JP2000151209A - 誘電体フィルタ、複合誘電体フィルタ、アンテナ共用器および通信装置 - Google Patents
誘電体フィルタ、複合誘電体フィルタ、アンテナ共用器および通信装置Info
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- H01P1/2056—Comb filters or interdigital filters with metallised resonator holes in a dielectric block
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 誘電体フィルタを構成する小型の誘電体ブロ
ックにインダクタンス成分を有する素子を構成して所望
の特性を容易に得られるようにした誘電体フィルタ、複
合誘電体フィルタおよびこれらを用いた通信装置を提供
する。 【解決手段】 誘電体ブロック１内に、内面に共振線路
を有する共振線路用孔２ａ〜２ｃと導体路１０とを設
け、誘電体ブロック１の外面に端子電極６，７，９を形
成し、導体路１０の両端を端子電極７，９に導通させ
る。これにより導体路１０によるインダクタンス成分お
よび端子電極部分のキャパシタンス成分を用いて低域通
過フィルタ等のＬＣ回路を構成する。
ックにインダクタンス成分を有する素子を構成して所望
の特性を容易に得られるようにした誘電体フィルタ、複
合誘電体フィルタおよびこれらを用いた通信装置を提供
する。 【解決手段】 誘電体ブロック１内に、内面に共振線路
を有する共振線路用孔２ａ〜２ｃと導体路１０とを設
け、誘電体ブロック１の外面に端子電極６，７，９を形
成し、導体路１０の両端を端子電極７，９に導通させ
る。これにより導体路１０によるインダクタンス成分お
よび端子電極部分のキャパシタンス成分を用いて低域通
過フィルタ等のＬＣ回路を構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、高周波帯で使用
される誘電体フィルタ、複合誘電体フィルタおよびこれ
らを用いた通信装置に関するものである。
される誘電体フィルタ、複合誘電体フィルタおよびこれ
らを用いた通信装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】主としてマイクロ波帯で用いられる、誘
電体ブロックを用いた誘電体フィルタの構成を図１４に
示す。同図において（Ｂ）は誘電体フィルタを立てた状
態での正面図、（Ａ）は上面図、（Ｃ）は底面図、
（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図である。同図にお
いて１は誘電体ブロックであり、その内部に２ａ，２
ｂ，２ｃで示す共振線路用孔を設けるとともに、それら
の内面に共振線路５ａ，５ｂ，５ｃを形成している。誘
電体ブロック１の外面には接地電極３を形成し、所定箇
所に外部端子６，７を接地電極３から絶縁状態に設けて
いる。外部端子６は共振線路５ａと容量結合し、外部端
子７は共振線路５ｃと容量結合する。このようにして３
段の共振器からなる帯域通過特性を有する誘電体フィル
タを構成している。
電体ブロックを用いた誘電体フィルタの構成を図１４に
示す。同図において（Ｂ）は誘電体フィルタを立てた状
態での正面図、（Ａ）は上面図、（Ｃ）は底面図、
（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図である。同図にお
いて１は誘電体ブロックであり、その内部に２ａ，２
ｂ，２ｃで示す共振線路用孔を設けるとともに、それら
の内面に共振線路５ａ，５ｂ，５ｃを形成している。誘
電体ブロック１の外面には接地電極３を形成し、所定箇
所に外部端子６，７を接地電極３から絶縁状態に設けて
いる。外部端子６は共振線路５ａと容量結合し、外部端
子７は共振線路５ｃと容量結合する。このようにして３
段の共振器からなる帯域通過特性を有する誘電体フィル
タを構成している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような誘電体ブロ
ックを用いた従来の誘電体フィルタにおいては、図１４
に示した基本構成の誘電体フィルタに他の回路素子を付
加する場合、例えばインダクダンス素子を設ける場合、
個別部品としてのコイルを、誘電体ブロック表面の電極
に半田付けしたり、誘電体ブロックの表面に電極パター
ンを形成して、その電極パターンによってインダクタン
ス素子を構成するようにしていた。
ックを用いた従来の誘電体フィルタにおいては、図１４
に示した基本構成の誘電体フィルタに他の回路素子を付
加する場合、例えばインダクダンス素子を設ける場合、
個別部品としてのコイルを、誘電体ブロック表面の電極
に半田付けしたり、誘電体ブロックの表面に電極パター
ンを形成して、その電極パターンによってインダクタン
ス素子を構成するようにしていた。
【０００４】ところが、前者の構造では誘電体ブロック
以外に別部品が必要であるばかりか、用いる周波数帯域
が高くなると誘電体ブロックが非常に小さくなるため、
別部品を取り付けることが製造上困難を極める。後者の
構造では誘電体ブロックの小型化に伴い大きなインダク
タンスを生じさせることが困難となり、誘電体ブロック
がさらに小型化されると、その表面への導電体パターン
の形成自体が困難となる。
以外に別部品が必要であるばかりか、用いる周波数帯域
が高くなると誘電体ブロックが非常に小さくなるため、
別部品を取り付けることが製造上困難を極める。後者の
構造では誘電体ブロックの小型化に伴い大きなインダク
タンスを生じさせることが困難となり、誘電体ブロック
がさらに小型化されると、その表面への導電体パターン
の形成自体が困難となる。
【０００５】この発明の目的は、上記従来の問題を解消
し、誘電体フィルタを構成する誘電体ブロックにインダ
クタンス成分を有する素子を構成して所望の特性を容易
に得られるようにした誘電体フィルタ、複合誘電体フィ
ルタおよびこれらを用いた通信装置を提供することにあ
る。
し、誘電体フィルタを構成する誘電体ブロックにインダ
クタンス成分を有する素子を構成して所望の特性を容易
に得られるようにした誘電体フィルタ、複合誘電体フィ
ルタおよびこれらを用いた通信装置を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、誘電体ブロ
ック内に、複数の共振線路を略平行に配列し、これらの
共振線路の長手方向に対して非平行に導体路を形成し、
該導体路を前記共振線路による回路に接続されたインダ
クタンス成分を有する素子として用いる。このように誘
電体ブロック内に、共振線路の配列方向に対して非平行
に形成した導体路は、誘電体ブロック内の導体路であり
ながら、共振線路と結合する共振線路としては作用せず
に、そのインダクタンス成分が利用可能となる。この導
体路は誘電体ブロック内に設けるものであるため、共振
線路を構成する場合と同様に、例えば誘電体ブロック内
に孔を形成し、無電解メッキによって容易に微小な線路
を構成することができる。しかも、誘電体ブロック表面
に電極パターンによってインダクタンス素子を構成する
場合に比べて導体路長を長く確保することができ、小型
でありながら大きなインダクタンスが得られる。
ック内に、複数の共振線路を略平行に配列し、これらの
共振線路の長手方向に対して非平行に導体路を形成し、
該導体路を前記共振線路による回路に接続されたインダ
クタンス成分を有する素子として用いる。このように誘
電体ブロック内に、共振線路の配列方向に対して非平行
に形成した導体路は、誘電体ブロック内の導体路であり
ながら、共振線路と結合する共振線路としては作用せず
に、そのインダクタンス成分が利用可能となる。この導
体路は誘電体ブロック内に設けるものであるため、共振
線路を構成する場合と同様に、例えば誘電体ブロック内
に孔を形成し、無電解メッキによって容易に微小な線路
を構成することができる。しかも、誘電体ブロック表面
に電極パターンによってインダクタンス素子を構成する
場合に比べて導体路長を長く確保することができ、小型
でありながら大きなインダクタンスが得られる。
【０００７】また、この発明は、誘電体ブロックの表面
に接地電極を形成するとともに、前記導体路の端部に、
前記接地電極との間にキャパシタンス成分を生じさせる
電極を形成する。この構造によれば、導体路のインダク
タンス成分と、導体路端部の電極と接地電極間のキャパ
シタンス成分とによってＬＣ回路が構成される。これに
より例えば低域通過フィルタ、高域通過フィルタ、また
は帯域阻止フィルタ（トラップ）を構成することができ
る。
に接地電極を形成するとともに、前記導体路の端部に、
前記接地電極との間にキャパシタンス成分を生じさせる
電極を形成する。この構造によれば、導体路のインダク
タンス成分と、導体路端部の電極と接地電極間のキャパ
シタンス成分とによってＬＣ回路が構成される。これに
より例えば低域通過フィルタ、高域通過フィルタ、また
は帯域阻止フィルタ（トラップ）を構成することができ
る。
【０００８】また、この発明は、誘電体ブロック内に複
数の共振線路を略平行に配列して第１のフィルタ部を構
成し、 前記誘電体ブロック内に前記共振線路の配列方
向に対して非平行に導体路を形成し、前記誘電体ブロッ
クの表面に接地電極を形成するとともに、前記導体路の
端部に、前記接地電極との間にキャパシタンス成分を生
じさせる電極を形成して、前記導体路のインダクタンス
成分と前記キャパシタンス成分により第２のフィルタ部
を構成する。これにより、ほぼ平行に配列した複数の共
振線路による第１のフィルタ部を例えば帯域通過フィル
タとして用い、誘電体ブロック内の導体路のインダクタ
ンス成分と導体路端部の電極と接地電極間のキャパシタ
ンス成分とによる第２のフィルタ部を例えば低域通過フ
ィルタとして用いれば、帯域通過フィルタと低域通過フ
ィルタを組み合わせた複合誘電体フィルタが得られる。
数の共振線路を略平行に配列して第１のフィルタ部を構
成し、 前記誘電体ブロック内に前記共振線路の配列方
向に対して非平行に導体路を形成し、前記誘電体ブロッ
クの表面に接地電極を形成するとともに、前記導体路の
端部に、前記接地電極との間にキャパシタンス成分を生
じさせる電極を形成して、前記導体路のインダクタンス
成分と前記キャパシタンス成分により第２のフィルタ部
を構成する。これにより、ほぼ平行に配列した複数の共
振線路による第１のフィルタ部を例えば帯域通過フィル
タとして用い、誘電体ブロック内の導体路のインダクタ
ンス成分と導体路端部の電極と接地電極間のキャパシタ
ンス成分とによる第２のフィルタ部を例えば低域通過フ
ィルタとして用いれば、帯域通過フィルタと低域通過フ
ィルタを組み合わせた複合誘電体フィルタが得られる。
【０００９】また、この発明は、上記誘電体フィルタま
たは複合誘電体フィルタを含む複数の誘電体フィルタを
共通の誘電体ブロックで構成する。これにより例えばダ
イプレクサ、デュプレクサ、マルチプレクサなどの全体
に更に小型化された複合誘電体フィルタが得られる。
たは複合誘電体フィルタを含む複数の誘電体フィルタを
共通の誘電体ブロックで構成する。これにより例えばダ
イプレクサ、デュプレクサ、マルチプレクサなどの全体
に更に小型化された複合誘電体フィルタが得られる。
【００１０】また、この発明は、上記誘電体フィルタま
たは複合誘電体フィルタを送信フィルタと受信フィルタ
として用い、送信信号入力部、受信信号出力部およびア
ンテナ接続部を備えたアンテナ共用器を構成する。
たは複合誘電体フィルタを送信フィルタと受信フィルタ
として用い、送信信号入力部、受信信号出力部およびア
ンテナ接続部を備えたアンテナ共用器を構成する。
【００１１】また、この発明は、上記誘電体フィルタま
たは複合誘電体フィルタを高周波回路部に設けて通信機
を構成する。これにより小型軽量の通信装置が得られ
る。
たは複合誘電体フィルタを高周波回路部に設けて通信機
を構成する。これにより小型軽量の通信装置が得られ
る。
【００１２】
【発明の実施の形態】この発明の第１の実施形態に係る
誘電体フィルタの構成を図１を参照して説明する。図１
の（Ａ）は外観斜視図、（Ｂ）はその断面図である。こ
の誘電体フィルタは、直方体状の誘電体ブロック１に対
して所定形状の孔および電極を形成して成る。すなわち
２ａ，２ｂ，２ｃは共振線路用孔であり、その内面に共
振線路５ａ，５ｂ，５ｃをそれぞれ形成している。共振
線路用孔２ａ〜２ｃはそれぞれ図における上半部と下半
部とで内径の異なるステップ孔である。各共振線路に
は、ステップ孔の内径の大きい側の端部付近にｇで示す
電極非形成部を設けていて、この部分を開放端としてい
る。誘電体ブロック１の外面には、共振線路５ａ，５ｃ
との間でそれぞれ静電容量を形成する端子電極６，７を
形成していて、これらの端子電極部分を除くほぼ全面
（六面）に接地電極３を形成している。
誘電体フィルタの構成を図１を参照して説明する。図１
の（Ａ）は外観斜視図、（Ｂ）はその断面図である。こ
の誘電体フィルタは、直方体状の誘電体ブロック１に対
して所定形状の孔および電極を形成して成る。すなわち
２ａ，２ｂ，２ｃは共振線路用孔であり、その内面に共
振線路５ａ，５ｂ，５ｃをそれぞれ形成している。共振
線路用孔２ａ〜２ｃはそれぞれ図における上半部と下半
部とで内径の異なるステップ孔である。各共振線路に
は、ステップ孔の内径の大きい側の端部付近にｇで示す
電極非形成部を設けていて、この部分を開放端としてい
る。誘電体ブロック１の外面には、共振線路５ａ，５ｃ
との間でそれぞれ静電容量を形成する端子電極６，７を
形成していて、これらの端子電極部分を除くほぼ全面
（六面）に接地電極３を形成している。
【００１３】この構成により、共振線路５ａ，５ｂ，５
ｃが順次コムライン結合し、端子電極６，７が共振線路
５ａ，５ｃにそれぞれ容量結合して、３段の共振器が結
合した、帯域通過特性を有するフィルタ回路が構成され
る。
ｃが順次コムライン結合し、端子電極６，７が共振線路
５ａ，５ｃにそれぞれ容量結合して、３段の共振器が結
合した、帯域通過特性を有するフィルタ回路が構成され
る。
【００１４】誘電体ブロック１には、共振線路用孔２ａ
〜２Ｃの内面の共振線路５ａ〜５ｃの長手方向に対して
垂直に延びる導体路１０を形成している。この導体路１
０の少なくとも一方の端部は端子電極７に導通してい
る。誘電体ブロック１に対する共振線路５ａ〜５ｃ、端
子電極６，７、接地電極３は無電解メッキにより形成す
るが、導体路１０もその無電解メッキ時に、これらの各
部の電極と同時に形成する。すなわち、この導体路１０
は、誘電体ブロック１の所定箇所に導体路１０形成用の
貫通孔を設け、その内面に無電解メッキを施したもので
ある。
〜２Ｃの内面の共振線路５ａ〜５ｃの長手方向に対して
垂直に延びる導体路１０を形成している。この導体路１
０の少なくとも一方の端部は端子電極７に導通してい
る。誘電体ブロック１に対する共振線路５ａ〜５ｃ、端
子電極６，７、接地電極３は無電解メッキにより形成す
るが、導体路１０もその無電解メッキ時に、これらの各
部の電極と同時に形成する。すなわち、この導体路１０
は、誘電体ブロック１の所定箇所に導体路１０形成用の
貫通孔を設け、その内面に無電解メッキを施したもので
ある。
【００１５】以上に示した構成により、誘電体フィルタ
を構成する誘電体ブロック内に導体路１０によるインダ
クタンス素子を設ける。
を構成する誘電体ブロック内に導体路１０によるインダ
クタンス素子を設ける。
【００１６】なお、図１に示した例では、共振線路用孔
をステップ孔としたが、これらを、短絡端から開放端に
かけて内径が一定であるストレート孔にしてもよい。
をステップ孔としたが、これらを、短絡端から開放端に
かけて内径が一定であるストレート孔にしてもよい。
【００１７】また、図１に示した例では、誘電体ブロッ
クの外面（六面）に外導体を形成し、共振線路用孔の内
面に電極非形成部を設けたが、例えば、図１３の（Ａ）
に示すように、各共振線路用孔の開放端となる誘電体ブ
ロックの端面に、共振線路から連続する開放端電極１４
ａ，１４ｂ，１４ｃを形成してもよい。この構造の場合
も、共振線路用孔はステップ孔であっても、ストレート
孔であってもよい。
クの外面（六面）に外導体を形成し、共振線路用孔の内
面に電極非形成部を設けたが、例えば、図１３の（Ａ）
に示すように、各共振線路用孔の開放端となる誘電体ブ
ロックの端面に、共振線路から連続する開放端電極１４
ａ，１４ｂ，１４ｃを形成してもよい。この構造の場合
も、共振線路用孔はステップ孔であっても、ストレート
孔であってもよい。
【００１８】また、共振線路用孔がステップ孔である場
合、図１３の（Ｂ）に示すように、各共振線路用孔の一
方の開口面である、誘電体ブロックの一方の端面を開放
面としてもよい。
合、図１３の（Ｂ）に示すように、各共振線路用孔の一
方の開口面である、誘電体ブロックの一方の端面を開放
面としてもよい。
【００１９】次に第２の実施形態に係る誘電体フィルタ
の構成を図２を参照して説明する。この誘電体フィルタ
は誘電体ブロック１の内部に共振線路用孔２ａ〜２ｃの
長手方向に対して平行ではない斜め方向に導体路１０，
１１を形成した例である。図２において６，７，８はそ
れぞれ誘電体ブロック１の外面に形成した端子電極であ
り、端子電極７と８の間に導体路１１，１０を設けてい
る。
の構成を図２を参照して説明する。この誘電体フィルタ
は誘電体ブロック１の内部に共振線路用孔２ａ〜２ｃの
長手方向に対して平行ではない斜め方向に導体路１０，
１１を形成した例である。図２において６，７，８はそ
れぞれ誘電体ブロック１の外面に形成した端子電極であ
り、端子電極７と８の間に導体路１１，１０を設けてい
る。
【００２０】このように導体路を共振線路の長手方向に
対して非平行に設けることによって、導体路１０，１１
は共振線路用孔２ａ〜２ｃに形成した共振線路に結合す
る共振線路としては作用せず、インダクタンス素子とし
て用いることができる。しかもこのように共振線路の長
手方向に対して斜め方向に配置することによって限られ
た空間内に大きなインダクタンスを持たせることができ
る。
対して非平行に設けることによって、導体路１０，１１
は共振線路用孔２ａ〜２ｃに形成した共振線路に結合す
る共振線路としては作用せず、インダクタンス素子とし
て用いることができる。しかもこのように共振線路の長
手方向に対して斜め方向に配置することによって限られ
た空間内に大きなインダクタンスを持たせることができ
る。
【００２１】次に第３の実施形態に係る誘電体フィルタ
の構成を図３〜図５を参照して説明する。図３の（Ａ）
は外観斜視図、（Ｂ）は（Ａ）に示した状態での誘電体
ブロックの背面図である。全体の基本的な構成は図１に
示したものと同様である。ただし、導体路１０の一方の
端部は端子電極７に、他方の端部は端子電極９にそれぞ
れ導通していて、端子電極９は端子電極６，７と同様
に、接地電極３から分離した島状に形成していて、接地
電極３との間に静電容量を生じさせている。
の構成を図３〜図５を参照して説明する。図３の（Ａ）
は外観斜視図、（Ｂ）は（Ａ）に示した状態での誘電体
ブロックの背面図である。全体の基本的な構成は図１に
示したものと同様である。ただし、導体路１０の一方の
端部は端子電極７に、他方の端部は端子電極９にそれぞ
れ導通していて、端子電極９は端子電極６，７と同様
に、接地電極３から分離した島状に形成していて、接地
電極３との間に静電容量を生じさせている。
【００２２】以上に示した構成により、誘電体フィルタ
を構成する誘電体ブロック内に導体路１０によるインダ
クタンス素子を設ける。
を構成する誘電体ブロック内に導体路１０によるインダ
クタンス素子を設ける。
【００２３】図４は上記誘電体フィルタの等価回路図で
ある。ここでＺ１，Ｚ２，Ｚ３は共振線路用孔２ａ，２
ｂ，２ｃの内面に形成した共振線路のインピーダンスで
ある。Ｃｓ１，Ｃｓ２，Ｃｓ３は共振線路の電極非形成
部ｇ部分（図１参照）に生じる静電容量である。Ｚｋ
12o は共振線路用孔２ａ，２ｂの内面の共振線路間のコ
ムライン結合を行うオッドモードの特性インピーダン
ス、Ｚｋ12e は同じくイーブンモードの特性インピーダ
ンスである。Ｚｋ23o は共振線路用孔２ｂ，２ｃの内面
の共振線路間のコムライン結合を行うオッドモードの特
性インピーダンス、Ｚｋ23e は同じくイーブンモードの
特性インピーダンスである。Ｃｅｉは端子電極６と共振
線路用孔２ａ内面の共振線路間の静電容量、Ｃ３は端子
電極６と接地電極３間の静電容量である。Ｃｅｏは端子
電極９と共振線路用孔２ｃ内面の共振線路間の静電容
量、Ｃ２は端子電極９と接地電極３との間の静電容量で
ある。Ｌ１は導体路１０のインダクタンス、Ｃ１は端子
電極７と接地電極３との間の静電容量である。
ある。ここでＺ１，Ｚ２，Ｚ３は共振線路用孔２ａ，２
ｂ，２ｃの内面に形成した共振線路のインピーダンスで
ある。Ｃｓ１，Ｃｓ２，Ｃｓ３は共振線路の電極非形成
部ｇ部分（図１参照）に生じる静電容量である。Ｚｋ
12o は共振線路用孔２ａ，２ｂの内面の共振線路間のコ
ムライン結合を行うオッドモードの特性インピーダン
ス、Ｚｋ12e は同じくイーブンモードの特性インピーダ
ンスである。Ｚｋ23o は共振線路用孔２ｂ，２ｃの内面
の共振線路間のコムライン結合を行うオッドモードの特
性インピーダンス、Ｚｋ23e は同じくイーブンモードの
特性インピーダンスである。Ｃｅｉは端子電極６と共振
線路用孔２ａ内面の共振線路間の静電容量、Ｃ３は端子
電極６と接地電極３間の静電容量である。Ｃｅｏは端子
電極９と共振線路用孔２ｃ内面の共振線路間の静電容
量、Ｃ２は端子電極９と接地電極３との間の静電容量で
ある。Ｌ１は導体路１０のインダクタンス、Ｃ１は端子
電極７と接地電極３との間の静電容量である。
【００２４】図４におけるＣ１，Ｃ２およびＬ１部分は
Π形の低域通過フィルタを構成する。またコムライン結
合する３つの共振線路部分が帯域通過フィルタとして作
用する。従って、このフィルタ回路は帯域通過フィルタ
と低域通過フィルタとを接続したものとなる。
Π形の低域通過フィルタを構成する。またコムライン結
合する３つの共振線路部分が帯域通過フィルタとして作
用する。従って、このフィルタ回路は帯域通過フィルタ
と低域通過フィルタとを接続したものとなる。
【００２５】図５は、上記誘電体フィルタの特性図であ
る。Ａは通過特性、Ｂは反射特性である。上記帯域通過
フィルタはｆｏを中心周波数として所定帯域幅の信号を
通過させ、上記低域通過フィルタはその遮断周波数をｆ
ｏから３ｆｏの間に設定していて、３ｆｏ付近の周波数
帯を低減させる。図中の破線は上記低域通過フィルタを
設けなかった場合の特性である。このようにして３次高
調波のスプリアスレスポンスを抑えた特性が得られる。
る。Ａは通過特性、Ｂは反射特性である。上記帯域通過
フィルタはｆｏを中心周波数として所定帯域幅の信号を
通過させ、上記低域通過フィルタはその遮断周波数をｆ
ｏから３ｆｏの間に設定していて、３ｆｏ付近の周波数
帯を低減させる。図中の破線は上記低域通過フィルタを
設けなかった場合の特性である。このようにして３次高
調波のスプリアスレスポンスを抑えた特性が得られる。
【００２６】次に第４の実施形態に係るダイプレクサの
構成を図６〜図８を参照して説明する。図６の（Ａ）は
外観斜視図、（Ｂ）は（Ａ）における誘電体ブロックの
背面図である。誘電体ブロック１に共振線路用孔２ａ，
２ｂ，２ｃを形成し、その内面に共振線路および電極非
形成部ｇを設ける構造は第１〜第３の実施形態で示した
ものと同様である。このダイプレクサでは、誘電体ブロ
ック１の外面に端子電極６，７，８，９および導体路電
極１３をそれぞれ所定箇所に形成している。誘電体ブロ
ック１の内部には端子電極７と導体路電極１３の一方端
との間に導体路１０、端子電極８と導体路電極１３の他
方端との間に導体路１１、端子電極８と９との間に導体
路１２をそれぞれ設けている。ここで、導体路電極１３
は導体路１０−１１間の中継を行うと共に、この導体路
電極１３自体にもインダクタンス成分を持たせている。
構成を図６〜図８を参照して説明する。図６の（Ａ）は
外観斜視図、（Ｂ）は（Ａ）における誘電体ブロックの
背面図である。誘電体ブロック１に共振線路用孔２ａ，
２ｂ，２ｃを形成し、その内面に共振線路および電極非
形成部ｇを設ける構造は第１〜第３の実施形態で示した
ものと同様である。このダイプレクサでは、誘電体ブロ
ック１の外面に端子電極６，７，８，９および導体路電
極１３をそれぞれ所定箇所に形成している。誘電体ブロ
ック１の内部には端子電極７と導体路電極１３の一方端
との間に導体路１０、端子電極８と導体路電極１３の他
方端との間に導体路１１、端子電極８と９との間に導体
路１２をそれぞれ設けている。ここで、導体路電極１３
は導体路１０−１１間の中継を行うと共に、この導体路
電極１３自体にもインダクタンス成分を持たせている。
【００２７】図７は、上記ダイプレクサの等価回路図で
ある。３つの共振線路による３つの共振器部分およびこ
れらのコムライン結合部分の構成は図４に示したものと
同様である。図７においてＣｅｏは共振線路用孔２ａ内
面の共振線路と端子電極６との間の静電容量、Ｃ３は端
子電極６と接地電極３との間の静電容量である。Ｃｅｘ
は共振線路用孔２ｃの内面の共振線路と端子電極７との
間の静電容量、Ｃ２は端子電極７と接地電極３との間の
静電容量、Ｃ１は端子電極８と接地電極３との間の静電
容量である。Ｌ１は導体路１０，１１および導体路電極
１３によるインダクタンスである。Ｌ２は導体路１２に
よるインダクタンス、Ｃｔ１は端子電極９と接地電極３
との間の静電容量である。
ある。３つの共振線路による３つの共振器部分およびこ
れらのコムライン結合部分の構成は図４に示したものと
同様である。図７においてＣｅｏは共振線路用孔２ａ内
面の共振線路と端子電極６との間の静電容量、Ｃ３は端
子電極６と接地電極３との間の静電容量である。Ｃｅｘ
は共振線路用孔２ｃの内面の共振線路と端子電極７との
間の静電容量、Ｃ２は端子電極７と接地電極３との間の
静電容量、Ｃ１は端子電極８と接地電極３との間の静電
容量である。Ｌ１は導体路１０，１１および導体路電極
１３によるインダクタンスである。Ｌ２は導体路１２に
よるインダクタンス、Ｃｔ１は端子電極９と接地電極３
との間の静電容量である。
【００２８】上記の構造により、Ｃ１，Ｃ２およびＬ１
によって低域通過フィルタを構成し、Ｌ２およびＣｔ１
によってトラップを構成する。この低域通過フィルタと
トラップによって受信フィルタを構成する。また、共振
線路用孔２ａ〜２ｃに設けた共振線路により帯域通過特
性を有するもう一方の受信フィルタを構成する。例え
ば、上記低域通過フィルタとトラップによる受信フィル
タは９００ＭＨｚ帯を用いる携帯電話システムＧＳＭ用
に用い、上記帯域通過フィルタ特性を有する受信フィル
タは１．８ＧＨｚ帯を用いる携帯電話システムＤＣＳ用
として用いる。
によって低域通過フィルタを構成し、Ｌ２およびＣｔ１
によってトラップを構成する。この低域通過フィルタと
トラップによって受信フィルタを構成する。また、共振
線路用孔２ａ〜２ｃに設けた共振線路により帯域通過特
性を有するもう一方の受信フィルタを構成する。例え
ば、上記低域通過フィルタとトラップによる受信フィル
タは９００ＭＨｚ帯を用いる携帯電話システムＧＳＭ用
に用い、上記帯域通過フィルタ特性を有する受信フィル
タは１．８ＧＨｚ帯を用いる携帯電話システムＤＣＳ用
として用いる。
【００２９】図８は、上記２つの帯域を含む周波数範囲
における２つの受信フィルタの通過特性および反射特性
を示している。図８においてＡはＤＣＳ用受信フィルタ
の通過特性、Ｂはその反射特性、ＣはＧＳＭ用受信フィ
ルタの通過特性、Ｄはその反射特性である。図８におい
て横軸は周波数（ＭＨｚ）、縦軸の左側の目盛は透過
量、右側の目盛は反射量をそれぞれ示している。このよ
うにＤＣＳ用受信フィルタは１．８ＧＨｚ帯の信号を通
過させるとともに９００ＭＨｚ帯を阻止し、ＧＳＭ用受
信フィルタは９００ＭＨｚ帯を通過させるとともに１．
８ＧＨｚ帯を阻止する。
における２つの受信フィルタの通過特性および反射特性
を示している。図８においてＡはＤＣＳ用受信フィルタ
の通過特性、Ｂはその反射特性、ＣはＧＳＭ用受信フィ
ルタの通過特性、Ｄはその反射特性である。図８におい
て横軸は周波数（ＭＨｚ）、縦軸の左側の目盛は透過
量、右側の目盛は反射量をそれぞれ示している。このよ
うにＤＣＳ用受信フィルタは１．８ＧＨｚ帯の信号を通
過させるとともに９００ＭＨｚ帯を阻止し、ＧＳＭ用受
信フィルタは９００ＭＨｚ帯を通過させるとともに１．
８ＧＨｚ帯を阻止する。
【００３０】次に第５の実施形態に係るデュプレクサの
構成を図９および図１０を参照して説明する。図９は、
外観斜視図である。誘電体ブロック１の内部には２ａ〜
２ｇで示す共振線路用孔を形成していて、その内面には
共振線路および電極非形成部を設けている。共振線路用
孔２ａ〜２ｃ部分の３つの共振器部分の構成は以上に示
した各実施形態におけるものと同様であり、隣接する共
振器間が順次コムライン結合する。端子電極６は共振線
路用孔２ａ内面の共振線路と容量結合する。一方、共振
線路用孔２ｄ〜２ｇの内面に形成した共振線路によって
４つの共振器が順次コムライン結合した回路を構成す
る。端子電極７は共振線路用孔２ｇ内面の共振線路と容
量結合する。
構成を図９および図１０を参照して説明する。図９は、
外観斜視図である。誘電体ブロック１の内部には２ａ〜
２ｇで示す共振線路用孔を形成していて、その内面には
共振線路および電極非形成部を設けている。共振線路用
孔２ａ〜２ｃ部分の３つの共振器部分の構成は以上に示
した各実施形態におけるものと同様であり、隣接する共
振器間が順次コムライン結合する。端子電極６は共振線
路用孔２ａ内面の共振線路と容量結合する。一方、共振
線路用孔２ｄ〜２ｇの内面に形成した共振線路によって
４つの共振器が順次コムライン結合した回路を構成す
る。端子電極７は共振線路用孔２ｇ内面の共振線路と容
量結合する。
【００３１】共振線路用孔２ｃと２ｄとの間には、共振
線路の長手方向に対して垂直方向に導体路１０を形成し
ている。この導体路１０の一方端は端子電極８に導通さ
せていて、他方端は接地電極３に導通させている。
線路の長手方向に対して垂直方向に導体路１０を形成し
ている。この導体路１０の一方端は端子電極８に導通さ
せていて、他方端は接地電極３に導通させている。
【００３２】図１０は上記デュプレクサの等価回路図で
ある。ここでＲ１〜Ｒ７は共振線路用孔２ａ〜２ｇによ
る各共振器である。Ｃｅｉは端子電極６と共振器Ｒ１と
の結合容量（共振線路用孔２ａ内面の共振線路と端子電
極６との間の静電容量）、Ｃ２は端子電極６と接地電極
３との間の静電容量である。Ｃｅｏは端子電極７と共振
器Ｒ７との結合容量（共振線路用孔２ｇ内面の共振線路
と端子電極７との間の静電容量）、Ｃ３は端子電極７と
接地電極３との間の静電容量である。またＣｔｘは共振
器Ｒ３と端子電極８との間の結合容量である。同様にＣ
ｒｘは共振器Ｒ４と端子電極８との間の結合容量であ
る。Ｌ１は導体路１０のインダクタンス、Ｃ１は端子電
極８と接地電極３との間の静電容量である。
ある。ここでＲ１〜Ｒ７は共振線路用孔２ａ〜２ｇによ
る各共振器である。Ｃｅｉは端子電極６と共振器Ｒ１と
の結合容量（共振線路用孔２ａ内面の共振線路と端子電
極６との間の静電容量）、Ｃ２は端子電極６と接地電極
３との間の静電容量である。Ｃｅｏは端子電極７と共振
器Ｒ７との結合容量（共振線路用孔２ｇ内面の共振線路
と端子電極７との間の静電容量）、Ｃ３は端子電極７と
接地電極３との間の静電容量である。またＣｔｘは共振
器Ｒ３と端子電極８との間の結合容量である。同様にＣ
ｒｘは共振器Ｒ４と端子電極８との間の結合容量であ
る。Ｌ１は導体路１０のインダクタンス、Ｃ１は端子電
極８と接地電極３との間の静電容量である。
【００３３】このようにして共振器Ｒ１〜Ｒ３による送
信フィルタと、共振器Ｒ４〜Ｒ７による受信フィルタと
からなるデュプレクサを構成する。ここで、Ｌ１は移相
回路を構成する。すなわち、分岐点から見た受信フィル
タの送信周波数帯域におけるインピーダンスと、分岐点
から見た送信フィルタの受信周波数帯域におけるインピ
ーダンスとが、（位相０°，インピーダンス無限大）に
近づくようにする。これにより、送信フィルタと受信フ
ィルタとの位相のマッチングを改善する。
信フィルタと、共振器Ｒ４〜Ｒ７による受信フィルタと
からなるデュプレクサを構成する。ここで、Ｌ１は移相
回路を構成する。すなわち、分岐点から見た受信フィル
タの送信周波数帯域におけるインピーダンスと、分岐点
から見た送信フィルタの受信周波数帯域におけるインピ
ーダンスとが、（位相０°，インピーダンス無限大）に
近づくようにする。これにより、送信フィルタと受信フ
ィルタとの位相のマッチングを改善する。
【００３４】図９に示したデュプレクサは単一の送信フ
ィルタと単一の受信フィルタを備えたものであったが、
共通の誘電体ブロックに複数の送信フィルタと複数の受
信フィルタをそれぞれ構成してマルチプレクサを構成し
てもよい。図１１はその等価回路を示している。図１１
において、共振器Ｒ１１〜Ｒ１３による回路部分は第１
の送信フィルタを構成し、Ｒ１４〜Ｒ１７による回路部
分は第１の受信フィルタを構成する。また、共振器Ｒ２
１〜Ｒ２３による回路部分は第２の送信フィルタを構成
し、Ｒ２４〜Ｒ２７による回路部分は第２の受信フィル
タを構成する。Ｌ１は誘電体ブロック内に設けた導体路
によるインダクタンス、Ｃ２はＬ１を構成する導体路の
一端の電極と接地電極との間の静電容量、Ｃ１はＲＸ１
端子としての端子電極と接地電極との間に生じる静電容
量である。このＬ１，Ｃ１，Ｃ２による回路は低域通過
フィルタとして作用し、２つの送信周波数帯域や他の受
信周波数帯域の不要な信号を阻止する。
ィルタと単一の受信フィルタを備えたものであったが、
共通の誘電体ブロックに複数の送信フィルタと複数の受
信フィルタをそれぞれ構成してマルチプレクサを構成し
てもよい。図１１はその等価回路を示している。図１１
において、共振器Ｒ１１〜Ｒ１３による回路部分は第１
の送信フィルタを構成し、Ｒ１４〜Ｒ１７による回路部
分は第１の受信フィルタを構成する。また、共振器Ｒ２
１〜Ｒ２３による回路部分は第２の送信フィルタを構成
し、Ｒ２４〜Ｒ２７による回路部分は第２の受信フィル
タを構成する。Ｌ１は誘電体ブロック内に設けた導体路
によるインダクタンス、Ｃ２はＬ１を構成する導体路の
一端の電極と接地電極との間の静電容量、Ｃ１はＲＸ１
端子としての端子電極と接地電極との間に生じる静電容
量である。このＬ１，Ｃ１，Ｃ２による回路は低域通過
フィルタとして作用し、２つの送信周波数帯域や他の受
信周波数帯域の不要な信号を阻止する。
【００３５】なお、図９に示したデュプレクサにおい
て、共振線路用孔はステップ孔であっても、ストレート
孔であってもよい。また、図１３の（Ａ）に示したもの
と同様に、各共振線路用孔の開放端となる誘電体ブロッ
クの端面に、共振線路から連続する開放端電極を形成し
てもよい。この構造の場合も、共振線路用孔はステップ
孔であっても、ストレート孔であってもよい。また、共
振線路用孔がステップ孔である場合、図１３の（Ｂ）に
示したものと同様に、各共振線路用孔の一方の開口面で
ある、誘電体ブロックの一方の端面を開放面としてもよ
い。
て、共振線路用孔はステップ孔であっても、ストレート
孔であってもよい。また、図１３の（Ａ）に示したもの
と同様に、各共振線路用孔の開放端となる誘電体ブロッ
クの端面に、共振線路から連続する開放端電極を形成し
てもよい。この構造の場合も、共振線路用孔はステップ
孔であっても、ストレート孔であってもよい。また、共
振線路用孔がステップ孔である場合、図１３の（Ｂ）に
示したものと同様に、各共振線路用孔の一方の開口面で
ある、誘電体ブロックの一方の端面を開放面としてもよ
い。
【００３６】さらに、上述の構造を、共通の誘電体ブロ
ックに複数の送信フィルタもしくは複数の受信フィルタ
を構成したもの、または共通の誘電体ブロックに複数の
送信フィルタと複数の受信フィルタをそれぞれ構成した
ものに適用して、ダイプレクサやマルチプレクサを構成
してもよい。
ックに複数の送信フィルタもしくは複数の受信フィルタ
を構成したもの、または共通の誘電体ブロックに複数の
送信フィルタと複数の受信フィルタをそれぞれ構成した
ものに適用して、ダイプレクサやマルチプレクサを構成
してもよい。
【００３７】次に上記誘電体フィルタまたはデュプレク
サを用いた通信装置の構成を図１２を参照して説明す
る。同図においてＡＮＴは送受信アンテナ、ＤＸＰはデ
ュプレクサ、ＢＰＦａ，ＢＰＦｂ，ＢＰＦｃはそれぞれ
帯域通過フィルタ、ＡＭＰａ，ＡＭＰｂはそれぞれ増幅
回路、ＭＩＸａ，ＭＩＸｂはそれぞれミキサ、ＯＳＣは
オシレータ、ＤＩＶは分周器（シンセサイザー）であ
る。ＭＩＸａはＤＩＶから出力される周波数信号を変調
信号で変調し、ＢＰＦａは送信周波数の帯域のみを通過
させ、ＡＭＰａはこれを電力増幅してＤＰＸを介しＡＮ
Ｔより送信する。ＢＰＦｂはＤＰＸから出力される信号
のうち受信周波数帯域のみを通過させ、ＡＭＰｂはそれ
を増幅する。ＭＩＸｂはＢＰＦｃより出力される周波数
信号と受信信号とをミキシングして中間周波信号ＩＦを
出力する。
サを用いた通信装置の構成を図１２を参照して説明す
る。同図においてＡＮＴは送受信アンテナ、ＤＸＰはデ
ュプレクサ、ＢＰＦａ，ＢＰＦｂ，ＢＰＦｃはそれぞれ
帯域通過フィルタ、ＡＭＰａ，ＡＭＰｂはそれぞれ増幅
回路、ＭＩＸａ，ＭＩＸｂはそれぞれミキサ、ＯＳＣは
オシレータ、ＤＩＶは分周器（シンセサイザー）であ
る。ＭＩＸａはＤＩＶから出力される周波数信号を変調
信号で変調し、ＢＰＦａは送信周波数の帯域のみを通過
させ、ＡＭＰａはこれを電力増幅してＤＰＸを介しＡＮ
Ｔより送信する。ＢＰＦｂはＤＰＸから出力される信号
のうち受信周波数帯域のみを通過させ、ＡＭＰｂはそれ
を増幅する。ＭＩＸｂはＢＰＦｃより出力される周波数
信号と受信信号とをミキシングして中間周波信号ＩＦを
出力する。
【００３８】図１２に示したデュプレクサＤＰＸ部分は
図９〜図１０に示した構造のデュプレクサを用いること
ができる。また帯域通過フィルタＢＰＦａ，ＢＰＦｂ，
ＢＰＦｃは図１〜図５および図１３に示した構造の誘電
体フィルタを用いることができる。このようにして全体
に小型の通信装置を構成することができる。
図９〜図１０に示した構造のデュプレクサを用いること
ができる。また帯域通過フィルタＢＰＦａ，ＢＰＦｂ，
ＢＰＦｃは図１〜図５および図１３に示した構造の誘電
体フィルタを用いることができる。このようにして全体
に小型の通信装置を構成することができる。
【００３９】
【発明の効果】請求項１に係る発明によれば、誘電体ブ
ロック以外の別部品を必要とせず、しかも小型でありな
がら比較的大きなインダクタンス成分を有する素子を構
成することができる。また、共振線路を構成する場合と
同様にして誘電体ブロック内に導体路を構成すればよい
ので、その製造も容易となる。
ロック以外の別部品を必要とせず、しかも小型でありな
がら比較的大きなインダクタンス成分を有する素子を構
成することができる。また、共振線路を構成する場合と
同様にして誘電体ブロック内に導体路を構成すればよい
ので、その製造も容易となる。
【００４０】請求項２に係る発明によれば、導体路のイ
ンダクタンス成分と、導体路端部の電極と接地電極間の
キャパシタンス成分とによってＬＣ回路が構成され、こ
れにより例えば低域通過フィルタ、高域通過フィルタ、
または帯域阻止フィルタ（トラップ）を容易に構成する
ことができる。
ンダクタンス成分と、導体路端部の電極と接地電極間の
キャパシタンス成分とによってＬＣ回路が構成され、こ
れにより例えば低域通過フィルタ、高域通過フィルタ、
または帯域阻止フィルタ（トラップ）を容易に構成する
ことができる。
【００４１】請求項３に係る発明によれば、ほぼ平行に
配列した複数の共振線路による第１のフィルタ部を例え
ば帯域通過フィルタとして用い、誘電体ブロック内の導
体路のインダクタンス成分と導体路端部の電極と接地電
極間のキャパシタンス成分とによる第２のフィルタ部を
例えば低域通過フィルタとして用いれば、帯域通過フィ
ルタと低域通過フィルタを組み合わせた複合誘電体フィ
ルタが容易に得られる。
配列した複数の共振線路による第１のフィルタ部を例え
ば帯域通過フィルタとして用い、誘電体ブロック内の導
体路のインダクタンス成分と導体路端部の電極と接地電
極間のキャパシタンス成分とによる第２のフィルタ部を
例えば低域通過フィルタとして用いれば、帯域通過フィ
ルタと低域通過フィルタを組み合わせた複合誘電体フィ
ルタが容易に得られる。
【００４２】請求項４に係る発明によれば、全体に更に
小型化された例えばダイプレクサ、デュプレクサ、マル
チプレクサなどの複合誘電体フィルタが得られる。
小型化された例えばダイプレクサ、デュプレクサ、マル
チプレクサなどの複合誘電体フィルタが得られる。
【００４３】請求項５に係る発明によれば、全体に小型
化されたアンテナ共用器が得られる。
化されたアンテナ共用器が得られる。
【００４４】請求項６に係る発明によれば、上記誘電体
フィルタまたは複合誘電体フィルタが高周波回路部に設
けられた小型軽量の通信装置が得られる。
フィルタまたは複合誘電体フィルタが高周波回路部に設
けられた小型軽量の通信装置が得られる。
【図１】第１の実施形態に係る誘電体フィルタの斜視図
および断面図
および断面図
【図２】第２の実施形態に係る誘電体フィルタの斜視図
【図３】第３の実施形態に係る誘電体フィルタの斜視図
および背面図
および背面図
【図４】同誘電体フィルタの等価回路図
【図５】同誘電体フィルタの特性図
【図６】第４の実施形態に係るダイプレクサの斜視図お
よび背面図
よび背面図
【図７】同ダイプレクサの等価回路図
【図８】同ダイプレクサの特性図
【図９】第５の実施形態に係るデュプレクサの斜視図
【図１０】同デュプレクサの等価回路図
【図１１】第６の実施形態に係るマルチプレクサの等価
回路図
回路図
【図１２】第７の実施形態に係る通信装置の構成を示す
ブロック図
ブロック図
【図１３】別構造の誘電体フィルタの斜視図
【図１４】従来の誘電体フィルタの構成を示す図
１−誘電体ブロック ２−共振線路用孔 ３−接地電極 ５−共振線路 ６〜９−端子電極 １０〜１２−導体路 １３−導体路電極 ｇ−電極非形成部
Claims (6)
- 【請求項１】 誘電体ブロック内に複数の共振線路を略
平行に配列し、これらの共振線路の長手方向に対して非
平行に導体路を形成し、該導体路を前記共振線路による
回路に接続されたインダクタンス成分を有する素子とし
て用いたことを特徴とする誘電体フィルタ。 - 【請求項２】 誘電体ブロックの表面に接地電極を形成
するとともに、前記導体路の端部に、前記接地電極との
間にキャパシタンス成分を生じさせる電極を形成した請
求項１に記載の誘電体フィルタ。 - 【請求項３】 誘電体ブロック内に複数の共振線路を略
平行に配列して第１のフィルタ部を構成し、 前記誘電体ブロック内に前記共振線路の配列方向に対し
て非平行に導体路を形成し、前記誘電体ブロックの表面
に接地電極を形成するとともに、前記導体路の端部に、
前記接地電極との間にキャパシタンス成分を生じさせる
電極を形成して、前記導体路のインダクタンス成分と前
記キャパシタンス成分により第２のフィルタ部を構成し
て成る複合誘電体フィルタ。 - 【請求項４】 請求項１もしくは２に記載の誘電体フィ
ルタまたは請求項３に記載の複合誘電体フィルタを含む
複数の誘電体フィルタを共通の誘電体ブロックで構成し
た複合誘電体フィルタ。 - 【請求項５】 請求項４に記載の誘電体フィルタまたは
複合誘電体フィルタで送信フィルタと受信フィルタを構
成して成るアンテナ共用器。 - 【請求項６】 請求項１もしくは２に記載の誘電体フィ
ルタまたは請求項３もしくは４に記載の複合誘電体フィ
ルタもしくは請求項５に記載のアンテナ共用器を高周波
回路部に設けたことを特徴とする通信装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20150599A JP3521805B2 (ja) | 1998-09-11 | 1999-07-15 | 誘電体フィルタ、複合誘電体フィルタ、アンテナ共用器および通信装置 |
| US09/394,845 US6380824B1 (en) | 1998-09-11 | 1999-09-13 | Dielectric filter, composite dielectric filter, duplexer, and communication apparatus |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25862398 | 1998-09-11 | ||
| JP10-258623 | 1998-09-11 | ||
| JP20150599A JP3521805B2 (ja) | 1998-09-11 | 1999-07-15 | 誘電体フィルタ、複合誘電体フィルタ、アンテナ共用器および通信装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000151209A true JP2000151209A (ja) | 2000-05-30 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20150599A Expired - Fee Related JP3521805B2 (ja) | 1998-09-11 | 1999-07-15 | 誘電体フィルタ、複合誘電体フィルタ、アンテナ共用器および通信装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6380824B1 (ja) |
| JP (1) | JP3521805B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6661314B2 (en) | 2000-12-08 | 2003-12-09 | Tdk Corporation | Dielectric band pass filter having an evanescent waveguide |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100624048B1 (ko) * | 1999-01-29 | 2006-09-18 | 도꼬가부시끼가이샤 | 유전체필터 |
| JP3902072B2 (ja) | 2001-07-17 | 2007-04-04 | 東光株式会社 | 誘電体導波管フィルタとその実装構造 |
| JP4111347B2 (ja) * | 2005-09-20 | 2008-07-02 | Ｔｄｋ株式会社 | 誘電体装置 |
| WO2008019307A2 (en) * | 2006-08-04 | 2008-02-14 | Dielectric Laboratories, Inc. | Wideband dielectric waveguide filter |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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