JP2002521844A5 - - Google Patents

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】
モジュール・サブアセンブリであって、
平坦な表面と電磁放射に透過的な少なくとも１つのエッジ部分とを有する要素と、
前記平坦な表面と並置して配置され前記少なくとも１つのエッジ部分から離間している複数の能動回路デバイスと、
前記複数の能動回路デバイスの一部から伸長し、前記少なくとも１つのエッジ部分の外側のエッジで終端している符号化手段と、
を含むことを特徴とするモジュール・サブアセンブリ。
【請求項２】
三次元モジュール・アセンブリであって、
平坦な表面と電磁放射に透過的な少なくとも１つのエッジ部分とを有する複数の要素を備えており、
前記複数の要素と前記エッジ部分とは、一致して（in registry）スタック状に配置され、前記複数の要素は、それぞれが、前記平坦な表面と並置し前記少なくとも１つのエッジ部分から離間して配置されている複数の能動回路デバイスを有しており、更に、
前記複数の能動回路デバイスの一部から伸長し前記複数の要素のそれぞれの少なくとも１つのエッジ部分の外側エッジで終端する符号化手段を備えていることを特徴とする三次元モジュール・アセンブリ。
【請求項３】
大型のファイロリーフ（fillo-leaf）回路層技術モジュールを形成する方法であって、
（ａ）それぞれの中に複数の要素が配置された複数のウエハを作成するステップであって、それぞれの要素は平坦な表面と複数の情報伝送線路とを有しており、前記平坦な表面はこの表面と並置された複数の能動回路デバイスを備えており、前記複数の情報伝送線路は前記要素のエッジから前記表面の上を前記複数の能動回路デバイスの少なくとも一部まで伸長している、ステップと、
（ｃ）電磁放射に透過的なウィンドウを、前記要素のそれぞれのエッジ部分に画定するステップと、
（ｄ）前記ウエハの１つを共通の固定された基準に対してアライメントをとるステップと、
（ｅ）放射硬化性材料を、前記ウエハの１つの上と前記ウエハの前記１つの前記ウィンドウの上とに導くステップと、
（ｆ）前記ウエハの別の１つを前記基準に対してアライメントをとり、前記硬化性材料と前記ウエハの前記１つとの上にそれをスタックするステップと、
（ｇ）電磁放射を前記別の１つのウエハの前記ウィンドウを通過して投射させて、前記別の１つのウエハの前記ウィンドウと一致した前記硬化可能な材料を硬化させるステップと、
（ｈ）以上のステップをｎ回反復して、前記要素の前記エッジ部分にボンディングされたｎ個の前記ウエハからなるスタックを形成するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項４】
三次元的なパッケージング方法であって、
（ａ）集積回路の複数の層を相互にスタックするステップと、
（ｂ）集積回路の複数の層をその一端に沿って拘束して大型のファイロリーフ回路層モジュールを形成するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項５】
多層集積回路（ＩＣ）のための三次元パッケージであって、
その上に論理回路又はメモリ・アレイの形態の集積回路が配置されている、複数の可撓的又は硬質の半導体ＩＣ層と、
最小の数のワイヤリング・ラインを用いて前記複数のＩＣ回路層の選択された１つをアドレシングするＩＣチップ選択手段と、
を備えていることを特徴とする三次元パッケージ。
【請求項６】
多層集積回路（ＩＣ）のための三次元パッケージを製造する方法であって、
（ａ）それぞれの上に集積回路（ＩＣ）が形成されている複数の半導体ウエハを作成するステップであって、前記ＩＣは、それぞれが、すべての接続をそれに沿って終端させることができるエッジ領域と接着剤硬化性の放射が通過することができる放射透過性の領域とを有している、ステップと、
（ｂ）前記ウエハのそれぞれが２０ミクロン以下の厚さの回路層部分を有するまで前記ウエハを薄くするステップと、
（ｃ）放射によって硬化可能な接着剤を前記薄くされたウエハに適用するステップと、
（ｄ）前記薄くされたウエハのアライメントをとるステップと、
（ｅ）前記薄くされたウエハをスタックするステップと、
（ｆ）前記放射透過性の領域を通過して接着剤硬化性の放射を伝送し、前記適用された接着剤硬化性の放射を硬化させ、前記薄くされたウエハを前記放射透過性の領域に沿ってだけボンディングするステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項７】
多層ＩＣパッケージであって、
相互にスタックされ共通のエッジ表面に沿ってボンディングされた複数のＩＣ層と、
最小数の相互接続ラインを用い、最短の伝搬遅延で前記ＩＣのそれぞれをアドレシングする手段と、
を備えていることを特徴とする多層ＩＣパッケージ。
【請求項８】
複数の薄くされたウエハを処理し、スタックし、アライメントをとるマシンであって、前記薄くされたウエハは、それぞれが、その上に複数の集積回路（ＩＣ）が形成されており、前記ＩＣチップは、それぞれが、放射透過性のエッジ部分を有している、マシンにおいて、
前記薄くされたウエハの供給源から薄くされたウエハを１枚取得する手段と、
前記取得された薄くされたウエハを、所定の数のステーションの任意の１つの上の任意の（ｘ，ｙ）位置まで移動させる手段と、
放射硬化性の接着剤を前記取得された薄くされたウエハの底部表面の上に適用する手段と、
ボンディングされるウエハのスタック上に配置された薄くされたウエハの上に予め形成されたアライメント・マークを用いて、前記取得された薄くされたウエハのアライメントをとる手段であって、前記アライメントは、共通の基準システムを基準とすることにより、アライメント・エラーを回避している、手段と、
前記アライメントがとられた薄くされたウエハのスタックを通過して放射を伝達させ、前記薄くされたウエハの、前記ＩＣチップと関連する前記放射透過性のエッジ部分と空間的に一致する領域に適用された放射硬化性の接着剤を硬化させる手段と、
を備えていることを特徴とするマシン。
【請求項９】
複数の薄くされたウエハを処理し、スタックし、アライメントをとる方法であって、前記薄くされたウエハは、それぞれが、その上に複数の集積回路（ＩＣ）が形成されており、前記ＩＣチップは、それぞれが、放射透過性のエッジ部分を有している、方法において、
（ａ）前記薄くされたウエハの供給源から薄くされたウエハを１枚取得するステップと、
（ｂ）前記取得された薄くされたウエハを、所定の数のステーションの任意の１つの上の任意の（ｘ，ｙ）位置まで移動させるステップと、
（ｃ）放射硬化性の接着剤を前記取得された薄くされたウエハの底部表面の上に適用するステップと、
（ｄ）ボンディングされる薄くされたウエハのスタック上に配置された薄くされたウエハの上に予め形成されたアライメント・マークを用いて、前記取得された薄くされたウエハのアライメントをとるステップであって、前記アライメントは、共通の基準システムを基準とすることにより、アライメント・エラーを回避している、ステップと、
（ｅ）前記アライメントがとられた薄くされたウエハのスタックを通過して放射を伝達させ、前記薄くされたウエハの、前記スタックにおける前記薄くされたウエハ上の前記ＩＣチップと関連する前記放射透過性のエッジ部分と空間的に一致する領域に適用された放射硬化性の接着剤を硬化させるステップと、
を含むことを特徴とするマシン。
【請求項１０】
モジュール・サブアセンブリであって、
平坦な表面と電磁放射に透過的な少なくとも１つのエッジ部分とを有する要素と、
前記平坦な表面と並置して配置され前記少なくとも１つのエッジ部分から離間している複数の能動回路デバイスと、
を備えていることを特徴とするモジュール・サブアセンブリ。
【請求項１１】
請求項１０記載のモジュール・サブアセンブリにおいて、
前記複数の能動回路デバイスの一部から伸長し、前記少なくとも１つのエッジ部分の外側のエッジで終端している符号化手段を更に備えていることを特徴とするモジュール・サブアセンブリ。