JP2002348294A

JP2002348294A - ｔ−ブトキシ基で保護されたフェノール性水酸基を有する有機ハロゲン化シラン化合物の製造方法

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Publication number: JP2002348294A
Application number: JP2001155776A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Suzuki; 浩鈴木
Original assignee: Toagosei Co Ltd
Current assignee: Toagosei Co Ltd
Priority date: 2001-05-24
Filing date: 2001-05-24
Publication date: 2002-12-04
Anticipated expiration: 2021-05-24
Also published as: JP4172165B2

Abstract

(57)【要約】【課題】工業的に高純度で収率よくｔ−ブトキシ基で
保護されたフェノール性水酸基を有する有機ハロゲン化
シラン化合物を製造する方法を提供する。【解決手段】乾燥窒素雰囲気下において、反応系内に
反応基質であるｔ−ブトキシスチレン及びジメチルクロ
ロシランと、白金触媒を上記反応基質に対して２〜４ｐ
ｐｍ仕込み、撹拌させながら、６０〜８０℃に加熱し、
ジメチルクロロシランの残りの滴下量を調節しながら系
内の温度が８５〜１００℃になるように反応を進行さ
せ、反応終了後、１００℃未満の釜温度で７０Ｐａの減
圧状態にして未反応のジメチルクロロシラン等の低沸点
物を除去することにより、ｔ−ブトキシ基で保護された
フェノール性水酸基を有する有機ハロゲン化シラン化合
物を製造する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はｔ−ブトキシ基で保
護されたフェノール性水酸基を有する有機ハロゲン化シ
ラン化合物の製造方法に関し、更に詳しくは、着色の要
因となり得る副生成物の生成と触媒の使用量を抑えると
共に、工業的に高純度で収率よく製造することができる
ｔ−ブトキシ基で保護されたフェノール性水酸基を有す
る有機ハロゲン化シラン化合物の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】官能性クロロシラン化合物等の有機ハロ
ゲン化シラン化合物は、シランカップリング剤や変性シ
リコーンの原料等として広く工業的に利用されるケイ素
含有化合物である。特にフェノール性水酸基を有する有
機ハロゲン化シラン化合物は、アルカリに可溶な性質を
有することから、アルカリ可溶性ケイ素樹脂を調製する
ために用いることができるので、工業的に重要な化合物
である。

【０００３】従来より、有機ハロゲン化シラン化合物の
製造方法としては、例えば、白金触媒の存在下、ジメチ
ルクロロシランとスチレンとを用いるヒドロシリレーシ
ョン反応が知られている。そして、かかる反応を応用し
て、フェノール性水酸基を有する有機ハロゲン化シラン
化合物を製造する方法として、下記一般式（３）に示す
ように、スチレンの代わりにｔ−ブトキシ基を有するス
チレンを用いて、ｔ−ブトキシ基で保護されたフェノー
ル性水酸基を有する有機ハロゲン化シラン化合物を得る
方法が検討されている。

【０００４】

【化３】

【０００５】しかし、上記反応過程において、反応系内
に微量の水分が存在すると、下記式（４）に示すよう
に、水分とジメチルクロロシランが反応してＳｉ−Ｃｌ
結合が外れることにより、ジメチルクロロシランが分解
し、しかも、この反応により生じるＨＣｌが、ｔ−ブト
キシ基を有するスチレンと反応することにより連鎖的に
ｔ−ブチル基を脱離させる。その結果、ｔ−ブトキシ基
で保護されたフェノール性水酸基を有する有機ハロゲン
化シラン化合物の収率及び純度低下を招くという問題が
ある。

【０００６】

【化４】

【０００７】また、反応系内に水分がほとんど無くて
も、ヒドロシリレーション反応を促進させたり、あるい
は蒸留による精製を行うために反応系内の温度を高温に
すると、上記と同様に連鎖的にｔ−ブチル基が脱離し、
モノマーのオリゴメリゼーションが以下の式（５）のよ
うに促進させる結果、副生成物が生成し、やはりｔ−ブ
トキシ基で保護されたフェノール性水酸基を有する有機
ハロゲン化シラン化合物の収率及び生成物中における純
度の低下を招くという問題がある。このような問題があ
ることから、工業的に高純度のｔ−ブトキシ基で保護さ
れたフェノール性水酸基を有する有機ハロゲン化シラン
化合物を得ることが困難であるという問題がある。

【０００８】

【化５】

【０００９】更に、上記反応により得られるｔ−ブトキ
シ基で保護されたフェノール性水酸基を有する有機ハロ
ゲン化シラン化合物は、通常、沸点が非常に高いことか
ら、純度を高めるために蒸留により精製しようとしても
かなり高温にしないと蒸留による精製が困難である。し
かも、反応系内をあまり高温にすると、連鎖的にｔ−ブ
チル基が脱離し、モノマーのオリゴメリゼーションが進
行して副生成物が生成する結果、収率及び純度が低下す
るという問題が生じる。また、有機ハロゲン化シラン化
合物を製造する際には、ヒドロシリレーション反応を促
進するために白金等を触媒として用いるが、かかる触媒
自身が、得られる生成物を茶褐色に着色させることもあ
るという問題もある。

【００１０】そこで従来より、工業的に重要なｔ−ブト
キシ基で保護されたフェノール性水酸基を有する有機ハ
ロゲン化シラン化合物を製造する方法として、着色の要
因となり得る副生成物の生成と触媒の使用量を抑えると
共に、工業的に高純度で収率よく製造することができる
方法が求められていた。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記実情に鑑
みてなされたものであり、着色の要因となり得る副生成
物の生成と触媒の使用量を抑えると共に、工業的に高純
度で収率よく製造することができるｔ−ブトキシ基で保
護されたフェノール性水酸基を有する有機ハロゲン化シ
ラン化合物の製造方法に関する。

【００１２】

【課題を解決するための手段及び作用】本発明者らは、
ｔ−ブトキシ基で保護されたフェノール性水酸基を有す
る有機ハロゲン化シラン化合物の製造方法について鋭意
検討した結果、所定構造のｔ−ブトキシベンゼン化合物
とハロゲン化シラン化合物とを１２０℃以下の反応温度
でヒドロシリレーション反応させ、反応終了後、反応系
内を１００℃以下に保ちながら減圧状態として不純物を
除去することにより、上記課題を解決できることを見出
して本発明を完成した。

【００１３】本発明のｔ−ブトキシ基で保護されたフェ
ノール性水酸基を有する有機ハロゲン化シラン化合物の
製造方法は、下記一般式（１）で示されるハロゲン化シ
ラン化合物及び下記一般式（２）で示されるｔ−ブトキ
シベンゼン化合物で構成される反応基質を、該反応基質
に対して０．０１〜１００ｐｐｍの触媒の存在下、反応
系内の温度を１２０℃以下としてヒドロシリレーション
反応させ、該ヒドロシリレーション反応終了後、反応系
内を１００℃以下に保ちながら減圧状態として不純物を
除去することを特徴とする。

【００１４】

【化６】

【００１５】

【化７】

【００１６】上記「一般式（１）で示されるハロゲン化
シラン化合物」（以下、単に「ハロゲン化シラン化合
物」という。）において、ＸはＣｌ、Ｂｒ及びＦから選
ばれるハロゲン原子を示す。また、Ｒ₁及びＲ₂はそれぞ
れ独立にアルキル基又はＣｌ、Ｂｒ及びＦから選ばれる
ハロゲン原子を示す。ここで、上記Ｒ₁及びＲ₂同士は同
じアルキル基又はハロゲン原子でも、異なるアルキル基
又はハロゲン原子でもよい。上記Ｘ、Ｒ₁、Ｒ₂のハロゲ
ン原子としては、通常はＣｌが用いられる。また、上記
Ｒ₁及び／又はＲ₂を構成するアルキル基としては、Ｃ₁
〜Ｃ₃のアルキル基（メチル基、エチル基、ｎ−プロピ
ル基、イソプロピル基等）が用いられる。また、このア
ルキル基は、炭化水素基中にハロゲン原子（Ｆ、Ｃｌ、
Ｂｒ、Ｉ）等、炭素原子及び水素原子以外の原子を含む
ものでもよい。上記Ｒ₁及び／又はＲ₂を構成するアルキ
ル基としては、通常はメチル基が用いられる。

【００１７】上記「ハロゲン化シラン化合物」として具
体的には、例えば、トリクロロシラン、メチルジクロロ
シラン、エチルジクロロシラン、ｎ−プロピルジクロロ
シラン、イソプロピルジクロロシラン、（トリフルオロ
プロピル）ジクロロシラン、（クロロメチル）ジクロロ
シラン、ジメチルクロロシラン、ジエチルクロロシラ
ン、ｎ−プロピルメチルクロロシラン、イソプロピルメ
チルクロロシラン、トリフルオロプロピルメチルクロロ
シラン、（クロロメチル）メチルクロロシラン、メチル
クロロシラン、エチルクロロシラン、ｎ−プロピルクロ
ロシラン、イソプロピルクロロシラン、トリフルオロプ
ロピルクロロシラン、（クロロメチル）クロロシラン、
（トリメチルシリルメチル）クロロシラン等が挙げられ
る。

【００１８】上記「一般式（２）で示されるｔ−ブトキ
シベンゼン化合物」（以下、単に「ｔ−ブトキシベンゼ
ン化合物」という。）において、Ｒ₃はビニル基又はア
リル基を示す。この中で、通常はビニル基が用いられ
る。また、^tＢｕはｔ−ブチル基を示す。また、上記
「ｔ−ブトキシベンゼン化合物」において、ｔ−ブトキ
シ基の数（ｍ）は１〜３個、特に好ましくは１個であ
る。更に、上記「ｔ−ブトキシベンゼン化合物」におい
て、ｔ−ブトキシ基の位置はいずれであっても構わない
が、保護基を外してフェノール性水酸基とした場合のア
ルカリ可溶性が良好となるので、パラ位が好ましい。

【００１９】本発明の上記「触媒」の種類としては、上
記「ハロゲン化シラン化合物」と上記「ｔ−ブトキシベ
ンゼン化合物」とのヒドロシリレーション反応を促進さ
せるために通常用いられる種類のものであれば特に限定
はない。このような触媒としては通常、第８族金属触媒
が用いられる。該第８族金属触媒としては、コバルト、
ニッケル、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、イリジ
ウム及び白金等の第８族金属の単体、有機金属錯体、金
属塩及び金属酸化物等が挙げられる。これらの中で、触
媒活性の高さや取り扱いの容易さ等の理由から、白金の
金属単体、有機金属錯体、金属塩及び金属酸化物が好ま
しく、有機白金錯体を用いることが特に好ましい。そし
て、本発明において、上記「触媒」の量は、反応基質、
即ち、上記「ハロゲン化シラン化合物」及び上記「ｔ−
ブトキシベンゼン化合物」の合計重量に対して、第８族
金属の重量として０．０１〜１００重量ｐｐｍ、好まし
くは０．０５〜１００重量ｐｐｍ、更に好ましくは０．
１〜５０重量ｐｐｍ、より好ましくは０．５〜４０重量
ｐｐｍ、特に好ましくは１〜２０重量ｐｐｍ、最も好ま
しくは２〜１０重量ｐｐｍである。上記「触媒」の濃度
が０．０１ｐｐｍ未満であると、ヒドロシリレーション
反応が促進されず、収率が低下するので好ましくなく、
一方、１００ｐｐｍを越えると、得られる生成物が着色
するおそれがあるので好ましくない。

【００２０】本発明では、次いで、反応系内の温度を１
２０℃以下として、上記「ハロゲン化シラン化合物」と
上記「ｔ−ブトキシベンゼン化合物」とをヒドロシリレ
ーション反応させる。この場合、上記「ハロゲン化シラ
ン化合物」と上記「ｔ−ブトキシベンゼン化合物」に直
接上記「触媒」を添加して反応を行ってもよいが、反応
系の温度制御及び触媒成分の添加を容易にするため、適
当な溶媒に上記「ハロゲン化シラン化合物」、上記「ｔ
−ブトキシベンゼン化合物」、及び上記「触媒」を添加
して反応させてもよい。このような溶媒としては、例え
ば、ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキサン、シクロ
ヘキサン、テトラヒドロフラン等を用いることができ
る。

【００２１】本発明において、上記「ハロゲン化シラン
化合物」及び「ｔ−ブトキシベンゼン化合物」の割合に
ついては特に限定はなく、同量でも、あるいは上記「ｔ
−ブトキシベンゼン化合物」を過剰量用いてもよく、あ
るいは、上記「ハロゲン化シラン化合物」を上記「ｔ−
ブトキシベンゼン化合物」の必要理論量より過剰に用い
ることができる。上記「ハロゲン化シラン化合物」は通
常、低沸点であることから、反応終了後、反応系から容
易に除去できるのに対し、上記「ｔ−ブトキシベンゼン
化合物」は通常、沸点が高く、高温にすると生成物が熱
分解するために、蒸留により反応系から除去することが
困難である。そこで、上記「ハロゲン化シラン化合物」
を上記「ｔ−ブトキシベンゼン化合物」の必要理論量よ
り過剰に用いることにより、反応系からの除去が困難な
上記「ｔ−ブトキシベンゼン化合物」を理論上ほぼ完全
に反応させ、反応系における残留を極めて低減すること
ができるので好ましい。上記「ハロゲン化シラン化合
物」を過剰に用いる場合、その割合は通常、上記「ｔ−
ブトキシベンゼン化合物」に対して、１〜５０％過剰、
より好ましくは２〜２０％過剰、最も好ましくは５〜１
０％過剰な割合である。上記割合が５０％過剰を超える
場合には、過剰な上記「ハロゲン化シラン化合物」が無
駄となってコスト高となる。

【００２２】本発明における上記反応系内の温度は、１
２０℃以下、好ましくは０〜１００℃、より好ましくは
２０〜１００℃、更に好ましくは３０〜１００℃、特に
好ましくは５０〜９０℃である。上記反応系内の温度が
１２０℃を超えると、上記のように、上記「ｔ−ブトキ
シベンゼン化合物」のｔ−ブチル基が連鎖的に脱離し、
モノマーのオリゴメリゼーションが促進される結果、収
率及び純度低下、副生成物の生成による着色等を引き起
こすおそれがあるので好ましくない。一方、上記反応系
内の温度を２０℃以上とすると、収率向上の観点から、
ヒドロシリレーション反応の反応速度を適切な範囲とす
ることができるので好ましい。

【００２３】また、本発明のヒドロシリレーション反応
は、通常、大気圧下に行われるが、加圧下で行うことも
できる。また、反応雰囲気中に酸素が存在すると、白金
等の触媒の存在下、酸素が上記「ハロゲン化シラン化合
物」と反応してＳｉ−Ｈ結合がＳｉ−ＯＨとなり、これ
がＳｉ−Ｃｌ結合と反応して上記「ハロゲン化シラン化
合物」を分解し、しかも、この反応により生じるＨＣｌ
が、上記「ｔ−ブトキシベンゼン化合物」と反応するこ
とにより連鎖的にｔ−ブチル基を脱離させてｔ−ブトキ
シ基で保護されたフェノール性水酸基を有する有機ハロ
ゲン化シラン化合物の収率及び純度低下を招くことか
ら、通常は窒素、アルゴン等の不活性雰囲気下で、上記
ヒドロシリレーション反応を開始する前の上記反応系内
の酸素濃度を０．５％以下、好ましくは０．３％以下、
更に好ましくは０．１％以下とすることができる。

【００２４】更に、本発明において反応系内の水分濃度
は、通常は１％以下、好ましくは０．５％以下、更に好
ましくは０．１％以下、より好ましくは０．０１％以
下、特に好ましくは０．００５％以下である。反応系内
の水分濃度を１％以下とすると、水分と上記「ハロゲン
化シラン化合物」が反応・分解し、それによって発生す
るＨＣｌガスが上記「ｔ−ブトキシベンゼン化合物」の
ｔ−ブチル基を脱離させることを抑え、その結果、収率
及び純度低下を防止できるので好ましい。水分濃度を低
くする手段については特に限定はなく、通常、反応系を
乾燥ガス（乾燥窒素又は乾燥アルゴン等の乾燥不活性ガ
ス等）雰囲気下にすることにより達成できる。

【００２５】本発明において、上記「ハロゲン化シラン
化合物」及び上記「ｔ−ブトキシベンゼン化合物」がヒ
ドロシリレーション反応をすることにより、下記一般式
（６）に示すように、ｔ−ブトキシ基で保護されたフェ
ノール性水酸基を有する有機ハロゲン化シラン化合物を
得ることができる。尚、式中、Ｒ₄はＣ₂Ｈ₄又はＣ₃Ｈ ₆
を示す。本発明の製造方法により得られる化合物は、Ｒ
₃がビニル基にあっては、下記一般式（７）で示される
ようなα付加体であっても、下記一般式（８）で示され
るようなβ付加体であってもよく、Ｒ₃がアリル基にあ
っては、下記一般式（９）で示されるようなα付加体で
あっても、下記一般式（１０）で示されるようなβ付加
体であってもよい。

【００２６】

【化８】

【００２７】

【化９】

【００２８】本発明において、上記ヒドロシリレーショ
ン反応後、反応系に残留する不純物、特に、上記のよう
に反応基質である上記「ハロゲン化シラン化合物」や上
記「ｔ−ブトキシベンゼン化合物」を過剰に用いた場
合、残留している未反応の反応基質を除去するため、反
応終了後に、反応系内を１００℃以下に保ちながら減圧
状態とする。

【００２９】上記反応系の圧力は減圧下であることが必
要であるが、通常は７０Ｐａ以下、好ましくは５０Ｐａ
以下、更に好ましくは３０Ｐａ以下である。かかる範囲
とすることにより、生成物の分解を防止しつつ、反応系
の不純物、例えば未反応の上記「ハロゲン化シラン化合
物」等を容易に除去することができる結果、収率及び純
度をより向上させることができるので好ましい。そし
て、上記反応系内の温度は１００℃以下、好ましくは上
記反応系の圧力が７０Ｐａ以下の場合に７０〜１００
℃、更に好ましくは上記反応系の圧力が７０Ｐａ以下の
場合に８０〜１００℃、より好ましくは上記反応系の圧
力が５０Ｐａ以下の場合に８０〜１００℃、特に好まし
くは上記反応系の圧力が３０Ｐａ以下の場合に８０〜１
００℃である。上記反応系の温度が１００℃を超える
と、以下の式（１１）に示すように、反応生成物が分解
し、イソブテンとフェノール系化合物が生成する結果、
収率と生成物の純度低下を引き起こす場合があるので好
ましくない。また、上記反応系の温度を上記範囲とする
と、蒸留による低沸点物の除去効果の低減を防止するこ
とができるので好ましい。

【００３０】

【化１０】

【００３１】以上のような反応条件に従って反応を行う
ことにより本発明における目的化合物をほぼ化学量論的
に得ることができ、このようにして得られたｔ−ブトキ
シ基で保護されたフェノール性水酸基を有する有機ハロ
ゲン化シラン化合物は、高温で蒸留せずとも副反応が少
なく、純度が高い。このため、釜残をそのまま高純度の
製品として用いることができる。純度は、反応生成物
中、好ましくは９５％以上、更に好ましくは９７％、よ
り好ましくは９８％以上のものとすることができる。ま
た、得られた生成物は着色も少なく、製品に色の問題が
ほとんどない。このため、ケイ素系モノマーとして工業
的に有用である。更に、本発明の製造方法により得られ
るｔ−ブトキシ基で保護されたフェノール性水酸基を有
する有機ハロゲン化シラン化合物は、ｔ−ブトキシ基で
保護されたフェノール性水酸基を有するため、酸処理又
は熱処理により、ｔ−ブチル基を外してフェノール性水
酸基とすることができ、アルカリ可溶性ケイ素樹脂の調
製等に用いることができる。

【００３２】

【発明の実施の形態】以下、実施例及び比較例によって
本発明を更に詳しく説明する。（１）ｔ−ブトキシフェニルクロロシラン化合物の製造
方法原料として、ｔ−ブトキシスチレン（Ｆ．Ｗ．＝１７
６．２６、ｄ＝０．９３６、以下「ＢＯＳＴ」とい
う。）を３７０．２ｇ（２．１モル）及びジメチルクロ
ロシラン（Ｆ．Ｗ．＝９４．６２、ｄ＝０．８５２、以
下「ＤＭＣＳ」という。）を２１０．０ｇ（２．２モ
ル）使用した。そして、磁気スターラー、冷却管、滴下
ロート、温度計を備えた１Ｌの反応装置の系内を十分な
乾燥窒素雰囲気下（水分濃度：１０ｐｐｍ以下）とした
（工程）。続いて、上記ＢＯＳＴを全量、上記ＤＭＣ
Ｓを約５０ｇ及び白金触媒（Ｐｔ−ジビニルテトラメチ
ルジシロキサン錯体／キシレン）０．０５〜０．１ｍｌ
（反応基質に対して２〜４ｐｐｍ）を仕込み、系内を撹
拌させながら、オイルバスで徐々に６０〜８０℃に加熱
した（工程）。発熱により反応の進行を確認したら、
系内の温度が８５〜１００℃になるように、上記ＤＭＣ
Ｓの残量を滴下量を調節しながら反応系に添加して反応
を進行させた（工程）。反応終了後、１００℃未満の
釜温度で７０Ｐａの減圧蒸留により、主に未反応のＤＭ
ＣＳ等の低沸点物を留去し（工程）、実施例のｔ−ブ
トキシフェニルクロロシラン化合物を製造した。また、
比較例として、上記工程において、釜温度を１００℃
を超える温度とした他は、上記実施例と同じ方法でｔ−
ブトキシフェニルクロロシラン化合物を製造した。

【００３３】（２）ｔ−ブトキシフェニルクロロシラン
化合物の分析実施例の上記工程終了直後の生成物並びに上記工程
終了直後の実施例及び比較例の生成物について、ガスク
ロマトグラフィーによる分析を行った。分析は、カラ
ム：パックドカラムＳＥ３０２ｍカラム、キャリアー
ガス：Ｈｅガス（圧力：１ｋｇ／ｃｍ²）、初期温度：
１００℃（上記工程終了直後及び比較例）、５０℃
（上記工程終了直後の実施例）、昇温速度：１０℃／
ｍｉｎの条件下で行った。その結果を図１〜図３に示
す。また、ｔ−ブトキシフェニルクロロシラン化合物が
生成していることを確認するため、生成物について、Ｇ
Ｃ−ＭＳによる分析を行った。その結果を図４に示す。

【００３４】（３）実施例及び比較例の効果図１に示すように、合成直後の生成物では、ガスクロマ
トグラフィーによる分析においてリテンションタイム１
１．３６と１２．３５の強いピークが認められた。これ
は、原料であるＤＭＣＳとＢＯＳＴが反応して、下記構
造式（１２）及び（１３）のα付加体とβ付加体が得ら
れていることを示している。一方、ＢＯＳＴのピーク位
置は図１において矢印にて示しているが、ピークが認め
られていないことから、生成物中にＢＯＳＴの残留が認
められないことが判る。更に、図１において、リテンシ
ョンタイム０．７５のピークは、ＢＯＳＴよりも５％過
剰に用いたＤＭＣＳを示し、若干未反応のＤＭＣＳが残
留していることが判る。このように、本発明の方法によ
れば、反応系に仕込んだ原料化合物を化学量論的に反応
させることができ、実施例においてはＢＯＳＴに対して
ほぼ１００％の収率である。

【００３５】

【化１１】

【００３６】一方、図２より、製造工程終了後、上記図
１のガスクロマトグラフィーに認められていたＤＭＣＳ
のピークが消失していることから、低沸点のＤＭＣＳが
蒸留により除去されていることが分かる。一方、リテン
ションタイム１．７７のピークは、シリンダー注入時の
ガス又はイソブチレンと考えられる。そして、この図２
のガスクロマトグラフィーによる分析の結果から、ｔ−
ブトキシフェニルクロロシラン化合物は９８．８％の高
純度で得られていることが判る。しかも、得られたｔ−
ブトキシフェニルクロロシラン化合物は、目視で観察し
た結果、ほとんど透明で極めて着色度が低いものであ
り、製品として問題はないことが判った。また、図４に
示すように、生成物についてＧＣ−ＭＳによる分析を行
った結果、ｔ−ブトキシフェニルクロロシラン化合物の
ピークである２７０のピークが認められ、また、イソブ
チレンが脱離したことを示す２１４のピークが認められ
た。

【００３７】一方、図３より、比較例では、低沸点のＤ
ＭＣＳは蒸留により除去され、上記ｔ−ブトキシフェニ
ルクロロシラン化合物のα付加体とβ付加体を示すリテ
ンションタイム１１．３２と１２．３６の強いピークが
認められたが、一方で実施例と異なり、リテンションタ
イム０．８０と７．６０にも強いピークが認められた。
これは、蒸留温度が１００℃を超えるため、式（１４）
に示すように、生成したｔ−ブトキシフェニルクロロシ
ラン化合物が分解し、イソブチレン（リテンションタイ
ム０．８０）とフェノール性化合物（リテンションタイ
ム７．６０）が生成していることを示している。このた
め、得られたｔ−ブトキシフェニルクロロシラン化合物
の純度が約７２．８％と実施例よりも低いものであるこ
とが判る。

【００３８】

【化１２】

【００３９】尚、本発明においては、上記具体的実施例
に示すものに限られず、目的、用途に応じて種々変更し
た実施例とすることができる。例えば、本発明におい
て、得られた生成物をさらに精製するために、吸着物
質、例えば、活性炭やシリカゲル等を用いて処理するこ
とができる。この精製により、触媒残渣等の金属不純物
を取り除いて、より純度を高めると共に、着色の要因と
なり得る触媒残渣等の金属不純物を取り除いて、生成物
の着色度を低減させることができるので好ましい。

【００４０】

【発明の効果】本発明のｔ−ブトキシ基で保護されたフ
ェノール性水酸基を有する有機ハロゲン化シラン化合物
の製造方法によれば、所定構造のｔ−ブトキシベンゼン
化合物とハロゲン化シラン化合物とを１２０℃以下の温
度でヒドロシリレーション反応させ、反応終了後、反応
系内を１００℃以下に保ちながら減圧状態として不純物
を除去することにより、高温で蒸留せずにも副反応が少
なく高純度で着色が少ないｔ−ブトキシ基で保護された
フェノール性水酸基を有する有機ハロゲン化シラン化合
物を得ることができる。また、反応系の水分濃度及び酸
素濃度を適切な範囲とすることにより、ｔ−ブトキシベ
ンゼン化合物やハロゲン化シラン化合物の分解を抑制
し、収率及び純度を向上させることができるので好まし
い。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例の工程終了直後の生成物のガスクロマ
トグラフィーによる分析結果を示す図である。

【図２】実施例の工程終了直後の生成物のガスクロマ
トグラフィーによる分析結果を示す図である。

【図３】比較例の生成物のガスクロマトグラフィーによ
る分析結果を示す図である。

【図４】実施例の生成物のＧＣ−ＭＳによる分析結果を
示す図である。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下記一般式（１）で示されるハロゲン化
シラン化合物及び下記一般式（２）で示されるｔ−ブト
キシベンゼン化合物で構成される反応基質を、該反応基
質に対して０．０１〜１００ｐｐｍの触媒の存在下、反
応系内の温度を１２０℃以下としてヒドロシリレーショ
ン反応させ、該ヒドロシリレーション反応終了後、反応
系内を１００℃以下に保ちながら減圧状態として不純物
を除去することを特徴とするｔ−ブトキシ基で保護され
たフェノール性水酸基を有する有機ハロゲン化シラン化
合物の製造方法。【化１】（式中、ＸはＣｌ、Ｂｒ及びＦから選ばれるハロゲン原
子を示し、Ｒ₁及びＲ₂はそれぞれ独立にＣ₁〜Ｃ₃アルキ
ル基又はＣｌ、Ｂｒ及びＦから選ばれるハロゲン原子を
示す）【化２】（式中、Ｒ₃はビニル基又はアリル基を示す。^tＢｕはｔ
−ブチル基を示し、ｍ＝１〜３である）
【請求項２】上記一般式（１）で示されるハロゲン化
シラン化合物を、上記一般式（２）で示されるｔ−ブト
キシベンゼン化合物の必要理論量よりも過剰量用いる請
求項１記載のｔ−ブトキシ基で保護されたフェノール性
水酸基を有する有機ハロゲン化シラン化合物の製造方
法。
【請求項３】上記反応系内の水分濃度が１％以下であ
る請求項１又は２記載のｔ−ブトキシ基で保護されたフ
ェノール性水酸基を有する有機ハロゲン化シラン化合物
の製造方法。
【請求項４】上記ヒドロシリレーション反応を開始す
る前の上記反応系内の酸素濃度が０．５％以下である請
求項１乃至３のいずれかに記載のｔ−ブトキシ基で保護
されたフェノール性水酸基を有する有機ハロゲン化シラ
ン化合物の製造方法。