JP2002539605A - 重ね合わせ誤差に対する拡大誤差およびレチクル回転誤差の影響の低減 - Google Patents
重ね合わせ誤差に対する拡大誤差およびレチクル回転誤差の影響の低減Info
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
本発明は、ウェハアライメントに関する。設計（５４）と第１および第２のアライメントマーク（６０，６２）とを含むレチクル（５０）が採用される。第２のアライメントマークは、レチクル中心点（７０）が第１および第２のアライメントマークの中点であるように第１のアライメントマークに対称である。第１のアライメントマークは、ウェハの表面層上に印刷される。第２のアライメントマークは、第１のアライメントマークからオフセットされた表面層上に印刷される。仮想アライメントマークが決定され、仮想アライメントマークは、印刷された第１および第２のアライメントマークの中点である。仮想アライメントマークは、ウェハを整列させることを促進するために採用される。第１および第２のアライメントマークの対称的な関係は、仮想アライメントマークに関して、レチクル回転および／またはレンズ拡大によるマークの印刷誤差の打ち消しをもたらす。仮想アライメントマークの採用は、重ね合わせ誤差の軽減を実質的に促進する。
Description
【０００１】
本発明は、一般的には、半導体処理に関し、特定的には、重ね合わせに対する
レチクル回転および拡大の影響を軽減するウェハアライメントのためのシステム
および方法に関する。
レチクル回転および拡大の影響を軽減するウェハアライメントのためのシステム
および方法に関する。
【０００２】
集積回路（ＩＣ）および大規模集積回路（ＬＳＩＣ）などの半導体装置の微細
化への傾向は急速に進んでおり、そのような半導体装置を製造するための装置に
ついてより高い精度が必要とされている。特に、そのような要求は、マスクまた
はレチクルの回路パターンが、半導体ウェハ上に形成された回路パターンの上に
重ねて転写される、露光装置に求められている。マスクの回路パターンおよびウ
ェハの回路パターンが、たとえば、０．１μｍ未満の精度で互いの上に重ねられ
ることが望ましい。
化への傾向は急速に進んでおり、そのような半導体装置を製造するための装置に
ついてより高い精度が必要とされている。特に、そのような要求は、マスクまた
はレチクルの回路パターンが、半導体ウェハ上に形成された回路パターンの上に
重ねて転写される、露光装置に求められている。マスクの回路パターンおよびウ
ェハの回路パターンが、たとえば、０．１μｍ未満の精度で互いの上に重ねられ
ることが望ましい。
【０００３】 半導体集積回路は、マスキング、レジスト塗布、エッチングおよび蒸着など、
製造中のさまざまな処理ステップを経る。これらのステップの多くでは、集積回
路の所望の素子を形成するために、材料が重ね合わせされたり、特定の場所の既
存の層から除去されたりする。さまざまなプロセス層の適切なアライメントが重
要である。小規模化する現在の集積回路は、ますます厳しい重ね合わせアライメ
ント精度を必要とする。適切なアライメント許容差または重ね合わせマージンが
達成されなければ、装置欠陥が起きる可能性がある。
製造中のさまざまな処理ステップを経る。これらのステップの多くでは、集積回
路の所望の素子を形成するために、材料が重ね合わせされたり、特定の場所の既
存の層から除去されたりする。さまざまなプロセス層の適切なアライメントが重
要である。小規模化する現在の集積回路は、ますます厳しい重ね合わせアライメ
ント精度を必要とする。適切なアライメント許容差または重ね合わせマージンが
達成されなければ、装置欠陥が起きる可能性がある。
【０００４】 より特定的には、ＩＣの製造中、ウェハリソグラフィシステムが、光のパター
ンをウェハのフォトレジスト層上に投影する。その後の現像プロセスが、フォト
レジスト層から、ウェハの異なった部分を露出または保護するマスクを形成する
ように、投影された光は、フォトレジスト層の露出した部分の特性を変える。次
に、マスクされたウェハは反応チャンバに移され、ここでエッチングなどのプロ
セスが、ウェハの露出した部分を変更する。典型的には、ウェハリソグラフィシ
ステムは、ＩＣ製造プロセス中ウェハ上にいくつかのマスクを形成し、マスクは
、役に立つＩＣを形成するために互いに整列しなければならない。
ンをウェハのフォトレジスト層上に投影する。その後の現像プロセスが、フォト
レジスト層から、ウェハの異なった部分を露出または保護するマスクを形成する
ように、投影された光は、フォトレジスト層の露出した部分の特性を変える。次
に、マスクされたウェハは反応チャンバに移され、ここでエッチングなどのプロ
セスが、ウェハの露出した部分を変更する。典型的には、ウェハリソグラフィシ
ステムは、ＩＣ製造プロセス中ウェハ上にいくつかのマスクを形成し、マスクは
、役に立つＩＣを形成するために互いに整列しなければならない。
【０００５】 さまざまなプロセスステップの際ウェハを整列させるために、ウェハステッパ
が典型的には使用される。ウェハステッパは、多数の市場で入手可能な技術の１
つを用いて、ウェハに対しての位置を示すアライメント信号を生成する。アライ
メント信号は、典型的には、ウェハ上の特定の場所に置かれたアライメントマー
クの光学的計測によって発生される。マスクがその後の処理ステップにおいて容
易にウェハステッパによって識別可能となるように、レチクルを使用して適切な
マークを特定のウェハプロセス層に置く。レチクルは、光フォトリソグラフィを
用いてウェハにエッチング可能であるパターンを含む。よく使用されるアライメ
ントマーク技術は、レーザステップアライメント（ＬＳＡ）、画像処理検出（Ｆ
ＩＡ）、レーザ干渉計アライメント（ＬＩＡ）、グローバルアライメントマーク
（ＧＡＭ）およびグローバルアライメントマークレーザステップアライメント（
ＧＡＭＬＳＡ）を含む。ステップアンドリピート型装置において、ウェハは予め
定められた距離分だけステップして移動される。たとえば、典型的には、ウェハ
は、２次元に可動のステージ上に置かれ、縮小投影型露光装置の投影された像に
対して位置決めされる。
が典型的には使用される。ウェハステッパは、多数の市場で入手可能な技術の１
つを用いて、ウェハに対しての位置を示すアライメント信号を生成する。アライ
メント信号は、典型的には、ウェハ上の特定の場所に置かれたアライメントマー
クの光学的計測によって発生される。マスクがその後の処理ステップにおいて容
易にウェハステッパによって識別可能となるように、レチクルを使用して適切な
マークを特定のウェハプロセス層に置く。レチクルは、光フォトリソグラフィを
用いてウェハにエッチング可能であるパターンを含む。よく使用されるアライメ
ントマーク技術は、レーザステップアライメント（ＬＳＡ）、画像処理検出（Ｆ
ＩＡ）、レーザ干渉計アライメント（ＬＩＡ）、グローバルアライメントマーク
（ＧＡＭ）およびグローバルアライメントマークレーザステップアライメント（
ＧＡＭＬＳＡ）を含む。ステップアンドリピート型装置において、ウェハは予め
定められた距離分だけステップして移動される。たとえば、典型的には、ウェハ
は、２次元に可動のステージ上に置かれ、縮小投影型露光装置の投影された像に
対して位置決めされる。
【０００６】 アライメントシステムおよび／または方法のいくつかのタイプに関し、ウェハ
を整列させるために、大きなグローバルアライメントマークが典型的には採用さ
れる。そのようなシステムおよび／または方法について、レチクル３０（図１）
は、設計パターン３２と、設計パターン３２の外側のアライメントマーク３４と
を含む。アライメントマーク３４は、設計域３２内に位置付けされてもよいが、
設計領域の面積を犠牲とする。設計パターン３２およびアライメントマーク３４
は、ウェハ４０のいくつかの予め定められた領域に印刷される（図２）。これら
の印刷されたアライメントマークは、ステッパシステム（図示せず）によって見
出され、たとえば、その後の処理のために、ウェハアライメントにおいて採用さ
れる。しかしながら、レチクル３０は、わずかに回転して投影システム内にあっ
たかもしれず、かつ／または、レチクル３０は、アライメントマーク３４および
設計パターン３２が（たとえば、レチクルを製造するプロセスにおける誤差の結
果として）わずかに回転しているために、回転誤差を含むかもしれない。前述の
レチクル製造誤差の場合、一方がレチクル３０の中心からずれると、マーク３４
および設計パターン３２の回転による誤差は、大きく誇張されるようになる。誤
差の別のタイプは、像（アライメントマークおよび／または設計パターン）が意
図された倍率レベルに関してわずかに拡大過剰であるかまたは拡大不足である、
レンズ倍率誤差である。レチクル回転誤差および／またはレンズ倍率誤差の結果
として、アライメントマークは、意図されたところと異なった場所に印刷される
。
を整列させるために、大きなグローバルアライメントマークが典型的には採用さ
れる。そのようなシステムおよび／または方法について、レチクル３０（図１）
は、設計パターン３２と、設計パターン３２の外側のアライメントマーク３４と
を含む。アライメントマーク３４は、設計域３２内に位置付けされてもよいが、
設計領域の面積を犠牲とする。設計パターン３２およびアライメントマーク３４
は、ウェハ４０のいくつかの予め定められた領域に印刷される（図２）。これら
の印刷されたアライメントマークは、ステッパシステム（図示せず）によって見
出され、たとえば、その後の処理のために、ウェハアライメントにおいて採用さ
れる。しかしながら、レチクル３０は、わずかに回転して投影システム内にあっ
たかもしれず、かつ／または、レチクル３０は、アライメントマーク３４および
設計パターン３２が（たとえば、レチクルを製造するプロセスにおける誤差の結
果として）わずかに回転しているために、回転誤差を含むかもしれない。前述の
レチクル製造誤差の場合、一方がレチクル３０の中心からずれると、マーク３４
および設計パターン３２の回転による誤差は、大きく誇張されるようになる。誤
差の別のタイプは、像（アライメントマークおよび／または設計パターン）が意
図された倍率レベルに関してわずかに拡大過剰であるかまたは拡大不足である、
レンズ倍率誤差である。レチクル回転誤差および／またはレンズ倍率誤差の結果
として、アライメントマークは、意図されたところと異なった場所に印刷される
。
【０００７】 図３は、レチクル回転誤差による、アライメントマーク印刷誤差である（典型
的には約２０ｎｍのシフトが観察されるので、誇張された尺度である）。斜線の
マーク４４は、ウェハ上にアライメントマーク３４を印刷するための意図された
場所を表わす。実線のマーク４８は、アライメントマーク３４の実際の印刷場所
を表わす。ウェハ４０のアライメントは、典型的には、アライメントマーク３４
が実際に意図された場所に印刷されていることに基づくので、意図された印刷場
所から実際の印刷場所へのずれは、重ね合わせ誤差をもたらす。前述のとおり、
重ね合わせ誤差から生じる装置欠陥を回避するために、適切なアライメント許容
差が必要とされる。したがって、レチクル回転誤差および／またはレンズ拡大／
縮小誤差による重ね合わせ誤差を軽減するためのシステムおよび／または方法が
必要とされる。
的には約２０ｎｍのシフトが観察されるので、誇張された尺度である）。斜線の
マーク４４は、ウェハ上にアライメントマーク３４を印刷するための意図された
場所を表わす。実線のマーク４８は、アライメントマーク３４の実際の印刷場所
を表わす。ウェハ４０のアライメントは、典型的には、アライメントマーク３４
が実際に意図された場所に印刷されていることに基づくので、意図された印刷場
所から実際の印刷場所へのずれは、重ね合わせ誤差をもたらす。前述のとおり、
重ね合わせ誤差から生じる装置欠陥を回避するために、適切なアライメント許容
差が必要とされる。したがって、レチクル回転誤差および／またはレンズ拡大／
縮小誤差による重ね合わせ誤差を軽減するためのシステムおよび／または方法が
必要とされる。
【０００８】
本発明は、半導体装置の製造における重ね合わせ誤差を軽減するためのシステ
ムおよび方法に関する。この発明のある局面に従えば、設計域および少なくとも
第１および第２のアライメントマークを備えるレチクルが提供される。第１およ
び第２のアライメントマークは、レチクルの中心が第１および第２のアライメン
トマークの中点でもあるように、互いに対称である。第１のアライメントマーク
は、ウェハの表面層上に印刷され、第２のアライメントマークも、第１のアライ
メントマークから予め定められたオフセットでウェハの表面層上に印刷される。
いかなるレチクル回転誤差によっても、マークは意図された場所と異なる場所に
印刷されるものである。印刷誤差は、レチクル回転誤差に比例する。同様に、印
刷プロセスにおけるいかなるレンズ拡大／縮小誤差によっても、マークは、意図
された場所と異なる場所に印刷され、印刷誤差は、拡大／縮小誤差に比例するも
のである。しかしながら、レチクル上の第１および第２のアライメントマークは
互いに対称であり、レチクル中心は第１および第２のアライメントマークの中点
であるので、各マークの印刷誤差は他方の打消しとなるものであり、そのため、
印刷されたマークの中点は、レチクル回転誤差および／または拡大／縮小誤差な
しに印刷されたならば、実質的にマークの中点と同じ場所にある。
ムおよび方法に関する。この発明のある局面に従えば、設計域および少なくとも
第１および第２のアライメントマークを備えるレチクルが提供される。第１およ
び第２のアライメントマークは、レチクルの中心が第１および第２のアライメン
トマークの中点でもあるように、互いに対称である。第１のアライメントマーク
は、ウェハの表面層上に印刷され、第２のアライメントマークも、第１のアライ
メントマークから予め定められたオフセットでウェハの表面層上に印刷される。
いかなるレチクル回転誤差によっても、マークは意図された場所と異なる場所に
印刷されるものである。印刷誤差は、レチクル回転誤差に比例する。同様に、印
刷プロセスにおけるいかなるレンズ拡大／縮小誤差によっても、マークは、意図
された場所と異なる場所に印刷され、印刷誤差は、拡大／縮小誤差に比例するも
のである。しかしながら、レチクル上の第１および第２のアライメントマークは
互いに対称であり、レチクル中心は第１および第２のアライメントマークの中点
であるので、各マークの印刷誤差は他方の打消しとなるものであり、そのため、
印刷されたマークの中点は、レチクル回転誤差および／または拡大／縮小誤差な
しに印刷されたならば、実質的にマークの中点と同じ場所にある。
【０００９】 印刷されたマークの中点は、実際のマークとは対照的に、ウェハアライメント
のための基準点として使用される。レチクル誤差および／またはレンズ拡大誤差
は、２つのマークの対称性によるこれらのマークの打消し効果（negation effec
t）のために、印刷された第１および第２のアライメントマークの中点には現わ
れない。本発明に従うウェハアライメントシステムは、印刷された第１および第
２のマークの中点にマッピングし、この中点（仮想マーク）をウェハアライメン
トのための基準点として採用する。このウェハアライメント方法は、複数個の層
に対して行なわれ、それぞれの層の重ね合わせ誤差を軽減する。レチクル回転誤
差を補償するのに、仮想マークが採用される代わりに、アライメントマークの対
称性のみが利用されることが認められる。
のための基準点として使用される。レチクル誤差および／またはレンズ拡大誤差
は、２つのマークの対称性によるこれらのマークの打消し効果（negation effec
t）のために、印刷された第１および第２のアライメントマークの中点には現わ
れない。本発明に従うウェハアライメントシステムは、印刷された第１および第
２のマークの中点にマッピングし、この中点（仮想マーク）をウェハアライメン
トのための基準点として採用する。このウェハアライメント方法は、複数個の層
に対して行なわれ、それぞれの層の重ね合わせ誤差を軽減する。レチクル回転誤
差を補償するのに、仮想マークが採用される代わりに、アライメントマークの対
称性のみが利用されることが認められる。
【００１０】 本発明の別の局面は、レチクルの中心に対して対称である第１および第２のア
ライメントマークを備えるレチクルを採用する。レチクル中心と第１および第２
のアライメントマークの中点とを交わる想像線は、第１および第２のアライメン
トマークの中心を交わる想像線に対して垂直である。第１および第２のアライメ
ントマークは、上述した態様でウェハの表面層上に印刷され、本発明に従うウェ
ハアライメントシステム（第１および第２のアライメントマークならびにレチク
ル中心のジオメトリ的関係に基づく）が、ウェハアライメントのための基準点と
して採用される仮想アライメントマークを決定する。レチクル回転誤差および／
またはレンズ拡大誤差は、仮想アライメントマークには現れない。
ライメントマークを備えるレチクルを採用する。レチクル中心と第１および第２
のアライメントマークの中点とを交わる想像線は、第１および第２のアライメン
トマークの中心を交わる想像線に対して垂直である。第１および第２のアライメ
ントマークは、上述した態様でウェハの表面層上に印刷され、本発明に従うウェ
ハアライメントシステム（第１および第２のアライメントマークならびにレチク
ル中心のジオメトリ的関係に基づく）が、ウェハアライメントのための基準点と
して採用される仮想アライメントマークを決定する。レチクル回転誤差および／
またはレンズ拡大誤差は、仮想アライメントマークには現れない。
【００１１】 仮想アライメントマーク方法は、複数個のウェハ表面層（たとえばフォトレジ
スト層）について採用される。本発明のアライメント方法に従って整列する各層
は、その層のために決定された少なくとも１つの仮想アライメントマークを有す
る。特定の層に関連するレチクル回転誤差および／またはレンズ拡大誤差は、所
与の層のための仮想アライメントマークについて実質的にに軽減される。好まし
くは、特定の層と関連付けられるアライメントマークは、アライメントマークが
印刷される他の層の区域と異なった区域に印刷される。異なった層の区域間のオ
フセットを規定することにより（異なった層の仮想アライメントマーク間のオフ
セットを決定することに対応する）、異なった層のアライメントマークは、対応
するウェハ層のアライメントのための基準として採用され得る。所望であれば、
マークは、異なった層の仮想アライメントマークが互いの上部に存在するように
、印刷されてもよい。
スト層）について採用される。本発明のアライメント方法に従って整列する各層
は、その層のために決定された少なくとも１つの仮想アライメントマークを有す
る。特定の層に関連するレチクル回転誤差および／またはレンズ拡大誤差は、所
与の層のための仮想アライメントマークについて実質的にに軽減される。好まし
くは、特定の層と関連付けられるアライメントマークは、アライメントマークが
印刷される他の層の区域と異なった区域に印刷される。異なった層の区域間のオ
フセットを規定することにより（異なった層の仮想アライメントマーク間のオフ
セットを決定することに対応する）、異なった層のアライメントマークは、対応
するウェハ層のアライメントのための基準として採用され得る。所望であれば、
マークは、異なった層の仮想アライメントマークが互いの上部に存在するように
、印刷されてもよい。
【００１２】 本発明は、層ごとに、レチクル回転誤差および／またはレンズ拡大誤差による
アライメント誤差を軽減する。結果として、多くの従来のアライメント技術と比
べて、重ね合わせ誤差の複合が軽減される。
アライメント誤差を軽減する。結果として、多くの従来のアライメント技術と比
べて、重ね合わせ誤差の複合が軽減される。
【００１３】 この発明のある局面は、フォトリソグラフィプロセスに使用されるレチクルに
関する。レチクルは、設計領域と、第１のアライメントマークと、レチクル中心
点が第１および第２のアライメントマークの中点であるように第１のアライメン
トマークに対称である第２のアライメントマークとを含む。
関する。レチクルは、設計領域と、第１のアライメントマークと、レチクル中心
点が第１および第２のアライメントマークの中点であるように第１のアライメン
トマークに対称である第２のアライメントマークとを含む。
【００１４】 本発明の別の局面は、ウェハを整列させるための方法に関する。設計領域と、
第１のアライメントマークと、第２のアライメントマークとを含むレチクルが使
用され、第２のアライメントマークは、レチクル中心点が第１および第２のアラ
イメントマークの中点であるように第１のアライメントマークに対称である。第
１のアライメントマークは、ウェハの第１の表面層上に印刷される。第２のアラ
イメントマークは、第１のアライメントマークから予め定められたオフセットで
第１の表面層上に印刷される。第１の仮想アライメントマークが決定され、第１
の仮想アライメントマークは、印刷された第１および第２のアライメントマーク
の中点である。第１の仮想アライメントマークは、ウェハを整列するのを促進す
るために使用される。
第１のアライメントマークと、第２のアライメントマークとを含むレチクルが使
用され、第２のアライメントマークは、レチクル中心点が第１および第２のアラ
イメントマークの中点であるように第１のアライメントマークに対称である。第
１のアライメントマークは、ウェハの第１の表面層上に印刷される。第２のアラ
イメントマークは、第１のアライメントマークから予め定められたオフセットで
第１の表面層上に印刷される。第１の仮想アライメントマークが決定され、第１
の仮想アライメントマークは、印刷された第１および第２のアライメントマーク
の中点である。第１の仮想アライメントマークは、ウェハを整列するのを促進す
るために使用される。
【００１５】 本発明の別の局面は、フォトリソグラフィプロセスに使用されるレチクルに関
する。レチクルは、設計領域と、第１のアライメントマークと、第２のアライメ
ントマークとを含み、第２のアライメントマークは、レチクルの中心点に関して
第１のアライメントマークに対称である。第１の想像線が、第１および第２のア
ライメントマークに交わり、第２の想像線が、レチクル中心と、第１および第２
のアライメントマークの中点とに交わり、第１の想像線は、第２の想像線に垂直
である。
する。レチクルは、設計領域と、第１のアライメントマークと、第２のアライメ
ントマークとを含み、第２のアライメントマークは、レチクルの中心点に関して
第１のアライメントマークに対称である。第１の想像線が、第１および第２のア
ライメントマークに交わり、第２の想像線が、レチクル中心と、第１および第２
のアライメントマークの中点とに交わり、第１の想像線は、第２の想像線に垂直
である。
【００１６】 本発明のさらに別の局面は、ウェハを整列させるためのシステムであって、設
計領域と、第１のアライメントマークと、レチクル中心点に関して第１のアライ
メントマークに対称である第２のアライメントマークとを含むレチクルを含むシ
ステムに関する。当該システムは、ウェハの表面層上に印刷された第１および第
２のアライメントマークの少なくとも一方を位置付けるための少なくとも１つの
システムと、システムの汎用動作を制御するためのプロセッサとをさらに含み、
プロセッサは、第１の仮想アライメントマークを決定し、第１の仮想アライメン
トマークは、ウェハ上の印刷された第１および第２のアライメントマークの中点
であり、プロセッサは、第１の仮想アライメントマークを採用してウェハのアラ
イメントを促進する。
計領域と、第１のアライメントマークと、レチクル中心点に関して第１のアライ
メントマークに対称である第２のアライメントマークとを含むレチクルを含むシ
ステムに関する。当該システムは、ウェハの表面層上に印刷された第１および第
２のアライメントマークの少なくとも一方を位置付けるための少なくとも１つの
システムと、システムの汎用動作を制御するためのプロセッサとをさらに含み、
プロセッサは、第１の仮想アライメントマークを決定し、第１の仮想アライメン
トマークは、ウェハ上の印刷された第１および第２のアライメントマークの中点
であり、プロセッサは、第１の仮想アライメントマークを採用してウェハのアラ
イメントを促進する。
【００１７】 この発明のさらに別の局面は、ウェハを整列させるためのシステムであって、
設計領域と、第１のアライメントマークと、第２のアライメントマークとを含む
レチクルを含むシステムに関する。当該システムは、ウェハの表面層上に印刷さ
れた第１および第２のアライメントマークの少なくとも一方を位置付けるための
少なくとも１つのシステムも含む。システムは、システムの汎用動作を制御する
ためのプロセッサをさらに含み、プロセッサは、レチクルに関して第１および第
２のアライメントマークの場所を規定するためにレチクルをマッピングし、プロ
セッサは、第１および第２のアライメントマークの印刷の意図された場所、なら
びに、印刷された第１および第２のアライメントマークの実際の場所を規定する
ために、ウェハもマッピングし、プロセッサは、アライメントマークのマッピン
グに基づいて、レチクル回転誤差および／またはレンズ拡大誤差の大きさを決定
する。
設計領域と、第１のアライメントマークと、第２のアライメントマークとを含む
レチクルを含むシステムに関する。当該システムは、ウェハの表面層上に印刷さ
れた第１および第２のアライメントマークの少なくとも一方を位置付けるための
少なくとも１つのシステムも含む。システムは、システムの汎用動作を制御する
ためのプロセッサをさらに含み、プロセッサは、レチクルに関して第１および第
２のアライメントマークの場所を規定するためにレチクルをマッピングし、プロ
セッサは、第１および第２のアライメントマークの印刷の意図された場所、なら
びに、印刷された第１および第２のアライメントマークの実際の場所を規定する
ために、ウェハもマッピングし、プロセッサは、アライメントマークのマッピン
グに基づいて、レチクル回転誤差および／またはレンズ拡大誤差の大きさを決定
する。
【００１８】 本発明の別の局面は、ウェハを整列させるための方法であって、設計領域と、
第１のアライメントマークと、第２のアライメントマークとを含むレチクルを使
用するステップを含むシステムに関し、第２のアライメントマークは、レチクル
中心点に関して第１のアライメントマークに対称である。第１のアライメントマ
ークは、ウェハの第１の表面層上に印刷される。第２のアライメントマークは、
第２のアライメントマークを第１のアライメントマークの直接上に印刷する意図
で第１の表面層上に印刷される。第１の仮想アライメントマークが決定され、第
１の仮想アライメントマークは、組合された、印刷された第１および第２のアラ
イメントマークを表わす物体の中心である。仮想アライメントマークは、ウェハ
を整列させるのに採用される。
第１のアライメントマークと、第２のアライメントマークとを含むレチクルを使
用するステップを含むシステムに関し、第２のアライメントマークは、レチクル
中心点に関して第１のアライメントマークに対称である。第１のアライメントマ
ークは、ウェハの第１の表面層上に印刷される。第２のアライメントマークは、
第２のアライメントマークを第１のアライメントマークの直接上に印刷する意図
で第１の表面層上に印刷される。第１の仮想アライメントマークが決定され、第
１の仮想アライメントマークは、組合された、印刷された第１および第２のアラ
イメントマークを表わす物体の中心である。仮想アライメントマークは、ウェハ
を整列させるのに採用される。
【００１９】 本発明の別の局面は、ウェハを整列させるためのシステムに関し、当該システ
ムは、ウェハの表面層上に少なくとも２つのアライメントマークを印刷するため
の手段を含み、少なくとも２つのアライメントマークは、印刷されたマークがレ
チクル回転誤差および／またはレンズ拡大誤差を実質的に打消すように関連付け
られた対称性を有し、当該システムはさらに、基準として少なくとも２つの仮想
アライメントマークを用いてウェハを整列させるための手段を含む。
ムは、ウェハの表面層上に少なくとも２つのアライメントマークを印刷するため
の手段を含み、少なくとも２つのアライメントマークは、印刷されたマークがレ
チクル回転誤差および／またはレンズ拡大誤差を実質的に打消すように関連付け
られた対称性を有し、当該システムはさらに、基準として少なくとも２つの仮想
アライメントマークを用いてウェハを整列させるための手段を含む。
【００２０】 この発明の別の局面は、ウェハアライメントシステムであって、少なくとも２
つのアライメントマークを含むレチクルと、アライメントマークを印刷するため
の手段と、印刷されたアライメントマークを見出すための手段と、意図された印
刷場所からの印刷されたアライメントマークのずれを決定するための手段と、ウ
ェハアライメントシステムを修正してずれを補償するための手段とを含む、ウェ
ハアライメントシステムに関する。
つのアライメントマークを含むレチクルと、アライメントマークを印刷するため
の手段と、印刷されたアライメントマークを見出すための手段と、意図された印
刷場所からの印刷されたアライメントマークのずれを決定するための手段と、ウ
ェハアライメントシステムを修正してずれを補償するための手段とを含む、ウェ
ハアライメントシステムに関する。
【００２１】 前のおよび関連する目的の達成のために、この発明は、以下に詳細に記載され
特にクレームにおいて述べられる特徴を含む。以下の説明および添付の図面は、
この発明のある例示的実施例を詳細に述べる。しかしながら、これらの実施例は
、この発明の原理が採用され得るさまざまな態様のほんの数例を示すものである
。この発明の他の目的、利点および新規の特徴は、図面と関連付けて考慮される
とこの発明の以下の詳細な説明から明らかとなる。
特にクレームにおいて述べられる特徴を含む。以下の説明および添付の図面は、
この発明のある例示的実施例を詳細に述べる。しかしながら、これらの実施例は
、この発明の原理が採用され得るさまざまな態様のほんの数例を示すものである
。この発明の他の目的、利点および新規の特徴は、図面と関連付けて考慮される
とこの発明の以下の詳細な説明から明らかとなる。
【００２２】
この発明は、図面を参照して記載され、同様の参照番号は、全体を通じて同様
の要素を参照するために使用される。
の要素を参照するために使用される。
【００２３】 まず図４を参照し、レチクル５０の代表的概略図がこの発明に従って示される
。レチクル５０は、レチクル５０の実質的に中心域に位置する設計パターン５４
を含む。設計パターンパターン５４は、典型的には、ウェハの露光領域の上へ、
レチクル５０を通る露光源（光、ｘ線、電子ビームまたは他の電磁エネルギなど
）により作像される。露光源は、レチクル５０の設計パターン５４に従って露出
したウェハ上のフォトレジストの区域を改変する。レチクル５０は、第１および
第２のアライメントマーク６０および６２も含む。アライメントマーク６０およ
び６２は、好ましくは、設計空間利用を最大限にするために、設計パターン５４
の外側に位置する。アライメントマーク６０および６２は、ウェハアライメント
を促進するために採用される。図４からわかるように、アライメントマーク６０
および６２は、レチクル７０の中心に関して互いに対称である。この特定の実施
例では、レチクル中心７０は、第１のアライメントマーク６０と第２のアライメ
ントマーク６２との間の中点である。
。レチクル５０は、レチクル５０の実質的に中心域に位置する設計パターン５４
を含む。設計パターンパターン５４は、典型的には、ウェハの露光領域の上へ、
レチクル５０を通る露光源（光、ｘ線、電子ビームまたは他の電磁エネルギなど
）により作像される。露光源は、レチクル５０の設計パターン５４に従って露出
したウェハ上のフォトレジストの区域を改変する。レチクル５０は、第１および
第２のアライメントマーク６０および６２も含む。アライメントマーク６０およ
び６２は、好ましくは、設計空間利用を最大限にするために、設計パターン５４
の外側に位置する。アライメントマーク６０および６２は、ウェハアライメント
を促進するために採用される。図４からわかるように、アライメントマーク６０
および６２は、レチクル７０の中心に関して互いに対称である。この特定の実施
例では、レチクル中心７０は、第１のアライメントマーク６０と第２のアライメ
ントマーク６２との間の中点である。
【００２４】 レチクル中心７０に関して、２つのマーク６０および６２の対称関係は、仮想
アライメントマーク（一般的に図６ａの番号８０によって参照される）を決定す
ることに備える。典型的には、所望の場所と異なるウェハ表面層（特定のフォト
レジスト層）上の場所に印刷されるアライメントマークにおいて現われるレチク
ル回転誤差および／またはレンズ拡大誤差は、アライメントマーク６０および６
２の対称性によって打消される。レチクル回転および／またはレンズ拡大誤差は
、各マーク６０および６２に個別に現われるが、誤差は、仮想マーク８０に関し
て打消される。仮想アライメントマークをウェハアライメントのための基準点と
して使用することにより、レチクル回転および／またはレンズ拡大／縮小による
重ね合わせ誤差は、実質的に軽減される。
アライメントマーク（一般的に図６ａの番号８０によって参照される）を決定す
ることに備える。典型的には、所望の場所と異なるウェハ表面層（特定のフォト
レジスト層）上の場所に印刷されるアライメントマークにおいて現われるレチク
ル回転誤差および／またはレンズ拡大誤差は、アライメントマーク６０および６
２の対称性によって打消される。レチクル回転および／またはレンズ拡大誤差は
、各マーク６０および６２に個別に現われるが、誤差は、仮想マーク８０に関し
て打消される。仮想アライメントマークをウェハアライメントのための基準点と
して使用することにより、レチクル回転および／またはレンズ拡大／縮小による
重ね合わせ誤差は、実質的に軽減される。
【００２５】 図５は、レチクル回転誤差および／またはレンズ拡大誤差のない理想的な場合
における、アライメントマーク６０および６２が上に印刷されたウェハ９０の概
略図である。アライメントマーク６０および６２の各々は、４つの異なった場所
においてウェハ９０の表面層上に印刷され、アライメントマーク６２ａ、６２ｂ
、６２ｃおよび６２ｄ（集合的に６２と呼ばれる）は、アライメントマーク６０
ａ、６０ｂ、６０ｃおよび６０ｄ（集合的に６０と呼ばれる）から予め定められ
たオフセットで、それぞれ印刷される。レチクル回転誤差および／または拡大誤
差がないので、アライメントマーク６０および６２は、意図された場所に印刷さ
れる。
における、アライメントマーク６０および６２が上に印刷されたウェハ９０の概
略図である。アライメントマーク６０および６２の各々は、４つの異なった場所
においてウェハ９０の表面層上に印刷され、アライメントマーク６２ａ、６２ｂ
、６２ｃおよび６２ｄ（集合的に６２と呼ばれる）は、アライメントマーク６０
ａ、６０ｂ、６０ｃおよび６０ｄ（集合的に６０と呼ばれる）から予め定められ
たオフセットで、それぞれ印刷される。レチクル回転誤差および／または拡大誤
差がないので、アライメントマーク６０および６２は、意図された場所に印刷さ
れる。
【００２６】 図６ａは、さまざまなレチクル回転／拡大誤差によりマークが意図されたとこ
ろと異なった場所に印刷された、理想的でない場合の、アライメントマーク６０
および６２が上に印刷されたウェハ１００の概略図である。斜線のマーク６０ａ
、６０ｂ、６０ｃ、６０ｄ、６２ａ、６２ｂ、６２ｃおよび６２ｄは、マーク６
０および６２の意図された印刷場所を示し、実線のマーク６０ｅ、６０ｆ、６０
ｇ、６０ｈ、６２ｅ、６２ｆ、６２ｇおよび６２ｈ（集合的に６０′および６２
′とそれぞれ呼ばれる）は、マーク６０および６２が実際に印刷されたところを
示す。図６ａは、レチクル回転／拡大誤差のいくつかの場合を例示するが、典型
的には、レチクルは、単一のウェハ露光ステップの際クランプされ、１つのみの
場合が実際には存在する。
ろと異なった場所に印刷された、理想的でない場合の、アライメントマーク６０
および６２が上に印刷されたウェハ１００の概略図である。斜線のマーク６０ａ
、６０ｂ、６０ｃ、６０ｄ、６２ａ、６２ｂ、６２ｃおよび６２ｄは、マーク６
０および６２の意図された印刷場所を示し、実線のマーク６０ｅ、６０ｆ、６０
ｇ、６０ｈ、６２ｅ、６２ｆ、６２ｇおよび６２ｈ（集合的に６０′および６２
′とそれぞれ呼ばれる）は、マーク６０および６２が実際に印刷されたところを
示す。図６ａは、レチクル回転／拡大誤差のいくつかの場合を例示するが、典型
的には、レチクルは、単一のウェハ露光ステップの際クランプされ、１つのみの
場合が実際には存在する。
【００２７】 しかしながら、見てわかるように、意図された印刷場所６０と６２との間の中
点は、それぞれ、実際の印刷場所６０′および６２′の中点と実質的に同じ場所
にある。マーク６０および６２の対称性は、印刷されたマーク６０′および６２
′の中点（仮想アライメントマーク）８０に関して、印刷されたときレチクル回
転誤差の打消しをもたらす。そのため、印刷されたマーク６０′と６２′との間
の中点（仮想アライメントマーク）８０ａ、８０ｂ、８０ｃおよび８０ｄ（集合
的に８０と呼ばれる）は、それぞれ、ウェハアライメントのための基準点として
採用され得る。レチクル回転誤差および／またはレンズ拡大誤差は、仮想アライ
メントマーク８０には現れないので、仮想アライメントマーク８０の採用は、レ
チクル回転および／またはレンズ拡大／縮小による重ね合わせ誤差の軽減を実質
的に促進する。
点は、それぞれ、実際の印刷場所６０′および６２′の中点と実質的に同じ場所
にある。マーク６０および６２の対称性は、印刷されたマーク６０′および６２
′の中点（仮想アライメントマーク）８０に関して、印刷されたときレチクル回
転誤差の打消しをもたらす。そのため、印刷されたマーク６０′と６２′との間
の中点（仮想アライメントマーク）８０ａ、８０ｂ、８０ｃおよび８０ｄ（集合
的に８０と呼ばれる）は、それぞれ、ウェハアライメントのための基準点として
採用され得る。レチクル回転誤差および／またはレンズ拡大誤差は、仮想アライ
メントマーク８０には現れないので、仮想アライメントマーク８０の採用は、レ
チクル回転および／またはレンズ拡大／縮小による重ね合わせ誤差の軽減を実質
的に促進する。
【００２８】 図６ａをさらに参照し、レチクル５０上のアライメントマーク６０および６２
の対称性は、レチクル回転および／またはレンズ拡大誤差の打消しを可能にする
。見てわかるとおり、アライメントマーク６０は場所６０ａに印刷されることが
意図されたが、レチクル回転誤差により、マークは場所６０ｅ（時計方向にシフ
トされている）に印刷された。対応する対称のマーク６２は、６２ａに印刷され
ることが意図されたが、レチクル回転誤差により、実際には場所６２ｅ（反時計
方向にシフトされている）に印刷された。したがって、一方のマーク６０は、レ
チクル回転誤差に対応する量時計方向にシフトされ、他方のマーク６２は、マー
ク６０の時計方向のシフトと大きさが等しい量反時計方向にシフトされた。その
結果、各マークのシフトは、印刷されたマーク６０ｅおよび６２ｅの中点８０ａ
に関して他方を打消す。したがって、中点８０ａは、レチクル回転およびレンズ
拡大から現れる誤差が実質的にない、ウェハアライメントのための参照の点を提
供する。
の対称性は、レチクル回転および／またはレンズ拡大誤差の打消しを可能にする
。見てわかるとおり、アライメントマーク６０は場所６０ａに印刷されることが
意図されたが、レチクル回転誤差により、マークは場所６０ｅ（時計方向にシフ
トされている）に印刷された。対応する対称のマーク６２は、６２ａに印刷され
ることが意図されたが、レチクル回転誤差により、実際には場所６２ｅ（反時計
方向にシフトされている）に印刷された。したがって、一方のマーク６０は、レ
チクル回転誤差に対応する量時計方向にシフトされ、他方のマーク６２は、マー
ク６０の時計方向のシフトと大きさが等しい量反時計方向にシフトされた。その
結果、各マークのシフトは、印刷されたマーク６０ｅおよび６２ｅの中点８０ａ
に関して他方を打消す。したがって、中点８０ａは、レチクル回転およびレンズ
拡大から現れる誤差が実質的にない、ウェハアライメントのための参照の点を提
供する。
【００２９】 以下により詳細に論じるように、本発明は、ウェハ１００のアライメントのた
めに基準点として仮想アライメントマーク８０を採用する。仮想アライメントマ
ーク８０は、レチクル回転誤差およびレンズ拡大／縮小誤差によるシフト誤差が
実質的にないので、ウェハアライメントにおける仮想アライメントマーク８０の
採用は、重ね合わせ誤差の軽減を促進する。所望に応じて、仮想アライメントマ
ークは、異なった層の仮想アライメントマーク間の既知のオフセットで層ごとに
決定可能である。既知のオフセットは、ある層から別の層へのアライメントのた
めの基準点として仮想アライメントマークを調整することを可能にする。所与の
層と関連付けられる仮想アライメントマークは、それぞれの層をパターニングす
ることに関連付けられるレチクル回転誤差および／またはレンズ拡大誤差による
場所の誤差が実質的にないので、異なった層の仮想アライメントマークの調整は
、重ね合わせ誤差が軽減されるように、それぞれの層を整列させることを可能に
する。図６ｂは、それぞれ、互いに既知のオフセット（（σx1，σy1），（σx2 ，σy2）および（σx3，σy3））で決定された対応の仮想アライメントマーク１
１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃおよび１１２ｄを備える、異なったウェハ層１１０
ａ、１１０ｂ、１１０ｃおよび１１０ｄの分解図である。認められるように、仮
想アライメントマーク１１２の既知のオフセットは、それぞれ、層１１０間のア
ライメントマークの期待された印刷域の既知のオフセットに基づいて決定され得
る。ここに論じられる対称なアライメントマークは、同じパターンを有するもの
と示されるが、レチクルの第１のアライメントマークは、ウェハ表面に印刷され
た後のマークを区別しやすくするために、第２のアライメントマークと異なった
パターンを有してもよいことが認められる。さらに、アライメントマークは、レ
チクルによって（パターンで）さらに区別されてもよい。アライメントマークの
ための任意の好適なパターンが採用されてもよく、前掲の特許請求の範囲内にあ
るものと意図される。
めに基準点として仮想アライメントマーク８０を採用する。仮想アライメントマ
ーク８０は、レチクル回転誤差およびレンズ拡大／縮小誤差によるシフト誤差が
実質的にないので、ウェハアライメントにおける仮想アライメントマーク８０の
採用は、重ね合わせ誤差の軽減を促進する。所望に応じて、仮想アライメントマ
ークは、異なった層の仮想アライメントマーク間の既知のオフセットで層ごとに
決定可能である。既知のオフセットは、ある層から別の層へのアライメントのた
めの基準点として仮想アライメントマークを調整することを可能にする。所与の
層と関連付けられる仮想アライメントマークは、それぞれの層をパターニングす
ることに関連付けられるレチクル回転誤差および／またはレンズ拡大誤差による
場所の誤差が実質的にないので、異なった層の仮想アライメントマークの調整は
、重ね合わせ誤差が軽減されるように、それぞれの層を整列させることを可能に
する。図６ｂは、それぞれ、互いに既知のオフセット（（σx1，σy1），（σx2 ，σy2）および（σx3，σy3））で決定された対応の仮想アライメントマーク１
１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃおよび１１２ｄを備える、異なったウェハ層１１０
ａ、１１０ｂ、１１０ｃおよび１１０ｄの分解図である。認められるように、仮
想アライメントマーク１１２の既知のオフセットは、それぞれ、層１１０間のア
ライメントマークの期待された印刷域の既知のオフセットに基づいて決定され得
る。ここに論じられる対称なアライメントマークは、同じパターンを有するもの
と示されるが、レチクルの第１のアライメントマークは、ウェハ表面に印刷され
た後のマークを区別しやすくするために、第２のアライメントマークと異なった
パターンを有してもよいことが認められる。さらに、アライメントマークは、レ
チクルによって（パターンで）さらに区別されてもよい。アライメントマークの
ための任意の好適なパターンが採用されてもよく、前掲の特許請求の範囲内にあ
るものと意図される。
【００３０】 図７は、レンズ拡大の結果、アライメントマーク６０および６２が意図された
場所と異なったウェハ表面層（たとえばフォトレジスト）上の場所に印刷された
例を示す。より特定的には、アライメントマーク６０および６２は、それぞれ場
所６０ａ、６０ｂ、６０ｃ、６０ｄ、６２ａ、６２ｂ、６２ｃおよび６２ｄに印
刷されることが意図されていた。しかしながら、レンズ拡大誤差により、アライ
メントマーク６０および６２は、実際には、場所６０ｉ、６０ｊ、６０ｋ、６０
ｌ、６２ｉ、６２ｊ、６２ｋおよび６２ｌに印刷された。見てわかるとおり、マ
ーク６０および６２の意図された印刷場所の中点８０（８０ｅ、８０ｆ、８０ｇ
および８０ｈ）は、マークの実際の印刷場所の中点８０と実質的に同じである。
したがって、これらの中点８０は、それぞれ、レンズ拡大による重ね合わせ誤差
を軽減するために、ウェハアライメントのための仮想アライメントマークとして
採用され得る。
場所と異なったウェハ表面層（たとえばフォトレジスト）上の場所に印刷された
例を示す。より特定的には、アライメントマーク６０および６２は、それぞれ場
所６０ａ、６０ｂ、６０ｃ、６０ｄ、６２ａ、６２ｂ、６２ｃおよび６２ｄに印
刷されることが意図されていた。しかしながら、レンズ拡大誤差により、アライ
メントマーク６０および６２は、実際には、場所６０ｉ、６０ｊ、６０ｋ、６０
ｌ、６２ｉ、６２ｊ、６２ｋおよび６２ｌに印刷された。見てわかるとおり、マ
ーク６０および６２の意図された印刷場所の中点８０（８０ｅ、８０ｆ、８０ｇ
および８０ｈ）は、マークの実際の印刷場所の中点８０と実質的に同じである。
したがって、これらの中点８０は、それぞれ、レンズ拡大による重ね合わせ誤差
を軽減するために、ウェハアライメントのための仮想アライメントマークとして
採用され得る。
【００３１】 図８は、レンズ縮小により、アライメントマーク６０および６２が意図された
場所と異なったウェハ表面層（たとえばフォトレジスト）上の場所に印刷された
例を示す。より特定的には、アライメントマーク６０および６２は、それぞれ場
所６０ａ、６０ｂ、６０ｃ、６０ｄ、６２ａ、６２ｂ、６２ｃおよび６２ｄに印
刷されることが意図されていた。しかしながら、レンズ拡大誤差により、アライ
メントマーク６０および６２は、実際には、場所６０ｍ、６０ｎ、６０ｏ、６０
ｐ、６２ｍ、６２ｎ、６２ｏ、６２ｐに印刷された。見てわかるとおり、マーク
６０および６２の意図された印刷場所の中点８０（８０ｉ、８０ｊ、８０ｋおよ
び８０ｌ）は、マーク６０および６２の実際の印刷場所の中点８０と実質的に同
じである。したがって、これらの中点８０は、それぞれ、レチクル回転および／
またはレンズ拡大による重ね合わせ誤差を軽減するために、ウェアアライメント
のための仮想アライメントマークとして採用され得る。
場所と異なったウェハ表面層（たとえばフォトレジスト）上の場所に印刷された
例を示す。より特定的には、アライメントマーク６０および６２は、それぞれ場
所６０ａ、６０ｂ、６０ｃ、６０ｄ、６２ａ、６２ｂ、６２ｃおよび６２ｄに印
刷されることが意図されていた。しかしながら、レンズ拡大誤差により、アライ
メントマーク６０および６２は、実際には、場所６０ｍ、６０ｎ、６０ｏ、６０
ｐ、６２ｍ、６２ｎ、６２ｏ、６２ｐに印刷された。見てわかるとおり、マーク
６０および６２の意図された印刷場所の中点８０（８０ｉ、８０ｊ、８０ｋおよ
び８０ｌ）は、マーク６０および６２の実際の印刷場所の中点８０と実質的に同
じである。したがって、これらの中点８０は、それぞれ、レチクル回転および／
またはレンズ拡大による重ね合わせ誤差を軽減するために、ウェアアライメント
のための仮想アライメントマークとして採用され得る。
【００３２】 図９は、本発明に従うウェハアライメントのための代表的なシステム１２０で
ある。システム１２０は、設計パターン５４を備えるレチクル５０を含む。光源
１３０が、光１３２をレチクル５０を通して投影し、設計パターン５４をウェハ
９０の上に投影する。光源１３０からの光１３２は、レチクル５０を通り投影レ
ンズシステム１４０の光学軸を通過する。投影レンズシステム１４０は、多くの
場合には実質的に作像された設計パターンを縮小しながら、レチクル５０の設計
パターン５４をウェハ１００の上に投影する。本発明を実施するのに反射型シス
テム、走査システムおよび他の好適なシステムが採用されてもよいことが認めら
れる。
ある。システム１２０は、設計パターン５４を備えるレチクル５０を含む。光源
１３０が、光１３２をレチクル５０を通して投影し、設計パターン５４をウェハ
９０の上に投影する。光源１３０からの光１３２は、レチクル５０を通り投影レ
ンズシステム１４０の光学軸を通過する。投影レンズシステム１４０は、多くの
場合には実質的に作像された設計パターンを縮小しながら、レチクル５０の設計
パターン５４をウェハ１００の上に投影する。本発明を実施するのに反射型シス
テム、走査システムおよび他の好適なシステムが採用されてもよいことが認めら
れる。
【００３３】 ウェハホルダ１５０は、ウェハ１００を真空吸着し、ｘ方向およびｙ方向の２
次元に可動なステージ１６０に対してのわずかな回転のために設けられる。ステ
ージ１６０およびウェハホルダ１５０は、コントローラ２００によって制御され
る。コントローラ２００は、ウェハアライメントおよび位置決めのために、（複
数個のモータ（図示せず）により）ウェハホルダ１５０の回転およびステージ１
６０の移動を行なう。コントローラ２００は、ここに記載されるさまざまな機能
を実施するために、システム１２０内のさまざまな構成要素を制御および作動さ
せるようプログラムされたプロセッサ２１０を含む。プロセッサ２１０が本発明
に関する機能を実施するようプログラム可能である態様は、ここに提供される説
明に基づいて当業者には容易に明らかとなるであろう。
次元に可動なステージ１６０に対してのわずかな回転のために設けられる。ステ
ージ１６０およびウェハホルダ１５０は、コントローラ２００によって制御され
る。コントローラ２００は、ウェハアライメントおよび位置決めのために、（複
数個のモータ（図示せず）により）ウェハホルダ１５０の回転およびステージ１
６０の移動を行なう。コントローラ２００は、ここに記載されるさまざまな機能
を実施するために、システム１２０内のさまざまな構成要素を制御および作動さ
せるようプログラムされたプロセッサ２１０を含む。プロセッサ２１０が本発明
に関する機能を実施するようプログラム可能である態様は、ここに提供される説
明に基づいて当業者には容易に明らかとなるであろう。
【００３４】 プロセッサ２１０に作動的に結合されるメモリ２２０もコントローラ２００に
含まれ、ここに記載されるシステム１２０の動作機能を実施するためにプロセッ
サ２１０によって実行されるプログラムコードを記憶する役割を果たす。メモリ
２２０は、リードオンリメモリ（ＲＯＭ）およびランダムアクセスメモリ（ＲＡ
Ｍ）を含む。ＲＡＭは、オペレーティングシステムおよびアプリケーションプロ
グラムがロードされる主メモリである。メモリ２２０は、レチクルの位置、ウェ
ハ位置、レチクル座標テーブル、ウェハ座標テーブル、アライメントマーク情報
、印刷されたアライメントマーク情報、仮想アライメントマーク情報、本発明を
実施するのに採用され得る仮想アライメントマーク場所および他のデータを決定
するためのプログラムなどの情報を一時的に記憶するための記憶媒体としての役
割も果たす。大容量データ記憶のために、メモリ２１０は、ハードディスクドラ
イブ（たとえば、５０ギガバイトのハードドライブ）を含んでもよい。
含まれ、ここに記載されるシステム１２０の動作機能を実施するためにプロセッ
サ２１０によって実行されるプログラムコードを記憶する役割を果たす。メモリ
２２０は、リードオンリメモリ（ＲＯＭ）およびランダムアクセスメモリ（ＲＡ
Ｍ）を含む。ＲＡＭは、オペレーティングシステムおよびアプリケーションプロ
グラムがロードされる主メモリである。メモリ２２０は、レチクルの位置、ウェ
ハ位置、レチクル座標テーブル、ウェハ座標テーブル、アライメントマーク情報
、印刷されたアライメントマーク情報、仮想アライメントマーク情報、本発明を
実施するのに採用され得る仮想アライメントマーク場所および他のデータを決定
するためのプログラムなどの情報を一時的に記憶するための記憶媒体としての役
割も果たす。大容量データ記憶のために、メモリ２１０は、ハードディスクドラ
イブ（たとえば、５０ギガバイトのハードドライブ）を含んでもよい。
【００３５】 電源２３０が、システム１２０に動作電力を与える。本発明を実施するために
、任意の好適な電源（たとえばバッテリ、電力線）が採用されてもよい。
、任意の好適な電源（たとえばバッテリ、電力線）が採用されてもよい。
【００３６】 ある具体例では、システム１２０は、オフアクシス（off−axis）型ウェハア
ライメント顕微鏡２５０ａおよび２５０ｂ（集合的に参照番号２５０によって参
照される）をさらに含む。顕微鏡２５０は、投影システム１４０の光学軸に平行
な光学軸を有し、たとえば、帯状のレーザ光スポット（図示せず）をウェハ１０
０上に作像する。帯状のレーザスポットは、ウェハ１００上の感光剤（フォトレ
ジスト）を活性化しない波長の光である。各顕微鏡２５０は、ウェハ表面（フォ
トレジスト）上に印刷されたアライメントマークから散乱光および回折光を受け
る光素子（図示せず）を有する。顕微鏡２５０は、それぞれ、光スポットの振動
周期で光素子によって出力される光電信号を同期させかつ整流するためのシステ
ムも含み、光スポットの振動の中心に対するアライメントマークずれに対応する
アライメント信号を出力する。ウェハアライメントマーク位置決めシステムは、
急速に発達しており、いずれの好適な位置決めシステム（たとえば、レンズシス
テムを介する）が本発明を実施するために採用されてもよく、前掲の特許請求の
範囲内にあるものと意図される。
ライメント顕微鏡２５０ａおよび２５０ｂ（集合的に参照番号２５０によって参
照される）をさらに含む。顕微鏡２５０は、投影システム１４０の光学軸に平行
な光学軸を有し、たとえば、帯状のレーザ光スポット（図示せず）をウェハ１０
０上に作像する。帯状のレーザスポットは、ウェハ１００上の感光剤（フォトレ
ジスト）を活性化しない波長の光である。各顕微鏡２５０は、ウェハ表面（フォ
トレジスト）上に印刷されたアライメントマークから散乱光および回折光を受け
る光素子（図示せず）を有する。顕微鏡２５０は、それぞれ、光スポットの振動
周期で光素子によって出力される光電信号を同期させかつ整流するためのシステ
ムも含み、光スポットの振動の中心に対するアライメントマークずれに対応する
アライメント信号を出力する。ウェハアライメントマーク位置決めシステムは、
急速に発達しており、いずれの好適な位置決めシステム（たとえば、レンズシス
テムを介する）が本発明を実施するために採用されてもよく、前掲の特許請求の
範囲内にあるものと意図される。
【００３７】 システム１２０は、顕微鏡２５０を採用して、ウェハ９０の表面層上に印刷さ
れたアライメントマーク６０および６２の場所を見つけマッピングすることを促
進する。アライメントマーク場所がマッピングされると、プロセッサ２１０は、
仮想アライメントマーク８０をマッピングするために、それぞれのアライメント
マーク対６０、６２の中点を決定することができる。プロセッサ２１０は、ウェ
ハアライメントのための基準として仮想アライメントマーク８０を採用する。
れたアライメントマーク６０および６２の場所を見つけマッピングすることを促
進する。アライメントマーク場所がマッピングされると、プロセッサ２１０は、
仮想アライメントマーク８０をマッピングするために、それぞれのアライメント
マーク対６０、６２の中点を決定することができる。プロセッサ２１０は、ウェ
ハアライメントのための基準として仮想アライメントマーク８０を採用する。
【００３８】 ウェハアライメントシステムは当該技術には周知であり、したがって、システ
ム１２０の従来の局面は、簡潔のために省略されるかまたはここに高水準で記載
される。当業者は、ここの教示に基づいて本発明に従ってウェハアライメントシ
ステムを容易に構成可能である。
ム１２０の従来の局面は、簡潔のために省略されるかまたはここに高水準で記載
される。当業者は、ここの教示に基づいて本発明に従ってウェハアライメントシ
ステムを容易に構成可能である。
【００３９】 図１０を参照し、アライメントマーク６０ｅ、６０ｆ、６０ｇ、６０ｈ、６２
ｅ、６２ｆ、６２ｇおよび６２ｈ、ならびに仮想アライメントマーク８０ａ、８
０ｂ、８０ｃおよび８０ｄ（図６ａ）が、デカルト座標系上にマッピングされて
いるものと示される。さまざまなマークが、それぞれ（ｘ，ｙ）座標によってマ
ッピングされていることが図示される。プロセッサ２１０は、以下の方程式から
仮想アライメントマーク８０の場所（ＸV80，ＹV80）を決定することができる。
ｅ、６２ｆ、６２ｇおよび６２ｈ、ならびに仮想アライメントマーク８０ａ、８
０ｂ、８０ｃおよび８０ｄ（図６ａ）が、デカルト座標系上にマッピングされて
いるものと示される。さまざまなマークが、それぞれ（ｘ，ｙ）座標によってマ
ッピングされていることが図示される。プロセッサ２１０は、以下の方程式から
仮想アライメントマーク８０の場所（ＸV80，ＹV80）を決定することができる。
【００４０】
【数４】
【００４１】 式中、ＸV，ＹVは、仮想アライメントマークのｘ座標、ｙ座標であり、（Ｘ1
，Ｙ1）および（Ｘ2，Ｙ2）は、印刷されたアライメントマークの座標である。
，Ｙ1）および（Ｘ2，Ｙ2）は、印刷されたアライメントマークの座標である。
【００４２】 たとえば、マーク６０ｅおよび６２ｅは、それぞれ、（ｘ，ｙ）座標（−９，
８）および（−８，６）を有する。対応する仮想アライメントマーク８０ａの（
ｘ，ｙ）座標場所は、以下のとおり上の方程式から決定され得る。
８）および（−８，６）を有する。対応する仮想アライメントマーク８０ａの（
ｘ，ｙ）座標場所は、以下のとおり上の方程式から決定され得る。
【００４３】
【数５】
【００４４】 これは、図１０のデカルト座標系上にマッピングされた仮想アライメントマー
ク８０ａの場所に対応する。仮想マークの場所を決定するために、いずれの好適
な数学的技術（たとえば、最小二乗法技術）が採用されてもよい。
ク８０ａの場所に対応する。仮想マークの場所を決定するために、いずれの好適
な数学的技術（たとえば、最小二乗法技術）が採用されてもよい。
【００４５】 図１１ａは、本発明に従うレチクル２６０の別の実施例を示し、レチクル中心
２６４は、アライメントマーク２７０ａと２７０ｂとの間の中点である。図１１
ｂは、本発明に従うレチクル２６０′の別の実施例を示し、レチクル中心２６４
′は、アライメントマーク２７０ａ′と２７０ｂ′との間の中点である。
２６４は、アライメントマーク２７０ａと２７０ｂとの間の中点である。図１１
ｂは、本発明に従うレチクル２６０′の別の実施例を示し、レチクル中心２６４
′は、アライメントマーク２７０ａ′と２７０ｂ′との間の中点である。
【００４６】 図１１ｃは、レチクル２８０のさらに別の実施例を示し、アライメントマーク
２８４ａおよび２８４ｂは、レチクル中心２８６に関して互いに対称であるが、
レチクル中心２８６は、アライメントマーク２８４ａと２８４ｂとの中点ではな
い。図１１ｄは、レチクル２８０′のさらに別の実施例を示し、アライメントマ
ーク２８４ａ′および２８４ｂ′は、レチクル中心２８６′に関して互いに対称
であるが、レチクル中心２８６′は、アライメントマーク２８４ａ′および２８
４ｂ′の中点ではない。
２８４ａおよび２８４ｂは、レチクル中心２８６に関して互いに対称であるが、
レチクル中心２８６は、アライメントマーク２８４ａと２８４ｂとの中点ではな
い。図１１ｄは、レチクル２８０′のさらに別の実施例を示し、アライメントマ
ーク２８４ａ′および２８４ｂ′は、レチクル中心２８６′に関して互いに対称
であるが、レチクル中心２８６′は、アライメントマーク２８４ａ′および２８
４ｂ′の中点ではない。
【００４７】 図１１ｅおよび図１１ｆは、図１１ｃのアライメントマーク２８４ａおよび２
８４ｂの関係をより詳細に示す。図１１ｅに示すとおり、マーク２８４ａおよび
２８４ｂは、レチクル中心２８６に関して互いに対称である。想像線Ａが、マー
ク２８４ａおよび２８４ｂの中心に交わり、想像線Ｂが、レチクル中心２８６と
マーク２８４ａおよび２８４ｂの中点（ＭＰ）とに交わり、線Ａは線Ｂに対して
垂直である。
８４ｂの関係をより詳細に示す。図１１ｅに示すとおり、マーク２８４ａおよび
２８４ｂは、レチクル中心２８６に関して互いに対称である。想像線Ａが、マー
ク２８４ａおよび２８４ｂの中心に交わり、想像線Ｂが、レチクル中心２８６と
マーク２８４ａおよび２８４ｂの中点（ＭＰ）とに交わり、線Ａは線Ｂに対して
垂直である。
【００４８】 図１１ｆは、マーク２８４ａ、２８４ｂとレチクル中心２８６とのジオメトリ
的関係を示す。この関係は、レチクル２８０に関して架空マーク場所２８４ｃを
得るために採用され得る。レチクル中心２８６は、マーク２８４ａと架空マーク
２８４ｃとの中点である。アライメントマーク２８４ａおよび２８４ｃは、それ
ぞれ図４のマーク６０および６２と配置において同様である。したがって、架空
マーク２８４ｃの場所を決定したプロセッサ２１０は、ウェハ１００上に印刷さ
れたマーク２８４ａおよび２８４ｂに基づいて仮想マーク場所の場所を容易に決
定可能である。
的関係を示す。この関係は、レチクル２８０に関して架空マーク場所２８４ｃを
得るために採用され得る。レチクル中心２８６は、マーク２８４ａと架空マーク
２８４ｃとの中点である。アライメントマーク２８４ａおよび２８４ｃは、それ
ぞれ図４のマーク６０および６２と配置において同様である。したがって、架空
マーク２８４ｃの場所を決定したプロセッサ２１０は、ウェハ１００上に印刷さ
れたマーク２８４ａおよび２８４ｂに基づいて仮想マーク場所の場所を容易に決
定可能である。
【００４９】 より特定的には、マーク２８４ａおよび２８４ｂの対称の関係により、以下の
関係が存在する。角度（θ1）＝角度（θ2）＝角度（θ3）、および角度（γ1）
＝角度（γ2）である。マーク２８４ｂの（ｘ，ｙ）座標は、（ｘ1，ｙ1）によ
って表わされ、マーク２８４ａの（ｘ，ｙ）座標は（ｘ2，ｙ2）によって表わさ
れ、架空マーク２８４ｃの（ｘ，ｙ）座標は（ｘ3，ｙ3）によって表わされる。
マーク２８４ａおよび２８４ｂの座標、ならびにレチクル中心２８６の座標は、
プロセッサ２１０によって知られていることが認められ、プロセッサは、架空マ
ーク２８４ｃの座標を決定するのにこれらの座標を採用する。以下の方程式は、
架空マーク２８４ｃの（ｘ，ｙ）座標をマッピングするためにプロセッサ２１０
によって採用され得る。
関係が存在する。角度（θ1）＝角度（θ2）＝角度（θ3）、および角度（γ1）
＝角度（γ2）である。マーク２８４ｂの（ｘ，ｙ）座標は、（ｘ1，ｙ1）によ
って表わされ、マーク２８４ａの（ｘ，ｙ）座標は（ｘ2，ｙ2）によって表わさ
れ、架空マーク２８４ｃの（ｘ，ｙ）座標は（ｘ3，ｙ3）によって表わされる。
マーク２８４ａおよび２８４ｂの座標、ならびにレチクル中心２８６の座標は、
プロセッサ２１０によって知られていることが認められ、プロセッサは、架空マ
ーク２８４ｃの座標を決定するのにこれらの座標を採用する。以下の方程式は、
架空マーク２８４ｃの（ｘ，ｙ）座標をマッピングするためにプロセッサ２１０
によって採用され得る。
【００５０】
【数６】
【００５１】 プロセッサ２１０が架空マーク２８４ｃの場所を決定するのに採用してもよい
多数のジオメトリ的関係が存在することが認められ、そのような関係のいずれか
およびすべての使用が、前掲の特許請求の範囲によって規定される本発明の範囲
内にあるものと意図される。座標（ｘ3，ｙ3）および／またはマーク２８４ａと
２８４ｂとのジオメトリ的関係は、ウェハアライメントを促進し、かつレチクル
回転誤差および／またはレンズ拡大誤差による重ね合わせ誤差を軽減するために
、本発明に従って仮想アライメントマークをマッピングするためにプロセッサ２
１０によって採用されてもよい。上記説明に基づいて、当業者は、システム１２
０のプロセッサ２１０を容易にプログラムし、本発明のこの実施例に従う仮想ア
ライメントマークを決定し得る。
多数のジオメトリ的関係が存在することが認められ、そのような関係のいずれか
およびすべての使用が、前掲の特許請求の範囲によって規定される本発明の範囲
内にあるものと意図される。座標（ｘ3，ｙ3）および／またはマーク２８４ａと
２８４ｂとのジオメトリ的関係は、ウェハアライメントを促進し、かつレチクル
回転誤差および／またはレンズ拡大誤差による重ね合わせ誤差を軽減するために
、本発明に従って仮想アライメントマークをマッピングするためにプロセッサ２
１０によって採用されてもよい。上記説明に基づいて、当業者は、システム１２
０のプロセッサ２１０を容易にプログラムし、本発明のこの実施例に従う仮想ア
ライメントマークを決定し得る。
【００５２】 図１２は、本発明の別の実施例を示し、他方から予め定められたオフセットで
レチクル５０の対称のアライメントマーク６０および６２を印刷する代わりに、
マークは一方のマークが他方の上になるように印刷される。レチクル誤差および
／または拡大誤差がないので、ウェハ９０上の印刷されたマーク３００は、各マ
ーク対が互いに完全に合っている理想的な場合を示す。
レチクル５０の対称のアライメントマーク６０および６２を印刷する代わりに、
マークは一方のマークが他方の上になるように印刷される。レチクル誤差および
／または拡大誤差がないので、ウェハ９０上の印刷されたマーク３００は、各マ
ーク対が互いに完全に合っている理想的な場合を示す。
【００５３】 図１３は、所与のマーク対が完全に（一方のマークが他方のマークの直接上に
ある）印刷されていない理想的でない場合を示す。斜線のマーク３０２は、マー
ク６０および６２が印刷されるはずであったところを示し、実線のマーク３００
ａおよび３００ｂは、マーク６０および６２がそれぞれ実際に印刷されたところ
を示す。
ある）印刷されていない理想的でない場合を示す。斜線のマーク３０２は、マー
ク６０および６２が印刷されるはずであったところを示し、実線のマーク３００
ａおよび３００ｂは、マーク６０および６２がそれぞれ実際に印刷されたところ
を示す。
【００５４】 図１４は、デカルト座標系上にマッピングされた図１３の印刷されたマーク３
００ａおよび３００ｂを示す。マーク３００ａおよび３００ｂは、仮想アライメ
ントマーク（ＸV，ＹV）が決定され得る単一のマーク３１０として扱われる。仮
想アライメントマーク（ＸV，ＹV）は、以下の方程式から決定され得る。
００ａおよび３００ｂを示す。マーク３００ａおよび３００ｂは、仮想アライメ
ントマーク（ＸV，ＹV）が決定され得る単一のマーク３１０として扱われる。仮
想アライメントマーク（ＸV，ＹV）は、以下の方程式から決定され得る。
【００５５】
【数７】
【００５６】 仮想アライメントマーク（ＸV，ＹV）は、ウェハアライメントを促進しかつレ
チクル回転および／またはレンズ拡大による重ね合わせ誤差を軽減するために、
上述のとおり使用され得る。２つのマークの位置を決定するために計測がより少
なくてもすむので、この特定の実施例は、貴重なウェハ面積を保全しアライメン
トのプロセスを高速化するというさらなる利点を提供する。
チクル回転および／またはレンズ拡大による重ね合わせ誤差を軽減するために、
上述のとおり使用され得る。２つのマークの位置を決定するために計測がより少
なくてもすむので、この特定の実施例は、貴重なウェハ面積を保全しアライメン
トのプロセスを高速化するというさらなる利点を提供する。
【００５７】 上記実施例のいずれも、半導体装置の製造において採用される異なった表面層
（たとえばフォトレジスト層）に適用されてもよいことが認められる。好ましく
は、ある特定のレチクルのアライメントマークは、マーク群のオーバーラップを
回避するために、（予め定められたオフセットを用いて）異なった場所に印刷さ
れる。予め定められたオフセットを採用することにより、それぞれの層群の仮想
アライメントマークは、レチクル回転誤差およびレンズ拡大誤差による重ね合わ
せ誤差を軽減するために、装置パターンの多層アライメントのために相互参照さ
れてもよい。より特定的には、第１のフォトレジスト層について、アライメント
マークの第１の組（第１のレチクルに対応する）がウェハの第１の予め定められ
た区域に印刷される。この発明の教示は、ウェハアライメントのための仮想アラ
イメントマークを決定するために採用される。第２およびその後のフォトレジス
ト層の上に、アライメントマークの第２の組（第２のレチクルに対応する）が、
第１の予め定められた区域と異なるウェハの第２の予め定められた区域に印刷さ
れる。第１の予め定められた領域に関して第２の予め定められた領域のオフセッ
トは、先立って知られている。既知のオフセットを採用して、第１のアライメン
トマーク組に対応する第１の仮想アライメントマークを第２のアライメントマー
ク組に対応する第２の仮想アライメントマークに相関させる。結果として、第１
および第２のアライメントマークの採用により、第１および第２のレチクルの両
方のレチクル回転誤差が打ち消され、また、拡大誤差も、いずれかの層のパター
ニングの際に打ち消される。第１および第２のアライメントマークは、レチクル
回転誤差および／またはレンズ拡大／縮小誤差による２層間の重ね合わせ誤差を
軽減するために、第１および第２の層を整列させるために、（既知のオフセット
を考慮して）相互参照される。
（たとえばフォトレジスト層）に適用されてもよいことが認められる。好ましく
は、ある特定のレチクルのアライメントマークは、マーク群のオーバーラップを
回避するために、（予め定められたオフセットを用いて）異なった場所に印刷さ
れる。予め定められたオフセットを採用することにより、それぞれの層群の仮想
アライメントマークは、レチクル回転誤差およびレンズ拡大誤差による重ね合わ
せ誤差を軽減するために、装置パターンの多層アライメントのために相互参照さ
れてもよい。より特定的には、第１のフォトレジスト層について、アライメント
マークの第１の組（第１のレチクルに対応する）がウェハの第１の予め定められ
た区域に印刷される。この発明の教示は、ウェハアライメントのための仮想アラ
イメントマークを決定するために採用される。第２およびその後のフォトレジス
ト層の上に、アライメントマークの第２の組（第２のレチクルに対応する）が、
第１の予め定められた区域と異なるウェハの第２の予め定められた区域に印刷さ
れる。第１の予め定められた領域に関して第２の予め定められた領域のオフセッ
トは、先立って知られている。既知のオフセットを採用して、第１のアライメン
トマーク組に対応する第１の仮想アライメントマークを第２のアライメントマー
ク組に対応する第２の仮想アライメントマークに相関させる。結果として、第１
および第２のアライメントマークの採用により、第１および第２のレチクルの両
方のレチクル回転誤差が打ち消され、また、拡大誤差も、いずれかの層のパター
ニングの際に打ち消される。第１および第２のアライメントマークは、レチクル
回転誤差および／またはレンズ拡大／縮小誤差による２層間の重ね合わせ誤差を
軽減するために、第１および第２の層を整列させるために、（既知のオフセット
を考慮して）相互参照される。
【００５８】 仮想アライメントマークは、各仮想アライメントマークのそれぞれのレチクル
に関してのウェハのアライメントを可能にするので、レチクル回転誤差および／
または拡大誤差は、層ごとに軽減され、所与の層に関しての重ね合わせ誤差は、
しばしば従来には生じたようにその後の形成された層において複合された重ね合
わせ誤差には現われないので、多層ベースでも軽減される。
に関してのウェハのアライメントを可能にするので、レチクル回転誤差および／
または拡大誤差は、層ごとに軽減され、所与の層に関しての重ね合わせ誤差は、
しばしば従来には生じたようにその後の形成された層において複合された重ね合
わせ誤差には現われないので、多層ベースでも軽減される。
【００５９】 図１５および図１６は、本発明の別の実施例を示し、レチクル４００は、２つ
のアライメントマーク４１０および４１２（互いに関して対称であってもよいし
または対称でなくてもよい）を含む。プロセッサ２１０は、レチクル４００に関
して２つのアライメントマーク４１０および４１２の場所を決定するために、レ
チクル４００をマッピングする。プロセッサ２１０は、２つのマーク４１０ｉお
よび４１２ｉの意図された印刷場所、ならびにマーク４１０ａおよび４１２ａの
実際の印刷場所がマッピングされるように、ウェハ４３０（図１６）もマッピン
グする。プロセッサ２１０は、２つのマークの意図された印刷場所からのずれを
決定することができ、ウェハマッピングとレチクルマッピングとの相関関係に基
づいて、レチクル４００およびウェハ４３０を採用するシステムのレチクル回転
および／または拡大誤差の度合いを決定することができる。誤差の種類および大
きさが決定されると、プロセッサは、レチクル回転および／またはレンズ拡大に
よる重ね合わせ誤差を軽減するために、システムを修正して誤差を補償すること
ができる。
のアライメントマーク４１０および４１２（互いに関して対称であってもよいし
または対称でなくてもよい）を含む。プロセッサ２１０は、レチクル４００に関
して２つのアライメントマーク４１０および４１２の場所を決定するために、レ
チクル４００をマッピングする。プロセッサ２１０は、２つのマーク４１０ｉお
よび４１２ｉの意図された印刷場所、ならびにマーク４１０ａおよび４１２ａの
実際の印刷場所がマッピングされるように、ウェハ４３０（図１６）もマッピン
グする。プロセッサ２１０は、２つのマークの意図された印刷場所からのずれを
決定することができ、ウェハマッピングとレチクルマッピングとの相関関係に基
づいて、レチクル４００およびウェハ４３０を採用するシステムのレチクル回転
および／または拡大誤差の度合いを決定することができる。誤差の種類および大
きさが決定されると、プロセッサは、レチクル回転および／またはレンズ拡大に
よる重ね合わせ誤差を軽減するために、システムを修正して誤差を補償すること
ができる。
【００６０】 上記説明は、本発明の好ましい実施例である。もちろん、本発明を記載する目
的で構成要素または方法のあらゆる想起可能な組合せを記載することはできない
が、当業者は、本発明の多くのさらなる組合せおよび置換が可能であることを認
めるであろう。したがって、本発明は、前掲の特許請求の精神および範囲内にあ
るすべてのそのような変更、修正および変形を含むものと意図される。
的で構成要素または方法のあらゆる想起可能な組合せを記載することはできない
が、当業者は、本発明の多くのさらなる組合せおよび置換が可能であることを認
めるであろう。したがって、本発明は、前掲の特許請求の精神および範囲内にあ
るすべてのそのような変更、修正および変形を含むものと意図される。
【図１】 １つのアライメントマークを含む先行技術のレチクルの概略図で
ある。
ある。
【図２】 アライメントマークが上に印刷されたウェハの概略図である。
【図３】 レチクル回転によりマークが意図された印刷場所と異なった場所
に印刷されている、図１の先行技術のレチクルからの、アライメントマークが上
に印刷されているウェハの概略図である。
に印刷されている、図１の先行技術のレチクルからの、アライメントマークが上
に印刷されているウェハの概略図である。
【図４】 本発明に従う２つの対称のアライメントマークを有するレチクル
の概略図である。
の概略図である。
【図５】 本発明に従うアライメントマークが所望の場所に印刷されたウェ
ハ表面層の概略図である。
ハ表面層の概略図である。
【図６ａ】 ４つの異なったレチクル回転／拡大誤差によりアライメントマ
ークが意図された場所と異なった場所に印刷され、仮想アライメントマークが本
発明に従って決定された、ウェハ表面層の概略図である。
ークが意図された場所と異なった場所に印刷され、仮想アライメントマークが本
発明に従って決定された、ウェハ表面層の概略図である。
【図６ｂ】 本発明に従う互いに対して既知のオフセットで決定された対応
する仮想アライメントマークを備える異なったウェハ層の分解図である。
する仮想アライメントマークを備える異なったウェハ層の分解図である。
【図７】 レンズ拡大誤差によりアライメントマークが意図された場所と異
なった場所に印刷され、仮想アライメントマークが本発明に従って決定された、
ウェハ表面層の概略図である。
なった場所に印刷され、仮想アライメントマークが本発明に従って決定された、
ウェハ表面層の概略図である。
【図８】 レンズ拡大誤差によりアライメントマークが意図された場所と異
なった場所に印刷され、仮想アライメントマークが本発明に従って決定された、
別のウェハ表面層の概略図である。
なった場所に印刷され、仮想アライメントマークが本発明に従って決定された、
別のウェハ表面層の概略図である。
【図９】 本発明に従うウェハアライメントシステムの代表的概略図である
。
。
【図１０】 本発明に従うデカルト座標系にマッピングされた図６ａの印刷
されたアライメントマークの概略図である。
されたアライメントマークの概略図である。
【図１１ａ】 本発明に従う２つの対称のアライメントマークを備えるレチ
クルの代替の実施例の概略図である。
クルの代替の実施例の概略図である。
【図１１ｂ】 本発明に従う２つの対称のアライメントマークを備えるレチ
クルの別の代替の実施例の概略図である。
クルの別の代替の実施例の概略図である。
【図１１ｃ】 本発明に従う２つの対称のアライメントマークを備えるレチ
クルのさらに別の実施例の概略図である。
クルのさらに別の実施例の概略図である。
【図１１ｄ】 本発明に従う２つの対称のアライメントマークを備えるレチ
クルのさらに別の代替の実施例の概略図である。
クルのさらに別の代替の実施例の概略図である。
【図１１ｅ】 本発明に従う図１１ａのレチクルのレチクル中心および２つ
のアライメントマークのジオメトリ的関係の図である。
のアライメントマークのジオメトリ的関係の図である。
【図１１ｆ】 本発明に従う、架空アライメントマークの場所を決定するた
めに採用され得る、図１１ｅのレチクルのレチクル中心および２つのアライメン
トマークのジオメトリ的関係の図である。
めに採用され得る、図１１ｅのレチクルのレチクル中心および２つのアライメン
トマークのジオメトリ的関係の図である。
【図１２】 本発明に従う理想的な条件下で、一方が他方の直接上になるよ
うに図４のアライメントマークが印刷されたウェハの概略図である。
うに図４のアライメントマークが印刷されたウェハの概略図である。
【図１３】 本発明に従う、アライメントマークがレチクル回転により互い
の直接上に印刷されていない、アライメントマークが上に印刷されたウェハの概
略図である。
の直接上に印刷されていない、アライメントマークが上に印刷されたウェハの概
略図である。
【図１４】 本発明に従うデカルト座標系にマッピングされた図１３の１対
の印刷されたアライメントマークの概略図である。
の印刷されたアライメントマークの概略図である。
【図１５】 本発明に従う、アライメントマークの場所がレチクルに関して
座標形にマッピングされている、２つのアライメントマークを含むレチクルの概
略図である。
座標形にマッピングされている、２つのアライメントマークを含むレチクルの概
略図である。
【図１６】 本発明に従う、図１５の２つのアライメントマークの意図され
た印刷場所が座標系にマッピングされ、２つのアライメントマークの実際の印刷
場所が座標系にマッピングされた、ウェハの概略図である。
た印刷場所が座標系にマッピングされ、２つのアライメントマークの実際の印刷
場所が座標系にマッピングされた、ウェハの概略図である。
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１３年１月４日（２００１．１．４）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【数１】 式中、Ｘv，Ｙvは第１の仮想アライメントマーク（８０；１１２ａ）の（ｘ，
ｙ）座標であり、（Ｘ1，Ｙ1）は、印刷された第１のアライメントマーク（６０
）の（ｘ，ｙ）座標であり、（Ｘ2，Ｙ2）は、印刷された第２のアライメントマ
ーク（６２）の（ｘ，ｙ）座標である、請求項１に記載のシステム。
ｙ）座標であり、（Ｘ1，Ｙ1）は、印刷された第１のアライメントマーク（６０
）の（ｘ，ｙ）座標であり、（Ｘ2，Ｙ2）は、印刷された第２のアライメントマ
ーク（６２）の（ｘ，ｙ）座標である、請求項１に記載のシステム。
【数２】 式中、Ｘv，Ｙvは第１の仮想アライメントマークの（ｘ，ｙ）座標であり、（
Ｘ1，Ｙ1）は印刷された第１のアライメントマーク（６０）の（ｘ，ｙ）座標で
あり、（Ｘ2，Ｙ2）は印刷された第２のアライメントマーク（６２）の（ｘ，ｙ
）座標である、請求項６に記載の方法。
Ｘ1，Ｙ1）は印刷された第１のアライメントマーク（６０）の（ｘ，ｙ）座標で
あり、（Ｘ2，Ｙ2）は印刷された第２のアライメントマーク（６２）の（ｘ，ｙ
）座標である、請求項６に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【背景技術】 ＪＰ−Ａ−１０ ０５０ ６０１は、一対のアライメントマークがプレートの
パターン領域の外側に配置される、オーバーラップ誤差を低減するためのアライ
メント方法を開示する。さらなるプレートアライメントマークが、プレートのｘ
中心線およびｙ中心線の交差点のまわりに置かれる。アライメントマークの対は
、このさらなるアライメントマークについて対称である。露光基準は、アライメ
ントマークを用いて測定値の平均値に基づいて決定される。 ＵＳ−Ａ−５ ２５０ ９８３は、チップパターン領域の外側に、アライメン
トマークが、レチクルの４辺の周辺上に設けられている、レチクルを開示する。
レチクルの両側のアライメントマークは、異なっている。 ＵＳ−Ａ−５ ７９２ ５８０も、レチクルパターンを整列させる方法を開示
する。 集積回路（ＩＣ）および大規模集積回路（ＬＳＩＣ）などの半導体装置の微細
化への傾向は急速に進んでおり、そのような半導体装置を製造するための装置に
ついてより高い精度が必要とされている。特に、そのような要求は、マスクまた
はレチクルの回路パターンが、半導体ウェハ上に形成された回路パターンの上に
重ねて転写される、露光装置に求められている。マスクの回路パターンおよびウ
ェハの回路パターンが、たとえば、０．１μｍ未満の精度で互いの上に重ねられ
ることが望ましい。
パターン領域の外側に配置される、オーバーラップ誤差を低減するためのアライ
メント方法を開示する。さらなるプレートアライメントマークが、プレートのｘ
中心線およびｙ中心線の交差点のまわりに置かれる。アライメントマークの対は
、このさらなるアライメントマークについて対称である。露光基準は、アライメ
ントマークを用いて測定値の平均値に基づいて決定される。 ＵＳ−Ａ−５ ２５０ ９８３は、チップパターン領域の外側に、アライメン
トマークが、レチクルの４辺の周辺上に設けられている、レチクルを開示する。
レチクルの両側のアライメントマークは、異なっている。 ＵＳ−Ａ−５ ７９２ ５８０も、レチクルパターンを整列させる方法を開示
する。 集積回路（ＩＣ）および大規模集積回路（ＬＳＩＣ）などの半導体装置の微細
化への傾向は急速に進んでおり、そのような半導体装置を製造するための装置に
ついてより高い精度が必要とされている。特に、そのような要求は、マスクまた
はレチクルの回路パターンが、半導体ウェハ上に形成された回路パターンの上に
重ねて転写される、露光装置に求められている。マスクの回路パターンおよびウ
ェハの回路パターンが、たとえば、０．１μｍ未満の精度で互いの上に重ねられ
ることが望ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】 本発明の他の好ましい特徴および利点は、以下の説明および前掲の特許請求の
範囲から明らかとなるであろう。 この発明の実施例は、添付の図面を参照し、この発明がいかに採用され得るか
の例として記載される。
範囲から明らかとなるであろう。 この発明の実施例は、添付の図面を参照し、この発明がいかに採用され得るか
の例として記載される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】 上記説明は、本発明の好ましい実施例である。もちろん、本発明を記載する目
的で構成要素または方法のあらゆる想起可能な組合せを記載することはできない
が、当業者は、本発明の多くのさらなる組合せおよび置換が可能であることを認
めるであろう。したがって、本発明は、前掲の特許請求に規定される本発明の範
囲内にあるすべてのそのような変更、修正および変形を含むものと意図される。
的で構成要素または方法のあらゆる想起可能な組合せを記載することはできない
が、当業者は、本発明の多くのさらなる組合せおよび置換が可能であることを認
めるであろう。したがって、本発明は、前掲の特許請求に規定される本発明の範
囲内にあるすべてのそのような変更、修正および変形を含むものと意図される。
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１３年４月９日（２００１．４．９）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【数１】 式中、Ｘv，Ｙvは第１の仮想アライメントマーク（８０；１１２ａ）の（ｘ，
ｙ）座標であり、（Ｘ1，Ｙ1）は、印刷された第１のウェハアライメントマーク
の（ｘ，ｙ）座標であり、（Ｘ2，Ｙ2）は、印刷された第２のウェハアライメン
トマークの（ｘ，ｙ）座標である、請求項１に記載のシステム。
ｙ）座標であり、（Ｘ1，Ｙ1）は、印刷された第１のウェハアライメントマーク
の（ｘ，ｙ）座標であり、（Ｘ2，Ｙ2）は、印刷された第２のウェハアライメン
トマークの（ｘ，ｙ）座標である、請求項１に記載のシステム。
【数２】 式中、Ｘv，Ｙvは第１の仮想アライメントマークの（ｘ，ｙ）座標であり、（
Ｘ1，Ｙ1）は印刷された第１のウェハアライメントマークの（ｘ，ｙ）座標であ
り、（Ｘ2，Ｙ2）は印刷された第２のウェハアライメントマークの（ｘ，ｙ）座
標である、請求項６に記載の方法。
Ｘ1，Ｙ1）は印刷された第１のウェハアライメントマークの（ｘ，ｙ）座標であ
り、（Ｘ2，Ｙ2）は印刷された第２のウェハアライメントマークの（ｘ，ｙ）座
標である、請求項６に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【背景技術】 ＪＰ−Ａ−１０ ０５０ ６０１は、オーバーラップ誤差を低減するために、
レチクルおよびプレートを整列させるためのアライメント方法を開示する。一対
のアライメントマークが、レチクルのパターン領域の外側に配置される。プレー
トのｘ中心線およびｙ中心線に等距離である、アライメントマークの対も、プレ
ート上に設けられる。さらなるプレートアライメントマークが、プレートのｘ中
心線およびｙ中心線の交差点のまわりに置かれる。露光基準は、アライメントマ
ークを用いて測定値の平均値に基づいて決定される。 ＵＳ−Ａ−５ ２５０ ９８３は、ウェハ上に投影されるべきパターン領域の
外側に、アライメントマークが、レチクルの４辺の周辺上に設けられている、レ
チクルを開示する。レチクルの両側のアライメントマークは、異なっている。 ＵＳ−Ａ−５ ７９２ ５８０も、ウェハとレチクルパターンを整列させる方
法を開示する。 集積回路（ＩＣ）および大規模集積回路（ＬＳＩＣ）などの半導体装置の微細
化への傾向は急速に進んでおり、そのような半導体装置を製造するための装置に
ついてより高い精度が必要とされている。特に、そのような要求は、マスクまた
はレチクルの回路パターンが、半導体ウェハ上に形成された回路パターンの上に
重ねて転写される、露光装置に求められている。マスクの回路パターンおよびウ
ェハの回路パターンが、たとえば、０．１μｍ未満の精度で互いの上に重ねられ
ることが望ましい。
レチクルおよびプレートを整列させるためのアライメント方法を開示する。一対
のアライメントマークが、レチクルのパターン領域の外側に配置される。プレー
トのｘ中心線およびｙ中心線に等距離である、アライメントマークの対も、プレ
ート上に設けられる。さらなるプレートアライメントマークが、プレートのｘ中
心線およびｙ中心線の交差点のまわりに置かれる。露光基準は、アライメントマ
ークを用いて測定値の平均値に基づいて決定される。 ＵＳ−Ａ−５ ２５０ ９８３は、ウェハ上に投影されるべきパターン領域の
外側に、アライメントマークが、レチクルの４辺の周辺上に設けられている、レ
チクルを開示する。レチクルの両側のアライメントマークは、異なっている。 ＵＳ−Ａ−５ ７９２ ５８０も、ウェハとレチクルパターンを整列させる方
法を開示する。 集積回路（ＩＣ）および大規模集積回路（ＬＳＩＣ）などの半導体装置の微細
化への傾向は急速に進んでおり、そのような半導体装置を製造するための装置に
ついてより高い精度が必要とされている。特に、そのような要求は、マスクまた
はレチクルの回路パターンが、半導体ウェハ上に形成された回路パターンの上に
重ねて転写される、露光装置に求められている。マスクの回路パターンおよびウ
ェハの回路パターンが、たとえば、０．１μｍ未満の精度で互いの上に重ねられ
ることが望ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】 上記説明は、本発明の好ましい実施例である。もちろん、本発明を記載する目
的で構成要素または方法のあらゆる想起可能な組合せを記載することはできない
が、当業者は、本発明の記載された実施例の多くのさらなる変形が可能であるこ
とを認めるであろう。したがって、本発明は、前掲の特許請求に規定される本発
明の範囲内にあるすべてのそのような変更、修正および変形を含むものと意図さ
れる。
的で構成要素または方法のあらゆる想起可能な組合せを記載することはできない
が、当業者は、本発明の記載された実施例の多くのさらなる変形が可能であるこ
とを認めるであろう。したがって、本発明は、前掲の特許請求に規定される本発
明の範囲内にあるすべてのそのような変更、修正および変形を含むものと意図さ
れる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ランガラジャン，バーラス アメリカ合衆国、95050 カリフォルニア 州、サンタ・クララ、ドローレス・アベニ ュ、2295 (72)発明者 アーリー，キャスリーン・アール アメリカ合衆国、95050 カリフォルニア 州、サンタ・クララ、サラトガ・アベニ ュ、444、ナンバー・23・ジィ (72)発明者 マンチェスター，テリー アメリカ合衆国、95032 カリフォルニア 州、ロス・ガトス、アドリアン・プレイ ス、124
Claims (31)
- 【請求項１】 フォトリソグラフィプロセスにおいて使用されるレチクルで
あって、 設計領域と、 第１のアライメントマークと、 レチクル中心点が第１および第２のアライメントマークの中点であるように、
第１のアライメントマークに対称である第２のアライメントマークとを含む、レ
チクル。 - 【請求項２】 第１のアライメントマークは、第２のアライメントマークの
ものと同一のパターンを有する、請求項１に記載のレチクル。 - 【請求項３】 第１のアライメントマークは、第２のアライメントマークと
異なるパターンを有する、請求項１に記載のレチクル。 - 【請求項４】 アライメントマークの少なくとも１つが設計領域の外側に位
置する、請求項１に記載のレチクル。 - 【請求項５】 ウェハを整列させるための方法であって、 設計領域と、 第１のアライメントマークと、 第２のアライメントマークとを含むレチクルを使用するステップを含み、第２
のアライメントマークは、レチクル中心点が第１および第２のアライメントマー
クの中点であるように第１のアライメントマークに対称であり、さらに、 ウェハの第１の表面層上に第１のアライメントマークを印刷するステップと、 第１のアライメントマークからの予め定められたオフセットで第１の表面層上
に第２のアライメントマークを印刷するステップと、 第１の仮想アライメントマークを決定するステップとを含み、第１の仮想アラ
イメントマークは、印刷された第１および第２のアライメントマークの中点であ
り、さらに、 第１の仮想アライメントマークを用いてウェハを整列させることを促進するス
テップを含む、方法。 - 【請求項６】 第２の表面層の第２の仮想アライメントマークを決定し、第
２の仮想アライメントマークを用いて第２の層を第１の層に整列させることを促
進するステップをさらに含む、請求項５に記載の方法。 - 【請求項７】 以下の方程式に基づいて第１の仮想アライメントマークの場
所を決定するステップをさらに含み、 【数１】 式中、Ｘv，Ｙvは第１の仮想アライメントマークの（ｘ，ｙ）座標であり、（
Ｘ1，Ｙ1）は印刷された第１のアライメントマークの（ｘ，ｙ）座標であり、（
Ｘ2，Ｙ2）は印刷された第２のアライメントマークの（ｘ，ｙ）座標である、請
求項５に記載の方法。 - 【請求項８】 フォトリソグラフィプロセスにおいて使用されるレチクルで
あって、 設計領域と、 第１のアライメントマークと、 第２のアライメントマークとを含み、第２のアライメントマークは、レチクル
の中心点に関して第１のアライメントマークに対称であり、 第１の想像線が第１および第２のアライメントマークに交わり、第２の想像線
が、レチクル中心と第１および第２のアライメントマークの中点とに交わり、第
１の想像線は第２の想像線に対して垂直である、レチクル。 - 【請求項９】 第１のアライメントマークは、第２のアライメントマークの
ものと同一のパターンを有する、請求項８に記載のレチクル。 - 【請求項１０】 第１のアライメントマークは、第２のアライメントマーク
と異なるパターンを有する、請求項８に記載のレチクル。 - 【請求項１１】 アライメントマークの少なくとも１つは、設計領域の外側
に位置する、請求項８に記載のレチクル。 - 【請求項１２】 ウェハを整列させるためのシステムであって、 設計領域と、 第１のアライメントマークと、 レチクル中心点に関して第１のアライメントマークに対称である第２のアライ
メントマークとを含むレチクルと、 ウェハの表面層上に印刷された第１および第２のアライメントマークの少なく
とも一方を位置付けるための少なくとも１つのシステムと、 システムの汎用動作を制御するためのプロセッサとを含み、プロセッサは、第
１の仮想アライメントマークを決定し、第１の仮想アライメントマークは、ウェ
ハ上に印刷された第１および第２のアライメントマークの中点であり、プロセッ
サは、ウェハのアライメントを促進するために第１の仮想アライメントマークを
採用する、システム。 - 【請求項１３】 レチクルの中心点は第１および第２のアライメントマーク
の中点である、請求項１２に記載のシステム。 - 【請求項１４】 第１のアライメントマークは、第２のアライメントマーク
のものと同一のパターンを有する、請求項１２に記載のシステム。 - 【請求項１５】 第１のアライメントマークは、第２のアライメントマーク
と異なるパターンを有する、請求項１２に記載のシステム。 - 【請求項１６】 アライメントマークの少なくとも１つが設計領域の外側に
位置する、請求項１２に記載のシステム。 - 【請求項１７】 第１の想像線が、第１および第２のアライメントマークに
交わり、第２の想像線が、レチクル中心と第１および第２のアライメントマーク
の中点とに交わり、第１の想像線は、第２の想像線に対して垂直である、請求項
１２に記載のシステム。 - 【請求項１８】 プロセッサは、以下の方程式に基づいてウェハに関して第
１の仮想アライメントマークの場所を決定し、 【数２】 式中Ｘv，Ｙvは第１の仮想アライメントマークの（ｘ，ｙ）座標であり、（Ｘ 1 ，Ｙ1）は、印刷された第１のアライメントマークの（ｘ，ｙ）座標であり、（
Ｘ2，Ｙ2）は、印刷された第２のアライメントマークの（ｘ，ｙ）座標である、
請求項１２に記載のシステム。 - 【請求項１９】 プロセッサは、最小二乗法を用いて第１の仮想アライメン
トマークの場所を決定する、請求項１２に記載のシステム。 - 【請求項２０】 プロセッサは、第２の表面層の第２の仮想アライメントマ
ークを決定し、第１の仮想アライメントマークは、ウェハに関して第２の仮想ア
ライメントマークからの既知のオフセットを有する、請求項１２に記載のシステ
ム。 - 【請求項２１】 プロセッサは、第１の仮想アライメントマークおよび第２
の仮想アライメントマークを用いて第１の層を第２の層に整列させる、請求項２
０に記載のシステム。 - 【請求項２２】 プロセッサは、第３の表面層の第３の仮想アライメントマ
ークを決定し、第２の仮想アライメントマークは、ウェハに関して第３の仮想ア
ライメントマークからの既知のオフセットを有する、請求項２１に記載のシステ
ム。 - 【請求項２３】 プロセッサは、第２の仮想アライメントマークおよび第３
の仮想アライメントマークを用いて第２の層を第３の層に整列させる、請求項２
２に記載のシステム。 - 【請求項２４】 ウェハを整列させるためのシステムであって、 設計領域と、 第１のアライメントマークと、 第２のアライメントマークとを含むレチクルと、 ウェハの表面層上に印刷された第１および第２のアライメントマークの少なく
とも一方を位置付けるための少なくとも１つのシステムと、 システムの汎用動作を制御するためのプロセッサとを含み、プロセッサは、レ
チクルに関して第１および第２のアライメントマークの場所を規定するためにレ
チクルをマッピングし、プロセッサは、第１および第２のアライメントマークの
印刷の意図された場所、ならびに印刷された第１および第２のアライメントマー
クの実際の場所を規定するためにウェハもマッピングし、プロセッサは、アライ
メントマークのマッピングに基づいてレチクル回転誤差および／またはレンズ拡
大誤差の大きさを決定する、システム。 - 【請求項２５】 ウェハを整列させるための方法であって、 設計領域と、 第１のアライメントマークと、 第２のアライメントマークとを含むレチクルを使用するステップを含み、第２
のアライメントマークは、レチクル中心点に関して第１のアライメントマークに
対称であり、さらに、 ウェハの第１の表面層上に第１のアライメントマークを印刷するステップと、 第１のアライメントマークの直接上に第２のアライメントマークを印刷する意
図で第２のアライメントマークを第１の表面層上に印刷するステップと、 第１の仮想アライメントマークを決定するステップとを含み、第１の仮想アラ
イメントマークは、組合された、印刷された第１および第２のアライメントマー
クを表わす物体の中心であり、さらに、 仮想アライメントマークを使用してウェハを整列させることを促進するステッ
プを含む、方法。 - 【請求項２６】 以下の方程式から仮想アライメントマークの場所を決定す
るステップをさらに含み、 【数３】 式中、（ＸV，ＹV）は仮想アライメントマークの（ｘ，ｙ）座標であり、ＸMA X は物体の最大ｘ座標であり、ＸMINは物体の最小ｘ座標であり、ＹMAXは物体の
最大ｙ座標であり、ＹMINは物体の最小ｙ座標である、請求項２５に記載の方法
。 - 【請求項２７】 ウェハを整列させるためのシステムであって、 少なくとも２つのアライメントマークをウェハの表面層上に印刷するための手
段を含み、少なくとも２つのアライメントマークは、印刷されたマークが印刷さ
れたマークの中点に関してレチクル回転誤差および／またはレンズ拡大誤差を実
質的に打ち消すように、関連付けられた対称性を有し、さらに、 中点を決定するための手段を含み、中点は仮想アライメントマークであり、さ
らに、 仮想アライメントマークを基準として用いてウェハを整列させるための手段を
含む、システム。 - 【請求項２８】 印刷されたマークの場所を識別するための手段をさらに含
む、請求項２７に記載のシステム。 - 【請求項２９】 複数個の層のための仮想アライメントマークを決定するた
めの手段をさらに含む、請求項２７に記載のシステム。 - 【請求項３０】 基準点としてそれぞれの仮想アライメントマークを採用す
る複数個の層の少なくとも２つを整列させるための手段をさらに含む、請求項２
９に記載のシステム。 - 【請求項３１】 少なくとも２つのアライメントマークを含むレチクルと、 アライメントマークを印刷するための手段と、 印刷されたアライメントマークを見出すための手段と、 意図された印刷場所からの印刷されたアライメントマークのずれを決定するた
めの手段と、 ウェハアライメントシステムを修正してずれを補償するための手段とを含む、
ウェハアライメント。
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