JP2002529602A - 置換フェニルエチレン前駆体堆積方法 - Google Patents
置換フェニルエチレン前駆体堆積方法Info
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
- C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
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- C07F1/08—Copper compounds
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Abstract
(57)【要約】
置換フェニルエチレンリガンドとともにＣｕ（ｈｆａｃ）前駆体を用いて、ＩＣ表面に接着シード層を形成する方法が提供された。置換フェニルエチレンリガンドは、Ｃ1〜Ｃ6アルキル、Ｃ1〜Ｃ6ハロアルキル、フェニル、Ｈ、およびＣ1〜Ｃ6アルコキシルから成る群から選択される分詞との結合を含む。１つの変形では、α−メチルスチレンリガンドがとりわけ接着性を有することが証明された。この前駆体を用いて堆積された銅は、低い抵抗率および高い接着特性を有する。このシード層は、ＣＶＤ、ＰＶＤ、または電気メッキを介して堆積される後続するＣｕ層の基礎を提供するる。この接着シード層は、後続するＣｕ層が経済的かつ高い堆積速度のプロセスを用いて堆積されることを可能にする。
Description
【０００１】 （技術分野） 本発明は、本願と同一の発明者により１９９８年１１月１０日に出願され、「
Ｉｍｐｒｏｖｅｄ Ｃｏｐｐｅｒ Ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ ａｎｄ Ｓｙｎｔｈｅ
ｓｉｓ Ｍｅｔｈｏｄ」と題された米国仮出願第６０／１０７８９２号の利益を
主張する。
Ｉｍｐｒｏｖｅｄ Ｃｏｐｐｅｒ Ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ ａｎｄ Ｓｙｎｔｈｅ
ｓｉｓ Ｍｅｔｈｏｄ」と題された米国仮出願第６０／１０７８９２号の利益を
主張する。
【０００２】 本発明は、一般的に集積回路プロセスおよび製造に関し、より詳細には、α−
メチルスチレンなど、液相安定性を改良し、高速堆積での銅の堆積を可能にし、
低抵抗率で、選択された集積回路表面への良好な接着を有する置換フェニルエチ
レンリガンドを有する前駆体および合成方法に関する。
メチルスチレンなど、液相安定性を改良し、高速堆積での銅の堆積を可能にし、
低抵抗率で、選択された集積回路表面への良好な接着を有する置換フェニルエチ
レンリガンドを有する前駆体および合成方法に関する。
【０００３】 （背景技術） ますます小さく、より安価で、より強力な電子製品に対する需要が、転じて、
より大きな基板上のより小さなジオメトリの集積回路（ＩＣ）に対する需要を刺
激している。このことは、ＩＣ基板上の回路のより密なパッケージングに対する
需要をも作り出している。より小さなジオメトリＩＣ回路に対する要求は、要素
と誘電層との間の相互接続が可能な限り小さいことを要する。従って、相互接続
および接続線を介した幅を低減することに関する研究が続けられている。相互接
続の伝導率は、相互接続表面の面積が低減されるにつれて低減し、相互接続抵抗
率の結果的な増大は、ＩＣ設計の障害となってきた。高い抵抗率を有するコンダ
クタは、高インピーダンスの伝導経路と大きな伝播遅延とを生み出す。これらの
問題は、信頼できない信号タイミング、信頼できない電圧レベル、および高速Ｉ
Ｃの動作における素子間での長い信号遅延を生み出す。また、伝播の不連続は、
不良な接続をされた交差伝導表面、または大きく異なるインピーダンス特性を有
するコンダクタの接合によっても生じる。
より大きな基板上のより小さなジオメトリの集積回路（ＩＣ）に対する需要を刺
激している。このことは、ＩＣ基板上の回路のより密なパッケージングに対する
需要をも作り出している。より小さなジオメトリＩＣ回路に対する要求は、要素
と誘電層との間の相互接続が可能な限り小さいことを要する。従って、相互接続
および接続線を介した幅を低減することに関する研究が続けられている。相互接
続の伝導率は、相互接続表面の面積が低減されるにつれて低減し、相互接続抵抗
率の結果的な増大は、ＩＣ設計の障害となってきた。高い抵抗率を有するコンダ
クタは、高インピーダンスの伝導経路と大きな伝播遅延とを生み出す。これらの
問題は、信頼できない信号タイミング、信頼できない電圧レベル、および高速Ｉ
Ｃの動作における素子間での長い信号遅延を生み出す。また、伝播の不連続は、
不良な接続をされた交差伝導表面、または大きく異なるインピーダンス特性を有
するコンダクタの接合によっても生じる。
【０００４】 相互接続およびバイアスの両方が低い抵抗率と、揮発性原料のプロセス環境に
耐える能力とを有する必要がある。集積回路の製造では、電気的に活性な領域の
間に相互接続またはバイアスを形成するために、アルミニウムおよびタングステ
ン金属がしばしば用いられる。これらの金属は、特別な取り扱いを要する銅とは
異なり、製造環境での使用が容易であるので、普及している。
耐える能力とを有する必要がある。集積回路の製造では、電気的に活性な領域の
間に相互接続またはバイアスを形成するために、アルミニウムおよびタングステ
ン金属がしばしば用いられる。これらの金属は、特別な取り扱いを要する銅とは
異なり、製造環境での使用が容易であるので、普及している。
【０００５】 銅（Ｃｕ）は、電気回路内の配線およびバイアスの寸法を低減する試みにおい
て、アルミニウムの代用とするものとして当然選択されるように思われる。銅の
伝導率は、アルミニウムの伝導率の約２倍であり、タングステンの伝導率の約３
倍である。結果としてアルミニウムの約半分の幅を有する銅配線を介して同量の
電流が運ばれる。
て、アルミニウムの代用とするものとして当然選択されるように思われる。銅の
伝導率は、アルミニウムの伝導率の約２倍であり、タングステンの伝導率の約３
倍である。結果としてアルミニウムの約半分の幅を有する銅配線を介して同量の
電流が運ばれる。
【０００６】 銅のエレクトロマイグレーション特性も、アルミニウムのエレクトロマイグレ
ーションよりはるかに優れている。アルミニウムは、銅の約１０倍、電子移動に
よる劣化および破損を受けやすい。結果として、銅配線は、アルミニウム配線よ
りはるかに小さな断面を有するものでさえ、電気的整合性（ｅｌｅｃｔｒｉｃａ
ｌ ｉｎｔｅｇｒｉｔｙ）をより良好に保持できる。
ーションよりはるかに優れている。アルミニウムは、銅の約１０倍、電子移動に
よる劣化および破損を受けやすい。結果として、銅配線は、アルミニウム配線よ
りはるかに小さな断面を有するものでさえ、電気的整合性（ｅｌｅｃｔｒｉｃａ
ｌ ｉｎｔｅｇｒｉｔｙ）をより良好に保持できる。
【０００７】 しかしながら、ＩＣの加工に銅を用いることに関して問題が存在する。銅は、
ＩＣ加工に用いられる多くの材料を汚染するので、典型的には、銅が移動するの
を防ぐための障壁が構築される。これらの半導体領域に銅元素が移動することで
、関連するトランジスタの伝導特性が劇的に変わる。銅を使用することの別なる
問題は、ＩＣ表面に対し銅を堆積および除去するのに、比較的高い温度を要する
ことである。これらの高い温度は、関連するＩＣ構造およびフォトレジストマス
クを損傷し得る。
ＩＣ加工に用いられる多くの材料を汚染するので、典型的には、銅が移動するの
を防ぐための障壁が構築される。これらの半導体領域に銅元素が移動することで
、関連するトランジスタの伝導特性が劇的に変わる。銅を使用することの別なる
問題は、ＩＣ表面に対し銅を堆積および除去するのに、比較的高い温度を要する
ことである。これらの高い温度は、関連するＩＣ構造およびフォトレジストマス
クを損傷し得る。
【０００８】 また、選択されたＩＣ形状のジオメトリが小さい場合、アルミニウムの堆積の
ために従来のプロセスを用いて基板上またはバイアホール内に銅を堆積するとい
う問題がある。すなわち、ＩＣ配線層間の端続において、アルミニウムに代えて
銅を使用するための、新しい堆積プロセスが開発されてきた。小径のバイアホー
ルを充填するのに、アルミニウムまたは銅のいずれかの金属をスパッタリングす
るのは非実用的である。これは、間隙を充填する能力が乏しいためである。銅を
堆積するには、まず物理蒸着法（ＰＶＤ）が、次に化学蒸着法（ＣＶＤ）の技術
が、産業界で開発されてきた。
ために従来のプロセスを用いて基板上またはバイアホール内に銅を堆積するとい
う問題がある。すなわち、ＩＣ配線層間の端続において、アルミニウムに代えて
銅を使用するための、新しい堆積プロセスが開発されてきた。小径のバイアホー
ルを充填するのに、アルミニウムまたは銅のいずれかの金属をスパッタリングす
るのは非実用的である。これは、間隙を充填する能力が乏しいためである。銅を
堆積するには、まず物理蒸着法（ＰＶＤ）が、次に化学蒸着法（ＣＶＤ）の技術
が、産業界で開発されてきた。
【０００９】 ＰＶＤ技術ではＩＣ表面が銅の蒸気に曝され、銅が表面に凝縮する。この技術
は表面に関して選択的ではない。銅が金属表面に堆積される場合、隣接する非伝
導面は、マスクされるか、後続の工程できれいにエッチングされなければならな
い。前述のように、フォトレジストマスクおよびその他の隣接するＩＣ構造は、
銅がプロセスされる高温において潜在的に損傷を被る。ＣＶＤ技術は、いかなる
表面に銅が堆積されるかに関し、より選択的であるので、ＰＶＤの改良である。
ＣＶＤ技術は、金属表面と銅蒸気との間の化学反応に頼り、金属表面に銅を堆積
するので、選択的である。
は表面に関して選択的ではない。銅が金属表面に堆積される場合、隣接する非伝
導面は、マスクされるか、後続の工程できれいにエッチングされなければならな
い。前述のように、フォトレジストマスクおよびその他の隣接するＩＣ構造は、
銅がプロセスされる高温において潜在的に損傷を被る。ＣＶＤ技術は、いかなる
表面に銅が堆積されるかに関し、より選択的であるので、ＰＶＤの改良である。
ＣＶＤ技術は、金属表面と銅蒸気との間の化学反応に頼り、金属表面に銅を堆積
するので、選択的である。
【００１０】 典型的なＣＶＤプロセスでは、銅はリガンド、すなわち有機化合物と結合し、
一貫した温度で確実に銅化合物が揮発性になり、最終的に分解することを促進す
る。すなわち、銅は化合物中の成分であって、気体として蒸発し、気体が分解す
るとき固体として堆積する。拡散障壁材料など集積回路の選択された表面が、高
められた温度環境において、銅の気体すなわち前駆体に晒される。銅気体の化合
物が分解するとき、銅が選択された表面に残る。ＣＶＤプロセスには、いくつか
の銅気体化合物を利用できる。銅気体化合物の構成が、少なくとも部分的に、選
択された表面に銅を堆積する能力に影響することは、一般的に認められている。
一貫した温度で確実に銅化合物が揮発性になり、最終的に分解することを促進す
る。すなわち、銅は化合物中の成分であって、気体として蒸発し、気体が分解す
るとき固体として堆積する。拡散障壁材料など集積回路の選択された表面が、高
められた温度環境において、銅の気体すなわち前駆体に晒される。銅気体の化合
物が分解するとき、銅が選択された表面に残る。ＣＶＤプロセスには、いくつか
の銅気体化合物を利用できる。銅気体化合物の構成が、少なくとも部分的に、選
択された表面に銅を堆積する能力に影響することは、一般的に認められている。
【００１１】 銅金属薄膜は、多くの異なる種類の銅前駆体を用いた化学蒸着法を介して、調
製されてきた。１９９０年に、Ｄ．Ｂ．ＢｅａｃｈらのＣｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．
（２）２１６（１９９０）は、（η5−Ｃ5Ｈ5）Ｃｕ（ＰＭｅ3）を用いたＣＶＤ
を介して、純銅膜を獲得し、その後の１９９２年、Ｈ．Ｋ．ＳｈｉｎらのＣｈｅ
ｍ．Ｍａｔｅｒ．（４）７８８（１９９２）は、（ｈｆａｃ）Ｃｕ（ＰＲ3）n（
Ｒ＝メチルおよびエチル、ｎ＝１および２）を用いることによる同等の結果を発
表している。しかしながら、これらの銅前駆体は固体であり、銅薄膜ＣＶＤプロ
セスのための液体送達システムに用いることができない。さらに、銅膜はしばし
ば、炭素および燐の混入物を含んでおり、ＩＣにおける相互結合部（inter conn
ecter）として用いることはできない。
製されてきた。１９９０年に、Ｄ．Ｂ．ＢｅａｃｈらのＣｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．
（２）２１６（１９９０）は、（η5−Ｃ5Ｈ5）Ｃｕ（ＰＭｅ3）を用いたＣＶＤ
を介して、純銅膜を獲得し、その後の１９９２年、Ｈ．Ｋ．ＳｈｉｎらのＣｈｅ
ｍ．Ｍａｔｅｒ．（４）７８８（１９９２）は、（ｈｆａｃ）Ｃｕ（ＰＲ3）n（
Ｒ＝メチルおよびエチル、ｎ＝１および２）を用いることによる同等の結果を発
表している。しかしながら、これらの銅前駆体は固体であり、銅薄膜ＣＶＤプロ
セスのための液体送達システムに用いることができない。さらに、銅膜はしばし
ば、炭素および燐の混入物を含んでおり、ＩＣにおける相互結合部（inter conn
ecter）として用いることはできない。
【００１２】 Ｃｕ2+（ｈｆａｃ）2すなわち銅（ＩＩ）ヘキサフルオロアセチルアセトネー
ト前駆体は、ＩＣ基板および表面にＣＶＤ法により銅を堆積するのに従来用いら
れてきた。しかしながら、これらのＣｕ2+前駆体は、堆積された銅のなかに混入
物を残すこと、および前駆体を銅に分解させるために比較的高温を用いなければ
ならないことが知られている。
ト前駆体は、ＩＣ基板および表面にＣＶＤ法により銅を堆積するのに従来用いら
れてきた。しかしながら、これらのＣｕ2+前駆体は、堆積された銅のなかに混入
物を残すこと、および前駆体を銅に分解させるために比較的高温を用いなければ
ならないことが知られている。
【００１３】 銅前駆体の初期の研究は、一連のフッ化銅（Ｉ）β−ジケトネート錯体の評価
に集中しており、この化合物は、銅金属薄膜を化学蒸着法で堆積させるのに非常
に有望な原料であることが証明されてきた。フッ化銅（Ｉ）β−ジケトネート化
合物は、Ｇｅｒａｌｄ Ｄｏｙｌｅによる、米国特許第４，３８５，００５号（
１９８３）および４，４２５，２８１号（１９８４）において、初めて合成され
、このなかでＤｏｙｌｅは、合成方法および不飽和有機炭化水素の分離への応用
を提示している。米国特許第５，０９６，７３７号（１９９２）において、Ｔｈ
ｏｍａｓ Ｈ．Ｂａｕｍらは、これらのフッ化銅（Ｉ）β−ジケトネート化合物
を、ＣＶＤ銅薄膜調製のための銅前駆体として適用することを請求している。銅
薄膜は、これらの前駆体を用いて化学蒸着法により調製されている。
に集中しており、この化合物は、銅金属薄膜を化学蒸着法で堆積させるのに非常
に有望な原料であることが証明されてきた。フッ化銅（Ｉ）β−ジケトネート化
合物は、Ｇｅｒａｌｄ Ｄｏｙｌｅによる、米国特許第４，３８５，００５号（
１９８３）および４，４２５，２８１号（１９８４）において、初めて合成され
、このなかでＤｏｙｌｅは、合成方法および不飽和有機炭化水素の分離への応用
を提示している。米国特許第５，０９６，７３７号（１９９２）において、Ｔｈ
ｏｍａｓ Ｈ．Ｂａｕｍらは、これらのフッ化銅（Ｉ）β−ジケトネート化合物
を、ＣＶＤ銅薄膜調製のための銅前駆体として適用することを請求している。銅
薄膜は、これらの前駆体を用いて化学蒸着法により調製されている。
【００１４】 いくつかの液体銅前駆体のなかで、１，５-ジメチル１，５-シクロオクタジエ
ン銅（Ｉ）ヘキサフルオロアセチルアセトネートと混合された１，６-ジメチル
１，５-シクロオクタジエン銅（Ｉ）ヘキサフルオロアセチルアセトネート（（
ＤＭＣＯＤ）Ｃｕ（ｈｆａｃ））およびヘキシン銅（Ｉ）ヘキサフルオロアセチ
ルアセトネート（（ＨＹＮ）Ｃｕ（ｈｆａｃ））は、詳細に評価されてきた。（
ＤＭＣＯＤ）Ｃｕ（ｈｆａｃ）を用いて堆積された銅薄膜は、金属または金属窒
化物基板への接着が非常に良好であるが、高抵抗率（２．５μΩ・ｃｍ）で、低
堆積速度である。（ＨＹＮ）Ｃｕ（ｈｆａｃ）銅膜は、ＴｉＮ基板への接着が不
良で、抵抗率が高い（２．１μΩ・ｃｍまで）。別の化合物、ブチン銅（Ｉ）（
ｈｆａｃ）、すなわち（（ＢＵＹ）Ｃｕ（ｈｆａｃ））は、低抵抗率（１．９３
μΩ・ｃｍ）の銅膜を提供するが、接着が不良で比較的高価である。また、この
化合物は固体であるので、液体送達システムでは使用が難しい。一連のトリアル
キルビニルシランにより安定化された銅（Ｉ）（ｈｆａｃ）の発明（Ｊｏｈｎ
Ａ．Ｔ．Ｎｏｒｍａｎら、米国特許第５，０８５，７３１号（１９９２））は、
銅薄膜の特性を改良した。
ン銅（Ｉ）ヘキサフルオロアセチルアセトネートと混合された１，６-ジメチル
１，５-シクロオクタジエン銅（Ｉ）ヘキサフルオロアセチルアセトネート（（
ＤＭＣＯＤ）Ｃｕ（ｈｆａｃ））およびヘキシン銅（Ｉ）ヘキサフルオロアセチ
ルアセトネート（（ＨＹＮ）Ｃｕ（ｈｆａｃ））は、詳細に評価されてきた。（
ＤＭＣＯＤ）Ｃｕ（ｈｆａｃ）を用いて堆積された銅薄膜は、金属または金属窒
化物基板への接着が非常に良好であるが、高抵抗率（２．５μΩ・ｃｍ）で、低
堆積速度である。（ＨＹＮ）Ｃｕ（ｈｆａｃ）銅膜は、ＴｉＮ基板への接着が不
良で、抵抗率が高い（２．１μΩ・ｃｍまで）。別の化合物、ブチン銅（Ｉ）（
ｈｆａｃ）、すなわち（（ＢＵＹ）Ｃｕ（ｈｆａｃ））は、低抵抗率（１．９３
μΩ・ｃｍ）の銅膜を提供するが、接着が不良で比較的高価である。また、この
化合物は固体であるので、液体送達システムでは使用が難しい。一連のトリアル
キルビニルシランにより安定化された銅（Ｉ）（ｈｆａｃ）の発明（Ｊｏｈｎ
Ａ．Ｔ．Ｎｏｒｍａｎら、米国特許第５，０８５，７３１号（１９９２））は、
銅薄膜の特性を改良した。
【００１５】 ＴＭＶＳがトリメチルビニルシランである液体銅前駆体（ｈｆａｃ）Ｃｕ（Ｔ
ＭＶＳ）を用いて堆積された銅膜は、抵抗率が低く基板に適度に接着する。この
前駆体は、約２００℃という比較的低温で用いることができるので有用である。
この液体銅前駆体は、ＣＶＤを介した銅金属薄膜の調製にしばらく用いられてき
たが、なおトリメチルビニルシラン安定剤としていくつかの欠点が存在する。す
なわち、安定性、銅膜の接着性、の費用などである。またこの前駆体は、とりわ
け安定しているわけではなく、冷蔵しなければ貯蔵寿命が比較的短くなり得る。
（ｈｆａｃ）Ｃｕ（ｔｍｖｓ）の接着、温度安定性、およびＩＣ表面に堆積され
る速度を改良するために、様々な材料が添加されてきた。Ｎｇｕｙｅｎらにより
発明され、「Ｍｅｔｈｏｄ Ｏｆ Ｕｓｉｎｇ Ｗａｔｅｒ Ｔｏ Ｉｎｃｒｅ
ａｓｅ Ｔｈｅ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ Ｏｆ Ｃｏｐｐｅｒ Ｄｅｐｏｓ
ｉｔｅｄ Ｗｉｔｈ Ｃｕ（ＨＦＡＣ）ＴＭＶＳ」と題された、米国特許第５，
７４４，１９２号は、（ｈｆａｃ）Ｃｕ（ｔｍｖｓ）により堆積されたＣｕの電
気伝導率を改良する前駆体および方法を開示している。
ＭＶＳ）を用いて堆積された銅膜は、抵抗率が低く基板に適度に接着する。この
前駆体は、約２００℃という比較的低温で用いることができるので有用である。
この液体銅前駆体は、ＣＶＤを介した銅金属薄膜の調製にしばらく用いられてき
たが、なおトリメチルビニルシラン安定剤としていくつかの欠点が存在する。す
なわち、安定性、銅膜の接着性、の費用などである。またこの前駆体は、とりわ
け安定しているわけではなく、冷蔵しなければ貯蔵寿命が比較的短くなり得る。
（ｈｆａｃ）Ｃｕ（ｔｍｖｓ）の接着、温度安定性、およびＩＣ表面に堆積され
る速度を改良するために、様々な材料が添加されてきた。Ｎｇｕｙｅｎらにより
発明され、「Ｍｅｔｈｏｄ Ｏｆ Ｕｓｉｎｇ Ｗａｔｅｒ Ｔｏ Ｉｎｃｒｅ
ａｓｅ Ｔｈｅ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ Ｏｆ Ｃｏｐｐｅｒ Ｄｅｐｏｓ
ｉｔｅｄ Ｗｉｔｈ Ｃｕ（ＨＦＡＣ）ＴＭＶＳ」と題された、米国特許第５，
７４４，１９２号は、（ｈｆａｃ）Ｃｕ（ｔｍｖｓ）により堆積されたＣｕの電
気伝導率を改良する前駆体および方法を開示している。
【００１６】 （ｈｆａｃ）Ｃｕ（ｔｍｖｓ）が３５℃以上で不安定になり、分解し始めるこ
とは、当該分野では一般的に認められている。この温度で保存された（ｈｆａｃ
）Ｃｕ（ｔｍｖｓ）前駆体の使用は、望ましくないプロセスの結果をもたらす。
３５℃未満で保存された（ｈｆａｃ）Ｃｕ（ｔｍｖｓ）の効果もまた、予測不可
能である。前駆体の「新鮮な」バッチ、すなわち室温より十分低い温度で保存さ
れた前駆体が、予測可能なプロセスを保証するのに用いられる。
とは、当該分野では一般的に認められている。この温度で保存された（ｈｆａｃ
）Ｃｕ（ｔｍｖｓ）前駆体の使用は、望ましくないプロセスの結果をもたらす。
３５℃未満で保存された（ｈｆａｃ）Ｃｕ（ｔｍｖｓ）の効果もまた、予測不可
能である。前駆体の「新鮮な」バッチ、すなわち室温より十分低い温度で保存さ
れた前駆体が、予測可能なプロセスを保証するのに用いられる。
【００１７】 Ｚｈｕａｎｇらにより発明された同時係属出願第０９／２１０，０９９号、「
Ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｅｄ Ｐｈｅｎｙｌｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ
ａｎｄ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ Ｍｅｔｈｏｄ」において、置換フェニルエチレ
ンを含む銅前駆体が開示されている。上記出願を参照として本願に援用する。
Ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｅｄ Ｐｈｅｎｙｌｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ
ａｎｄ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ Ｍｅｔｈｏｄ」において、置換フェニルエチレ
ンを含む銅前駆体が開示されている。上記出願を参照として本願に援用する。
【００１８】 低抵抗率および良好な接着特性で、銅を効果的に堆積できる銅前駆体が発見さ
れれば、有益である。この前駆体が廉価にて合成できれば、さらに有益である。
れれば、有益である。この前駆体が廉価にて合成できれば、さらに有益である。
【００１９】 Ｃｕ前駆体が強力な接着でＩＣウェハ上に堆積され得、後続するＣｕ膜の高い
堆積速度での堆積を可能にすれば、有益である。
堆積速度での堆積を可能にすれば、有益である。
【００２０】 （発明の開示） 従って、集積回路（ＩＣ）ウェハ上に銅（Ｃｕ）シード層を堆積するための方
法であって、この方法は、 ａ）Ｃｕ+1（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）、および１つのフェニル
基を第１の炭素原子に結合された置換フェニルエチレンリガンドを含むＣｕ前駆
体化合物気化する工程であって、その第１の炭素原子への残りの結合が、Ｃ1〜
Ｃ6アルキル、Ｃ1〜Ｃ6ハロアルキル、フェニル、およびＣ1〜Ｃ6アルコキシル
を含む第１の群から選択され、第２の炭素原子が第２および第３の結合を含み、
第２および第３の結合がＨ、Ｃ1〜Ｃ6アルキル、フェニル、およびＣ1〜Ｃ6アル
コキシルを含む群から選択され、好適には、置換フェニルエチレンリガンドがα
−メチルスチレンである、工程と、 ｂ）ＩＣウェハのＣｕ受容表面上でＣｕ前駆体化合物を分解し、Ｃｕシード層
を形成する工程であって、それによってシード層が化学蒸着法（ＣＶＤ）を介し
て形成される工程と、 ｃ）Ｃｕシード層の上に重なるＣｕの第２の層を形成する工程であって、それ
により、Ｃｕシード層がＣｕ膜とＣｕ受容表面との接着を高める工程と、 を含む方法が提供される。
法であって、この方法は、 ａ）Ｃｕ+1（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）、および１つのフェニル
基を第１の炭素原子に結合された置換フェニルエチレンリガンドを含むＣｕ前駆
体化合物気化する工程であって、その第１の炭素原子への残りの結合が、Ｃ1〜
Ｃ6アルキル、Ｃ1〜Ｃ6ハロアルキル、フェニル、およびＣ1〜Ｃ6アルコキシル
を含む第１の群から選択され、第２の炭素原子が第２および第３の結合を含み、
第２および第３の結合がＨ、Ｃ1〜Ｃ6アルキル、フェニル、およびＣ1〜Ｃ6アル
コキシルを含む群から選択され、好適には、置換フェニルエチレンリガンドがα
−メチルスチレンである、工程と、 ｂ）ＩＣウェハのＣｕ受容表面上でＣｕ前駆体化合物を分解し、Ｃｕシード層
を形成する工程であって、それによってシード層が化学蒸着法（ＣＶＤ）を介し
て形成される工程と、 ｃ）Ｃｕシード層の上に重なるＣｕの第２の層を形成する工程であって、それ
により、Ｃｕシード層がＣｕ膜とＣｕ受容表面との接着を高める工程と、 を含む方法が提供される。
【００２１】 本発明のある局面では、Ｃｕ前駆体化合物が、Ｃｕ前駆体混合物を生成するた
めの添加剤を含む。そして、Ｃｕ前駆体混合物はＣｕ前駆体化合物の重量比で約
１５％以下の置換フェニルエチレンの添加剤をさらに含む。工程ａ）が、α−メ
チルスチレンである置換フェニルエチレンリガンドを含むとき、添加剤の置換フ
ェニルエチレンリガンドもα−メチルスチレンである。
めの添加剤を含む。そして、Ｃｕ前駆体混合物はＣｕ前駆体化合物の重量比で約
１５％以下の置換フェニルエチレンの添加剤をさらに含む。工程ａ）が、α−メ
チルスチレンである置換フェニルエチレンリガンドを含むとき、添加剤の置換フ
ェニルエチレンリガンドもα−メチルスチレンである。
【００２２】 いったんシード層が配置されれば、工程ｃ）は、ＣＶＤ、物理蒸着法（ＰＶＤ
）、および電気メッキからなる群から選択される堆積方法により第２のＣｕ層を
堆積することを含む。α−メチルスチレンＣｕ前駆体は、Ｃｕシード層の厚さに
比べて、比較的厚い第２のＣｕ層を高い堆積速度で形成するのにも用いられる。
）、および電気メッキからなる群から選択される堆積方法により第２のＣｕ層を
堆積することを含む。α−メチルスチレンＣｕ前駆体は、Ｃｕシード層の厚さに
比べて、比較的厚い第２のＣｕ層を高い堆積速度で形成するのにも用いられる。
【００２３】 （発明を実施するための最良の様態） 以下に開示される置換フェニルエチレンリガンド銅前駆体は、合成するのが廉
価である。１００ｇ当たり約１６５ドルであるトリメチルビニルシランに比して
、α−メチルスチレンは１００ｇ当たり約０．６０ドルと廉価である。この前駆
体は室温で安定しており、保存および取り扱いが容易である。この前駆体は室温
で液相を保つが、より高温では揮発性が高い。従って、９０℃の真空下で４分間
の前駆体安定性を要する、ＣＶＤ液体送達ラインおよび気化器では、分解は起こ
らない。さらに、この前駆体は、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｔａ、ＴａＮ、Ａｌ、Ｐｔ
、ＷＮおよび同様の障壁材料などの金属および金属窒化物Ｃｕ受容基板表面への
卓越した接着を有する。この前駆体を用いて堆積される銅は、低い抵抗率（＜１
．９μΩ・ｃｍ）、高い電子移動抵抗、および深刻な表面形態に対し卓越した一
致性を有する。
価である。１００ｇ当たり約１６５ドルであるトリメチルビニルシランに比して
、α−メチルスチレンは１００ｇ当たり約０．６０ドルと廉価である。この前駆
体は室温で安定しており、保存および取り扱いが容易である。この前駆体は室温
で液相を保つが、より高温では揮発性が高い。従って、９０℃の真空下で４分間
の前駆体安定性を要する、ＣＶＤ液体送達ラインおよび気化器では、分解は起こ
らない。さらに、この前駆体は、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｔａ、ＴａＮ、Ａｌ、Ｐｔ
、ＷＮおよび同様の障壁材料などの金属および金属窒化物Ｃｕ受容基板表面への
卓越した接着を有する。この前駆体を用いて堆積される銅は、低い抵抗率（＜１
．９μΩ・ｃｍ）、高い電子移動抵抗、および深刻な表面形態に対し卓越した一
致性を有する。
【００２４】 図１は、本発明の置換フェニルエチレンリガンドを有する本発明の前駆体の模
式図である。揮発性銅（Ｃｕ）前駆体化合物１０が、選択された表面への銅（Ｃ
ｕ）の化学蒸着（ＣＶＤ）のために使用される。前駆体化合物１０は、Ｃｕ+1（
ヘキサフルオロアセチルアセトネート）および置換フェニルエチレンリガンドを
含む。
式図である。揮発性銅（Ｃｕ）前駆体化合物１０が、選択された表面への銅（Ｃ
ｕ）の化学蒸着（ＣＶＤ）のために使用される。前駆体化合物１０は、Ｃｕ+1（
ヘキサフルオロアセチルアセトネート）および置換フェニルエチレンリガンドを
含む。
【００２５】 図２は、置換フェニルエチレンリガンド２０の模式図である。置換フェニルエ
チレンリガンド２０は、第１の炭素原子に結合された１つのフェニル基を含み、
第１の炭素原子への残りの結合は、Ｒ1により表される可能な分子の第１の群か
ら選択される第１の炭素原子と結合する。Ｒ1群は、Ｃ1〜Ｃ6アルキル、Ｃ1〜Ｃ 6 ハロアルキル、フェニル、およびＣ1〜Ｃ6アルコキシルから成る。第２の炭素
原子は、それぞれ、Ｒ2およびＲ3により表される分子の第２および第３の群から
選択される。第２および第３結合、すなわちＲ2およびＲ3は、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ6アル
キル、フェニル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシルから成る群から選択される。第２および
第３結合（Ｒ2およびＲ3）は、お互いに独立して変化する。これにより高いＣｕ
堆積速度が可能な安定した前駆体が形成される。
チレンリガンド２０は、第１の炭素原子に結合された１つのフェニル基を含み、
第１の炭素原子への残りの結合は、Ｒ1により表される可能な分子の第１の群か
ら選択される第１の炭素原子と結合する。Ｒ1群は、Ｃ1〜Ｃ6アルキル、Ｃ1〜Ｃ 6 ハロアルキル、フェニル、およびＣ1〜Ｃ6アルコキシルから成る。第２の炭素
原子は、それぞれ、Ｒ2およびＲ3により表される分子の第２および第３の群から
選択される。第２および第３結合、すなわちＲ2およびＲ3は、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ6アル
キル、フェニル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシルから成る群から選択される。第２および
第３結合（Ｒ2およびＲ3）は、お互いに独立して変化する。これにより高いＣｕ
堆積速度が可能な安定した前駆体が形成される。
【００２６】 図３は、α−メチルスチレンリガンド３０の好適な実施形態の模式図である。
第１の結合（Ｒ1）はＨ3Ｃであり、第２の結合（Ｒ2）はＨであり、第３の結合
（Ｒ3）はＨであり、これによりα−メチルスチレンリガンドが生成される。
第１の結合（Ｒ1）はＨ3Ｃであり、第２の結合（Ｒ2）はＨであり、第３の結合
（Ｒ3）はＨであり、これによりα−メチルスチレンリガンドが生成される。
【００２７】 本発明のある局面において、安定した液相前駆体を改良および容易にするため
に、化合物１０は前駆体混合物を形成するための添加物を含む。この前駆体混合
物は、前駆体化合物の重量比による測定で約１５％以下の置換フェニルエチレン
２０（図２参照）を含む。
に、化合物１０は前駆体混合物を形成するための添加物を含む。この前駆体混合
物は、前駆体化合物の重量比による測定で約１５％以下の置換フェニルエチレン
２０（図２参照）を含む。
【００２８】 この混合物は、以下の構造式 （Ｃ6Ｈ5）（Ｒ1）Ｃ＝Ｃ（Ｒ2）（Ｒ3） を有する置換フェニルエチレン添加物をさらに含む。
【００２９】 ここでＲ1は、Ｃ1〜Ｃ6アルキル、Ｃ1〜Ｃ6ハロアルキル、フェニル、および
Ｃ1〜Ｃ6アルコキシルから成る群から選択され、 Ｒ2は、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ6アルキル、フェニル、およびＣ1〜Ｃ6アルコキシルから
成る群から選択され、 Ｒ3は、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ6アルキル、フェニル、およびＣ1〜Ｃ6アルコキシルから
成る群から選択され、それによって、前駆体は液体でさらに安定化される。
Ｃ1〜Ｃ6アルコキシルから成る群から選択され、 Ｒ2は、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ6アルキル、フェニル、およびＣ1〜Ｃ6アルコキシルから
成る群から選択され、 Ｒ3は、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ6アルキル、フェニル、およびＣ1〜Ｃ6アルコキシルから
成る群から選択され、それによって、前駆体は液体でさらに安定化される。
【００３０】 前駆体を形成するために選択された置換フェニルエチレンリガンドは、前駆体
混合物を形成するための添加物として用いられるのと同一のフェニルエチレンリ
ガンドである。即ち、前駆体がα−メチルスチレンリガンドを用いるとき、添加
物もα−メチルスチレンである。
混合物を形成するための添加物として用いられるのと同一のフェニルエチレンリ
ガンドである。即ち、前駆体がα−メチルスチレンリガンドを用いるとき、添加
物もα−メチルスチレンである。
【００３１】 図４は、銅（Ｃｕ）シード層を堆積するための方法を示すフローチャートであ
る。工程１００は、集積回路（ＩＣ）ウェハを提供する。工程１０２は、Ｃｕ+1 （ヘキサフルオロアセチルアセトネート）と、第１炭素原子に結合された１つの
フェニル基を含む置換フェニルエチレンリガンドとを含むＣｕ前駆体化合物を気
化する。第１の炭素原子への残りの結合は、Ｃ1〜Ｃ6アルキル、Ｃ1〜Ｃ6ハロア
ルキル、フェニル、およびＣ1〜Ｃ6アルコキシルから成る群から選択される。第
２の炭素原子は第２および第３の結合を含む。第２および第３の結合は、Ｈ、Ｃ 1 〜Ｃ6アルキル、フェニル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシルからなる群から選択される。
る。工程１００は、集積回路（ＩＣ）ウェハを提供する。工程１０２は、Ｃｕ+1 （ヘキサフルオロアセチルアセトネート）と、第１炭素原子に結合された１つの
フェニル基を含む置換フェニルエチレンリガンドとを含むＣｕ前駆体化合物を気
化する。第１の炭素原子への残りの結合は、Ｃ1〜Ｃ6アルキル、Ｃ1〜Ｃ6ハロア
ルキル、フェニル、およびＣ1〜Ｃ6アルコキシルから成る群から選択される。第
２の炭素原子は第２および第３の結合を含む。第２および第３の結合は、Ｈ、Ｃ 1 〜Ｃ6アルキル、フェニル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシルからなる群から選択される。
【００３２】 本発明のある局面では、工程１０２は、互いに独立的に変化する第２および第
３の結合を含む。好適には工程１０２は、第１の結合がＨ3Ｃであり、第２の結
合がＨであり、かつ第３の結合がＨであることを含み、それによってα−メチル
スチレンリガンドが生成される。
３の結合を含む。好適には工程１０２は、第１の結合がＨ3Ｃであり、第２の結
合がＨであり、かつ第３の結合がＨであることを含み、それによってα−メチル
スチレンリガンドが生成される。
【００３３】 本発明のある局面では、さらなる工程が工程１０２に先行する。工程１００ａ
は、Ｃｕ前駆体混合物を形成するための添加物を含む液体Ｃｕ前駆体化合物を形
成することを含む。
は、Ｃｕ前駆体混合物を形成するための添加物を含む液体Ｃｕ前駆体化合物を形
成することを含む。
【００３４】 Ｃｕ前駆体混合物は、前駆体化合物の重量比による測定で約１５％以下の置換
フェニルエチレンを含み、安定した液体前駆体を容易にする。
フェニルエチレンを含み、安定した液体前駆体を容易にする。
【００３５】 工程１００ａは、以下の構造式、 （Ｃ6Ｈ5）（Ｒ1）Ｃ＝Ｃ（Ｒ2）（Ｒ3） を有する添加物を含む。
【００３６】 Ｒ1は、Ｃ1〜Ｃ6アルキル、Ｃ1〜Ｃ6ハロアルキル、フェニル、およびＣ1〜Ｃ 6 アルコキシルから成る群から選択される。Ｒ2は、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ6アルキル、フェ
ニル、およびＣ1〜Ｃ6アルコキシルから成る群から選択される。Ｒ3は、Ｈ、Ｃ1 〜Ｃ6アルキル、フェニル、およびＣ1〜Ｃ6アルコキシルから成る群から選択さ
れ、それによって、前駆体は液体でさらに安定化される。
ニル、およびＣ1〜Ｃ6アルコキシルから成る群から選択される。Ｒ3は、Ｈ、Ｃ1 〜Ｃ6アルキル、フェニル、およびＣ1〜Ｃ6アルコキシルから成る群から選択さ
れ、それによって、前駆体は液体でさらに安定化される。
【００３７】 典型的には、工程１００ａは、Ｃｕ前駆体化合物の置換フェニルエチレンリガ
ンドが、添加物の置換フェニルエチレンリガンドと同一であることを含む。従っ
て、前駆体化合物がα−メチルスチレンリガンドを含む場合、添加物もα−メチ
ルスチレンリガンドである。
ンドが、添加物の置換フェニルエチレンリガンドと同一であることを含む。従っ
て、前駆体化合物がα−メチルスチレンリガンドを含む場合、添加物もα−メチ
ルスチレンリガンドである。
【００３８】 工程１０４は、Ｃｕ前駆体化合物をＩＣウェハのＣｕ受容表面上で分解し、Ｃ
ｕシード層を形成し、それによって化学蒸着法（ＣＶＤ）を介してシード層が形
成される。工程１０６は、Ｃｕシード層に重なるＣｕの第２の層を形成する。工
程１０６は、ＣＶＤ、物理蒸着法（ＰＶＤ）、および電気メッキから成る群から
選択される堆積方法により第２のＣｕ層を堆積することを含む。すなわち、いっ
たん接着シード層が付与されると、他のより費用効果の高い方法を用いて、銅膜
の形成を完了し得る。工程１０８は、Ｃｕシード層がＣｕ膜とＣｕ受容表面との
間の接着を高める生成物である。
ｕシード層を形成し、それによって化学蒸着法（ＣＶＤ）を介してシード層が形
成される。工程１０６は、Ｃｕシード層に重なるＣｕの第２の層を形成する。工
程１０６は、ＣＶＤ、物理蒸着法（ＰＶＤ）、および電気メッキから成る群から
選択される堆積方法により第２のＣｕ層を堆積することを含む。すなわち、いっ
たん接着シード層が付与されると、他のより費用効果の高い方法を用いて、銅膜
の形成を完了し得る。工程１０８は、Ｃｕシード層がＣｕ膜とＣｕ受容表面との
間の接着を高める生成物である。
【００３９】 本発明のある局面では、工程１００は、ＩＣが搭載されるウェハチャックを有
するチャンバを提供する。また、工程１００は、シャワーヘッドまたは等価物で
ある蒸気散布システムも提供する。このプロセスを詳細に説明する、さらなる工
程が工程１０２に先行する。工程１００ｂは、６０〜８０℃の範囲で気化温度を
確立する。工程１００ｃは、約１４０〜２３０℃の範囲でチャック温度を確立す
る。工程１００ｄは、チャンバ圧力を約０．１〜２トル（Ｔ）の範囲で確立する
。一般的に、０．３〜１．２Ｔの圧力が好ましい。工程１００ｅは、シャワーヘ
ッドとＣｕ受容表面との間の距離を１５〜６０ミリメートル（ｍｍ）の範囲で確
立する。
するチャンバを提供する。また、工程１００は、シャワーヘッドまたは等価物で
ある蒸気散布システムも提供する。このプロセスを詳細に説明する、さらなる工
程が工程１０２に先行する。工程１００ｂは、６０〜８０℃の範囲で気化温度を
確立する。工程１００ｃは、約１４０〜２３０℃の範囲でチャック温度を確立す
る。工程１００ｄは、チャンバ圧力を約０．１〜２トル（Ｔ）の範囲で確立する
。一般的に、０．３〜１．２Ｔの圧力が好ましい。工程１００ｅは、シャワーヘ
ッドとＣｕ受容表面との間の距離を１５〜６０ミリメートル（ｍｍ）の範囲で確
立する。
【００４０】 工程１００ｆは、Ｃｕ前駆体化合物の蒸気を搬送するヘリウムキャリアガスの
流量を、１０から４００までの標準立法センチメートル（ｓｃｃｍ）の範囲で確
立する。一般的に、約３０から１５０ｓｃｃｍの流量が好ましい。工程１００ｇ
は、液体前駆体の流量を０．０５〜０．７ミリメートル毎分（ｍＬ／ｍｉｎ）の
範囲で確立する。一般的に、０．０７〜０．２の速度が好ましい。この前駆体流
量は、約１３％の堆積効率を想定している。
流量を、１０から４００までの標準立法センチメートル（ｓｃｃｍ）の範囲で確
立する。一般的に、約３０から１５０ｓｃｃｍの流量が好ましい。工程１００ｇ
は、液体前駆体の流量を０．０５〜０．７ミリメートル毎分（ｍＬ／ｍｉｎ）の
範囲で確立する。一般的に、０．０７〜０．２の速度が好ましい。この前駆体流
量は、約１３％の堆積効率を想定している。
【００４１】 他の工程が工程１０２に続く。工程１０２ａは、水蒸気を搬送するための湿式
ヘリウムガスの流量を約０．１〜５０ｓｃｃｍの範囲で確立する。一般的に、０
．５〜１０ｓｃｃｍの流量が好ましい。
ヘリウムガスの流量を約０．１〜５０ｓｃｃｍの範囲で確立する。一般的に、０
．５〜１０ｓｃｃｍの流量が好ましい。
【００４２】 図５は、Ｃｕ受容表面上にＣｕシード層を形成する図４の堆積技術の好適な実
施形態の１つを示すフローチャートである。工程２００は、集積回路（ＩＣ）ウ
ェハを受け入れるためのウェハチャックと、ＩＣウェハのＣｕ受容表面上に材料
を散布するシャワーヘッドとを有するチャンバを提供する。工程２０２は、Ｃｕ +1 （ヘキサフルオロアセチルアセトネート）およびα−メチルスチレンリガンド
を含む液体Ｃｕ前駆体化合物を形成する。工程２０４は、Ｃｕ前駆体化合物の重
量比で約５％のα−メチルスチレンリガンドを添加し、Ｃｕ前駆体化合物混合物
を生成する。工程２０６は、Ｃｕ前駆体化合物混合物を約７０〜８０℃の範囲の
温度、好ましくは６５℃で気化する。工程２０８は、ウェハチャックを約２００
℃の温度で加熱する。工程２１０は、約０．５Ｔのチャンバ圧力を生成する。工
程２１２は、シャワーヘッドとＣｕ受容表面との間の距離を約３０ｍｍで確立す
る。工程２１４は、気化されたＣｕ前駆体化合物混合物を流量約１００ｓｃｃｍ
のヘリウムキャリアガスで搬送する。このシャワーヘッド距離は、様々なシャワ
ーヘッドに有効である。典型的には、非対照のシャワーヘッドまたは他の材料散
布装置を使用するときは、この距離が変更される。
施形態の１つを示すフローチャートである。工程２００は、集積回路（ＩＣ）ウ
ェハを受け入れるためのウェハチャックと、ＩＣウェハのＣｕ受容表面上に材料
を散布するシャワーヘッドとを有するチャンバを提供する。工程２０２は、Ｃｕ +1 （ヘキサフルオロアセチルアセトネート）およびα−メチルスチレンリガンド
を含む液体Ｃｕ前駆体化合物を形成する。工程２０４は、Ｃｕ前駆体化合物の重
量比で約５％のα−メチルスチレンリガンドを添加し、Ｃｕ前駆体化合物混合物
を生成する。工程２０６は、Ｃｕ前駆体化合物混合物を約７０〜８０℃の範囲の
温度、好ましくは６５℃で気化する。工程２０８は、ウェハチャックを約２００
℃の温度で加熱する。工程２１０は、約０．５Ｔのチャンバ圧力を生成する。工
程２１２は、シャワーヘッドとＣｕ受容表面との間の距離を約３０ｍｍで確立す
る。工程２１４は、気化されたＣｕ前駆体化合物混合物を流量約１００ｓｃｃｍ
のヘリウムキャリアガスで搬送する。このシャワーヘッド距離は、様々なシャワ
ーヘッドに有効である。典型的には、非対照のシャワーヘッドまたは他の材料散
布装置を使用するときは、この距離が変更される。
【００４３】 工程２１６は、５％の添加物を含むＣｕ前駆体化合物混合物を気化する。工程
２１８は、約０．１５ｍＬ／ｍｉｎの範囲の液体前駆体流量でＣｕ前駆体化合物
混合物を流す。工程２２０は、約５ｓｃｃｍの湿式ヘリウムガス流量で水蒸気を
搬送する。
２１８は、約０．１５ｍＬ／ｍｉｎの範囲の液体前駆体流量でＣｕ前駆体化合物
混合物を流す。工程２２０は、約５ｓｃｃｍの湿式ヘリウムガス流量で水蒸気を
搬送する。
【００４４】 工程２００〜２２０に応答して、工程２２２は、Ｃｕ受容表面上にＣｕシード
層を形成する。工程２２２は、毎分約２６０Åの堆積速度でＣｕシード層を堆積
することを含む。工程２２２は、約２．０マイクロオームセンチメートル（μΩ
・ｃｍ）の抵抗率を有する堆積されたＣｕシード層も含む。工程２２４は、Ｃｕ
シード層に重なるＣｕ膜の第２の層を堆積する。工程２２４は、ＣＶＤ、物理蒸
着法（ＰＶＤ）、および電気メッキから成る群から選択される堆積方法により第
２のＣｕ層の堆積することを含む。工程２２６は、良好な接着特性を有する厚い
Ｃｕ膜が形成される生成物である。
層を形成する。工程２２２は、毎分約２６０Åの堆積速度でＣｕシード層を堆積
することを含む。工程２２２は、約２．０マイクロオームセンチメートル（μΩ
・ｃｍ）の抵抗率を有する堆積されたＣｕシード層も含む。工程２２４は、Ｃｕ
シード層に重なるＣｕ膜の第２の層を堆積する。工程２２４は、ＣＶＤ、物理蒸
着法（ＰＶＤ）、および電気メッキから成る群から選択される堆積方法により第
２のＣｕ層の堆積することを含む。工程２２６は、良好な接着特性を有する厚い
Ｃｕ膜が形成される生成物である。
【００４５】 図６は、Ｃｕ受容表面上にＣｕシード層を形成する図４の堆積技術の別の好適
な実施形態を示すフローチャートである。工程３００は、集積回路（ＩＣ）ウェ
ハを受容するためのウェハチャックと、ＩＣウェハのＣｕ受容表面上に材料を散
布するシャワーヘッドとを有するチャンバを提供する。工程３０２は、Ｃｕ+1（
ヘキサフルオロアセチルアセトネート）およびα−メチルスチレンリガンドを含
む液体Ｃｕ前駆体化合物を形成する。工程３０４は、Ｃｕ前駆体化合物の重量比
で約１５％のα−メチルスチレンリガンドを添加し、Ｃｕ前駆体化合物混合物を
生成する。工程３０６は、Ｃｕ前駆体化合物混合物を約６５℃の範囲の温度で気
化する。工程３０８は、ウェハチャックを約１９０℃の温度で加熱する。工程３
１０は、約０．７〜１．２Ｔのチャンバ圧力を生成する。工程３１２は、シャワ
ーヘッドとＣｕ受容表面との間の距離を約２０ｍｍで確立する。
な実施形態を示すフローチャートである。工程３００は、集積回路（ＩＣ）ウェ
ハを受容するためのウェハチャックと、ＩＣウェハのＣｕ受容表面上に材料を散
布するシャワーヘッドとを有するチャンバを提供する。工程３０２は、Ｃｕ+1（
ヘキサフルオロアセチルアセトネート）およびα−メチルスチレンリガンドを含
む液体Ｃｕ前駆体化合物を形成する。工程３０４は、Ｃｕ前駆体化合物の重量比
で約１５％のα−メチルスチレンリガンドを添加し、Ｃｕ前駆体化合物混合物を
生成する。工程３０６は、Ｃｕ前駆体化合物混合物を約６５℃の範囲の温度で気
化する。工程３０８は、ウェハチャックを約１９０℃の温度で加熱する。工程３
１０は、約０．７〜１．２Ｔのチャンバ圧力を生成する。工程３１２は、シャワ
ーヘッドとＣｕ受容表面との間の距離を約２０ｍｍで確立する。
【００４６】 工程３１４は、気化されたＣｕ前駆体化合物混合物を流量約１００ｓｃｃｍの
ヘリウムキャリアガスで搬送する。工程３１６は、１５％の添加物を含むＣｕ前
駆体化合物混合物を気化する。工程３１８は、液体前駆体流量約０．１５ｍＬ／
ｍｉｎの範囲のＣｕ前駆体化合物混合物を流す。工程３２０は、約５ｓｃｃｍの
ヘリウムガス流量で水蒸気を搬送する。
ヘリウムキャリアガスで搬送する。工程３１６は、１５％の添加物を含むＣｕ前
駆体化合物混合物を気化する。工程３１８は、液体前駆体流量約０．１５ｍＬ／
ｍｉｎの範囲のＣｕ前駆体化合物混合物を流す。工程３２０は、約５ｓｃｃｍの
ヘリウムガス流量で水蒸気を搬送する。
【００４７】 工程３００〜３２０に応答して、工程３２２は、Ｃｕ受容表面上にＣｕシード
層を形成する。工程３２２は、毎分約１５０Åの堆積速度でＣｕシード層を堆積
することを含む。工程３２２は、堆積されたＣｕシード層が約２．２マイクロオ
ームセンチメートル（μΩ・ｃｍ）の抵抗率を有することを含む。工程３２４は
、Ｃｕシード層に重なるＣｕ膜の第２の層を堆積する。工程３２４は、ＣＶＤ、
物理蒸着法（ＰＶＤ）、および電気メッキから成る群から選択される堆積方法に
より第２のＣｕ層を堆積することを含む。工程３２６は、良好な接着特性を有す
る厚いＣｕ膜が形成される生成物である。
層を形成する。工程３２２は、毎分約１５０Åの堆積速度でＣｕシード層を堆積
することを含む。工程３２２は、堆積されたＣｕシード層が約２．２マイクロオ
ームセンチメートル（μΩ・ｃｍ）の抵抗率を有することを含む。工程３２４は
、Ｃｕシード層に重なるＣｕ膜の第２の層を堆積する。工程３２４は、ＣＶＤ、
物理蒸着法（ＰＶＤ）、および電気メッキから成る群から選択される堆積方法に
より第２のＣｕ層を堆積することを含む。工程３２６は、良好な接着特性を有す
る厚いＣｕ膜が形成される生成物である。
【００４８】 図７は、図４〜６に示す方法を介してＣｕ膜を形成することのできるＣＶＤ
Ｃｕ堆積システム４００のブロック図である。液体前駆体化合物をアンプル４０
２に満たす。Ｃｕ前駆体化合物混合物が使用されるとき、添加物は前駆体化合物
に混合される。キャリアガスは、典型的にはヘリウムであり、ライン４０４を介
してアンプル４０２に入り、液体前駆体は、ライン４０６に押入される。流量制
御器４０８は、液体前駆体の流量の速度を制御する。液体前駆体は、加熱された
気化器４１０で気化される。典型的にはヘリウムであるキャリアガスは、ライン
４１２を介して気化器４１０からシステムに入る。気化された前駆体は、キャリ
アガスとともにライン４１４を介して気化器４１０を出る。
Ｃｕ堆積システム４００のブロック図である。液体前駆体化合物をアンプル４０
２に満たす。Ｃｕ前駆体化合物混合物が使用されるとき、添加物は前駆体化合物
に混合される。キャリアガスは、典型的にはヘリウムであり、ライン４０４を介
してアンプル４０２に入り、液体前駆体は、ライン４０６に押入される。流量制
御器４０８は、液体前駆体の流量の速度を制御する。液体前駆体は、加熱された
気化器４１０で気化される。典型的にはヘリウムであるキャリアガスは、ライン
４１２を介して気化器４１０からシステムに入る。気化された前駆体は、キャリ
アガスとともにライン４１４を介して気化器４１０を出る。
【００４９】 典型的にはヘリウムであるキャリアガスは、ライン４１６にも入り、ガス流量
はマスフロー制御器４１８により制御される。キャリアガスはバブラ４２０に入
り、ここでガスは液相の水を介して濾過される。この「湿式」ヘリウムガスはラ
イン４２２を介して水蒸気を搬送する。湿式ヘリウムガスは、ライン４１４で気
化された前駆体と混合される。ライン４１４のこのガス混合物は、チャンバ４２
４に入り、シャワーヘッド４２６を介して散布される。ウェハ４２８は、例えば
６”のウェハであり、加熱されたチャック４３０上に搭載され、前駆体を受容す
る。前駆体はここで分解されウェハ４２８上にＣｕ膜を形成する。分解されない
前駆体は、廃棄物とともに、ライン４３２を介してシステムから出る。システム
を真空に保つためにポンプ４３４が使用される。
はマスフロー制御器４１８により制御される。キャリアガスはバブラ４２０に入
り、ここでガスは液相の水を介して濾過される。この「湿式」ヘリウムガスはラ
イン４２２を介して水蒸気を搬送する。湿式ヘリウムガスは、ライン４１４で気
化された前駆体と混合される。ライン４１４のこのガス混合物は、チャンバ４２
４に入り、シャワーヘッド４２６を介して散布される。ウェハ４２８は、例えば
６”のウェハであり、加熱されたチャック４３０上に搭載され、前駆体を受容す
る。前駆体はここで分解されウェハ４２８上にＣｕ膜を形成する。分解されない
前駆体は、廃棄物とともに、ライン４３２を介してシステムから出る。システム
を真空に保つためにポンプ４３４が使用される。
【００５０】 以上、Ｃｕシード層堆積方法を開示した。α−メチルスチレンリガンドのＳ−
１００TM前駆体は、典型的なＩＣウェハ表面に特に接着する。ウェハ上に接着シ
ード層を形成することで、経済的または高い堆積速度を有する技術を用いた、よ
り厚い積層（ｏｖｅｒｌｙｉｎｇ）Ｃｕ層の形成が可能である。当業者は、他の
変更および実施形態を想定し得る。
１００TM前駆体は、典型的なＩＣウェハ表面に特に接着する。ウェハ上に接着シ
ード層を形成することで、経済的または高い堆積速度を有する技術を用いた、よ
り厚い積層（ｏｖｅｒｌｙｉｎｇ）Ｃｕ層の形成が可能である。当業者は、他の
変更および実施形態を想定し得る。
【図１】 図１は、置換フェニルエチレンリガンドを有する本発明の前駆体の模式図であ
る。
る。
【図２】 図２は、置換フェニルエチレンリガンドの模式図である。
【図３】 図３は、好適な実施形態のα−メチルスチレンリガンドの模式図である。
【図４】 図４は、銅（Ｃｕ）シード層を堆積するための方法を示すフローチャートであ
る。
る。
【図５】 図５は、Ｃｕ受容表面上にＣｕシード層を形成する図４の堆積技術の好適な実
施形態の１つを示すフローチャートである。
施形態の１つを示すフローチャートである。
【図６】 図６は、Ｃｕ受容表面上にＣｕシード層を形成する図４の堆積技術の別の好適
な実施形態を示すフローチャートである。
な実施形態を示すフローチャートである。
【図７】 図７は、図４〜６に示す方法を介してＣｕ膜を形成することのできるＣＶＤ
Ｃｕ堆積システムである。
Ｃｕ堆積システムである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＪＰ，ＫＲ (72)発明者 スー， シェン テン アメリカ合衆国 ワシントン 98607， カマス， エヌダブリュー トラウト コ ート 2216 Ｆターム(参考） 4K030 AA11 BA01 BB13 EA01 EA06 HA03 JA05 JA09 JA10 4M104 BB02 BB04 BB06 BB14 BB17 BB18 BB30 BB32 BB33 CC01 DD33 DD43 DD52 FF13 GG13
Claims (19)
- 【請求項１】 集積回路（ＩＣ）ウェハ上に銅（Ｃｕ）シード層を堆積する
ための方法であって、該方法が、 ａ）Ｃｕ+1（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）、および第１の炭素原子
に結合された１つのフェニル基を含む置換フェニルエチレンリガンドを含むＣｕ
前駆体化合物を気化する工程であって、該第１の炭素原子に対する残りの結合が
、Ｃ1〜Ｃ6アルキル、Ｃ1〜Ｃ6ハロアルキル、フェニル、およびＣ1〜Ｃ6アルコ
キシルから成る群から選択され、第２の炭素原子が第２および第３の結合を含み
、該第２および第３の結合がＨ、Ｃ1〜Ｃ6アルキル、フェニル、およびＣ1〜Ｃ6 アルコキシルから成る群から選択される工程と、 ｂ）該ＩＣウェハのＣｕ受容表面上で該Ｃｕ前駆体化合物を分解し、Ｃｕシー
ド層を形成する工程であって、それによって該シード層が化学蒸着法（ＣＶＤ）
を介して形成される工程と、 ｃ）該Ｃｕシード層の上に重なるＣｕの第２の層を形成する工程であって、こ
れにより、該Ｃｕシード層が該Ｃｕ膜と該Ｃｕ受容表面との接着を高める工程と
、を含む方法。 - 【請求項２】 前記工程ａ）が互いに独立して変化する前記第２および第３
の結合を含む、請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 前記工程ａ）が、Ｈ3Ｃである前記第１の結合、Ｈである前
記第２の結合、およびＨである前記第３の結合を含み、それによってα−メチル
スチレンリガンドが形成される、請求項１に記載の方法。 - 【請求項４】 前記工程ａ）に先行する工程であって、 ａ１）前記Ｃｕ前駆体混合物を生成するための添加剤を含む液体Ｃｕ前駆体化
合物を形成する工程であって、該Ｃｕ前駆体混合物が、該Ｃｕ前駆体化合物の重
量比で約１５％以下の置換フェニルエチレンをさらに含み、安定した液体前駆体
を容易にする工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。 - 【請求項５】 前記工程ａ１）が以下の構造式、 （Ｃ6Ｈ5）（Ｒ1）Ｃ＝Ｃ（Ｒ2）（Ｒ3） を有する添加剤を含み、 ここで、Ｒ1が、Ｃ1〜Ｃ6アルキル、Ｃ1〜Ｃ6ハロアルキル、フェニル、およ
びＣ1〜Ｃ6アルコキシルから成る群から選択され、 Ｒ2が、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ6アルキル、フェニル、およびＣ1〜Ｃ6アルコキシルから
成る群から選択され、 Ｒ3が、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ6アルキル、フェニル、およびＣ1〜Ｃ6アルコキシルから
成る群から選択され、それによって前記前駆体が液体においてさらに安定化され
る、請求項４に記載の方法。 - 【請求項６】 前記工程ａ１）は、前記Ｃｕ前駆体化合物の前記フェニルエ
チレンリガンドが前記添加剤の置換フェニルエチレンリガンドと同一であること
を含む、請求項５に記載の方法。 - 【請求項７】 前記工程ｃ）が、ＣＶＤ、物理蒸着法（ＰＶＤ）、および電
気メッキからなる群から選択される堆積方法により前記第２のＣｕ層を堆積する
ことを含む、請求項１に記載の方法。 - 【請求項８】 チャックを有し、ＩＣが搭載されるチャンバ、およびシャワ
ーヘッド蒸気散布システムが提供され、前記工程ａ）に先行するさらなる工程は
、 ａ２）気化温度を６０℃〜８０℃の範囲で確立する工程と、 ａ３）チャック温度を約１４０〜２３０℃の範囲で確立する工程と、 ａ４）チャンバ圧力を約０．１〜２トル（Ｔ）の範囲で確立する工程と、 ａ５）該シャワーヘッドと前記Ｃｕ受容表面との間の距離を１５〜６０ミリメ
ートル（ｍｍ）の範囲で確立する工程と、 ａ６）Ｃｕ前駆体化合物蒸気を搬送するヘリウムキャリアガスの流量を、１０
から４００標準立法センチメートル（ｓｃｃｍ）の範囲で確立する工程と、 ａ７）液体前駆体の流量を毎分０．０５〜０．７ミリメートル（ｍＬ／ｍｉｎ
）の範囲で確立する工程と、をさらに含む、請求項１に記載の方法。 - 【請求項９】 前記工程ａ）に続く工程であって、 ａ８）水蒸気を搬送するための湿式ヘリウムガスの流量を、約０．１〜５０ｓ
ｃｃｍの範囲で確立する工程、をさらに含む、請求項８に記載の方法。 - 【請求項１０】 前記工程ａ２）が約６５℃の気化温度を含み、前記工程ａ
３）が約２００℃のチャック温度を含み、前記工程ａ４）が約０．５Ｔのチャン
バ圧力を含み、前記工程ａ５）が約３０ｍｍのシャワーヘッド距離を含み、工程
前記ａ６）が１００ｓｃｃｍのヘリウムキャリアガス流量を含み、前記工程ａ７
）が約０．１５ｍＬ／ｍｉｎの液体前駆体流量を含み、前記工程ａ８）が、約５
ｓｃｃｍの湿式ヘリウムガス流量を含み、前記工程ａ）がα−メチルスチレンＣ
ｕ前駆体化合物を気化することを含む、請求項９に記載の方法。 - 【請求項１１】 前記工程ｂ）が、毎分約２６０Åの堆積速度で前記Ｃｕシ
ード層を堆積することを含み、該工程ｂ）は、該堆積されたＣｕシード層が約２
．０マイクロオームセンチメートル（μΩ・ｃｍ）の抵抗率を有することを含む
、請求項１０に記載の方法。 - 【請求項１２】 前記工程ａ）に先行する工程であって、 ａ１）Ｃｕ前駆体混合物を生成するための添加剤を含む液体Ｃｕ前駆体化合物
を形成する工程であって、該Ｃｕ前駆体混合物が、該Ｃｕ前駆体化合物の重量比
で約５％のα−メチルスチレンをさらに含み、安定した液体前駆体を容易にする
、工程をさらに含む、請求項１１に記載の方法。 - 【請求項１３】 前記工程ａ２）が約６５℃の気化温度を含み、前記工程ａ
３）が約１９０℃のチャック温度を含み、前記ａ４）が約０．７〜１．２Ｔのチ
ャンバ圧力を含み、前記工程ａ５）が約２０ｍｍのシャワーヘッド距離を含み、
前記工程ａ６）が１００ｓｃｃｍのヘリウムキャリアガス流量を含み、前記工程
ａ７）が約０．１５ｍＬ／ｍｉｎの液体前駆体流量を含み、前記工程ａ８）が、
約５ｓｃｃｍの湿式ヘリウムガス流量を含み、前記工程ａ）がα−メチルスチレ
ンを気化することを含む、請求項９に記載の方法。 - 【請求項１４】 前記工程ｂ）が、毎分約１５０Åの堆積速度で前記Ｃｕシ
ード層を堆積することを含み、前記工程ｂ）は、該堆積されたＣｕシード層が約
２．２マイクロオームセンチメートル（μΩ・ｃｍ）の抵抗率を有することを含
む、請求項１３に記載の方法。 - 【請求項１５】 前記工程ａ）に先行する工程であって、 ａ１）Ｃｕ前駆体混合物を生成するための添加剤を含む液体Ｃｕ前駆体化合物
を形成する工程であって、該Ｃｕ前駆体混合物が、該Ｃｕ前駆体化合物の重量比
で約１５％のα−メチルスチレンをさらに含み、安定した液体前駆体を容易にす
る工程、をさらに含む、請求項１３に記載の方法。 - 【請求項１６】 集積回路（ＩＣ）ウェハを受容するためのウェハチャック
、および該ＩＣウェハのＣｕ受容表面上に材料を散布するためのシャワーヘッド
、を有するチャンバにおいて、該Ｃｕ受容表面上に銅（Ｃｕ）シード層を形成す
る方法は、 ａ）Ｃｕ+1（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）およびα−メチルスチレ
ンリガンドを含む液体Ｃｕ前駆体化合物を形成する工程と、 ｂ）該Ｃｕ前駆体化合物の重量比で約５％のα−メチルスチレンリガンドを添
加し、Ｃｕ前駆体化合物混合物を生成する工程と、 ｃ）Ｃｕ前駆体化合物気化温度を約６５℃の範囲で確立する工程と、 ｄ）該ウェハチャックを約２００℃の温度に加熱する工程と、 ｅ）約０．５Ｔのチャンバ圧力を生成する工程と、 ｆ）該シャワーヘッドと該Ｃｕ受容表面との間の距離を約３０ｍｍに確立する
工程と、 ｇ）該気化Ｃｕ前駆体化合物混合物を流量約１００ｓｃｃｍのヘリウムキャリ
アガスで搬送する工程と、 ｈ）該Ｃｕ前駆体化合物混合物を気化する工程と、 ｉ）該Ｃｕ前駆体化合物混合物を約０．１５ｍＬ／ｍｉｎの範囲の液体前駆体
流量で流す工程と、 ｊ）約５ｓｃｃｍのヘリウムガス流量で水蒸気を搬送する工程と、 ｋ）工程ａ）〜ｊ）に応答して、該Ｃｕ受容表面上にＣｕシード層を形成する
工程と、 ｌ）該Ｃｕシード層に重ねて第２のＣｕ膜を堆積し、これにより良好な接着特
性を有する厚いＣｕ膜が形成される工程と、を含む方法。 - 【請求項１７】 前記工程ｌ）が、前記第２のＣｕ層を、ＣＶＤ、物理蒸着
法（ＰＶＤ）、および電気メッキから成る群から選択される堆積方法で堆積する
ことを含む、請求項１６に記載の方法。 - 【請求項１８】 集積回路（ＩＣ）ウェハを受容するためのウェハチャック
、および該ＩＣウェハのＣｕ受容表面上に材料を散布するためのシャワーヘッド
、を有するチャンバにおいて、該Ｃｕ受容表面上に銅（Ｃｕ）シード層を形成す
る方法は、 ａ）Ｃｕ+1（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）およびα−メチルスチレ
ンリガンドを含む液体Ｃｕ前駆体化合物を形成する工程と、 ｂ）該Ｃｕ前駆体化合物の重量比で約１５％のα−メチルスチレンリガンドを
添加し、Ｃｕ前駆体化合物混合物を生成する工程と、 ｃ）Ｃｕ前駆体の気化温度を約６５℃の範囲で確立する工程と、 ｄ）該ウェハチャックを約１９０℃の温度に加熱する工程と、 ｅ）約０．７〜１．２Ｔのチャンバ圧力を生成する工程と、 ｆ）該シャワーヘッドと該Ｃｕ受容表面との間の距離を約２０ｍｍに確立する
工程と、 ｇ）該気化Ｃｕ前駆体化合物混合物を流量約１００ｓｃｃｍのヘリウムキャリ
アガスで搬送する工程と、 ｈ）該Ｃｕ前駆体化合物混合物を気化する工程と、 ｉ）該Ｃｕ前駆体化合物混合物を約０．１５ｍＬ／ｍｉｎの範囲の液体前駆体
流量で流す工程と、 ｊ）約５ｓｃｃｍのヘリウムガス流量で水蒸気を搬送する工程と、 ｋ）工程ａ）〜ｊ）に応答して、該Ｃｕ受容表面上にＣｕシード層を形成する
工程と、 ｌ）該Ｃｕシード層に重ねて第２のＣｕ膜を堆積し、これにより良好な接着特
性を有する厚いＣｕ膜が形成される工程と、を含む方法。 - 【請求項１９】 前記工程ｌ）が、前記第２のＣｕ層を、ＣＶＤ、物理蒸着
法（ＰＶＤ）、および電気メッキから成る群から選択される堆積方法で堆積する
ことを含む、請求項１８に記載の方法。
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