JP2002517611A - 表面上に光学的性質を有する耐摩耗層系を施与する方法 - Google Patents
表面上に光学的性質を有する耐摩耗層系を施与する方法Info
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Abstract
(57)【要約】
ＰＥＣＶＤ法により析出される耐摩耗性マトリックスからなり、ＰＶＤプロセスにより封入されるパケットまたは中間層の形の光学的機能を示す封入物を有する、光学的性質を有する耐摩耗性層を施与する方法が提案されている。この場合、封入の化学は、ＰＥＣＶＤ析出のプロセスガスの封入および／またはマトリックス層によって影響を及ぼされる。殊に、ＰＥＣＶＤプロセスとしてのプラズマ重合および封入物を析出するためのスパッタリングは、有利であることが判明した。１つの好ましい実施態様において、プラスチックのＵＶ保護層中での光学的機能は、光のＵＶ含分の散乱、吸収または反射によって存在する。
Description
【０００１】 本発明は、独立請求項の概念に記載された、光学的性質を有する耐磨耗性多層
系を表面上に施与する方法に関する。
系を表面上に施与する方法に関する。
【０００２】 背景技術 種々の技術、例えばレーザー重合、反応性スパッタリングまたは電気メッキを
用いて層を基板上に施与することは、公知である。米国特許第４８３０８７３号
明細書には、薄手の透明層を光学的素子の表面上に珪素出発化合物のプラズマ重
合によって施与することが記載されている。その際に生成されるポリシロキサン
層は、極めて硬質であり、透明である。米国特許第４６１９８６５号明細書には
、耐磨耗性層、殊に多層耐磨耗性層をマグネトロンスパッタリングにより施与す
る方法が記載されている。この場合、全ての層は、異なる硬度または耐磨耗性を
有する。この多層の場合には、種々の層特性が互いに組み合わされていてもよく
、例えば１つの層は、水蒸気に対する拡散遮断層として作用し、第２の層は、極
めて硬質であり、かつ第３の層は、例えば電気絶縁されていてよい。
用いて層を基板上に施与することは、公知である。米国特許第４８３０８７３号
明細書には、薄手の透明層を光学的素子の表面上に珪素出発化合物のプラズマ重
合によって施与することが記載されている。その際に生成されるポリシロキサン
層は、極めて硬質であり、透明である。米国特許第４６１９８６５号明細書には
、耐磨耗性層、殊に多層耐磨耗性層をマグネトロンスパッタリングにより施与す
る方法が記載されている。この場合、全ての層は、異なる硬度または耐磨耗性を
有する。この多層の場合には、種々の層特性が互いに組み合わされていてもよく
、例えば１つの層は、水蒸気に対する拡散遮断層として作用し、第２の層は、極
めて硬質であり、かつ第３の層は、例えば電気絶縁されていてよい。
【０００３】 しかし、これまで別の基板を鋼、セラミックまたはガラス、殊にプラスチック
として十分に耐磨耗性に構成することは、満足に解決されていなかった。例えば
、プラスチックを機械的に負荷する場合には、例えばプラスチック部材に耐磨耗
性の被膜を設けなければならなかった。この目的のために、耐引掻性の保護ラッ
カー層の施与と共に、プラズマ重合により、例えば耐磨耗性のポリシロキサン層
を施こしてもよいことは、公知である。しかし、しばしば、最も上のプラスチッ
ク層が戸外の気候で分解せず、ひいては耐磨耗性の付着力が劣化しないようにす
るために、使用される基板、例えばポリカーボネートに基づいて、耐磨耗性層を
適当な添加剤によりＵＶ耐性に構成することが必要とされる。このことを回避す
るために、例えばラッカーの硬化後に基板を光の作用から保護するＵＶ吸収剤が
ラッカー中に溶解される。ラッカーは、長時間に亘って耐磨耗性というわけでは
ない。
として十分に耐磨耗性に構成することは、満足に解決されていなかった。例えば
、プラスチックを機械的に負荷する場合には、例えばプラスチック部材に耐磨耗
性の被膜を設けなければならなかった。この目的のために、耐引掻性の保護ラッ
カー層の施与と共に、プラズマ重合により、例えば耐磨耗性のポリシロキサン層
を施こしてもよいことは、公知である。しかし、しばしば、最も上のプラスチッ
ク層が戸外の気候で分解せず、ひいては耐磨耗性の付着力が劣化しないようにす
るために、使用される基板、例えばポリカーボネートに基づいて、耐磨耗性層を
適当な添加剤によりＵＶ耐性に構成することが必要とされる。このことを回避す
るために、例えばラッカーの硬化後に基板を光の作用から保護するＵＶ吸収剤が
ラッカー中に溶解される。ラッカーは、長時間に亘って耐磨耗性というわけでは
ない。
【０００４】 従って、光学的性質、殊にＵＶ特性、例えばＵＶ線に対する安定性および吸収
または反射を有する単層または多層を高い耐磨耗性をもって基板上、殊に屋外暴
露の際に退化しうる基板、例えばプラスチック構成部材上で組み合わせることが
できる方法を開発するという課題が課された。
または反射を有する単層または多層を高い耐磨耗性をもって基板上、殊に屋外暴
露の際に退化しうる基板、例えばプラスチック構成部材上で組み合わせることが
できる方法を開発するという課題が課された。
【０００５】 本発明の利点 本発明によれば、光学的性質、殊に良好なＵＶ保護機能を有する保護層を表面
上に少なくとも２つの異なる析出工程により施与する方法が使用される。１つの
工程は、プラズマＣＶＤ法から構成されており、少なくとも１つの別の工程は、
ＰＶＤ技術を用いての物質の析出から構成されている。この方法を真空受け入れ
の点で組み合わせることによって、被覆時間はさらに減少させることができ、こ
のことは、付加的な費用の低下をもたらしうる。耐磨耗性層の析出は、好ましく
はプラズマ重合により実現される。これは、蒸発可能な化合物、例えば脂肪族−
芳香族またはオレフィン系炭化水素化合物、好ましくはメタン、エタン、エチレ
ンまたはアセチレンを使用する被覆法である。特に、元素の窒素、炭素および水
素からなるかまたは付加的な窒素および／または酸素を一緒に有する珪素有機化
合物、特に好ましくはテトラメチルシラン（ＴＭＳ）、ヘキサメチルジシラン（
ＨＭＤＳ）、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ（Ｎ））、テトラオルトシリケ
ート（ＴＥＯＳ）、ジメチルジエトキシシラン（ＤＭＤＥＯＳ）、メチルトリメ
トキシシラン（ＭＴＭＯＳ）、テトラメチルジシロキサン（ＴＭＤＳ（Ｏ））、
ジビニルテトラメチルジシロキサン（ＶＳＩ２）、特に有利にヘキサメチルジシ
ロキサン（ＨＭＤＳ（Ｏ））を使用することは好ましい。これらの”モノマー”
の中、多くは古典的な化学的方法で重合させることができないが、これらのモノ
マーには、さらに蒸発可能な添加剤、例えば金属有機化合物、例えばテトラエチ
ルオルトチタネート（ＴＥＯＴ）、テトライソプロピルオルトチタネート（ＴＩ
ＰＯＴ）またはテトラキスジメチルアミノチタネートが混入されてよい。
上に少なくとも２つの異なる析出工程により施与する方法が使用される。１つの
工程は、プラズマＣＶＤ法から構成されており、少なくとも１つの別の工程は、
ＰＶＤ技術を用いての物質の析出から構成されている。この方法を真空受け入れ
の点で組み合わせることによって、被覆時間はさらに減少させることができ、こ
のことは、付加的な費用の低下をもたらしうる。耐磨耗性層の析出は、好ましく
はプラズマ重合により実現される。これは、蒸発可能な化合物、例えば脂肪族−
芳香族またはオレフィン系炭化水素化合物、好ましくはメタン、エタン、エチレ
ンまたはアセチレンを使用する被覆法である。特に、元素の窒素、炭素および水
素からなるかまたは付加的な窒素および／または酸素を一緒に有する珪素有機化
合物、特に好ましくはテトラメチルシラン（ＴＭＳ）、ヘキサメチルジシラン（
ＨＭＤＳ）、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ（Ｎ））、テトラオルトシリケ
ート（ＴＥＯＳ）、ジメチルジエトキシシラン（ＤＭＤＥＯＳ）、メチルトリメ
トキシシラン（ＭＴＭＯＳ）、テトラメチルジシロキサン（ＴＭＤＳ（Ｏ））、
ジビニルテトラメチルジシロキサン（ＶＳＩ２）、特に有利にヘキサメチルジシ
ロキサン（ＨＭＤＳ（Ｏ））を使用することは好ましい。これらの”モノマー”
の中、多くは古典的な化学的方法で重合させることができないが、これらのモノ
マーには、さらに蒸発可能な添加剤、例えば金属有機化合物、例えばテトラエチ
ルオルトチタネート（ＴＥＯＴ）、テトライソプロピルオルトチタネート（ＴＩ
ＰＯＴ）またはテトラキスジメチルアミノチタネートが混入されてよい。
【０００６】 また、別の好ましい実施態様においては、ハロゲン化添加剤、例えばテトラフ
ルオルメタン、クロロホルムまたはフレオンが使用されてもよい。ところで、モ
ノマー／添加剤混合物は、受器中で、蒸気のプラズマが発火しうる電界に晒され
る。この場合、蒸気の分子は、活性化され、イオンおよびラジカルに断片化され
る。この高反応性の断片は、支持体表面上で縮合され、新規の極めて緻密なモノ
マー網状構造を構成する。電界に必要とされる電極が絶縁層で絶縁絶縁されるこ
と、このことは特に珪素含有蒸気を使用する場合に起こりうるのであるが、この
ことを阻止するために、５０ｋＨｚ〜２．４５ＧＨｚ、有利に４００ＫＨｚ〜２
．４５ＧＨｚの周波数範囲内の高周波電界を用いてプラズマを供給することが望
ましい。高い析出速度のために、高周波の入射（１３．５６ＭＨｚ）またはマイ
クロ波の入射（２．４５ＧＨｚ）を使用することは特に好ましい。マイクロ波プ
ラズマは、電界補助部を用いてかまたは用いずにパルス化してかまたはパルス化
せずに運転されることができる。パルス周波数は、数ヘルツないし１０ＫＨｚの
間、好ましくは５０Ｈｚ〜２ＫＨｚの範囲内にあり、この場合パルス時間と休止
時間との割合は、自由に調節することができる。
ルオルメタン、クロロホルムまたはフレオンが使用されてもよい。ところで、モ
ノマー／添加剤混合物は、受器中で、蒸気のプラズマが発火しうる電界に晒され
る。この場合、蒸気の分子は、活性化され、イオンおよびラジカルに断片化され
る。この高反応性の断片は、支持体表面上で縮合され、新規の極めて緻密なモノ
マー網状構造を構成する。電界に必要とされる電極が絶縁層で絶縁絶縁されるこ
と、このことは特に珪素含有蒸気を使用する場合に起こりうるのであるが、この
ことを阻止するために、５０ｋＨｚ〜２．４５ＧＨｚ、有利に４００ＫＨｚ〜２
．４５ＧＨｚの周波数範囲内の高周波電界を用いてプラズマを供給することが望
ましい。高い析出速度のために、高周波の入射（１３．５６ＭＨｚ）またはマイ
クロ波の入射（２．４５ＧＨｚ）を使用することは特に好ましい。マイクロ波プ
ラズマは、電界補助部を用いてかまたは用いずにパルス化してかまたはパルス化
せずに運転されることができる。パルス周波数は、数ヘルツないし１０ＫＨｚの
間、好ましくは５０Ｈｚ〜２ＫＨｚの範囲内にあり、この場合パルス時間と休止
時間との割合は、自由に調節することができる。
【０００７】 １つの好ましい実施態様において、マイクロ波プラズマの場合にプラズマと析
出範囲との空間的隔たりによって、化学的構造および析出された層の化学量論学
的割合は、自由に調節することができる。それというのも、モノマー分子の断片
化は、注意深くかつ良好に制御されて進行するからである。
出範囲との空間的隔たりによって、化学的構造および析出された層の化学量論学
的割合は、自由に調節することができる。それというのも、モノマー分子の断片
化は、注意深くかつ良好に制御されて進行するからである。
【０００８】 これは、実施形式において所謂”遠隔装置”によって達成されることができ、
この場合希ガスおよび／または被覆しないガス（所謂反応性ガス、例えば酸素、
窒素、水素、アンモニア、笑気、ハロゲン）は、源および／または源付近で活性
化され、断片化され、相応して導かれるガス流によって基板の方向に到る。そこ
で最初に、活性化された反応性ガスは、モノマーガスに衝突し、それによってこ
の反応性ガスは、その側で活性化され、断片化される。更に、この装置の利点は
、なかんずくマイクロ波吸収性材料、例えばプラスチックの場合に熱負荷を良好
に制御することにある。それというのも、源、ひいては最大のプラズマ密度は、
基板から遙かに隔たっているからである。
この場合希ガスおよび／または被覆しないガス（所謂反応性ガス、例えば酸素、
窒素、水素、アンモニア、笑気、ハロゲン）は、源および／または源付近で活性
化され、断片化され、相応して導かれるガス流によって基板の方向に到る。そこ
で最初に、活性化された反応性ガスは、モノマーガスに衝突し、それによってこ
の反応性ガスは、その側で活性化され、断片化される。更に、この装置の利点は
、なかんずくマイクロ波吸収性材料、例えばプラスチックの場合に熱負荷を良好
に制御することにある。それというのも、源、ひいては最大のプラズマ密度は、
基板から遙かに隔たっているからである。
【０００９】 更に、本方法の好ましい実施態様において、基板の加熱および／またはイオン
射撃によって析出されるポリマー網状構造は、付加的に緊密にすることができる
。付加的な加熱は、感温性物質、殊にプラスチック材料の場合に限界を有してい
るので、網状構造に関与する原子の最大結合飽和の方向で網状構造中での結合の
緊密化、即ち新規の配置を比較的に僅かな熱搬入と組み合わせることができる場
合には、イオン射撃は好ましい。殊に、基板の後方に取り付けられた電極上での
基板に接する初期圧（バイアス）の使用は、極めて好ましいことが判明した。そ
れによって、イオンは、直接に基板上に引き寄せられうる。この場合には、パル
ス化されたバイアス電圧およびパルス化されていないバイアス電圧を使用するこ
とができる。パルスの場合には、５ＫＨｚ〜２７ＭＨｚ、殊に１０ＫＨｚ〜１３
．５６ＭＨｚの周波数を使用することができる。バイアス電圧は、ＰＥＣＶＤプ
ロセス、例えばマイクロ波プラズマ重合以外に使用されてもよい。しかし、この
バイアス電圧は、別の実施態様において耐摩耗性層のＰＥＣＶＤ析出のための唯
一の源として使用されることができる。この場合には、特に高周波バイアス電圧
、殊に５０ＫＨｚ〜８００ＫＨｚの範囲内または１３．５６ＭＨｚの周波数を有
する高周波バイアス電圧が好ましいことが判明した。
射撃によって析出されるポリマー網状構造は、付加的に緊密にすることができる
。付加的な加熱は、感温性物質、殊にプラスチック材料の場合に限界を有してい
るので、網状構造に関与する原子の最大結合飽和の方向で網状構造中での結合の
緊密化、即ち新規の配置を比較的に僅かな熱搬入と組み合わせることができる場
合には、イオン射撃は好ましい。殊に、基板の後方に取り付けられた電極上での
基板に接する初期圧（バイアス）の使用は、極めて好ましいことが判明した。そ
れによって、イオンは、直接に基板上に引き寄せられうる。この場合には、パル
ス化されたバイアス電圧およびパルス化されていないバイアス電圧を使用するこ
とができる。パルスの場合には、５ＫＨｚ〜２７ＭＨｚ、殊に１０ＫＨｚ〜１３
．５６ＭＨｚの周波数を使用することができる。バイアス電圧は、ＰＥＣＶＤプ
ロセス、例えばマイクロ波プラズマ重合以外に使用されてもよい。しかし、この
バイアス電圧は、別の実施態様において耐摩耗性層のＰＥＣＶＤ析出のための唯
一の源として使用されることができる。この場合には、特に高周波バイアス電圧
、殊に５０ＫＨｚ〜８００ＫＨｚの範囲内または１３．５６ＭＨｚの周波数を有
する高周波バイアス電圧が好ましいことが判明した。
【００１０】 特別な光学的性質、殊にＵＶ保護は、３つの方法で実現させることができる：
第１にＵＶ光を反射することができる、異なる屈折率を有する薄手の層のパケッ
ト；第２にＵＶ光を吸収しかつ別のエネルギー形に変える吸収層；および第３に
マトリックス中での大きさおよび濃度がＵＶ光を原子結合もしくは分子結合、所
謂クラスタと効果的に相互作用することができる程度に選択されている前記クラ
スタの封入。
第１にＵＶ光を反射することができる、異なる屈折率を有する薄手の層のパケッ
ト；第２にＵＶ光を吸収しかつ別のエネルギー形に変える吸収層；および第３に
マトリックス中での大きさおよび濃度がＵＶ光を原子結合もしくは分子結合、所
謂クラスタと効果的に相互作用することができる程度に選択されている前記クラ
スタの封入。
【００１１】 ＵＶ保護機能は、金属化合物によって実現させることができ、クラスタの場合
には、純粋な金属によって実現させることもできる。このＵＶ保護機能は、粒子
、相または中間層として、例えば多層パケットの形で耐摩耗性層中に組み込まれ
てもよい。これは、微粉化法（スパッタリング）により実現させることができ、
この場合には、陰極の前方に金属または非金属”ターゲット”が締め付けられて
おり、このターゲットから連続的に陰極方向に加速されるイオンによって表面的
に原子、原子結合および粒子が蒸発されるかまたは微粉化（スパッタリング）さ
れる。そのために、ＤＣマグネトロンスパッタリング、パルスマグネトロンスパ
ッタリング、二重陰極スパッタリングまたは高周波スパッタリングを使用するこ
とが可能である。
には、純粋な金属によって実現させることもできる。このＵＶ保護機能は、粒子
、相または中間層として、例えば多層パケットの形で耐摩耗性層中に組み込まれ
てもよい。これは、微粉化法（スパッタリング）により実現させることができ、
この場合には、陰極の前方に金属または非金属”ターゲット”が締め付けられて
おり、このターゲットから連続的に陰極方向に加速されるイオンによって表面的
に原子、原子結合および粒子が蒸発されるかまたは微粉化（スパッタリング）さ
れる。そのために、ＤＣマグネトロンスパッタリング、パルスマグネトロンスパ
ッタリング、二重陰極スパッタリングまたは高周波スパッタリングを使用するこ
とが可能である。
【００１２】 ＵＶ保護機能の本発明による組み込みのために、絶縁するターゲット材料、例
えば酸化物を使用する場合には、双極パルス化二重陰極を使用することが特に好
適である。この技術の使用は、ＰＥＣＶＤプロセスの際に生成される誘電性耐摩
耗性層が陰極ターゲット上にも析出されうる点で極めて好ましく、その結果、こ
の陰極ターゲット上には、微粉化速度を連続的に零にまで抑制することができる
絶縁被覆が形成される（”ターゲットの毒化”）。双極性のパルス化二重陰極を
動作させた場合には、この被覆は、単独陰極の相互の極性を変換することによっ
て払拭されることができ、それによってターゲットの持続的な毒化は阻止される
。
えば酸化物を使用する場合には、双極パルス化二重陰極を使用することが特に好
適である。この技術の使用は、ＰＥＣＶＤプロセスの際に生成される誘電性耐摩
耗性層が陰極ターゲット上にも析出されうる点で極めて好ましく、その結果、こ
の陰極ターゲット上には、微粉化速度を連続的に零にまで抑制することができる
絶縁被覆が形成される（”ターゲットの毒化”）。双極性のパルス化二重陰極を
動作させた場合には、この被覆は、単独陰極の相互の極性を変換することによっ
て払拭されることができ、それによってターゲットの持続的な毒化は阻止される
。
【００１３】 もう１つの好ましい実施態様において、ホロー陰極は使用される。この利点は
、ホロー陰極から導かれる連続的なガス流によって、ホロー陰極内に取り付けら
れたターゲットの被覆が不可能になることにある。
、ホロー陰極から導かれる連続的なガス流によって、ホロー陰極内に取り付けら
れたターゲットの被覆が不可能になることにある。
【００１４】 好ましい実施態様において、ＵＶ保護層をスパッタリングするために、第４副
族ないし第６副族の元素ならびにＬａ、Ｃｅ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｓｉ、
Ｇｅ、Ｓｂ、Ｂｉの元素および／またはその混合物の酸化物、ケイ化物、炭化物
、ホウ化物、窒化物、硫化物、フッ化物、セレン化物、テルル化物は使用される
。それによって、層系中への酸化物、ケイ化物、炭化物、ホウ化物、窒化物、硫
化物、フッ化物、セレン化物および／またはテルル化物の封入物を組み込むこと
ができる。
族ないし第６副族の元素ならびにＬａ、Ｃｅ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｓｉ、
Ｇｅ、Ｓｂ、Ｂｉの元素および／またはその混合物の酸化物、ケイ化物、炭化物
、ホウ化物、窒化物、硫化物、フッ化物、セレン化物、テルル化物は使用される
。それによって、層系中への酸化物、ケイ化物、炭化物、ホウ化物、窒化物、硫
化物、フッ化物、セレン化物および／またはテルル化物の封入物を組み込むこと
ができる。
【００１５】 マグネトロンスパッタリング技術による封入すべき光学的作用を有する材料の
析出は、本発明によれば、元素、例えばチタン、亜鉛もしくは珪素（上記参照の
こと）、合金、例えばＡｌ−Ｍｇ−ＳｉもしくはＺｒ−Ａｌ、または相応する化
合物、例えばＴｉＯ、ＺｎＳ、ＳｉＯ等からなるターゲットを希ガス、例えばア
ルゴンを用いて微粉化し、次に引続きまずＰＥＣＶＤプロセス雰囲気中で望まし
い化学量論的割合の化合物に反応させることによって行なうことができる。或い
は、化学反応を生じさせるガスを用いて既に微粉化させ、この場合には、プロセ
スは、毒化の危険のために極めて正確に、例えばプラズマ放出監視により制御さ
れなければならない。しかも、この実施態様においては、ＰＥＣＶＤプロセスの
雰囲気中での定義された後反応が所望されてもよく、調節されてもよい。
析出は、本発明によれば、元素、例えばチタン、亜鉛もしくは珪素（上記参照の
こと）、合金、例えばＡｌ−Ｍｇ−ＳｉもしくはＺｒ−Ａｌ、または相応する化
合物、例えばＴｉＯ、ＺｎＳ、ＳｉＯ等からなるターゲットを希ガス、例えばア
ルゴンを用いて微粉化し、次に引続きまずＰＥＣＶＤプロセス雰囲気中で望まし
い化学量論的割合の化合物に反応させることによって行なうことができる。或い
は、化学反応を生じさせるガスを用いて既に微粉化させ、この場合には、プロセ
スは、毒化の危険のために極めて正確に、例えばプラズマ放出監視により制御さ
れなければならない。しかも、この実施態様においては、ＰＥＣＶＤプロセスの
雰囲気中での定義された後反応が所望されてもよく、調節されてもよい。
【００１６】 後反応の調節のために、プロセスパラメーター、例えば反応性ガスまたは蒸気
分子を用いての衝突の間の粒子の中程度の自由道程の割合（規定されたプロセス
圧による）、ＰＦＣＶＤプロセスおよびＰＶＤプロセスにおける結合された性能
またはターゲット−基板−距離が使用される。
分子を用いての衝突の間の粒子の中程度の自由道程の割合（規定されたプロセス
圧による）、ＰＦＣＶＤプロセスおよびＰＶＤプロセスにおける結合された性能
またはターゲット−基板−距離が使用される。
【００１７】 反応性ガスとして、被覆しないガス、例えば酸素、水素、ジボラン、窒素、笑
気、アンモニア、三フッ化窒素、硫化水素および／または弗素を使用することが
できる。被覆するガス、例えば炭化水素、硼素有機化合物、ハロゲン化炭化水素
は、同様に後反応に使用されてもよいが、しかし、微粉化ガスおよび反応性ガス
として使用されるのではなく、モノマーとして使用される。
気、アンモニア、三フッ化窒素、硫化水素および／または弗素を使用することが
できる。被覆するガス、例えば炭化水素、硼素有機化合物、ハロゲン化炭化水素
は、同様に後反応に使用されてもよいが、しかし、微粉化ガスおよび反応性ガス
として使用されるのではなく、モノマーとして使用される。
【００１８】 層の化学組成を正確に調節しかつターゲットの毒化をいっそう良好に制御する
ために、特に好ましい実施態様においては、直接に陰極にガスが導入され、それ
によってターゲットは微粉化され（”スパッタリングガス”）、一方で、反応性
ガスは、定義された距離をもってターゲットに供給される。これは、最も簡単な
方法で別々のガス供給（所謂ガス枠（Gasraehmen））によって実現される。
ために、特に好ましい実施態様においては、直接に陰極にガスが導入され、それ
によってターゲットは微粉化され（”スパッタリングガス”）、一方で、反応性
ガスは、定義された距離をもってターゲットに供給される。これは、最も簡単な
方法で別々のガス供給（所謂ガス枠（Gasraehmen））によって実現される。
【００１９】 封入すべき粒子の場合には、粒子の大きさは、ターゲット／基板距離およびガ
ス圧により調節されることができる。
ス圧により調節されることができる。
【００２０】 殊に、２つの工程を同時に行うようにして、方法を実施することは、好ましい
。それによって、望ましい光学的性質および耐摩耗性の性質を有する少なくとも
１つの層が生成され、この場合、スパッタリングによって施こされるＵＶ保護層
は、均一に耐摩耗性層中に封入されていてよい。この場合、封入された分子、粒
子または層の化学は、反応性ガスおよび／またはＰＥＣＶＤプロセスによるモノ
マー蒸気の分子、断片、原子との反応によって影響を及ぼされる。その上、反応
は、析出層中に存在する。例えば、感酸化物性の元素または化合物、例えばアル
ミニウムの微粉化された原子、クラスタまたは粒子は、遅くとも封入の際にシロ
キサン−プラズマポリマー層中に酸化される。プロセスガス中にモノマー蒸気の
なお十分な濃度が存在する場合には、反応は、既述されたように層上への衝突前
に行なわれる。本発明による方法の核心的な内容は、ＰＥＣＶＤ法とＰＶＤ法と
が相互に化学的影響を正確に及ぼされることにあり、この場合には、プロセスを
同時に行なった場合には、特に著しく顕著である。
。それによって、望ましい光学的性質および耐摩耗性の性質を有する少なくとも
１つの層が生成され、この場合、スパッタリングによって施こされるＵＶ保護層
は、均一に耐摩耗性層中に封入されていてよい。この場合、封入された分子、粒
子または層の化学は、反応性ガスおよび／またはＰＥＣＶＤプロセスによるモノ
マー蒸気の分子、断片、原子との反応によって影響を及ぼされる。その上、反応
は、析出層中に存在する。例えば、感酸化物性の元素または化合物、例えばアル
ミニウムの微粉化された原子、クラスタまたは粒子は、遅くとも封入の際にシロ
キサン−プラズマポリマー層中に酸化される。プロセスガス中にモノマー蒸気の
なお十分な濃度が存在する場合には、反応は、既述されたように層上への衝突前
に行なわれる。本発明による方法の核心的な内容は、ＰＥＣＶＤ法とＰＶＤ法と
が相互に化学的影響を正確に及ぼされることにあり、この場合には、プロセスを
同時に行なった場合には、特に著しく顕著である。
【００２１】 本方法を区分されていない一室装置中で実施することは、可能であり、この場
合スパッタリングプロセスの反応性成分は、上記の記載と同様に大部分がプラズ
マ重合のモノマー蒸気に由来する。
合スパッタリングプロセスの反応性成分は、上記の記載と同様に大部分がプラズ
マ重合のモノマー蒸気に由来する。
【００２２】 しかし、好ましくは、プラズマポリマープロセスの間に陰極シャッターが閉鎖
され、したがって陰極ターゲットがプラズマポリマーで被覆することができない
場合には、複数の順次に実施される工程：反応スパッタリング、プラズマ重合、
反応スパッタリング等によって、微粉化により析出される層成分の組成を正確に
調節することも可能である。この場合には、マトリックス中での封入物の早期の
層状分布が生じる。
され、したがって陰極ターゲットがプラズマポリマーで被覆することができない
場合には、複数の順次に実施される工程：反応スパッタリング、プラズマ重合、
反応スパッタリング等によって、微粉化により析出される層成分の組成を正確に
調節することも可能である。この場合には、マトリックス中での封入物の早期の
層状分布が生じる。
【００２３】 しかし、好ましい実施態様においては、プロセスガス雰囲気の或る程度十分な
分離は、ＰＶＤプロセスとＰＥＣＶＤプロセスとの間にポンプ輸送を停止させ、
希ガスを装入し、再びポンプ輸送を停止させ、次に初めてモノマーを装入するこ
とによって達成させることもできる。
分離は、ＰＶＤプロセスとＰＥＣＶＤプロセスとの間にポンプ輸送を停止させ、
希ガスを装入し、再びポンプ輸送を停止させ、次に初めてモノマーを装入するこ
とによって達成させることもできる。
【００２４】 プロセスおよび装置の本発明による変形は、ロック技術（Schleusentechnik）
なしの真空室内でのプロセス領域の仕切、例えば薄板ならびに相応する新しいガ
ス流案内管および排ガス流案内管が装備されている真空室である。それによって
、同様にＰＶＤ析出の望ましい化学量論的割合への意図的な適合を可能にする、
異なるプロセスの若干強力な分離が達成される。耐摩耗性マトリックスの多層構
造は、もう１つの好ましい実施態様において、良好な均一性を有する極めて耐摩
耗性および顕著なＵＶ保護特性の性質、例えば多層パケットでの臨界的なＵＶ光
波長の反射を達成させるために、意識的に選択されてもよい。
なしの真空室内でのプロセス領域の仕切、例えば薄板ならびに相応する新しいガ
ス流案内管および排ガス流案内管が装備されている真空室である。それによって
、同様にＰＶＤ析出の望ましい化学量論的割合への意図的な適合を可能にする、
異なるプロセスの若干強力な分離が達成される。耐摩耗性マトリックスの多層構
造は、もう１つの好ましい実施態様において、良好な均一性を有する極めて耐摩
耗性および顕著なＵＶ保護特性の性質、例えば多層パケットでの臨界的なＵＶ光
波長の反射を達成させるために、意識的に選択されてもよい。
【００２５】 この場合には、変色を阻止しかつ反射率を最大化するために、正確に定義され
た厚さ、良好な厚さ均一性ならびに交互に大きな屈折率および小さな屈折率を有
する層が必要とされる。この場合、マトリックスには、耐摩耗性に対する硬度な
らびに干渉層パケットに対する屈折率が貢献する。
た厚さ、良好な厚さ均一性ならびに交互に大きな屈折率および小さな屈折率を有
する層が必要とされる。この場合、マトリックスには、耐摩耗性に対する硬度な
らびに干渉層パケットに対する屈折率が貢献する。
【００２６】 特に好ましい実施態様においては、軟質基板材料、例えばプラスチックの場合
には、層厚が成長するにつれて硬度が連続的に上昇する軟質マトリックス基層が
析出される。その中に、反射層パケットの個々の層が封入される。全層厚パケッ
トは、上向きに極めて耐摩耗性の被覆層で密閉される。
には、層厚が成長するにつれて硬度が連続的に上昇する軟質マトリックス基層が
析出される。その中に、反射層パケットの個々の層が封入される。全層厚パケッ
トは、上向きに極めて耐摩耗性の被覆層で密閉される。
【００２７】 耐摩耗性マトリックスは、他の好ましい実施態様において、基板への硬度およ
び弾性率の適合ならびに耐摩耗性の負荷が段階的に行なわれるように析出されて
もよい。これは、多層パケットを生じる。この場合、光学的機能材料は、極めて
有利に同様に個々の層中に析出される。
び弾性率の適合ならびに耐摩耗性の負荷が段階的に行なわれるように析出されて
もよい。これは、多層パケットを生じる。この場合、光学的機能材料は、極めて
有利に同様に個々の層中に析出される。
【００２８】 多層耐摩耗性マトリックス中に組み込まれるべきＵＶ反射層パケットの場合に
は、個々の耐摩耗性層を硬度および弾性率の点で最適化するだけでなく、屈折率
の点でも最適化することは、特に有利である。それによって、耐摩耗性マトリッ
クスは、干渉層パケットの範囲内で光学的機能を引き受けることができる。
は、個々の耐摩耗性層を硬度および弾性率の点で最適化するだけでなく、屈折率
の点でも最適化することは、特に有利である。それによって、耐摩耗性マトリッ
クスは、干渉層パケットの範囲内で光学的機能を引き受けることができる。
【００２９】 粒子をマトリックス中に封入させる別の実施態様の場合には、この粒子を濃度
勾配、形態学的勾配および／または化学量論学的勾配の点でマトリックス中に結
合させることができる。そのために、スパッタリングパラメーターおよび／また
は反応性ガスパラメーターは、ＰＶＤプロセスの間、連続的に変化される。殊に
、耐摩耗性層の硬度勾配と組み合わせた場合には、かかる粒子封入勾配は、好ま
しくは光学的に重要であるために使用されることができる。
勾配、形態学的勾配および／または化学量論学的勾配の点でマトリックス中に結
合させることができる。そのために、スパッタリングパラメーターおよび／また
は反応性ガスパラメーターは、ＰＶＤプロセスの間、連続的に変化される。殊に
、耐摩耗性層の硬度勾配と組み合わせた場合には、かかる粒子封入勾配は、好ま
しくは光学的に重要であるために使用されることができる。
【００３０】 組合せ層の厚さおよび光学的機能材料の濃度は、析出プロセス時間、圧力、流
動比および入射されるエネルギーにより調節される。
動比および入射されるエネルギーにより調節される。
【００３１】 次に、本発明を図面および実施例につき詳説する。
【００３２】 実施例の記載 図１は、スパッタリング源とマイクロ波源を同時に動作させた際の１つの層構
造を示す。例えば、ポリカーボネート、ＰＶＣ、ポリエチレンもしくは別のプラ
スチックからなる基板１０または別の基板上に、２つの成分からなる１つの層が
施こされている。層マトリックスを構成する１つの成分１１は、プラズマ重合に
よって施こされたポリシロキサンからなる耐摩耗性層である。この層１１中には
、スパッタリング、例えば反応性二重陰極スパッタリングによって金属化合物１
２は、例えば硫化亜鉛、二酸化チタン、二酸化セリウムまたは類似物からなるＵ
Ｖ保護層として導入されている。粒子１２は、均一に耐摩耗性層１１中に導入さ
れている。
造を示す。例えば、ポリカーボネート、ＰＶＣ、ポリエチレンもしくは別のプラ
スチックからなる基板１０または別の基板上に、２つの成分からなる１つの層が
施こされている。層マトリックスを構成する１つの成分１１は、プラズマ重合に
よって施こされたポリシロキサンからなる耐摩耗性層である。この層１１中には
、スパッタリング、例えば反応性二重陰極スパッタリングによって金属化合物１
２は、例えば硫化亜鉛、二酸化チタン、二酸化セリウムまたは類似物からなるＵ
Ｖ保護層として導入されている。粒子１２は、均一に耐摩耗性層１１中に導入さ
れている。
【００３３】 図２は、同様に例えばポリカーボネート、ポリエチレン等からなる基板２０上
での層構造を示す。プラズマ重合によって施こされたポリシロキサン層からなる
層２１上には、交互にスパッタリングされた金属化合物からなる層２２と他のポ
リシロキサン層２１が施こされている。摩擦接触を終結させるために、耐摩耗性
被覆層が形成される。層２２は、マトリックス層中に封入されている。好ましく
は、著しく異なる屈折率を有する交互の層２１および２２からなる前記層パケッ
トは、この多層パケットにつき干渉による臨界的波長の電磁波の反射が行なわれ
ることを可能にする。
での層構造を示す。プラズマ重合によって施こされたポリシロキサン層からなる
層２１上には、交互にスパッタリングされた金属化合物からなる層２２と他のポ
リシロキサン層２１が施こされている。摩擦接触を終結させるために、耐摩耗性
被覆層が形成される。層２２は、マトリックス層中に封入されている。好ましく
は、著しく異なる屈折率を有する交互の層２１および２２からなる前記層パケッ
トは、この多層パケットにつき干渉による臨界的波長の電磁波の反射が行なわれ
ることを可能にする。
【００３４】 図３は、本発明による方法を実施するための装置を示し、この場合には、別々
のガス供給管を有する所謂一室装置が記載されている。装置３０は、反応が行な
われる室３６からなる。この室中には、図示されていない担体上に基板３１が配
置されている。室３６の片側には、珪素モノマーガスのための供給管３７が配置
されている。珪素モノマーガスのための供給管３７には、スパッタリングガスの
ための供給管が対向して配置されている。反応室３６中へのスパッタリングガス
のための供給管３２が方向付けされている２つの開口３８と開口３９との間には
、図示されていない電圧源が結合されている陰極３４が配置されており、この陰
極上には、さらにスパッタリングすべき化合物からなるターゲット３５が取り付
けられている。付加的に、反応性ガスは、反応性ガス供給管３９ｂを介して室中
に装入されることができる。基板に隣接して、プラズマが発生されるマイクロ波
発生装置３３が取り付けられている。
のガス供給管を有する所謂一室装置が記載されている。装置３０は、反応が行な
われる室３６からなる。この室中には、図示されていない担体上に基板３１が配
置されている。室３６の片側には、珪素モノマーガスのための供給管３７が配置
されている。珪素モノマーガスのための供給管３７には、スパッタリングガスの
ための供給管が対向して配置されている。反応室３６中へのスパッタリングガス
のための供給管３２が方向付けされている２つの開口３８と開口３９との間には
、図示されていない電圧源が結合されている陰極３４が配置されており、この陰
極上には、さらにスパッタリングすべき化合物からなるターゲット３５が取り付
けられている。付加的に、反応性ガスは、反応性ガス供給管３９ｂを介して室中
に装入されることができる。基板に隣接して、プラズマが発生されるマイクロ波
発生装置３３が取り付けられている。
【００３５】 図４および図５には、本発明による方法を実施するためのもう１つの装置が示
されている。この場合には、仕切板を有する多室装置が重要である。この装置は
、分離薄板５４によって４つに分離された室領域４７、４８、４９および５０か
らなる。第１の反応領域４７内および第２の反応領域５０内には、それぞれＰＥ
ＣＶＤ源４２、例えば電流供給部を有するマイクロ波アンテナがそれぞれ珪素モ
ノマーのための供給管４３と共に取り付けられている。基板４１は、これらの図
面においては第２の室区画４８中に配置されている。区画４８および４９中で反
応性スパッタリングが行なわれ、この場合区画４８中には、第１のスパッタリン
グ装置６１が配置されており、区画４９中には、第２のスパッタリング装置６２
が配置されている。スパッタリング装置６１、６２は、それぞれ陰極５２を使用
している。陰極５２上には、それぞれターゲット５３が締め付けられている。区
画４７、４８のガス供給は、それぞれスパッタリングガスのための供給管４４お
よび場合によってはそれぞれ反応性ガスのための供給管５１によって行なわれる
。区画から区画への基板４１の搬送は、個々の区画４７、４８、４９、５０への
プロセスガス雰囲気の部分的な分離を保証するために、同様に分離薄板を有する
回転テーブル６０によって行なわれる。スパッタリングによって被覆が行なわれ
た後、基板４１は、第１の区画４７中に搬送され、そこで被覆すべきガスとプラ
ズマ中で結合される。それぞれの反応工程の後、基板は、望ましい多層構造が基
板上で達成されるまで、それぞれ別の室中に移される。
されている。この場合には、仕切板を有する多室装置が重要である。この装置は
、分離薄板５４によって４つに分離された室領域４７、４８、４９および５０か
らなる。第１の反応領域４７内および第２の反応領域５０内には、それぞれＰＥ
ＣＶＤ源４２、例えば電流供給部を有するマイクロ波アンテナがそれぞれ珪素モ
ノマーのための供給管４３と共に取り付けられている。基板４１は、これらの図
面においては第２の室区画４８中に配置されている。区画４８および４９中で反
応性スパッタリングが行なわれ、この場合区画４８中には、第１のスパッタリン
グ装置６１が配置されており、区画４９中には、第２のスパッタリング装置６２
が配置されている。スパッタリング装置６１、６２は、それぞれ陰極５２を使用
している。陰極５２上には、それぞれターゲット５３が締め付けられている。区
画４７、４８のガス供給は、それぞれスパッタリングガスのための供給管４４お
よび場合によってはそれぞれ反応性ガスのための供給管５１によって行なわれる
。区画から区画への基板４１の搬送は、個々の区画４７、４８、４９、５０への
プロセスガス雰囲気の部分的な分離を保証するために、同様に分離薄板を有する
回転テーブル６０によって行なわれる。スパッタリングによって被覆が行なわれ
た後、基板４１は、第１の区画４７中に搬送され、そこで被覆すべきガスとプラ
ズマ中で結合される。それぞれの反応工程の後、基板は、望ましい多層構造が基
板上で達成されるまで、それぞれ別の室中に移される。
【図１】 スパッタリング源とマイクロ波源を同時に動作させた場合の基板上で可能な層
構造を示す断面図。
構造を示す断面図。
【図２】 スパッタリング源とマイクロ波源を交互に動作させた場合の層構造を示す断面
図。
図。
【図３】 本発明による方法を実施するための装置を示す断面図。
【図４】 本発明による方法を実施するための多室装置を示す断面図。
【図５】 図４に記載の装置を線Ｖ−Ｖに沿って示す断面図。
１０ 基板、 １１ 耐摩耗性層、 １２ 金属化合物、 ２０ 基板、 ２
１ ポリシロキサン層からなる層、 ２２ 金属化合物からなる層、 ３０ 装
置、 ３１ 基板、 ３２ 供給管、 ３３ マイクロ波発生装置、 ３４ 陰
極、 ３５ ターゲット、 ３６ 反応室、 ３７ 供給管、 ３８ 開口、
３９ 開口、 ３９ｂ 反応性ガス供給管、 ４１ 基板、 ４２ ＰＥＣＶＤ
源、 ４３ 供給管、 ４４ 供給管、４７ 第１の反応領域、 ４８ 室領域
、 ４９ 室領域、 ５０ 第２の反応領域、 ５２ 陰極、 ５３ ターゲッ
ト、 ５４分離薄板、 ６０ 回転テーブル、 ６１ 第１のスパッタリング装
置、 ６２ 第２のスパッタリング装置
１ ポリシロキサン層からなる層、 ２２ 金属化合物からなる層、 ３０ 装
置、 ３１ 基板、 ３２ 供給管、 ３３ マイクロ波発生装置、 ３４ 陰
極、 ３５ ターゲット、 ３６ 反応室、 ３７ 供給管、 ３８ 開口、
３９ 開口、 ３９ｂ 反応性ガス供給管、 ４１ 基板、 ４２ ＰＥＣＶＤ
源、 ４３ 供給管、 ４４ 供給管、４７ 第１の反応領域、 ４８ 室領域
、 ４９ 室領域、 ５０ 第２の反応領域、 ５２ 陰極、 ５３ ターゲッ
ト、 ５４分離薄板、 ６０ 回転テーブル、 ６１ 第１のスパッタリング装
置、 ６２ 第２のスパッタリング装置
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１２年４月１日（２０００．４．１）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正内容】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K029 BA41 BA42 BA43 BA44 BA45 BA46 BA51 BA52 BA55 BA58 BA64 BC02 BC07 BD11 CA05 CA12 DC16 4K030 AA06 AA09 BA21 BA29 BA42 BA46 BA50 BA61 BB12 CA07 EA06 FA01 HA02 KA41 LA01
Claims (25)
- 【請求項１】 少なくとも２つの異なる析出工程を用いて表面上に光学的性
質を有する少なくとも１つの耐摩耗性層を施与する方法において、１つの工程が
耐摩耗性マトリックスを析出するためのプラズマＣＶＤプロセスを含み、別の工
程がマトリックス中へ光学的機能性材料を封入するためのＰＶＤ技術による物質
析出を含むことを特徴とする、表面上に光学的性質を有する少なくとも１つの耐
摩耗性層を施与する方法。 - 【請求項２】 ＰＶＤプロセスに由来する材料に化学的にＰＥＣＶＤプロセ
スによって影響を与えおよび／または析出されたマトリックスに化学的にＰＥＣ
ＶＤプロセスによって影響を与える、請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 双方のプロセスを１つの反応室中で実施する、請求項１記載
の方法。 - 【請求項４】 プラズマ物質析出がプラズマ重合である、請求項１から３ま
でのいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項５】 プラズマ中に、脂肪族−芳香族またはオレフィン系炭化水素
化合物、好ましくはメタン、エタン、エチレンまたはアセチレン、元素の珪素、
炭素および水素からなり、または付加的に窒素および／または酸素を有する珪素
有機化合物、殊にテトラメチルシラン（ＴＭＳ）、ヘキサメチルジシラン（ＨＭ
ＤＳ）、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ（Ｎ））、テトラオルトシリケート
（ＴＥＯＳ）、ジメチルジエトキシシラン（ＤＭＤＥＯＳ）、メチルトリメトキ
シシラン（ＭＴＭＯＳ）、テトラメチルジシロキサン（ＴＭＤＳ（Ｏ））、ジビ
ニルテトラメチルジシロキサン（ＶＳＩ２）、特に好ましくはヘキサメチルジシ
ロキサン（ＨＭＤＳ（Ｏ））からなる群から選択されたモノマーの炭化水素化合
物および／または珪素化合物が含有される、請求項１から４までのいずれか１項
に記載の方法。 - 【請求項６】 耐摩耗性マトリックスが層厚についての機械的性質の段階的
変化を生じる、請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項７】 層勾配が層厚についての機械的性質の段階的変化を生じる化
学量論学的勾配および／または形態学的勾配である、請求項６記載の方法。 - 【請求項８】 プロセスガス雰囲気の化学的変化をガス混合比および／また
は入射されるエネルギーの電気的パラメーター、殊に出力によってプロセス時間
に亘って調節する、請求項６記載の方法。 - 【請求項９】 耐摩耗性マトリックスにおいて基板と摩擦接触面（被覆層）
との間の硬度および弾性の適性化を段階的に多層パケットを用いて行なう、請求
項６または７記載の方法。 - 【請求項１０】 プラズマをマイクロ波および／または高周波の励起によっ
て発生させる、請求項１記載の方法。 - 【請求項１１】 マイクロ波プラズマＣＶＤ析出をパルス化マイクロ波入射
によって発生させる、請求項９記載の方法。 - 【請求項１２】 基板および／または基板テーブルに初期圧をかけることに
よって、析出された層のイオン射撃を増大させる、請求項１記載の方法。 - 【請求項１３】 初期圧をパルス化して運転する、請求項１２記載の方法。
- 【請求項１４】 光学的機能の組み込みをＰＶＤ技術を用いて行なう、請求
項１記載の方法。 - 【請求項１５】 使用されたＰＶＤ技術がスパッタリング法である、請求項
１４記載の方法。 - 【請求項１６】 スパッタリングをホロー陰極源によって行なう、請求項１
５記載の方法。 - 【請求項１７】 光学的機能、殊にＵＶ保護を受ける析出すべき化合物を第
４副族ないし第６副族の元素、Ｌａ、Ｃｅ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇ
ｅ、Ｓｂ、Ｂｉの元素および／またはその混合物の酸化物、ケイ化物、炭化物、
ホウ化物、窒化物、硫化物、フッ化物、セレン化物、テルル化物からなる群から
選択する、請求項１から１６までのいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項１８】 施こすべき化合物の少なくとも１つの成分を含有するター
ゲットのスパッタリングを行なう、請求項１７記載の方法。 - 【請求項１９】 ターゲットの微粉化のために、希ガスプラズマ、酸素プラ
ズマまたは窒素プラズマを放電させるかまたは希ガスと反応性ガスとの混合物か
らなるプラズマを放電させる、請求項１８記載の方法。 - 【請求項２０】 微粒化された材料を反応性ガスプラズマおよびモノマープ
ラズマ中で望ましい化学量論学的割合のために後反応させる、請求項１９記載の
方法。 - 【請求項２１】 ＰＥＣＶＤプロセスおよびＰＶＤプロセスを同時に行なう
、請求項１から２０までのいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項２２】 ２つのプロセスを少なくとも１回順次に行ない、多層また
は多重層を形成させる、請求項１から２１までのいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項２３】 ＰＶＤプロセスを、マトリックス中で封入された材料の濃
度勾配、化学量論学的勾配および／または形態学的勾配が形成されるように実施
する、請求項１から２２までのいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項２４】 少なくとも１つの施こされた層がスペクトルの紫外線領域
内での電磁線に対して吸収特性を有する、請求項１から２３までのいずれか１項
に記載の方法。 - 【請求項２５】 施こされた層が異なる屈折率を有し、この屈折率がスペク
トルの紫外線領域内での電磁線の反射を生じる、請求項１から２４までのいずれ
か１項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19824364.2 | 1998-05-30 | ||
| DE19824364A DE19824364A1 (de) | 1998-05-30 | 1998-05-30 | Verfahren zum Aufbringen eines Verschleißschutz-Schichtsystems mit optischen Eigenschaften auf Oberflächen |
| PCT/DE1999/001326 WO1999063129A1 (de) | 1998-05-30 | 1999-05-04 | Verfahren zum aufbringen eines schichtsystems auf oberflächen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002517611A true JP2002517611A (ja) | 2002-06-18 |
Family
ID=7869494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000552319A Pending JP2002517611A (ja) | 1998-05-30 | 1999-05-04 | 表面上に光学的性質を有する耐摩耗層系を施与する方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6613393B1 (ja) |
| EP (1) | EP1088116B1 (ja) |
| JP (1) | JP2002517611A (ja) |
| DE (2) | DE19824364A1 (ja) |
| WO (1) | WO1999063129A1 (ja) |
Families Citing this family (48)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP3341361B2 (ja) | 1993-07-01 | 2002-11-05 | 日本板硝子株式会社 | 超微粒子分散材料の製造方法 |
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-
1998
- 1998-05-30 DE DE19824364A patent/DE19824364A1/de not_active Withdrawn
-
1999
- 1999-05-04 DE DE59904171T patent/DE59904171D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1999-05-04 JP JP2000552319A patent/JP2002517611A/ja active Pending
- 1999-05-04 US US09/701,539 patent/US6613393B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-05-04 EP EP99931005A patent/EP1088116B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-05-04 WO PCT/DE1999/001326 patent/WO1999063129A1/de not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1088116A1 (de) | 2001-04-04 |
| DE19824364A1 (de) | 1999-12-02 |
| WO1999063129A1 (de) | 1999-12-09 |
| DE59904171D1 (de) | 2003-03-06 |
| EP1088116B1 (de) | 2003-01-29 |
| US6613393B1 (en) | 2003-09-02 |
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