JP2003001096A - 超音波を用いる金属カルコゲナイドコロイド粒子の合成法および該粒子含有光記録媒体 - Google Patents

超音波を用いる金属カルコゲナイドコロイド粒子の合成法および該粒子含有光記録媒体

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JP2003001096A
JP2003001096A JP2001190084A JP2001190084A JP2003001096A JP 2003001096 A JP2003001096 A JP 2003001096A JP 2001190084 A JP2001190084 A JP 2001190084A JP 2001190084 A JP2001190084 A JP 2001190084A JP 2003001096 A JP2003001096 A JP 2003001096A
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Hiroyuki Hirai
博幸 平井
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Abstract

(57)【要約】 【課題】金属カルコゲナイドのナノ粒子が簡易に合成で
きる方法を提供する。さらに、高感度でかつ情報保存性
が優れ、かつ低コストの光記録媒体を提供する。 【解決手段】アルカリ金属およびアルカリ土類金属を除
く金属イオンとカルコゲナイド前駆体とを超音波中で反
応させることにより金属カルコゲナイドのコロイド粒子
を合成する方法、およびこの方法で合成した金属カルコ
ゲナイドのコロイド粒子を含有する光記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、金属のカルコゲナ
イドコロイド粒子の合成法および該コロイド粒子を用い
る光記録媒体に関するものである。
【0002】
【従来の技術】金属およびカルコゲンは、光ディスクに
代表される光記録媒体、特に相変化を利用する書換型光
記録媒体において記録層として広く用いられている。こ
の場合の代表的な組成は、Ag−In−Sb−Te系
(特登3009899号等)やGe−Sb−Te系(特
公平3−80635号等)であり、通常、これらの金属
類を焼結したターゲットをスパッタリングすることによ
り薄膜を形成して記録層としている。
【0003】また、特開平10−261244には、微
細な凹凸パターンを有する基体上に金属微粒子や貴金属
微粒子をカルコゲン化合物中に分散した記録層、又は貴
金属微粒子とカルコゲン化合物微粒子の複合微粒子を誘
電体材料中に分散した記録層をスパッタリングにより設
けて成る光記録媒体が開示されている。
【0004】一般に、スパッタリングによる薄膜形成法
は、膜組成の自由度が大きい、ドライな雰囲気で膜形成
できる等の利点を有するものの、薄膜を形成する微粒子
は、コロイド法で形成された微粒子に比べ、サイズおよ
びサイズ分布の制御、粒子の構造制御、バインダーある
いは誘電媒体への分散が困難であり、その結果、記録/
未記録部分の識別性、記録領域のダウンサイズ化、記録
材料の安定性等の向上が難しいという欠点を有してい
る。
【0005】超微粒子を調製する技術として、特開20
00―54012号には、還元法により金属、金属間化
合物、合金の磁性ナノクリスタルを形成する手法が開示
されているが、金属カルコゲナイド調製を目的とする本
発明に供するものではない。本発明の化学合成の対象と
される材料からなる薄膜は前記スパッタリングや還元法
以外にCVDのよっても作製される。特開平3−825
93にはAgInTe2 薄膜をCVDによって作製する
例が開示されている。しかし、この方法では、通常、基
板温度を100℃以上の高温にする必要がありポリカー
ボネートのようなポリマー基板には適用が難しい。また
製膜時間が長い等の製造上の問題があった。
【0006】光記録層が超微粒子状物質を耐熱性マトリ
ックス中に分散せしめたようなものであっても良いとい
う認識は例えば特登2908826号に記載されている
が、その具体的な製法は記載されていない。このような
膜形成は通常耐熱性マトリックス中にスパッタリングに
よって過飽和な状態に注入された記録材料をアニール等
によって析出させることで製作されており、本発明のよ
うにコロイド状に分散される記録材料の製法は例を見な
い。さらにゾルゲル法による湿式プロセスについても例
えば特登2908826に挙げられているが、具体的な
製法は開示されておらず一般的な記述の域を出るもので
はない。 また、特開平3−231890には、InC
uSe2 合金を用いる記録層の形成法として、スプレー
法やスピンコート後の焼成法が提案されているが、製造
の精度や基板の耐熱性を考えると現実的とは言えない。
【0007】特願2000−169202号には、金属
カルコゲナイドナノ粒子をコロイド法で形成する方法が
記載されているが、ヘプタン等の疎水性溶媒を分散媒と
して使用しており、ナノ粒子の収率が低く、実用上改善
の必要があった。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、製造適性に
優れた金属カルコゲナイドナノ粒子コロイドを提供する
ための新しい合成法を開示することを目的とする。さら
に本発明は、この方法で得られたナノ粒子コロイドをス
ピンコートまたはウエッブ塗布することによって記録層
を形成することにより高密度化と高感度化を可能とする
光記録媒体を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記課題は、以下の手段
により達成できた。 〔1〕アルカリ金属およびアルカリ土類金属を除く金属
イオンとカルコゲナイド前駆体とを超音波中で反応させ
ることにより金属カルコゲナイドのコロイド粒子を合成
する方法。 〔2〕カルコゲナイドがテルル化物またはセレン化物で
あることを特徴とする上記〔1〕に記載のコロイド粒子
の合成法。 〔3〕溶液中に核となるナノ粒子を共存させた状態で超
音波処理することを特徴とする上記〔1〕または〔2〕
に記載のコロイド粒子の合成法。 〔4〕上記〔1〕ないし〔3〕のいずれかに記載の方法
で合成した金属カルコゲナイドのコロイド粒子を含有す
る光記録媒体。
【0010】
【発明の実施の形態】アルカリ金属およびアルカリ土類
金属を除く金属イオンとしては、Al3+などの第3族金
属イオン、Sn4+などの第4族金属イオン、Bi3+など
の第5族金属イオン、Sc3+、Fe3+などの遷移金属イ
オンなどが挙げられる。金属イオンとなる金属として
は、Ag、Cu、Zn、Cd、In、Ge、Sb、S
n、Pb、Fe、Co、Ni、Pd等が本法の合成に好
適である。本発明の合成法では、アルカリ金属およびア
ルカリ土類金属を除く金属のカルコゲナイド化合物のナ
ノ粒子を得ることができる。光記録材料の記録層に適用
するには、カルコゲナイド化合物の中でもテルル化物ま
たはセレン化物、特にテルル化物が好ましい。本発明に
用いる上記金属化合物(合成原料)は、水、アルコール
類等の親水性溶媒に溶解するものであり、20℃におけ
る溶解度が0.1以上のものが望ましい。かかる金属化
合物としては、硝酸塩、硫酸塩、塩化物、酢酸塩等のカ
ルボン酸塩などが挙げられる。これらの金属化合物の中
でも微粒子が得られやすいこと、副生成物が除去しやす
いことから、酢酸塩が特に好ましい。
【0011】本発明に用いるカルコゲナイド前駆体と
は、加熱によりカルコゲナイドを生成する化合物の総称
である。好ましいカルコゲナイド前駆体は、水、アルコ
ール類等の親水性溶媒に溶解するものであり、20℃に
おける溶解度が0.1以上のものである。金属酸化物を
合成するためのカルコゲナイド前駆体としては、加熱に
より塩基(アルカリ)を放出する化合物(塩基プレカー
サー)が好ましい。かかる化合物としては、トリクロロ
酢酸塩、α−スルフォニル酢酸塩、アセチレンカルボン
酸塩等が挙げられる。これらの塩のカチオンとしては、
リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、
セシウムイオン等のアルカリ金属イオン;アンモニウム
イオン;4級アンモニウムイオン、グアニジウムイオ
ン、アミジウムイオン等の有機塩基カチオンから選択で
きる。塩基プレカーサーの具体例は特公平3−2288
号、同3−60414号、同2−45181号、同2−
45180号、同2−51498号、同2−48103
号等に記載されており、本発明にも使用できる。また、
尿素誘導体も使用できる。
【0012】金属硫化物を合成するためのカルコゲナイ
ド前駆体としては、チオアセトアミド等のチオアミド誘
導体やチオ尿素等のチオカルバミド誘導体が好ましい。
金属セレン化物や金属テルル化物を合成するためのカル
コゲナイド前駆体としては、(CH32NC(=Se)
NH2、CH3NHC(=Te)NHCH3等のセレノ尿
素やテルロ尿素誘導体;(CH32NC(=O)−Se
−C(=O)N(CH32、C65(CH3)NC(=
O)−Te−C(=O)N(CH3)C65、C10
8(C25)NC(=O)−Te−C(=O)N(C2
5)C108、等のビス(カルバモイル)セレニドやビス
(カルバモイル)テルリド等; (iso-C373
(=Te)、(n-C493P(=Se)等のトリアル
キルホスフィンテルリドやトリアルキルホスフィンセレ
ニド等を挙げることができる。カルコゲナイド前駆体は
前記化合物例に限定されるものではない。
【0013】本発明において、金属イオンとカルコゲナ
イド前駆体との反応溶媒としては、水、ジメチルホルム
アミドなどのアミド;テトラヒドロフラン、エチルエー
テル、ジオキサンなどのエーテル;エタノール、nープ
ロパノール、イソプロパノール、nーブタノール、ジア
セトンアルコールなどのアルコール;2,2,3,3ー
テトラフロロプロパノールなどのフッ素系溶剤;エチレ
ングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコール
モノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチル
エーテルなどのグリコールエーテル類等の親水性溶媒を
挙げることができる。上記溶媒は使用する化合物の溶解
性を考慮して単独または二種以上を組み合わせて用いる
ことができる。反応溶媒は、そのままコロイド分散溶
媒、あるいは塗布溶媒として用いることができる。必要
に応じて、ナノ粒子の精製過程で別の溶媒に置き換えて
もよい。
【0014】本発明では「超音波」は通常用いられる周
波数15〜16KHz以上の弾性波を言い、「超音波処
理」は超音波を照射する作業を意味する。本発明の合成
法に使用する超音波発生器としては、市販の超音波分散
機が挙げられる。周波数は数十KHz〜数百KHz、出
力も数十W〜数KWと合成スケールに合わせて任意に設
定できる。超音波は金属化合物とカルコゲナイド前駆体
との反応中に連続して発生させてもよいし、間欠的に発
生させてもよい。反応液の温度も室温〜100℃まで任
意に選択できる。超音波を連続して照射するのに伴う加
熱を利用してもよい。超音波の全照射時間は10分〜3
時間が好ましく、30分〜2時間がより好ましい。周波
数は20〜200KHz、出力は100W〜1KW、反
応液温度は室温〜100℃、かつ全照射時間は10分〜
3時間の超音波処理が好ましい。
【0015】本発明の合成法では、反応溶媒中に反応の
核(コア)となるナノ粒子を予め適量添加することもで
きる。これにより、粒子サイズ分布の狭い金属カルコゲ
ナイドナノ粒子が形成できる。核となるナノ粒子は、目
的の金属カルコゲナイドと同じ組成のものでも、全く異
なるもの(例えば、金属、金属酸化物、二酸化珪素、炭
素など)でもよいが、平均粒子サイズが目的の金属カル
コゲナイドより小さいものが望ましい。核となるナノ粒
子のサイズおよび添加量を変えることで、コア/シェル
型粒子のサイズやシェル厚を制御できる。反応終了後、
副反応生成物や塩を除去するために限外ろ過や遠心分離
を施してもよい。
【0016】前述の方法で合成したナノ粒子は適当な親
水性溶媒に分散させてそのままコロイド分散液として用
いることもできるが、吸着性化合物(分散剤)を用いて
粒子表面を表面修飾した状態で溶媒中に分散することに
より安定なコロイド分散液が得られる。吸着性化合物は
反応の初期から添加することが望ましい。吸着性化合物
としては、−SH、−CN、−NH2 、−SO2 OH、
−SOOH、−OPO(OH)2、−COOH含有化合
物などが有効であり、これらのうち−SHまたは−COOH
含有化合物が好ましい。親水性コロイドの場合には、親
水性基(例えば、−SO3Mや−COOM〔Mは水素原子、アル
カリ金属原子、アンモニウム分子等を表わす〕)を有す
る吸着性化合物を使用するのが好ましい。また、アニオ
ン性界面活性剤(例えば、エアロゾルOTやドデシルベ
ンゼンスルホン酸ナトリウム等)や親水性高分子(例え
ば、ヒドロキシエチルセルロース、ポリビニルピロリド
ン、ポリビニルアルコール、ポリエチレングリコール
等)も使用することができる。なお、ナノ粒子の表面が
吸着性化合物や親水性高分子などで表面修飾しているこ
とは、FE-TEMなどの高分解能TEMで粒子間に一定の間隔
があること、および化学分析により確認できる。本発明
のコロイド分散液中には、前記吸着性化合物の他にも帯
電防止剤、酸化防止剤、UV吸収剤、可塑剤、高分子バ
インダー等の各種添加剤を目的に応じて添加してもよ
い。本発明のコロイド分散液はスピンコート、ディップ
コート、エクストルージョンコートあるいはバーコート
などにより塗布される。塗布法で成膜することによって
設備投資と製造コストが低減される。
【0017】次に本発明の光記録媒体について説明す
る。本発明の光記録媒体においては、基板上に、本発明
の金属カルコゲナイド層の他、少なくとも反射層、保護
層を設けることが好ましい。金属カルコゲナイド層と反
射層の間に金属カルコゲナイド層に隣接して無機誘電体
層または有機層を設けてもよい。本発明において、無機
誘電体層または有機層の機能は断熱層として作用するだ
けでなく、場合によっては記録層としての作用も有して
いる。さらに必要に応じて、基板と金属カルコゲナイド
層の間に無機誘電体層または有機層を設けても良く、無
機誘電体層または有機層と反射層の間、反射層と保護層
の間に中間層を設けても良い。また、記録層が金属カル
コゲナイド層を含む複数の層から形成されてもよい。
【0018】無機誘電体層に用いる材料としては、Zn
S、SiO2 、TiO2 、Al2 3 、AlN、Si
C、窒化ケイ素、MgF2 、CaF2 、LiF2 、Si
O、Si34 、ZnO、MgO、CeO、SiC、Z
rO、ZrO2 、Nb25 、SnO2 、In23
TiN、BN、ZrN、In23 、TaS4 、Ta
C、B4 C、WC、TiC、ZrC等が挙げられる。特
にZnS、SiO2 、TiO2 、Al23 、AlN、
SiC、窒化ケイ素、MgF2 、CaF2 、LiF 2
SiO、Si34 が好ましい。ZnSとSiO2 との
混合物も好ましい。無機誘電体層は、スパッタリングま
たはイオンプレーティングにより形成するのが好まし
い。厚みは5〜200nmの範囲が好ましく、10〜1
00nmが特に好ましい。
【0019】有機層に用いる材料としては、例えばゼラ
チン、セルロース誘導体、デキストラン、ロジン、ゴム
などの天然有機高分子物質およびポリウレタン、ポリエ
チレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリイソブチ
レン等の炭化水素系樹脂;ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビ
ニリデン、ポリ塩化ビニル・ポリ酢酸ビニル共重合体等
のビニル系樹脂;ポリアクリル酸メチル、ポリメタクリ
ル酸メチル等のアクリル樹脂;ポリビニルアルコール;
塩素化ポリエチレン;エポキシ樹脂;ブチラール樹脂;
非晶質フッ素樹脂;シリコーンゴム;ポリブタジエンゴ
ム;フェノール・ホルムアルデヒド樹脂等の合成有機高
分子を挙げることができる。この内、特に好ましいもの
は非晶質フッ素樹脂である。非晶質フッ素樹脂の例とし
ては、商品名で、サイトップ(旭硝子製)、テフロンAF
(デュポン製)等がある。
【0020】本発明の有機層には、シアニン色素など公
知の記録用の有機色素を含有させることができる。銀カ
ルコゲナイド層で発生した熱の伝達により、有機色素を
分解することで反射率変化を大きくし、変調度の大きい
光ディスクとすることができる。有機層は、スピンコー
ト、ディップコート、エクストルージョンコートなどの
塗布法で形成する。塗布溶剤としては、酢酸ブチル、セ
ロソルブアセテートなどのエステル;メチルエチルケト
ン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトンなどの
ケトン;ジクロルメタン、1,2ージクロルエタン、ク
ロロホルムなどの塩素化炭化水素;ジメチルホルムアミ
ドなどのアミド;シクロヘキサン、ヘプタン、オクタ
ン、イソオクタンなどの炭化水素;テトラヒドロフラ
ン、エチルエーテル、ジオキサンなどのエーテル;エタ
ノール、nープロパノール、イソプロパノール、nーブ
タノール、ジアセトンアルコールなどのアルコール;
2,2,3,3ーテトラフロロプロパノールなどのフッ
素系溶剤;エチレングリコールモノメチルエーテル、エ
チレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリ
コールモノメチルエーテルなどのグリコールエーテル類
などを挙げることができる。上記溶剤は使用する化合物
の分散性を考慮して単独または二種以上を組み合わせて
用いることができる。塗布液中には更に酸化防止剤、U
V吸収剤、可塑剤、界面活性剤及び潤滑剤などの各種の
添加剤を目的に応じて添加してもよい。有機層の厚みは
5〜200nmの範囲が好ましく、10〜100nmが
特に好ましい。
【0021】反射層はAu、Ag、Al、Pt、Cu等
の単体あるいはこれらの一種以上を含む合金等の高反射
率金属から構成すれば良い。特に、AgまたはAlのい
ずれかの金属または、これらを主成分とする合金である
ことが好ましい。反射層は蒸着、スパッタリングまたは
イオンプレーティングにより形成するのが好ましい。膜
厚は30〜300nmが好ましく、50〜200nmが
特に好ましい。
【0022】反射層の上の保護層に用いられる材料とし
ては、例えば、SiO、SiO2 、MgF2 、SnO
2 、Si34 などの無機物質、熱可塑性樹脂、熱硬化
性樹脂、UV硬化性樹脂等の有機物質を挙げることがで
きる。保護層は樹脂で形成されていることが好ましい。
また、記録層と反射層の間に断熱性保護層を設けること
もできる。
【0023】保護層は、たとえばプラスチックの押出加
工で得られたフィルムを、接着層を介して反射層上及び
/または基板上にラミネートすることにより形成するこ
とができる。あるいは真空蒸着、スパッタリング、塗布
等の方法により保護層を設けてもよい。また、熱可塑性
樹脂、熱硬化性樹脂の場合には、これらを適当な溶剤に
溶解して塗布液を調製したのち、この塗布液を塗布し、
乾燥することによって保護層を形成することができる。
UV硬化性樹脂の場合には、そのままもしくは適当な溶
剤に溶解して塗布液を調製したのちこの塗布液を塗布
し、UV光を照射して硬化させることによって保護層を
形成することができる。これらの塗布液中には、更に帯
電防止剤、酸化防止剤、UV吸収剤等の各種添加剤を目
的に応じて添加してもよい。記録再生光を基板側から入
射する場合、保護層の層厚は0.1〜100μmが好ま
しく、更に好ましくは1〜50μm、最も好ましくは2
〜20μmである。記録再生光を保護層側から入射する
場合、保護層の層厚は1〜300μmが好ましく、更に
好ましくは10〜200μm、最も好ましくは50〜1
50μmである。
【0024】以上の工程により、基板上に銀カルコゲナ
イド層、必要に応じて無機誘電体層または有機層、反射
層および保護層を設けた光記録媒体を作製することがで
きる。そして得られた二枚の記録媒体を各々の記録層が
内側となるように接着剤等で貼り合わせることにより、
二つの記録層を持つ光記録媒体を製造することもでき
る。また得られた記録媒体と、該記録媒体の基板と略同
じ寸法の円盤状保護基板とを、その記録層が内側となる
ように接着剤等で貼り合わせることにより、片側のみに
記録層をもつ光記録媒体を製造することができる。接着
には、前記保護層の形成に用いたUV硬化性樹脂を用い
てもよいし、あるいは合成接着剤を用いてもよい。ある
いはまた両面テープなどを用いてもよい。接着剤層は、
通常は0.1〜100μm(好ましくは、5〜80μ
m)の範囲の厚みで設けられる。
【0025】基板(保護基板も含む)は、従来の光記録
媒体の基板として用いられている各種の材料から任意に
選択することができる。基板材料としては、例えば、ガ
ラス;ポリカーボネート;ポリメチルメタクリレート等
のアクリル樹脂;ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体
等の塩化ビニル系樹脂;エポキシ樹脂;アモルファスポ
リオレフィンおよびポリエステル;金属等を挙げること
ができ、所望によりそれらを併用してもよい。なお、こ
れらの材料はフィルム状としてまたは剛性のある基板と
して使うことができる。上記材料の中では、耐湿性、寸
法安定性および価格などの点からポリカーボネートが好
ましい。基板は、その直径が120±3mm、あるいは
80±3mmで、厚みが0.6±0.1mm、または
0.1±0.02のものが一般に用いられるが、これら
のサイズに限定されるものではない。
【0026】本発明の光記録媒体は、CD−RやDVD
−Rに用いられるが、より高い記録密度を達成するため
に、より狭いトラックピッチのグルーブが形成された基
板を用いることが可能であり、基板のトラックピッチは
0.1〜0.8μmが好ましく、更に0.2〜0.6μ
mが好ましい。記録はランドにもグルーブにも行なうこ
とが出来る。基板(または下塗層)上には、前記傾斜角
度の側壁を有する凹状の溝(プレグルーブ)が形成され
ても良い。凹状の溝は、基板を射出成形あるいは押出成
形する際に、予め所定の傾斜角度の側壁を持つように加
工された樹脂成型用のスタンパ(金型)を用いて形成す
ることができる。例えば、このようなスタンパは、スタ
ンパの作製工程において、加工用のレーザビームの照射
条件(光学的な調整、照射パワー)を調整することによ
って目的の形状となるように加工することで得ることが
できる。
【0027】基板表面には、平面性の改善、接着力の向
上および記録層の変質防止などの目的で、下塗層が設け
られてもよい。下塗層の材料としては例えば、ポリメチ
ルメタクリレート、アクリル酸・メタクリル酸共重合
体、スチレン・無水マレイン酸共重合体、ポリビニルア
ルコール、Nーメチロールアクリルアミド、スチレン・
ビニルトルエン共重合体、クロルスルホン化ポリエチレ
ン、ニトロセルロース、ポリ塩化ビニル、塩素化ポリオ
レフィン、ポリエステル、ポリイミド、酢酸ビニル・塩
化ビニル共重合体、エチレン・酢酸ビニル共重合体、ポ
リエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート等の高
分子物質;およびシランカップリング剤などの表面改質
剤を挙げることができる。下塗層は、上記物質を適当な
溶剤に溶解または分散して塗布液を調製したのち、この
塗布液をスピンコート、ディップコート、エクストルー
ジョンコートなどの塗布法を利用して基板表面に塗布す
ることにより形成することができる。下塗層の層厚は一
般に0.005〜20μmの範囲にあり、好ましくは
0.01〜10μmの範囲である。
【0028】光記録媒体に記録した情報をタイトルや図
柄を用いて表示しておくことは管理上便利である。その
ためには、媒体の表面(記録再生用のレーザ光が照射さ
れる側とは反対側の表面)がそのような表示をするのに
適した表面であることが必要になる。近年、インクジェ
ットプリンタによる印字法が一般に利用されている。イ
ンクジェットプリンタを用いて光記録媒体の表面に印字
を施す場合には、インクは水性であるために、媒体の表
面は親水性であることが必要になる。しかし、光記録媒
体の表面は通常疎水性である。このため、光記録媒体の
表面を水性インクが定着し易いように親水性の表面に改
良することが必要になる。このような親水性の印刷面
(親水性表面層)を持つ光記録媒体については、例え
ば、特開平7−169700号、同10−162438
号などの各公報に種々提案されている。本発明の光記録
媒体についても親水性表面層を設けることができる。そ
して、親水性樹脂表面層を設ける場合、該表面層は、紫
外線硬化性樹脂(バインダ)中にタンパク質粒子などの
親水性有機高分子からなる粒子を分散させた層として構
成することが有利である。
【0029】親水性の表面層の下層(保護層など)は通
常透明であるため、表面層には、反射層の金属による光
沢が現れる。親水性の表面層に印刷を施した場合には、
この金属光沢に妨げられて印刷画面が不鮮明になった
り、印刷の色相がインク本来の色相で印刷できないなど
の問題が伴う。このような問題に対しては、金属光沢を
遮蔽することが有効である。金属光沢を遮蔽する方法と
しては、例えば、親水性表面層に白色、有色の各種の無
機顔料や有機顔料を含有させる方法や、親水性表面層の
下面に紫外線硬化性樹脂などのバインダ中に上記顔料を
分散させた光遮蔽層を別に設ける方法などが知られてお
り、本発明の光記録媒体についてもこれらの方法を利用
することができる。
【0030】上記のような親水性表面層には黴の発生を
防止するために、防菌防黴剤を含有させてもよい。防菌
防黴剤は特に制限はなく、例えば、特開平3−7342
9号公報、あるいは特開平10−162438号公報に
記載のものを使用することができる。代表的な防菌防黴
剤の例としては、ベンズイミダゾール系化合物を挙げる
ことができる。防菌防黴剤を使用する場合、その使用量
は、通常層1グラム当たり0.2〜2.0ミリグラムの
範囲の量である。
【0031】本発明の情報の記録再生方法は、例えば、
次のように実施される。ディスクを所定の定線速度また
は所定の定角速度にて回転させながら、基板側から光学
系を通して半導体レーザ光などの記録用のレーザ光を集
光し、照射する。レーザ光の照射により、記録層の照射
部分がその光を吸収して局所的に温度上昇し、物理的あ
るいは化学的な変化が生じてその光学特性を変えること
により、情報が記録される。記録光の波長は300〜9
00nmのレーザ光を用いる。好ましい光源としては4
00〜800nmの範囲の発振波長を有する青紫色ない
し近赤外半導体レーザ、850nmの近赤外レーザをS
HG素子により波長425nmとした青紫色SHGレー
ザなどを挙げることができる。また記録光は、NAが
0.55〜0.95の光学系を通して集光されることが
好ましい。最小記録ピット長は、通常0.02〜0.7
μm(好ましくは、0.05〜0.6μm、更に好まし
くは、0.1〜0.4μm)の範囲である。上記のよう
に記録された情報の再生は、所定の定線速度または定角
速度で回転させながら記録時と同じ波長を持つ半導体レ
ーザ光を照射して、その反射光を検出することにより行
うことができる。
【0032】
【実施例】以下に本発明をより詳細に説明するために、
その実施例を記載するが、例示の範囲に限定するもので
はない。
【0033】[実施例1]硫化銀コロイドの合成 水500mlの中に、酢酸銀を6.7g、チオアセトア
ミドを1.6g添加し、60℃で攪拌溶解した。この溶
液を超音波分散機(20kHz、出力600W)に入れ
室温で2時間超音波を照射した。分散後液温は85℃に
上昇していた。室温に冷却後、分散物をTEMおよびX
線回折により解析したところ、平均粒子径8nm、変動
係数25%の硫化銀ナノ粒子が生成していることがわか
った。
【0034】[実施例2]銀コロイドの合成 硝酸銀0.68gを水50mlに溶解した溶液と、硫酸
第一鉄7水和物2gおよびクエン酸7.6gを水50m
lに溶解した溶液とを高速で瞬間混合することにより、
銀コロイド分散物を調製した。この分散物に水を添加し
て限外ろ過することにより、残留塩分を除去し、精製・
濃縮した。得られた精製銀コロイド分散物は、平均粒径
4nm、変動係数9%、4質量%の銀ナノ粒子を含有し
ていた。
【0035】[実施例3]銀(コア)/酸化銀(シェ
ル)コロイドの合成 水50mlの中に、酢酸銀を0.67g、グアニジント
リクロロ酢酸を1.35g添加し、60℃で攪拌溶解し
た。この溶液に実施例2の精製銀コロイド分散物2ml
を添加して超音波分散機(20kHz,出力100W)
に入れ2時間超音波を照射した。室温に冷却後、分散物
をTEMおよびX線回折により解析したところ、平均粒
子径8nm、変動係数12%の酸化銀ナノ粒子が銀ナノ
粒子をコアにして生成していることがわかった。
【0036】[実施例4]酸化銀コロイドの合成 実施例3で精製銀コロイドを除いた以外は同様にして、
平均粒子径8nm、変動係数22%の酸化銀コロイド分
散物を得た。コアになる銀コロイドを添加した方が粒子
サイズの揃った酸化銀ナノ粒子が得られることがわかっ
た。
【0037】[実施例5]銀(コア)/テルル化銀(シ
ェル)コロイドの合成 水50mlの中に、酢酸銀を0.34g添加し、40℃
で攪拌溶解した。この溶液に実施例2の精製銀コロイド
分散物1mlを添加した。また、1−エトキシプロパノ
ール25mlの中に、ビス(N−フェニル、N−メチル
カルバモイル)テルリドを0.44gおよびポリビニル
ピロリドン(K15)を0.25g添加し溶解した。両
方の液を全量混合すると同時に超音波分散機(20kH
z、出力100W)に入れ1時間超音波を照射した。室
温に冷却後、分散物をTEMおよびX線回折により解析
したところ、平均粒子径10nm、変動係数10%のテ
ルル化銀ナノ粒子が銀ナノ粒子をコアにして生成してい
ることがわかった。得られた銀/テルル化銀コロイド分
散物を限外ろ過により精製した。
【0038】[実施例6]銀(コア)/セレン化銀(シ
ェル)コロイドの合成 実施例5において、ビス(N−フェニル、N−メチルカ
ルバモイル)テルリドの代わりに、N、N−ジメチルセ
レノ尿素を用いることにより、銀(コア)/セレン化銀
(シェル)コロイド分散物を得た。
【0039】[実施例7]二酸化珪素(コア)/硫化カ
ドミウム(シェル)コロイドの合成 水500mlの中に平均粒子径10nmのSiO2分散
物(日産化学工業製:商品名スノーテックスS;30質
量%)を5ml、酢酸カドミウム2水和物を11g、チ
オアセトアミドを3gおよびポリビニルピロリドン(K
15)を1g添加し、攪拌溶解した。この分散溶液を超
音波分散機(40KHz、600W)に入れ室温で2時
間分散した。分散後液温は89℃に上昇していた。室温
に冷却後、限外ろ過することにより、コロイド分散物の
濃縮と脱塩を行なった。得られたコロイド分散物は、1
0nmのSiO2をコアにした平均粒子径60nmのS
iO2/CdSのコア/シェル型粒子であることが、T
EM、元素分析およびX線回折からわかった。
【0040】[実施例8]光記録媒体の作製 〔円盤状基板の作製〕所定のトラックピッチ及び所定の
溝形状(プレグルーブ)となるように作製されたスタン
パを内蔵する射出成型機を用いてポリカーボネート製
(樹脂商品名:パンライトAD5503、帝人(株))
の円盤状樹脂基板(直径120mm、厚さ0.6mm)
を作製した。得られた樹脂基板のトラックピッチは、
0.5μm、溝(グルーブ)の深さは50nm、溝の幅
は200nm、そして溝の側壁の傾斜角度は60°であ
った。尚、これらの形状の寸法及び角度は、AFMを用
いて測定した。
【0041】〔光記録媒体の作製〕上記円盤状ポリカー
ボネート基板のそのプレグルーブが設けられている表面
に、スパッタリングによりZnSとSiO2をモル比が
4:1になるように共スパッタリングして膜厚28nm
の無機誘電体層を形成した。この上に実施例4の銀(コ
ア)/テルル化銀(シェル)コロイド分散物を乾燥後1
5nmの平均膜厚になるようにスピンコートした。その
上にスパッタリングによりZnSとSiO2をモル比が
4:1になるように共スパッタリングして膜厚14nm
の無機誘電体層を形成した。さらにその上に、スパッタ
リングによりアルミニウム−チタン合金(チタン含有率
1.5原子%)を200nmの膜厚で成膜して、反射層
を形成した。次に反射層上に、UV硬化性樹脂(商品
名:SD318、大日本インキ化学工業(株)製)を3
00rpm〜4000rpmまで回転数を変化させなが
らスピンコート法により塗布した。塗布後、その上から
高圧水銀灯により紫外線を照射して、硬化させ、層厚8
μmの保護層を形成した。保護層表面の硬度は2Hであ
った。このようにして光記録媒体Aを作製した。
【0042】上記光記録媒体Aにおいて、銀(コア)/
テルル化銀(シェル)コロイド塗布層上の無機誘電体層
の代わりに非晶質フッ素樹脂(商品名サイトップ:旭硝
子製)の1.8質量%液をスピンコート法により塗布
し、乾燥して、約100nmの有機層を形成した以外は
光記録媒体Aと同様の構成を有する光記録媒体Bを作製
した。
【0043】〔評価〕DDU1000(パルステック社
製;波長405nmのレーザ光、NA0.65のピック
アップ)を用いて、定線速度4.5m/秒で、8/16
変調信号を、周波数3MHz、記録パワー10mWで記
録した。その後、定線速度4.5m/秒、0.5mWの
レーザパワーで記録信号を再生し、変調度およびC/N
比を測定した。変調度は、再生信号の信号振幅の未記録
部分再生信号出力に対する割合で求めた。その結果、光
記録媒体Aは変調度35%、C/N比38dB、光記録
媒体Bは変調度42%、C/N比46dBが得られた。
【0044】
【発明の効果】本発明によれば、金属カルコゲナイドの
ナノ粒子が簡易に合成できる。また、得られたナノ粒子
コロイド分散物を塗布することにより、高感度で優れた
記録保存性、低コストの光記録材料を提供することがで
きる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G11B 7/26 531 B41M 5/26 X Fターム(参考) 2H111 EA04 EA12 EA32 EA33 FB11 FB12 FB15 GA07 4G065 AA04 AA05 AA06 BB06 CA01 DA09 FA02 4K017 AA04 AA06 BB17 CA09 DA09 EF10 EJ01 EJ02 EK08 FA29 FB11 5D029 JA01 JB16 JB18 5D121 AA01 EE28

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】アルカリ金属およびアルカリ土類金属を除
    く金属イオンとカルコゲナイド前駆体とを溶解した溶液
    を超音波処理することにより金属カルコゲナイドのコロ
    イド粒子を合成する方法。
  2. 【請求項2】請求項1に記載の方法で合成した金属カル
    コゲナイドのコロイド粒子を含有する光記録媒体。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009519374A (ja) * 2005-12-06 2009-05-14 エルジー・ケム・リミテッド コアシェル型のナノ粒子及びその製造方法
WO2009064056A1 (en) * 2007-11-14 2009-05-22 Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration Synthesis of i-iii-vi2 nanoparticles and fabrication of polycrystalline absorber layers
JP2010105887A (ja) * 2008-10-31 2010-05-13 Dowa Electronics Materials Co Ltd カルコゲン化合物粉の製造方法
JP2010155730A (ja) * 2008-12-26 2010-07-15 Dowa Holdings Co Ltd カルコゲン化合物粉の製造方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009519374A (ja) * 2005-12-06 2009-05-14 エルジー・ケム・リミテッド コアシェル型のナノ粒子及びその製造方法
US8343577B2 (en) 2005-12-06 2013-01-01 Lg Chem, Ltd. Core-shell type nanoparticles comprising crystalline metal-oxide shell and method for preparing the same
WO2009064056A1 (en) * 2007-11-14 2009-05-22 Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration Synthesis of i-iii-vi2 nanoparticles and fabrication of polycrystalline absorber layers
JP2010526007A (ja) * 2007-11-14 2010-07-29 成均館大学校 産学協力団 I−iii−vi2ナノ粒子の製造方法及び多結晶光吸収層薄膜の製造方法
KR101030780B1 (ko) * 2007-11-14 2011-04-27 성균관대학교산학협력단 Ⅰ-ⅲ-ⅵ2 나노입자의 제조방법 및 다결정 광흡수층박막의 제조방법
US7955586B2 (en) 2007-11-14 2011-06-07 Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration Synthesis of I-III-V12 nanoparticles and fabrication of polycrystalline absorber layers
JP2010105887A (ja) * 2008-10-31 2010-05-13 Dowa Electronics Materials Co Ltd カルコゲン化合物粉の製造方法
JP2010155730A (ja) * 2008-12-26 2010-07-15 Dowa Holdings Co Ltd カルコゲン化合物粉の製造方法

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