JP2002523739A - 熱波測定方法 - Google Patents

熱波測定方法

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JP2002523739A
JP2002523739A JP2000566657A JP2000566657A JP2002523739A JP 2002523739 A JP2002523739 A JP 2002523739A JP 2000566657 A JP2000566657 A JP 2000566657A JP 2000566657 A JP2000566657 A JP 2000566657A JP 2002523739 A JP2002523739 A JP 2002523739A
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    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/171—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated with calorimetric detection, e.g. with thermal lens detection

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Abstract

(57)【要約】 電気的に変調可能な熱光源の２つまたは複数の個別周波数による同時のマルチ周波数励振により、種々異なった制御周波数に相応する並列な評価が可能になる。これにより、マルチレイヤ系の測定の際の測定時間が著しく短縮される。制御周波数の個別周波数成分の適当な選択によって、これらを測定課題に整合させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 本発明は、プレーナマルチレイヤストラクチャ（プレーナ形の多層構造体）を
高速に無接触に、幾何学的並びに熱的に特徴付けることに関する。これに関する
測定は例えば、オート・マルチレイヤラッカー塗布ないし塗装において需要があ
る。熱波測定方法のカテゴリーは例えば熱波、ホトサーマルおよびホトアコース
チック法またはロック・イン・サーモグラフィーとして周知である。
【０００２】 従来技術として、例えば、「ホトサーマル測定法、熱波測定法またはロック・
イン・サーモグラフィー」という名称で実施されている方法がある。そこでは、
表面に層構造を有する検査すべき材料が熱源によって周期的におよび領域毎に加
熱される。この加熱は変調可能でなければならないので、振幅変調が行われる。
これにより加熱の変調周波数をシーケンシャルに掃引同調することができ、かつ
サンプルから派生するホトサーマル信号は振幅についておよび殊に位相について
周波数の関数として測定される。その際評価は２つまたは複数の未知数（例えば
層厚）に関して一般に閉じられた解析的な形で実施することができない。という
のは、この場合「逆問題」があるからである。このことは、連立方程式を１つの
未知数について解くのは直ちには可能ではないことと同じ意味である。
【０００３】 従来技術に属する方法の欠点は例えば、変調可能な熱源の変調周波数のシーケ
ンシャルな掃引同調が非常に長く続く点にある。
【０００４】 本発明の課題は、相応の測定および評価を著しく高速化することができる、熱
波測定法を提供することである。重要な目標は、高速の熱波測定法を今日の生産
において層構造体を監視するために使用することにある。
【０００５】 この課題の解決は請求項１の特徴の組み合わせによって行われる。
【０００６】 本発明は、層構造体の領域毎の加熱のために使用される熱源が複数の異なった
周波数によって同時に制御可能であり、かつ放出された赤外線が制御周波数に対
応付けられて同時に評価可能であるという認識に基づいている。このようにして
、熱源のシーケンシャルな掃引同調のための特性曲線から周波数を介して所定の
支持点を確定することができ、そこから所定数の種々異なった離散的な周波数が
生じる。これらは熱源を制御するために同時に使用されるので、周波数を介する
熱源の本来の掃引同調はもはや実施されず、このことから著しい時間の節約が実
現される。
【０００７】 別の実施の形態は従属請求項から読み取ることができる。
【０００８】 熱源として殊に、光を放出するダイオード（ＬＥＤ）またはレーザダイオード
を有利に使用することができる。というのはこれらは、電気的に振幅変調可能で
あるからである。基本的に、電気的な変調の可能性を提供する全部の熱源を使用
することができるので、マルチ周波数励振を実施することができる。
【０００９】 所定の層列がサンプルの表面にあるのであれば、有利には、熱源における制御
周波数の物体に関連した調整設定を行うことができる。熱源における変調周波数
が低ければ低い程、層構造に対する侵入深度は大きくなるという関係が成り立つ
。制御周波数の選択は、既知の層構造に相応して有利に調整設定することができ
る。
【００１０】 非線形のアプローチ関数ないし学習能力のあるニューラルネットワークを用い
た回帰分析を行って、目標量、例えば個々の層厚を数字的に求めることができる
。その際実験によるまたは理論的／解析的な支持値を較正値として使用すること
ができる。
【００１１】 その他の有利な形態は従属請求項から読み取ることができる。
【００１２】 次に略図に基づいて別の実施例について説明する。
【００１３】 図１は、本発明の方法を実施するための試験装置の構成を示し、 図２は、熱源の制御周波数に依存して、反射される熱波の位相ずれを示し、 図３は、２つの周波数発生器（チョッパ）に対する変調を１０Ｈｚとした場合の
基準および検出器信号を示し、 図４は、２つのチョッパ１，２に対する変調を１０Ｈｚとした場合の基準および
位相信号を示し、 図５は、変調を４０Ｈｚおよび２０Ｈｚとした場合の基準および検出器信号を示
し、 図６は、変調を４０Ｈｚおよび２０Ｈｚとした場合の基準および位相信号を示す
。
【００１４】 種々異なった周波数ないし種々異なった反射される相応の赤外線に関する同時
のマルチ周波数励振および同時の並列評価によって、測定時間は劇的に短縮され
る。その際熱源が制御される周波数測定領域の個別周波数成分の適当な選択によ
って測定課題に正確に整合させることができる。電気的に変調可能な熱源に対す
る２つまたはそれ以上の複数の個別周波数を用いた同時の強度変調により、相応
の数のロック・イン増幅器における並列な評価が可能になる。これに代わって、
ＦＥＴまたは、相関をとったりまたはサイン関数に合わせるなど類似の評価方法
による信号評価も、デジタルオシロスコープを使用して行うことができる。
【００１５】 熱源として通例、例えばレーザダイオードまたはＬＥＤのような熱光源が使用
される。相応の数のロック・イン増幅器または高速フーリエ変換による評価のた
めに、回帰分析またはニューラルネットワークを使用することができる。
【００１６】 本発明の重要な特徴は、熱源を種々異なった周波数で制御する同時性にある。
例えば３つの周波数が選択されたのであれば、その合計が、熱源を変調するアン
ログ信号を供給する。評価側において、それぞれの周波数に対して相応に評価さ
れる。このことは同時に行われる。
【００１７】 図１の試験装置において、ガラスプレート上のＴｉＮ層から成る標準サンプル
７が測量される。その際レーザ３から放射された熱線がサンプルを領域毎に加熱
する。熱線はレーザから出た後で分割され、その際２つの線のそれぞれが機械的
なチョッパ１，２に供給される。チョッパ１，２を通過する際に、２つの線は異
なった変調周波数ｆ１，ｆ２によって変調されかつ引き続いて共通に収束されか
つサンプル７に配向される。これにより機械的な変調によっても、サンプルを２
つの変調周波数によって同時に励振することができる。異なった周波数の電子的
な用意の方が有利である。検出器信号８が異なったロック・イン増幅器１０，２
０に供給された後、結果として２つの位相１１，２１に相応するものが得られ、
これらはメモリオシログラフ１３に表示されるようになっている。ロック・イン
増幅器１０，２０のそれぞれの基準入力側１２，２１にはチョッパ１ないし２の
変調周波数が加えられるようになっている。２つのビーム路を相次いで同調する
ために、まず。位相周波数曲線が検出され、すなわち２つのチョッパ１，２の周
波数が同時に同調される。結果は図２に示されている。図２では、約２０Ｈｚよ
り上の比較的高い周波数によって周波数ずれは約−４５゜において生じているこ
とが分かる。このことはチョッパ１に対してもチョッパ２に対しても同じ程度に
当てはまる。
【００１８】 図３には、２つのチョッパ１，２が１０Ｈｚに調整設定されておりかつ検出器
信号８が測定されるときに結果が示される。図３ないし６の波形図ではそれぞれ
、それぞれの信号経過の左隣に、３つのデータを有する囲みが示されている。そ
こで、第１の２つのデータはメモリオシログラフの軸上のスケーリングを意味し
ている。第１の値は、時間が示されている横軸上のボックスの中で２つのマーキ
ング間に何ミリ秒に当たるかを表している。第２の値は、電圧が示されている縦
軸上で２つのマーキング間ないしボックス内で間隔が何ボルトになるかを表して
いる。第３の値は、本来の結果を表している、すなわち、ボルトまたはミリボル
トで計数される所定の電圧は、例えば振幅信号または位相信号に対して換算する
ことができる。
【００１９】 図３および図４にはそれぞれ、２つのチョッパ１，２の変調が１０Ｈｚである
場合の、基準、位相および検出器信号に対する測定値が図示されている。図５お
よび図６には、図３および図４と同じ表示が使用されるが、第１のチョッパ１の
変調は４０Ｈｚでありかつ第２のチョッパ２の変調は２０Ｈｚである。
【００２０】 図３に図示の測定値および結果の基礎には、２つのチョッパは１０Ｈｚに固定
的に調整設定されかつ検出器信号８が測定されることが含まれている。最上段の
矩形の曲線はチョッパ１におけるパルス列の経過を表している。その際完全な振
動には２つのボックスの長さないし２個の５０ｍｓを必要とするので、ここでは
１０Ｈｚの周波数が生じる。同じことは、第２のチョッパ２において生じる真ん
中の曲線に対しも当てはまる。最下段の曲線は検出威信号８を表し、これは最初
アナログ信号である。すべて３つの例において、信号の振幅はそれぞれ、第３の
値として隣にある囲いに示されているが、これらは選択可能な試験パラメータで
ある。
【００２１】 図４には、２つのチョッパ１，２に対する変調が１０Ｈｚである場合の基準並
びに位相が示されている。パルス周波数は図３の周波数と同一である。チョッパ
１，２の位相位置は−５８４ｍＶおよび−５９１ｍＶとほぼ同一であり、このこ
とは換算すれば６０゜の位相ずれにほぼ相応する。その際、１０ｍＶが１゜の位
相ずれを表していることが基礎となっている。換言すれば、サンプル７から反射
される赤外線ないし熱波は、レーザ信号の位相の６０゜だけ遅れている位相位置
を有している。
【００２２】 図５および図６には、図３および図４に相応する信号が図示される。しかしこ
こでは第１および第２のチョッパ１，２は異なった周波数に変調されている。第
１のチョッパ１は４０Ｈｚのパルス周波数を有しておりかつ第２のチョッパ２は
２０Ｈｚのパルス周波数を有している。検出器信号８はここでも、複数の信号か
ら重畳されている結果信号である。これは方法において使用される信号処理を介
して変換される。図５および図６に図示の場合に対して、図６の第２および第４
の信号に相応して、２つの制御周波数に対する位相位置は近似的に同じである。
【００２３】 すなわちこれらの測定によって、これまでのように変調周波数を掃引同調（チ
ャープ）するのではなくて、サンプルを２つの異なった周波数によって同時に変
調するようにしても、位相を正確に得ることができることを実証することができ
る。
【００２４】 上述した機械的なチョッパによる測定は、レーザダイオードないしＬＥＤを複
数の周波数によって同調することが同時にプラニングされている１つの形態を示
しているにすぎない。更に、相応の装置によりサンプル７の平面的な照明を最適
化しかつカメラ装置を用いて画像記録を最適化することができる。その際依然と
して、同時のマルチ周波数励振によっておよび異なった周波数の同時の並列評価
によって測定時間が短縮されるという原理に基づいている。
【００２５】 マルチレイヤストラクチャの幾何学的および熱的なパラメータを同時に求める
ことが要求されるのであれば、このことは状況によっては、従来の計算法によっ
てはできない可能性がある。位相を分析する式を熱的および幾何学的なパラメー
タ、並びに変調周波数に依存して立てることができる。しかしマルチレイヤスト
ラクチャを特徴付ける量について解こうとするのであれば、このことは分析的に
は可能ではない。このことは、「逆問題」が存在していることを意味している。
その場合評価は、例えば回帰分析のような数字的な方法によってまたはニューラ
ルネットワークを用いて行うことができ、このことは材料パラメータの特定の自
動化を表しかつ一層高い精度および時間の節約に結び付いている。更に、任意の
ホトサーマルにより測量される層構造を論理的に記述しかつその熱的なおよび幾
何学的な特性を突き止める可能性が開かれる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の方法を実施するための試験装置のブロック線図である。
【図２】 熱源の制御周波数に依存した反射された熱波の位相ずれを示す線図である。
【図３】 ２つの周波数発生器（チョッパ）の変調の際の基準および検出器信号を示す線
図である。
【図４】 ２つのチョッパ１，２に対する変調が１０Ｈｚである場合の基準および位相信
号を示す線図である。
【図５】 変調が４０Ｈｚおよび２０Ｈｚの場合の基準および検出器信号を示す線図であ
る。
【図６】 変調が４０Ｈｚおよび２０Ｈｚの場合の基準および位相信号を示す線図である
。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G040 AB07 AB08 BA26 CA12 CA23 DA12 EA06 EB02 EC02 HA15 HA16 2G066 AA02 AC20 BA34 BC30 CA11

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 層構造の幾何学的および／または熱的な特徴を無接触に測定
    するための熱波測定方法であって、 変調可能な熱源を異なった周波数によって制御し、かつ 層構造を周期的に加熱し、層構造から放出された、強度が相応に変調された赤外
    線を受信しかつ振幅および／または位相に基づいてその都度制御周波数の関数と
    して評価し、ここで熱源は同時に少なくとも２つの前以て決められた離散的な周
    波数によって振幅変調され、かつ 層構造から放出された赤外線を同時に制御周波数に対応させて評価する 熱波測定方法。
  2. 【請求項２】 熱源としてレーザないしレーザダイオードまたは発光ダイオ
    ード（ＬＥＤ）を使用する 請求項１記載の方法。
  3. 【請求項３】 制御周波数の個別周波数成分を測定課題に整合させる 請求項１または２記載の方法。
  4. 【請求項４】 ロック・イン評価を用いて前以て決められた周波数を検出す
    る 請求項１または２記載の方法。
  5. 【請求項５】 個々の周波数の評価のために、高速フーリエ変化（ＦＥＴ）
    を使用するようにする 請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
  6. 【請求項６】 引き続く評価を回帰分析によってまたはニューラルネットワ
    ークを用いて行う 請求項４または５記載の方法。
  7. 【請求項７】 本方法を較正を用いて、数学的に突き止められた理論値並び
    に実験に支えられたデータによって所定の層構造に較正する 請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。
  8. 【請求項８】 層構造の熱的な特徴が既知の場合に幾何学的な特徴を求めま
    たは幾何学的な特徴が既知の場合には熱的な特徴を求めるための 請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006080556A1 (ja) * 2005-01-27 2006-08-03 Nippon Sheet Glass Company, Limited 検出方法、当該検出方法を用いたマイクロ化学システム、信号検出方法、熱レンズ分光分析システム、蛍光検出システム、信号検出装置、信号検出システム、信号検出プログラム、及び記憶媒体
JP2006234794A (ja) * 2005-01-27 2006-09-07 Nippon Sheet Glass Co Ltd 信号検出方法、熱レンズ分光分析システム、蛍光検出システム、信号検出装置、信号検出システム、信号検出プログラム、及び記憶媒体
JP2007071729A (ja) * 2005-09-07 2007-03-22 Nippon Sheet Glass Co Ltd 検出方法及び当該検出方法を用いたマイクロ化学システム
JP2016534344A (ja) * 2013-08-23 2016-11-04 ディーシージー システムズ、 インコーポレイテッドＤｃｇ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｉｎｃ． ホットスポット位置特定のためのロックインサーモグラフィ方法およびシステム
KR101910697B1 (ko) * 2011-11-07 2018-10-22 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 발열점 검출 방법 및 발열점 검출 장치

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10128131A1 (de) * 2001-06-09 2002-12-12 Lutz Berger Verfahren und Vorrichtung zur Materialprüfung und/oder Objektidentifizierung
EP1780500A1 (de) * 2005-10-28 2007-05-02 Hch. Kündig & Cie. AG Verfahren zum Messen der Dicke von Mehrschichtfolien
EP1780499A1 (de) * 2005-10-28 2007-05-02 Hch. Kündig & Cie. AG Verfahren zum Messen der Dicke von Mehrschichtfolien
EP1780498A1 (de) * 2005-10-28 2007-05-02 Hch. Kündig & Cie. AG Verfahren zum Messen der Dicke von Mehrschichtfolien
DE102006043339B4 (de) * 2006-09-15 2010-11-11 Siemens Ag Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung von Bauteilwandstärken mittels Thermographie
DE102008030691B4 (de) * 2008-07-01 2011-07-21 edevis GmbH, 70569 Verfahren und Vorrichtung für eine Materialprüfung mittels periodischer Wärmebestrahlung
SG186207A1 (en) * 2010-06-08 2013-01-30 Dcg Systems Inc Three-dimensional hot spot localization
EP2444795A1 (en) 2010-10-22 2012-04-25 DCG Systems, Inc. Lock in thermal laser stimulation through one side of the device while acquiring lock-in thermal emission images on the opposite side
KR101911979B1 (ko) 2011-07-13 2018-10-25 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 발열점 검출 방법 및 발열점 검출 장치
JP5469653B2 (ja) * 2011-12-12 2014-04-16 本田技研工業株式会社 非破壊検査システム
EP2840385A1 (en) * 2013-08-23 2015-02-25 DCG Systems, Inc. Lock-in thermography method and system for determining material layer parameters of a sample
DE102015207551A1 (de) * 2015-04-24 2016-10-27 Robert Bosch Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur photothermischen Qualitätskontrolle von Korngröße und Schichthaftung eines Bauteils
DE102019124344B4 (de) 2019-09-11 2021-11-11 Edevis Gmbh Verfahren und Vorrichtung für eine Überprüfung der inneren Beschaffenheit eines Prüfobjektes mittels eines aufgeprägten Wärmeflusses

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5934138A (ja) * 1982-07-26 1984-02-24 サ−マ−ウエイブ・インコ−ポレ−テツド レーザープローブによる熱波検出方法
JPS5985908A (ja) * 1982-06-18 1984-05-18 サ−マ−ウエイブ・インコ−ポレ−テツド 熱波検出システムを用いた薄いフイルムの厚さ測定法及び深度プロフイル法
JPS59184806A (ja) * 1983-04-01 1984-10-20 サ−マ−ウエイブ・インコ−ポレ−テツド 薄膜の厚さ測定方法および装置
JPS6234040A (ja) * 1985-08-01 1987-02-14 サ−マ−ウエイブ・インク サンプルの表面および表面下の特性の評価
JPS62251640A (ja) * 1985-04-30 1987-11-02 サーマ―ウェイブ・インク サンプルの表面および表面下の特性を評価する装置及び方法
US5206710A (en) * 1990-11-02 1993-04-27 Jenoptik Jena Gmbh Method and apparatus for thermowave analysis
JPH0727746A (ja) * 1993-07-13 1995-01-31 Kobe Steel Ltd 光熱変位計測による試料評価方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4255971A (en) * 1978-11-01 1981-03-17 Allan Rosencwaig Thermoacoustic microscopy
US4589783A (en) * 1984-04-04 1986-05-20 Wayne State University Thermal wave imaging apparatus
FR2593917B1 (fr) 1986-02-06 1988-06-03 Univ Reims Champagne Ardenne Procede et dispositif d'analyse et de mesure des parametres physiques d'un materiau en couches par radiometrie thermique
DE3631652C2 (de) * 1986-09-17 1994-05-19 Siemens Ag Meßanordnung zur berührungslosen Dickenbestimmung
DE4203272C2 (de) * 1992-02-05 1995-05-18 Busse Gerd Prof Dr Rer Nat Hab Verfahren zur phasenempfindlichen Darstellung eines effektmodulierten Gegenstandes
DE4223337C2 (de) * 1992-07-16 1996-02-22 Jenoptik Jena Gmbh Verfahren und Anordnung zur photothermischen Spektroskopie
DE19520788C2 (de) * 1995-01-13 2001-08-16 Optisense Ges Fuer Optische Pr Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung der Schichtdicke, der Leitfähigkeit und/oder der Schichtkontaktgüte von auf Substraten aufgetragenen Schichten
DE19511869B4 (de) * 1995-03-31 2004-02-26 Geiler, Hans-Dieter, Dr. Verfahren und Anordnung zur Responseanalyse von Halbleitermaterialien mit optischer Anregung
JP2688012B2 (ja) * 1995-05-12 1997-12-08 工業技術院長 熱拡散率測定方法
US6240309B1 (en) * 1995-10-06 2001-05-29 Hitachi, Ltd. Optical measurement instrument for living body
US5814820A (en) * 1996-02-09 1998-09-29 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Pump probe cross correlation fluorescence frequency domain microscope and microscopy
DE19606453C2 (de) * 1996-02-21 1998-07-16 Wagner Int Verfahren und Vorrichtung zum photothermischen Prüfen von Werkstücken
DE19646947A1 (de) * 1996-11-13 1998-05-14 Karl Friedrich Prof Dr Renk Einrichtung zur Bestimmung des Absorptionsvermögens einer Probe

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5985908A (ja) * 1982-06-18 1984-05-18 サ−マ−ウエイブ・インコ−ポレ−テツド 熱波検出システムを用いた薄いフイルムの厚さ測定法及び深度プロフイル法
JPS5934138A (ja) * 1982-07-26 1984-02-24 サ−マ−ウエイブ・インコ−ポレ−テツド レーザープローブによる熱波検出方法
JPS59184806A (ja) * 1983-04-01 1984-10-20 サ−マ−ウエイブ・インコ−ポレ−テツド 薄膜の厚さ測定方法および装置
JPS62251640A (ja) * 1985-04-30 1987-11-02 サーマ―ウェイブ・インク サンプルの表面および表面下の特性を評価する装置及び方法
JPS6234040A (ja) * 1985-08-01 1987-02-14 サ−マ−ウエイブ・インク サンプルの表面および表面下の特性の評価
US5206710A (en) * 1990-11-02 1993-04-27 Jenoptik Jena Gmbh Method and apparatus for thermowave analysis
JPH0727746A (ja) * 1993-07-13 1995-01-31 Kobe Steel Ltd 光熱変位計測による試料評価方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006080556A1 (ja) * 2005-01-27 2006-08-03 Nippon Sheet Glass Company, Limited 検出方法、当該検出方法を用いたマイクロ化学システム、信号検出方法、熱レンズ分光分析システム、蛍光検出システム、信号検出装置、信号検出システム、信号検出プログラム、及び記憶媒体
JP2006234794A (ja) * 2005-01-27 2006-09-07 Nippon Sheet Glass Co Ltd 信号検出方法、熱レンズ分光分析システム、蛍光検出システム、信号検出装置、信号検出システム、信号検出プログラム、及び記憶媒体
JP2007071729A (ja) * 2005-09-07 2007-03-22 Nippon Sheet Glass Co Ltd 検出方法及び当該検出方法を用いたマイクロ化学システム
KR101910697B1 (ko) * 2011-11-07 2018-10-22 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 발열점 검출 방법 및 발열점 검출 장치
JP2016534344A (ja) * 2013-08-23 2016-11-04 ディーシージー システムズ、 インコーポレイテッドＤｃｇ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｉｎｃ． ホットスポット位置特定のためのロックインサーモグラフィ方法およびシステム
TWI563251B (en) * 2013-08-23 2016-12-21 Dcg Systems Inc Lit method and system for hot spot localization

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