JP2002368340A - メタモーフィック・バッファ層構造を備えたガリウムヒ化物ウェーハによる長波長レーザダイオード - Google Patents

メタモーフィック・バッファ層構造を備えたガリウムヒ化物ウェーハによる長波長レーザダイオード

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 約1.3μmから約1.55μmまでの波長を有す
る光を発することができる発光半導体装置を製造する際
にインジウム含有物質をGaAs上に成長させると、転位及
びその他の結晶欠陥が生じ、装置の性能を低下させるこ
とになる。そのため活性領域をInPに格子整合して成長
させていたが、InP基板は通常GaAs基板よりも性能的に
劣っていた。 【解決手段】 メタモーフィック・バッファ層を用い
ることにより格子定数を段階的に変化させ、それによっ
てGaAs基板を利用できるようにして、より優れた機械特
性、電気特性、熱特性及び／または光学特性を示し得る
ような発光装置を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、約1.3μmから約1.
55μmの波長を有する光を発することができる発光装置
に関し、特に、そのような発光装置にメタモーフィック
・バッファ層が組み入れられたものに関する。
【０００２】
【従来の技術】電気通信産業では、約1.3μmから約1.55
μmの波長を有する光を発することができる光源が要求
される。これらの波長は、従来のガラス光ファイバにお
ける波長分散の最小領域及び光損失の最小領域にそれぞ
れ対応しており、これによって長距離高速光通信を向上
させることができる。
【０００３】InGaAsP及びAlInGaAs材料系などの適切な
組成のインジウム含有半導体材料系から製造されるよう
な、活性領域を有する面放射型面発光レーザ（VCSEL）
は、1.3μm及び約1.55μmで動作可能である。しかしな
がら、このような活性領域をGaAsに格子整合して成長さ
せることは通常できない。このようなインジウム含有物
質をGaAs上に成長させると、通常、結果として転位及び
その他の結晶欠陥が生じ、装置の性能を低下させること
になる。従って、約1.3μmから約1.55μmまでの波長を
有する光を発することができる発光半導体装置は、通常
InP基板に格子整合して成長させる。残念ながら、InP基
板は通常GaAs基板より小型で、高価で、且つ脆弱であ
る。
【０００４】更に、VCSELは通常、活性領域から発せら
れる光を反射するように設計された１若しくは数個の分
布型ブラッグ反射器（DBR）を有する。分布型ブラッグ
反射器は、活性領域に光学フィードバックを提供する。
残念ながら、InPに格子整合し得る材料系から形成したD
BRは、従来のGaAsに格子整合するGaAs/AlAs DBRに比べ
て性能が劣る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような課
題に着目してなされたものであり、その目的とすること
は、約1.3μmから約1.55μmまでの波長を有する光を発
することができるような半導体構造をGaAs基板と共に組
み入れた発光装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の一様態によれば、GaAs基板と、基板上に
配置された、約1.3μmから約1.55μmの波長を有する光
を発することができる発光構造と、基板と発光構造とに
挟装されているバッファ層とを含むことを特徴とする発
光装置が提供される。基板の格子定数にほぼ等しい格子
定数から発光構造の格子定数にほぼ等しい格子定数まで
バッファ層の格子定数が徐々に変化するようにバッファ
層の組成をバッファ層内で変化させた。
【０００７】一様態では、バッファ層はInxAl1-xAs（0
≦x≦1）を含む。例えば、アルミニウムのフラックス、
ヒ素のフラックス及びインジウムのフラックスを基板に
供給し、アルミニウムのフラックスとインジウムのフラ
ックスの比を変化させることにより、このようなバッフ
ァ層を形成する。一実施例では、約３８０℃から約４２
０℃の温度で基板を維持する。
【０００８】一様態では、発光装置は、基板とバッファ
層とに挟装されたGaAs/AlAs分布型ブラッグ反射器を更
に有する。この例では、通常GaAs基板に格子整合するよ
うな分布型ブラッグ反射器の格子定数から発光構造の格
子定数までバッファ層の格子定数が徐々に変化するよう
にバッファ層の組成を変化させた。
【０００９】別の様態では、発光装置は、第２のGaAs/A
lAs分布型ブラッグ反射器及び第２バッファ層を有す
る。発光構造の格子定数から第２分布型ブラッグ反射器
の格子定数までバッファ層の格子定数が徐々に変化する
ように第２バッファ層の組成を変化させた。
【００１０】本発明の実施例に基づく発光装置は、InP
基板上に成長させた類似の発光装置と比べて優れた機械
特性、電気特性、熱特性及び／または光学特性を示し得
る。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の一様態に基づく
発光装置１０であり、上部表面１４を有するGaAs基板１
２と、上部表面１４上に配置されたメタモーフィック・
バッファ層１６と、メタモーフィック・バッファ層１６
の表面１８上に配置された発光構造２０とが含まれてい
る。
【００１２】図１に示した実施例では、GaAs基板１２
は、バルクGaAs基板１２ａ及びGaAsバッファ層１２ｂを
有する。GaAsバッファ層１２ｂは、英国イーストグリン
ステッドのVG Semicon社製のV90分子線エピタキシーシ
ステムを用いて、分子線エピタキシー（MBE）によりバ
ルクGaAs基板１２ａの表面１３上に成長させる。III-V
族材料系に適したその他の市販のMBEシステムを用いて
もよい。好適なバルクGaAs基板ウェーハは、種々の供給
元から市販されている。バルクGaAs基板１２ａの位置決
定はMBE装置で行い、ヒ素フラックスの存在下で温度約
６５０℃まで加熱して表面酸化物を除去する。その後、
約５５０℃から約６２０℃までの基板温度でガリウム及
びヒ素の原料から表面１３上にバルクGaAsバッファ層１
２ｂを成長させる。GaAsバッファ層１２ｂの厚さは、通
常約100Åから約1000Åである。
【００１３】図１に示した実施例では、バルクGaAs基板
１２ａ及びGaAsバッファ層１２ｂの両方をn型導電率ま
で従来法でドープしているが、別の実施例ではドープし
なかったり或いはp型導電率まで従来法でドープしたり
し得る。バルクGaAs基板１２ａの表面１３は、例えば
(100) 結晶表面または約２°から約８°だけミスカット
された (100) 結晶表面である。
【００１４】GaAs基板１２の格子定数から発光構造２０
の格子定数までメタモーフィック・バッファ層１６の格
子定数が徐々に変化するようにメタモーフィック・バッ
ファ層１６の組成を表面１４からの距離で変化させる。
組成変化に起因するメタモーフィック・バッファ層１６
の歪みは、転位により緩和される。しかしながら、メタ
モーフィック・バッファ層１６における欠陥密度を低く
し、転位及びその他の欠陥がメタモーフィック・バッフ
ァ層１６から表面１８まで広がらないように、メタモー
フィック・バッファ層１６の組成の段階的変化を選択す
る際には十分に緩やかな変化になるように行う。
【００１５】発光構造２０を支持するメタモーフィック
・バッファ層１６では、表面１８における欠陥（例えば
転位）を平方センチ（cm2）当たり約104以下とすべきで
あることは、当業者であれば理解されよう。表面１８の
欠陥密度が104/cm2より大きければ、発光構造２０の性
能を著しく損ない得る。当業者は対照的に、高電子移動
度トランジスター（HEMT）の製造に用いられるメタモー
フィック・バッファ層が通常約106/cm2もの表面欠陥密
度を有し、それゆえに発光装置での使用に適さないこと
を理解するであろう。
【００１６】発明者は、本発明に基づき準備した例えば
InxAl1-xAsメタモーフィック・バッファ層の表面欠陥密
度を測定した。測定は、従来の装飾エッチングで欠陥を
優先的にエッチングし、エッチングした表面を光学顕微
鏡で映し出し、欠陥を計数することによって行った。発
明者は、本発明に基づき準備したこのようなメタモーフ
ィック・バッファ層の欠陥密度が概ね104/cm2以下であ
り、それゆえに発光装置での使用に適していることを発
見した。
【００１７】図１に示した実施例では、メタモーフィッ
ク・バッファ層１６には、GaAsバッファ層を成長させた
装置と同じMBE装置を用いて分子線エピタキシー（MBE）
によりGaAs基板１２の表面１４で成長させたInxAl1-xAs
（0≦x≦1）が含まれる。この実施例では、約３８０℃
から約４２０℃までの基板温度で、好適には約４００℃
で、インジウム、アルミニウム及びヒ素の原料からメタ
モーフィック・バッファ層１６の成長を行う。約４２０
℃以上の温度では、インジウムのマイグレーションは、
８を粗面にするような欠陥を引き起こす。
【００１８】メタモーフィック・バッファ層１６は、導
電性である。図１に示した実施例では、メタモーフィッ
ク・バッファ層１６をn型導電率まで従来法でドープし
ているが、別の実施例ではドープしなかったり或いはp
型導電率まで従来法でドープしたりし得る。
【００１９】InxAl1-xAsを含むメタモーフィック・バッ
ファ層１６の厚さは、通常約1500Åから約2μmである。
【００２０】メタモーフィック・バッファ層１６の望ま
しい組成プロフィールは、成長プロセス中にGaAs基板１
２への前駆物質のフラックスを制御することにより得ら
れる。例えば、図１に示したInxAl1-xAsメタモーフィッ
ク・バッファ層１６のMBE成長中には、ヒ素のフラック
スを一定に保持し、インジウムのモル分率が表面１４付
近で概ねx＝0から表面１８付近で概ねx＝0.53まで変化
するようにアルミニウムのフラックスとインジウムのフ
ラックスの比を変化させる。インジウムのモル分率が増
加するにつれて、メタモーフィック・バッファ層１６の
結晶格子においてアルミニウム原子がインジウム原子に
置換される。メタモーフィック・バッファ層１６は、表
面１４付近でGaAs基板１２に名目上格子整合し、表面１
８付近で発光構造２０のn-InPクラッド層２２に名目上
格子整合する。InxAl1-xAsメタモーフィック・バッファ
層１６のインジウムのモル分率を変化させて、インジウ
ムの他のIII-V族合金、例えばアルミニウム、ガリウ
ム、ヒ素、リンまたはこれらの組合せとインジウムとの
合金を表面１８付近で名目上格子整合し得ることは、当
業者であれば理解できよう。
【００２１】InxAl1-xAsメタモーフィック・バッファ層
１６のインジウムのモル分率は、表面１４と表面１８の
間で例えば単調に線形にまたは指数関数的に変化し得
る。或いは、インジウムのモル分率は、単調な様式で変
化し得る。例えば、インジウムのモル分率は、表面１４
付近では概ねx＝0であり、表面１４と表面１８の中間の
位置では値x1まで増加し、表面１８付近では値x2（x2＜
x1）まで減少する。更に、InxAl1-xAsメタモーフィック
・バッファ層１６のインジウム及びアルミニウムのモル
分率は、滑らかに、或いは厚さ約100Åから約1000Åの
段階で段階的に変化し得る。
【００２２】発光構造２０は、約1.3μmから約1.55μm
の波長を有する光を発することができるような従来型の
インジウムを含む発光構造である。このような構造につ
いては、当分野で多数知られている。
【００２３】発光装置１０においては、メタモーフィッ
ク・バッファ層１６によって、あまり高価でなく機械的
に頑強であるようなGaAs基板１２と発光構造２０とを統
合することが可能になる。メタモーフィック・バッファ
層１６を成長させた装置と同じ装置を用いて、分子線エ
ピタキシーによりメタモーフィック・バッファ層１６の
表面１８上に発光構造２０を成長させることができる。
或いは、例えば化学蒸着法またはMOCVDにより発光構造
２０の成長を行うこともできる。
【００２４】図１に示した実施例では、発光構造２０に
は、メタモーフィック・バッファ層１６上で成長を行い
且つそこに名目上格子整合するようなn型InPクラッド層
２２が含まれる。クラッド層２２上には、順にAlGaInAs
屈折率分布型（GRIN）層２４、活性領域２６、AlGaInAs
GRIN層２８及びp型InPクラッド層３０を成長させた。
活性領域２６では、AlGaInAsバリヤ層（３０ａ及び３０
ｂ）とAlGaInAsまたはInGaAsP量子井戸層（３２ａ及び
３２ｂ）とが交互に積層している。説明を簡便にするた
めに、図１には量子井戸層とバリヤ層を２層ずつ示す。
別の実施例では、発光構造２０は、１層から約１０層の
量子井戸層とそれに対応する数のバリヤ層を有する。
【００２５】発光構造２０の成長を行った後で、従来の
p型コンタクト３４及び従来のn型コンタクト３６をおの
おのクラッド層２２及びGaAs基板１２にデポジットす
る。
【００２６】p型コンタクト３４とn型コンタクト３６の
間に適切な順方向バイアスを印加すると、結果的に電子
及びホールが活性領域２６に注入されることになる。量
子井戸層３２ａ及び３２ｂにおける電子及びホールの放
射性再結合は、約1.3から約1.55μmの波長を有する光を
生成する。一実施例では、発光装置１０は端面放射型レ
ーザであり、発光装置１０内に従来法で付着させたミラ
ー面３８及び４０が活性領域２６で生成された光の一部
を反射し、それによって活性領域２６に光学フィードバ
ックを提供する。活性領域２６で生成された光の別の部
分は、ミラー面３８及び４０を通過して発光装置１０の
光学出力を形成する。
【００２７】図２を参照すると、本発明の別の実施例に
基づく発光装置５０は、順にGaAs基板１２、従来型の第
１分布型ブラッグ反射器（DBR）５２、メタモーフィッ
ク・バッファ層５４、従来の発光構造２０及び従来型の
第２DBR５６を有する。異なる形状において参照番号が
同じであるものは、異なる実施例における同一部分を示
す。
【００２８】従来型DBR５２では、例えば分子線エピタ
キシーによってGaAs基板１２に格子整合して成長させた
ような、GaAs層（５８ａ及び５８ｂ）とAlAs層（６０ａ
及び６０ｂ）とが交互に積層している。DBR５２の各層
は、発光構造２０の活性領域２６で生成された光の波長
の約４分の１の厚さを有する。それゆえ、DBR５２は通
常、約1.3μmから約1.55μmの波長を有する光に対して
高度の反射性を有する。図２に示した実施例では、DBR
５２をn型導電率まで従来法でドープしているが、別の
実施例ではドープしなかったり或いはp型導電率まで従
来法でドープしたりし得る。このような従来型のGaAs/A
lAs DBRについては、当分野で多数知られている。
【００２９】説明を簡便にするために、図２にはGaAs層
及びAlAs層を２組だけ示す。通常は、DBR５２にはこの
ような層が約２０〜約４０組含まれる。当業者であれ
ば、DBR５２などのDBRの反射率はDBRに含まれる層の組
数の増加に伴って増加することが理解されよう。
【００３０】発光装置５０の性能は、発光構造２０に格
子整合するInPベースの物質からDBRを形成するよりもむ
しろ、GaAs/AlAs DBR５２を含めることにより向上す
る。具体的には、GaAs/AlAs DBR５２は、InPベースのDB
Rと比較して、少ない層の組数に対して反射率が高く、
高い熱伝導率及び低い直列抵抗を示す。
【００３１】DBR５２の表面６２上で成長を行うメタモ
ーフィック・バッファ層５４は、先の実施例のメタモー
フィック・バッファ層１６にかなり類似している。具体
的には、（GaAs基板１２に格子整合する）DBR５２の格
子定数から発光構造２０のインジウム含有物質の格子定
数までメタモーフィック・バッファ層５４の格子定数が
徐々に変化するようにメタモーフィック・バッファ層５
４の組成を表面６２からの距離で変化させる。従って、
発光装置５０においては、メタモーフィック・バッファ
層５４によって、発光構造２０とGaAs/AlAs DBR５２と
を統合することが可能になる。DBR５２を成長させた装
置と同じ装置を用いて、分子線エピタキシーによりメタ
モーフィック・バッファ層５４の成長を行うことができ
る。図２の例では、メタモーフィック・バッファ層５４
は、表面６２付近でDBR５２に名目上格子整合し、表面
６４付近でn-InPクラッド層２２に名目上格子整合する
ようなInxAl1-xAsを含む。
【００３２】メタモーフィック・バッファ層５４は、約
1.3から約1.55μmの波長を有する光を実質的に透過する
のが好ましい。例えばInxAl1-xAsを含むメタモーフィッ
ク・バッファ層５４は、x ＜0.4の場合に適度に透過性
を有する。
【００３３】従来のDBR５６も通常また、約1.3から約1.
55μmの波長を有する光に対して高度の反射性を有す
る。図２に示す実施例では、DBR５６は、光の波長の約
４分の１の交互積層即ち例えば分子線エピタキシーによ
りInPクラッド層３０に格子整合して成長させたInGaAsP
層（６６ａ及び６６ｂ）及びInP層（６８ａ及び６８
ｂ）を含むような従来のInGaAsP/InP DBRを有する。図
２に示した実施例では、DBR５６をp型導電率まで従来法
でドープしているが、別の実施例ではドープしなかった
り或いはn型導電率まで従来法でドープしたりし得る。
このような従来型のInGaAsP/InP DBRについては、当分
野でよく知られている。説明を簡便にするために、図２
にはInGaAsP層及びInP層を２組だけ示す。通常は、DBR
５６にはこのような層が２０組以上含まれる。
【００３４】DBR５６を成長させた後で、従来のp型コン
タクト３４及び従来のn型コンタクト３６をおのおのDBR
５６及びGaAs基板１２にデポジットする。
【００３５】コンタクト３４と３６の間に適切な順方向
バイアスを印加すると、結果的に活性領域２６に約1.3
μmから約1.55μmの波長を有する光が生成される。DBR
５２及び５６は、活性領域２６で生成された光の一部を
反射し、それによって活性領域２６に光学フィードバッ
クを提供する。活性領域２６で生成された光の別の部分
は、DBR５２及び５６の一方または両方を通過して発光
装置５０の光学出力を形成する。一態様において、発光
装置５０は面放射型面発光レーザ（VCSEL）である。
【００３６】図３を参照すると、本発明の別の実施例に
基づく発光装置７０は、順にGaAs基板１２、従来型の第
１分布型ブラッグ反射器（DBR）５２、メタモーフィッ
ク・バッファ層５４、従来の発光構造２０、第２メタモ
ーフィック・バッファ層７２及び従来型の第２DBR７４
を有する。
【００３７】InPクラッド層３０の表面７６上で成長を
行うメタモーフィック・バッファ層７２は、先の実施例
のメタモーフィック・バッファ層１６及び５４にかなり
類似している。具体的には、発光構造２０のインジウム
含有物質の格子定数からDBR７４のAlAsまたはGaAs層の
格子定数までメタモーフィック・バッファ層７２の格子
定数が徐々に変化するようにメタモーフィック・バッフ
ァ層７２の組成を表面７６からの距離で変化させる。従
って、発光装置７０においては、メタモーフィック・バ
ッファ層７２によって、発光構造２０とGaAs/AlAs DBR
７４とを統合することが可能になる。メタモーフィック
・バッファ層７２の成長は、例えば分子線エピタキシー
により行うことができる。図２の例では、メタモーフィ
ック・バッファ層７２は、表面７６付近でInPクラッド
層３０に名目上格子整合し、表面７８付近でDBR７４に
名目上格子整合するようなInxAl1-xAsを含む。
【００３８】DBR７４は、DBR５２にかなり類似している
か或いは同一であり、同様の利点を提供する。具体的に
は、メタモーフィック・バッファ層７２の表面７８上に
例えばMBEによって成長させたようなGaAs層（８０ａ及
び８０ｂ）とAlAs層（８２ａ及び８２ｂ）とが交互に積
層している。DBR７４は、通常、約1.3μmから約1.55μm
の波長を有する光に対して高度の反射性を有する。図３
に示した実施例では、DBR５２をp型導電率まで従来法で
ドープしているが、別の実施例ではドープしなかったり
或いはn型導電率まで従来法でドープしたりし得る。説
明を簡便にするために、図３にはGaAs層及びAlAs層を２
組だけ示す。通常は、DBR７４にはこのような層が約２
０〜約４０組含まれる。
【００３９】DBR７４を成長させた後で、従来のp型コン
タクト３４及び従来のn型コンタクト３６をおのおのDBR
７４及びGaAs基板１２にデポジットする。
【００４０】発光装置７０は、発光装置５０の操作方法
とかなり類似した方法で操作する。
【００４１】上記において本発明の好適な実施の形態に
ついて説明したが、本発明には特許請求の範囲内に含ま
れる全てのバリエーション及び改変が含まれることを理
解されたい。
【００４２】
【発明の効果】従って、本発明によれば、約1.3μmから
約1.55μmまでの波長を有する光を発することができる
ような半導体構造を組み入れた発光装置を製造する際
に、従来用いられてきたInP基板ではなくGaAs基板を利
用することにより、優れた機械特性、電気特性、熱特性
及び／または光学特性を示し得る発光装置を提供するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に基づくメタモーフィック・
バッファ層を有する発光装置の概略図である。図中の寸
法は必ずしも縮尺通りではない（以下同じ）。
【図２】本発明の別の実施例に基づくメタモーフィック
・バッファ層及び分布型ブラッグ反射器を有する発光装
置の概略図である。
【図３】本発明の別の実施例に基づく２層のメタモーフ
ィック・バッファ層を有する発光装置の概略図である。
【符号の説明】
１０、５０、７０ 発光装置 １２ 基板 １２ａ バルク基板 １２ｂ バッファ層 １３、１４、１８、６２、６４、７６、７８ 表面 １６、５４ メタモーフィック・バッファ層 ２０ 発光構造 ２２、３０ クラッド層 ２４、２８ GRIN層 ２６ 活性領域 ３０ａ、３０ｂ バリヤ層 ３２ａ、３２ｂ 量子井戸層 ３４ p型コンタクト ３６ n型コンタクト ３８、４０ 付着表面 ５２、５６、７４ DBR
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 599034594 2300 ＮＥ Ｂｒｏｏｋｗｏｏｄ Ｐａｒ ｋｗａｙ，Ｈｉｌｌｓｂｏｒｏ，Ｏｒｅｇ ｏｎ 94124，Ｕ．Ｓ．Ａ. (72)発明者 エドワード・エイ・ビーム，ザサード アメリカ合衆国テキサス州75074・プラ ノ・カイトメドウドライブ 4144 (72)発明者 ゲーリー・エイ・エバンス アメリカ合衆国テキサス州75093・プラ ノ・サビノドライブ 4520 (72)発明者 ポール・ソーニヤー アメリカ合衆国テキサス州75001・アディ ソン・アザーレーン 4002 (72)発明者 ミング−イー・カオ アメリカ合衆国テキサス州75262−6451・ ダラス・ブロムウィッチコート 7531 (72)発明者 デイビッド・エム・ファニング アメリカ合衆国テキサス州75043・ガーラ ンド・デュランゴドライブ 5113 (72)発明者 ウィリアム・エイチ・ダベンポート アメリカ合衆国オレゴン州97123・ヒルス ボロ・メルビスタレーン 18650 (72)発明者 アンディ・タルディック アメリカ合衆国オレゴン州97123・ヒルス ボロ・ピーオーボックス 371 (72)発明者 ウォルター・エイ・ウォルムス アメリカ合衆国オレゴン州97123・ヒルス ボロ・サウスイーストオークストリート 2964 Ｆターム(参考） 5F045 AA04 AB17 AD07 AD08 AF04 BB12 CA12 CB02 DA58 5F073 AA46 AA55 AA74 AB17 BA02 CA12 CA15 CB02 CB08 CB09 DA06 EA29

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 発光装置であって、 ガリウムヒ化物基板と、 前記基板上に配置されており、約1.3μmから約1.55μm
    の波長を有する光を発することができる発光構造と、 前記基板と前記発光構造とに挟装されたバッファ層とを
    含み、 前記基板の格子定数にほぼ等しい格子定数から前記発光
    構造の格子定数にほぼ等しい格子定数まで前記バッファ
    層の格子定数が徐々に変化するように前記バッファ層の
    組成を該バッファ層内で変化させていることを特徴とす
    る発光装置。
  2. 【請求項２】 前記バッファ層が、InxAl1-xAs（0≦x
    ≦1）を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光装
    置。
  3. 【請求項３】 x≦0.53であることを特徴とする請求
    項１に記載の発光装置。
  4. 【請求項４】 前記バッファ層の厚さが、約1500Åか
    ら約2μmであることを特徴とする請求項１に記載の発光
    装置。
  5. 【請求項５】 前記バッファ層の構成要素のモル分率
    が、前記バッファ層内で指数関数的に変化することを特
    徴とする請求項１に記載の発光装置。
  6. 【請求項６】 前記バッファ層の構成要素のモル分率
    が、前記バッファ層内で線形に変化することを特徴とす
    る請求項１に記載の発光装置。
  7. 【請求項７】 前記バッファ層の構成要素のモル分率
    が、前記バッファ層内で段階的に変化することを特徴と
    する請求項１に記載の発光装置。
  8. 【請求項８】 前記段階の１つの厚さが、約100Åか
    ら約1000Åであることを特徴とする請求項７に記載の発
    光装置。
  9. 【請求項９】 前記発光構造が、レーザを含むことを
    特徴とする請求項１に記載の発光装置。
  10. 【請求項１０】 前記発光構造が、InPに格子整合す
    るインジウム含有物質を含むことを特徴とする請求項１
    に記載の発光装置。
  11. 【請求項１１】 分布型ブラッグ反射器を更に含むこ
    とを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
  12. 【請求項１２】 前記分布型ブラッグ反射器が、ガリ
    ウムヒ化物とアルミニウムヒ化物とを交互に積層した層
    を含むことを特徴とする請求項１１に記載の発光装置。
  13. 【請求項１３】 前記分布型ブラッグ反射器が、前記
    基板と前記バッファ層とに挟装されていることを特徴と
    する請求項１１に記載の発光装置。
  14. 【請求項１４】 前記バッファ層が第１バッファ層で
    あり、前記発光構造と前記分布型ブラッグ反射器とに挟
    装された第２バッファ層を更に有し、前記発光構造の格
    子定数にほぼ等しい格子定数から前記分布型ブラッグ反
    射器の格子定数にほぼ等しい格子定数まで前記第２バッ
    ファ層の格子定数が徐々に変化するように該第２バッフ
    ァ層の組成を該第２バッファ層内で変化させていること
    を特徴とする請求項１１に記載の発光装置。
  15. 【請求項１５】 発光装置を製造する方法であって、 ガリウムヒ化物基板上にバッファ層を形成する過程と、 約1.3μmから約1.55μmの波長を有する光を発すること
    ができる発光構造を前記バッファ層上に形成する過程と
    を有し、 前記基板の格子定数にほぼ等しい格子定数から前記発光
    構造の格子定数にほぼ等しい格子定数まで前記バッファ
    層の格子定数が徐々に変化するように前記バッファ層の
    組成を変化させていることを特徴とする方法。
  16. 【請求項１６】 前記バッファ層を形成する過程が、
    アルミニウムのフラックス、ヒ素のフラックス及びイン
    ジウムのフラックスを前記基板に供給する過程と、前記
    アルミニウムのフラックスと前記インジウムのフラック
    スの比を変化させる過程とを含むことを特徴とする請求
    項１５に記載の方法。
  17. 【請求項１７】 前記バッファ層の形成中に、約３８
    ０℃から約４２０℃の温度で前記基板を維持する過程を
    更に含むことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
  18. 【請求項１８】 前記バッファ層を形成する前に、前
    記基板上に分布型ブラッグ反射器を形成する過程を更に
    含むことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
  19. 【請求項１９】 前記分布型ブラッグ反射器が、ガリ
    ウムヒ化物とアルミニウムヒ化物とを交互に積層した層
    を含むことを特徴とする請求項１８に記載の方法。
  20. 【請求項２０】 前記バッファ層が第１バッファ層で
    あり、前記発光構造上に第２バッファ層を形成する過程
    を更に含み、前記発光構造の格子定数にほぼ等しい格子
    定数からガリウムヒ化物及びアルミニウムヒ化物の一方
    の格子定数にほぼ等しい格子定数まで前記第２バッファ
    層の格子定数が徐々に変化するように該第２バッファ層
    の組成を該第２バッファ層内で変化させていることを特
    徴とする請求項１５に記載の方法。
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