TW518371B - Substituted phenylethylene precursor deposition method - Google Patents
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- TW518371B TW518371B TW088119655A TW88119655A TW518371B TW 518371 B TW518371 B TW 518371B TW 088119655 A TW088119655 A TW 088119655A TW 88119655 A TW88119655 A TW 88119655A TW 518371 B TW518371 B TW 518371B
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- 239000002243 precursor Substances 0.000 title claims abstract description 46
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical group C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 20
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title claims description 35
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 122
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 59
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 59
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 30
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims abstract description 23
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims abstract description 12
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 10
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N alpha-Methylstyrene Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC=C1 XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims abstract description 5
- 125000001188 haloalkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 5
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims abstract description 5
- 239000012691 Cu precursor Substances 0.000 claims description 56
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 52
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 25
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 17
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 17
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 16
- 150000003440 styrenes Chemical class 0.000 claims description 16
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 15
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 13
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 13
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- -1 Fluoroacetamidine acetone salt Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 7
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 6
- 239000012705 liquid precursor Substances 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N acetone Substances CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- SDLNCHUIIBRWOA-UHFFFAOYSA-N CC(=O)C.FN(C(C(F)(F)F)=NF)F Chemical compound CC(=O)C.FN(C(C(F)(F)F)=NF)F SDLNCHUIIBRWOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 3
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JLBJTVDPSNHSKJ-UHFFFAOYSA-N 4-Methylstyrene Chemical compound CC1=CC=C(C=C)C=C1 JLBJTVDPSNHSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 claims description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 claims description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims 7
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 2
- PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N (1s,3r,4e,6e,8e,10e,12e,14e,16e,18s,19r,20r,21s,25r,27r,30r,31r,33s,35r,37s,38r)-3-[(2r,3s,4s,5s,6r)-4-amino-3,5-dihydroxy-6-methyloxan-2-yl]oxy-19,25,27,30,31,33,35,37-octahydroxy-18,20,21-trimethyl-23-oxo-22,39-dioxabicyclo[33.3.1]nonatriaconta-4,6,8,10 Chemical compound C1C=C2C[C@@H](OS(O)(=O)=O)CC[C@]2(C)[C@@H]2[C@@H]1[C@@H]1CC[C@H]([C@H](C)CCCC(C)C)[C@@]1(C)CC2.O[C@H]1[C@@H](N)[C@H](O)[C@@H](C)O[C@H]1O[C@H]1/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/[C@H](C)[C@@H](O)[C@@H](C)[C@H](C)OC(=O)C[C@H](O)C[C@H](O)CC[C@@H](O)[C@H](O)C[C@H](O)C[C@](O)(C[C@H](O)[C@H]2C(O)=O)O[C@H]2C1 PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N 0.000 claims 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 5
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 4
- VMQMZMRVKUZKQL-UHFFFAOYSA-N Cu+ Chemical compound [Cu+] VMQMZMRVKUZKQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940125773 compound 10 Drugs 0.000 description 3
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 description 3
- ZLVXBBHTMQJRSX-VMGNSXQWSA-N jdtic Chemical compound C1([C@]2(C)CCN(C[C@@H]2C)C[C@H](C(C)C)NC(=O)[C@@H]2NCC3=CC(O)=CC=C3C2)=CC=CC(O)=C1 ZLVXBBHTMQJRSX-VMGNSXQWSA-N 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XGEBEDCXJYXQGT-UHFFFAOYSA-N [SiH4].CC=C(C)C Chemical compound [SiH4].CC=C(C)C XGEBEDCXJYXQGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- RRKODOZNUZCUBN-CCAGOZQPSA-N (1z,3z)-cycloocta-1,3-diene Chemical compound C1CC\C=C/C=C\C1 RRKODOZNUZCUBN-CCAGOZQPSA-N 0.000 description 1
- VYXHVRARDIDEHS-UHFFFAOYSA-N 1,5-cyclooctadiene Chemical compound C1CC=CCCC=C1 VYXHVRARDIDEHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004912 1,5-cyclooctadiene Substances 0.000 description 1
- CGHIBGNXEGJPQZ-UHFFFAOYSA-N 1-hexyne Chemical compound CCCCC#C CGHIBGNXEGJPQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Natural products CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- REDSFVUTBBJUNM-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)C(=C)C1=CC=CC=C1 Chemical compound C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)C(=C)C1=CC=CC=C1 REDSFVUTBBJUNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005749 Copper compound Substances 0.000 description 1
- 241000287828 Gallus gallus Species 0.000 description 1
- VAPARHRIOZDDCC-UHFFFAOYSA-N N,N,N',2,2,2-hexafluoroethanimidamide 2-oxopropanoic acid Chemical compound C(C(=O)C)(=O)O.FN(C(C(F)(F)F)=NF)F VAPARHRIOZDDCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZXXJOTWZGTOSJ-UHFFFAOYSA-N [Cu].CCC#C Chemical compound [Cu].CCC#C SZXXJOTWZGTOSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008062 acetophenones Chemical class 0.000 description 1
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 150000001880 copper compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2C3=C[CH]C=CC3=CC2=C1 RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 1
- QAMFBRUWYYMMGJ-UHFFFAOYSA-N hexafluoroacetylacetone Chemical compound FC(F)(F)C(=O)CC(=O)C(F)(F)F QAMFBRUWYYMMGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- YGSFNCRAZOCNDJ-UHFFFAOYSA-N propan-2-one Chemical compound CC(C)=O.CC(C)=O YGSFNCRAZOCNDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
- H01L21/76871—Layers specifically deposited to enhance or enable the nucleation of further layers, i.e. seed layers
- H01L21/76876—Layers specifically deposited to enhance or enable the nucleation of further layers, i.e. seed layers for deposition from the gas phase, e.g. CVD
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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Description
518371 A7 員 工 消 費 五、發明說明（ 技術範圍 本發明係主張⑽年叩⑽申請之，標題爲"改良之 鋼前驅體和合成法，，暫定中請序號第6_雇號之内容， 其具有與本申請案相同之發明者。 本發明通常係關於積體電路加工和裝配，尤其關於具有 取代苯乙烯配位體’如甲基苯乙埽之前驅體和合成法， 其改艮液相安足性，且其能夠以高沉積速率，低電阻沉積 銅，且在選擇之積體電路表面上具有良好黏性。 背景技藝 對於逐漸較小型，較不昴貴且更強力之電子產品的需求 依次添補對於較大型基材上較小型幾何積體電路（ic)之需 要。亦產生對於將電路更密集包裝於Ic基材上之需求。對 於較小型幾何電路之需求需要組件和介電層間之互連儘 可能小1此’持續研究降低經由互連和連接線路之寬 度。互連之傳導隨著互連表面積之降低而降低，所產生互 連電阻之提高頃變成IC設計之妨礙。具有高電阻之導體產 生具⑩抗和大傳播延遲之傳導路徑。於操作高速t 些問題導致不可信賴信號計時，不可信賴之電壓水平，和 组件間之冗長信號延遲。傳播中斷亦源自不良連接之相交 傳導表面，或來自具有高度不同抗阻特徵之導體接合。 ,存在對於互連和路徑之需求，以兼具低電阻，/能夠承 受揮發性成份之加工環境。鋁和鎢金屬常被用於生產製造 互連或電力活性面積間路徑之積體電路。這些金屬是益烏 的，因爲其易於在生產環境中使用，肖f要特殊操^ = (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -------訂------ ΦΦ 社 印 製 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐 518371 A7 B7 2 五、發明說明（ 不同。 在努力降低電流電路中線路和路徑中，銅（Cu)似乎是取 代銘之自然選擇。銅的傳導力約爲铭的二倍，且超過鷄的 三倍。結果，相同電流能夠經由幾乎爲一半鋁線路寬度之 銅線路輸送。 & 銅之電遷料徵线優料。㈣於由於電遷移之劣化 2破裂靈敏度約爲銅的十倍。結果，銅線路，即使橫截面 遠小於鋁線路，較能夠維持電集成。 然而，於1C加工中頃存在與使用銅相關之問題。銅污染 許多IC加工中使用之材料，因此，典型上確立阻擔物以避 免銅遷移。銅S素遷移進人這些半導體區能夠戲劇性地改 訂 變相關電晶體之傳導特徵。另—個使用銅之問題爲將並沉 積於1C表面上或自其移除需要較高溫。這些高溫能夠損害 相關之IC結構和光阻光罩。 是 穎 直 了
田所選擇1C幾何特徵不大時’使用沉積銘之傳統方法將 銅沉積於基材上，或在路徑洞中亦是一個問題。也就 説二頃發展在Ic水平間介電之線路和互連中使用銅之新 沉積加工’而不使用館。賤射金屬，铭或銅，以填充小 徑路徑是不切實際的’因爲溝槽填充力不良。首先，爲J 沉積銅，該工業頃發展一種物理蒸氣沉積（PVD)，其後爲 化學蒸氣沉積（c V D )技術。 以PVD技術’將ic表面暴露於銅蒸氣，引起銅凝結於表 面上。該技術對於表面無選擇性。當銅沉積於金屬表面上 時，鄰接之非傳導性表面必需經掩蔽或於其後之加工步驟 -5- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公i" >18371 A7 B7 五 發明說明（ 3 中餘刻清潔。如先前所述般，光阻光罩和一些其它鄰接J C 結構在銅加工之高溫受到潛在性損害。C VD技術係一種超 越PVD之改良，因爲關於銅沉積之表面更具選擇性。由於 其係基於金屬表面和銅蒸氣間之化學反應，導致銅沉積於 金屬表面上而設計，所以c v D技術具選擇性。 在典型之C VD加工中，銅係與配位體或有機化合物結 合’以有助於確保銅化合物在常溫變成具揮發性且最終分 解。即銅在蒸發爲氣體之化合物中變成一元素，其後當氣 體分解時如固體般沉積。積體電路之選擇表面，如擴散阻 擒物材料係在高溫環境中暴露於銅氣體或前驅體。當銅氣 體化合物分解時，銅遺留於選擇表面上。數種銅氣體化合 物可用於CVD加工。通常接受該銅氣體化合物之組態，至 少部份，影響銅沉基於選擇性表面上之能力。 頃經由化學蒸氣沉積，使用許多不同種類之銅前驅體製 備銅金屬薄膜。在1990年，由D.B.比卻（Beach) et al. Chem. Mater. (2) 216 (1990)使用（7； 5-C5H5)Cu(Pme8)經由 CVD 得 到之純銅薄膜，及其後在1992年，由H K西恩（shin) et al·，Chem· Mater. (4) 788 (1992)以使用（hfac)Cu(PR3)n(R = 曱基和乙基，n=l和2)公告同一結果。然而，這些銅前驅 體爲固體，其不能夠被用於銅薄膜CVD加工之液體輸送系 統。此外’銅薄膜經常包含大量碳和磷污染，其不能夠被 用以作爲IC内互連。
Cu2 + (hfac)2，或六氟乙醯丙酮銅（π)，前驅體先前頃經用 與將CVD銅塗佈於ic基材和表面。然而，這些Cu2_前驅 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱) (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) Φ0 tm— I ·ϋ ϋ 1_1 ϋ i 一 口、I n ϋ ·ϋ n n 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 518371 A7 -------B7,___ 五、發明說明（4 ) 體對於在沉積銅中留下污染物，以及將前驅體分解爲鋼必 須使用之較高溫是顯著的。 著力於系列氟化二酮銅（I)錯合物之銅前驅體先前 研究，其頃經證明爲用於銅金屬薄膜化學蒸氣沉積非常可 旎之來源。氟化卢-二_.銅)錯合物首先經由傑瑞多伊 (Gerald Doyle)，美國專利第 4 385,〇〇5 號 〇983 )和第 4,425,281號（ 1984)合成，於其中提出合成法和其於分離不 飽和烴之應用。在美國專利第5,〇96,737號（1992)中，湯姆 斯（Thomas)H.，鮑姆（Baum)，et al·，公告這些氟化 -二_ 銅（I)錯合物作爲CVD銅薄膜製備銅前驅體之應用。鋼薄 膜頃使用這些前驅體經由化學蒸氣沉積而製備。 在數種液體銅前驅體中，詳細評比與丨，5 _環辛二烯丨，6 _ 二甲基六氟乙醯丙酮銅（1)(( DMCOD)Cu(hfac ))和己炔六氟 乙醯丙酮鋼（I)((HYN)Cu(hfa〇混合之1，5-環辛二烯1，5_ 一甲基六氟乙醯丙酮銅（I)。使用（DMC〇D)Cu(hfac)沉積之 銅薄膜於金屬或金屬氮化物基材具有非常良好之黏性，但 高電阻（2.5y Ω ·公分）和低沉積速率。（HYN)Cu(hfac)鋼 薄膜對於TiN基材具有不良黏性，和高電阻（〜2·ι" Ω ·公 分）。另一化合物，丁炔銅（I) (hfac )，（（ BU Y)Cu(hfac))， 得到一種具有低電阻（1 · 93 " Ω ·公分），但具有不良黏性 且較昴貴之銅薄膜。同時，該化合物爲固體，因此，難以 用於液體輸送系統中。以系列三燒基乙烯基矽垸（約翰 (John) Α·Τ·諾門（Norman) et al·，美國專利第 5,085,73 1 號 ( 1992))安定化之銅（I)(hfac)之發明改良銅薄膜之性質。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 叮 _ I I I I I I I ♦
經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 518371 A7 B7 五、發明說明（5 ) 使用液體銅前驅體沉積之銅薄膜，（hfac)Cu(TMVS )，其 中TMVS =三甲基乙烯矽烷，具有低電阻和於基材之合理黏 性。此前驅體是有用的，因爲其能夠在約200 °C之較低溫 使用。此液體銅前驅體頃常用以經由CVD製備銅金屬薄 膜，但依然存在一些缺點：安定性，銅薄膜之黏性，和三 甲基乙烯矽烷安定劑之成本。同時，該前驅體並非特蚵安 定，倘若未冷藏則具有較短保存期限。頃於（hfac)Cu(tmvs) 添加各種成份以改良其黏性，溫度安定性，和能夠沉積於 1C表面上之速率。美國專利第5,744，192號，標題爲’’使用 水提高以Cu(HFAC)TMVS ”沉積之銅導電性的方法’’，由納 燕（Nguyen) et al.，發明，揭示一種改良以（hfac)Cu(tmvs )沉 積之C u導電性的前驅體和方法。 工業上通常了解（hfac)Cu(tmvs)在高於35°C變成不安 定，且開始分解。使用貯存於此溫度之（hfac)Cu(tmvs)前驅 體導致不希望之加工結果。貯存於低於3 5 °C之 (hfac)Cu(tmvs )的效力亦不可預測。”新鮮’’之前驅體，或貯 存於相當低於室溫之前驅體，係用以保證可預測之加工。 包括取代苯乙烯之C u前驅體，其合成方法，係於標題爲 ”取代苯乙晞前驅體和合成法’’之共懸序號第09/210,099號 中揭示，由莊恩（Zhuang) et al.發明。將上述申請案併入本 文供參考。 倘若經發現銅前驅體有效沉積具低電阻和良好黏合性質 之銅將是有益的。倘若此前驅體之合成並不昂貴則更有 益。 - -8- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 丨訂---------·. 518371 A7 B7 8 五、發明說明（ 似阻擋物材料具有優良黏性。以前驅體沉積之銅具有低電 (1·9"ω·公分），咼電遷移抗性，和於嚴苛表面形變 之優良整合性。 ------------------------- ------------------------ 圖1概要地表示本發明具有取代苯乙烯配位體之前驅體。 於選擇表面使用揮發性銅（Cu)前驅體化合物10化學蒸氣沉 積（CVD)銅（Cu)。前驅體化合物1〇包括Cu+1(六氟乙醯丙 酮酸鹽）和取代苯乙烯配位體。 圖2概要地表示取代苯乙烯配位體2〇。取代苯乙烯配位 體Μ包括一個鍵結於第一碳原子之苯基，其餘鍵結於選自 以R1表示之第一族群潛在分子之第一碳原子。該r1族群包 括Cl至C6烷基，Ci至C6自烷基，苯基，和ClsC6烷氧 基。第二碳原子包括第二和第三鍵結，分別選自以反2和化3 表示之第二和第三族群分子。第二和第三鍵結，R2和R3係 擇自由H Ci至C6燒基，苯基，和（^至。6貌氧基所構成之 群組。第二和第三鍵結（R2和R3)彼此獨立改變。如此，形 成能夠高Cu沉積速率之安定性前驅體。 圖3概要地表示較佳具體實施例α ·甲基苯乙烯配位體 30。第一鍵結（Ri)爲h3C，第二鍵結（R2)爲η，第三鍵結 (R3)爲Η，因而形成甲基苯乙晞配位體。 爲了改良並促進安定液相前驅體，在本發明之一些觀點 中’化合物1 0包括一種添加劑以產生前驅體掺和物。該前 驅體捧和物更包括： 約1 5 />’或更低之取代苯乙晞2 〇 (見圖2 )，以前驅體化 合物之重量比測量。 -11- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 請 先， ί 背 面 之 注 意 事 項 再 填 寫 本 頁 訂 518371 A7 B7 五、發明說明（ 9 該摻和物更包括具有以下結構式之取代之苯乙晞添加 劑： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (C6H5)(R1)C = C(R2)(R3) 其中R1係擇自由（：1至(：6烷基，CiSCs鹵烷基，苯基和 C i至C 6燒氧基所構成之群組； 其中R2係擇自由Η，（^至（：6烷基，苯基和Ci至C6烷氧 基所構成之群組；且 其中R3係擇自由Η，Ci至（：6烷基，苯基和Ci至C6烷氧 基所構成之群組，因而前驅體進一步於液相中安定化。 選擇以形成前驅體之取代苯乙烯配位體與用以作爲添加 劑以形成前驅體摻和物之取代苯乙烯配位體相同。也就是 説，當前驅體使用α -曱基苯乙烯配位體，該添加劑亦是q -甲基苯乙烯。 圖4係説明銅（Cu)晶種層之沉積法流程圖。步驟1〇〇提供 積體電路（1C)晶圓。步驟1〇2揮發包括Cu+1(六氟乙醯丙 酮鹽）之Cu前驅體化合物和取代苯乙烯配位體，其包括一 個鍵結於第一個碳原子之苯基。其餘鍵結於擇自由（^至匕 燒基’（^至（：6鹵烷基，苯基，和（^至匕烷氧基所構成之 第一群組之第一碳原子。第二碳原子包括第第二和第三鍵 結。第二和第三鍵結係擇自由Η，c !至c 6烷基，苯基和c i 至C 6烷氧基所構成之群組。 在本發明之一些觀點中，步驟1〇2包括彼此獨·立改變之第 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ----- 11111 参· -12- 518371 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -—_____Β7___ 10 五、發明說明（） 二和第三鍵結。較佳步驟1〇2包括第一鍵結爲H3C，第二鍵 結爲Η，第三鍵結爲η，因而形成以-甲基苯乙晞配位體。 在本發明之一些氣點中，一 一步步驟ϋ康102優 先。步驟100a包括形成含添加劑以產生Cu前驅體掺和物之 液體Cu前驅體化合物。該Cu前驅體摻和物更包括·· 約1 5 %，或更低之取代苯乙晞，以c u前驅體化合物之重 量比測量，以促進安定性液相前驅體。 步驟100a包括具有以下結構式之添加劑： (C6H5)(R1)C = C(R2)(R3) 其中R1係擇自由<：1至(：6烷基，（：1至(：6鹵烷基，苯基和 C i至C 6烷氧基所構成之群組。R2係擇自由η，C i至C 6烷 基，苯基和C i至C 6烷氧基所構成之群組。R3係擇自由η， CiSC6烷基，苯基和（^至。烷氧基所構成之群組，因而 前驅體進一步於液相中安定化。 典型上，步驟100a包括之Cu前驅體化合物化合物之取代 苯乙烯配位體與作爲添加劑之取代苯乙烯配位體相同。所 以倘若前驅體化合物包括^ -甲基苯乙晞配位體，該添加劑 爲α -甲基苯乙烯配位體。 步驟104將1C晶圓Cu-接收表面上之Cu前驅體化合物分 解以形成C u晶種層，因而該晶種層係經由化學蒸氣沉積 (CVD)而形成。步驟1〇6形成覆蓋於Cu晶種層之第二Cu 層。步驟106包括以擇自由CVD，物理蒸氣沉積（PVD)， -13- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -—Aw.----- ---訂—--------^ 參· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 518371 A7
(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ----- 訂---------Aw· Aw 518371 A7 B7 ^ 12 五、發明說明（）
Cu+1(六氟乙醯丙酮鹽）和沒-甲基苯乙晞配位體之液體Cll 前驅體化合物。步驟204添加約5 %泛-甲基苯乙烯配位體， 以C u前驅體化合生一種c u前驅體 化合物摻和物。步驟206在約7 0至8 0 °C間之溫度蒸發該C u 前驅體化合物，以6 5 °C較佳。步驟21 〇產生約〇. 5 T之室 壓。步驟212確立簇射頭和Cu_接收表面間之距離爲約3 q毫 米。步驟214以約1〇〇 sccm之氦載體氣體流速帶動蒸發之 C u前驅體化合物摻和物。此蘐射頭距離對於各種簇射頭是 有效的。此距離典型上將被調整，當使用非典型簇射頭或 其它型式之材料分配設備時。 步驟216將Cu前驅體化合物摻和物揮發，其包括該5%添 加劑。步驟2 18以約0· 15毫升/分鐘間之液體前驅體流速使 Cu前驅體化合物掺和物流動。步驟220以約5 seem之氦氣 體流速帶動水蒸氣。 回應步驟200至220，步驟222在Cu-接收表面上形成Cu 晶種層。步驟222包括以每分鐘約260人之沉積速率沉積該 Cu晶種層。步驟222亦包括電阻約2.0微歐姆公分（"Ω · 公分）之沉積Cu晶種層。步驟224沉積覆蓋Cu晶種層之第 二層C u薄膜。步驟224包括以擇自由CVD，物理蒸氣沉積 (P VD ) ’和電鍍所構成之族群之沉積法沉積第二Cu層。步 驟226係一種產物，其中形成具有良好黏性品質之厚cu薄 膜。 圖6係説明一個圖4之沉積技術之另一較佳具體實施例， 在C u -接收表面上形成C u晶種層之流程圖。步驟3 00提供 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ------ 丨丨訂---------♦· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
一室，其具有晶圓叉柱以接受積體電路（IC)晶圓，和簇射 頭以在1C晶圓Cu-接收表面上分配材料。步驟302形成包括 c u + 氣乙醯丙酮鹽）和α -甲—墓'^飞喪體c u 前驅體化合物。步驟304添加約1 5 % α -甲基苯乙烯配位 體’以C u前驅體化合物之重量比測量，以產生一種c u前 驅體化合物摻和物。步驟306在約6 5 °C範圍内之溫度蒸發 該Cu前驅體化合物。步驟3〇8將晶圓叉柱之加熱至約190 T： 之溫度。步驟3 10產生約〇·7至1.2T之室壓。步驟312確立簇 射頭和C u -接收表面間之距離爲約2 〇毫米。 步驟3 14以約100 seem之氦載體氣體流速帶動蒸發之cu 前驅體化合物摻和物。步驟316將Cu前驅體化合物摻和物 蒸發，其包括該1 5 %添加劑。步驟3 18以約0· 15毫升/分鐘 間之液體前驅體流速使C u前驅體化合物摻和物流動。步驟 320以約5 seem之氦氣體流速帶動水蒸氣。 回應步驟300至320，步驟322在Cu-接收表面上形成cu 晶種層。步驟322包括以每分鐘約150又之沉積速率沉積該 Cu晶種層。步驟322亦包括電阻約2.2微歐姆公分（Μ Ω · 公分）之沉積Cu晶種層。步驟324沉積覆蓋Cu晶種層之第 二層C u薄膜。步驟324包括以擇自由C V D，物理蒸氣沉積 (PVD)，和電艘所構成之族群之沉積法沉積之第二Cu層。 步驟326係一種產物，其中形成具有良好黏性品質之厚c u 薄膜。 圖7係足以經由圖4 - 6中所述之方法形成C u薄膜之 CVDCu沉積系統概要總括圖。以液體前驅體化合物填充安 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 拳· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
Claims (1)
- 518371第088119655號專利申請案 中文申請專利範圍修正本（91年1〇月）範圍 告本 1. 一種在積體電路（1C)晶圓上沉積銅（Cu)晶種層之方法， 包括步驟為： a) 揮發包括Cu+1 (六氟乙醯丙酮鹽）和取代苯乙烯配位 體之Cu前驅體化合物， 其中該取代苯乙烯配位體具有以下結構式： (C6H5)(Rl)C-C(R2)(R3) 其中R1係擇自由（：1至<：6烷基，Cl至C6鹵烷基，苯基 和C i至C 6烷氧基所構成之群組； R2係擇自由Η，CiSC6烷基，苯基和（^至。烷氧基 所構成之群組；且 R3係擇自由Η，（^至（：6烷基，苯基和^至匕烷氧基 所構成之群組。 b) 將1C晶圓Cu -接收表面上之Cu前驅體化合物分解以 形成Cu晶種層，因而晶種層經化學蒸氣沉積（Cvd)而 形成；和 c) 形成第二層Cu覆蓋Cu晶種層，因而Cu晶種層加強 c u薄膜和C u -接收表面間之黏性。 2. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中步驟a)包括彼此 獨立改變之第二和第三鍵結。 3. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中包步驟〇包括第 一鍵結為HgC，第二鍵結為Η ,第三鍵結為H，因而形 成α -甲基苯乙烯配位體。 ’ 4·根據申請專利範圍第丨項之方法，其包杠 、匕括較步驟a)優先 之進一步步騾為： 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 518371 A B c D 六、申請專利範圍 al)形成一種液體Cu前驅體化合物，其包括添加劑以 產生Cu前驅體摻和物，其中該Cu前驅體摻和物更包括 1 5 %，或更低之取代苯乙烯，以c u前驅體化合物之重量 比測量，以促進安定性液相前驅體。 5·根據申請專利範圍第4項之方法，其中步騾a丨）包括具有 以下結構式之添加劑： (C6H5)(R1)C = C(R2)(R3) 其中R1係擇自由（^至(：6烷基，0^至(：6^烷基，苯基 和（^至(：6烷氧基所構成之群組； 其中R2係擇自由Η，q至（：6烷基，苯基和q至（：6烷 氧基所構成之群組；且 其中R係擇自由Η，Ci至C6燒基，苯基和(31至€6燒 氧基所構成之群組，因而進一步於液相中安定化 6·根據申請專利範圍第5項之方法，其中步驟al)包括Cu 前驅體化合物之取代苯乙烯配位體，為作為添加劑之同 一取代苯乙烯配位體。 7.根據申請專利範圍第1項之方法，其中步驟c)包括以擇 自由CVD，物理蒸氣沉積（PVD)和電鍍所構成之群組 之沉積法沉積第二C u層。 8·根據申請專利範圍第1項之方法，其中提供一具有叉柱 之室’於其上接合I C，以及鍰射頭分配系統，且更包拾 以下較步驟a)優先之步驟： a2)確立60至80°C間之蒸發溫度； a3)確立140至230。(：間之蒸發溫度； -2- '本紙張尺度適财S S家標準(CNS) A4規格(21GX 297公釐) 一 ----- 518371 A8 B8 C8 -----D8 六、申請專利範圍 a4)確立0·1至2拖耳（T)之室壓； all確立誤射頭和Cu-接收表面間之距離在丨5至6 〇毫 米（m m )之間；和 a6)確立氦載體氣體流速，以帶*cu前驅體化合物蒸 氣’在10至400標準立方公分（sccm)之間；和 a7)確亙液體前驅體流速在每分鐘至毫升（毫升 /分鐘）之間。 9·根據申請專利範圍第8項之方法，其更包括一步騾，在 步騾a)之後，為： a8)確立潮濕氦氣流速，以帶動水蒸氣，在〇」至5〇 seem之間。 10.根據申請專利範圍第9項之方法，其中步騾a2)包括6 5 C之蒸發溫度，其中步騾a3)包括又柱溫度為：⑻它，其 中步騾a4)包括室壓為〇·5Τ ,其中步騾a5)包括簇射頭距 離為30毫米，其中步騾a6)包括氦载體氣體流速為1〇〇 seem ’其中步騾a7)包括液體cu前驅體化合物流速為 0.15毫升/分鐘，其中步驟a8)包括潮濕氦氣體流速為 5 seem，且其中步騾a)包括揮發α_甲已苯乙烯前驅體化 合物。 11·根據申請專利範圍第1 〇項之方法，其中步騾b)包括以每 分鐘260人之沉積速率沉積Cu晶種層，且其中步驟b)包 括電阻2.0微歐姆公分（# Q ·公分）之沉積Cu晶種層。 12·根據申請專利範圍第丨丨項之方法，其包括進一步步驟， 較步騾a)優先，為： 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 518371 A BCD 申請專利範圍 a 1)形成一種包括添加劑以產生c ^前驅體摻和物之液 體Cu前驅體化合物，其中該(：11前驅體摻和物更包栝5〇/〇 α -甲基苯乙烯，以Cu前驅體化合物之重量比測量，以 促進安定性液相前驅體。 13·根據申請專利範圍第9項之方法，其中步騾以）包括蒸發 溫度為65°C ,其中步騾a3)包括叉柱溫度為19〇。(：，其中 步騾a4)包括室壓為〇.7至12T，其中步驟以）包括簇射 頭距離為20毫米，其中步騾a6)包括氦載體氣體流速為 100 seem，其中步驟a7)包括液體Cu前驅體化合物流速 為0.15毫升/分鐘，其中步騾a8)包括潮濕氮氣體流速為 3 seem，且其中步騾a)包括揮發0 _甲已苯乙烯前驅體化 合物。 14. 根據申請專利範圍第丨3項之方法，其中步驟㈧包括以每 分鐘150A之沉積速率沉積（：11晶種層’且其中步驟b)包 括電阻2.2微歐姆公分（//0,公分）之沉積〇11晶種層。 15. 根據申請專利範圍第13項之方法，其包括進一步步驟， 較步騾a)優先，為： al)形成一種包括添加劑以產生Cu前驅體摻和物之液 體Cu前驅體化合物，其中該（：11前驅體摻和物更包括 1 5% α -甲基苯乙埽，以Cu前驅體化合物之重量比測 量，以促進安定性液相前驅體。 16. —種在積體電路晶圓上沉積銅（Cu)晶種層之方法，其係 於一具有可接受積體電路（IC)晶圓之晶^叉柱，及具有 一在1C晶圓Cu-接收表面上分配材料簇射頭之室中沉積 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 518371 ABCD 六、申請專利範圍 讀銅晶種之方法，包括步驟為： a) 形成一種包括Cu+1(六氟乙醯丙酮鹽）和α -甲基苯 乙立體之Cu前驅體化合物； b) 添加5 % α -甲基苯乙烯配位體，以c u前驅體化合物 之重量比測量，以產生C u前驅體化合物掺和物； c) 確立Cu前驅體蒸發溫度在65。(：； d) 將晶圓叉柱加熱至200°C之溫度； e) 產生室壓為0.5T ; f) 確立簇射頭和C u ·接收表面間之距離為3 〇毫米； g) 以氦載體氣體流速100 seem帶動蒸發之Cu前驅體化 合物掺和物； h) 揮發該C u前驅體化合物摻和物； i) 以0· 15毫升/分鐘間之液體前驅體流速使該c u前驅 體化合物掺和物流動； j) 以5 seem之氦氣體流速帶動水蒸氣； k) 對應步騾a)至j)，在Cu-接收表面上形成Cu晶種 層；和 l) 沉積覆蓋Cu晶種層之第二層Cu薄膜，因而形成具 有良好黏性品質之厚Cu薄膜。 17·根據申請專利範圍第1 6項之方法，其中步騾1)包括以擇 自由CVD，物理蒸氣沉積（PVD)和電鍍所構成之群組 之沉積法沉積第二C u層。 18· —種在積體電路晶圓上沉積銅（(：11)晶種層之方法，其係 於一具有可接受積體電路（1C)晶圓之晶圓叉柱，及具有 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐）A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 — 一在1C晶圓Cu-接收表面上分配材料簇射頭之室中沉積 該銅晶種之方法，包括步驟為： a) 形成一種包括Cu+1(六氟乙醯丙酮鹽）和α -甲基苯 乙烯配位體之C u前驅體化合物； b) 添加1 5 % α ·甲基苯乙烯配位體，以c u前驅體化合 物之重量比測量，以產生Cu前驅體化合物掺和物； c) 確立Cu前驅體蒸發溫度在65。(：； d) 將晶圓叉柱加熱至190 °C之溫度； e) 產生室壓為0.7至1.2T ; f) 確立簇射頭和C u -接收表面間之距離為2 〇毫米； g) 以氦載體氣體流速100 sccm帶動蒸發之Cll前驅體化 合物掺和物； h) 揮發該Cu前驅體化合物摻和物； i) 以0· 15毫升/分鐘間之液體前驅體流速流動該Cu前 驅體化合物摻和物； j) 以5 seem之氦氣體流速帶動水蒸氣； k) 對應步驟a)至j) ’在Cu-接收表面上形成cu晶種 層；和 l) 沉積覆蓋Cu晶種層之第二層Cu薄膜，因而形成具 有良好黏性品質之厚Cu薄膜。 '、 19·根據申請專利範圍第18項之方法，其中步驟丨）包括以擇 自由CVD ’物理蒸氣沉積（PVD)和電鍍所構成之群组 之沉積法沉積第二Cu層。 -6 - 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US10789298P | 1998-11-10 | 1998-11-10 | |
| US09/351,645 US6204176B1 (en) | 1998-11-10 | 1999-07-12 | Substituted phenylethylene precursor deposition method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW518371B true TW518371B (en) | 2003-01-21 |
Family
ID=26805299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW088119655A TW518371B (en) | 1998-11-10 | 1999-11-10 | Substituted phenylethylene precursor deposition method |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6204176B1 (zh) |
| EP (1) | EP1047807B1 (zh) |
| JP (1) | JP3729739B2 (zh) |
| KR (1) | KR100347834B1 (zh) |
| DE (1) | DE69915592T2 (zh) |
| TW (1) | TW518371B (zh) |
| WO (1) | WO2000028107A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5939334A (en) * | 1997-05-22 | 1999-08-17 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | System and method of selectively cleaning copper substrate surfaces, in-situ, to remove copper oxides |
| US6596344B2 (en) * | 2001-03-27 | 2003-07-22 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Method of depositing a high-adhesive copper thin film on a metal nitride substrate |
| JP2010209410A (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-24 | Tokyo Electron Ltd | Ｃｕ膜の成膜方法および記憶媒体 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4385005A (en) | 1981-07-13 | 1983-05-24 | Exxon Research And Engineering Co. | Process for separating unsaturated hydrocarbons using copper or silver complexes with fluorinated diketonates |
| US4425281A (en) | 1981-07-13 | 1984-01-10 | Exxon Research And Engineering Co. | Copper or silver complexes with fluorinated diketones and unsaturated ligands |
| US4434317A (en) | 1983-05-06 | 1984-02-28 | Exxon Research And Engineering Company | Separation and recovery of unsaturated hydrocarbons by copper (I) complexes |
| US5028724A (en) | 1990-03-30 | 1991-07-02 | Air Products And Chemicals, Inc. | Synthesis of volatile fluorinated and non-fluorinated metal-beta-ketonate and metal-beta-ketoiminato complexes |
| US5273775A (en) * | 1990-09-12 | 1993-12-28 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process for selectively depositing copper aluminum alloy onto a substrate |
| US5096737A (en) | 1990-10-24 | 1992-03-17 | International Business Machines Corporation | Ligand stabilized +1 metal beta-diketonate coordination complexes and their use in chemical vapor deposition of metal thin films |
| US5098516A (en) * | 1990-12-31 | 1992-03-24 | Air Products And Chemicals, Inc. | Processes for the chemical vapor deposition of copper and etching of copper |
| US5144049A (en) * | 1991-02-04 | 1992-09-01 | Air Products And Chemicals, Inc. | Volatile liquid precursors for the chemical vapor deposition of copper |
| US5085731A (en) * | 1991-02-04 | 1992-02-04 | Air Products And Chemicals, Inc. | Volatile liquid precursors for the chemical vapor deposition of copper |
| US5187300A (en) * | 1991-02-04 | 1993-02-16 | Air Products And Chemicals, Inc. | Volatile precursors for copper CVD |
| CA2082771C (en) * | 1992-11-12 | 1998-02-10 | Vu Quoc Ho | Method for forming interconnect structures for integrated circuits |
| US5913147A (en) * | 1997-01-21 | 1999-06-15 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for fabricating copper-aluminum metallization |
| US6001730A (en) * | 1997-10-20 | 1999-12-14 | Motorola, Inc. | Chemical mechanical polishing (CMP) slurry for polishing copper interconnects which use tantalum-based barrier layers |
-
1999
- 1999-07-12 US US09/351,645 patent/US6204176B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-11-10 EP EP99971871A patent/EP1047807B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-11-10 TW TW088119655A patent/TW518371B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-11-10 DE DE69915592T patent/DE69915592T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-11-10 KR KR1020007007614A patent/KR100347834B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-11-10 WO PCT/JP1999/006246 patent/WO2000028107A1/en active IP Right Grant
- 1999-11-10 JP JP2000581271A patent/JP3729739B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2000028107A1 (en) | 2000-05-18 |
| DE69915592D1 (de) | 2004-04-22 |
| DE69915592T2 (de) | 2005-02-03 |
| EP1047807A1 (en) | 2000-11-02 |
| KR20010034018A (ko) | 2001-04-25 |
| KR100347834B1 (ko) | 2002-08-07 |
| JP2002529602A (ja) | 2002-09-10 |
| EP1047807B1 (en) | 2004-03-17 |
| JP3729739B2 (ja) | 2005-12-21 |
| US6204176B1 (en) | 2001-03-20 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |