JP2002344204A - 誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信装置 - Google Patents
誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 減衰極の周波数を容易に調整でき、スプリア
ス特性を改善した誘電体フィルタを構成する。 【解決手段】 略直方体形状の誘電体ブロック１の一方
の面からこれに対向する面にかけて、内側に内導体３
ａ，３ｂをそれぞれ形成した内導体形成孔２ａ，２ｂを
形成し、誘電体ブロック１の外面には、内導体形成孔の
一つの端面を除く五面に外導体４を形成し、外導体４を
形成していない面を開放面とする。また、内導体形成孔
の配列方向の端面である側面および実装基板に対向する
実装面となる底面に、外導体非形成部５ａ，５ｂを設け
て、外導体４から分離された入出力電極６ａ，６ｂを形
成し、更に、外導体非形成部５ａ，５ｂを、部分的に所
定の量だけ、細長く帯状に延長して外導体非形成部の延
長矩形部７を設ける。
ス特性を改善した誘電体フィルタを構成する。 【解決手段】 略直方体形状の誘電体ブロック１の一方
の面からこれに対向する面にかけて、内側に内導体３
ａ，３ｂをそれぞれ形成した内導体形成孔２ａ，２ｂを
形成し、誘電体ブロック１の外面には、内導体形成孔の
一つの端面を除く五面に外導体４を形成し、外導体４を
形成していない面を開放面とする。また、内導体形成孔
の配列方向の端面である側面および実装基板に対向する
実装面となる底面に、外導体非形成部５ａ，５ｂを設け
て、外導体４から分離された入出力電極６ａ，６ｂを形
成し、更に、外導体非形成部５ａ，５ｂを、部分的に所
定の量だけ、細長く帯状に延長して外導体非形成部の延
長矩形部７を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、誘電体ブロック
の内部に内導体形成孔を備え、外面に外導体を備えて成
る誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよびそれを用
いた通信装置に関するものである。
の内部に内導体形成孔を備え、外面に外導体を備えて成
る誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよびそれを用
いた通信装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】略直方体形状の誘電体ブロックを用いた
従来の誘電体フィルタについて、図１５を参照して説明
する。
従来の誘電体フィルタについて、図１５を参照して説明
する。
【０００３】図１５は、誘電体フィルタの外観斜視図で
ある。
ある。
【０００４】図１５において、１は誘電体ブロック、２
ａ，２ｂは内導体形成孔、３ａ，３ｂは内導体、４は外
導体、５ａ，５ｂは外導体非形成部、６ａ，６ｂは入出
力電極である。
ａ，２ｂは内導体形成孔、３ａ，３ｂは内導体、４は外
導体、５ａ，５ｂは外導体非形成部、６ａ，６ｂは入出
力電極である。
【０００５】誘電体ブロック１の内部には、内面に内導
体３ａ，３ｂをそれぞれ形成した内導体形成孔２ａ，２
ｂを、途中で内径の異なるステップ孔構造に形成し、誘
電体ブロック１の外面に外導体４を形成している。内導
体形成孔２ａ，２ｂの一方の端部を開放端、他方の端部
を短絡端とし、開放端に結合するように、誘電体ブロッ
ク１の外面に外導体非形成部５ａ，５ｂを設けて、入出
力電極６ａ，６ｂを形成している。
体３ａ，３ｂをそれぞれ形成した内導体形成孔２ａ，２
ｂを、途中で内径の異なるステップ孔構造に形成し、誘
電体ブロック１の外面に外導体４を形成している。内導
体形成孔２ａ，２ｂの一方の端部を開放端、他方の端部
を短絡端とし、開放端に結合するように、誘電体ブロッ
ク１の外面に外導体非形成部５ａ，５ｂを設けて、入出
力電極６ａ，６ｂを形成している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
従来の誘電体ブロックを用いた誘電体フィルタにおいて
は、次のような解決すべき課題があった。
従来の誘電体ブロックを用いた誘電体フィルタにおいて
は、次のような解決すべき課題があった。
【０００７】略直方体形状の誘電体ブロックを用いた誘
電体フィルタでは、誘電体ブロック、各内導体、および
外導体により、ＴＥＭモードの共振器を構成するととも
に、共振器同士を結合させて誘電体フィルタを構成して
いる。
電体フィルタでは、誘電体ブロック、各内導体、および
外導体により、ＴＥＭモードの共振器を構成するととも
に、共振器同士を結合させて誘電体フィルタを構成して
いる。
【０００８】このような誘電体フィルタにおいては、共
振器間の結合による減衰極（結合極）が生じる。この減
衰極を利用して、通過帯域から低域側の遮断域にかけ
て、または通過帯域から高域側の遮断域にかけての減衰
特性を急峻にすることができる。
振器間の結合による減衰極（結合極）が生じる。この減
衰極を利用して、通過帯域から低域側の遮断域にかけ
て、または通過帯域から高域側の遮断域にかけての減衰
特性を急峻にすることができる。
【０００９】ところが、このように略直方体形状の誘電
体ブロックの外面に外導体を形成した誘電体フィルタに
おいては、誘電体ブロックと外導体とにより、例えばＴ
Ｅ10 1 モードなどの、基本共振モードであるＴＥＭモー
ド以外の共振モードが生じる。
体ブロックの外面に外導体を形成した誘電体フィルタに
おいては、誘電体ブロックと外導体とにより、例えばＴ
Ｅ10 1 モードなどの、基本共振モードであるＴＥＭモー
ド以外の共振モードが生じる。
【００１０】図１６は誘電体フィルタの減衰特性図であ
る。図１６に示すように、誘電体ブロックを用いた誘電
体フィルタは、減衰極Ａ，Ｂを有する。減衰極Ａは誘電
体共振器間の結合による減衰極、すなわち基本共振モー
ドであるＴＥＭモードによる減衰極であり、その周波数
は、共振器間のピッチや内導体形成孔の径により設定で
きる。この例では、共振器間が容量性結合して、通過帯
域の低域側に減衰極を生じている。
る。図１６に示すように、誘電体ブロックを用いた誘電
体フィルタは、減衰極Ａ，Ｂを有する。減衰極Ａは誘電
体共振器間の結合による減衰極、すなわち基本共振モー
ドであるＴＥＭモードによる減衰極であり、その周波数
は、共振器間のピッチや内導体形成孔の径により設定で
きる。この例では、共振器間が容量性結合して、通過帯
域の低域側に減衰極を生じている。
【００１１】一方、減衰極Ｂは、前述したＴＥモード等
の基本モード以外の共振モードの存在によるものであ
り、その周波数は共振器間のピッチおよび内導体形成孔
の径には殆ど依存せず、誘電体ブロックの外形寸法に依
存する。従って、誘電体ブロックの寸法、形状を定める
ことによって、減衰極Ｂの周波数を設定することができ
る。
の基本モード以外の共振モードの存在によるものであ
り、その周波数は共振器間のピッチおよび内導体形成孔
の径には殆ど依存せず、誘電体ブロックの外形寸法に依
存する。従って、誘電体ブロックの寸法、形状を定める
ことによって、減衰極Ｂの周波数を設定することができ
る。
【００１２】しかし、誘電体フィルタ自身の小型化が求
められている現状では誘電体ブロックの寸法の変更に制
限がある。
められている現状では誘電体ブロックの寸法の変更に制
限がある。
【００１３】一般に誘電体フィルタは、誘電体ブロック
および導体パターンを形成するとその特性は変更できな
い。このため、特性の異なった誘電体フィルタを得るた
めには、再度全体を設計から変更しなければならない。
および導体パターンを形成するとその特性は変更できな
い。このため、特性の異なった誘電体フィルタを得るた
めには、再度全体を設計から変更しなければならない。
【００１４】これに対し、周波数特性を変更し得る誘電
体フィルタが、特開平１０−２８４９０３、特開平
１１−１７７３０７、および特開平７−２６３９１２
に開示されている。
体フィルタが、特開平１０−２８４９０３、特開平
１１−１７７３０７、および特開平７−２６３９１２
に開示されている。
【００１５】の誘電体フィルタは、二つの誘電体共振
器の結合用電極同士を接続することにより形成してい
る。この結合用電極の近傍にくびれ形状の外導体非形成
部を設けて、結合用電極と外導体のグウランドとの間に
等価的にＬＣの直列共振回路を挿入することにより、減
衰極の周波数をシフトさせている。
器の結合用電極同士を接続することにより形成してい
る。この結合用電極の近傍にくびれ形状の外導体非形成
部を設けて、結合用電極と外導体のグウランドとの間に
等価的にＬＣの直列共振回路を挿入することにより、減
衰極の周波数をシフトさせている。
【００１６】の誘電体フィルタも、二つの誘電体共振
器の結合用電極同士を接続することにより形成してい
る。この二つの誘電体共振器の対向する面に比較的大面
積の外導体非形成部を設けて、二つの誘電体共振器をＭ
型結合させることにより、減衰極の周波数をシフトさせ
ている。
器の結合用電極同士を接続することにより形成してい
る。この二つの誘電体共振器の対向する面に比較的大面
積の外導体非形成部を設けて、二つの誘電体共振器をＭ
型結合させることにより、減衰極の周波数をシフトさせ
ている。
【００１７】これらの、の誘電体フィルタは、結合
用電極の近傍の外導体非形成部の形状を変更することに
より、誘電体共振器同士の結合度を変えて減衰極をシフ
トさせているものであり、基本モードであるＴＥＭモー
ドによる減衰極である図１６に示した減衰極Ａのシフト
に対応している。また、予め、各誘電体共振器に外導体
非形成部を設け、これを合わせなければならず、誘電体
フィルタ単体での調整が難しい。
用電極の近傍の外導体非形成部の形状を変更することに
より、誘電体共振器同士の結合度を変えて減衰極をシフ
トさせているものであり、基本モードであるＴＥＭモー
ドによる減衰極である図１６に示した減衰極Ａのシフト
に対応している。また、予め、各誘電体共振器に外導体
非形成部を設け、これを合わせなければならず、誘電体
フィルタ単体での調整が難しい。
【００１８】の誘電体フィルタは、従来の誘電体フィ
ルタを形成した後、所望の特性となるように、入出力電
極の近傍の外導体非形成部に接する外周の外導体をリュ
ウータ等で削ることにより、入出力電極と接地電極間の
結合容量が小さくなる。このことにより、相対的に共振
器間の結合が強くなり、結合容量が増加し、ＴＥＭモー
ドによる減衰周波数帯域が広くなり、特性を調整してい
る。
ルタを形成した後、所望の特性となるように、入出力電
極の近傍の外導体非形成部に接する外周の外導体をリュ
ウータ等で削ることにより、入出力電極と接地電極間の
結合容量が小さくなる。このことにより、相対的に共振
器間の結合が強くなり、結合容量が増加し、ＴＥＭモー
ドによる減衰周波数帯域が広くなり、特性を調整してい
る。
【００１９】しかし、この誘電体フィルタにおいては、
図１６に示したＴＥモードによる減衰極Ｂをシフトさせ
ることができず、スプリアス特性を改善できない。
図１６に示したＴＥモードによる減衰極Ｂをシフトさせ
ることができず、スプリアス特性を改善できない。
【００２０】この発明の目的は、外形寸法を変えず、減
衰特性を容易に変更してスプリアス特性を改善した誘電
体フィルタ、誘電体デュプレクサおよびそれを備えた通
信装置を提供することにある。
衰特性を容易に変更してスプリアス特性を改善した誘電
体フィルタ、誘電体デュプレクサおよびそれを備えた通
信装置を提供することにある。
【００２１】
【課題を解決するための手段】この発明は、略直方体形
状の誘電体ブロックの内部に、該誘電体ブロックの一方
の面から、それに対向する他方の面にかけて、それぞれ
の内面に内導体を形成した複数の内導体形成孔を設け、
内導体形成孔の配列方向の端面である側面から、実装基
板に対向する実装面である底面にかけて、外導体非形成
部により外導体から分離した入出力電極を設けて、伝送
信号の通過帯域より高域側の所望の周波数に、減衰極が
形成されるように、外導体非形成部を入出力電極形成位
置から遠ざかる方向に、部分的に延長した延長矩形部を
設けて、誘電体フィルタを構成する。
状の誘電体ブロックの内部に、該誘電体ブロックの一方
の面から、それに対向する他方の面にかけて、それぞれ
の内面に内導体を形成した複数の内導体形成孔を設け、
内導体形成孔の配列方向の端面である側面から、実装基
板に対向する実装面である底面にかけて、外導体非形成
部により外導体から分離した入出力電極を設けて、伝送
信号の通過帯域より高域側の所望の周波数に、減衰極が
形成されるように、外導体非形成部を入出力電極形成位
置から遠ざかる方向に、部分的に延長した延長矩形部を
設けて、誘電体フィルタを構成する。
【００２２】また、この発明は、外導体非形成部の延長
矩形部を、内導体形成孔の軸方向に対して平行または垂
直な方向に、細長い帯状に設けることにより誘電体フィ
ルタを構成する。
矩形部を、内導体形成孔の軸方向に対して平行または垂
直な方向に、細長い帯状に設けることにより誘電体フィ
ルタを構成する。
【００２３】また、この発明は、外導体非形成部の延長
矩形部に接する外導体を局所的に削ることにより誘電体
フィルタを構成する。
矩形部に接する外導体を局所的に削ることにより誘電体
フィルタを構成する。
【００２４】また、この発明は、前記誘電体フィルタを
備えて誘電体デュプレクサを構成する。
備えて誘電体デュプレクサを構成する。
【００２５】また、この発明は、前記誘電体フィルタま
たは前記誘電体デュプレクサを備えて通信装置を構成す
る。
たは前記誘電体デュプレクサを備えて通信装置を構成す
る。
【００２６】
【発明の実施の形態】第１の実施形態に係る誘電体フィ
ルタの構成について、図１〜図３を参照して説明する。
ルタの構成について、図１〜図３を参照して説明する。
【００２７】図１、図２、図３は誘電体フィルタの外観
斜視図である。図４は誘電体フィルタの減衰特性図であ
る。１は誘電体ブロック、２ａ，２ｂは内導体形成孔、
３ａ，３ｂは内導体、４は外導体、５ａ，５ｂは外導体
非形成部、６ａ，６ｂは入出力電極である。また、７，
８，９ａ，９ｂは外導体非形成部の一部を延長した矩形
部（以下、「延長矩形部」という。）である。図１、図
２、図３はそれぞれ、外導体非形成部の延長矩形部の形
状が異なるものである。
斜視図である。図４は誘電体フィルタの減衰特性図であ
る。１は誘電体ブロック、２ａ，２ｂは内導体形成孔、
３ａ，３ｂは内導体、４は外導体、５ａ，５ｂは外導体
非形成部、６ａ，６ｂは入出力電極である。また、７，
８，９ａ，９ｂは外導体非形成部の一部を延長した矩形
部（以下、「延長矩形部」という。）である。図１、図
２、図３はそれぞれ、外導体非形成部の延長矩形部の形
状が異なるものである。
【００２８】図１において、略直方体形状の誘電体ブロ
ック１の図における左手前の面からこれに対向する右奥
の面にかけて、内側に内導体３ａ，３ｂをそれぞれ形成
した内導体形成孔２ａ，２ｂを形成している。また、誘
電体ブロック１の外面には、図における左手前の面を除
く五面に外導体４を形成しており、外導体４を形成して
いない左手前の面を開放面とし、右奥の面を短絡面とし
て誘電体共振器を構成している。なお、内導体形成孔２
ａ，２ｂは、それらの内径が短絡面側より開放面側が大
きいステップ孔としている。
ック１の図における左手前の面からこれに対向する右奥
の面にかけて、内側に内導体３ａ，３ｂをそれぞれ形成
した内導体形成孔２ａ，２ｂを形成している。また、誘
電体ブロック１の外面には、図における左手前の面を除
く五面に外導体４を形成しており、外導体４を形成して
いない左手前の面を開放面とし、右奥の面を短絡面とし
て誘電体共振器を構成している。なお、内導体形成孔２
ａ，２ｂは、それらの内径が短絡面側より開放面側が大
きいステップ孔としている。
【００２９】また、内導体形成孔２ａ，２ｂの配列方向
の端面である側面、および実装基板に対向する実装面と
なる底面（図では上面）には、外導体非形成部５ａ，５
ｂを設けている。この外導体非形成部５ａ，５ｂによ
り、外導体４から分離した入出力電極６ａ，６ｂを形成
している。ここで、前記側面に設けられている外導体非
形成部５ｂの一部を内導体形成孔２ａ，２ｂの軸に平行
な方向に所定の量だけ、細長い帯状に延長して、外導体
非形成部の延長矩形部７を設けている。また、この例で
は、外導体非形成部５ａ，５ｂを前記開放面に連続させ
ている。このような構造により、二つの共振器を容量結
合させた誘電体フィルタを構成している。
の端面である側面、および実装基板に対向する実装面と
なる底面（図では上面）には、外導体非形成部５ａ，５
ｂを設けている。この外導体非形成部５ａ，５ｂによ
り、外導体４から分離した入出力電極６ａ，６ｂを形成
している。ここで、前記側面に設けられている外導体非
形成部５ｂの一部を内導体形成孔２ａ，２ｂの軸に平行
な方向に所定の量だけ、細長い帯状に延長して、外導体
非形成部の延長矩形部７を設けている。また、この例で
は、外導体非形成部５ａ，５ｂを前記開放面に連続させ
ている。このような構造により、二つの共振器を容量結
合させた誘電体フィルタを構成している。
【００３０】図２に示す誘電体フィルタは、外導体非形
成部の延長矩形部８を、底面に対し垂直方向に延びるよ
うに設けているものであり、他の構成は図１に示す誘電
体フィルタと同様である。
成部の延長矩形部８を、底面に対し垂直方向に延びるよ
うに設けているものであり、他の構成は図１に示す誘電
体フィルタと同様である。
【００３１】また、図３に示す誘電体フィルタは、外導
体非形成部の延長矩形部９ａ，９ｂをそれぞれ、内導体
形成孔２ａ，２ｂの軸に平行な方向および、垂直な方向
に延びるように設けているものであり、他の構成は図１
に示す誘電体フィルタと同様である。
体非形成部の延長矩形部９ａ，９ｂをそれぞれ、内導体
形成孔２ａ，２ｂの軸に平行な方向および、垂直な方向
に延びるように設けているものであり、他の構成は図１
に示す誘電体フィルタと同様である。
【００３２】このような構造とすることにより、誘電体
ブロックと外導体とによるＴＥ共振モードに摂動が起こ
り、ＴＥモードの共振周波数が低くなり、ＴＥモードと
ＴＥＭモードの位相が逆相関係になる減衰極Ｂの周波数
は、図４に示すように低周波数側にシフトする。よっ
て、外導体非形成部の延長矩形部の長さを予め所定の量
にすることにより、所望の減衰特性が得られる。
ブロックと外導体とによるＴＥ共振モードに摂動が起こ
り、ＴＥモードの共振周波数が低くなり、ＴＥモードと
ＴＥＭモードの位相が逆相関係になる減衰極Ｂの周波数
は、図４に示すように低周波数側にシフトする。よっ
て、外導体非形成部の延長矩形部の長さを予め所定の量
にすることにより、所望の減衰特性が得られる。
【００３３】なお、外導体非形成部の形状を大きくする
と、外導体の面積が小さくなるため、誘電体フィルタを
構成する各共振器のＱｏが悪化したり、入出力電極に近
接する共振器の共振周波数ｆｏが大幅に上昇し、誘電体
フィルタの特性が悪化する。
と、外導体の面積が小さくなるため、誘電体フィルタを
構成する各共振器のＱｏが悪化したり、入出力電極に近
接する共振器の共振周波数ｆｏが大幅に上昇し、誘電体
フィルタの特性が悪化する。
【００３４】しかし、前述のように、外導体非形成部の
延長矩形部を、細長い帯状にすることにより、外導体非
形成部の面積変化による特性への影響を抑えながら、減
衰極の調整を行うことができる。
延長矩形部を、細長い帯状にすることにより、外導体非
形成部の面積変化による特性への影響を抑えながら、減
衰極の調整を行うことができる。
【００３５】また、外導体非形成部の延長矩形部７，
８，９ａ，９ｂは、それぞれの図における誘電体フィル
タの左奥の側面に設けてもよく、両側面に設けてもよ
い。
８，９ａ，９ｂは、それぞれの図における誘電体フィル
タの左奥の側面に設けてもよく、両側面に設けてもよ
い。
【００３６】次に、第２の実施形態に係る誘電体フィル
タの構成について、図５を参照して説明する。
タの構成について、図５を参照して説明する。
【００３７】図５は第２の実施形態に係る誘電体フィル
タの外観斜視図である。図５に示す誘電体フィルタは、
入出力電極６ａ，６ｂが、誘電体フィルタの実装面とな
る底面にのみ形成されているものであり、他の構成は、
図１に示す誘電体フィルタと同じである。
タの外観斜視図である。図５に示す誘電体フィルタは、
入出力電極６ａ，６ｂが、誘電体フィルタの実装面とな
る底面にのみ形成されているものであり、他の構成は、
図１に示す誘電体フィルタと同じである。
【００３８】このような構造においても、ＴＥモードの
共振周波数が低くなり、第１の実施形態と同様の効果が
得られる。
共振周波数が低くなり、第１の実施形態と同様の効果が
得られる。
【００３９】次に、第３の実施形態に係る誘電体フィル
タの構成について、図６を参照して説明する。
タの構成について、図６を参照して説明する。
【００４０】図６は誘電体フィルタの外観斜視図であ
る。図６に示す誘電体フィルタは、外導体非形成部の延
長矩形部１０を誘電体ブロックの開放面に接するように
設けたものであり、他の構成は、図１に示す誘電体フィ
ルタと同様である。
る。図６に示す誘電体フィルタは、外導体非形成部の延
長矩形部１０を誘電体ブロックの開放面に接するように
設けたものであり、他の構成は、図１に示す誘電体フィ
ルタと同様である。
【００４１】このような構造とすることにより、誘電体
ブロックと外導体とによるＴＥ共振モードに摂動が起こ
り、ＴＥモードの共振周波数が低くなり、ＴＥモードと
ＴＥＭモードとの位相が逆相関係になる減衰極Ｂの周波
数は、図４に示すように低周波数側にシフトする。よっ
て、外導体非形成部の延長矩形部の長さを予め所定の量
にすることにより、所望の減衰特性が得られる。
ブロックと外導体とによるＴＥ共振モードに摂動が起こ
り、ＴＥモードの共振周波数が低くなり、ＴＥモードと
ＴＥＭモードとの位相が逆相関係になる減衰極Ｂの周波
数は、図４に示すように低周波数側にシフトする。よっ
て、外導体非形成部の延長矩形部の長さを予め所定の量
にすることにより、所望の減衰特性が得られる。
【００４２】なお、外導体非形成部の延長矩形部１０
は、それぞれの図における誘電体フィルタの左奥の側面
に設けてもよく、両側面に設けてもよい。
は、それぞれの図における誘電体フィルタの左奥の側面
に設けてもよく、両側面に設けてもよい。
【００４３】次に、第４の実施形態に係る誘電体フィル
タの構成について、図７を参照して説明する。
タの構成について、図７を参照して説明する。
【００４４】図７は誘電体フィルタの外観斜視図であ
る。図７に示す誘電体フィルタは、外導体非形成部の一
方の延長矩形部１１ａを開放面に接するように設け、他
方の延長矩形部１１ｂを第１の実施形態に示したよう
に、開放面から離れた位置で設けているもので、他の構
成は図１の誘電体フィルタと同様である。
る。図７に示す誘電体フィルタは、外導体非形成部の一
方の延長矩形部１１ａを開放面に接するように設け、他
方の延長矩形部１１ｂを第１の実施形態に示したよう
に、開放面から離れた位置で設けているもので、他の構
成は図１の誘電体フィルタと同様である。
【００４５】このような構造とすることにより、誘電体
ブロックと外導体とによるＴＥ共振モードに摂動が起こ
り、先に示した各実施形態の場合と同様に、減衰極の周
波数が低周波数側にシフトする。よって、外導体非形成
部の延長矩形部の長さを予め所定の量にすることによ
り、所望の減衰特性が得られる。
ブロックと外導体とによるＴＥ共振モードに摂動が起こ
り、先に示した各実施形態の場合と同様に、減衰極の周
波数が低周波数側にシフトする。よって、外導体非形成
部の延長矩形部の長さを予め所定の量にすることによ
り、所望の減衰特性が得られる。
【００４６】なお、外導体非形成部の延長矩形部１１
ａ，１１ｂは図における誘電体フィルタの左奥の側面に
設けてもよく、両側面に複数設けてもよい。
ａ，１１ｂは図における誘電体フィルタの左奥の側面に
設けてもよく、両側面に複数設けてもよい。
【００４７】次に、第５の実施形態に係る誘電体フィル
タの構成について、図８を参照して説明する。
タの構成について、図８を参照して説明する。
【００４８】図８は誘電体フィルタの外観斜視図であ
る。１は誘電体ブロック、２ａ，２ｂは内導体形成孔、
３ａ，３ｂは内導体、４は外導体、５ａ，５ｂは外導体
非形成部、６ａ，６ｂは入出力電極、１２ａ，１２ｂは
内導体非形成部である。また、１３は外導体非形成部の
延長矩形部である。
る。１は誘電体ブロック、２ａ，２ｂは内導体形成孔、
３ａ，３ｂは内導体、４は外導体、５ａ，５ｂは外導体
非形成部、６ａ，６ｂは入出力電極、１２ａ，１２ｂは
内導体非形成部である。また、１３は外導体非形成部の
延長矩形部である。
【００４９】略直方体形状の誘電体ブロック１の図にお
ける左手前の面からこれに対向する右奥の面にかけて、
内側に内導体３ａ，３ｂをそれぞれ形成した内導体形成
孔２ａ，２ｂを形成している。また、誘電体ブロック１
の外面全面に外導体４を形成しており、内導体２ａ，２
ｂにそれぞれ内導体非形成部１２ａ，１２ｂを設けて開
放端としている。なお、内導体形成孔２ａ，２ｂは、そ
れらの内径が短絡端側より開放端側が大きいステップ孔
としている。
ける左手前の面からこれに対向する右奥の面にかけて、
内側に内導体３ａ，３ｂをそれぞれ形成した内導体形成
孔２ａ，２ｂを形成している。また、誘電体ブロック１
の外面全面に外導体４を形成しており、内導体２ａ，２
ｂにそれぞれ内導体非形成部１２ａ，１２ｂを設けて開
放端としている。なお、内導体形成孔２ａ，２ｂは、そ
れらの内径が短絡端側より開放端側が大きいステップ孔
としている。
【００５０】また、内導体形成孔の配列方向に対する端
面である側面および実装基板に対向する実装面となる底
面（図では上面）には、外導体非形成部５ａ，５ｂを設
けている。この外導体非形成部５ａ，５ｂにより、外導
体４から分離した入出力電極６ａ，６ｂを形成してい
る。ここで、前記側面に設けられている外導体非形成部
５ｂの一部を、内導体形成孔２ａ，２ｂの軸に平行な方
向に所定の量だけ、細長く帯状に延長して、外導体非形
成部の延長矩形部１３を設けている。このような構造に
より、二つの共振器を容量性結合させた誘電体フィルタ
を構成している。
面である側面および実装基板に対向する実装面となる底
面（図では上面）には、外導体非形成部５ａ，５ｂを設
けている。この外導体非形成部５ａ，５ｂにより、外導
体４から分離した入出力電極６ａ，６ｂを形成してい
る。ここで、前記側面に設けられている外導体非形成部
５ｂの一部を、内導体形成孔２ａ，２ｂの軸に平行な方
向に所定の量だけ、細長く帯状に延長して、外導体非形
成部の延長矩形部１３を設けている。このような構造に
より、二つの共振器を容量性結合させた誘電体フィルタ
を構成している。
【００５１】この構造とすることにより、先に示した各
実施形態の場合と同様に減衰極の周波数が低周波数側に
シフトする。
実施形態の場合と同様に減衰極の周波数が低周波数側に
シフトする。
【００５２】なお、外導体非形成部の延長矩形部１３
は、図における誘電体フィルタの左奥の側面に設けても
よく、両側面に設けてもよい。
は、図における誘電体フィルタの左奥の側面に設けても
よく、両側面に設けてもよい。
【００５３】また、内導体形成孔２ａ，２ｂをストレー
ト孔にして、誘導性結合とすることにより、ＴＥＭモー
ドとＴＥモードとのピークを通過帯域の高周波数側にす
ることもできる。
ト孔にして、誘導性結合とすることにより、ＴＥＭモー
ドとＴＥモードとのピークを通過帯域の高周波数側にす
ることもできる。
【００５４】次に、第６の実施形態に係る誘電体フィル
タの構成について、図９，図１０を参照して説明する。
タの構成について、図９，図１０を参照して説明する。
【００５５】図９、図１０は、それぞれ誘電体フィルタ
の外観斜視図である。図９に示す誘電体フィルタは、外
導体非形成部の延長矩形部１４が実装面に対して垂直方
向に設けられており、他の構造は図７に示す誘電体フィ
ルタと同様である。
の外観斜視図である。図９に示す誘電体フィルタは、外
導体非形成部の延長矩形部１４が実装面に対して垂直方
向に設けられており、他の構造は図７に示す誘電体フィ
ルタと同様である。
【００５６】また、図１０に示す誘電体フィルタは、外
導体非形成部の延長矩形部１５ａ，１５ｂがそれぞれ実
装面に垂直方向に設けられており、他の構造は図７に示
す誘電体フィルタと同様である。
導体非形成部の延長矩形部１５ａ，１５ｂがそれぞれ実
装面に垂直方向に設けられており、他の構造は図７に示
す誘電体フィルタと同様である。
【００５７】この構造とすることにより、減衰極の周波
数を低周波数側にシフトすることができる。
数を低周波数側にシフトすることができる。
【００５８】なお、外導体非形成部の延長矩形部１４，
１５ａ，１５ｂは、それぞれの図における誘電体フィル
タの左奥の側面に設けてもよく、両側面に設けてもよ
い。
１５ａ，１５ｂは、それぞれの図における誘電体フィル
タの左奥の側面に設けてもよく、両側面に設けてもよ
い。
【００５９】また、内導体形成孔２ａ，２ｂをストレー
ト孔にして、誘導性結合とすることにより、ＴＥＭモー
ドとＴＥモードとのピークを通過帯域の高周波数側にす
ることもできる。
ト孔にして、誘導性結合とすることにより、ＴＥＭモー
ドとＴＥモードとのピークを通過帯域の高周波数側にす
ることもできる。
【００６０】次に第７の実施形態に係る誘電体フィルタ
の構成について、図１１を参照して説明する。
の構成について、図１１を参照して説明する。
【００６１】図１１は誘電体フィルタの外観斜視図であ
る。図１１において、１は誘電体ブロック、２ａ，２ｂ
は内導体形成孔、３ａ，３ｂは内導体、４は外導体、５
ａ，５ｂは外導体非形成部、６ａ，６ｂは入出力電極、
１２ａ，１２ｂは内導体非形成部である。また、１６
ａ，１６ｂは外導体非形成部の延長矩形部である。
る。図１１において、１は誘電体ブロック、２ａ，２ｂ
は内導体形成孔、３ａ，３ｂは内導体、４は外導体、５
ａ，５ｂは外導体非形成部、６ａ，６ｂは入出力電極、
１２ａ，１２ｂは内導体非形成部である。また、１６
ａ，１６ｂは外導体非形成部の延長矩形部である。
【００６２】略直方体形状の誘電体ブロック１の図にお
ける左手前の面からこれに対向する右奥の面にかけて、
内側に内導体３ａ，３ｂをそれぞれ形成した内導体形成
孔２ａ，２ｂを形成している。また、誘電体ブロック１
の外面全面に外導体４を形成しており、内導体２ａ，２
ｂにそれぞれ内導体非形成部１２ａ，１２ｂを設けて開
放端としている。
ける左手前の面からこれに対向する右奥の面にかけて、
内側に内導体３ａ，３ｂをそれぞれ形成した内導体形成
孔２ａ，２ｂを形成している。また、誘電体ブロック１
の外面全面に外導体４を形成しており、内導体２ａ，２
ｂにそれぞれ内導体非形成部１２ａ，１２ｂを設けて開
放端としている。
【００６３】また、内導体形成孔の開放端側の端面およ
び実装基板に対向する実装面となる底面（図では上面）
には、外導体非形成部５ａ，５ｂを設けている。この外
導体非形成部５ａ，５ｂにより、外導体４から分離した
入出力電極６ａ，６ｂを形成している。ここで、内導体
形成孔２ａ，２ｂの端面における外導体非形成部５ｂの
一部を内導体形成孔２ａ，２ｂの配列方向にそれぞれ所
定の量だけ、細長く帯状に延長して、外導体非形成部の
延長矩形部１６ａ，１６ｂを設けている。
び実装基板に対向する実装面となる底面（図では上面）
には、外導体非形成部５ａ，５ｂを設けている。この外
導体非形成部５ａ，５ｂにより、外導体４から分離した
入出力電極６ａ，６ｂを形成している。ここで、内導体
形成孔２ａ，２ｂの端面における外導体非形成部５ｂの
一部を内導体形成孔２ａ，２ｂの配列方向にそれぞれ所
定の量だけ、細長く帯状に延長して、外導体非形成部の
延長矩形部１６ａ，１６ｂを設けている。
【００６４】この構造とすることにより、減衰極の周波
数を低周波数側にシフトすることができる。
数を低周波数側にシフトすることができる。
【００６５】また、内導体形成孔２ａ，２ｂをストレー
ト孔にして、誘導性結合とすることにより、ＴＥＭモー
ドとＴＥモードとのピークを通過帯域の高周波数側にす
ることもできる。
ト孔にして、誘導性結合とすることにより、ＴＥＭモー
ドとＴＥモードとのピークを通過帯域の高周波数側にす
ることもできる。
【００６６】次に、第８の実施形態に係る誘電体フィル
タの構成について、図１２を参照して説明する。
タの構成について、図１２を参照して説明する。
【００６７】図１２は誘電体フィルタの外観斜視図であ
る。図１２に示す誘電体フィルタは、図１に示した誘電
体フィルタの延長矩形部の一部に削除部１７を設けたも
のであり、他の構造は同じである。
る。図１２に示す誘電体フィルタは、図１に示した誘電
体フィルタの延長矩形部の一部に削除部１７を設けたも
のであり、他の構造は同じである。
【００６８】この削除部１７の削除量により、外導体非
形成部の延長矩形部７の存在による減衰極のシフト量の
微調整が可能となる。ここで、削除部１７は、延長矩形
部７ではなく、外導体非形成部５ｂのどの位置に設けて
もよい。このことにより、従来技術の場合のように、
入出力電極の近傍に必ずしも作製する必要がなくなり、
作業が容易となる。
形成部の延長矩形部７の存在による減衰極のシフト量の
微調整が可能となる。ここで、削除部１７は、延長矩形
部７ではなく、外導体非形成部５ｂのどの位置に設けて
もよい。このことにより、従来技術の場合のように、
入出力電極の近傍に必ずしも作製する必要がなくなり、
作業が容易となる。
【００６９】次に、第９の実施形態に係る誘電体デュプ
レクサの構成について、図１３を参照して説明する。
レクサの構成について、図１３を参照して説明する。
【００７０】図１３において、１は誘電体ブロック、２
ａ〜２ｇは内導体形成孔、３ａ〜３ｇは内導体、４は外
導体、５ａ，５ｂ，５ｃは外導体非形成部、６ａ，６
ｂ，６ｃは入出力電極、１８はアンテナ励振孔である。
また、７は外導体非形成部の延長矩形部である。
ａ〜２ｇは内導体形成孔、３ａ〜３ｇは内導体、４は外
導体、５ａ，５ｂ，５ｃは外導体非形成部、６ａ，６
ｂ，６ｃは入出力電極、１８はアンテナ励振孔である。
また、７は外導体非形成部の延長矩形部である。
【００７１】図１３に示した誘電体デュプレクサは、内
導体形成孔２ａ〜２ｄからなる四段の共振器を有する誘
電体フィルタと内導体形成孔２ｅ〜２ｇからなる三段の
共振器を有する誘電体フィルタとをそれぞれ送信側、受
信側フィルタとして、その間にアンテナ励振孔１８を含
む入出力電極を設けて、一つの誘電体ブロック１に形成
している。入出力電極６ｂを形成する外導体非形成部５
ｂには、内導体形成孔２ａ〜２ｇの軸に平行な方向に所
定の量だけ、細長く帯状に延長して、外導体非形成部の
延長矩形部７を設けている。
導体形成孔２ａ〜２ｄからなる四段の共振器を有する誘
電体フィルタと内導体形成孔２ｅ〜２ｇからなる三段の
共振器を有する誘電体フィルタとをそれぞれ送信側、受
信側フィルタとして、その間にアンテナ励振孔１８を含
む入出力電極を設けて、一つの誘電体ブロック１に形成
している。入出力電極６ｂを形成する外導体非形成部５
ｂには、内導体形成孔２ａ〜２ｇの軸に平行な方向に所
定の量だけ、細長く帯状に延長して、外導体非形成部の
延長矩形部７を設けている。
【００７２】この構造とすることにより、送信側フィル
タ、受信側フィルタともに、ＴＥモードによる減衰極を
シフトすることができ、所望の特性を得ることができ
る。
タ、受信側フィルタともに、ＴＥモードによる減衰極を
シフトすることができ、所望の特性を得ることができ
る。
【００７３】なお、第３〜第８の実施形態に示した誘電
体フィルタおよび前記の誘電体デュプレクサにおいて
も、第２の実施形態に示したように、入出力電極を設け
てもよい。
体フィルタおよび前記の誘電体デュプレクサにおいて
も、第２の実施形態に示したように、入出力電極を設け
てもよい。
【００７４】次に、第１０の実施形態に係る通信装置の
構成について、図１４を参照に説明する。
構成について、図１４を参照に説明する。
【００７５】図１４おいて、ＡＮＴは送受信アンテナ、
ＤＰＸはデュプレクサ、ＢＰＦａ，ＢＰＦｂはそれぞれ
帯域通過フィルタ、ＡＭＰａ，ＡＭＰｂはそれぞれ増幅
回路、ＭＩＸａ，ＭＩＸｂはそれぞれミキサ、ＯＳＣは
発振器、ＳＹＮはシンセサイザである。ＭＩＸａはＳＹ
Ｎから出力される周波数信号をＩＦ信号で変調し、ＢＰ
Ｆａは送信周波数の帯域のみを通過させ、ＡＭＰａはこ
れを電力増幅してＤＰＸを介しＡＮＴより送信する。Ａ
ＭＰｂはＤＰＸから出力される信号を増幅し、ＢＰＦｂ
はＡＭＰｂから出力される信号のうち受信周波数帯域の
みを通過させる。ＭＩＸｂはＳＹＮより出力される周波
数信号と受信信号とをミキシングして中間周波信号ＩＦ
を出力する。
ＤＰＸはデュプレクサ、ＢＰＦａ，ＢＰＦｂはそれぞれ
帯域通過フィルタ、ＡＭＰａ，ＡＭＰｂはそれぞれ増幅
回路、ＭＩＸａ，ＭＩＸｂはそれぞれミキサ、ＯＳＣは
発振器、ＳＹＮはシンセサイザである。ＭＩＸａはＳＹ
Ｎから出力される周波数信号をＩＦ信号で変調し、ＢＰ
Ｆａは送信周波数の帯域のみを通過させ、ＡＭＰａはこ
れを電力増幅してＤＰＸを介しＡＮＴより送信する。Ａ
ＭＰｂはＤＰＸから出力される信号を増幅し、ＢＰＦｂ
はＡＭＰｂから出力される信号のうち受信周波数帯域の
みを通過させる。ＭＩＸｂはＳＹＮより出力される周波
数信号と受信信号とをミキシングして中間周波信号ＩＦ
を出力する。
【００７６】図１４に示した帯域通過フィルタＢＰＦ
ａ、ＢＰＦｂには、図１〜１２に示した構造の誘電体フ
ィルタを用いることができる。また、誘電体デュプレク
サＤＰＸには、図１３に示した誘電体デュプレクサを用
いることができる。このようにして、必要な減衰特性を
有する小型化した誘電体フィルタおよび誘電体デュプレ
クサを用いることにより、所定の通信性能を有する小型
の通信装置を構成することができる。
ａ、ＢＰＦｂには、図１〜１２に示した構造の誘電体フ
ィルタを用いることができる。また、誘電体デュプレク
サＤＰＸには、図１３に示した誘電体デュプレクサを用
いることができる。このようにして、必要な減衰特性を
有する小型化した誘電体フィルタおよび誘電体デュプレ
クサを用いることにより、所定の通信性能を有する小型
の通信装置を構成することができる。
【００７７】
【発明の効果】この発明によれば、略直方体形状の誘電
体ブロックの内部に、該誘電体ブロックの一方の面か
ら、それに対向する他方の面にかけて、それぞれの内面
に内導体を形成した複数の内導体形成孔を設け、誘電体
ブロックの外面に前記外導体を形成し、内導体形成孔の
配列方向の端面である側面から、実装基板に対向する実
装面である底面にかけて、外導体の一部を非形成して入
出力電極を設けて、伝送信号の通過帯域より高域側の所
望の周波数に、減衰極が形成されるように、外導体非形
成部を部分的に延長した延長矩形部を設けることによ
り、任意の減衰極周波数を有する誘電体フィルタが構成
できる。
体ブロックの内部に、該誘電体ブロックの一方の面か
ら、それに対向する他方の面にかけて、それぞれの内面
に内導体を形成した複数の内導体形成孔を設け、誘電体
ブロックの外面に前記外導体を形成し、内導体形成孔の
配列方向の端面である側面から、実装基板に対向する実
装面である底面にかけて、外導体の一部を非形成して入
出力電極を設けて、伝送信号の通過帯域より高域側の所
望の周波数に、減衰極が形成されるように、外導体非形
成部を部分的に延長した延長矩形部を設けることによ
り、任意の減衰極周波数を有する誘電体フィルタが構成
できる。
【００７８】また、この発明によれば、外導体非形成部
の延長矩形部を、内導体形成孔の軸方向に対して、平行
または垂直な方向に部分的に細長く帯状に設けることに
より、フィルタ特性を殆ど変化させることなく、任意の
減衰極周波数を有する誘電体フィルタが構成できる。
の延長矩形部を、内導体形成孔の軸方向に対して、平行
または垂直な方向に部分的に細長く帯状に設けることに
より、フィルタ特性を殆ど変化させることなく、任意の
減衰極周波数を有する誘電体フィルタが構成できる。
【００７９】また、この発明によれば、外導体非形成部
の延長矩形部に接する外導体を局所的に削ることによ
り、更に減衰極の周波数を微調整できる。
の延長矩形部に接する外導体を局所的に削ることによ
り、更に減衰極の周波数を微調整できる。
【００８０】また、この発明によれば、前記誘電体フィ
ルタを備えることにより、所望の特性を得られる誘電体
デュプレクサを構成できる。
ルタを備えることにより、所望の特性を得られる誘電体
デュプレクサを構成できる。
【００８１】また、この発明によれば、前記誘電体フィ
ルタまたは前記誘電体デュプレクサを備えることによ
り、所定の通信性能を有する通信装置が構成できる。
ルタまたは前記誘電体デュプレクサを備えることによ
り、所定の通信性能を有する通信装置が構成できる。
【図１】第１の実施形態に係る誘電体フィルタの外観斜
視図
視図
【図２】第１の実施形態に係る誘電体フィルタの外観斜
視図
視図
【図３】第１の実施形態に係る誘電体フィルタの外観斜
視図
視図
【図４】第１の実施形態に係る誘電体フィルタの減衰特
性図
性図
【図５】第２の実施形態に係る誘電体フィルタの外観斜
視図
視図
【図６】第３の実施形態に係る誘電体フィルタの外観斜
視図
視図
【図７】第４の実施形態に係る誘電体フィルタの外観斜
視図
視図
【図８】第５の実施形態に係る誘電体フィルタの外観斜
視図
視図
【図９】第６の実施形態に係る誘電体フィルタの外観斜
視図
視図
【図１０】第６の実施形態に係る誘電体フィルタの外観
斜視図
斜視図
【図１１】第７の実施形態に係る誘電体フィルタの外観
斜視図
斜視図
【図１２】第８の実施形態に係る誘電体フィルタの外観
斜視図
斜視図
【図１３】第９の実施形態に係る誘電体デュプレクサの
外観斜視図
外観斜視図
【図１４】第１０の実施形態に係る通信装置のブロック
図
図
【図１５】従来の誘電体フィルタの外観斜視図
【図１６】従来の誘電体フィルタの減衰特性図
１−誘電体ブロック ２ａ〜２ｇ−内導体形成孔 ３ａ〜３ｇ−内導体 ４−外導体 ５ａ，５ｂ，５ｃ−外導体非形成部 ６ａ，６ｂ，６ｃ−入出力電極 ７，８，９ａ，９ｂ，１０，１１ａ，１１ｂ，１３，１
４，１５ａ，１５ｂ，１６ａ，１６ｂ−外導体非形成部
の延長矩形部 １２ａ，１２ｂ−内導体非形成部 １７−外導体削除部 １８−アンテナ励振孔
４，１５ａ，１５ｂ，１６ａ，１６ｂ−外導体非形成部
の延長矩形部 １２ａ，１２ｂ−内導体非形成部 １７−外導体削除部 １８−アンテナ励振孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加藤 英幸 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 5J006 HA04 HA12 HA15 HA26 JA01 JA11 KA06 KA11 LA11 NA04 NC03
Claims (6)
- 【請求項１】 略直方体形状の誘電体ブロックの内部
に、該誘電体ブロックの一方の面から、それに対向する
他方の面にかけて、それぞれの内面に内導体を形成した
複数の内導体形成孔を設け、前記誘電体ブロックの外面
に外導体を形成した誘電体フィルタにおいて、 前記内導体形成孔の配列方向の端面である側面から、ま
たは前記内導体形成孔の開口面から、実装基板に対向す
る実装面である底面にかけて外導体非形成部を設け、該
外導体非形成部により外導体から分離した入出力電極を
すくなくとも底面に形成し、伝送信号の通過帯域より高
域側の所望の周波数に、減衰極が形成されるように、前
記外導体非形成部を入出力電極形成位置から遠ざかる方
向に部分的に延長した延長矩形部を設けた誘電体フィル
タ。 - 【請求項２】 前記延長矩形部は、前記内導体形成孔の
軸方向に対して平行な方向に、部分的に細長く、帯状を
成す請求項１に記載の誘電体フィルタ。 - 【請求項３】 前記延長矩形部は、前記内導体形成孔の
軸方向に対して垂直な方向に、部分的に細長く、帯状を
成す請求項１に記載の誘電体フィルタ。 - 【請求項４】 前記延長矩形部に接する前記外導体を局
所的に削って成る請求項１〜３のいずれかに記載の誘電
体フィルタ。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかに記載の誘電体
フィルタを備えた誘電体デュプレクサ。 - 【請求項６】 請求項１〜４のいずれかに記載の誘電体
フィルタ、または請求項５に記載の誘電体デュプレクサ
を備えた通信装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002004917A JP2002344204A (ja) | 2001-03-15 | 2002-01-11 | 誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信装置 |
| GB0206046A GB2382234B (en) | 2001-03-15 | 2002-03-14 | Dielectric filter, dielectric duplexer, and communication apparatus using the same |
| US10/097,243 US20020130738A1 (en) | 2001-03-15 | 2002-03-15 | Dielectric filter, dielectric duplexer, and communication apparatus using the same |
| KR1020020014030A KR20020073430A (ko) | 2001-03-15 | 2002-03-15 | 유전체 필터, 유전체 듀플렉서 및 통신 장치 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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