JP2002504557A - トリフル酸のアシル化に有用な方法 - Google Patents
トリフル酸のアシル化に有用な方法Info
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 26
- ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N triflic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(F)(F)F ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 16
- 230000010933 acylation Effects 0.000 title 1
- 238000005917 acylation reaction Methods 0.000 title 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 23
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims abstract description 6
- 125000004169 (C1-C6) alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 3
- 125000006575 electron-withdrawing group Chemical group 0.000 claims abstract description 3
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims abstract description 3
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims abstract description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims abstract description 3
- 238000006884 silylation reaction Methods 0.000 claims description 19
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical group C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- QABCGOSYZHCPGN-UHFFFAOYSA-N chloro(dimethyl)silicon Chemical compound C[Si](C)Cl QABCGOSYZHCPGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N chlorotrimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)Cl IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000004821 distillation Methods 0.000 claims description 8
- KTQYJQFGNYHXMB-UHFFFAOYSA-N dichloro(methyl)silicon Chemical compound C[Si](Cl)Cl KTQYJQFGNYHXMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000005048 methyldichlorosilane Substances 0.000 claims description 6
- 239000005051 trimethylchlorosilane Substances 0.000 claims description 4
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 claims description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 1
- FTVLMFQEYACZNP-UHFFFAOYSA-N trimethylsilyl trifluoromethanesulfonate Chemical compound C[Si](C)(C)OS(=O)(=O)C(F)(F)F FTVLMFQEYACZNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 6
- 239000012429 reaction media Substances 0.000 description 5
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- QWTDNUCVQCZILF-UHFFFAOYSA-N isopentane Chemical compound CCC(C)C QWTDNUCVQCZILF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- -1 dimethylsilyl Chemical group 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 125000000026 trimethylsilyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si]([*])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQPVTGYSCBIRGO-UHFFFAOYSA-N FC(S(=O)(=O)O)(F)F.[Ar] Chemical compound FC(S(=O)(=O)O)(F)F.[Ar] GQPVTGYSCBIRGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- DPFCZRAGEMLFTN-UHFFFAOYSA-N dimethylsilyl trifluoromethanesulfonate Chemical compound C[SiH](C)OS(=O)(=O)C(F)(F)F DPFCZRAGEMLFTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 238000001577 simple distillation Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/0834—Compounds having one or more O-Si linkage
- C07F7/0836—Compounds with one or more Si-OH or Si-O-metal linkage
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/0834—Compounds having one or more O-Si linkage
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】
本発明は、次の一般式（Ｉ）ＲｆＳ（Ｏ）mＯＨ （Ｉ）｛ここで、Ｒｆは次式：−（ＣＸ2）p−ＧＥＡ（ここで、記号Ｘは同一又は異なっていて、弗素原子又は式：ＣnＦ2n+1（ここで、ｎは多くとも５に等しく、好ましくは２に等しい整数である）を表わし、ｐは多くとも２に等しい整数であり、記号ＧＥＡは電子吸引基であってその可能な官能基が反応条件下で不活性であるもの、有利には弗素原子又は式：ＣnＦ2n+1（ここで、ｎは多くとも３に等しく、有利には２に等しい整数である）のペル弗素化された基を表わす）を表わし、ｍは１又は２に等しい整数を表わす｝の化合物をシリル化するにあたり、シリル化剤が次式Ｓｉ（Ｒ）4（ここで、Ｒは飽和の線状又は分岐状のＣ1〜Ｃ6アルキル基を表わす）の誘導体であり、且つ、該シリル化剤を一般式（Ｉ）の化合物と次の一般式（II）Ｓｉ（Ｒ）2（Ｈ）（Ｙ） （II）（ここで、Ｒは上で定義した通りであり、Ｙはハロゲン原子を表わす）の化合物の少なくとも１種の存在下に反応させることを特徴とする、一般式（Ｉ）の化合物のシリル化方法に関する。
Description
【０００１】 本発明は、トリフル酸及びその誘導体をシリル化するのに有用な新規な方法に
関する。
関する。
【０００２】 トリフル酸トリメチルシリルは、有機合成において、特にその大きな反応性の
ために広く使用されているシリル化剤である。従って、生産コストの削減のため
にはこのシリル化剤を製造できることが特に有益であろう。 一般的には、トリフル酸トリメチルシリルは、テトラメチルシランをトリフル
酸と反応させることによって製造される。これらの二つの反応剤は、その不純物
による可能性ある副反応を防止するように精製された形で一般に使用される。
ために広く使用されているシリル化剤である。従って、生産コストの削減のため
にはこのシリル化剤を製造できることが特に有益であろう。 一般的には、トリフル酸トリメチルシリルは、テトラメチルシランをトリフル
酸と反応させることによって製造される。これらの二つの反応剤は、その不純物
による可能性ある副反応を防止するように精製された形で一般に使用される。
【０００３】 テトラメチルシランの主な汚染物は、一般にその製造操作から生じる。しかし
て、９０〜９５％の純度レベルを有するテトラメチルシランは、一般に３〜４％
の２−メチルブタン、１〜２％のジメチルクロルシラン及び２〜３％のメチルジ
クロルシランを含有する。 これらの不純物のうちでも、ジメチルクロルシランは、それがやはりトリフル
酸と反応できるので、特に不都合なものと考えられる。
て、９０〜９５％の純度レベルを有するテトラメチルシランは、一般に３〜４％
の２−メチルブタン、１〜２％のジメチルクロルシラン及び２〜３％のメチルジ
クロルシランを含有する。 これらの不純物のうちでも、ジメチルクロルシランは、それがやはりトリフル
酸と反応できるので、特に不都合なものと考えられる。
【０００４】 事実、ジメチルクロルシランは、次の反応式：
【化１】 に従ってトリフル酸と反応できることが知られている。 このように形成されたトリフル酸ジメチルシリルがそれ自体で最終のトリフル
酸トリメチルシリルのレベルで不純物を構成することは明かである。従って、そ
れを分離する必要があろう。しかし、トリフル酸ジメチルシリルとトリフル酸ト
リメチルシリルは、この精製を正に困難にさせるほどに十分に近い沸点を有する
。 従って、このタイプの副反応の出現を回避させるために今日まで採用された方
法は、９９％以上に純粋である商業的形態のテトラメチルシランのみを使用する
ことからなっている。 しかし、先に触れたように、同等に精製された形態でのテトラメチルシランの
使用はトリフル酸トリメチルシリルの製造コストを相当に増大させる。
酸トリメチルシリルのレベルで不純物を構成することは明かである。従って、そ
れを分離する必要があろう。しかし、トリフル酸ジメチルシリルとトリフル酸ト
リメチルシリルは、この精製を正に困難にさせるほどに十分に近い沸点を有する
。 従って、このタイプの副反応の出現を回避させるために今日まで採用された方
法は、９９％以上に純粋である商業的形態のテトラメチルシランのみを使用する
ことからなっている。 しかし、先に触れたように、同等に精製された形態でのテトラメチルシランの
使用はトリフル酸トリメチルシリルの製造コストを相当に増大させる。
【０００５】 従って、本発明の主題は、特にトリフル酸トリメチルシリルを匹敵できる収率
であるが有意に削減された生産コストでもって得るのを可能にさせる新規な方法
を提供することである。
であるが有意に削減された生産コストでもって得るのを可能にさせる新規な方法
を提供することである。
【０００６】 予期せずして、本願発明者は、純粋でない形のテトラメチルシランによるトリ
フル酸のシリル化を、相当するトリフル酸トリメチルシリルの純度に可能な限り
影響を及ぼすことなく、実施することが可能であることを立証した。 詳しくは、本発明は、トリフル酸とテトラメチルシランとの間の反応選択性の
立証に基づいている。
フル酸のシリル化を、相当するトリフル酸トリメチルシリルの純度に可能な限り
影響を及ぼすことなく、実施することが可能であることを立証した。 詳しくは、本発明は、トリフル酸とテトラメチルシランとの間の反応選択性の
立証に基づいている。
【０００７】 しかして、純粋でない形のテトラメチルシランにより実施されたトリフル酸の
シリル化の終了時には、９９．９％の純粋な形のトリフル酸トリメチルシリルに
加えて、メチルジクロルシランが最終反応媒体の単純な蒸留により回収されると
いうものである。このことは、トリフル酸とジメチルクロルシランとの間の先に
触れた副反応が現われないことを想定させる。
シリル化の終了時には、９９．９％の純粋な形のトリフル酸トリメチルシリルに
加えて、メチルジクロルシランが最終反応媒体の単純な蒸留により回収されると
いうものである。このことは、トリフル酸とジメチルクロルシランとの間の先に
触れた副反応が現われないことを想定させる。
【０００８】 従って、本発明は、主として、次の一般式（Ｉ） ＲｆＳ（Ｏ）mＯＨ （Ｉ） ｛ここで、 Ｒｆは次式 −（ＣＸ2）p−ＧＥＡ （ここで、記号Ｘは同一又は異なっていて、弗素原子又は式：ＣnＦ2n+1（ここ で、ｎは多くとも５に等しく、好ましくは２に等しい整数である）を表わし、ｐ
は多くとも２に等しい整数であり、記号ＧＥＡは電子吸引基であってその可能な
官能基が反応条件下で不活性であるもの、有利には弗素原子又は式：ＣnＦ2n+1 （ここで、ｎは多くとも３に等しく、有利には２に等しい整数である）のペル弗
素化された基を表わす） を表わし、 ｍは１又は２に等しい整数を表わす｝ の化合物をシリル化するにあたり、シリル化剤が次式 Ｓｉ（Ｒ）4 （ここで、Ｒは飽和の線状又は分岐状のＣ1〜Ｃ6アルキル基を表わす） の誘導体であり、且つ、該シリル化剤を一般式（Ｉ）の化合物と次の一般式（II
） Ｓｉ（Ｒ）2（Ｈ）（Ｙ） （II） （ここで、Ｒは上で定義した通りであり、Ｙはハロゲン原子を表わす） の化合物の少なくとも１種の存在下に反応させることを特徴とする、一般式（Ｉ
）の化合物のシリル化方法に関する。
は多くとも２に等しい整数であり、記号ＧＥＡは電子吸引基であってその可能な
官能基が反応条件下で不活性であるもの、有利には弗素原子又は式：ＣnＦ2n+1 （ここで、ｎは多くとも３に等しく、有利には２に等しい整数である）のペル弗
素化された基を表わす） を表わし、 ｍは１又は２に等しい整数を表わす｝ の化合物をシリル化するにあたり、シリル化剤が次式 Ｓｉ（Ｒ）4 （ここで、Ｒは飽和の線状又は分岐状のＣ1〜Ｃ6アルキル基を表わす） の誘導体であり、且つ、該シリル化剤を一般式（Ｉ）の化合物と次の一般式（II
） Ｓｉ（Ｒ）2（Ｈ）（Ｙ） （II） （ここで、Ｒは上で定義した通りであり、Ｙはハロゲン原子を表わす） の化合物の少なくとも１種の存在下に反応させることを特徴とする、一般式（Ｉ
）の化合物のシリル化方法に関する。
【０００９】 本発明の特定の具体例によれば、シリル化反応体は、更に次式(III) Ｓｉ（Ｒ）3（Ｙ）及び（又は）Ｓｉ（Ｒ）Ｈ（Ｙ）2 (III) （ここで、Ｒ及びＹは上で定義した通りである） の化合物の少なくとも１種の存在下に実施される。 好ましくは、Ｙは塩素原子を表わす。
【００１０】 一般に、テトラアルキルシランは、少なくとも１種の一般式（II）の化合物と
要すれば少なくとも１種の式(III) の化合物との混合物の形で使用される。 テ
トラアルキルシランは、該混合物のほぼ８５〜９５重量％を構成する。
要すれば少なくとも１種の式(III) の化合物との混合物の形で使用される。 テ
トラアルキルシランは、該混合物のほぼ８５〜９５重量％を構成する。
【００１１】 好ましくは、本発明の操作に従ってシリル化されるべき一般式（Ｉ）の化合物
は、基Ｒｆの総炭素数が有利には１〜５，好ましくは１〜３である一般式（Ｉ）
に相当する。 更に詳しくは、それは、一般式：ＣnＦ2n+1−ＳＯ3Ｈ（ｎは多くとも５に等し
い）に相当する化合物である。
は、基Ｒｆの総炭素数が有利には１〜５，好ましくは１〜３である一般式（Ｉ）
に相当する。 更に詳しくは、それは、一般式：ＣnＦ2n+1−ＳＯ3Ｈ（ｎは多くとも５に等し
い）に相当する化合物である。
【００１２】 本発明の操作は、トリフル酸のシリル化に特に有用である。 シリル化反応剤に関する限りでは、それは、好ましくは、テトラアルキルシラ
ン誘導体であって、そのアルキル基がシリル化反応のために留保された操作条件
下でその気化と相容れる炭素数及び（又は）立体配座を有するように選定される
ものである。 好ましくは、このテトラアルキルシランは、Ｃ1〜Ｃ4基を有し、さらに優先的
にはテトラメチルシランである。
ン誘導体であって、そのアルキル基がシリル化反応のために留保された操作条件
下でその気化と相容れる炭素数及び（又は）立体配座を有するように選定される
ものである。 好ましくは、このテトラアルキルシランは、Ｃ1〜Ｃ4基を有し、さらに優先的
にはテトラメチルシランである。
【００１３】 シリル化反応は、好ましくは、シリル化されるべき一般式（Ｉ）の化合物と比
べて僅かに過剰のシリル化反応剤の存在下に実施される。しかして、シリル化反
応剤は、１０モル％過剰の量で使用することができる。 事実、テトラアルキルシランの過剰の存在は、反応を期待されたトリフル酸ト
リアルキルシリルの製造に向けて選択的に有利に配向させ、しかして一般式（Ｉ
）の化合物に関して副反応、例えばトリフル酸とジメチルクロルシランとの間の
前記したような副反応の発現に対抗するようにさせる。 しかし、適切な場合には、この過剰が反応のレベルで制限的な特性を何ら有し
ないことが重要である。
べて僅かに過剰のシリル化反応剤の存在下に実施される。しかして、シリル化反
応剤は、１０モル％過剰の量で使用することができる。 事実、テトラアルキルシランの過剰の存在は、反応を期待されたトリフル酸ト
リアルキルシリルの製造に向けて選択的に有利に配向させ、しかして一般式（Ｉ
）の化合物に関して副反応、例えばトリフル酸とジメチルクロルシランとの間の
前記したような副反応の発現に対抗するようにさせる。 しかし、適切な場合には、この過剰が反応のレベルで制限的な特性を何ら有し
ないことが重要である。
【００１４】 シリル化反応の発熱特性を考慮すれば、二つの反応剤はほぼ０℃〜５℃の間の
温度で一緒にされる。 シリル化は、好ましくは、さらに不活性雰囲気下に、詳しくはアルゴンをフラ
ッシュしながら実施される。 更に、トリフル酸のような一般式（Ｉ）の化合物に関して水の何らかの副反応
の発現を回避させるためには、同様に、反応を非常に削減した量の水の存在下に
実施するのが好ましい。それは、好ましくは、使用するその他の反応剤の重量に
関して１％以下のモル比で存在する。
温度で一緒にされる。 シリル化は、好ましくは、さらに不活性雰囲気下に、詳しくはアルゴンをフラ
ッシュしながら実施される。 更に、トリフル酸のような一般式（Ｉ）の化合物に関して水の何らかの副反応
の発現を回避させるためには、同様に、反応を非常に削減した量の水の存在下に
実施するのが好ましい。それは、好ましくは、使用するその他の反応剤の重量に
関して１％以下のモル比で存在する。
【００１５】 不活性雰囲気下に置かれた一般式（Ｉ）の化合物にテトラアルキルシランを連
続的に滴下することが好ましい。このテトラアルキルシランの添加は、流れ及び
アルカンの規則的な発生を得るように十分な遅れをもって実施される。反応は、
ガスの発生がもはや観察されないときに終了したものと見なされる。反応の終了
時に、反応媒体の温度は周囲温度に再び上昇させてから所期のシリル化誘導体を
回収するために該混合物の蒸留操作に付される。この蒸留は大気圧下に実施する
ことができる。しかし、経済的な理由から、蒸留は減圧下に実施するのが有益で
ある。この態様では、反応剤のそれぞれの沸騰温度は３５〜６０℃の値に低下さ
れる。 所期のシリル化誘導体は、９９％以上の純度レベルで回収される。
続的に滴下することが好ましい。このテトラアルキルシランの添加は、流れ及び
アルカンの規則的な発生を得るように十分な遅れをもって実施される。反応は、
ガスの発生がもはや観察されないときに終了したものと見なされる。反応の終了
時に、反応媒体の温度は周囲温度に再び上昇させてから所期のシリル化誘導体を
回収するために該混合物の蒸留操作に付される。この蒸留は大気圧下に実施する
ことができる。しかし、経済的な理由から、蒸留は減圧下に実施するのが有益で
ある。この態様では、反応剤のそれぞれの沸騰温度は３５〜６０℃の値に低下さ
れる。 所期のシリル化誘導体は、９９％以上の純度レベルで回収される。
【００１６】 本発明の操作は、テトラメチルシランによるトリフル酸のシリル化を特に少な
くともジメチルクロルシランの存在下に実施するのに特に有益である。 このシリル化反応は、同様に、メチルジクロルシラン及びトリメチルクロルシ
ランの存在下にさらに実施することができる。 それは、特にテトラメチルシランとジメチルクロルシラン及び要すればメチル
ジクロルシラン及び（又は）トリメチルクロルシランとの混合物であることがで
きる。この特別な場合には、テトラメチルシランはこの混合物の８５〜９５重量
％を占める。
くともジメチルクロルシランの存在下に実施するのに特に有益である。 このシリル化反応は、同様に、メチルジクロルシラン及びトリメチルクロルシ
ランの存在下にさらに実施することができる。 それは、特にテトラメチルシランとジメチルクロルシラン及び要すればメチル
ジクロルシラン及び（又は）トリメチルクロルシランとの混合物であることがで
きる。この特別な場合には、テトラメチルシランはこの混合物の８５〜９５重量
％を占める。
【００１７】 上記の条件下で実施された相当するシリル化反応の終了時に、反応しなかった
テトラメチルシランの除去がまず実施される。これを実施するために、反応媒体
はほぼ３００〜５００ミリバールの圧力下に５０℃程度の温度に上昇させること
ができる。 テトラメチルシランを除去した後、混合物の全体は周囲温度に戻され、次いで
蒸留が所期のトリフル酸トリメチルシリルを回収するように高真空下に実施され
る。
テトラメチルシランの除去がまず実施される。これを実施するために、反応媒体
はほぼ３００〜５００ミリバールの圧力下に５０℃程度の温度に上昇させること
ができる。 テトラメチルシランを除去した後、混合物の全体は周囲温度に戻され、次いで
蒸留が所期のトリフル酸トリメチルシリルを回収するように高真空下に実施され
る。
【００１８】 本発明の方法の終了時に集められたトリフル酸トリメチルシリルは、有利に９
９％以上の純度、好ましくは９９．９％程度の純度を有する。
９％以上の純度、好ましくは９９．９％程度の純度を有する。
【００１９】 上記したように、出発物質のテトラメチルシラン中に不純物として存在するジ
メチルクロルシランは、この蒸留の過程で同様に回収される。事実、これはシリ
ル化反応の選択率を確認させる。
メチルクロルシランは、この蒸留の過程で同様に回収される。事実、これはシリ
ル化反応の選択率を確認させる。
【００２０】 以下の実施例は、例示として示すもので、本発明を何ら制限するものではない
。
。
【００２１】例１ トリフル酸トリメチルシリルの合成 ＣＦ3ＳＯ3Ｈ＋Ｍｅ4Ｓｉ → ＣＦ3ＳＯ3ＳｉＭｅ3＋ＣＨ4 反応剤 ９８％純度のトリフル酸 ９１．７２％純度のＭｅ4Ｓｉ（２−メチルブタン：３．１８％、Ｍｅ2ＨＳｉ
Ｃｌ：１．３９％、ＭｅＨＳｉＣｌ2：２．４％） １５０ｇのトリフル酸（１モル）を予めアルゴンでパージした５００ｍｌの反
応器にフラッシュしながら導入する。反応媒体を０〜５℃に冷却し、Ｍｅ4Ｓｉ （１０５．８ｇ、１．１モル）を滴下する。Ｍｅ4Ｓｉの添加は、定常的な還流 とメタンの定常的な発生を得るように３時間にわたって実施する。 次いで、反応媒体を再び周囲温度に上昇させ、装置組立体にステンレス鋼製パ
ッキングにより蒸留塔を備え付ける。 反応混合物を３００〜５００ミリバールの圧力下に５０℃に上昇させ、反応し
なかった９．７２ｇのＭｅ4Ｓｉを蒸留する。 周囲温度に戻した後、反応混合物を１１０ミリバールの真空下に蒸留し、二つ
の留分を集めるが、これは下記の表１に示すように同定された。
Ｃｌ：１．３９％、ＭｅＨＳｉＣｌ2：２．４％） １５０ｇのトリフル酸（１モル）を予めアルゴンでパージした５００ｍｌの反
応器にフラッシュしながら導入する。反応媒体を０〜５℃に冷却し、Ｍｅ4Ｓｉ （１０５．８ｇ、１．１モル）を滴下する。Ｍｅ4Ｓｉの添加は、定常的な還流 とメタンの定常的な発生を得るように３時間にわたって実施する。 次いで、反応媒体を再び周囲温度に上昇させ、装置組立体にステンレス鋼製パ
ッキングにより蒸留塔を備え付ける。 反応混合物を３００〜５００ミリバールの圧力下に５０℃に上昇させ、反応し
なかった９．７２ｇのＭｅ4Ｓｉを蒸留する。 周囲温度に戻した後、反応混合物を１１０ミリバールの真空下に蒸留し、二つ
の留分を集めるが、これは下記の表１に示すように同定された。
【００２２】
【表１】 ３６．７８ｇの蒸留残液は、４４モル％のＣＦ3ＳＯ3Ｈ、４４モル％のＣＦ3 ＳＯ3ＳｉＭｅ3及び１１モル％のＭｅＨＳｉＣｌ2からなっていた。 単離収率Ｐｒ（ＣＦ3ＳＯ3ＳｉＭｅ3）＝６３．５％（９９．９％純度）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ) ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ， ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，Ｄ Ｋ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ， ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，Ｌ Ｔ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ， ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，Ｕ Ａ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＷ Ｆターム(参考） 4H049 VN01 VP01 VQ54 VR23 VR41 VS02 VT10 VT24 VT50 VW02
Claims (16)
- 【請求項１】 次の一般式（Ｉ） ＲｆＳ（Ｏ）mＯＨ （Ｉ） ｛ここで、 Ｒｆは次式 −（ＣＸ2）p−ＧＥＡ （ここで、記号Ｘは同一又は異なっていて、弗素原子又は式：ＣnＦ2n+1（ここ で、ｎは多くとも５に等しく、好ましくは２に等しい整数である）を表わし、ｐ
は多くとも２に等しい整数であり、記号ＧＥＡは電子吸引基であってその可能な
官能基が反応条件下で不活性であるもの、有利には弗素原子又は式：ＣnＦ2n+1 （ここで、ｎは多くとも３に等しく、有利には２に等しい整数である）のペル弗
素化された基を表わす） を表わし、 ｍは１又は２に等しい整数を表わす｝ の化合物をシリル化するにあたり、シリル化剤が次式 Ｓｉ（Ｒ）4 （ここで、Ｒは飽和の線状又は分岐状のＣ1〜Ｃ6アルキル基を表わす） の誘導体であり、且つ、該シリル化剤を一般式（Ｉ）の化合物と次の一般式（II
） Ｓｉ（Ｒ）2（Ｈ）（Ｙ） （II） （ここで、Ｒは上で定義した通りであり、Ｙはハロゲン原子を表わす） の化合物の少なくとも１種の存在下に反応させることを特徴とする、一般式（Ｉ
）の化合物のシリル化方法。 - 【請求項２】 シリル化が追加の次式(III) Ｓｉ（Ｒ）3（Ｙ）及び（又は）Ｓｉ（Ｒ）Ｈ（Ｙ）2 (III) （ここで、Ｒ及びＹは請求項１に記載の通りである） の化合物の少なくとも１種の存在下に実施されることを特徴とする請求項１に記
載の方法。 - 【請求項３】 テトラアルキルシランが少なくとも１種の一般式（II）の化
合物と要すれば少なくとも１種の式(III) の化合物との混合物の形で使用される
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。 - 【請求項４】 テトラアルキルシランが該混合物のほぼ８５〜９５重量％を
構成することを特徴とする請求項２又は３に記載の方法。 - 【請求項５】 シリル化されるべき化合物が一般式（Ｉ）であって、そのＲ
ｆ基の総炭素数が１〜５、好ましくは１〜３であるものに相当することを特徴と
する請求項１〜４のいずれかに記載の方法。 - 【請求項６】 シリル化されるべき化合物が次の一般式 ＣnＦ2n+1−ＳＯ3Ｈ （ここで、ｎは多くとも５に等しい） に相当することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
- 【請求項７】 一般式（Ｉ）の化合物がトリフル酸であることを特徴とする
請求項１〜６のいずれかに記載の方法。 - 【請求項８】 該シリル化剤がテトラメチルシランであることを特徴とする
請求項１〜７のいずれかに記載の方法。 - 【請求項９】 トリフル酸のシリル化がテトラメチルシランにより少なくと
もジメチルクロルシランの存在下に実施されることを特徴とする請求項１〜８の
いずれかに記載の方法。 - 【請求項１０】 シリル化反応がメチルジクロルシランとトリメチルクロル
シランの存在下に更に実施されることを特徴とする請求項９に記載の方法。 - 【請求項１１】 テトラメチルシランがジメチルクロルシランと要すればメ
チルジクロルシラン及び（又は）トリメチルクロルシランとの混合物の形で導入
されることを特徴とする請求項８、９又は１０に記載の方法。 - 【請求項１２】 テトラメチルシランが該混合物の８５〜９５重量％を占め
ることを特徴とする請求項１１に記載の方法。 - 【請求項１３】 シリル化剤が一般式（Ｉ）の化合物に関して僅かに過剰な
量で使用されることを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の方法。 - 【請求項１４】 シリル化がほぼ０〜５℃の温度で実施されることを特徴と
する請求項１〜１３のいずれかに記載の方法。 - 【請求項１５】 最終のシリル化誘導体が反応混合物の蒸留により回収され
ることを特徴とする請求項１〜１４のいずれかに記載の方法。 - 【請求項１６】 シリル化誘導体が９９％以上の純度レベルで回収される請
求項１〜１５のいずれかに記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR98/02437 | 1998-02-27 | ||
| FR9802437A FR2775478B1 (fr) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | Procede utile pour la silylation de l'acide triflique |
| PCT/FR1999/000415 WO1999043687A1 (fr) | 1998-02-27 | 1999-02-24 | Procede utile pour la silylation de l'acide triflique |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002504557A true JP2002504557A (ja) | 2002-02-12 |
Family
ID=9523480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000533439A Pending JP2002504557A (ja) | 1998-02-27 | 1999-02-24 | トリフル酸のアシル化に有用な方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1056753A1 (ja) |
| JP (1) | JP2002504557A (ja) |
| CN (1) | CN1291985A (ja) |
| AU (1) | AU2526599A (ja) |
| FR (1) | FR2775478B1 (ja) |
| WO (1) | WO1999043687A1 (ja) |
| ZA (1) | ZA991521B (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102911196A (zh) * | 2012-11-19 | 2013-02-06 | 江西国化实业有限公司 | 三氟甲磺酸三甲硅酯的制备方法 |
| CN103665017B (zh) * | 2013-12-12 | 2016-08-17 | 中国船舶重工集团公司第七一八研究所 | 一种三氟甲磺酸三甲基硅酯的制备方法 |
| CN104262376A (zh) * | 2014-10-16 | 2015-01-07 | 中国船舶重工集团公司第七一八研究所 | 一种三氟甲磺酸三甲基硅酯的纯化方法 |
| CN108373481A (zh) * | 2017-11-30 | 2018-08-07 | 江西国化实业有限公司 | 一种三氟甲磺酸三甲基硅酯的制备方法 |
| US20220220133A1 (en) * | 2019-04-26 | 2022-07-14 | Nissan Chemical Corporation | Method for producing triorganosilane compound |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2803125A1 (de) * | 1978-01-25 | 1979-07-26 | Bayer Ag | Silylester der perfluoralkansulfonsaeuren sowie verfahren zu deren herstellung |
| DE3209416A1 (de) * | 1982-03-16 | 1983-09-22 | Studiengesellschaft Kohle mbH, 4330 Mülheim | Verfahren zur herstellung von trimethylsilyltrifluoromethansulfonat |
-
1998
- 1998-02-27 FR FR9802437A patent/FR2775478B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-02-24 JP JP2000533439A patent/JP2002504557A/ja active Pending
- 1999-02-24 AU AU25265/99A patent/AU2526599A/en not_active Abandoned
- 1999-02-24 EP EP99904945A patent/EP1056753A1/fr not_active Withdrawn
- 1999-02-24 CN CN99803250A patent/CN1291985A/zh active Pending
- 1999-02-24 WO PCT/FR1999/000415 patent/WO1999043687A1/fr not_active Application Discontinuation
- 1999-02-25 ZA ZA9901521A patent/ZA991521B/xx unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU2526599A (en) | 1999-09-15 |
| FR2775478A1 (fr) | 1999-09-03 |
| FR2775478B1 (fr) | 2000-05-19 |
| CN1291985A (zh) | 2001-04-18 |
| WO1999043687A1 (fr) | 1999-09-02 |
| ZA991521B (en) | 2000-08-25 |
| EP1056753A1 (fr) | 2000-12-06 |
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