JP2002366918A - 非接触icカード - Google Patents

非接触icカード

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Abstract

(57)【要約】 【課題】LSIの強度を高め、かつ、静電気耐性に優れ
た非接触ICカードを提供することを課題とする。 【解決手段】少なくともひとつのLSI401を内蔵し
た非接触ICカードで、前記LSIの上下を補強板で挟
み込んだ構造の非接触ICカードにおいて、該補強板は
電気導電性を有し、かつ、上補強板404aと下補強板
404bが結合されている非接触ICカードであり、結
合方法として、カシメ構造、スルーホール、静電容量方
式が採用されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】プラスチックカード基体に電
子部品等からなるインレットを挿入してなる非接触IC
カードで、インレットに実装されたLSIに補強板を設
けてある非接触ICカードに関する。
【0002】
【従来の技術】無電池で電磁波を利用して、非接触でデ
ータの通信を行う非接触ICカードは定期券などへの応
用が期待されている。非接触ICカードはプラスチック
カード基体内に通信を制御し、データを読書きするなど
の機能を有したLSIと電磁波を送受するためのアンテ
ナを内蔵している。プラスチックカード基体はISO/
IECで規定されるところのID−1サイズにより、厚
さが約0.8mm程度のものが一般的に流通している。
そのため、内蔵されるLSIなどの電子部品は極薄く加
工する必要がある。一方、カードは普段から定期入れや
カードケース、財布などに入れて持ち歩かれ、曲げなど
の力が加わることが多い。そのため、内蔵される電子部
品の破損を防ぐ必要がある。LSIの破損を防ぐため
に、従来はLSIの上下に金属板などの補強板を設ける
ことが行われてきた。
【0003】図1(a)に従来の非接触ICカードのL
SI実装部分の断面図を示す。LSI(101)はプリ
ント基板(102)上に実装され、その上下に補強板
(103a、103b)が設けられている。補強板(1
03a、103b)は接着剤(104)でLSI(10
1)とプリント基板(102)に接着されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、補強板が金属
などの導電体であると、補強板を電極とした静電容量素
子と同等になり、カードに外部から静電気などによる電
界がかかると、補強板ではさまれたLSIの部分のイン
ピーダンスが他のカード基体部分よりも低くなり、LS
I部は電気的に破損する。図1(b)に従来の非接触I
Cカード(105)のLSI(101)実装部分のカー
ドの断面図を示す。カード(105)に静電気試験用の
プローブ(106)を当て、カード(105)は接地さ
れた金属板(107)の上に置かれて、前記プローブよ
り静電気が印加される。放電経路(108)は矢印の通
りとなり、プローブ(106)から印加された静電気は
上側補強板(103a)からLSI(101)、下側補
強板(103b)を経由して接地された金属板(10
7)に至り、このときLSI(101)が破損する。
【0005】特開平11―250209号においては、
帯電防止剤を用いて、カード基体(109)への帯電を
少なくするほう方法が提案されている。この方法により
カードへの帯電がなくなったとしても、すでに帯電して
いるリーダライタ等の装置からの放電による破壊は防ぐ
ことが困難である。また、人体がカードを保持し、リー
ダライタへカードを近づけたときは、人体が帯電してい
る場合は、人体からカードを通して、リーダライタへ放
電が起きるため、このような場合も、カード内部のLS
Iは破壊されてしまう。カード自体の帯電を防止するだ
けでは、静電気によるカード内部のLSIの破壊を防止
することは困難である。
【0006】本発明は上記の問題点を鑑みてなされたも
ので、LSIの強度を高め、かつ、静電気耐性に優れた
非接触ICカードを提供することを課題とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明においては、少な
くともひとつのLSIを内蔵した非接触ICカードで、
前記LSIの上下を補強板で挟み込んだ構造の非接触I
Cカードにおいて、該補強板は電気導電性を有し、か
つ、上補強板と下補強板が結合されていることにより、
静電気によるLSIの破壊を防ぐものである。電気導電
性を有した補強板とはすなわちSUS(ステンレス)や
鉄、銅、アルミなどの金属や合金、その他抵抗率が概ね
10-6Ω・m程度以下である材料により構成されている
ものである。
【0008】また、上補強板と下補強板はカシメ構造に
より電気的結合されていることにより、静電気によるL
SIの破壊を防ぐものである。カシメ構造とはすなわ
ち、金属箔を補強板に用いたときに、上補強板と下補強
板に圧力をかけ、塑性変形させ接合するものである。圧
力と同時に熱や超音波振動などを用いても良い。
【0009】また、上補強板と下補強板はLSIを実装
した基板上の配線パターンを介して、配線パターンに設
けられたスルホールにより電気的結合されていることに
より、静電気によるLSIの破壊を防ぐものである。
【0010】また、上補強板と下補強板は静電容量にて
電気的に結合されていることにより、静電気によるLS
Iの破壊を防ぐものである。
【0011】また、静電容量素子はLSIを実装した基
板上の配線パターンと同一面に形成されていることによ
り、静電気によるLSIの破壊を防ぐものである。
【0012】
【発明の実施の形態】本発明による実施の形態を説明す
る。図4(b)は本発明による非接触ICカード用のL
SI実装部分の斜視図である。プリント基板(401)
にLSI(402)が実装され、上下に接着剤(40
3)により補強板(404a、404b)を取り付けて
ある。プリント基板(401)はLSI(402)と他
の電子部品やアンテナを接続するため、ガラスエポキシ
基材に銅箔が貼られ、それをエッチングによりパターン
が形成されている(図示せず)。もちろん、プリント基板
にアンテナパターンを設けても良い。プリント基板は一
般的な電子回路用のものが使用でき、ポリイミドやPE
T等の樹脂製のフィルムを用いたFPC(flexible Pri
nted Circuit)でも良い。パターン用の導電箔は銅箔の
ほかアルミ箔やそれらにめっきしたもの、合金、導電ペ
ーストなど電子回路形成用材料を用いることができる。
プリント基板(401)にはLSI(402)が実装さ
れる。プリント基板(401)のパターンとLSI(4
02)の接続にはワイヤボンディング法やフェイスダウ
ン法など一般的なICの実装方法が使用できる。
【0013】補強板(404a、404b)は補強部
(406a、406b)とつば部分(405a、405
b)からなり、補強板(404a、404b)の材料に
はSUSなどの金属が用いられる。金属は薄くても強度
が高く、また、加工もしやすいためである。SUS(ス
テンレス)や鉄、銅、アルミなどの金属や合金、その他
抵抗率が概ね10-6Ω・m程度以下である材料が用いら
れる。厚さは30μm〜150μm程度のものが好適
で、打ち抜き法やエッチング法、放電加工法等により所
望の形に形成され、接着剤(403)でLSI(40
2)及びプリント基板(401)に接着される。補強板
のつばの部分(405a、405b)は板状の金属をプ
レス法により加工しても良いし、ブロック上の塊をフラ
イス加工したものでもよい。
【0014】補強板(404a、404b)とLSI
(402)の接着にはエポキシ系の接着剤やICの封止
剤等が使用できる。COB(Chip On Board)に使用さ
れている一般的な封止剤でよい。フェイスダウン法によ
るICの実装によりLSIのフェイス面が露出していな
い場合などの様に不純物の影響などを考慮する必要が無
ければ、シリコン系、アクリル系など、一般的な接着剤
でも良い。強度に問題が無ければ、接着剤を使用しなく
ても良い。補強板による強度との兼ね合いで接着剤の硬
さを選定すればよい。
【0015】上下の補強板との電気的な結合の一例を図
3(a)に示す。本発明による非接触ICカードに内蔵
されるLSI実装部分の断面図である。基板(130
1)に設けられたスルホール(1302)を介して、上
補強板(1303a)と下補強板(1303b)が接合
されている。図中では補強板(1303a、1303
b)とスルホール(1302)のあるパターン(130
4a、1304b)は接しているだけで、電気的に導通
はあるが、接合部を導電性接着剤や溶接、はんだ付け当
により接合しても良い。また、超音波振動により接合す
ることも可能である。
【0016】スルホール(1302)は図中では1箇所
であるが、任意に多数設けても良い。図中では補強板は
上下ともキャップ状であるが、スルホール(1302)
と接する部分以外は上下で接する必要は無く、一部分だ
けでも良い。本構造によればカードに印加された静電気
は上補強板(1303a)から下補強板(1303b)
に電流が流れ(又はその逆に下補強板から上補強板に電
流が流れ)、LSI(1305)に電流が流れることは
無く、LSI(1305)は破壊されない。
【0017】上下の補強板との電気的な結合の他の一例
を図3(c)に示す。本発明による非接触ICカードの
LSI実装部分の断面図である。上下の補強板(330
3a、3303b)を圧力、熱、超音波などをそれぞれ
単独で、あるいは複合で加えることにより、補強板自身
を塑性変形させ、かしめて、直接接続する。図中ではか
しめる位置(3307)が1箇所であるが、任意に多数
設けても良い。図中では補強板(3303a、3303
b)は上下ともキャップ状であるが、かしめ部分(33
07)以外は上下で接する必要は無く、一部分だけでも
良い。
【0018】本構造によればカードに印加された静電気
は上補強板(3303a)から下補強板(3303b)
に電流が流れ(又はその逆に下補強板から上補強板に電
流が流れ)、LSI(3305)に電流が流れることは
無く、LSI(3305)は破壊されない。
【0019】上下の補強板との電気的な結合が静電容量
による場合の一例を図2(a)に示す。本発明による非
接触ICカードのLSI実装部分の断面図である。図2
(b)はカード(201)の上面に静電気試験用のプロ
ーブ(202)を当て、カード(201)下面には接地
した金属板(203)を設けて、静電気試験を実施した
ときの様子を表したものである。プローブ(202)に
静電気が印加されると、上側の補強板(204a)に放
電する。補強板のつば部分(205a)は下側の補強板
のつば部分(205b)との距離がその他の部分よりも
短いため、大きな静電容量を持つため、インピーダンス
が低く、電流はつば部分(205a、205b)を通過
し、下側補強板(204b)を経由し、接地されたカー
ド下面の金属板(203)に到達する。
【0020】LSI(206)には電流が流れることは
無く、LSI(206)は破壊されない。つば部分(2
05a、205b)のインピーダンスを下げるため、上
下補強板(204a、204b)の対向するつば部分
(205a、205b)の面積が補強部分(208a、
208b)の面積よりも大きいことが好ましい。すなわ
ち、上下補強板(204a、204b)の補強部(20
8a、208b)の対向する部分の静電容量は補強部
(208a、208b)の面積と、上下補強部間の距離
(209)により決まり、つば部分(205a、205
b)の静電容量は上下補強板のつば部分(205a、2
05b)の対向する面積と、上下補強板のつば部分の距
離(210)によってきまるからである。
【0021】上下の補強板との電気的な結合が静電容量
による場合の他の一例を図3(b)に示す。本発明によ
る非接触ICカードのLSI実装部分の断面図である。
上下の補強板(2303a、2303b)をプリント基
板(2301)に接続する。プリント基板には上パター
ン(2304a)と下パターン(2304b)が静電結
合するように、導体箔がエッチング法により設けられて
いる。上補強板(2303a)のつば部分(2307)
が接着剤(2306)にて上パターン(2304a)と
接続される。下補強板(2303b)は下パターン(2
304b)と導通しない状態で接着剤(2306)によ
り接着される。図中では上補強板(2303a)のみキ
ャップ状であるが、上パターンとの接続は導通部分であ
る一部分でだけでも良い。下補強板(2303b)は下
パターン(2304)と導通がとれていないが、導通し
ていても良い。
【0022】本構造によればカードに印加された静電気
は上補強板(2303a)から上パターン(2304
a)、下パターン(2304b)とに電流が流れ(又は
その逆に下パターンから上パターン、上補強板に電流が
流れ)、LSI(2305)に電流が流れることは無
く、LSI(2305)は破壊されない。本発明におい
ては、補強板は上補強板と下補強板が電気的に結合して
いれば良いので、あらかじめ上補強板と下補強板の断面
をコの字型に成形した補強板を用いても、もちろん良
い。
【0023】従来の補強板を用いた非接触ICカード
と、本発明による非接触ICカードの静電気試験を実施
した結果、従来品で補強板の真上から静電気を印加した
場合、約8KV〜10KVで10枚中10枚、LSIが
破壊され機能不良となったが、本発明のカードにおいて
は30KVを印加しても10枚とも機能不良は発生せ
ず、十分な静電気耐圧が得られた。
【0024】
【発明の効果】本発明によれば、補強板に安価で強度の
高い金属が使用でき、かつ、金属使用による静電気耐圧
を向上させることができる。従来の補強板のみの変更を
行えば効果が得られるため、生産方法やその他の材料な
どの変更が無く、また、工数を増やすことなく改善が可
能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の非接触ICカードを説明するもので、
(a)は、非接触ICカードに内蔵されるLSI実装部
分を示した断面図、(b)は、従来の非接触ICカード
のLSI実装部分に静電気を印加した時の状態を示した
断面図、である。
【図2】(a)は、本発明による非接触ICカードに内
蔵されるLSI実装部分を示した断面図、(b)は、本
発明による非接触ICカードのLSI実装部分に静電気
を印加した時の状態を示した断面図、である。
【図3】(a)、(b)、(c)は、本発明よる非接触
ICカードに内蔵されるLSI実装部分の一例を示した
断面図である。
【図4】本発明による非接触ICカードを説明するもの
であり、(a)は本発明よる非接触ICカードに内蔵さ
れるLSI実装部分の一例を示した断面図、(b)は本
発明よる非接触ICカードに内蔵されるLSI実装部分
の一例を示した斜視図、である。
【符号の説明】
101…LSI 102…プリント基板 103a…上補強板 103b…下補強板 104…接着剤 105…非接触ICカード 106…静電気試験用プローブ 107…静電気試験用の接地された金属板 108…静電気の放電経路 109…カード基体 201…非接触ICカード 202…静電気試験用プローブ 203…静電気試験用の接地された金属板 204a…上補強板 204b…下補強板 205a…上補強板のつば部分 205b…下補強板のつば部分 206…LSI 207…接着剤 208a…上補強板の補強部 208b…下補強板の補強部 209…上補強板と下補強板の補強部の距離 210…上補強板と下補強板のつば部分の距離 211…静電気の放電経路 401…LSI 402…プリント基板 403…接着剤 404a…上補強板 404b…下補強板 405a…つば部分 405b…つば部分 406a…補強部 406b…補強部 1301…プリント基板 1302…スルホール 1303a…上補強板 1303b…下補強板 1304a…プリント基板の上パターン 1304b…プリント基板の下パターン 1305…LSI 1306…接着剤 2301…プリント基板 2303a…上補強板 2303b…下補強板 2304a…プリント基板の上パターン 2304b…プリント基板の下パターン 2305…LSI 2306…接着剤 2307…上補強板のつば部分 3301…プリント基板 3303a…上補強板 3303b…下補強板 3305…LSI 3306…接着剤 3307…上補強板と下補強板のかしめ部分

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】少なくともひとつのLSIを内蔵した非接
    触ICカードで、前記LSIの上下を補強板で挟み込ん
    だ構造の非接触ICカードにおいて、該補強板は電気導
    電性を有し、かつ、上補強板と下補強板が結合されてい
    ることを特徴とする非接触ICカード。
  2. 【請求項2】上補強板と下補強板はカシメ構造により電
    気的結合されていることを特徴とする請求項1項の非接
    触ICカード 。
  3. 【請求項3】上補強板と下補強板はLSIを実装した基
    板上の配線パターンを介して、配線パターンに設けられ
    たスルホールにより電気的結合されていることを特徴と
    する請求項1項の非接触ICカード。
  4. 【請求項4】上補強板と下補強板は静電容量にて電気的
    に結合されていることを特徴とする請求項1項の非接触
    ICカード。
  5. 【請求項5】静電容量素子はLSIを実装した基板上の
    配線パターンと同一面に形成されていることを特徴とす
    る請求項1項の非接触ICカード。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003058853A (ja) * 2001-08-17 2003-02-28 Toppan Forms Co Ltd 非接触型icカード及びその製造方法
JP2005346559A (ja) * 2004-06-04 2005-12-15 Nittoku Eng Co Ltd Icモジュールおよびその製造方法
US7063267B2 (en) * 2003-09-26 2006-06-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Portable electronic device
JP2007179142A (ja) * 2005-12-27 2007-07-12 Toppan Printing Co Ltd 非接触ic付シート、および非接触ic付情報記録媒体
JP2010003295A (ja) * 2008-05-23 2010-01-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2010015550A (ja) * 2008-06-06 2010-01-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
WO2010032602A1 (en) * 2008-09-18 2010-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2010035625A1 (en) * 2008-09-25 2010-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semi conductor device
WO2010035627A1 (en) * 2008-09-25 2010-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
EP2187344A1 (en) 2008-11-17 2010-05-19 Fujitsu Limited Radio-frequency identification tag

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04112096A (ja) * 1990-08-31 1992-04-14 Sony Corp 非接触型icカード
JPH11115356A (ja) * 1997-10-16 1999-04-27 Citizen Watch Co Ltd Icカード

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04112096A (ja) * 1990-08-31 1992-04-14 Sony Corp 非接触型icカード
JPH11115356A (ja) * 1997-10-16 1999-04-27 Citizen Watch Co Ltd Icカード

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003058853A (ja) * 2001-08-17 2003-02-28 Toppan Forms Co Ltd 非接触型icカード及びその製造方法
US7063267B2 (en) * 2003-09-26 2006-06-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Portable electronic device
JP2005346559A (ja) * 2004-06-04 2005-12-15 Nittoku Eng Co Ltd Icモジュールおよびその製造方法
JP2007179142A (ja) * 2005-12-27 2007-07-12 Toppan Printing Co Ltd 非接触ic付シート、および非接触ic付情報記録媒体
JP2010003295A (ja) * 2008-05-23 2010-01-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
KR101549530B1 (ko) * 2008-05-23 2015-09-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치
JP2013229023A (ja) * 2008-06-06 2013-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2010015550A (ja) * 2008-06-06 2010-01-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
WO2010032602A1 (en) * 2008-09-18 2010-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US11127732B2 (en) 2008-09-18 2021-09-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2010097601A (ja) * 2008-09-18 2010-04-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US10020296B2 (en) 2008-09-18 2018-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9177978B2 (en) 2008-09-18 2015-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8803298B2 (en) 2008-09-25 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
US8143708B2 (en) 2008-09-25 2012-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2010035625A1 (en) * 2008-09-25 2010-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semi conductor device
US8102034B2 (en) 2008-09-25 2012-01-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
WO2010035627A1 (en) * 2008-09-25 2010-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8286888B2 (en) 2008-11-17 2012-10-16 Fujitsu Limited Radio-frequency identification tag
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