JP2000138502A - 誘電体フィルタ、デュプレクサおよび通信装置 - Google Patents
誘電体フィルタ、デュプレクサおよび通信装置Info
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- JP2000138502A JP2000138502A JP10308381A JP30838198A JP2000138502A JP 2000138502 A JP2000138502 A JP 2000138502A JP 10308381 A JP10308381 A JP 10308381A JP 30838198 A JP30838198 A JP 30838198A JP 2000138502 A JP2000138502 A JP 2000138502A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/205—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
- H01P1/2056—Comb filters or interdigital filters with metallised resonator holes in a dielectric block
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
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- H01P1/213—Frequency-selective devices, e.g. filters combining or separating two or more different frequencies
- H01P1/2136—Frequency-selective devices, e.g. filters combining or separating two or more different frequencies using comb or interdigital filters; using cascaded coaxial cavities
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 所望のフィルタ特性を得るための設計上の自
由度を高め、通過帯域の近傍に減衰極を生じさせた誘電
体フィルタ、デュプレクサおよびそれらを用いた通信装
置を構成する。 【解決手段】 誘電体ブロック１に設ける貫通孔２ａ，
２ｂの断面を矩形にすると共に、第１端面から所定の深
さＬの位置をステップ位置として内形寸法を異なったも
のとする。これにより開放面側と短絡面側の相互容量Ｃ
ijo ，Ｃijsの得られる範囲を拡大し、それぞれを大き
くすることによって、減衰極を通過帯域の近傍に配置す
る。
由度を高め、通過帯域の近傍に減衰極を生じさせた誘電
体フィルタ、デュプレクサおよびそれらを用いた通信装
置を構成する。 【解決手段】 誘電体ブロック１に設ける貫通孔２ａ，
２ｂの断面を矩形にすると共に、第１端面から所定の深
さＬの位置をステップ位置として内形寸法を異なったも
のとする。これにより開放面側と短絡面側の相互容量Ｃ
ijo ，Ｃijsの得られる範囲を拡大し、それぞれを大き
くすることによって、減衰極を通過帯域の近傍に配置す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、誘電体ブロック
の内外に電極を設けて成る誘電体フィルタ、デュプレク
サおよびそれらを用いた通信装置に関するものである。
の内外に電極を設けて成る誘電体フィルタ、デュプレク
サおよびそれらを用いた通信装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】誘電体ブロックに複数の共振器を設けて
構成した誘電体フィルタはいくつかのタイプに分けら
れ、目的に応じて使い分けられている。誘電体ブロック
の一端面を開放面とし、それに対向する端面を短絡面と
したタイプとしては、 特開平６−３１０９１１号 第１端面を除く面と貫通孔に導体を形成し、貫通孔の第
１端面側と第２端面側の断面形状を異ならせることによ
って、双方の特性インピーダンスを異なったものとし
て、共振器同士を結合させる。
構成した誘電体フィルタはいくつかのタイプに分けら
れ、目的に応じて使い分けられている。誘電体ブロック
の一端面を開放面とし、それに対向する端面を短絡面と
したタイプとしては、 特開平６−３１０９１１号 第１端面を除く面と貫通孔に導体を形成し、貫通孔の第
１端面側と第２端面側の断面形状を異ならせることによ
って、双方の特性インピーダンスを異なったものとし
て、共振器同士を結合させる。
【０００３】実開昭６３−１８１００２号 誘電体ブロックに複数の貫通孔を平行に形成し、貫通孔
と貫通孔との間に結合用の孔を設ける。
と貫通孔との間に結合用の孔を設ける。
【０００４】ＵＳＰ５１４６１９３（特表平６−５０
５６０８号） 誘電体ブロックに、断面形状一定の貫通孔を形成し、誘
電体ブロックの側面に表面実装可能な入出力電極を設け
る。
５６０８号） 誘電体ブロックに、断面形状一定の貫通孔を形成し、誘
電体ブロックの側面に表面実装可能な入出力電極を設け
る。
【０００５】特開平７−８６８０７号 誘電体ブロックに複数の貫通孔を設け、それぞれの貫通
孔の一方端を短絡面、他方端を開放面とすると共に、開
放面側に凹部を形成し、その凹部に貫通孔内面の導体と
連なる導体を形成することによって負荷容量を形成す
る。
孔の一方端を短絡面、他方端を開放面とすると共に、開
放面側に凹部を形成し、その凹部に貫通孔内面の導体と
連なる導体を形成することによって負荷容量を形成す
る。
【０００６】といったものがあった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記，，の誘電
体フィルタでは、貫通孔の断面形状が一方端から他方端
まで一定であるため、単なる直方体形状の誘電体ブロッ
クを用いる場合には、所望のフィルタ特性を得るための
設計上の自由度が低いという問題があった。しかも、周
波数ゲイン特性に減衰極が存在しない。
体フィルタでは、貫通孔の断面形状が一方端から他方端
まで一定であるため、単なる直方体形状の誘電体ブロッ
クを用いる場合には、所望のフィルタ特性を得るための
設計上の自由度が低いという問題があった。しかも、周
波数ゲイン特性に減衰極が存在しない。
【０００８】の誘電体フィルタでは、貫通孔の開放端
面側に凹部を形成することによって負荷容量を生じさせ
て共振器長を短縮化するようにしているが、周波数ゲイ
ン特性に減衰極が生じることはない。
面側に凹部を形成することによって負荷容量を生じさせ
て共振器長を短縮化するようにしているが、周波数ゲイ
ン特性に減衰極が生じることはない。
【０００９】この発明の目的は、上述した各種問題点を
解消した誘電体フィルタ、デュプレクサおよびそれらを
用いた通信装置を提供することにある。
解消した誘電体フィルタ、デュプレクサおよびそれらを
用いた通信装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】共振器間の結合係数と減
衰極周波数を制御するためには、隣接する貫通孔の間の
距離（ピッチ）および貫通孔の断面寸法の違い（ステッ
プ比）を構造パラメータとし、これにより求められる自
己容量Ｃｉおよび相互容量Ｃｉｊを変化させる。
衰極周波数を制御するためには、隣接する貫通孔の間の
距離（ピッチ）および貫通孔の断面寸法の違い（ステッ
プ比）を構造パラメータとし、これにより求められる自
己容量Ｃｉおよび相互容量Ｃｉｊを変化させる。
【００１１】しかし、従来の誘電体フィルタにおいて
は、貫通孔の第１端面側と第２端面側とで断面形状がい
ずれも円形であるため、実現可能な成形寸法限界の範囲
内では、必要とされるＣｉｊの容量値が得られず、必要
とされる結合係数が得られない場合があった。また、通
過帯域に近い周波数に減衰極を形成するために、開放面
側のＣｉｊと短絡面側のＣｉｊを共に大きくする必要が
あるが、実現可能な成形寸法限界の範囲内では十分なＣ
ｉｊの容量値が得られずに、所望の周波数に減衰極が形
成できないということも起こり得る。
は、貫通孔の第１端面側と第２端面側とで断面形状がい
ずれも円形であるため、実現可能な成形寸法限界の範囲
内では、必要とされるＣｉｊの容量値が得られず、必要
とされる結合係数が得られない場合があった。また、通
過帯域に近い周波数に減衰極を形成するために、開放面
側のＣｉｊと短絡面側のＣｉｊを共に大きくする必要が
あるが、実現可能な成形寸法限界の範囲内では十分なＣ
ｉｊの容量値が得られずに、所望の周波数に減衰極が形
成できないということも起こり得る。
【００１２】そこで、この発明は、略直方体形状の誘電
体ブロックの第１端面から、これに対向する第２端面に
かけてそれぞれ貫通する複数の孔を形成し、前記孔の内
面に導体を設け、第１端面を開放面、第２端面を短絡面
とする導体を前記誘電体ブロックの外面に設けて複数の
誘電体共振器を構成した誘電体フィルタにおいて、前記
孔の断面を矩形にするとともに、第１端面から第２端面
にかけての前記孔の１０％〜５０％の深さをステップ位
置とし、当該ステップ位置から第１端面までの内形寸法
と前記ステップ位置から第２端面までの内形寸法とを異
ならせる。
体ブロックの第１端面から、これに対向する第２端面に
かけてそれぞれ貫通する複数の孔を形成し、前記孔の内
面に導体を設け、第１端面を開放面、第２端面を短絡面
とする導体を前記誘電体ブロックの外面に設けて複数の
誘電体共振器を構成した誘電体フィルタにおいて、前記
孔の断面を矩形にするとともに、第１端面から第２端面
にかけての前記孔の１０％〜５０％の深さをステップ位
置とし、当該ステップ位置から第１端面までの内形寸法
と前記ステップ位置から第２端面までの内形寸法とを異
ならせる。
【００１３】このように誘電体ブロックに設ける貫通孔
の断面形状を矩形にすると共に、開放面から１０〜５０
％の深さをステップ位置とすることによって、断面円形
の貫通孔の場合に比べて、結合係数を一定とした場合に
Ｃｉｊが大きくできるので、通過帯域の中心周波数によ
り近い位置に減衰極を生じさせて、通過帯域近傍の減衰
量特性の向上が図れる。
の断面形状を矩形にすると共に、開放面から１０〜５０
％の深さをステップ位置とすることによって、断面円形
の貫通孔の場合に比べて、結合係数を一定とした場合に
Ｃｉｊが大きくできるので、通過帯域の中心周波数によ
り近い位置に減衰極を生じさせて、通過帯域近傍の減衰
量特性の向上が図れる。
【００１４】また、この発明は、略直方体形状の誘電体
ブロックの第１端面から、これに対向する第２端面にか
けてそれぞれ貫通する複数の孔を形成し、前記孔の内面
に導体を設け、第１端面を開放面、第２端面を短絡面と
する導体を前記誘電体ブロックの外面に設けて複数の誘
電体共振器を構成した誘電体フィルタにおいて、第１端
面から第２端面までの前記孔の１０％〜５０％の深さを
ステップ位置とし、当該ステップ位置から第１端面まで
の前記孔の断面を矩形とし、前記ステップ位置から第２
端面までの前記孔の断面を円形にする。
ブロックの第１端面から、これに対向する第２端面にか
けてそれぞれ貫通する複数の孔を形成し、前記孔の内面
に導体を設け、第１端面を開放面、第２端面を短絡面と
する導体を前記誘電体ブロックの外面に設けて複数の誘
電体共振器を構成した誘電体フィルタにおいて、第１端
面から第２端面までの前記孔の１０％〜５０％の深さを
ステップ位置とし、当該ステップ位置から第１端面まで
の前記孔の断面を矩形とし、前記ステップ位置から第２
端面までの前記孔の断面を円形にする。
【００１５】このように、電流密度の高い短絡面側の貫
通孔の断面形状を円形とすることによって、断面矩形の
頂点部分への電流集中が避けられ、電流分布が均一化す
ることによって、無負荷Ｑ（Ｑｏ）が向上する。しかも
貫通孔の開放面側は断面矩形であるため、上記Ｃｉ，Ｃ
ｉｊの設計上の自由度が高まり、減衰極を通過帯域の中
心周波数により近い位置に生じさせることが可能とな
る。
通孔の断面形状を円形とすることによって、断面矩形の
頂点部分への電流集中が避けられ、電流分布が均一化す
ることによって、無負荷Ｑ（Ｑｏ）が向上する。しかも
貫通孔の開放面側は断面矩形であるため、上記Ｃｉ，Ｃ
ｉｊの設計上の自由度が高まり、減衰極を通過帯域の中
心周波数により近い位置に生じさせることが可能とな
る。
【００１６】またこの発明は、単一の誘電体ブロック
に、請求項１または２に記載の誘電体フィルタを少なく
とも１組含む、複数の誘電体フィルタからデュプレクサ
を構成する。これにより、送信周波数帯域を減衰させる
とともに受信周波数帯域を通過させる受信フィルタと、
受信周波数帯域を減衰させるとともに送信周波数帯域を
通過させる送信フィルタとを備えたデュプレクサが得ら
れる。減衰極周波数は通過帯域の近傍に生じさせること
ができるため、送信周波数帯域と受信周波数帯域とが近
接している場合にも適用できる。
に、請求項１または２に記載の誘電体フィルタを少なく
とも１組含む、複数の誘電体フィルタからデュプレクサ
を構成する。これにより、送信周波数帯域を減衰させる
とともに受信周波数帯域を通過させる受信フィルタと、
受信周波数帯域を減衰させるとともに送信周波数帯域を
通過させる送信フィルタとを備えたデュプレクサが得ら
れる。減衰極周波数は通過帯域の近傍に生じさせること
ができるため、送信周波数帯域と受信周波数帯域とが近
接している場合にも適用できる。
【００１７】さらに、この発明は上記誘電体フィルタま
たはデュプレクサを高周波回路部に設けて通信装置を構
成する。これにより、高周波回路部のＣＮ比等の特性が
優れた小型の通信装置が得られる。
たはデュプレクサを高周波回路部に設けて通信装置を構
成する。これにより、高周波回路部のＣＮ比等の特性が
優れた小型の通信装置が得られる。
【００１８】
【発明の実施の形態】この発明の第１の実施形態に係る
誘電体フィルタの構成を図１〜図７を参照して説明す
る。図１は誘電体フィルタの投影図であり、（Ａ）は上
面図、（Ｂ）は正面図、（Ｃ）は左側面図、（Ｄ）は右
側面図である。但し、同図の（Ｂ）に示す面が回路基板
に対する実装面である。誘電体ブロック１には、その第
１端面から第２端面にかけて貫通する２つの平行な孔２
ａ．２ｂを設けている。これらの孔２ａ，２ｂはそれぞ
れ断面矩形であり、第１端面から深さＬの位置で内形を
異ならせている。孔２ａ，２ｂの内面には内導体３ａ，
３ｂを設けている。また誘電体ブロック１の外面には、
第１端面を開放面、第２端面を短絡面とする外導体４を
形成している。また誘電体ブロック１の外面には外導体
４から絶縁した端子電極５ａ，５ｂを形成している。
誘電体フィルタの構成を図１〜図７を参照して説明す
る。図１は誘電体フィルタの投影図であり、（Ａ）は上
面図、（Ｂ）は正面図、（Ｃ）は左側面図、（Ｄ）は右
側面図である。但し、同図の（Ｂ）に示す面が回路基板
に対する実装面である。誘電体ブロック１には、その第
１端面から第２端面にかけて貫通する２つの平行な孔２
ａ．２ｂを設けている。これらの孔２ａ，２ｂはそれぞ
れ断面矩形であり、第１端面から深さＬの位置で内形を
異ならせている。孔２ａ，２ｂの内面には内導体３ａ，
３ｂを設けている。また誘電体ブロック１の外面には、
第１端面を開放面、第２端面を短絡面とする外導体４を
形成している。また誘電体ブロック１の外面には外導体
４から絶縁した端子電極５ａ，５ｂを形成している。
【００１９】図１においてＣio，Ｃjoは開放面側の自己
容量、Ｃis，Ｃjsは短絡面側の自己容量、Ｃijo は開放
面側の相互容量、Ｃijs は短絡面側の相互容量である。
Ｃioは図中のｈboにより、Ｃisはｈbsによりそれぞれ定
める。また、Ｃijo は図中のｐioにより、Ｃijs はｐis
によりそれぞれ定める。
容量、Ｃis，Ｃjsは短絡面側の自己容量、Ｃijo は開放
面側の相互容量、Ｃijs は短絡面側の相互容量である。
Ｃioは図中のｈboにより、Ｃisはｈbsによりそれぞれ定
める。また、Ｃijo は図中のｐioにより、Ｃijs はｐis
によりそれぞれ定める。
【００２０】図２は図１に示した誘電体フィルタの等価
回路図である。図２の（Ａ）はその全体の等価回路図で
あり、Ｒａｓは図１に示した内導体３ａによる短絡面側
の共振器、Ｒａｏはその開放面側の共振器である。同様
にＲｂｓは内導体３ｂによる短絡面側の共振器、Ｒａｏ
はその開放面側の共振器である。またＣｅａは端子電極
５ａと内導体３ａとの間に生じる静電容量、Ｃｅｂは端
子電極５ｂと内導体３ｂとの間に生じる静電容量であ
る。このように内導体を形成する貫通孔をステップ構造
とすることによって、共振線路の特性インピーダンスを
開放面側と短絡面側とで異ならせて、共振器同士の結合
を図っている。
回路図である。図２の（Ａ）はその全体の等価回路図で
あり、Ｒａｓは図１に示した内導体３ａによる短絡面側
の共振器、Ｒａｏはその開放面側の共振器である。同様
にＲｂｓは内導体３ｂによる短絡面側の共振器、Ｒａｏ
はその開放面側の共振器である。またＣｅａは端子電極
５ａと内導体３ａとの間に生じる静電容量、Ｃｅｂは端
子電極５ｂと内導体３ｂとの間に生じる静電容量であ
る。このように内導体を形成する貫通孔をステップ構造
とすることによって、共振線路の特性インピーダンスを
開放面側と短絡面側とで異ならせて、共振器同士の結合
を図っている。
【００２１】図２の（Ｂ）は上記結合部の等価回路図で
ある。ここでＹｏは開放面側の特性アドミッタンス、Ｙ
ｓは短絡面側の特性アドミッタンスであり、それぞれ次
の式で表される。
ある。ここでＹｏは開放面側の特性アドミッタンス、Ｙ
ｓは短絡面側の特性アドミッタンスであり、それぞれ次
の式で表される。
【００２２】Ｙｏ＝Ｃijo Ｖｃ／√εｒ Ｙｓ＝Ｃijs Ｖｃ／√εｒ ここでＶｃは光速、εｒは誘電体ブロックの比誘電率で
ある。また図中のθは電気長、Ｙｉｎは入力アドミッタ
ンスである。
ある。また図中のθは電気長、Ｙｉｎは入力アドミッタ
ンスである。
【００２３】ところで、結合係数ｋは次の関係で表され
る。
る。
【００２４】ｋ＝｜Ｊ｜／ｂｏ ここでＪは共振周波数ｆｏでの入力アドミッタンス、ｂ
ｏは自己容量Ｃi で定まる定数である。
ｏは自己容量Ｃi で定まる定数である。
【００２５】自己容量と相互容量の変化に対する結合係
数ｋの変化は図５に示すようになる。図５の（Ａ）は相
互容量Ｃijo ，Ｃijs のいずれも一定として自己容量Ｃ
i を変化させたときの結合係数ｋの変化を示すものであ
り、実線はＣisを一定とした時のＣioの変化に対する結
合係数ｋの変化を示し、破線はＣioを一定とした時のＣ
isの変化に対する結合係数ｋの変化を示している。また
図５の（Ｂ）は自己容量Ｃis，Ｃioのいずれも一定とし
て相互容量Ｃijを変化させたときの結合係数ｋの変化を
示すものであり、実線はＣijs を一定として、Ｃijo を
変化させた時の結合係数の変化であり、破線はＣijo を
一定として、Ｃijs を変化させた時の結合係数の変化で
ある。本願発明によれば、内導体を形成する孔の断面を
矩形にしたため、Ｃi ，Ｃijの設定範囲が広くなり、結
合係数ｋの設計上の自由度が高まる。
数ｋの変化は図５に示すようになる。図５の（Ａ）は相
互容量Ｃijo ，Ｃijs のいずれも一定として自己容量Ｃ
i を変化させたときの結合係数ｋの変化を示すものであ
り、実線はＣisを一定とした時のＣioの変化に対する結
合係数ｋの変化を示し、破線はＣioを一定とした時のＣ
isの変化に対する結合係数ｋの変化を示している。また
図５の（Ｂ）は自己容量Ｃis，Ｃioのいずれも一定とし
て相互容量Ｃijを変化させたときの結合係数ｋの変化を
示すものであり、実線はＣijs を一定として、Ｃijo を
変化させた時の結合係数の変化であり、破線はＣijo を
一定として、Ｃijs を変化させた時の結合係数の変化で
ある。本願発明によれば、内導体を形成する孔の断面を
矩形にしたため、Ｃi ，Ｃijの設定範囲が広くなり、結
合係数ｋの設計上の自由度が高まる。
【００２６】また、減衰極周波数ｆｐは２つの共振器が
結合しない周波数、すなわちＹｉｎ＝０となる周波数で
あると定義できる。ＹｉｎはＣijo とＣijs の関数であ
るので、上記の関係から、ｋとｆｐを所望の値とするた
めのＣijo とＣijs が一義的に決定される。
結合しない周波数、すなわちＹｉｎ＝０となる周波数で
あると定義できる。ＹｉｎはＣijo とＣijs の関数であ
るので、上記の関係から、ｋとｆｐを所望の値とするた
めのＣijo とＣijs が一義的に決定される。
【００２７】例えば周波数ｆｏにおいてｋを一定とした
時、Ｃijo が大きいほど、またＣijs が大きいほど、ｆ
ｐはｆｏに近づく。図３はこの関係を示すものであり、
横軸に周波数、縦軸に結合部の入力アドミッタンスをと
っている。このアドミッタンスカーブの値が０となる周
波数が減衰極周波数である。周波数ｆｏでの入力アドミ
ッタンスＪが正（容量性結合）の場合には、共振周波数
ｆｏより低い周波数に減衰極が生じる。逆に、周波数ｆ
ｏでの入力アドミッタンスＪが負（誘導性結合）の場合
には、共振周波数ｆｏより高い周波数に減衰極が生じ
る。ここでの特性を示す場合の相互容量をＣijo1，Ｃ
ijs1と表し、の特性を示す場合の相互容量をＣijo2，
Ｃijs2と表した場合、 Ｃijo1＞Ｃijo2 Ｃijs1＞Ｃijs2 の関係が成り立つ。すなわち、Ｃijo が大きいほど、ま
たＣijs が大きいほど、アドミッタンスカーブが立っ
て、減衰極周波数を共振周波数ｆｏに近づけることがで
きる。
時、Ｃijo が大きいほど、またＣijs が大きいほど、ｆ
ｐはｆｏに近づく。図３はこの関係を示すものであり、
横軸に周波数、縦軸に結合部の入力アドミッタンスをと
っている。このアドミッタンスカーブの値が０となる周
波数が減衰極周波数である。周波数ｆｏでの入力アドミ
ッタンスＪが正（容量性結合）の場合には、共振周波数
ｆｏより低い周波数に減衰極が生じる。逆に、周波数ｆ
ｏでの入力アドミッタンスＪが負（誘導性結合）の場合
には、共振周波数ｆｏより高い周波数に減衰極が生じ
る。ここでの特性を示す場合の相互容量をＣijo1，Ｃ
ijs1と表し、の特性を示す場合の相互容量をＣijo2，
Ｃijs2と表した場合、 Ｃijo1＞Ｃijo2 Ｃijs1＞Ｃijs2 の関係が成り立つ。すなわち、Ｃijo が大きいほど、ま
たＣijs が大きいほど、アドミッタンスカーブが立っ
て、減衰極周波数を共振周波数ｆｏに近づけることがで
きる。
【００２８】図４は容量性結合の場合での上記相互容量
を変化させた時の減衰極周波数ｆｐの変化の例を示して
いる。このように相互容量を大きくするほど減衰極周波
数ｆｐを上昇させることができるので、内導体を形成す
る孔の断面形状を矩形として相互容量Ｃijo ，Ｃijs を
それぞれ大きくすることにより、共振周波数の近傍に減
衰極を形成することができる。
を変化させた時の減衰極周波数ｆｐの変化の例を示して
いる。このように相互容量を大きくするほど減衰極周波
数ｆｐを上昇させることができるので、内導体を形成す
る孔の断面形状を矩形として相互容量Ｃijo ，Ｃijs を
それぞれ大きくすることにより、共振周波数の近傍に減
衰極を形成することができる。
【００２９】図６は図１に示した孔２ａ，２ｂの断面形
状を矩形にした場合と円形にした場合とについて、Ｃij
を変化させて結合係数を変化させたときの減衰極周波数
の変化の例を示している。図中破線は断面矩形の孔に内
導体を形成した場合、実線は断面円形の孔に内導体を形
成した場合である。このように孔の断面形状が矩形であ
る方が相互容量が大きくなるため、結合係数の変化に対
する減衰極周波数ｆｐの変化が小さい。したがって、通
過帯域幅に関わらず、要求される通過帯域のより近傍に
減衰極を生じさせることができる。
状を矩形にした場合と円形にした場合とについて、Ｃij
を変化させて結合係数を変化させたときの減衰極周波数
の変化の例を示している。図中破線は断面矩形の孔に内
導体を形成した場合、実線は断面円形の孔に内導体を形
成した場合である。このように孔の断面形状が矩形であ
る方が相互容量が大きくなるため、結合係数の変化に対
する減衰極周波数ｆｐの変化が小さい。したがって、通
過帯域幅に関わらず、要求される通過帯域のより近傍に
減衰極を生じさせることができる。
【００３０】さて、図７は上記誘電体フィルタの通過特
性Ｓ２１と反射特性Ｓ１１を示している。この例では中
心周波数を１９００ＭＨｚとし、１６７０ＭＨｚに減衰
極を持たせて、通過帯域の低域側が急峻に減衰する特性
を得ている。
性Ｓ２１と反射特性Ｓ１１を示している。この例では中
心周波数を１９００ＭＨｚとし、１６７０ＭＨｚに減衰
極を持たせて、通過帯域の低域側が急峻に減衰する特性
を得ている。
【００３１】次の第２の実施形態に係る誘電体フィルタ
の構成を図８を参照して説明する。図８は誘電体フィル
タの投影図であり、（Ａ）は上面図、（Ｂ）は正面図、
（Ｃ）は左側面図、（Ｄ）は右側面図である。但し、同
図の（Ｂ）に示す面が回路基板に対する実装面である。
誘電体ブロック１には、その第１端面から第２端面にか
けて貫通する２つの平行な孔２ａ．２ｂを設けている。
これらの孔２ａ，２ｂは、第１端面（開放面）から深さ
Ｌの位置まで断面矩形とし、深さＬの位置から第２端面
（短絡面）まで断面円形としている。孔２ａ，２ｂの内
面には内導体３ａ，３ｂを設けている。また誘電体ブロ
ック１の外面には、第１端面を開放面、第２端面を短絡
面とする外導体４を形成している。また誘電体ブロック
１の外面には外導体４から絶縁した端子電極５ａ，５ｂ
を形成している。
の構成を図８を参照して説明する。図８は誘電体フィル
タの投影図であり、（Ａ）は上面図、（Ｂ）は正面図、
（Ｃ）は左側面図、（Ｄ）は右側面図である。但し、同
図の（Ｂ）に示す面が回路基板に対する実装面である。
誘電体ブロック１には、その第１端面から第２端面にか
けて貫通する２つの平行な孔２ａ．２ｂを設けている。
これらの孔２ａ，２ｂは、第１端面（開放面）から深さ
Ｌの位置まで断面矩形とし、深さＬの位置から第２端面
（短絡面）まで断面円形としている。孔２ａ，２ｂの内
面には内導体３ａ，３ｂを設けている。また誘電体ブロ
ック１の外面には、第１端面を開放面、第２端面を短絡
面とする外導体４を形成している。また誘電体ブロック
１の外面には外導体４から絶縁した端子電極５ａ，５ｂ
を形成している。
【００３２】この構造によれば、開放面側の断面矩形の
孔に形成した内導体によって相互容量Ｃijを大きくする
ことができ、且つ短絡面側の断面円形の孔に形成した内
導体によって電流密度の集中を避けて、電流分布を均一
化することができ、無負荷Ｑを向上させることができ
る。
孔に形成した内導体によって相互容量Ｃijを大きくする
ことができ、且つ短絡面側の断面円形の孔に形成した内
導体によって電流密度の集中を避けて、電流分布を均一
化することができ、無負荷Ｑを向上させることができ
る。
【００３３】通過帯域での挿入損失特性と通過帯域近傍
の減衰量特性の双方が同程度に重要視される場合には、
このように開放面側の孔の断面を矩形とし、短絡面側の
孔の断面を円形とすればよい。因みに、通過帯域近傍の
減衰量特性が特に要求される場合には、第１の実施形態
のように、開放面側と短絡面側のいずれも孔の断面を矩
形とすればよい。
の減衰量特性の双方が同程度に重要視される場合には、
このように開放面側の孔の断面を矩形とし、短絡面側の
孔の断面を円形とすればよい。因みに、通過帯域近傍の
減衰量特性が特に要求される場合には、第１の実施形態
のように、開放面側と短絡面側のいずれも孔の断面を矩
形とすればよい。
【００３４】次に、第３の実施形態に係るデュプレクサ
の構成を図９を参照して説明する。図９はデュプレクサ
の斜視図であり、直方体形状の誘電体ブロック１に５つ
の貫通孔２ａ〜２ｅを形成して、それぞれの内面に内導
体を設けている。誘電体ブロック１の外面には外導体４
を形成して、図における上面を第１端面（開放面）、下
面を第２端面（短絡面）としている。孔２ａ，２ｂ，２
ｄ，２ｅの内導体は図における下端部でそれぞれ外導体
に接続している。誘電体ブロック１の外面には端子電極
５ａ，５ｂ，５ｃを、外導体４から絶縁状態に形成して
いる。孔２ｃの図における上面は外導体４に接続し、下
面は端子電極５ｃに接続している。孔２ａ，２ｅの内導
体と外部電極５ａ，５ｂとは静電容量で結合する。孔２
ｃに形成した内導体は励振孔であり、孔２ｂ，２ｄの内
導体とインターディジタル結合する。
の構成を図９を参照して説明する。図９はデュプレクサ
の斜視図であり、直方体形状の誘電体ブロック１に５つ
の貫通孔２ａ〜２ｅを形成して、それぞれの内面に内導
体を設けている。誘電体ブロック１の外面には外導体４
を形成して、図における上面を第１端面（開放面）、下
面を第２端面（短絡面）としている。孔２ａ，２ｂ，２
ｄ，２ｅの内導体は図における下端部でそれぞれ外導体
に接続している。誘電体ブロック１の外面には端子電極
５ａ，５ｂ，５ｃを、外導体４から絶縁状態に形成して
いる。孔２ｃの図における上面は外導体４に接続し、下
面は端子電極５ｃに接続している。孔２ａ，２ｅの内導
体と外部電極５ａ，５ｂとは静電容量で結合する。孔２
ｃに形成した内導体は励振孔であり、孔２ｂ，２ｄの内
導体とインターディジタル結合する。
【００３５】図９において、孔２ａ，２ｂの内導体によ
る２段の共振器は帯域通過特性を有する送信フィルタと
して作用し、端子電極５ａをＴＸ端子、端子電極５ｃを
ＡＮＴ端子として用いる。また、孔２ｄ，２ｅの内導体
による２段の共振器は帯域通過特性を有する受信フィル
タとして作用し、端子電極５ｂをＲＸ端子として用い
る。
る２段の共振器は帯域通過特性を有する送信フィルタと
して作用し、端子電極５ａをＴＸ端子、端子電極５ｃを
ＡＮＴ端子として用いる。また、孔２ｄ，２ｅの内導体
による２段の共振器は帯域通過特性を有する受信フィル
タとして作用し、端子電極５ｂをＲＸ端子として用い
る。
【００３６】図１０は第４の実施形態に係るデュプレク
サの構成を示す斜視図である。図９に示したデュプレク
サと対比すれば明らかなように、誘電体ブロック１に対
して貫通孔２ｆ，２ｇ，２ｈ，２ｉをさらに形成して、
貫通孔２ｆ，２ｉの内導体の図における下面を外導体４
に接続している。また孔２ｇ，２ｈの内導体の図におけ
る上面は外導体４に接続し、下面は端子電極５ａ，５ｃ
にそれぞれ接続している。
サの構成を示す斜視図である。図９に示したデュプレク
サと対比すれば明らかなように、誘電体ブロック１に対
して貫通孔２ｆ，２ｇ，２ｈ，２ｉをさらに形成して、
貫通孔２ｆ，２ｉの内導体の図における下面を外導体４
に接続している。また孔２ｇ，２ｈの内導体の図におけ
る上面は外導体４に接続し、下面は端子電極５ａ，５ｃ
にそれぞれ接続している。
【００３７】この構成により、孔２ｇと２ａの内導体は
インターデジタル結合し、同様に孔２ｈと２ｅの内導体
もインターデジタル結合する。これにより強い外部結合
を得ている。孔２ｆ，２ｉに形成した内導体は孔２ｇ，
２ｈの内導体に対してそれぞれインターデジタル結合し
て、トラップ共振器として作用する。
インターデジタル結合し、同様に孔２ｈと２ｅの内導体
もインターデジタル結合する。これにより強い外部結合
を得ている。孔２ｆ，２ｉに形成した内導体は孔２ｇ，
２ｈの内導体に対してそれぞれインターデジタル結合し
て、トラップ共振器として作用する。
【００３８】これらのトラップ共振器により減衰させる
べき周波数は目的に応じて定めればよいが、端子電極５
ａをＴＸ端子、５ｃをＲＸ端子とする場合、孔２ｆによ
るとラップ共振器の周波数を孔２ａ，２ｂの内導体によ
る送信フィルタの減衰極周波数またはその近傍に設定す
れば、送信フィルタの通過帯域近傍をさらに急峻に減衰
させたり、その減衰域の帯域を広げることができる。同
様に、孔２ｉによるとラップ共振器の周波数を孔２ｄ，
２ｅの内導体による受信フィルタの減衰極周波数または
その近傍に設定すれば、受信フィルタの通過帯域近傍を
さらに急峻に減衰させたり、その減衰域の帯域を広げる
ことができる。
べき周波数は目的に応じて定めればよいが、端子電極５
ａをＴＸ端子、５ｃをＲＸ端子とする場合、孔２ｆによ
るとラップ共振器の周波数を孔２ａ，２ｂの内導体によ
る送信フィルタの減衰極周波数またはその近傍に設定す
れば、送信フィルタの通過帯域近傍をさらに急峻に減衰
させたり、その減衰域の帯域を広げることができる。同
様に、孔２ｉによるとラップ共振器の周波数を孔２ｄ，
２ｅの内導体による受信フィルタの減衰極周波数または
その近傍に設定すれば、受信フィルタの通過帯域近傍を
さらに急峻に減衰させたり、その減衰域の帯域を広げる
ことができる。
【００３９】図１１および図１２は上記インターデジタ
ル結合部分の結合調整を行ったデュプレクサについて示
している。すなわち図１１において孔２ｊは孔２ｃの近
傍に設けた貫通孔であり、その内導体の両端を外導体４
に接続している。この孔２ｊはアース孔として作用し、
送信フィルタの終段と受信フィルタの初段との結合を断
つ。その他の構造および作用は図９に示したものと同様
である。
ル結合部分の結合調整を行ったデュプレクサについて示
している。すなわち図１１において孔２ｊは孔２ｃの近
傍に設けた貫通孔であり、その内導体の両端を外導体４
に接続している。この孔２ｊはアース孔として作用し、
送信フィルタの終段と受信フィルタの初段との結合を断
つ。その他の構造および作用は図９に示したものと同様
である。
【００４０】図１２において２ｐ，２ｑ，２ｒは孔２
ｇ，２ｃ，２ｈの近傍に設けた貫通孔であり、それらの
内導体の両端部を外導体４に接続している。これらはア
ース孔として作用し、孔２ｐによるアース孔は孔２ｆ，
２ａによる共振器同士の結合を断つ。同様に孔２ｑによ
るアース孔は孔２ｂ，２ｄによる共振器同士の結合を断
ち、孔２ｒによるアース孔は孔２ｅ，２ｉによる共振器
同士の結合を断つ。その他の構造および作用は図１０に
示したものと同様である。
ｇ，２ｃ，２ｈの近傍に設けた貫通孔であり、それらの
内導体の両端部を外導体４に接続している。これらはア
ース孔として作用し、孔２ｐによるアース孔は孔２ｆ，
２ａによる共振器同士の結合を断つ。同様に孔２ｑによ
るアース孔は孔２ｂ，２ｄによる共振器同士の結合を断
ち、孔２ｒによるアース孔は孔２ｅ，２ｉによる共振器
同士の結合を断つ。その他の構造および作用は図１０に
示したものと同様である。
【００４１】次に、上記誘電体フィルタまたはデュプレ
クサを用いた通信装置の構成を図１３を参照して説明す
る。同図においてＡＮＴは送受信アンテナ、ＤＰＸはデ
ュプレクサ、ＢＰＦａ，ＢＰＦｂ，ＢＰＦｃはそれぞれ
帯域通過フィルタ、ＡＭＰａ，ＡＭＰｂはそれぞれ増幅
回路、ＭＩＸａ，ＭＩＸｂはそれぞれミキサ、ＯＳＣは
オシレータ、ＤＩＶは分周器（シンセサイザー）であ
る。ＭＩＸａはＤＩＶから出力される周波数信号を変調
信号で変調し、ＢＰＦａは送信周波数の帯域のみを通過
させ、ＡＭＰａはこれを電力増幅してＤＰＸを介しＡＮ
Ｔより送信する。ＢＰＦｂはＤＰＸから出力される信号
のうち受信周波数帯域のみを通過させ、ＡＭＰｂはそれ
を増幅する。ＭＩＸｂはＢＰＦｃより出力される周波数
信号と受信信号とをミキシングして中間周波信号ＩＦを
出力する。
クサを用いた通信装置の構成を図１３を参照して説明す
る。同図においてＡＮＴは送受信アンテナ、ＤＰＸはデ
ュプレクサ、ＢＰＦａ，ＢＰＦｂ，ＢＰＦｃはそれぞれ
帯域通過フィルタ、ＡＭＰａ，ＡＭＰｂはそれぞれ増幅
回路、ＭＩＸａ，ＭＩＸｂはそれぞれミキサ、ＯＳＣは
オシレータ、ＤＩＶは分周器（シンセサイザー）であ
る。ＭＩＸａはＤＩＶから出力される周波数信号を変調
信号で変調し、ＢＰＦａは送信周波数の帯域のみを通過
させ、ＡＭＰａはこれを電力増幅してＤＰＸを介しＡＮ
Ｔより送信する。ＢＰＦｂはＤＰＸから出力される信号
のうち受信周波数帯域のみを通過させ、ＡＭＰｂはそれ
を増幅する。ＭＩＸｂはＢＰＦｃより出力される周波数
信号と受信信号とをミキシングして中間周波信号ＩＦを
出力する。
【００４２】図１３に示したデュプレクサＤＰＸ部分は
図９〜図１２に示した構造のデュプレクサを用いる。ま
た帯域通過フィルタＢＰＦａ，ＢＰＦｂ，ＢＰＦｃは図
１または図８に示した構造の誘電体フィルタを用いる。
このようにして、必要周波数帯域を低挿入損失で通過さ
せ、不要周波数帯域の信号を大きく減衰させる誘電体フ
ィルタまたはデュプレクサを用いたため、ＣＮ比の高い
高周波回路部を備えた全体に小型で電力効率の高い通信
装置が得られる。
図９〜図１２に示した構造のデュプレクサを用いる。ま
た帯域通過フィルタＢＰＦａ，ＢＰＦｂ，ＢＰＦｃは図
１または図８に示した構造の誘電体フィルタを用いる。
このようにして、必要周波数帯域を低挿入損失で通過さ
せ、不要周波数帯域の信号を大きく減衰させる誘電体フ
ィルタまたはデュプレクサを用いたため、ＣＮ比の高い
高周波回路部を備えた全体に小型で電力効率の高い通信
装置が得られる。
【００４３】
【発明の効果】請求項１に係る発明によれば、誘電体ブ
ロックに設ける貫通孔の断面形状を矩形にすると共に、
開放面から１０〜５０％の深さをステップ位置とするこ
とによって、断面円形の貫通孔の場合に比べて、結合係
数を一定とした場合にＣｉｊが大きくできるので、通過
帯域の中心周波数により近い位置に減衰極を生じさせ
て、通過帯域近傍の減衰量特性の向上が図れる。
ロックに設ける貫通孔の断面形状を矩形にすると共に、
開放面から１０〜５０％の深さをステップ位置とするこ
とによって、断面円形の貫通孔の場合に比べて、結合係
数を一定とした場合にＣｉｊが大きくできるので、通過
帯域の中心周波数により近い位置に減衰極を生じさせ
て、通過帯域近傍の減衰量特性の向上が図れる。
【００４４】請求項２に係る発明によれば、電流密度の
高い短絡面側の貫通孔の断面形状を円形とすることによ
って、断面矩形の頂点部分への電流集中が避けられ、電
流分布が均一化することによって、無負荷Ｑ（Ｑｏ）が
向上する。しかも貫通孔の開放面側は断面矩形であるた
め、上記Ｃｉ，Ｃｉｊの設計上の自由度が高まり、減衰
極を通過帯域の中心周波数により近い位置に生じさせる
ことが可能となる。
高い短絡面側の貫通孔の断面形状を円形とすることによ
って、断面矩形の頂点部分への電流集中が避けられ、電
流分布が均一化することによって、無負荷Ｑ（Ｑｏ）が
向上する。しかも貫通孔の開放面側は断面矩形であるた
め、上記Ｃｉ，Ｃｉｊの設計上の自由度が高まり、減衰
極を通過帯域の中心周波数により近い位置に生じさせる
ことが可能となる。
【００４５】請求項３に係る発明によれば、受信フィル
タと送信フィルタは、それぞれの減衰極周波数を通過帯
域の近傍に生じさせることができるため、送信周波数帯
域と受信周波数帯域とが近接している場合にも適用でき
る。
タと送信フィルタは、それぞれの減衰極周波数を通過帯
域の近傍に生じさせることができるため、送信周波数帯
域と受信周波数帯域とが近接している場合にも適用でき
る。
【００４６】請求項４に係る発明によれば、高周波回路
部のＣＮ比等の特性に優れた小型の通信装置が得られ
る。
部のＣＮ比等の特性に優れた小型の通信装置が得られ
る。
【図１】第１の実施形態に係る誘電体フィルタの投影図
【図２】同誘電体フィルタの等価回路図
【図３】同誘電体フィルタの結合部の入力アドミッタン
スと減衰極などとの関係を示す図
スと減衰極などとの関係を示す図
【図４】相互容量の変化に対する減衰極の変化の例を示
す図
す図
【図５】自己容量と相互容量の変化に対する結合係数の
変化の例を示す図
変化の例を示す図
【図６】結合係数の変化に対する減衰極周波数の変化幅
を示す図
を示す図
【図７】誘電体フィルタの通過特性と反射特性を示す図
【図８】第２の実施形態に係る誘電体フィルタの投影図
【図９】第３の実施形態に係るデュプレクサの斜視図
【図１０】第４の実施形態に係るデュプレクサの斜視図
【図１１】第５の実施形態に係るデュプレクサの斜視図
【図１２】第６の実施形態に係るデュプレクサの斜視図
【図１３】通信装置の高周波回路部のブロック図
１−誘電体ブロック ２−孔 ３−内導体 ４−外導体 ５−端子電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加藤 英幸 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 5J006 HA04 HA12 HA15 HA25 HA27 JA01 JA11 JA12 JA31 KA06 KA12 LA02 LA03 LA21 NA04 NB07 NC03
Claims (4)
- 【請求項１】 略直方体形状の誘電体ブロックの第１端
面から、これに対向する第２端面にかけてそれぞれ貫通
する複数の孔を形成し、前記孔の内面に導体を設け、第
１端面を開放面、第２端面を短絡面とする導体を前記誘
電体ブロックの外面に設けて複数の誘電体共振器を構成
した誘電体フィルタにおいて、 前記孔の断面を矩形にするとともに、第１端面から第２
端面にかけての前記孔の１０％〜５０％の深さをステッ
プ位置とし、当該ステップ位置から第１端面までの内形
寸法と前記ステップ位置から第２端面までの内形寸法と
を異ならせたことを特徴とする誘電体フィルタ。 - 【請求項２】 略直方体形状の誘電体ブロックの第１端
面から、これに対向する第２端面にかけてそれぞれ貫通
する複数の孔を形成し、前記孔の内面に導体を設け、第
１端面を開放面、第２端面を短絡面とする導体を前記誘
電体ブロックの外面に設けて複数の誘電体共振器を構成
した誘電体フィルタにおいて、 第１端面から第２端面までの前記孔の１０％〜５０％の
深さをステップ位置とし、当該ステップ位置から第１端
面までの前記孔の断面を矩形とし、前記ステップ位置か
ら第２端面までの前記孔の断面を円形にしたことを特徴
とする誘電体フィルタ。 - 【請求項３】 単一の誘電体ブロックに、請求項１また
は２に記載の誘電体フィルタを少なくとも１組含む、複
数の誘電体フィルタから成るデュプレクサ。 - 【請求項４】 請求項１もしくは２に記載の誘電体フィ
ルタまたは請求項３に記載のデュプレクサを高周波回路
部に設けて成る通信装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10308381A JP2000138502A (ja) | 1998-10-29 | 1998-10-29 | 誘電体フィルタ、デュプレクサおよび通信装置 |
| DE19951298A DE19951298A1 (de) | 1998-10-29 | 1999-10-25 | Dielektrisches Filter, Duplexer und Kommunikationsvorrichtung |
| US09/429,596 US6483405B1 (en) | 1998-10-29 | 1999-10-28 | Dielectric filter, duplexer and communication apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10308381A JP2000138502A (ja) | 1998-10-29 | 1998-10-29 | 誘電体フィルタ、デュプレクサおよび通信装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000138502A true JP2000138502A (ja) | 2000-05-16 |
Family
ID=17980394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10308381A Pending JP2000138502A (ja) | 1998-10-29 | 1998-10-29 | 誘電体フィルタ、デュプレクサおよび通信装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6483405B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000138502A (ja) |
| DE (1) | DE19951298A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6734765B2 (en) * | 2001-04-10 | 2004-05-11 | Murata Manufacturing Co. Ltd. | Dielectric filter, dielectric duplexer, and communications equipment |
| KR100458514B1 (ko) * | 2001-04-10 | 2004-12-03 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 유전체 듀플렉서 및 통신 장치 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3534008B2 (ja) * | 1998-10-29 | 2004-06-07 | 株式会社村田製作所 | 誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサ及び通信機装置 |
| JP2002252503A (ja) * | 2000-12-19 | 2002-09-06 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信装置 |
| US20040085165A1 (en) * | 2002-11-05 | 2004-05-06 | Yung-Rung Chung | Band-trap filter |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03121705U (ja) | 1990-03-27 | 1991-12-12 | ||
| JP3344428B2 (ja) * | 1992-07-24 | 2002-11-11 | 株式会社村田製作所 | 誘電体共振器および誘電体共振部品 |
| US5499004A (en) | 1993-03-12 | 1996-03-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric filter having interstage coupling using adjacent electrodes |
| JP3407931B2 (ja) * | 1993-05-31 | 2003-05-19 | 三洋電機株式会社 | 空中線共用器及び空中線共用器の整合回路の調整方法 |
| JPH0786807A (ja) * | 1993-07-23 | 1995-03-31 | Sony Chem Corp | 誘電体フィルタ |
| JP3117598B2 (ja) * | 1994-03-15 | 2000-12-18 | アルプス電気株式会社 | 平衡型誘電体フィルタ及び平衡型誘電体フィルタを用いた高周波回路 |
| US6087909A (en) * | 1996-03-06 | 2000-07-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric filter having at least one stepped resonator hole with an elongated cross-section |
| JPH1098303A (ja) * | 1996-09-25 | 1998-04-14 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体フィルタ |
| JP3577921B2 (ja) * | 1997-01-13 | 2004-10-20 | 株式会社村田製作所 | 誘電体フィルタ及び誘電体デュプレクサ |
| JPH11127002A (ja) * | 1997-10-23 | 1999-05-11 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体フィルタ |
-
1998
- 1998-10-29 JP JP10308381A patent/JP2000138502A/ja active Pending
-
1999
- 1999-10-25 DE DE19951298A patent/DE19951298A1/de not_active Withdrawn
- 1999-10-28 US US09/429,596 patent/US6483405B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6734765B2 (en) * | 2001-04-10 | 2004-05-11 | Murata Manufacturing Co. Ltd. | Dielectric filter, dielectric duplexer, and communications equipment |
| KR100458514B1 (ko) * | 2001-04-10 | 2004-12-03 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 유전체 듀플렉서 및 통신 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6483405B1 (en) | 2002-11-19 |
| DE19951298A1 (de) | 2000-05-11 |
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