JPH07168036A - 薄膜光導波路装置及びその製法 - Google Patents
薄膜光導波路装置及びその製法Info
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- JPH07168036A JPH07168036A JP31688293A JP31688293A JPH07168036A JP H07168036 A JPH07168036 A JP H07168036A JP 31688293 A JP31688293 A JP 31688293A JP 31688293 A JP31688293 A JP 31688293A JP H07168036 A JPH07168036 A JP H07168036A
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- Japan
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- optical waveguide
- linbo3
- thin film
- linbo
- substrate
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＬｉＮｂＯ3 を用いた薄膜光導波路装置の光
導波路の光損傷耐性を向上することを目的とする。 【構成】 ＬｉＮｂＯ3 のエピタキシャル成長可能な基
板１０上にＭｇ，Ｚｎ，Ｓｃの少なくとも１つがドープ
されたＬｉＮｂＯ3 のエピタキシャル成長層よりなる光
導波路１１が設けられたものである。
導波路の光損傷耐性を向上することを目的とする。 【構成】 ＬｉＮｂＯ3 のエピタキシャル成長可能な基
板１０上にＭｇ，Ｚｎ，Ｓｃの少なくとも１つがドープ
されたＬｉＮｂＯ3 のエピタキシャル成長層よりなる光
導波路１１が設けられたものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光スイッチ、光変調器等
に使用して好適な薄膜光導波路装置及びその製法に関す
る。
に使用して好適な薄膜光導波路装置及びその製法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
光スイッチ、光変調器等の各種デバイスに電気光学定
数、非線形光学定数等に優れたＬｉＮｂＯ3 を用いた薄
膜光導波路装置が使用される方向にある。
光スイッチ、光変調器等の各種デバイスに電気光学定
数、非線形光学定数等に優れたＬｉＮｂＯ3 を用いた薄
膜光導波路装置が使用される方向にある。
【０００３】このＬｉＮｂＯ3 を用いた光導波路装置と
して、ＬｉＮｂＯ3 基板の所定位置に屈折率を上げる金
属例えばＴｉを拡散して、Ｔｉ拡散の３次元の光導波路
を形成するものが提案されている。
して、ＬｉＮｂＯ3 基板の所定位置に屈折率を上げる金
属例えばＴｉを拡散して、Ｔｉ拡散の３次元の光導波路
を形成するものが提案されている。
【０００４】然しながらこのＴｉ拡散の光導波路は、不
純物であるＴｉの導入によって光損傷が大きくなるとい
う問題がある。つまり、このＴｉ拡散の光導波路ではこ
の光導波路に強い光を導入した場合、その屈折率が変化
し、デバイス特性を低下させる。この光損傷は波長が短
くなる程大で、可視光において例えば青色光のような短
波長光に対する光導波路としての利用が難しい不都合が
あった。
純物であるＴｉの導入によって光損傷が大きくなるとい
う問題がある。つまり、このＴｉ拡散の光導波路ではこ
の光導波路に強い光を導入した場合、その屈折率が変化
し、デバイス特性を低下させる。この光損傷は波長が短
くなる程大で、可視光において例えば青色光のような短
波長光に対する光導波路としての利用が難しい不都合が
あった。
【０００５】また、ＬｉＮｂＯ3 基板の表層のＬｉ+ を
Ｈ+ で交換することで屈折率を上げ光導波路を形成する
方法も提案されている。上述方法によれば、光損傷に対
しては強い耐性を示すものの、非線形光学定数、電気光
学定数が大幅に低下するためデバイスのパフォーマンス
が制限され好ましくない。
Ｈ+ で交換することで屈折率を上げ光導波路を形成する
方法も提案されている。上述方法によれば、光損傷に対
しては強い耐性を示すものの、非線形光学定数、電気光
学定数が大幅に低下するためデバイスのパフォーマンス
が制限され好ましくない。
【０００６】また、上述２つの方法とも、拡散プロセス
によっているため導波路の幅と深さとを独立に制御でき
ない。また、屈折率の深さ方向への分布が連続的なもの
になってしまう。これらは、設計、製造上の自由度を制
約するものである。
によっているため導波路の幅と深さとを独立に制御でき
ない。また、屈折率の深さ方向への分布が連続的なもの
になってしまう。これらは、設計、製造上の自由度を制
約するものである。
【０００７】本発明は斯る点に鑑みＬｉＮｂＯ3 を用い
た薄膜光導波路装置の光導波路の光損傷耐性をＬｉＮｂ
Ｏ3 本来の特性（非線形性等）を保持したまま向上する
ことを目的とする。
た薄膜光導波路装置の光導波路の光損傷耐性をＬｉＮｂ
Ｏ3 本来の特性（非線形性等）を保持したまま向上する
ことを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明薄膜光導波路装置
は例えば図１に示す如く、ＬｉＮｂＯ3 のエピタキシャ
ル成長可能な基板１０上にＭｇ，Ｚｎ，Ｓｃの少なくと
も１つがドープされたＬｉＮｂＯ3 のエピタキシャル成
長層よりなる光導波路１１が設けられたものである。
は例えば図１に示す如く、ＬｉＮｂＯ3 のエピタキシャ
ル成長可能な基板１０上にＭｇ，Ｚｎ，Ｓｃの少なくと
も１つがドープされたＬｉＮｂＯ3 のエピタキシャル成
長層よりなる光導波路１１が設けられたものである。
【０００９】また本発明薄膜光導波路装置の製法は例え
ば図１に示す如く、ＬｉＮｂＯ3 をエピタキシャル成長
させ得る基板１０上にＬｉ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 フラックスに
よる液相エピタキシャル成長により、Ｍｇ，Ｚｎ，Ｓｃ
の少なくとも１つをドープしたＬｉＮｂＯ3 よりなる光
導波路を形成するようにしたものである。
ば図１に示す如く、ＬｉＮｂＯ3 をエピタキシャル成長
させ得る基板１０上にＬｉ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 フラックスに
よる液相エピタキシャル成長により、Ｍｇ，Ｚｎ，Ｓｃ
の少なくとも１つをドープしたＬｉＮｂＯ3 よりなる光
導波路を形成するようにしたものである。
【００１０】
【作用】本発明によればＬｉＮｂＯ3 をエピタキシャル
成長させ得る基板１０上にＬｉ 2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 フラック
スによる液相エピタキシャル成長によりＭｇ，Ｚｎ，Ｓ
ｃの少なくとも１つをドープしたＬｉＮｂＯ3 よりなる
光導波路１１としているので、面内散乱法による評価の
結果全パワー領域（０〜１００ｍＷ）におけるパターン
の広がりは全く観測されず光損傷耐性が顕著に改善され
ることが確認された。
成長させ得る基板１０上にＬｉ 2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 フラック
スによる液相エピタキシャル成長によりＭｇ，Ｚｎ，Ｓ
ｃの少なくとも１つをドープしたＬｉＮｂＯ3 よりなる
光導波路１１としているので、面内散乱法による評価の
結果全パワー領域（０〜１００ｍＷ）におけるパターン
の広がりは全く観測されず光損傷耐性が顕著に改善され
ることが確認された。
【００１１】
【実施例】以下図面を参照して本発明薄膜光導波路装置
及びその製法の実施例につき説明しよう。図１におい
て、１０はＬｉＮｂＯ3 の液相エピタキシャル成長可能
な、５ｍｏｌ％ＭｇＯドープコングルエントＬｉＮｂＯ
3 基板を示し、このＭｇＯドープコングルエントＬｉＮ
ｂＯ3 基板１０上にメルトの出発組成がＬｉ2 Ｏ５０ｍ
ｏｌ％，Ｎｂ2 Ｏ5 １０ｍｏｌ％，Ｂ2 Ｏ3 ４０ｍｏｌ
％とし、このメルト中に６ｍｏｌ％のＭｇＯを添加した
メルトを用い即ちＬｉ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 フラックスを用い
て液相エピタキシャル成長法（ＬＰＥ法）により、Ｍｇ
がドープされたＬｉＮｂＯ3 の液相エピタキシャル成長
層よりなる光導波路１１を形成する。
及びその製法の実施例につき説明しよう。図１におい
て、１０はＬｉＮｂＯ3 の液相エピタキシャル成長可能
な、５ｍｏｌ％ＭｇＯドープコングルエントＬｉＮｂＯ
3 基板を示し、このＭｇＯドープコングルエントＬｉＮ
ｂＯ3 基板１０上にメルトの出発組成がＬｉ2 Ｏ５０ｍ
ｏｌ％，Ｎｂ2 Ｏ5 １０ｍｏｌ％，Ｂ2 Ｏ3 ４０ｍｏｌ
％とし、このメルト中に６ｍｏｌ％のＭｇＯを添加した
メルトを用い即ちＬｉ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 フラックスを用い
て液相エピタキシャル成長法（ＬＰＥ法）により、Ｍｇ
がドープされたＬｉＮｂＯ3 の液相エピタキシャル成長
層よりなる光導波路１１を形成する。
【００１２】斯る本例による薄膜光導波路装置の光損傷
耐性の評価を行うに、この光損傷耐性の評価は導波光
（波長５１４ｎｍ）が薄膜光導波路１１内で屈折率変化
によって散乱される度合を指標とした。この場合２次元
光導波路１１から出射されるパターンの幅が広いほどダ
メージの程度が大きいことを意味する。
耐性の評価を行うに、この光損傷耐性の評価は導波光
（波長５１４ｎｍ）が薄膜光導波路１１内で屈折率変化
によって散乱される度合を指標とした。この場合２次元
光導波路１１から出射されるパターンの幅が広いほどダ
メージの程度が大きいことを意味する。
【００１３】図２，図３はこのパターン幅の入力パワー
依存性を示す。本例による薄膜光導波路装置の、この特
性は図２，図３に曲線２０で示す如く、全パワー領域に
おいて、パターンの広がりは全く観測されず、光損傷耐
性が顕著に改善されていることがわかる。
依存性を示す。本例による薄膜光導波路装置の、この特
性は図２，図３に曲線２０で示す如く、全パワー領域に
おいて、パターンの広がりは全く観測されず、光損傷耐
性が顕著に改善されていることがわかる。
【００１４】因みに図２の曲線２２は従来同様にＬｉＮ
ｂＯ3 基板上にＴｉ拡散により、光導波路を形成したと
きの特性であり、入力パワーが大きくなるにつれ、パタ
ーンの幅が広がり、ダメージが大きくなる不都合があ
る。
ｂＯ3 基板上にＴｉ拡散により、光導波路を形成したと
きの特性であり、入力パワーが大きくなるにつれ、パタ
ーンの幅が広がり、ダメージが大きくなる不都合があ
る。
【００１５】また図３の曲線２３はＭｇＯドープＬｉＮ
ｂＯ3 基板上にＬｉ2 Ｏ−Ｖ2 Ｏ5フラックスを用い
て、液相エピタキシャル成長によりＬｉＮｂＯ3 の光導
波路を形成したときの特性であり、入力パワーが１０-2
ｍＷ近傍でパターンの幅が大きく広がっている、すなわ
ち大きなダメージが生じているという不都合がある。
ｂＯ3 基板上にＬｉ2 Ｏ−Ｖ2 Ｏ5フラックスを用い
て、液相エピタキシャル成長によりＬｉＮｂＯ3 の光導
波路を形成したときの特性であり、入力パワーが１０-2
ｍＷ近傍でパターンの幅が大きく広がっている、すなわ
ち大きなダメージが生じているという不都合がある。
【００１６】また図２，図３の曲線２１はＭｇＯドープ
ＬｉＮｂＯ3 基板上にＬｉ2 Ｏ−Ｂ 2 Ｏ3 フラックスを
用いて、液相エピタキシャル成長によりＬｉＮｂＯ3 の
光導波路を形成したときの特性であり、曲線２３のＬｉ
2 Ｏ−Ｖ2 Ｏ5 フラックスを用いて液相エピタキシャル
成長によりＬｉＮｂＯ3 の光導波路を形成したときの特
性に比較し、光損傷耐性が向上している。
ＬｉＮｂＯ3 基板上にＬｉ2 Ｏ−Ｂ 2 Ｏ3 フラックスを
用いて、液相エピタキシャル成長によりＬｉＮｂＯ3 の
光導波路を形成したときの特性であり、曲線２３のＬｉ
2 Ｏ−Ｖ2 Ｏ5 フラックスを用いて液相エピタキシャル
成長によりＬｉＮｂＯ3 の光導波路を形成したときの特
性に比較し、光損傷耐性が向上している。
【００１７】上述実施例では光導波路１１をＭｇがドー
プされたＬｉＮｂＯ3 の液相エピタキシャル成長層で構
成したが、このドープする元素はＺｎ，Ｓｃでもよい。
これはＯｐｔ，Ｌｅｔｔ １５，９９６（１９９０），
Ｊ．Ｃｒｙｓｔ．Ｇｒｏｗｔｈ １２８，９２０（１９
９３）でのバルク結晶における検討結果によれば、この
Ｚｎ，Ｓｃの添加によってもＭｇの添加と同様な効果が
期待されることによる。
プされたＬｉＮｂＯ3 の液相エピタキシャル成長層で構
成したが、このドープする元素はＺｎ，Ｓｃでもよい。
これはＯｐｔ，Ｌｅｔｔ １５，９９６（１９９０），
Ｊ．Ｃｒｙｓｔ．Ｇｒｏｗｔｈ １２８，９２０（１９
９３）でのバルク結晶における検討結果によれば、この
Ｚｎ，Ｓｃの添加によってもＭｇの添加と同様な効果が
期待されることによる。
【００１８】これらＭｇ，Ｚｎ，Ｓｃの薄膜光導波路１
１中での含有量は０．０５〜２０ｍｏｌ％，典型的には
０．１〜７ｍｏｌ％である。この含有量が２０ｍｏｌ％
以上とするときには液相エピタキシャル成長が困難とな
り、またこの含有量が０．０５ｍｏｌ％未満ではほとん
ど効果が得られないことによる。
１中での含有量は０．０５〜２０ｍｏｌ％，典型的には
０．１〜７ｍｏｌ％である。この含有量が２０ｍｏｌ％
以上とするときには液相エピタキシャル成長が困難とな
り、またこの含有量が０．０５ｍｏｌ％未満ではほとん
ど効果が得られないことによる。
【００１９】この薄膜光導波路１１中のＭｇ，Ｚｎ，Ｓ
ｃの含有量の制御はメルト中に添加するＭｇ，Ｚｎ，Ｓ
ｃの量により行うことができる。即ち、メルトの出発組
成を、Ｌｉ2 Ｏ５０ｍｏｌ％，Ｎｂ2 Ｏ5 １０ｍｏｌ
％，Ｂ2 Ｏ3 ４０ｍｏｌ％とし、ここに１〜２０ｍｏｌ
％の組成範囲でＭｇＯ，ＺｎＯの添加量を変化させて、
５ｍｏｌ％ＭｇＯドープコングルエントＬｉＮｂＯ3 基
板上にエピタキシャル成長させた。
ｃの含有量の制御はメルト中に添加するＭｇ，Ｚｎ，Ｓ
ｃの量により行うことができる。即ち、メルトの出発組
成を、Ｌｉ2 Ｏ５０ｍｏｌ％，Ｎｂ2 Ｏ5 １０ｍｏｌ
％，Ｂ2 Ｏ3 ４０ｍｏｌ％とし、ここに１〜２０ｍｏｌ
％の組成範囲でＭｇＯ，ＺｎＯの添加量を変化させて、
５ｍｏｌ％ＭｇＯドープコングルエントＬｉＮｂＯ3 基
板上にエピタキシャル成長させた。
【００２０】この成長した薄膜中のＭｇ，Ｚｎの量をＥ
ＰＭＡ（Ｘ線マイクロアナライザ）によって定量化した
結果を図４に示す。この図４よりメルト中の添加元素量
に対する薄膜中の添加元素量の比（偏析係数）はＭｇの
場合約０．３であり、Ｚｎの場合約０．１５であること
が見て取れ、この結果に基づいて薄膜中の添加元素量を
制御することができる。
ＰＭＡ（Ｘ線マイクロアナライザ）によって定量化した
結果を図４に示す。この図４よりメルト中の添加元素量
に対する薄膜中の添加元素量の比（偏析係数）はＭｇの
場合約０．３であり、Ｚｎの場合約０．１５であること
が見て取れ、この結果に基づいて薄膜中の添加元素量を
制御することができる。
【００２１】以上述べた如く、Ｌｉ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 フラ
ックスを用い、しかもＭｇ，Ｚｎ，Ｓｃの不純物のうち
の１種又は複数種が適当量薄膜光導波路１１中に含有さ
れるように調合されたメルトを用いた液相エピタキシャ
ル成長法によって、ＬｉＮｂＯ3 本来の物性値を有し、
しかも高い光損傷耐性を持つ、理想的なＬｉＮｂＯ3を
用いた薄膜光導波路装置を得ることができる。
ックスを用い、しかもＭｇ，Ｚｎ，Ｓｃの不純物のうち
の１種又は複数種が適当量薄膜光導波路１１中に含有さ
れるように調合されたメルトを用いた液相エピタキシャ
ル成長法によって、ＬｉＮｂＯ3 本来の物性値を有し、
しかも高い光損傷耐性を持つ、理想的なＬｉＮｂＯ3を
用いた薄膜光導波路装置を得ることができる。
【００２２】本例によれば液相エピタキシャル成長プロ
セスにより光導波路１１を得るため、この光導波路１１
の幅と深さとを独立に制御ができ、しかも界面の屈折率
分布がステップ状であることにより設計における自由度
が大きく、かつシンプルである。
セスにより光導波路１１を得るため、この光導波路１１
の幅と深さとを独立に制御ができ、しかも界面の屈折率
分布がステップ状であることにより設計における自由度
が大きく、かつシンプルである。
【００２３】また本例によれば材料の非線形性、光損傷
耐性等の光デバイスを作製する上で重要な物性値を劣化
させる不純物を含んでおらず、ＬｉＮｂＯ3 本来の特性
を引き出せる。
耐性等の光デバイスを作製する上で重要な物性値を劣化
させる不純物を含んでおらず、ＬｉＮｂＯ3 本来の特性
を引き出せる。
【００２４】また本例によれば光損傷耐性が強く、広い
光パワー領域にわたってデバイスを安定に動作させるこ
とができる利益がある。更に本例の薄膜光導波路１１の
形成は、１〜２μｍ／ｍｉｎと高速プロセスである液相
エピタキシャル成長プロセスによるので量産に適してい
る。
光パワー領域にわたってデバイスを安定に動作させるこ
とができる利益がある。更に本例の薄膜光導波路１１の
形成は、１〜２μｍ／ｍｉｎと高速プロセスである液相
エピタキシャル成長プロセスによるので量産に適してい
る。
【００２５】尚、上述実施例においてはＬｉＮｂＯ3 の
エピタキシャル成長可能な基板１０として５ｍｏｌ％Ｍ
ｇＯドープコングルエントＬｉＮｂＯ3 基板を使用した
例につき述べたが、この代わりにその他のＭｇＯドープ
ＬｉＮｂＯ3 基板、ＬｉＴａＯ3 基板等その他のＬｉＮ
ｂＯ3 のエピタキシャル成長可能な基板が使用できるこ
とは勿論である。
エピタキシャル成長可能な基板１０として５ｍｏｌ％Ｍ
ｇＯドープコングルエントＬｉＮｂＯ3 基板を使用した
例につき述べたが、この代わりにその他のＭｇＯドープ
ＬｉＮｂＯ3 基板、ＬｉＴａＯ3 基板等その他のＬｉＮ
ｂＯ3 のエピタキシャル成長可能な基板が使用できるこ
とは勿論である。
【００２６】また本発明は上述実施例に限ることなく本
発明の要旨を逸脱することなく、その他種々の構成が採
り得ることは勿論である。
発明の要旨を逸脱することなく、その他種々の構成が採
り得ることは勿論である。
【００２７】
【発明の効果】本発明によればＬｉＮｂＯ3 本来の物性
値を有し、しかも高い光損傷耐性を持つ理想的なＬｉＮ
ｂＯ3 を用いた薄膜光導波路装置を得ることができる利
益がある。
値を有し、しかも高い光損傷耐性を持つ理想的なＬｉＮ
ｂＯ3 を用いた薄膜光導波路装置を得ることができる利
益がある。
【００２８】また本発明によれば液相エピタキシャル成
長プロセスにより薄膜光導波路を得るため、この薄膜光
導波路の幅と深さとを独立に制御ができ、しかも界面の
屈折率分布がステップ状であることにより設計における
自由度が大きくかつシンプルである利益がある。
長プロセスにより薄膜光導波路を得るため、この薄膜光
導波路の幅と深さとを独立に制御ができ、しかも界面の
屈折率分布がステップ状であることにより設計における
自由度が大きくかつシンプルである利益がある。
【００２９】また本発明による薄膜光導波路の形成は１
〜２μｍ／ｍｉｎと高速プロセスである液相エピタキシ
ャル成長プロセスによるので量産に適している利益があ
る。
〜２μｍ／ｍｉｎと高速プロセスである液相エピタキシ
ャル成長プロセスによるので量産に適している利益があ
る。
【図１】本発明薄膜光導波路装置の実施例を示す斜視図
である。
である。
【図２】本発明の説明に供する線図である。
【図３】本発明の説明に供する線図である。
【図４】ドープ量の制御の説明に供する線図である。
１０ 基板 １１ 薄膜光導波路 １２ クラッド層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０２Ｂ 6/12 Ａ
Claims (2)
- 【請求項１】 ＬｉＮｂＯ3 のエピタキシャル成長可能
な基板上にＭｇ，Ｚｎ，Ｓｃの少なくとも１つがドープ
されたＬｉＮｂＯ3 のエピタキシャル成長層よりなる光
導波路が設けられたことを特徴とする薄膜光導波路装
置。 - 【請求項２】 ＬｉＮｂＯ3 をエピタキシャル成長させ
得る基板上にＬｉ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 フラックスによる液相
エピタキシャル成長により、Ｍｇ，Ｚｎ，Ｓｃの少なく
とも１つをドープしたＬｉＮｂＯ3 よりなる光導波路を
形成することを特徴とする薄膜光導波路装置の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31688293A JPH07168036A (ja) | 1993-12-16 | 1993-12-16 | 薄膜光導波路装置及びその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31688293A JPH07168036A (ja) | 1993-12-16 | 1993-12-16 | 薄膜光導波路装置及びその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07168036A true JPH07168036A (ja) | 1995-07-04 |
Family
ID=18081968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31688293A Pending JPH07168036A (ja) | 1993-12-16 | 1993-12-16 | 薄膜光導波路装置及びその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07168036A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1135802A1 (en) * | 1998-07-27 | 2001-09-26 | Reveo, Inc. | Three-dimensional packaging technology for multi-layered integrated circuits |
| CN111722318A (zh) * | 2020-06-29 | 2020-09-29 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种基于内扩散和离子注入的铌酸锂波导制备方法 |
-
1993
- 1993-12-16 JP JP31688293A patent/JPH07168036A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1135802A1 (en) * | 1998-07-27 | 2001-09-26 | Reveo, Inc. | Three-dimensional packaging technology for multi-layered integrated circuits |
| EP1135802A4 (en) * | 1998-07-27 | 2004-08-25 | Reveo Inc | THREE-DIMENSIONAL ASSEMBLY FOR MULTI-LAYERED INTEGRATED CIRCUITS |
| CN111722318A (zh) * | 2020-06-29 | 2020-09-29 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种基于内扩散和离子注入的铌酸锂波导制备方法 |
| CN111722318B (zh) * | 2020-06-29 | 2021-12-03 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种基于内扩散和离子注入的铌酸锂波导制备方法 |
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