JP2003002797A - 半導体基板の製造方法及び装置 - Google Patents
半導体基板の製造方法及び装置Info
- Publication number
- JP2003002797A JP2003002797A JP2001182768A JP2001182768A JP2003002797A JP 2003002797 A JP2003002797 A JP 2003002797A JP 2001182768 A JP2001182768 A JP 2001182768A JP 2001182768 A JP2001182768 A JP 2001182768A JP 2003002797 A JP2003002797 A JP 2003002797A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- manufacturing
- semiconductor substrate
- layer
- holding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 層間剥離時の割れを防ぐためには、１０００
℃近くまで温度を上げないと基板の内部応力が緩和され
ず、非常に高温であるため、昇温および降温時に時間が
かかる。 【解決手段】 ＧａＮ層３と保持層２とで構成される基
板４を保持層２から加熱して基板４温度を上昇させ、保
持層２を透過し、ＧａＮ層３に吸収される波長のレーザ
光５をこの保持層２側から照射して二つの層を剥離させ
る。
℃近くまで温度を上げないと基板の内部応力が緩和され
ず、非常に高温であるため、昇温および降温時に時間が
かかる。 【解決手段】 ＧａＮ層３と保持層２とで構成される基
板４を保持層２から加熱して基板４温度を上昇させ、保
持層２を透過し、ＧａＮ層３に吸収される波長のレーザ
光５をこの保持層２側から照射して二つの層を剥離させ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板の製造
方法及び装置に関するものである。
方法及び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体の基板材料として使用されるもの
に、ＧａＮというものがある。ＧａＮの基板は、保持層
の上にＧａＮ層を結晶成長させることによって作られて
いる。これまで、一般的には、ＧａＮ層と保持層とを分
離せずに使うことが多かったが、最終製品の半導体素子
の特性を良くする試みとして、ＧａＮ層と保持層とを分
離することが考えられている。この場合、保持層として
サファイアを用い、その層上に反応炉等によってＧａＮ
層を育成した基板に、サファイア層側から紫外領域のレ
ーザ光を照射すると、界面のＧａＮが分解し、層間で剥
離が起こる。これを利用して、レーザ光を基板上の全面
に走査することにより、サファイア層とＧａＮ層を剥離
することができる。ＧａＮ層育成の過程では、保持層は
１０００℃付近の高温で反応が進めるため、室温におい
ては保持層とＧａＮ層の間で、熱膨張率の違いから生じ
る非常に大きなストレスがあり、基板が反った状態とな
っている。室温のまま、レーザ照射すると剥離部と未剥
離部との境界に応力が集中し、基板の亀裂や割れが生じ
てしまう。
に、ＧａＮというものがある。ＧａＮの基板は、保持層
の上にＧａＮ層を結晶成長させることによって作られて
いる。これまで、一般的には、ＧａＮ層と保持層とを分
離せずに使うことが多かったが、最終製品の半導体素子
の特性を良くする試みとして、ＧａＮ層と保持層とを分
離することが考えられている。この場合、保持層として
サファイアを用い、その層上に反応炉等によってＧａＮ
層を育成した基板に、サファイア層側から紫外領域のレ
ーザ光を照射すると、界面のＧａＮが分解し、層間で剥
離が起こる。これを利用して、レーザ光を基板上の全面
に走査することにより、サファイア層とＧａＮ層を剥離
することができる。ＧａＮ層育成の過程では、保持層は
１０００℃付近の高温で反応が進めるため、室温におい
ては保持層とＧａＮ層の間で、熱膨張率の違いから生じ
る非常に大きなストレスがあり、基板が反った状態とな
っている。室温のまま、レーザ照射すると剥離部と未剥
離部との境界に応力が集中し、基板の亀裂や割れが生じ
てしまう。
【０００３】従来は、これを防止するため、図６に示す
ように、ヒータ１の上に保持層２とＧａＮ層３からなる
基板４を載せて、１０００℃近くまで加熱してレーザ光
５で照射を行っている。
ように、ヒータ１の上に保持層２とＧａＮ層３からなる
基板４を載せて、１０００℃近くまで加熱してレーザ光
５で照射を行っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】まず第一の課題は、ヒ
ーターによって基板全体を加熱しているために、ＧａＮ
結晶育成時の１０００℃近くまで温度を上げないと、基
板の内部応力が緩和されない。また、非常に高温である
ため、昇温および降温時に時間がかかる。
ーターによって基板全体を加熱しているために、ＧａＮ
結晶育成時の１０００℃近くまで温度を上げないと、基
板の内部応力が緩和されない。また、非常に高温である
ため、昇温および降温時に時間がかかる。
【０００５】次に第二の課題は、ヒーター上に基板を載
せて加熱する際、レーザを照射する側が保持層側となる
ため、ＧａＮ層側がヒータ側となる。このとき、保持層
側の温度はＧａＮ層側と比較すると低くなってしまう。
保持層としてサファイアを用いた場合には、サファイア
層の方がＧａＮ層よりも熱膨張係数が大きく、室温での
収縮量が大きくなっており、サファイア層側の温度を高
くした方が、層間のストレスが緩和されるが、従来の方
法では、反対の温度分布となっている。また、従来の方
法では、層間が剥離するとヒータからの熱伝導が阻害さ
れるため、サファイア層側の温度が低くなるため、より
収縮が大きくなり、未剥離部との境界への応力集中が増
加する。
せて加熱する際、レーザを照射する側が保持層側となる
ため、ＧａＮ層側がヒータ側となる。このとき、保持層
側の温度はＧａＮ層側と比較すると低くなってしまう。
保持層としてサファイアを用いた場合には、サファイア
層の方がＧａＮ層よりも熱膨張係数が大きく、室温での
収縮量が大きくなっており、サファイア層側の温度を高
くした方が、層間のストレスが緩和されるが、従来の方
法では、反対の温度分布となっている。また、従来の方
法では、層間が剥離するとヒータからの熱伝導が阻害さ
れるため、サファイア層側の温度が低くなるため、より
収縮が大きくなり、未剥離部との境界への応力集中が増
加する。
【０００６】そして第三の課題は、従来のレーザ照射方
法では、図７に示すように、基板４上をレーザ光の軌跡
６が直線上に走査していったために、剥離領域と未剥離
領域の境界が直線上になり、その直線の端部においての
応力集中があり、亀裂や割れが生じやすくなっている。
法では、図７に示すように、基板４上をレーザ光の軌跡
６が直線上に走査していったために、剥離領域と未剥離
領域の境界が直線上になり、その直線の端部においての
応力集中があり、亀裂や割れが生じやすくなっている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明は、保持層とＧａＮ層で構成される基板を前記
保持層から加熱して前記基板温度を上昇させ、前記保持
層を透過し、前記ＧａＮ層に吸収される波長のレーザ光
をこの保持層側から照射して二つの層を剥離させるもの
である。
に本発明は、保持層とＧａＮ層で構成される基板を前記
保持層から加熱して前記基板温度を上昇させ、前記保持
層を透過し、前記ＧａＮ層に吸収される波長のレーザ光
をこの保持層側から照射して二つの層を剥離させるもの
である。
【０００８】これにより、照射されたレーザ光は保持層
で吸収されて保持層の温度のみが上昇し、保持層とＧａ
Ｎ層の間では、温度勾配ができるために、ＧａＮ層育成
時の温度まで昇温しなくても、層間のストレスを解消す
ることが可能となる。
で吸収されて保持層の温度のみが上昇し、保持層とＧａ
Ｎ層の間では、温度勾配ができるために、ＧａＮ層育成
時の温度まで昇温しなくても、層間のストレスを解消す
ることが可能となる。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１〜図５に本発明の実施の形態
を示す。
を示す。
【００１０】図１は、本発明の第１の実施の形態に係る
半導体基板材料の製造方法を示す図である。保持層２に
サファイア層を用い、この保持層２上にＧａＮ層３を反
応炉によって育成した二層からなる基板４を用いる。基
板４は図示しない基板保持部によって保持されている。
二つの層間を剥離する際に、保持層２側から保持層３に
吸収されるＣＯ2レーザ光７を基板４の全体に照射す
る。基板４が十分に昇温した後、ＣＯ2レーザ光７は照
射したまま、層間剥離用にＹＡＧレーザの第三高調波の
レーザ光５を基板４に照射する。このレーザ光５によっ
て、界面に存在するＧａＮが分解され、層間が剥がれた
状態となる。このとき、保持層２側の温度はＧａＮ層３
側と比較すると、高い温度であるため、保持層２側が膨
張し、ＧａＮ層３との間のストレスが緩和され、基板４
の亀裂や割れが発生しにくくなる。
半導体基板材料の製造方法を示す図である。保持層２に
サファイア層を用い、この保持層２上にＧａＮ層３を反
応炉によって育成した二層からなる基板４を用いる。基
板４は図示しない基板保持部によって保持されている。
二つの層間を剥離する際に、保持層２側から保持層３に
吸収されるＣＯ2レーザ光７を基板４の全体に照射す
る。基板４が十分に昇温した後、ＣＯ2レーザ光７は照
射したまま、層間剥離用にＹＡＧレーザの第三高調波の
レーザ光５を基板４に照射する。このレーザ光５によっ
て、界面に存在するＧａＮが分解され、層間が剥がれた
状態となる。このとき、保持層２側の温度はＧａＮ層３
側と比較すると、高い温度であるため、保持層２側が膨
張し、ＧａＮ層３との間のストレスが緩和され、基板４
の亀裂や割れが発生しにくくなる。
【００１１】図２は、本発明の第２の実施の形態に係る
半導体基板材料の製造方法を示す図である。保持層２に
サファイア層を用い、この保持層２上にＧａＮ層３を反
応炉によって育成した二層からなる基板４を用いる。基
板４を加熱して、剥離加工時の層間ストレスを緩和する
際に、図示しないヒーターの熱を均質にするための基板
保持部である均質板８に、ＹＡＧ第三高調波のレーザ光
５を透過する石英板を用いる。この均質板８に、従来と
は反対側の保持層２側を設置する。加熱前の保持層２側
とＧａＮ層３側では、保持層２側での収縮が大きく、基
板４の層間では大きなストレスを生じているが、均質板
８に保持層２側を設置することによって、保持層２側の
温度が高くなる温度勾配が生じさせることができ、保持
層２側の収縮が緩和される。界面剥離用のレーザ光５
は、ミラー９を介して、均質板８を透過し、保持層２と
ＧａＮ層３の界面に照射される。剥離が起こった後は、
保持層２側からＧａＮ層３側への熱の流れも少なくなる
ため、層間の温度差はより大きくなる。その結果、保持
層２側の収縮は減少することになり、より層間ストレス
が緩和される方向に働いている。
半導体基板材料の製造方法を示す図である。保持層２に
サファイア層を用い、この保持層２上にＧａＮ層３を反
応炉によって育成した二層からなる基板４を用いる。基
板４を加熱して、剥離加工時の層間ストレスを緩和する
際に、図示しないヒーターの熱を均質にするための基板
保持部である均質板８に、ＹＡＧ第三高調波のレーザ光
５を透過する石英板を用いる。この均質板８に、従来と
は反対側の保持層２側を設置する。加熱前の保持層２側
とＧａＮ層３側では、保持層２側での収縮が大きく、基
板４の層間では大きなストレスを生じているが、均質板
８に保持層２側を設置することによって、保持層２側の
温度が高くなる温度勾配が生じさせることができ、保持
層２側の収縮が緩和される。界面剥離用のレーザ光５
は、ミラー９を介して、均質板８を透過し、保持層２と
ＧａＮ層３の界面に照射される。剥離が起こった後は、
保持層２側からＧａＮ層３側への熱の流れも少なくなる
ため、層間の温度差はより大きくなる。その結果、保持
層２側の収縮は減少することになり、より層間ストレス
が緩和される方向に働いている。
【００１２】図３は、本発明の第３の実施の形態に係る
半導体基板材料の製造方法を示す図である。層間剥離加
工をするためのレーザ光を、基板４の外周部から螺旋状
に基板の中心に向けて、レーザ光の軌跡６のように順次
照射していく。このときの照射領域の重なりは、２０％
〜８０％となるようにレーザ光の照射を行っている。こ
のことにより、点対称で剥離部と未剥離部が存在するた
めに境界面が円周上になり、保持層とＧａＮ層の間に発
生するストレスによる応力集中が分散されるため、亀裂
や割れの発生が少なくなっている。
半導体基板材料の製造方法を示す図である。層間剥離加
工をするためのレーザ光を、基板４の外周部から螺旋状
に基板の中心に向けて、レーザ光の軌跡６のように順次
照射していく。このときの照射領域の重なりは、２０％
〜８０％となるようにレーザ光の照射を行っている。こ
のことにより、点対称で剥離部と未剥離部が存在するた
めに境界面が円周上になり、保持層とＧａＮ層の間に発
生するストレスによる応力集中が分散されるため、亀裂
や割れの発生が少なくなっている。
【００１３】このレーザ光を螺旋状に走査するための方
法としては、２軸のガルバノメータ（図示せず）によっ
て行う方法の他に、図４に示すように、基板４を台１０
とモータ１１からなる回転機構１２の上に載せ、一軸の
ステージ１３によって、基板４の周辺から回転中心に向
かって移動していき、レーザ光５を照射する方法があ
る。また、他の方法として、図５に示すように、台１０
とモータ１１からなる回転機構１２の上に載せた基板４
に、一軸のガルバノメータ１３を使用して、基板４の周
辺から回転中心に向かってレーザ光５を走査させる方法
もある。
法としては、２軸のガルバノメータ（図示せず）によっ
て行う方法の他に、図４に示すように、基板４を台１０
とモータ１１からなる回転機構１２の上に載せ、一軸の
ステージ１３によって、基板４の周辺から回転中心に向
かって移動していき、レーザ光５を照射する方法があ
る。また、他の方法として、図５に示すように、台１０
とモータ１１からなる回転機構１２の上に載せた基板４
に、一軸のガルバノメータ１３を使用して、基板４の周
辺から回転中心に向かってレーザ光５を走査させる方法
もある。
【００１４】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、照射され
たレーザ光は保持層で吸収されて保持層の温度のみが上
昇し、保持層とＧａＮ層の間では、温度勾配ができるた
めに、ＧａＮ層育成時の温度まで昇温しなくても、層間
のストレスを解消することが可能となる。
たレーザ光は保持層で吸収されて保持層の温度のみが上
昇し、保持層とＧａＮ層の間では、温度勾配ができるた
めに、ＧａＮ層育成時の温度まで昇温しなくても、層間
のストレスを解消することが可能となる。
【００１５】また、温度が低いため、昇温・降温にかか
る時間も短くなる。
る時間も短くなる。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体基板材
料の製造方法を説明する図
料の製造方法を説明する図
【図２】本発明の第２の実施の形態に係る半導体基板材
料の製造方法を説明する図
料の製造方法を説明する図
【図３】本発明の第３の実施の形態に係る半導体基板材
料の製造方法を説明する図
料の製造方法を説明する図
【図４】本発明の実施の形態に係る半導体基板材料の製
造装置の概略図
造装置の概略図
【図５】本発明の実施の形態に係る半導体基板材料の製
造装置の概略図
造装置の概略図
【図６】従来の半導体基板材料の製造方法を説明する図
【図７】従来の半導体基板材料の製造方法のレーザ照射
方法を説明する図
方法を説明する図
２ 保持層
３ ＧａＮ層
５ レーザ光
７ レーザ光
８ 均熱板
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4E068 CD05 CE04 DA09
4G077 AA03 BE15 DB01 ED06 FH08
FJ04
5F004 AA06 BA20 BB03 DB19 EA38
EB08
Claims (13)
- 【請求項１】 ＧａＮ層と保持層とで構成される基板を
前記保持層から加熱して前記基板温度を上昇させる工程
と、前記保持層を透過し、前記ＧａＮ層に吸収される波
長のレーザ光をこの保持層側から照射して二つの層を剥
離させる工程とを有したことを特徴とする半導体基板の
製造方法。 - 【請求項２】 基板温度を上昇させる方法は、保持層に
吸収される波長を持つレーザ光をこの保持層側から照射
して基板を加熱することを特徴とする請求項１に記載の
半導体基板の製造方法。 - 【請求項３】 保持層としてサファイア基板を用いたこ
とを特徴とする請求項１、２のいずれかに記載の半導体
基板の製造方法。 - 【請求項４】 保持層に吸収されるレーザ光としてＣＯ
2レーザを用いたことを特徴とする請求項３に記載の半
導体基板の製造方法。 - 【請求項５】 基板温度を上昇させる方法は、レーザ光
が透過する材料で、ヒーターと前記基板間の温度分布を
均一化させる均熱板を保持層側に接触させて基板を加熱
することを特徴とする請求項１に記載の半導体基板の製
造方法。 - 【請求項６】 均熱板として石英ガラスを用いたことを
特徴とする請求項５に記載の半導体基板の製造方法。 - 【請求項７】 ＧａＮ層に吸収される波長のレーザとし
て、ＹＡＧ、ＹＬＦ、ＹＶＯ4のいずれかのレーザ光の
第３高調波または第４高調波を用いたことを特徴とする
請求項２〜６のいずれかに記載の半導体基板の製造方
法。 - 【請求項８】 ＧａＮ層に吸収される波長のレーザの照
射を基板の外周部から中心に向かって螺旋状に行うこと
を特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の半導体基
板の製造方法。 - 【請求項９】 螺旋状にレーザ光照射を行う方法とし
て、レーザ光の位置を固定して、基板を回転させなが
ら、前記レーザ光が基板の外周から回転中心に近づいて
いく方向に基板を移動させていくことを特徴とする請求
項８に記載の半導体基板の製造方法。 - 【請求項１０】 螺旋状にレーザ光照射を行う方法とし
て、ガルバノメータでレーザビームを螺旋状に走査する
ことを特徴とする請求項８に記載の半導体基板の製造方
法。 - 【請求項１１】 ＧａＮ層と保持層とで構成される基板
から半導体基板を製造する装置であって、前記保持層を
透過し、前記ＧａＮ層に吸収される波長のレーザ光を出
射する第１の光源と、前記保持層に吸収される波長を持
つレーザ光を出射する第２の光源と、前記基板を保持す
る基板保持部とを有し、前記第１の光源とこの第２の光
源とを前記基板保持部に対し、同じ側に配置したことを
特徴とする半導体基板の製造装置。 - 【請求項１２】 ＧａＮ層と保持層とで構成される基板
から半導体基板を製造する装置であって、前記保持層を
透過し、前記ＧａＮ層に吸収される波長のレーザ光を出
射する第１の光源と、ヒーターと、前記レーザ光が透過
する材料で、このヒーターの熱を前記基板に伝えて温度
分布を均一化させる基板保持部とを有したことを特徴と
する半導体基板の製造装置。 - 【請求項１３】 第１の光源から出射したレーザ光を基
板保持部に対し、螺旋状に走査させる相対走査手段を有
したことを特徴とする請求項１２、１３のいずれかに記
載の半導体基板の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001182768A JP4576755B2 (ja) | 2001-06-18 | 2001-06-18 | 半導体基板の製造方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001182768A JP4576755B2 (ja) | 2001-06-18 | 2001-06-18 | 半導体基板の製造方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003002797A true JP2003002797A (ja) | 2003-01-08 |
| JP4576755B2 JP4576755B2 (ja) | 2010-11-10 |
Family
ID=19022799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001182768A Expired - Fee Related JP4576755B2 (ja) | 2001-06-18 | 2001-06-18 | 半導体基板の製造方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4576755B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008522035A (ja) * | 2004-12-04 | 2008-06-26 | アイクストロン、アーゲー | ガリウム−亜硝酸塩層をサファイア基板および基板ホルダの上に堆積させる方法及び装置 |
| JP2014084263A (ja) * | 2012-10-26 | 2014-05-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ｉｉｉ族窒化物膜の製造方法 |
| CN107053498A (zh) * | 2015-09-15 | 2017-08-18 | 株式会社迪思科 | 氮化镓基板的生成方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001501778A (ja) * | 1996-10-01 | 2001-02-06 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | ２つの材料層を相互に分離する方法及びこの方法により製造された電子部品 |
| WO2001023648A1 (en) * | 1999-09-30 | 2001-04-05 | Prowtech Inc. | Apparatus and method for forming single crystalline nitride substrate using hydride vapor phase epitaxy and laser beam |
-
2001
- 2001-06-18 JP JP2001182768A patent/JP4576755B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001501778A (ja) * | 1996-10-01 | 2001-02-06 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | ２つの材料層を相互に分離する方法及びこの方法により製造された電子部品 |
| WO2001023648A1 (en) * | 1999-09-30 | 2001-04-05 | Prowtech Inc. | Apparatus and method for forming single crystalline nitride substrate using hydride vapor phase epitaxy and laser beam |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| JPN6010010952, Ｍ． Ｋ． Ｋｅｌｌｙ ｅｔ ａｌ．, "Ｌａｒｇｅ ｆｒｅｅ−ｓｔａｎｄｉｎｇ ＧａＮ ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ ｂｙ ｈｙｄｒｉｄｅ ｖａｐｏｒ ｐｈａｓｅ ｅｐｉｔａｘｙ ａｎｄ ｌａｓｅｒ−ｉｎｄｕｃｅｄ ｌｉｆｔｏｆｆ", Ｊｐｎ． Ｊ． Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ．, 19990301, Ｖｏｌ． ３８, ｐｐ． Ｌ２１７−Ｌ２１９, JP, Ｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎ Ｂｏａｒｄ， Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙ * |
| JPN6010010954, Ｗ． Ｓ． Ｗｏｎｇ ｅｔ ａｌ．, "Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ ＩｎＧａＮ ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ ｍｅｍｂｒａｎｅｓ ｂｙ ｌａｓｅｒ ｌｉｆｔ−ｏｆｆ", Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ．, 19990906, Ｖｏｌ． ７５， Ｎｏ． １０, ｐｐ． １３６０−１３６２, US, Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃｓ * |
| JPN6010010958, Ｐ． Ｒ． Ｔａｖｅｒｎｉｅｒ ｅｔ ａｌ．, "Ｍｅｃｈａｎｉｃｓ ｏｆ ｌａｓｅｒ−ａｓｓｉｓｔｅｄ ｄｅｂｏｎｄｉｎｇ ｏｆ ｆｉｌｍｓ", Ｊ． Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ．, 20010201, Ｖｏｌ． ８９， Ｎｏ． ３, ｐｐ． １５２７−１５３６, US, Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃｓ * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008522035A (ja) * | 2004-12-04 | 2008-06-26 | アイクストロン、アーゲー | ガリウム−亜硝酸塩層をサファイア基板および基板ホルダの上に堆積させる方法及び装置 |
| JP2014084263A (ja) * | 2012-10-26 | 2014-05-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ｉｉｉ族窒化物膜の製造方法 |
| CN107053498A (zh) * | 2015-09-15 | 2017-08-18 | 株式会社迪思科 | 氮化镓基板的生成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4576755B2 (ja) | 2010-11-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8546245B2 (en) | Method for manufacturing composite substrate comprising wide bandgap semiconductor layer | |
| US8975159B2 (en) | Method for manufacturing bonded wafer | |
| TWI322463B (en) | Method of irradiating laser, laser irradiation system, and manufacturing method of semiconductor device | |
| WO2016194975A1 (ja) | 酸化物単結晶薄膜を備えた複合ウェーハの製造方法 | |
| CN105009253B (zh) | 半导体器件的制造方法 | |
| US8329556B2 (en) | Localized annealing during semiconductor device fabrication | |
| TWI588914B (zh) | Transparent SOI wafer manufacturing method | |
| JPS6412088B2 (ja) | ||
| US20110244655A1 (en) | Method for fabricating soi substrate | |
| JP6163442B2 (ja) | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH08172050A (ja) | レーザー光の照射装置およびレーザー光の照射方法 | |
| JPH09237764A (ja) | 輻射加熱装置および加熱方法 | |
| JPH0883765A (ja) | 多結晶半導体膜の製造方法 | |
| JP2003002797A (ja) | 半導体基板の製造方法及び装置 | |
| JP2010141103A (ja) | 半導体装置の製造方法および熱処理装置 | |
| US10468304B1 (en) | Semiconductor substrate production systems and related methods | |
| JP4594121B2 (ja) | Ｓｏｉウエーハの製造方法及びｓｏｉウエーハ | |
| JP2002222773A (ja) | 窒化物半導体ウェハの製造方法 | |
| JPS5870536A (ja) | レ−ザアニ−ル方法 | |
| JP5569392B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
| JPS60223112A (ja) | 半導体熱処理装置 | |
| TW200818321A (en) | Semiconductor on insulator structure made using radiation annealing | |
| JPH0582466A (ja) | 半導体層のアニール処理方法 | |
| JPH0454964B2 (ja) | ||
| JPH01152718A (ja) | 半導体製造装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080317 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20080414 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20091119 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100223 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100302 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100329 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100727 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100809 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130903 Year of fee payment: 3 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4576755 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130903 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |