設計上の座標位置を補正
するとともに、スケーリングパラメータ(Xスケール、
Yスケール)に基づいて投影光学系PLの結像特性を調
整する。
【0070】なお、上記レチクルアライメントやウエハ
アライメントにあたっては、従来では微動ステージを移
動させる駆動装置がレチクルRより高い位置で、且つレ
チクルRの移動方向(Y方向)に存在するために、レチ
クルRに直近のアライメントユニット31の構成部材
(例えば反射光学系35)を駆動装置と干渉しない高さ
に配置する必要があった。この場合、図12に示すよう
に、照明光学系8や投影光学系PLの光学素子のNA
(開口数)によっては、駆動装置と干渉しない高さH1
にある反射光学系35により、けられが発生するため、
当該反射光学系35を計測位置から退避させる機構を設
ける必要があったが、本実施の形態では、微動ステージ
14を移動させるためのムーバ32、34、36、38
がいずれもレチクルR(ホルダ15)に対して+X側に
配置されているため、アライメントユニット31を片持
ちで支持することで、これらムーバの位置に依存するこ
となくレチクルRに接近した位置H2に配置することが
できる。そのため、けられの発生がなくなり、アライメ
ントユニット31の構成部材に退避機構を設ける必要が
なくなる。また、アライメントユニット31をユニット
支持金具27及び支持板29を介して定盤12により支
持させているので、アライメントユニット31と定盤1
2とを1つのユニットとして組み立てることができ、組
立の作業効率を向上させることができる。
【0071】このように、レチクルRとウエハWとが位
置合わせされると、EGAパラメータと各ショットの設
計上の座標値とに基づいて算出されたウエハ上の各ショ
ットの位置情報(座標値)に応じて干渉計システム23
の計測値をモニタしつつウエハWの第1ショットの露光
のための走査開始位置にウエハステージ9を移動させ
る。この後、照明光学系8から出射され、アライメント
ユニット31に支持された固定ブラインドで設定された
形状の照明光が微動ステージ14上に保持されたレチク
ルR上の所定の照明領域(X軸方向に直線的に伸びたス
リット状又は矩形状の照明領域)を均一な照度分布で照
明する。ここで、レチクルRに照射される矩形スリット
状の照明光は、投影光学系PLの円形投影視野の中央に
X軸方向(非走査方向)に細長く延びるように設定さ
れ、その照明光のY軸方向(走査方向)の幅はほぼ一定
に設定されている。
【0072】そして、微動Yムーバ32、粗動Yムーバ
36、及び駆動装置13を介して微動ステージ14、粗
動ステージ18、及びウエハステージ9とのY方向の走
査を開始し、これらのステージがそれぞれの目標走査速
度に達すると、照明光によってレチクルRのパターン領
域が照明され始め、走査露光が開始される。この動作を
繰り返すことで、各ショット領域上に、レチクルR上に
形成されたパターンを順次転写(露光)する。
【0073】一方、レチクルステージ装置10において
アライメントユニット31は、定盤12と一体化(ユニ
ット化)された状態で当該定盤12や微動ステージ14
に対する位置調整が行われ、メンテナンス後や出荷に際
しては、これらレチクルステージ装置10ともに一つの
ユニットとして扱われ露光装置28に取り付けられる。
【0074】以上のように本実施の形態の位置計測装置
では、ムーバ32、34、36、38をレチクルRの+
X側に配置し、アライメントユニット31をレチクルR
の−X側に配置することで、小型軽量で測定精度を維持
できるレチクルステージ装置10(および露光装置2
8)が得られる構成を採用した場合でも、アライメント
ユニット31を片持ちで支持することによりスペース効
率を向上させることが可能になっている。そのため、本
実施の形態の露光装置では、アライメントセンサ25の
設置に要するスペースを最小化でき、装置の大型化を防
止している。しかも、本実施の形態では、アライメント
ユニット31で固定ブラインドを支持しているので、照
明光学系8においても省スペース化が図られ、露光装置
の小型化に一層寄与できる。
【0075】また、本実施の形態では、定盤12がアラ
イメントユニット31を支持する構成を採ることによ
り、定盤12(すなわちレチクルR)に対するアライメ
ントユニット31の位置を一旦調整すれば、メンテナン
スや出荷に際してこれらを露光装置等に組み付けるとき
に厳密な調整作業が不要になり、作業効率の向上に寄与
することになる。特に、ステージとアライメントユニッ
ト31とを個別に取り付ける場合のように、露光装置2
8にそれぞれ取り付けた後に厳密な調整作業を施すと、
例えば客先における貴重な組立・調整時間をより多く費
消することになるが、本実施の形態ではこのような事態
も回避できる。
【0076】さらに、本実施の形態では、ワッシャ37
の厚さを調節することによりZ方向におけるレチクルR
と投影光学系PLとの相対位置関係が調節できるので、
パターン内で線幅の変動等が生じず、所望のデバイス特
性を得ることができる。特に、本実施の形態では、ワッ
シャ37が着脱自在となっているので、上記相対位置関
係を容易に調節することができる。また、このワッシャ
37は、厚さが増減した場合でもアライメントユニット
31と定盤12(すなわちレチクルR)との相対位置関
係が変わらない位置に設置する必要があるが、本実施の
形態では上記のようにアライメントユニット31が定盤
12に支持されることで、定盤12と装置フレーム7と
の間に介装することができ、よりコンパクトに配置する
ことで、装置を一層小型化することが可能である。
【0077】なお、上記実施の形態では、本発明の位置
計測装置をレチクルステージ装置10の定盤12に支持
させる構成としたが、ウエハステージ9上のマーク(ウ
エハW上のウエハマークや指標マーク)を計測する、例
えばオフアクシス方式の位置計測装置を設ける場合はこ
の装置をウエハステージ9の定盤(不図示)に支持させ
る構成としてもよい。また、位置計測装置を露光装置に
用いる構成としたが、これに限られるものではなく、移
動自在なステージ上に保持された計測対象物を計測する
ものであれば、各種検査装置や製造装置に適用可能であ
る。
【0078】また、上記実施の形態において、アライメ
ントセンサをハロゲンランプ等を光源とする波長帯域幅
の広い光で照明し、CCDカメラなどで撮像したアライ
メントマークの画像データを画像処理してマーク位置を
計測するFIA(FieldImage Alignm
ent)方式として説明したが、レーザ光をウエハ上の
ドット列状のアライメントマークに照射し、そのマーク
により回折または散乱された光を用いてマーク位置を検
出するLSA(Laser Step Alignme
nt)方式や、ウエハ上の回折格子状のアライメントマ
ークにピッチ方向に対照的に傾斜した2つのコヒーレン
トビームを照射し、発生した2つの回折光を干渉させ、
その位相からアライメントマークの位置を計測するLI
A(Laser Interferometric A
lignment)方式であってもよい。
【0079】なお、本実施の形態の基板としては、半導
体デバイス製造用の半導体ウエハWのみならず、ディス
プレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用の
セラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマス
クまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)
等が適用される。
【0080】露光装置28としては、レチクルRとウエ
ハWとを同期移動してレチクルRのパターンを走査露光
するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置
(スキャニング・ステッパー;USP5,473,410)の他に、
レチクルRとウエハWとを静止した状態でレチクルRの
パターンを露光し、ウエハWを順次ステップ移動させる
ステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステ
ッパー)にも適用することができる。また、本発明はウ
エハW上で少なくとも2つのパターンを部分的に重ねて
転写するステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置
にも適用できる。
【0081】露光装置28の種類としては、ウエハWに
半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光
装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ
製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CC
D)あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための
露光装置などにも広く適用できる。
【0082】また、不図示の露光用光源として、超高圧
水銀ランプから発生する輝線(g線(436nm)、h
線(404.nm)、i線(365nm))、KrFエ
キシマレーザ(248nm)、ArFエキシマレーザ
(193nm)、F2レーザ(157nm)、Ar2レー
ザ(126nm)のみならず、電子線やイオンビームな
どの荷電粒子線を用いることができる。例えば、電子線
を用いる場合には電子銃として、熱電子放射型のランタ
ンヘキサボライト(LaB6)、タンタル(Ta)を用
いることができる。また、YAGレーザや半導体レーザ
等の高調波などを用いてもよい。
【0083】例えば、DFB半導体レーザ又はファイバ
ーレーザから発振される赤外域又は可視域の単一波長レ
ーザを、例えばエルビウム(又はエルビウムとイットリ
ビウムの両方)がドープされたファイバーアンプで増幅
し、かつ非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した
高調波を露光光として用いてもよい。なお、単一波長レ
ーザの発振波長を1.544〜1.553μmの範囲内
とすると、193〜194nmの範囲内の8倍高調波、
即ちArFエキシマレーザとほぼ同一波長となる紫外光
が得られ、発振波長を1.57〜1.58μmの範囲内
とすると、157〜158nmの範囲内の10倍高調
波、即ちF2レーザとほぼ同一波長となる紫外光が得ら
れる。
【0084】また、レーザプラズマ光源、又はSORか
ら発生する波長5〜50nm程度の軟X線領域、例えば
波長13.4nm、又は11.5nmのEUV(Extreme
Ultra Violet)光を露光光として用いてもよく、EUV
露光装置では反射型レチクルが用いられ、かつ投影光学
系が複数枚(例えば3〜6枚程度)の反射光学素子(ミ
ラー)のみからなる縮小系となっている。
【0085】投影光学系PLは、縮小系のみならず等倍
系および拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系P
Lは屈折系、反射系、及び反射屈折系のいずれであって
もよい。なお、露光光の波長が200nm程度以下であ
るときは、露光光が通過する光路を、露光光の吸収が少
ない気体(窒素、ヘリウムなどの不活性ガス)でパージ
することが望ましい。また電子線を用いる場合には光学
系として電子レンズおよび偏向器からなる電子光学系を
用いればよい。なお、電子線が通過する光路は、真空状
態にすることはいうまでもない。
【0086】ウエハステージ9やレチクルステージ装置
10にリニアモータ(USP5,623,853またはUSP5,528,118
参照)を用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮
上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた
磁気浮上型のどちらを用いてもよい。また、各ステージ
9、10は、ガイドに沿って移動するタイプでもよく、
ガイドを設けないガイドレスタイプであってもよい。
【0087】各ステージ9、10の駆動機構としては、
二次元に磁石を配置した磁石ユニットと、二次元にコイ
ルを配置した電機子ユニットとを対向させ電磁力により
各ステージ9、10を駆動する平面モータを用いてもよ
い。この場合、磁石ユニットと電機子ユニットとのいず
れか一方をステージ9、10に接続し、磁石ユニットと
電機子ユニットとの他方をステージ9、10の移動面側
に設ければよい。
【0088】以上のように、本願実施形態の露光装置2
8は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含
む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精
度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造さ
れる。これら各種精度を確保するために、この組み立て
の前後には、各種光学系については光学的精度を達成す
るための調整、各種機械系については機械的精度を達成
するための調整、各種電気系については電気的精度を達
成するための調整が行われる。各種サブシステムから露
光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、
機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続
等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への
組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工
程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露
光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行わ
れ、露光装置全体としての各種精度が確保される。な
お、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理さ
れたクリーンルームで行うことが望ましい。
【0089】半導体デバイスは、図13に示すように、
デバイスの機能・性能設計を行うステップ201、この
設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作する
ステップ202、シリコン材料からウエハを製造するス
テップ203、前述した実施形態の露光装置10により
レチクルのパターンをウエハに露光するウエハ処理ステ
ップ204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工
程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む)20
5、検査ステップ206等を経て製造される。
【0090】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1に係る位
置計測装置は、ステージを移動自在に支持する定盤が計
測部を支持する構成となっている。これにより、この位
置計測装置では、メンテナンスや出荷に際してこれらを
組み付けるときに厳密な調整作業が不要になり、作業効
率の向上に寄与するという効果が得られる。
【0091】請求項2に係る位置計測装置は、計測部を
支持する支持部材が片持ち支持される構成となってい
る。これにより、この位置計測装置では、スペース効率
が向上するという効果を奏する。
【0092】請求項3に係る位置計測装置は、駆動装置
が第2方向の一方側に配置され、計測部が第2方向の他
方側で定盤に支持される構成となっている。これによ
り、この位置計測装置では、駆動装置が一方側に配置さ
れた構成に対応してスペース効率が向上するという効果
を奏する。
【0093】請求項4に係る位置計測装置は、計測部が
基板の照明領域を設定する照明領域設定装置を支持する
構成となっている。これにより、この位置計測装置で
は、装置の小型化に一層寄与するという効果が得られ
る。
【0094】請求項5に係る位置計測装置は、ステージ
の移動方向に沿って基板が複数配置される構成となって
いる。これにより、この位置計測装置では、複数の基板
に対して位置情報を計測する場合でも組み付け時に厳密
な調整作業が不要になり、作業効率の向上に寄与すると
いう効果が得られる。
【0095】請求項6に係る露光装置は、マスクと感光
基板との少なくとも一方の位置情報を計測する装置とし
て、請求項1から請求項5のいずれか一項に記載された
位置計測装置が用いられる構成となっている。これによ
り、この露光装置では、作業効率の向上に寄与するとと
もに、装置の大型化を防止できるという効果が得られ
る。
【0096】請求項7に係る露光装置は、マスクと投影
光学系との光軸方向の相対位置関係を調節する調節部材
を有する構成となっている。これにより、この露光装置
では、パターン内で線幅の変動等が生じず、所望のデバ
イス特性が容易に得られるとともに、装置を一層小型化
できるという効果を奏する。
【0097】請求項8に係る露光装置は、調整部材が定
盤と、定盤を支持する架台との間に着脱自在に介装され
る構成となっている。これにより、この露光装置では、
マスクと投影光学系との相対位置関係を容易に調節でき
るという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態を示す図であって、ア
ライメントユニットが定盤に支持された露光装置の概略
構成図である。
【図2】 同露光装置を構成するレチクルステージ装
置の外観斜視図である。
【図3】 図2における右側面図である。
【図4】 リアクションフレームと粗動ステージの部
分断面図である。
【図5】 レチクルステージ装置の分解組立斜視図で
ある。
【図6】 定盤に対するワッシャの配置を示す平面図
である。
【図7】 定盤に支持されたアライメントセンサの概
略構成図である。
【図8】 同アライメントセンサの概略構成図であ
る。
【図9】 ムーバを構成するアクチュエータの外観斜
視図である。
【図10】 同アクチュエータの分解組立斜視図であ
る。
【図11】 リアクションフレームが取付用フレーム
に支持される外観斜視図である。
【図12】 レチクルに対する反射光学系の位置関係
を示す図である。
【図13】 半導体デバイスの製造工程の一例を示す
フローチャート図である。
【図14】 従来のアライメントセンサの配置例を示
す外観斜視図である。
【符号の説明】
R レチクル(マスク、基板) W ウエハ(感光基板) 7 装置フレーム(架台) 9 ウエハステージ(基板ステージ) 10 レチクルステージ装置 12 定盤 14 微動ステージ(ステージ、マスクステージ) 25 アライメントセンサ(位置計測装置) 28 露光装置 29 支持板(支持部材) 31 アライメントユニット(計測部) 32 微動Yムーバ(駆動装置) 36 粗動Yムーバ(駆動装置) 37 ワッシャ(調節部材)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/30 516B (72)発明者 龍薗 寿隆 埼玉県上尾市上82−6 Fターム(参考) 2F069 AA03 AA17 AA77 BB15 GG04 GG07 MM03 MM04 MM24 MM34 MM38 5F031 CA02 CA05 CA07 HA02 HA13 HA50 HA53 HA55 JA04 JA06 JA07 JA14 JA17 JA28 JA29 JA30 JA38 KA06 KA07 KA08 LA03 LA04 LA06 LA07 LA08 MA27 NA02 5F046 CC18 DB05

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 移動自在なステージ上に保持された基
    板の位置情報を計測する計測部を有する位置計測装置に
    おいて、 前記ステージを移動自在に支持する定盤が前記計測部を
    支持することを特徴とする位置計測装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の位置計測装置におい
    て、 前記計測部を支持する支持部材が片持ち支持されること
    を特徴とする位置計測装置。
  3. 【請求項3】 請求項1または2記載の位置計測装置
    において、 前記ステージを第1方向に駆動する駆動装置が前記第1
    方向と略直交する第2方向の一方側に配置され、 前記計測部は、前記第2方向の他方側で前記定盤に支持
    されることを特徴とする位置計測装置。
  4. 【請求項4】 請求項1から3のいずれかに記載の位
    置計測装置において、 前記計測部は、前記基板の照明領域を設定する照明領域
    設定装置を支持することを特徴とする位置計測装置。
  5. 【請求項5】 請求項1から4のいずれかに記載の位
    置計測装置において、 前記ステージ上には、該ステージの移動方向に沿って前
    記基板が複数配置されることを特徴とする位置計測装
    置。
  6. 【請求項6】 マスクステージに保持されたマスクの
    位置情報と基板ステージに保持された感光基板の位置情
    報とを用いて前記マスクと前記感光基板とを位置合わせ
    し、前記マスクのパターンを投影光学系を介して前記感
    光基板に露光する露光装置において、 前記マスクと前記感光基板との少なくとも一方の位置情
    報を計測する装置として、請求項1から請求項5のいず
    れか一項に記載された位置計測装置が用いられることを
    特徴とする露光装置。
  7. 【請求項7】 請求項6記載の露光装置において、 前記マスクと前記投影光学系との光軸方向の相対位置関
    係を調節する調節部材を有することを特徴とする露光装
    置。
  8. 【請求項8】 請求項7記載の露光装置において、 前記調整部材は、前記マスクステージを移動自在に支持
    する定盤と、該定盤を支持する架台との間に着脱自在に
    介装されることを特徴とする位置計測装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013546163A (ja) * 2010-09-29 2013-12-26 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 光学素子を位置合わせするシステム及びその方法
JP2016213377A (ja) * 2015-05-12 2016-12-15 村田機械株式会社 パージノズル
JP2020111450A (ja) * 2019-01-15 2020-07-27 大日本印刷株式会社 カード用プリンタ

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