JP2002526902A - エレクトロルミネッセント表示スクリーンを製造する方法及び装置 - Google Patents
エレクトロルミネッセント表示スクリーンを製造する方法及び装置Info
- Publication number
- JP2002526902A JP2002526902A JP2000573132A JP2000573132A JP2002526902A JP 2002526902 A JP2002526902 A JP 2002526902A JP 2000573132 A JP2000573132 A JP 2000573132A JP 2000573132 A JP2000573132 A JP 2000573132A JP 2002526902 A JP2002526902 A JP 2002526902A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- foil
- substrate
- layer
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 76
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 57
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 57
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 13
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 13
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 10
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 abstract description 5
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 abstract description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 61
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical group N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/18—Deposition of organic active material using non-liquid printing techniques, e.g. thermal transfer printing from a donor sheet
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/50—Forming devices by joining two substrates together, e.g. lamination techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
第１パターンの電極（２）が平らな表面（１）上に設けられ、次いで該電極上に有機エレクトロルミネッセント材料（７）が付着されるようなエレクトロルミネッセント表示器を製造する方法及び装置である。別の支持体（１４）上にマスク材料の細条（１１）を持つマスク（１０）が形成され、これら細条は第２パターンの電極（８）に対応する空間（１２）により互いに分離されている。次いで、上記マスクは、上記支持体を基板に押圧することにより、乾燥態様で上記エレクトロルミネッセント材料の層に転写される。マスク（１０）の転写の後、第２電極材料（１３）が付着され、前記第２パターンの電極が上記マスクの空間内に形成される。上記エレクトロルミネッセント材料の層（７）は、真空蒸着、スピンコーティング又はスクリーン印刷により付着することができる。
Description
【０００１】
本発明は、エレクトロルミネッセント表示スクリーンを製造する方法に係り、
電極材料層の第１層が平らな基板上に付着され、該層には第１パターンの電極が
形成され、その後、上記第１パターンにはマスク材料の細条を備えるマスクを用
いて有機エレクトロルミネッセント材料及び第２パターンの電極が設けられ、こ
れら細条は上記第２パターンに対応する空間により互いに分離され、これら空間
には第２電極材料の付着により上記第２パターンの電極が形成されるような方法
に関する。また、本発明は斯かる方法を実施する装置にも関する。
電極材料層の第１層が平らな基板上に付着され、該層には第１パターンの電極が
形成され、その後、上記第１パターンにはマスク材料の細条を備えるマスクを用
いて有機エレクトロルミネッセント材料及び第２パターンの電極が設けられ、こ
れら細条は上記第２パターンに対応する空間により互いに分離され、これら空間
には第２電極材料の付着により上記第２パターンの電極が形成されるような方法
に関する。また、本発明は斯かる方法を実施する装置にも関する。
【０００２】
電極パターンが互いに交差する位置には、斯かる電極交点に適切な電圧が印加
された場合に光を発するようなピクセルが形成される。前記表示スクリーンは非
常に多数のピクセルを含むことができる。これらピクセルは、例えば、表示され
るべき数字、文字及びキャラクタのセグメントであり得る。斯かるピクセルはマ
トリクスも形成し得る。セグメント化されたスクリーンは、例えばデジタル時計
用のスクリーンのような特別な用途のために設計される。マトリクススクリーン
は、もっと広い用途を有し、例えばＴＶ画像を表示するために使用することがで
きる。しかしながら、マトリクススクリーンを駆動するのは、セグメント化され
たスクリーンを駆動するよりも一層複雑である。
された場合に光を発するようなピクセルが形成される。前記表示スクリーンは非
常に多数のピクセルを含むことができる。これらピクセルは、例えば、表示され
るべき数字、文字及びキャラクタのセグメントであり得る。斯かるピクセルはマ
トリクスも形成し得る。セグメント化されたスクリーンは、例えばデジタル時計
用のスクリーンのような特別な用途のために設計される。マトリクススクリーン
は、もっと広い用途を有し、例えばＴＶ画像を表示するために使用することがで
きる。しかしながら、マトリクススクリーンを駆動するのは、セグメント化され
たスクリーンを駆動するよりも一層複雑である。
【０００３】 通常、前記基板及び第１電極パターンは透明であるので、光は当該表示スクリ
ーンの基板側で放出することができる。該基板上には、ＴＶ画像を表示するため
のスクリーンのような単一の表示スクリーンのみならず、デジタル時計に使用さ
れるようなもっと小さなセグメント化された表示スクリーンのような多数の表示
スクリーンも形成することができる。
ーンの基板側で放出することができる。該基板上には、ＴＶ画像を表示するため
のスクリーンのような単一の表示スクリーンのみならず、デジタル時計に使用さ
れるようなもっと小さなセグメント化された表示スクリーンのような多数の表示
スクリーンも形成することができる。
【０００４】 有機エレクトロルミネッセント材料は、水に対して透過的である。斯かるエレ
クトロルミネッセント材料の付着後には、後続の処理は乾燥態様で実施されねば
ならない。さもなければ、水が上記第２電極材料と該エレクトロルミネッセント
材料との間の境界にまで侵入し得る。結果として、該エレクトロルミネッセント
材料への電荷キャリアの注入が阻害され、当該表示スクリーンの満足のゆく動作
が妨害される。結果として、通常のフォトリソグラフ的な処理は適用することが
できない。
クトロルミネッセント材料の付着後には、後続の処理は乾燥態様で実施されねば
ならない。さもなければ、水が上記第２電極材料と該エレクトロルミネッセント
材料との間の境界にまで侵入し得る。結果として、該エレクトロルミネッセント
材料への電荷キャリアの注入が阻害され、当該表示スクリーンの満足のゆく動作
が妨害される。結果として、通常のフォトリソグラフ的な処理は適用することが
できない。
【０００５】 ヨーロッパ特許出願公開第EP-A-732868号公報は、冒頭で述べた型式の方法を
開示し、該方法においては、前記第１電極パターンが形成された後、該パターン
上に前記マスクがフォトリソグラフィによる通常の方法で形成される。当該アセ
ンブリは乾燥され、その後、有機エレクトロルミネッセント材料の層及び前記電
極材料の第２層がマスク材料の細条上及びこれら細条の間の空間に順次真空蒸着
される。上記マスク材料の細条は、第２パターンの分離された電極が形成される
ように高くなっている。これらマスク材料の細条は、前記表示スクリーンの一部
を形成すると共に、上記電極間の電気的絶縁として作用する。
開示し、該方法においては、前記第１電極パターンが形成された後、該パターン
上に前記マスクがフォトリソグラフィによる通常の方法で形成される。当該アセ
ンブリは乾燥され、その後、有機エレクトロルミネッセント材料の層及び前記電
極材料の第２層がマスク材料の細条上及びこれら細条の間の空間に順次真空蒸着
される。上記マスク材料の細条は、第２パターンの分離された電極が形成される
ように高くなっている。これらマスク材料の細条は、前記表示スクリーンの一部
を形成すると共に、上記電極間の電気的絶縁として作用する。
【０００６】 上記マスク材料の細条の間の空間を有機エレクトロルミネッセント材料により
充填するために、該材料は真空蒸着により設けられる。真空蒸着は上記空間を充
填するのに好適に使用することができる処理であり、スピンコーティング及びス
クリーン印刷のような一層単純且つ安価な技術は使用することはできない。上記
既知の方法においては、上記エレクトロルミネッセント材料の層が真空蒸着以外
の処理により付着されたとしたら、該層が全ての空間において一様な厚さを有す
ることを保証することができない。結果として、動作時には、ピクセルが全て同
一の量の光を発することはないであろう。斯かる限られた付着の可能性のため、
上記既知の方法で好適に使用することが可能な有機エレクトロルミネッセント材
料の数は限られたものとなる。
充填するために、該材料は真空蒸着により設けられる。真空蒸着は上記空間を充
填するのに好適に使用することができる処理であり、スピンコーティング及びス
クリーン印刷のような一層単純且つ安価な技術は使用することはできない。上記
既知の方法においては、上記エレクトロルミネッセント材料の層が真空蒸着以外
の処理により付着されたとしたら、該層が全ての空間において一様な厚さを有す
ることを保証することができない。結果として、動作時には、ピクセルが全て同
一の量の光を発することはないであろう。斯かる限られた付着の可能性のため、
上記既知の方法で好適に使用することが可能な有機エレクトロルミネッセント材
料の数は限られたものとなる。
【０００７】
本発明の一つの目的は、有機エレクトロルミネッセント材料の層の付着方法に
関して一層柔軟性があり、従ってエレクトロルミネッセント表示スクリーンを製
造するために、もっと大きな群の有機エレクトロルミネッセント材料を好適に使
用することができるような方法を提供することにある。
関して一層柔軟性があり、従ってエレクトロルミネッセント表示スクリーンを製
造するために、もっと大きな群の有機エレクトロルミネッセント材料を好適に使
用することができるような方法を提供することにある。
【０００８】 これを達成するため、冒頭で述べたような方法は、前記第１パターンの電極の
電極上及び電極間に有機エレクトロルミネッセント材料の層が付着され、前記マ
スクは別の支持体上に形成されると共に、次いで乾燥工程で前記エレクトロルミ
ネッセント材料の層に転写され、その後、電極材料の第２層が前記マスクの空間
内に付着されることを特徴とする。
電極上及び電極間に有機エレクトロルミネッセント材料の層が付着され、前記マ
スクは別の支持体上に形成されると共に、次いで乾燥工程で前記エレクトロルミ
ネッセント材料の層に転写され、その後、電極材料の第２層が前記マスクの空間
内に付着されることを特徴とする。
【０００９】 上記エレクトロルミネッセント材料の層は、第１パターンの電極の電極上及び
電極間に付着され、その後、この層の上に上記マスクが設けられる。この場合、
充分に一様な厚さを持つ層が、真空蒸着と同様にスピンコーティング及び（スク
リーン）印刷によって得ることができる。両付着技術を使用することができるの
で、本発明による方法においては一層多くの材料を好適に使用することができる
。上記別の支持体上に形成されるマスクは、通常のように、フォトリソグラフィ
により製造することができる。
電極間に付着され、その後、この層の上に上記マスクが設けられる。この場合、
充分に一様な厚さを持つ層が、真空蒸着と同様にスピンコーティング及び（スク
リーン）印刷によって得ることができる。両付着技術を使用することができるの
で、本発明による方法においては一層多くの材料を好適に使用することができる
。上記別の支持体上に形成されるマスクは、通常のように、フォトリソグラフィ
により製造することができる。
【００１０】 上記マスクは、例えば、ガラス支持体上に設けることができ、該支持体は、次
いで、そのマスク側で前記基板上に押圧される。この工程においては、空気の含
有を避けるのが困難である。好ましくは、上記マスク用の支持体として可撓性箔
が使用され、マスクが転写される際に、該箔が上記マスク側で前記エレクトロル
ミネッセント材料の層に対して該箔と前記基板との間の負圧により押圧されるよ
うにする。この場合、上記マスクは上記エレクトロルミネッセント材料の層に対
して空気の含有無しで転写することができる。
いで、そのマスク側で前記基板上に押圧される。この工程においては、空気の含
有を避けるのが困難である。好ましくは、上記マスク用の支持体として可撓性箔
が使用され、マスクが転写される際に、該箔が上記マスク側で前記エレクトロル
ミネッセント材料の層に対して該箔と前記基板との間の負圧により押圧されるよ
うにする。この場合、上記マスクは上記エレクトロルミネッセント材料の層に対
して空気の含有無しで転写することができる。
【００１１】 上記マスクの上記エレクトロルミネッセント材料の層に対する適切な転写は、
該マスクが、前記可撓性箔上に設けられたフォトレジストの層を該マスクのパタ
ーンに従って露光し、次いで該フォトレジストを現像することにより形成される
場合に得られる。圧力を発生させた後、特に上記マスクの上記エレクトロルミネ
ッセント材料の層への転写の間に前記基板が加熱されると、上記フォトレジスト
は上記可撓性箔に対してよりも上記エレクトロルミネッセント材料の層に対して
良く接着することが分かった。その後、上記基板は冷却され、上記箔は引き剥が
される。
該マスクが、前記可撓性箔上に設けられたフォトレジストの層を該マスクのパタ
ーンに従って露光し、次いで該フォトレジストを現像することにより形成される
場合に得られる。圧力を発生させた後、特に上記マスクの上記エレクトロルミネ
ッセント材料の層への転写の間に前記基板が加熱されると、上記フォトレジスト
は上記可撓性箔に対してよりも上記エレクトロルミネッセント材料の層に対して
良く接着することが分かった。その後、上記基板は冷却され、上記箔は引き剥が
される。
【００１２】 前記既知の方法におけるのと同様に、上記マスクは当該表示スクリーン上に残
存してもよい。しかしながら、好ましくは、前記第２電極材料の付着の後、上記
マスクの細条及びこれら細条上に付着された第２電極材料は取り除かれるものと
する。このように、上記マスク細条上に存在する電極材料が、隣接する電極間の
短絡の原因となることが防止される。加えて、上記マスクは、上記基板上の上記
第２電極材料が付着されるべきでない位置を被覆するのに使用することができる
。この場合、第１パターン及び第２パターンの電極用の接続接触部も、同一基板
上に形成される異なる表示スクリーンの間の空間と同様に被覆することができる
。
存してもよい。しかしながら、好ましくは、前記第２電極材料の付着の後、上記
マスクの細条及びこれら細条上に付着された第２電極材料は取り除かれるものと
する。このように、上記マスク細条上に存在する電極材料が、隣接する電極間の
短絡の原因となることが防止される。加えて、上記マスクは、上記基板上の上記
第２電極材料が付着されるべきでない位置を被覆するのに使用することができる
。この場合、第１パターン及び第２パターンの電極用の接続接触部も、同一基板
上に形成される異なる表示スクリーンの間の空間と同様に被覆することができる
。
【００１３】 上記マスクの細条及びこれら細条上に付着された電極材料は、上記細条上に粘
着性可撓性箔を押圧し、次いで該箔を引き剥がすことにより容易に除去すること
ができる。好ましくは、上記可撓性粘着性箔は、該箔と前記基板との間の負圧に
より、上記マスクの細条上に押圧される。結果として、上記箔は空気の含有無し
で上記基板上に押圧される。空気の含有は、全てのマスク細条が上記基板から除
去されない原因となり得る。
着性可撓性箔を押圧し、次いで該箔を引き剥がすことにより容易に除去すること
ができる。好ましくは、上記可撓性粘着性箔は、該箔と前記基板との間の負圧に
より、上記マスクの細条上に押圧される。結果として、上記箔は空気の含有無し
で上記基板上に押圧される。空気の含有は、全てのマスク細条が上記基板から除
去されない原因となり得る。
【００１４】 本発明は、平らな基板の面上に可撓性箔を押圧するための装置にも関するもの
である。該装置には、前記基板を固定することが可能な平らな底部を備えた室を
有するような基板保持器が設けられ、前記室は該室の前記底部と平行に延びる面
を有するような縁部により囲まれ、前記面上では扁平な環が移動可能であると共
に該面上には前記箔を固定することができ、前記基板保持器は更に前記箔と前記
基板との間に負圧が形成されるのを可能にするチャンネルを有している。
である。該装置には、前記基板を固定することが可能な平らな底部を備えた室を
有するような基板保持器が設けられ、前記室は該室の前記底部と平行に延びる面
を有するような縁部により囲まれ、前記面上では扁平な環が移動可能であると共
に該面上には前記箔を固定することができ、前記基板保持器は更に前記箔と前記
基板との間に負圧が形成されるのを可能にするチャンネルを有している。
【００１５】 該装置は、上記マスクを転写し、及び前記電極材料の第２層を付着した後に上
記マスク細条を取り除くために使用することができる。上記マスクを備えた箔が
固定される上記環は、上記基板と相対的に移動させることができる。結果として
、上記マスクは第１パターンの電極に対して正確に位置合わせすることができる
。
記マスク細条を取り除くために使用することができる。上記マスクを備えた箔が
固定される上記環は、上記基板と相対的に移動させることができる。結果として
、上記マスクは第１パターンの電極に対して正確に位置合わせすることができる
。
【００１６】 上記基板の前述した加熱及び冷却を容易にするために、上記基板保持器には加
熱素子及び冷却系が設けられる。
熱素子及び冷却系が設けられる。
【００１７】 本発明のこれら及び他の特徴は、以下に述べる実施例から明らかとなり、かつ
、これら実施例を参照して説明されるであろう。
、これら実施例を参照して説明されるであろう。
【００１８】
図１、２Ａ及び２Ｂはエレクトロルミネッセント表示スクリーンを寸法通りで
はなく概念的に示し、該スクリーンは本例では約１mm厚のガラス板である平らな
基板１を有し、該基板上には第１パターンの電極２が形成されている。本例では
、この第１パターンの導体２は通常のフォトリソグラフィック処理によりインジ
ウム錫酸化物（ＩＴＯ）の約１２０nm厚の層に形成されるが、該層は基板１上に
通常の方法により付着される。電極２には、上記基板の縁部において接触部３が
設けられる。接触部５を備える導体４も、ＩＴＯ層で形成される。接触部３及び
５は、本例では、クロムの約１００nm厚の下側層と、アルミニウムの約９００nm
厚の上側層とからなっている。接触部３及び５は、絶縁材料６により互いに絶縁
されている。
はなく概念的に示し、該スクリーンは本例では約１mm厚のガラス板である平らな
基板１を有し、該基板上には第１パターンの電極２が形成されている。本例では
、この第１パターンの導体２は通常のフォトリソグラフィック処理によりインジ
ウム錫酸化物（ＩＴＯ）の約１２０nm厚の層に形成されるが、該層は基板１上に
通常の方法により付着される。電極２には、上記基板の縁部において接触部３が
設けられる。接触部５を備える導体４も、ＩＴＯ層で形成される。接触部３及び
５は、本例では、クロムの約１００nm厚の下側層と、アルミニウムの約９００nm
厚の上側層とからなっている。接触部３及び５は、絶縁材料６により互いに絶縁
されている。
【００１９】 エレクトロルミネッセント材料７が、上記第１パターンの電極２上に設けられ
、該材料上には第２パターンの導体８が形成されている。これら電極８は接触部
５に接続されている。当該アセンブリは、本例では窒化ケイ素である絶縁材料９
の層により被覆されている。
、該材料上には第２パターンの導体８が形成されている。これら電極８は接触部
５に接続されている。当該アセンブリは、本例では窒化ケイ素である絶縁材料９
の層により被覆されている。
【００２０】 電圧を上記電極に印加することができるように、接続線を通常のボンディング
技術により接触部３及び５に固着することができる。電極２及び８が互いに交差
する位置に、斯かる電極の交差点に適切な電圧が印加されると光を発するような
ピクセルが形成される。本例では、基板１と第１パターンの電極２とは透明であ
り、上記光は当該表示スクリーンの上記基板側で放出する。図においては、多数
の行及び列の電極２及び８を有するマトリクススクリーンが図示されている。こ
れらピクセルは他の例では、表示されるべき数字、文字及び他のキャラクタのセ
グメントであってもよい。
技術により接触部３及び５に固着することができる。電極２及び８が互いに交差
する位置に、斯かる電極の交差点に適切な電圧が印加されると光を発するような
ピクセルが形成される。本例では、基板１と第１パターンの電極２とは透明であ
り、上記光は当該表示スクリーンの上記基板側で放出する。図においては、多数
の行及び列の電極２及び８を有するマトリクススクリーンが図示されている。こ
れらピクセルは他の例では、表示されるべき数字、文字及び他のキャラクタのセ
グメントであってもよい。
【００２１】 本例では、上記基板上に単一の表示スクリーンが形成されているが、他の例と
して、上記基板上に多数のセグメント化された又はマトリクスの表示スクリーン
を形成することも可能である。製造の後、該基板は個々の表示スクリーンに分割
される。セグメント化された表示スクリーンの製造においては、絶縁材料の層が
、しばしば、前記第１パターンの電極と前記エレクトロルミネッセント材料の層
との間に付加的に設けられる。この場合、上記セグメントに対応するパターンが
、上記絶縁材料の層にエッチング形成される。
して、上記基板上に多数のセグメント化された又はマトリクスの表示スクリーン
を形成することも可能である。製造の後、該基板は個々の表示スクリーンに分割
される。セグメント化された表示スクリーンの製造においては、絶縁材料の層が
、しばしば、前記第１パターンの電極と前記エレクトロルミネッセント材料の層
との間に付加的に設けられる。この場合、上記セグメントに対応するパターンが
、上記絶縁材料の層にエッチング形成される。
【００２２】 図１ないし図１０は、本発明に基づく方法による表示スクリーンの製造におけ
る段階を図示している（印Ａの付いた図は、図１のＡＡ線に沿う断面図であり、
印Ｂの付いた図はＢＢ線に沿う断面図である）。図１は基板１を示し、該基板上
には接触部３を備える第１パターンの電極２と、接触部５を備えた導体４とが形
成される。接触部３及び５は、図１に示す絶縁層６により互いに絶縁される。
る段階を図示している（印Ａの付いた図は、図１のＡＡ線に沿う断面図であり、
印Ｂの付いた図はＢＢ線に沿う断面図である）。図１は基板１を示し、該基板上
には接触部３を備える第１パターンの電極２と、接触部５を備えた導体４とが形
成される。接触部３及び５は、図１に示す絶縁層６により互いに絶縁される。
【００２３】 第１電極パターンの電極２上、及びこれら電極の間にエレクトロルミネッセン
ト材料７の層が付着される。本例では、この層は、約１００nm厚のポリエチレン
・ジオキシチオフェン（polyethylene dioxythiophene: PDOT）の下側層と、約
１００nm厚のポリジアルコキシ・ピー・フェニレン・ヴィニレン（polydialkoxy
-p-phenylene vinylene: PPV）の上側層とからなっている。上記ＰＰＶの層を付
着する前に、ＰＤＯＴの層は約１００℃の温度まで加熱することにより硬化され
る。次いで、有機物質がレーザ・アブレーションにより接触部３及び５から除去
される。上記有機材料７の層は平坦な表面を有し、全ての電極２上で略一様な厚
さである。
ト材料７の層が付着される。本例では、この層は、約１００nm厚のポリエチレン
・ジオキシチオフェン（polyethylene dioxythiophene: PDOT）の下側層と、約
１００nm厚のポリジアルコキシ・ピー・フェニレン・ヴィニレン（polydialkoxy
-p-phenylene vinylene: PPV）の上側層とからなっている。上記ＰＰＶの層を付
着する前に、ＰＤＯＴの層は約１００℃の温度まで加熱することにより硬化され
る。次いで、有機物質がレーザ・アブレーションにより接触部３及び５から除去
される。上記有機材料７の層は平坦な表面を有し、全ての電極２上で略一様な厚
さである。
【００２４】 本例では、上記有機エレクトロルミネッセント材料の層は、通常のスピンコー
ティング処理により付着される。このような処理は、該層が単純且つ安価な態様
で付着されるのを可能にする。スピンコーティング処理によっては容易に付着す
ることができないような有機ルミネッセント層は、通常の真空蒸着処理により設
けることができる。このような層は、例えば、アルミニウム・オキシキレート（
aluminium oxychelate:Alq3）からなる。色を表示するのに適した表示スクリー
ンを製造するには、代わりに、層７を異なる色を放出するエレクトロルミネッセ
ント材料から構築することができる。これらの材料は、例えば、（スクリーン）
印刷により設けることができる。本発明による方法は、上記有機エレクトロルミ
ネッセント材料が付着される方法に関して柔軟性があるので、エレクトロルミネ
ッセント表示スクリーンを製造するのに、大きな群の有機エレクトロルミネッセ
ント材料を好適に使用することができる。
ティング処理により付着される。このような処理は、該層が単純且つ安価な態様
で付着されるのを可能にする。スピンコーティング処理によっては容易に付着す
ることができないような有機ルミネッセント層は、通常の真空蒸着処理により設
けることができる。このような層は、例えば、アルミニウム・オキシキレート（
aluminium oxychelate:Alq3）からなる。色を表示するのに適した表示スクリー
ンを製造するには、代わりに、層７を異なる色を放出するエレクトロルミネッセ
ント材料から構築することができる。これらの材料は、例えば、（スクリーン）
印刷により設けることができる。本発明による方法は、上記有機エレクトロルミ
ネッセント材料が付着される方法に関して柔軟性があるので、エレクトロルミネ
ッセント表示スクリーンを製造するのに、大きな群の有機エレクトロルミネッセ
ント材料を好適に使用することができる。
【００２５】 有機層７は透水性である。この層の付着後、後続の処理工程は乾燥態様で実施
されねばならない。さもなければ、前記第２電極材料と前記エレクトロルミネッ
セント材料とが互いに接する位置に水が侵入し得る。結果として、電荷キャリア
の上記エレクトロルミネッセント材料への注入が阻害され、従って、当該表示ス
クリーンの適切な動作が妨害される。結果として、通常のフォトリソグラフィッ
ク処理は適用することはできない。
されねばならない。さもなければ、前記第２電極材料と前記エレクトロルミネッ
セント材料とが互いに接する位置に水が侵入し得る。結果として、電荷キャリア
の上記エレクトロルミネッセント材料への注入が阻害され、従って、当該表示ス
クリーンの適切な動作が妨害される。結果として、通常のフォトリソグラフィッ
ク処理は適用することはできない。
【００２６】 次の処理工程では、図７Ａ及び７Ｂに示すように、第２パターンの電極８に対
応する空間１２により互いに分離されたマスク材料１１の細条を備えるマスクが
利用される。電極８は、次いで、図８Ａ及び８Ｂに示すように第２電極材料１３
の付着により形成される。
応する空間１２により互いに分離されたマスク材料１１の細条を備えるマスクが
利用される。電極８は、次いで、図８Ａ及び８Ｂに示すように第２電極材料１３
の付着により形成される。
【００２７】 図５に示すように、マスク１０は別の支持体１４上に形成され、次いで、図６
及び図７に示すように前記エレクトロルミネッセント材料の層７に乾燥態様で転
写される。その後、図８に示すように、電極材料１３の第２層が上記マスクの細
条１１上及び空間１２内に付着される。このようにして、第２パターンの電極８
が形成される。上記電極材料の第２層は、約５００nm厚のアルミニウム層を伴う
約３０nm厚のバリウムの下側層からなる。上記バリウム層は上記エレクトロルミ
ネッセント材料中に電子を注入するよう作用し、上記アルミニウム層は当該電極
８が低電気抵抗を呈するのを保証するよう作用する。
及び図７に示すように前記エレクトロルミネッセント材料の層７に乾燥態様で転
写される。その後、図８に示すように、電極材料１３の第２層が上記マスクの細
条１１上及び空間１２内に付着される。このようにして、第２パターンの電極８
が形成される。上記電極材料の第２層は、約５００nm厚のアルミニウム層を伴う
約３０nm厚のバリウムの下側層からなる。上記バリウム層は上記エレクトロルミ
ネッセント材料中に電子を注入するよう作用し、上記アルミニウム層は当該電極
８が低電気抵抗を呈するのを保証するよう作用する。
【００２８】 支持体１４には、好ましくは可撓性箔が使用される。図６及び図７に示すよう
にマスク１０が基板１に転写される場合に、箔１４は該箔と上記基板との間の負
圧により、そのマスク側でもってエレクトロルミネッセント材料７の層上に押圧
される。このようにして、マスク１０はエレクトロルミネッセント材料７の層に
空気の含有（air inclusions）無しで転写することができる。
にマスク１０が基板１に転写される場合に、箔１４は該箔と上記基板との間の負
圧により、そのマスク側でもってエレクトロルミネッセント材料７の層上に押圧
される。このようにして、マスク１０はエレクトロルミネッセント材料７の層に
空気の含有（air inclusions）無しで転写することができる。
【００２９】 好ましくは、プリント回路基板上にフォトレジストの層を設けるために使用さ
れている市販のMorton社のLaminar 5032又はHercules社のAqua Mer SFのような
フォトレジストの層を備える箔を利用する。プリント回路基板に塗布されるフォ
トレジストは次いで露光され、現像される。マスク１０は、上記箔上のフォトレ
ジストの層に、該層を当該マスクのパターンに従って露光すると共に、次いで該
フォトレジストを現像することにより形成される。圧力を生じさせた後、上記フ
ォトレジストは上記可撓性箔に対してよりも上記エレクトロルミネッセント材料
の層に対して（当該マスクが上記エレクトロルミネッセント材料の層に転写され
る際に、上記基板が加熱されると特に）一層良好な接着を呈し、その後、当該基
板は冷却され、上記箔は引き剥がされる。
れている市販のMorton社のLaminar 5032又はHercules社のAqua Mer SFのような
フォトレジストの層を備える箔を利用する。プリント回路基板に塗布されるフォ
トレジストは次いで露光され、現像される。マスク１０は、上記箔上のフォトレ
ジストの層に、該層を当該マスクのパターンに従って露光すると共に、次いで該
フォトレジストを現像することにより形成される。圧力を生じさせた後、上記フ
ォトレジストは上記可撓性箔に対してよりも上記エレクトロルミネッセント材料
の層に対して（当該マスクが上記エレクトロルミネッセント材料の層に転写され
る際に、上記基板が加熱されると特に）一層良好な接着を呈し、その後、当該基
板は冷却され、上記箔は引き剥がされる。
【００３０】 第２電極材料１３の付着の後に、マスク１０の細条１１及び該細条上に付着さ
れた第２電極材料１３が除去される。このように、上記マスク細条上に位置する
電極材料１３が隣接する電極８間を短絡させる原因となり得るのを防止する。
れた第２電極材料１３が除去される。このように、上記マスク細条上に位置する
電極材料１３が隣接する電極８間を短絡させる原因となり得るのを防止する。
【００３１】 付着された電極材料１３を伴うマスク１０の細条１１は、図９及び図１０に示
すように、これら細条上に粘着性可撓性箔１５を押圧し、次いで該箔１５を引き
剥がすことにより除去される。好ましくは、上記可撓性粘着性箔は箔１５と基板
１との間の負圧により上記マスクの細条１１上に押圧される。結果として、上記
箔は基板上に空気の含有無しに押圧される。空気の含有は、全てのマスク細条１
１が基板から除去されない原因となりかねない。第２電極材料１３は細条１１の
フォトレジストによく接着するので、このフォトレジストが上記粘着性箔１５に
より上記電極材料１３を伴うマスク細条１１を除去することが分かった。好適な
箔は、日東電工の箔SWT-10のようなクリーンルームで粘着性マットとして使用さ
れるようなもの等である。
すように、これら細条上に粘着性可撓性箔１５を押圧し、次いで該箔１５を引き
剥がすことにより除去される。好ましくは、上記可撓性粘着性箔は箔１５と基板
１との間の負圧により上記マスクの細条１１上に押圧される。結果として、上記
箔は基板上に空気の含有無しに押圧される。空気の含有は、全てのマスク細条１
１が基板から除去されない原因となりかねない。第２電極材料１３は細条１１の
フォトレジストによく接着するので、このフォトレジストが上記粘着性箔１５に
より上記電極材料１３を伴うマスク細条１１を除去することが分かった。好適な
箔は、日東電工の箔SWT-10のようなクリーンルームで粘着性マットとして使用さ
れるようなもの等である。
【００３２】 再び除去されると、上記マスク１０は、第２電極材料が付着されてはいけない
基板上の領域を覆うために使用することもできる。図６ないし図９に示すように
、電極の第１パターン２及び第２パターン８に対する接続接触部３及び５は、マ
スク帯路１１により被覆される。これらマスク帯路及び該帯路上に位置する電極
材料１３は除去されるので、当該表示スクリーンは、これら接続接触部３及び５
を介して接続することができる。同一の基板上に形成される異なる表示スクリー
ン間の空間にマスク細条を設け、この場合にも、該マスクの除去後に電極材料が
残存しないようにすることも可能である。
基板上の領域を覆うために使用することもできる。図６ないし図９に示すように
、電極の第１パターン２及び第２パターン８に対する接続接触部３及び５は、マ
スク帯路１１により被覆される。これらマスク帯路及び該帯路上に位置する電極
材料１３は除去されるので、当該表示スクリーンは、これら接続接触部３及び５
を介して接続することができる。同一の基板上に形成される異なる表示スクリー
ン間の空間にマスク細条を設け、この場合にも、該マスクの除去後に電極材料が
残存しないようにすることも可能である。
【００３３】 図１１ないし１６は、本発明による表示スクリーンを製造する装置を図示して
いる。この装置は、マスク１０を基板１上に設けると共に、このマスクを上記基
板から除去するのに使用することができる。
いる。この装置は、マスク１０を基板１上に設けると共に、このマスクを上記基
板から除去するのに使用することができる。
【００３４】 これら図は、基板１を固定することができる平坦な底部１８を持つ室１７を備
えた基板保持器１６を有するような装置を示している。図１１は、エレクトロル
ミネッセント材料７の層が設けられた基板１を図示している。基板１は、上記底
部１８に形成されたチャンネル１９及び溝２０を介してポンプ（図示略）により
基板１と底部１８との間に形成することができる負圧により、室１７内に固定さ
れる。
えた基板保持器１６を有するような装置を示している。図１１は、エレクトロル
ミネッセント材料７の層が設けられた基板１を図示している。基板１は、上記底
部１８に形成されたチャンネル１９及び溝２０を介してポンプ（図示略）により
基板１と底部１８との間に形成することができる負圧により、室１７内に固定さ
れる。
【００３５】 上記室１７は、該室１７の底部１８と平行に延びる面２２を有するような縁部
２１により囲まれている。扁平な環２３を上記縁部２１上に滑動可能に配置する
ことができる。前記箔１４は、この環上に固定される。図１１においては、形成
されたマスク１０を伴う箔１４が該環に固定されている（図５に示すように）。
箔１４は、上記環２３に形成されたチャンネル２４及び溝２５を介してポンプ（
図示略）により箔１４と環２３との間に形成することができる負圧により、環２
３に固定される。
２１により囲まれている。扁平な環２３を上記縁部２１上に滑動可能に配置する
ことができる。前記箔１４は、この環上に固定される。図１１においては、形成
されたマスク１０を伴う箔１４が該環に固定されている（図５に示すように）。
箔１４は、上記環２３に形成されたチャンネル２４及び溝２５を介してポンプ（
図示略）により箔１４と環２３との間に形成することができる負圧により、環２
３に固定される。
【００３６】 図１２は、図６に示した製造段階を示し、マスク１０を伴う箔１４が基板１上
に押圧されている。箔１４を伴う環２３が縁部２１の面２２上に配置され、チャ
ンネル２６を介して室１７内に発生された負圧により箔１４が基板１の層７上に
押圧される。この工程においては、空気の包含は存在しない。マスク１０を伴う
箔１４が固定された環２３は、基板１に対して滑動可能である。結果として、マ
スク１０は第１パターンの電極２に対して正確に位置合わせすることができる。
に押圧されている。箔１４を伴う環２３が縁部２１の面２２上に配置され、チャ
ンネル２６を介して室１７内に発生された負圧により箔１４が基板１の層７上に
押圧される。この工程においては、空気の包含は存在しない。マスク１０を伴う
箔１４が固定された環２３は、基板１に対して滑動可能である。結果として、マ
スク１０は第１パターンの電極２に対して正確に位置合わせすることができる。
【００３７】 上記基板保持器には、電流を流すことが可能な抵抗線の形態の図示せぬ加熱素
子が設けられている。箔１４を基板１上に押圧する間に、該基板保持器は約４５
℃の温度まで加熱される。
子が設けられている。箔１４を基板１上に押圧する間に、該基板保持器は約４５
℃の温度まで加熱される。
【００３８】 図１３は、環２３が取り除かれた当該装置を図示している。上記基板保持器は
図示せぬ冷却系により冷却されるが、該冷却系は保持器１６に形成された数個の
チャンネルからなり、これらチャンネルを介して冷却液を通過させることができ
る。かくして、箔１４は上記基板から容易に除去することができ、その際、当該
基板は室１７内に保持される。図７に示したように、マスク１０はエレクトロル
ミネッセント材料７の層上に残存する。
図示せぬ冷却系により冷却されるが、該冷却系は保持器１６に形成された数個の
チャンネルからなり、これらチャンネルを介して冷却液を通過させることができ
る。かくして、箔１４は上記基板から容易に除去することができ、その際、当該
基板は室１７内に保持される。図７に示したように、マスク１０はエレクトロル
ミネッセント材料７の層上に残存する。
【００３９】 マスク１０の基板１への転写の他に、当該装置は、図９に示したように電極材
料１３の第２の層の付着の後にマスク細条１１を除去するためにも使用すること
ができる。
料１３の第２の層の付着の後にマスク細条１１を除去するためにも使用すること
ができる。
【００４０】 図１４は、エレクトロルミネッセント層７を伴う基板１を有する前記基板保持
器を示し、上記エレクトロルミネッセント層上には電極材料１３を伴うマスク細
条１１が存在する。前記粘着性箔が環２７上に設けられるが、該環には基板保持
器１６の縁部２１の面２２上に正確に合う面２８が設けられている。環２７を上
記基板保持器上に配置した後、図１５に示すように、箔１５はチャンネル２６を
介して室１７内に発生される負圧により基板１に向かって押圧される。次いで、
チャンネル２６を介して上記室１７内に空気が入れられるので、箔１５は、図１
６に示すように、上記基板から再び引き剥がされる。この工程において、上に電
極材料１３を伴うマスク細条１１も除去される。
器を示し、上記エレクトロルミネッセント層上には電極材料１３を伴うマスク細
条１１が存在する。前記粘着性箔が環２７上に設けられるが、該環には基板保持
器１６の縁部２１の面２２上に正確に合う面２８が設けられている。環２７を上
記基板保持器上に配置した後、図１５に示すように、箔１５はチャンネル２６を
介して室１７内に発生される負圧により基板１に向かって押圧される。次いで、
チャンネル２６を介して上記室１７内に空気が入れられるので、箔１５は、図１
６に示すように、上記基板から再び引き剥がされる。この工程において、上に電
極材料１３を伴うマスク細条１１も除去される。
【図１】 図１は、本発明による方法により製造されたエレクトロルミネッセント表示ス
クリーンの概略平面図である。
クリーンの概略平面図である。
【図２Ａ】 図２Ａは、図１に示す表示スクリーンの図１のＡＡ線に沿う概略断面図である
。
。
【図２Ｂ】 図２Ｂは、図１に示す表示スクリーンの図１のＢＢ線に沿う概略断面図である
。
。
【図３Ａ】 図３Ａは、図１に示す表示スクリーンの製造の或る工程における図１のＡＡ線
に沿う概略断面図である。
に沿う概略断面図である。
【図３Ｂ】 図３Ｂは、上記工程の図１のＢＢ線に沿う概略断面図である。
【図４Ａ】 図４Ａは、上記表示スクリーンの製造の次の工程における図１のＡＡ線に沿う
概略断面図である。
概略断面図である。
【図４Ｂ】 図４Ｂは、上記工程の図１のＢＢ線に沿う概略断面図である。
【図５Ａ】 図５Ａは、上記表示スクリーンの製造の次の工程における図１のＡＡ線に沿う
概略断面図である。
概略断面図である。
【図５Ｂ】 図５Ｂは、上記工程の図１のＢＢ線に沿う概略断面図である。
【図６Ａ】 図６Ａは、上記表示スクリーンの製造の次の工程における図１のＡＡ線に沿う
概略断面図である。
概略断面図である。
【図６Ｂ】 図６Ｂは、上記工程の図１のＢＢ線に沿う概略断面図である。
【図７Ａ】 図７Ａは、上記表示スクリーンの製造の次の工程における図１のＡＡ線に沿う
概略断面図である。
概略断面図である。
【図７Ｂ】 図７Ｂは、上記工程の図１のＢＢ線に沿う概略断面図である。
【図８Ａ】 図８Ａは、上記表示スクリーンの製造の次の工程における図１のＡＡ線に沿う
概略断面図である。
概略断面図である。
【図８Ｂ】 図８Ｂは、上記工程の図１のＢＢ線に沿う概略断面図である。
【図９Ａ】 図９Ａは、上記表示スクリーンの製造の次の工程における図１のＡＡ線に沿う
概略断面図である。
概略断面図である。
【図９Ｂ】 図９Ｂは、上記工程の図１のＢＢ線に沿う概略断面図である。
【図１０Ａ】 図１０Ａは、上記表示スクリーンの製造の次の工程における図１のＡＡ線に沿
う概略断面図である。
う概略断面図である。
【図１０Ｂ】 図１０Ｂは、上記工程の図１のＢＢ線に沿う概略断面図である。
【図１１】 図１１は、本発明による表示スクリーンを製造する装置を、或る工程において
示す。
示す。
【図１２】 図１２は、上記装置を、次の工程において示す。
【図１３】 図１３は、上記装置を、次の工程において示す。
【図１４】 図１４は、上記装置を、次の工程において示す。
【図１５】 図１５は、上記装置を、次の工程において示す。
【図１６】 図１６は、上記装置を、次の工程において示す。
１…基板 ２…第１パターンの電極 ３…接触部 ４…導体 ５…接触部 ６…絶縁層 ７…エレクトロルミネッセント材料の層 ８…第２パターンの電極 ９…絶縁材料の層 １０…マスク １１…マスクの細条 １２…マスクの空間 １３…第２電極材料 １４…可撓性箔 １５…粘着性可撓性箔 １６…基板保持器 １７…室 １８…底部 ２１…縁部 ２３…扁平環 ２６…チャンネル ２７…環
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 Ｇｒｏｅｎｅｗｏｕｄｓｅｗｅｇ １， 5621 ＢＡ Ｅｉｎｄｈｏｖｅｎ， Ｔｈ ｅ Ｎｅｔｈｅｒｌａｎｄｓ Ｆターム(参考） 3K007 AB15 AB18 BA06 CA01 CB01 DA01 DB03 EA01 EB00 FA01
Claims (9)
- 【請求項１】 エレクトロルミネッセント表示スクリーンを製造する方法で
あって、平らな基板上に電極材料の第１層が付着され、該層には第１パターンの
電極が形成され、その後、前記第１パターンにはマスキング材料の細条を備える
マスクを用いて有機エレクトロルミネッセント材料と第２パターンの電極とが設
けられ、前記細条は前記第２パターンに対応する空間により互いに分離されてお
り、これら空間には前記第２パターンの電極が第２電極材料の付着により形成さ
れるような方法において、 前記第１パターンの電極の電極上及び電極間に有機エレクトロルミネッセント
材料の層が付着され、前記マスクは別の支持体上に形成されると共に、次いで乾
燥工程で前記エレクトロルミネッセント材料の層に転写され、その後、前記電極
材料の第２層が前記マスクの前記空間内に付着されることを特徴とするエレクト
ロルミネッセント表示スクリーンを製造する方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の方法において、前記マスクの支持体として
可撓性箔が使用され、前記マスクが転写される際に、前記箔は該箔の前記マスク
側で前記エレクトロルミネッセント材料の層に対して該箔と前記基板との間の負
圧により押圧されることを特徴とする方法。 - 【請求項３】 請求項２に記載の方法において、前記マスクは、前記可撓性
箔上に設けられたフォトレジストの層を前記マスクのパターンに従って露光し、
次いで該フォトレジストを現像することにより形成されることを特徴とする方法
。 - 【請求項４】 請求項３に記載の方法において、前記基板は前記マスクが前
記エレクトロルミネッセント材料の層に転写される際に加熱され、その後、前記
基板は冷却され、前記箔が引き剥がされることを特徴とする方法。 - 【請求項５】 請求項１ないし４の何れか一項に記載の方法において、前記
第２電極材料の付着の後に、前記マスクの細条及びこれら細条上に付着された前
記第２電極材料が除去されることを特徴とする方法。 - 【請求項６】 請求項５に記載の方法において、前記マスクの細条及びこれ
ら細条上に付着された前記電極材料は、前記細条上に粘着性可撓性箔を押圧し、
次いで該箔を引き剥がすことにより除去されることを特徴とする方法。 - 【請求項７】 請求項６に記載の方法において、前記粘着性可撓性箔は、該
箔と前記基板との間の負圧により前記マスクの細条上に押圧されることを特徴と
する方法。 - 【請求項８】 平らな基板の面上に可撓性箔を押圧する装置において、 該装置には、前記基板を固定することが可能な平らな底部を備えた室を有する
ような基板保持器が設けられ、前記室は該室の前記底部と平行に延びる面を有す
るような縁部により囲まれ、前記面上では扁平な環が移動可能であると共に該面
上には前記箔を固定することができ、前記基板保持器は更に前記箔と前記基板と
の間に負圧が形成されるのを可能にするチャンネルを有していることを特徴とす
る装置。 - 【請求項９】 請求項８に記載の装置において、前記基板保持器には加熱素
子と冷却系とが設けられていることを特徴とする装置。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP98203291 | 1998-09-30 | ||
| EP98203291.4 | 1998-09-30 | ||
| PCT/EP1999/006644 WO2000019776A1 (en) | 1998-09-30 | 1999-09-08 | Method and device for manufacturing an electroluminescent display screen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002526902A true JP2002526902A (ja) | 2002-08-20 |
Family
ID=8234172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000573132A Withdrawn JP2002526902A (ja) | 1998-09-30 | 1999-09-08 | エレクトロルミネッセント表示スクリーンを製造する方法及び装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6153254A (ja) |
| EP (1) | EP1048189A1 (ja) |
| JP (1) | JP2002526902A (ja) |
| TW (1) | TW431117B (ja) |
| WO (1) | WO2000019776A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB9901334D0 (en) * | 1998-12-08 | 1999-03-10 | Cambridge Display Tech Ltd | Display devices |
| US6649219B2 (en) | 2001-02-23 | 2003-11-18 | Lsi Logic Corporation | Process for forming a low dielectric constant fluorine and carbon-containing silicon oxide dielectric material characterized by improved resistance to oxidation |
| JP2002289347A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-04 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置、その製造方法、被着マスク及びその製造方法 |
| DE10117663B4 (de) * | 2001-04-09 | 2004-09-02 | Samsung SDI Co., Ltd., Suwon | Verfahren zur Herstellung von Matrixanordnungen auf Basis verschiedenartiger organischer leitfähiger Materialien |
| KR100778286B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2007-11-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전기발광소자의 제조 방법 |
| KR100537611B1 (ko) | 2002-04-10 | 2005-12-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광소자 및 그 제조방법 |
| DE10236854B4 (de) * | 2002-08-07 | 2004-09-23 | Samsung SDI Co., Ltd., Suwon | Verfahren und Vorrichtung zur Strukturierung von Elektroden von organischen lichtemittierenden Elementen |
| KR100528910B1 (ko) | 2003-01-22 | 2005-11-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 고분자 유기 전계 발광 소자 |
| EP1647064B1 (en) * | 2003-07-22 | 2011-12-07 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Process for removing an organic layer during fabrication of an organic electronic device |
| US6953705B2 (en) * | 2003-07-22 | 2005-10-11 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for removing an organic layer during fabrication of an organic electronic device |
| US8350238B2 (en) * | 2004-12-30 | 2013-01-08 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Device patterning using irradiation |
| US8339040B2 (en) | 2007-12-18 | 2012-12-25 | Lumimove, Inc. | Flexible electroluminescent devices and systems |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4127436A (en) * | 1975-04-17 | 1978-11-28 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Vacuum laminating process |
| US4159443A (en) * | 1978-07-18 | 1979-06-26 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Electroluminescent optical devices |
| JP2579937B2 (ja) * | 1987-04-15 | 1997-02-12 | 株式会社東芝 | 電子回路装置およびその製造方法 |
| US5486857A (en) * | 1989-08-15 | 1996-01-23 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Thermal imaging system |
| US5466325A (en) * | 1993-06-02 | 1995-11-14 | Nitto Denko Corporation | Resist removing method, and curable pressure-sensitive adhesive, adhesive sheets and apparatus used for the method |
| JP3813217B2 (ja) * | 1995-03-13 | 2006-08-23 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法 |
| JP3208638B2 (ja) * | 1995-01-31 | 2001-09-17 | 双葉電子工業株式会社 | 有機エレクトロルミネセント表示装置およびその製造方法 |
| KR100500078B1 (ko) * | 1996-02-26 | 2005-07-18 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 유기 전자 발광 소자 및 그의 제조방법 |
| US5747098A (en) * | 1996-09-24 | 1998-05-05 | Macdermid, Incorporated | Process for the manufacture of printed circuit boards |
| JPH10102237A (ja) * | 1996-09-25 | 1998-04-21 | Casio Comput Co Ltd | 電極形成方法 |
| US5952778A (en) * | 1997-03-18 | 1999-09-14 | International Business Machines Corporation | Encapsulated organic light emitting device |
| US6005344A (en) * | 1998-02-18 | 1999-12-21 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent image display panel with multiple barriers |
-
1999
- 1999-02-10 US US09/248,139 patent/US6153254A/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-02-10 TW TW088102065A patent/TW431117B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-09-08 WO PCT/EP1999/006644 patent/WO2000019776A1/en not_active Application Discontinuation
- 1999-09-08 JP JP2000573132A patent/JP2002526902A/ja not_active Withdrawn
- 1999-09-08 EP EP99947295A patent/EP1048189A1/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW431117B (en) | 2001-04-21 |
| EP1048189A1 (en) | 2000-11-02 |
| WO2000019776A1 (en) | 2000-04-06 |
| US6153254A (en) | 2000-11-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5804917A (en) | Organic electroluminescent display device and method for manufacturing same | |
| JP3208638B2 (ja) | 有機エレクトロルミネセント表示装置およびその製造方法 | |
| US6949389B2 (en) | Encapsulation for organic light emitting diodes devices | |
| JP2848371B2 (ja) | 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法 | |
| US6087772A (en) | Organic electroluminecent display device suitable for a flat display and method of forming the same | |
| US6686693B1 (en) | Organic electroluminescent device with disjointed electrodes arranged in groups | |
| US6321571B1 (en) | Method of making glass structures for flat panel displays | |
| JP4269195B2 (ja) | 発光又は調光素子、及びその製造方法 | |
| JP4606677B2 (ja) | デバイスをパターニングするための方法 | |
| EP0986112A2 (en) | An efficient method for fabricating organic light emitting diodes | |
| US6153254A (en) | Method and device for manufacturing an electroluminescent display screen | |
| EP1214868B1 (en) | Organic electroluminescent device and production method thereof | |
| CN108987608A (zh) | Oled显示面板及其制造方法、显示装置 | |
| JP2004031262A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスパネル | |
| US6107736A (en) | Organic electroluminescent display device and method of fabrication | |
| US20040251822A1 (en) | Organic electroluminescent display | |
| US6560997B2 (en) | Method of making glass structures for flat panel displays | |
| CN109390355A (zh) | 显示基板及其制备方法和显示装置 | |
| JP2008243664A (ja) | 有機ｅｌ素子の製造方法 | |
| JP4392113B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及び有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法 | |
| JP2000260573A (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| JP2003017249A (ja) | 表示装置およびその製造方法 | |
| JPH11167987A (ja) | 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法 | |
| JP2005003866A (ja) | 画素制御素子形成基板の製造方法 | |
| CN110993835A (zh) | 一种显示面板及其制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20061205 |