JP2002064307A - 誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサ、および通信装置 - Google Patents
誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサ、および通信装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 通過帯域の高域側が急峻に減衰する特性をも
ち、構造が簡素であり、設計、成形および修正を容易に
行うことができる小型の誘電体フィルタ、誘電体デュプ
レクサおよびそれらを備えた通信装置を得る。 【解決手段】 誘電体ブロック１の内部に、一方の面か
ら、対向する面にかけて、内面に内導体３ａ，３ｂをも
ち、内径の異なる三層で形成された内導体形成孔２ａ，
２ｂを設け、該内導体形成孔２ａ，２ｂの内面の一方の
開口部付近に内導体非形成部６ａ，６ｂを設けて開放端
とし、他方の面を短絡端として、内導体形成孔２ａ，２
ｂの開放端側の層と短絡端側の層における内径を、その
中間部の層における内径よりも大きく形成する。また、
誘電体ブロック１の外面には、六面に外導体４を形成
し、上記開放端に結合するように外導体４から分離して
外部電極５ａ，５ｂを形成することにより誘電体フィル
タを構成する。
ち、構造が簡素であり、設計、成形および修正を容易に
行うことができる小型の誘電体フィルタ、誘電体デュプ
レクサおよびそれらを備えた通信装置を得る。 【解決手段】 誘電体ブロック１の内部に、一方の面か
ら、対向する面にかけて、内面に内導体３ａ，３ｂをも
ち、内径の異なる三層で形成された内導体形成孔２ａ，
２ｂを設け、該内導体形成孔２ａ，２ｂの内面の一方の
開口部付近に内導体非形成部６ａ，６ｂを設けて開放端
とし、他方の面を短絡端として、内導体形成孔２ａ，２
ｂの開放端側の層と短絡端側の層における内径を、その
中間部の層における内径よりも大きく形成する。また、
誘電体ブロック１の外面には、六面に外導体４を形成
し、上記開放端に結合するように外導体４から分離して
外部電極５ａ，５ｂを形成することにより誘電体フィル
タを構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、誘電体ブロック
内部に内導体形成孔を備え、外面に外導体を備えて成る
誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよびそれらを備
えた通信装置に関するものである。
内部に内導体形成孔を備え、外面に外導体を備えて成る
誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよびそれらを備
えた通信装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】誘電体ブロックを用いた従来の誘電体フ
ィルタの構成を図６，７を参照して説明する。
ィルタの構成を図６，７を参照して説明する。
【０００３】図６の（Ａ）は、誘電体フィルタの外観斜
視図で、（Ｂ）は、内導体形成孔部を通る面の断面図で
ある。この例では、内導体形成孔の横断面の大きさ（孔
断面形状が円である場合、以下「内径」という。）がＤ
１の層（第１層）と内径がＤ２の層（第２層）とが異な
って形成されており、二つの層における内導体形成孔の
軸位置を異ならせた構造となっている。
視図で、（Ｂ）は、内導体形成孔部を通る面の断面図で
ある。この例では、内導体形成孔の横断面の大きさ（孔
断面形状が円である場合、以下「内径」という。）がＤ
１の層（第１層）と内径がＤ２の層（第２層）とが異な
って形成されており、二つの層における内導体形成孔の
軸位置を異ならせた構造となっている。
【０００４】図６の（Ａ）において、１は略直方体形状
の誘電体ブロックである。この誘電体ブロック１の内部
には、図における左手前の面からそれに対向する面にか
けて、内導体３ａ，３ｂが内面に形成された内導体形成
孔２ａ，２ｂを設けている。また、図における左手前の
面を開放端として、これを除く他の五面に外導体４を形
成し、外導体４から分離した外部電極５ａ，５ｂを形成
している。当該内導体形成孔２ａ，２ｂは、第１層にお
ける内径Ｄ１と第２層における内径Ｄ２とを異ならせ、
Ｄ１＞Ｄ２の関係とし、軸間距離Ｐが、０＜Ｐ≦（Ｄ１
−Ｄ２）／２となるように形成している。
の誘電体ブロックである。この誘電体ブロック１の内部
には、図における左手前の面からそれに対向する面にか
けて、内導体３ａ，３ｂが内面に形成された内導体形成
孔２ａ，２ｂを設けている。また、図における左手前の
面を開放端として、これを除く他の五面に外導体４を形
成し、外導体４から分離した外部電極５ａ，５ｂを形成
している。当該内導体形成孔２ａ，２ｂは、第１層にお
ける内径Ｄ１と第２層における内径Ｄ２とを異ならせ、
Ｄ１＞Ｄ２の関係とし、軸間距離Ｐが、０＜Ｐ≦（Ｄ１
−Ｄ２）／２となるように形成している。
【０００５】図７に示す誘電体フィルタは、前記図６に
示す誘電体フィルタにおいて、軸間距離Ｐが、（Ｄ１−
Ｄ２）／２＜Ｐ≦（Ｄ１＋Ｄ２）／２となるよう形成し
ている。
示す誘電体フィルタにおいて、軸間距離Ｐが、（Ｄ１−
Ｄ２）／２＜Ｐ≦（Ｄ１＋Ｄ２）／２となるよう形成し
ている。
【０００６】このように、二つの内導体形成孔の開放端
側の間隔を広げ、短絡端側の間隔を狭めて、共振器間を
誘導性結合させれば、通過帯域の高域側に減衰極が生じ
るので、通過帯域の高域側が急峻に減衰する特性を得る
ために有用である。
側の間隔を広げ、短絡端側の間隔を狭めて、共振器間を
誘導性結合させれば、通過帯域の高域側に減衰極が生じ
るので、通過帯域の高域側が急峻に減衰する特性を得る
ために有用である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
従来の誘電体フィルタにおいては、次のような解決すべ
き課題があった。すなわち、図６の（Ａ），（Ｂ）に示
した構造では、内導体形成孔の内径が小さい層の軸の可
動範囲が狭いため、所定のフィルタ特性を得るための設
計上の自由度が低い。また、図７の（Ａ），（Ｂ）に示
した構造では、上記設計上の自由度が高いが、構造が複
雑であるため、成形が難しい。因みに、内導体形成孔の
開放端側の内径に対して、短絡端側の内径を大きくする
と、共振器間を誘導性結合させることができるが、内導
体形成孔全体の軸長が長くなり、誘電体フィルタ全体が
大型化してしまう。
従来の誘電体フィルタにおいては、次のような解決すべ
き課題があった。すなわち、図６の（Ａ），（Ｂ）に示
した構造では、内導体形成孔の内径が小さい層の軸の可
動範囲が狭いため、所定のフィルタ特性を得るための設
計上の自由度が低い。また、図７の（Ａ），（Ｂ）に示
した構造では、上記設計上の自由度が高いが、構造が複
雑であるため、成形が難しい。因みに、内導体形成孔の
開放端側の内径に対して、短絡端側の内径を大きくする
と、共振器間を誘導性結合させることができるが、内導
体形成孔全体の軸長が長くなり、誘電体フィルタ全体が
大型化してしまう。
【０００８】この発明の目的は、所定のフィルタ特性を
得るための設計上の自由度を高め、且つ、構造を簡素化
して成形を容易にした、小型の誘電体フィルタ、誘電体
デュプレクサおよびそれらを備えた通信装置を提供する
ことにある。
得るための設計上の自由度を高め、且つ、構造を簡素化
して成形を容易にした、小型の誘電体フィルタ、誘電体
デュプレクサおよびそれらを備えた通信装置を提供する
ことにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明は、誘電体ブロ
ックの内部に、該誘電体ブロックの一方の面から、それ
に対向する他方の面にかけて、内面に内導体を形成した
複数の内導体形成孔を設け、外面に外導体を形成し、内
導体形成孔の一方の開口部付近の内導体形成孔内面に内
導体非形成部を設け、開放端とし、他方の開口面を短絡
端とし、外導体に開放端と結合するように外部電極を形
成するが、前記内導体形成孔において、内導体形成孔の
横断面の大きさを異ならせた層を複数設け、開放端側と
短絡端側との横断面の大きさを中間部の横断面の大きさ
に比べて大きくした３層のステップ構造による誘電体フ
ィルタを構成する。
ックの内部に、該誘電体ブロックの一方の面から、それ
に対向する他方の面にかけて、内面に内導体を形成した
複数の内導体形成孔を設け、外面に外導体を形成し、内
導体形成孔の一方の開口部付近の内導体形成孔内面に内
導体非形成部を設け、開放端とし、他方の開口面を短絡
端とし、外導体に開放端と結合するように外部電極を形
成するが、前記内導体形成孔において、内導体形成孔の
横断面の大きさを異ならせた層を複数設け、開放端側と
短絡端側との横断面の大きさを中間部の横断面の大きさ
に比べて大きくした３層のステップ構造による誘電体フ
ィルタを構成する。
【００１０】また、この発明は、誘電体ブロックの内部
に、該誘電体ブロックの一方の面から、それに対向する
他方の面にかけて、内面に内導体を形成した複数の内導
体形成孔を設け、内導体形成孔の一方の開口面を開放面
として、これを除く面に外導体を形成し、外導体に内導
体形成孔の開放端と結合するように外部電極を形成する
が、前記内導体形成孔において、内導体形成孔の横断面
の大きさを異ならせた層を複数設け、開放端と短絡端と
の横断面の大きさを中間部の横断面の大きさに比べ大き
く形成した３層のステップ構造による誘電体フィルタを
構成する。
に、該誘電体ブロックの一方の面から、それに対向する
他方の面にかけて、内面に内導体を形成した複数の内導
体形成孔を設け、内導体形成孔の一方の開口面を開放面
として、これを除く面に外導体を形成し、外導体に内導
体形成孔の開放端と結合するように外部電極を形成する
が、前記内導体形成孔において、内導体形成孔の横断面
の大きさを異ならせた層を複数設け、開放端と短絡端と
の横断面の大きさを中間部の横断面の大きさに比べ大き
く形成した３層のステップ構造による誘電体フィルタを
構成する。
【００１１】また、この発明は、前記誘電体フィルタを
複数組設けて、誘電体デュプレクサを構成する。
複数組設けて、誘電体デュプレクサを構成する。
【００１２】また、この発明は、前記誘電体フィルタま
たは誘電体デュプレクサを用いて、通信装置を構成す
る。
たは誘電体デュプレクサを用いて、通信装置を構成す
る。
【００１３】
【発明の実施の形態】第１の実施形態に係る誘電体フィ
ルタの構成を図１を参照して説明する。図１の（Ａ）
は、誘電体フィルタの外観斜視図である。図１の（Ｂ）
は、それぞれの内導体形成孔を通る面の断面図である。
ルタの構成を図１を参照して説明する。図１の（Ａ）
は、誘電体フィルタの外観斜視図である。図１の（Ｂ）
は、それぞれの内導体形成孔を通る面の断面図である。
【００１４】図１の（Ａ）において、１は略直方形状の
誘電体ブロックであり、この誘電体ブロック１の内部に
は、図における左手前の面から、それに対向する面にか
けて、内面に内導体３ａ，３ｂを形成し、内径の異なる
三つの層で構成された内導体形成孔２ａ，２ｂを形成し
ている。また、該内導体形成孔２ａ，２ｂの内部には、
図に左手前の面の開口部付近に内導体非形成部６ａ，６
ｂを設けて、開放端とし、他方の面を短絡端としてい
る。また、誘電体ブロック１の外面には、六面に外導体
４を形成し、上記開放端に結合するように外導体４から
分離して外部電極５ａ，５ｂを形成している。上記内導
体形成孔において、図１の（Ｂ）に示すように、開放端
側の層の内径Ｄ１、短絡端側の層の内径Ｄ３は、その中
間部の層の内径Ｄ２と比べて大きく形成し、開放端側の
層の内径Ｄ１は、短絡端側の層の内径Ｄ３と比べて小さ
く形成する。すなわち、Ｄ３＞Ｄ１＞Ｄ２の関係を有す
る。
誘電体ブロックであり、この誘電体ブロック１の内部に
は、図における左手前の面から、それに対向する面にか
けて、内面に内導体３ａ，３ｂを形成し、内径の異なる
三つの層で構成された内導体形成孔２ａ，２ｂを形成し
ている。また、該内導体形成孔２ａ，２ｂの内部には、
図に左手前の面の開口部付近に内導体非形成部６ａ，６
ｂを設けて、開放端とし、他方の面を短絡端としてい
る。また、誘電体ブロック１の外面には、六面に外導体
４を形成し、上記開放端に結合するように外導体４から
分離して外部電極５ａ，５ｂを形成している。上記内導
体形成孔において、図１の（Ｂ）に示すように、開放端
側の層の内径Ｄ１、短絡端側の層の内径Ｄ３は、その中
間部の層の内径Ｄ２と比べて大きく形成し、開放端側の
層の内径Ｄ１は、短絡端側の層の内径Ｄ３と比べて小さ
く形成する。すなわち、Ｄ３＞Ｄ１＞Ｄ２の関係を有す
る。
【００１５】なお、内導体形成孔２ａ，２ｂにおいて、
短絡端側の断面形状は、円状に限らず、楕円状でも角状
でもよい。
短絡端側の断面形状は、円状に限らず、楕円状でも角状
でもよい。
【００１６】次に、第２の実施形態に係る誘電体フィル
タの構成を図２を参照して説明する。図２の（Ａ）は、
誘電体フィルタの外観斜視図である。図２の（Ｂ）は、
それぞれの内導体形成孔を通る面の断面図である。図２
の（Ａ）において、１は略直方形状の誘電体ブロックで
あり、この誘電体ブロック１の内部には、図における左
手前の面から、それに対向する面にかけて、内面に内導
体３ａ，３ｂを形成し、内径の異なる三つの層で構成さ
れた内導体形成孔２ａ，２ｂを形成している。また、誘
電体ブロックの外面に、図における左手前の面を開放面
として、この面を除く五面に外導体４を形成し、前記内
導体形成孔２ａ，２ｂの開放端に結合する外部電極５
ａ，５ｂを外導体４から分離して形成している。上記内
導体形成孔において、図２の（Ｂ）に示すように、開放
面側の層の内径Ｄ１、短絡面側の層の内径Ｄ３は、その
中間部の層の内径Ｄ２と比べて大きく形成し、開放面側
の層の内径Ｄ１は、短絡面側の層の内径Ｄ３と比べて小
さく形成する。すなわち、Ｄ３＞Ｄ１＞Ｄ２の関係を有
する。
タの構成を図２を参照して説明する。図２の（Ａ）は、
誘電体フィルタの外観斜視図である。図２の（Ｂ）は、
それぞれの内導体形成孔を通る面の断面図である。図２
の（Ａ）において、１は略直方形状の誘電体ブロックで
あり、この誘電体ブロック１の内部には、図における左
手前の面から、それに対向する面にかけて、内面に内導
体３ａ，３ｂを形成し、内径の異なる三つの層で構成さ
れた内導体形成孔２ａ，２ｂを形成している。また、誘
電体ブロックの外面に、図における左手前の面を開放面
として、この面を除く五面に外導体４を形成し、前記内
導体形成孔２ａ，２ｂの開放端に結合する外部電極５
ａ，５ｂを外導体４から分離して形成している。上記内
導体形成孔において、図２の（Ｂ）に示すように、開放
面側の層の内径Ｄ１、短絡面側の層の内径Ｄ３は、その
中間部の層の内径Ｄ２と比べて大きく形成し、開放面側
の層の内径Ｄ１は、短絡面側の層の内径Ｄ３と比べて小
さく形成する。すなわち、Ｄ３＞Ｄ１＞Ｄ２の関係を有
する。
【００１７】なお、内導体形成孔２ａ，２ｂにおいて、
短絡面側の断面形状は、円状に限らず、楕円状でも角状
でもよい。
短絡面側の断面形状は、円状に限らず、楕円状でも角状
でもよい。
【００１８】実施形態１および２に示した内導体形成孔
の構成を用いることにより、誘導性結合が得られ、通過
帯域における高域側が急峻に減衰する特性が得られ、且
つ、誘電体フィルタの内導体形成孔の形状を簡素化して
成形を容易にできる。
の構成を用いることにより、誘導性結合が得られ、通過
帯域における高域側が急峻に減衰する特性が得られ、且
つ、誘電体フィルタの内導体形成孔の形状を簡素化して
成形を容易にできる。
【００１９】上記誘電体ブロックの成型に際しては、誘
電体ブロックの外形面を定める外形金型と、内導体形成
孔の第１，第２の層における内形面を定めるピンを用い
る。そして、外形金型に内導体形成孔の第３の層に対応
する着脱自在の凸部を設けておけばよい。このような金
型を用いることにより、上記凸部を交換するだけでフィ
ルタ特性を変更できるようになる。
電体ブロックの外形面を定める外形金型と、内導体形成
孔の第１，第２の層における内形面を定めるピンを用い
る。そして、外形金型に内導体形成孔の第３の層に対応
する着脱自在の凸部を設けておけばよい。このような金
型を用いることにより、上記凸部を交換するだけでフィ
ルタ特性を変更できるようになる。
【００２０】なお、実施形態１および２に係る誘電体フ
ィルタにおいて、上記内導体形成孔２ａ，２ｂのそれぞ
れの層での内径の関係を、Ｄ２＞Ｄ１＞Ｄ３としても、
誘導性結合は得られるが、内導体形成孔２ａ，２ｂの軸
長が長くなり、誘電体フィルタの外形が大きくなるとと
もに、内導体形成孔２ａ，２ｂの中央部の内径が最も大
きくなるため、構造が複雑となり、成形が難しくなる。
ィルタにおいて、上記内導体形成孔２ａ，２ｂのそれぞ
れの層での内径の関係を、Ｄ２＞Ｄ１＞Ｄ３としても、
誘導性結合は得られるが、内導体形成孔２ａ，２ｂの軸
長が長くなり、誘電体フィルタの外形が大きくなるとと
もに、内導体形成孔２ａ，２ｂの中央部の内径が最も大
きくなるため、構造が複雑となり、成形が難しくなる。
【００２１】次に、第３の実施形態に係る誘電体フィル
タの構成を図３を参照して説明する。図３の（Ａ）は、
誘電体フィルタの外観斜視図であり、（Ｂ）は、それぞ
れの内導体形成孔を通る面の断面図である。
タの構成を図３を参照して説明する。図３の（Ａ）は、
誘電体フィルタの外観斜視図であり、（Ｂ）は、それぞ
れの内導体形成孔を通る面の断面図である。
【００２２】図３の（Ａ）において、１は略直方形状の
誘電体ブロックであり、この誘電体ブロック１の内部に
は、図における左手前の面から対向する面にかけて、内
面に内導体３ａ，３ｂ，３ｃを形成した内導体形成孔２
ａ，２ｂ，２ｃを設ける。また、誘電体ブロックの外面
に、図における左手前の面を開放面として、この面を除
く五面に外導体４を形成し、前記内導体形成孔２ａ，２
ｃの開放端に結合するように外部電極５ａ，５ｂを外導
体４から分離して形成する。この誘電体フィルタにおい
て、図３の（Ｂ）に示すように、内導体形成孔２ａ，２
ｃは、開放面側の層の内径Ｄ１、短絡面側の層の内径Ｄ
３、その中間部の層の内径Ｄ２とする、それぞれ内径の
異なる三つの層をもち、Ｄ３＞Ｄ１＞Ｄ２の関係を有し
ている。また、内導体形成孔２ｂは、開放面側の層の内
径Ｄ４、短絡面側の層の内径Ｄ３とする、それぞれ内径
の異なる二つの層をもつ構造としている。このような構
造で、内導体形成孔２ｂの開放面側の層の内径Ｄ４を所
定の大きさに設定することにより、外部電極５ａ，５ｂ
が近接する内導体３ａ，３ｃの共振周波数と、内導体３
ｂとの共振周波数とを略等しくすることができ、且つ、
１段目−２段目の共振器間と２段目−３段目の共振器間
をそれぞれ誘導性結合させることができる。
誘電体ブロックであり、この誘電体ブロック１の内部に
は、図における左手前の面から対向する面にかけて、内
面に内導体３ａ，３ｂ，３ｃを形成した内導体形成孔２
ａ，２ｂ，２ｃを設ける。また、誘電体ブロックの外面
に、図における左手前の面を開放面として、この面を除
く五面に外導体４を形成し、前記内導体形成孔２ａ，２
ｃの開放端に結合するように外部電極５ａ，５ｂを外導
体４から分離して形成する。この誘電体フィルタにおい
て、図３の（Ｂ）に示すように、内導体形成孔２ａ，２
ｃは、開放面側の層の内径Ｄ１、短絡面側の層の内径Ｄ
３、その中間部の層の内径Ｄ２とする、それぞれ内径の
異なる三つの層をもち、Ｄ３＞Ｄ１＞Ｄ２の関係を有し
ている。また、内導体形成孔２ｂは、開放面側の層の内
径Ｄ４、短絡面側の層の内径Ｄ３とする、それぞれ内径
の異なる二つの層をもつ構造としている。このような構
造で、内導体形成孔２ｂの開放面側の層の内径Ｄ４を所
定の大きさに設定することにより、外部電極５ａ，５ｂ
が近接する内導体３ａ，３ｃの共振周波数と、内導体３
ｂとの共振周波数とを略等しくすることができ、且つ、
１段目−２段目の共振器間と２段目−３段目の共振器間
をそれぞれ誘導性結合させることができる。
【００２３】次に、第４の実施形態に係る誘電体デュプ
レクサの構成を図４を参照して説明する。図４の（Ａ）
は、誘電体デュプレクサを立てた状態での外観斜視図で
あり、（Ｂ）は、それぞれの内導体形成孔を通る面の断
面図である。
レクサの構成を図４を参照して説明する。図４の（Ａ）
は、誘電体デュプレクサを立てた状態での外観斜視図で
あり、（Ｂ）は、それぞれの内導体形成孔を通る面の断
面図である。
【００２４】図４（Ａ）において、１は略直方形状の誘
電体ブロックであり、この誘電体ブロック１の内部に
は、図における上面から、それに対向する面にかけて、
内面に内導体３ａ〜３ｅを形成した内導体形成孔２ａ〜
２ｅを設ける。また、誘電体ブロックの外面に、図にお
ける上面を開放面として、この面を除く五面に外導体４
を形成している。また、前記内導体形成孔２ａ，２ｅの
開放端に結合する外部電極５ａ，５ｂと、前記内導体形
成孔２ｄ，２ｃとそれぞれ結合する外部電極５ｃとを、
外導体４から分離して形成している。
電体ブロックであり、この誘電体ブロック１の内部に
は、図における上面から、それに対向する面にかけて、
内面に内導体３ａ〜３ｅを形成した内導体形成孔２ａ〜
２ｅを設ける。また、誘電体ブロックの外面に、図にお
ける上面を開放面として、この面を除く五面に外導体４
を形成している。また、前記内導体形成孔２ａ，２ｅの
開放端に結合する外部電極５ａ，５ｂと、前記内導体形
成孔２ｄ，２ｃとそれぞれ結合する外部電極５ｃとを、
外導体４から分離して形成している。
【００２５】この誘電体デュプレクサにおいて、図４の
（Ｂ）に示すように、内導体形成孔２ａ，２ｃは、開放
面側の層の内径Ｄ１、短絡面側の層の内径Ｄ３、その中
間部の層の内径Ｄ２とする、それぞれ内径の異なる三つ
の層をもち、Ｄ３＞Ｄ１＞Ｄ２の関係を有している。内
導体形成孔２ｂは、開放面側の層の内径Ｄ４、短絡面側
の層の内径Ｄ３とする、それぞれ内径の異なる二つの層
をもつ構造とし、内径導体形成孔２ｂの内径Ｄ３，Ｄ４
を所定の大きさに設定する。内導体形成孔２ｄ，２ｅ
は、開放面側の層の内径Ｄ１、短絡面側の層の内径Ｄ２
とする、それぞれ内径の異なる二つの層をもつ構造と
し、Ｄ１＞Ｄ２の関係を有している。
（Ｂ）に示すように、内導体形成孔２ａ，２ｃは、開放
面側の層の内径Ｄ１、短絡面側の層の内径Ｄ３、その中
間部の層の内径Ｄ２とする、それぞれ内径の異なる三つ
の層をもち、Ｄ３＞Ｄ１＞Ｄ２の関係を有している。内
導体形成孔２ｂは、開放面側の層の内径Ｄ４、短絡面側
の層の内径Ｄ３とする、それぞれ内径の異なる二つの層
をもつ構造とし、内径導体形成孔２ｂの内径Ｄ３，Ｄ４
を所定の大きさに設定する。内導体形成孔２ｄ，２ｅ
は、開放面側の層の内径Ｄ１、短絡面側の層の内径Ｄ２
とする、それぞれ内径の異なる二つの層をもつ構造と
し、Ｄ１＞Ｄ２の関係を有している。
【００２６】この構成により、内導体３ａ〜３ｃによる
三つの共振器を誘導性結合させた誘電体フィルタを送信
フィルタ、内導体３ｄ，３ｅによる二つの共振器を容量
性結合させた誘電体フィルタを受信フィルタとし、外部
電極５ｃをアンテナ端子とし、外部電極５ａを送信信号
入力端子、５ｂを受信信号出力端子とした誘電体デュプ
レクサを構成する。上記送信フィルタは、通過帯域の高
域側に減衰極が生じ、受信フィルタは、通過帯域の低域
側に減衰極が生じるので、送信信号帯域の高い方に受信
信号帯域が隣接する通信システムにおいて、送信信号の
受信回路への回り込みを確実に防止することができる。
三つの共振器を誘導性結合させた誘電体フィルタを送信
フィルタ、内導体３ｄ，３ｅによる二つの共振器を容量
性結合させた誘電体フィルタを受信フィルタとし、外部
電極５ｃをアンテナ端子とし、外部電極５ａを送信信号
入力端子、５ｂを受信信号出力端子とした誘電体デュプ
レクサを構成する。上記送信フィルタは、通過帯域の高
域側に減衰極が生じ、受信フィルタは、通過帯域の低域
側に減衰極が生じるので、送信信号帯域の高い方に受信
信号帯域が隣接する通信システムにおいて、送信信号の
受信回路への回り込みを確実に防止することができる。
【００２７】次に、上記誘電体フィルタまたは誘電体デ
ュプレクサを用いた通信装置の構成を図５を参照して説
明する。図５において、ＡＮＴは送受信アンテナ、ＤＰ
Ｘはデュプレクサ、ＢＰＦａ、ＢＰＦｂはそれぞれ帯域
通過フィルタ、ＡＭＰａ、ＡＭＰｂはそれぞれ増幅回
路、ＭＩＸａ、ＭＩＸｂはそれぞれミキサ、ＯＳＣはオ
シレータ、ＳＹＮはシンセサイザ、ＩＦは中間周波信号
である。
ュプレクサを用いた通信装置の構成を図５を参照して説
明する。図５において、ＡＮＴは送受信アンテナ、ＤＰ
Ｘはデュプレクサ、ＢＰＦａ、ＢＰＦｂはそれぞれ帯域
通過フィルタ、ＡＭＰａ、ＡＭＰｂはそれぞれ増幅回
路、ＭＩＸａ、ＭＩＸｂはそれぞれミキサ、ＯＳＣはオ
シレータ、ＳＹＮはシンセサイザ、ＩＦは中間周波信号
である。
【００２８】ＭＩＸａは変調信号と、ＳＹＮから出力さ
れた信号とを混合し、ＢＰＦａはＭＩＸａからの混合出
力信号のうち送信周波数帯域のみを通過させ、ＡＭＰａ
はこれを電力増幅してＤＰＸを介しＡＮＴより送信す
る。ＡＭＰｂはＤＰＸから取り出した受信信号を増幅す
る。ＢＰＦｂはＡＭＰｂから出力される受信信号のうち
受信周波数帯域のみを通過させる。ＭＩＸｂは、ＳＹＮ
から出力された周波数信号と受信信号とをミキシングし
て中間周波信号ＩＦを出力する。
れた信号とを混合し、ＢＰＦａはＭＩＸａからの混合出
力信号のうち送信周波数帯域のみを通過させ、ＡＭＰａ
はこれを電力増幅してＤＰＸを介しＡＮＴより送信す
る。ＡＭＰｂはＤＰＸから取り出した受信信号を増幅す
る。ＢＰＦｂはＡＭＰｂから出力される受信信号のうち
受信周波数帯域のみを通過させる。ＭＩＸｂは、ＳＹＮ
から出力された周波数信号と受信信号とをミキシングし
て中間周波信号ＩＦを出力する。
【００２９】図５に示したデュプレクサＤＰＸ部分に
は、図４に示した構造のデュプレクサを用いることがで
きる。また帯域通過フィルタＢＰＦａ、ＢＰＦｂには、
図１〜図３に示した構造の、誘電体フィルタを用いるこ
とができる。このようにして、フィルタ特性に優れた、
全体に小型のフィルタまたはデュプレクサを備えたこと
により、小型、軽量の通信性能に優れた通信装置を構成
することができる。
は、図４に示した構造のデュプレクサを用いることがで
きる。また帯域通過フィルタＢＰＦａ、ＢＰＦｂには、
図１〜図３に示した構造の、誘電体フィルタを用いるこ
とができる。このようにして、フィルタ特性に優れた、
全体に小型のフィルタまたはデュプレクサを備えたこと
により、小型、軽量の通信性能に優れた通信装置を構成
することができる。
【００３０】
【発明の効果】この発明によれば、共振器間の誘導性結
合により、通過帯域における高域側が急峻に減衰する特
性をもつ誘電体フィルタまたは、誘電体デュプレクサの
小型軽量化が図れる。
合により、通過帯域における高域側が急峻に減衰する特
性をもつ誘電体フィルタまたは、誘電体デュプレクサの
小型軽量化が図れる。
【００３１】また、この発明によれば、誘電体フィルタ
または、誘電体デュプレクサの内導体形成孔の形状を簡
素化でき、設計、成形および修正を容易に行うことがで
きる。
または、誘電体デュプレクサの内導体形成孔の形状を簡
素化でき、設計、成形および修正を容易に行うことがで
きる。
【００３２】また、この発明によれば、所定の通信性能
を有する全体に小型軽量の通信装置を容易に構成するこ
とができる。
を有する全体に小型軽量の通信装置を容易に構成するこ
とができる。
【図１】第１の実施形態に係る誘電体フィルタの外観斜
視図および断面図
視図および断面図
【図２】第２の実施形態に係る誘電体フィルタの外観斜
視図および断面図
視図および断面図
【図３】第３の実施形態に係る誘電体フィルタの外観斜
視図および断面図
視図および断面図
【図４】第４の実施形態に係る誘電体デュプレクサの外
観斜視図および断面図
観斜視図および断面図
【図５】第５の実施形態に係る通信装置の構成を示すブ
ロック図
ロック図
【図６】従来の誘電体フィルタの外観斜視図および断面
図
図
【図７】従来の誘電体フィルタの外観斜視図および断面
図
図
１−誘電体ブロック ２−内導体形成孔 ３−内導体 ４−外導体 ５−外部電極 ６−内導体非形成部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加藤 英幸 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 5J006 HA04 HA12 HA15 HA17 HA25 HA27 HA33 JA01 JA11 JA31 KA01 KA11 LA03 LA21 NA04 NB07 NC03 NF03
Claims (4)
- 【請求項１】 略直方体形状の誘電体ブロックの内部
に、該誘電体ブロックの一方の面から、それに対向する
他方の面にかけて、それぞれの内面に内導体を形成した
複数の内導体形成孔を設け、前記誘電体ブロックの外面
に外導体を形成した誘電体フィルタにおいて、 前記誘電体ブロックの六面全面に外導体を形成し、前記
複数の内導体形成孔を、一方の開口面から他方の開口面
にかけて横断面の大きさを異ならせた三層に構成すると
ともに、前記一方の開口面付近の第１層にそれぞれ内導
体非形成部を設けて開放端を構成し、第１層と前記他方
の開口面付近の第３層における前記内導体形成孔の横断
面の大きさを、第１層と第３層の中間層である第２層に
おける内導体形成孔の横断面の大きさに比べて大きくし
た誘電体フィルタ。 - 【請求項２】 略直方体形状の誘電体ブロックの内部
に、該誘電体ブロックの一方の面から、それに対向する
他方の面にかけて、それぞれの内面に内導体を形成した
複数の内導体形成孔を設け、前記誘電体ブロックの外面
に外導体を形成した誘電体フィルタにおいて、 前記内導体形成孔の一方の開口面を除く前記誘電体ブロ
ックの五面に外導体を形成し、前記一方の開口面付近の
第１層と前記一方の開口面に対向する他方の開口面付近
の第３層における前記内導体形成孔の横断面の大きさ
を、第１層と第３層の中間層である第２層における内導
体形成孔の横断面の大きさに比べて大きくした誘電体フ
ィルタ。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の誘電体フィル
タを複数構成して成る誘電体デュプレクサ。 - 【請求項４】 請求項１もしくは２に記載の誘電体フィ
ルタ、または請求項３に記載の誘電体デュプレクサを備
えた通信装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000251167A JP2002064307A (ja) | 2000-08-22 | 2000-08-22 | 誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサ、および通信装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000251167A JP2002064307A (ja) | 2000-08-22 | 2000-08-22 | 誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサ、および通信装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002064307A true JP2002064307A (ja) | 2002-02-28 |
Family
ID=18740609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000251167A Pending JP2002064307A (ja) | 2000-08-22 | 2000-08-22 | 誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサ、および通信装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002064307A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009072666A1 (en) * | 2007-12-07 | 2009-06-11 | Panasonic Corporation | Laminated rf device with vertical resonators |
-
2000
- 2000-08-22 JP JP2000251167A patent/JP2002064307A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009072666A1 (en) * | 2007-12-07 | 2009-06-11 | Panasonic Corporation | Laminated rf device with vertical resonators |
| US8451073B2 (en) | 2007-12-07 | 2013-05-28 | Panasonic Corporation | Laminated RF device with vertical resonators having stack arrangement of laminated layers including dielectric layers |
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