JP2002374008A - 熱電モジュール - Google Patents
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- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Abstract
(57)【要約】
【課題】 パッケージ側の電極パッドの位置に応じて、
ポスト電極の位置を調整し、両者を円滑にワイヤボンデ
ィングすることができる熱電モジュールを提供する。 【解決手段】 熱電モジュールは、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁
性の下基板１０と上基板１２との間に複数個のペルチェ
素子からなる熱電素子１１が配置されており、下基板１
０及び上基板１２の対向面には、夫々複数個の下部電極
及び上部電極（いずれも図示せず）が形成されている。
そして、各下部電極上に２個の熱電素子が接合され、隣
接する下部電極上の隣接する熱電素子１１が１個の上部
電極により接続されていて、これにより、複数個の熱電
素子１１が下部電極及び上部電極により直列に接続され
ている。この直列接続の端部に配置された２個の熱電素
子の下部電極には、非対称のリード層１６ａ、１６ｂが
接続されており、このリード層１６ａ、１６ｂの端部上
にポスト電極１５ａ、１５ｂが接合されている。
ポスト電極の位置を調整し、両者を円滑にワイヤボンデ
ィングすることができる熱電モジュールを提供する。 【解決手段】 熱電モジュールは、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁
性の下基板１０と上基板１２との間に複数個のペルチェ
素子からなる熱電素子１１が配置されており、下基板１
０及び上基板１２の対向面には、夫々複数個の下部電極
及び上部電極（いずれも図示せず）が形成されている。
そして、各下部電極上に２個の熱電素子が接合され、隣
接する下部電極上の隣接する熱電素子１１が１個の上部
電極により接続されていて、これにより、複数個の熱電
素子１１が下部電極及び上部電極により直列に接続され
ている。この直列接続の端部に配置された２個の熱電素
子の下部電極には、非対称のリード層１６ａ、１６ｂが
接続されており、このリード層１６ａ、１６ｂの端部上
にポスト電極１５ａ、１５ｂが接合されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ペルチェ素子の熱
電変換機能を利用した熱電モジュールに関し、特に、パ
ッケージの電極とワイヤボンディングにより接続するた
めのポスト電極を有する熱電モジュールに関する。
電変換機能を利用した熱電モジュールに関し、特に、パ
ッケージの電極とワイヤボンディングにより接続するた
めのポスト電極を有する熱電モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】熱電モジュールは、下基板及び上基板上
に夫々下部電極及び上部電極を形成し、下部電極と上部
電極が対向するように前記下基板及び上基板を平行に配
置し、両者間に複数個の熱電素子を配置して構成されて
いる。各下部電極及び上部電極には、夫々２個の熱電素
子が接合され、隣接する２個の下部電極上に設けられた
隣接する２個の熱電素子が、その上端部で１個の上部電
極により接続されており、これにより、複数個の熱電素
子が下部電極及び上部電極により直列に接続されてい
る。
に夫々下部電極及び上部電極を形成し、下部電極と上部
電極が対向するように前記下基板及び上基板を平行に配
置し、両者間に複数個の熱電素子を配置して構成されて
いる。各下部電極及び上部電極には、夫々２個の熱電素
子が接合され、隣接する２個の下部電極上に設けられた
隣接する２個の熱電素子が、その上端部で１個の上部電
極により接続されており、これにより、複数個の熱電素
子が下部電極及び上部電極により直列に接続されてい
る。
【０００３】而して、図１２（ａ）は従来の一般的な熱
電モジュールを示す平面図、図１２（ｂ）はその側面図
である。下基板１と上基板２との間に前述の態様で熱電
素子３が配置されており、下基板１及び上基板２に設け
た下部電極及び上部電極（いずれも図示せず）により熱
電素子３が直列に接続されている。そして、この直列に
接続された熱電素子の両端の熱電素子は、下基板１上に
形成された電極パッド４に夫々接続されている。また、
この電極パッド４には例えば直径０．３ｍｍのＳｎメッ
キＣｕ線等のリード線５がハンダ付けにより接合されて
おり、電極パッド４はこのリード線５を介して熱電モジ
ュールが搭載されるパッケージの電極パッドと接続され
ている。
電モジュールを示す平面図、図１２（ｂ）はその側面図
である。下基板１と上基板２との間に前述の態様で熱電
素子３が配置されており、下基板１及び上基板２に設け
た下部電極及び上部電極（いずれも図示せず）により熱
電素子３が直列に接続されている。そして、この直列に
接続された熱電素子の両端の熱電素子は、下基板１上に
形成された電極パッド４に夫々接続されている。また、
この電極パッド４には例えば直径０．３ｍｍのＳｎメッ
キＣｕ線等のリード線５がハンダ付けにより接合されて
おり、電極パッド４はこのリード線５を介して熱電モジ
ュールが搭載されるパッケージの電極パッドと接続され
ている。
【０００４】しかし、このリード線４を使用して熱電モ
ジュールの端子を外部に導出する方法は、リード線４を
手作業によりハンダ付けする必要があり、この接続工程
が煩雑であった。
ジュールの端子を外部に導出する方法は、リード線４を
手作業によりハンダ付けする必要があり、この接続工程
が煩雑であった。
【０００５】そこで、近時、図１３に示すように、熱電
モジュールの電極パッド４の代わりに、ポスト電極６を
設け、図１４に示すように、このポスト電極６とパッケ
ージの電極パッド７とをＡｕ線等のボンディングワイヤ
８を使用してワイヤボンディングする方法が提案されて
いる（特許第３０８２１７０号）。このワイヤボンディ
ングによる接続は、ハンダ付け作業が不要であり、自動
化が容易である。
モジュールの電極パッド４の代わりに、ポスト電極６を
設け、図１４に示すように、このポスト電極６とパッケ
ージの電極パッド７とをＡｕ線等のボンディングワイヤ
８を使用してワイヤボンディングする方法が提案されて
いる（特許第３０８２１７０号）。このワイヤボンディ
ングによる接続は、ハンダ付け作業が不要であり、自動
化が容易である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ポスト電極を備えた熱電モジュールは、以下に示すよう
な欠点を有する。図１５（ａ）、（ｂ）は電極パッド４
と、パッケージの電極パッド７ａ、７ｂとをリード線５
により接続する場合を示す平面図である。この図１５
（ａ）に示すように、熱電モジュールの電極パッド４を
その両側に配置された電極パッド７ａ、７ｂに接続する
場合には、等寸のリード線５を熱電モジュールの中心軸
となるＡＡ’を軸に左右対称に延ばしてハンダ付けすれ
ばよく、また、図１５（ｂ）に示すように、パッケージ
の電極パッド７ｃ、７ｄが熱電モジュールに対して一方
の側に配置されている場合においても、電極パッド４と
電極パッド７ｃ、７ｄとを接続するリード線５ｃ、５ｄ
の長さが異なるだけで、リード線５ｃ、５ｄは自由に曲
がり、また長さも自由に設定できるため、このリード線
の取り付け方法は自由度が高い。
ポスト電極を備えた熱電モジュールは、以下に示すよう
な欠点を有する。図１５（ａ）、（ｂ）は電極パッド４
と、パッケージの電極パッド７ａ、７ｂとをリード線５
により接続する場合を示す平面図である。この図１５
（ａ）に示すように、熱電モジュールの電極パッド４を
その両側に配置された電極パッド７ａ、７ｂに接続する
場合には、等寸のリード線５を熱電モジュールの中心軸
となるＡＡ’を軸に左右対称に延ばしてハンダ付けすれ
ばよく、また、図１５（ｂ）に示すように、パッケージ
の電極パッド７ｃ、７ｄが熱電モジュールに対して一方
の側に配置されている場合においても、電極パッド４と
電極パッド７ｃ、７ｄとを接続するリード線５ｃ、５ｄ
の長さが異なるだけで、リード線５ｃ、５ｄは自由に曲
がり、また長さも自由に設定できるため、このリード線
の取り付け方法は自由度が高い。
【０００７】しかし、ポスト電極の場合は、図１６
（ａ）に示すように、ポスト電極６とその両側の電極パ
ッド７とをＡｕワイヤ８により接続するときは問題がな
いが、図１６（ｂ）に示すように、パッケージの電極パ
ッド７ｃ、７ｄが熱電モジュールの一方の側に位置する
場合は、Ａｕワイヤ８ｃ、８ｄのうち、電極パッド７
ｃ、７ｄから遠い方のポスト電極６に接続されたＡｕワ
イヤ８ｃが長くなりすぎ、ボンディングが困難になる。
このため、パッケージ側の電極パッド７ｃ、７ｄの位置
は大きな制約を受ける。
（ａ）に示すように、ポスト電極６とその両側の電極パ
ッド７とをＡｕワイヤ８により接続するときは問題がな
いが、図１６（ｂ）に示すように、パッケージの電極パ
ッド７ｃ、７ｄが熱電モジュールの一方の側に位置する
場合は、Ａｕワイヤ８ｃ、８ｄのうち、電極パッド７
ｃ、７ｄから遠い方のポスト電極６に接続されたＡｕワ
イヤ８ｃが長くなりすぎ、ボンディングが困難になる。
このため、パッケージ側の電極パッド７ｃ、７ｄの位置
は大きな制約を受ける。
【０００８】更に、図１６（ｃ）に示すように、熱電モ
ジュールのポスト電極６とパッケージの電極パッド７
ｃ、７ｄとを接続する際に、ワイヤ８ｃとワイヤ８ｄと
が交差するような場合は、電気的ショートが発生する虞
がある。なお、リード線の場合は、比較的太いため、剛
性があるので、このように配線が交差する場合も、２本
のリード線が接触しないように成形しておけば、このシ
ョートを回避できる。しかし、ボンディングワイヤは細
くて剛性が足りず成形しておくことが困難であると共
に、ワイヤボンディングにより自動化をはかる場合に、
予め成形しておくような作業自体が困難である。
ジュールのポスト電極６とパッケージの電極パッド７
ｃ、７ｄとを接続する際に、ワイヤ８ｃとワイヤ８ｄと
が交差するような場合は、電気的ショートが発生する虞
がある。なお、リード線の場合は、比較的太いため、剛
性があるので、このように配線が交差する場合も、２本
のリード線が接触しないように成形しておけば、このシ
ョートを回避できる。しかし、ボンディングワイヤは細
くて剛性が足りず成形しておくことが困難であると共
に、ワイヤボンディングにより自動化をはかる場合に、
予め成形しておくような作業自体が困難である。
【０００９】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、パッケージ側の電極パッドの位置に応じ
て、ポスト電極の位置を調整し、両者を円滑にワイヤボ
ンディングすることができる熱電モジュールを提供する
ことを目的とする。
のであって、パッケージ側の電極パッドの位置に応じ
て、ポスト電極の位置を調整し、両者を円滑にワイヤボ
ンディングすることができる熱電モジュールを提供する
ことを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願第１発明に係る熱電
モジュールは、下基板と、前記下基板に対向する上基板
と、前記下基板及び上基板の各対向面に形成された複数
個の下部電極及び上部電極と、前記下部電極と上部電極
との間に設けられ前記下部電極及び上部電極により直列
及び／又は並列に接続された複数個の熱電素子と、前記
下基板上に配置された１対のポスト電極と、前記直列及
び／又は並列に接続された熱電素子群の両端部の熱電素
子に接続されると共に前記ポスト電極に接続される非対
称の１対のリード層とを有することを特徴とする。
モジュールは、下基板と、前記下基板に対向する上基板
と、前記下基板及び上基板の各対向面に形成された複数
個の下部電極及び上部電極と、前記下部電極と上部電極
との間に設けられ前記下部電極及び上部電極により直列
及び／又は並列に接続された複数個の熱電素子と、前記
下基板上に配置された１対のポスト電極と、前記直列及
び／又は並列に接続された熱電素子群の両端部の熱電素
子に接続されると共に前記ポスト電極に接続される非対
称の１対のリード層とを有することを特徴とする。
【００１１】本願第２発明に係る熱電モジュールは、下
基板と、前記下基板に対向する上基板と、前記下基板及
び上基板の各対向面に形成された複数個の下部電極及び
上部電極と、前記下部電極と上部電極との間に設けられ
前記下部電極及び上部電極により直列及び／又は並列に
接続された複数個の熱電素子と、前記下基板上に相互に
分離して形成され前記直列及び／又は並列に接続された
熱電素子群の両端部の熱電素子に接続された１対の下部
電極に接続された１対のリード層と、前記各リード層上
における前記下基板の辺縁に平行の中心軸に対して非対
称の位置に配置された１対のポスト電極とを有すること
を特徴とする。
基板と、前記下基板に対向する上基板と、前記下基板及
び上基板の各対向面に形成された複数個の下部電極及び
上部電極と、前記下部電極と上部電極との間に設けられ
前記下部電極及び上部電極により直列及び／又は並列に
接続された複数個の熱電素子と、前記下基板上に相互に
分離して形成され前記直列及び／又は並列に接続された
熱電素子群の両端部の熱電素子に接続された１対の下部
電極に接続された１対のリード層と、前記各リード層上
における前記下基板の辺縁に平行の中心軸に対して非対
称の位置に配置された１対のポスト電極とを有すること
を特徴とする。
【００１２】本発明においては、前記リード層及び前記
下部電極は、前記下基板上に導電膜を形成した後、この
導電膜をパターニングすることにより、同時に形成する
ことができる。また、前記リード層上に予備のポスト電
極を配置することもできる。
下部電極は、前記下基板上に導電膜を形成した後、この
導電膜をパターニングすることにより、同時に形成する
ことができる。また、前記リード層上に予備のポスト電
極を配置することもできる。
【００１３】本発明においては、ポスト電極がリード層
により端部の下部電極に接続されているので、ポスト電
極を下基板上の任意の位置に配置することができる。こ
のため、熱電モジュールが搭載されるパッケージの電極
パッドの位置にあわせてポスト電極の位置を任意に決め
ることができるので、パッケージの電極パッドの位置に
拘わらず、容易にワイヤボンディングによりパッケージ
の電極パッドとポスト電極とを接続することができる。
リード層は、下基板の長手方向中心軸に対して非対称で
も対象でもよい。
により端部の下部電極に接続されているので、ポスト電
極を下基板上の任意の位置に配置することができる。こ
のため、熱電モジュールが搭載されるパッケージの電極
パッドの位置にあわせてポスト電極の位置を任意に決め
ることができるので、パッケージの電極パッドの位置に
拘わらず、容易にワイヤボンディングによりパッケージ
の電極パッドとポスト電極とを接続することができる。
リード層は、下基板の長手方向中心軸に対して非対称で
も対象でもよい。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、添付の図面を参照して本発
明の実施例について具体的に説明する。図１は、本発明
の第１実施例を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面
図、（ｃ）は一部斜視図である。Ａｌ２Ｏ３等の絶縁性
の下基板１０と上基板１２との間に複数個のペルチェ素
子からなる熱電素子１１が配置されており、下基板１０
及び上基板１２の対向面には、夫々複数個の下部電極及
び上部電極（いずれも図示せず）が形成されている。そ
して、各下部電極上に２個の熱電素子が接合され、隣接
する下部電極上の隣接する熱電素子１１が１個の上部電
極により接続されていて、これにより、複数個の熱電素
子１１が下部電極及び上部電極により直列に接続されて
いる。
明の実施例について具体的に説明する。図１は、本発明
の第１実施例を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面
図、（ｃ）は一部斜視図である。Ａｌ２Ｏ３等の絶縁性
の下基板１０と上基板１２との間に複数個のペルチェ素
子からなる熱電素子１１が配置されており、下基板１０
及び上基板１２の対向面には、夫々複数個の下部電極及
び上部電極（いずれも図示せず）が形成されている。そ
して、各下部電極上に２個の熱電素子が接合され、隣接
する下部電極上の隣接する熱電素子１１が１個の上部電
極により接続されていて、これにより、複数個の熱電素
子１１が下部電極及び上部電極により直列に接続されて
いる。
【００１５】この直列接続の端部に配置された２個の熱
電素子の下部電極には、リード層１６ａ、１６ｂが接続
されており、このリード層１６ａ、１６ｂの端部上にポ
スト電極１５ａ、１５ｂが接合されている。上基板１２
上の上部電極及び下基板１０上の下部電極は、上基板１
２及び下基板１０上に例えばＣｕ層をメッキにより形成
し、このＣｕ層をパターニングすることにより形成され
ている。又は、基板表面に薄膜メタライズ層を形成し、
このメタライズ層を所定形状にパターニングした後、そ
の上に、電解メッキにより、所定のパターンのＣｕ層を
形成し、その後、パターン間の薄膜メタライズ層を除去
することにより、Ｃｕ層をパターン形成することもでき
る。
電素子の下部電極には、リード層１６ａ、１６ｂが接続
されており、このリード層１６ａ、１６ｂの端部上にポ
スト電極１５ａ、１５ｂが接合されている。上基板１２
上の上部電極及び下基板１０上の下部電極は、上基板１
２及び下基板１０上に例えばＣｕ層をメッキにより形成
し、このＣｕ層をパターニングすることにより形成され
ている。又は、基板表面に薄膜メタライズ層を形成し、
このメタライズ層を所定形状にパターニングした後、そ
の上に、電解メッキにより、所定のパターンのＣｕ層を
形成し、その後、パターン間の薄膜メタライズ層を除去
することにより、Ｃｕ層をパターン形成することもでき
る。
【００１６】この下部電極の形成のためのパターニング
の際に、前記直列接続の端部の下部電極から延出するよ
うにＣｕ層をパターニングすることにより、リード層１
６ａ、１６ｂを形成することができる。ポスト電極１５
ａ、１５ｂは、例えば、厚さが２．５ｍｍのＣｕ板の表
裏両面に、厚さが３μｍのＮｉ層をメッキし、更に、厚
さが１μｍのＡｕ層をメッキにより形成したものを、ダ
イシングにより１辺長が０．７ｍｍの正方形になるよう
に切断したものである。この断面正方形の直方体のポス
ト電極１５ａ、１５ｂをＣｕリード層１６ａ、１６ｂ上
に配置し、ポスト電極１５ａ、１５ｂのＡｕ層とＣｕリ
ード層１６ａ、１６ｂとをハンダ付けすることによりポ
スト電極１５ａ、１５ｂをＣｕリード層１６ａ、１６ｂ
に固定する。なお、この下部電極、上部電極及びＣｕリ
ード層のＣｕの表面には、Ｎｉメッキ層（例えば、厚さ
が３μｍ）が形成されている場合が多く、また前記Ｎｉ
メッキ層の上に更にＡｕメッキ層（例えば、厚さが１μ
ｍ）が形成されていても良い。
の際に、前記直列接続の端部の下部電極から延出するよ
うにＣｕ層をパターニングすることにより、リード層１
６ａ、１６ｂを形成することができる。ポスト電極１５
ａ、１５ｂは、例えば、厚さが２．５ｍｍのＣｕ板の表
裏両面に、厚さが３μｍのＮｉ層をメッキし、更に、厚
さが１μｍのＡｕ層をメッキにより形成したものを、ダ
イシングにより１辺長が０．７ｍｍの正方形になるよう
に切断したものである。この断面正方形の直方体のポス
ト電極１５ａ、１５ｂをＣｕリード層１６ａ、１６ｂ上
に配置し、ポスト電極１５ａ、１５ｂのＡｕ層とＣｕリ
ード層１６ａ、１６ｂとをハンダ付けすることによりポ
スト電極１５ａ、１５ｂをＣｕリード層１６ａ、１６ｂ
に固定する。なお、この下部電極、上部電極及びＣｕリ
ード層のＣｕの表面には、Ｎｉメッキ層（例えば、厚さ
が３μｍ）が形成されている場合が多く、また前記Ｎｉ
メッキ層の上に更にＡｕメッキ層（例えば、厚さが１μ
ｍ）が形成されていても良い。
【００１７】ポスト電極はＣｕ製ではなく、Ａｌ製でも
良い。厚さが２．５ｍｍの純Ａｌ板の片面のみに、厚さ
が３μｍのＮｉ層をメッキにより形成し、更に厚さが
０．５μｍのＡｕ層をメッキにより形成したものを、ダ
イシングにより１辺長が０．７ｍｍの正方形になるよう
に切断する。このポスト電極のＮｉ及びＡｕメッキが施
されている面と、Ｃｕリード層とをはんだ付けにより接
合する。ポスト電極の上面は滑らかなＡｌ表面のままで
良い。
良い。厚さが２．５ｍｍの純Ａｌ板の片面のみに、厚さ
が３μｍのＮｉ層をメッキにより形成し、更に厚さが
０．５μｍのＡｕ層をメッキにより形成したものを、ダ
イシングにより１辺長が０．７ｍｍの正方形になるよう
に切断する。このポスト電極のＮｉ及びＡｕメッキが施
されている面と、Ｃｕリード層とをはんだ付けにより接
合する。ポスト電極の上面は滑らかなＡｌ表面のままで
良い。
【００１８】このＡｌポスト電極の場合には、Ａｌポス
ト電極に対して最もボンディング性が優れたＡｌワイヤ
ーを使用して接続することが好ましい。Ａｌワイヤー
は、Ａｕワイヤに比して、太線化が可能であり、Ａｕワ
イヤでは困難な直径が１００μｍ又は２００μｍ、更に
は５００μｍのワイヤを使用することができる。このた
め、ワイヤに大電流を流すことが容易であり、この点
で、ＡｌワイヤはＡｕワイヤよりも有利である。但し、
Ａｌワイヤは接続せんとする接合面の高さが相違する場
合、又は接続距離が長い場合に接続の信頼性が低下す
る。このため、本実施例においては、広いＣｕリード層
の中でも、パッケージの電極になるべく近い位に、高さ
が揃うようにＡｌ製ポスト電極を設置する必要がある。
逆にいえば、Ａｌ製ポスト電極は、本実施例のように、
広いＣｕリード層を有している場合に効果的である。な
お、Ａｌワイヤを使用する際は、ポスト電極を全てＡｌ
により形成しなくても、少なくともポスト電極の上面が
Ａｌにより形成されていれば、良好なボンディング性が
維持される。また、パッケージ側のボンディングされる
電極表面もＡｌにより形成することが好ましい。なお、
本発明において、Ｃｕ又はＡｌという場合は、Ｃｕ合金
又はＡｌ合金も含むものである。
ト電極に対して最もボンディング性が優れたＡｌワイヤ
ーを使用して接続することが好ましい。Ａｌワイヤー
は、Ａｕワイヤに比して、太線化が可能であり、Ａｕワ
イヤでは困難な直径が１００μｍ又は２００μｍ、更に
は５００μｍのワイヤを使用することができる。このた
め、ワイヤに大電流を流すことが容易であり、この点
で、ＡｌワイヤはＡｕワイヤよりも有利である。但し、
Ａｌワイヤは接続せんとする接合面の高さが相違する場
合、又は接続距離が長い場合に接続の信頼性が低下す
る。このため、本実施例においては、広いＣｕリード層
の中でも、パッケージの電極になるべく近い位に、高さ
が揃うようにＡｌ製ポスト電極を設置する必要がある。
逆にいえば、Ａｌ製ポスト電極は、本実施例のように、
広いＣｕリード層を有している場合に効果的である。な
お、Ａｌワイヤを使用する際は、ポスト電極を全てＡｌ
により形成しなくても、少なくともポスト電極の上面が
Ａｌにより形成されていれば、良好なボンディング性が
維持される。また、パッケージ側のボンディングされる
電極表面もＡｌにより形成することが好ましい。なお、
本発明において、Ｃｕ又はＡｌという場合は、Ｃｕ合金
又はＡｌ合金も含むものである。
【００１９】熱電モジュールの下基板１０の外側の面
（下面）には、熱電モジュールをパッケージ等にハンダ
付けするためのメタライズ層１３が形成されている。ま
た、熱電モジュールの上基板１２の外側の面（上面）に
は、ＬＤ（半導体レーザダイオード）及びサーミスタ等
の素子をハンダ付けするためのメタライズ層１４が形成
されている。これらのメタライズ層１３、１４は、夫々
下基板１０、上基板１２上に、例えば、Ｃｕ層、Ｎｉ層
及びＡｕ層をメッキにより形成した３層構造のメッキ層
である。なお、本実施例においては、例えば、ポスト電
極の高さは前述の如く２．５ｍｍ、上基板１２の長さは
１０ｍｍ、下基板１０の長さは１２ｍｍ、上基板１２及
び下基板１０の幅は６ｍｍであり、従って、下基板１０
は上基板１２より２ｍｍ長く延長しており、この幅が６
ｍｍ、長さが２ｍｍの延長領域（以下、パターニング領
域という）にて、リード層１６ａ、１６ｂがパターニン
グされている。リード層１６ｂは上基板１２を基準に上
面から見るとその長手方向、即ち、下基板１０が延長さ
れた方向（以下、この方向を熱電モジュールの長手方向
という）に若干はみ出して延出し、リード層１６ａはリ
ード層１６ｂ以外の前記パターニング領域を占めるよう
にしてリード層１６ｂの近傍まで延出している。
（下面）には、熱電モジュールをパッケージ等にハンダ
付けするためのメタライズ層１３が形成されている。ま
た、熱電モジュールの上基板１２の外側の面（上面）に
は、ＬＤ（半導体レーザダイオード）及びサーミスタ等
の素子をハンダ付けするためのメタライズ層１４が形成
されている。これらのメタライズ層１３、１４は、夫々
下基板１０、上基板１２上に、例えば、Ｃｕ層、Ｎｉ層
及びＡｕ層をメッキにより形成した３層構造のメッキ層
である。なお、本実施例においては、例えば、ポスト電
極の高さは前述の如く２．５ｍｍ、上基板１２の長さは
１０ｍｍ、下基板１０の長さは１２ｍｍ、上基板１２及
び下基板１０の幅は６ｍｍであり、従って、下基板１０
は上基板１２より２ｍｍ長く延長しており、この幅が６
ｍｍ、長さが２ｍｍの延長領域（以下、パターニング領
域という）にて、リード層１６ａ、１６ｂがパターニン
グされている。リード層１６ｂは上基板１２を基準に上
面から見るとその長手方向、即ち、下基板１０が延長さ
れた方向（以下、この方向を熱電モジュールの長手方向
という）に若干はみ出して延出し、リード層１６ａはリ
ード層１６ｂ以外の前記パターニング領域を占めるよう
にしてリード層１６ｂの近傍まで延出している。
【００２０】而して、本実施例の熱電モジュールにおい
ては、１対のポスト電極１５ａ、１５ｂが熱電モジュー
ルの一方の側縁の近傍に配置されている。従って、図１
（ｂ）に示すように、ポスト電極１５ａ、１５ｂに接続
すべきパッケージ側の電極パッドが熱電モジュールに対
して一方の側に配置されている場合においても、このポ
スト電極１５ａ、１５ｂはこのパッケージ側の電極パッ
ドに対向してその近傍に配置されているので、ワイヤボ
ンダーを使用して容易にポスト電極１５ａ、１５ｂとパ
ッケージ側の電極パッドとをボンディングワイヤにより
接続することができる。
ては、１対のポスト電極１５ａ、１５ｂが熱電モジュー
ルの一方の側縁の近傍に配置されている。従って、図１
（ｂ）に示すように、ポスト電極１５ａ、１５ｂに接続
すべきパッケージ側の電極パッドが熱電モジュールに対
して一方の側に配置されている場合においても、このポ
スト電極１５ａ、１５ｂはこのパッケージ側の電極パッ
ドに対向してその近傍に配置されているので、ワイヤボ
ンダーを使用して容易にポスト電極１５ａ、１５ｂとパ
ッケージ側の電極パッドとをボンディングワイヤにより
接続することができる。
【００２１】このため、本実施例においては、ポスト電
極と接続すべきボンディングワイヤがボンディング不可
能な程に長くなりすぎることがなく、確実にワイヤボン
ディングすることができる。このようにして、熱電モジ
ュールのポスト電極の位置をリード層１６ａ、１６ｂに
より任意に変更することができ、パッケージの電極パッ
ドの位置に容易にあわせることができる。
極と接続すべきボンディングワイヤがボンディング不可
能な程に長くなりすぎることがなく、確実にワイヤボン
ディングすることができる。このようにして、熱電モジ
ュールのポスト電極の位置をリード層１６ａ、１６ｂに
より任意に変更することができ、パッケージの電極パッ
ドの位置に容易にあわせることができる。
【００２２】なお、リード層１６ａは、図１（ａ）に破
線にて示すように、帯状のＬ字形をなすパターンに形成
することもできる。
線にて示すように、帯状のＬ字形をなすパターンに形成
することもできる。
【００２３】また、図２に示すように、このＬ字形をな
す帯状のリード層１７ａの根幹の部分、即ち、下部電極
の近傍にポスト電極１８ａを配置すれば、このポスト電
極１８ａと、リード層１７ｂ上に配置されたポスト電極
１８ｂとは、熱電モジュールの両側方に配置されること
になり、パッケージ側の電極パッドが熱電モジュールの
両側方に位置する場合に対応することができる。
す帯状のリード層１７ａの根幹の部分、即ち、下部電極
の近傍にポスト電極１８ａを配置すれば、このポスト電
極１８ａと、リード層１７ｂ上に配置されたポスト電極
１８ｂとは、熱電モジュールの両側方に配置されること
になり、パッケージ側の電極パッドが熱電モジュールの
両側方に位置する場合に対応することができる。
【００２４】図３（ａ）乃至（ｃ）は本発明の他の実施
例を示す平面図である。これらの実施例は、リード層１
９ａ、１９ｂがＬ字形をなして延びており、熱電モジュ
ールの長手方向に一旦延びた後、垂直に屈曲して相互に
平行になって延びている。
例を示す平面図である。これらの実施例は、リード層１
９ａ、１９ｂがＬ字形をなして延びており、熱電モジュ
ールの長手方向に一旦延びた後、垂直に屈曲して相互に
平行になって延びている。
【００２５】図３（ａ）においては、ポスト電極２０ａ
及び２０ｂが夫々リード層１９ａ、１９ｂの先端に配置
されている。また、図３（ｂ）においては、ポスト電極
２１ａはリード層１９ａの屈曲部に配置され、ポスト電
極２１ｂはリード層１９ａの先端部に配置されており、
図３（ｃ）においては、ポスト電極２２ｂがリード層１
９ｂの屈曲部に配置され、ポスト電極２２ａがリード層
１９ａの先端部に配置されている。
及び２０ｂが夫々リード層１９ａ、１９ｂの先端に配置
されている。また、図３（ｂ）においては、ポスト電極
２１ａはリード層１９ａの屈曲部に配置され、ポスト電
極２１ｂはリード層１９ａの先端部に配置されており、
図３（ｃ）においては、ポスト電極２２ｂがリード層１
９ｂの屈曲部に配置され、ポスト電極２２ａがリード層
１９ａの先端部に配置されている。
【００２６】図４（ａ）乃至（ｃ）は本発明の更に他の
実施例を示す図である。図４（ａ）、（ｂ）において
は、下基板２０が上基板２２よりも延出するパターニン
グ領域として、下基板２０の長手方向の一端部だけでな
く、一方の側部も確保されている。リード層２３ａは熱
電モジュールの長手方向に一旦延出した後、垂直に屈曲
し下基板２０の端縁にそって横方向に進み、更に、コー
ナー部で垂直に屈曲して下基板２０の側縁にそって進
む。またリード層２３ｂは上基板２２の端縁と上基板２
２の側縁にそってＬ字形に延びている。
実施例を示す図である。図４（ａ）、（ｂ）において
は、下基板２０が上基板２２よりも延出するパターニン
グ領域として、下基板２０の長手方向の一端部だけでな
く、一方の側部も確保されている。リード層２３ａは熱
電モジュールの長手方向に一旦延出した後、垂直に屈曲
し下基板２０の端縁にそって横方向に進み、更に、コー
ナー部で垂直に屈曲して下基板２０の側縁にそって進
む。またリード層２３ｂは上基板２２の端縁と上基板２
２の側縁にそってＬ字形に延びている。
【００２７】そして、図４（ａ）においては、ポスト電
極２４ａ、２４ｂは、リード層２３ａ、２３ｂにおける
熱電モジュールの側縁に沿って延びる部分に配置されて
いる。この場合は、ポスト電極２４ａ、２４ｂを熱電モ
ジュールの長手方向の任意の位置に配置することがで
き、パッケージの電極パッドが熱電モジュールの側縁に
そっていずれの位置に配置されても、これに対応するこ
とができる。
極２４ａ、２４ｂは、リード層２３ａ、２３ｂにおける
熱電モジュールの側縁に沿って延びる部分に配置されて
いる。この場合は、ポスト電極２４ａ、２４ｂを熱電モ
ジュールの長手方向の任意の位置に配置することがで
き、パッケージの電極パッドが熱電モジュールの側縁に
そっていずれの位置に配置されても、これに対応するこ
とができる。
【００２８】図４（ｂ）においては、ポスト電極２５ａ
はリード層２３ａにおける熱電モジュールの側縁に沿っ
て延びる部分の先端部に配置され、ポスト電極２５ｂは
リード層２３ｂにおける上基板２２の端縁に沿って延び
る部分の先端部に配置されている。このように、リード
層２３ａ、２３ｂが熱電モジュールの長手方向に延びる
部分を有するから、ポスト電極をパッケージの電極パッ
ドにあわせて任意に配置することができる。
はリード層２３ａにおける熱電モジュールの側縁に沿っ
て延びる部分の先端部に配置され、ポスト電極２５ｂは
リード層２３ｂにおける上基板２２の端縁に沿って延び
る部分の先端部に配置されている。このように、リード
層２３ａ、２３ｂが熱電モジュールの長手方向に延びる
部分を有するから、ポスト電極をパッケージの電極パッ
ドにあわせて任意に配置することができる。
【００２９】図４（ｃ）においては、下基板１０上に、
その周縁部に上基板２２よりも延出するパターニング領
域に１対のリード層２６ａ、２６ｂが形成されている。
リード層２６ａは下基板２０の４辺の縁辺に沿って延び
ており、リード層２６ｂはリード層２６ａの内側にて下
基板２０の４辺の縁辺に沿って延びている。
その周縁部に上基板２２よりも延出するパターニング領
域に１対のリード層２６ａ、２６ｂが形成されている。
リード層２６ａは下基板２０の４辺の縁辺に沿って延び
ており、リード層２６ｂはリード層２６ａの内側にて下
基板２０の４辺の縁辺に沿って延びている。
【００３０】このように、図４（ｃ）においては、熱電
モジュールの４辺に沿ってリード層２６ａ、２６ｂが形
成されており、ポスト電極２７ａ、２７ｂを任意の位置
に配置することができる。よって、パッケージ側の電極
パッドがいずれの位置に配置されることになっても、そ
の電極パッドとポスト電極とを常に最短距離でボンディ
ングワイヤにより接続することができる。以上のよう
に、ポスト電極２７ａ、２７ｂは複数の方向に対して、
少なくとも１方向で非対称の位置をとっていればよい。
モジュールの４辺に沿ってリード層２６ａ、２６ｂが形
成されており、ポスト電極２７ａ、２７ｂを任意の位置
に配置することができる。よって、パッケージ側の電極
パッドがいずれの位置に配置されることになっても、そ
の電極パッドとポスト電極とを常に最短距離でボンディ
ングワイヤにより接続することができる。以上のよう
に、ポスト電極２７ａ、２７ｂは複数の方向に対して、
少なくとも１方向で非対称の位置をとっていればよい。
【００３１】図５（ａ）、（ｂ）は本発明の他の実施例
を示す図である。リード層３１ａ、３１ｂは、Ｃｕ層に
より、交差するようにパターン形成されているが、図５
（ｂ）に示すように、リード層３１ｂはリード層３１ａ
と交差する部分でとぎれている。そして、このとぎれた
部分において、リード層３１ｂはリード層３１ａを非接
触でまたぐ橋部品３３により接続されている。この橋部
品３３はＣｕ板により成形することができる。橋部品３
３はボンディングの際、接触しないように、ポスト電極
３２ａ、３２ｂより高さを低くするのが望ましい。
を示す図である。リード層３１ａ、３１ｂは、Ｃｕ層に
より、交差するようにパターン形成されているが、図５
（ｂ）に示すように、リード層３１ｂはリード層３１ａ
と交差する部分でとぎれている。そして、このとぎれた
部分において、リード層３１ｂはリード層３１ａを非接
触でまたぐ橋部品３３により接続されている。この橋部
品３３はＣｕ板により成形することができる。橋部品３
３はボンディングの際、接触しないように、ポスト電極
３２ａ、３２ｂより高さを低くするのが望ましい。
【００３２】図６（ａ）、（ｂ）は、本発明の他の実施
例を示す図である。図６（ａ）においては、図２に示す
熱電モジュールにおいて、ポスト電極４０ａ、４０ｂ、
４０ｃを設けたものである。リード層１７ｂには１個の
ポスト電極４０ｃが設けられているが、リード層１７ａ
には２個のポスト電極４０ａ、４０ｂが設けられてい
る。従って、搭載されるパッケージの電極パッドの位置
に応じて、ポスト電極４０ａ又はポスト電極４０ｂのい
ずれかを選択することができる。
例を示す図である。図６（ａ）においては、図２に示す
熱電モジュールにおいて、ポスト電極４０ａ、４０ｂ、
４０ｃを設けたものである。リード層１７ｂには１個の
ポスト電極４０ｃが設けられているが、リード層１７ａ
には２個のポスト電極４０ａ、４０ｂが設けられてい
る。従って、搭載されるパッケージの電極パッドの位置
に応じて、ポスト電極４０ａ又はポスト電極４０ｂのい
ずれかを選択することができる。
【００３３】図６（ｂ）においては、各リード層１９
ａ、１９ｂに夫々２個のポスト電極４１ａ、４１ｂとポ
スト電極４１ｃ、４１ｄとを設けたものである。本実施
例において、搭載されるパッケージの電極パッドの位置
に応じて、ポスト電極４１ａ、４１ｂのいずれかと、ポ
スト電極４１ｃ、４１ｄのいずれかを選択することがで
きる。
ａ、１９ｂに夫々２個のポスト電極４１ａ、４１ｂとポ
スト電極４１ｃ、４１ｄとを設けたものである。本実施
例において、搭載されるパッケージの電極パッドの位置
に応じて、ポスト電極４１ａ、４１ｂのいずれかと、ポ
スト電極４１ｃ、４１ｄのいずれかを選択することがで
きる。
【００３４】図７（ａ）、（ｂ）は本発明の他の実施例
を示す図である。図７（ａ）、（ｂ）においては、リー
ド層５０ａ、５０ｂが帯状ではなく、広い面状に形成さ
れている。従って、ポスト電極５１ａ、５１ｂ及びポス
ト電極５２ａ、５２ｂはこの広大なリード層５０ａ、５
０ｂの任意の位置に接合することができる。ポスト電極
５２ａ、５２ｂの配置が２次元的に自由度が増すので、
パッケージの電極パッドの位置に拘らず、そこから最短
距離となるようにポスト電極５２ａ、５２ｂを配置した
り、位置を微調整することができる。ワイヤ交差防止の
観点から、ポスト電極５２ａ、５２ｂの幅に対してリー
ドの幅が２倍以上とするのが好ましい。
を示す図である。図７（ａ）、（ｂ）においては、リー
ド層５０ａ、５０ｂが帯状ではなく、広い面状に形成さ
れている。従って、ポスト電極５１ａ、５１ｂ及びポス
ト電極５２ａ、５２ｂはこの広大なリード層５０ａ、５
０ｂの任意の位置に接合することができる。ポスト電極
５２ａ、５２ｂの配置が２次元的に自由度が増すので、
パッケージの電極パッドの位置に拘らず、そこから最短
距離となるようにポスト電極５２ａ、５２ｂを配置した
り、位置を微調整することができる。ワイヤ交差防止の
観点から、ポスト電極５２ａ、５２ｂの幅に対してリー
ドの幅が２倍以上とするのが好ましい。
【００３５】図８（ａ）、（ｂ）は、本発明の他の実施
例を示す図である。図８（ａ）、（ｂ）は、一方のリー
ド層５３ａが他方のリード層５３ｂよりも広大に形成さ
れており、このリード層５３ａが、上基板１２に覆われ
ていない下基板１０のパターニング領域の殆どの領域を
占めている。この場合は、ポスト電極５５ｂはその位置
が制約を受けるが、ポスト電極５５ａは広大なリード層
５３ａの任意の位置に設けることができる。例えば、１
対のリード層５３ａ、５３ｂのうち、一方のリード層５
３ｂの幅はポスト電極５４ｂとほぼ同じ幅とするのに対
し、他方のリード層５３ａはそれよりも広い幅とするこ
とができる。しかし、他方のリード層５３ａの幅は下基
板（パターニング領域）の幅一杯に形成することができ
る。この場合は、パッケージの電極パッドがいかなる場
所であっても、一方のポスト電極５４ｂまでの距離を最
短としつつ、他方のポスト電極５４ａを自在に配置する
ことができる。
例を示す図である。図８（ａ）、（ｂ）は、一方のリー
ド層５３ａが他方のリード層５３ｂよりも広大に形成さ
れており、このリード層５３ａが、上基板１２に覆われ
ていない下基板１０のパターニング領域の殆どの領域を
占めている。この場合は、ポスト電極５５ｂはその位置
が制約を受けるが、ポスト電極５５ａは広大なリード層
５３ａの任意の位置に設けることができる。例えば、１
対のリード層５３ａ、５３ｂのうち、一方のリード層５
３ｂの幅はポスト電極５４ｂとほぼ同じ幅とするのに対
し、他方のリード層５３ａはそれよりも広い幅とするこ
とができる。しかし、他方のリード層５３ａの幅は下基
板（パターニング領域）の幅一杯に形成することができ
る。この場合は、パッケージの電極パッドがいかなる場
所であっても、一方のポスト電極５４ｂまでの距離を最
短としつつ、他方のポスト電極５４ａを自在に配置する
ことができる。
【００３６】上述の各実施例のように、リード層の任意
の位置にポスト電極を配置するときには、位置決めを容
易とするために、リード層にマーキングを設けておくの
が好ましい。これらのマーキングはリード層のパターン
の周辺又はパターン内部に、スリット、凹部又は切り込
み等の形状としてパターン形成時に設けることができ
る。図９（ａ）及び（ｂ）乃至図１１（ａ）及び（ｂ）
はマーキングが形成されたリード層を示す模式図であ
る。図９（ａ）及び（ｂ）は、リード層６０、６１、６
２、６３に正方形の位置合せ用マーキング７０、７１、
７２、７３を設けたものである。
の位置にポスト電極を配置するときには、位置決めを容
易とするために、リード層にマーキングを設けておくの
が好ましい。これらのマーキングはリード層のパターン
の周辺又はパターン内部に、スリット、凹部又は切り込
み等の形状としてパターン形成時に設けることができ
る。図９（ａ）及び（ｂ）乃至図１１（ａ）及び（ｂ）
はマーキングが形成されたリード層を示す模式図であ
る。図９（ａ）及び（ｂ）は、リード層６０、６１、６
２、６３に正方形の位置合せ用マーキング７０、７１、
７２、７３を設けたものである。
【００３７】また、図１０（ａ）及び（ｂ）に示すよう
に、マーキング７４、７５、７６、７７を、ポスト電極
の位置ずれを防止するために、例えば長方形状にするこ
ともできる。特に、面状のリード層６３の場合は、マー
キング７７の配置はグリッド状にするのが好ましい。こ
れにより、設計通りの位置にポスト電極を配置すること
ができると共に、ポスト電極の位置ずれを防止すること
ができる。
に、マーキング７４、７５、７６、７７を、ポスト電極
の位置ずれを防止するために、例えば長方形状にするこ
ともできる。特に、面状のリード層６３の場合は、マー
キング７７の配置はグリッド状にするのが好ましい。こ
れにより、設計通りの位置にポスト電極を配置すること
ができると共に、ポスト電極の位置ずれを防止すること
ができる。
【００３８】また、図１１（ａ）及び（ｂ）に示すよう
に、位置合わせの精度向上のために、リード層６０、６
１、６２、６３とは独立に、位置合わせの画像認識用の
マーキング７８、７９、８０、８１を設けてもよい。こ
の場合、マーキング７８、７９、８０、８１は、リード
層形成時に別のパターンを同時に形成することで作製で
きる。なお、この位置合わせの画像認識用のマーキング
８０、８１は、リード層６２、６３が形成される基板の
余白に形成される。
に、位置合わせの精度向上のために、リード層６０、６
１、６２、６３とは独立に、位置合わせの画像認識用の
マーキング７８、７９、８０、８１を設けてもよい。こ
の場合、マーキング７８、７９、８０、８１は、リード
層形成時に別のパターンを同時に形成することで作製で
きる。なお、この位置合わせの画像認識用のマーキング
８０、８１は、リード層６２、６３が形成される基板の
余白に形成される。
【００３９】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
下基板上に非対象又は対象のリード層を設けたので、ポ
スト電極を、熱電モジュールが配置されるパッケージの
電極パッドにあわせて任意の位置に配置することがで
き、このため、パッケージの電極パッドの位置に拘わら
ず、容易にワイヤボンディングによりポスト電極と電極
パッドとを接続することができる。よって、接続作業の
自動化も可能となり、製造コストを低減することができ
る。
下基板上に非対象又は対象のリード層を設けたので、ポ
スト電極を、熱電モジュールが配置されるパッケージの
電極パッドにあわせて任意の位置に配置することがで
き、このため、パッケージの電極パッドの位置に拘わら
ず、容易にワイヤボンディングによりポスト電極と電極
パッドとを接続することができる。よって、接続作業の
自動化も可能となり、製造コストを低減することができ
る。
【図１】 本発明の第１実施例を示し、（ａ）は平面
図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は一部斜視図である。
図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は一部斜視図である。
【図２】 本実施例の変形例を示す平面図である。
【図３】 （ａ）乃至（ｃ）は本発明の他の実施例を示
す平面図である。
す平面図である。
【図４】 （ａ）乃至（ｃ）は本発明の更に他の実施例
を示す図である。
を示す図である。
【図５】 （ａ）及び（ｂ）は本発明の他の実施例を示
す図である。
す図である。
【図６】 （ａ）及び（ｂ）は本発明の他の実施例を示
す図である。
す図である。
【図７】 （ａ）及び（ｂ）は本発明の他の実施例を示
す図である。
す図である。
【図８】 （ａ）及び（ｂ）は本発明の他の実施例を示
す図である。
す図である。
【図９】 （ａ）及び（ｂ）はマーキングが形成された
リード層を示す模式図である。
リード層を示す模式図である。
【図１０】 （ａ）及び（ｂ）はマーキングが形成され
たリード層を示す模式図である。
たリード層を示す模式図である。
【図１１】 （ａ）及び（ｂ）はマーキングが形成され
たリード層を示す模式図である。
たリード層を示す模式図である。
【図１２】 （ａ）は従来の一般的な熱電モジュールを
示す平面図、図１２（ｂ）はその側面図である。
示す平面図、図１２（ｂ）はその側面図である。
【図１３】 （ａ）はポスト電極を有する従来の熱電モ
ジュールを示す平面図、図１３（ｂ）はその側面図であ
る。
ジュールを示す平面図、図１３（ｂ）はその側面図であ
る。
【図１４】 ポスト電極を有する従来の熱電モジュール
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図１５】 （ａ）及び（ｂ）は電極パッド４と、パッ
ケージの電極パッド７ａ、７ｂとをリード線５により接
続する場合を示す平面図である。
ケージの電極パッド７ａ、７ｂとをリード線５により接
続する場合を示す平面図である。
【図１６】 ポスト電極を有する従来の熱電モジュール
の欠点を説明する図である。
の欠点を説明する図である。
１０；下基板、 １１；熱電素子、 １２；上基板、
１３、１４；メタライズ層、 １５ａ、１５ｂ、１８
ａ、１８ｂ、２０ａ、２０ｂ；ポスト電極、 １６ａ、
１６ｂ、１７ａ、１７ｂ、１９ａ、１９ｂ；リード層
１３、１４；メタライズ層、 １５ａ、１５ｂ、１８
ａ、１８ｂ、２０ａ、２０ｂ；ポスト電極、 １６ａ、
１６ｂ、１７ａ、１７ｂ、１９ａ、１９ｂ；リード層
Claims (4)
- 【請求項１】 下基板と、前記下基板に対向する上基板
と、前記下基板及び上基板の各対向面に形成された複数
個の下部電極及び上部電極と、前記下部電極と上部電極
との間に設けられ前記下部電極及び上部電極により直列
及び／又は並列に接続された複数個の熱電素子と、前記
下基板上に配置された１対のポスト電極と、前記直列及
び／又は並列に接続された熱電素子群の両端部の熱電素
子に接続されると共に前記ポスト電極に接続される非対
称の１対のリード層とを有することを特徴とする熱電モ
ジュール。 - 【請求項２】 下基板と、前記下基板に対向する上基板
と、前記下基板及び上基板の各対向面に形成された複数
個の下部電極及び上部電極と、前記下部電極と上部電極
との間に設けられ前記下部電極及び上部電極により直列
及び／又は並列に接続された複数個の熱電素子と、前記
下基板上に相互に分離して形成され前記直列及び／又は
並列に接続された熱電素子群の両端部の熱電素子に接続
された１対の下部電極に接続された１対のリード層と、
前記各リード層上における前記下基板の辺縁に平行の中
心軸に対して非対称の位置に配置された１対のポスト電
極とを有することを特徴とする熱電モジュール。 - 【請求項３】 前記リード層及び前記下部電極は、前記
下基板上に導電膜を形成した後、この導電膜をパターニ
ングすることにより、同時に形成されていることを特徴
とする請求項１又は２に記載の熱電モジュール。 - 【請求項４】 前記リード層上に予備のポスト電極が配
置されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれ
か１項に記載の熱電モジュール。
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